JP2003277931A - Ｃｖｄ用液体原料及びｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ用液体原料及びｃｖｄ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶媒で
は不具合の多かった材料でも沈殿等の発生などの支障な
く溶解でき、かつ、配管中を目詰まりなく移送すること
ができ、かつ、気化効率も問題なく溶液気化方式に適用
し得るＣＶＤ用液体原料を提供する。 【解決手段】 少なくとも１種類以上の極性溶媒を含む
溶媒中に、少なくとも１種類以上の有機金属化合物を混
合し、かつ、飽和状態以下で溶解して作られたＣＶＤ用
液体原料９であって、極性溶媒が、テトラヒドロフラン
(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ ８Ｏ)の誘導体を少なくとも１種類以上
含み、かつ、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)
そのものを含まない溶媒によるものとしたので、従来の
ＴＨＦ溶媒では不具合の多かった材料でも沈殿等の発生
などの支障なく溶解することができ、かつ、配管１６中
を目詰まりなく移送することができるようにした。
は不具合の多かった材料でも沈殿等の発生などの支障な
く溶解でき、かつ、配管中を目詰まりなく移送すること
ができ、かつ、気化効率も問題なく溶液気化方式に適用
し得るＣＶＤ用液体原料を提供する。 【解決手段】 少なくとも１種類以上の極性溶媒を含む
溶媒中に、少なくとも１種類以上の有機金属化合物を混
合し、かつ、飽和状態以下で溶解して作られたＣＶＤ用
液体原料９であって、極性溶媒が、テトラヒドロフラン
(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ ８Ｏ)の誘導体を少なくとも１種類以上
含み、かつ、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)
そのものを含まない溶媒によるものとしたので、従来の
ＴＨＦ溶媒では不具合の多かった材料でも沈殿等の発生
などの支障なく溶解することができ、かつ、配管１６中
を目詰まりなく移送することができるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性体、半導体、
強誘電体、超伝導体などに使用されるＺｎＯ等の金属酸
化物薄膜の製法に用いられるＣＶＤ（Ｃhemical Ｖapor
Ｄeposition；化学気相成長法）用液体原料及びこの原
料を用いるＣＶＤ装置に関する
強誘電体、超伝導体などに使用されるＺｎＯ等の金属酸
化物薄膜の製法に用いられるＣＶＤ（Ｃhemical Ｖapor
Ｄeposition；化学気相成長法）用液体原料及びこの原
料を用いるＣＶＤ装置に関する
【０００２】
【従来の技術】従来、強誘電体を中心としたこの種の薄
膜の原料又は製法として、特開平６−１５８３２８号公
報や、特開平７−２６８６３４号公報などが既に提案さ
れており、その中で主にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ，
Ｃ４Ｈ８Ｏ）を溶媒として用い、有機金属化合物を溶質
として気化するＣＶＤ成膜法が提案されている。
膜の原料又は製法として、特開平６−１５８３２８号公
報や、特開平７−２６８６３４号公報などが既に提案さ
れており、その中で主にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ，
Ｃ４Ｈ８Ｏ）を溶媒として用い、有機金属化合物を溶質
として気化するＣＶＤ成膜法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
これらの公報例で示されたＴＨＦ溶液に複数の有機金属
を混合した場合、材料によっては必要とする濃度に達す
る前に混合液中に沈殿を生じたり、市販のエステック社
製の溶液気化システム（液体を加熱した多数の微小金属
球に直接に接触させて、加熱気化する方法）により気化
を行うと、僅か十数回のランニング試験で配管全体に目
詰まりを起こして、システム全体が制御不能に陥るな
ど、生産上の重大な欠点があることを見出された。
これらの公報例で示されたＴＨＦ溶液に複数の有機金属
を混合した場合、材料によっては必要とする濃度に達す
る前に混合液中に沈殿を生じたり、市販のエステック社
製の溶液気化システム（液体を加熱した多数の微小金属
球に直接に接触させて、加熱気化する方法）により気化
を行うと、僅か十数回のランニング試験で配管全体に目
詰まりを起こして、システム全体が制御不能に陥るな
ど、生産上の重大な欠点があることを見出された。
【０００４】そして、その原因を究明した結果、これは
混合溶液の溶媒の気化特性に問題があると考えられ、こ
れを解決することが実生産ラインで使用する上での必須
課題であるといえる。
混合溶液の溶媒の気化特性に問題があると考えられ、こ
れを解決することが実生産ラインで使用する上での必須
課題であるといえる。
【０００５】本発明は、従来のテトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）溶媒では不具合の多かった材料でも沈殿等の発生
などの支障なく溶解することができ、かつ、配管中を目
詰まりなく移送することができ、かつ、気化効率も問題
なく溶液気化方式に適用し得るＣＶＤ用液体原料及びこ
の原料を用いるＣＶＤ装置を提供することを目的とす
る。
ＨＦ）溶媒では不具合の多かった材料でも沈殿等の発生
などの支障なく溶解することができ、かつ、配管中を目
詰まりなく移送することができ、かつ、気化効率も問題
なく溶液気化方式に適用し得るＣＶＤ用液体原料及びこ
の原料を用いるＣＶＤ装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】有機金属を溶解した溶媒
が長期間の保存において変質せず、かつ、何ら沈殿物を
生じないためには、まず、その溶媒の個々の溶質に対す
る溶解度が使用しようとする濃度よりも大きな値をもっ
ており、飽和レベルに対して十分な余裕がなければなら
