JP2003282382A - Method for manufacturing semiconductor circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、1枚のウェハ上に
順次露光していく過程をパターンの異なるマスクについ
て複数回含み、切断により複数個の半導体チップに分離
される半導体回路の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor circuit which includes a process of sequentially exposing one wafer for a mask having a different pattern and is divided into a plurality of semiconductor chips by cutting. .
【0002】[0002]
【従来の技術】パッケージに封入された半導体チップ
は、1枚のウェハ上に、複数の半導体回路を作り込んだ
後、そのウェハを1つの半導体回路ごとに切断し分離す
ることで、半導体回路を有する半導体チップとし、その
半導体チップをパッケージに封入して完成される。2. Description of the Related Art A semiconductor chip encapsulated in a package is formed by forming a plurality of semiconductor circuits on a single wafer and then cutting the wafer into individual semiconductor circuits to separate the semiconductor circuits. The semiconductor chip is completed, and the semiconductor chip is enclosed in a package to complete the process.
【0003】パッケージに封入された半導体チップに製
品不良が見つかると、その製品不良を解析し、再発防止
に努める必要がある。When a product defect is found in the semiconductor chip enclosed in the package, it is necessary to analyze the product defect and try to prevent recurrence.
【0004】ここで、半導体チップに生じた不良は、ウ
ェハの周辺部から分離された複数の半導体チップに集中
していたり、あるいはウェハ下部から分離された複数の
半導体チップに集中していたりと、ウェハの位置に依存
することが多い。そのため、製品不良の解析や、再発防
止対策のためには、不良の半導体チップがウェハのどの
部分から分離されたものであるのかを知ることが重要な
手がかりになる。Here, the defects generated in the semiconductor chips are concentrated in a plurality of semiconductor chips separated from the peripheral portion of the wafer, or concentrated in a plurality of semiconductor chips separated from the lower part of the wafer. Often depends on the position of the wafer. Therefore, in order to analyze product defects and prevent recurrence, it is important to know from which part of the wafer the defective semiconductor chip is separated.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
を半導体チップに分離してしまうと、各半導体チップ
が、ウェハのどの部分から分離されたものであるのかが
わからなくなってしまう。However, if the wafer is separated into semiconductor chips, it becomes unclear which part of the wafer each semiconductor chip is separated from.
【0006】本発明は、上記事情に鑑み、ウェハを半導
体チップに分離した後でも、半導体チップがウェハのど
の部分から分離されたものであるのかを識別することが
できる半導体回路の製造方法を提供することを目的とす
る。In view of the above circumstances, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor circuit, which can identify from which part of a wafer a semiconductor chip is separated even after the wafer is separated into semiconductor chips. The purpose is to do.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体回路の製造方法は、1枚のウェハ上に順次露
光していく過程をパターンの異なるマスクについて複数
回含み、切断により複数個の半導体チップに分離される
半導体回路の製造方法において、1枚のマスクについ
て、他のマスクに対する相対位置を、1枚のウェハ上に
作り込まれる複数の半導体回路のそのウェハ上の各位置
に応じて異ならせることにより、半導体チップ上に、1
枚のウェハ上の位置を記録することを特徴とする。A method of manufacturing a semiconductor circuit according to the present invention, which achieves the above object, includes a step of successively exposing one wafer for a mask having different patterns, and a plurality of steps by cutting. In the method of manufacturing a semiconductor circuit to be separated into semiconductor chips, the relative position of one mask with respect to another mask is determined according to each position on the wafer of a plurality of semiconductor circuits formed on one wafer. On the semiconductor chip by changing the
It is characterized in that the position on the wafer is recorded.
【0008】本発明の半導体回路の製造方法によれば、
ステップ・アンド・リピートのたびに半導体チップの露
光位置がずらされるため、ウェハを半導体チップに分離
した後でも、その1枚のマスクを用いて作り込まれたパ
ターン部分を観察することで、半導体チップがウェハの
どの部分から分離されたものであるのかを識別すること
ができる。According to the method of manufacturing a semiconductor circuit of the present invention,
Since the exposure position of the semiconductor chip is shifted each time step-and-repeat is repeated, even after the wafer is separated into semiconductor chips, by observing the pattern portion created using the mask, the semiconductor chip From which part of the wafer was separated.
【0009】また、本発明の半導体回路の製造方法にお
いて、上記1枚のマスクが、ボンディングパッド開口形
成用のマスクであって、ボンディングパッドの開口の位
置を、1枚のウェハ上に作り込まれる半導体チップの、
そのウェハ上の位置に応じて異ならせるものであった
り、あるいは、上記1枚のマスクが所定の配線層形成用
のマスクであって、その所定の配線層の位置を、1枚の
ウェハ上に作り込まれる半導体チップの、そのウェハ上
の位置に応じて異ならせるものであることが好ましい。In the method of manufacturing a semiconductor circuit of the present invention, the one mask is a mask for forming a bonding pad opening, and the opening position of the bonding pad is formed on one wafer. Semiconductor chip,
The mask may be made different according to the position on the wafer, or the one mask may be a mask for forming a predetermined wiring layer, and the position of the predetermined wiring layer may be set on one wafer. It is preferable that the semiconductor chips to be built differ depending on the position on the wafer.
【0010】保護膜形成用のマスクや所定の配線層形成
用のマスクであれば、それらのマスクを用いて作り込ま
れるパターン部分では、他層に対する多少の位置ずれを
許容することができ、ウェハ上の位置を表すために位置
を異ならしめても、半導体回路の性能に影響を及ぼすこ
とはない。If a mask for forming a protective film or a mask for forming a predetermined wiring layer is used, the pattern portion formed by using these masks can tolerate a slight misalignment with respect to other layers. Even if the positions are changed to represent the upper position, the performance of the semiconductor circuit is not affected.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.
【0012】本実施形態の半導体回路の製造方法では、
1枚のウェハ上に、複数の半導体回路を作り込んだ後、
そのウェハを1つの半導体回路ごとに分離する。所定の
半導体回路を作り込むにあたっては、1枚のウェハ上に
マスクパターンを投影し、そのパターンに沿った形状を
形成するパターン形成工程を、パターンが異なるマスク
について複数回繰り返す、公知の方法が採用される。マ
スクパターンの投影は、ステッパを用いて、ウェハを乗
せた載置台を順次移動させ、各半導体回路が作り込まれ
るウェハの部分領域、すなわち半導体チップごとにマス
ク合わせを行った後に、そのマスクのパターンを投影す
る。In the method of manufacturing a semiconductor circuit of this embodiment,
After creating multiple semiconductor circuits on one wafer,
The wafer is separated for each semiconductor circuit. When a predetermined semiconductor circuit is formed, a known method is adopted in which a pattern forming process of projecting a mask pattern on one wafer and forming a shape along the pattern is repeated a plurality of times for masks having different patterns. To be done. The mask pattern is projected by using a stepper to sequentially move the mounting table on which the wafer is placed and performing mask alignment for each partial area of the wafer in which each semiconductor circuit is formed, that is, for each semiconductor chip, and then for the mask pattern. To project.
【0013】図1は、半導体チップの最上層の保護膜に
ボンディングパッド開口部を形成する際のマスク合わせ
を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining mask alignment when forming a bonding pad opening in a protective film on the uppermost layer of a semiconductor chip.
