JP2003277072A - Cycle purge method for flow controller - Google Patents

Cycle purge method for flow controller

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JP2003277072A
JP2003277072A JP2002083862A JP2002083862A JP2003277072A JP 2003277072 A JP2003277072 A JP 2003277072A JP 2002083862 A JP2002083862 A JP 2002083862A JP 2002083862 A JP2002083862 A JP 2002083862A JP 2003277072 A JP2003277072 A JP 2003277072A
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JP
Japan
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flow rate
gas
rate regulator
air valve
cycle
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Application number
JP2002083862A
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Japanese (ja)
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Takashi Kogo
隆司 向後
Shinji Ishikawa
真二 石川
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cycle purge method of a flow controller by which residual gas in the flow controller is surely removed in a short time. <P>SOLUTION: A by-pass pipe 15 connecting the upstream side of the flow controller 33 to the downstream side is provided. A stop valve AV3 is mounted in the mid-way of the by-pass pipe 15 and reduced gas and pressurized gas are supplied from both sides of the flow controller 33 by opening the stop valve AV3 in an evacuating process and a pressurizing process. In the purge process, the pressurized gas is passed through the flow controller 33 to purge by closing the stop valve AV3. The gas remaining inside the flow controller 33 is surely removed in a short time by carrying out each process repeatingly. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、流量調整器の内
部の残留ガスを除去する方法に係り、特に腐食性ガスを
除去することのできる流量調整器のサイクルパージ方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for removing a residual gas inside a flow rate controller, and more particularly to a cycle purge method for a flow rate controller capable of removing a corrosive gas.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、例えば図3に示すような、ガ
ラスパイプ30の内側に石英微粒子31を積層し、透明
ガラス化させる装置32では、ガラスパイプ30に、流
量調整器(以後「MFC;Mass Flow Controller」と
いう)33を介して液体のSiCl 4が収容されているタン
ク35等が接続されている。タンク35のまわりには、
ヒータ34が備え付けられている。このようなMFC3
3を故障等で交換する際に、その内部にSiCl4ガスが残
留していると、内部が腐蝕して、その周囲の配管と共に
使用できなくなることがある。そこで、MFC33内部
の残留ガスを除去するために、図4に示すような装置が
用いられている。すなわち、残留ガスを除去したいMF
C33は、一方に第1のエアバルブAV1を介して例え
ばN2等の不活性ガス、かつ、非腐蝕性の加圧ガスを圧入
する加圧ガス供給源36に接続されている。また、他方
には第2のエアバルブAV2を介して圧力計37および
真空ポンプ38が接続されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, as shown in FIG.
Quartz particles 31 are laminated inside the lath pipe 30 to make it transparent.
In the vitrification device 32, the glass pipe 30 flows
Volume regulator (hereinafter referred to as "MFC; Mass Flow Controller")
Liquid SiCl through 33) FourTan is housed in
35 and the like are connected. Around the tank 35,
A heater 34 is provided. Such MFC3
When replacing 3 due to malfunction, etc.,FourGas remains
If it stays, the inside will be corroded and the pipes around it will corrode.
It may become unusable. Therefore, inside the MFC33
In order to remove the residual gas in the
It is used. That is, the MF whose residual gas is desired to be removed
C33 is, for example, one side through the first air valve AV1
If N2Inert gas such as, and non-corrosive pressurized gas
Connected to the pressurized gas supply source 36. On the other hand
Via the second air valve AV2 to the pressure gauge 37 and
A vacuum pump 38 is connected.

