JP2003258369A - 半導体レーザ素子、マルチビーム半導体レーザ、及び製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子、マルチビーム半導体レーザ、及び製造方法Info
- Publication number
- JP2003258369A JP2003258369A JP2002057181A JP2002057181A JP2003258369A JP 2003258369 A JP2003258369 A JP 2003258369A JP 2002057181 A JP2002057181 A JP 2002057181A JP 2002057181 A JP2002057181 A JP 2002057181A JP 2003258369 A JP2003258369 A JP 2003258369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminated structure
- substrate
- laminated
- laser
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002057181A JP2003258369A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 半導体レーザ素子、マルチビーム半導体レーザ、及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002057181A JP2003258369A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 半導体レーザ素子、マルチビーム半導体レーザ、及び製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258369A true JP2003258369A (ja) | 2003-09-12 |
| JP2003258369A5 JP2003258369A5 (https=) | 2005-09-02 |
Family
ID=28667513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002057181A Pending JP2003258369A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 半導体レーザ素子、マルチビーム半導体レーザ、及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003258369A (https=) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016046393A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP2017092382A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザデバイス |
-
2002
- 2002-03-04 JP JP2002057181A patent/JP2003258369A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016046393A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP2017092382A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザデバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8442085B2 (en) | Semiconductor optical device | |
| US20100260227A1 (en) | Semiconductor laser apparatus and fabrication method thereof | |
| JP2869279B2 (ja) | 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ | |
| JP2005286213A (ja) | 集積型半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| US7773654B2 (en) | Semiconductor laser apparatus and fabrication method thereof | |
| JP4189610B2 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
| US20050242361A1 (en) | Semiconductor laser apparatus and method of manufacturing the same | |
| US4977570A (en) | Semiconductor laser array with stripe electrodes having pads for wire bonding | |
| JP2010056105A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2002299739A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| US7817694B2 (en) | Semiconductor laser apparatus and manufacturing method thereof | |
| JP2003258369A (ja) | 半導体レーザ素子、マルチビーム半導体レーザ、及び製造方法 | |
| JP2006128558A (ja) | 半導体レーザ、半導体レーザの実装方法、半導体レーザ実装構造体および光ディスク装置 | |
| US12476435B2 (en) | Semiconductor laser element, semiconductor laser device, and method for manufacturing semiconductor laser element | |
| JP2007294732A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2009200341A (ja) | 窒化物系半導体ウェハ、窒化物系半導体レーザ素子および窒化物系半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP4985100B2 (ja) | 多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置 | |
| US20120214265A1 (en) | Method for forming coating film on facet of semiconductor optical device | |
| JP2020088182A (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
| JP2004228502A (ja) | モノリシック半導体レーザおよび製造方法 | |
| JP2001358404A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| WO2021200582A1 (ja) | 量子カスケードレーザ素子の製造方法 | |
| JP2008060272A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 | |
| US20080247439A1 (en) | Semiconductor Laser Device and Method for Fabrication Thereof | |
| JP2009177058A (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040317 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20040604 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050301 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050301 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20071218 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20071220 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20080411 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |