JP2003243948A - マイクロ波電力増幅器 - Google Patents
マイクロ波電力増幅器Info
- Publication number
- JP2003243948A JP2003243948A JP2002037984A JP2002037984A JP2003243948A JP 2003243948 A JP2003243948 A JP 2003243948A JP 2002037984 A JP2002037984 A JP 2002037984A JP 2002037984 A JP2002037984 A JP 2002037984A JP 2003243948 A JP2003243948 A JP 2003243948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- circuit
- supply voltage
- microwave
- amplifying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パルス電源回路と電力増幅素子との線路長を
短くしたマイクロ波電力増幅器を提供すること。 【解決手段】 マイクロ波パルス信号を増幅する並列接
続された複数の増幅回路１２ａ〜１２ｄと、この複数の
増幅回路１２ａ〜１２ｄに供給する電源電圧を生成する
主電源回路１７と、この主電源回路１７が生成する電源
電圧を断続し、前記増幅回路１２ａ〜１２ｄに印加する
パルス状電源電圧を生成するスイッチ回路１８とを具備
したマイクロ波電力増幅器において、複数の増幅回路１
２ａ〜１２ｄを所定の第１の高さに配置し、スイッチ回
路１８を複数の増幅回路１２ａ〜１２ｄと相違する第２
の高さに配置している。
短くしたマイクロ波電力増幅器を提供すること。 【解決手段】 マイクロ波パルス信号を増幅する並列接
続された複数の増幅回路１２ａ〜１２ｄと、この複数の
増幅回路１２ａ〜１２ｄに供給する電源電圧を生成する
主電源回路１７と、この主電源回路１７が生成する電源
電圧を断続し、前記増幅回路１２ａ〜１２ｄに印加する
パルス状電源電圧を生成するスイッチ回路１８とを具備
したマイクロ波電力増幅器において、複数の増幅回路１
２ａ〜１２ｄを所定の第１の高さに配置し、スイッチ回
路１８を複数の増幅回路１２ａ〜１２ｄと相違する第２
の高さに配置している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーダ用送信信号
などに用いられるパルス信号を増幅するマイクロ波電力
増幅器に関する。
などに用いられるパルス信号を増幅するマイクロ波電力
増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーダ用送信信号たとえばパルス信号を
増幅する場合、大電力のマイクロ波電力増幅器が使用さ
れる。大電力マイクロ波電力増幅器には、たとえばＧａ
ＡｓＦＥＴで構成した複数の電力増幅素子を並列に接続
し、それぞれの電力増幅素子で増幅したマイクロ波信号
を合成する方法が採用されている。
増幅する場合、大電力のマイクロ波電力増幅器が使用さ
れる。大電力マイクロ波電力増幅器には、たとえばＧａ
ＡｓＦＥＴで構成した複数の電力増幅素子を並列に接続
し、それぞれの電力増幅素子で増幅したマイクロ波信号
を合成する方法が採用されている。
【０００３】ここで、従来のマイクロ波電力増幅器につ
いて図４を参照して説明する。マイクロ波パルス信号た
とえばレーダ用パルス信号が高周波入力端子ＩＮから入
力する。レーダ用パルス信号は分配器４１でたとえば４
分され、互いに並列接続された４個の電力増幅素子４２
ａ〜４２ｄで増幅される。増幅されたレーダ用パルス信
号は、その後、合成器４３で合成され、出力端子ＯＵＴ
に出力する。
いて図４を参照して説明する。マイクロ波パルス信号た
とえばレーダ用パルス信号が高周波入力端子ＩＮから入
力する。レーダ用パルス信号は分配器４１でたとえば４
分され、互いに並列接続された４個の電力増幅素子４２
ａ〜４２ｄで増幅される。増幅されたレーダ用パルス信
号は、その後、合成器４３で合成され、出力端子ＯＵＴ
に出力する。
【０００４】また、主電源回路４４から供給される電源
電圧がパルス電源回路４５で断続され、パルス化したパ
ルス状電源電圧がそれぞれの電力増幅素子４２ａ〜４２
