JP2003249730A - Multiple-pattern wiring board - Google Patents

Multiple-pattern wiring board

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JP2003249730A
JP2003249730A JP2002050560A JP2002050560A JP2003249730A JP 2003249730 A JP2003249730 A JP 2003249730A JP 2002050560 A JP2002050560 A JP 2002050560A JP 2002050560 A JP2002050560 A JP 2002050560A JP 2003249730 A JP2003249730 A JP 2003249730A
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JP
Japan
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wiring
wiring board
ground
pattern
layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2002050560A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Haruhiko Matsudaira
治彦 松平
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that the loss of a high frequency signal becomes very large since a conduction pattern resonates when a ground wiring layer is positioned in a part facing the conduction pattern in a wiring board region with the miniaturization of a wiring board. <P>SOLUTION: A plurality of wiring board regions divided by division grooves are vertically and laterally arranged and formed on a mother board. The ground wiring layers 7 and signal wiring are given to the wiring board regions. A plurality of wiring patterns 5 formed between the adjacent wiring board regions by crossing the division grooves 6 and conduction patterns 5 formed between the adjacent wiring patterns 2 by exceeding the division line 6 are disposed. The ground wiring layers 7 are not arranged in parts facing the conduction patterns 5 in the wiring board regions. Since the conduction pattern 5 does not resonate with respect to the high frequency signal with the ground wiring layer 7, the transmission loss of the high frequency signal transmitted through the wiring patterns for signal can be reduced to a minimum. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、一つの母基板から
多数個の配線基板を分割して作製するための多数個取り
配線基板に関するものである。 【0002】 【従来の技術】従来の高周波信号で作動する半導体素子
を搭載する配線基板のうち、リードレスチップキャリア
(LCC)タイプのパッケージに用いたものの分解斜視
図を図5に示す。同図に示すように、このLCCタイプ
の配線基板は、一般に上面に半導体素子14が載置される
載置部を有するアルミナ(Al23)セラミックス,窒
化アルミニウム(AlN)セラミックス等のセラミック
絶縁層を複数枚積層した基体11から成る。 【0003】この基体11の第1のセラミック絶縁層11
a,第2のセラミック絶縁層11bの側面に溝を設けると
ともに、その溝の内面に電解メッキ層等から成る導電部
を設ける。そして、外部の実装基板(図示せず)と、配
線基板内部に形成されシグナル(S)ラインとグランド
(G)ラインが形成された配線パターン12とが、電極パ
ッド(外部接続端子)11eにより、電気的に接続され
る。この電極パッド11eは上記の溝の内面に形成された
導電部から成る。 【0004】また、基体11の第3のセラミック絶縁層11
cの側面には、蓋体13との接合面積を大きくして蓋体13
の基体11に対する接合を強固なものとするために、第1
のセラミック絶縁層11a,第2のセラミック絶縁層11b
のような溝は形成されておらず、この第3のセラミック
絶縁層11cは所謂シールリングとしての機能を有する。 【0005】このような配線基板は、非常に小型である
ため、母基板となる1枚のセラミックグリーンシートに
分割溝16を設け、これを複数枚積層し焼結してセラミッ
クスとした後に電解メッキを施し、その後分割溝16で分
割することにより個々の配線基板とするといった所謂多
数個取りにより製造するのがよい。この多数個取りによ
り製造した方が、分割された個々のセラミックグリーン
シートを積層し焼結するよりも製造を非常に容易にで
き、またコストを低く抑えることができる。 【0006】そのため、基体11は、図6〜図8のそれぞ
れの部分拡大平面図に示す、第1のセラミック絶縁層11
a,第2のセラミック絶縁層11b,第3のセラミック絶
縁層11c用のセラミックグリーンシートを積層し、焼結
してセラミックスとした後に電解メッキを施し、その後
分割溝16で分割することにより配線基板用の基体11とし
て作製される。 【0007】第1のセラミック絶縁層11aとなるセラミ
ックグリーンシート上には、図6に部分拡大平面図を示
すように、貫通孔11e’が設けられ、この貫通孔11e’
の略中央部を横断するように跨って分割溝16が設けられ
ているとともに、グランド配線層17となる導電ペースト
が印刷塗布される。 【0008】また、第2のセラミック絶縁層11bとなる
セラミックグリーンシートには、図7の部分拡大平面図
および図9の部分拡大平面図に示すように、分割溝16と
中央部の貫通孔(開口)11b’とが形成されるととも
に、略中央部が分割溝16を跨るようにして形成され、個
々の配線基板に分割された際に電極パッド11eを構成す
る貫通孔11e’が設けられる。さらに、この貫通孔11
e’の分割溝16に対して両側に接続されるように配線パ