【0003】図5には、MFC33内部の残留ガスを除
去する際の各バルブAV1、AV2の開閉状態が示され
ている。すなわち、1サイクルを30秒の真空引き工程
(減圧工程)→20秒の加圧工程→10秒のパージ工程
から成る1分の工程とすると、真空引き工程では第1の
エアバルブAV1を閉じて第2のエアバルブAV2を開
け、真空ポンプ38によりMFC33内部の真空引きを
行う。また、加圧工程では第1のエアバルブAV1を開
けて第2のエアバルブAV2を閉じ、加圧ガス供給源3
6から加圧ガスを圧入する。さらに、パージ工程では第
1のエアバルブAV1および第2のエアバルブAV2を
開け、加圧ガス供給源36から加圧ガスを圧入してMF
C33内部に通してパージする。MFC33の容量がお
およそ5SLM以上の場合には、上述した工程をおよそ1
80サイクル(3時間)繰り返し実行することで、MF
C33内部のガスが完全に除去することができる。
FIG. 5 shows the open / closed state of the valves AV1 and AV2 when removing the residual gas inside the MFC 33. That is, assuming that one cycle is a 1-minute process consisting of a vacuuming process (pressure reducing process) for 30 seconds, a pressurizing process for 20 seconds, and a purging process for 10 seconds, the first air valve AV1 is closed in the vacuuming process. The second air valve AV2 is opened, and the vacuum pump 38 evacuates the inside of the MFC 33. In the pressurizing step, the first air valve AV1 is opened and the second air valve AV2 is closed, so that the pressurized gas supply source 3
Pressurized gas is injected from 6. Further, in the purging step, the first air valve AV1 and the second air valve AV2 are opened, and the pressurized gas is injected from the pressurized gas supply source 36 to cause the MF.
Purge through C33. When the capacity of MFC33 is about 5 SLM or more, the above-mentioned steps should be performed in about 1
By repeating 80 cycles (3 hours), MF
The gas inside C33 can be completely removed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、MFC33の
容量が1SLM以下、特に100SCCM以下である場合に
は、MFC33内の流路が狭いため、30秒の真空引き
工程および20秒の加圧工程では、所望の圧力に達する
前に次の工程へ移行してしまい、十分にガスを除去する
ことが難しい。従って、この場合、MFC内部の残留ガ
スを除去するには、各工程の時間を延ばす等の条件更新
が必要となり、最低でも24時間を要する。さらにMF
C33の容量が10SCCMの場合には48時間程度要す
る。
However, when the capacity of the MFC 33 is 1 SLM or less, especially 100 SCCM or less, since the flow path in the MFC 33 is narrow, the vacuuming step for 30 seconds and the pressurizing step for 20 seconds are not possible. However, the process proceeds to the next step before the desired pressure is reached, and it is difficult to sufficiently remove the gas. Therefore, in this case, in order to remove the residual gas inside the MFC, it is necessary to update the conditions such as extending the time of each step, and at least 24 hours are required. Further MF
It takes about 48 hours when the capacity of C33 is 10 SCCM.

【0005】本発明の目的は、短時間で流量調整器内部
の残留ガスを確実に除去することのできる流量調整器の
サイクルパージ方法を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a cycle purge method for a flow rate regulator that can reliably remove residual gas inside the flow rate regulator in a short time.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明に係る流量調整器のサイクルパージ方法
は、請求項1に記載したように、流量調整器を含む配管
内に残存するガスを除去するサイクルパージ方法におい
て、前記流量調整器の上流側と下流側とを結ぶバイパス
配管を設け、前記バイパス配管の途中位置に開閉弁を設
置し、前記開閉弁の開閉を制御することで前記流量調整
器内の残留ガスを除去することを特徴としている。
In order to achieve the above-mentioned object, the method of cycle purging of a flow rate regulator according to the present invention remains in a pipe including the flow rate regulator as described in claim 1. In the cycle purge method for removing gas, a bypass pipe connecting the upstream side and the downstream side of the flow rate regulator is provided, and an opening / closing valve is installed at an intermediate position of the bypass pipe to control opening / closing of the opening / closing valve. The residual gas in the flow rate controller is removed.

【0007】このように構成された流量調整器のサイク
ルパージ方法においては、バイパス管に設けられた開閉
弁を開けて、流量調整器の両側から残留ガスを吸引し、
加圧ガスを供給するので、残留ガスが速やかに吸引さ
れ、流量調整器内部の隅々まで加圧ガスが行き届く。ま
た、前記開閉弁を閉じて加圧ガスを流量調整器の内部に
通してパージする。これにより、短時間で確実に流量調
整器の内部ガスを除去することができる。
In the cycle purge method of the flow rate controller thus configured, the on-off valve provided in the bypass pipe is opened to suck the residual gas from both sides of the flow rate controller,
Since the pressurized gas is supplied, the residual gas is quickly sucked, and the pressurized gas reaches every corner inside the flow rate regulator. Further, the on-off valve is closed and the pressurized gas is passed through the inside of the flow rate regulator to be purged. Thereby, the internal gas of the flow rate regulator can be reliably removed in a short time.