ｄに加えられる。
電圧がパルス電源回路４５で断続され、パルス化したパ
ルス状電源電圧がそれぞれの電力増幅素子４２ａ〜４２
ｄに加えられる。
【０００５】上記した構成のマイクロ波電力増幅器は、
マイクロ波パルス信号を増幅する場合、通常、Ａ級動作
あるいはＡＢ級動作で使用される。このため、マイクロ
波パルス信号の入力の有無に関係なく電力が消費され
る。したがって、消費電力を低減し、あるいは、発熱量
を低減するために、電力増幅素子にパルス状電源電圧を
供給し、たとえばマイクロ波パルス信号が入力するオン
の期間に電力増幅素子を動作させ、マイクロ波パルス信
号が入力しないオフの期間は電力増幅素子を動作させな
い方法が取られている。
マイクロ波パルス信号を増幅する場合、通常、Ａ級動作
あるいはＡＢ級動作で使用される。このため、マイクロ
波パルス信号の入力の有無に関係なく電力が消費され
る。したがって、消費電力を低減し、あるいは、発熱量
を低減するために、電力増幅素子にパルス状電源電圧を
供給し、たとえばマイクロ波パルス信号が入力するオン
の期間に電力増幅素子を動作させ、マイクロ波パルス信
号が入力しないオフの期間は電力増幅素子を動作させな
い方法が取られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波電力
増幅器は、マイクロ波パルス信号を増幅する場合、たと
えば複数の電力増幅素子を並列に接続し、それぞれの電
力増幅素子に対して共通のパルス電源回路から電源電圧
を供給する構成になっている。この場合、複数の電力増
幅素子やパルス電源回路は、通常、同じ高さたとえば同
じ基板上の別々の領域に形成される。そのため、広い面
積の基板が必要とされ、全体の構造が大型化する。ま
た、パルス電源回路から遠い側に位置する電力増幅素子
とパルス電源回路との線路長が長くなり、線路長による
インダクタンス成分が影響するようになる。
増幅器は、マイクロ波パルス信号を増幅する場合、たと
えば複数の電力増幅素子を並列に接続し、それぞれの電
力増幅素子に対して共通のパルス電源回路から電源電圧
を供給する構成になっている。この場合、複数の電力増
幅素子やパルス電源回路は、通常、同じ高さたとえば同
じ基板上の別々の領域に形成される。そのため、広い面
積の基板が必要とされ、全体の構造が大型化する。ま
た、パルス電源回路から遠い側に位置する電力増幅素子
とパルス電源回路との線路長が長くなり、線路長による
インダクタンス成分が影響するようになる。
【０００７】たとえば、マイクロ波パルス信号の立ち上
がりや立ち下がり時間が１μｓよりも小さくなると、パ
ルス電源回路および電力増幅素子間の線路のインダクタ
ンス成分が影響し、電力増幅素子に加えるパルス状電源
電圧の波形にスパイクやリンギングが発生する。その結
果、マイクロ波パルス信号に振幅変調が生じ、その振幅
変調分が電力増幅素子の耐電圧を超えると、増幅素子を
劣化させたり、あるいは、破壊したりする。
がりや立ち下がり時間が１μｓよりも小さくなると、パ
ルス電源回路および電力増幅素子間の線路のインダクタ
ンス成分が影響し、電力増幅素子に加えるパルス状電源
電圧の波形にスパイクやリンギングが発生する。その結
果、マイクロ波パルス信号に振幅変調が生じ、その振幅
変調分が電力増幅素子の耐電圧を超えると、増幅素子を
劣化させたり、あるいは、破壊したりする。
【０００８】本発明は、上記した欠点を解決し、パルス
電源回路と電力増幅素子との線路長を短くしたマイクロ
波電力増幅器を提供することを目的とする。
電源回路と電力増幅素子との線路長を短くしたマイクロ
波電力増幅器を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロ波パ
ルス信号を増幅する並列接続された複数の増幅素子と、
この複数の増幅素子に供給する電源電圧を生成する主電
源回路と、この主電源回路が生成する前記電源電圧を断
続し、前記増幅素子に印加するパルス状電源電圧を生成
するスイッチ回路とを具備したマイクロ波電力増幅器に
おいて、前記複数の増幅素子を所定の第１の高さに配置
し、前記スイッチ回路を前記複数の増幅素子と相違する
第２の高さに配置したことを特徴とする。
ルス信号を増幅する並列接続された複数の増幅素子と、
この複数の増幅素子に供給する電源電圧を生成する主電
