JP2003272874A - 電界発光素子及びエレクトロルミネッセンスディスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】変形の外力に対して電極の割れや剥離が起こり
にくい、又は変形の外力による電極の割れに対して導電
性を補償する、電界発光素子及びエレクトロルミネッセ
ンスディスプレイを提供する。 【解決手段】電界発光素子は、陽極２及び／又は陰極４
が、２，５−チオフェンジイル基及び置換又は無置換の
芳香族炭化水素がオルト縮合している複素環化合物の二
価基を少なくとも一つ有する重合体を含むか、或いは、
２，５−チオフェンジイル基及び置換又は無置換の芳香
族炭化水素がオルト縮合している複素環化合物の二価基
を少なくとも一つ有する重合体を含むバッファ層５を更
に含み、バッファ層５は、陽極２に隣接して設けられ
る、及び／又は陰極４に隣接して設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、本発明は、電界発
光素子に係り、特に該電界発光素子を画素として複数個
配列したエレクトロルミネッセンスディスプレイに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】電界発光（エレクトロルミネッセンス、
ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光が得られる為、様
々なディスプレイ装置の表示素子やバックライトのよう
な照明光源などへの利用が期待されている。ＥＬ素子の
基本的構造は、透明なガラス又は樹脂の基板上に、透明
な陽極、発光層を含む一又は複数の層（典型的には３乃
至５層）、陰極を順次積層した構造である。ＥＬ素子の
陽極と陰極との間に電圧を印加すると、ホール（正孔）
と電子が発光層に注入され、発光層は、ホールと電子の
再結合により生じたエネルギーを利用して発光する。

【０００３】また、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
ディスプレイは、一又は複数の上述のようなＥＬ素子を
配列し、各々の素子を画素として発光させることによっ
て、画像を形成する画像表示パネルである。

【０００４】ここで、ＥＬ素子の陽極は、通常発光を透
過する為に透明電極であり、その材料は、透明性導電膜
であるＩＴＯ（酸化スズインジウム）やＩＺＯ（酸化亜
鉛インジウム）、金などの仕事関数が大きい金属であ
る。

【０００５】また、陰極は、電子の注入効率を向上させ
る為に、その材料は、イオン化ポテンシャルや電子親和
力の小さな金属、これらの金属を含む合金、又はこれら
の金属と耐食性の高い金属との積層構造などが用いられ
ている。具体的には、ＭｇやＬｉなどの周期表１族及び
２族の金属やＡｌなどが陰極の材料として用いられてい
る。

【０００６】更に、発光層への電子の注入性を向上させ
る為に、陰極に接触して、ＳｒＯ（酸化ストロンチウ
ム）、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）などの酸化物や
ＬｉＦ（フッ化リチウム）などのフッ化物からなる厚さ
数オングストローム程度の超薄膜の層を設けることもあ
る。陰極と上記超薄膜とを組み合わせた構造は、二層電
極と呼ばれ、陰極と超薄膜との組み合わせで一つの電極
として機能する。二層電極は、通常、陰極の陽極側にＬ
ｉＦの超薄膜を形成したＡｌの陰極が用いられている。

【０００７】陽極と陰極とで挟まれた一又は複数の層
は、少なくとも発光層を含み、また公知の電子輸送層や
正孔輸送層などを含んでもよい。

【０００８】基板は、透明なガラス材料から成るガラス
基板や可撓性を有する樹脂材料から成る樹脂基板等が用
いられ、樹脂基板の場合には、ＥＬ素子が可撓性を有
し、従ってＥＬ素子を配列したＥＬディスプレイ全体も
可撓性を有する。このような樹脂基板のＥＬディスプレ
イは、平面上だけでなく曲面上にも取り付け可能とな
り、ＥＬディスプレイを必要とする装置において、樹脂
基板のＥＬディスプレイを折り曲げたり撓ませたりする
ことによって、空間を有効に利用した取り付けをするこ
とができる。特に樹脂基板をフィルム状に作成した場合
には、変形が容易である。また、樹脂は、ガラスと比較
して、射出成形などのように成形が容易である為、曲面
形状や、平面と異なる形状のＥＬディスプレイを容易に
製造できる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】可撓性を有する樹脂基
板のＥＬ素子を配列したＥＬディスプレイにおいて、Ｅ
Ｌディスプレイを曲げたり撓ませたりして変形する際
に、上述のような無機物で構成する電極（陽極及び陰
極）は、曲げなどの変形の外力に対して可撓性が低い。
この為、ＥＬディスプレイの曲率の大きい曲げに対し、
電極の膜の割れや電極と他の層との界面における剥離等
が発生し、樹脂基板を用いた可撓性を有するＥＬディス
プレイの信頼性や寿命は低下してしまう。

