JP2003257916A - 高平坦度酸化物ウエハーの鏡面研磨加工方法 - Google Patents
高平坦度酸化物ウエハーの鏡面研磨加工方法Info
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- JP2003257916A JP2003257916A JP2002051989A JP2002051989A JP2003257916A JP 2003257916 A JP2003257916 A JP 2003257916A JP 2002051989 A JP2002051989 A JP 2002051989A JP 2002051989 A JP2002051989 A JP 2002051989A JP 2003257916 A JP2003257916 A JP 2003257916A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハー外周部の面ダレの無い高平坦度な酸
化物ウエハーを、研磨布の使用回数に関わらず、安定し
て製造することが可能な鏡面研磨加工方法を提供する。 【解決手段】 貼付けプレート１を、円形の酸化物ウエ
ハー２の研磨面を下にして、定盤３の上に貼り付けられ
た円環形の研磨布４の上に載せられ、加圧シリンダ７に
加圧することにより貼付けプレート１に鉛直方向下向き
の一定の荷重を加えつつ、定盤３を回転させると共に貼
付けプレート１を自転させて、かつ、研磨布４と酸化物
ウエハー２の研磨面との間に研磨液６を供給しつつ、酸
化物ウエハー２の研磨面を鏡面状態にする。定盤３の回
転中に、貼付けプレート１の中心が通る定盤３上の円周
軌跡Ｃｐから、酸化物ウエハー２の外周縁が達する最遠
位置までの距離の最小値Ｘが、円周軌跡から、研磨布４
の外周縁までの距離及び研磨布４の内周縁までの距離の
最大値Ｙよりも、１〜１０ｍｍ大きい。
化物ウエハーを、研磨布の使用回数に関わらず、安定し
て製造することが可能な鏡面研磨加工方法を提供する。 【解決手段】 貼付けプレート１を、円形の酸化物ウエ
ハー２の研磨面を下にして、定盤３の上に貼り付けられ
た円環形の研磨布４の上に載せられ、加圧シリンダ７に
加圧することにより貼付けプレート１に鉛直方向下向き
の一定の荷重を加えつつ、定盤３を回転させると共に貼
付けプレート１を自転させて、かつ、研磨布４と酸化物
ウエハー２の研磨面との間に研磨液６を供給しつつ、酸
化物ウエハー２の研磨面を鏡面状態にする。定盤３の回
転中に、貼付けプレート１の中心が通る定盤３上の円周
軌跡Ｃｐから、酸化物ウエハー２の外周縁が達する最遠
位置までの距離の最小値Ｘが、円周軌跡から、研磨布４
の外周縁までの距離及び研磨布４の内周縁までの距離の
最大値Ｙよりも、１〜１０ｍｍ大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物ウエハーの
鏡面研磨加工方法に関し、特に、貼付けプレートに貼り
付けた酸化物ウエハーを、研磨布を貼り付けた定盤上に
て鏡面研磨加工を行う方法に関する。
鏡面研磨加工方法に関し、特に、貼付けプレートに貼り
付けた酸化物ウエハーを、研磨布を貼り付けた定盤上に
て鏡面研磨加工を行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）や、
タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）といった酸化物ウ
エハーの主用途である表面弾性波（ＳＡＷ）フィルター
は、携帯電話用を主として、テレビやＣＡＴＶ受信機、
ＶＴＲ、衛星受信機、コードレス電話などのさまざまな
電子機器に搭載されている。
タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）といった酸化物ウ
エハーの主用途である表面弾性波（ＳＡＷ）フィルター
は、携帯電話用を主として、テレビやＣＡＴＶ受信機、
ＶＴＲ、衛星受信機、コードレス電話などのさまざまな
