JP2003257960A - 半導体熱処理用治具 - Google Patents
半導体熱処理用治具Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来問題とされていなかった、窒化膜とＳｉＣ
治具との熱膨張係数の差に起因すると思われる、サブミ
クロンサイズの微小なパーティクルの発生を抑制し、し
かも耐用性に優れ、熱処理工程に繰り返し使用できる半
導体熱処理用治具の提供を目的とする。 【解決手段】基材上にＣＶＤ−ＳｉＣ膜を有し、該ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜上に、耐熱強度に優れ、ＳｉＣにも窒化膜
にも熱膨張係数が近く、かつ、該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜より
軟らかい材質のシリコン膜を有する半導体熱処理用治
具。
治具との熱膨張係数の差に起因すると思われる、サブミ
クロンサイズの微小なパーティクルの発生を抑制し、し
かも耐用性に優れ、熱処理工程に繰り返し使用できる半
導体熱処理用治具の提供を目的とする。 【解決手段】基材上にＣＶＤ−ＳｉＣ膜を有し、該ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜上に、耐熱強度に優れ、ＳｉＣにも窒化膜
にも熱膨張係数が近く、かつ、該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜より
軟らかい材質のシリコン膜を有する半導体熱処理用治
具。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造において、酸化、拡散、アニール、プラズマＣＶ
Ｄ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤなどの熱処理工程に用いら
れ、特に、減圧ＣＶＤによるＳｉＮｘ膜（以下、窒化膜
という）成膜工程において好適に用いられる半導体熱処
理用治具に関する。
製造において、酸化、拡散、アニール、プラズマＣＶ
Ｄ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤなどの熱処理工程に用いら
れ、特に、減圧ＣＶＤによるＳｉＮｘ膜（以下、窒化膜
という）成膜工程において好適に用いられる半導体熱処
理用治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造において、酸化、
拡散、アニール、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧Ｃ
ＶＤなどの熱処理工程では、ＳｉＣ、カーボン、石英ガ
ラスなどの耐熱強度に優れた基材を用いた治具が使用さ
れている。ここで、シリコンウエハ上に成膜処理する場
合、製造に用いた治具の表面にも同種の膜が不可避的に
形成される。この治具表面に形成された膜から剥離など
により粒子状物質（以下、パーティクルという）が発生
し、シリコンウエハを汚染するという問題があった。
拡散、アニール、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧Ｃ
ＶＤなどの熱処理工程では、ＳｉＣ、カーボン、石英ガ
ラスなどの耐熱強度に優れた基材を用いた治具が使用さ
れている。ここで、シリコンウエハ上に成膜処理する場
合、製造に用いた治具の表面にも同種の膜が不可避的に
形成される。この治具表面に形成された膜から剥離など
により粒子状物質（以下、パーティクルという）が発生
し、シリコンウエハを汚染するという問題があった。
【０００３】この問題の解決策として、例えば特開２０
００−３２７４５９には、治具基材の表面粗さを制御す
ることによって被膜の密着性を向上させ、治具上の膜剥
がれを防ぐ方法が提案されている。また、例えば特開平
９−２５１９９１や特開平１１−１７６７１０には、窒
化膜成膜工程において、従来から治具基材として用いら
れてきたカーボン（熱膨張係数α：２．０〜５．５［×
１０−６／℃］）、石英ガラス（α：約０．６［×１０
−６／℃］）などに代えて、窒化膜（α：約３．５［×
１０−６／℃］）と熱膨張係数の近いＳｉＣ基材（α：
約４．４［×１０−６／℃］）を用いることにより、基
材と被膜との熱膨張係数の差に起因する窒化膜の剥離を
防ぐ方法が提案されている。なお、本明細書に記載した
熱膨張係数αの値はいずれも室温〜１０００℃間の平均
値を示す。
００−３２７４５９には、治具基材の表面粗さを制御す
ることによって被膜の密着性を向上させ、治具上の膜剥
がれを防ぐ方法が提案されている。また、例えば特開平
９−２５１９９１や特開平１１−１７６７１０には、窒
化膜成膜工程において、従来から治具基材として用いら
れてきたカーボン（熱膨張係数α：２．０〜５．５［×
１０−６／℃］）、石英ガラス（α：約０．６［×１０
−６／℃］）などに代えて、窒化膜（α：約３．５［×
１０−６／℃］）と熱膨張係数の近いＳｉＣ基材（α：
約４．４［×１０−６／℃］）を用いることにより、基
材と被膜との熱膨張係数の差に起因する窒化膜の剥離を
防ぐ方法が提案されている。なお、本明細書に記載した
熱膨張係数αの値はいずれも室温〜１０００℃間の平均
値を示す。
【０００４】しかし、近年半導体デバイスの高集積化や
高機能化が進み、シリコンウエハの大口径化と共に、回
路の線幅の微細化が進行しており、現在、最小線幅は
０．１５〜０．２５μｍ程度またはそれ以下にもなろう
としている。かかる微細化に伴い、従来では問題とされ
なかった、サブミクロンサイズの微小な粒子状物質（以
下、微小パーティクルという）が問題とされるようにな
ってきた。特に、シリコンウエハ上にシリコン窒化膜を
成膜する工程において、カーボンや石英ガラスと比較し
て窒化膜に近い熱膨張係数を有する、上述のＳｉＣ治具
を使用した場合でも、窒化膜とＳｉＣとの熱膨張係数の
差に起因すると思われる窒化膜の剥離による微小パーテ
ィクルの発生が問題（以下、微小パーティクル問題とい
う）となってきており、従来のパーティクル汚染対策で
はこの問題を解決することが困難になっている。
高機能化が進み、シリコンウエハの大口径化と共に、回
路の線幅の微細化が進行しており、現在、最小線幅は
０．１５〜０．２５μｍ程度またはそれ以下にもなろう
としている。かかる微細化に伴い、従来では問題とされ
なかった、サブミクロンサイズの微小な粒子状物質（以
下、微小パーティクルという）が問題とされるようにな
ってきた。特に、シリコンウエハ上にシリコン窒化膜を