【0014】図1に示すウェハ1からは、21個の半導
体チップ10が分離される。各半導体チップ10には、
複数回のパターン形成工程が既に実施され、矩形状の配
線からなるボンディングパッド12がすでに形成されて
いる。さらに、各半導体チップ10には、このボンディ
ングパッドを覆うように保護膜11も形成されている。
ボンデングワイヤをボディングパッドに接続できるよう
にするため、各半導体チップ10には、保護膜11に開
口をあけるための開口形成用パターンが投影される。図
1中の(a)は、1点鎖線で囲まれた中央の半導体チッ
プ10と、その中央の半導体チップ10に投影された開
口形成用パターンのボンディングパッド12に対する相
対的な位置関係を示す拡大図であり、(b)は、1点鎖
線で囲まれた左下の半導体チップ10に関し、(a)と
同様な相対的位置関係を示す拡大図であり、(c)は、
1点鎖線で囲まれた右上の半導体チップに関し、同様な
相対的位置関係を示す拡大図である。これらの拡大図そ
れぞれにおいて、実線で示された矩形は半導体チップ1
0内のボンディングパッド12を表し、点線で示された
矩形は開口形成用パターンの開口11aを表す。この開
口形成用パターンを投影するために用いられる開口形成
用マスクは、ステッパによって、ウェハを乗せた載置台
が移動させられ、各半導体チップ10ごとに位置合わせ
される。1点鎖線で囲まれた中央の半導体チップ10に
おける位置合わせでは、投影する開口形成用パターンが
この中央の半導体チップ10内のボンディングパッド1
2として既に形成されたパターンと正確に合うように、
ボンディングパッド中央に開口が設けられるように開口
形成用パターンが投影される((a)の拡大図参照)。Twenty-one semiconductor chips 10 are separated from the wafer 1 shown in FIG. Each semiconductor chip 10 has
The pattern forming process has already been performed a plurality of times, and the bonding pad 12 made of a rectangular wiring has already been formed. Further, a protective film 11 is also formed on each semiconductor chip 10 so as to cover the bonding pad.
In order to connect the bonding wire to the bonding pad, an opening forming pattern for opening an opening in the protective film 11 is projected on each semiconductor chip 10. FIG. 1A is a magnified view showing the relative position of the central semiconductor chip 10 surrounded by the alternate long and short dash line and the opening forming pattern projected on the central semiconductor chip 10 to the bonding pad 12. FIG. 3B is an enlarged view showing a relative positional relationship similar to that of FIG. 3A with respect to the lower left semiconductor chip 10 surrounded by an alternate long and short dash line, and FIG.
It is an enlarged view which shows the same relative positional relationship about the upper right semiconductor chip enclosed with the dashed-dotted line. In each of these enlarged views, the rectangle shown by the solid line is the semiconductor chip 1.
The bonding pad 12 within 0 is represented, and the rectangle shown by the dotted line represents the opening 11a of the opening forming pattern. The opening forming mask used for projecting the opening forming pattern is aligned for each semiconductor chip 10 by moving the mounting table on which the wafer is placed by the stepper. In the alignment in the central semiconductor chip 10 surrounded by the one-dot chain line, the opening forming pattern to be projected is the bonding pad 1 in the central semiconductor chip 10.
To match the pattern already formed as 2.
An opening forming pattern is projected so that an opening is provided at the center of the bonding pad (see the enlarged view of (a)).
【0015】ここで、最上層の保護膜に形成する開口の
形成位置がボンディングパッド中央から多少ずれても、
半導体回路の性能に影響は及ばない。本実施形態では、
ステッパによって、この開口の形成位置を、1枚のウェ
ハ上に作り込まれる半導体回路の、ウェハ上の位置に応
じて異ならせる。以下、XY座標を用いて説明する。こ
こでは、図1の横方向をX方向とし、縦方向をY方向と
する。図1に示す各半導体チップ10に括弧でくくられ
て記された数字は、1点鎖線で囲まれた中央の半導体チ
ップにおける開口形成用パターンのボンディングパッド
12に対する相対位置を、X方向にもY方向にも±0と
したとき、(即ち、ずれを±0とする)開口形成用パタ
ーンが、X方向およびY方向に何μmずらして投影され
るかを表している。すなわち、この括弧でくくられて記
された数字は、開口形成用マスクについて、既にパター
ン投影された他のマスクに対する相対的位置のずれを表
している。1点鎖線で囲まれた左下の半導体チップ10
では、投影された開口形成用パターンの位置は、中央の
半導体チップに投影された開口形成用パターンの位置に
比べて、X方向に−1μm(図1の左方に1μm)、Y
方向に+2μm(図1の下方に2μm)ずれた位置に投
影される。すなわち、(b)の拡大図に示すようにボン
ディングパッド左下に開口が設けられるよう、ステッパ
によって開口形成マスクが位置合わせされ投影される。
また、1点鎖線で囲まれた右上の半導体チップ10で
は、投影された開口形成用パターンの位置は、中央の半
導体チップに投影された開口形成用パターンの位置に比
べて、X方向に+2μm(図1の右方に2μm)、Y方
向に−1μm(図1の上方に1μm)ずれた位置に投影
される。すなわち、(c)の拡大図に示すようにボンデ
ィングパッド右上に開口が設けられるよう、ステッパに
よって開口形成用マスクが位置合わせされ投影される。
このように、本実施形態においては、開口形成用パター
ンの投影位置が、ウェハ上に作り込まれる複数の半導体
回路のウェハ上の各位置に応じて異なるように、ステッ
パによって開口形成用マスクの位置合わせを行う。ステ
ッパは、一つの半導体チップでパターン投影が終了する
たびに、ウェハ載置台を次の半導体チップに移動させ
る。その後、投影されたパターンに沿った形状が形成さ
れ、各半導体チップ10の最上層の保護膜11に、半導
体チップに搭載された半導体回路が作り込まれた、1枚
のウェハ上の位置が記録される。図1に示すウェハ1
は、最終的には、21個の半導体チップに分離される。
分離された各半導体チップの表面からは、開口形成用マ
スクを用いてパターン投影された回路部分を顕微鏡によ
り拡大し視認することができる。そのため、分離された
半導体チップであっても、開口の位置を観察すること
で、その半導体チップがウェハのどの部分から分離され
たものであるかを識別することができる。Here, even if the formation position of the opening formed in the uppermost protective film is slightly displaced from the center of the bonding pad,
It does not affect the performance of the semiconductor circuit. In this embodiment,
The position where the opening is formed is made different by the stepper according to the position of the semiconductor circuit formed on one wafer on the wafer. Hereinafter, description will be made using XY coordinates. Here, the horizontal direction in FIG. 1 is the X direction, and the vertical direction is the Y direction. The numbers in parentheses on each semiconductor chip 10 shown in FIG. 1 indicate the relative position of the opening forming pattern in the central semiconductor chip surrounded by the one-dot chain line with respect to the bonding pad 12 in the X direction as well. When the direction is also set to ± 0 (that is, the shift is set to ± 0), it represents how many μm the projected pattern is projected in the X and Y directions. That is, the numbers in parentheses represent the displacement of the relative position of the mask for forming an opening with respect to other masks which have already undergone pattern projection. The lower left semiconductor chip 10 surrounded by the one-dot chain line
Then, the projected position of the opening forming pattern is -1 μm in the X direction (1 μm on the left side of FIG. 1), Y, compared with the position of the opening forming pattern projected on the central semiconductor chip.
The image is projected at a position shifted by +2 μm (2 μm downward in FIG. 1) in the direction. That is, as shown in the enlarged view of (b), the opening forming mask is aligned and projected by the stepper so that the opening is provided at the lower left of the bonding pad.
In the upper right semiconductor chip 10 surrounded by the one-dot chain line, the position of the projected opening forming pattern is +2 μm (in the X direction) compared to the position of the opening forming pattern projected on the central semiconductor chip. The image is projected at a position shifted by 2 μm to the right in FIG. 1 and −1 μm in the Y direction (1 μm in the upper part of FIG. 1). That is, as shown in the enlarged view of (c), the opening forming mask is aligned and projected by the stepper so that the opening is provided at the upper right of the bonding pad.