【００１０】本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あり、変形の外力に対して電極の割れや剥離が起こりに
くい電界発光素子及びエレクトロルミネッセンスディス
プレイを提供することを目的とする。

【００１１】また本発明は、変形の外力による電極の割
れに対して導電性を補償する電界発光素子及びエレクト
ロルミネッセンスディスプレイを提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板上に、陽極、陰極、並びに前記陽極及び前記陰極の
間にある発光層を有する電界発光素子において、前記陽
極及び／又は前記陰極は、２，５−チオフェンジイル基
及び置換又は無置換の芳香族炭化水素がオルト縮合して
いる複素環化合物の二価基を少なくとも一つ有する重合
体を含むことを特徴とする。

【００１３】請求項１記載の発明によれば、前記陽極及
び／又は前記陰極は、２，５−チオフェンジイル基及び
置換又は無置換の芳香族炭化水素がオルト縮合している
複素環化合物の二価基を少なくとも一つ有する重合体を
含むので、変形の外力に対して電極の割れや剥離が起こ
りにくい電界発光素子を提供することができる。

【００１４】請求項２記載の発明は、基板上に、陽極、
陰極、並びに前記陽極及び前記陰極の間にある発光層を
有する電界発光素子において、２，５−チオフェンジイ
ル基及び置換又は無置換の芳香族炭化水素がオルト縮合
している複素環化合物の二価基を少なくとも一つ有する
重合体を含む重合体含有層を更に含み、前記重合体含有
層は、前記陽極に隣接して設けられる、及び／又は前記
陰極に隣接して設けられることを特徴とする。

【００１５】請求項２記載の発明によれば、２，５−チ
オフェンジイル基及び置換又は無置換の芳香族炭化水素
がオルト縮合している複素環化合物の二価基を少なくと
も一つ有する重合体を含む重合体含有層を更に含み、前
記重合体含有層は、前記陽極に隣接して設けられる、及
び／又は前記陰極に隣接して設けられるので、変形の外
力による電極の割れに対して導電性を補償する電界発光
素を提供することができる。

【００１６】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の電界発光素子において、前記芳香族炭化水素は、ベ
ンゼン又はナフタレンであることを特徴とする。

【００１７】請求項３記載の発明により、前記芳香族炭
化水素がベンゼンである場合には、前記重合体を容易に
合成することができ、また前記芳香族炭化水素がナフタ
レンである場合には、導電性及び透明性がより高い電極
又は重合体含有層を提供することができる。

【００１８】請求項４記載の発明は、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイにおいて、請求項１乃至３いずれ
か１項記載の電界発光素子を複数個配列して形成される
ことを特徴とする。

【００１９】請求項４記載の発明によれば、エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイが、請求項１乃至３いずれ
か１項記載の電界発光素子を複数個配列して形成される
ので、変形の外力に対して電極の割れや剥離が起こりに
くいエレクトロルミネッセンスディスプレイ、又は変形
の外力による電極の割れに対して導電性を補償するエレ
クトロルミネッセンスディスプレイを提供することがで
きる。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。