成膜する工程において、カーボンや石英ガラスと比較し
て窒化膜に近い熱膨張係数を有する、上述のＳｉＣ治具
を使用した場合でも、窒化膜とＳｉＣとの熱膨張係数の
差に起因すると思われる窒化膜の剥離による微小パーテ
ィクルの発生が問題（以下、微小パーティクル問題とい
う）となってきており、従来のパーティクル汚染対策で
はこの問題を解決することが困難になっている。
【０００５】この微小パーティクル問題を解決するため
に、耐熱強度に優れ、かつ、ＳｉＣと比較して熱膨張係
数が窒化膜にさらに近いシリコン膜（α：約４．０［×
１０ −６／℃］）を治具基材に形成することが考えられ
る。例えば特開平２−２３６２８１には、治具の長寿命
化と不純物汚染の防止を目的として、ＳｉＣ基材上にＳ
ｉＯ２膜（α：約０．６［×１０−６／℃］）を形成す
る際、中間工程においてアモルファスシリコン膜を形成
することが提案されているが、上述した熱膨張係数の差
を解決することはできない。また、特開平６−１４０３
４９には、熱応力による破損や不純物汚染を防止する目
的から、焼結体からなるＳｉＣ基材上にポリシリコン膜
をＣＶＤにより形成した後、格子状に細かく区切ること
が提案されているが、区切った溝の部分にはＳｉＣ焼結
体が露出しているため、溝の部分に成膜された窒化膜は
微小パーティクルの発生源となり、これらの公知技術は
いずれも微小パーティクル問題の解決手段とはならなか
った。
に、耐熱強度に優れ、かつ、ＳｉＣと比較して熱膨張係
数が窒化膜にさらに近いシリコン膜（α：約４．０［×
１０ −６／℃］）を治具基材に形成することが考えられ
る。例えば特開平２−２３６２８１には、治具の長寿命
化と不純物汚染の防止を目的として、ＳｉＣ基材上にＳ
ｉＯ２膜（α：約０．６［×１０−６／℃］）を形成す
る際、中間工程においてアモルファスシリコン膜を形成
することが提案されているが、上述した熱膨張係数の差
を解決することはできない。また、特開平６−１４０３
４９には、熱応力による破損や不純物汚染を防止する目
的から、焼結体からなるＳｉＣ基材上にポリシリコン膜
をＣＶＤにより形成した後、格子状に細かく区切ること
が提案されているが、区切った溝の部分にはＳｉＣ焼結
体が露出しているため、溝の部分に成膜された窒化膜は
微小パーティクルの発生源となり、これらの公知技術は
いずれも微小パーティクル問題の解決手段とはならなか
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来問題と
されていなかった微小パーティクル問題を解決し、しか
も耐用性に優れた半導体熱処理用治具の提供を目的とす
る。
されていなかった微小パーティクル問題を解決し、しか
も耐用性に優れた半導体熱処理用治具の提供を目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基材上にＣＶ
Ｄにより形成したＳｉＣ膜（以下、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜と
いう）を有し、該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜上にさらにシリコン
膜を有する半導体熱処理用治具を提供する。
Ｄにより形成したＳｉＣ膜（以下、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜と
いう）を有し、該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜上にさらにシリコン
膜を有する半導体熱処理用治具を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、基材上に形成したＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜上に、窒化膜と熱膨張係数が近く、かつ、
基材および窒化膜より軟らかい材質のシリコン膜をさら
に形成することにより、上述した微小パーティクル問題
を解決した半導体熱処理用治具および製造方法を提供す
る。以下、具体的に説明する。
Ｄ−ＳｉＣ膜上に、窒化膜と熱膨張係数が近く、かつ、
基材および窒化膜より軟らかい材質のシリコン膜をさら
に形成することにより、上述した微小パーティクル問題
を解決した半導体熱処理用治具および製造方法を提供す
る。以下、具体的に説明する。
【０００９】まず、本発明に用いる基材の材質は特に限
定されないが、シリコン含浸ＳｉＣ、ＳｉＣ焼結体、反
応焼結ＳｉＣ、カーボン、石英ガラスおよびＣＶＤによ
り形成したＳｉＣ体（以下、ＣＶＤ−ＳｉＣ体という）
からなる群より選択される一種以上であると、耐熱性や
強度の面から好適に使用される。なかでも、シリコン含
浸ＳｉＣ、ＳｉＣ焼結体、反応焼結ＳｉＣなどのＳｉＣ
質材料であると、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜と特性が近似するた
め、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の使用時の割れや膜剥がれを防止
でき好ましい。また、シリコン含浸ＳｉＣ基材を用いる
と、緻密かつ高純度であり、強度に優れるためさらに好
ましい。
定されないが、シリコン含浸ＳｉＣ、ＳｉＣ焼結体、反
応焼結ＳｉＣ、カーボン、石英ガラスおよびＣＶＤによ
り形成したＳｉＣ体（以下、ＣＶＤ−ＳｉＣ体という）
からなる群より選択される一種以上であると、耐熱性や
強度の面から好適に使用される。なかでも、シリコン含
浸ＳｉＣ、ＳｉＣ焼結体、反応焼結ＳｉＣなどのＳｉＣ
質材料であると、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜と特性が近似するた
め、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の使用時の割れや膜剥がれを防止
でき好ましい。また、シリコン含浸ＳｉＣ基材を用いる
と、緻密かつ高純度であり、強度に優れるためさらに好
ましい。
【００１０】次に、前記基材表面にＣＶＤ−ＳｉＣ膜を
形成する。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜とは、高純度の炉材から構
成されたＣＶＤ炉を用いて高温で、還元雰囲気中にてＳ
ｉＣｌ４、ＣＨ４ガスなどを化学的に蒸着したものであ
り、耐熱性、耐食性、強度といったＳｉＣが備える特性
に加え、さらに緻密で、ＳｉＣ焼結体に含有されるＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの重金属やＮａ、Ｋなどのアルカリ