電子機器に搭載されている。
【０００３】ＳＡＷフィルターのようなＳＡＷデバイス
は、基板上に形成される２つ（入力・出力）の櫛型電極
が核となっている。櫛型電極はフォトリソグラフィーに
よって形成されるため、デバイス製造時の歩留まりを向
上させるためには、酸化物ウエハーの表面の厚みのばら
つきを低減させる必要がある。また、使用周波数が高く
なるに伴い、電極ピッチが狭くなるため、平坦度への要
求はさらに厳しくなる。このような高平坦度を得るため
には、酸化物ウエハーの鏡面研磨加工が重要となってく
る。
は、基板上に形成される２つ（入力・出力）の櫛型電極
が核となっている。櫛型電極はフォトリソグラフィーに
よって形成されるため、デバイス製造時の歩留まりを向
上させるためには、酸化物ウエハーの表面の厚みのばら
つきを低減させる必要がある。また、使用周波数が高く
なるに伴い、電極ピッチが狭くなるため、平坦度への要
求はさらに厳しくなる。このような高平坦度を得るため
には、酸化物ウエハーの鏡面研磨加工が重要となってく
る。
【０００４】図３に、従来の酸化物ウエハーの鏡面研磨
加工方法のための装置の一実施例を示す。
加工方法のための装置の一実施例を示す。
【０００５】セラミックスで形成された平坦な円盤状の
貼付けプレート１（例えば、直径４８５ｍｍ）の表面
に、同心円状に二列に酸化物ウエハー２を、例えば、直
径１００ｍｍであれば１３枚を貼り付ける。一方、円盤
状の金属で作製された定盤３を準備し、この定盤３の上
に、研磨布４を貼り付ける。酸化物ウエハー２を貼り付
けた前記貼付けプレート１を、酸化物ウエハー２の研磨
面が下になるように、研磨布４を貼り付けた定盤３の上
に置く。貼付けプレート１は、押圧部材７により加圧シ
リンダ（図示せず）に取り付けられ、該押圧部材７が自
転可能に、かつ、定盤３の回転中心を軸とした円周上を
回転可能となるように支持される。
貼付けプレート１（例えば、直径４８５ｍｍ）の表面
に、同心円状に二列に酸化物ウエハー２を、例えば、直
径１００ｍｍであれば１３枚を貼り付ける。一方、円盤
状の金属で作製された定盤３を準備し、この定盤３の上
に、研磨布４を貼り付ける。酸化物ウエハー２を貼り付
けた前記貼付けプレート１を、酸化物ウエハー２の研磨
面が下になるように、研磨布４を貼り付けた定盤３の上
に置く。貼付けプレート１は、押圧部材７により加圧シ
リンダ（図示せず）に取り付けられ、該押圧部材７が自
転可能に、かつ、定盤３の回転中心を軸とした円周上を
回転可能となるように支持される。
【０００６】鏡面研磨加工は、以下のように行われる。
研磨液供給口５より研磨液６を、研磨布４と酸化物ウエ
ハー２の間に入り込むように供給し、貼付けプレート１
に、加圧シリンダより一定の荷重を押圧部材７を介して
加えつつ、定盤３を一定の回転数にて回転させる。該回
転により、貼付けプレート１は一定の回転数で自転しつ
つ、定盤３の周方向に回転し、研磨布４と研磨液６との
メカニカル作用とケミカル作用により、酸化物ウエハー
２の研磨面を鏡面に仕上げることができる。
研磨液供給口５より研磨液６を、研磨布４と酸化物ウエ
ハー２の間に入り込むように供給し、貼付けプレート１
に、加圧シリンダより一定の荷重を押圧部材７を介して
加えつつ、定盤３を一定の回転数にて回転させる。該回
転により、貼付けプレート１は一定の回転数で自転しつ
つ、定盤３の周方向に回転し、研磨布４と研磨液６との
メカニカル作用とケミカル作用により、酸化物ウエハー
２の研磨面を鏡面に仕上げることができる。
【０００７】しかし、従来の酸化物ウエハーの鏡面研磨
加工方法には以下の問題があった。
加工方法には以下の問題があった。
【０００８】第１に、鏡面研磨加工中に、研磨布の周縁
部で、酸化物ウエハーが研磨布と接触する部分と接触し
ない部分が生じ、摩耗の有無が研磨布に段差を生じる。
回転に伴い回転軸に対するウエハーの半径方向位置が微
小量ずれるので、この研磨布の段差のコーナー部に、酸
化物ウエハーの周縁が当たり、該コーナー部に接触する
酸化物ウエハーの摩耗が強くなり、酸化物ウエハーの外