【００２１】本発明のＥＬ素子においては、電極が、化
学式（１）

【００２２】

【化１】 に示す２，５−チオフェンジイル基及び置換又は無置換
の芳香族炭化水素がオルト縮合している複素環化合物の
二価基を少なくとも一つ有する重合体を含む。オルト縮
合とは、二つの環が二個の原子のみを共有した縮合であ
り、ここでは、２，５−チオフェンジイル基と置換又は
無置換の芳香族炭化水素とが、２，５−チオフェンジイ
ル基のｃ辺（２，５−チオフェンジイル基の３位と４位
の炭素を結ぶ辺）で縮合することを意味する。また、二
価基は、遊離原子価を二つ含むことであり、ここでは、
２，５−チオフェンジイル基の二つの遊離原子価を意味
する。上記複素環化合物の二価基は、上記重合体の主鎖
及び／又は側鎖に含まれる。

【００２３】上記芳香族炭化水素は、炭素原子数が５乃
至２２の単環又は縮合多環の芳香族炭化水化合物であ
り、例えば、ベンゼン、シクロペンタジエン、インデ
ン、ナフタレン、アントラセン、アントラセン、フェナ
ントレン、ナフタセン、クリセン、ピレン、ペンタセ
ン、ペンタフェン、ペリレン、ビフェニルなどである。

【００２４】上記無置換芳香族炭化水素の無置換は、炭
素原子に水素原子が結合していることを意味する。

【００２５】上記置換芳香族炭化水素は、一又は複数の
炭素が置換基で置換される。上記置換芳香族炭化水素の
置換基は、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置
換のアルケニル基、置換又は無置換のアルキニル基、置
換又は無置換の共役ポリエニル基、置換又は無置換のア
ルコキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又
は無置換のアミノ基、置換又は無置換のアリール基、置
換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のア
リールチオ基、置換又は無置換のヘテロアリール基、及
び置換又は無置換の脂肪族複素環基からなる群からそれ
ぞれ独立に選択される。上記置換芳香族炭化水素の置換
基が複数ある場合には、各々の置換基は、同一であって
も異なっていてもよい。

【００２６】上記無置換のアルキル基は、具体的には、
直鎖又は分岐の炭素原子数１乃至１０のアルキル基であ
り、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒ
ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−へプチ
ル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルなどであ
る。

【００２７】上記無置換のアルケニル基は、直鎖又は分
岐の炭素原子数２乃至１０のアルケニル基であり、例え
ば、ビニル、アリル、１−ブテニル、２−ブテニル、３
−ペンテニルなどである。

【００２８】上記無置換のアルキニル基は、直鎖又は分
岐の炭素原子数２乃至１０のアルキニル基であり、例え
ば、エチニル、プロパルギル、３−ペンチニルなどであ
る。

【００２９】上記無置換の共役ポリエニル基は、炭素原
子数４乃至１０の共役ポリエン基であり、例えば、１，
３−ブタジエニル、１，３，５−ヘキサトリエニル、
１，３，５，７−オクタテトラエニル、１，３，５，
７，９−デカペンタエニルなどである。

【００３０】上記無置換のアルコキシ基は、直鎖又は分
岐の炭素原子数１乃至１０のアルコキシ基であり、例え
ばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、
ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ
−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキ
シ、ｎ−へプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノ
ニルオキシ、ｎ−デシルオキシなどである。

【００３１】上記無置換のアルキルチオ基は、直鎖又は
分岐の炭素原子数１乃至１０のアルキルチオ基であり、
例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチオ、イ
ソプロピルチオ、ｎ−ブチルチオ、イソブチルチオ、ｓ
ｅｃ−ブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ、ｎ−ペンチ
ルチオ、ｎ−ヘキシルチオ、ｎ−へプチルチオ、ｎ−オ
クチルチオ、ｎ−ノニルチオ、ｎ−デシルチオなどであ
る。

【００３２】ここで、上記置換のアルキル基、上記置換
のアルケニル基、上記置換のアルキニル基、上記置換の
共役ポリエニル基、上記置換のアルコキシ基、上記置換
のアルキルチオ基、それぞれ上記無置換のアルキル基、
上記無置換のアルケニル基、上記無置換のアルキニル
基、上記無置換の共役ポリエニル基、上記無置換のアル
コキシ基、上記無置換のアルキルチオ基に対して、ハロ
ゲン基、例えば、フルオロ、クロロ、ブロモ、ヨードを
置換基として置換した置換体であり、これら置換基の数
や置換する位置は特に限定しない。

