JP2003279703A - 光学薄膜の製造方法 - Google Patents
光学薄膜の製造方法Info
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- JP2003279703A JP2003279703A JP2002079110A JP2002079110A JP2003279703A JP 2003279703 A JP2003279703 A JP 2003279703A JP 2002079110 A JP2002079110 A JP 2002079110A JP 2002079110 A JP2002079110 A JP 2002079110A JP 2003279703 A JP2003279703 A JP 2003279703A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Nb２Ｏ５についても、蒸着法を用いて成膜す
る方法を提供する。 【解決手段】 真空チャンバ１の中には、容器２の中に
２〜３mmφの粒子状の蒸着物質３であるNb２Ｏ５が収納
されており、これに電子銃４からの電子が加速されて衝
突し、Nb２Ｏ５を蒸発させる。蒸発したNb２Ｏ５は、上
方に向かい、窓板５の窓部５ａを通過する。窓部５ａを
通過したNb２Ｏ５は、窓板５の上方に設けられた基板ホ
ルダ６に保持された石英基板７の表面に付着する。ガス
クラスタ発生部８には、酸素ガスが導入されており、ノ
ズル９から真空中に放出されることによって、断熱膨張
し、過冷却状態となって、分子が1000〜2000個程度緩く
結合したクラスタとなる。このクラスタの一部をスキマ
ー１０を通して取り出し、イオン化部１１に導いてイオ
ン化する。そして、イオン化された酸素クラスタビーム
を電圧加速して、窓板５の窓部５ａを通して石英基板７
の表面に照射する。
る方法を提供する。 【解決手段】 真空チャンバ１の中には、容器２の中に
２〜３mmφの粒子状の蒸着物質３であるNb２Ｏ５が収納
されており、これに電子銃４からの電子が加速されて衝
突し、Nb２Ｏ５を蒸発させる。蒸発したNb２Ｏ５は、上
方に向かい、窓板５の窓部５ａを通過する。窓部５ａを
通過したNb２Ｏ５は、窓板５の上方に設けられた基板ホ
ルダ６に保持された石英基板７の表面に付着する。ガス
クラスタ発生部８には、酸素ガスが導入されており、ノ
ズル９から真空中に放出されることによって、断熱膨張
し、過冷却状態となって、分子が1000〜2000個程度緩く
結合したクラスタとなる。このクラスタの一部をスキマ
ー１０を通して取り出し、イオン化部１１に導いてイオ
ン化する。そして、イオン化された酸素クラスタビーム
を電圧加速して、窓板５の窓部５ａを通して石英基板７
の表面に照射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は石英基板やレンズ等
の光学素子の表面、又は他の光学薄膜の表面に、Nb２Ｏ
５からなるアモルファス光学薄膜を成膜する製造方法に
関するものである。
の光学素子の表面、又は他の光学薄膜の表面に、Nb２Ｏ
５からなるアモルファス光学薄膜を成膜する製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】石英等の基板やレンズの表面に、反射防
止膜やフィルタを形成する場合、屈折率の高い物質と低
い物質を交互に所定厚さだけ成膜し、これらの物質によ
る光の干渉を利用して、所望の光学特性を得ることが行
われている。特に、可視光、赤外光及び近赤外光を使用
する場合には、屈折率の低い物質としてはSiＯ２が用い
られるのが一般的であり、屈折率の高い物質としてはTa
２Ｏ５、Nb２Ｏ５等が使用される。
止膜やフィルタを形成する場合、屈折率の高い物質と低
い物質を交互に所定厚さだけ成膜し、これらの物質によ
る光の干渉を利用して、所望の光学特性を得ることが行
われている。特に、可視光、赤外光及び近赤外光を使用