周部に、過剰研磨による面ダレが発生し、平坦度が悪化
する。
部で、酸化物ウエハーが研磨布と接触する部分と接触し
ない部分が生じ、摩耗の有無が研磨布に段差を生じる。
回転に伴い回転軸に対するウエハーの半径方向位置が微
小量ずれるので、この研磨布の段差のコーナー部に、酸
化物ウエハーの周縁が当たり、該コーナー部に接触する
酸化物ウエハーの摩耗が強くなり、酸化物ウエハーの外
周部に、過剰研磨による面ダレが発生し、平坦度が悪化
する。
【０００９】第２に、酸化物ウエハーを貼付けプレート
の半径方向に２枚以上貼り付けると、貼付けプレートの
内側に貼り付けた酸化物ウエハーには面ダレが発生しな
い（この部分において段差が生じない）が、貼付けプレ
ートの外側に貼り付けた酸化物ウエハーでは前記段差に
よる面ダレが発生し、また、仕上がり厚にも差が生じ、
安定した品質で鏡面研磨加工された酸化物ウエハーを製
造することができないという問題があった。
の半径方向に２枚以上貼り付けると、貼付けプレートの
内側に貼り付けた酸化物ウエハーには面ダレが発生しな
い（この部分において段差が生じない）が、貼付けプレ
ートの外側に貼り付けた酸化物ウエハーでは前記段差に
よる面ダレが発生し、また、仕上がり厚にも差が生じ、
安定した品質で鏡面研磨加工された酸化物ウエハーを製
造することができないという問題があった。
【００１０】第３に、一度、所定の取り代をとった酸化
物ウエハーを、貼付けプレートから剥がした後に、異な
る酸化物ウエハーを貼付けプレートに貼り付けて、再
度、鏡面研磨加工を行うと、前者の酸化物ウエハーの面
ダレより以上に、後者の酸化物ウエハーの面ダレが大き
くなるように、平坦度が悪化するという問題があった。
物ウエハーを、貼付けプレートから剥がした後に、異な
る酸化物ウエハーを貼付けプレートに貼り付けて、再
度、鏡面研磨加工を行うと、前者の酸化物ウエハーの面
ダレより以上に、後者の酸化物ウエハーの面ダレが大き
くなるように、平坦度が悪化するという問題があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
した従来の酸化物ウエハーの鏡面研磨加工技術の欠点を
解消し、ウエハー外周部の面ダレの無い高平坦度な酸化
物ウエハーを、研磨布の使用回数に関わらず、安定して
製造することが可能な鏡面研磨加工方法を提供すること
にある。
した従来の酸化物ウエハーの鏡面研磨加工技術の欠点を
解消し、ウエハー外周部の面ダレの無い高平坦度な酸化
物ウエハーを、研磨布の使用回数に関わらず、安定して
製造することが可能な鏡面研磨加工方法を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、円形の酸化物ウエハーが貼り付けられた
貼付けプレートを、該酸化物ウエハーの研磨面を下にし
て、水平な平面を維持するように回転する定盤の上に貼
り付けられた円環形の研磨布の上に載せられ、加圧シリ
ンダに加圧することにより前記貼付けプレートに鉛直方
向下向きの一定の荷重を加えつつ、定盤を回転させると
共に貼付けプレートを自転させて、かつ、前記研磨布と
前記酸化物ウエハーの研磨面との間に研磨液を供給しつ
つ、前記酸化物ウエハーの研磨面を鏡面状態にする加工
方法において、鏡面研磨加工中に研磨布と酸化物ウエハ
ーの非接触部が生じることによって発生する研磨布の段
差をなくすため、前記定盤の半径方向において、研磨中
（定盤回転中）に、定盤上を酸化物ウエハーが通過する
領域の外周および内周と、研磨布の端面との位置関係に
着目し、高平坦度の鏡面研磨加工法を見出した。
成するために、円形の酸化物ウエハーが貼り付けられた
貼付けプレートを、該酸化物ウエハーの研磨面を下にし
て、水平な平面を維持するように回転する定盤の上に貼
り付けられた円環形の研磨布の上に載せられ、加圧シリ
ンダに加圧することにより前記貼付けプレートに鉛直方
向下向きの一定の荷重を加えつつ、定盤を回転させると
共に貼付けプレートを自転させて、かつ、前記研磨布と
前記酸化物ウエハーの研磨面との間に研磨液を供給しつ
