JP2009094424A - Method of manufacturing semiconductor device and substrate treating apparatus - Google Patents

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JP2009094424A JP2007266158A JP2007266158A JP2009094424A JP 2009094424 A JP2009094424 A JP 2009094424A JP 2007266158 A JP2007266158 A JP 2007266158A JP 2007266158 A JP2007266158 A JP 2007266158A JP 2009094424 A JP2009094424 A JP 2009094424A
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義朗 ▲ひろせ▼
Yoshiro Hirose
Hiromasa Takazawa
裕真 高澤
Shinya Sasaki
伸也 佐々木
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can shorten down time and is high in safety, and to provide a substrate treating apparatus. <P>SOLUTION: The of manufacturing method the semiconductor device includes: a step of carrying a substrate into a treatment chamber; a step of supplying an amine-based liquid raw material from a liquid raw material supply source through a liquid raw material supply line to a vaporizer, vaporizing the amine-based liquid raw material by the vaporizer, supplying a vaporized amine-based raw material gas through a raw material gas supply line into the treatment chamber and forming a film on the substrate; a step of carrying the substrate after film formation away from the treatment chamber; and a step of cleaning the inside of the liquid raw material supply line with a solvent of a vapor pressure higher than that of the amine-based liquid raw material. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、液体原料を気化させた原料ガスを用いて基板を処理する半導体装置の製造方法、及び基板処理装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device for processing a substrate using a source gas obtained by vaporizing a liquid source, and a substrate processing apparatus.

近年、半導体デバイスの製造工程においては、例えば、キャパシタの絶縁性誘電体膜（Ｌｏｗ−Ｋ膜やＨｉｇｈ−Ｋ膜）を成膜する際の原料として、新規液体原料の採用が進んでいる。液体原料を気化させた原料ガスを用いて基板を処理する基板処理装置は、液体原料を蓄えた液体原料タンクや反応室等を備えている。そして、該液体原料タンクから供給された液体原料が、例えば、ベーキング方式や、バブリング方式や、気化器方式などの気化方法を用いて気化されて、反応室内に供給されるように構成されている。   In recent years, in the manufacturing process of semiconductor devices, for example, a new liquid raw material has been increasingly used as a raw material for forming an insulating dielectric film (Low-K film or High-K film) of a capacitor. A substrate processing apparatus that processes a substrate using a source gas obtained by vaporizing a liquid source includes a liquid source tank that stores the liquid source, a reaction chamber, and the like. The liquid raw material supplied from the liquid raw material tank is vaporized using, for example, a vaporization method such as a baking method, a bubbling method, or a vaporizer method, and supplied into the reaction chamber. .

なお、ベーキング方式、バブリング方式、及び気化器方式のうちいずれの気化方法を用いたとしても、成膜処理の進行に伴って、液体原料タンク内の液体原料は消費されて減少する。そのため、消費された液体原料を補充することが必要となる。ここで、液体原料の補充方法としては、液体原料が消費された液体原料タンクを液体原料の満たされた別の液体原料タンクへ交換（直接交換）する方法と、原料補充用タンクを別途用意して該原料補充用タンクから液体原料タンクへと液体原料を圧送して補充する方法とがある。上記のいずれの補充方法においても、タンク（液体原料タンク又は原料補充用タンク）の交換が必要になるが、この際、液体原料タンクと反応室とを接続する配管内や、配管に設けられたバルブ内等が大気に曝される。   Note that, regardless of which of the baking method, the bubbling method, and the vaporizer method is used, the liquid material in the liquid material tank is consumed and reduced as the film forming process proceeds. Therefore, it is necessary to replenish the consumed liquid raw material. Here, as a liquid material replenishment method, a liquid material tank in which the liquid material has been consumed is replaced (directly replaced) with another liquid material tank filled with the liquid material, and a material replenishment tank is prepared separately. There is a method of pumping and replenishing liquid raw material from the raw material replenishing tank to the liquid raw material tank. In any of the above replenishment methods, it is necessary to replace the tank (liquid raw material tank or raw material replenishment tank). At this time, it is provided in the pipe connecting the liquid raw material tank and the reaction chamber or in the pipe. The inside of the valve is exposed to the atmosphere.

ここで、液体原料は、有毒性、有害性、危険性を有するものが多く、大気への漏洩を防止する必要がある。また、液体原料は、大気と接触することで加水分解する物質もあるため、大気との接触を避ける必要がある。そのため、上述のタンク交換を行う際には、大気に曝される配管内やバルブ内に残留している液体原料を事前に除去する必要がある。しかしながら、多くの液体原料は蒸気圧が低いために気化させ難い。そして、液体原料を液状のまま配管内やバルブ内から除去させようとしても、長時間の真空引きやパージが必要となり、基板処理装置のダウンタイムが長期化してしまう。また、真空引きやパージだけでは除去できない液体原料もある。   Here, many liquid raw materials are toxic, harmful and dangerous, and it is necessary to prevent leakage to the atmosphere. In addition, since liquid raw materials include some substances that hydrolyze upon contact with the atmosphere, it is necessary to avoid contact with the atmosphere. Therefore, when performing the tank replacement described above, it is necessary to remove in advance the liquid raw material remaining in the pipe or valve exposed to the atmosphere. However, many liquid materials are difficult to vaporize due to their low vapor pressure. Even if the liquid raw material is removed from the pipe or the valve in a liquid state, a long vacuuming or purging is required, and the downtime of the substrate processing apparatus is prolonged. Some liquid raw materials cannot be removed by evacuation or purging alone.

そのため、原料と反応せず、有毒性、有害性、危険性等がより低い溶媒を用いて配管内等の洗浄を行う場合があった（例えば、特許文献１参照）。なお、このような洗浄作業は、タンクの交換だけではなく、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）や気化器、バルブ、配管の交換に際しても必要であった。
特開平０９−１２６５０３号公報 For this reason, there is a case where the inside of the pipe is cleaned using a solvent that does not react with the raw material and has lower toxicity, harmfulness, danger, and the like (for example, see Patent Document 1). Such a cleaning operation was required not only for tank replacement but also for replacement of a mass flow controller (MFC), a vaporizer, a valve, and piping.
JP 09-126503 A

しかしながら、溶媒を用いて洗浄を行う場合には、洗浄用の溶媒自身を配管内等から除去する作業がさらに必要となり、基板処理装置のダウンタイムの短縮が困難となる。   However, when cleaning is performed using a solvent, it is necessary to further remove the cleaning solvent itself from the inside of the pipe, and it is difficult to reduce the downtime of the substrate processing apparatus.

また、洗浄用の溶媒が大気に漏洩する可能性も排除できず、基板処理装置の取り扱いに関して安全性に問題があった。   Further, the possibility that the solvent for cleaning leaks to the atmosphere cannot be excluded, and there is a problem in safety regarding the handling of the substrate processing apparatus.

そこで本発明は、溶媒を用いて配管内等の洗浄を行う場合において、ダウンタイムを短縮することが可能であり、安全性の高い半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供
することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus that can reduce downtime when cleaning the inside of a pipe or the like using a solvent, and that is highly safe. And

本発明の一態様によれば、基板を処理室内に搬入する工程と、液体原料供給源より液体原料供給ライン（液体原料供給配管）を介してアミン系液体原料を気化器に供給し、該気化器により前記アミン系液体原料を気化し、該気化されたアミン系原料ガスを、原料ガス供給ラインを介して前記処理室内に供給して、前記基板上に膜を成膜する工程と、前記成膜後の前記基板を前記処理室内より搬出する工程と、前記液体原料供給ライン内を前記アミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒で洗浄する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, an amine-based liquid source is supplied from a liquid source supply source to a vaporizer through a liquid source supply line (liquid source supply piping) from the step of carrying the substrate into the processing chamber. Vaporizing the amine-based liquid source with a vessel, supplying the vaporized amine-based source gas into the processing chamber via a source gas supply line, and forming a film on the substrate; There is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of unloading the substrate after film formation from the processing chamber; and a step of cleaning the liquid source supply line with a solvent having a higher vapor pressure than the amine-based liquid source. The

本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、液体原料供給源より供給されたアミン系液体原料を気化する気化器と、前記液体原料供給源から前記気化器に前記アミン系液体原料を供給する液体原料供給ラインと、前記気化器より気化された前記基板上に膜を成膜するために必要なアミン系原料ガスを前記処理室内に供給する原料ガス供給ラインと、前記液体原料供給ライン内に残留したアミン系液体原料を除去するための溶媒を供給する溶媒供給ラインと、前記アミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒を、前記溶媒供給ラインを介して前記液体原料供給ライン内に供給し、該液体原料供給ライン内に残留した前記アミン系液体原料を除去するように制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a processing chamber for processing a substrate, a vaporizer for vaporizing an amine-based liquid source supplied from a liquid source supply source, and the amine system from the liquid source supply source to the vaporizer A liquid source supply line for supplying a liquid source, a source gas supply line for supplying an amine-based source gas necessary for forming a film on the substrate vaporized by the vaporizer into the processing chamber, and the liquid A solvent supply line for supplying a solvent for removing the amine-based liquid raw material remaining in the raw material supply line, and a solvent having a vapor pressure higher than that of the amine-based liquid raw material are supplied to the liquid raw material via the solvent supply line. There is provided a substrate processing apparatus having a controller for supplying the liquid into the line and controlling the amine-based liquid raw material remaining in the liquid raw material supply line to be removed.

本発明によれば、溶媒を用いて配管内等の洗浄を行う場合において、液体原料の除去効率を向上し、ダウンタイムを短縮することが可能であり、安全性の高い半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供することが出来る。   According to the present invention, when cleaning the inside of a pipe or the like using a solvent, it is possible to improve the removal efficiency of the liquid raw material, reduce the downtime, and a highly safe semiconductor device manufacturing method, In addition, a substrate processing apparatus can be provided.

上述したとおり、タンク等の交換に際しては配管内等から液体原料を事前に除去する必要があるが、真空引きやパージだけでは配管内等から除去できない液体原料もあるため、溶媒を用いて配管内等を洗浄する場合があった。   As described above, when replacing a tank or the like, it is necessary to remove the liquid raw material from the pipe in advance, but there are some liquid raw materials that cannot be removed from the pipe etc. by vacuuming or purging alone. In some cases, etc. were washed.

従来、洗浄用の溶媒を選択する際には、液体原料に対する溶解性が重視されていた。例えば、液体原料としてアミン系液体原料を用いる場合には、アミンの孤立電子対に注目して、アミン系液体原料を溶解し易い溶媒が採用されていた。具体的には、ＨｆＯ膜を成膜する際には、蒸気圧は比較的低いものの、極性を有するシクロメチルヘキサンを洗浄用の溶媒として採用していた。   Conventionally, when selecting a solvent for cleaning, emphasis has been placed on solubility in liquid raw materials. For example, when an amine-based liquid material is used as the liquid material, a solvent that easily dissolves the amine-based liquid material has been employed, focusing on the lone pair of amine. Specifically, when the HfO film is formed, cyclomethylhexane having a polarity, although the vapor pressure is relatively low, has been adopted as a cleaning solvent.

しかしながら、溶媒を用いて配管内等の洗浄を行う場合には、洗浄用の溶媒自身を配管内等から除去する作業がさらに必要となる。そのため、基板処理装置のダウンタイムの短縮が困難となる場合があった。また、洗浄用の溶媒が大気に漏洩する可能性も排除できず、基板処理装置の取り扱いに関して安全性に問題があった。   However, when cleaning the inside of a pipe using a solvent, it is necessary to further remove the cleaning solvent itself from the inside of the pipe. Therefore, it may be difficult to shorten the downtime of the substrate processing apparatus. Further, the possibility that the solvent for cleaning leaks to the atmosphere cannot be excluded, and there is a problem in safety regarding the handling of the substrate processing apparatus.

そこで発明者等は、液体原料及び洗浄用の溶媒を配管内等から除去する際の効率を向上させる方法について鋭意研究を行った。その結果、発明者等は、洗浄用の溶媒を選択する際には、液体原料に対する溶解性だけでなく、洗浄用の溶媒の気化し易さに着目する必要があることを突き止めた。具体的には、洗浄用の溶媒の蒸気圧を液体原料の蒸気圧と同等以上とすることが有効であることに気が付いた。また、配管内等の真空引きやパージを行う際には、高圧・大容量（第１の条件）での不活性ガスパージによる残留・付着成分の移動工程と、分圧比が最小となる流量（第２の条件）での不活性ガスパージによる揮発工程と、真空引きと、を繰り返すサイクルパージを行うことが、除去効率の向上には有効であ
ることを突き止めた。さらに、液体原料を供給する配管内を加熱して、配管内に残留している液体原料や溶媒の蒸気圧を上昇させることが、除去効率の向上には有効であることを突き止めた。 Therefore, the inventors conducted intensive research on a method for improving the efficiency in removing the liquid raw material and the cleaning solvent from the inside of the pipe. As a result, the inventors have found that when selecting a cleaning solvent, it is necessary to pay attention not only to the solubility in the liquid raw material but also to the ease of vaporization of the cleaning solvent. Specifically, it has been found that it is effective to make the vapor pressure of the cleaning solvent equal to or higher than the vapor pressure of the liquid raw material. Also, when evacuating or purging the inside of a pipe or the like, the process of moving residual / adherent components by inert gas purging at a high pressure and large capacity (first condition) and the flow rate at which the partial pressure ratio is minimized (first It has been found that it is effective to improve the removal efficiency to perform the cycle purge that repeats the volatilization step by the inert gas purge under the condition (2) and the evacuation. Furthermore, it has been found that heating the inside of the pipe for supplying the liquid raw material to increase the vapor pressure of the liquid raw material and the solvent remaining in the pipe is effective in improving the removal efficiency.

本発明は、発明者等が得たこれらの知見を元になされたものである。以下に、本発明の実施形態について説明する。   The present invention has been made based on these findings obtained by the inventors. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.

＜本発明の一態様＞
以下に、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。 <One Embodiment of the Present Invention>
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

（１）処理炉の構成
図１は本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面図を示し、（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図を示している。 (1) Configuration of Processing Furnace FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a processing furnace of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, (a) shows a longitudinal sectional view of the processing furnace, and (b) shows A- A sectional view taken along line A is shown.