As described above, in the present embodiment, the position of the mask for forming an opening is adjusted by the stepper so that the projected position of the pattern for forming an opening is different depending on each position on the wafer of the plurality of semiconductor circuits formed on the wafer. Make a match. The stepper moves the wafer mounting table to the next semiconductor chip each time the pattern projection is completed on one semiconductor chip. After that, a shape along the projected pattern is formed, and the position on one wafer where the semiconductor circuit mounted on the semiconductor chip is formed in the uppermost protective film 11 of each semiconductor chip 10 is recorded. To be done. Wafer 1 shown in FIG.
Is finally separated into 21 semiconductor chips.
From the surface of each of the separated semiconductor chips, the circuit portion on which the pattern is projected by using the opening forming mask can be magnified and visually recognized with a microscope. Therefore, even with a separated semiconductor chip, it is possible to identify from which part of the wafer the semiconductor chip is separated by observing the position of the opening.
【0016】次に、図2を用いて、本発明を適用した第
2実施形態について説明する。Next, a second embodiment to which the present invention is applied will be described with reference to FIG.
【0017】図2は、配線層の配線の位置を異ならせた
2つの半導体回路の部分断面図である。FIG. 2 is a partial sectional view of two semiconductor circuits in which the wiring positions of the wiring layers are different.
【0018】多層配線の半導体チップでは、特定の配線
層を電源専用に割り当て、電源ラインを充分に配線する
ことで、電源にのるノイズの低減を図ることが多い。こ
の場合、他の配線層は信号ラインおよび電源専用配線と
デバイス接続するための電源ラインとで構成される。In a semiconductor chip having a multi-layered wiring, a specific wiring layer is exclusively assigned to a power source and a power source line is sufficiently wired to reduce noise on the power source in many cases. In this case, the other wiring layer is composed of a signal line, a wiring dedicated to the power supply, and a power supply line for connecting the device.
【0019】図2の上下に示す2つの半導体回路100
はいずれも、同じ1枚のウェハに作り込まれたものであ
る。これらの半導体回路100は、素子部分の上に複数
の配線層が絶縁膜を介して積層されたものである。図2
には、2つの半導体回路100それぞれの、それら複数
の配線層のうちの上2つの配線層の部分が示されてい
る。図2に示す2つの配線層101,102のうち、上
方の配線層101の配線は電源ラインであり、下方の配
線層102の配線は信号ラインである。Two semiconductor circuits 100 shown at the top and bottom of FIG.
Are all manufactured on the same single wafer. In these semiconductor circuits 100, a plurality of wiring layers are laminated on the element portion with an insulating film interposed therebetween. Figure 2
In the figure, the upper two wiring layer portions of the plurality of wiring layers of each of the two semiconductor circuits 100 are shown. Of the two wiring layers 101 and 102 shown in FIG. 2, the wiring of the upper wiring layer 101 is a power line and the wiring of the lower wiring layer 102 is a signal line.
