JP2003238166A - Method for producing glass particulate deposition body - Google Patents

Method for producing glass particulate deposition body

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JP2003238166A
JP2003238166A JP2002045057A JP2002045057A JP2003238166A JP 2003238166 A JP2003238166 A JP 2003238166A JP 2002045057 A JP2002045057 A JP 2002045057A JP 2002045057 A JP2002045057 A JP 2002045057A JP 2003238166 A JP2003238166 A JP 2003238166A
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port
burner
glass
raw material
gas
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Takashi Matsuo
尚 松尾
Motonori Nakamura
元宣 中村
Yuichi Oga
裕一 大賀
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method capable of stably producing, by a VAD (vapor phase axial deposition) method, a glass particulate deposition body which is added with Ge and has a GI (graded index) type refractive index distribution without disturbance of the refractive index distribution, occurrence of burner clogging during deposition, and soot cracking. <P>SOLUTION: This method comprises using a burner for synthesizing a glass particulate having the ports protruded from the central ports at the outside of a concentric multiplex tube, using the glass raw material gas-feeding ports having a cross-sectional area of 4π-25π mm<SP>2</SP>, and performing a deposition operation by the VAD method so as to satisfy T<SB>1</SB>≥45 ms and T<SB>2</SB>≤45 ms when defining the in-tube flying time of a Ge compound gas in a port α through which the most volume thereof is passed as T<SB>1</SB>(ms) and that of a glass raw material gas in a port β through which the most volume thereof is passed as T<SB>2</SB>(ms). <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、Geが添加された
GI型屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体を、VA
D(気相軸付け)法により屈折率制御性を向上して製造
できる方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a VA type glass particle deposit having a GI type refractive index distribution to which Ge is added.
The present invention relates to a method capable of improving the refractive index controllability by the D (gas phase axis attachment) method.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ファイバをその屈折率構造で分類する
ときに、グレーデッド・インデックス(Graded
Index:GIと略記する)型ファイバと呼ばれるフ
ァイバは、屈折率がコアの中心から周辺にかけて漸次減
少しており、マルチモードファイバコア等に利用されて
いる。GI型コア部材は分散補償ファイバのコアや高N
Aファイバのコア等にも利用されている。図3に、GI
型ファイバのコアの屈折率分布の一例としてα乗分布の
コアのプロファイルを示す。GI型光ファイバのガラス
組成としては、屈折率を上昇するドーパントであるGe
を添加したSiO 2 をコア部に用い、クラッド部にはS
iO2 又は屈折率を低下させるドーパントであるF等を
添加したSiO2 を用いる、またF(フッ素)を含有す
る樹脂でSiO2 との比屈折率差で2%程度低い屈折率
を有するものをクラッド材に用いることもある。
2. Description of the Related Art Optical fibers are classified by their refractive index structure.
Sometimes, the Graded Index
Index: GI) type fiber.
The refractive index of the fiber gradually decreases from the center of the core to the periphery.
It ’s a little bit, and it ’s used for multimode fiber cores.
There is. The GI type core member is a dispersion compensating fiber core or high N
It is also used as the core of A fiber. In Figure 3, GI
As an example of the refractive index distribution of the core of the
The core profile is shown. GI type optical fiber glass
As the composition, Ge is a dopant that raises the refractive index.
SiO added with 2Is used for the core part and S for the clad part.
iO2Alternatively, F, which is a dopant that lowers the refractive index,
Added SiO2Is used, and also contains F (fluorine)
Resin with SiO22% lower refractive index due to the relative refractive index difference with
In some cases, a material having a is used as a clad material.

【0003】このようなGI型コアガラスをVAD(気
相軸付け)法により製造するには、図4に示すように、
反応容器9内において、複数のガス噴出ポートを有する
ガラス微粒子合成用バーナ(以下、単にバーナと略記す
る場合もある)10にSiCl4 等のガラス原料ガス、
ドーパントであるGeを含有する化合物、例えばGeC
4 等のGe原料ガス、H2 ,炭化水素等の可燃性ガ
ス、O2 等の助燃性ガス、及び要すればAr等の不活性
ガスを導入し、該バーナ10に形成される火炎11中で
ガラス原料及びGe原料ガスを火炎加水分解反応及び/
又は酸化反応させることによりガラス微粒子を生成さ
せ、これを回転しつつ該バーナ10に対し相対的に上方
向に移動する出発材(ターゲット)12に吹きつけて、
該出発材12端部からガラス微粒子を軸方向に堆積さ
せ、ガラス微粒子堆積体13を形成する。得られたガラ
ス微粒子堆積体13は加熱、焼結により透明化されガラ
ス体(コア母材)となる。
To manufacture such a GI type core glass by the VAD (vapor phase axis attachment) method, as shown in FIG.
In the reaction vessel 9, a glass fine particle synthesis burner 10 having a plurality of gas ejection ports (hereinafter, may be simply referred to as a burner) 10, a glass raw material gas such as SiCl 4 ,
Compounds containing Ge as a dopant, eg GeC
A flame 11 formed in the burner 10 by introducing a Ge raw material gas such as l 4 or the like, a combustible gas such as H 2 or hydrocarbon, a supporting gas such as O 2 and an inert gas such as Ar if necessary. In the glass raw material and Ge raw material gas, flame hydrolysis reaction and /
Alternatively, fine glass particles are generated by an oxidation reaction, and the fine glass particles are sprayed onto a starting material (target) 12 that moves upward relative to the burner 10 while rotating,
Glass fine particles are deposited in the axial direction from the end portion of the starting material 12 to form a glass fine particle deposit body 13. The obtained glass fine particle deposit 13 is made transparent by heating and sintering, and becomes a glass body (core base material).