【0008】また、本発明に係る流量調整器のサイクル
パージ方法は、請求項2に記載したように、請求項1に
記載した流量調整器のサイクルパージ方法において、減
圧工程(真空引き工程)では前記流量調整器を含む配管
内を減圧(真空引き)し、加圧工程では前記流量調整器
を含む配管内に加圧ガスを圧入し、パージ工程では前記
流量調整器を含む配管内をパージし、これらの減圧工程
と加圧工程とパージ工程のサイクルを繰り返すようにし
てもよい。
Further, as described in claim 2, the cycle purge method of the flow rate regulator according to the present invention is the cycle purge method of the flow rate regulator according to claim 1, wherein the depressurizing step (vacuum drawing step) is performed. The inside of the pipe including the flow rate regulator is decompressed (vacuum is evacuated), the pressurized gas is injected into the pipe including the flow rate regulator in the pressurizing step, and the inside of the pipe including the flow rate regulator is purged in the purging step. The cycle of the depressurizing step, the pressurizing step, and the purging step may be repeated.

【0009】また、本発明に係る流量調整器のサイクル
パージ方法は、請求項3に記載したように、請求項1ま
たは2に記載した流量調整器のサイクルパージ方法にお
いて、前記流量調整器の容量が、100SCCM以下の場
合、特に効果が大きい。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a cycle purging method for a flow rate adjusting device according to the first aspect or the second aspect, wherein the capacity of the flow rate adjusting device is equal to the capacity of the flow rate adjusting device. However, when it is 100 SCCM or less, the effect is particularly large.

【0010】また、本発明に係る流量調整器のサイクル
パージ方法は、請求項4に記載したように、請求項2に
記載した流量調整器のサイクルパージ方法において、前
記加圧ガスとしてヘリウムガスを使用することによっ
て、更に、大きな効果が得られる。
According to the cycle purge method of the flow rate regulator of the present invention, as described in claim 4, in the cycle purge method of the flow rate regulator according to claim 2, helium gas is used as the pressurized gas. By using it, a great effect can be obtained.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る流量調整器の
サイクルパージ方法の実施形態を図面に基づいて詳細に
説明する。なお、以下に説明する実施の形態において、
既に図3ないし図5において説明した部材等について
は、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより
説明を簡略化あるいは省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a cycle purge method for a flow rate regulator according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the embodiments described below,
The members and the like already described in FIGS. 3 to 5 are denoted by the same or corresponding reference numerals in the drawings to simplify or omit the description.

【0012】図1には、ガラスパイプ30の内側に石英
微粒子31を積層させると共に、MFC33の内部に残
留している例えばSiCl4等の塩素系ガスを除去すること
のできる装置10の構成が示されている。すなわち、N2
やHe等の加圧ガスを供給する加圧ガス供給部11は、第
1のエアバルブAV1を介してフィルター12に接続さ
れている。一方、SiCl4ガスを供給する原料ガス供給部
13は、第2のエアバルブAV2を介してフィルター1
2に接続されている。フィルター12はMFC33の上
流側配管14Uに接続されている。MFC33の上流側
配管14Uおよび下流側配管14Lを接続するバイパス
配管15がMFC33と並列に設けられている。このバ
イパス配管15には、開閉弁としての第3のエアバルブ
AV3が設けられている。さらに、MFC33は、第4
のエアバルブAV4を介してガラスパイプ30に接続さ
れ、さらに第6のエアバルブAV6を介して真空ポンプ
38に接続されている。尚、ガラスパイプ30には、M
FC39で流量制御された酸素が第5のエアバルブAV
5、逆止弁16を通じて原料ガスとともに供給されるよ
うになっている。
FIG. 1 shows the construction of an apparatus 10 capable of laminating quartz fine particles 31 inside a glass pipe 30 and removing chlorine-based gas such as SiCl 4 remaining inside the MFC 33. Has been done. That is, N 2
A pressurized gas supply unit 11 that supplies a pressurized gas such as He or He is connected to the filter 12 via a first air valve AV1. On the other hand, the raw material gas supply unit 13 that supplies the SiCl 4 gas has the filter 1 through the second air valve AV2.
Connected to 2. The filter 12 is connected to the upstream pipe 14U of the MFC 33. A bypass pipe 15 that connects the upstream pipe 14U and the downstream pipe 14L of the MFC 33 is provided in parallel with the MFC 33. The bypass pipe 15 is provided with a third air valve AV3 as an opening / closing valve. In addition, MFC33 is the fourth
Is connected to the glass pipe 30 via the air valve AV4, and is further connected to the vacuum pump 38 via the sixth air valve AV6. The glass pipe 30 has an M
Oxygen whose flow rate is controlled by FC39 is the fifth air valve AV
5, it is supplied with the source gas through the check valve 16.