【0020】各配線層の形成にあたっても、ステッパを
用いて、マスクパターンの投影が行われる。ここで使用
されるマスクは、各配線層の配線パターンに応じた配線
形成パターンを投影する配線層形成用マスクである。電
源ラインの配線層101を形成する際に使用されるマス
クは、電源ライン形成用パターンを投影する電源ライン
形成用マスクであり、信号ラインの配線層102を形成
する際に使用されるマスクは、信号ライン形成用パター
ンを投影する信号ライン形成用マスクである。信号ライ
ン形成用マスクの位置合わせでは、いずれの半導体チッ
プにおいても、投影する信号ライン形成用パターンが既
に形成されたパターンと正確に合うように、ステッパに
よって、位置が決定される。このような位置合わせを行
った後に形成した信号ラインの配線層102の上には、
絶縁膜103が積層され、その絶縁膜103の上に電源
ラインが形成される。絶縁膜103には、信号ライン
と、形成する電源ラインとを接続するためのコンタクト
ホール1031が開口される。電源ライン形成用マスク
の位置合わせは、図1を用いて説明した、開口形成用マ
スクの位置合わせと同じように、各半導体チップにおい
て、各半導体チップとマスクとの位置関係が、ウェハ上
に作り込まれる複数の半導体回路のウェハ上の各位置に
応じて異なるように位置合わせを行う。すなわち、ウェ
ハ中央の半導体チップの位置合わせでは、電源ライン形
成用マスクの、信号ライン形成用マスクに対するずれの
ない位置合わせが行われるが、他の半導体チップの位置
合わせでは、その中央の半導体チップから離れれば離れ
るほど、電源ライン形成用マスクの、信号ライン形成用
マスクに対する相対位置がずらされる。電源ラインは、
信号ラインほど込みいって配置されず、信号ラインより
も太い配線である。このため、電源ラインの形成位置を
多少ずらすことができ、形成位置を多少ずらしても、半
導体回路の性能に影響は及ばない。このような位置合わ
せを行い電源ラインを形成すると、図2に示す2つの半
導体回路100のように電源ラインの位置は異なり、各
半導体チップの電源ラインの配線層に、半導体チップに
搭載された半導体回路が作り込まれた、1枚のウェハ上
の位置が記録される。電源ラインが形成された各半導体
チップは、その後、ボンディングパッドや保護膜が形成
された後、各チップごとに分離される。分離された各半
導体チップの表面からは、電源ラインを顕微鏡で拡大し
視認することができる。そのため、分離された半導体チ
ップであっても、電源ラインの位置を観察することで、
その半導体チップがウェハのどの部分から分離されたも
のであるのかを識別することができる。Also in forming each wiring layer, the mask pattern is projected by using the stepper. The mask used here is a wiring layer forming mask that projects a wiring forming pattern corresponding to the wiring pattern of each wiring layer. The mask used when forming the power supply line wiring layer 101 is a power supply line forming mask that projects a power supply line forming pattern, and the mask used when forming the signal line wiring layer 102 is It is a signal line forming mask for projecting a signal line forming pattern. In the alignment of the signal line forming mask, the position is determined by the stepper so that the signal line forming pattern to be projected exactly matches the already formed pattern in any of the semiconductor chips. On the wiring layer 102 of the signal line formed after performing such alignment,
The insulating film 103 is laminated, and a power supply line is formed on the insulating film 103. A contact hole 1031 for connecting a signal line and a power supply line to be formed is opened in the insulating film 103. The alignment of the power supply line forming mask is similar to the alignment of the opening forming mask described with reference to FIG. 1, and in each semiconductor chip, the positional relationship between each semiconductor chip and the mask is formed on the wafer. Positioning is performed differently according to each position on the wafer of the plurality of embedded semiconductor circuits. That is, in the alignment of the semiconductor chip in the center of the wafer, the alignment of the power supply line formation mask with respect to the signal line formation mask is performed, but in the alignment of the other semiconductor chips, the semiconductor chip in the center is aligned. As the distance increases, the relative position of the power line forming mask with respect to the signal line forming mask is displaced. The power line is
The wiring is not as crowded as the signal line and is thicker than the signal line. For this reason, the formation position of the power supply line can be slightly displaced, and even if the formation position is slightly displaced, the performance of the semiconductor circuit is not affected. When the power supply lines are formed by performing such alignment, the positions of the power supply lines are different as in the two semiconductor circuits 100 shown in FIG. 2, and the semiconductors mounted on the semiconductor chips are mounted on the wiring layers of the power supply lines of the respective semiconductor chips. The position on the single wafer where the circuit is built is recorded. After that, each semiconductor chip on which the power supply line is formed is separated into each chip after a bonding pad and a protective film are formed. From the surface of each of the separated semiconductor chips, the power supply line can be magnified and visually recognized with a microscope. Therefore, even if the semiconductor chips are separated, by observing the position of the power supply line,
It is possible to identify from which part of the wafer the semiconductor chip is separated.