本実施形態にかかる処理炉は、反応容器としての反応管２０３を有している。反応管２０３は、例えば石英から構成されており、上端部が閉塞され、下端部が開放された円筒形状として構成されている。また、反応管２０３の下端部は、気密部材であるＯリング２２０を介して、例えばステンレス等により構成されたマニホールド２０９により支持されている。反応管２０３とマニホールド２０９とは同心円状に配置されており、実質的に鉛直方向に縦向きに設けられている。   The processing furnace according to the present embodiment has a reaction tube 203 as a reaction vessel. The reaction tube 203 is made of, for example, quartz, and has a cylindrical shape in which the upper end is closed and the lower end is opened. The lower end of the reaction tube 203 is supported by a manifold 209 made of, for example, stainless steel through an O-ring 220 that is an airtight member. The reaction tube 203 and the manifold 209 are arranged concentrically, and are provided substantially vertically in the vertical direction.

マニホールド２０９の下端開口は、気密部材であるＯリング２２０を介して、蓋体であるシールキャップ２１９により気密に閉塞されるように構成されている。なお、シールキャップ２１９は、図示しないボートエレベータ機構により昇降自在に構成されている。反応管２０３、マニホールド２０９、及びシールキャップ２１９により、ウエハ等の基板２００を処理する処理室２０１が形成されるように構成されている。   The lower end opening of the manifold 209 is configured to be airtightly closed by a seal cap 219 that is a lid through an O-ring 220 that is an airtight member. The seal cap 219 is configured to be movable up and down by a boat elevator mechanism (not shown). The reaction chamber 203, the manifold 209, and the seal cap 219 constitute a processing chamber 201 for processing a substrate 200 such as a wafer.

シールキャップ２１９上には、ボート支持台２１８を介して、基板保持手段としてのボート２１７を立設することが出来るように構成されている。ボート支持台２１８は、ボート２１７からシールキャップ２１９への熱伝導を遮断する断熱部材として構成されている。そして、ボート２１７を立設したシールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬入あるいは搬出できるように構成されている。ボート２１７には、少なくとも１枚以上の基板２００が水平姿勢で縦方向（すなわち反応管２０３の管軸方向）に多段に積載されるように構成されている。また、シールキャップ２１９の下面側には、ボート２１７を回転するためのボート回転機構２６７が設けられている。ボート回転機構２６７を作動（回転）させることにより、ボート支持台２１８に支持されたボート２１７を処理室２０１内で回転させ、基板２００への処理の均一性を向上させることが可能なように構成されている。   On the seal cap 219, a boat 217 as a substrate holding means can be erected via a boat support base 218. The boat support 218 is configured as a heat insulating member that blocks heat conduction from the boat 217 to the seal cap 219. The boat 217 can be carried into or out of the processing chamber 201 by moving the seal cap 219 provided with the boat 217 up and down. The boat 217 is configured such that at least one or more substrates 200 are stacked in multiple stages in the vertical direction (that is, the tube axis direction of the reaction tube 203) in a horizontal posture. In addition, a boat rotation mechanism 267 for rotating the boat 217 is provided on the lower surface side of the seal cap 219. By operating (rotating) the boat rotation mechanism 267, the boat 217 supported by the boat support base 218 is rotated in the processing chamber 201, and the processing uniformity on the substrate 200 can be improved. Has been.

なお、反応管２０３の外周を囲うように、加熱手段としてのヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７は、処理室２０１内に搬入された基板２００を所定の温度に加熱するように構成されている。   A heater 207 as a heating unit is provided so as to surround the outer periphery of the reaction tube 203. The heater 207 is configured to heat the substrate 200 carried into the processing chamber 201 to a predetermined temperature.

また、処理室２０１には、原料ガスあるいは反応ガスを処理室２０１内に供給する原料ガス供給ライン２３２ａ、及び反応ガス供給ライン２３２ｂがそれぞれ接続されている。   In addition, a raw material gas supply line 232a and a reactive gas supply line 232b for supplying a raw material gas or a reactive gas into the processing chamber 201 are connected to the processing chamber 201, respectively.

原料ガス供給ライン２３２ａは、アミン系液体原料を気化させたアミン系原料ガスを、処理室２０１内に供給するように構成されている。原料ガス供給ライン２３２ａには、バルブ２４３ａが設けられている。原料ガス供給ライン２３２ａのバルブ２４３ａの下流側には、キャリアガスを供給する第１キャリアガス供給管２３４ａが一本化するように合流
されている。第１キャリアガス供給管２３４ａには、上流側から順に、流量制御手段としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｂ、及びバルブ２４３ｃが設けられている。また、原料ガス供給ライン２３２ａの下流側先端部には、第１ノズル２３３ａが接続されている。第１ノズル２３３ａは、処理室２０１を構成している反応管２０３の内壁と基板２００との間における円弧状の空間内において、反応管２０３の下部側から上部側に向けて（すなわち基板２００の積載方向に沿って）反応管２０３の内壁に沿うように設けられている。また、第１ノズル２３３ａの側面には、処理室２０１内にガスを供給する供給孔である第１ガス供給孔２４８ａが少なくとも１つ以上設けられている。この第１ガス供給孔２４８ａは、例えば、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチになるように設けられている。なお、原料ガス供給ライン２３２ａにおけるバルブ２４３ａよりも上流側の構成については、後述する。 The source gas supply line 232a is configured to supply an amine-based source gas obtained by vaporizing an amine-based liquid source into the processing chamber 201. A valve 243a is provided in the source gas supply line 232a. A first carrier gas supply pipe 234a that supplies a carrier gas is joined downstream of the valve 243a of the source gas supply line 232a so as to be unified. The first carrier gas supply pipe 234a is provided with a mass flow controller (MFC) 241b and a valve 243c as flow rate control units in order from the upstream side. A first nozzle 233a is connected to the downstream end of the source gas supply line 232a. The first nozzle 233a is directed from the lower side to the upper side of the reaction tube 203 (that is, in the substrate 200) in the arc-shaped space between the inner wall of the reaction tube 203 constituting the processing chamber 201 and the substrate 200. Along the inner wall of the reaction tube 203 (along the loading direction). Further, at least one or more first gas supply holes 248a that are gas supply holes for supplying gas into the processing chamber 201 are provided on the side surface of the first nozzle 233a. The first gas supply holes 248a have, for example, the same opening area from the lower part to the upper part, and are provided to have the same opening pitch. Note that the configuration upstream of the valve 243a in the source gas supply line 232a will be described later.

反応ガス供給ライン２３２ｂは、原料ガスと反応して基板２００上に薄膜を成膜する反応ガスを、処理室２０１内に供給するように構成されている。反応ガス供給ライン２３２ｂには、上流側から順に、図示しない反応ガス供給源、流量制御手段としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、バルブ２４３ｂが設けられている。そして、反応ガス供給ライン２３２ｂのバルブ２４３ｂの下流側には、キャリアガスを供給する第２キャリアガス供給管２３４ｂが一本化するように合流されている。第２キャリアガス供給管２３４ｂには、上流側から順に流量制御手段としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃ、及びバルブ２４３ｄが設けられている。また、反応ガス供給ライン２３２ｂの下流側先端部には、第２ノズル２３３ｂが接続されている。第２ノズル２３３ｂは、処理室２０１を構成している反応管２０３の内壁と基板２００との間における円弧状の空間内において、反応管２０３の下部側から上部側に向けて（すなわち基板２００の積載方向に沿って）反応管２０３の内壁に沿うように設けられている。また、第２ノズル２３３ｂの側面には、処理室２０１内にガスを供給する供給孔である第２ガス供給孔２４８ｂが少なくとも１つ以上設けられている。この第２ガス供給孔２４８ｂは、例えば、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチになるように設けられている。   The reaction gas supply line 232b is configured to supply a reaction gas that reacts with the source gas to form a thin film on the substrate 200 into the processing chamber 201. The reaction gas supply line 232b is provided with a reaction gas supply source (not shown), a mass flow controller (MFC) 241a as a flow rate control unit, and a valve 243b in order from the upstream side. The second carrier gas supply pipe 234b for supplying the carrier gas is joined to the downstream side of the valve 243b of the reaction gas supply line 232b so as to be unified. The second carrier gas supply pipe 234b is provided with a mass flow controller (MFC) 241c and a valve 243d as flow rate control means in order from the upstream side. A second nozzle 233b is connected to the downstream end of the reactive gas supply line 232b. The second nozzle 233b is directed from the lower side to the upper side of the reaction tube 203 (that is, in the substrate 200) in the arc-shaped space between the inner wall of the reaction tube 203 constituting the processing chamber 201 and the substrate 200. Along the inner wall of the reaction tube 203 (along the loading direction). Further, at least one or more second gas supply holes 248b, which are supply holes for supplying gas into the processing chamber 201, are provided on the side surface of the second nozzle 233b. For example, the second gas supply holes 248b have the same opening area from the lower part to the upper part, and are provided to have the same opening pitch.

以上により、原料ガス供給ライン２３２ａから供給された原料ガスは、第１キャリアガス供給管２３４ａから供給されたキャリアガスと合流（混合）した後、第１ノズル２３３ａを介して処理室２０１内に供給されるように構成されている。また、反応ガス供給ライン２３２ｂから供給された反応ガスは、第２キャリアガス供給管２３４ｂから供給されたキャリアガスと合流（混合）した後、第２ノズル２３３ｂを介して処理室２０１内に供給されるように構成されている。   As described above, the source gas supplied from the source gas supply line 232a is merged (mixed) with the carrier gas supplied from the first carrier gas supply pipe 234a, and then supplied into the processing chamber 201 through the first nozzle 233a. It is configured to be. The reaction gas supplied from the reaction gas supply line 232b merges (mixes) with the carrier gas supplied from the second carrier gas supply pipe 234b, and then is supplied into the processing chamber 201 through the second nozzle 233b. It is comprised so that.

また、処理室２０１には、処理室２０１内からガスを排気する排気ラインとしてのガス排気管２３１が接続されている。ガス排気管２３１の下流側には、バルブ２４３ｅを介して真空ポンプ２４６が接続されている。真空ポンプ２４６を作動させつつ、バルブ２４３ｅを開閉することにより、処理室２０１内の真空排気の開始あるい停止を制御することが可能なように構成されている。更に、バルブ２４３ｅの弁の開度を調節することにより、処理室２０１内の圧力を調整することが可能となっている。   Further, a gas exhaust pipe 231 is connected to the processing chamber 201 as an exhaust line for exhausting gas from the processing chamber 201. A vacuum pump 246 is connected to the downstream side of the gas exhaust pipe 231 via a valve 243e. By starting and closing the valve 243e while operating the vacuum pump 246, it is possible to control the start or stop of evacuation in the processing chamber 201. Furthermore, the pressure in the processing chamber 201 can be adjusted by adjusting the opening of the valve 243e.

制御手段としてのコントローラ２８０は、液体マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４０と、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃと、バルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、２４３ｅと、ヒータ２０７と、真空ポンプ２４６と、ボート回転機構２６７と、図示しないボート昇降機構とに接続されている。そして、コントローラ２８０により、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４０、及びマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃの流量調整、バルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄの開閉動作、バルブ２４３ｅの開閉及び圧力調整動作、ヒー
タ２０７の温度調整、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御が行われるように構成されている。なお、後述するように、コントローラ２８０は、原料ガス供給ライン２３２ａにおけるバルブ２４３ａよりも上流側に設けられた各構成部品の動作についても制御する。 The controller 280 as the control means includes a liquid mass flow controller (MFC) 240, mass flow controllers (MFC) 241a, 241b, 241c, valves 243a, 243b, 243c, 243d, 243e, a heater 207, a vacuum pump 246, The boat rotation mechanism 267 and a boat lifting / lowering mechanism (not shown) are connected. Then, the controller 280 adjusts the flow rate of the mass flow controller (MFC) 240 and the mass flow controllers (MFC) 241a, 241b, and 241c, opens and closes the valves 243a, 243b, 243c, and 243d, opens and closes the valve 243e, and adjusts the pressure. The temperature adjustment of 207, the start / stop of the vacuum pump 246, the rotation speed adjustment of the boat rotation mechanism 267, and the lifting operation control of the boat lifting mechanism are performed. As will be described later, the controller 280 also controls the operation of each component provided on the upstream side of the valve 243a in the source gas supply line 232a.

続いて、原料ガス供給ライン２３２ａよりも上流側の構成（バルブ２４３ａの上流側の構成）について、図２を用いて説明する。図２は、本発明の一実施の形態における基板処理装置が有する液体原料供給ライン１００、気化器２４２、原料ガス供給ライン２３２ａ、及び溶媒供給ライン５００の概略構成図である。   Next, a configuration upstream of the source gas supply line 232a (configuration upstream of the valve 243a) will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the liquid source supply line 100, the vaporizer 242, the source gas supply line 232a, and the solvent supply line 500 included in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

（液体原料供給ライン）
液体原料供給ライン１００は、液体原料供給源としての液体原料タンク１００ｔから気化器２４２に、アミン系液体原料を供給するように構成されている。具体的には、液体原料供給ライン１００の上流側端部は液体原料タンク１００ｔに接続されており、下流側端部は気化器２４２に接続されている。液体原料供給ライン１００には、上流側から順に、バルブ１０４、１０３、１０２、液体流量制御手段としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４０、バルブ１０１が設けられている。液体原料タンク１００ｔから気化器２４２へと液体原料が供給（圧送）される様子については後述する。 (Liquid material supply line)
The liquid source supply line 100 is configured to supply an amine-based liquid source from the liquid source tank 100t as a liquid source supply source to the vaporizer 242. Specifically, the upstream end of the liquid source supply line 100 is connected to the liquid source tank 100t, and the downstream end is connected to the vaporizer 242. The liquid source supply line 100 is provided with valves 104, 103, 102, a mass flow controller (MFC) 240 as a liquid flow rate control means, and a valve 101 in order from the upstream side. The manner in which the liquid material is supplied (pressed) from the liquid material tank 100t to the vaporizer 242 will be described later.

（気化器）
気化器２４２は、液体原料タンク１００ｔより液体原料供給ライン１００を介して供給されたアミン系液体原料を気化して、原料ガスを発生させるように構成されている。なお、後述するとおり、気化器２４２には、原料ガス供給ライン２３２ａの上流側端部と、原料ガス圧送ガス供給ライン７１０の下流側端部とが、それぞれ接続されている。 (Vaporizer)
The vaporizer 242 is configured to vaporize the amine-based liquid source supplied from the liquid source tank 100t via the liquid source supply line 100 to generate a source gas. As will be described later, the vaporizer 242 is connected to the upstream end portion of the source gas supply line 232a and the downstream end portion of the source gas pressurized gas supply line 710.