【0013】次に、図2を参照して、ガラス微粒子のガ
ラスパイプ内への積層(ガラス生成)および上述した残
留ガスを除去する装置10によるサイクルパージの各工
程におけるエアバルブの開閉状態を説明する。まず、ガ
ラスの生成工程では、第1のエアバルブAV1を閉じ、
第2のエアバルブAV2を開け、第3のエアバルブAV
3を閉じ、第4のエアバルブAV4を開けてSiCl4ガス
を、MFC33を通して流量を調整しながらガラスパイ
プ30に供給する。この時、第5のエアバルブAV5を
開け、MFC39で流量調整された酸素を同時に流す。
なお、第6のエアバルブAV6は閉じられている。SiCl
4ガスは、バーナ40の熱で酸化反応を起こしてガラス
微粒子31となり、該ガラス微粒子31がガラスパイプ
30の内壁に積層して層をなす。
Next, referring to FIG.
Lamination in the lath pipe (glass formation) and the above-mentioned residue
Each cycle purge process by the device 10 for removing the residual gas
The open / closed state of the air valve will be described. First, moth
In the lath generation process, the first air valve AV1 is closed,
Open the second air valve AV2 to open the third air valve AV
3 closed, the fourth air valve AV4 opened and SiClFourgas
The glass pie while adjusting the flow rate through MFC33.
Supply to the 30. At this time, the fifth air valve AV5
Open it, and let the oxygen whose flow rate is adjusted by the MFC 39 flow at the same time.
The sixth air valve AV6 is closed. SiCl
FourThe gas causes an oxidation reaction due to the heat of the burner 40 to generate glass.
The fine particles 31 become the glass fine particles 31, and the glass fine particles 31 are glass pipes.
Layers are laminated on the inner wall of 30.

【0014】一方、サイクルパージにおいては、減圧工
程では、第1のエアバルブAV1を閉じ、第2のエアバ
ルブAV2も閉じて、ガスの供給を停止する。そして、
第3のエアバルブAV3を開けて、MFC33の上流側
および下流側からMFC33の減圧を行う。このとき、
第4のエアバルブAV4を閉じ、第6のエアバルブAV
6を開けて真空ポンプ38に接続する。これにより、M
FC33および上流側配管14U、下流側配管14L内
の減圧を行う。第5のエアバルブAV5は閉じている方
が望ましが、第4のエアバルブAV4が閉じた状態とな
っているため第5のエアバルブAV5は開いていてもよ
い。
On the other hand, in the cycle purge, in the depressurizing step, the first air valve AV1 is closed and the second air valve AV2 is also closed to stop the gas supply. And
The third air valve AV3 is opened to reduce the pressure of the MFC 33 from the upstream side and the downstream side of the MFC 33. At this time,
The fourth air valve AV4 is closed, and the sixth air valve AV
Open 6 and connect to vacuum pump 38. This makes M
The FC 33, the upstream pipe 14U, and the downstream pipe 14L are depressurized. Although it is desirable that the fifth air valve AV5 be closed, the fifth air valve AV5 may be open because the fourth air valve AV4 is in a closed state.

