JP2003282350A - Laminated ceramic electronic component and manufacturing method thereof - Google Patents

Laminated ceramic electronic component and manufacturing method thereof

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JP2003282350A
JP2003282350A JP2002081325A JP2002081325A JP2003282350A JP 2003282350 A JP2003282350 A JP 2003282350A JP 2002081325 A JP2002081325 A JP 2002081325A JP 2002081325 A JP2002081325 A JP 2002081325A JP 2003282350 A JP2003282350 A JP 2003282350A
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Japan
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metal foil
unfired
ceramic
sheet
chip
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Kenji Saito
賢二 斉藤
Koichi Chazono
広一 茶園
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Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated ceramic electronic component which can maintain stable electrical characteristics, even when a metal foil is used as a conductor layer. <P>SOLUTION: Since parts for sandwiching metal foils 3-1 in a ceramic chip 7 are combined with each other through holes 3a and notches 3a' in metal foils 3-1, adhesion in the interface between the metal foil 3-1 and the ceramic can be maintained. Herewith, delamination or cracks are prevented from occurring in the interface between the metal foil and the ceramic due to electrical or thermal behavior of the capacitor itself, after being mounted and deterioration in electrical characteristics occurs due to the infiltration of moisture from the separated part or cracks, to maintain stable electrical characteristics. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサ等の積層セラミック電子部品と、この積層セラ
ミック電子部品の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a monolithic ceramic electronic component such as a monolithic ceramic capacitor and a method for manufacturing the monolithic ceramic electronic component.

【0002】[0002]

【従来の技術】積層セラミック電子部品の代表例として
知られる積層セラミックコンデンサは、一般に、ベース
フィルム上に未焼成セラミック層を形成して得た第1シ
ートと、この第1シートの未焼成セラミック層上に所定
形状の未焼成導体層を所定配列で形成して得た第2シー
トとを用意する工程と、第1シートの未焼成セラミック
層に第1シートの未焼成セラミック層を圧着してベース
フィルムを剥離する作業を複数回繰り返し、そして最上
層の未焼成セラミック層に第2シートの未焼成導体層及
び未焼成セラミック層を圧着してベースフィルムを剥離
する作業を複数回繰り返し、そして最上層の未焼成セラ
ミック層に第1シートの未焼成セラミック層を圧着して
ベースフィルムを剥離する作業を複数回繰り返して未焼
成積層物を得る工程と、この未焼成積層物を所定のチッ
プサイズに分断して未焼成導体層を内蔵した未焼成積層
チップを得る工程と、この未焼成積層チップから有機バ
インダを除去する工程と、脱バインダ後の未焼成積層チ
ップを焼成して導体層を内蔵したセラミックチップを得
る工程と、このセラミックチップに外部電極を形成する
工程を経て製造されている。
2. Description of the Related Art A monolithic ceramic capacitor known as a typical example of a monolithic ceramic electronic component is generally a first sheet obtained by forming an unfired ceramic layer on a base film, and an unfired ceramic layer of the first sheet. A step of preparing a second sheet obtained by forming an unsintered conductor layer having a predetermined shape in a predetermined array on the base, and pressing the unsintered ceramic layer of the first sheet onto the unsintered ceramic layer of the first sheet to form a base The operation of peeling the film is repeated a plurality of times, and the operation of peeling the base film by pressure-bonding the unfired conductor layer and the unfired ceramic layer of the second sheet to the uppermost unfired ceramic layer is repeated a plurality of times. The process of pressing the unfired ceramic layer of the first sheet onto the unfired ceramic layer and peeling the base film is repeated a plurality of times to obtain an unfired laminate. And a step of dividing the unfired laminate into a predetermined chip size to obtain an unfired laminated chip having an unfired conductor layer embedded therein, a step of removing the organic binder from the unfired laminated chip, and a step of removing the binder after the removal. It is manufactured through a process of firing an unfired laminated chip to obtain a ceramic chip containing a conductor layer and a process of forming an external electrode on the ceramic chip.

【0003】前記の未焼成セラミック層は、セラミック
粉末と有機バインダと有機溶剤と可塑剤と分散剤を適宜
重量比で混合して調製されたセラミックスラリーを、ド
クターブレードやリバースロールやダイコータ等を用い
てベースフィルム上に塗工し乾燥することにより形成さ
れている。また、前記の未焼成導体層は、金属粉末と有
機バインダと有機溶剤と各種添加剤とを適宜重量比で混
合して調製された導電ペーストを、スクリーン印刷やグ
ラビア印刷等の厚膜法によって未焼成セラミック層上に
印刷し乾燥することにより形成されている。
For the unfired ceramic layer, a ceramic slurry prepared by mixing a ceramic powder, an organic binder, an organic solvent, a plasticizer and a dispersant in an appropriate weight ratio is prepared by using a doctor blade, a reverse roll or a die coater. It is formed by coating on a base film and drying. Further, the unfired conductor layer is a conductive paste prepared by mixing metal powder, an organic binder, an organic solvent and various additives in an appropriate weight ratio by a thick film method such as screen printing or gravure printing. It is formed by printing on a fired ceramic layer and drying.

【0004】ところで、近年における積層セラミックコ
ンデンサの小型化及び大容量化に要望に伴い、前記の未
焼成セラミック層及び未焼成導体層に対する薄型化が求
められており、最近では未焼成セラミック層を10μm
以下の厚みで形成すること、また、未焼成導体層をは5
μm以下の厚みで形成することが技術的に可能となって
きている。
By the way, in response to the demand for miniaturization and large capacity of multilayer ceramic capacitors in recent years, there has been a demand for thinning of the unfired ceramic layer and the unfired conductor layer, and recently, the unfired ceramic layer has a thickness of 10 μm.
The thickness of the unfired conductor layer should be 5 or less.
It has become technically possible to form the film with a thickness of μm or less.

【0005】しかし、導電ペーストから成る未焼成導体
層を厚膜法によって未焼成セラミック層上に形成する方
法では、未焼成セラミック層の厚みが薄くなるにつれ
て、未焼成セラミック層上に形成された未焼成導体層に
含まれる金属粉末が有機溶剤と一緒に未焼成セラミック
層に浸透し易くなり、焼成後のセラミックチップ内の隣
接する導体層に短絡を生じる恐れがある。
However, in the method of forming the unsintered conductor layer made of the conductive paste on the unsintered ceramic layer by the thick film method, the unsintered ceramic layer formed on the unsintered ceramic layer becomes thinner as the unsintered ceramic layer becomes thinner. The metal powder contained in the fired conductor layer easily penetrates into the unfired ceramic layer together with the organic solvent, which may cause a short circuit in the adjacent conductor layer in the fired ceramic chip.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前記不具合を解消する
ため、特開2001−297936公報には、前記の導
電ペーストから成る未焼成導体層の代わりにニッケル箔
を用いた提案、具体的には、ニッケル箔を所定形状に加
工してこれを未焼成セラミック層に圧着するようにした
製造方法が提案されている。
In order to solve the above-mentioned problems, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-297936 proposes using nickel foil instead of the unsintered conductor layer made of the above-mentioned conductive paste, specifically, A manufacturing method has been proposed in which a nickel foil is processed into a predetermined shape and the nickel foil is pressed onto the unfired ceramic layer.

【0007】しかし、前記のニッケル箔は導電ペースト
から成る未焼成導体層に比べて未焼成セラミック層との
馴染みが悪いため、焼成工程における未焼成セラミック
層と金属箔との熱的挙動の違いによって、焼成後のニッ
ケル箔とセラミックとの界面にデラミネーションを生じ
る等の構造欠陥を生じ易い。
However, since the nickel foil is less familiar with the unfired ceramic layer than the unfired conductor layer made of the conductive paste, the difference in the thermal behavior between the unfired ceramic layer and the metal foil in the firing process may result. , Structural defects such as delamination easily occur at the interface between the nickel foil and the ceramic after firing.

【0008】また、製造された積層セラミックコンデン
サは、セラミックチップの金属箔を挟み込む部分と金属
箔との密着度が低いため、実装後におけるコンデンサ自
体の電気的及び熱的挙動を原因として金属箔とセラミッ
クとの界面に剥離やクラックが生じそこからの水分浸入
によって電気特性が低下し易い。
Further, in the manufactured monolithic ceramic capacitor, the adhesion between the metal foil of the ceramic chip and the metal foil is low, so that the electrical and thermal behavior of the capacitor after mounting causes the metal foil to be separated from the metal foil. Peeling or cracks occur at the interface with the ceramic, and the infiltration of water from there tends to reduce the electrical characteristics.