【００３３】上記無置換のアリール基は、炭素原子数が
５乃至１４の単環又は縮合多環の芳香族炭化水素基であ
り、例えばフェニル、シクロペンタジエニル、２−イン
デニル、１−ナフタレニル、ナフチル、１−アントラセ
ニル、アントリル、１−フェナントレニル、フェナント
リル、４−ビフェニリルなどである。

【００３４】上記無置換のアリールオキシ基は、炭素原
子数が５乃至１４の単環又は縮合多環のアリールオキシ
基であり、例えばフェニルオキシ、シクロペンタジエニ
ルオキシ、２−インデニルオキシ、１−ナフタレニルオ
キシ、ナフチルオキシ、１−アントラセニルオキシ、ア
ントリルオキシ、１−フェナントレニルオキシ、フェナ
ントリルオキシ、４−ビフェニリルオキシなどである。

【００３５】上記無置換のアリールチオ基は、炭素原子
数が５乃至１４の単環又は縮合多環のアリールチオ基で
あり、例えばフェニルチオ、シクロペンタジエニルチ
オ、２−インデニルチオ、１−ナフタレニルチオ、ナフ
チルチオ、１−アントラセニルチオ、アントリルチオ、
１−フェナントレニルチオ、フェナントリルチオ、４−
ビフェニリルチオなどである。

【００３６】上記無置換のヘテロアリール基は、炭素原
子数及びヘテロ原子数の和が５乃至１４であって、窒素
原子、酸素原子、硫黄原子の少なくとも一つを含むヘテ
ロアリール基であり、例えば、ピロリル、イミダゾリ
ル、ピラゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニ
ル、フリル、チエニル、チアゾリル、イソチアゾリル、
オキサゾリル、イソオキサゾリル、キノリル、キノキサ
リニル、インドリル、カルバゾリル、アクリジニルなど
である。

【００３７】上記無置換の脂肪族複素環基は、炭素原子
数及びヘテロ原子数の和が５乃至１０であって、窒素原
子、酸素原子、硫黄原子の少なくとも一つを含むヘテロ
アリール基であり、例えば、ピロリジニル、ピラゾリニ
ル、ピペリジル、ピペラジニル、モルホリニル、インド
リニル、クロマニルなどである。

【００３８】ここで、上記置換のアリール基、上記置換
のアリールオキシ基、上記置換のアリールチオ基、上記
置換のヘテロアリール基、上記置換の脂肪族複素環基、
上記置換のアミノ基の置換基は、上記無置換のアリール
基は、上記無置換のアリールオキシ基は、上記無置換の
アリールチオ基、上記無置換のヘテロアリール基、上記
無置換の脂肪族複素環基、アミノ基に対して、直鎖又は
分岐の炭素原子数１乃至５のアルキル基、例えばメチ
ル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチ
ル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、
ｎ−ペンチル、やハロゲン基、例えば、フルオロ、クロ
ロ、ブロモ、ヨードを置換基として置換した置換体であ
り、これら置換基の数や置換する位置は特に限定しな
い。

【００３９】上記置換芳香族炭化水素の置換基が複数あ
る場合において、少なくとも２つの置換基（上記置換芳
香族炭化水素の置換基）が互いに結合して環を形成して
もよいし、結合せずに個別の置換基であってもよい。こ
のような置換基間の結合の様式は、単結合、二重結合、
共役二重結合など特に限定はされない。また、上記置換
基間の結合は、各置換基における一つの原子間で一つの
結合を形成してもよく、また各置換基における複数の原
子間で複数の結合を形成してもよい。例えば、上記芳香
族炭化水素の隣接する二つの炭素原子に結合する二つの
ビニル基について、該二つのビニル基の末端水素を遊離
原子価として結合させると、該芳香族炭化水素に縮合す
るベンゼン環が形成される。

【００４０】本発明のＥＬ素子に使用する重合体におい
て、上記芳香族炭化水素をベンゼンとすると、上記重合
体は、一般式（２）

【００４１】

【化２】 で表される複素環化合物の二価基を少なくとも一つ有す
る。一般式（２）において、複素環化合物の二価基の数
ｎは、１以上の整数であり、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ
_４は、水素原子又は上記芳香族炭化水素の置換基であ
る。

【００４２】上記一般式（２）で表される複素環化合物
の二価基からなる重合体の具体例として、Ｒ_１＝Ｒ_２＝
Ｒ_３＝Ｒ_４＝Ｈである重合体は、ポリ（イソチアナフテ
ン）（ポリ（ベンゾ［ｃ］チオフェン−１，３−ジイ
ル））となる。

【００４３】また、本発明のＥＬ素子に使用する重合体
において、上記芳香族炭化水素をナフタレンとすると、
上記重合体は、一般式（３）

【００４４】

【化３】 で表される複素環化合物の二価基を少なくとも一つ有す
る。一般式（３）において、複素環化合物の二価基の数
ｍは、１以上の整数であり、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８、
Ｒ_９、又はＲ_１０は、水素原子又は上記芳香族炭化水素
の置換基である。

【００４５】また、一般式（３）で表される複素環化合
物の二価基からなる重合体の具体例として、Ｒ_４＝Ｒ_５
＝Ｒ_６＝Ｒ_７＝Ｒ_８＝Ｒ_９＝Ｒ_１０＝Ｈである重合体
は、ポリ（ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−
ジイル）となる。

【００４６】ここで、ポリ（イソチアナフテン）とポリ
（ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル）
を比較すると、ポリ（ナフト［２，３−ｃ］チオフェン
−１，３−ジイル）の方が、ポリ（イソチアナフテン）
よりも芳香環の共役系が拡張されている為にバンドギャ
ップが相対的に小さくなる。ポリ（ナフト［２，３−
ｃ］チオフェン−１，３−ジイル）は、バンドギャップ
が小さい為に、ポリ（イソチアナフテン）よりも電極の
導電性が向上し、可視光の吸収波長が赤外領域に移行し
て電極の透明性も向上し、電極や後述の電極用バッファ
層などに使用する際には都合がよい。

【００４７】一方、ポリ（イソチアナフテン）は、チオ
フェンにベンゼンが縮合した構造をしており、チオフェ
ンにナフタレンが縮合した構造のポリ（ナフト［２，３
−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル）と比較して合成が
容易である。

【００４８】一般式（２）で表される複素環化合物の二
価基からなる重合体の一般的な合成方法としては、A.
J. Hegger等によるJ. Org. Chem. 1984, 49, 3382-3384
に記載されている電気化学的方法や化学的なカチオン重
合を使用することができる。

【００４９】簡単の為に、ポリ（イソチアナフテン）に
ついてのカチオン重合による合成方法を、次の反応スキ
ームを用いて説明する。

【００５０】

【化４】 まず、α，α’−ジクロロ−ｏ−キシレンをＮａ_２Ｓと
反応させることにより環化し、１，３−ジヒドロイソチ
アナフテンを合成する。次にＮａ_２ＩＯ_４などの酸化剤
を使用して、１，３−ジヒドロチアナフテン−２−オキ
シドを合成する。さらに、Ａｌ_２Ｏ_３を用いて脱水し
て、イソチアナフテンを合成する。イソチアナフテンを
硫酸のような酸触媒を用いてカチオン重合することによ
り、ポリ（イソチアナフテン）が生成する。また、１，
３−ジヒドロチアナフテン−２−オキシドを、硫酸を触
媒としてカチオン重合させることによってもポリ（イソ
チアナフテン）を合成することができる。

【００５１】また、ポリ（ナフト［２，３−ｃ］チオフ
ェン−１，３−ジイル）を合成する為には、次の反応式

【００５２】

【化５】 に示すように、上記のポリ（イソチアナフテン）の合成
方法でα，α’−ジクロロ−ｏ−キシレンの代わりに、
１，８−ビス（ブロモメチル）ナフタレンなどを使用す
ればよい。