つ、前記酸化物ウエハーの研磨面を鏡面状態にする加工
方法において、鏡面研磨加工中に研磨布と酸化物ウエハ
ーの非接触部が生じることによって発生する研磨布の段
差をなくすため、前記定盤の半径方向において、研磨中
（定盤回転中）に、定盤上を酸化物ウエハーが通過する
領域の外周および内周と、研磨布の端面との位置関係に
着目し、高平坦度の鏡面研磨加工法を見出した。
【００１３】すなわち、本発明の高平坦度酸化物ウエハ
ーの鏡面研磨加工方法は、円形の酸化物ウエハーが貼り
付けられた貼付けプレートを、該酸化物ウエハーの研磨
面を下にして、水平な平面を維持するように回転する定
盤の上に貼り付けられた円形の研磨布の上に載せられ、
加圧シリンダに加圧することにより前記貼付けプレート
に鉛直方向下向きの一定の荷重を加えつつ、定盤を回転
させると共に貼付けプレートを自転させて、かつ、前記
研磨布と前記酸化物ウエハーの研磨面との間に研磨液を
供給しつつ、前記酸化物ウエハーの研磨面を鏡面状態に
する。このとき、定盤の回転中心から酸化物ウエハーの
外周縁の最も離れた部分および最も近接する部分の半径
方向間隔内に、研磨布の外周縁および内周縁が存在する
ように配置する。
ーの鏡面研磨加工方法は、円形の酸化物ウエハーが貼り
付けられた貼付けプレートを、該酸化物ウエハーの研磨
面を下にして、水平な平面を維持するように回転する定
盤の上に貼り付けられた円形の研磨布の上に載せられ、
加圧シリンダに加圧することにより前記貼付けプレート
に鉛直方向下向きの一定の荷重を加えつつ、定盤を回転
させると共に貼付けプレートを自転させて、かつ、前記
研磨布と前記酸化物ウエハーの研磨面との間に研磨液を
供給しつつ、前記酸化物ウエハーの研磨面を鏡面状態に
する。このとき、定盤の回転中心から酸化物ウエハーの
外周縁の最も離れた部分および最も近接する部分の半径
方向間隔内に、研磨布の外周縁および内周縁が存在する
ように配置する。
【００１４】あるいは、円形の酸化物ウエハーが貼り付
けられた貼付けプレートを、該酸化物ウエハーの研磨面
を下にして、水平な平面を維持するように回転する定盤
の上に貼り付けられた環形の研磨布の上に載せられ、加
圧シリンダに加圧することにより前記貼付けプレートに
鉛直方向下向きの一定の荷重を加えつつ、定盤を回転さ
せると共に貼付けプレートを自転させて、かつ、前記研
磨布と前記酸化物ウエハーの研磨面との間に研磨液を供
給しつつ、前記酸化物ウエハーの研磨面を鏡面状態にす
る。さらに、定盤の回転中に、貼付けプレートの中心が
通る定盤上の円周軌跡から、酸化物ウエハーの外周縁が
達する最遠位置までの距離Ｘが、前記円周軌跡から、研
磨布の外周縁までの距離及び研磨布の内周縁までの距離
の最大値Ｙよりも、１〜１０ｍｍ大きい（１≦Ｘ−Ｙ≦
１０［ｍｍ］）。
けられた貼付けプレートを、該酸化物ウエハーの研磨面
を下にして、水平な平面を維持するように回転する定盤
の上に貼り付けられた環形の研磨布の上に載せられ、加
圧シリンダに加圧することにより前記貼付けプレートに
鉛直方向下向きの一定の荷重を加えつつ、定盤を回転さ
せると共に貼付けプレートを自転させて、かつ、前記研
磨布と前記酸化物ウエハーの研磨面との間に研磨液を供
給しつつ、前記酸化物ウエハーの研磨面を鏡面状態にす
る。さらに、定盤の回転中に、貼付けプレートの中心が
通る定盤上の円周軌跡から、酸化物ウエハーの外周縁が
達する最遠位置までの距離Ｘが、前記円周軌跡から、研
磨布の外周縁までの距離及び研磨布の内周縁までの距離
の最大値Ｙよりも、１〜１０ｍｍ大きい（１≦Ｘ−Ｙ≦
１０［ｍｍ］）。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は、本発明の酸化物ウエハーの
鏡面研磨加工方法のための装置の一実施例を示した側面
図である。
て詳細に説明する。図１は、本発明の酸化物ウエハーの
鏡面研磨加工方法のための装置の一実施例を示した側面
図である。
【００１６】円盤状の金属で作製された定盤３を準備