ターン12が形成される。また、これら貫通孔11e’の内
周面と配線パターン12とに電解メッキを施すために、貫
通孔11e’間で分割溝16を横切るように葛折状に導通パ
ターン15が形成されている。 【0009】また、第3のセラミック絶縁層11cとなる
セラミックグリーンシートには、図9に部分拡大平面図
を示すように、図7および図9に示す中央部の貫通孔11
b’よりも若干大きく設けられた貫通孔11c’が分割溝
16とともに形成されている。 【0010】このような電極パッド11e,配線パターン
12,導通パターン15およびグランド配線層17は、タング
ステンや銅等の金属粉末メタライズから成り、例えば、
タングステン粉末と有機溶剤,バインダとから成る金属
ペーストを基体11となる各セラミックグリーンシートの
表面(溝表面を含む)に所定パターンに印刷塗布してお
くことにより形成される。 【0011】なお、第1のセラミック絶縁層11aの貫通
孔11e’内周面における電解メッキは、第1のセラミッ
ク絶縁層11aと第2のセラミック絶縁層11bとを積層し
た際に、それぞれの貫通孔11e’が接触し導通すること
により行なわれる。 【0012】このように、電解メッキ用の導通パターン
15は、電解メッキする際に全ての貫通孔11e’および配
線パターン12を電気的に接続することができ、さらに
は、個々の配線基板に分割溝16で分割した際に分割面で
導通パターン15が切断されるため、各々の配線パターン
12を電気的に短絡させることはない。 【0013】このような基体11は、半導体素子14が金
(Au)−ゲルマニウム(Ge)等の低融点ロウ材や樹
脂接着剤で接合されるとともに、配線パターン12に半導
体素子14の電極がボンデイングワイヤ(図示せず)を介
して電気的に接続される。さらに、基体11の上面に、鉄
(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金,
鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等の金属材料や、ア
ルミナセラミックス,窒化アルミニウムセラミックス等
のセラミックスから成る蓋体13が、シーム溶接等による
溶接や、金(Au)−錫(Sn)半田等の低融点ロウ材
による接着により接合される。このようにして半導体素
子14を内部に収納した製品としての半導体装置となる。 【0014】このような半導体装置は、その電極パッド
11eを介して外部の実装基板に錫(Sn)−鉛(Pb)
半田等の低融点半田で電気的に接続され、実装基板との
高周波信号の授受により半導体素子14を作動させる。 【0015】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
配線基板の小型化に伴い、配線基板領域の内層において
導通パターン15と対向する部位にグランド配線層17が位
置するようになる場合が多く、この場合には、導通パタ
ーン15がグランド配線層17との間で共振するため、半導
体素子14の動作周波数がGHz帯に高周波化したとき、
導通パターン15の切れ端の露出部分からの高周波信号の
迂回伝送による損失が非常に大きくなってしまうという
問題点があった。 【0016】本発明は上記問題点に鑑み案出されたもの
であり、その目的は、配線パターンのシグナルラインを
伝送する高周波信号の伝送特性を円滑なものとすること
により、半導体素子の高周波信号による作動性を良好な
ものとすることができる配線基板を提供することにあ
る。 【0017】 【課題を解決するための手段】本発明の多数個取り配線
基板は、セラミックスから成る絶縁層が複数積層されて
成る母基板の主面に分割溝で区切られた略四角形の複数
の配線基板領域が縦横に配列形成され、この配線基板領
域の主面および内層にグランド配線層とシグナル配線と
を有する多数個取り配線基板において、隣接する前記配
線基板領域の間で前記分割溝を横切って前記主面または
内層に形成された複数の配線パターンと、隣接するこの
配線パターン間で前記分割線を越えて前記主面または内
層に形成された導通パターンとを具備しており、前記配
線基板領域内の前記導通パターンと対向する部位には、
前記グランド配線層を設けていないことを特徴とするも
のである。 【0018】本発明によれば、配線基板領域内の導通パ
ターンと対向する部位には、グランド配線層を設けてい
ないことから、導通パターンがグランド配線層との間で
共振することがなくなるため、この導通パターンが接続
された信号用の配線パターンを伝搬する高周波信号の伝
送損失を最小限に小さくして高周波信号の伝送特性を円
滑なものとすることができ、搭載される半導体素子の高
周波信号による作動性を良好なものとすることができ
る。 【0019】 【発明の実施の形態】本発明の多数個取り配線基板を以
下に詳細に説明する。図1は本発明の多数個取り配線基
板を分割することにより作製された個々の配線基板の実
施の形態の一例を示す分解斜視図、図2〜図4は積層前
の各セラミックグリーンシートを示す部分拡大平面図で
ある。これらの図において、1は基体、2は配線パター
ンである。これらの基体1および配線パターン2により
配線基板が形成され、蓋体3等で半導体素子4を気密封
止することにより半導体装置が構成される。このような
個々の配線基板は、セラミックスから成る絶縁層が複数
積層されて成る一つの母基板に分割後に配線基板となる
配線基板領域が分割溝で区切られて縦横に配列された多
数個取り配線基板を、分割線に沿って分割することによ
り製作される。 【0020】基体1は、その上面に凹部を有するととも
に、その外側側面に、内周面に電解メッキが施され電極
パッド1eとなる溝が設けられ、アルミナセラミック
ス,窒化アルミニウムセラミックス等の各種セラミック
スから成る絶縁層が複数積層されて形成されている。ま
た、基体1の凹部の底面にグランド配線層7を有してい
る。 【0021】このグランド配線層7は、図2に示すよう
に配線基板領域内において、図3に示す導通パターン5
と対向する部位には設けないことが重要である。 【0022】その理由は、グランド配線層7を配線基板
領域内の導通パターン5と対向する部位に設けた場合
は、導通パターン5がグランド配線層7との間で高周波
信号に対して共振することとなるため、半導体素子4の
動作周波数がGHz帯に高周波化したとき、導通パター
ン5の切れ端の露出部分からの信号の迂回伝送による損
失が非常に大きくなってしまい、高周波信号の伝送特性
を劣化させてしまうからである。 【0023】基体1は、例えばアルミナセラミックスか
ら成る場合であれば、以下のようにして作製される。ま
ず、酸化アルミニウム(Al23),酸化珪素(SiO
2),酸化マグネシウム(MgO),酸化カルシウム
(CaO)等の原料粉末に有機バインダ,溶剤等を添加
混合してペーストを作製する。そのペーストをドクター
ブレード法やカレンダーロール法等を採用することによ
って、1枚または複数枚から成る、第1のセラミック絶
縁層1a,第2のセラミック絶縁層1b,第3のセラミ
ック絶縁層1cとなるセラミックグリ−ンシートを作製
する。これらのセラミックグリーンシートに、必要に応
じて貫通孔1e’および各配線基板領域の中央部に設け
られる半導体素子4を収容する凹部となる貫通孔1
b’,1c’を形成するための打ち抜き加工を施し、し
かる後、配線パターン2や導通パターン5となる部位や
貫通孔1e’の内周面に、モリブデン(Mo)−マンガ
ン(Mn)やタングステン(W)等の金属ペーストを印
刷塗布する。そして、これらを積層するとともに約1600
℃の温度で焼結することにより作製される。 【0024】なお、各セラミックグリーンシートにおい
て、貫通孔1e’を形成しなくてもよく、その場合、こ
の配線基板を半導体素子収納用パッケージと成した際に
は、積層された第1,第2,第3のセラミック絶縁層1
a,1b,1cの側面に配線パターン2に接続されたメ
タライズ配線層等から成る電極パッド1eを形成すれば
よい。 【0025】このような基体1の第1のセラミック絶縁
層1aとなる第1のセラミックグリーンシートの一方の
主面には、図2の部分拡大平面図に示すように、分割溝
6で区切られた長方形等の略四角形の配線基板領域が縦
横に配列形成される。この配線基板領域内にはグランド
配線層7となる導電ペーストが印刷されるが、本発明に
おいては、導通パターン5と対向する部位には、グラン
ド配線層7となる導電ペーストを印刷しないようにす
る。これにより、前述のような、配線基板領域内の導通
パターン5と対向する部位にグランド配線層7が設けら
れていない多数個取り配線基板を製作することができ
る。 【0026】また、この分割溝6の線上に貫通孔1e’
が設けられる。即ち、この貫通孔1e’の略中央部を横
断するように跨って分割溝6が設けられる。この貫通孔
1e’は、同じ構成の配線基板を多数形成するために、
各配線基板領域同士で分割溝6上の同様の箇所に形成さ
れる。 【0027】基体1の第2のセラミック絶縁層1bとな
る第2のセラミックグリーンシートの一方の主面には、
図3の部分拡大平面図に示すように、第1のセラミック
グリーンシート上の分割溝6に対応する分割溝6で区切
られた、半導体素子4を取り囲むための貫通孔1b’が
中央に形成された、外形が四角形で枠状の配線基板領域
が縦横に配列形成される。各配線基板領域では、分割溝
6上に第1のセラミックグリーンシートの貫通孔1e’
に対応する貫通孔1e’が形成される。即ち、第2のセ
ラミックグリーンシートの貫通孔1e’の略中央部を横
断するように跨って第2のセラミックグリーンシート上
に分割溝6が設けられる。 【0028】第2のセラミックグリーンシートの貫通孔
1e’から貫通孔1b’側に延びる配線パターン2を形
成するに際し、各配線基板領域において、信号〔シグナ
ル(S)〕用の配線パターン2と接地〔グランド
(G)〕用の配線パターン2とが、例えば交互に配置さ
れるように形成する。この場合、貫通孔1e’がなけれ
ば、配線パターン2は互いに隣接する配線基板領域同士
の間で分割溝6を横切って形成される。 【0029】また、隣接する配線基板領域間で、貫通孔
1e’に対して分割溝6の両側に、信号用の配線パター
ン2と接地用の配線パターン2とが設けられる。即ち、
一つの貫通孔1e’に対して、一方に信号用の配線パタ
ーン2が、他方に接地用の配線パターン2が配置される
ように形成される。 【0030】また、この配線パターン2は、インピーダ
ンス特性を良好なものとするために、例えば信号用と接
地用とが交互に配置形成されるように貫通孔1e’に接
続するようにしてもよい。この場合、グランドライン
は、配線パターン2の切れ端が貫通孔1e’の周辺部に
残存しても高周波伝送特性が損なわれることはない。 【0031】なお、シグナルラインは、配線パターン2
とそれに接続された貫通孔1e’の導体とで構成される
高周波信号の伝送路であり、グランドラインは、配線パ
ターン2とそれに接続された貫通孔1e’の導体とで構
成される接地電位の導電路である。 【0032】このような配線パターン2自体の構成は、
信号用と接地用とで特に区別されるものではないが、シ
グナルラインの左右両隣にグランドラインを形成してお
く方が、インピーダンス特性を良好なものとできる。 【0033】第3のセラミック絶縁層1cとなる第3の
セラミックグリーンシートの主面には、図4に示すよう
に、第2のセラミックグリーンシート上の分割溝6に対
応する分割溝6で区切られた、中央部に貫通孔1c’が
形成された外形が四角形で枠状の基板領域が縦横に配列
形成されている。また、図4の平面図に示すように、図
3の貫通孔1b’よりも開口幅が若干大きく形成された
貫通孔1c’が形成される。これは、図1に示すよう
に、基体1の凹部を下方に向かって段階的に狭くする構
成とするためである。 【0034】この第3のセラミック絶縁層1cは、その
上面が、半導体素子4を封止するための蓋体3がシーム
溶接等による溶接や金(Au)−錫(Sn)半田等の低
融点ロウ材による接着により強固に接合されるシール部
材、所謂シールリングとして機能する。また、その枠の
幅は接合強度を維持するような適度な大きさとされる。 【0035】なお、第1のセラミック絶縁層1aの貫通
孔1e’内周面における電解メッキは、第1のセラミッ
ク絶縁層1aと第2のセラミック絶縁層1bとを積層し
た際に、それぞれの貫通孔1e’が接触し導通すること
により行なわれる。 【0036】また、配線パターン2間で分割溝6を越え
て形成された導通パターン5は、積層し焼結した後にニ
ッケル(Ni)メッキ,金(Au)メッキ等の耐食性に
優れた電解メッキを施す際に、全ての貫通孔1e’およ
び配線パターン2を電気的に接続するものである。ま
た、個々の配線基板に分割した際に、分割面で導通パタ
ーン5および貫通孔1e’が切断されるため、各々の配
線パターン2を電気的に短絡させることはない。 【0037】かくして、本発明の多数個取り配線基板
は、基体1の略中央部に設けられる貫通孔1b’,1
c’と、基体1の外側側面に設けられ、貫通孔1e’を
縦方向に分割して形成された溝から成り外部との電気的
接続を行なう電極パッド1eとなる溝と、第1,第2,
第3の各セラミックグリーンシートに設けられた貫通孔
1e’の上端開口の略中央部を横断する分割溝6と、第
2のセラミックグリーンシートに設けられた貫通孔1
e’の分割溝6に対して両側に接合され、半導体素子4
との電気的接続を行なう配線パターン2と、隣接する配
線パターン2間で分割線6を越えて第2のセラミックグ
リーンシートに形成された導通パターン5と、第1のセ
ラミックグリーンシートに形成され、導通パターン5と
対向する部位には形成されていないグランド配線層7と
を有する配線基板領域が縦横に形成された構造を有す
る。 【0038】図1の場合、各配線基板は、貫通孔1
b’,1c’と、貫通孔1e’と、分割溝6と、グラン
ド配線層7と、配線パターン2と、導通パターン5とが
設けられた、第1〜第3のセラミックグリーンシートを
積層し焼結し電解メッキを施した後、第1,第2,第3
の各セラミックグリーンシートを上下方向で重なるよう
に対応する分割溝6で分割することにより作製される。 【0039】また、本発明の多数個取り配線基板により
形成される個々の配線基板は、図1のような基体1の上
面に凹部を形成したものに限らず、平板状の基体の上面
の周縁部にキャップ状の蓋体を接合させたものであって
もよい。 【0040】このように、セラミックグリーンシートを
複数枚積層し、焼結し電解メッキが施されて成る各セラ
ミック絶縁層1a,1b,1cが積層されて成る母基板
を分割溝6で分割し基体1と成した後、半導体素子4を
金(Au)−ゲルマニウム(Ge)等の低融点ロウ材や
樹脂接着剤を介して載置固定し、半導体素子4の電極を
配線パターン2にボンディングワイヤを介して電気的に
接続する。その後、基体1の上面に鉄(Fe)−ニッケ
ル(Ni)−コバルト(Co)合金,鉄−ニッケル合金
等の金属材料や、アルミナセラミックス,窒化アルミニ
ウムセラミックス等のセラミックスから成る蓋体3が、
シーム溶接等による溶接や金(Au)−錫(Sn)半田
等の低融点ロウ材による接着により接合され、半導体素
子4を内部に収納した製品としての半導体装置となる。 【0041】このような半導体装置は、その電極パッド
1eを介して外部の実装基板に錫(Sn)−鉛(Pb)
半田等の低融点半田で電気的に接続され、実装基板との
高周波信号の授受により半導体素子4を作動させる。 【0042】なお、本発明は上記の実施の形態の例に限
定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種
々の変更を行なうことは何等支障ない。 【0043】例えば、高周波信号で作動する発光素子の
一種である半導体レーザ(LD)等の光素子を収納する
光半導体素子収納用パッケージを形成するための配線基
板の場合においても、本発明を適用できる。 【0044】 【発明の効果】本発明の多数個取り配線基板によれば、
セラミックスから成る絶縁層が複数積層されて成る母基
板の主面に分割溝で区切られた略四角形の複数の配線基
板領域が縦横に配列形成され、この配線基板領域の主面
および内層にグランド配線層とシグナル配線とを有する
多数個取り配線基板において、隣接する前記配線基板領
域の間で前記分割溝を横切って前記主面または内層に形
成された複数の配線パターンと、隣接するこの配線パタ
ーン間で前記分割線を越えて前記主面または内層に形成
された導通パターンとを具備しており、前記配線基板領
域内の前記導通パターンと対向する部位には、前記グラ
ンド配線層を設けていないことから、導通パターンがグ
ランド配線層との間で共振することがなくなるため、こ
の導通パターンが接続された信号用の配線パターンを伝
搬する高周波信号の伝送損失を最小限に小さくして高周
波信号の伝送特性を円滑なものとすることができ、搭載
される半導体素子の高周波信号による作動性を良好なも
のとすることができる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-cavity wiring board for dividing and manufacturing a large number of wiring boards from one mother board. 2. Description of the Related Art FIG. 5 is an exploded perspective view of a conventional wiring board on which a semiconductor element operated by a high-frequency signal is mounted, which is used for a leadless chip carrier (LCC) type package. As shown in the figure, this LCC type wiring board generally has a ceramic insulating material such as alumina (Al 2 O 3 ) ceramic or aluminum nitride (AlN) ceramic having a mounting portion on which a semiconductor element 14 is mounted. It is composed of a substrate 11 in which a plurality of layers are laminated. The first ceramic insulating layer 11 of the substrate 11
a, A groove is provided on the side surface of the second ceramic insulating layer 11b, and a conductive portion made of an electrolytic plating layer or the like is provided on the inner surface of the groove. Then, an external mounting board (not shown) and a wiring pattern 12 formed inside the wiring board and formed with a signal (S) line and a ground (G) line are formed by electrode pads (external connection terminals) 11e. It is electrically connected. The electrode pad 11e is formed of a conductive portion formed on the inner surface of the groove. The third ceramic insulating layer 11 of the base 11
On the side surface of c, the joint area with the lid 13 is increased so that the lid 13
In order to strengthen the bonding of the
Ceramic insulating layer 11a, second ceramic insulating layer 11b
Such a groove is not formed, and the third ceramic insulating layer 11c has a function as a so-called seal ring. Since such a wiring board is very small, a single ceramic green sheet serving as a mother board is provided with a dividing groove 16, and a plurality of these are laminated and sintered to obtain a ceramic, which is then subjected to electrolytic plating. After that, it is preferable to manufacture the substrate by so-called multi-cavity in which individual wiring boards are formed by dividing the substrate by the dividing grooves 16. The production by multi-cavity production is much easier than the lamination and sintering of the divided individual ceramic green sheets, and the cost can be reduced. For this reason, the base 11 is formed of a first ceramic insulating layer 11 shown in the respective partial enlarged plan views of FIGS.
a, the ceramic green sheets for the second ceramic insulating layer 11b and the third ceramic insulating layer 11c are laminated, sintered to form ceramics, then subjected to electrolytic plating, and then divided by the dividing grooves 16 to obtain a wiring board. It is manufactured as a base 11 for use. As shown in a partially enlarged plan view of FIG. 6, a through hole 11e 'is provided on the ceramic green sheet serving as the first ceramic insulating layer 11a.
A dividing groove 16 is provided so as to traverse the substantially central portion of the substrate, and a conductive paste to be the ground wiring layer 17 is applied by printing. As shown in a partially enlarged plan view of FIG. 7 and a partially enlarged plan view of FIG. 9, a ceramic green sheet serving as the second ceramic insulating layer 11b has a dividing groove 16 and a through hole at the center. An opening 11b 'is formed, and a substantially central portion is formed so as to straddle the dividing groove 16, and a through hole 11e' constituting an electrode pad 11e when divided into individual wiring boards is provided. Furthermore, this through hole 11
The wiring pattern 12 is formed so as to be connected to both sides of the dividing groove 16 of e '. In order to electrolytic-plate the inner peripheral surface of the through holes 11e 'and the wiring pattern 12, conductive patterns 15 are formed between the through holes 11e' so as to cross the dividing grooves 16 in a zigzag manner. As shown in a partially enlarged plan view of FIG. 9, a ceramic green sheet serving as the third ceramic insulating layer 11c has a central through hole 11 shown in FIGS.
The through hole 11c 'provided slightly larger than b'
Formed with 16. [0010] Such an electrode pad 11e, wiring pattern
12, the conduction pattern 15 and the ground wiring layer 17 are made of metal powder metalization such as tungsten or copper.
It is formed by printing and applying a metal paste composed of a tungsten powder, an organic solvent, and a binder in a predetermined pattern on the surface (including the groove surface) of each ceramic green sheet serving as the substrate 11. The electrolytic plating on the inner peripheral surface of the through-hole 11e 'of the first ceramic insulating layer 11a is performed when the first ceramic insulating layer 11a and the second ceramic insulating layer 11b are laminated. This is performed by making the holes 11e 'contact and conducting. Thus, the conductive pattern for electrolytic plating
15 can electrically connect all the through holes 11 e ′ and the wiring patterns 12 at the time of electrolytic plating, and furthermore, when divided into individual wiring boards by the dividing grooves 16, the conductive patterns 15 Is cut, so each wiring pattern
12 will not be electrically shorted. In such a base 11, the semiconductor element 14 is bonded with a low melting point brazing material such as gold (Au) -germanium (Ge) or a resin adhesive, and the electrodes of the semiconductor element 14 are bonded to the wiring pattern 12. They are electrically connected via wires (not shown). Further, an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy,
A cover 13 made of a metal material such as an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy, or a ceramic such as alumina ceramics or aluminum nitride ceramics is welded by seam welding or the like, gold (Au) -tin (Sn) solder, or the like. Are bonded by bonding with a low melting point brazing material. Thus, a semiconductor device as a product in which the semiconductor element 14 is housed is obtained. Such a semiconductor device has its electrode pad
11e to tin (Sn) -lead (Pb) on external mounting substrate
The semiconductor element 14 is electrically connected by low melting point solder such as solder, and operates the semiconductor element 14 by transmitting and receiving a high frequency signal to and from the mounting board. However, with the recent miniaturization of the wiring board, there is a case where the ground wiring layer 17 is located at a position facing the conductive pattern 15 in the inner layer of the wiring board area. In many cases, in this case, since the conduction pattern 15 resonates with the ground wiring layer 17, when the operating frequency of the semiconductor element 14 is increased to a GHz band,
There is a problem that the loss due to the bypass transmission of the high-frequency signal from the exposed portion of the cut end of the conduction pattern 15 becomes extremely large. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to improve the transmission characteristics of a high frequency signal transmitted through a signal line of a wiring pattern by using a high frequency signal of a semiconductor element. It is an object of the present invention to provide a wiring board capable of improving the operability of the wiring board. According to the present invention, there is provided a multi-cavity wiring board according to the present invention, wherein a plurality of substantially quadrangular rectangular sections divided by dividing grooves are formed on a main surface of a mother board formed by laminating a plurality of insulating layers made of ceramic. In a multi-cavity wiring board having a wiring board region arranged vertically and horizontally and having a ground wiring layer and a signal wiring on a main surface and an inner layer of the wiring board region, the wiring board region crosses the dividing groove between the adjacent wiring board regions. A plurality of wiring patterns formed on the main surface or the inner layer, and a conduction pattern formed on the main surface or the inner layer beyond the dividing line between the adjacent wiring patterns. In a region facing the conductive pattern in the region,
It is characterized in that the ground wiring layer is not provided. According to the present invention, since the ground wiring layer is not provided in a portion of the wiring board region facing the conductive pattern, the conductive pattern does not resonate with the ground wiring layer. The transmission loss of a high-frequency signal propagating through a signal wiring pattern to which the conductive pattern is connected can be minimized, and the transmission characteristics of the high-frequency signal can be made smooth. Operability can be improved. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A multi-cavity wiring board according to the present invention will be described in detail below. FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of an embodiment of an individual wiring board manufactured by dividing the multi-cavity wiring board of the present invention, and FIGS. 2 to 4 show respective ceramic green sheets before lamination. It is a partial enlarged plan view. In these figures, 1 is a base and 2 is a wiring pattern. A wiring board is formed by the base 1 and the wiring pattern 2, and the semiconductor device 4 is formed by hermetically sealing the semiconductor element 4 with the lid 3 and the like. Such an individual wiring board is formed by multi-cavity wiring in which a wiring board area which becomes a wiring board after being divided into one mother board formed by laminating a plurality of insulating layers made of ceramics is divided by a dividing groove and arranged vertically and horizontally. It is manufactured by dividing a substrate along a dividing line. The base 1 has a concave portion on the upper surface, and has a groove on the outer side surface, which is provided with an electrode pad 1e by electrolytic plating on the inner peripheral surface, and is made of various ceramics such as alumina ceramics and aluminum nitride ceramics. Are formed by laminating a plurality of insulating layers. Further, a ground wiring layer 7 is provided on the bottom surface of the concave portion of the base 1. As shown in FIG. 2, the ground wiring layer 7 has a conductive pattern 5 shown in FIG.
It is important that it is not provided at a portion facing the above. The reason is that, when the ground wiring layer 7 is provided at a portion facing the conductive pattern 5 in the wiring board area, the conductive pattern 5 resonates with the ground wiring layer 7 against a high-frequency signal. Therefore, when the operating frequency of the semiconductor element 4 is increased to the GHz band, the loss due to the bypass transmission of the signal from the exposed portion of the cut end of the conduction pattern 5 becomes very large, and the transmission characteristic of the high-frequency signal deteriorates. This is because they will. If the base 1 is made of, for example, alumina ceramics, it is manufactured as follows. First, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and silicon oxide (SiO
2 ) An organic binder, a solvent and the like are added to and mixed with raw material powders such as magnesium oxide (MgO) and calcium oxide (CaO) to prepare a paste. The paste is used as a first ceramic insulating layer 1a, a second ceramic insulating layer 1b, and a third ceramic insulating layer 1c by using a doctor blade method, a calender roll method, or the like. A ceramic green sheet is produced. In these ceramic green sheets, if necessary, the through holes 1e 'and the through holes 1 serving as recesses for accommodating the semiconductor elements 4 provided at the center of each wiring board region are provided.
A punching process for forming b ′ and 1c ′ is performed, and thereafter, molybdenum (Mo) -manganese (Mn) or tungsten Print and apply a metal paste such as (W). Then, these are laminated and about 1600
It is produced by sintering at a temperature of ° C. In each ceramic green sheet, it is not necessary to form the through-hole 1e '. In this case, when this wiring board is formed as a package for accommodating a semiconductor element, the first and second stacked layers are not formed. , Third ceramic insulating layer 1
An electrode pad 1e made of a metallized wiring layer or the like connected to the wiring pattern 2 may be formed on the side surfaces of a, 1b, and 1c. One main surface of the first ceramic green sheet which becomes the first ceramic insulating layer 1a of the base 1 is divided by a dividing groove 6 as shown in a partially enlarged plan view of FIG. A substantially rectangular wiring board region such as a rectangle is vertically and horizontally arranged. In this wiring board region, a conductive paste to be the ground wiring layer 7 is printed, but in the present invention, the conductive paste to be the ground wiring layer 7 is not printed on a portion facing the conductive pattern 5. . As a result, it is possible to manufacture a multi-cavity wiring board in which the ground wiring layer 7 is not provided at a portion facing the conductive pattern 5 in the wiring board region as described above. Further, a through hole 1e 'is formed on the line of the dividing groove 6.
Is provided. That is, the dividing groove 6 is provided so as to cross the substantially central portion of the through hole 1e '. This through-hole 1e 'is used to form a large number of wiring boards having the same configuration.
Each wiring board region is formed at a similar location on the dividing groove 6. On one main surface of the second ceramic green sheet to be the second ceramic insulating layer 1b of the base 1,
As shown in the partially enlarged plan view of FIG. 3, a through hole 1b 'for surrounding the semiconductor element 4 is formed at the center, which is divided by the dividing groove 6 corresponding to the dividing groove 6 on the first ceramic green sheet. In addition, a frame-shaped wiring board region having a quadrangular outer shape is arranged vertically and horizontally. In each wiring board area, the through hole 1 e ′ of the first ceramic green sheet is formed on the division groove 6.
Is formed. That is, the dividing groove 6 is provided on the second ceramic green sheet so as to cross the substantially central portion of the through hole 1e 'of the second ceramic green sheet. When forming the wiring pattern 2 extending from the through hole 1e 'to the through hole 1b' side of the second ceramic green sheet, the wiring pattern 2 for signal [signal (S)] is grounded in each wiring board region. [Ground (G)] wiring patterns 2 are formed, for example, so as to be alternately arranged. In this case, if there is no through hole 1e ', the wiring pattern 2 is formed across the division groove 6 between the wiring board regions adjacent to each other. Further, between adjacent wiring board regions, a signal wiring pattern 2 and a ground wiring pattern 2 are provided on both sides of the dividing groove 6 with respect to the through hole 1e '. That is,
For one through hole 1e ', a signal wiring pattern 2 is formed on one side and a ground wiring pattern 2 is formed on the other. In order to improve the impedance characteristic, the wiring pattern 2 may be connected to the through hole 1e 'such that, for example, the signal pattern and the ground pattern are alternately formed. . In this case, the high-frequency transmission characteristics of the ground line are not impaired even if a cut end of the wiring pattern 2 remains in the periphery of the through hole 1e '. The signal line is a wiring pattern 2
And a conductor of the through-hole 1e 'connected thereto, and a transmission line of a high-frequency signal. The ground line is a ground potential of the ground pattern formed by the wiring pattern 2 and the conductor of the through-hole 1e' connected thereto. It is a conductive path. The configuration of the wiring pattern 2 itself is as follows.
Although there is no particular distinction between a signal line and a ground line, it is better to form ground lines on both the left and right sides of the signal line to improve the impedance characteristics. As shown in FIG. 4, the main surface of the third ceramic green sheet serving as the third ceramic insulating layer 1c is divided by division grooves 6 corresponding to the division grooves 6 on the second ceramic green sheet. The frame-shaped substrate regions having the through-holes 1c 'formed in the center at the center and having a rectangular shape are arranged vertically and horizontally. As shown in the plan view of FIG. 4, a through hole 1c 'having an opening width slightly larger than that of the through hole 1b' of FIG. 3 is formed. This is because, as shown in FIG. 1, the concave portion of the base body 1 is gradually narrowed downward. The upper surface of the third ceramic insulating layer 1c has a lid 3 for sealing the semiconductor element 4, which is welded by seam welding or a low melting point metal such as gold (Au) -tin (Sn) solder. It functions as a seal member that is firmly joined by bonding with a brazing material, a so-called seal ring. Further, the width of the frame is set to an appropriate size to maintain the bonding strength. The electrolytic plating on the inner peripheral surface of the through-hole 1e 'of the first ceramic insulating layer 1a is performed when the first ceramic insulating layer 1a and the second ceramic insulating layer 1b are laminated. This is performed by making the holes 1e 'contact and conducting. The conductive patterns 5 formed between the wiring patterns 2 beyond the dividing grooves 6 are laminated and sintered, and then subjected to electrolytic plating having excellent corrosion resistance such as nickel (Ni) plating and gold (Au) plating. At the time of application, all the through holes 1e 'and the wiring patterns 2 are electrically connected. In addition, when the wiring pattern is divided into individual wiring boards, the conductive pattern 5 and the through hole 1e 'are cut off at the divided surface, so that each wiring pattern 2 is not electrically short-circuited. Thus, the multi-cavity wiring board of the present invention is provided with the through holes 1 b ′, 1
c ', a groove provided on the outer side surface of the base 1, and formed as a groove formed by dividing the through hole 1e' in the vertical direction and serving as an electrode pad 1e for making an electrical connection to the outside; 2,
A dividing groove 6 traversing a substantially central portion of an upper end opening of a through hole 1e 'provided in each of the third ceramic green sheets; and a through hole 1 provided in the second ceramic green sheet.
e 'is joined on both sides to the dividing groove 6, and the semiconductor element 4
A conductive pattern 5 formed on the second ceramic green sheet beyond the dividing line 6 between the adjacent wiring patterns 2, and a conductive pattern 5 formed on the first ceramic green sheet, It has a structure in which a wiring board region having a ground wiring layer 7 that is not formed in a portion facing the conductive pattern 5 is formed vertically and horizontally. In the case of FIG. 1, each wiring board has a through hole 1
The first to third ceramic green sheets provided with b ′, 1c ′, the through hole 1e ′, the dividing groove 6, the ground wiring layer 7, the wiring pattern 2, and the conductive pattern 5 are laminated. After sintering and electrolytic plating, the first, second, third
Is produced by dividing the respective ceramic green sheets by the corresponding dividing grooves 6 so as to overlap in the vertical direction. Further, the individual wiring boards formed by the multi-cavity wiring board of the present invention are not limited to those having recesses formed on the upper surface of the base 1 as shown in FIG. A cap-shaped lid may be joined to the portion. As described above, a plurality of ceramic green sheets are laminated, sintered, and subjected to electrolytic plating. The mother substrate formed by laminating the ceramic insulating layers 1a, 1b, and 1c is divided by the dividing grooves 6 to form a base. After that, the semiconductor element 4 is placed and fixed via a low melting point brazing material such as gold (Au) -germanium (Ge) or a resin adhesive, and the electrodes of the semiconductor element 4 are bonded to the wiring pattern 2 by bonding wires. Electrical connection via Thereafter, a cover 3 made of a metal material such as an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or an iron-nickel alloy, or a ceramic such as alumina ceramics or aluminum nitride ceramics is provided on the upper surface of the base 1.
It is joined by welding by seam welding or the like or by bonding with a low-melting-point brazing material such as gold (Au) -tin (Sn) solder, and the semiconductor device as a product in which the semiconductor element 4 is housed is obtained. In such a semiconductor device, tin (Sn) -lead (Pb) is mounted on an external mounting substrate via the electrode pad 1e.
