JP2003261396A - 耐プラズマ性窒化アルミニウム基セラミックス - Google Patents

耐プラズマ性窒化アルミニウム基セラミックス

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JP2003261396A
JP2003261396A JP2002065741A JP2002065741A JP2003261396A JP 2003261396 A JP2003261396 A JP 2003261396A JP 2002065741 A JP2002065741 A JP 2002065741A JP 2002065741 A JP2002065741 A JP 2002065741A JP 2003261396 A JP2003261396 A JP 2003261396A
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JP
Japan
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aluminum nitride
plasma
alumina layer
thickness
based ceramic
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JP2002065741A
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Yoshiaki Kobayashi
慶朗 小林
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Coorstek KK
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Toshiba Ceramics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】この発明は、窒化アルミニウム焼結体の高熱伝
導性を何ら損なうことなくプラズマに対する耐食性を高
め、プラズマ環境のもとでも長寿命化ができて、しかも
パーティクルの発生を抑制する窒化アルミニウムを得よ
うとするものである。 【解決手段】表面をアルミナ層で被覆した窒化アルミニ
ウム焼結体で構成したことを特徴とする耐酸化性プラズ
マの窒化アルミニウム基セラミックスである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマに対し
て耐食性のある窒化アルミニウム基セラミックスに関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体・液晶の製造装置において、プロ
セスチャンバー内には多くのセラミックス材料が使用さ
れているが、ウエーハの汚染回避の問題から金属が使用
できない部品を中心にその用途がさらに拡大している。
現在、こうしたセラミックスの多くはアルミナセラミッ
クスであるが、高熱伝導が要求される部品には窒化アル
ミニウムの利用が増加している。半導体・液晶の製造プ
ロセスでは、ウエーハに絶縁膜としてSi酸化膜を形成
する工程があり、これはO、Ar、SiH4、NH
などのガスにマイクロ波や高周波を導入してプラズマを
発生して形成している。このプラズマは高い酸化性を持
つので装置に窒化アルミニウムが使用されていると、そ
の高熱伝導性のために窒化アルミニウムが高熱に曝され
ることが多く、そのために窒化アルミニウムが酸化され
パーティクル発生となっていた。また、窒化アルミニウ
ムはその高熱伝導性を生かして静電チャック等への利用
も広がっているが、これが前記のようなプラズマに曝さ
れると酸化されてアルミナを生成し、またこれがパーテ
ィクルとなって製品に悪影響を与えていた。さらに、反
応によって窒化アルミニウムは削られてその製品寿命を
縮めることにもなっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、窒化アル
ミニウム焼結体の高熱伝導性を何ら損なうことなくプラ
ズマに対する耐食性を高め、プラズマの環境のもとでも
長寿命化ができて、しかもパーティクルの発生を抑制す
る窒化アルミニウムを得ようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明は、表面をアル
ミナ層で被覆した窒化アルミニウム焼結体で構成したこ
とを特徴とする耐プラズマ性窒化アルミニウム基セラミ
ックス(請求項1)および前記アルミナ層の厚さが20
〜300μmであることを特徴とする請求項1記載の耐
プラズマ性窒化アルミニウム基セラミックス(請求項
2)である。
【0005】
【発明の実施の態様】この発明は表面をアルミナ層で被
覆した窒化アルミニウム焼結体である。このアルミナ層
の厚さは20〜300μmで、さらに好ましくは20〜
100μmで、さらに好ましくは30〜60μmであ
る。この発明の基材となる窒化アルミニウム焼結体は通
常の方法で得られる。例えば、窒化アルミニウム粉末に
等の希土類酸化物、CaO、BaO、SrO、
CeO等のアルカリ土類金属の酸化物などからなる焼
結助剤を加え、更に成形体強度を上げるため有機バイン
ダを加えてスラリを調整する。このスラリをスプレード
ライヤーを用いて造粒する。この造粒粉末を静水圧加圧
成形によって成形する。その後、これを大気中で300
〜700℃で加熱保持して脱脂し、ついでこれを非酸化
雰囲気で1700〜2100℃、好ましくは1800〜