し、この定盤３の上に、環形の研磨布４を貼り付ける。
さらに、直径４８５ｍｍφの貼付けプレート７に、直径
１００ｍｍφ、厚さ約３８０μｍのタンタル酸リチウム
ウエハー２（酸化物ウエハー）を外側に１０枚、内側に
３枚のパターンで１３枚貼り付け、研磨面を下にして、
研磨布４の上に配置する。貼付けプレート１は、押圧部
材７により加圧シリンダ（図示せず）に取り付けられ、
該押圧部材７が自転可能に、かつ、定盤３の回転中心を
軸とした円周上を回転可能となるように支持される。
し、この定盤３の上に、環形の研磨布４を貼り付ける。
さらに、直径４８５ｍｍφの貼付けプレート７に、直径
１００ｍｍφ、厚さ約３８０μｍのタンタル酸リチウム
ウエハー２（酸化物ウエハー）を外側に１０枚、内側に
３枚のパターンで１３枚貼り付け、研磨面を下にして、
研磨布４の上に配置する。貼付けプレート１は、押圧部
材７により加圧シリンダ（図示せず）に取り付けられ、
該押圧部材７が自転可能に、かつ、定盤３の回転中心を
軸とした円周上を回転可能となるように支持される。
【００１７】本発明の方法による鏡面研磨加工は、以下
のように行われる。
のように行われる。
【００１８】研磨液６を研磨液供給口５よりタンタル酸
リチウムウエハー２と研磨布４との間に供給し、貼付け
プレート１に、図示しない加圧シリンダより４００ｇ／
ｃｍ 2の一定荷重をかけた状態で、定盤３を４０ｒｐｍ
で回転させる。なお、研磨液６としては、例えばコロイ
ダルシリカ系（山口精研工業社製、ＣＬ−１１０）を、
研磨布４としては、例えば不織布系（ロデール・ニッタ
社製、ＳＵＢＡ６００）を使用する。研磨布４は、図１
に側面図、図２に平面図を示すように、円形の研磨布４
の中心部に孔部を設けた環形形状で、定盤３の上に貼り
付ける。
リチウムウエハー２と研磨布４との間に供給し、貼付け
プレート１に、図示しない加圧シリンダより４００ｇ／
ｃｍ 2の一定荷重をかけた状態で、定盤３を４０ｒｐｍ
で回転させる。なお、研磨液６としては、例えばコロイ
ダルシリカ系（山口精研工業社製、ＣＬ−１１０）を、
研磨布４としては、例えば不織布系（ロデール・ニッタ
社製、ＳＵＢＡ６００）を使用する。研磨布４は、図１
に側面図、図２に平面図を示すように、円形の研磨布４
の中心部に孔部を設けた環形形状で、定盤３の上に貼り
付ける。
【００１９】貼付けプレート１の中心からプレート外周
方向で最も離れたタンタル酸リチウムウエハー２の位置
までの距離Ｘが、貼付けプレート１の中心から研磨布４
の外周縁及び内周縁までの距離の最大値Ｙよりも、１〜
１０ｍｍ程度大きくなる（１≦Ｘ−Ｙ≦１０［ｍｍ］）
ような配置とし、鏡面研磨加工時（定盤回転時）におい
ても、常にこの位置関係が保たれるように、貼付けプレ
ート１を定盤３の上方に位置決めする。
方向で最も離れたタンタル酸リチウムウエハー２の位置
までの距離Ｘが、貼付けプレート１の中心から研磨布４
の外周縁及び内周縁までの距離の最大値Ｙよりも、１〜
１０ｍｍ程度大きくなる（１≦Ｘ−Ｙ≦１０［ｍｍ］）
ような配置とし、鏡面研磨加工時（定盤回転時）におい
ても、常にこの位置関係が保たれるように、貼付けプレ
ート１を定盤３の上方に位置決めする。
【００２０】以上に示した本発明の鏡面研磨加工方法に
より、定盤３を回転させて鏡面研磨加工を行った時に、
タンタル酸リチウムウエハー２が接触しない研磨布４の
部分を発生させることがない。
より、定盤３を回転させて鏡面研磨加工を行った時に、
タンタル酸リチウムウエハー２が接触しない研磨布４の
部分を発生させることがない。
【００２１】ここで、Ｘ−Ｙの値が１ｍｍよりも小さい
と、従来の鏡面研磨加工方法と同様に、面ダレの現象が
現れ、１０ｍｍよりも大きいと、タンタル酸リチウムウ
エハー２と研磨布４との接触時間が異なることによる研
磨量の差が顕著となるために、外周部が厚くなり、高平
坦度が得られない。
と、従来の鏡面研磨加工方法と同様に、面ダレの現象が
現れ、１０ｍｍよりも大きいと、タンタル酸リチウムウ
エハー２と研磨布４との接触時間が異なることによる研