源回路と、この主電源回路が生成する前記電源電圧を断
続し、前記増幅素子に印加するパルス状電源電圧を生成
するスイッチ回路とを具備したマイクロ波電力増幅器に
おいて、前記複数の増幅素子を所定の第１の高さに配置
し、前記スイッチ回路を前記複数の増幅素子と相違する
第２の高さに配置したことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態についてその回
路構成を図１で説明する。
路構成を図１で説明する。
【００１１】符号１１はマイクロ波パルス信号を入力す
る高周波入力端子で、高周波入力端子ＩＮには、マイク
ロ波パルス信号をたとえば４分岐する分配器１１が接続
されている。分配器１１のそれぞれの分岐に電力増幅回
路１２ａ〜１２ｄが接続され、４個の電力増幅回路１２
ａ〜１２ｄは互いに並列に接続されている。
る高周波入力端子で、高周波入力端子ＩＮには、マイク
ロ波パルス信号をたとえば４分岐する分配器１１が接続
されている。分配器１１のそれぞれの分岐に電力増幅回
路１２ａ〜１２ｄが接続され、４個の電力増幅回路１２
ａ〜１２ｄは互いに並列に接続されている。
【００１２】各電力増幅回路１２ａ〜１２ｄは同じ構成
で、電力増幅回路１２ａの場合、増幅素子たとえば電界
効果型トランジスタ（以後、ＦＥＴという）１３などか
ら構成されている。ＦＥＴ１３はゲート電極Ｇ１および
ドレイン電極Ｄ１、ソース電極Ｓ１を有し、ゲート電極
Ｇ１が分配器１１に接続されている。また、ゲート電極
Ｇ１および分配器１１間にバイアス回路１４が接続され
ている。バイアス回路１４は１／４波長線路１４ａやコ
ンデンサ１４ｂなどから構成されている。ドレイン電極
Ｄ１はバイアス回路となる１／４波長線路１５に接続さ
れ、同時に、合成器１６に接続されている。ソース電極
Ｓ１は接地されている。
で、電力増幅回路１２ａの場合、増幅素子たとえば電界
効果型トランジスタ（以後、ＦＥＴという）１３などか
ら構成されている。ＦＥＴ１３はゲート電極Ｇ１および
ドレイン電極Ｄ１、ソース電極Ｓ１を有し、ゲート電極
Ｇ１が分配器１１に接続されている。また、ゲート電極
Ｇ１および分配器１１間にバイアス回路１４が接続され
ている。バイアス回路１４は１／４波長線路１４ａやコ
ンデンサ１４ｂなどから構成されている。ドレイン電極
Ｄ１はバイアス回路となる１／４波長線路１５に接続さ
れ、同時に、合成器１６に接続されている。ソース電極
Ｓ１は接地されている。
【００１３】なお、合成器１６は出力端子ＯＵＴに接続
されている。
されている。
【００１４】符号１７は電源電圧を発生する主電源回路
で、主電源回路１７はパルス電源回路１８に接続されて
いる。パルス電源回路１８は、たとえばスイッチ回路を
形成するＦＥＴ１９や制御回路２０、コンデンサ２１な
どから構成されている。ＦＥＴ１９はソース電極Ｓ２お
よびドレイン電極Ｄ２、ゲート電極Ｇ２を有し、ドレイ
ン電極Ｄ２がコンデンサ２１に接続されている。ソース
電極Ｓ２は各電力増幅回路１２ａ〜１２ｄの１／４波長
線路１５に接続されている。制御回路２０はゲート電極
Ｇ２に接続され、ＦＥＴ１９をオン状態あるいはオフ状
態に切り換える。
で、主電源回路１７はパルス電源回路１８に接続されて
いる。パルス電源回路１８は、たとえばスイッチ回路を
形成するＦＥＴ１９や制御回路２０、コンデンサ２１な
どから構成されている。ＦＥＴ１９はソース電極Ｓ２お
よびドレイン電極Ｄ２、ゲート電極Ｇ２を有し、ドレイ
ン電極Ｄ２がコンデンサ２１に接続されている。ソース
電極Ｓ２は各電力増幅回路１２ａ〜１２ｄの１／４波長
線路１５に接続されている。制御回路２０はゲート電極
Ｇ２に接続され、ＦＥＴ１９をオン状態あるいはオフ状
態に切り換える。
【００１５】上記した構成において、高周波入力端子Ｉ
Ｎから入力したマイクロ波パルス信号は分配器１１でた
とえば４分岐され、それぞれが電力増幅回路１２ａ〜１
２ｄで増幅される。増幅されたマイクロ波パルス信号
は、その後、合成器１６で合成され、出力端子ＯＵＴに
出力する。
Ｎから入力したマイクロ波パルス信号は分配器１１でた
とえば４分岐され、それぞれが電力増幅回路１２ａ〜１
２ｄで増幅される。増幅されたマイクロ波パルス信号
は、その後、合成器１６で合成され、出力端子ＯＵＴに
出力する。
【００１６】なお、高周波入力端子ＩＮからマイクロ波
パルス信号が入力すると、このマイクロ波パルス信号の