【００５３】上記複素環化合物の二価基を有する重合体
は、バンドギャップが小さく導電性が高いため、ＥＬ素
子の電極材料として使用することができる。また、該重
合体を含む電極は、無機物の電極と比較して可撓性が高
い。この為、基板に樹脂のような可撓性基板を使用した
可撓性のＥＬ素子において、ＥＬ素子に加わる変形の外
力に対して電極の割れや剥がれが起こりにくい。したが
って、上記複素環化合物の二価基を有する重合体を使用
することで、可撓性のＥＬ素子の信頼性や寿命を向上さ
せることができる。

【００５４】本発明のＥＬ素子において、上記複素環化
合物の二価基を有する重合体を含む電極は、陽極又は陰
極のどちらでもよく、また陽極と陰極との両方に用いて
もよい。例えば、図１（ａ）のように陰極４を上記重合
体で形成したり、図１（ｂ）のように陽極２と陰極４と
の両方を上記重合体で形成してもよい。なお図１におい
て、上記複素環化合物の二価基を有する重合体は、点の
塗りつぶしで表してある。

【００５５】また本発明のＥＬ素子において、上記複素
環化合物の二価基を有する重合体は、電極に直接加える
のでなく、電極に隣接する層に加えてもよい。電極が無
機物からなる場合には、上記重合体を含む層を該電極に
隣接して設けることで、該電極に割れが生じたとしても
導電性を補償することができる。すなわち、上記重合体
を含む層は、電極の補助電極として機能するバッファ層
となる。このようなバッファ層を、特に電極の割れやす
い部分に隣接して設けることによって、ＥＬ素子が完全
に故障することを避けることができる。なお、本明細書
におけるバッファ層は、特許請求の範囲における請求項
２に記載の重合体含有層に含まれる。

【００５６】また、電極を形成する膜の応力を減らす為
に、及び電極の透明度を増す為に、電極の厚さを薄くし
た時には、電極を薄くしたことによる導電性の低下を補
助する為に、バッファ層を電極に隣接するように設けて
もよい。このようにバッファ層を設けることで、電極の
低下した導電性を補助するとことができ、またバッファ
層は可撓性があるので、電極からの剥離が起こりにくい
という利点がある。

【００５７】上記重合体を含むバッファ層は、陽極、陰
極のどちらにも隣接して使用することができ、陽極と陰
極の両方に隣接して設けてもよい。また、上記重合体を
含むバッファ層は、導電性を補助する電極の上下どちら
の面上に設けても良く、両面上に設けてもよい。例え
ば、図２（ａ）のように、陽極２の可撓性基板１側に上
記複素環化合物の二価基を有する重合体で形成されるバ
ッファ層５を設けたり、図２（ｂ）のように陰極４の両
面に二つのバッファ層５を設けたり、また図２（ｃ）に
示すように陽極２の可撓性基板１側と、陰極２の可撓性
基板１と反対側に、二つのバッファ層５を設けることも
できる。

【００５８】更に、電極が二層電極である場合には、二
層電極の上下の面上、及び層の間のいずれにもバッファ
層を設けることができる。また、バッファ層は、一層だ
けでなく二層以上設けてもよい。例えば、図３におい
て、第一の陰極二層電極４ａをＡｌ電極、（ａ）のよう
に第二の陰極二層電極４ｂをＬｉＦ層とすると、図３
（ａ）のようにＡｌ電極４ａの可撓性基板１と反対側に
バッファ層を設けたり、図３（ｂ）のようにＡｌ電極４
ａの可撓性基板１と反対側と、Ａｌ電極４ａとＬｉＦ層
４ｂとの間とに、二つのバッファ層５を設けてもよい。
図３（ｂ）のように、二つのバッファ層５でＡｌ電極４
ａを挟むことにより、可撓性のＥＬ素子の変形に対する
Ａｌ電極４ａの割れに対して、導電性を効果的に補助す
ることができる。

