JP2003243704A - 発光半導体デバイス及び方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、III−Ｖ族窒化物半導体を用いる
デバイス及び方法、並びにこれの作動の改良に関する。 【解決手段】 本発明の実施形態によれば、発光デバイ
スは、複数の半導体層と、この層の間の活性領域と、異
なる半導体層と接触している第１及び第２金属電極とを
含む。発光デバイスはまた、少なくとも１つの電極の表
面を被覆するポリマー障壁を含む。いくつかの実施形態
において、ポリマー障壁は、発光デバイスの全露出表面
を包み込む。いくつかの実施形態において、少なくとも
１つの電極は銀であり、障壁は、少なくとも１つの電極
と、該電極と接触している半導体層との間における金属
の電気化学的マイグレーションを防ぐ。
デバイス及び方法、並びにこれの作動の改良に関する。 【解決手段】 本発明の実施形態によれば、発光デバイ
スは、複数の半導体層と、この層の間の活性領域と、異
なる半導体層と接触している第１及び第２金属電極とを
含む。発光デバイスはまた、少なくとも１つの電極の表
面を被覆するポリマー障壁を含む。いくつかの実施形態
において、ポリマー障壁は、発光デバイスの全露出表面
を包み込む。いくつかの実施形態において、少なくとも
１つの電極は銀であり、障壁は、少なくとも１つの電極
と、該電極と接触している半導体層との間における金属
の電気化学的マイグレーションを防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光半導体の構造
及び製造方法に関し、より詳細には、III−Ｖ族窒化物
半導体を用いるデバイス及び方法、並びにこれの作動の
改良に関する。
及び製造方法に関し、より詳細には、III−Ｖ族窒化物
半導体を用いるデバイス及び方法、並びにこれの作動の
改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】種々の可視スペクトル領域で発光する発
光半導体、例えば、砒化アルミニウムガリウム及びリン
化ガリウムなどのようなIII−Ｖ族半導体は、様々な応
用に関して商業的に受け入れられている。しかしなが
ら、例えば、交通信号灯に用いられる緑色や、白色照明
に用いられる赤‐緑‐青の原色の組み合わせにおける一
成分である青色のような青色又は緑色光を必要とする用
途において、短い可視波長での効率的な半導体発光体が
求められてきた。このような固体発光源が手頃な費用で
入手できると、半導体動作の特徴である信頼性及び低い
エネルギー消費量という利益を、多くの照明用途で受け
ることができる。短波長デバイスはまた、記憶媒体にお
ける書き込み及び読み出しのための小さいスポットサイ
ズが得られることから、記憶媒体の記憶容量を増加させ
ることが期待できる。
光半導体、例えば、砒化アルミニウムガリウム及びリン
化ガリウムなどのようなIII−Ｖ族半導体は、様々な応
用に関して商業的に受け入れられている。しかしなが
ら、例えば、交通信号灯に用いられる緑色や、白色照明
に用いられる赤‐緑‐青の原色の組み合わせにおける一
成分である青色のような青色又は緑色光を必要とする用
途において、短い可視波長での効率的な半導体発光体が
求められてきた。このような固体発光源が手頃な費用で
入手できると、半導体動作の特徴である信頼性及び低い
エネルギー消費量という利益を、多くの照明用途で受け
ることができる。短波長デバイスはまた、記憶媒体にお
ける書き込み及び読み出しのための小さいスポットサイ
ズが得られることから、記憶媒体の記憶容量を増加させ
ることが期待できる。
【０００３】炭化ケイ素を用いる青色発光ダイオード
は、１９９０年代前半に開発されたが、間接バンドギャ
ップ輝度を呈し、デバイスの実用性が制限された。II−
VI族材料であるセレン化亜鉛もまた、青色発光を呈す
る。また、炭化ケイ素デバイスだけでなく、セレン化亜
鉛青色発光ダイオードも、耐用年数が比較的短く、有用
性が制限されることが見出されている。
は、１９９０年代前半に開発されたが、間接バンドギャ
ップ輝度を呈し、デバイスの実用性が制限された。II−
VI族材料であるセレン化亜鉛もまた、青色発光を呈す
る。また、炭化ケイ素デバイスだけでなく、セレン化亜
鉛青色発光ダイオードも、耐用年数が比較的短く、有用
性が制限されることが見出されている。
【０００４】直接エネルギーバンドギャップを有し、優
れて有望であることが示された短波長発光型デバイス
は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、Ｇａ
ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＢＡｌＮ、ＢＩ
ｎＮ、ＢＧａＮ、及びＢＡｌＧａＩｎＮ等のような物質
を含むIII−Ｖ族窒化物半導体に基づくものである。こ
の種の発光デバイスの一例が、ヨーロッパ特許出願ＥＰ
０９２６７４４に記載されており、この特許出願では、
III−Ｖ族窒化物半導体のｎ型層とIII−Ｖ族窒化物半導
体のｐ型層との間に活性領域を有する発光デバイスが開
示される。ダイオード構造のｎ層及びｐ層に電位を印加
すると、正孔と電子との再結合により活性領域にフォト
ンが発生することになる。発光ダイオード（ＬＥＤ）構
造のウオールプラグ効率は、単位電力当たりのデバイス
から射出された光強度として定義される。効率を最大に
するために、駆動電力のワット当たりに発生した光と、
ＬＥＤからの有効方向に出る発光量との両方が考慮され
る。
れて有望であることが示された短波長発光型デバイス
は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、Ｇａ
ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＢＡｌＮ、ＢＩ
ｎＮ、ＢＧａＮ、及びＢＡｌＧａＩｎＮ等のような物質
を含むIII−Ｖ族窒化物半導体に基づくものである。こ
の種の発光デバイスの一例が、ヨーロッパ特許出願ＥＰ
０９２６７４４に記載されており、この特許出願では、
III−Ｖ族窒化物半導体のｎ型層とIII−Ｖ族窒化物半導