オン／オフに合わせて、制御回路２０の制御によりＦＥ
Ｔ１９はオン状態あるいはオフ状態に設定される。たと
えばマイクロ波パルス信号がオンの場合にＦＥＴ１９は
オン状態に設定される。このとき、主電源回路１７の電
源電圧によって蓄積されていたコンデンサ２１の充電電
圧が各電力増幅回路１２ａ〜１２ｄの１／４波長線路１
５を経てドレイン電極Ｄ１に加えられ、各電力増幅回路
１２ａ〜１２ｄは動作状態に入る。
パルス信号が入力すると、このマイクロ波パルス信号の
オン／オフに合わせて、制御回路２０の制御によりＦＥ
Ｔ１９はオン状態あるいはオフ状態に設定される。たと
えばマイクロ波パルス信号がオンの場合にＦＥＴ１９は
オン状態に設定される。このとき、主電源回路１７の電
源電圧によって蓄積されていたコンデンサ２１の充電電
圧が各電力増幅回路１２ａ〜１２ｄの１／４波長線路１
５を経てドレイン電極Ｄ１に加えられ、各電力増幅回路
１２ａ〜１２ｄは動作状態に入る。
【００１７】この場合、ＦＥＴ１９はマイクロ波パルス
信号のオンやオフに合わせてオン状態やオフ状態を繰り
返し、ＦＥＴ１３のドレイン電極Ｄ１にパルス状電源電
圧が加えられる。
信号のオンやオフに合わせてオン状態やオフ状態を繰り
返し、ＦＥＴ１３のドレイン電極Ｄ１にパルス状電源電
圧が加えられる。
【００１８】次に、上記したマイクロ波電力増幅器の概
略の構造について図２を参照して説明する。図２では、
図１に対応する部分には同じ符号を付し重複する説明を
一部省略する。
略の構造について図２を参照して説明する。図２では、
図１に対応する部分には同じ符号を付し重複する説明を
一部省略する。
【００１９】符号１０１は回路基板で、この回路基板１
０１上に、たとえば高周波入力端子ＩＮおよび分配器１
１、電力増幅回路１２ａ〜１２ｄ、合成器１６、出力端
子ＯＵＴ、主電源回路１７などが形成されている。そし
て、パルス電源回路１８を構成するＦＥＴ１９および制
御回路２０、コンデンサ２１が、電力増幅回路１２ａ〜
１２ｄなどが形成されている回路基板１０１上の第１の
面と相違する高さの第２の面１０２、たとえば回路基板
１０１面に垂直方向の合成器１６上方に位置する面に形
成されている。
０１上に、たとえば高周波入力端子ＩＮおよび分配器１
１、電力増幅回路１２ａ〜１２ｄ、合成器１６、出力端
子ＯＵＴ、主電源回路１７などが形成されている。そし
て、パルス電源回路１８を構成するＦＥＴ１９および制
御回路２０、コンデンサ２１が、電力増幅回路１２ａ〜
１２ｄなどが形成されている回路基板１０１上の第１の
面と相違する高さの第２の面１０２、たとえば回路基板
１０１面に垂直方向の合成器１６上方に位置する面に形
成されている。
【００２０】この場合、たとえば合成器１６を、上下の
２つの接地導体の間に線路導体が挟まれた３導体構造と
し、その上部接地導体を第２の面１０２にして、その第
２の面１０２上の外側にＦＥＴ１９および制御回路２０
が形成されている。
２つの接地導体の間に線路導体が挟まれた３導体構造と
し、その上部接地導体を第２の面１０２にして、その第
２の面１０２上の外側にＦＥＴ１９および制御回路２０
が形成されている。
【００２１】また、分配器１１や合成器１６は、平面回
路で構成できるようにたとえばウィルキンソン型で形成
してもよい。
路で構成できるようにたとえばウィルキンソン型で形成
してもよい。
【００２２】上記した構造によれば、パルス電源回路１
８を構成するＦＥＴ１９および制御回路２０、コンデン
サ２１が電力増幅回路１２ａ〜１２ｄなどと相違する高
さに立体的に配置されている。したがって、パルス電源
回路１８や電力増幅回路１２ａ〜１２ｄなどを配置する
場合に必要とされる面積が小さくなり、全体の構造が小
型化する。また、パルス電源回路１８のＦＥＴ１９やコ
ンデンサ２１と各電力増幅回路１２ａ〜１２ｄとの距離
が短くなる。そのため、パルス電源回路１８と各電力増
幅回路１２ａ〜１２ｄを結ぶ線路長が短くなり、インダ
クタンス成分の影響が小さくなる。たとえば各電力増幅
回路１２ａ〜１２ｄに印加するパルス状電源電圧の波形
にスパイクやリンギングが発生せず、望ましい矩形形状
のパルス状電源電圧を供給できる。その結果、マイクロ
波パルス信号の振幅変調分によって電力増幅素子が劣化
したり、あるいは、破壊したりするようなことがなくな
る。