磨量の差が顕著となるために、外周部が厚くなり、高平
坦度が得られない。
【００２２】（実施例）図１に装置を示し、前述した本
発明の酸化物ウエハーの鏡面研磨加工方法により得られ
たた酸化物ウエハーの平坦度を、図４に示す。
発明の酸化物ウエハーの鏡面研磨加工方法により得られ
たた酸化物ウエハーの平坦度を、図４に示す。
【００２３】平坦度の評価は、斜入射レーザー干渉方式
の平坦度測定装置を用いた測定にて得られるＰＬＴＶ
（Ｐｅｒｃｅｎｔ Ｌｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ
Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）値によって行った。この測定で
は、レーザー光をプリズムに透過させた後に、ウエハー
表面に入射させ、ウエハー表面からの反射波およびプリ
ズム面からの反射波にて形成される干渉縞を、ＣＣＤカ
メラの各ピクセルでスキャンさせ、各ピクセルの信号の
位相を比較することで、厚みバラツキを測定する。ＰＬ
ＴＶ値とは、酸化物ウエハーの面内を５×５ｍｍのサイ
トで区切った時に、設定した厚みバラツキ（ＬＴＶ：Ｌ
ｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）
の基準値を満たすサイトの割合を示した値である。ＰＬ
ＴＶ値が大きいと、厚みバラツキの大きいサイトが少な
いこと、即ち平坦度が良いことを示し、ＰＬＴＶ値が小
さいと、厚みバラツキの大きいサイトが多いこと、即ち
平坦度が悪いことを示す。
の平坦度測定装置を用いた測定にて得られるＰＬＴＶ
（Ｐｅｒｃｅｎｔ Ｌｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ
Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）値によって行った。この測定で
は、レーザー光をプリズムに透過させた後に、ウエハー
表面に入射させ、ウエハー表面からの反射波およびプリ
ズム面からの反射波にて形成される干渉縞を、ＣＣＤカ
メラの各ピクセルでスキャンさせ、各ピクセルの信号の
位相を比較することで、厚みバラツキを測定する。ＰＬ
ＴＶ値とは、酸化物ウエハーの面内を５×５ｍｍのサイ
トで区切った時に、設定した厚みバラツキ（ＬＴＶ：Ｌ
ｏｃａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）
の基準値を満たすサイトの割合を示した値である。ＰＬ
ＴＶ値が大きいと、厚みバラツキの大きいサイトが少な
いこと、即ち平坦度が良いことを示し、ＰＬＴＶ値が小
さいと、厚みバラツキの大きいサイトが多いこと、即ち
平坦度が悪いことを示す。
【００２４】本実施例では、ＰＬＴＶ値を測定するため
のＬＴＶを０．５μｍとした。
のＬＴＶを０．５μｍとした。
【００２５】（比較例）図３に装置を示し、前述した従
来の酸化物ウエハーの鏡面研磨加工方法により得られた
酸化物ウエハーの平坦度を、図４に示す。
来の酸化物ウエハーの鏡面研磨加工方法により得られた
酸化物ウエハーの平坦度を、図４に示す。
【００２６】図３に示した従来の鏡面研磨加工方法のた
めの装置では、回転中心から最も離れた部分が大きく面
ダレしていたために、図４に示したように、比較例では
ＰＬＴＶ値は低く、厚みバラツキも大きくなっていた。
めの装置では、回転中心から最も離れた部分が大きく面
ダレしていたために、図４に示したように、比較例では
ＰＬＴＶ値は低く、厚みバラツキも大きくなっていた。
【００２７】以上のように、本発明による鏡面研磨加工
方法を用いれば、面ダレを発生することなく、ＰＬＴＶ
値が高く、厚みバラツキも小さくできる。
方法を用いれば、面ダレを発生することなく、ＰＬＴＶ
値が高く、厚みバラツキも小さくできる。
【００２８】また、従来の鏡面研磨方法では、貼付けプ
レートの内周に酸化物ウエハーを一列配置し、その外周
に酸化物ウエハーをさらに１列配置するような２周以上
の貼付けを行うと、最外周の酸化物ウエハーで面ダレが