【0009】本発明は前記事情に鑑みて創作されたもの
で、その目的とするところは、導体層として金属箔を用
いる場合でも安定した電気特性を維持できる積層セラミ
ック電子部品と、導体層として金属箔を用いる場合でも
構造欠陥を生じることがない積層セラミック電子部品の
製造方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a laminated ceramic electronic component capable of maintaining stable electric characteristics even when a metal foil is used as a conductor layer, and a metal as a conductor layer. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a monolithic ceramic electronic component that does not cause structural defects even when a foil is used.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る積層セラミック電子部品は、未焼成積
層チップを焼成して得たセラミックチップ内に部品回路
を構成するための導体層を少なくとも1つ備えた積層セ
ラミック電子部品であって、前記導体層は少なくとも1
つの穴または切欠きを有する金属箔から成り、セラミッ
クチップの金属箔を挟み込む部分は金属箔の穴または切
欠きを通じて互いに結合している、ことをその特徴とす
る。
In order to achieve the above object, a laminated ceramic electronic component according to the present invention has a conductor layer for forming a component circuit in a ceramic chip obtained by firing an unfired laminated chip. A monolithic ceramic electronic component comprising at least one conductor layer, wherein at least one conductor layer is provided.
It is characterized in that it comprises a metal foil having one hole or notch, and the portions of the ceramic chip sandwiching the metal foil are connected to each other through the hole or notch of the metal foil.

【0011】この積層セラミック電子部品によれば、セ
ラミックチップの金属箔を挟み込む部分が金属箔の穴ま
たは切欠きを通じて互いに結合していて、金属箔とセラ
ミックとの密着性を確保することができるので、実装後
におけるコンデンサ自体の電気的及び熱的挙動によって
金属箔とセラミックとの界面に剥離やクラックが生じる
こと及びそこからの水分浸入による電気特性の低下を抑
制できる。
According to this laminated ceramic electronic component, the portions of the ceramic chip sandwiching the metal foil are connected to each other through the holes or the notches in the metal foil, so that the adhesion between the metal foil and the ceramic can be secured. It is possible to suppress the occurrence of peeling or cracking at the interface between the metal foil and the ceramic due to the electrical and thermal behavior of the capacitor itself after mounting, and the deterioration of the electrical characteristics due to the infiltration of water from there.

【0012】また、本発明に係る積層セラミック電子部
品の製造方法は、未焼成セラミック層の少なくとも1つ
の層間に所定形状の金属箔を所定配列で介装して成る未
焼成積層物を得る工程と、この未焼成積層物を所定のチ
ップサイズに分断して金属箔内蔵の未焼成積層チップを
得る工程と、この未焼成積層チップを焼成して金属箔内
蔵のセラミックチップを得る工程とを備えた積層セラミ
ック電子部品の製造方法であって、前記の未焼成積層物
を得る工程では金属箔として少なくとも1つの穴または
切欠きを有するものを用い、未焼成セラミック層の金属
箔を挟み込む部分を金属箔の穴または切欠きを通じて互
いに接合させ、前記の未焼成積層チップを得る工程では
未焼成積層チップ内の金属箔に少なくとも1つの穴また
は切欠きが残るように未焼成積層物を分断し、前記のセ
ラミックチップを得る工程ではセラミックチップの金属
箔を挟み込む部分を金属箔の穴または切欠きを通じて互
いに結合させる、ことをその特徴とする。
Further, the method for producing a laminated ceramic electronic component according to the present invention comprises a step of obtaining an unfired laminate in which a metal foil having a prescribed shape is interposed in a prescribed arrangement between at least one of the unfired ceramic layers. And a step of dividing the unfired laminate into a predetermined chip size to obtain an unfired laminated chip containing a metal foil, and a step of firing the unfired laminated chip to obtain a ceramic chip containing a metal foil. A method of manufacturing a laminated ceramic electronic component, wherein a metal foil having at least one hole or notch is used as a metal foil in the step of obtaining the unfired laminate, and a portion of the unfired ceramic layer sandwiching the metal foil is a metal foil. At least one hole or notch remains in the metal foil in the unfired laminated chip in the step of joining the unfired laminated chips with each other through the holes or notches. Not fired laminate was divided, to bond together portions sandwiching the metal foil of the ceramic chip through-out hole or notch in the metal foil in the step of obtaining the ceramic chip, and its characterized by the.

【0013】この積層セラミック電子部品の製造方法に
よれば、前記の積層セラミック電子部品を的確且つ安定
に製造することができる。また、積層工程において未焼
成セラミック層の金属箔を挟み込む部分を金属箔の穴ま
たは切欠きを通じて互いに接合させ、焼成工程において
セラミックチップの金属箔を挟み込む部分を金属箔の穴
または切欠きを通じて互いに結合させることができるの
で、金属箔と未焼成セラミック層との馴染みが悪く、且
つ、焼成工程において未焼成セラミック層と金属箔とに
熱的挙動の違いが生じた場合でも、焼成後の金属箔とセ
ラミックとの界面にデラミネーションを生じる等の不具
合を解消できる。
According to this method for producing a monolithic ceramic electronic component, the monolithic ceramic electronic component can be produced accurately and stably. Also, in the laminating process, the portions of the unfired ceramic layer that sandwich the metal foil are joined together through the holes or notches in the metal foil, and in the firing process, the portions of the ceramic chip that sandwich the metal foil are joined together through the holes or notches in the metal foil. Since it can be made, the metal foil and the unfired ceramic layer are unfamiliar with each other, and even if there is a difference in thermal behavior between the unfired ceramic layer and the metal foil in the firing step, the metal foil after firing is not Problems such as delamination at the interface with ceramics can be eliminated.

【0014】本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構
成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって
明らかとなる。
The above and other objects, constitutional features, and operational effects of the present invention will become apparent from the following description and the accompanying drawings.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明を積層セラミックコ
ンデンサに適用した一実施例を図1〜図9を引用して説
明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment in which the present invention is applied to a monolithic ceramic capacitor will be described below with reference to FIGS.

【0016】製造に際しては、まず、図1(A)に示す
第1シートS1と、図1(B)に示す第2シートS2を
用意する。
In manufacturing, first, a first sheet S1 shown in FIG. 1 (A) and a second sheet S2 shown in FIG. 1 (B) are prepared.

【0017】図1(A)に示した第1シートS1は、P
ET等の樹脂フィルムから成る所定寸法のベースフィル
ム1上に、未焼成セラミック層2を所定の寸法及び厚み
で形成することにより得たものである。ベースフィルム
1の厚みは50μm前後で、未焼成セラミック層2の厚
みは0.5〜10μmである。
The first sheet S1 shown in FIG.
It is obtained by forming the unsintered ceramic layer 2 with a predetermined size and thickness on a base film 1 having a predetermined size made of a resin film such as ET. The base film 1 has a thickness of about 50 μm, and the unfired ceramic layer 2 has a thickness of 0.5 to 10 μm.

【0018】この第1シートS1は、所定寸法のベース
フィルム1上にセラミックスラリーをドクターブレード
やリバースロールやダイコータ等を用いて塗工しこれを
乾燥して未焼成セラミック層2を形成することにより作
成されている。ちなみに、前記セラミックスラリーに
は、セラミック粉末と有機バインダと有機溶剤と可塑剤
と分散剤を適宜重量比で混合して調製されたもの等が使
用される。勿論、第1シートS1は、テープ状のベース
フィルム上にセラミックスラリーを連続塗工しこれを乾
燥して未焼成セラミック層2を形成した後に、ベースフ
ィルム及び未焼成セラミック層を所定寸法で切断するこ
とにより作成することもできる。
The first sheet S1 is formed by applying a ceramic slurry onto a base film 1 having a predetermined size by using a doctor blade, a reverse roll, a die coater or the like, and drying it to form an unfired ceramic layer 2. Has been created. Incidentally, as the ceramic slurry, one prepared by mixing ceramic powder, an organic binder, an organic solvent, a plasticizer and a dispersant in an appropriate weight ratio is used. Of course, in the first sheet S1, after the ceramic slurry is continuously applied on the tape-shaped base film and dried to form the unfired ceramic layer 2, the base film and the unfired ceramic layer are cut into predetermined dimensions. It can also be created by