８を構成するＦＥＴ１９および制御回路２０、コンデン
サ２１が電力増幅回路１２ａ〜１２ｄなどと相違する高
さに立体的に配置されている。したがって、パルス電源
回路１８や電力増幅回路１２ａ〜１２ｄなどを配置する
場合に必要とされる面積が小さくなり、全体の構造が小
型化する。また、パルス電源回路１８のＦＥＴ１９やコ
ンデンサ２１と各電力増幅回路１２ａ〜１２ｄとの距離
が短くなる。そのため、パルス電源回路１８と各電力増
幅回路１２ａ〜１２ｄを結ぶ線路長が短くなり、インダ
クタンス成分の影響が小さくなる。たとえば各電力増幅
回路１２ａ〜１２ｄに印加するパルス状電源電圧の波形
にスパイクやリンギングが発生せず、望ましい矩形形状
のパルス状電源電圧を供給できる。その結果、マイクロ
波パルス信号の振幅変調分によって電力増幅素子が劣化
したり、あるいは、破壊したりするようなことがなくな
る。
【００２３】また、マイクロストリップ線路などのマイ
クロ波平面回路の場合、その上方にも電磁界分布があ
る。したがって、マイクロ波平面回路の上方に他の回路
を配置すると、マイクロ波平面回路を伝送するマイクロ
波信号が上方の回路に重畳したり、あるいは、マイクロ
波平面回路に予期しないフィードバックがかかって発振
したりすることがある。
クロ波平面回路の場合、その上方にも電磁界分布があ
る。したがって、マイクロ波平面回路の上方に他の回路
を配置すると、マイクロ波平面回路を伝送するマイクロ
波信号が上方の回路に重畳したり、あるいは、マイクロ
波平面回路に予期しないフィードバックがかかって発振
したりすることがある。
【００２４】しかし、上記した構成の場合、合成器をた
とえば３導体構造にし、その上部接地導体上の外側にパ
ルス電源回路を配置している。そのため、パルス電源回
路へのマイクロ波信号の影響はない。
とえば３導体構造にし、その上部接地導体上の外側にパ
ルス電源回路を配置している。そのため、パルス電源回
路へのマイクロ波信号の影響はない。
【００２５】また、パルス電源回路が電力増幅回路など
と相違する面に形成されている。この場合、パルス電源
回路用の基板面を広くとれるため、たとえばパルス電源
回路の配線パターンの厚さや幅を大きくすることがで
き、インダクタンス成分をより小さくできる。
と相違する面に形成されている。この場合、パルス電源
回路用の基板面を広くとれるため、たとえばパルス電源
回路の配線パターンの厚さや幅を大きくすることがで
き、インダクタンス成分をより小さくできる。
【００２６】上記の実施形態では、合成器をたとえば上
下を接地した３導体構造にし、その上部接地導体上にパ
ルス電源回路を配置している。しかし、図３に示すよう
に、たとえば電力増幅回路と合成器とを結ぶ伝送線路た
とえばマイクロストリップ線路を、２つの接地導体３
１、３２とその間に挟まれた４個の線路導体３３ａ〜３
３ｄとで構成し、たとえば接地導体３１上の外側にパル
ス電源回路１８を配置する構造にすることもできる。ま
た、パルス電源回路を配置するための３導体構造は合成
器などに限らず、その他のマイクロ波パルス信号が伝送
する線路部分に設けることができる。
下を接地した３導体構造にし、その上部接地導体上にパ
ルス電源回路を配置している。しかし、図３に示すよう
に、たとえば電力増幅回路と合成器とを結ぶ伝送線路た
とえばマイクロストリップ線路を、２つの接地導体３
１、３２とその間に挟まれた４個の線路導体３３ａ〜３
３ｄとで構成し、たとえば接地導体３１上の外側にパル
ス電源回路１８を配置する構造にすることもできる。ま
た、パルス電源回路を配置するための３導体構造は合成
器などに限らず、その他のマイクロ波パルス信号が伝送
する線路部分に設けることができる。
【００２７】また、上記の各実施形態の場合、合成器や
線路導体の上方にパルス電源回路を構成するスイッチ回
路のＦＥＴおよび制御回路を配置している。しかし、ス
イッチ回路のＦＥＴだけを合成器や線路導体の上方に配
置することもできる。コンデンサを、電力増幅回路など
と一緒に合成器や線路導体と同一の面に配置することも
できる。
線路導体の上方にパルス電源回路を構成するスイッチ回
路のＦＥＴおよび制御回路を配置している。しかし、ス
イッチ回路のＦＥＴだけを合成器や線路導体の上方に配
置することもできる。コンデンサを、電力増幅回路など
と一緒に合成器や線路導体と同一の面に配置することも
できる。