【0004】GeCl4 が火炎中で加水分解反応、酸化
反応することにより生成するGeO 2 は火炎中の反応状
態や堆積面の温度により揮散しやすいため、火炎中の温
度や堆積面の温度を制御することが必要である。GI型
コア母材とするためのガラス微粒子堆積体の形成は、通
常1本のバーナを用いて行う。ガラス微粒子堆積体の外
側ではGeが揮散しやすいために、設計したとおりの屈
折率分布に制御することは困難である。GI型コアのプ
ロファイルとしては、図3に示すような中心から周辺部
にかけて滑らかな放物線状とすることが望ましいが、例
えば図5に示すように中央に凹みのある形状や種々の好
ましくない形状になってしまうことがある。また、バー
ナ構造としてはガラス微粒子の堆積効率の点で有利であ
るため、図1に示すように中心ポートよりも外周側のポ
ートを突出したタイプの多重管バーナを用いることもあ
るが、堆積中にバーナ突出部のB点付近にSiO2 微粒
子(スス)が堆積してバーナポートの詰まりが起きる場
合があり、詰まりが発生するともはやガラス微粒子堆積
はできなくなる。
GeClFourUndergoes hydrolysis reaction in a flame, oxidation
GeO generated by reacting 2Is the reaction in the flame
As it easily volatilizes depending on the condition and the temperature of the deposition surface, the temperature in the flame
It is necessary to control the temperature and the temperature of the deposition surface. GI type
The formation of the glass particulate deposits for use as the core base material is
Always use one burner. Outside the glass particle deposit
On the side, Ge easily volatilizes, so
It is difficult to control the folding rate distribution. GI type core
As a profile, from the center to the periphery as shown in Fig. 3.
It is desirable to have a smooth parabolic shape over
For example, as shown in FIG.
The shape may be unfavorable. Also the bar
It is advantageous in terms of glass particle deposition efficiency
Therefore, as shown in Fig. 1, the port on the outer peripheral side of the center port is
Sometimes a multi-tube burner of the type with a protruding
However, during deposition, SiO near the point B on the burner protrusion2Fine particles
Place where burner port clogging occurs due to accumulation of soot
If there is a clogging and clogging occurs, glass particulates will no longer accumulate
Will not be possible.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、Geを含有
するGI型コア用ガラス微粒子堆積体を、VAD法によ
り、屈折率分布の制御性を向上し、しかもバーナ詰まり
の発生なく安定かつ収率良く製造できる新規な方法を課
題とするものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention improves the controllability of the refractive index distribution by the VAD method and stabilizes and collects a Ge-containing glass fine particle deposit for a GI type core. It is an object of the present invention to provide a novel method that can be efficiently manufactured.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は下記(1) ,(2)
の構成により上記課題を解決できた。 (1) ガラス原料ガス及びGe化合物ガスをガラス微粒子
合成用バーナの火炎中に導入することにより生成された
ガラス微粒子を、回転しつつ該バーナとは相対的に移動
する出発材の一端から堆積させることによりGeを含有
するGI型屈折率分布のガラス微粒子堆積体を形成する
製造方法において、上記ガラス微粒子合成用バーナとし
て、同心円状の多重管構造で中心ポートより突出したポ
ートを外側に有し、ガラス原料ガスを供給するポートの
断面積が4πmm2 〜25πmm 2 であるバーナを用
い、且つGe化合物ガスを最も多く流すポートの飛行時
間をT1 (ms)、ガラス原料ガスを最も多く流すポー
トの管内飛行時間をT2 (ms)とするとき、T1 とT
2 が数3
The present invention includes the following (1) and (2)
The above problem can be solved by the above configuration. (1) Glass raw material gas and Ge compound gas are used as glass particles
Produced by introducing into the flame of a synthesis burner
Glass particles move relative to the burner while rotating
Containing Ge by depositing from one end of the starting material
To form a glass particulate deposit with a GI type refractive index profile
In the manufacturing method, the burner for synthesizing the glass fine particles is used.
The concentric multi-tube structure,
Port on the outside to supply glass source gas
Cross-sectional area is 4πmm2~ 25πmm 2For burner
And at the port where the most Ge compound gas flows
T between1(Ms), the port that flows the most glass source gas
T is the flight time2(Ms), T1And T
2Is the number 3