発生し、なおかつ、酸化物プレートごとの仕上がり厚み
にバラツキも生じていたが、本発明の方法によれば、こ
れらの問題も解決できることがわかった。
レートの内周に酸化物ウエハーを一列配置し、その外周
に酸化物ウエハーをさらに１列配置するような２周以上
の貼付けを行うと、最外周の酸化物ウエハーで面ダレが
発生し、なおかつ、酸化物プレートごとの仕上がり厚み
にバラツキも生じていたが、本発明の方法によれば、こ
れらの問題も解決できることがわかった。
【００２９】さらに、従来の酸化物ウエハーの鏡面研磨
方法では、研磨布（研磨パッド）を繰り返し使用する
と、使用回数が進むにつれて面ダレが大きくなるが、本
発明の鏡面研磨方法によれば、使用回数が増えても平坦
度が悪化せず、高平坦度な鏡面を安定して得ることが可
能となった。
方法では、研磨布（研磨パッド）を繰り返し使用する
と、使用回数が進むにつれて面ダレが大きくなるが、本
発明の鏡面研磨方法によれば、使用回数が増えても平坦
度が悪化せず、高平坦度な鏡面を安定して得ることが可
能となった。
【００３０】研磨パッド使用回数とＰＬＴＶ値との関係
を、図５に示す。
を、図５に示す。
【００３１】従来の方法による比較例では、研磨パッド
使用回数の増加とともにＰＬＴＶ値が悪化する傾向があ
ったが、本発明の方法によれば、研磨パッド使用回数が
増加しても、ＰＬＴＶ値は悪化しなかった。
使用回数の増加とともにＰＬＴＶ値が悪化する傾向があ
ったが、本発明の方法によれば、研磨パッド使用回数が
増加しても、ＰＬＴＶ値は悪化しなかった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の酸化物ウエハーの鏡面研磨加工
方法は、外周部の面ダレのない高平坦度な酸化物ウエハ
ーを、研磨布の使用回数に関わらず、安定した品質で作
製することが可能となった。
方法は、外周部の面ダレのない高平坦度な酸化物ウエハ
ーを、研磨布の使用回数に関わらず、安定した品質で作
製することが可能となった。
【００３３】従って、ＳＡＷデバイスの製造時に、酸化
物ウエハーの外周部における厚みバラツキによる不良発
生率が低下し、歩留まり向上に貢献することが可能とな
った。
物ウエハーの外周部における厚みバラツキによる不良発
生率が低下し、歩留まり向上に貢献することが可能とな
った。
【図１】 本発明の鏡面研磨加工方法のための装置の一
実施例を示す側面図である。
実施例を示す側面図である。
【図２】 図１に示した装置の一部平面図である。
【図３】 従来の鏡面研磨加工方法のための装置の一実
施例を示す側面図である。
施例を示す側面図である。
【図４】 従来の鏡面研磨方法と、本発明による鏡面研
磨方法で得られたウエハーの平坦度（ＰＬＴＶ）の比較
（分布）を示すグラフである。
磨方法で得られたウエハーの平坦度（ＰＬＴＶ）の比較
（分布）を示すグラフである。
【図５】 従来の鏡面研磨方法と、本発明による鏡面研
磨方法で得られたウエハーの平坦度（ＰＬＴＶ）の比較
（研磨パッド使用回数との関係）を示すグラフである。
磨方法で得られたウエハーの平坦度（ＰＬＴＶ）の比較
（研磨パッド使用回数との関係）を示すグラフである。
１ ウエハー貼付けプレート
２ 酸化物ウエハー
３ 定盤
４ 研磨布
５ 研磨液供給口
６ 研磨液
７ 加圧シリンダ
Ｘ 円周軌跡Ｃｐから酸化物ウエハーの外周縁が達する
最遠位置までの距離 Ｙ 円周軌跡Ｃｐから研磨布の外周縁までの距離及び研
磨布の内周縁までの距離の最大値 Ｃｐ 定盤の回転中に貼付けプレートの中心が通る定盤
上の円周軌跡 ＣＬ 定盤の回転軸 Ｃｗ 定盤の回転中に酸化物ウエハーの外周縁が達する
最遠位置
最遠位置までの距離 Ｙ 円周軌跡Ｃｐから研磨布の外周縁までの距離及び研
磨布の内周縁までの距離の最大値 Ｃｐ 定盤の回転中に貼付けプレートの中心が通る定盤
上の円周軌跡 ＣＬ 定盤の回転軸 Ｃｗ 定盤の回転中に酸化物ウエハーの外周縁が達する
最遠位置
Claims (2)
- 【請求項１】 円形の酸化物ウエハーが貼り付けられた