【0021】なお、本発明において、半導体チップに搭
載された半導体回路が作り込まれた、1枚のウェハ上の
位置を記録する回路部分は、上述した、最上層の保護
膜、あるいは電源ラインの配線層に限らず、半導体チッ
プ表面から視認でき、かつ他のマスクに対する相対的な
位置のずれを許容することができる回路部分であればよ
い。In the present invention, the circuit portion for recording the position on one wafer, in which the semiconductor circuit mounted on the semiconductor chip is built, has the above-mentioned uppermost protective film or the power supply line. Not limited to the wiring layer, any circuit portion can be visually recognized from the surface of the semiconductor chip and can be allowed to be displaced relative to another mask.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の半導体
回路の製造方法によれば、ウェハを半導体チップに分離
した後でも、半導体チップがウェハのどの部分から分離
されたものであるのかを識別することができる。As described above, according to the method of manufacturing a semiconductor circuit of the present invention, it is possible to determine from which part of the wafer the semiconductor chip is separated even after the wafer is separated into the semiconductor chips. Can be identified.
【図1】半導体チップの最上層の保護膜についてのマス
ク合わせを説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining mask alignment for a protective film on the uppermost layer of a semiconductor chip.
【図2】配線層の配線の位置を異ならせた2つの半導体
回路の部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of two semiconductor circuits in which wiring positions of wiring layers are different.
1 ウェハ 10 半導体チップ 11 保護膜 11a 開口 12 ボンディングパッド 100 半導体回路 101,102 配線層 1031 コンタクトホール 1 wafer 10 semiconductor chips 11 Protective film 11a opening 12 Bonding pad 100 semiconductor circuits 101, 102 wiring layer 1031 contact hole
Claims (3)
をパターンの異なるマスクについて複数回含み、切断に
より複数個の半導体チップに分離される半導体回路の製
造方法において、 1枚のマスクについて、他のマスクに対する相対位置
を、1枚のウェハ上に作り込まれる複数の半導体回路の
該ウェハ上の各位置に応じて異ならせることにより、半
導体チップ上に、1枚のウェハ上の位置を記録すること
を特徴とする半導体回路の製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor circuit, which includes a step of sequentially exposing one wafer for a mask having different patterns, and is divided into a plurality of semiconductor chips by cutting. , The relative position with respect to another mask is made different according to each position on the wafer of the plurality of semiconductor circuits formed on the one wafer, so that the position on the one wafer is set on the semiconductor chip. A method of manufacturing a semiconductor circuit, characterized by recording.
ド開口形成用のマスクであって、ボンディングパッドの
開口の位置を、1枚のウェハ上に作り込まれる半導体チ
ップの、該ウェハ上の位置に応じて異ならせるものであ
ることを特徴とする請求項1記載の半導体回路の製造方
法。2. The one mask is a mask for forming a bonding pad opening, and the position of the opening of the bonding pad is set to a position on the wafer of a semiconductor chip formed on one wafer. The method of manufacturing a semiconductor circuit according to claim 1, wherein the method is different according to the method.
のマスクであって、該所定の配線層の位置を、1枚のウ
ェハ上に作り込まれる半導体チップの、該ウェハ上の位
置に応じて異ならせるものであることを特徴とする請求
項1記載の半導体回路の製造方法。3. The one mask is a mask for forming a predetermined wiring layer, and the position of the predetermined wiring layer is a position of a semiconductor chip formed on one wafer on the wafer. The method of manufacturing a semiconductor circuit according to claim 1, wherein the method is different according to the above.
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JP2002083672A JP2003282382A (en) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | Method for manufacturing semiconductor circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003282382A true JP2003282382A (en) | 2003-10-03 |
Family
ID=29231347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002083672A Withdrawn JP2003282382A (en) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | Method for manufacturing semiconductor circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003282382A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206289A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Sharp Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic information apparatus |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002083672A patent/JP2003282382A/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206289A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Sharp Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic information apparatus |
JP4665005B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-04-06 | シャープ株式会社 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic information device |
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