JP2003262552A - 温度検知回路 - Google Patents
温度検知回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】出力電圧と温度との関係が直線となる温度領域
を広くする。 【解決手段】演算増幅器２の反転入力端子２ａに負特性
サーミスタ４を接続する。演算増幅器２の負帰還ループ
６に設けられたフィードバック抵抗３と並列にツェナー
ダイオード５を設ける。ツェナーダイオード５のアノー
ド５ａは演算増幅器２の入力側にして接続する。この温
度検知回路では、ツェナーダイオード５による出力電圧
Ｖoutの収斂作用によって演算増幅器２の指数関数的な
増幅特性を直線的な増幅特性に補整する。
を広くする。 【解決手段】演算増幅器２の反転入力端子２ａに負特性
サーミスタ４を接続する。演算増幅器２の負帰還ループ
６に設けられたフィードバック抵抗３と並列にツェナー
ダイオード５を設ける。ツェナーダイオード５のアノー
ド５ａは演算増幅器２の入力側にして接続する。この温
度検知回路では、ツェナーダイオード５による出力電圧
Ｖoutの収斂作用によって演算増幅器２の指数関数的な
増幅特性を直線的な増幅特性に補整する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、負特性サーミスタ
を用いた温度検知回路に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来から温度検知回路として、温度によ
り抵抗が変化する負特性サーミスタの特性を利用して温
度検知を実施するものがある。この温度検知回路では、
負特性サーミスタと固定抵抗とでブリッジ回路を構成し
ている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】温度検知回路の出力特
性においては、出力値が温度に対して直線的に変化する
温度領域（以下、直線領域という）と、出力値が温度に
対して直線的に変化しない温度領域（以下、非直線領域
という）とが存在する。非直線領域は出力値に対して補
正処理等を実施する必要があるため後処理が複雑にな
る。一方、直線領域はそのような補正処理を実施する必
要がない。そのため、負特性サーミスタを用いた温度検
知回路では前記直線領域を測定可能温度領域として用い
ている。測定可能領域の温度幅は広い方が回路としての
汎用性に富む。そのため、温度検知回路では、直線領域
の温度幅はできるだけ広いことが望まれている。 【０００４】しかしながら、負特性サーミスタでは、特
性としてその抵抗値は温度に対して指数関数的に変化す
る。そのため、負特性サーミスタを組み込んだ従来の温
度検知回路では、直線領域の温度幅を広くとることは容
易ではない。 【０００５】直線領域の温度幅を広くするためには、負
特性サーミスタに対して並列に固定抵抗を接続すること
が考えられる。しかしながら、そうすると、出力電圧の
変化幅（ダイナミックレンジ）や切片（バックグラウン
ドレベル）を自在に調整することができなくなる。 【０００６】一方、出力電圧の変化幅（ダイナミックレ
ンジ）や切片（バックグラウンドレベル）を自在に調整
するためには、負特性サーミスタの出力を演算増幅器で
増幅することが考えられる。具体的には、演算増幅器の
反転入力端子に負特性サーミスタを接続する。そして、
演算増幅器に負帰還ループを形成し、形成した負帰還ル
ープに直列にフィードバック抵抗を接続する。 【０００７】この構成では、演算増幅器の特性により出
力電圧の変化幅（ダイナミックレンジ）や切片（バック
グラウンドレベル）を自在に調整することが可能とな
る。しかしながら、この回路構成においても直線領域の
温度幅を広くすることは困難である。 【０００８】したがって、本発明の主たる目的は、負特
性サーミスタを組み込んで構成した温度検知回路におい
て、出力電圧と温度との関係が直線となる温度領域（直
線領域）を十分を広くすることである。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ためには、本発明の温度検知回路は、負帰還ループを有
しこの負帰還ループには直列にフィードバック抵抗が接
続された演算増幅器と、前記演算増幅器の反転入力端子
に接続された負特性サーミスタと、前記フィードバック
抵抗に並列に、かつそのアノードを前記演算増幅器の入
力側にして接続されたツェナーダイオードとを備えてい
る。このように、本発明の温度検知回路の最大の特徴は
フィードバック抵抗に並列にツェナーダイオードを接続
したことである。 【００１０】これにより本発明では、出力電圧と温度と
の関係が直線となる温度領域を十分を広くすることがで
きる。以下、その理由を説明する。 【００１１】本発明の構成でツェナーダイオードを省略
した場合には、その出力電圧は次の（１）式により算出
することができる。 Ｖout＝−（Ｒｆ／Ｒ(NTC)）×（Ｖin−Ｖref）…（１） Ｖout：出力電圧 Ｒｆ：フィードバック抵抗の抵抗値 Ｒ(NTC)：負特性サーミスタの抵抗値 Ｖin:入力電圧 Ｖref：基準電圧 この（１）式の特性を示す温度検知回路を測定した結果
を図３に示す。図３では、図中、点線が（１）式の特性
を示す温度検知回路のデータである。 【００１２】図３に示すように、この温度検知回路で
は、温度領域に対して直線的に出力電圧が変化する領域
（直線領域）の温度幅は狭い。これは、負特性サーミス
タの特性において、その抵抗値が温度に対して指数関数
的に変化するためである。 【００１３】これに対して、本発明の特徴となる構成
（フィードバック抵抗に並列にツェナーダイオードを接
続した構成）においては、次の動作が生じる。 【００１４】まず、環境温度が上昇すると、負特性サー
ミスタの抵抗値Ｒ(NTC)が低下する。そのため、抵抗値
Ｒ(NTC)が低下した分だけ出力電圧Ｖoutは上昇する。出
力電圧Ｖoutは、その値がツェナーダイオードのツェナ
ー電圧ＶZを超える（Ｖout＞ＶZ）まで上昇する。 【００１５】環境温度がさらに上昇して負特性サーミス
タの抵抗値Ｒ(NTC)がさらに低下し、出力電圧Ｖoutがツ
ェナー電圧ＶZを超えると（Ｖout＞ＶZ）、ツェナーダ
イオードは導通状態となる。そうすると、この時点で演
算増幅器の増幅率はゼロとなり、出力電圧Ｖoutはゼロ
となる。 【００１６】演算増幅器の原理により、入力電圧Ｖ
inは、仮想的に基準電圧Ｖrefと等しくなる（イマジナ
リショート）。そのため、ツェナーダイオードの両端に
は、出力電圧Ｖoutが印加されることとなる。すると、
ツェナーダイオードに印加される電圧は０Ｖとなり、そ
の値はツエナー電圧ＶZ以下となる（０＜ＶZ。）。その
結果、ツェナーダイオードは非導通状態に戻る。そのた
め、負帰還ループの抵抗値がＲfに戻ることにより、演
算増幅器から出力電圧が出力される。 【００１７】このような動作により、演算増幅器は、各
温度域において、増幅有／増幅無の状態を繰り返す。こ
れにより、各温度域における出力電圧Ｖoutは所定の値
に収斂することになる。 【００１８】温度検知回路の出力電圧が温度に対して直
線的な特性を発揮する領域が狭くなる原因は、前述した
ように負特性サーミスタの出力特性が指数関数的に変化
することである。これに対して、本発明では、上述した
ように、ツェナーダイオードを設けることで、各温度域
における出力電圧Ｖoutを所定の値に収斂することがで
きる。そのため、ツェナーダイオードによる出力電圧Ｖ
outの収斂作用によって、演算増幅器の指数関数的な増
幅特性は直線的な増幅特性に補整されることとなる。し
たがって、補整できる分だけ、温度検知回路の出力電圧
が温度に対して直線的な特性を発揮する温度領域を広く
することができる。 【００１９】さらには、本発明の構成においては、増幅
率の傾き（温度変化に対する出力電圧の変化率）はツェ
ナー電圧により調整することができる。ツェナーダイオ
ードは、一般に種々のツェナー電圧を有するものが流通
している。そのため、本発明で用いるツェナーダイオー
ドのツェナー電圧は各種設定することができる。これに
より、本発明では、ツェナーダイオードのツェナー電圧
を任意に設定することで、増幅率の傾き（温度に対する
出力電圧の変化率）を任意に制御することが可能とな
る。この特徴を踏まえれば、本発明は、ツエナー電圧の