【数3】T1 ≧ 45ms かつ T2 ≦ 45ms の式を満足するように行うことを特徴とするガラス微粒
子堆積体の製造方法。 (2) 前記多重管バーナの中心から突出部の管までの距離
r及び突出長Lが数4
## EQU00003 ## A method for producing a glass particle deposit, which is performed so as to satisfy the expressions T 1 ≧ 45 ms and T 2 ≦ 45 ms. (2) The distance r from the center of the multi-tube burner to the tube of the protruding portion and the protruding length L are several 4

【数4】0.04≦r/L≦0.4 を満足するものであることを特徴とする前記(1) 記載の
ガラス微粒子堆積体の製造方法。なお、本発明において
πは円周率を意味する。
## EQU4 ## The method for producing a glass particle deposit according to (1) above, wherein 0.04≤r / L≤0.4 is satisfied. In the present invention, π means the circular constant.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】まず、本発明に到った経緯から説
明する。本発明は図4で説明したいわゆるVAD法(気
相軸付け法)によりGeを含有するGI型屈折率分布の
ガラス微粒子堆積体を形成するが、Ge添加のガラス微
粒子堆積体を屈折率制御性良く、しかもバーナの目詰ま
りなく作成するためには、該ガラス微粒子堆積体を合成
するバーナから堆積面にいたる間でのドープ原料(Ge
Cl4 )の反応とガラス原料(SiCl4 )の反応はそ
れぞれ別異であること、特にGeCl4 はバーナ火炎中
で反応してGeO2 として安定な状態になるまでに時間
がかかることを考慮する必要があると本発明者らは想到
した。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION First, the background of the present invention will be described. The present invention forms a glass particle deposit having a GI type refractive index distribution containing Ge by the so-called VAD method (gas phase axis attaching method) described with reference to FIG. In order to produce the glass fine particles without clogging, the dope raw material (Ge) from the burner for synthesizing the glass particle deposit to the deposition surface is used.
Consider that the reaction of Cl 4 ) and the reaction of the glass raw material (SiCl 4 ) are different, especially that it takes time for GeCl 4 to react in a burner flame and become stable as GeO 2. The present inventors have realized that there is a need.

【0008】この観点から種々に実験を重ねた結果、G
e化合物ガス(Ge原料)を最も多く流すポートの先端
から堆積面にいたるまでのGe原料の飛行時間T1 を4
5ms以上とすることにより、充分な反応性が得られる
ことがわかった。また、バーナの目詰まりに関しては、
中心ポートよりも突出した外側ポートの先端位置と原料
ガスを最も多く流すポートの先端位置の間の距離をガラ
ス原料が飛行する時間(管内飛行時間)T2 を45ms
以下とすることがよいことがわかった。そして、これら
の条件を両立することができる範囲(T1 ≧45ms且
つT2≦45ms)であれば、バーナ詰まりの発生なく
安定にしかも収率良くGI型屈折率分布を有するGe添
加ガラス微粒子堆積体を製造することが可能である。
As a result of various experiments conducted from this viewpoint, G
The flight time T 1 of the Ge raw material from the tip of the port through which the e compound gas (Ge raw material) flows most to the deposition surface is 4
It was found that sufficient reactivity can be obtained by setting the time to 5 ms or more. Also, regarding the clogging of the burner,
The time (in-flight time) T 2 for which the glass raw material flies at the distance between the tip position of the outer port protruding from the center port and the tip position of the port through which the largest amount of raw material gas flows is 45 ms.
It turns out that the following is better. Within the range where these conditions can be satisfied (T 1 ≧ 45 ms and T 2 ≦ 45 ms), deposition of Ge-doped glass fine particles having stable GI type refractive index distribution without burner clogging and good yield is achieved. It is possible to manufacture the body.

【0009】なお、本発明においてドーパントであるG
e原料(GeCl4 )を最も多く流すポートαにおける
Ge原料の飛行時間T1 は、数5の式で示される。
In the present invention, G which is a dopant is used.
The flight time T 1 of the Ge raw material at the port α where the largest amount of the e raw material (GeCl 4 ) flows is given by the equation (5).

【数5】 [Equation 5]

【0010】本発明においてガラス原料(SiCl4
を最も多く流すポートβにおけるガラス原料の管内飛行
時間T2 は、数6の式で示される。
In the present invention, glass raw material (SiCl 4 )
The in-tube flight time T 2 of the glass raw material at the port β at which the largest amount of the gas flows is represented by the formula (6).