体のｐ型層との間に活性領域を有する発光デバイスが開
示される。ダイオード構造のｎ層及びｐ層に電位を印加
すると、正孔と電子との再結合により活性領域にフォト
ンが発生することになる。発光ダイオード（ＬＥＤ）構
造のウオールプラグ効率は、単位電力当たりのデバイス
から射出された光強度として定義される。効率を最大に
するために、駆動電力のワット当たりに発生した光と、
ＬＥＤからの有効方向に出る発光量との両方が考慮され
る。
【０００５】上記のＥＰ特許出願に記載されたように、
従来の手法においては、活性領域から発生した光を最大
限にするために、多くの努力が費やされてきた。ｐ型の
III−Ｖ族窒化物半導体層の抵抗は、ｎ型のIII−Ｖ族窒
化物半導体層の抵抗よりも遥かに大きい。ｐ型層とｐ電
極との接合部は、ｎ型層とｎ電極との接合部よりも本質
的に抵抗が大きい。ｐ型層とｐ電極との接合部における
電圧降下を低減させるために、ｐ電極は一般にｎ電極よ
りも大きく作られる。しかしながら、ｐ電極の寸法を大
きくすると、活性領域から得られる光の量を増加させる
ことができるが、この多くの光はｐ電極を通り抜ける必
要があるので、デバイスから射出される光の割合が減少
することになる。したがって、ｐ電極の透過率を最大に
するための試みがなされてきた。
従来の手法においては、活性領域から発生した光を最大
限にするために、多くの努力が費やされてきた。ｐ型の
III−Ｖ族窒化物半導体層の抵抗は、ｎ型のIII−Ｖ族窒
化物半導体層の抵抗よりも遥かに大きい。ｐ型層とｐ電
極との接合部は、ｎ型層とｎ電極との接合部よりも本質
的に抵抗が大きい。ｐ型層とｐ電極との接合部における
電圧降下を低減させるために、ｐ電極は一般にｎ電極よ
りも大きく作られる。しかしながら、ｐ電極の寸法を大
きくすると、活性領域から得られる光の量を増加させる
ことができるが、この多くの光はｐ電極を通り抜ける必
要があるので、デバイスから射出される光の割合が減少
することになる。したがって、ｐ電極の透過率を最大に
するための試みがなされてきた。
【０００６】上述のＥＰ出願で開示される実施形態にお
いて、ｐ型層は、透明なほど充分に薄い銀層とすること
ができる。銀は、ｐ型のIII−Ｖ族窒化物半導体層にお
いて有利にオーミックコンタクトを形成するという利点
がある。銀電極上に金属ボンディングパッドが付着され
る。引用したＥＰ特許出願の別の実施形態において、銀
層は、入射光の大部分を反射するのに充分な厚さを有
し、光は基板を経由して抜け出る。ニッケルとすること
もできる別の金属層などのような固定層を、銀層を覆う
ように塗布しても良いし、銀層の側面に塗布しても良
く、コンタクトボンディングパッドの金属（例えば金）
が銀層の中へ拡散するのを防ぐことができる。拡散障壁
層はまた、下にある銀層の安定性を向上させ、銀層の機
械的及び電気的特性を向上させるものであると述べられ
ている。これにより、銀層が形成される蒸着工程におい
て基板温度を低くすることができ、蒸着速度を増すこと
ができる。
いて、ｐ型層は、透明なほど充分に薄い銀層とすること
ができる。銀は、ｐ型のIII−Ｖ族窒化物半導体層にお
いて有利にオーミックコンタクトを形成するという利点
がある。銀電極上に金属ボンディングパッドが付着され
る。引用したＥＰ特許出願の別の実施形態において、銀
層は、入射光の大部分を反射するのに充分な厚さを有
し、光は基板を経由して抜け出る。ニッケルとすること
もできる別の金属層などのような固定層を、銀層を覆う
ように塗布しても良いし、銀層の側面に塗布しても良
く、コンタクトボンディングパッドの金属（例えば金）
が銀層の中へ拡散するのを防ぐことができる。拡散障壁
層はまた、下にある銀層の安定性を向上させ、銀層の機
械的及び電気的特性を向上させるものであると述べられ
ている。これにより、銀層が形成される蒸着工程におい
て基板温度を低くすることができ、蒸着速度を増すこと
ができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】III−Ｖ族窒化物ＬＥ
Ｄにおける少なくともｐ電極についての銀の使用にはい
くつかの利点があるが、いくつかの欠点と制限がある。
例えば、このようなデバイスにおいて深刻な性能の劣化
が起こるまでの作動寿命は、許容できないほど短いこと
が分かっている。本発明の目的の１つは、III−Ｖ族窒
化物ＬＥＤにおけるこれら欠点及び制限を対象とするも
のである。
Ｄにおける少なくともｐ電極についての銀の使用にはい
くつかの利点があるが、いくつかの欠点と制限がある。
例えば、このようなデバイスにおいて深刻な性能の劣化
が起こるまでの作動寿命は、許容できないほど短いこと
が分かっている。本発明の目的の１つは、III−Ｖ族窒
化物ＬＥＤにおけるこれら欠点及び制限を対象とするも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】１９９８年９月１１日に
出願された、出願係属中の米国特許出願第０９／１５
１，５５４号、発明の名称「微細なパターンの反射性コ
ンタクトを有する発光デバイス」では、ＡｌＩｎＧａＮ
−ＬＥＤの内部反射光が、特にｐ−層コンタクトにより
吸収されやすいということに注目する。電流は、半導体
層中で横方向に広がることができないので、このコンタ
クトは、ｐ−ｎ接合の発光領域全体を本質的に覆う必要
がある。ｐ型エピタキシャル層の導電率が極めて低いこ
とから、電流は、コンタクト金属の下に、又は約１μｍ
以内のコンタクトの縁に直接閉じ込められる。このパラ
グラフで引用した出願係属中の米国特許出願により開示
されたデバイスでは、ｐ−コンタクト（すなわち、III
−Ｖ族窒化物半導体のｐ型層に結合された電極）は、小
さい開口のパターンを有する１つ又は多重の金属層を備
える。使用される１つ又はそれ以上の金属は、銀、アル
ミニウム、ロジウム、及びこれらの合金からなる群から
選択されることが好ましい。図示した電極すなわちコン
タクトは、銀層の正孔のパターンをエッチングすること
で得られる多孔性の銀メッシュである。二酸化ケイ素、
窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸
化ハフニウム、又は酸化チタンなどのような、好ましく