設定を種々変更することにより直線領域の温度幅を任意
に制御することが可能となる。 【００２０】さらには、本発明の構成においては、負特
性サーミスタの出力を演算増幅器により増幅するため
に、出力電圧の変化幅（ダイナミックレンジ）や切片
（バックグラウンドレベル）を自在に調整することが可
能となる。 【００２１】 【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態の温度
検知回路の回路図である。この温度検知回路１は、演算
増幅器２と、フィードバック抵抗３と、負特性サーミス
タ４と、ツェナーダイオード５とを備えている。 【００２２】演算増幅器２には、反転入力端子２ａと非
反転入力端子２ｂと出力端子２ｃとが設けられている。
反転入力端子２ａには温度検知回路１の入力電圧Ｖinが
入力される。非反転入力端子２ｂには温度検知回路１の
基準電圧Ｖrefが入力される。出力端子２ｃからは温度
検知回路１の出力電圧Ｖoutが出力される。これにより
演算増幅器２は反転増幅器として機能する。 【００２３】出力端子２ｃと反転入力端子２ｂとの間に
は負帰還ループ６が設けられている。フィードバック抵
抗３は、負帰還ループ６の中途部においてループ６に対
して直列に接続されている。 【００２４】負特性サーミスタ４は、反転入力端子２ｂ
に直列に接続されている。したがって、入力電圧Ｖinは
負特性サーミスタ４を介して演算増幅器２に印加され
る。負帰還ループ６と反転入力端子２ａとの接続端Ｘ
は、負特性サーミスタ４より内側（演算増幅器側）に設
けられている。 【００２５】ツェナーダイオード５はフィードバック抵
抗３と並列に負帰還ループ６に接続されている。ツェナ
ーダイオード５はそのアノード５ａを演算増幅器２の入
力側にして接続されている。 【００２６】次に上記構成を有する本実施形態の温度検
知回路１の温度−出力電圧特性を実測した結果を図２を
参照して説明する。測定した温度検知回路１は次の回路
定数を有しているものを用いた。 【００２７】入力電圧Ｖin：−１Ｖ 基準電圧Ｖref：接地電圧 ツエナー電圧ＶZ:２．４Ｖ，３．６Ｖ フィードバック抵抗Ｒf：６．８ｋΩ 演算増幅器２：ＲＣ４５５８（デュアル） 電源電圧：±５Ｖ 負特性サーミスタ：Ｒ25＝１０ｋΩ、Ｂ定数
（Ｂ25/50）＝３３８０Ｋ 図中、●は温度検知回路１からツェナーダイオード５を
除いた回路構成における温度−出力電圧特性であり、■
はツエナー電圧ＶZ（２．４Ｖ）のツェナーダイオード
５を設けた回路構成における温度−出力電圧特性であ
り、▲は、ツエナー電圧ＶZ（３．６Ｖ）のツェナーダ
イオード５を設けた回路構成における温度−出力電圧特
性である。 【００２８】本発明の構成でツェナーダイオードを設け
ない構成においては、その出力電圧は上述した（１）式
により算出することができる。ここで、本実施形態の温
度検知回路１のデータ（Ｒｆ＝６．８ｋΩ、Ｖin＝−１
Ｖ、Ｖref＝０Ｖ）を上述した（１）式に代入すると、
次の（１）'式となる。 Ｖout＝−（Ｒｆ／Ｒ(NTC)）×（Ｖin−Ｖref） ＝−［６．８（ｋΩ）／Ｒ(NTC)］×［−１（Ｖ）−０（Ｖ）］ ＝６．８（ｋΩ）／Ｒ(NTC)…（１）' この（１）'式の特性を示す温度検知回路を実際に測定
した結果が図２である。図２では、図中、●が（１）'
式の特性を示す温度検知回路のデータである。 【００２９】図２に示すように、本実施形態の温度検知
回路１（ツェナーダイオード５有り）では、比較例（ツ
ェナーダイオード５無し）に比べて温度に対して直線的
に出力電圧が変化する領域（直線領域）が広くなってい
るのが理解できる。しかも、ツェナーダイオード５のツ
ェナー電圧ＶZを任意に設定することで、増幅率の傾き
（温度に対する出力電圧の変化率）を任意に制御するこ
とが可能となっているのが理解できる。具体的には、ツ
ェナー電圧ＶZを低くするほど、増幅率の傾きは緩やか
になっている。この特徴を踏まえれば、温度検知回路１
は、ツエナー電圧ＶZの設定を種々変更することにより
直線領域の温度幅を任意に制御することが可能となる。 【００３０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