金属、さらにＣａ、Ａｌなどの不純物の含有量が１ｐｐ
ｍ未満であり、高純度であるという優れた特性を有す
る。そのため、このＣＶＤ−ＳｉＣ膜の形成により、基
材からの不純物の飛散を防止できるほか、ＨＦやＨＦ／
ＨＮＯ３などの強酸による洗浄においても腐食しないた
め、表面の変質による微小パーティクルの発生を抑制で
きる。
形成する。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜とは、高純度の炉材から構
成されたＣＶＤ炉を用いて高温で、還元雰囲気中にてＳ
ｉＣｌ４、ＣＨ４ガスなどを化学的に蒸着したものであ
り、耐熱性、耐食性、強度といったＳｉＣが備える特性
に加え、さらに緻密で、ＳｉＣ焼結体に含有されるＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの重金属やＮａ、Ｋなどのアルカリ
金属、さらにＣａ、Ａｌなどの不純物の含有量が１ｐｐ
ｍ未満であり、高純度であるという優れた特性を有す
る。そのため、このＣＶＤ−ＳｉＣ膜の形成により、基
材からの不純物の飛散を防止できるほか、ＨＦやＨＦ／
ＨＮＯ３などの強酸による洗浄においても腐食しないた
め、表面の変質による微小パーティクルの発生を抑制で
きる。
【００１１】また、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜は、ＳｉＣ治具内
部からの不純物の拡散を効果的に抑制するため、および
必要な表面粗さを得るために５〜３００μｍ形成するこ
とが好ましい。
部からの不純物の拡散を効果的に抑制するため、および
必要な表面粗さを得るために５〜３００μｍ形成するこ
とが好ましい。
【００１２】なお、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の形成には、減圧
ＣＶＤ法が一般的に用いられるが、特に限定されず、公
知の方法を適宜使用できる。
ＣＶＤ法が一般的に用いられるが、特に限定されず、公
知の方法を適宜使用できる。
【００１３】また、ＣＶＤ−ＳｉＣ体を基材とした場
合、表面にＣＶＤ−ＳｉＣ膜をさらに形成してもよい
し、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜を形成せずにそのまま用いてもよ
い。
合、表面にＣＶＤ−ＳｉＣ膜をさらに形成してもよい
し、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜を形成せずにそのまま用いてもよ
い。
【００１４】ここで、前記基材の表面粗さをＲａ＝０．
５μｍ以上、好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは
５μｍ以上としてからＣＶＤ−ＳｉＣ膜を形成すれば、
基材とＣＶＤ−ＳｉＣ膜との密着性が向上するため好ま
しい。
５μｍ以上、好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは
５μｍ以上としてからＣＶＤ−ＳｉＣ膜を形成すれば、
基材とＣＶＤ−ＳｉＣ膜との密着性が向上するため好ま
しい。
【００１５】また、基材上のＣＶＤ−ＳｉＣ膜の表面粗
さをＲａ＝０．５μｍ以上、好ましくはＲａ＝３μｍ以
上、さらに好ましくはＲａ＝５μｍ以上とすることが好
ましい。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の表面粗さをＲａ＝０．５μ
ｍ以上に保つことにより、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜とシリコン
膜、さらには成膜される窒化膜との密着性が向上するた
め、上述した微小パーティクルの発生をさらに抑制でき
好ましい。
さをＲａ＝０．５μｍ以上、好ましくはＲａ＝３μｍ以
上、さらに好ましくはＲａ＝５μｍ以上とすることが好
ましい。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の表面粗さをＲａ＝０．５μ
ｍ以上に保つことにより、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜とシリコン
膜、さらには成膜される窒化膜との密着性が向上するた
め、上述した微小パーティクルの発生をさらに抑制でき
好ましい。
【００１６】表面粗さの調節には公知の方法を適宜使用
できるが、例えば特開２０００−３２７４５９に記載さ
れるように、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の形成条件を特定範囲に
選択すると、サンドブラスト処理などと比較して、上述
した基材からの不純物の発生を防止できるため特に好ま
しい。
できるが、例えば特開２０００−３２７４５９に記載さ
れるように、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の形成条件を特定範囲に
選択すると、サンドブラスト処理などと比較して、上述
した基材からの不純物の発生を防止できるため特に好ま
しい。
【００１７】次に、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜を有する基材上
に、シリコン膜を形成する。上述のとおり、シリコン膜
は耐熱強度に優れ、かつ、ＳｉＣにも窒化膜にも近い熱
膨張係数を有することから、前記基材と窒化膜との熱膨
張差によって発生する界面熱応力の絶対値を小さくで
き、これにより微小パーティクルの発生を抑制できる。
に、シリコン膜を形成する。上述のとおり、シリコン膜
は耐熱強度に優れ、かつ、ＳｉＣにも窒化膜にも近い熱
膨張係数を有することから、前記基材と窒化膜との熱膨
張差によって発生する界面熱応力の絶対値を小さくで
き、これにより微小パーティクルの発生を抑制できる。
【００１８】ＣＶＤ−ＳｉＣ膜より軟らかい材質を有す
るシリコン膜を用いれば、上述した熱膨張差に起因する
界面熱応力を吸収し、窒化膜のクラック、剥離やそれに
伴う微小パーティクルの発生を抑制できると考えられ
る。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の一般的な特性は、ビッカース硬
度：２４．５〜３４．３［ＧＰａ］、ヤング率：４５０
〜４９０［ＧＰａ］であるから、本発明のシリコン膜と
しては、これより硬度やヤング率が低いポリシリコン
（ビッカース硬度：６〜１２［ＧＰａ］、ヤング率：１