【００２８】また、上記した構成の場合、電力増幅回路
に印加するパルス状電源電圧の波形が劣化しないよう
に、電力増幅回路とパルス電源回路を接近させている。
この場合、電力増幅回路とパルス電源回路たとえばスイ
ッチ回路とを高さが相違する位置に立体的に配置させれ
ばよく、合成器や線路導体の上方に限らず、スイッチ回
路などを配置する位置は適宜選択できる。
に印加するパルス状電源電圧の波形が劣化しないよう
に、電力増幅回路とパルス電源回路を接近させている。
この場合、電力増幅回路とパルス電源回路たとえばスイ
ッチ回路とを高さが相違する位置に立体的に配置させれ
ばよく、合成器や線路導体の上方に限らず、スイッチ回
路などを配置する位置は適宜選択できる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、パルス電源回路と電力
増幅素子との線路長を短くしたマイクロ波電力増幅器を
実現できる。
増幅素子との線路長を短くしたマイクロ波電力増幅器を
実現できる。
【図１】本発明の実施形態を説明するための回路構成図
である。
である。
【図２】本発明の実施形態を説明するための概略の構造
図である。
図である。
【図３】本発明の他の実施形態を説明するための概略の
構造図で、伝送線路の部分を抜き出した図である。
構造図で、伝送線路の部分を抜き出した図である。
【図４】従来例を説明するための回路構成図である。
１１…分配器
１２ａ〜１２ｄ…電力増幅回路
１３…ＦＥＴ
１４…バイアス回路
１５…１／４波長線路
１６…合成器
１７…主電源回路
１８…パルス電源回路
１９…ＦＥＴ
２０…制御回路
２１…コンデンサ
１０１…回路基板
１０２…第２の面
ＩＮ…入力端子
ＯＵＴ…出力端子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5J067 AA01 AA04 AA21 AA41 CA54
CA57 FA16 HA09 HA29 HA39
KA00 KA12 KA66 KA68 KS01
LS11 QA04 QS02 SA13 TA01
5J069 AA01 AA04 AA21 AA41 CA54
CA57 FA16 HA09 HA29 HA39
KA00 KA12 KA66 KA68 QA04
SA13 TA01
5J500 AA01 AA04 AA21 AA41 AC54
AC57 AF16 AH09 AH29 AH39
AK00 AK12 AK66 AK68 AQ04
AS13 AT01
Claims (3)
- 【請求項１】 マイクロ波パルス信号を増幅する並列接
続された複数の増幅素子と、この複数の増幅素子に供給
する電源電圧を生成する主電源回路と、この主電源回路
が生成する前記電源電圧を断続し、前記増幅素子に印加
するパルス状電源電圧を生成するスイッチ回路とを具備
し、前記複数の増幅素子を所定の第１の高さに配置し、
前記スイッチ回路を前記複数の増幅素子と相違する第２
の高さに配置したことを特徴とするマイクロ波電力増幅
器。 - 【請求項２】 回路基板と、この回路基板上に並列接続
で設けられたマイクロ波パルス信号を増幅する複数の増
幅素子と、この複数の増幅素子に供給する電源電圧を生
成する主電源回路と、この主電源回路が生成する前記電
源電圧を断続し、前記増幅素子に印加するパルス状電源
電圧を生成するスイッチ回路とを具備し、前記回路基板
の上方に位置する接地導体の外側に前記スイッチ回路を
設けたことを特徴とするマイクロ波電力増幅器。 - 【請求項３】 回路基板と、この回路基板上に並列接続
で設けられたマイクロ波パルス信号を増幅する複数の増
幅素子と、この複数の増幅素子に供給する電源電圧を生
成する主電源回路と、この主電源回路が生成する前記電
源電圧を断続し、前記増幅素子に印加するパルス状電源
電圧を生成するスイッチ回路と、前記回路基板上に形成
された前記マイクロ波パルス信号が伝送する線路部分と
を具備し、前記線路部分を上下の接地導体の間に線路導
体が挟まれた３導体構造とし、前記接地導体の外側に前
記スイッチ回路を設けたことを特徴とするマイクロ波電