出力電圧と温度との関係が直線となる温度領域を従来と
比べて広くすることができる。 【００３１】さらには、ツェナーダイオードのツェナー
電圧を任意に設定することで、増幅率の傾き（温度に対
する出力電圧の変化率）を任意に制御することもでき
る。ししたがって、本発明は、ツエナー電圧の設定を種
々変更することで出力電圧と温度との関係が直線となる
温度領域を任意に制御することも可能となる。 【００３２】さらには、負特性サーミスタの出力を演算
増幅器により増幅するために、フィードバック抵抗の抵
抗の値を変えたり、オフセット電圧を調整することによ
り、出力電圧の変化幅（ダイナミックレンジ）や切片
（バックグラウンドレベル）を自在に調整することも可
能となる。
を用いた温度検知回路に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来から温度検知回路として、温度によ
り抵抗が変化する負特性サーミスタの特性を利用して温
度検知を実施するものがある。この温度検知回路では、
負特性サーミスタと固定抵抗とでブリッジ回路を構成し
ている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】温度検知回路の出力特
性においては、出力値が温度に対して直線的に変化する
温度領域（以下、直線領域という）と、出力値が温度に
対して直線的に変化しない温度領域（以下、非直線領域
という）とが存在する。非直線領域は出力値に対して補
正処理等を実施する必要があるため後処理が複雑にな
る。一方、直線領域はそのような補正処理を実施する必
要がない。そのため、負特性サーミスタを用いた温度検
知回路では前記直線領域を測定可能温度領域として用い
ている。測定可能領域の温度幅は広い方が回路としての
汎用性に富む。そのため、温度検知回路では、直線領域
の温度幅はできるだけ広いことが望まれている。 【０００４】しかしながら、負特性サーミスタでは、特
性としてその抵抗値は温度に対して指数関数的に変化す
る。そのため、負特性サーミスタを組み込んだ従来の温
度検知回路では、直線領域の温度幅を広くとることは容
易ではない。 【０００５】直線領域の温度幅を広くするためには、負
特性サーミスタに対して並列に固定抵抗を接続すること
が考えられる。しかしながら、そうすると、出力電圧の
変化幅（ダイナミックレンジ）や切片（バックグラウン
ドレベル）を自在に調整することができなくなる。 【０００６】一方、出力電圧の変化幅（ダイナミックレ
ンジ）や切片（バックグラウンドレベル）を自在に調整
するためには、負特性サーミスタの出力を演算増幅器で
増幅することが考えられる。具体的には、演算増幅器の
反転入力端子に負特性サーミスタを接続する。そして、
演算増幅器に負帰還ループを形成し、形成した負帰還ル
ープに直列にフィードバック抵抗を接続する。 【０００７】この構成では、演算増幅器の特性により出
力電圧の変化幅（ダイナミックレンジ）や切片（バック
グラウンドレベル）を自在に調整することが可能とな
る。しかしながら、この回路構成においても直線領域の
温度幅を広くすることは困難である。 【０００８】したがって、本発明の主たる目的は、負特
性サーミスタを組み込んで構成した温度検知回路におい
て、出力電圧と温度との関係が直線となる温度領域（直
線領域）を十分を広くすることである。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ためには、本発明の温度検知回路は、負帰還ループを有
しこの負帰還ループには直列にフィードバック抵抗が接
続された演算増幅器と、前記演算増幅器の反転入力端子
に接続された負特性サーミスタと、前記フィードバック
抵抗に並列に、かつそのアノードを前記演算増幅器の入
力側にして接続されたツェナーダイオードとを備えてい
る。このように、本発明の温度検知回路の最大の特徴は
フィードバック抵抗に並列にツェナーダイオードを接続
したことである。 【００１０】これにより本発明では、出力電圧と温度と
の関係が直線となる温度領域を十分を広くすることがで