ない。加えて、気化時に溶媒分子とともに溶質（有機金
属）がガスとなって蒸発するためには、溶媒分子が有機
金属に強く配位する必要があると思われる。配位する度
合いは溶媒分子の極性の大きさに左右されると推定され
る。
が長期間の保存において変質せず、かつ、何ら沈殿物を
生じないためには、まず、その溶媒の個々の溶質に対す
る溶解度が使用しようとする濃度よりも大きな値をもっ
ており、飽和レベルに対して十分な余裕がなければなら
ない。加えて、気化時に溶媒分子とともに溶質（有機金
属）がガスとなって蒸発するためには、溶媒分子が有機
金属に強く配位する必要があると思われる。配位する度
合いは溶媒分子の極性の大きさに左右されると推定され
る。
【０００７】そこで、請求項１記載の発明は、少なくと
も１種類以上の極性溶媒を含む溶媒中に、少なくとも１
種類以上の有機金属化合物を混合し、かつ、飽和状態以
下で溶解して作られたＣＶＤ用液体原料であって、前記
極性溶媒は、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)
の誘導体を少なくとも１種類以上含み、かつ、テトラヒ
ドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)そのものを含まない溶
媒であることを特徴とする。
も１種類以上の極性溶媒を含む溶媒中に、少なくとも１
種類以上の有機金属化合物を混合し、かつ、飽和状態以
下で溶解して作られたＣＶＤ用液体原料であって、前記
極性溶媒は、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)
の誘導体を少なくとも１種類以上含み、かつ、テトラヒ
ドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)そのものを含まない溶
媒であることを特徴とする。
【０００８】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載のＣＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラ
ン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
載のＣＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラ
ン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
【化６】
において、官能基Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ又は２つの官能
基がアルキル基（炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構
造）であり、残りが水素であるテトラヒドロフランの誘
導体であり、前記極性溶媒は、これらのうち少なくとも
１種類以上が含有されていることを特徴とする。
基がアルキル基（炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構
造）であり、残りが水素であるテトラヒドロフランの誘
導体であり、前記極性溶媒は、これらのうち少なくとも
１種類以上が含有されていることを特徴とする。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項１記載のＣ
ＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラン(Ｔ
ＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
ＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラン(Ｔ
ＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
【化７】
において、官能基Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ又は２つの官能
基が炭素鎖を含むアルコール基（−Ｒ５−ＯＨ、Ｒ５＝
炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造)であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、前記極
性溶媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有さ
れていることを特徴とする。
基が炭素鎖を含むアルコール基（−Ｒ５−ＯＨ、Ｒ５＝
炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造)であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、前記極
性溶媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有さ
れていることを特徴とする。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項１記載のＣ
ＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラン(Ｔ
ＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
ＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラン(Ｔ
ＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
【化８】
において、官能基Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ又は２つの官能
基が炭素鎖を含むエーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６
とＲ７の炭素数の総和が５以下の構造）であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、前記極