０５〜１９０［ＧＰａ］）やアモルファスシリコンであ
ると好ましい。特に、アモルファスシリコンであると、
硬度（約２．７［ＧＰａ］）やヤング率が低いため、界
面熱応力を良好に吸収できる。
るシリコン膜を用いれば、上述した熱膨張差に起因する
界面熱応力を吸収し、窒化膜のクラック、剥離やそれに
伴う微小パーティクルの発生を抑制できると考えられ
る。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の一般的な特性は、ビッカース硬
度：２４．５〜３４．３［ＧＰａ］、ヤング率：４５０
〜４９０［ＧＰａ］であるから、本発明のシリコン膜と
しては、これより硬度やヤング率が低いポリシリコン
（ビッカース硬度：６〜１２［ＧＰａ］、ヤング率：１
０５〜１９０［ＧＰａ］）やアモルファスシリコンであ
ると好ましい。特に、アモルファスシリコンであると、
硬度（約２．７［ＧＰａ］）やヤング率が低いため、界
面熱応力を良好に吸収できる。
【００１９】また、シリコン膜は、上述した界面熱応力
を効果的に吸収するために１０ｎｍ〜３００μｍ形成す
ることが好ましい。
を効果的に吸収するために１０ｎｍ〜３００μｍ形成す
ることが好ましい。
【００２０】なお、シリコン膜の形成方法は特に限定さ
れないが、減圧ＣＶＤまたはプラズマＣＶＤによって形
成することが好ましい。特に、半導体用の高純度（純度
９９．９９９９％以上）ＳｉＨ４ガス、ＳｉＨ２Ｃｌ２
ガスなどを用い、専用の減圧ＣＶＤ炉またはプラズマＣ
ＶＤ炉で蒸着すれば、シリコンウエハ並みの高純度（９
９．９９９９％以上）のシリコン膜が得られるため好ま
しい。
れないが、減圧ＣＶＤまたはプラズマＣＶＤによって形
成することが好ましい。特に、半導体用の高純度（純度
９９．９９９９％以上）ＳｉＨ４ガス、ＳｉＨ２Ｃｌ２
ガスなどを用い、専用の減圧ＣＶＤ炉またはプラズマＣ
ＶＤ炉で蒸着すれば、シリコンウエハ並みの高純度（９
９．９９９９％以上）のシリコン膜が得られるため好ま
しい。
【００２１】本発明による半導体熱処理治具１０の断面
模式図を図１に示す。図中、１は基材、２はＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ膜、３はシリコン膜である。
模式図を図１に示す。図中、１は基材、２はＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ膜、３はシリコン膜である。
【００２２】本発明の半導体熱処理用治具は、半導体デ
バイスを製造する際、酸化、拡散、アニール、プラズマ
ＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ工程におけるボート、
ボート受け、ピン、インナーチューブ、アウターチュー
ブ、インジェクター、熱電対保護管、断熱板、断熱板ホ
ルダー、ダミーウエハなどに好適に用いられる。
バイスを製造する際、酸化、拡散、アニール、プラズマ
ＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ工程におけるボート、
ボート受け、ピン、インナーチューブ、アウターチュー
ブ、インジェクター、熱電対保護管、断熱板、断熱板ホ
ルダー、ダミーウエハなどに好適に用いられる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００２４】［例１（実施例）］まず、鋳込み成形した
ＳｉＣ体を生加工、焼成し、次に、得られたＳｉＣ焼結
体にシリコン含浸をして、直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍ
の円板状のシリコン含浸ＳｉＣ体を得た。該シリコン含
浸ＳｉＣ体表面をサンドブラスト処理し、表面粗さをＲ
ａ＝５μｍとした後、ＨＦ／ＨＮＯ３により湿式洗浄
し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによる乾燥を施
し、表面を清浄にして基材１とした。
ＳｉＣ体を生加工、焼成し、次に、得られたＳｉＣ焼結
体にシリコン含浸をして、直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍ
の円板状のシリコン含浸ＳｉＣ体を得た。該シリコン含
浸ＳｉＣ体表面をサンドブラスト処理し、表面粗さをＲ
ａ＝５μｍとした後、ＨＦ／ＨＮＯ３により湿式洗浄
し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによる乾燥を施
し、表面を清浄にして基材１とした。
【００２５】次に、基材１の表面に、反応ガスとしてＣ
Ｈ３ＳｉＣｌ３を用い、常圧ＣＶＤ法によってＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２を約６０μｍ形成した。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２
を形成した後の表面粗さはＲａ＝５．８μｍであった。
該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２の表面をＨＦ／ＨＮＯ３により湿
式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによる乾
燥を施し、表面を清浄にした。
Ｈ３ＳｉＣｌ３を用い、常圧ＣＶＤ法によってＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２を約６０μｍ形成した。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２
を形成した後の表面粗さはＲａ＝５．８μｍであった。
該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２の表面をＨＦ／ＨＮＯ３により湿
式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによる乾
燥を施し、表面を清浄にした。
【００２６】続いて、減圧ＣＶＤ炉にてＳｉＨ２Ｃｌ２
ガスを流し、５００℃以上８００℃以下の温度領域で、
シリコン膜３としてポリシリコンを約０．２μｍ蒸着
し、半導体熱処理用治具１０とした。これを窒化膜成膜
用減圧ＣＶＤ炉にセットし、窒化膜を約５μｍまで成膜
した。
ガスを流し、５００℃以上８００℃以下の温度領域で、
シリコン膜３としてポリシリコンを約０．２μｍ蒸着
し、半導体熱処理用治具１０とした。これを窒化膜成膜
用減圧ＣＶＤ炉にセットし、窒化膜を約５μｍまで成膜
した。