きる。以下、その理由を説明する。 【００１１】本発明の構成でツェナーダイオードを省略
した場合には、その出力電圧は次の（１）式により算出
することができる。 Ｖout＝−（Ｒｆ／Ｒ(NTC)）×（Ｖin−Ｖref）…（１） Ｖout：出力電圧 Ｒｆ：フィードバック抵抗の抵抗値 Ｒ(NTC)：負特性サーミスタの抵抗値 Ｖin:入力電圧 Ｖref：基準電圧 この（１）式の特性を示す温度検知回路を測定した結果
を図３に示す。図３では、図中、点線が（１）式の特性
を示す温度検知回路のデータである。 【００１２】図３に示すように、この温度検知回路で
は、温度領域に対して直線的に出力電圧が変化する領域
（直線領域）の温度幅は狭い。これは、負特性サーミス
タの特性において、その抵抗値が温度に対して指数関数
的に変化するためである。 【００１３】これに対して、本発明の特徴となる構成
（フィードバック抵抗に並列にツェナーダイオードを接
続した構成）においては、次の動作が生じる。 【００１４】まず、環境温度が上昇すると、負特性サー
ミスタの抵抗値Ｒ(NTC)が低下する。そのため、抵抗値
Ｒ(NTC)が低下した分だけ出力電圧Ｖoutは上昇する。出
力電圧Ｖoutは、その値がツェナーダイオードのツェナ
ー電圧ＶZを超える（Ｖout＞ＶZ）まで上昇する。 【００１５】環境温度がさらに上昇して負特性サーミス
タの抵抗値Ｒ(NTC)がさらに低下し、出力電圧Ｖoutがツ
ェナー電圧ＶZを超えると（Ｖout＞ＶZ）、ツェナーダ
イオードは導通状態となる。そうすると、この時点で演
算増幅器の増幅率はゼロとなり、出力電圧Ｖoutはゼロ
となる。 【００１６】演算増幅器の原理により、入力電圧Ｖ
inは、仮想的に基準電圧Ｖrefと等しくなる（イマジナ
リショート）。そのため、ツェナーダイオードの両端に
は、出力電圧Ｖoutが印加されることとなる。すると、
ツェナーダイオードに印加される電圧は０Ｖとなり、そ
の値はツエナー電圧ＶZ以下となる（０＜ＶZ。）。その
結果、ツェナーダイオードは非導通状態に戻る。そのた
め、負帰還ループの抵抗値がＲfに戻ることにより、演
算増幅器から出力電圧が出力される。 【００１７】このような動作により、演算増幅器は、各
温度域において、増幅有／増幅無の状態を繰り返す。こ
れにより、各温度域における出力電圧Ｖoutは所定の値
に収斂することになる。 【００１８】温度検知回路の出力電圧が温度に対して直
線的な特性を発揮する領域が狭くなる原因は、前述した
ように負特性サーミスタの出力特性が指数関数的に変化
することである。これに対して、本発明では、上述した
ように、ツェナーダイオードを設けることで、各温度域
における出力電圧Ｖoutを所定の値に収斂することがで
きる。そのため、ツェナーダイオードによる出力電圧Ｖ
outの収斂作用によって、演算増幅器の指数関数的な増
幅特性は直線的な増幅特性に補整されることとなる。し
たがって、補整できる分だけ、温度検知回路の出力電圧
が温度に対して直線的な特性を発揮する温度領域を広く
することができる。 【００１９】さらには、本発明の構成においては、増幅
率の傾き（温度変化に対する出力電圧の変化率）はツェ
ナー電圧により調整することができる。ツェナーダイオ
ードは、一般に種々のツェナー電圧を有するものが流通
している。そのため、本発明で用いるツェナーダイオー
ドのツェナー電圧は各種設定することができる。これに
より、本発明では、ツェナーダイオードのツェナー電圧
を任意に設定することで、増幅率の傾き（温度に対する
出力電圧の変化率）を任意に制御することが可能とな
る。この特徴を踏まえれば、本発明は、ツエナー電圧の
設定を種々変更することにより直線領域の温度幅を任意
に制御することが可能となる。 【００２０】さらには、本発明の構成においては、負特
性サーミスタの出力を演算増幅器により増幅するため
に、出力電圧の変化幅（ダイナミックレンジ）や切片
（バックグラウンドレベル）を自在に調整することが可
能となる。 【００２１】 【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態の温度
検知回路の回路図である。この温度検知回路１は、演算
増幅器２と、フィードバック抵抗３と、負特性サーミス