性溶媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有さ
れていることを特徴とする。
基が炭素鎖を含むエーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６
とＲ７の炭素数の総和が５以下の構造）であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、前記極
性溶媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有さ
れていることを特徴とする。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項１記載のＣ
ＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラン(Ｔ
ＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
ＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラン(Ｔ
ＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
【化９】
において、官能基Ｒ１〜Ｒ４の全てがアルキル基となっ
ているテトラヒドロフランの誘導体であり、前記極性溶
媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有されて
いることを特徴とする。
ているテトラヒドロフランの誘導体であり、前記極性溶
媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有されて
いることを特徴とする。
【００１２】請求項６記載の発明は、請求項１記載のＣ
ＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラン(Ｔ
ＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の４つの構造式
ＶＤ用液体原料において、前記テトラヒドロフラン(Ｔ
ＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の４つの構造式
【化１０】
において、同一部位に２種類の官能基Ｒ１，Ｒ１′を有
しており、それらの官能基がアルキル基（炭素数１〜５
の直鎖又は分岐した構造）、アルコール基（−Ｒ ５−Ｏ
Ｈ、Ｒ５＝炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造）、エ
ーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６とＲ７の炭素数の総
和が５以下の構造）の何れかであるテトラヒドロフラン
の誘導体であり、前記極性溶媒は、これらのうち少なく
とも１種類以上が含有されていることを特徴とする。
しており、それらの官能基がアルキル基（炭素数１〜５
の直鎖又は分岐した構造）、アルコール基（−Ｒ ５−Ｏ
Ｈ、Ｒ５＝炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造）、エ
ーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６とＲ７の炭素数の総
和が５以下の構造）の何れかであるテトラヒドロフラン
の誘導体であり、前記極性溶媒は、これらのうち少なく
とも１種類以上が含有されていることを特徴とする。
【００１３】これらの請求項１ないし６記載の発明によ
れば、ＴＨＦ誘導体である極性溶媒、例えば、２−メチ
ルテトラヒドロフラン、２−テトラヒドロフルフリルア
ルコールなどを用いることによって、有機金属に対し
て、高い溶解度で、強く配位するＣＶＤ用の液体気化原
料が実現できる。即ち、従来のＴＨＦ溶媒では不具合の
多かった材料でも沈殿等の発生などの支障なく溶解する
ことができ、かつ、配管中を目詰まりなく移送すること
ができる。
れば、ＴＨＦ誘導体である極性溶媒、例えば、２−メチ
ルテトラヒドロフラン、２−テトラヒドロフルフリルア
ルコールなどを用いることによって、有機金属に対し
て、高い溶解度で、強く配位するＣＶＤ用の液体気化原
料が実現できる。即ち、従来のＴＨＦ溶媒では不具合の
多かった材料でも沈殿等の発生などの支障なく溶解する
ことができ、かつ、配管中を目詰まりなく移送すること
ができる。
【００１４】また、請求項７記載の発明は、請求項１な
いし６の何れか一記載のＣＶＤ用液体原料において、前
記有機金属化合物は、少なくとも１種類以上の金属原子
に、アセチルアセトナト、ジピバロイルメタナト、アル
コキシド、ヘキサフルオロアセチルアセトナト、ペンタ
フルオロプロパノイルピバロイルメタナト、シクロペン
タジエニルなどの配位子が１つ以上配位結合してなるも
のであることを特徴とする。
いし６の何れか一記載のＣＶＤ用液体原料において、前
記有機金属化合物は、少なくとも１種類以上の金属原子
に、アセチルアセトナト、ジピバロイルメタナト、アル
コキシド、ヘキサフルオロアセチルアセトナト、ペンタ
フルオロプロパノイルピバロイルメタナト、シクロペン
タジエニルなどの配位子が１つ以上配位結合してなるも
のであることを特徴とする。
【００１５】請求項１ないし６の何れか一記載のＣＶＤ
用液体原料は、この請求項７記載の発明に定義された全
ての有機金属化合物に対しても有効である。
用液体原料は、この請求項７記載の発明に定義された全
ての有機金属化合物に対しても有効である。
【００１６】請求項８記載の発明のＣＶＤ装置は、成膜
対象となる基板がセットされるチャンバと、請求項１な
いし７の何れか一記載のＣＶＤ用液体原料を収納するタ
ンクと、少なくとも１種類以上の成分元素を前記チャン
バ内に供給するために前記タンク内に収納された前記Ｃ
ＶＤ用液体原料を加熱部分に接触させて気化させ、搬送
ガスとともに前記チャンバへ送り込む気化器と、を備え
る。
対象となる基板がセットされるチャンバと、請求項１な
いし７の何れか一記載のＣＶＤ用液体原料を収納するタ
ンクと、少なくとも１種類以上の成分元素を前記チャン