は屈折率が１．５よりも大きい任意の誘電性包囲体を、
ｐ−コンタクトを覆うように付着させても良い。包囲体
は、光を銀鏡の下にではなく上に内部反射させ、減衰す
ることなく抜け出る機会を増やす。さらに、包囲体は、
表面のオープンスペースに金属を接合させることで、銀
フィルムとＬＥＤ表面との密着性を向上させる。誘電体
はまた、製造中に生じることがある擦り傷から金属層を
保護し、酸化又は曇りなどのような環境劣化からも保護
する。従来技術では、不透明なコンタクト（すなわちコ
ンタクトパッド）を用いるときには、ＬＥＤは典型的
に、ＬＥＤ表面の不透明さを最小限にするために、コン
タクトができる限り小さくなるように設計された。この
パラグラフで引用した出願係属中の米国特許出願の発明
では、微細なパターンが形成された電極で表面を全体的
に又は望ましい分だけ被覆することができ、また、該電
極を必要な分だけ厚く作ることができ、これらの特性は
共に、接触抵抗を最小にするように働く。また、このパ
ラグラフで引用した出願係属中の米国特許出願に記載さ
れるように、光は、直接或いは１つ又はそれ以上の反射
の後に、銀電極の小さい開口から抜け出ることができ
る。小さい開口の使用は、現在では、必ずしも好ましい
ことではない。
出願された、出願係属中の米国特許出願第０９／１５
１，５５４号、発明の名称「微細なパターンの反射性コ
ンタクトを有する発光デバイス」では、ＡｌＩｎＧａＮ
−ＬＥＤの内部反射光が、特にｐ−層コンタクトにより
吸収されやすいということに注目する。電流は、半導体
層中で横方向に広がることができないので、このコンタ
クトは、ｐ−ｎ接合の発光領域全体を本質的に覆う必要
がある。ｐ型エピタキシャル層の導電率が極めて低いこ
とから、電流は、コンタクト金属の下に、又は約１μｍ
以内のコンタクトの縁に直接閉じ込められる。このパラ
グラフで引用した出願係属中の米国特許出願により開示
されたデバイスでは、ｐ−コンタクト（すなわち、III
−Ｖ族窒化物半導体のｐ型層に結合された電極）は、小
さい開口のパターンを有する１つ又は多重の金属層を備
える。使用される１つ又はそれ以上の金属は、銀、アル
ミニウム、ロジウム、及びこれらの合金からなる群から
選択されることが好ましい。図示した電極すなわちコン
タクトは、銀層の正孔のパターンをエッチングすること
で得られる多孔性の銀メッシュである。二酸化ケイ素、
窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸
化ハフニウム、又は酸化チタンなどのような、好ましく
は屈折率が１．５よりも大きい任意の誘電性包囲体を、
ｐ−コンタクトを覆うように付着させても良い。包囲体
は、光を銀鏡の下にではなく上に内部反射させ、減衰す
ることなく抜け出る機会を増やす。さらに、包囲体は、
表面のオープンスペースに金属を接合させることで、銀
フィルムとＬＥＤ表面との密着性を向上させる。誘電体
はまた、製造中に生じることがある擦り傷から金属層を
保護し、酸化又は曇りなどのような環境劣化からも保護
する。従来技術では、不透明なコンタクト（すなわちコ
ンタクトパッド）を用いるときには、ＬＥＤは典型的
に、ＬＥＤ表面の不透明さを最小限にするために、コン
タクトができる限り小さくなるように設計された。この
パラグラフで引用した出願係属中の米国特許出願の発明
では、微細なパターンが形成された電極で表面を全体的
に又は望ましい分だけ被覆することができ、また、該電
極を必要な分だけ厚く作ることができ、これらの特性は
共に、接触抵抗を最小にするように働く。また、このパ
ラグラフで引用した出願係属中の米国特許出願に記載さ
れるように、光は、直接或いは１つ又はそれ以上の反射
の後に、銀電極の小さい開口から抜け出ることができ
る。小さい開口の使用は、現在では、必ずしも好ましい
ことではない。
【０００９】２０００年８月３１日に出願された、上で
引用した出願係属の米国特許出願第０９／６５２，１９
４号において、銀電極のメタライゼーションは、湿気
と、発光ダイオードにおけるｐｎ接合により生じる場な
どのような電場との存在下において電気化学的マイグレ
ーションを起こしやすいということが注目されている。
銀メタライゼーションがデバイスのｐｎ接合に電気化学
的マイグレーションすることによって、接合を横切る別
の分路が生じ、デバイスの効率が低下する。したがっ
て、金属がｐ電極から該電極が接触している半導体層表
面に移動するのを防ぐために、移動障壁が設けられる。
移動障壁は、ｐ電極周辺の保護リング、又はｐ電極を覆
う保護シートを備える。保護リング又は保護シートは、
適切な条件下において電気化学的マイグレーションに影
響されない伝導性の金属、例えばニッケルなどのような
伝導性の材料からなる。出願人らは、環境劣化、特に高
温と高湿度の影響も、この発光半導体デバイスの信頼性
すなわち有効年数を短くする実質的な因子であるという
ことに注目している。信頼性問題は、例えば、デバイス
の素子の水蒸気感度に由来する。
引用した出願係属の米国特許出願第０９／６５２，１９
４号において、銀電極のメタライゼーションは、湿気
と、発光ダイオードにおけるｐｎ接合により生じる場な
どのような電場との存在下において電気化学的マイグレ
ーションを起こしやすいということが注目されている。
銀メタライゼーションがデバイスのｐｎ接合に電気化学
的マイグレーションすることによって、接合を横切る別
の分路が生じ、デバイスの効率が低下する。したがっ
て、金属がｐ電極から該電極が接触している半導体層表
面に移動するのを防ぐために、移動障壁が設けられる。
移動障壁は、ｐ電極周辺の保護リング、又はｐ電極を覆
う保護シートを備える。保護リング又は保護シートは、
適切な条件下において電気化学的マイグレーションに影
響されない伝導性の金属、例えばニッケルなどのような
伝導性の材料からなる。出願人らは、環境劣化、特に高
温と高湿度の影響も、この発光半導体デバイスの信頼性
すなわち有効年数を短くする実質的な因子であるという
ことに注目している。信頼性問題は、例えば、デバイス
の素子の水蒸気感度に由来する。
【００１０】本発明の一形態によれば、水蒸気が原因と
なるＬＥＤの劣化の進行を遅らせるか又は止めるため
に、発光デバイスは、水分透過性が低いポリマーで包み
込まれる。本発明の実施形態は、III−Ｖ族窒化物半導
体のｎ型層とIII−Ｖ族窒化物半導体のｐ型層との間に
発光活性領域を含む半導体構造と、ｐ型層上に付着した
銀金属からなるｐ電極と、ｎ型層に結合されたｎ電極
と、電気信号を電極に印加して活性領域から発光させる
手段と、ポリマーからなる障壁とを備え、この障壁被覆
が少なくともｐ電極の表面を覆う、発光デバイスに向け
られる。本発明のこの実施形態の形状において、ポリマ
ー障壁は前記デバイスの全露出表面を包み込む。本発明
の好適なポリマーは、光透過性であり、１．５から３．
０までの範囲の屈折率を有するパラレンである。
なるＬＥＤの劣化の進行を遅らせるか又は止めるため
に、発光デバイスは、水分透過性が低いポリマーで包み
込まれる。本発明の実施形態は、III−Ｖ族窒化物半導
体のｎ型層とIII−Ｖ族窒化物半導体のｐ型層との間に
発光活性領域を含む半導体構造と、ｐ型層上に付着した
銀金属からなるｐ電極と、ｎ型層に結合されたｎ電極
と、電気信号を電極に印加して活性領域から発光させる
手段と、ポリマーからなる障壁とを備え、この障壁被覆
が少なくともｐ電極の表面を覆う、発光デバイスに向け
られる。本発明のこの実施形態の形状において、ポリマ
ー障壁は前記デバイスの全露出表面を包み込む。本発明
の好適なポリマーは、光透過性であり、１．５から３．
０までの範囲の屈折率を有するパラレンである。
【００１１】本発明の更なる特徴及び利点は、添付の図
面を参照するときには、次の詳細な説明から直ちに明ら
かとなるであろう。
面を参照するときには、次の詳細な説明から直ちに明ら
かとなるであろう。
【００１２】
【発明の実施の型態】図１は、本発明にかかる改良がな
された形式のIII−Ｖ族窒化物発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）１１０を表す。このデバイスは、底部反射層１１２
と、例えばサファイア基板とすることができる基板１１
５と、例えばｎ型ＧａＮ等のようなIII−Ｖ族窒化物半
導体のｎ型層１２０と、例えばｐ型ＧａＮ等のようなII
I−Ｖ族窒化物半導体のｐ型層１４０とを含む。活性領
域１３０は、それ自体をｐｎ接合とすることもできる
し、より典型的には、例えばＩｎＧａＮとＡｌＧａＮと
を用いる別のIII−Ｖ族窒化物の障壁層間におけるIII−
Ｖ族窒化物の単一量子井戸又は多重量子井戸とすること
もできる。（あらゆる適当なIII−Ｖ族窒化物半導体
を、デバイスの半導体層のいずれにも使用することがで
き、しかも、デバイスに適当な付加的な半導体層を使用
してもよい。）伝導性の金属電極１５０（ｎ電極）をｎ
型層１２０上に付着させ、伝導性の金属電極１６０（ｐ
電極）をｐ型層１４０上に付着させる。最初に述べたよ
うに、ｐ電極は通常、ｎ電極よりも面積が広い。上で引
用した出願係属中の米国特許出願第０９／１５１，５５
４号に記載されるように、ｐ電極１６０と反射体１１２
は、有利な導電性及び光反射特性を有する銀金属から構
成することができ、ｐ型層１４０とオーミックコンタク
トを形成することができる。電極１６０は、適切な光学
的放射が透過するよう充分薄くすることもできるし、例
えば、上で引用した出願係属中の１９９８年の出願に記
載されるように、光が抜け出ることができる開口のパタ
ーンを有する銀電極から構成することもできる。ｐ電極
１６０上にコンタクトパッド１６１が付着される。電極
（すなわちコンタクト）１５０とコンタクトパッド１１
６に、リード１１６及び１１７をそれぞれ取り付け、該
リードに適当な電位を印加することができる。
された形式のIII−Ｖ族窒化物発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）１１０を表す。このデバイスは、底部反射層１１２
と、例えばサファイア基板とすることができる基板１１
５と、例えばｎ型ＧａＮ等のようなIII−Ｖ族窒化物半
導体のｎ型層１２０と、例えばｐ型ＧａＮ等のようなII
I−Ｖ族窒化物半導体のｐ型層１４０とを含む。活性領
域１３０は、それ自体をｐｎ接合とすることもできる
し、より典型的には、例えばＩｎＧａＮとＡｌＧａＮと
を用いる別のIII−Ｖ族窒化物の障壁層間におけるIII−
Ｖ族窒化物の単一量子井戸又は多重量子井戸とすること
もできる。（あらゆる適当なIII−Ｖ族窒化物半導体
を、デバイスの半導体層のいずれにも使用することがで
き、しかも、デバイスに適当な付加的な半導体層を使用
してもよい。）伝導性の金属電極１５０（ｎ電極）をｎ
型層１２０上に付着させ、伝導性の金属電極１６０（ｐ
電極）をｐ型層１４０上に付着させる。最初に述べたよ
うに、ｐ電極は通常、ｎ電極よりも面積が広い。上で引
用した出願係属中の米国特許出願第０９／１５１，５５
４号に記載されるように、ｐ電極１６０と反射体１１２
は、有利な導電性及び光反射特性を有する銀金属から構
成することができ、ｐ型層１４０とオーミックコンタク
トを形成することができる。電極１６０は、適切な光学
的放射が透過するよう充分薄くすることもできるし、例
えば、上で引用した出願係属中の１９９８年の出願に記
載されるように、光が抜け出ることができる開口のパタ
ーンを有する銀電極から構成することもできる。ｐ電極
１６０上にコンタクトパッド１６１が付着される。電極
（すなわちコンタクト）１５０とコンタクトパッド１１
６に、リード１１６及び１１７をそれぞれ取り付け、該
リードに適当な電位を印加することができる。
【００１３】図２は、本発明の実施形態に係るポリマー
被覆１９０を有する図１の発光ダイオードを表す。好適
なポリマーの１つは、「Ｐａｒｙｌｅｎｅ（パリレ
ン）」（ｐ−キシリレンポリマーの商標名）であり、回
路基板などのような湿気に弱い電子部品を被覆するのに
使用できることが見出されている。透明なポリメチルメ
タクリレート（ＰＩＭＡ）などのような他の透明なポリ
マー又は光反射性のポリマーも使用できる。
被覆１９０を有する図１の発光ダイオードを表す。好適
なポリマーの１つは、「Ｐａｒｙｌｅｎｅ（パリレ
ン）」（ｐ−キシリレンポリマーの商標名）であり、回
路基板などのような湿気に弱い電子部品を被覆するのに