する場合には、屈折率の低い物質としてはSiＯ２が用い
られるのが一般的であり、屈折率の高い物質としてはTa
２Ｏ５、Nb２Ｏ５等が使用される。
【０００３】これらの多層膜を形成する各層の膜は、そ
れぞれアモルファス構造となっている必要がある。その
理由は、結晶構造を有する場合には、結晶粒界で光学的
特性が変化するため、多層膜の光学特性が悪化するから
である。
れぞれアモルファス構造となっている必要がある。その
理由は、結晶構造を有する場合には、結晶粒界で光学的
特性が変化するため、多層膜の光学特性が悪化するから
である。
【０００４】ところで、屈折率の高い物質と低い物質を
交互に成膜して多層膜を構成する場合、両者の屈折率の
差が大きいほど、必要とされる層数を少なくすることが
できるので好ましい。Nb２Ｏ５の屈折率はTa２Ｏ５より
大きいので、一般的にはNb２Ｏ５の方がTa２Ｏ５より好
ましい高屈折率材料であると言うことができる。Nb２Ｏ
５より高屈折率の材料として使用されるものにTiＯ２が
あるが、TiＯ２はアモルファス膜を形成することが困難
であるため、高精度の特性が必要とされる多層膜に使用
されることは少ない。
交互に成膜して多層膜を構成する場合、両者の屈折率の
差が大きいほど、必要とされる層数を少なくすることが
できるので好ましい。Nb２Ｏ５の屈折率はTa２Ｏ５より
大きいので、一般的にはNb２Ｏ５の方がTa２Ｏ５より好
ましい高屈折率材料であると言うことができる。Nb２Ｏ
５より高屈折率の材料として使用されるものにTiＯ２が
あるが、TiＯ２はアモルファス膜を形成することが困難
であるため、高精度の特性が必要とされる多層膜に使用
されることは少ない。
【０００５】これらの物質を成膜する方法として、蒸着
法やスパッタリング法が知られている。スパッタリング
法を用いれば、Ta２Ｏ５、Nb２Ｏ５とも、アモルファス
の状態に成膜することが可能である。Ta２Ｏ５の場合、
蒸着法を用いてもアモルファスの状態に成膜することが
可能である。
法やスパッタリング法が知られている。スパッタリング
法を用いれば、Ta２Ｏ５、Nb２Ｏ５とも、アモルファス
の状態に成膜することが可能である。Ta２Ｏ５の場合、
蒸着法を用いてもアモルファスの状態に成膜することが
可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Nb２Ｏ
５については、蒸着法を用いて成膜しようとすると、ア
モルファスの状態にはなるものの、層内の状態が均一に
ならず、細かい粒子が発生して粒子間に粒界が生じる。
そして、この粒界内に水分が侵入することにより多層膜
の光学特性が変化したり、膜の密着強度が劣化して、膜
そのものが剥離しやすくなったりする。よって、Nb２Ｏ
５については実質上、蒸着法を用いて成膜することがで
きず、もっぱらスパッタリング法による成膜方法に限定
されていた。
５については、蒸着法を用いて成膜しようとすると、ア
モルファスの状態にはなるものの、層内の状態が均一に
ならず、細かい粒子が発生して粒子間に粒界が生じる。
そして、この粒界内に水分が侵入することにより多層膜
の光学特性が変化したり、膜の密着強度が劣化して、膜
そのものが剥離しやすくなったりする。よって、Nb２Ｏ
５については実質上、蒸着法を用いて成膜することがで
きず、もっぱらスパッタリング法による成膜方法に限定
されていた。
【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、Nb２Ｏ５についても、多層膜の光学特性が変化
したり、膜の密着強度が劣化することが少ない薄膜を、
蒸着法を用いて成膜する方法を提供することを課題とす
る。
もので、Nb２Ｏ５についても、多層膜の光学特性が変化
したり、膜の密着強度が劣化することが少ない薄膜を、
蒸着法を用いて成膜する方法を提供することを課題とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、光学素子の表面又は光学薄膜の表面