力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002037984A JP2003243948A (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | マイクロ波電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002037984A JP2003243948A (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | マイクロ波電力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243948A true JP2003243948A (ja) | 2003-08-29 |
| JP2003243948A5 JP2003243948A5 (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=27779416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002037984A Pending JP2003243948A (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | マイクロ波電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243948A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277572A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Japan Radio Co Ltd | 半導体電力増幅装置及びレーダ送信装置 |
| EP1938451A1 (fr) * | 2005-08-30 | 2008-07-02 | Thales | Dispositif et procede pour amplifier des signaux rf impulsionnels |
| JP2011254438A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Toshiba Corp | パルス電力増幅器 |
| CN103391058A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-11-13 | 上海航天测控通信研究所 | 一种适用于深空探测的小型化固态功放装置 |
| WO2018193804A1 (ja) * | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 高周波電力増幅装置 |
-
2002
- 2002-02-15 JP JP2002037984A patent/JP2003243948A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277572A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Japan Radio Co Ltd | 半導体電力増幅装置及びレーダ送信装置 |
| EP1938451A1 (fr) * | 2005-08-30 | 2008-07-02 | Thales | Dispositif et procede pour amplifier des signaux rf impulsionnels |
| JP2009506696A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | テールズ | パルスｒｆ信号を増幅するための装置および方法 |
| JP2011254438A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Toshiba Corp | パルス電力増幅器 |
| CN103391058A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-11-13 | 上海航天测控通信研究所 | 一种适用于深空探测的小型化固态功放装置 |
| WO2018193804A1 (ja) * | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 高周波電力増幅装置 |