貼付けプレートを、該酸化物ウエハーの研磨面を下にし
て、水平な平面を維持するように回転する定盤の上に貼
り付けられた円環形の研磨布の上に載せられ、加圧シリ
ンダに加圧することにより前記貼付けプレートに鉛直方
向下向きの一定の荷重を加えつつ、定盤を回転させると
共に貼付けプレートを自転させて、かつ、前記研磨布と
前記酸化物ウエハーの研磨面との間に研磨液を供給しつ
つ、前記酸化物ウエハーの研磨面を鏡面状態にする鏡面
研磨加工方法において、定盤の回転中心から酸化物ウエ
ハーの外周縁の最も離れた部分および最も近接する部分
の半径方向間隔内に、研磨布の外周縁および内周縁が存
在するようにしたことを特徴とする高平坦度酸化物ウエ
ハーの鏡面研磨加工方法。 - 【請求項２】 円形の酸化物ウエハーが貼り付けられた
貼付けプレートを、該酸化物ウエハーの研磨面を下にし
て、水平な平面を維持するように回転する定盤の上に貼
り付けられた円環形の研磨布の上に載せられ、加圧シリ
ンダに加圧することにより前記貼付けプレートに鉛直方
向下向きの一定の荷重を加えつつ、定盤を回転させると
共に貼付けプレートを自転させて、かつ、前記研磨布と
前記酸化物ウエハーの研磨面との間に研磨液を供給しつ
つ、前記酸化物ウエハーの研磨面を鏡面状態にする鏡面
研磨加工方法において、定盤の回転中に、貼付けプレー
トの中心が通る定盤上の円周軌跡から、酸化物ウエハー
の外周縁が達する最遠位置までの距離Ｘが、前記円周軌
跡から、研磨布の外周縁までの距離及び研磨布の内周縁
までの距離の最大値Ｙよりも、１〜１０ｍｍ大きい（１
≦Ｘ−Ｙ≦１０［ｍｍ］）ことを特徴とする高平坦度酸
化物ウエハーの鏡面研磨加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002051989A JP2003257916A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 高平坦度酸化物ウエハーの鏡面研磨加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002051989A JP2003257916A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 高平坦度酸化物ウエハーの鏡面研磨加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257916A true JP2003257916A (ja) | 2003-09-12 |
| JP2003257916A5 JP2003257916A5 (ja) | 2005-07-28 |
Family
ID=28663822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002051989A Pending JP2003257916A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 高平坦度酸化物ウエハーの鏡面研磨加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003257916A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407404C (zh) * | 2003-12-26 | 2008-07-30 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体集成电路器件的制造方法 |
-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002051989A patent/JP2003257916A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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