に、Nb２Ｏ５からなるアモルファス光学薄膜を成膜する
製造方法であって、蒸着法によりNb２Ｏ５を蒸着させて
成膜を施す際に、蒸着面に酸素クラスタイオンビームを
照射することを特徴とする光学薄膜の製造方法（請求項
１）である。
の第１の手段は、光学素子の表面又は光学薄膜の表面
に、Nb２Ｏ５からなるアモルファス光学薄膜を成膜する
製造方法であって、蒸着法によりNb２Ｏ５を蒸着させて
成膜を施す際に、蒸着面に酸素クラスタイオンビームを
照射することを特徴とする光学薄膜の製造方法（請求項
１）である。
【０００９】後に実施例で説明するように、蒸着法によ
りNb２Ｏ５を蒸着させて成膜を施す際に、蒸着面に酸素
クラスタイオンビームを照射すると、単に蒸着法を用い
た場合に発生するアモルファスNb２Ｏ５薄膜内での粒界
の発生が少なくなり、分子が均一に並んだアモルファス
薄膜が形成される。これは、Nb２Ｏ５分子が蒸着する際
に、酸素クラスタイオンビームが蒸着面に衝突するが、
数千個の粒子が集中して衝突するため、クラスタイオン
が衝突した領域が局所的に高温・高圧状態となり、基板
自体の温度を上げることなく、高密度かつ均質な薄膜が
形成され易くなるためであると考えられる。
りNb２Ｏ５を蒸着させて成膜を施す際に、蒸着面に酸素
クラスタイオンビームを照射すると、単に蒸着法を用い
た場合に発生するアモルファスNb２Ｏ５薄膜内での粒界
の発生が少なくなり、分子が均一に並んだアモルファス
薄膜が形成される。これは、Nb２Ｏ５分子が蒸着する際
に、酸素クラスタイオンビームが蒸着面に衝突するが、
数千個の粒子が集中して衝突するため、クラスタイオン
が衝突した領域が局所的に高温・高圧状態となり、基板
自体の温度を上げることなく、高密度かつ均質な薄膜が
形成され易くなるためであると考えられる。
【００１０】本手段により、粒界の少ない、かつ、表面
粗さの小さいアモルファスNb２Ｏ５薄膜が形成可能とな
る。このアモルファスNb２Ｏ５薄膜は、多層膜の光学特
性が変化したり、膜そのものが剥離しやすくなったりす
ることが少ない。
粗さの小さいアモルファスNb２Ｏ５薄膜が形成可能とな
る。このアモルファスNb２Ｏ５薄膜は、多層膜の光学特
性が変化したり、膜そのものが剥離しやすくなったりす
ることが少ない。
【００１１】前記課題を解決するための第２の手段は、
前記第１の手段であって、酸素クラスタイオンビームの
イオン電流密度を、500nA/cm２以上とすることを特徴と
するもの（請求項２）である。
前記第１の手段であって、酸素クラスタイオンビームの
イオン電流密度を、500nA/cm２以上とすることを特徴と
するもの（請求項２）である。
【００１２】後に実施例で説明するように、形成される
アモルファスNb２Ｏ５薄膜の表面粗さは、酸素クラスタ
イオンビームのイオン電流密度が大きくなるに従って小
さくなる。しかし、イオン電流密度が、500nA/cm２以上
となると、表面粗さが実用上十分なレベルに達すると共
に、その効果は飽和してくる。よって、本手段において
は、前記第１の手段の好ましい範囲として、酸素クラス
タイオンビームのイオン電流密度を、500nA/cm２以上に
限定する。
アモルファスNb２Ｏ５薄膜の表面粗さは、酸素クラスタ
イオンビームのイオン電流密度が大きくなるに従って小
さくなる。しかし、イオン電流密度が、500nA/cm２以上
となると、表面粗さが実用上十分なレベルに達すると共
に、その効果は飽和してくる。よって、本手段において
は、前記第１の手段の好ましい範囲として、酸素クラス
タイオンビームのイオン電流密度を、500nA/cm２以上に
限定する。
【００１３】
【実施例】図１に示すような装置を使用して、石英基板
７の上にアモルファスNb２Ｏ５薄膜を成膜した。真空チ
ャンバ内を一旦、1.2×10−５Pa程度の真空度にする。
真空チャンバ１の中には、容器２の中に２〜３mmφの粒
子状の蒸着物質３であるNb ２Ｏ５が収納されており、こ
れに電子銃４からの電子が加速されて衝突し、Nb２Ｏ５