【0015】また、加圧工程では、第1のエアバルブA
V1を開け、第2のエアバルブAV2を閉じて、N2
スやHeガスを供給する。そして、第3のエアバルブA
V3を開け、第4のエアバルブAV4、第6のエアバル
ブAV6を閉じることにより、MFC33の内部の隅々
まで、上流側および下流側からN2やHeを圧入する。
In the pressurizing step, the first air valve A
V1 is opened, the second air valve AV2 is closed, and N 2 gas or He gas is supplied. And the third air valve A
By opening V3 and closing the fourth air valve AV4 and the sixth air valve AV6, N 2 and He are press-fitted into all the inside of the MFC 33 from the upstream side and the downstream side.

【0016】また、パージ工程では、第1のエアバルブ
AV1を開け、第2のエアバルブAV2を閉じて、N2
ガスやHeガスを供給する。そして、第3のエアバルブ
AV3、第4のエアバルブAV4を閉じ、第6のエアバ
ルブAV6を開けることにより、圧入されたN2やHe
はMFC33の内部を通ってパージした後に、真空ポン
プ38を通ってスクラバーへ排気される。
Further, in the purging step, the first air valve AV1 is opened, the second air valve AV2 is closed, and N 2
Gas or He gas is supplied. Then, the third air valve AV3 and the fourth air valve AV4 are closed, and the sixth air valve AV6 is opened, so that the press-fitted N 2 and He are injected.
Is purged through the interior of MFC 33 and then exhausted through a vacuum pump 38 to a scrubber.

【0017】従って、前述した流量調整器のサイクルパ
ージ方法によれば、第3のエアバルブAV3を開けるこ
とによりMFC33の上流側および下流側の両側から加
圧工程ではガスを供給し、減圧工程ではガスを吸引し、
パージ工程の際には第3のエアバルブAV3を閉じるこ
とによりガスをMFC33の内部に通すので、各工程を
繰り返し実施することにより、MFC33内部の通路が
狭い場合でも、短時間で確実にMFC33内部の残留ガ
スを除去することができる。特に、Heを加圧ガスとし
て用いた場合には、分子量が小さいのでMFC33の隅
々まで達して、残留ガスを短時間で確実に除去すること
ができる。
Therefore, according to the above-described cycle purge method for the flow rate controller, by opening the third air valve AV3, gas is supplied from both upstream and downstream sides of the MFC 33 in the pressurizing step and gas is supplied in the depressurizing step. Aspirate
During the purging step, the gas is passed through the inside of the MFC 33 by closing the third air valve AV3. Therefore, by repeating each step, even if the passage inside the MFC 33 is narrow, the inside of the MFC 33 can be surely kept in a short time. Residual gas can be removed. In particular, when He is used as the pressurized gas, since the molecular weight is small, it reaches every corner of the MFC 33, and the residual gas can be reliably removed in a short time.

【0018】[0018]