【数6】 ここで突出長Lは、原料を最も多く流すポートβの先端
をA,ポートβに最も近く可燃性ガスを流すポートより
外側のポートであって助燃性ガスを流すポートの外側ポ
ートの先端をBとするとき、バーナ軸に沿ってA〜B間
の距離である。
[Equation 6] Here, the protrusion length L is A at the tip of the port β through which the raw material flows most, and B at the tip of the outer port of the port closest to the port β through which the flammable gas flows and outside the combustible gas. Is the distance between A and B along the burner axis.

【0011】以下、図面を参照して本発明を説明する。
図1は本発明の一実施態様で用いる多重管バーナの噴出
口近傍とガラス微粒子堆積体を模式的に示す概略断面図
であり、複数のポート(噴出口)が、中心ポート(第1
ポート)1を中心として第2ポート2,第3ポート3,
第4ポート4…第nポートnと同心円状に多重に形成さ
れている。中心ポート1には、例えばGe原料(GeC
4 等)、ガラス原料(SiCl 4 )及び可燃性ガス
(H2 等)、第2ポート2には可燃性ガス(H2 )、第
3ポート3には不活性ガス(Ar)、第4ポートには助
燃性ガス(O2 等)が流されるが、この流し方に限定さ
れるところはない。また第5ポートから第nポートまで
は第1〜第4ポートよりもガス噴出方向(バーナ軸方
向)に突出している。また、図示の例では該第1〜第4
ポート1〜4が一組となって火炎を形成し、第5ポート
以降が他の火炎を形成する。
The present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 shows the ejection of a multi-tube burner used in one embodiment of the present invention.
Schematic cross-sectional view schematically showing the vicinity of the mouth and the glass particulate deposit
And multiple ports (spouts) are
Port 2), 2nd port 2, 3rd port 3,
4th port 4 ... Multiplexed concentrically with nth port n
Has been. In the center port 1, for example, a Ge raw material (GeC
lFourEtc.), glass raw material (SiCl Four) And flammable gas
(H2Etc.), flammable gas (H2), The first
Inert gas (Ar) for 3 port 3 and auxiliary gas for 4th port
Flammable gas (O2Etc.) but is limited to this way
There is no place to be. Also, from port 5 to port n
Is the gas ejection direction (burner axial direction) from the 1st to 4th ports
)). Further, in the illustrated example, the first to fourth
Ports 1 to 4 form a set to form a flame, and the 5th port
After that, another flame is formed.

【0012】図1の例においては、中心ポート1がポー
トαであり且つポートβであるので、中心ポートの先端
位置がAであり、堆積面位置をCとするとき、A−C間
の距離がDである。また、第5ポートの先端位置がBで
あり、A−B間の距離が突出長Lである。
In the example of FIG. 1, since the center port 1 is the port α and the port β, when the tip position of the center port is A and the deposition surface position is C, the distance between A and C Is D. The tip position of the fifth port is B, and the distance between A and B is the protrusion length L.

【0013】従って、Ge原料を最も多く流すポートの
Ge原料ガス流速をVα、ガラス原料ガスを最も多く流
すポートのガラス原料ガス流速をVβとするとき、数7
Therefore, when the flow rate of the Ge material gas at the port where the largest amount of Ge material flows is Vα and the flow rate of the glass material gas at the port where the largest amount of glass material gas flows is Vβ, several 7

【数7】飛行時間T1 =D/Vα≧45ms 且つ飛行時間T2 =L/Vβ≦45ms が成立する流速及びD,Lとする。図1の場合にはVα
=Vβであるので、 L≦45V≦Dを満足すればよい
(V=Vα=Vβ)。
## EQU00007 ## The flow velocity and D, L satisfy the flight time T 1 = D / Vα ≧ 45 ms and the flight time T 2 = L / Vβ ≦ 45 ms. In the case of FIG. 1, Vα
= Vβ, it is only necessary to satisfy L ≦ 45V ≦ D (V = Vα = Vβ).

【0014】以上のように本発明に係るT1 は45ms
以上とするが、より好ましくはT1≦70msとする。
この理由は、T1 が70msを超えると原料流が広がり
すぎるため、堆積効率が低下することにある。また、本
発明に係るT2 は45ms以下とするが、より好ましく
は、T2 ≧20msとする。この理由は、T2 が20m
s未満では突出部を過ぎたあとの飛行時間が長くなるこ
とにより原料流が広がり堆積効率が低下することになる
からである。
As described above, T 1 according to the present invention is 45 ms.
However, it is more preferable that T 1 ≦ 70 ms.
The reason for this is that if T 1 exceeds 70 ms, the raw material flow spreads too much and the deposition efficiency decreases. Further, T 2 according to the present invention is set to 45 ms or less, and more preferably T 2 ≧ 20 ms. The reason is that T 2 is 20m
This is because if it is less than s, the flight time after passing through the protruding portion becomes long and the raw material flow spreads to lower the deposition efficiency.