（原料ガス供給ライン）
原料ガス供給ライン２３２ａは、気化器２４２より気化された原料ガスを、基板２００上に膜を成膜するために処理室２０１内に供給するように構成されている。具体的には、原料ガス供給ライン２３２ａの上流側端部は気化器２４２に接続されており、下流側端部は上述したとおり処理室２０１に接続されている。原料ガス供給ライン２３２ａには、上流側から順に、バルブ２４２ａ、２４３ａが設けられている。なお、バルブ２４３ａよりも下流側の構成については上述したとおりである。 (Raw gas supply line)
The source gas supply line 232 a is configured to supply the source gas evaporated from the vaporizer 242 into the processing chamber 201 in order to form a film on the substrate 200. Specifically, the upstream end of the source gas supply line 232a is connected to the vaporizer 242, and the downstream end is connected to the processing chamber 201 as described above. The source gas supply line 232a is provided with valves 242a and 243a in order from the upstream side. The configuration on the downstream side of the valve 243a is as described above.

（補充用液体原料供給ライン）
補充用液体原料供給ライン４００は、補充用液体原料供給源としての補充用原料タンク４００ｔから液体原料タンク１００ｔに、補充用のアミン系液体原料を供給するように構成されている。具体的には、補充用液体原料供給ライン４００の上流側端部は補充用原料タンク４００ｔに接続されており、下流側端部は液体原料タンク１００ｔに接続されている。補充用液体原料供給ライン４００には、上流側から順に、バルブ４０４、４０３、４０２、４０１が設けられている。補充用原料タンク４００ｔから液体原料タンク１００ｔへ補充用液体原料が供給（圧送）される様子については後述する。 (Supplying liquid material supply line)
The replenishing liquid material supply line 400 is configured to supply a replenishing amine liquid material from a replenishing material tank 400t as a replenishing liquid material supply source to the liquid material tank 100t. Specifically, the upstream end of the replenishing liquid source supply line 400 is connected to the replenishing source tank 400t, and the downstream end is connected to the liquid source tank 100t. The replenishment liquid source supply line 400 is provided with valves 404, 403, 402, 401 in order from the upstream side. The manner in which the replenishing liquid material is supplied (pressed) from the replenishing material tank 400t to the liquid material tank 100t will be described later.

（溶媒供給ライン）
溶媒供給ライン５００は、液体原料供給ライン１００内に残留したアミン系液体原料を除去するための溶媒を供給するように構成されている。具体的には、溶媒供給ライン５００の上流側端部は溶媒供給源としての溶媒用タンク５００ｔに接続されており、溶媒供給ライン５００の下流側端部は液体原料タンク１００ｔに接続されている。溶媒供給ライン５００には、上流側から順に、バルブ５０８、５０７、５０６、液体流量制御手段としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５０５、バルブ５０４、５０３、５０１が設けられている。なお、バルブ５０３とバルブ５０１との間の溶媒供給ライン５００は分岐してお
り、分岐し他方の溶媒供給ライン５００’は、液体原料供給ライン１００におけるバルブ１０３とバルブ１０４との間に、バルブ５０２を介して接続されている。溶媒用タンク５００ｔから液体原料供給ライン１００内へと溶媒が供給（圧送）される様子については後述する。 (Solvent supply line)
The solvent supply line 500 is configured to supply a solvent for removing the amine-based liquid raw material remaining in the liquid raw material supply line 100. Specifically, the upstream end of the solvent supply line 500 is connected to a solvent tank 500t as a solvent supply source, and the downstream end of the solvent supply line 500 is connected to a liquid raw material tank 100t. The solvent supply line 500 is provided with valves 508, 507, 506, a mass flow controller (MFC) 505 as a liquid flow rate control unit, and valves 504, 503, 501 in order from the upstream side. Note that the solvent supply line 500 between the valve 503 and the valve 501 is branched, and the other solvent supply line 500 ′ is connected between the valve 103 and the valve 104 in the liquid source supply line 100. Connected through. The manner in which the solvent is supplied (pumped) from the solvent tank 500t into the liquid raw material supply line 100 will be described later.

（ベントライン）
原料ガス供給ライン２３２ａ、液体原料供給ライン１００、補充用液体原料供給ライン４００、及び溶媒供給ライン５００には、各ライン（配管）内の残留物（原料ガス、液体原料、補充用液体原料、溶媒等）を排出するためのベントライン６００が接続されている。 (Vent line)
In the source gas supply line 232a, the liquid source supply line 100, the replenishment liquid source supply line 400, and the solvent supply line 500, residues (source gas, liquid source, replenishment liquid source, solvent) in each line (pipe) are included. Etc.) is connected.

ベントライン６００の下流側端部は、真空ポンプ６４６に接続されている。また、ベントライン６００の上流側端部は４本に分岐しており、分岐したベントラインのうち１本目は、バルブ６０１を介して、原料ガス供給ライン２３２ａにおけるバルブ２４２ａの上流側（すなわちバルブ２４２ａと気化器２４２との間）に接続されている。従って、気化器２４２にて発生し原料ガス供給ライン２３２ａへと流れる原料ガスは、真空ポンプ６４６を作動させ、バルブ２４２ａを閉め、バルブ６０１を開くことで、ベントライン６００内へと排出させることが可能なように構成されている。   The downstream end of the vent line 600 is connected to the vacuum pump 646. Further, the upstream end portion of the vent line 600 is branched into four, and the first of the branched vent lines is upstream of the valve 242a (that is, the valve 242a) in the source gas supply line 232a via the valve 601. And the vaporizer 242). Therefore, the source gas generated in the vaporizer 242 and flowing to the source gas supply line 232a can be discharged into the vent line 600 by operating the vacuum pump 646, closing the valve 242a, and opening the valve 601. It is configured as possible.

また、分岐したベントラインのうち２本目は、バルブ６０２を介して、液体原料供給ライン１００におけるバルブ１０２とバルブ１０３との間に接続されている。従って、液体原料タンク１００ｔから液体原料供給ライン１００内へと流れる液体原料は、真空ポンプ６４６を作動させ、バルブ１０２を閉め、バルブ６０２を開くことで、ベントライン６００内へと排出させることが可能なように構成されている。   Further, the second of the branched vent lines is connected between the valve 102 and the valve 103 in the liquid source supply line 100 via the valve 602. Therefore, the liquid material flowing from the liquid material tank 100t into the liquid material supply line 100 can be discharged into the vent line 600 by operating the vacuum pump 646, closing the valve 102, and opening the valve 602. It is configured as follows.

また、分岐したベントラインのうち３本目は、バルブ６０３を介して、補充用液体原料供給ライン４００におけるバルブ４０１とバルブ４０２との間に接続されている。従って、補充用原料タンク４００ｔから補充用液体原料供給ライン４００内へと流れる液体原料は、真空ポンプ６４６を作動させ、バルブ４０１を閉め、バルブ６０３を開くことで、ベントライン６００内へと排出させることが可能なように構成されている。   The third of the branched vent lines is connected between the valve 401 and the valve 402 in the replenishing liquid material supply line 400 via the valve 603. Accordingly, the liquid raw material flowing from the replenishing raw material tank 400t into the replenishing liquid raw material supply line 400 is discharged into the vent line 600 by operating the vacuum pump 646, closing the valve 401, and opening the valve 603. It is configured to be possible.

また、分岐したベントラインのうち４本目は、バルブ６０４を介して、溶媒供給ライン５００におけるバルブ５０７とバルブ５０６との間に接続されている。従って、溶媒用タンク５００ｔから溶媒供給ライン５００内へと流れる液体原料は、真空ポンプ６４６を作動させ、バルブ５０６を閉め、バルブ６０４を開くことで、ベントライン６００内へと排出させることが可能なように構成されている。   Further, the fourth of the branched vent lines is connected between the valve 507 and the valve 506 in the solvent supply line 500 via the valve 604. Therefore, the liquid raw material flowing from the solvent tank 500t into the solvent supply line 500 can be discharged into the vent line 600 by operating the vacuum pump 646, closing the valve 506, and opening the valve 604. It is configured as follows.

（原料圧送ガス供給ライン）
溶媒供給ライン５００におけるバルブ５０４とバルブ５０３との間には、原料圧送ガス供給ライン７２０の下流側端部が接続されている。なお、原料圧送ガス供給ライン７２０の上流側端部は、図示しないＮ２ガス等の不活性ガス供給源に接続されている。原料圧送ガス供給ライン７２０には、上流側から順に、バルブ７２９、レギュレータ７２８、バルブ７２７、流量制御手段としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７２６、バルブ７２５が設けられている。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）７２６の上流側（バルブ７２７の下流側）とマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７２６の下流側（バルブ７２５の上流側）とは、バイパスライン７２０ｐによってバイパスするように接続されている。バイパスライン７２０ｐにはバルブ７２１ｐが設けられている。 (Raw material gas supply line)
Between the valve 504 and the valve 503 in the solvent supply line 500, the downstream end of the raw material pressurized gas supply line 720 is connected. The upstream end of the raw material pressurized gas supply line 720 is connected to an inert gas supply source such as N 2 gas (not shown). The raw material pressurized gas supply line 720 is provided with a valve 729, a regulator 728, a valve 727, a mass flow controller (MFC) 726 as a flow rate control unit, and a valve 725 in this order from the upstream side. The upstream side of the mass flow controller (MFC) 726 (downstream side of the valve 727) and the downstream side of the mass flow controller (MFC) 726 (upstream side of the valve 725) are connected to be bypassed by a bypass line 720p. . A valve 721p is provided in the bypass line 720p.

例えば、バルブ５０４、５０２、４０１、６０２を閉じ、バルブ７２９、７２７、７２５、５０３、５０１、１０４〜１０１を開けることで、液体原料を液体原料タンク１００
ｔ内から気化器２４２内へと供給（圧送）することが出来る。この際、液体原料の供給流量はマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７２６、２４０によって調整することが出来る。 For example, by closing the valves 504, 502, 401, 602 and opening the valves 729, 727, 725, 503, 501, 104-101, the liquid raw material is supplied to the liquid raw material tank 100.
It is possible to supply (pressure feed) from t to the vaporizer 242. At this time, the supply flow rate of the liquid material can be adjusted by mass flow controllers (MFC) 726 and 240.

また、例えば、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ５０４、５０１、１０４、１０２を閉め、バルブ７２９、７２７、７２５、５０３、５０２、１０３、６０２を開けることで、バルブ５０４とバルブ５０１との間の溶媒供給ライン５００内と、分岐した溶媒供給ライン５００’内と、バルブ１０４とバルブ１０２との間の液体原料供給ライン１００内とに不活性ガスを供給することが出来る。これにより、バルブ５０４とバルブ５０１との間の溶媒供給ライン５００内、分岐した溶媒供給ライン５００’内、及びバルブ１０２とバルブ１０４との間の液体原料供給ライン１００内の残留物（液体原料や溶媒等）のベントライン６００内への排出（圧送）を促したり、これらの内部を不活性ガスでパージしたりすることが出来る。   Also, for example, with the vacuum pump 646 activated, the valves 504, 501, 104, 102 are closed and the valves 729, 727, 725, 503, 502, 103, 602 are opened, The inert gas can be supplied into the solvent supply line 500 between the two, the branched solvent supply line 500 ′, and the liquid source supply line 100 between the valve 104 and the valve 102. Accordingly, the residue (liquid source or liquid residue) in the solvent supply line 500 between the valve 504 and the valve 501, in the branched solvent supply line 500 ′, and in the liquid source supply line 100 between the valve 102 and the valve 104. It is possible to promote the discharge (pressure feeding) of the solvent into the vent line 600, or to purge the inside with an inert gas.

また、例えば、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ５０４、７２５、５０１、１０４、１０２を閉じ、バルブ５０３、５０２、１０３、６０２を開けることで、バルブ５０４とバルブ５０１との間の溶媒供給ライン５００内、分岐した溶媒供給ライン５００’内、及びバルブ１０２とバルブ１０４との間の液体原料供給ライン１００内とを真空排気することが出来る。   In addition, for example, in a state where the vacuum pump 646 is operated, the valve 504, 725, 501, 104, 102 is closed, and the valve 503, 502, 103, 602 is opened, so that the solvent between the valve 504 and the valve 501 is opened. The supply line 500, the branched solvent supply line 500 ′, and the liquid source supply line 100 between the valve 102 and the valve 104 can be evacuated.

（補充用原料圧送ガス供給ライン）
補充用原料タンク４００ｔには、補充用原料圧送ガス供給ライン７４０の下流側端部が接続されている。なお、補充用原料圧送ガス供給ライン７４０の上流側端部は、図示しないＮ２ガス等の不活性ガス供給源に接続されている。補充用原料圧送ガス供給ライン７４０には、上流側から順に、バルブ７４９、レギュレータ７４８、バルブ７４７、流量制御手段としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７４６、バルブ７４５、７４４、７４２が設けられている。なお、補充用原料圧送ガス供給ライン７４０は、バルブ７４４とバルブ７４２との間で分岐しており、分岐した方の補充用原料圧送ガス供給ライン７４０’は、補充用液体原料供給ライン４００におけるバルブ４０４とバルブ４０３との間に、バルブ７４３を介して接続されている。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）７４６の上流側（バルブ７４７の下流側）とマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７４６の下流側（バルブ７４５の上流側）とは、バイパスライン７４０ｐによってバイパスするように接続されている。バイパスライン７４０ｐにはバルブ７４１ｐが設けられている。 (Supplying raw material pressurized gas supply line)
A downstream end portion of a supplementary material pressurized gas supply line 740 is connected to the supplementary material tank 400t. Note that the upstream end of the replenishing raw material pressurized gas supply line 740 is connected to an inert gas supply source such as N 2 gas (not shown). The replenishing raw material pressurized gas supply line 740 is provided with a valve 749, a regulator 748, a valve 747, a mass flow controller (MFC) 746 as flow rate control means, and valves 745, 744, 742 in order from the upstream side. The replenishing source pressure gas supply line 740 branches between the valve 744 and the valve 742, and the replenishing source pressure gas supply line 740 ′ is the valve in the replenishing liquid source supply line 400. The valve 404 and the valve 403 are connected via a valve 743. Further, the upstream side of the mass flow controller (MFC) 746 (downstream side of the valve 747) and the downstream side of the mass flow controller (MFC) 746 (upstream side of the valve 745) are connected to be bypassed by a bypass line 740p. . A valve 741p is provided in the bypass line 740p.