【００５９】上記複素環化合物の二価基を有する重合体
を含む電極及びバッファ層は、従来の抵抗加熱蒸着法、
電子ビーム法、スパッタリング法、コーティング法など
を適宜使用することによって形成することができる。

【００６０】以上のような本発明のＥＬ素子を複数個配
列することにより、各ＥＬ素子を画素とした表示装置で
あるＥＬディスプレイを形成することができる。ここで
基板に樹脂のような可撓性基板を使用した場合には、Ｅ
Ｌディスプレイを容易に変形させることが可能となる。
また本発明のＥＬ素子を使用している為、変形の外力に
対するディスプレイの信頼性及び寿命を向上させること
ができる。

【００６１】

【実施例】［ポリ（イソチアナフテン）の合成］Ｎａ_２
Ｓ・９Ｈ_２Ｏ７１．２ｇを水１２０ｍｌに溶かし、エタ
ノール４００ｍｌを加えて、セパラブルフラスコに入れ
て攪拌した後、α，α’−ジクロロ−ｏ−キシレン３０
ｇ（０．１７１ｍｏｌ）を溶かした２００ｍｌのエタノ
ール溶液を２．５時間かけて滴下した。２時間攪拌して
反応物を反応させた後、沈殿物をろ過し、ロータリーエ
バポレータを用いて、ろ液中のエタノールを除去した。
次にエタノール蒸発後の残留物に水を加え、ジエチルエ
ーテルで目的物を溶媒抽出し、抽出物を水で数回洗浄し
た。硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレー
タを用いて抽出溶媒のジエチルエーテルを除去し、１，
３−ジヒドロイソチアナフテン２０．７７３ｇ（０．１
５３ｍｏｌ／収率８９．５％）を得た。

【００６２】次いで、過ヨウ素酸ナトリウム３５．１３
ｇ（０．１６４ｍｏｌ）を水及びメタノールの混合溶媒
（５０％）７５０ｍｌに溶かし、メタノールにドライア
イスを加えて冷却したセパラブルフラスコに入れて攪拌
した後、この溶液に先の合成した２，７−ジヒドロイソ
チアナフテン２０．７７３ｇ（０．１５３ｍｏｌ）を加
え、液温を８℃乃至１０℃に保ち、８時間３０分間反応
させた。ろ過により生じた沈殿物を取り除いた後、ロー
タリーエバポレーターで溶媒を除去し、真空乾燥した。
この生成物に酢酸エチル及びシクロヘキサンを加え再び
沈殿物を得た。その後、沈殿物をろ過し、ろ液を常温に
放置すると１，３−ジヒドロイソチアナフテン−２−オ
キシドの結晶を得た。この結晶を、ろ過し再度、酢酸エ
チル及びシクロヘキサンを用いて再結晶を行った。ろ液
からロータリーエバポレータで溶媒を除去し、再び酢酸
エチル及びシクロヘキサンを用いて再結晶を行った。

【００６３】得られた１，３−ジヒドロイソチアナフテ
ン−２−オキシド結晶３．９５５ｇに、Ａｌ_２Ｏ_３（グ
レードI）５ｇを加えて乳鉢ですり合わせ、昇華精製装
置を用いて１３５℃で脱水反応を行った。昇華管にイソ
チアナフテンの結晶が付着した（３．４０６ｇ）。

【００６４】脱水反応により得られたイソチアナフテン
０．５ｇに６．５ｍｌの硫酸を加えて一晩反応させた溶
液を、５００ｍｌのメタノール中に加えることで沈殿物
を得た。その後沈殿物をろ過し、真空中でソックスレイ
抽出器を使用したジクロロメタンとクロロベンゼンによ
る溶媒抽出で、ポリ（イソチアナフテン）を得た。な
お、この重合反応は、ジクロロメタンに硫酸を分散させ
た分散系を使用しても行うことができる。