【００２７】この窒化膜成膜工程を通じ、同時に処理し
た２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエハ以
下の低レベルを保持できた。
た２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエハ以
下の低レベルを保持できた。
【００２８】なお、成膜した窒化膜をＨＦにより除去し
た後、半導体熱処理用治具１０を窒化膜成膜工程に再使
用したところ、同等の低レベルを保持しながら、窒化膜
を約５μｍまで成膜できた。
た後、半導体熱処理用治具１０を窒化膜成膜工程に再使
用したところ、同等の低レベルを保持しながら、窒化膜
を約５μｍまで成膜できた。
【００２９】さらに、上述の方法によって数回、窒化膜
成膜とＨＦによる除去とを交互に繰り返した後、ＨＦ／
ＨＮＯ３によってシリコン膜を除去し、ビデオマイクロ
スコープにて破断面を調べたが、基材１およびＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２に腐食はみられなかった。
成膜とＨＦによる除去とを交互に繰り返した後、ＨＦ／
ＨＮＯ３によってシリコン膜を除去し、ビデオマイクロ
スコープにて破断面を調べたが、基材１およびＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２に腐食はみられなかった。
【００３０】［例２（実施例）］鋳込み成形したＳｉＣ
体を生加工、焼成し、直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍの円
板状のＳｉＣ焼結体を得た。該ＳｉＣ焼結体の表面粗さ
はＲａ＝４μｍであった。続く純水洗浄後、クリーンヒ
ーターによる乾燥を施し、表面を清浄にして基材１とし
た。
体を生加工、焼成し、直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍの円
板状のＳｉＣ焼結体を得た。該ＳｉＣ焼結体の表面粗さ
はＲａ＝４μｍであった。続く純水洗浄後、クリーンヒ
ーターによる乾燥を施し、表面を清浄にして基材１とし
た。
【００３１】次に、基材１の表面に、反応ガスとしてＣ
Ｈ３ＳｉＣｌ３を用い、減圧ＣＶＤ法によってＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２を約１００μｍ形成した。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜
２を形成した後の表面粗さはＲａ＝４．３μｍであっ
た。該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２の表面をＨＦ／ＨＮＯ３によ
り湿式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによ
る乾燥を施し、表面を清浄にした。
Ｈ３ＳｉＣｌ３を用い、減圧ＣＶＤ法によってＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２を約１００μｍ形成した。ＣＶＤ−ＳｉＣ膜
２を形成した後の表面粗さはＲａ＝４．３μｍであっ
た。該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２の表面をＨＦ／ＨＮＯ３によ
り湿式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによ
る乾燥を施し、表面を清浄にした。
【００３２】続いて、減圧ＣＶＤ炉にてＳｉＨ４ガスを
流し、５５０℃以上７００℃以下の温度領域で、シリコ
ン膜３としてポリシリコンを約１μｍ蒸着し、半導体熱
処理用治具１０とした。これを窒化膜成膜用減圧ＣＶＤ
炉にセットし、窒化膜を約４μｍまで成膜した。
流し、５５０℃以上７００℃以下の温度領域で、シリコ
ン膜３としてポリシリコンを約１μｍ蒸着し、半導体熱
処理用治具１０とした。これを窒化膜成膜用減圧ＣＶＤ
炉にセットし、窒化膜を約４μｍまで成膜した。
【００３３】この窒化膜成膜工程を通じ、同時に処理し
た２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエハ以
下の低レベルを保持できた。
た２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエハ以
下の低レベルを保持できた。
【００３４】［例３（実施例）］東海カーボン社製グラ
ッシーカーボンＧＣ−２０を平面研削盤にて加工し、直
径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板状としたものをＨＦに
より湿式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターに
よる乾燥を施し、表面を清浄にして基材１とした。基材
１の表面粗さＲａ＝０．５μｍ、熱膨張係数αは２．２
［×１０−６／℃］であった。
ッシーカーボンＧＣ−２０を平面研削盤にて加工し、直
径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板状としたものをＨＦに
より湿式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターに
よる乾燥を施し、表面を清浄にして基材１とした。基材
１の表面粗さＲａ＝０．５μｍ、熱膨張係数αは２．２
［×１０−６／℃］であった。
【００３５】次に、基材１の表面に、反応ガスとしてＣ
Ｈ４およびＳｉＣｌ４を用い、減圧ＣＶＤ法によってＣ
ＶＤ−ＳｉＣ膜２を約５０μｍ形成した。該ＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ膜２を形成した後の表面粗さはＲａ＝約１μｍであ
った。該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２の表面をＨＦ／ＨＮＯ３に
より湿式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターに
よる乾燥を施し、表面を清浄にした。
Ｈ４およびＳｉＣｌ４を用い、減圧ＣＶＤ法によってＣ
ＶＤ−ＳｉＣ膜２を約５０μｍ形成した。該ＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ膜２を形成した後の表面粗さはＲａ＝約１μｍであ
った。該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２の表面をＨＦ／ＨＮＯ３に