例えば、バルブ７４３、６０３を閉じ、バルブ７４９、７４７、７４５、７４４、７４２、４０４、４０３、４０２、４０１を開けることで、補充用原料タンク４００ｔ内から液体原料タンク１００ｔ内へと補充用の液体原料を供給（圧送）して補充することが出来る。この際、液体原料の供給流量はマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７４６によって調整することが出来る。   For example, by closing the valves 743 and 603 and opening the valves 749, 747, 745, 744, 742, 404, 403, 402, and 401, the liquid for replenishment from the replenishment raw material tank 400t to the liquid raw material tank 100t. It can be replenished by supplying (pumping) the raw material. At this time, the supply flow rate of the liquid material can be adjusted by a mass flow controller (MFC) 746.

また、例えば、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ４０４、４０１、７４２を閉じ、バルブ７４９、７４７、７４５〜７４３、４０３、４０２、６０３を開けることで、バルブ４０４からバルブ４０１の間の補充用液体原料供給ライン４００内、及び分岐した補充用原料圧送ガス供給ライン７４０’内に不活性ガスを供給することが出来る。これにより、補充用液体原料供給ライン４００内、及び分岐した補充用原料圧送ガス供給ライン７４０’内の残留物（補充用液体原料等）のベントライン６００内への排出（圧送）を促したり、補充用液体原料供給ライン４００内、及び分岐した補充用原料圧送ガス供給ライン７４０’内を不活性ガスでパージしたりすることが出来る。   Further, for example, in a state where the vacuum pump 646 is operated, the valves 404, 401, 742 are closed and the valves 749, 747, 745-743, 403, 402, 603 are opened, An inert gas can be supplied into the replenishment liquid source supply line 400 and the branched replenishment source pressure gas supply line 740 ′. This facilitates the discharge (pumping) of the residue (such as the replenishing liquid raw material) in the replenishing liquid raw material supply line 400 and the branched replenishing raw material pressurized gas supply line 740 ′ into the vent line 600, The inside of the replenishing liquid source supply line 400 and the inside of the branched replenishing source pressurized gas supply line 740 ′ can be purged with an inert gas.

また、例えば、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ４０４、４０１、７４３を閉じ、バルブ４０３、４０２、６０３を開けることで、補充用液体原料供給ライン４０
０内、及びバルブ７４３の下流側の補充用原料圧送ガス供給ライン７４０’内を真空排気することが出来る。 Further, for example, in a state where the vacuum pump 646 is operated, the valves 404, 401, 743 are closed and the valves 403, 402, 603 are opened, so that the replenishing liquid material supply line 40 is opened.
It is possible to evacuate the inside of 0 and the inside of the replenishing raw material pressurized gas supply line 740 ′ on the downstream side of the valve 743.

（溶媒圧送ガス供給ライン）
溶媒用タンク５００ｔには、溶媒圧送ガス供給ライン７５０の下流側端部が接続されている。なお、溶媒圧送ガス供給ライン７５０の上流側端部は、図示しないＮ２ガス等の不活性ガス供給源に接続されている。溶媒圧送ガス供給ライン７５０には、上流側から順に、バルブ７５９、レギュレータ７５８、バルブ７５７、流量制御手段としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７５６、バルブ７５５、７５４、７５２が設けられている。なお、溶媒圧送ガス供給ライン７５０は、バルブ７５４とバルブ７５２との間で分岐しており、分岐し他方の溶媒圧送ガス供給ライン７５０’は、溶媒供給ライン５００におけるバルブ５０８とバルブ５０７との間に、バルブ７５３を介して接続されている。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）７５６の上流側（バルブ７５７の下流側）とマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７５６の下流側（バルブ７５５の上流側）とは、バイパスライン７５０ｐによってバイパスするように接続されている。バイパスライン７５０ｐにはバルブ７５１ｐが設けられている。 (Solvent pressure gas supply line)
The solvent tank 500t is connected to the downstream end of the solvent pressurized gas supply line 750. The upstream end of the solvent pressure gas supply line 750 is connected to an inert gas supply source such as N 2 gas (not shown). The solvent pressurized gas supply line 750 is provided with a valve 759, a regulator 758, a valve 757, a mass flow controller (MFC) 756 as flow rate control means, and valves 755, 754, 752 in this order from the upstream side. Note that the solvent pressure gas supply line 750 is branched between the valve 754 and the valve 752, and the other solvent pressure gas supply line 750 ′ is between the valve 508 and the valve 507 in the solvent supply line 500. In addition, it is connected via a valve 753. The upstream side of the mass flow controller (MFC) 756 (downstream side of the valve 757) and the downstream side of the mass flow controller (MFC) 756 (upstream side of the valve 755) are connected to be bypassed by a bypass line 750p. . A valve 751p is provided in the bypass line 750p.

例えば、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ７５３、６０４、５０１、１０４、６０２、７１１、２４２ａを閉じ、バルブ７５９、７５７、７５５、７５４、７５２、５０８〜５０６、５０４〜５０２、１０３〜１０１、６０１を開けることで、溶媒を、溶媒用タンク５００ｔ内から溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内へと供給（圧送）し、バルブ６０１を経由して、ベントライン６００内へ排出（吸引）することが出来る。この際、溶媒の供給流量はマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７５６、５０５、２４０によって調整することが出来る。また、上記において、バルブ１０２を閉じてバルブ６０２を開くことで、気化器２４２へ溶媒を供給しないようにすることも出来る。さらに、上記において、バルブ５０２を閉じてバルブ５０１、１０４を開くことで、液体原料タンク１００ｔ内へ溶媒を供給することも出来る。   For example, with the vacuum pump 646 activated, the valves 753, 604, 501, 104, 602, 711, and 242a are closed, and the valves 759, 757, 755, 754, 752, 508 to 506, 504 to 502, 103 to By opening 101 and 601, the solvent is supplied from the solvent tank 500 t to the solvent supply line 500, the liquid source supply line 100, the vaporizer 242, and the source gas supply line 232 a upstream of the valve 242 a. (Pressure feeding), and can be discharged (sucked) into the vent line 600 via the valve 601. At this time, the supply flow rate of the solvent can be adjusted by mass flow controllers (MFC) 756, 505, and 240. In the above, the solvent can be prevented from being supplied to the vaporizer 242 by closing the valve 102 and opening the valve 602. Furthermore, in the above, the solvent can be supplied into the liquid raw material tank 100t by closing the valve 502 and opening the valves 501 and 104.

また、例えば、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ７５２、５０８、５０１、１０４を閉じ、バルブ７５９、７５７、７５５〜７５３、５０７、５０６、５０４〜５０２、１０３〜１０１、６０１を開けることで、分岐した溶媒供給ライン５００’内、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内へ不活性ガスを供給することが出来る。これにより、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内の残留物（液体原料や溶媒等）のベントライン６００内への排出（圧送）を促したり、これらの内部を不活性ガスでパージすることが出来る。   Further, for example, with the vacuum pump 646 activated, the valves 752, 508, 501, and 104 are closed, and the valves 759, 757, 755 to 753, 507, 506, 504 to 502, 103 to 101, and 601 are opened. Thus, the inert gas can be supplied into the branched solvent supply line 500 ′, the solvent supply line 500, the liquid raw material supply line 100, the vaporizer 242 and the raw material gas supply line 232a upstream of the valve 242a. I can do it. Thereby, the residue (liquid raw material, solvent, etc.) in the raw material gas supply line 232a in the solvent supply line 500, the liquid raw material supply line 100, the vaporizer 242, and the upstream side of the valve 242a enters the vent line 600. It is possible to promote discharge (pumping) or to purge the inside with an inert gas.

また、例えば、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ７５３、５０８、５０１、１０４を閉じ、バルブ５０７、５０６、５０４〜５０２、１０３〜１０１、６０１、６０２を開けることで、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内を真空排気することが出来る。   Further, for example, with the vacuum pump 646 activated, the valves 753, 508, 501, and 104 are closed, and the valves 507, 506, 504 to 502, 103 to 101, 601, and 602 are opened, so that the solvent supply line 500 The inside of the liquid source supply line 100, the inside of the vaporizer 242, and the inside of the source gas supply line 232a on the upstream side of the valve 242a can be evacuated.

（原料ガス圧送ガス供給ライン）
気化器２４２には、原料ガス圧送ガス供給ライン７１０の下流側端部が接続されている。なお、原料ガス圧送ガス供給ライン７１０の上流側端部は、図示しないＮ２ガス等の不活性ガス供給源に接続されている。原料ガス圧送ガス供給ライン７１０には、上流側から順に、バルブ７１９、レギュレータ７１８、バルブ７１７、流量制御手段としてのマスフ
ローコントローラ（ＭＦＣ）７１６、バルブ７１５、７１１が設けられている。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）７１６の上流側（バルブ７１７の下流側）とマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７１６の下流側（バルブ７１５の上流側）とは、バイパスライン７１０ｐによってバイパスするように接続されている。バイパスライン７１０ｐにはバルブ７１１ｐが設けられている。 (Raw gas supply line)
The vaporizer 242 is connected to the downstream end of the source gas pressure gas supply line 710. Note that the upstream end of the source gas pressurized gas supply line 710 is connected to an inert gas supply source such as N 2 gas (not shown). The raw material gas pressurized gas supply line 710 is provided with a valve 719, a regulator 718, a valve 717, a mass flow controller (MFC) 716 as flow rate control means, and valves 715, 711 in order from the upstream side. The upstream side of the mass flow controller (MFC) 716 (downstream side of the valve 717) and the downstream side of the mass flow controller (MFC) 716 (upstream side of the valve 715) are connected to be bypassed by a bypass line 710p. . A valve 711p is provided in the bypass line 710p.

例えば、気化器２４２において原料ガスが発生している状態で、バルブ７１９、７１７、７１５、７１１、２４２ａ、２４３ａを開け、バルブ６０１を閉めることで、処理室２０１内への原料ガスの供給を促すことが出来る。   For example, in a state where the raw material gas is generated in the vaporizer 242, the valves 719, 717, 715, 711, 242a, and 243a are opened, and the valve 601 is closed, thereby prompting the supply of the raw material gas into the processing chamber 201. I can do it.

また、例えば、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ２４２ａ、１０１を閉め、バルブ７１１、７１５、７１７、７１９、６０１を開けることで、気化器２４２内と、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内と、バルブ１０１の下流側の液体原料供給ライン１００内とに不活性ガスを供給することが出来る。これにより、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内、バルブ１０１の下流側の液体原料供給ライン１００内の残留物（液体原料、溶媒、原料ガス等）のベントライン６００内への排出（圧送）を促したり、これらの内部を不活性ガスでパージしたりすることが出来る。   Also, for example, with the vacuum pump 646 activated, the valves 242a and 101 are closed and the valves 711, 715, 717, 719 and 601 are opened, so that the source gas in the vaporizer 242 and upstream of the valve 242a An inert gas can be supplied into the supply line 232a and the liquid source supply line 100 on the downstream side of the valve 101. Thus, a vent line 600 for residues (liquid source, solvent, source gas, etc.) in the vaporizer 242, the source gas supply line 232a upstream of the valve 242a, and the liquid source supply line 100 downstream of the valve 101. It is possible to promote discharge (pressure feeding) into the inside or purge the inside with an inert gas.

また、例えば、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ２４２ａ、１０１、７１１を閉じ、バルブ６０１を開けることで、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内、バルブ１０１の下流側の液体原料供給ライン１００内を真空排気することが出来る。   Further, for example, in a state where the vacuum pump 646 is operated, the valves 242a, 101, and 711 are closed and the valve 601 is opened, so that the inside of the vaporizer 242, the source gas supply line 232a upstream of the valve 242a, the valve 101 The liquid source supply line 100 on the downstream side can be evacuated.

（ヒータ）
なお、原料ガス供給ライン２３２ａ内、ベントライン６００のバルブ６０２、６０３、６０４の上流側を除くライン内、原料ガス圧送ガス供給ライン７１０内のバルブ７１１の下流側は、原料ガスの気相状態を維持するため、加熱することが出来るように構成されている。具体的には、原料ガス供給ライン２３２ａ、ベントライン６００のバルブ６０２、６０３、６０４の上流側を除くライン、原料ガス圧送ガス供給ライン７１０のバルブ７１１の下流の外周を囲うように、図示しないヒータが設けられている。なお、これらの図示しないヒータの温度は、コントローラ２８０により制御されるように構成されている。 (heater)
In the source gas supply line 232a, the lines other than the upstream side of the valves 602, 603, and 604 of the vent line 600, and the downstream side of the valve 711 in the source gas pressurized gas supply line 710 indicate the gas phase state of the source gas. In order to maintain, it can be heated. Specifically, a heater (not shown) is enclosed so as to surround the outer periphery of the source gas supply line 232a, the line excluding the upstream side of the valves 602, 603, and 604 of the vent line 600, and the downstream of the valve 711 of the source gas pressurized gas supply line 710. Is provided. The temperature of these heaters (not shown) is configured to be controlled by the controller 280.

なお、バルブ１０１〜１０４、２４２ａ、４０１〜４０４、５０１〜５０４、５０６〜５０８、６０１〜６０４、７１１、７１５、７１７、７１９、７１１ｐ、７２５、７２１ｐ、７２７、７２９、７４２〜７４５、７４７、７４９、７５２〜７５５、７５７、７５９、７５１ｐの開閉動作、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４０、５０５、７１６、７２６、７４６、７５６の流量調整、レギュレータ７１８、７２８、７４８、７５８の動作、気化器２４２の気化動作、真空ポンプ６４６の起動・停止も、上述のコントローラ２８０により制御されるように構成されている。   Valves 101-104, 242a, 401-404, 501-504, 506-508, 601-604, 711, 715, 717, 719, 711p, 725, 721p, 727, 729, 742-745, 747, 749 752 to 755, 757, 759, and 751p, mass flow controller (MFC) 240, 505, 716, 726, 746, and 756 flow adjustment, regulators 718, 728, 748, and 758, and vaporizer 242 vaporization The operation and the start / stop of the vacuum pump 646 are also controlled by the controller 280 described above.