【0015】本発明に用いる多重管バーナとしては、例
えば内側4重管で外側4重管のもの、内側5重管で外側
4重管のもの等を挙げることができるが、これらに限定
されるところはない。
Examples of the multi-tube burner used in the present invention include, but are not limited to, an inner quadruple tube having an outer quadruple tube and an inner quintuple tube having an outer quadruple tube. There is no place.

【0016】また、本発明に用いるバーナの原料を供給
するポートのサイズはあまり大きい状態でこれらの条件
を満たす流量(流速)とするとガラス微粒子堆積体のサ
イズが大きくなりすぎるため、スス(ガラス微粒子堆積
体)が柔らかくなり割れやすいという問題が生じるた
め、ガラス原料を供給するポートの断面積は4πmm2
から25πmm2 (πは円周率である)の範囲がよく、
また、特に5πmm2 から16πmm2 、また更には6
πmm2 から12πmm2 が好ましい。
If the flow rate (flow velocity) satisfying these conditions is satisfied with the size of the port for supplying the raw material of the burner used in the present invention being too large, the size of the glass particle deposit will become too large, and soot (glass particles) The problem is that the deposits become soft and crack easily, so the cross-sectional area of the port that supplies the glass raw material is 4π mm 2
To 25πmm 2 (π is the circular constant),
In addition, especially 5πmm 2 to 16πmm 2 , or even 6
πmm 2 to 12πmm 2 is preferable.

【0017】バーナの形態はバーナの中心から突出部の
管までの距離をr、突出長をLとしたとき、0.04≦
r/L≦0.4の範囲になるバーナ構造を使用するのが
良い。より好ましい範囲は0.1≦r/L≦0.3であ
り、更に好ましくは0.15≦r/L≦0.25の範囲
である。r/Lが0.04未満では、原料を供給してい
るポートのガス流速を上げたとしてもバーナの突出部へ
のガラス微粒子の付着を抑えることが困難であり、r/
Lが0.4を超えるとガラス微粒子の広がりが大きくな
りすぎるため、堆積して得られるガラス微粒子堆積体の
形状が太くなりすぎ、スス割れが発生しやすくなる。
The form of the burner is 0.04≤, where r is the distance from the center of the burner to the tube of the protruding portion and L is the protruding length.
It is preferable to use a burner structure in which r / L ≦ 0.4. A more preferable range is 0.1 ≦ r / L ≦ 0.3, and a further preferable range is 0.15 ≦ r / L ≦ 0.25. If r / L is less than 0.04, it is difficult to suppress the adhesion of fine glass particles to the protruding portion of the burner even if the gas flow rate at the port supplying the raw material is increased.
When L exceeds 0.4, the spread of the glass fine particles becomes too large, so that the shape of the glass fine particle deposit obtained by deposition becomes too thick, and soot cracking easily occurs.

【0018】本発明において前記多重管バーナに導入す
るガラス原料ガス、Ge原料ガス、可燃性ガス、助燃性
ガス、不活性ガスの流し方については特に限定されると
ころはないが、例えば図2の(A),(B)に示した流
し方とすることができる。
In the present invention, the glass raw material gas, the Ge raw material gas, the combustible gas, the supporting gas, and the inert gas introduced into the multi-tube burner are not particularly limited in flowing manner. The flowing method shown in (A) and (B) can be adopted.

【0019】なお、本発明においては前記飛行時間
1 ,T2 が本発明範囲内とする以外は、従来公知のV
AD法によるGe含有GI型屈折率分布を有するガラス
微粒子堆積体形成技術を適用することができる。ガラス
原料ガスとしては例えばSiCl4 ,SiHCl3 等を
用いることができる。Ge原料としては例えばGeCl
4 等を用いることができる。可燃性ガスとしては例えば
2 、CH4 ,C2 6 等を、助燃性ガスとしては例え
ばO2 等、不活性ガスとしては例えばN2 ,Ar,He
等を用いることができる。
In the present invention, except that the flight times T 1 and T 2 are within the range of the present invention, the conventionally known V
A technique for forming a glass particulate deposit having a Ge-containing GI type refractive index distribution by the AD method can be applied. As the glass source gas, for example, SiCl 4 , SiHCl 3 or the like can be used. As the Ge raw material, for example, GeCl
4 etc. can be used. The flammable gas is, for example, H 2 , CH 4 , C 2 H 6 or the like, the combustible gas is, for example, O 2 or the like, and the inert gas is, for example, N 2 , Ar, or He.
Etc. can be used.