を蒸発させる。蒸発したNb２Ｏ５は、上方に向かい、窓
板５の窓部５ａを通過する。窓板５の上方には、基板ホ
ルダ６に石英基板７が保持されており、窓部５ａを通過
したNb２Ｏ５は、石英基板７の表面に付着する。
７の上にアモルファスNb２Ｏ５薄膜を成膜した。真空チ
ャンバ内を一旦、1.2×10−５Pa程度の真空度にする。
真空チャンバ１の中には、容器２の中に２〜３mmφの粒
子状の蒸着物質３であるNb ２Ｏ５が収納されており、こ
れに電子銃４からの電子が加速されて衝突し、Nb２Ｏ５
を蒸発させる。蒸発したNb２Ｏ５は、上方に向かい、窓
板５の窓部５ａを通過する。窓板５の上方には、基板ホ
ルダ６に石英基板７が保持されており、窓部５ａを通過
したNb２Ｏ５は、石英基板７の表面に付着する。
【００１４】ガスクラスタ発生部８には、数気圧に加圧
された酸素ガスが導入されており、ノズル９から真空中
に放出されることによって、断熱膨張し、過冷却状態と
なって、分子が1000〜2000個程度緩く結合したクラスタ
となる。このクラスタの一部をスキマーと称するコーン
状の開口１０を通して取り出し、イオン化部１１に導い
て、1000〜2000のクラスタを、１価程度にイオン化す
る。そして、イオン化された酸素クラスタイオンビーム
を、加速器に印加した電圧により加速して、窓板５の窓
部５ａを通して石英基板７の表面に照射する。蒸着中の
真空チャンバ内の真空度は、６×10−３Paに保つ。
された酸素ガスが導入されており、ノズル９から真空中
に放出されることによって、断熱膨張し、過冷却状態と
なって、分子が1000〜2000個程度緩く結合したクラスタ
となる。このクラスタの一部をスキマーと称するコーン
状の開口１０を通して取り出し、イオン化部１１に導い
て、1000〜2000のクラスタを、１価程度にイオン化す
る。そして、イオン化された酸素クラスタイオンビーム
を、加速器に印加した電圧により加速して、窓板５の窓
部５ａを通して石英基板７の表面に照射する。蒸着中の
真空チャンバ内の真空度は、６×10−３Paに保つ。
【００１５】＜実施例１＞図１に示す装置において、Nb
２Ｏ５の蒸発速度を0.1nm/secとし、酸素クラスタイオ
ンビームの電流密度を2.0μA/cm２、加速電圧を９kVと
して石英基板表面に照射した。酸素クラスタイオンビー
ムのクラスタサイズは1000〜2000であり、１分子あたり
のエネルギーは10eV程度である。石英基板の温度は100
℃に保持した。
２Ｏ５の蒸発速度を0.1nm/secとし、酸素クラスタイオ
ンビームの電流密度を2.0μA/cm２、加速電圧を９kVと
して石英基板表面に照射した。酸素クラスタイオンビー
ムのクラスタサイズは1000〜2000であり、１分子あたり
のエネルギーは10eV程度である。石英基板の温度は100
℃に保持した。
【００１６】ＡＦＭで測定した成膜後の表面粗さＲaは
約0.297nmであり、波長633nmの光に対する屈折率は2.32
9であった。ＡＦＭで観察されたNb２Ｏ５薄膜の表面状
態を図２に示す。また、断面を１０万倍に拡大したＳＥ
Ｍ像を図３に示す。ＳＥＭ像において、白く見える層が
Nb２Ｏ５薄膜であり、その下側が石英基板である。
約0.297nmであり、波長633nmの光に対する屈折率は2.32
9であった。ＡＦＭで観察されたNb２Ｏ５薄膜の表面状
態を図２に示す。また、断面を１０万倍に拡大したＳＥ
Ｍ像を図３に示す。ＳＥＭ像において、白く見える層が
Nb２Ｏ５薄膜であり、その下側が石英基板である。
【００１７】＜比較例１＞酸素クラスタイオンビームを
照射しなかった以外は、実施例１と同じ条件で蒸着のみ
により成膜を行った。ＡＦＭで測定した成膜後の表面粗
さＲaは約1.95nmであり、波長633nmの光に対する屈折率
は2.144であった。ＡＦＭで観察されたNb ２Ｏ５薄膜の
表面状態を図４に示す。また、断面を１０万倍に拡大し
たＳＥＭ像を図５に示す。ＳＥＭ像において、白く見え