使用できることが見出されている。透明なポリメチルメ
タクリレート（ＰＩＭＡ）などのような他の透明なポリ
マー又は光反射性のポリマーも使用できる。
【００１４】図３は、「フリップ・チップ」と呼ばれる
形状を有するデバイスに使用したときの本発明の実施形
態を表す。例えば（関係のある光学的な放射に対して）
ほぼ透明なサファイア基板を３０５として示す。III−
Ｖ族窒化物半導体のエピ層、例えば、この場合ＡｌＩｎ
ＧａＮデバイスのエピ層は、通常、ｎ型層と、ｐ型層
と、これらの間の発光活性領域とを含み、まとめて３１
０で表す。ｎ電極は３５０で表され、好ましくはこの形
状において光を反射できる銀からなるｐ電極は、３６０
で表される。例えばＮｉ−Ｃｕのはんだ付け可能なメタ
ライゼーションは、種々の位置において参照番号３１５
で表され、ＰｂＳｎなどのような伝導性のはんだ接合
は、種々の位置において参照番号３１８で表され、スピ
ン・オン・グラス（ＳＯＧ）の形態の二酸化ケイ素絶縁
体は、種々の位置において参照番号３２２で表され、Ｓ
ｉＮX絶縁体は、種々の位置において参照番号３２７で
表される。層３７１及び３７２は、それぞれｐ電極及び
ｎ電極と結合された導体に接続されたアルミニウム反射
体／ワイヤボンド金属である。ボール・ボンド・コンタ
クト３８１及び３８２は、それぞれ層３７１及び３７２
に結合され、リード３９１及び３９２はそれぞれボール
・ボンド・コンタクト３８１及び３８２に結合される。
層３３０は、二酸化ケイ素絶縁体であり、層３３５は、
メタライゼーション３１６上にサブマウントされたケイ
素であり、マウンティングのために更にはんだ付けでき
る。斜線領域３９０は全て、ポリマー被覆すなわち包囲
体である。既に述べたように、好適なポリマーはｐａｒ
ｙｌｅｎｅである。
形状を有するデバイスに使用したときの本発明の実施形
態を表す。例えば（関係のある光学的な放射に対して）
ほぼ透明なサファイア基板を３０５として示す。III−
Ｖ族窒化物半導体のエピ層、例えば、この場合ＡｌＩｎ
ＧａＮデバイスのエピ層は、通常、ｎ型層と、ｐ型層
と、これらの間の発光活性領域とを含み、まとめて３１
０で表す。ｎ電極は３５０で表され、好ましくはこの形
状において光を反射できる銀からなるｐ電極は、３６０
で表される。例えばＮｉ−Ｃｕのはんだ付け可能なメタ
ライゼーションは、種々の位置において参照番号３１５
で表され、ＰｂＳｎなどのような伝導性のはんだ接合
は、種々の位置において参照番号３１８で表され、スピ
ン・オン・グラス（ＳＯＧ）の形態の二酸化ケイ素絶縁
体は、種々の位置において参照番号３２２で表され、Ｓ
ｉＮX絶縁体は、種々の位置において参照番号３２７で
表される。層３７１及び３７２は、それぞれｐ電極及び
ｎ電極と結合された導体に接続されたアルミニウム反射
体／ワイヤボンド金属である。ボール・ボンド・コンタ
クト３８１及び３８２は、それぞれ層３７１及び３７２
に結合され、リード３９１及び３９２はそれぞれボール
・ボンド・コンタクト３８１及び３８２に結合される。
層３３０は、二酸化ケイ素絶縁体であり、層３３５は、
メタライゼーション３１６上にサブマウントされたケイ
素であり、マウンティングのために更にはんだ付けでき
る。斜線領域３９０は全て、ポリマー被覆すなわち包囲
体である。既に述べたように、好適なポリマーはｐａｒ
ｙｌｅｎｅである。
【００１５】ポリマー被覆は、蒸着プロセスにより室温
で蒸着される。このことから適合性の良い絶縁フィルム
が得られ、デバイスのあらゆる凹部領域を被覆すること
ができる。本質的に、デバイスの全露出領域が、ポリマ
ー蒸着中に被覆される。ポリマーの選択的な除去は、エ
キサイマ・レーザ・アブレーション又はＯ2プラズマエ
ッチングなどのような技術により、蒸着後に行われる。
図２に示すＬＥＤデバイスでは、ＬＥＤパッケージの銀
めっき反射カップ（図示せず）に近接して取り付けられ
るチップの底部以外の全チップ表面が被覆される。ワイ
ヤボンディングの後に、部分的にパッケージされたＬＥ
Ｄにポリマーを塗布することは、ポリマーの選択的除去
の必要性をなくすことから好ましいものである。図２に
示すフリップ‐チップデバイスについては、ＬＥＤパッ
ケージ（図示せず）にしっかりと取り付けられることか
ら、サブマウントの底部が被覆されないように示され
る。
で蒸着される。このことから適合性の良い絶縁フィルム
が得られ、デバイスのあらゆる凹部領域を被覆すること
ができる。本質的に、デバイスの全露出領域が、ポリマ
ー蒸着中に被覆される。ポリマーの選択的な除去は、エ
キサイマ・レーザ・アブレーション又はＯ2プラズマエ
ッチングなどのような技術により、蒸着後に行われる。
図２に示すＬＥＤデバイスでは、ＬＥＤパッケージの銀
めっき反射カップ（図示せず）に近接して取り付けられ
るチップの底部以外の全チップ表面が被覆される。ワイ
ヤボンディングの後に、部分的にパッケージされたＬＥ
Ｄにポリマーを塗布することは、ポリマーの選択的除去
の必要性をなくすことから好ましいものである。図２に
示すフリップ‐チップデバイスについては、ＬＥＤパッ
ケージ（図示せず）にしっかりと取り付けられることか
ら、サブマウントの底部が被覆されないように示され
る。
【００１６】このポリマー被覆は、水分に起因する金属
マイグレーションが問題となるＬＥＤデバイスでの使用
に特に関心がもたれるものである。上述の形状のような
ｐ電極（アノード）として銀を用いて構成されたデバイ
スは、アノードからカソードへの銀の電気化学的マイグ
レーションが起こりやすい。銀イオンは、カソードに到
達した後に析出してデンドライトを形成し、これがＬＥ
Ｄデバイスを終局的に短絡させる。ＬＥＤデバイス上で
の銀マイグレーションの初期兆候は、出力光の減少と順
方向及び逆方向の漏れ電流の増加である。マイグレーシ
ョンは、銀を用いる他の電子デバイスにおいて公知であ
り、例えば、Ｓｔｅｐｐａｎらの「ＡＲｅｖｉｅｗ Ｏ
ｆ Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ Ｆａｉｌｕｒｅ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｓｍｓ Ｄｕｒｉｎｇ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ
Ｔｅｓｔｓ，Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｍｅｔａｌ
Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ」Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃのＳｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ａｎ
ｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．１，
１９８６に記載される。この電気化学的マイグレーショ
ンが効果的に起こるためには、アノードからカソードに
銀イオンが移動するための輸送媒体を与えるために湿気
吸着層が必要とされる。ポリマー（好ましくはＰａｒｙ
ｌｅｎｅ）フィルムの低い湿気透過性は、ＬＥＤデバイ
スの銀アノードにおけるこの劣化機構を中断できる手段
を提供するので、これにより特に湿潤環境における作動
時の性能が向上することになる。信頼性を向上できるこ
とに加えて、ＬＥＤのポリマー被覆も、高屈折率ＬＥＤ
チップからの光抽出の観点から有利である。Ｐａｒｙｌ
ｅｎｅのようなポリマーは、可視スペクトルにおける高
い光透過性を有するので、Ｐａｒｙｌｅｎｅ中での吸収
に起因する光の損失は非常に少ない。Ｐａｒｙｌｅｎｅ
の屈折率（ｎ）は通常、約１．６５であり、ＬＥＤチッ
プから光を抽出し方向付けるのを助けるために通常使用
される包囲体エポキシの屈折率と近似している。しかし
ながら、Ｐａｒｙｌｅｎｅのいくつかの特定の構造で
は、約２．２８ほども高い屈折率を有する場合がある。
包囲体エポキシが存在しない場合には、ｎ≒１．６５
か、ｎ≒２．２８のいずれかのＰａｒｙｌｅｎｅ被覆
が、空気中への高屈折率（ｎ＜２．５）ＬＥＤチップの
光抽出を向上させる。高屈折率（ｎ＞２．５）ＬＥＤチ
ップ上のｎ≒２．２８のＰａｒｙｌｅｎｅ被覆はまた、
より低い屈折率（ｎ≒１．５）のエポキシ中への光抽出
を向上することができる。
マイグレーションが問題となるＬＥＤデバイスでの使用
に特に関心がもたれるものである。上述の形状のような
ｐ電極（アノード）として銀を用いて構成されたデバイ
スは、アノードからカソードへの銀の電気化学的マイグ
レーションが起こりやすい。銀イオンは、カソードに到
達した後に析出してデンドライトを形成し、これがＬＥ
Ｄデバイスを終局的に短絡させる。ＬＥＤデバイス上で
の銀マイグレーションの初期兆候は、出力光の減少と順
方向及び逆方向の漏れ電流の増加である。マイグレーシ
ョンは、銀を用いる他の電子デバイスにおいて公知であ
り、例えば、Ｓｔｅｐｐａｎらの「ＡＲｅｖｉｅｗ Ｏ
ｆ Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ Ｆａｉｌｕｒｅ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｓｍｓ Ｄｕｒｉｎｇ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ
Ｔｅｓｔｓ，Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｍｅｔａｌ
Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ」Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃのＳｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ａｎ
ｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．１，
１９８６に記載される。この電気化学的マイグレーショ
ンが効果的に起こるためには、アノードからカソードに
銀イオンが移動するための輸送媒体を与えるために湿気
吸着層が必要とされる。ポリマー（好ましくはＰａｒｙ
ｌｅｎｅ）フィルムの低い湿気透過性は、ＬＥＤデバイ
スの銀アノードにおけるこの劣化機構を中断できる手段
を提供するので、これにより特に湿潤環境における作動
時の性能が向上することになる。信頼性を向上できるこ
とに加えて、ＬＥＤのポリマー被覆も、高屈折率ＬＥＤ
チップからの光抽出の観点から有利である。Ｐａｒｙｌ
ｅｎｅのようなポリマーは、可視スペクトルにおける高
い光透過性を有するので、Ｐａｒｙｌｅｎｅ中での吸収
に起因する光の損失は非常に少ない。Ｐａｒｙｌｅｎｅ
の屈折率（ｎ）は通常、約１．６５であり、ＬＥＤチッ
プから光を抽出し方向付けるのを助けるために通常使用
される包囲体エポキシの屈折率と近似している。しかし
ながら、Ｐａｒｙｌｅｎｅのいくつかの特定の構造で
は、約２．２８ほども高い屈折率を有する場合がある。
包囲体エポキシが存在しない場合には、ｎ≒１．６５
か、ｎ≒２．２８のいずれかのＰａｒｙｌｅｎｅ被覆
が、空気中への高屈折率（ｎ＜２．５）ＬＥＤチップの
光抽出を向上させる。高屈折率（ｎ＞２．５）ＬＥＤチ
ップ上のｎ≒２．２８のＰａｒｙｌｅｎｅ被覆はまた、
より低い屈折率（ｎ≒１．５）のエポキシ中への光抽出
を向上することができる。
【００１７】図４は、２０００年８月３１日に出願さ
れ、本出願と同一の譲り受け人に譲渡され上で引用した
出願係属中の米国特許出願第０９／６５２，１９４号に
記載されるような例えばIII−Ｖ族窒化物ＬＥＤなどの
発光半導体デバイスの一部を示す。引用した係属中の出
願において注目されているように、デバイスのｐｎ接合
への銀メタライゼーションの電気化学的マイグレーショ
ンが起こると、結果として接合を横切る別の分路が生
じ、デバイスの効率が低下する。導電性の保護リング及
び／又は保護シートの形態の移動障壁は、ｐ型層１４０
の表面に沿ってｐ型層１４０とｎ型層１２０との間のｐ
ｎ接合における活性領域１３０に向かう金属の有害な電
気化学的マイグレーションを防ぐように働く。ｎ型層
は、電極１５０とリード１１６を有する。周辺部がｐ−
層１４０と接触する線に沿った銀ｐ電極１６０の少なく
とも縁は、保護リング１７０（コンタクトパッド１７１
とリード１１７も図示されている）により取り囲まれ
る。図から見出されるように、この例において、ｐ電極
は電位＋Ｖであり、それゆえ導電性の金属保護リングも
電位＋Ｖとなる。等電位面（断面図中の線）は、電位Ｖ
1、Ｖ2、Ｖ3、．．．．．であることを表し、ここで、
Ｖ＞Ｖ1＞Ｖ2＞Ｖ3．．．．．である。この場合、銀電
極１６０の周辺部の周り（及び保護リングの下）のｐ型
層１６０の表面は、実質的に電位＋Ｖであり、銀電極１
６０の縁において、たとえあるとしても僅かな小さい電
位勾配により、ｐ−層の表面に沿ってデバイスのｐｎ接
合に向かう銀の移動が起こることがある。一般に、あら
ゆる高い伝導度の材料を、保護リング又は保護シートと
して用いることができる。例えば、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｒｕ、又は
これらの組み合わせすなわち混晶を用いることができ
る。他の物質及び条件は、これと共に日付も記載された
引用した係属中の出願に開示される。
れ、本出願と同一の譲り受け人に譲渡され上で引用した
出願係属中の米国特許出願第０９／６５２，１９４号に
記載されるような例えばIII−Ｖ族窒化物ＬＥＤなどの
発光半導体デバイスの一部を示す。引用した係属中の出
願において注目されているように、デバイスのｐｎ接合
への銀メタライゼーションの電気化学的マイグレーショ
ンが起こると、結果として接合を横切る別の分路が生
じ、デバイスの効率が低下する。導電性の保護リング及
び／又は保護シートの形態の移動障壁は、ｐ型層１４０
の表面に沿ってｐ型層１４０とｎ型層１２０との間のｐ
ｎ接合における活性領域１３０に向かう金属の有害な電
気化学的マイグレーションを防ぐように働く。ｎ型層
は、電極１５０とリード１１６を有する。周辺部がｐ−
層１４０と接触する線に沿った銀ｐ電極１６０の少なく
とも縁は、保護リング１７０（コンタクトパッド１７１
とリード１１７も図示されている）により取り囲まれ
る。図から見出されるように、この例において、ｐ電極
は電位＋Ｖであり、それゆえ導電性の金属保護リングも
電位＋Ｖとなる。等電位面（断面図中の線）は、電位Ｖ
1、Ｖ2、Ｖ3、．．．．．であることを表し、ここで、
Ｖ＞Ｖ1＞Ｖ2＞Ｖ3．．．．．である。この場合、銀電
極１６０の周辺部の周り（及び保護リングの下）のｐ型
層１６０の表面は、実質的に電位＋Ｖであり、銀電極１
６０の縁において、たとえあるとしても僅かな小さい電
位勾配により、ｐ−層の表面に沿ってデバイスのｐｎ接
合に向かう銀の移動が起こることがある。一般に、あら
ゆる高い伝導度の材料を、保護リング又は保護シートと
して用いることができる。例えば、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｒｕ、又は
これらの組み合わせすなわち混晶を用いることができ
る。他の物質及び条件は、これと共に日付も記載された
引用した係属中の出願に開示される。
【００１８】図５は、図４のデバイスの本発明の改良に
係る変形である。デバイスを覆うポリマーの被覆５９０
は、湿気から保護し、さらに電気化学的マイグレーショ
ンと環境劣化を阻止する。好適なポリマーは、同じくＰ
ａｒｙｌｅｎｅである。
係る変形である。デバイスを覆うポリマーの被覆５９０
は、湿気から保護し、さらに電気化学的マイグレーショ
ンと環境劣化を阻止する。好適なポリマーは、同じくＰ
ａｒｙｌｅｎｅである。
【図１】本発明の実施形態に係る改良がなされたデバイ
スの断面図である。
スの断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るデバイスの断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の別の実施形態に係るデバイスの断面図
である。
である。
【図４】伝導性の保護リング又はシートが、どのように
してデバイスのｐｎ接合に向かう銀の電気化学的マイグ
レーションを減らし又はなくすように作動するのかを理
解するのに有用な、デバイスの部分断面図である。
してデバイスのｐｎ接合に向かう銀の電気化学的マイグ
レーションを減らし又はなくすように作動するのかを理
解するのに有用な、デバイスの部分断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る改良がなされた図４に
示すデバイスの部分断面図である。
示すデバイスの部分断面図である。
１１０ III−Ｖ族窒化物発光ダイオード（ＬＥＤ）
１１２ 底部反射層
１１５ 基板
１１６、１１７ リード
１２０ ｎ型層
１３０ 活性領域
１４０ ｐ型層
１５０ ｎ電極
１６０ ｐ電極
１６１ コンタクトパッド
１９０ ポリマー被覆
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 マイケル ジェイ ルドワイス
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
95129 サン ホセ スリダ ドライヴ
6555
(72)発明者 ポール エス マーティン
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
94588 プレザントン フェアオークス
ドライヴ 7665
(72)発明者 ダニエル エイ スタイガーウォルド
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
95014 クーパーティノ ロックウッド
ドライヴ 10430−ビー
Ｆターム(参考） 5F041 AA34 AA44 CA04 CA05 CA40
CA86 CA88 CB15 DA07 DA09
EE25
Claims (29)
- 【請求項１】 複数の半導体層を有し、前記層の間に活
性領域を含む半導体構造と、 前記構造における異なる半導体層とそれぞれ接触する第
１及び第２伝導性金属電極と、 ポリマーからなる障壁と、を備え、前記障壁が、前記電
極のうち少なくとも１つの表面を被覆することを特徴と
する発光デバイス。 - 【請求項２】 前記ポリマー障壁が、前記デバイスの全