【0020】[0020]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるとこ
ろはない。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0021】(実施例1〜5並びに比較例1〜3)図4
に示す構成で、VAD法によりGeを添加されたGI型
屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体を製造した。ガ
ラス微粒子合成用バーナ10としては同心8重管バーナ
で、噴出口断面構造は図1に示すのと同様で、外側火炎
を形成する第5ポート5から第8ポート8が内側火炎を
形成する第1ポートから第4ポートよりも噴出方向に突
出した形状を有し、図中のLは69〜73mm、rは1
1mmのものを用いた。第1ポート先端から堆積面Cま
での距離(D)は160mm、ガラス原料を供給するポ
ートの断面積は4πmm2 であった。このバーナに、S
iCl4 :2.5SLM、GeCl4 :0.3SLM、
2:1.0SLM、Ar:0.5SLMとして、図2
(A)に示すように各ポートに供給し、また、各ガスの
比は前記の比率を保ちながら流速を表1に示す値となる
ように流量を変更した。得られたガラス母材は外径16
0mmで引上げ長は500mm、平均引上げ速度は90
mm/hrであった。製造途中のバーナ詰まり発生の有
無と、得られた各ガラス微粒子堆積体(実施例1〜5、
比較例1〜3)について、その後焼結透明化したガラス
体のプロファイルを測定した結果、収率(定義:堆積し
たSiの重量/バーナに供給したSiの重量)を、表1
に示す。
(Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3) FIG.
A glass particle deposit having a GI type refractive index distribution to which Ge was added was manufactured by the VAD method with the structure shown in FIG. The glass fine particle synthesizing burner 10 is a concentric octuple tube burner, and the jet outlet cross-sectional structure is the same as that shown in FIG. 1, and the fifth port 5 to the eighth port 8 forming the outer flame form the inner flame. It has a shape that protrudes from the 1st port in the ejection direction more than the 4th port. L in the figure is 69 to 73 mm, r is 1
A 1 mm one was used. The distance (D) from the tip of the first port to the deposition surface C was 160 mm, and the cross-sectional area of the port for supplying the glass raw material was 4π mm 2 . S to this burner
iCl 4 : 2.5 SLM, GeCl 4 : 0.3 SLM,
Assuming that H 2 is 1.0 SLM and Ar is 0.5 SLM, FIG.
As shown in (A), the gas was supplied to each port, and the flow rate was changed so that the flow rate became the value shown in Table 1 while maintaining the above ratio of each gas. The obtained glass base material has an outer diameter of 16
0mm, pulling length is 500mm, average pulling speed is 90
It was mm / hr. Whether or not the burner was clogged during the production and the obtained glass fine particle deposits (Examples 1 to 5,
For Comparative Examples 1 to 3), the profile of the sintered and transparent glass body was measured, and as a result, the yield (definition: weight of deposited Si / weight of Si supplied to the burner) was determined as shown in Table 1.
Shown in.

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】表1から、T1 <45msではプロファイ
ルがよくないが(比較例1)、T1≧45msでは良好
なプロファイルとなること(実施例1〜5)、T2 >4
5msではバーナ詰まりが発生するが(比較例2及び
3)、T2 ≦45msではバーナ詰まりは無い(実施例
1〜5)ことがわかる。比較例2,3はバーナが詰まっ
たためガラス微粒子堆積体の形状異常となり、焼結する
ことができないのでプロファイルの測定ができなかっ
た。T1 ≦70msかつT2 ≧20msであると収率が
50%を超えるが、T1 >70ms、またはT2 <20
msであると収率が低下する。原料ガス流が広がりすぎ
るからである。
From Table 1, the profile is not good when T 1 <45 ms (Comparative Example 1), but a good profile is obtained when T 1 ≧ 45 ms (Examples 1 to 5), and T 2 > 4.
It can be seen that burner clogging occurs at 5 ms (Comparative Examples 2 and 3), but there is no burner clogging at T 2 ≦ 45 ms (Examples 1 to 5). In Comparative Examples 2 and 3, since the burner was clogged, the shape of the glass particulate deposits became abnormal, and sintering could not be performed, so that the profile could not be measured. If T 1 ≦ 70 ms and T 2 ≧ 20 ms, the yield exceeds 50%, but T 1 > 70 ms or T 2 <20.
If it is ms, the yield decreases. This is because the raw material gas flow is too wide.