【0019】一方、図1(B)に示した第2シートS2
は、前記の第1シートS1の未焼成セラミック層2上に
所定の形状及び厚みの金属箔3を所定配列(m×n行
列)で形成して得たものである。金属箔3は金,銀,パ
ラジウム等の貴金属から選ばれる1種または2種以上の
合金や、ニッケル,銅,鉄等の卑金属から選ばれる1種
または2種以上の合金や、貴金属と卑金属との合金等か
ら成り、その厚みは0.1〜3μmである。後に説明す
るが、この金属箔3は金属コーティング法による「薄
膜」と金属圧延法による「箔」の何れかから成る。図1
(B)から分かるように、第2シートS2の未焼成セラ
ミック層2上に形成された所定配列の金属箔3の群は、
後の積層工程において第2シートS2を交互に180度
向きを変えて積み重ねる関係から、未焼成セラミック層
2の1つの辺に偏って形成されている。
On the other hand, the second sheet S2 shown in FIG.
Is obtained by forming the metal foil 3 having a predetermined shape and thickness in a predetermined array (m × n matrix) on the unfired ceramic layer 2 of the first sheet S1. The metal foil 3 includes one or more alloys selected from precious metals such as gold, silver and palladium, one or more alloys selected from base metals such as nickel, copper and iron, and precious metals and base metals. And an alloy having a thickness of 0.1 to 3 μm. As will be described later, the metal foil 3 is composed of either a "thin film" formed by a metal coating method or a "foil" formed by a metal rolling method. Figure 1
As can be seen from (B), the group of metal foils 3 formed in a predetermined array on the unfired ceramic layer 2 of the second sheet S2 is
In the subsequent laminating step, the second sheet S2 is formed so as to be biased to one side of the unfired ceramic layer 2 because the second sheets S2 are alternately turned 180 degrees and stacked.

【0020】この第2シートS2は、PET等の樹脂フ
ィルムや銅等の金属薄板から成る所定寸法のキャリアシ
ート4上に所定形状の金属箔3を所定配列(m×n行
列)で形成した転写シートS3(図2(A)参照)を予
め用意しておき、そして、図3(A)及び図3(B)に
示すように、前記第1シートS1の未焼成セラミック層
2上に金属箔3が接するように転写シートS3を重ねて
圧着或いは加熱圧着し、圧着後にキャリアシート4のみ
を剥離して金属箔3を未焼成セラミック層2上に転写す
ることにより作成されている。
This second sheet S2 is a transfer in which a metal foil 3 of a predetermined shape is formed in a predetermined array (m × n matrix) on a carrier sheet 4 of a predetermined size made of a resin film such as PET or a metal thin plate of copper or the like. A sheet S3 (see FIG. 2 (A)) is prepared in advance, and as shown in FIGS. 3 (A) and 3 (B), a metal foil is formed on the unfired ceramic layer 2 of the first sheet S1. The transfer sheets S3 are stacked so as to be in contact with each other and pressure-bonded or thermocompression-bonded, and after the pressure-bonding, only the carrier sheet 4 is peeled off and the metal foil 3 is transferred onto the unfired ceramic layer 2.

【0021】転写シートS3に形成された各金属箔3は
図2(B)に示すように3つの円形の穴3aを有してお
り、金属箔3を未焼成セラミック層2に圧着するときに
は、図3(B)に示すように各金属箔3はその全体が未
焼成セラミック層2に僅かに潜り込み、且つ、各穴3a
内に未焼成セラミック層2が部分的に入り込んだ状態と
なる。
Each metal foil 3 formed on the transfer sheet S3 has three circular holes 3a as shown in FIG. 2B, and when the metal foil 3 is pressure-bonded to the unfired ceramic layer 2, As shown in FIG. 3 (B), the entire metal foil 3 slightly sunk into the unfired ceramic layer 2 and each hole 3a
The unfired ceramic layer 2 partially enters the inside.

【0022】ちなみに、前記転写シートS3を構成する
キャリアシート4上に所定形状の金属箔3を所定配列で
形成する方法としては、金属箔3の形状に対応した孔を
所定配列で有するマスクをキャリアシート4上に置いて
陰極スパッタリング法や蒸着法や気相メッキ法等の金属
コーティング法によってキャリアシート4上にマスク孔
と相似形状の金属薄膜を所定配列で成膜する方法や、金
属を圧延することによって得られた箔を所定形状にカッ
ティングしてこれをキャリアシート4上に所定配列で貼
り付ける方法が採用できる。
By the way, as a method for forming the metal foil 3 having a predetermined shape in a predetermined arrangement on the carrier sheet 4 constituting the transfer sheet S3, a carrier having a predetermined arrangement of holes corresponding to the shape of the metal foil 3 is used as a carrier. A method of depositing on the sheet 4 a metal thin film having a similar shape to the mask holes in a predetermined arrangement on the carrier sheet 4 by a metal coating method such as a cathode sputtering method, a vapor deposition method or a vapor phase plating method, or rolling a metal. It is possible to adopt a method in which the foil thus obtained is cut into a predetermined shape and is attached to the carrier sheet 4 in a predetermined arrangement.

【0023】次に、図4(A)及び図4(B)に示すよ
うに、第1シートS1の未焼成セラミック層2上に未焼
成セラミック層2が接するように第1シートS1を重ね
て圧着或いは加熱圧着し、圧着後にベースフィルム1の
を剥離して未焼成セラミック層2を下側の未焼成セラミ
ック層2上に転写する。この転写作業は複数回繰り返さ
れて下側の保護層となる部分が形成される。
Next, as shown in FIGS. 4 (A) and 4 (B), the first sheet S1 is superposed on the unsintered ceramic layer 2 of the first sheet S1 so that the unsintered ceramic layer 2 is in contact therewith. The base film 1 is peeled off after pressure bonding or heat pressure bonding, and the unfired ceramic layer 2 is transferred onto the lower unfired ceramic layer 2. This transfer operation is repeated a plurality of times to form a lower protective layer portion.

【0024】次に、図5(A)及び図5(B)に示すよ
うに、下側保護層の最上層の未焼成セラミック層2上に
金属箔3及び未焼成セラミック層2が接するように第2
シートS2を重ねて圧着或いは加熱圧着し、圧着後にベ
ースフィルム1のみを剥離して金属箔3及び未焼成セラ
ミック層2を下側の未焼成セラミック層2上に転写し、
続いて、転写された最上層の未焼成セラミック層2上に
金属箔3及び未焼成セラミック層2が接するように第2
シートS2を180度向きを変えた状態で重ねて圧着或
いは加熱圧着し、圧着後にベースフィルム1のみを剥離
して金属箔3及び未焼成セラミック層2を下側の未焼成
セラミック層2に転写する。この転写作業は複数回繰り
返されて未焼成セラミック層2間に金属箔4が挟み込ま
れた部分が形成される。
Next, as shown in FIGS. 5 (A) and 5 (B), the metal foil 3 and the unfired ceramic layer 2 are in contact with each other on the uppermost unfired ceramic layer 2 of the lower protective layer. Second
The sheets S2 are stacked and pressure-bonded or heat-pressure bonded, and after pressure bonding, only the base film 1 is peeled off to transfer the metal foil 3 and the unfired ceramic layer 2 onto the lower unfired ceramic layer 2,
Then, a second layer is formed so that the metal foil 3 and the unfired ceramic layer 2 are in contact with the transferred uppermost unfired ceramic layer 2.
The sheets S2 are stacked in a state of being turned by 180 degrees and pressure-bonded or thermo-compressed, and after pressure-bonding, only the base film 1 is peeled off to transfer the metal foil 3 and the unfired ceramic layer 2 to the lower unfired ceramic layer 2. . This transfer operation is repeated a plurality of times to form a portion in which the metal foil 4 is sandwiched between the unfired ceramic layers 2.

【0025】最上層の未焼成セラミック層2上に金属箔
3及び未焼成セラミック層2を圧着するときには、図5
(B)に示すように上側の未焼成セラミック層2が下側
の未焼成セラミック層2に密着すると共に、各金属箔3
はその全体が下側の未焼成セラミック層2に僅かに潜り
込み、且つ、各穴3a内に下側の未焼成セラミック層2
が部分的に入り込んだ状態となる。つまり、未焼成セラ
ミック層2の金属箔3を挟み込む部分は金属箔3の穴3
aを通じて互いに接合する。
When the metal foil 3 and the unfired ceramic layer 2 are pressure-bonded onto the uppermost unfired ceramic layer 2, as shown in FIG.
As shown in (B), the upper unfired ceramic layer 2 adheres to the lower unfired ceramic layer 2 and each metal foil 3
The whole of which is slightly sunk into the lower unfired ceramic layer 2 and the lower unfired ceramic layer 2 is in each hole 3a.
Is partially invaded. That is, the portions of the unfired ceramic layer 2 that sandwich the metal foil 3 are the holes 3 of the metal foil 3.
Bonded to each other through a.