（２）基板処理工程
続いて、本発明の一実施形態としての基板処理工程について説明する。なお、本実施形態にかかる基板処理工程は、半導体装置（デバイス）の製造工程の一つとして実施される。なお、本実施形態にかかる基板処理工程は、上述した処理炉により実施される。また、以下の説明において、処理炉を構成する各部の動作は、コントローラ２８０により制御される。 (2) Substrate Processing Step Next, the substrate processing step as one embodiment of the present invention will be described. Note that the substrate processing step according to the present embodiment is performed as one of manufacturing steps of a semiconductor device (device). In addition, the substrate processing process concerning this embodiment is implemented by the processing furnace mentioned above. In the following description, the operation of each part constituting the processing furnace is controlled by the controller 280.

本実施形態にかかる基板処理工程は、原料ガスとして、例えばアミン系液体原料であるＴＥＭＡＨ（Ｈｆ［ＮＣＨ３Ｃ２Ｈ５］４、テトラキスメチルエチルアミノハフニウム）
を気化させたＴＥＭＡＺＨガスを用い、また、反応ガスとして、例えばＯ３（オゾン）ガスを用いたＡＬＤ法によるＨｆＯ２膜の成膜処理を行う。ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の一つであるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法は、所定の成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる少なくとも２種類の原料となる反応性ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子単位で基板上に吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。なお、膜厚の制御は、反応性ガスを供給するサイクル数で行う（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、２０サイクル行う）。 In the substrate processing step according to the present embodiment, for example, TEMAH (Hf [NCH 3 C 2 H 5 ] 4 , tetrakismethylethylaminohafnium) which is an amine-based liquid raw material is used as a raw material gas.
The HfO 2 film is formed by the ALD method using TEMAZH gas in which gas is vaporized and, for example, O 3 (ozone) gas as the reaction gas. An ALD (Atomic Layer Deposition) method, which is one of CVD (Chemical Vapor Deposition) methods, is a reactive gas that is at least two types of raw materials used for film formation under predetermined film formation conditions (temperature, time, etc.). Are alternately supplied onto the substrate one by one, adsorbed on the substrate in units of one atom, and film formation is performed using surface reaction. Note that the film thickness is controlled by the number of cycles in which the reactive gas is supplied (for example, if the film formation rate is 1 kg / cycle, 20 cycles are performed when a 20 mm film is formed).

（搬入工程）
まず、上述したように基板２００をボート２１７に装填し、処理室２０１内に搬入する。 (Import process)
First, as described above, the substrate 200 is loaded into the boat 217 and carried into the processing chamber 201.

（液体原料の気化器への供給工程）
そして、バルブ５０４、５０２、４０１、６０２を閉じ、バルブ７２９、７２７、７２５、５０３、５０１、１０４〜１０１を開けて、液体原料としてのＴＥＭＡＨを、液体原料タンク１００ｔ内から気化器２４２内へと供給（圧送）する。そして、気化器２４２によりＴＥＭＡＨを気化させて、原料ガスとしてのＴＥＭＡＨガスを発生させる。なお、発生させたガスは、バルブ２４２ａを閉じ、バルブ６０１を開けることによりベントライン６００内に排出しておく。なお、ＴＥＭＡＨガスの発生量は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４０、及び気化器２４２により制御する。 (Process for supplying liquid raw material to vaporizer)
Then, the valves 504, 502, 401, and 602 are closed, the valves 729, 727, 725, 503, 501, and 104 to 101 are opened, and the TEMAH as the liquid raw material is transferred from the liquid raw material tank 100t into the vaporizer 242. Supply (pump). Then, TEMAH is vaporized by the vaporizer 242 to generate TEMAH gas as a raw material gas. The generated gas is discharged into the vent line 600 by closing the valve 242a and opening the valve 601. Note that the amount of TEMAH gas generated is controlled by a mass flow controller (MFC) 240 and a vaporizer 242.

（成膜工程）
そして、以下のステップ１〜ステップ４までを１サイクルとして、このサイクルを所定回数繰り返す。 (Film formation process)
The following steps 1 to 4 are defined as one cycle, and this cycle is repeated a predetermined number of times.

（ステップ１）
まず、バルブ６０１を閉じ、バルブ２４２ａ、２４３ｃ、２４３ｅを開ける。その結果、原料ガス供給ライン２３２ａから供給された例えばＴＥＭＡＨガスが、第１キャリアガス供給管２３４ａから供給されたキャリアガスと合流（混合）した後、第１ノズル２３３ａを介して処理室２０１内に供給されつつ、ガス排気管２３１から排気される。その結果、ＴＥＭＡＨガスのガス分子が、基板２００上の下地膜などの表面部分と表面反応（化学吸着）する。 (Step 1)
First, the valve 601 is closed, and the valves 242a, 243c, and 243e are opened. As a result, for example, the TEMAH gas supplied from the source gas supply line 232a merges (mixes) with the carrier gas supplied from the first carrier gas supply pipe 234a, and then enters the processing chamber 201 via the first nozzle 233a. While being supplied, the gas is exhausted from the gas exhaust pipe 231. As a result, the gas molecules of the TEMAH gas undergo a surface reaction (chemical adsorption) with a surface portion such as a base film on the substrate 200.

この時、バルブ２４３ｅの開度を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を１０〜１０００Ｐａの範囲であって、例えば５０Ｐａに維持する。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４０で制御するＴＥＭＡＨの供給量は０．０１〜２ｇ／ｍｉｎである。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｂで制御するキャリアガスの供給流量は、１００〜２００００ｓｃｃｍである。また、ＴＥＭＡＨガスに基板２００を晒す時間は３０〜１８０秒間である。このとき、ヒータ２０７の温度は、ウエハの温度が１８０〜２５０℃の範囲であって、例えば２２０℃になるよう設定する。   At this time, the opening degree of the valve 243e is appropriately adjusted so that the pressure in the processing chamber 201 is in the range of 10 to 1000 Pa, for example, 50 Pa. The supply amount of TEMAH controlled by the mass flow controller (MFC) 240 is 0.01 to 2 g / min. The supply flow rate of the carrier gas controlled by the mass flow controller (MFC) 241b is 100 to 20000 sccm. The time for exposing the substrate 200 to the TEMAH gas is 30 to 180 seconds. At this time, the temperature of the heater 207 is set so that the wafer temperature is in the range of 180 to 250 ° C., for example, 220 ° C.

（ステップ２）
続いて、原料ガス供給ライン２３２ａのバルブ２４３ａを閉め、ＴＥＭＡＨガスの供給を停止する。このとき、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｅは開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を例えば２０Ｐａ以下となるまで排気し、残留ＴＥＭＡＨガスを処理室２０１内から排除する。このとき、バルブ２４３ｃは開いたままとし、Ｎ２等の不活性ガスを処理室２０１内へ供給すると、残留ＴＥＭＡＨガスを処理室２０１内から排出する効果が更に高まる。 (Step 2)
Subsequently, the valve 243a of the source gas supply line 232a is closed, and the supply of TEMAH gas is stopped. At this time, the valve 243e of the gas exhaust pipe 231 is kept open, and the inside of the processing chamber 201 is exhausted to, for example, 20 Pa or less by the vacuum pump 246, and the residual TEMAH gas is removed from the processing chamber 201. At this time, when the valve 243c is kept open and an inert gas such as N 2 is supplied into the processing chamber 201, the effect of discharging the residual TEMAH gas from the processing chamber 201 is further enhanced.

（ステップ３）
続いて、反応ガス供給ライン２３２ｂのバルブ２４３ｂ、第２キャリアガス供給管２３４ｂの第４のバルブ２４３ｄを共に開ける。その結果、反応ガス供給ライン２３２ｂから供給された例えばＯ３ガスは、第２キャリアガス供給管２３４ｂから供給されたキャリアガスと合流（混合）した後、第２ノズル２３３ｂを介して処理室２０１内に供給されつつ、ガス排気管２３１から排気される。その結果、基板２００の表面に化学吸着しているＴＥＭＡＨガスのガス分子とＯ３ガスのガス分子とが表面反応して、基板２００上にＨｆＯ２膜が成膜される。 (Step 3)
Subsequently, the valve 243b of the reaction gas supply line 232b and the fourth valve 243d of the second carrier gas supply pipe 234b are both opened. As a result, for example, O 3 gas supplied from the reaction gas supply line 232b merges (mixes) with the carrier gas supplied from the second carrier gas supply pipe 234b, and then enters the processing chamber 201 via the second nozzle 233b. Is exhausted from the gas exhaust pipe 231. As a result, the TEMAH gas molecules chemically adsorbed on the surface of the substrate 200 and the O 3 gas molecules react with each other to form a HfO 2 film on the substrate 200.

この時、バルブ２４３ｅの開度を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を１０〜１０００Ｐａの範囲であって、例えば１００Ｐａに維持する。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａで制御するＯ３ガスの供給量は５０００〜２００００ｓｃｃｍである。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃで制御するキャリアガスの供給流量は、０〜２０００ｓｃｃｍである。また、Ｏ３ガスに基板２００を晒す時間は１０〜１２０秒間である。このとき、ヒータ２０７の温度は、ウエハの温度が１８０〜２５０℃の範囲であって、例えば２２０℃になるよう設定する。 At this time, the opening degree of the valve 243e is appropriately adjusted, and the pressure in the processing chamber 201 is maintained in the range of 10 to 1000 Pa, for example, 100 Pa. The supply amount of O 3 gas controlled by the mass flow controller (MFC) 241a is 5000 to 20000 sccm. The supply flow rate of the carrier gas controlled by the mass flow controller (MFC) 241c is 0 to 2000 sccm. The time for exposing the substrate 200 to the O 3 gas is 10 to 120 seconds. At this time, the temperature of the heater 207 is set so that the wafer temperature is in the range of 180 to 250 ° C., for example, 220 ° C.

（ステップ４） その後、反応ガス供給ライン２３２ｂのバルブ２４３ｂ及び、第２キャリアガス供給管２３４ｂの第４のバルブ２４３ｄを閉じ、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、残留するＯ３ガス（成膜に寄与した後のＯ３ガス）や反応副生成物等を排除する。このとき、バルブ２４３ｄは開いたままとし、Ｎ２等の不活性ガスを反応管２０３内に供給すると、残留するＯ３ガス等を処理室２０１内から排出する効果が更に高まる。 (Step 4) Thereafter, the valve 243b of the reaction gas supply line 232b and the fourth valve 243d of the second carrier gas supply pipe 234b are closed, the inside of the processing chamber 201 is evacuated by the vacuum pump 246, and the remaining O 3 gas (O 3 gas after contributing to the film formation) and reaction by-products are excluded. At this time, if the valve 243d is kept open and an inert gas such as N 2 is supplied into the reaction tube 203, the effect of exhausting the remaining O 3 gas or the like from the processing chamber 201 is further enhanced.

なお、上述のステップ１〜４の実施により、液体原料タンク１００ｔ内のＴＥＭＡＨが消費されて不足したら、バルブ７４３、６０３を閉じ、バルブ７４９、７４７、７４５、７４４、７４２、４０４、４０３、４０２、４０１を開けて、補充用原料タンク４００ｔから液体原料タンク１００ｔへとＴＥＭＡＨを圧送して補充してもよい。   If the TEMAH in the liquid raw material tank 100t is consumed and insufficient due to the execution of the above steps 1 to 4, the valves 743 and 603 are closed and the valves 749, 747, 745, 744, 742, 404, 403, 402, 401 may be opened and TEMAH may be pumped and replenished from the replenishing raw material tank 400t to the liquid raw material tank 100t.

（搬出工程）
上述したステップ１〜４を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返した後、基板２００上に所定の膜厚のＨｆＯ２膜を成膜したら、基板２００を処理室２０１内から搬出して基板処理工程を終了する。 (Unloading process)
Steps 1 to 4 described above are defined as one cycle, and after repeating this cycle a plurality of times, when a HfO 2 film having a predetermined film thickness is formed on the substrate 200, the substrate 200 is unloaded from the processing chamber 201 and subjected to substrate processing. The process ends.

なお、本実施形態では液体原料として例えばＴＥＭＡＨを用いる例を説明したが、本発明の実施態様は上記に限らず、液体原料として、ＴＤＭＡＴ（テトラジメチルアミノチタン：Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４）やＴＤＥＡ（テトラキスジエチルアミノ：Ｘ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４）等のＺｒ、Ｔｉ系の化合物、ＴＤＭＡ（テトラジメチルアミノ：Ｘ［Ｎ（ＣＨ３）２］４）のＺｒ系化合物を用いた場合であっても、好適に適用可能である。 In the present embodiment, for example, TEMAH is used as the liquid raw material. However, the embodiment of the present invention is not limited to the above, and TDMAT (tetradimethylamino titanium: Ti [N (CH 3 ) 2 ] is used as the liquid raw material. 4 ) and TDEA (tetrakisdiethylamino: X [N (C 2 H 5 ) 2 ] 4 ), etc. Zr, Ti compounds, ZDMA of TDMA (tetradimethylamino: X [N (CH 3 ) 2 ] 4 ) Even when a compound is used, it can be suitably applied.

（３）洗浄工程
続いて、本発明の一実施形態としての洗浄工程について説明する。なお、本実施形態にかかる洗浄工程は、例えば、上述した基板処理工程の実施後あるいは実施前に行われるものであり、半導体装置（デバイス）の製造工程の一つとして実施される。 (3) Cleaning Step Next, the cleaning step as one embodiment of the present invention will be described. The cleaning process according to the present embodiment is performed, for example, after or before the substrate processing process described above, and is performed as one of the semiconductor device (device) manufacturing processes.

本実施形態にかかる洗浄工程では、液体原料供給ライン１００内をアミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒で洗浄する。すなわち、アミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒を、溶媒供給ライン５００を介して液体原料供給ライン１００内に供給し、液体原料供給ライン１００内に残留した前記アミン系液体原料を除去する。以下に、具体的に説明する。   In the cleaning process according to the present embodiment, the inside of the liquid source supply line 100 is cleaned with a solvent having a higher vapor pressure than the amine-based liquid source. That is, a solvent having a vapor pressure higher than that of the amine-based liquid material is supplied into the liquid material supply line 100 via the solvent supply line 500, and the amine-based liquid material remaining in the liquid material supply line 100 is removed. This will be specifically described below.