る層がNb２Ｏ５薄膜であり、その下側が石英基板であ
る。
照射しなかった以外は、実施例１と同じ条件で蒸着のみ
により成膜を行った。ＡＦＭで測定した成膜後の表面粗
さＲaは約1.95nmであり、波長633nmの光に対する屈折率
は2.144であった。ＡＦＭで観察されたNb ２Ｏ５薄膜の
表面状態を図４に示す。また、断面を１０万倍に拡大し
たＳＥＭ像を図５に示す。ＳＥＭ像において、白く見え
る層がNb２Ｏ５薄膜であり、その下側が石英基板であ
る。
【００１８】実施例１と比較例１のＲa及びＡＦＭ像を
比較すると、実施例の方が遙かに表面粗さを小さくする
ことができていることが分かる。また、実施例の方が、
屈折率を高くすることができ、密度が高くなっているこ
とが分かる。さらに、ＳＥＭ像を比較すると分かるよう
に、比較例においてはNb２Ｏ５薄膜が柱状の疎な膜から
構成されているのに対し、実施例においては分子が均一
に配列され、Nb２Ｏ５薄膜が均質で滑らかになっている
ことが分かる。
比較すると、実施例の方が遙かに表面粗さを小さくする
ことができていることが分かる。また、実施例の方が、
屈折率を高くすることができ、密度が高くなっているこ
とが分かる。さらに、ＳＥＭ像を比較すると分かるよう
に、比較例においてはNb２Ｏ５薄膜が柱状の疎な膜から
構成されているのに対し、実施例においては分子が均一
に配列され、Nb２Ｏ５薄膜が均質で滑らかになっている
ことが分かる。
【００１９】＜実施例２＞図１に示す装置を使用して、
SiＯ２とNb２Ｏ５からなる多層膜を形成した。SiＯ２を
低屈折物質Ｌ、Nb２Ｏ５を高屈折物質Ｈで示すとき、膜
構成を示す表現で、[石英基板／（ＨＬ）３ＨＨ（Ｌ
Ｈ）３／空気]で表される多層膜フィルタである。図１
に示す装置においては、容器２に複数種の物質が収納で
きるようになっており、電子銃からの電子を照射する物
質を変えることで蒸着させる物質を変えることができ
る。これを利用して、SiＯ２とNb２Ｏ５を蒸着させて上
記膜構成の多層膜を形成した。
SiＯ２とNb２Ｏ５からなる多層膜を形成した。SiＯ２を
低屈折物質Ｌ、Nb２Ｏ５を高屈折物質Ｈで示すとき、膜
構成を示す表現で、[石英基板／（ＨＬ）３ＨＨ（Ｌ
Ｈ）３／空気]で表される多層膜フィルタである。図１
に示す装置においては、容器２に複数種の物質が収納で
きるようになっており、電子銃からの電子を照射する物
質を変えることで蒸着させる物質を変えることができ
る。これを利用して、SiＯ２とNb２Ｏ５を蒸着させて上
記膜構成の多層膜を形成した。
【００２０】７万倍に拡大した上記多層膜の一部の断面
のＳＥＭ像を図６に示す。ＳＥＭ像において白く見えて
いるのがNb２Ｏ５層、やや黒く見えているのが、SiＯ２
層である。
のＳＥＭ像を図６に示す。ＳＥＭ像において白く見えて
いるのがNb２Ｏ５層、やや黒く見えているのが、SiＯ２
層である。
【００２１】この多層膜を、４時間純水で煮沸し、その
後85℃、85％ＲＨの雰囲気に中に250時間放置しても膜
の剥離は見あたらなかった。また、この試験前後での分
光透過率の変化を調べた結果、中心波長の変化は0.3nm
と非常に小さく、耐環境試験に強いしっかりした薄膜で
あることが分かった。
後85℃、85％ＲＨの雰囲気に中に250時間放置しても膜
の剥離は見あたらなかった。また、この試験前後での分
光透過率の変化を調べた結果、中心波長の変化は0.3nm
と非常に小さく、耐環境試験に強いしっかりした薄膜で
あることが分かった。
【００２２】＜比較例２＞酸素クラスタイオンビームを
照射しなかった以外は、実施例１と同じ条件でSiＯ２と
Nb２Ｏ５からなる多層膜を形成した。７万倍に拡大した
多層膜の一部の断面のＳＥＭ像を図７に示す。ＳＥＭ像
において白く見えているのがNb２Ｏ５層、やや黒く見え
ているのが、SiＯ２層である。
照射しなかった以外は、実施例１と同じ条件でSiＯ２と
Nb２Ｏ５からなる多層膜を形成した。７万倍に拡大した
多層膜の一部の断面のＳＥＭ像を図７に示す。ＳＥＭ像
において白く見えているのがNb２Ｏ５層、やや黒く見え
ているのが、SiＯ２層である。
【００２３】実施例と比較例のＳＥＭ像を比較すると、
実施例では、各層とも分子が均一に配列されて均質で滑
らかな層が形成されているのに対し、比較例において
は、各層共に疎な構造が見られ、特にNb２Ｏ５層におい
て顕著に疎な構造が発生していることが分かる。この多
層膜について実施例と同じような耐環境試験を実施した
が、試験の途中で膜が剥離してしまい、分光透過率の変
化を調べるまでに至らなかった。
実施例では、各層とも分子が均一に配列されて均質で滑
らかな層が形成されているのに対し、比較例において
は、各層共に疎な構造が見られ、特にNb２Ｏ５層におい
て顕著に疎な構造が発生していることが分かる。この多
層膜について実施例と同じような耐環境試験を実施した
が、試験の途中で膜が剥離してしまい、分光透過率の変
化を調べるまでに至らなかった。
【００２４】＜実施例３＞図１に示す装置を使用して、
酸素クラスタイオンビームの加速電圧とイオン電流密度
を変化させながら石英基板表面にNb２Ｏ５薄膜を形成
し、平均表面粗さをＡＦＭを使用して調査した。その結
果を図８に示す。
酸素クラスタイオンビームの加速電圧とイオン電流密度
を変化させながら石英基板表面にNb２Ｏ５薄膜を形成
し、平均表面粗さをＡＦＭを使用して調査した。その結
果を図８に示す。
【００２５】図８から、加速電圧を高くした場合、イオ
ン電流密度を大きくした場合の方が平均表面粗さが小さ
くなっていることが分かる。そして、加速電圧が７kVの
場合も、９kVの場合も、イオン電流密度が500nA/cm２未
満では、表面粗さが急激に大きくなり、イオン電流密度
が500nA/cm２以上となると、イオン電流密度の増加に対
して表面粗さの減少度合いが飽和してくることが分か
る。よって、イオン電流密度を500nA/cm２以上とし、こ
の範囲であまり大きくしないことが好ましい。
ン電流密度を大きくした場合の方が平均表面粗さが小さ
くなっていることが分かる。そして、加速電圧が７kVの
場合も、９kVの場合も、イオン電流密度が500nA/cm２未
満では、表面粗さが急激に大きくなり、イオン電流密度
が500nA/cm２以上となると、イオン電流密度の増加に対
して表面粗さの減少度合いが飽和してくることが分か
る。よって、イオン電流密度を500nA/cm２以上とし、こ
の範囲であまり大きくしないことが好ましい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Nb２Ｏ５についても、多層膜の光学特性が変化したり、
膜そのものが剥離しやすくなったりすることが少ない薄
膜を、蒸着法を用いて成膜する方法を提供することがで
きる。
Nb２Ｏ５についても、多層膜の光学特性が変化したり、
膜そのものが剥離しやすくなったりすることが少ない薄
膜を、蒸着法を用いて成膜する方法を提供することがで
きる。
【図１】本発明の実施例と比較例に使用した酸素クラス
タイオンビームアシスト蒸着装置の概要を示す構成図で
ある。
タイオンビームアシスト蒸着装置の概要を示す構成図で
ある。
【図２】実施例１において成膜したNb２Ｏ５薄膜表面の
ＡＦＭ観察像である。
ＡＦＭ観察像である。
【図３】実施例１において成膜したNb２Ｏ５薄膜断面の
ＳＥＭ観察像である。
ＳＥＭ観察像である。
【図４】比較例１において成膜したNb２Ｏ５薄膜表面の
ＡＦＭ観察像である。
ＡＦＭ観察像である。
【図５】比較例１において成膜したNb２Ｏ５薄膜断面の
ＳＥＭ観察像である。
ＳＥＭ観察像である。
【図６】実施例２において成膜したSiＯ２／Nb２Ｏ５薄
膜の断面のＳＥＭ観察像である。
膜の断面のＳＥＭ観察像である。
【図７】比較例２において成膜したSiＯ２／Nb２Ｏ５薄
膜の断面のＳＥＭ観察像である。
膜の断面のＳＥＭ観察像である。
【図８】酸素クラスタイオンビームの加速電圧とイオン
電流密度と、成膜されたNb２Ｏ ５薄膜の平均表面粗さと
の関係を示す図である。