【0026】次に、未焼成セラミック層2間に金属箔4
が挟み込まれた部分の最上層の未焼成セラミック層2上
に未焼成セラミック層2が接するように第1シートS1
を重ねて圧着或いは加熱圧着し、圧着後にベースフィル
ム1のみを剥離して未焼成セラミック層2を下側の未焼
成セラミック層2上に転写する。この転写作業は複数回
繰り返されて上側の保護層となる部分が形成される。
Next, a metal foil 4 is provided between the unfired ceramic layers 2.
The first sheet S1 such that the unfired ceramic layer 2 is in contact with the uppermost unfired ceramic layer 2 in the portion where the
Are stacked and pressure-bonded or heat-pressed, and after pressure-bonding, only the base film 1 is peeled off to transfer the unfired ceramic layer 2 onto the lower unfired ceramic layer 2. This transfer operation is repeated a plurality of times to form an upper protective layer portion.

【0027】上側の保護層が形成された後は全体を積層
方向に加圧或いは加熱加圧して圧着度を高め、以上で所
定層数の未焼成セラミック層2及び金属箔3を有する未
焼成積層物5(図6参照)が形成される。
After the upper protective layer is formed, the whole is pressed or heated and pressed in the stacking direction to increase the degree of pressure bonding, and thus the unsintered laminate having the predetermined number of unsintered ceramic layers 2 and metal foils 3 is formed. Object 5 (see FIG. 6) is formed.

【0028】次に、図6に示すように、前記未焼成積層
物5に対して内部金属箔3の位置に応じた格子状の分断
ラインDL1,DL2を画像処理装置における画像デー
タ上で設定し、ダイシング装置等の切断装置を用いて未
焼成積層物5を分断ラインDL1,DL2に沿って切断
することで、未焼成積層物5を所定のチップサイズに分
断して未焼成積層チップ6(図7(B)参照)を得る。
Next, as shown in FIG. 6, grid-shaped dividing lines DL1 and DL2 corresponding to the position of the inner metal foil 3 are set on the unfired laminate 5 on the image data in the image processing apparatus. By cutting the unbaked laminate 5 along the dividing lines DL1 and DL2 using a cutting device such as a dicing device, the unbaked laminate 5 is cut into a predetermined chip size and the unbaked laminated chip 6 (see FIG. 7 (B)).

【0029】図7(A)は前記未焼成積層物5における
金属箔3の上から見た位置関係と金属箔3に対する分断
ラインDL1,DL2の上から見た位置関係を表す図で
ある。同図から分かるように、未焼成セラミック層2間
の金属箔3は上から見て長手方向に交互にずれた状態に
あり、このずれ量は金属箔3の長手長さの1/2よりも
僅かに大きい。ちなみに、図示例のものでは、積層方向
で隣接する上下一方の金属箔3の長手方向の中心が上下
他方の2つの金属箔3の長手方向隙間の中心に位置する
ように、前記ずれ量が設定されている。また、未焼成積
層チップ6の長さ寸法を決定する一方の分断ラインDL
2は、積層方向で隣接する上下一方の金属箔3の長手方
向の中心と上下他方の金属箔3の長手方向の中心を通る
ように設定され、未焼成積層チップ6の幅寸法を決定す
る他方の分断ラインDL1は、金属箔3の短手方向の辺
に隣接して設定されている。
FIG. 7A is a diagram showing the positional relationship of the unfired laminate 5 as viewed from above the metal foil 3 and the positional relationship of the cutting lines DL1 and DL2 with respect to the metal foil 3 as viewed from above. As can be seen from the figure, the metal foils 3 between the unfired ceramic layers 2 are in a state of being alternately displaced in the longitudinal direction when viewed from above, and the amount of this displacement is less than 1/2 of the longitudinal length of the metal foil 3. Slightly larger. By the way, in the illustrated example, the shift amount is set such that the center in the longitudinal direction of one of the upper and lower metal foils 3 adjacent to each other in the stacking direction is located at the center of the longitudinal gap between the other two upper and lower metal foils 3. Has been done. In addition, one division line DL that determines the length dimension of the unfired laminated chip 6
2 is set so as to pass through the longitudinal center of one of the upper and lower metal foils 3 adjacent to each other in the stacking direction and the longitudinal center of the other upper and lower metal foils 3, which determines the width dimension of the unfired laminated chip 6. The dividing line DL1 is set adjacent to the side in the lateral direction of the metal foil 3.

【0030】図7(B)に示すように、未焼成積層物5
をチップサイズに分断して得られた未焼成積層チップ6
内の各金属箔3-1は、一方の端縁を未焼成積層チップ6
の長手方向の一方の端面と他方の端面で交互に露出して
いる。また、各金属箔3-1はその内側部分に1つの穴3
aを有し、この穴3aは上から見て金属箔3-1の長手方
向に交互にずれていている。さらに、図示例のもので
は、未焼成積層チップ6の長さ寸法を決定する一方の分
断ラインDL2が金属箔3の中央の穴3aの中心を通る
ことから、各金属箔3-1の露出端縁には略半円形の切欠
き3a’が存在する。
As shown in FIG. 7B, the unfired laminate 5
Unfired laminated chip 6 obtained by dividing the
Each of the metal foils 3-1 in the inside has one edge of the unfired laminated chip 6
Are alternately exposed at one end face and the other end face in the longitudinal direction. Also, each metal foil 3-1 has one hole 3 in its inner part.
a, the holes 3a are alternately displaced in the longitudinal direction of the metal foil 3-1 when viewed from above. Further, in the illustrated example, one of the dividing lines DL2 that determines the length dimension of the unfired laminated chip 6 passes through the center of the hole 3a in the center of the metal foil 3, so that the exposed end of each metal foil 3-1 is exposed. There is a substantially semicircular cutout 3a 'at the edge.

【0031】次に、前記未焼成積層チップ6を加熱炉に
投入し加熱して未焼成積層チップ6に含まれる有機バイ
ンダを除去し、そして、脱バインダ後の未焼成積層チッ
プ6を前記加熱炉とは加熱条件が異なる加熱炉に投入し
焼成してセラミックチップ7(図8(A)参照)を得
る。勿論、前記の脱バインタ処理と焼成処理は単一の加
熱炉によって行うことも可能である。
Next, the unfired laminated chip 6 is put into a heating furnace and heated to remove the organic binder contained in the unfired laminated chip 6, and the unfired laminated chip 6 after debindering is heated in the heating furnace. The ceramic chips 7 (see FIG. 8A) are obtained by charging into a heating furnace having different heating conditions and firing. Of course, the debindering process and the firing process can be performed by a single heating furnace.

【0032】図8(B)は焼成処理を施して得た前記セ
ラミックチップ7の部分拡大縦断面を示す図であり、同
図から分かるように、セラミックチップ7の金属箔3-1
を挟み込む部分は金属箔3-1の穴3a及び切欠き3a’
を通じて互いに結合している。
FIG. 8B is a diagram showing a partially enlarged vertical section of the ceramic chip 7 obtained by performing the firing treatment. As can be seen from the drawing, the metal foil 3-1 of the ceramic chip 7 is shown.
The part that sandwiches is the hole 3a and the notch 3a 'in the metal foil 3-1.
Are bound to each other through.

【0033】次に、図9に示すように、前記セラミック
チップ7の長手方向の両端部に、セラミックチップ7内
の各金属箔3−1の露出端縁に接続する外部電極8を形
成する。この外部電極8はセラミックチップ7の長手方
向の両端部に導電ペーストを塗布しこれを焼き付けるこ
とにより形成されており、その表面には必要に応じて金
属コーティング法によって他種の金属膜や半田膜が形成
される。ちなみに、前記導電ペーストには、金属粉末と
有機バインダと有機溶剤と各種添加剤とを適宜重量比で
混合して調製されたもの等が使用される。
Next, as shown in FIG. 9, the external electrodes 8 connected to the exposed edges of the metal foils 3-1 in the ceramic chip 7 are formed at both ends of the ceramic chip 7 in the longitudinal direction. The external electrodes 8 are formed by applying a conductive paste to both end portions of the ceramic chip 7 in the longitudinal direction and baking the conductive paste. On the surface of the external electrodes 8, a metal film of another kind or a solder film is formed by a metal coating method as needed. Is formed. Incidentally, as the conductive paste, one prepared by mixing metal powder, an organic binder, an organic solvent and various additives in an appropriate weight ratio is used.

【0034】以上で、セラミックチップ7内にコンデン
サ回路を構成するための内部電極(金属箔3-1)を必要
層数備えた積層セラミックコンデンサが製造される。
As described above, a laminated ceramic capacitor having the required number of internal electrodes (metal foil 3-1) for forming a capacitor circuit in the ceramic chip 7 is manufactured.