（溶媒供給工程）
まず、真空ポンプ６４６を作動させた状態で、バルブ７５３、６０４、５０１、１０４、６０２、７１１、２４２ａを閉じ、バルブ７５９、７５７、７５５、７５４、７５２、５０８〜５０６、５０４〜５０２、１０３〜１０１、６０１を開けて、溶媒を、溶媒用タンク５００ｔ内から溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内へと供給（圧送）した後、バルブ６０１を経由して、ベントライン６００内へ排出（吸引）する。なお、溶媒供給工程においては、バルブ１０２を閉じてバルブ６０２を開くことで、気化器２４２へ溶媒を供給しないようにすることも出来る。さらに、上記において、バルブ５０２を閉じてバルブ５０１、１０４を開くことで、液体原料タンク１００ｔ内へ溶媒を供給して、液体原料タンク１００ｔ内を洗浄することも出来る。 (Solvent supply process)
First, in a state where the vacuum pump 646 is operated, the valves 753, 604, 501, 104, 602, 711, and 242a are closed, and the valves 759, 757, 755, 754, 752, 508 to 506, 504 to 502, 103 to 101, 601 are opened, and the solvent is supplied from the solvent tank 500t to the solvent supply line 500, the liquid source supply line 100, the vaporizer 242, and the source gas supply line 232a upstream of the valve 242a ( After being pumped), it is discharged (sucked) into the vent line 600 via the valve 601. In the solvent supply step, it is possible to prevent the solvent from being supplied to the vaporizer 242 by closing the valve 102 and opening the valve 602. Further, in the above, by closing the valve 502 and opening the valves 501 and 104, it is possible to supply the solvent into the liquid raw material tank 100t and clean the liquid raw material tank 100t.

なお、上述したとおり、洗浄用の溶媒を選択する際には、液体原料に対する溶解性だけでなく、洗浄用の溶媒の気化し易さに着目する必要がある。具体的には、洗浄用の溶媒の蒸気圧を液体原料の蒸気圧と同等以上とする。そのため、アミン系液体原料として、例えばＴＥＭＡＨ、ＴＤＭＡＴ、ＴＤＥＡ、ＴＤＭＡ等の化合物を用いた場合には、蒸気圧の低いシクロメチルへキサンではなく、例えばノルマルへキサンを溶媒として使用する。ノルマルへキサンは、シクロメチルへキサンと同様の洗浄効果があり、さらにシクロメチルへキサンよりも蒸気圧が高いため、液体原料供給ライン１００内等に残留したアミン系液体原料を除去しやすい。また、洗浄に使用する溶媒は、蒸気圧の高いものであればノルマルへキサン以外であっても使用可能である。   As described above, when selecting a cleaning solvent, it is necessary to pay attention not only to the solubility in the liquid raw material but also to the ease of vaporization of the cleaning solvent. Specifically, the vapor pressure of the cleaning solvent is made equal to or higher than the vapor pressure of the liquid raw material. Therefore, when a compound such as TEMAH, TDMAT, TDEA, TDMA or the like is used as the amine-based liquid raw material, for example, normal hexane is used as a solvent instead of cyclomethylhexane having a low vapor pressure. Normal hexane has the same cleaning effect as cyclomethyl hexane, and has a higher vapor pressure than cyclomethyl hexane, so that it is easy to remove the amine-based liquid raw material remaining in the liquid raw material supply line 100 and the like. In addition, the solvent used for washing may be other than normal hexane as long as it has a high vapor pressure.

（圧送パージ工程）
その後、バルブ７５２、５０８を閉め、バルブ７５３の下流側の溶媒供給ライン７５０’内、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内の残留物（液体原料や溶媒等）を排出（吸引）する。このとき、バルブ７５３を開けて、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内へ不活性ガスを供給すると、残留物（液体原料や溶媒等）が圧送され、排出効果がさらに高まる。 (Pressurizing purge process)
Thereafter, the valves 752 and 508 are closed, and the raw material gas supply line in the solvent supply line 750 ′, the solvent supply line 500, the liquid raw material supply line 100, the vaporizer 242 and the upstream side of the valve 242a on the downstream side of the valve 753. Residues (liquid raw material, solvent, etc.) in 232a are discharged (sucked). At this time, if an inert gas is supplied into the solvent supply line 500, the liquid raw material supply line 100, and the vaporizer 242 by opening the valve 753, the residue (liquid raw material, solvent, etc.) is pumped and the discharge effect is improved. Further increase.

また、上述の基板処理（成膜）工程の実施中に、補充用原料タンク４００ｔから液体原料タンク１００ｔへとＴＥＭＡＨを圧送して補充した場合には、バルブ４０４、４０１、７４２を閉じ、バルブ７４９、７４７、７４５〜７４３、４０３、４０２、６０３を開けて、バルブ４０４からバルブ４０１の間の補充用液体原料供給ライン４００内、及び分岐した補充用原料圧送ガス供給ライン７４０’内に不活性ガスを供給する。これにより、補充用液体原料供給ライン４００内の残留物（補充用液体原料等）を、ベントライン６００内へ排出（圧送）する。   When TEMAH is pumped from the replenishing raw material tank 400t to the liquid raw material tank 100t and replenished during the above-described substrate processing (film formation) step, the valves 404, 401, and 742 are closed and the valve 749 is closed. , 747, 745-743, 403, 402, 603, and an inert gas in the replenishing liquid raw material supply line 400 between the valve 404 and the valve 401 and in the branched replenishing raw material pressurized gas supply line 740 ′. Supply. As a result, the residue in the replenishment liquid raw material supply line 400 (replenishment liquid raw material or the like) is discharged (pressed) into the vent line 600.

（真空引き工程）
その後、バルブ７５３を閉じて、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内を真空排気する。また、バルブ７４３を閉じて、補充用液体原料供給ライン４００内、及びバルブ７４３の下流側の補充用原料圧送ガス供給ライン７４０’内を真空排気して洗浄工程を終了する。 (Evacuation process)
Thereafter, the valve 753 is closed, and the solvent supply line 500, the liquid source supply line 100, the vaporizer 242 and the source gas supply line 232a upstream of the valve 242a are evacuated. Further, the valve 743 is closed, the inside of the replenishing liquid source supply line 400 and the inside of the replenishing source pressure gas supply line 740 ′ on the downstream side of the valve 743 are evacuated to finish the cleaning process.

以上、洗浄工程の実施が完了したら、液体原料供給ライン１００、補充用液体原料供給ライン４００、溶媒供給ライン５００に設けられた各構成部品（バルブ、ＭＦＣ、レギュレータ等）や、液体原料タンク１００ｔ、気化器２４２等の交換を行うことが可能となる。この際、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、補
充用液体原料供給ライン４００内は既に真空排気されているため、液体原料や溶媒が大気に漏洩する可能性を排除できる。 As described above, when the cleaning process is completed, each component (valve, MFC, regulator, etc.) provided in the liquid source supply line 100, the replenishment liquid source supply line 400, the solvent supply line 500, the liquid source tank 100t, It is possible to exchange the vaporizer 242 and the like. At this time, since the solvent supply line 500, the liquid material supply line 100, the vaporizer 242 and the replenishment liquid material supply line 400 are already evacuated, there is a possibility that the liquid material and the solvent may leak to the atmosphere. Can be eliminated.

（４）本実施形態にかかる効果
本実施形態にかかる洗浄工程によれば、以下に示す１つ又はそれ以上の効果を奏する。 (4) Effects according to the present embodiment According to the cleaning process according to the present embodiment, one or more of the following effects are exhibited.

本実施形態においては、液体原料に対する溶解性だけでなく、洗浄用の溶媒の気化し易さに着目して溶媒を選択している。すなわち、洗浄用の溶媒の蒸気圧を液体原料の蒸気圧と同等以上としている。その結果、溶媒と混合した液体原料の蒸気圧を高めて、気化させ易くすることが出来る。すなわち、液体原料供給ライン１００内や溶媒供給ライン５００内から残留物（液体原料、溶媒）を排出させやすくなり、基板処理装置のダウンタイムを短縮することが出来る。   In the present embodiment, not only the solubility in the liquid raw material but also the ease of vaporization of the cleaning solvent is selected. That is, the vapor pressure of the cleaning solvent is equal to or higher than the vapor pressure of the liquid raw material. As a result, the vapor pressure of the liquid raw material mixed with the solvent can be increased to facilitate vaporization. That is, it becomes easy to discharge residues (liquid source and solvent) from the liquid source supply line 100 and the solvent supply line 500, and the downtime of the substrate processing apparatus can be shortened.

また、本実施形態においては、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内の残留物（液体原料や溶媒等）を排出する際、バルブ７５３を開けて、これらの内部に不活性ガスを供給する。その結果、残留物（液体原料や溶媒等）が圧送され、排出効果がさらに高まることとなり、基板処理装置のダウンタイムをさらに短縮することが出来る。   Further, in the present embodiment, when discharging residues (liquid source, solvent, etc.) in the solvent supply line 500, the liquid source supply line 100, and the vaporizer 242, the valve 753 is opened, Supply inert gas. As a result, the residue (liquid raw material, solvent, etc.) is pumped and the discharge effect is further enhanced, and the downtime of the substrate processing apparatus can be further shortened.

また、本実施形態においては、液体原料供給ライン１００、補充用液体原料供給ライン４００、溶媒供給ライン５００に設けられた各構成部品（バルブ、ＭＦＣ、レギュレータ等）や、液体原料タンク１００ｔ、気化器２４２等の交換を行う前に、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、補充用液体原料供給ライン４００内を真空排気している。その結果、各構成部品の交換に際して、液体原料や溶媒が大気に漏洩する可能性を低減でき、基板処理装置の取り扱いに関する安全性を向上させることができる。   In this embodiment, each component (valve, MFC, regulator, etc.) provided in the liquid source supply line 100, the replenishment liquid source supply line 400, and the solvent supply line 500, the liquid source tank 100t, and the vaporizer Before exchanging 242 and the like, the solvent supply line 500, the liquid material supply line 100, the vaporizer 242 and the replenishment liquid material supply line 400 are evacuated. As a result, when each component is replaced, the possibility that the liquid raw material or the solvent leaks to the atmosphere can be reduced, and the safety regarding the handling of the substrate processing apparatus can be improved.

また、本実施形態においては、上述の洗浄工程を、コントローラ２８０を用いて自動化することで、残留物の除去効率を向上させ、基板処理装置のダウンタイムを短縮するとともに、基板処理装置の取り扱いに関する安全性を向上させることができる。   In the present embodiment, the above-described cleaning process is automated using the controller 280, thereby improving the removal efficiency of the residue, reducing the downtime of the substrate processing apparatus, and handling the substrate processing apparatus. Safety can be improved.

＜本発明の他の実施態様＞
発明者の知見によれば、ライン（配管）内等の真空引きやパージを行う際には、高圧・大容量（第１の条件）での不活性ガスパージによる残留・付着成分の移動工程と、分圧比が最小となる流量（第２の条件）での不活性ガスパージによる揮発工程と、真空引きと、を繰り返すサイクルパージを行うことが、除去効率の向上には有効である。以下に、かかる知見に基づいてなされた本発明の他の実施形態について説明する。 <Other embodiments of the present invention>
According to the inventor's knowledge, when evacuating or purging the inside of a line (pipe) or the like, a process of moving residual / adherent components by inert gas purging at high pressure and large capacity (first condition); It is effective for improving the removal efficiency to perform a cycle purge that repeats a volatilization step by an inert gas purge at a flow rate that minimizes the partial pressure ratio (second condition) and evacuation. Below, other embodiment of this invention made | formed based on this knowledge is described.

なお、本実施形態は洗浄工程のみが上述の実施形態と異なる。すなわち、本実施形態にかかる処理炉の構成、及び基板処理工程は上述の実施形態とほぼ同一である。   This embodiment is different from the above-described embodiment only in the cleaning process. That is, the configuration of the processing furnace and the substrate processing process according to this embodiment are almost the same as those of the above-described embodiment.

（１）洗浄工程
本実施形態にかかる洗浄工程は、上述した溶媒供給工程を実施した後、液体原料供給ライン１００内を第１の条件でパージする工程と、液体原料供給ライン１００内を第２の条件でパージする工程と、液体原料供給ライン１００内を真空引きする工程と、を繰り返し行うように構成されている。 (1) Cleaning Step The cleaning step according to the present embodiment includes a step of purging the inside of the liquid source supply line 100 under a first condition after performing the above-described solvent supply step, and a step of purging the inside of the liquid source supply line 100 The process of purging under the above conditions and the process of evacuating the liquid source supply line 100 are repeated.

（溶媒供給工程）
本実施形態にかかる溶媒供給工程は、上述の溶媒供給工程とほぼ同一である。 (Solvent supply process)
The solvent supply process according to this embodiment is almost the same as the above-described solvent supply process.

（第１の条件でパージする工程）
続いて、液体原料供給ライン１００内を第１の条件でパージする。具体的には、バルブ７５２、５０８を閉め、バルブ７５３を開けて、バルブ７５３の下流側の溶媒供給ライン７５０’内、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内へ不活性ガスを供給する。このとき、大流量の不活性ガスを供給するようにマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７５６を調整する（第１の条件）。これにより、供給された不活性ガスの圧力を高圧とし、残留物（液体原料や溶媒等）のベントライン６００内への移動（圧送）を促進させる。 (Purging step under the first condition)
Subsequently, the inside of the liquid source supply line 100 is purged under the first condition. Specifically, the valves 752 and 508 are closed, the valve 753 is opened, the solvent supply line 750 ′ on the downstream side of the valve 753, the solvent supply line 500, the liquid raw material supply line 100, the vaporizer 242, the valve An inert gas is supplied into the source gas supply line 232a upstream of 242a. At this time, the mass flow controller (MFC) 756 is adjusted so as to supply a large flow of inert gas (first condition). As a result, the pressure of the supplied inert gas is increased, and the movement (pressure feeding) of the residue (liquid raw material, solvent, etc.) into the vent line 600 is promoted.

第１の条件としては、例えば、不活性ガスの流量値が５Ｌ／ｍｉｎ以上となるように、また、バルブ７５３の下流側の溶媒供給ライン７５０’内、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内の圧力がそれぞれ５Ｔｏｒｒ以上になるようにする。このような条件で不活性ガスを供給することで、不活性ガスの流速を利用して各ライン内や気化器内の物理的な残留物の移動を促進させることが出来る。例えば、従来は残留物の除去が困難であった各ライン内や気化器内における残留ポイント（温度低温部や、承ぎ手などの曲線部に起因するデットスペース等）においても、残留物の移動を促進させることが出来る。   As the first condition, for example, the flow rate value of the inert gas is 5 L / min or more, and in the solvent supply line 750 ′, the solvent supply line 500, the liquid raw material supply line on the downstream side of the valve 753. The pressure in 100, the vaporizer 242, and the source gas supply line 232a upstream of the valve 242a are set to 5 Torr or more. By supplying the inert gas under such conditions, the movement of the physical residue in each line or vaporizer can be promoted using the flow rate of the inert gas. For example, it is difficult to remove residues in the lines and vaporizers in the past, such as residual points (temperature and low temperature parts, dead space caused by curved parts such as handle), etc. Can be promoted.