より湿式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターに
よる乾燥を施し、表面を清浄にした。
【００３６】続いて、減圧ＣＶＤ炉にてＳｉＨ４ガスを
流し、５５０℃以上７００℃以下の温度領域で、シリコ
ン膜３としてポリシリコンを約０．５μｍ蒸着し、半導
体熱処理用治具１０とした。これを窒化膜成膜用減圧Ｃ
ＶＤ炉にセットし、窒化膜を約３μｍまで成膜した。
流し、５５０℃以上７００℃以下の温度領域で、シリコ
ン膜３としてポリシリコンを約０．５μｍ蒸着し、半導
体熱処理用治具１０とした。これを窒化膜成膜用減圧Ｃ
ＶＤ炉にセットし、窒化膜を約３μｍまで成膜した。
【００３７】この窒化膜成膜工程を通じ、同時に処理し
た２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエハ以
下の低パーティクルレベルを保持できた。
た２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエハ以
下の低パーティクルレベルを保持できた。
【００３８】なお、成膜した窒化膜をＨＦにより除去し
た後、半導体熱処理用治具１０を窒化膜成膜工程に再使
用したところ、同等の低レベルを保持しながら、窒化膜
を約３μｍまで成膜できた。
た後、半導体熱処理用治具１０を窒化膜成膜工程に再使
用したところ、同等の低レベルを保持しながら、窒化膜
を約３μｍまで成膜できた。
【００３９】さらに、上述の方法によって数回、窒化膜
成膜とＨＦによる除去とを交互に繰り返した後、ＨＦ／
ＨＮＯ３によってシリコン膜を除去し、ビデオマイクロ
スコープにて破断面を調べたが、基材１およびＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２に腐食はみられなかった。
成膜とＨＦによる除去とを交互に繰り返した後、ＨＦ／
ＨＮＯ３によってシリコン膜を除去し、ビデオマイクロ
スコープにて破断面を調べたが、基材１およびＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２に腐食はみられなかった。
【００４０】［例４（実施例）］例１と同様にして得た
直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板状のシリコン含浸Ｓ
ｉＣ体表面をサンドブラスト処理し、表面粗さをＲａ＝
５．５μｍとした後、ＨＦ／ＨＮＯ３により湿式洗浄
し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによる乾燥を施
し、表面を清浄にして基材１とした。
直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板状のシリコン含浸Ｓ
ｉＣ体表面をサンドブラスト処理し、表面粗さをＲａ＝
５．５μｍとした後、ＨＦ／ＨＮＯ３により湿式洗浄
し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによる乾燥を施
し、表面を清浄にして基材１とした。
【００４１】次に、基材１の表面に、反応ガスとしてＣ
Ｈ３ＳｉＣｌ３を用い、減圧ＣＶＤ法によってＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２を約６０μｍ形成した。該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜
２を形成した後の表面粗さはＲａ＝６．０μｍであっ
た。該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２の表面をＨＦ／ＨＮＯ３によ
り湿式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによ
る乾燥を施し、表面を清浄にした。
Ｈ３ＳｉＣｌ３を用い、減圧ＣＶＤ法によってＣＶＤ−
ＳｉＣ膜２を約６０μｍ形成した。該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜
２を形成した後の表面粗さはＲａ＝６．０μｍであっ
た。該ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２の表面をＨＦ／ＨＮＯ３によ
り湿式洗浄し、続く純水洗浄後、クリーンヒーターによ
る乾燥を施し、表面を清浄にした。
【００４２】続いて、減圧ＣＶＤ炉にてＳｉＨ２Ｃｌ２
ガスを流し、５００℃以上８００℃以下の温度領域で、
シリコン膜３としてポリシリコンを約０．１μｍ蒸着
し、半導体熱処理用治具１０とした。これを常圧ＣＶＤ
炉にセットし、酸化用のＴＥＯＳ／Ｏ３ガスを流し、２
５０℃以上６００℃以下の温度領域でＳｉＯ２膜を約
０．５μｍまで成膜した。
ガスを流し、５００℃以上８００℃以下の温度領域で、
シリコン膜３としてポリシリコンを約０．１μｍ蒸着
し、半導体熱処理用治具１０とした。これを常圧ＣＶＤ
炉にセットし、酸化用のＴＥＯＳ／Ｏ３ガスを流し、２
５０℃以上６００℃以下の温度領域でＳｉＯ２膜を約
０．５μｍまで成膜した。
【００４３】このＳｉＯ２膜成膜工程を通じ、同時に処
理した２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上の
パーティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカ
ウントすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエ
ハ以下の低レベルを保持できた。
理した２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上の
パーティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカ
ウントすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエ
ハ以下の低レベルを保持できた。
【００４４】なお、成膜したＳｉＯ２膜をＨＦにより除
去した後、半導体熱処理用治具１０をＳｉＯ２膜成膜工
程に再使用したところ、同等の低レベルを保持しなが
ら、ＳｉＯ２膜を約０．５μｍまで成膜できた。
去した後、半導体熱処理用治具１０をＳｉＯ２膜成膜工
程に再使用したところ、同等の低レベルを保持しなが
ら、ＳｉＯ２膜を約０．５μｍまで成膜できた。
【００４５】さらに、成膜したＳｉＯ２膜を洗浄除去す