電流密度と、成膜されたNb２Ｏ ５薄膜の平均表面粗さと
の関係を示す図である。
１…真空チャンバ
２…容器
３…蒸着物質
４…電子銃
５…窓板
５ａ…窓部
６…基板ホルダ
７…石英基板
８…ガスクラスタ発生部
９…ノズル
１０…スキマー
１１…イオン化部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山田 公
兵庫県姫路市新在家本町６−11−９
(72)発明者 豊田 紀章
兵庫県姫路市東辻井１−３−６−205
(72)発明者 佐藤 正聡
東京都千代田区丸の内３丁目２番３号 株
式会社ニコン内
Ｆターム(参考） 2H048 GA04 GA51 GA60
2K009 AA02 BB02 CC03 DD03
4G059 AA11 AC04 AC07 EA01 EB03
4K029 AA08 AA24 BA43 BB10 BC08
CA09 EA09
Claims (2)
- 【請求項１】 光学素子の表面又は光学薄膜の表面に、
Nb２Ｏ５からなるアモルファス光学薄膜を成膜する製造
方法であって、蒸着法によりNb２Ｏ５を蒸着させて成膜
を施す際に、蒸着面に酸素クラスタイオンビームを照射
することを特徴とする光学薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光学薄膜の製造方法で
あって、酸素クラスタイオンビームのイオン電流密度
を、500nA/cm２以上とすることを特徴とする光学薄膜の
成膜製造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002079110A JP2003279703A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002079110A JP2003279703A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 光学薄膜の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003279703A true JP2003279703A (ja) | 2003-10-02 |
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ID=29228711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002079110A Pending JP2003279703A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003279703A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007154274A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Canon Inc | クラスタビームを用いた弗化物膜形成方法およびこれによって得られた弗化物膜を用いた光学素子 |
| CN109402555A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-03-01 | 昆山益固纳米科技有限公司 | 一种运用离化原子团簇结合hipims技术制备高质量薄膜的方法 |
| CN113718213A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-11-30 | 深圳市新邦薄膜科技有限公司 | 一种分光薄膜真空磁控镀膜方法 |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002079110A patent/JP2003279703A/ja active Pending
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