（第２の条件でパージする工程）
続いて、液体原料供給ライン１００内を第２の条件でパージする。具体的には、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）７５６を用い、バルブ７５３の下流側の溶媒供給ライン７５０’内、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内における液体原料を気化させた原料ガス、及び溶媒が気化したガスの分圧比が最小となるように、不活性ガスの流量を調整する（第２の条件）。これにより、液体原料、及び溶媒の気化を促進させる。ここで、原料ガスの分圧比とは｛原料ガスの量／（不活性ガスの量＋原料ガスの量）｝×全圧であり、溶媒が気化したガスの分圧比とは｛溶媒が気化したガスの量／（不活性ガスの量＋溶媒が気化したガスの量）｝×全圧である。全圧とは、バルブ７５３の下流側の溶媒供給ライン７５０’内、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内における残留ガスの圧力である。ここで、分圧比が最小となる値とは、液体原料や溶媒の成分によってそれぞれ異なるが残留成分が最も気化しやすい値を検討して得た値とする。よって、分圧比が最小となる時に、除去効率が最も向上すると考えられる。 (Purging step under the second condition)
Subsequently, the inside of the liquid source supply line 100 is purged under the second condition. Specifically, using a mass flow controller (MFC) 756, in the solvent supply line 750 ′ downstream of the valve 753, in the solvent supply line 500, in the liquid raw material supply line 100, in the vaporizer 242, and upstream of the valve 242a. The flow rate of the inert gas is adjusted so that the partial pressure ratio of the source gas obtained by vaporizing the liquid source and the gas obtained by evaporating the solvent in the source gas supply line 232a is minimized (second condition). Thereby, vaporization of a liquid raw material and a solvent is promoted. Here, the partial pressure ratio of the raw material gas is {the amount of raw material gas / (the amount of inert gas + the amount of raw material gas)} × total pressure, and the partial pressure ratio of the gas in which the solvent is vaporized is {the solvent is vaporized. Amount of gas / (amount of inert gas + amount of gas vaporized by solvent)} × total pressure. The total pressure is the residual in the solvent supply line 750 ′ downstream of the valve 753, the solvent supply line 500, the liquid source supply line 100, the vaporizer 242, and the source gas supply line 232a upstream of the valve 242a. Gas pressure. Here, the value at which the partial pressure ratio is minimized is a value obtained by examining the value at which the residual component is most easily vaporized although it varies depending on the components of the liquid raw material and the solvent. Therefore, it is considered that the removal efficiency is most improved when the partial pressure ratio is minimized.

第２の条件としては、例えば、不活性ガスの流量値が１〜４Ｌ／ｍｉｎ以上となるように、また、バルブ７５３の下流側の溶媒供給ライン７５０’内、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内の圧力がそれぞれ５Ｔｏｒｒ以下になるようにする。このような条件で不活性ガスを供給することで、各ライン内や気化器内の残留物の蒸気圧が蒸気圧曲線に基づいて変化し、残留物の気化を促進させることが出来る。   As the second condition, for example, the flow rate value of the inert gas is 1 to 4 L / min or more, and in the solvent supply line 750 ′, the solvent supply line 500, the liquid raw material on the downstream side of the valve 753. The pressures in the supply line 100, the vaporizer 242 and the source gas supply line 232a on the upstream side of the valve 242a are set to 5 Torr or less, respectively. By supplying the inert gas under such conditions, the vapor pressure of the residue in each line or vaporizer changes based on the vapor pressure curve, and the vaporization of the residue can be promoted.

（真空引き工程）
続いて、バルブ７５３を閉じて、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内を真空排気する。また、バルブ７４３を閉じて、補充用液体原料供給ライン４００内も真空排気する。溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内には、他のラインとの合流部分などのトラップ部分が存在する場合がある。このトラップ部分内の残留ガスは、不活性ガスのガスフローのみでは排出速度が遅かったり、排出が困難だったりする場合がある。真空引き工程を実施することにより、トラップ部分と他の部分とに間に圧力差を発生させ、トラップ
部分内の残留ガスの排気を促進させることが可能となる。 (Evacuation process)
Subsequently, the valve 753 is closed, and the solvent supply line 500, the liquid source supply line 100, the vaporizer 242 and the source gas supply line 232a upstream of the valve 242a are evacuated. Further, the valve 743 is closed, and the inside of the replenishment liquid material supply line 400 is also evacuated. In the solvent supply line 500, the liquid raw material supply line 100, the vaporizer 242 and the raw material gas supply line 232a upstream of the valve 242a, there may be a trap portion such as a merged portion with other lines. . Residual gas in the trap portion may be slow to discharge or difficult to discharge only with the inert gas gas flow. By performing the evacuation step, it is possible to generate a pressure difference between the trap portion and the other portion, and promote exhaust of residual gas in the trap portion.

（繰り返し工程）
続いて、第１の条件でパージする工程と、第２の条件でパージする工程と、真空引きする工程と、を繰り返し実施して洗浄工程を終了する。 (Repeated process)
Subsequently, the step of purging under the first condition, the step of purging under the second condition, and the step of evacuating are repeatedly performed to finish the cleaning step.

（２）本実施形態にかかる効果
本実施形態にかかる洗浄工程によれば、以下に示す１つ又はそれ以上の効果を奏する。 (2) Effect concerning this embodiment According to the washing | cleaning process concerning this embodiment, there exists one or more effects shown below.

まず、第１の条件でパージする工程においては、バルブ７５３の下流側の溶媒供給ライン７５０’内、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内へ不活性ガスを供給する際、大流量の不活性ガスを供給するようにマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７５６を調整する。これにより、供給された不活性ガスが高圧となり、残留物（液体原料や溶媒等）のベントライン６００内への移動が促進され、除去効率がさらに向上される。   First, in the step of purging under the first condition, the solvent supply line 750 ′, the solvent supply line 500, the liquid source supply line 100, the vaporizer 242 and the upstream side of the valve 242a on the downstream side of the valve 753. When supplying the inert gas into the source gas supply line 232a, the mass flow controller (MFC) 756 is adjusted so as to supply a large flow rate of the inert gas. Thereby, the supplied inert gas becomes a high pressure, the movement of the residue (liquid raw material, solvent, etc.) into the vent line 600 is promoted, and the removal efficiency is further improved.

また、第２の条件でパージする工程においては、バルブ７５３の下流側の溶媒供給ライン７５０’内、溶媒供給ライン５００内、液体原料供給ライン１００内、気化器２４２内、バルブ２４２ａの上流側の原料ガス供給ライン２３２ａ内における液体原料、及び溶媒の分圧比が最小となるように不活性ガスの流量を調整する。その結果、液体原料、及び溶媒の気化が促進され、真空引き工程における残留物の除去効率がさらに向上される。   In the purging process under the second condition, the solvent supply line 750 ′, the solvent supply line 500, the liquid source supply line 100, the vaporizer 242 and the upstream side of the valve 242a on the downstream side of the valve 753. The flow rate of the inert gas is adjusted so that the partial pressure ratio between the liquid source and the solvent in the source gas supply line 232a is minimized. As a result, vaporization of the liquid raw material and the solvent is promoted, and the residue removal efficiency in the evacuation process is further improved.

そして、本実施の形態においては、液体原料供給ライン１００内を第１の条件でパージする工程と、液体原料供給ライン１００内を第２の条件でパージする工程と、液体原料供給ライン内を真空引きする工程と、を繰り返し行うことにより、残留物の除去効率をさらに向上させることが出来る。   In this embodiment, the process of purging the liquid source supply line 100 under the first condition, the process of purging the liquid source supply line 100 under the second condition, and the vacuum of the liquid source supply line The removal efficiency of the residue can be further improved by repeatedly performing the drawing step.

また、本実施形態においては、第１の条件でパージする工程と、第２の条件でパージする工程と、真空引きする工程と、を繰り返し実施して洗浄工程を、コントローラ２８０を用いて自動化することで、残留物の除去効率を向上させ、基板処理装置のダウンタイムを短縮するとともに、基板処理装置の取り扱いに関する安全性を向上させることができる。   In the present embodiment, the cleaning process is automated using the controller 280 by repeatedly performing the purging process under the first condition, the purging process under the second condition, and the vacuuming process. As a result, the removal efficiency of the residue can be improved, the downtime of the substrate processing apparatus can be shortened, and the safety regarding the handling of the substrate processing apparatus can be improved.

＜本発明のさらに他の実施態様＞
また、発明者の知見によれば、液体原料を供給する配管内を加熱して、配管内に残留している液体原料や溶媒の蒸気圧を上昇させることが、除去効率の向上には有効である。以下に、かかる知見に基づいてなされた本発明のさらに他の態様について説明する。 <Still another embodiment of the present invention>
Further, according to the knowledge of the inventor, heating the inside of the pipe for supplying the liquid raw material to increase the vapor pressure of the liquid raw material and the solvent remaining in the pipe is effective for improving the removal efficiency. is there. Below, the further another aspect of this invention made | formed based on this knowledge is demonstrated.

（１）処理炉の構成
本実施形態にかかる処理炉は、液体原料供給ライン１００内、補充用液体原料供給ライン４００内、溶媒供給ライン５００内を加熱するヒータが設けられている点が、上述の実施形態と異なる。その他の構成は、上述の実施形態とほぼ同一である。 (1) Configuration of Processing Furnace The processing furnace according to this embodiment is provided with a heater for heating the liquid source supply line 100, the replenishment liquid source supply line 400, and the solvent supply line 500. Different from the embodiment. Other configurations are substantially the same as those of the above-described embodiment.

具体的には、液体原料供給ライン１００、補充用液体原料供給ライン４００、溶媒供給ライン５００、溶媒供給ライン５００’の外周には、各ライン内を加熱することが出来るように、図示しないヒータが設けられている。また、分岐したベントライン６００のうち、バルブ６０２、６０３、６０４の上流側の外周にも、各ライン内を加熱する図示しないヒータが設けられている。また、分岐した補充用原料圧送ガス供給ライン７４０’のバルブ７４３の下流側の外周、及び分岐した溶媒圧送ガス供給ライン７５０’のバルブ７５３の下流側の外周にも、各ライン内を加熱する図示しないヒータが設けられている。なお、これらの図示しないヒータの温度は、コントローラ２８０により制御されるように構成さ
れている。 Specifically, a heater (not shown) is provided on the outer periphery of the liquid source supply line 100, the replenishment liquid source supply line 400, the solvent supply line 500, and the solvent supply line 500 ′ so that the inside of each line can be heated. Is provided. In addition, a heater (not shown) for heating the inside of each line is also provided on the outer periphery of the branched vent line 600 on the upstream side of the valves 602, 603, 604. In addition, the inside of each line is also heated to the outer periphery on the downstream side of the valve 743 of the branched replenishing raw material pressurized gas supply line 740 ′ and the outer periphery on the downstream side of the valve 753 of the branched solvent pressurized gas supply line 750 ′. No heater is provided. The temperature of these heaters (not shown) is configured to be controlled by the controller 280.

（２）基板処理工程
本実施形態にかかる基板処理工程では、液体原料の気化器への供給工程、及び成膜工程を実施する際に、液体原料供給ライン１００内を加熱するように構成されている。その他の工程は、上述の基板処理工程とほぼ同一である。 (2) Substrate Processing Step The substrate processing step according to the present embodiment is configured to heat the inside of the liquid source supply line 100 when performing the step of supplying the liquid source to the vaporizer and the film forming step. Yes. Other processes are almost the same as the above-described substrate processing process.

具体的には、バルブ５０４、５０２、４０１、６０２を閉じ、バルブ７２９、７２７、７２５、５０３、５０１、１０４、１０３、１０２、１０１を開けて、液体原料としてのＴＥＭＡＨを液体原料タンク１００ｔ内から気化器２４２内へと供給（圧送）する前に、液体原料供給ライン１００の外周に設けられた上述の図示しないヒータを用いて、液体原料供給ライン１００内を加熱しておく。この際、液体原料タンク１００ｔ内から気化器２４２内までの経路が常に略４０℃になるように加熱する。   Specifically, the valves 504, 502, 401, and 602 are closed, the valves 729, 727, 725, 503, 501, 104, 103, 102, and 101 are opened, and TEMAH as a liquid material is supplied from the liquid material tank 100t. Before supplying (pressure feeding) into the vaporizer 242, the inside of the liquid source supply line 100 is heated using the heater (not shown) provided on the outer periphery of the liquid source supply line 100. At this time, heating is performed so that the path from the liquid raw material tank 100t to the vaporizer 242 is always about 40 ° C.

これより、液体原料の経路全体において液体原料の温度を略一定に保つことが可能となり、液体原料の物性が管理しやすくなる。また、液体原料を気化器２４２内に供給する前に予備的に加熱することで、気化効率を向上させ、成膜処理の効率を向上させることが出来る。   As a result, the temperature of the liquid source can be kept substantially constant throughout the liquid source path, and the physical properties of the liquid source can be easily managed. Further, by preliminarily heating the liquid raw material before supplying it into the vaporizer 242, the vaporization efficiency can be improved and the efficiency of the film forming process can be improved.

（３）洗浄工程
本実施形態にかかる洗浄工程は、上述した溶媒供給工程、圧送パージ工程、真空引き工程を実施する際に、液体原料供給ライン１００内、補充用液体原料供給ライン４００内、溶媒供給ライン５００内、溶媒供給ライン５００’内、分岐したベントライン６００内のうちバルブ６０２、６０３、６０４の上流側、分岐した補充用原料圧送ガス供給ライン７４０’内のバルブ７４３の下流側の外周、分岐した溶媒圧送ガス供給ライン７５０’内のバルブ７５３の下流側を、上述したヒータにより加熱するように構成されている。 (3) Cleaning Step The cleaning step according to the present embodiment includes the liquid source supply line 100, the replenishment liquid source supply line 400, the solvent, and the like when the solvent supply step, the pressure feed purge step, and the evacuation step are performed. Outer periphery of the supply line 500, the solvent supply line 500 ′, and the branched vent line 600 upstream of the valves 602, 603, and 604, and the downstream of the valve 743 in the branched refilling raw material pressurized gas supply line 740 ′. The downstream side of the valve 753 in the branched solvent pressurized gas supply line 750 ′ is heated by the heater described above.