露出表面を包み込むことを特徴とする請求項１に記載の
デバイス。 - 【請求項３】 前記ポリマーが、パリレンからなること
を特徴とする請求項１に記載のデバイス。 - 【請求項４】 前記ポリマーが、パリレンからなること
を特徴とする請求項２に記載のデバイス。 - 【請求項５】 前記少なくとも１つの電極が、銀を含む
電極からなることを特徴とする請求項１に記載のデバイ
ス。 - 【請求項６】 前記少なくとも１つの電極が、銀を含む
電極からなることを特徴とする請求項２に記載のデバイ
ス。 - 【請求項７】 前記デバイスがさらに、前記第１及び第
２電極に電気信号を印加するための手段を含み、前記障
壁が、前記少なくとも１つの電極から前記電極が接触し
ている半導体層の表面上への金属の電気化学的マイグレ
ーションを防ぐように作動可能であることを特徴とする
請求項１に記載のデバイス。 - 【請求項８】 前記デバイスがさらに、前記第１及び第
２電極に電気信号を印加するための手段を含み、前記障
壁が、前記少なくとも１つの電極から前記電極が接触し
ている半導体層の表面上への金属の電気化学的マイグレ
ーションを防ぐように作動可能であることを特徴とする
請求項６に記載のデバイス。 - 【請求項９】 前記複数の半導体層が、III−Ｖ族窒化
物半導体のｎ型層と、III−Ｖ族窒化物半導体のｐ型層
を含み、前記少なくとも１つの電極が、前記ｐ型層に付
着されることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。 - 【請求項１０】 前記複数の半導体層が、III−Ｖ族窒
化物半導体のｎ型層と、III−Ｖ族窒化物半導体のｐ型
層を含み、前記少なくとも１つの電極が、前記ｐ型層に
付着されることを特徴とする請求項６に記載のデバイ
ス。 - 【請求項１１】 前記デバイスが、前記ｐ型層と前記ｎ
型層との間のｐｎ接合に活性発光領域を含むことを特徴
とする請求項５に記載のデバイス。 - 【請求項１２】 前記デバイスがさらに、前記少なくと
も１つの電極の少なくとも周辺部の周りに、伝導性材料
の保護リング又は保護シートを備え、前記ポリマー障壁
が、前記少なくとも１つの電極だけでなく前記保護リン
グ又は保護シートも被覆することを特徴とする請求項１
０に記載のデバイス。 - 【請求項１３】 前記ポリマーが、光透過性であること
を特徴とする請求項１に記載のデバイス。 - 【請求項１４】 前記ポリマーが、１．５から３．０ま
での範囲の屈折率を有することを特徴とする請求項１に
記載のデバイス。 - 【請求項１５】 前記ポリマーが、１．５から３．０ま
での範囲の屈折率を有することを特徴とする請求項４に
記載のデバイス。 - 【請求項１６】 III−Ｖ族窒化物半導体のｎ型層と、I
II−Ｖ族窒化物半導体のｐ型層との間に発光活性領域を
含む半導体構造と、 前記ｐ型層に付着された、銀を含む金属からなるｐ電極
と、 前記ｎ型層に結合されたｎ電極と、 前記電極に電気信号を印加し、前記発光領域から発光さ
せるための手段と、 ポリマーからなる障壁と、 を備え、前記障壁が、前記ｐ電極の少なくとも表面を被
覆することを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１７】 前記ポリマー障壁が、前記デバイスの
全露出表面を包み込むことを特徴とする請求項１６に記
載のデバイス。 - 【請求項１８】 前記ポリマーが、パリレンからなるこ
とを特徴とする請求項１６に記載のデバイス。 - 【請求項１９】 前記ポリマーが、パリレンからなるこ
とを特徴とする請求項１７に記載のデバイス。 - 【請求項２０】 前記デバイスがさらに、前記少なくと
も１つの電極の少なくとも周辺部の周りに、伝導性材料
の保護リング又は保護シートを備え、前記ポリマー障壁
が、前記少なくとも１つの電極だけでなく前記保護リン
グ又は保護シートも被覆することを特徴とする請求項１
６に記載のデバイス。 - 【請求項２１】 前記ポリマーが、光透過性であること
を特徴とする請求項１６に記載のデバイス。 - 【請求項２２】 前記ポリマーが、１．５から３．０ま
での範囲の屈折率を有することを特徴とする請求項１６
に記載のデバイス。 - 【請求項２３】 前記ポリマーが、１．５から３．０ま
での範囲の屈折率を有することを特徴とする請求項１７
に記載のデバイス。 - 【請求項２４】 III−Ｖ族窒化物半導体のｎ型層と、I
II−Ｖ族窒化物半導体のｐ型層との間に発光活性領域を
含む半導体構造を形成し、 前記ｐ型層に銀を含む電極からなるｐ電極を、かつ、前
記ｎ型層にｎ電極を付着させ、 少なくとも前記ｐ電極にポリマー障壁被覆を付着させ
る、ステップからなる発光デバイスを作製するための方
法。 - 【請求項２５】 前記ポリマー障壁被覆を付着させるス
テップが、前記デバイスの全露出表面を前記ポリマーで
包み込むことを含む請求項２４に記載の方法。 - 【請求項２６】 前記ポリマー障壁被覆を付着させるス
テップが、パリレン被覆」を付着させることを含む請求
項２４に記載の方法。 - 【請求項２７】 前記ポリマー障壁被覆を付着させるス
テップが、パリレン被覆を付着させることを含む請求項
２５に記載の方法。 - 【請求項２８】 前記ポリマー障壁被覆を付着させるス
テップが、１．５から３．０までの範囲の屈折率を有す
る光透過性のポリマーを付着させることを含むことを特
徴とする請求項２４に記載の方法。 - 【請求項２９】 前記ポリマー障壁被覆を付着させるス
テップが、１．５から３．０までの範囲の屈折率を有す
る光透過性のポリマーを付着させることを含むことを特
徴とする請求項２５に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002071026A JP2003243704A (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 発光半導体デバイス及び方法 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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