【0035】前述の製造方法によれば、積層工程におい
て未焼成セラミック層2の金属箔3を挟み込む部分を金
属箔3の穴3aを通じて互いに接合させ、焼成工程にお
いてセラミックチップ7の金属箔3-1を挟み込む部分を
金属箔3-1の穴3a及び切欠き3a’を通じて互いに結
合させることができるので、金属箔3-1と未焼成セラミ
ック層2との馴染みが悪く、且つ、焼成工程において未
焼成セラミック層2と金属箔3-1とに熱的挙動の違いが
生じた場合でも、焼成後の金属箔3-1とセラミックとの
界面にデラミネーションを生じる等の不具合を解消し
て、構造欠陥のない高品質の積層セラミックコンデンサ
を得ることができる。
According to the above-mentioned manufacturing method, the portions of the unfired ceramic layer 2 sandwiching the metal foil 3 are bonded to each other through the holes 3a of the metal foil 3 in the laminating step, and the metal foil 3-1 of the ceramic chip 7 is fired in the firing step. Since the portions sandwiching the metal foil can be connected to each other through the hole 3a and the notch 3a 'of the metal foil 3-1, the metal foil 3-1 and the unfired ceramic layer 2 are not well-adapted to each other and are not fired in the firing process. Even if a difference in thermal behavior occurs between the ceramic layer 2 and the metal foil 3-1, problems such as delamination at the interface between the metal foil 3-1 and the ceramic after firing are eliminated, and structural defects are eliminated. It is possible to obtain a high-quality monolithic ceramic capacitor without

【0036】また、金属箔3-1に穴3a及び切欠き3
a’が無い場合には焼成工程で熱膨張を生じた後の金属
箔3-1が収縮するときに金属箔3-1の厚みが当初の厚み
よりも厚くなる現象を生じ得るが、セラミックチップ7
の金属箔3-1を挟み込む部分を金属箔3-1の穴3a及び
切欠き3a’を通じて互いに結合させることができるこ
とから、同現象を効果的に抑制して積層セラミックコン
デンサの積層方向寸法が増加することを防止することが
できる。
The holes 3a and the notches 3 are formed in the metal foil 3-1.
When a'is absent, a phenomenon may occur in which the thickness of the metal foil 3-1 becomes thicker than the initial thickness when the metal foil 3-1 contracts after being thermally expanded in the firing step, but the ceramic chip 7
Since the portions sandwiching the metal foil 3-1 can be connected to each other through the hole 3a and the notch 3a 'of the metal foil 3-1, the phenomenon is effectively suppressed and the dimension of the laminated ceramic capacitor in the laminating direction is increased. Can be prevented.

【0037】一方、前述の製造方法により製造された積
層セラミックコンデンサによれば、セラミックチップ7
の金属箔3-1を挟み込む部分が金属箔3-1の穴3a及び
切欠き3a’を通じて互いに結合していて、金属箔3-1
とセラミックとの密着性を確保することができるので、
実装後におけるコンデンサ自体の電気的及び熱的挙動に
よって金属箔とセラミックとの界面に剥離やクラックが
生じること及びそこからの水分浸入によって電気特性が
低下することを抑制して、安定した電気特定を維持する
ことができる。
On the other hand, according to the monolithic ceramic capacitor manufactured by the manufacturing method described above, the ceramic chip 7
Of the metal foil 3-1 are connected to each other through the hole 3a and the notch 3a 'of the metal foil 3-1.
Since it is possible to secure the adhesion between and
Stable electrical identification is achieved by suppressing peeling and cracking at the interface between the metal foil and ceramic due to the electrical and thermal behavior of the capacitor itself after mounting and deterioration of electrical characteristics due to moisture infiltration from there. Can be maintained.

【0038】図10(A)〜図10(F)は、図8
(A)に示したセラミックチップ7における金属箔3-1
の変形例をそれぞれ示す。
FIG. 10A to FIG. 10F are the same as FIG.
Metal foil 3-1 in the ceramic chip 7 shown in (A)
Each of the modified examples is shown.

【0039】図10(A)に示した金属箔3-2は、図8
(A)に示した金属箔3-1の露出端縁に存在していた略
半円形の切欠き3a’を除いたもので、金属箔3-2には
1つの穴3bのみが存在する。ちなみに、この金属箔3
-2は図2(B)に示した金属箔3から中央の穴3aを排
除したものを用いることによって得ることができる。こ
の金属箔3-2の場合にはその露出端縁に切欠き3a’が
存在しないので露出端縁の面積を拡大して外部電極との
接合面積を増せる利点があるる。
The metal foil 3-2 shown in FIG.
The metal foil 3-1 is formed by removing the substantially semicircular notch 3a 'existing on the exposed edge of the metal foil 3-1 shown in (A), and the metal foil 3-2 has only one hole 3b. By the way, this metal foil 3
-2 can be obtained by using the metal foil 3 shown in FIG. 2 (B) without the central hole 3a. In the case of this metal foil 3-2, since the notch 3a 'does not exist in the exposed edge, there is an advantage that the area of the exposed edge can be enlarged and the bonding area with the external electrode can be increased.

【0040】図10(B)に示した金属箔3-3は、図1
0(A)に示した金属箔3-2に存する1つの穴3cの位
置を積層方向で一致させたものである。この金属箔3-3
の場合には各金属箔3-3の対向面積を図10(A)のも
のに比べて拡大して静電容量を増加できる利点がある。
The metal foil 3-3 shown in FIG.
The position of one hole 3c existing in the metal foil 3-2 shown in 0 (A) is aligned in the stacking direction. This metal foil 3-3
In the case, there is an advantage that the facing area of each metal foil 3-3 can be enlarged as compared with that of FIG. 10A to increase the capacitance.

【0041】図10(C)に示した金属箔3-4は、図8
(A)に示した金属箔3-1の露出端縁に存在していた略
半円形の切欠き3a’を除くと共に、金属箔3-1よりも
小径の穴3dを各金属箔3-4に2つ以上(図中は6つ)
設けたものである。この金属箔3-4の場合には未焼成セ
ラミック層2の金属箔3-4を挟み込む部分を図10
(A)のものに比べて多点で接合できるので、焼成時の
デラミネーション発生をより的確に防止できる利点があ
る。
The metal foil 3-4 shown in FIG.
The substantially semicircular notch 3a ′ existing on the exposed edge of the metal foil 3-1 shown in (A) is removed, and a hole 3d having a diameter smaller than that of the metal foil 3-1 is formed in each metal foil 3-4. 2 or more (6 in the figure)
It is provided. In the case of this metal foil 3-4, the portion of the unfired ceramic layer 2 where the metal foil 3-4 is sandwiched is shown in FIG.
Since it can be bonded at multiple points as compared with the case of (A), there is an advantage that delamination during firing can be more accurately prevented.

【0042】図10(D)に示した金属箔3-5は、図1
0(C)に示した金属箔3-4に存する2つ以上の穴3e
の位置を積層方向で一致させたものである。この金属箔
3-3の場合には各金属箔3-5の対向面積を図10(C)
のものに比べて拡大して静電容量を増加できる利点があ
る。
The metal foil 3-5 shown in FIG.
Two or more holes 3e existing in the metal foil 3-4 shown in 0 (C)
The positions are matched in the stacking direction. In the case of this metal foil 3-3, the facing area of each metal foil 3-5 is shown in FIG.
There is an advantage that the capacitance can be increased to increase the capacitance as compared with the one described above.

【0043】図10(E)に示した金属箔3-6は、図8
(A)に示した金属箔3-1の露出端縁に存在していた略
半円形の切欠き3a’を除くと共に、穴3aの代わりに
矩形状の1対の切欠き3fを各金属箔3-6の側縁に対称
形或いは非対称形に設け、切欠き3fを金属箔3-6の長
手方向に交互にずらしたものである。この金属箔3-6の
場合には金属箔3-6の側縁部分に生じ得るデラミネーシ
ョンを抑制できる利点がある。
The metal foil 3-6 shown in FIG.
The substantially semicircular notch 3a ′ existing at the exposed edge of the metal foil 3-1 shown in (A) is removed, and a pair of rectangular notches 3f is provided instead of the hole 3a. The side edges of 3-6 are provided symmetrically or asymmetrically, and the notches 3f are alternately displaced in the longitudinal direction of the metal foil 3-6. In the case of this metal foil 3-6, there is an advantage that delamination that may occur at the side edge portion of the metal foil 3-6 can be suppressed.