ることなく、該シリコン含浸ＳｉＣ体をそのままＳｉＯ
２膜成膜工程に再使用した。具体的には、シリコンウエ
ハ上にＳｉＯ２膜を約０．５μｍ成膜した時点でシリコ
ンウエハを交換する操作を繰り返し、ＳｉＯ２膜成膜工
程に１０回連続で使用したが、その間にも一貫して同等
の低レベルを保持できた。
ることなく、該シリコン含浸ＳｉＣ体をそのままＳｉＯ
２膜成膜工程に再使用した。具体的には、シリコンウエ
ハ上にＳｉＯ２膜を約０．５μｍ成膜した時点でシリコ
ンウエハを交換する操作を繰り返し、ＳｉＯ２膜成膜工
程に１０回連続で使用したが、その間にも一貫して同等
の低レベルを保持できた。
【００４６】［例５（実施例）］例１と同様にして、Ｃ
ＶＤ−ＳｉＣ膜を有するシリコン含浸ＳｉＣ体を得た。
続いて、プラズマＣＶＤ炉にてＳｉＨ４ガスを流し、５
０℃以上２００℃以下の温度領域で、シリコン膜３とし
てアモルファスシリコンを約５μｍ蒸着し、半導体熱処
理用治具１０とした。これを窒化膜成膜用減圧ＣＶＤ炉
にセットし、窒化膜を約５．５μｍまで成膜した。
ＶＤ−ＳｉＣ膜を有するシリコン含浸ＳｉＣ体を得た。
続いて、プラズマＣＶＤ炉にてＳｉＨ４ガスを流し、５
０℃以上２００℃以下の温度領域で、シリコン膜３とし
てアモルファスシリコンを約５μｍ蒸着し、半導体熱処
理用治具１０とした。これを窒化膜成膜用減圧ＣＶＤ炉
にセットし、窒化膜を約５．５μｍまで成膜した。
【００４７】この窒化膜成膜工程を通じ、同時に処理し
た２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエハ以
下の低レベルを保持できた。
た２００ｍｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トすると、成膜終了時まで一貫して１００個／ウエハ以
下の低レベルを保持できた。
【００４８】［例６（比較例）］ＣＶＤ−ＳｉＣ膜を形
成しないこと以外は例１と同様にして、ポリシリコンを
形成したシリコン含浸ＳｉＣ体を得た。次に、該シリコ
ン含浸ＳｉＣ体上に窒化膜を約３μｍまで成膜した。
成しないこと以外は例１と同様にして、ポリシリコンを
形成したシリコン含浸ＳｉＣ体を得た。次に、該シリコ
ン含浸ＳｉＣ体上に窒化膜を約３μｍまで成膜した。
【００４９】この窒化膜成膜工程を通じ、同時に処理し
た２００ｍｍシリコンウエハ上のパーティクル数を、レ
ーザーパーティクル測定装置でカウントすると、０．２
μｍ以上のパーティクル数が、成膜終了時まで一貫して
１００個／ウエハ以下であった。
た２００ｍｍシリコンウエハ上のパーティクル数を、レ
ーザーパーティクル測定装置でカウントすると、０．２
μｍ以上のパーティクル数が、成膜終了時まで一貫して
１００個／ウエハ以下であった。
【００５０】なお、成膜した窒化膜をＨＦにより除去し
た後、該シリコン含浸ＳｉＣ体を窒化膜成膜工程に再使
用したところ、同等の低レベルを保持しながら、窒化膜
を約３μｍまで成膜できた。
た後、該シリコン含浸ＳｉＣ体を窒化膜成膜工程に再使
用したところ、同等の低レベルを保持しながら、窒化膜
を約３μｍまで成膜できた。
【００５１】ただし、上述の方法によって数回、窒化膜
成膜とＨＦによる除去とを交互に繰り返した後、ＨＦ／
ＨＮＯ３によってシリコン膜を除去し、ビデオマイクロ
スコープにて破断面を調べたところ、シリコン含浸Ｓｉ
Ｃ体の表面から約１ｍｍの深さまでシリコン成分が腐食
され、緑色のＳｉＣ層が現れているのが観察された。
成膜とＨＦによる除去とを交互に繰り返した後、ＨＦ／
ＨＮＯ３によってシリコン膜を除去し、ビデオマイクロ
スコープにて破断面を調べたところ、シリコン含浸Ｓｉ
Ｃ体の表面から約１ｍｍの深さまでシリコン成分が腐食
され、緑色のＳｉＣ層が現れているのが観察された。
【００５２】［例７（比較例）］ポリシリコンを形成し
ないこと以外は例１と同様にして、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜を
有するシリコン含浸ＳｉＣ体を得た。次に、該ＣＶＤ−
ＳｉＣ膜を有するシリコン含浸ＳｉＣ体上に直接、窒化
膜を成膜した。
ないこと以外は例１と同様にして、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜を
有するシリコン含浸ＳｉＣ体を得た。次に、該ＣＶＤ−
ＳｉＣ膜を有するシリコン含浸ＳｉＣ体上に直接、窒化
膜を成膜した。
【００５３】この窒化膜成膜工程を通じ、同時に処理し
た２００μｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トした結果、約２．５μｍ成膜時からパーティクルの発
生数が急増し、１００個超／ウエハとなったため、成膜
を中止した。
た２００μｍシリコンウエハ上の０．２μｍ以上のパー
ティクル数を、レーザーパーティクル測定装置でカウン
トした結果、約２．５μｍ成膜時からパーティクルの発
生数が急増し、１００個超／ウエハとなったため、成膜
を中止した。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、基材上に形成したＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜上に、さらにシリコン膜を形成することに
より、特に減圧ＣＶＤによる窒化膜成膜工程において、
治具上に堆積した窒化膜が剥離することによる微小パー
ティクルの発生を大幅に抑制することが可能となる。ま
た、その結果、シリコンウエハから得られるチップの歩
留まりが顕著に向上するだけでなく、治具上に堆積した
窒化膜を頻繁に洗浄除去しなくとも繰り返し使用できる
ため、治具の耐久性も向上する。さらにこの治具は５μ
ｍ程度の窒化膜成膜にも使用できることから、大幅なコ
ストダウンを実現できる。加えて、前記基材の表面粗さ
Ｒａを０．５μｍ以上とすることにより、基材とシリコ
ン膜、さらには成膜される窒化膜との密着性が向上する
結果、より厚膜まで窒化膜を成膜することが可能とな
る。
Ｄ−ＳｉＣ膜上に、さらにシリコン膜を形成することに
より、特に減圧ＣＶＤによる窒化膜成膜工程において、
治具上に堆積した窒化膜が剥離することによる微小パー
ティクルの発生を大幅に抑制することが可能となる。ま
た、その結果、シリコンウエハから得られるチップの歩
留まりが顕著に向上するだけでなく、治具上に堆積した
窒化膜を頻繁に洗浄除去しなくとも繰り返し使用できる
ため、治具の耐久性も向上する。さらにこの治具は５μ
ｍ程度の窒化膜成膜にも使用できることから、大幅なコ
ストダウンを実現できる。加えて、前記基材の表面粗さ