バ内に供給するために前記タンク内に収納された前記Ｃ
ＶＤ用液体原料を加熱部分に接触させて気化させ、搬送
ガスとともに前記チャンバへ送り込む気化器と、を備え
る。
【００１７】従って、ＣＶＤ法にこれらの液体気化原料
を用いるＣＶＤ装置は利用可能である。
を用いるＣＶＤ装置は利用可能である。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図面に基
づいて説明する。図１に本実施の形態のＣＶＤ用液体原
料を用いて金属酸化物薄膜をＣＶＤ法により成膜するた
めのＣＶＤ装置の概略構成を示す。
づいて説明する。図１に本実施の形態のＣＶＤ用液体原
料を用いて金属酸化物薄膜をＣＶＤ法により成膜するた
めのＣＶＤ装置の概略構成を示す。
【００１９】まず、成膜対象面を上向きとして基板１が
セットされるＣＶＤチャンバ２が設けられている。この
ＣＶＤチャンバ２は排気口３を介して排気可能である。
また、ＣＶＤチャンバ２の上部には酸素ガスを導入する
ための酸素ガス配管５が混合器６、混合ガス配管７を介
して連結されている。混合ガス配管７のＣＶＤチャンバ
２内における下端は基板１に対向するノズル８とされて
いる。
セットされるＣＶＤチャンバ２が設けられている。この
ＣＶＤチャンバ２は排気口３を介して排気可能である。
また、ＣＶＤチャンバ２の上部には酸素ガスを導入する
ための酸素ガス配管５が混合器６、混合ガス配管７を介
して連結されている。混合ガス配管７のＣＶＤチャンバ
２内における下端は基板１に対向するノズル８とされて
いる。
【００２０】一方、ＣＶＤ用液体原料９が収納される液
体原料タンク１０が設けられ、液体原料加圧ガス配管１
１により加圧ガスの液体原料タンク１０内への導入が可
能とされている。この液体原料タンク１０内の液体原料
（混合溶液）９は液体原料供給配管１２を介して気化器
１３内に供給可能とされている。この気化器１３内には
微小金属球１４が設けられており、供給された液体原料
９の加熱蒸発及び気化が可能とされている。また、この
気化器１３内には供給配管１５を介して不活性キャリア
ガスの導入が可能とされている。さらに、気化器１３と
混合器６とは加熱・気化させた液体原料の混合蒸気を含
む不活性キャリアガスを混合器６内に送り込むための気
化ガス送出配管１６により連結されている。
体原料タンク１０が設けられ、液体原料加圧ガス配管１
１により加圧ガスの液体原料タンク１０内への導入が可
能とされている。この液体原料タンク１０内の液体原料
（混合溶液）９は液体原料供給配管１２を介して気化器
１３内に供給可能とされている。この気化器１３内には
微小金属球１４が設けられており、供給された液体原料
９の加熱蒸発及び気化が可能とされている。また、この
気化器１３内には供給配管１５を介して不活性キャリア
ガスの導入が可能とされている。さらに、気化器１３と
混合器６とは加熱・気化させた液体原料の混合蒸気を含
む不活性キャリアガスを混合器６内に送り込むための気
化ガス送出配管１６により連結されている。
【００２１】このような構成において、概略的には、少
なくとも１種類以上の成分元素をＣＶＤチャンバ２内に
供給するために、液体原料９を気化器１３において加熱
部分（微小金属球１４）に接触させて気化させ、搬送ガ
スとともにＣＶＤチャンバ２へ送り込むことにより、Ｃ
ＶＤチャンバ２内で基板１上に成膜を行う。
なくとも１種類以上の成分元素をＣＶＤチャンバ２内に
供給するために、液体原料９を気化器１３において加熱
部分（微小金属球１４）に接触させて気化させ、搬送ガ
スとともにＣＶＤチャンバ２へ送り込むことにより、Ｃ
ＶＤチャンバ２内で基板１上に成膜を行う。
【００２２】ここに、本実施の形態において用いる液体
原料９について説明する。
原料９について説明する。
【００２３】まず、一例として、Ｆｅ(acac)３；１２ｇ
とＳｒ(dpm)２；１ｇを１００ｍｌのＴＨＦ誘導体であ
る２−メチルテトラヒドロフラン、及び、２−テトラヒ
ドロフルフリルアルコールに各々溶かし、密閉容器で１
日、１週間、１ヶ月、３ヶ月、６ヶ月間放置した結果、
何れも色変化・沈殿が発生せず、液体の変化はなかった
ものである。これに対して、ＴＨＦのみの場合は１日も
経たないで沈殿物を生じた。
とＳｒ(dpm)２；１ｇを１００ｍｌのＴＨＦ誘導体であ
る２−メチルテトラヒドロフラン、及び、２−テトラヒ
ドロフルフリルアルコールに各々溶かし、密閉容器で１
日、１週間、１ヶ月、３ヶ月、６ヶ月間放置した結果、
何れも色変化・沈殿が発生せず、液体の変化はなかった
ものである。これに対して、ＴＨＦのみの場合は１日も
経たないで沈殿物を生じた。
【００２４】また、これによって作製した溶液のうち、
各５０ｍｌをエステック社の気化器１３に通し、２００
℃の温度で気化した後、各々の場合のエステック社の気
化器１３の重量変動を調べた結果、その残渣重量は２−
メチルテトラヒドロフランを極性溶媒とした場合も、２
−テトラヒドロフルフリルアルコールを極性溶媒とした
場合も０．０１ｍｇ以下（検出限界以下）に抑えること
ができたものである。さらに、ＣＶＤチャンバ２への配
管１６（気化器１３以降の配管１６は蒸気が液化するこ
とを防ぐため２００℃以上に加熱されている）を調べた
ところ、一切の詰まり、配管１６内壁への残渣の付着な
どは見られなかったものである。
各５０ｍｌをエステック社の気化器１３に通し、２００
℃の温度で気化した後、各々の場合のエステック社の気
化器１３の重量変動を調べた結果、その残渣重量は２−
メチルテトラヒドロフランを極性溶媒とした場合も、２
−テトラヒドロフルフリルアルコールを極性溶媒とした
場合も０．０１ｍｇ以下（検出限界以下）に抑えること
ができたものである。さらに、ＣＶＤチャンバ２への配
管１６（気化器１３以降の配管１６は蒸気が液化するこ
とを防ぐため２００℃以上に加熱されている）を調べた
ところ、一切の詰まり、配管１６内壁への残渣の付着な
どは見られなかったものである。
【００２５】なお、この気化蒸気をアルゴンガス１９０
ccmで希釈し、基板１直上で酸素ガス３００ccmと混合
し、雰囲気圧力を１Ｔorrとしたところ、４３０℃基板
温度にてＳｒ：Ｆｅ：Ｏ＝１：１２：１９の組成の薄膜
を形成することができ、ＣＶＤ用原料として利用できる
ことを確認したものである。
ccmで希釈し、基板１直上で酸素ガス３００ccmと混合
し、雰囲気圧力を１Ｔorrとしたところ、４３０℃基板
温度にてＳｒ：Ｆｅ：Ｏ＝１：１２：１９の組成の薄膜
を形成することができ、ＣＶＤ用原料として利用できる
ことを確認したものである。
【００２６】これらの結果から、より一般的には、液体
原料９としては、少なくとも１種類以上の極性溶媒を含
む溶媒中に、少なくとも１種類以上の有機金属化合物を
混合し、かつ、飽和状態以下で溶解して作られたＣＶＤ
用液体原料であって、極性溶媒が、テトラヒドロフラン
(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体を少なくとも１種類以上
含み、かつ、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)
そのものを含まない溶媒であればよいといえる。
原料９としては、少なくとも１種類以上の極性溶媒を含
む溶媒中に、少なくとも１種類以上の有機金属化合物を
混合し、かつ、飽和状態以下で溶解して作られたＣＶＤ
用液体原料であって、極性溶媒が、テトラヒドロフラン
(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体を少なくとも１種類以上
含み、かつ、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)
そのものを含まない溶媒であればよいといえる。
【００２７】より具体的には、
テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体
は、下記の構造式
は、下記の構造式
【化１１】
において、官能基Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ又は２つの官能
基がアルキル基（炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構
造）であり、残りが水素であるテトラヒドロフランの誘
導体であり、極性溶媒は、これらのうち少なくとも１種
類以上が含有されている。
基がアルキル基（炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構
造）であり、残りが水素であるテトラヒドロフランの誘
導体であり、極性溶媒は、これらのうち少なくとも１種
類以上が含有されている。
【００２８】 テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ
８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
【化１２】
において、官能基Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ又は２つの官能
基が炭素鎖を含むアルコール基（−Ｒ５−ＯＨ、Ｒ５＝
炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造）であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、極性溶
媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有されて
いる。
基が炭素鎖を含むアルコール基（−Ｒ５−ＯＨ、Ｒ５＝
炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造）であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、極性溶
媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有されて
いる。
【００２９】 テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ
８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
【化１３】
において、官能基Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ又は２つの官能
基が炭素鎖を含むエーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６
とＲ７の炭素数の総和が５以下の構造）であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、極性溶
媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有されて
いる。
基が炭素鎖を含むエーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６
とＲ７の炭素数の総和が５以下の構造）であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、極性溶
媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有されて
いる。
【００３０】 テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ
８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式
【化１４】
において、官能基Ｒ１〜Ｒ４の全てがアルキル基となっ
ているテトラヒドロフランの誘導体であり、極性溶媒
は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有されてい
る。
ているテトラヒドロフランの誘導体であり、極性溶媒
は、これらのうち少なくとも１種類以上が含有されてい
る。
【００３１】 テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ
８Ｏ)の誘導体は、下記の４つの構造式
８Ｏ)の誘導体は、下記の４つの構造式
【化１５】
において、同一部位に２種類の官能基Ｒ１，Ｒ１′を有
しており、それらの官能基がアルキル基（炭素数１〜５
の直鎖又は分岐した構造）、アルコール基（−Ｒ ５−Ｏ
Ｈ、Ｒ５＝炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造）、エ
ーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６とＲ７の炭素数の総
和が５以下の構造）の何れかであるテトラヒドロフラン
の誘導体であり、極性溶媒は、これらのうち少なくとも
１種類以上が含有されている。
しており、それらの官能基がアルキル基（炭素数１〜５
の直鎖又は分岐した構造）、アルコール基（−Ｒ ５−Ｏ
Ｈ、Ｒ５＝炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造）、エ
ーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６とＲ７の炭素数の総
和が５以下の構造）の何れかであるテトラヒドロフラン
の誘導体であり、極性溶媒は、これらのうち少なくとも
１種類以上が含有されている。
【００３２】の何れかであることが好ましい。
【００３３】また、有機金属化合物としては、少なくと
も１種類以上の金属原子に、アセチルアセトナト、ジピ
バロイルメタナト、アルコキシド、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト、ペンタフルオロプロパノイルヒバロイ
ルメタナト、シクロペンタジエニルなどの配位子が１つ
以上配位結合してなるものであることが好ましい。
も１種類以上の金属原子に、アセチルアセトナト、ジピ
バロイルメタナト、アルコキシド、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト、ペンタフルオロプロパノイルヒバロイ
ルメタナト、シクロペンタジエニルなどの配位子が１つ
以上配位結合してなるものであることが好ましい。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、少なくとも１種類以上
の極性溶媒を含む溶媒中に、少なくとも１種類以上の有
機金属化合物を混合し、かつ、飽和状態以下で溶解して
作られたＣＶＤ用液体原料であって、極性溶媒が、テト
ラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体を少なく
とも１種類以上含み、かつ、テトラヒドロフラン(ＴＨ
Ｆ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)そのものを含まない溶媒によるものと
したので、従来のＴＨＦ溶媒では不具合の多かった材料
でも沈殿等の発生などの支障なく溶解することができ、
かつ配管中を目詰まりなく移送することができ、また、
気化器に残る残渣量を測定した結果、その量が全くなか
ったことから、気化効率も問題のない安定した溶液気化
方式のＣＶＤ用原料が得られるという効果が確認された
ものである。
の極性溶媒を含む溶媒中に、少なくとも１種類以上の有
機金属化合物を混合し、かつ、飽和状態以下で溶解して
作られたＣＶＤ用液体原料であって、極性溶媒が、テト
ラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)の誘導体を少なく
とも１種類以上含み、かつ、テトラヒドロフラン(ＴＨ
Ｆ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)そのものを含まない溶媒によるものと
したので、従来のＴＨＦ溶媒では不具合の多かった材料
でも沈殿等の発生などの支障なく溶解することができ、
かつ配管中を目詰まりなく移送することができ、また、
気化器に残る残渣量を測定した結果、その量が全くなか
ったことから、気化効率も問題のない安定した溶液気化
方式のＣＶＤ用原料が得られるという効果が確認された
ものである。
【図１】本発明の一実施の形態を示すＣＶＤ装置を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
１ 基板
２ チャンバ
９ ＣＶＤ用液体原料
１０ タンク
１３ 気化器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K030 AA11 BA01 BA07 BA42 BA47
EA01 FA10 JA10
5F045 AA04 BB08 EE02
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも１種類以上の極性溶媒を含む
溶媒中に、少なくとも１種類以上の有機金属化合物を混
合し、かつ、飽和状態以下で溶解して作られたＣＶＤ用
液体原料であって、 前記極性溶媒は、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ
８Ｏ)の誘導体を少なくとも１種類以上含み、かつ、テ
トラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４Ｈ８Ｏ)そのものを含ま
ない溶媒であることを特徴とするＣＶＤ用液体原料。 - 【請求項２】 前記テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４
Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式 【化１】 において、官能基Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ又は２つの官能
基がアルキル基（炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構
造）であり、残りが水素であるテトラヒドロフランの誘
導体であり、 前記極性溶媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が
含有されていることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ
用液体原料。 - 【請求項３】 前記テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４
Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式 【化２】 において、官能基Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ又は２つの官能
基が炭素鎖を含むアルコール基（−Ｒ５−ＯＨ、Ｒ５＝
炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造)であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、 前記極性溶媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が
含有されていることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ
用液体原料。 - 【請求項４】 前記テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４
Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式 【化３】 において、官能基Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ又は２つの官能
基が炭素鎖を含むエーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６
とＲ７の炭素数の総和が５以下の構造）であり、残りが
水素であるテトラヒドロフランの誘導体であり、 前記極性溶媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が
含有されていることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ
用液体原料。 - 【請求項５】 前記テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４
Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の構造式 【化４】 において、官能基Ｒ１〜Ｒ４の全てがアルキル基となっ
ているテトラヒドロフランの誘導体であり、 前記極性溶媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が
含有されていることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ
用液体原料。 - 【請求項６】 前記テトラヒドロフラン(ＴＨＦ，Ｃ４
Ｈ８Ｏ)の誘導体は、下記の４つの構造式 【化５】 において、同一部位に２種類の官能基Ｒ１，Ｒ１′を有
しており、それらの官能基がアルキル基（炭素数１〜５
の直鎖又は分岐した構造）、アルコール基（−Ｒ ５−Ｏ
Ｈ、Ｒ５＝炭素数１〜５の直鎖又は分岐した構造）、エ
ーテル基（−Ｒ６−Ｏ−Ｒ７、Ｒ６とＲ７の炭素数の総
和が５以下の構造）の何れかであるテトラヒドロフラン
の誘導体であり、 前記極性溶媒は、これらのうち少なくとも１種類以上が
含有されていることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ
用液体原料。 - 【請求項７】 前記有機金属化合物は、少なくとも１種
類以上の金属原子に、アセチルアセトナト、ジピバロイ
ルメタナト、アルコキシド、ヘキサフルオロアセチルア
セトナト、ペンタフルオロプロパノイルピバロイルメタ
ナト、シクロペンタジエニルなどの配位子が１つ以上配
位結合してなるものであることを特徴とする請求項１な
いし６の何れか一記載のＣＶＤ用液体原料。 - 【請求項８】 成膜対象となる基板がセットされるチャ
ンバと、 請求項１ないし７の何れか一記載のＣＶＤ用液体原料を
収納するタンクと、 少なくとも１種類以上の成分元素を前記チャンバ内に供
給するために前記タンク内に収納された前記ＣＶＤ用液
体原料を加熱部分に接触させて気化させ、搬送ガスとと
もに前記チャンバへ送り込む気化器と、を備えるＣＶＤ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002087985A JP4059383B2 (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Ｃｖｄ用液体原料及びｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002087985A JP4059383B2 (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Ｃｖｄ用液体原料及びｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003277931A true JP2003277931A (ja) | 2003-10-02 |
| JP4059383B2 JP4059383B2 (ja) | 2008-03-12 |
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ID=29233991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002087985A Expired - Fee Related JP4059383B2 (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Ｃｖｄ用液体原料及びｃｖｄ装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4059383B2 (ja) |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002087985A patent/JP4059383B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4059383B2 (ja) | 2008-03-12 |
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