タ４と、ツェナーダイオード５とを備えている。 【００２２】演算増幅器２には、反転入力端子２ａと非
反転入力端子２ｂと出力端子２ｃとが設けられている。
反転入力端子２ａには温度検知回路１の入力電圧Ｖinが
入力される。非反転入力端子２ｂには温度検知回路１の
基準電圧Ｖrefが入力される。出力端子２ｃからは温度
検知回路１の出力電圧Ｖoutが出力される。これにより
演算増幅器２は反転増幅器として機能する。 【００２３】出力端子２ｃと反転入力端子２ｂとの間に
は負帰還ループ６が設けられている。フィードバック抵
抗３は、負帰還ループ６の中途部においてループ６に対
して直列に接続されている。 【００２４】負特性サーミスタ４は、反転入力端子２ｂ
に直列に接続されている。したがって、入力電圧Ｖinは
負特性サーミスタ４を介して演算増幅器２に印加され
る。負帰還ループ６と反転入力端子２ａとの接続端Ｘ
は、負特性サーミスタ４より内側（演算増幅器側）に設
けられている。 【００２５】ツェナーダイオード５はフィードバック抵
抗３と並列に負帰還ループ６に接続されている。ツェナ
ーダイオード５はそのアノード５ａを演算増幅器２の入
力側にして接続されている。 【００２６】次に上記構成を有する本実施形態の温度検
知回路１の温度−出力電圧特性を実測した結果を図２を
参照して説明する。測定した温度検知回路１は次の回路
定数を有しているものを用いた。 【００２７】入力電圧Ｖin：−１Ｖ 基準電圧Ｖref：接地電圧 ツエナー電圧ＶZ:２．４Ｖ，３．６Ｖ フィードバック抵抗Ｒf：６．８ｋΩ 演算増幅器２：ＲＣ４５５８（デュアル） 電源電圧：±５Ｖ 負特性サーミスタ：Ｒ25＝１０ｋΩ、Ｂ定数
（Ｂ25/50）＝３３８０Ｋ 図中、●は温度検知回路１からツェナーダイオード５を
除いた回路構成における温度−出力電圧特性であり、■
はツエナー電圧ＶZ（２．４Ｖ）のツェナーダイオード
５を設けた回路構成における温度−出力電圧特性であ
り、▲は、ツエナー電圧ＶZ（３．６Ｖ）のツェナーダ
イオード５を設けた回路構成における温度−出力電圧特
性である。 【００２８】本発明の構成でツェナーダイオードを設け
ない構成においては、その出力電圧は上述した（１）式
により算出することができる。ここで、本実施形態の温
度検知回路１のデータ（Ｒｆ＝６．８ｋΩ、Ｖin＝−１
Ｖ、Ｖref＝０Ｖ）を上述した（１）式に代入すると、
次の（１）'式となる。 Ｖout＝−（Ｒｆ／Ｒ(NTC)）×（Ｖin−Ｖref） ＝−［６．８（ｋΩ）／Ｒ(NTC)］×［−１（Ｖ）−０（Ｖ）］ ＝６．８（ｋΩ）／Ｒ(NTC)…（１）' この（１）'式の特性を示す温度検知回路を実際に測定
した結果が図２である。図２では、図中、●が（１）'
式の特性を示す温度検知回路のデータである。 【００２９】図２に示すように、本実施形態の温度検知
回路１（ツェナーダイオード５有り）では、比較例（ツ
ェナーダイオード５無し）に比べて温度に対して直線的
に出力電圧が変化する領域（直線領域）が広くなってい
るのが理解できる。しかも、ツェナーダイオード５のツ
ェナー電圧ＶZを任意に設定することで、増幅率の傾き
（温度に対する出力電圧の変化率）を任意に制御するこ
とが可能となっているのが理解できる。具体的には、ツ
ェナー電圧ＶZを低くするほど、増幅率の傾きは緩やか
になっている。この特徴を踏まえれば、温度検知回路１
は、ツエナー電圧ＶZの設定を種々変更することにより
直線領域の温度幅を任意に制御することが可能となる。 【００３０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
出力電圧と温度との関係が直線となる温度領域を従来と
比べて広くすることができる。 【００３１】さらには、ツェナーダイオードのツェナー
電圧を任意に設定することで、増幅率の傾き（温度に対
する出力電圧の変化率）を任意に制御することもでき
る。ししたがって、本発明は、ツエナー電圧の設定を種
々変更することで出力電圧と温度との関係が直線となる
温度領域を任意に制御することも可能となる。 【００３２】さらには、負特性サーミスタの出力を演算
増幅器により増幅するために、フィードバック抵抗の抵