【0044】図10(F)に示した金属箔3-7は、図1
0(E)に示した金属箔3-6に存する切欠き3gの位置
を積層方向で一致させたものである。この金属箔3-7の
場合には各属箔3-7の対向面積を図10(E)のものに
比べて拡大して静電容量を増加できる利点がある。
The metal foil 3-7 shown in FIG.
The positions of the notches 3g existing in the metal foil 3-6 shown in 0 (E) are aligned in the stacking direction. In the case of this metal foil 3-7, there is an advantage that the facing area of each metal foil 3-7 can be enlarged as compared with that of FIG.

【0045】図10(G)に示した金属箔3-8は、図8
(A)に示した金属箔3-1の露出端縁に存在していた略
半円形の切欠き3a’を除くと共に、図10(E)に示
した金属箔3fよりも小形の切欠き3hを各金属箔3-8
に2対以上(図中は2対)設けたものである。この金属
箔3-8の場合には未焼成セラミック層2の金属箔3-8を
挟み込む部分を図10(E)のものに比べて多点で接合
できるので、焼成時のデラミネーション発生をより的確
に防止できる利点がある。
The metal foil 3-8 shown in FIG.
The substantially semicircular notch 3a ′ existing on the exposed edge of the metal foil 3-1 shown in FIG. 10A is removed, and the notch 3h smaller than the metal foil 3f shown in FIG. Each metal foil 3-8
2 or more pairs (2 pairs in the figure) are provided. In the case of this metal foil 3-8, the portions of the unfired ceramic layer 2 sandwiching the metal foil 3-8 can be joined at multiple points compared to those in FIG. 10 (E), so that delamination during firing is more likely to occur. There is an advantage that it can be accurately prevented.

【0046】図10(H)に示した金属箔3-9は、図1
0(G)に示した金属箔3-8に存する2対以上の切欠き
3iの位置を積層方向で一致させたものである。この金
属箔3-9の場合には各金属箔3-9の対向面積を図10
(G)のものに比べて拡大して静電容量を増加できる利
点がある。
The metal foil 3-9 shown in FIG.
The positions of two or more pairs of notches 3i in the metal foil 3-8 shown in 0 (G) are aligned in the stacking direction. In the case of this metal foil 3-9, the facing area of each metal foil 3-9 is shown in FIG.
There is an advantage that the capacitance can be increased by enlarging as compared with that of (G).

【0047】勿論、図8(A)と図10(A)〜図10
(H)に示した穴または切欠きを適宜組み合わせたもの
をセラミックチップ7に内蔵される金属箔として用いる
ようにしても構わない。
Of course, FIGS. 8A and 10A to 10
An appropriate combination of the holes or notches shown in (H) may be used as the metal foil incorporated in the ceramic chip 7.

【0048】尚、図1〜図9を引用して説明した実施例
では、第1シートS1の未焼成セラミック層2上に金属
箔3が接するように転写シートS3を重ねて圧着或いは
加熱圧着し、圧着後にキャリアシート4のみを剥離して
金属箔3を未焼成セラミック層2上に転写することによ
り第2シートS2を作成したものを示したが、第1シー
トS1の未焼成セラミック層2上に金属箔3の形状に対
応した孔を所定配列で有するマスクを置いて陰極スパッ
タリング法や蒸着法や気相メッキ法等の金属コーティン
グ法によって未焼成セラミック層2上にマスク孔と相似
形状の金属薄膜を所定配列で直接成膜する方法や、金属
を圧延することによって得られた箔を所定形状にカッテ
ィングしてこれを第1シートS1の未焼成セラミック層
2上に所定配列で直接貼り付ける方法によって第2シー
トS2を作成するようにしても構わない。
In the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 9, the transfer sheet S3 is placed on the unfired ceramic layer 2 of the first sheet S1 so that the metal foil 3 is in contact therewith, and the transfer sheet S3 is pressed or heat-pressed. Although the second sheet S2 is prepared by peeling only the carrier sheet 4 after the pressure bonding and transferring the metal foil 3 onto the unfired ceramic layer 2, the second sheet S2 is shown on the unfired ceramic layer 2 of the first sheet S1. A mask having holes in a predetermined arrangement corresponding to the shape of the metal foil 3 is placed on the unfired ceramic layer 2 by a metal coating method such as a cathode sputtering method, a vapor deposition method, or a vapor phase plating method, and a metal having a shape similar to the mask holes is formed. A method of directly forming a thin film in a predetermined arrangement, or cutting a foil obtained by rolling a metal into a predetermined shape, and cutting the foil in a predetermined arrangement on the unfired ceramic layer 2 of the first sheet S1. It may be creating a second sheet S2 by the contact paste method.

【0049】また、図1〜図9を引用して説明した実施
例では、未焼成セラミック層2上に所定形状の金属箔3
を所定配列(m×n行列)で形成したものを第2シート
S2として用いたが、図11に示すように金属箔3の列
を1行毎に交互にずらした形態で形成したもの(S
2’)を第2シートとして用い、これを交互に180度
向きを変えて積み重ねるようにしても前記同様の未焼成
積層物5を得ることができる。
In the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 9, the metal foil 3 having a predetermined shape is formed on the unfired ceramic layer 2.
The second sheet S2 was formed by a predetermined array (m × n matrix), but the second sheet S2 was formed by alternately arranging the columns of the metal foil 3 row by row as shown in FIG. 11 (S
2 ') is used as the second sheet, and the second sheet is alternately turned 180 degrees to be stacked, whereby the same unfired laminate 5 can be obtained.

【0050】さらに、図1〜図9を引用して説明した実
施例では、第1シートS1と第2シートS2とを用い、
未焼成セラミック層2が所定層数に達するまで圧着とフ
ィルム剥離を繰り返し、次いで金属箔3を有する未焼成
セラミック層2が所定層数に達するまで圧着とフィルム
剥離を繰り返し、次いで未焼成セラミック層2が所定層
数に達するまで圧着とフィルム剥離を繰り返すことで未
焼成積層物5を得るものを示したが、第1シートS1と
第2シートS2の厚みが薄いことを原因として積層工程
における両シートS1及びS2のハンドリングに支障を
生じる場合には、図12(A)に示す第1積層シートS
4と図12(B)に示す第2積層シートS5を用いて前
記未焼成積層物5を得るようにしてもよい。
Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 9, the first sheet S1 and the second sheet S2 are used,
Pressing and film peeling are repeated until the unfired ceramic layer 2 reaches a predetermined number of layers, and then pressure bonding and film peeling are repeated until the unfired ceramic layer 2 having the metal foil 3 reaches the predetermined number of layers, then the unfired ceramic layer 2 Although the unbaked laminate 5 is obtained by repeating pressure bonding and film peeling until the number of layers reaches a predetermined number, both sheets in the laminating step are caused by the thin thicknesses of the first sheet S1 and the second sheet S2. When the handling of S1 and S2 is hindered, the first laminated sheet S shown in FIG.
4 and the second laminated sheet S5 shown in FIG. 12 (B) may be used to obtain the unfired laminated product 5.

【0051】第1積層シートS4は、図12(A)に示
すようにベースフィルム1上に未焼成セラミック層2を
塗工により形成する作業を複数回繰り返して作成され、
一方、第2積層シートS5は、図12(B)に示すよう
にベースフィルム1上に未焼成セラミック層2を塗工に
より形成しその上に所定配列の金属箔3を形成する作業
を複数回繰り返して作成されている。ここでの金属箔3
の形成には前記の転写シートS3を用いた転写方法と金
属箔3を直接的な成膜或いは貼り付けにより形成する方
法の何れかが採用できる。
The first laminated sheet S4 is prepared by repeating the operation of forming the unfired ceramic layer 2 on the base film 1 by coating a plurality of times as shown in FIG.
On the other hand, in the second laminated sheet S5, as shown in FIG. 12 (B), the unfired ceramic layer 2 is formed on the base film 1 by coating, and the metal foil 3 in a predetermined array is formed thereon a plurality of times. It is created repeatedly. Metal foil here 3
Either of the transfer method using the above-mentioned transfer sheet S3 and the method of forming the metal foil 3 by direct film formation or attachment can be adopted for the formation of.