【0024】(実施例6〜8及び比較例3,4)8重管
バーナを用い、図2(B)に示すように第1ポートにG
eCl4 :0.3SLM、H2 :0.6SLM、Ar:
0.6SLMを流し、第2ポートにSiCl4 :2.5
SLM、H2 :5.0SLMを流し、その他のポートは
実施例1〜5と同様に流してガラス微粒子堆積体を作製
した。Lは50mm、rは12mm、堆積面までの距離
は120mm、GeCl4 を流すポート(第1)の断面
積は4πmm2 、SiCl4 を流したポート(第2ポー
ト)の断面積は24πmm 2 であった(実施例6〜8、
比較例3,4)。このときの条件及び結果を実施例1の
場合と同様に表2に示す。
(Examples 6 to 8 and Comparative Examples 3 and 4) Eight tube
Using a burner, connect G to the first port as shown in Fig. 2 (B).
eClFour: 0.3SLM, H2: 0.6 SLM, Ar:
Flow 0.6 SLM and SiCl 2 in the second portFour: 2.5
SLM, H2: Run 5.0 SLM, other ports
Flowing in the same manner as in Examples 1 to 5 to prepare glass particulate deposits
did. L is 50 mm, r is 12 mm, distance to the deposition surface
Is 120 mm, GeClFourSection of the port (first) through which the water flows
Product is 4πmm2, SiClFourThe port that washed away (the second port
G)) cross-sectional area is 24πmm 2(Examples 6-8,
Comparative Examples 3 and 4). The conditions and results at this time are shown in Example 1.
As in the case, it is shown in Table 2.

【0025】[0025]

【表2】 [Table 2]

【0026】実施例6〜8に示されるように、Ge原料
ガスを流すポートと、ガラス原料ガスを流すポートを別
にしても、T1 ≧45ms 且つ T2 ≦45ms で
あるなら良好なプロファイルのガラス体を製造すること
ができる。
As shown in Examples 6 to 8, even if the port for flowing the Ge raw material gas and the port for flowing the glass raw material gas are different, if T 1 ≧ 45 ms and T 2 ≦ 45 ms, a good profile is obtained. A glass body can be manufactured.

【0027】(実施例9及び比較例5〜7)GeCl4
及びSiCl4 を共に第1ポートに供給し、第1ポート
の断面積を表3に示すように変化させ、SiCl4
1.0SLM、GeCl4 :0.1SLM、H2 0.2
SLM、Ar0.2SLMの比率を保ちながら流速を表
3に示す値となるように流量を変更した。このときの条
件及び結果を実施例1の場合と同様に表3に示す。
(Example 9 and Comparative Examples 5 to 7) GeCl 4
And SiCl 4 are both supplied to the first port, the cross-sectional area of the first port is changed as shown in Table 3, and SiCl 4 :
1.0 SLM, GeCl 4 : 0.1 SLM, H 2 0.2
The flow rate was changed so that the flow rate had the values shown in Table 3 while maintaining the ratio of SLM and Ar0.2SLM. The conditions and results at this time are shown in Table 3 as in the case of Example 1.

【0028】[0028]

【表3】 [Table 3]

【0029】表3に示すように、原料を供給するポート
の断面積が4πmm2 未満ではバーナ詰まりが発生し
(比較例5及び7)、断面積が25πmm2 を超えると
ガラス微粒子流が広がりスス割れが発生する(比較例
6)。また比較例7ではr/L<0.04であること
が、バーナ詰まりが発生するもう一つの原因でもある。
As shown in Table 3, burner clogging occurs when the cross-sectional area of the port for supplying the raw material is less than 4πmm 2 (Comparative Examples 5 and 7), and when the cross-sectional area exceeds 25πmm 2 , the glass fine particle flow spreads and the soot flows. Cracking occurs (Comparative Example 6). In Comparative Example 7, r / L <0.04 is another cause of burner clogging.

【0030】(実施例10及び11,並びに比較例8)
9重管バーナ(第1ポートの断面積6.3πmm2 )を
用い、第1ポート(中心ポート)にSiCl4 ,GeC
4 :0.2及びO2 、第2ポートにAr、第3ポート
にH2 、第4ポートにAr、第5ポートにO2 、第6ポ
ートにAr、第7ポートにH2 、第8ポートにAr、第
9ポートにO2 の順に各ガスを供給した。実施例10で
は第1ポートにSiCl4 :2.0SLM、GeC
4 :0.2SLM、O2 :0.75SLM、を供給し
ガラス微粒子堆積体を作製した。また、各ガスの混合比
は実施例10と同様にして、流速を表4に示すように変
化させて、ガラス微粒子堆積体を作製した(実施例11
及び比較例8)。このときの条件及び結果を実施例1の
場合と同様に表4に示す。
(Examples 10 and 11, and Comparative Example 8)
A 9-tube burner (cross-sectional area of the first port 6.3 π mm 2 ) was used, and SiCl 4 , GeC was used for the first port (center port).
l 4 : 0.2 and O 2 , Ar at the 2nd port, H 2 at the 3rd port, Ar at the 4th port, O 2 at the 5th port, Ar at the 6th port, H 2 at the 7th port, Each gas was supplied in the order of Ar to the 8th port and O 2 to the 9th port. In Example 10, SiCl 4 : 2.0SLM, GeC was used for the first port.
l 4 : 0.2 SLM and O 2 : 0.75 SLM were supplied to prepare a glass fine particle deposit. Further, the mixing ratio of each gas was changed in the same manner as in Example 10 and the flow rate was changed as shown in Table 4 to prepare a glass particulate deposit (Example 11).
And Comparative Example 8). The conditions and results at this time are shown in Table 4 as in the case of Example 1.