抗の値を変えたり、オフセット電圧を調整することによ
り、出力電圧の変化幅（ダイナミックレンジ）や切片
（バックグラウンドレベル）を自在に調整することも可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の温度検知回路の構成を示
す回路図である。 【図２】実施の形態の温度検知回路の温度−出力電圧と
の関係を測定した結果を示す図である。 【図３】本発明の温度検知回路の作用の説明に供する図
である。 【符号の説明】 １ 温度検知回路 ２ 演算増幅器 ２ａ 反転入力端子 ２ｂ 非反転入力端子 ２ｃ 出力端子 ３ フィードバック抵
抗 ４ 負特性サーミスタ ５ ツェナーダイオー
ド ６ 負帰還ループ Ｖin 入力電圧 Ｖref 基準電圧 Ｖout 出力電圧 ＶZ ツエナー電圧
す回路図である。 【図２】実施の形態の温度検知回路の温度−出力電圧と
の関係を測定した結果を示す図である。 【図３】本発明の温度検知回路の作用の説明に供する図
である。 【符号の説明】 １ 温度検知回路 ２ 演算増幅器 ２ａ 反転入力端子 ２ｂ 非反転入力端子 ２ｃ 出力端子 ３ フィードバック抵
抗 ４ 負特性サーミスタ ５ ツェナーダイオー
ド ６ 負帰還ループ Ｖin 入力電圧 Ｖref 基準電圧 Ｖout 出力電圧 ＶZ ツエナー電圧
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 負帰還ループを有しこの負帰還ループに
は直列にフィードバック抵抗が接続された演算増幅器
と、 前記演算増幅器の反転入力端子に接続された負特性サー
ミスタと、 前記フィードバック抵抗に並列に、かつそのアノードを
前記演算増幅器の入力側にして接続されたツェナーダイ
オードと、 を備えることを特徴とする温度検知回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002065057A JP2003262552A (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 温度検知回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002065057A JP2003262552A (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 温度検知回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003262552A true JP2003262552A (ja) | 2003-09-19 |
Family
ID=29197550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002065057A Pending JP2003262552A (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 温度検知回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003262552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106644114A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-10 | 四川埃姆克伺服科技有限公司 | 一种温度传感器信号处理电路 |
-
2002
- 2002-03-11 JP JP2002065057A patent/JP2003262552A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106644114A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-10 | 四川埃姆克伺服科技有限公司 | 一种温度传感器信号处理电路 |
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