【0052】積層時には、図12(C)に示すように第
1積層シートS4の最上層の未焼成セラミック層2上に
未焼成セラミック層2が接するように第2積層シートS
5を重ねて圧着或いは加熱圧着してベースフィルム1を
剥離する作業を1乃至複数回繰り返し、そして最上層の
未焼成セラミック層2に未焼成セラミック層2が接する
ように第1積層シートS4を重ねて圧着或いは加熱圧着
してベースフィルムを剥離する作業を行い、全体を積層
方向に加圧或いは加熱加圧して圧着度を高めて前記未焼
成積層物5を得るようにする。勿論、第1積層シートS
4からベースフィルム1を剥離したものと第2積層シー
トS5からベースフィルム1を剥離したものを適宜積み
重ねることで前記未焼成積層物5を得るようにしてもよ
い。
At the time of stacking, as shown in FIG. 12C, the second laminated sheet S is placed so that the unfired ceramic layer 2 contacts the uppermost unfired ceramic layer 2 of the first laminated sheet S4.
The operation of peeling the base film 1 by stacking 5 and press-bonding or thermo-compressing the base film 1 is repeated one or more times, and the first laminated sheet S4 is stacked so that the unfired ceramic layer 2 is in contact with the uppermost unfired ceramic layer 2. The base film is peeled off by pressure bonding or heat pressure bonding, and the whole body is pressed or heat pressed to increase the pressure bonding degree to obtain the unbaked laminate 5. Of course, the first laminated sheet S
The unbaked laminate 5 may be obtained by appropriately stacking the base film 1 peeled from 4 and the base film 1 peeled from the second laminated sheet S5.

【0053】さらに、図1〜図9を引用して説明した実
施例では、ベースフィルム1上に未焼成セラミック層2
を形成したものを第1シートS1として用い、第1シー
トS1の未焼成セラミック層2上に所定形状の金属箔3
を所定配列で形成したものを第2シートS2として用い
たが、図13(A)及び図13(B)に示すようにベー
スフィルム1上に所定形状の金属箔3を所定配列で形成
しその上に未焼成セラミック層2を形成したもの(S
6)を第2シートとして用い、この第2シートS6を交
互に180度向きを変えて積み重ねるようにしても前記
同様の未焼成積層物5を得ることができる。
Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 9, the unfired ceramic layer 2 is formed on the base film 1.
Is used as the first sheet S1, and the metal foil 3 having a predetermined shape is formed on the unfired ceramic layer 2 of the first sheet S1.
The second sheet S2 having a predetermined arrangement was used as the second sheet S2. As shown in FIGS. 13 (A) and 13 (B), the metal foil 3 having a predetermined shape was formed on the base film 1 in a predetermined arrangement. The one on which the unfired ceramic layer 2 is formed (S
6) is used as the second sheet, and the second sheet S6 is alternately turned 180 [deg.] To be stacked to obtain the unbaked laminate 5 similar to the above.

【0054】この第2シートS6は、PET等の樹脂フ
ィルムから成る所定寸法のベースフィルム1上に金属箔
3の形状に対応した孔を所定配列で有するマスクを置い
て陰極スパッタリング法や蒸着法や気相メッキ法等の金
属コーティング法によって未焼成セラミック層2上にマ
スク孔と相似形状の金属薄膜を所定配列で直接成膜する
方法や、金属を圧延することによって得られた箔を所定
形状にカッティングしてこれをベースフィルム1上に所
定配列で直接貼り付ける方法によってベースフィルム1
上に所定形状の金属箔3を所定配列で形成し、この上に
セラミックスラリーをドクターブレードやリバースロー
ルやダイコータ等を用いて塗工しこれを乾燥して未焼成
セラミック層2を形成することにより作成されている。
図13(C)に示すように、下側保護層の最上層の未焼
成セラミック層2上に未焼成セラミック層2が接するよ
うに第2シートS6を重ねて圧着或いは加熱圧着し、圧
着後にベースフィルム1を剥離すれば、図1〜図9を引
用して説明した実施例と同じように積層工程を実施でき
る。
In the second sheet S6, a mask having a predetermined arrangement of holes corresponding to the shape of the metal foil 3 is placed on a base film 1 having a predetermined size made of a resin film such as PET, and a cathode sputtering method, a vapor deposition method, or the like. A method of directly depositing a metal thin film having a similar shape to the mask holes in a predetermined arrangement on the unfired ceramic layer 2 by a metal coating method such as a vapor plating method, or a foil obtained by rolling a metal into a predetermined shape. The base film 1 is cut by a method in which the base film 1 is directly attached to the base film 1 in a predetermined arrangement.
By forming a metal foil 3 of a predetermined shape in a predetermined arrangement on the top, applying a ceramic slurry on this using a doctor blade, a reverse roll, a die coater, etc. and drying it to form an unfired ceramic layer 2. Has been created.
As shown in FIG. 13C, the second sheet S6 is placed on the uppermost unfired ceramic layer 2 of the lower protective layer so that the unfired ceramic layer 2 is in contact with the second sheet S6, and the second sheet S6 is pressure-bonded or thermocompression-bonded. If the film 1 is peeled off, the laminating step can be carried out in the same manner as the embodiment described with reference to FIGS.

【0055】前記の第1シートS1と第2シートS6の
厚みが薄いことを原因として積層工程における両シート
S1及びS6のハンドリングに支障を生じる場合には、
図12(A)〜図12(C)を引用して説明した積層方
法と同じように、図14(A)に示す第1積層シートS
7と図14(B)に示す第2積層シートS8を用いて前
記未焼成積層物5を得るようにしてもよい。
When the handling of both the sheets S1 and S6 in the laminating step is hindered due to the small thickness of the first sheet S1 and the second sheet S6,
Similarly to the laminating method described with reference to FIGS. 12A to 12C, the first laminated sheet S shown in FIG. 14A.
7 and the second laminated sheet S8 shown in FIG. 14 (B) may be used to obtain the unfired laminated product 5.

【0056】第1積層シートS7は、図14(A)に示
すようにベースフィルム1上に未焼成セラミック層2を
塗工により形成する作業を複数回繰り返して作成され、
一方、第2積層シートS5は、図14(B)に示すよう
にベースフィルム1上に所定配列の金属箔3を形成しそ
の上に未焼成セラミック層2を塗工により形成する作業
を複数回繰り返して作成されている。ここでの金属箔3
の形成には前記の転写シートS3を用いた転写方法と金
属箔3を直接的な成膜或いは貼り付けにより形成する方
法の何れかが採用できる。
The first laminated sheet S7 is prepared by repeating the process of forming the unfired ceramic layer 2 on the base film 1 by coating a plurality of times as shown in FIG.
On the other hand, in the second laminated sheet S5, as shown in FIG. 14 (B), the metal foil 3 of a predetermined arrangement is formed on the base film 1 and the unfired ceramic layer 2 is formed thereon by coating a plurality of times. It is created repeatedly. Metal foil here 3
Either of the transfer method using the above-mentioned transfer sheet S3 and the method of forming the metal foil 3 by direct film formation or attachment can be adopted for the formation of.

【0057】積層時には、図14(C)に示すように第
1積層シートS7の最上層の未焼成セラミック層2上に
未焼成セラミック層2が接するように第2積層シートS
8を重ねて圧着或いは加熱圧着してベースフィルム1を
剥離する作業を1乃至複数回繰り返し、そして最上層の
未焼成セラミック層2に未焼成セラミック層2が接する
ように第1積層シートS7を重ねて圧着或いは加熱圧着
してベースフィルムを剥離する作業を行い、全体を積層
方向に加圧或いは加熱加圧して圧着度を高めて前記未焼
成積層物5を得るようする。勿論、第1積層シートS7
からベースフィルム1を剥離したものと第2積層シート
S8からベースフィルム1を剥離したものを適宜積み重
ねることで前記未焼成積層物5を得るようにしてもよ
い。
At the time of stacking, as shown in FIG. 14C, the second laminated sheet S is placed so that the unfired ceramic layer 2 is in contact with the uppermost unfired ceramic layer 2 of the first laminated sheet S7.
The operation of peeling off the base film 1 by stacking 8 and press-bonding or thermo-compressing is repeated one or more times, and the first laminated sheet S7 is stacked so that the unfired ceramic layer 2 is in contact with the uppermost unfired ceramic layer 2. Then, the base film is peeled off by pressure bonding or heat pressure bonding, and the whole body is pressed or heat pressed to increase the pressure bonding degree to obtain the unfired laminate 5. Of course, the first laminated sheet S7
The unbaked laminate 5 may be obtained by appropriately stacking the base film 1 peeled from the second laminated sheet S8 and the base film 1 peeled from the second laminated sheet S8.