これにより、溶媒と混合した液体原料の蒸気圧をさらに高め、気化させ易くすることが出来る。その結果、液体原料供給ライン１００内や溶媒供給ライン５００内から残留物（液体原料、溶媒）を排出させやすくなり、基板処理装置のダウンタイムをさらに短縮することが出来る。   Thereby, the vapor pressure of the liquid raw material mixed with the solvent can be further increased and vaporized easily. As a result, it becomes easy to discharge residues (liquid source and solvent) from the liquid source supply line 100 and the solvent supply line 500, and the downtime of the substrate processing apparatus can be further shortened.

なお、本実施形態（ヒータによる加熱）は、上述した、液体原料供給ライン１００内を第１の条件でパージする工程と、液体原料供給ライン１００内を第２の条件でパージする工程と、液体原料供給ライン１００内を真空引きする工程と、を繰り返す工程においても適用可能である。これにより、残留物の除去効率をさらに向上させ、基板処理装置のダウンタイムをさらに短縮することが出来る。   In the present embodiment (heating by the heater), the above-described step of purging the liquid source supply line 100 under the first condition, the step of purging the liquid source supply line 100 under the second condition, The present invention can also be applied to a process of repeatedly evacuating the inside of the raw material supply line 100. Thereby, the residue removal efficiency can be further improved, and the downtime of the substrate processing apparatus can be further shortened.

＜本発明のさらに他の実施態様＞
上記の基板処理装置においては、液体原料や溶媒の除去が困難となるデットスペースを、極力小さく構成することが好ましい。例えば、バルブ１０４、４０１、５０１は液体原料タンク１００ｔに極力近づけることが好ましく、また、バルブ４０４は補充用原料タンク４００ｔに極力近づけることが好ましく、また、バルブ５０８は溶媒用タンク５００ｔに極力近づけることが好ましく、また、バルブ６０１、６０２、６０３、６０４はベントライン６００の下流側端部に極力近づけることが好ましい。 <Still another embodiment of the present invention>
In the above substrate processing apparatus, it is preferable that the dead space in which it is difficult to remove the liquid raw material and the solvent is made as small as possible. For example, the valves 104, 401, and 501 are preferably as close as possible to the liquid raw material tank 100t, the valve 404 is preferably as close as possible to the replenishing raw material tank 400t, and the valve 508 is as close as possible to the solvent tank 500t. Further, it is preferable that the valves 601, 602, 603, and 604 be as close as possible to the downstream end of the vent line 600.

また、上記においては、補充用液体原料供給ライン４００には溶媒を供給していないが、本発明は上述の実施形態に限定されない。すなわち、補充用液体原料供給ライン４００に対しても溶媒供給ライン５００を接続し、本発明を適用して補充用液体原料供給ライン４００内を溶媒で洗浄してもよい。   In the above description, no solvent is supplied to the replenishing liquid material supply line 400, but the present invention is not limited to the above-described embodiment. That is, the solvent supply line 500 may be connected to the replenishment liquid source supply line 400, and the inside of the replenishment liquid source supply line 400 may be washed with a solvent by applying the present invention.

また、上記においては、本発明の実施態様を、気化器を有する基板処理装置を例にとって説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されない。すなわち、液体原料を気化して原料ガスを発生させる機構を有すれば、ベーキング方式、バブリング方式を用いて液体原料を気化する基板処理装置に対しても、本発明は好適に適用可能である。   In the above description, the embodiment of the present invention has been described by taking the substrate processing apparatus having a vaporizer as an example. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment. That is, the present invention can be suitably applied to a substrate processing apparatus that vaporizes a liquid material by using a baking method or a bubbling method as long as it has a mechanism that vaporizes the liquid material and generates a material gas.

また、上記においては、本発明の実施態様を、縦型の処理炉を有する基板処理装置を例にとって説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されない。すなわち、液体原料を気化して原料ガスを発生させる機構を有すれば、枚葉式、ＨｏｔＷａｌｌ型、ＣｏｌｄＷａｌｌ型の処理炉を有する基板処理装置に対しても、本発明は好適に適用可能である。   In the above description, the embodiment of the present invention has been described by taking the substrate processing apparatus having a vertical processing furnace as an example, but the present invention is not limited to the above-described embodiment. That is, the present invention can be suitably applied to a substrate processing apparatus having a single-wafer type, HotWall type, or ColdWall type processing furnace as long as it has a mechanism for vaporizing a liquid source and generating a source gas. .

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。 <Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

本発明の一態様によれば、基板を処理室内に搬入する工程と、液体原料供給源より液体原料供給ラインを介してアミン系液体原料を気化器に供給し、該気化器により前記アミン系液体原料を気化し、該気化されたアミン系原料ガスを、原料ガス供給ラインを介して前記処理室内に供給して、前記基板上に膜を成膜する工程と、前記成膜後の前記基板を前記処理室内より搬出する工程と、前記液体原料供給ライン内を前記アミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒で洗浄する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, an amine liquid source is supplied from a liquid source supply source to a vaporizer via a liquid source supply line, and the amine liquid is supplied by the vaporizer. Vaporizing a raw material, supplying the vaporized amine-based source gas into the processing chamber via a source gas supply line, and forming a film on the substrate; and There is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising a step of carrying out the processing chamber and a step of cleaning the inside of the liquid source supply line with a solvent having a higher vapor pressure than the amine-based liquid source.

好ましくは、前記液体原料供給ライン内を第１の条件でパージする工程と、前記液体原料供給ライン内を第２の条件でパージする工程と、前記液体原料供給ライン内を真空引きする工程と、を繰り返し行う半導体装置の製造方法が提供される。   Preferably, the step of purging the inside of the liquid source supply line under a first condition, the step of purging the inside of the liquid source supply line under a second condition, the step of evacuating the inside of the liquid source supply line, A method for manufacturing a semiconductor device is provided.

好ましくは、前記アミン系液体原料をＴＥＭＡＨ（テトラエチルメチルアミノハフニウム）、又はＴＤＭＡＴ（テトラジメチルアミノチタン）、前記溶媒をノルマルヘキサンとする半導体装置の製造方法が提供される。   Preferably, a method of manufacturing a semiconductor device is provided in which the amine-based liquid material is TEMAH (tetraethylmethylaminohafnium) or TDMAT (tetradimethylaminotitanium) and the solvent is normal hexane.

本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、液体原料供給源より供給されたアミン系液体原料を気化する気化器と、前記液体原料供給源から前記気化器に前記アミン系液体原料を供給する液体原料供給ラインと、前記気化器より気化された前記基板上に膜を成膜するために必要なアミン系原料ガスを前記処理室内に供給する原料ガス供給ラインと、前記液体原料供給ライン内に残留したアミン系液体原料を除去するための溶媒を供給する溶媒供給ラインと、前記アミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒を、前記溶媒供給ラインを介して前記液体原料供給ライン内に供給し、該液体原料供給ライン内に残留した前記アミン系液体原料を除去するように制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a processing chamber for processing a substrate, a vaporizer for vaporizing an amine-based liquid source supplied from a liquid source supply source, and the amine system from the liquid source supply source to the vaporizer A liquid source supply line for supplying a liquid source, a source gas supply line for supplying an amine-based source gas necessary for forming a film on the substrate vaporized by the vaporizer into the processing chamber, and the liquid A solvent supply line for supplying a solvent for removing the amine-based liquid raw material remaining in the raw material supply line, and a solvent having a vapor pressure higher than that of the amine-based liquid raw material are supplied to the liquid raw material via the solvent supply line. There is provided a substrate processing apparatus having a controller for supplying the liquid into the line and controlling the amine-based liquid raw material remaining in the liquid raw material supply line to be removed.

本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面図を示し、（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図を示している。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram of the processing furnace of the substrate processing apparatus concerning one Embodiment of this invention, (a) shows the longitudinal cross-sectional view of a processing furnace, (b) has shown the AA arrow directional cross-sectional view. . 本発明の一実施の形態における基板処理装置が有する気化器、液体原料供給ライン、原料ガス供給ライン、及び溶媒供給ラインの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the vaporizer, the liquid raw material supply line, the raw material gas supply line, and the solvent supply line which the substrate processing apparatus in one embodiment of this invention has.

符号の説明Explanation of symbols

１００ 液体原料供給ライン
１００ｔ 液体原料タンク
２００ 基板
２０１ 処理室
２３２ａ 原料ガス供給ライン
２４２ 気化器
２８０ コントローラ
４００ 補充用液体原料供給ライン
４００ｔ 補充用原料タンク
５００ 溶媒供給ライン
５００ｔ 溶媒用タンク
６００ ベントライン
７１０ 原料ガス圧送ガス供給ライン
７２０ 原料圧送ガス供給ライン
７４０ 補充用原料圧送ガス供給ライン
７５０ 溶媒圧送ガス供給ライン DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Liquid raw material supply line 100t Liquid raw material tank 200 Substrate 201 Processing chamber 232a Raw material gas supply line 242 Vaporizer 280 Controller 400 Replenishing liquid raw material supply line 400t Replenishing raw material tank 500 Solvent supply line 500t Solvent tank 600 Vent line 710 Raw material gas Compressed gas supply line 720 Raw material pressurized gas supply line 740 Refill raw material pressurized gas supply line 750 Solvent pressurized gas supply line

Claims (3)

基板を処理室内に搬入する工程と、
液体原料供給源より液体原料供給ラインを介してアミン系液体原料を気化器に供給し、該気化器により前記アミン系液体原料を気化し、該気化されたアミン系原料ガスを、原料ガス供給ラインを介して前記処理室内に供給して、前記基板上に膜を成膜する工程と、
前記成膜後の前記基板を前記処理室内より搬出する工程と、
前記液体原料供給ライン内を前記アミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒で洗浄する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Carrying a substrate into the processing chamber;
An amine liquid source is supplied from a liquid source supply source to a vaporizer through a liquid source supply line, the amine liquid source is vaporized by the vaporizer, and the vaporized amine source gas is supplied to a source gas supply line. A step of supplying a film into the processing chamber via a film to form a film on the substrate;
Unloading the substrate after the film formation from the processing chamber;
Washing the liquid raw material supply line with a solvent having a higher vapor pressure than the amine liquid raw material;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: 基板を処理する処理室と、
液体原料供給源より供給されたアミン系液体原料を気化する気化器と、
前記液体原料供給源から前記気化器に前記アミン系液体原料を供給する液体原料供給ラインと、
前記気化器より気化された前記基板上に膜を成膜するために必要なアミン系原料ガスを前記処理室内に供給する原料ガス供給ラインと、
前記液体原料供給ライン内に残留したアミン系液体原料を除去するための溶媒を供給する溶媒供給ラインと、
前記アミン系液体原料よりも蒸気圧の高い溶媒を、前記溶媒供給ラインを介して前記液体原料供給ライン内に供給し、該液体原料供給ライン内に残留した前記アミン系液体原料を除去するように制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。 A processing chamber for processing the substrate;
A vaporizer for vaporizing an amine liquid source supplied from a liquid source supply source;
A liquid raw material supply line for supplying the amine liquid raw material from the liquid raw material supply source to the vaporizer;
A raw material gas supply line for supplying an amine-based raw material gas necessary for forming a film on the substrate vaporized from the vaporizer into the processing chamber;
A solvent supply line for supplying a solvent for removing the amine-based liquid raw material remaining in the liquid raw material supply line;
A solvent having a vapor pressure higher than that of the amine-based liquid raw material is supplied into the liquid raw material supply line via the solvent supply line, and the amine-based liquid raw material remaining in the liquid raw material supply line is removed. A controller to control;
A substrate processing apparatus comprising: 前記液体原料供給ライン内を第１の条件でパージする工程と、
前記液体原料供給ライン内を第２の条件でパージする工程と、
前記液体原料供給ライン内を真空引きする工程と、
を繰り返し行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 Purging the liquid source supply line under a first condition;
Purging the liquid source supply line in a second condition;
Evacuating the liquid source supply line; and
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014519705A (en) * 2011-05-28 2014-08-14 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド Refillable ampoule with purifying function
JP2022053164A (en) * 2020-09-24 2022-04-05 株式会社Kokusai Electric Substrate processing system, manufacturing method for semiconductor device, and program

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1088349A (en) * 1996-09-18 1998-04-07 Anelva Corp Vapor phase growth system
JP2006100737A (en) * 2004-09-30 2006-04-13 Tokyo Electron Ltd Vaporizer, film deposition apparatus and film depositing method
JP2007138240A (en) * 2005-11-17 2007-06-07 Tri Chemical Laboratory Inc Piping device and fluid feeder
JP2007194331A (en) * 2006-01-18 2007-08-02 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus
JP2007227871A (en) * 2006-01-24 2007-09-06 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1088349A (en) * 1996-09-18 1998-04-07 Anelva Corp Vapor phase growth system
JP2006100737A (en) * 2004-09-30 2006-04-13 Tokyo Electron Ltd Vaporizer, film deposition apparatus and film depositing method
JP2007138240A (en) * 2005-11-17 2007-06-07 Tri Chemical Laboratory Inc Piping device and fluid feeder
JP2007194331A (en) * 2006-01-18 2007-08-02 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus
JP2007227871A (en) * 2006-01-24 2007-09-06 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing system

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014519705A (en) * 2011-05-28 2014-08-14 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド Refillable ampoule with purifying function
US9347616B2 (en) 2011-05-28 2016-05-24 Entegris, Inc. Refillable ampoule with purge capability
KR101928120B1 (en) * 2011-05-28 2018-12-11 엔테그리스, 아이엔씨. Refillable ampoule with purge capability
US10551004B2 (en) 2011-05-28 2020-02-04 Entegris, Inc. Refillable ampoule with purge capability
JP2022053164A (en) * 2020-09-24 2022-04-05 株式会社Kokusai Electric Substrate processing system, manufacturing method for semiconductor device, and program
JP7191910B2 (en) 2020-09-24 2022-12-19 株式会社Kokusai Electric SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND PROGRAM

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