| JP2018182587A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 高周波電力増幅装置 |
| US11239809B2 (en) | 2017-04-17 | 2022-02-01 | Riken | High-frequency power amplifier apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cao et al. | Pseudo-Doherty load-modulated balanced amplifier with wide bandwidth and extended power back-off range | |
| JP6960226B2 (ja) | 直流パルス式プラズマシステム | |
| EP0543993B1 (en) | Modular solid state radar transmitter | |
| EP1148633B1 (en) | High frequency circuit using high output amplifier cell block and low output amplifier cell block | |
| JP3306664B2 (ja) | プッシュプル型電力増幅器 | |
| JP2560001Y2 (ja) | 送受信モジュール | |
| Sánchez-Pérez et al. | Optimized design of a dual-band power amplifier with SiC varactor-based dynamic load modulation | |
| WO2004038910A3 (en) | Predistortion linearizing | |
| JP2023144860A (ja) | デジタル移相回路及びデジタル移相器 | |
| De Lisio et al. | Modeling and performance of a 100-element pHEMT grid amplifier | |
| JP2003243948A (ja) | マイクロ波電力増幅器 | |
| CN116918248B (zh) | 高频功率放大器件 | |
| EP2461478B1 (en) | Reducing distortion | |
| JP2000500310A (ja) | スロットラインから共平面導波路への移行 | |
| Pajic et al. | An efficient X-band 16-element spatial combiner of switched-mode power amplifiers | |
| JPWO2017022711A1 (ja) | 電磁波加熱装置 | |
| CN112154603B (zh) | 放大器 | |
| CN113541609A (zh) | 高频放大器 | |
| JP2003243948A5 (ja) | ||
| JP2018032916A (ja) | 高周波増幅器モジュール | |
| JP3278377B2 (ja) | マイクロ波送受信モジュール | |
| CN102934358B (zh) | 开关电路及包络线信号放大器 | |
| JP2009272273A (ja) | マイクロ波処理装置 | |
| JPH03286559A (ja) | 高周波集積回路 | |
| JP2006019798A (ja) | マイクロ波回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040126 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050105 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050125 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050328 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050412 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060404 |