【0058】以上の説明では、本発明を積層セラミック
コンデンサに適用した実施例を示したが、積層セラミッ
クコンデンサ以外の積層セラミック電子部品、例えば積
層チップインダクタや積層チップLCフィルターや積層
セラミックコンデンサアレイ等にも本発明は適用でき前
記同様の作用効果を得ることができる。
In the above description, the embodiment in which the present invention is applied to the monolithic ceramic capacitor has been shown. However, the monolithic ceramic electronic component other than the monolithic ceramic capacitor, for example, the monolithic chip inductor, the monolithic chip LC filter, the monolithic ceramic capacitor array, etc. Also, the present invention can be applied and the same effect as the above can be obtained.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係る積層
セラミック電子部品によれば、実装後におけるコンデン
サ自体の電気的及び熱的挙動によって金属箔とセラミッ
クとの界面に剥離やクラックが生じること及びそこから
の水分浸入によって電気特性が低下することを抑制し
て、安定した電気特定を維持することができる。
As described in detail above, according to the monolithic ceramic electronic component of the present invention, peeling or cracking occurs at the interface between the metal foil and the ceramic due to the electrical and thermal behavior of the capacitor itself after mounting. It is possible to suppress the deterioration of the electrical characteristics due to the intrusion of water and the intrusion of water therefrom, and to maintain stable electrical identification.

【0060】また、本発明に係る積層セラミック電子部
品の製造方法によれば、前記の積層セラミック電子部品
を的確且つ安定に製造することができると共に、金属箔
と未焼成セラミック層との馴染みが悪く、且つ、焼成工
程において未焼成セラミック層と金属箔とに熱的挙動の
違いが生じた場合でも、焼成後の金属箔とセラミックと
の界面にデラミネーションを生じる等の不具合を解消し
て、構造欠陥のない高品質の積層セラミック電子部品を
得ることができる。
Further, according to the method for producing a monolithic ceramic electronic component according to the present invention, the monolithic ceramic electronic component can be produced accurately and stably, and the metal foil and the unfired ceramic layer are less familiar with each other. In addition, even if a difference in thermal behavior between the unfired ceramic layer and the metal foil occurs in the firing step, problems such as delamination occurring at the interface between the metal foil and the ceramic after firing are eliminated, and the structure is improved. It is possible to obtain a high quality multilayer ceramic electronic component having no defects.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1シートの上面図と、第2シートの上面図FIG. 1 is a top view of a first sheet and a top view of a second sheet.

【図2】転写シートの上面図と、転写シートに形成され
た金属箔の拡大上面図
FIG. 2 is a top view of a transfer sheet and an enlarged top view of a metal foil formed on the transfer sheet.

【図3】第2シートの作成方法の説明図FIG. 3 is an explanatory diagram of a method for creating a second sheet.

【図4】積層工程の説明図FIG. 4 is an explanatory diagram of a laminating process.

【図5】積層工程の説明図FIG. 5 is an explanatory diagram of a laminating process.

【図6】未焼成積層物と分断ラインを示す斜視図FIG. 6 is a perspective view showing an unfired laminate and a dividing line.

【図7】未焼成積層物における金属箔の上から見た位置
関係と金属箔に対する分断ラインの上から見た位置関係
を表す図と、分断後の未焼成積層チップの上面図
FIG. 7 is a diagram showing the positional relationship of the unfired laminate seen from above the metal foil and the positional relationship seen from above the cutting line with respect to the metal foil, and a top view of the unfired laminated chip after the cutting.

【図8】セラミックチップの上面図と、セラミックチッ
プの部分拡大縦断面図
FIG. 8 is a top view of the ceramic chip and a partially enlarged vertical sectional view of the ceramic chip.

【図9】製造された積層セラミックコンデンサの上面図FIG. 9 is a top view of the manufactured monolithic ceramic capacitor.

【図10】セラミックチップにおける金属箔の変形例を
示す図
FIG. 10 is a diagram showing a modification of the metal foil in the ceramic chip.

【図11】図1(B)に示した第2シートの変形例を示
す上面図
FIG. 11 is a top view showing a modified example of the second sheet shown in FIG. 1 (B).

【図12】積層方法の変形例を示す第1積層シートの部
分縦断面図と、第2積層シートの部分縦断面図と、積層
方法の説明図
FIG. 12 is a partial vertical cross-sectional view of a first laminated sheet, a partial vertical cross-sectional view of a second laminated sheet, and an explanatory view of the laminating method showing a modification of the laminating method.

【図13】図1(B)に示した第2シートの他の変形例
を示す上面図と、その部分拡大断面図と、積層方法の説
明図
FIG. 13 is a top view showing another modified example of the second sheet shown in FIG. 1B, a partially enlarged cross-sectional view thereof, and an explanatory view of a stacking method.

【図14】積層方法の他の変形例を示す第1積層シート
の部分縦断面図と、第2積層シートの部分縦断面図と、
積層方法の説明図
FIG. 14 is a partial vertical cross-sectional view of a first laminated sheet and a partial vertical cross-sectional view of a second laminated sheet, showing another modification of the laminating method.
Illustration of stacking method

【符号の説明】[Explanation of symbols]

S1…第1シート、S2…第2シート、2…未焼成セラ
ミック層、3…切断前の金属箔、3a…穴、5…未焼成
積層物、6…未焼成積層チップ、3-1…切断後の金属
箔、3a’…切欠き、7…セラミックチップ、3-2〜3
-9…切断後の金属箔、3b〜3e…穴、3f〜3i…切
欠き、S2’…第2シート、S4…第1積層シート、S
5…第2積層シート、S6…第2シート、S7…第1積
層シート、S8…第2積層シート。
S1 ... First sheet, S2 ... Second sheet, 2 ... Unfired ceramic layer, 3 ... Metal foil before cutting, 3a ... Hole, 5 ... Unfired laminated product, 6 ... Unfired laminated chip, 3-1 ... Cutting Rear metal foil, 3a '... Notch, 7 ... Ceramic chip, 3-2 to 3
-9 ... Metal foil after cutting, 3b to 3e ... Holes, 3f to 3i ... Notches, S2 '... Second sheet, S4 ... First laminated sheet, S
5 ... 2nd laminated sheet, S6 ... 2nd sheet, S7 ... 1st laminated sheet, S8 ... 2nd laminated sheet.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 未焼成積層チップを焼成して得たセラミ
ックチップ内に部品回路を構成するための導体層を少な
くとも1つ備えた積層セラミック電子部品であって、 前記導体層は少なくとも1つの穴または切欠きを有する
金属箔から成り、セラミックチップの金属箔を挟み込む
部分は金属箔の穴または切欠きを通じて互いに結合して
いる、 ことを特徴とする積層セラミック電子部品。
1. A laminated ceramic electronic component having at least one conductor layer for forming a component circuit in a ceramic chip obtained by firing an unfired laminated chip, wherein the conductor layer has at least one hole. Alternatively, the multilayer ceramic electronic component is made of a metal foil having a notch, and the portions of the ceramic chip sandwiching the metal foil are connected to each other through the holes or the notches of the metal foil.
【請求項2】 未焼成セラミック層の少なくとも1つの
層間に所定形状の金属箔を所定配列で介装して成る未焼
成積層物を得る工程と、この未焼成積層物を所定のチッ
プサイズに分断して金属箔内蔵の未焼成積層チップを得
る工程と、この未焼成積層チップを焼成して金属箔内蔵
のセラミックチップを得る工程とを備えた積層セラミッ
ク電子部品の製造方法であって、 前記の未焼成積層物を得る工程では金属箔として少なく
とも1つの穴または切欠きを有するものを用い、未焼成
セラミック層の金属箔を挟み込む部分を金属箔の穴また
は切欠きを通じて互いに接合させ、 前記の未焼成積層チップを得る工程では未焼成積層チッ
プ内の金属箔に少なくとも1つの穴または切欠きが残る
ように未焼成積層物を分断し、 前記のセラミックチップを得る工程ではセラミックチッ
プの金属箔を挟み込む部分を金属箔の穴または切欠きを
通じて互いに結合させる、 ことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
2. A step of obtaining an unfired laminate comprising metal foils of a prescribed shape interposed in a prescribed arrangement between at least one layer of the unfired ceramic layer, and dividing the unfired laminate into a prescribed chip size. A method of manufacturing a monolithic ceramic electronic component, comprising: a step of obtaining an unfired laminated chip with a built-in metal foil; and a step of firing the unfired laminated chip to obtain a ceramic chip with a built-in metal foil. In the step of obtaining the unfired laminate, a metal foil having at least one hole or notch is used, and the portions of the unfired ceramic layer sandwiching the metal foil are bonded to each other through the holes or notches of the metal foil. In the step of obtaining the fired laminated chip, the non-fired laminated body is divided so that at least one hole or notch remains in the metal foil in the non-fired laminated chip to obtain the ceramic chip. In the step of manufacturing, a method for manufacturing a monolithic ceramic electronic component is characterized in that the portions of the ceramic chip that sandwich the metal foil are bonded to each other through the holes or notches in the metal foil.
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