2000℃で焼成し基材の窒化アルミニウム焼結体とす
る。
【0006】この基材の窒化アルミニウムの表面にアル
ミナ層を被覆するには、窒化アルミニウム焼結体を酸化
雰囲気で加熱して窒化アルミニウム表面を酸化させて表
面をアルミナで被覆させる。ここにおける加熱温度は1
100から1150℃で酸化時間を変えることでアルミ
ナ層の厚さを変化させることができる。
【0007】窒化アルミニウム基材に対するアルミナ層
の形成は、CVD、PVDなどで形成してもよいが、基
材の複雑形状への適用や経済性などを考慮すると熱酸化
方法が好ましい。しかし、熱酸化方法は、基材を100
0℃以上に熱する必要があるため、100μm以上のア
ルミナ層を形成すると熱膨脹差により剥離しやすい。1
00〜300μmのアルミナ層をつける場合は、基材温
度が上がらないCVD、PVDなどの方法が適してい
る。アルミナ層の厚さが20μm未満であると窒化アル
ミニウムへのプラズマの影響を効果的に防ぐことができ
ない。また、アルミナ層の厚さが300μmを超えると
基材の窒化アルミニウムの熱膨張との違いによる剥離が
生じやすく好ましくない。
【0008】
【実施例】(実施例1)純度99.9%の高純度アルミ
ニウム粉末に、焼結助剤として1重量%のY、バ
インダを0.5重量%加えて分散媒中で十分に混合した
後スプレードライヤーにより平均粒径70〜80μmの
原料粉末顆粒を造粒した。次に、これを200kg/cm2
の圧力で静水圧加圧成形して、厚さ10mm、10cm×1
0cmの成形体を得た。この成形体を大気中で600℃に
加熱して3時間保持して脱脂した。その後この脱脂体を
窒素ガス雰囲気で温度300℃/hrで1850℃まで
昇温して窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた窒化
アルミニウム焼結体を表1に示す各温度で大気中1時間
加熱処理して、窒化アルミニウムの表面に厚さの異なる
アルミナ層を形成した。各温度で窒化アルミニウムの表
面に形成されたアルミナ層の厚さは異なり表1の通りで
あった。
【0009】
【表1】
【0010】(実施例2)酸化方法により表面を被覆し
たアルミナ層の厚さを0〜100μmの各種にした窒化
アルミニウム焼結体を、プラズマ中に曝してその重量変
化から窒化アルミニウムのエッチング量を測定し、窒化
アルミニウムの耐プラズマ特性を測定した。プラズマ
は、真空中にArガスを導入し高周波を加えてプラズマ
を発生させたたのち、これに酸素ガスを流して発生させ
た。これに窒化アルミニウムを1時間さらしてからその
重量を測定してエッチング量を求めた。その結果を表2
に示した。この表2の結果は図1に示した。図及び表に
は記載されてないが、表面のアルミナ層の厚さが300
μmまでは100μmと比べてあまり遜色ない結果であ
った。
【0011】
【表2】
【0012】表2から明らかなように、アルミナ層の厚
さが20〜100μmの場合がプラズマによるエッチン
グ量が大幅に減少する。なお、アルミナ層の厚さが10
0μmを超えた場合は耐プラズマ性は向上するが、しか
しこの場合は既に述べたように、基材の窒化アルミニウ
ムの熱膨張との違いによる剥離が熱酸化処理時に生じや
すく、他のCVD、PVDの手段が必要となる。さら
に、300μmを超えると実使用における熱履歴での剥
離が生じやすく好ましくないので、アルミナ層の厚さが
20〜300μmの範囲が好ましい。
【0013】
【発明の効果】この発明によると、以上のように窒化ア
ルミニウム基セラミックスの表面にアルミナ層を形成す
ることにより、プラズマに曝される環境での腐食が大幅
に抑制されるので、半導体・液晶製造工程においてこの
材料を用いることにより、プラズマによる腐食の問題な
く高熱伝導の窒化アルミニウムを、高耐食性、長寿命、
低パーティクル発生の下で使用することができるように
なった。
【図面の簡単な説明】
【図1】窒化アルミニウム上のアルミナ層の厚さとエッ
チング量の関係を示した線図。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面をアルミナ層で被覆した窒化アルミ
    ニウム焼結体で構成したことを特徴とする耐プラズマ性
    窒化アルミニウム基セラミックス。
  2. 【請求項2】 前記アルミナ層の厚さが20〜300μ
    mであることを特徴とする請求項1記載の耐プラズマ性
    窒化アルミニウム基セラミックス。
JP2002065741A 2002-03-11 2002-03-11 耐プラズマ性窒化アルミニウム基セラミックス Pending JP2003261396A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766847B1 (ko) * 2005-08-18 2007-10-17 니뽄 가이시 가부시키가이샤 내식성 부재 및 그 제조 방법
US7354652B2 (en) 2005-08-18 2008-04-08 Ngk Insulators, Ltd. Corrosion-resistant member and producing method thereof
JP5382677B2 (ja) * 2005-06-17 2014-01-08 国立大学法人東北大学 金属部材の保護膜構造及び保護膜構造を用いた金属部品並びに保護膜構造を用いた半導体又は平板ディスプレイ製造装置

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