【００６５】得られたポリ（イソチアナフテン）の赤外
吸収スペクトルを、ＫＢｒ法を用いたフーリエ変換赤外
分光法により測定した。測定結果を、横軸を波数（ｃｍ
^−１）、縦軸を透過率（％）として、図４に示す。得ら
れた赤外吸収スペクトルの主な吸収線の波数（ｃ
ｍ^−１）は、３０６０、３０２４、１９５２、１９２
２、１６８６、１６２８、１５９０、１４５２、１４０
０、１２８４、１１８６、１１５０、１０４０、９８
０、９４８、８７０、８３８、７５４、６２６、６０
２、５３６である。

【００６６】一方、文献J. Org. Chem. 1984, 49, 3382
-3384に記載されているA. J. Hegger等により合成され
たポリイソチアナフテンの赤外吸収スペクトルの指紋領
域における吸収線の波数（ｃｍ^−１）は、１４４５、１
３７０、１２５０、１２１５、１１８０、１１３０、１
０４０、８６５、８３０、７３０、４２５であり、発明
者による測定値は、上記文献に掲載されている値と概ね
一致した。

【００６７】

【発明の効果】本発明によれば、変形の外力に対して電
極の割れや剥離が起こりにくい電界発光素子及びエレク
トロルミネッセンスディスプレイを提供することができ
る。また本発明によれば、変形の外力による電極の割れ
に対して導電性を補償する電界発光素子及びエレクトロ
ルミネッセンスディスプレイを提供することができる。

【００６８】

【図面の簡単な説明】

【図１】電極をポリ（イソチアナフテン）で形成した本
発明のＥＬ素子の図であり、（ａ）は、陰極をポリ（イ
ソチアナフテン）で形成したＥＬ素子の図、（ｂ）は、
陽極及び陰極の両方をポリ（イソチアナフテン）で形成
したＥＬ素子の図である。

【図２】ポリ（イソチアナフテン）からなる層を電極の
バッファ層とした本発明のＥＬ素子の図であり、（ａ）
は、陽極の片面にバッファ層を設けたＥＬ素子の図、
（ｂ）は、陰極の両面にバッファ層を設けたＥＬ素子の
図、（ｃ）は、陽極及び陰極の両方にバッファ層を設け
たＥＬ素子の図である。

【図３】ポリ（イソチアナフテン）からなる層を二層電
極のバッファ層とした本発明のＥＬ素子の図であり、
（ａ）は、二層電極の片面にバッファ層を設けたＥＬ素
子の図、（ｂ）は、二層電極の一方を二つのバッファ層
で挟んだＥＬ素子の図である。

【図４】本発明のＥＬ素子の電極、又は電極のバッファ
層に使用できるポリ（イソチアナフテン）の赤外吸収ス
ペクトルである。

【符号の説明】

１ 可撓性基板 ２ 陽極 ３ 発光層 ４ 陰極 ４ａ 第一の陰極二層電極 ４ｂ 第二の陰極二層電極 ５ バッファ層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、陽極、陰極、並びに前記陽極
   及び前記陰極の間にある発光層を有する電界発光素子に
   おいて、 前記陽極及び／又は前記陰極は、２，５−チオフェンジ
   イル基及び置換又は無置換の芳香族炭化水素がオルト縮
   合している複素環化合物の二価基を少なくとも一つ有す
   る重合体を含むことを特徴とする電界発光素子。
2. 【請求項２】 基板上に、陽極、陰極、並びに前記陽極
   及び前記陰極の間にある発光層を有する電界発光素子に
   おいて、 ２，５−チオフェンジイル基及び置換又は無置換の芳香
   族炭化水素がオルト縮合している複素環化合物の二価基
   を少なくとも一つ有する重合体を含む重合体含有層を更
   に含み、 前記重合体含有層は、前記陽極に隣接して設けられる、
   及び／又は前記陰極に隣接して設けられることを特徴と
   する電界発光素子。
3. 【請求項３】 前記芳香族炭化水素は、ベンゼン又はナ
   フタレンであることを特徴とする請求項１又は２記載の
   電界発光素子。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３いずれか１項記載の電界
   発光素子を複数個配列して形成されることを特徴とする
   エレクトロルミネッセンスディスプレイ。