The semiconductor element 4 is electrically connected by low melting point solder such as solder, and operates the semiconductor element 4 by transmitting and receiving a high frequency signal to and from the mounting substrate. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and that various changes may be made without departing from the scope of the present invention. For example, the present invention can be applied to a wiring board for forming an optical semiconductor element housing package for housing an optical element such as a semiconductor laser (LD) which is a kind of light emitting element operated by a high frequency signal. it can. According to the multi-cavity wiring board of the present invention,
A plurality of substantially rectangular wiring board regions separated by dividing grooves are arranged vertically and horizontally on a main surface of a mother substrate formed by laminating a plurality of insulating layers made of ceramics, and ground wiring is provided on the main surface and the inner layer of the wiring board region. In a multi-cavity wiring board having a layer and a signal wiring, a plurality of wiring patterns formed on the main surface or the inner layer across the division groove between the adjacent wiring board regions, and between the adjacent wiring patterns. And a conductive pattern formed on the main surface or the inner layer beyond the dividing line, and the ground wiring layer is not provided in a portion of the wiring board region facing the conductive pattern. Therefore, since the conductive pattern does not resonate with the ground wiring layer, the high-frequency signal propagating through the signal wiring pattern to which the conductive pattern is connected. The transmission loss was reduced to a minimum can be made smooth transmission characteristics of the high-frequency signal, it can be made excellent operability due to the high frequency signal of the semiconductor element to be mounted.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の多数個取り配線基板を分割することに
より作製された個々の配線基板の実施の形態の一例を示
す分解斜視図である。 【図2】本発明の多数個取り配線基板における第1のセ
ラミック絶縁層となる積層前の第1のセラミックグリー
ンシートを示す部分拡大平面図である。 【図3】本発明の多数個取り配線基板における第2のセ
ラミック絶縁層となる積層前の第2のセラミックグリー
ンシートを示す部分拡大平面図である。 【図4】本発明の多数個取り配線基板における第3のセ
ラミック絶縁層となる積層前の第3のセラミックグリー
ンシートを示す部分拡大平面図である。 【図5】従来の配線基板を示す分解斜視図である。 【図6】従来の多数個取り配線基板における第1のセラ
ミック絶縁層となる積層前のセラミックグリーンシート
を示す部分拡大平面図である。 【図7】従来の多数個取り配線基板における第2のセラ
ミック絶縁層となる積層前のセラミックグリーンシート
を示す部分拡大平面図である。 【図8】従来の多数個取り配線基板における第3のセラ
ミック絶縁層となる積層前のセラミックグリーンシート
を示す部分拡大平面図である。 【図9】図7の導通パターンを示すセラミックグリーン
シートの部分拡大平面図である。 【符号の説明】 1:基体 1a:第1のセラミック絶縁層 1b:第2のセラミック絶縁層 1c:第3のセラミック絶縁層 1d:載置部 1e’ :貫通孔 2:配線パターン 3:蓋体 4:半導体素子 5:導通パターン 6:分割溝 7:グランド配線層
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of an embodiment of an individual wiring board manufactured by dividing a multi-piece wiring board of the present invention. FIG. 2 is a partially enlarged plan view showing a first ceramic green sheet before lamination as a first ceramic insulating layer in the multi-cavity wiring board of the present invention. FIG. 3 is a partially enlarged plan view showing a second ceramic green sheet before lamination as a second ceramic insulating layer in the multi-cavity wiring board of the present invention. FIG. 4 is a partially enlarged plan view showing a third ceramic green sheet before lamination as a third ceramic insulating layer in the multi-cavity wiring board of the present invention. FIG. 5 is an exploded perspective view showing a conventional wiring board. FIG. 6 is a partially enlarged plan view showing a ceramic green sheet before lamination as a first ceramic insulating layer in a conventional multi-cavity wiring board. FIG. 7 is a partially enlarged plan view showing a ceramic green sheet before lamination serving as a second ceramic insulating layer in a conventional multi-cavity wiring board. FIG. 8 is a partially enlarged plan view showing a ceramic green sheet before lamination as a third ceramic insulating layer in a conventional multi-cavity wiring board. FIG. 9 is a partially enlarged plan view of the ceramic green sheet showing the conduction pattern of FIG. 7; DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: Base 1a: first ceramic insulating layer 1b: second ceramic insulating layer 1c: third ceramic insulating layer 1d: mounting portion 1e ': through hole 2: wiring pattern 3: lid 4: semiconductor element 5: conduction pattern 6: division groove 7: ground wiring layer

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 セラミックスから成る絶縁層が複数積層
されて成る母基板の主面に分割溝で区切られた略四角形
の複数の配線基板領域が縦横に配列形成され、該配線基
板領域の主面および内層にグランド配線層とシグナル配
線とを有する多数個取り配線基板において、隣接する前
記配線基板領域の間で前記分割溝を横切って前記主面ま
たは内層に形成された複数の配線パターンと、隣接する
該配線パターン間で前記分割溝を越えて前記主面または
内層に形成された導通パターンとを具備しており、前記
配線基板領域内の前記導通パターンと対向する部位に
は、前記グランド配線層を設けていないことを特徴とす
る多数個取り配線基板。
Claims: 1. A plurality of substantially quadrangular wiring board regions separated by dividing grooves are formed vertically and horizontally on a main surface of a mother board formed by laminating a plurality of insulating layers made of ceramics. In a multi-cavity wiring board having a ground wiring layer and signal wiring on a main surface and an inner layer of a wiring board region, a plurality of wiring boards formed on the main surface or the inner layer across the dividing groove between adjacent wiring board regions. And a conductive pattern formed on the main surface or the inner layer beyond the division groove between the adjacent wiring patterns, and a portion of the wiring substrate region facing the conductive pattern. A multi-piece wiring board, wherein the ground wiring layer is not provided.
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