Ｒａを０．５μｍ以上とすることにより、基材とシリコ
ン膜、さらには成膜される窒化膜との密着性が向上する
結果、より厚膜まで窒化膜を成膜することが可能とな
る。
【００５５】また、基材上にＣＶＤ−ＳｉＣ膜を形成し
たことにより、基材からの不純物の飛散や、ＨＦやＨＦ
／ＨＮＯ３といった強酸による湿式洗浄による基材の腐
食を防止できるため、微小パーティクルの発生をさらに
抑制できる。
たことにより、基材からの不純物の飛散や、ＨＦやＨＦ
／ＨＮＯ３といった強酸による湿式洗浄による基材の腐
食を防止できるため、微小パーティクルの発生をさらに
抑制できる。
【００５６】さらに、シリコン膜は、治具上に堆積した
窒化膜の洗浄除去に用いられるＨＦに対する耐久性が高
いため、洗浄除去後に再形成する必要はほとんどない。
加えて、本発明の治具基材は、ＨＦ／ＨＮＯ３によって
腐食しないＣＶＤ−ＳｉＣ膜を有することから、使用中
にシリコン膜が劣化しても、ＨＦ／ＨＮＯ３によるシリ
コン膜の除去と再形成とを行えば繰り返し使用できるた
め、特に有効である。
窒化膜の洗浄除去に用いられるＨＦに対する耐久性が高
いため、洗浄除去後に再形成する必要はほとんどない。
加えて、本発明の治具基材は、ＨＦ／ＨＮＯ３によって
腐食しないＣＶＤ−ＳｉＣ膜を有することから、使用中
にシリコン膜が劣化しても、ＨＦ／ＨＮＯ３によるシリ
コン膜の除去と再形成とを行えば繰り返し使用できるた
め、特に有効である。
【図１】本発明の半導体熱処理用治具の断面模式図。
１：基材
２：ＣＶＤ−ＳｉＣ膜
３：シリコン膜
１０：半導体熱処理用治具
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｑ
21/68 21/68 Ｎ
Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA06 BA37 BB13 CA05
DA03 FA10 HA01 KA47 LA15
5F031 FA02 HA02 HA03 HA10 HA62
HA63 MA28 MA29 MA30 PA26
5F045 AA03 AA06 BB15 EB03 EM09
Claims (4)
- 【請求項１】基材上にＣＶＤ−ＳｉＣ膜を有し、該ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜上にさらにシリコン膜を有する半導体熱処
理用治具。 - 【請求項２】前記基材がシリコン含浸ＳｉＣ、ＳｉＣ焼
結体、反応焼結ＳｉＣ、カーボン、石英ガラスおよびＣ
ＶＤ−ＳｉＣ体からなる群より選択される１種以上であ
る請求項１に記載の半導体熱処理用治具。 - 【請求項３】前記ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の表面粗さがＲａ＝
０．５μｍ以上である請求項１または２に記載の半導体
熱処理用治具。 - 【請求項４】窒化膜成膜工程に用いる請求項１〜３のい
ずれかに記載の半導体熱処理用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002055975A JP2003257960A (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | 半導体熱処理用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002055975A JP2003257960A (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | 半導体熱処理用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257960A true JP2003257960A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28666673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002055975A Pending JP2003257960A (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | 半導体熱処理用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003257960A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010236906A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Kurita Water Ind Ltd | 水質評価方法及び装置 |
| US9096928B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-08-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
| JP2019157204A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | イビデン株式会社 | ＳｉＣ被覆ケイ素質材の製造方法、及び、ＳｉＣ被覆ケイ素質材 |
-
2002
- 2002-03-01 JP JP2002055975A patent/JP2003257960A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010236906A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Kurita Water Ind Ltd | 水質評価方法及び装置 |
| US9096928B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-08-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
| JP2019157204A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | イビデン株式会社 | ＳｉＣ被覆ケイ素質材の製造方法、及び、ＳｉＣ被覆ケイ素質材 |
| JP7261542B2 (ja) | 2018-03-13 | 2023-04-20 | イビデン株式会社 | ＳｉＣ被覆ケイ素質材の製造方法 |
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