【実施例】図1、2に示すサイクルパージ方法を用い
て、容量の異なるMFC使用し、MFC内部に残留して
いる残留ガスの除去時間を測定してみた。 (実施例1)MFCの容量が5SML、加圧ガスとして
窒素(N2)を用いて、図1、2に示す方法でサイクル
パージを行った。その結果、MFC内のSiCl4の除
去時間は1時間(60サイクル)であった。 (実施例2)MFCの容量が100SCCM、加圧ガス
として窒素(N2)を用いて、図1、2に示す方法でサ
イクルパージを行った。その結果、MFC内のSiCl
4の除去時間は5時間(300サイクル)であった。 (実施例3)MFCの容量が10SCCM、加圧ガスと
して窒素(N2)を用いて、図1、2に示す方法でサイ
クルパージを行った。その結果、MFC内のSiCl4
の除去時間は8時間(480サイクル)であった。ま
た、加圧ガスとしてヘリウム(He)を使用した場合に
は、MFC内のSiCl4の除去時間は6時間(360
サイクル)であった。 (実施例4)MFCの容量が10SCCM、加圧ガスと
してヘリウム(He)を用いて、図1、2に示す方法で
サイクルパージを行った。その結果、MFC内のF2
スの除去時間は4時間(240サイクル)であった。
EXAMPLES Using the cycle purge method shown in FIGS. 1 and 2, MFCs having different capacities were used, and the removal time of the residual gas remaining inside the MFCs was measured. (Example 1) A cycle purge was performed by a method shown in FIGS. 1 and 2 using MFC having a capacity of 5 SML and nitrogen (N 2 ) as a pressurized gas. As a result, the removal time of SiCl 4 in the MFC was 1 hour (60 cycles). (Example 2) Using an MFC of 100 SCCM and nitrogen (N 2 ) as a pressurized gas, cycle purging was performed by the method shown in FIGS. As a result, SiCl in MFC
The removal time for 4 was 5 hours (300 cycles). (Example 3) A cycle purge was performed by the method shown in FIGS. 1 and 2 using MFC with a capacity of 10 SCCM and nitrogen (N 2 ) as a pressurized gas. As a result, SiCl 4 in MFC
Removal time was 8 hours (480 cycles). Further, when helium (He) is used as the pressurized gas, the removal time of SiCl 4 in the MFC is 6 hours (360
Cycle). (Example 4) Cycle purge was performed by the method shown in FIGS. 1 and 2 using MFC with a capacity of 10 SCCM and helium (He) as a pressurized gas. As a result, the removal time of the F 2 gas in the MFC was 4 hours (240 cycles).

【0019】なお、本発明に係る流量調整器のサイクル
パージ方法は、前述した実施形態に限定されるものでな
く、適宜な変形、改良等が可能である。例えば、MFC
33の容量は特に限定するものではないが、100SCCM
以下のような小さなものに適用することができる。ま
た、SiCl4ガスを供給する装置を例として説明した
が、他のガスをMFCに供給する装置であっても、当該
MFC内部に残留したガスを除去する場合にも、本発明
は適用可能である。除去する残留ガスとしては種々のも
のが考えられるが、前述した塩素系ガス以外にもフッ素
系ガス、臭素系ガス、その他の腐蝕性ガス、毒性ガスを
対象とすることができる。
The cycle purging method for the flow rate regulator according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be appropriately modified and improved. For example, MFC
The capacity of 33 is not particularly limited, but 100 SCCM
It can be applied to the following small items. Further, although the apparatus for supplying the SiCl 4 gas has been described as an example, the present invention can be applied to the case of removing the gas remaining inside the MFC even if the apparatus supplies another gas to the MFC. is there. Various types of residual gas can be considered as the residual gas to be removed, but fluorine-based gas, bromine-based gas, other corrosive gas, and toxic gas can be used in addition to the chlorine-based gas described above.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係る流
量調整器のサイクルパージ方法によれば、短時間で確実
に流量調整器の内部ガスを除去することができる。
As described above, according to the cycle purge method of the flow rate regulator according to the present invention, the internal gas of the flow rate regulator can be reliably removed in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る流量調整器のサイクルパージ方法
を実施するための配管を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a pipe for carrying out a cycle purge method for a flow rate regulator according to the present invention.

【図2】図1において本発明に係る流量調整器のサイク
ルパージ方法を実施する際の各エアバルブの開閉状態を
示す表である。
FIG. 2 is a table showing the open / closed state of each air valve when performing the cycle purge method of the flow rate regulator according to the present invention in FIG.

【図3】従来の一般的な流量調整器の使用例を示す構成
図である。
FIG. 3 is a configuration diagram showing a usage example of a conventional general flow rate regulator.

【図4】従来における流量調整器のサイクルパージ方法
を実施するための配管を示す構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram showing piping for carrying out a conventional cycle purge method for a flow rate controller.

【図5】図4における流量調整器のサイクルパージ方法
を実施する際の各エアバルブの開閉状態を示す表であ
る。
5 is a table showing the open / closed state of each air valve when carrying out the cycle purge method of the flow rate regulator in FIG. 4. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 フィルター 14U 上流側配管(配管) 14L 下流側配管(配管) 15 バイパス配管 16 逆止弁 33 MFC(流量調整器) 40 バーナー AV3 第3のエアバルブ(開閉弁) 12 filters 14U upstream pipe (pipe) 14L Downstream piping (piping) 15 Bypass piping 16 Check valve 33 MFC (flow regulator) 40 burners AV3 Third air valve (open / close valve)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G014 AH12 4G021 EA02 EB06 5H307 AA20 BB01 CC13 DD15 DD17 DD20 EE02 FF06 GG15 HH04   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 4G014 AH12                 4G021 EA02 EB06                 5H307 AA20 BB01 CC13 DD15 DD17                       DD20 EE02 FF06 GG15 HH04

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 流量調整器を含む配管内に残存するガス
を除去するサイクルパージ方法において、 前記流量調整器の上流側と下流側とを結ぶバイパス配管
を設け、前記バイパス配管の途中位置に開閉弁を設置
し、前記開閉弁の開閉を制御することで前記流量調整器
内の残留ガスを除去することを特徴とする流量調整器の
サイクルパージ方法。
1. A cycle purge method for removing gas remaining in a pipe including a flow rate regulator, wherein a bypass pipe connecting an upstream side and a downstream side of the flow rate regulator is provided, and opening and closing is performed at an intermediate position of the bypass pipe. A cycle purge method for a flow rate regulator, characterized in that a residual gas in the flow rate regulator is removed by installing a valve and controlling opening / closing of the on-off valve.
【請求項2】 減圧工程では前記流量調整器を含む配管
内を減圧し、加圧工程では前記流量調整器を含む配管内
に加圧ガスを圧入し、パージ工程では前記流量調整器を
含む配管内をパージし、これらの減圧工程と加圧工程と
パージ工程のサイクルを繰り返すことを特徴とする請求
項1に記載した流量調整器のサイクルパージ方法。
2. The depressurizing step depressurizes the pipe including the flow rate regulator, the pressurizing step pressurizes a pressurized gas into the pipe including the flow rate regulator, and the purging step includes the pipe including the flow rate regulator. 2. The cycle purging method for a flow rate controller according to claim 1, wherein the inside of the flow rate regulator is purged and the cycle of the pressure reducing step, the pressurizing step and the purging step is repeated.
【請求項3】 前記流量調整器の容量が、100SCCM以
下であることを特徴とする請求項1または2に記載した
流量調整器のサイクルパージ方法。
3. The method according to claim 1, wherein the flow regulator has a capacity of 100 SCCM or less.
【請求項4】 前記加圧ガスとしてヘリウムガスを使用
することを特徴とする請求項2に記載した流量調整器の
サイクルパージ方法。
4. The cycle purging method for a flow rate regulator according to claim 2, wherein helium gas is used as the pressurized gas.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014131946A (en) * 2013-01-04 2014-07-17 Sumitomo Electric Ind Ltd Fluid supply apparatus for synthesizing glass
JP2014520747A (en) * 2011-07-06 2014-08-25 コーニング インコーポレイテッド Method and apparatus for mixing vaporized precursors and gases to produce silica glass
JP2018039679A (en) * 2016-09-05 2018-03-15 住友電気工業株式会社 Fluid supply apparatus for glass synthesis
JP2021008391A (en) * 2019-07-03 2021-01-28 住友電気工業株式会社 Glass raw material feeding device and filter replacement method for glass raw material feeding device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014520747A (en) * 2011-07-06 2014-08-25 コーニング インコーポレイテッド Method and apparatus for mixing vaporized precursors and gases to produce silica glass
JP2014131946A (en) * 2013-01-04 2014-07-17 Sumitomo Electric Ind Ltd Fluid supply apparatus for synthesizing glass
JP2018039679A (en) * 2016-09-05 2018-03-15 住友電気工業株式会社 Fluid supply apparatus for glass synthesis
JP2021008391A (en) * 2019-07-03 2021-01-28 住友電気工業株式会社 Glass raw material feeding device and filter replacement method for glass raw material feeding device
JP7310373B2 (en) 2019-07-03 2023-07-19 住友電気工業株式会社 Frit feeder and filter replacement method for frit feeder

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