【0031】[0031]

【表4】 [Table 4]

【0032】表4に示すように、9重管バーナを使用し
た場合でも、T1 ≧45msかつT2 ≦45msであ
り、原料を供給するポートの断面積Sが4πmm2
S≦25πmm2 であるという、及びを同時に満足
するという本発明の範囲限定により、バーナの詰まりや
スス割れなく、プロファイル良好にGe含有ガラス微粒
子堆積体を製造できる。T2 が45msを超えるとバー
ナ詰まりが発生すること(比較例8)がわかる。T1
70msを超える実施例11は実施例10よりも収率が
悪い。
As shown in Table 4, T 1 ≧ 45 ms and T 2 ≦ 45 ms even when the nine-tube burner is used, and the cross-sectional area S of the port for supplying the raw material is 4π mm 2
By virtue of the range limitation of the present invention in which S ≦ 25 π mm 2 is satisfied, and at the same time, the Ge-containing glass fine particle deposit can be manufactured with good profile without clogging of the burner or soot cracking. It can be seen that burner clogging occurs when T 2 exceeds 45 ms (Comparative Example 8). The yield of Example 11 in which T 1 exceeds 70 ms is lower than that of Example 10.

【0033】なお、以上の実施例では、ガラス原料とし
てSiCl4 、Ge原料としてGeCl4 を用いた例を
示したが、ガラス原料として例えばSiHCl3 、Si
2Cl2 等を用い、可燃性ガスとしてH2 以外に例え
ばCH4 等の短鎖炭化水素やC2 6 等を用いても本発
明の効果を得られる。また、SiCl4 、GeCl4
供給は、直送方式を利用したが、バブリングによる供給
でも全く同様の効果が得られる。
[0033] In the above embodiment shows an example using GeCl 4 as SiCl 4, Ge raw material as a glass material, for example, SiHCl 3 as a glass raw material, Si
The effects of the present invention can be obtained by using H 2 Cl 2 or the like and using, as the combustible gas, a short-chain hydrocarbon such as CH 4 or C 2 H 6 in addition to H 2 . Further, the supply of SiCl 4 and GeCl 4 uses the direct delivery method, but the same effect can be obtained by supplying by bubbling.

【0034】[0034]

【発明の効果】Geを含有したGI型屈折率分布を有す
るガラス微粒子堆積体をVAD法により製造するにあた
り、多重管型ガラス微粒子合成用バーナを用い、Ge原
料ガスを最も多く流すポートαにおける飛行時間T
1 と、ガラス原料ガスを最も多く流すポートβの管内飛
行時間T2 を特定範囲とすることにより、バーナ詰まり
の発生なく安定に、しかもGI型屈折率分布の制御性を
向上してGe含有GI型屈折率分布のガラス微粒子堆積
体を製造することができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY In producing a glass fine particle deposit having a GI type refractive index distribution containing Ge by the VAD method, a multi-tube type glass fine particle synthesizing burner is used and flight is carried out at a port α through which the Ge raw material gas flows most. Time T
1, and the in-tube flight time T 2 of the port β through which the glass raw material gas flows most is set within a specific range, the burner is not clogged stably, and the controllability of the GI type refractive index distribution is improved to improve the Ge-containing GI. It is possible to manufacture a glass fine particle deposit having a type refractive index distribution.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施態様で用いたガラス微粒子合
成用バーナの構造及びガスの流し方をを説明する概略部
分断面図である。
FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view illustrating a structure of a burner for synthesizing glass fine particles used in one embodiment of the present invention and a gas flow method.

【図2】 本発明の実施例で用いたガラス微粒子合成用
バーナの噴出口部断面構造とガス種の流しかたを示す断
面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of a jet outlet portion of a burner for synthesizing glass particles used in an example of the present invention and a flow method of gas species.

【図3】 Geを含有するGI型屈折率分布の一例を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a GI type refractive index distribution containing Ge.

【図4】 本発明及び従来法のVAD法によりGe添加
GI型屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体の製造を
説明する概略図である。
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the production of a glass particulate deposit having a Ge-added GI type refractive index distribution according to the present invention and the conventional VAD method.

【図5】 Geを含有するが、中心に凹部を有する等、
種々の好ましくないプロファイルを説明する屈折率分布
図である。
FIG. 5 contains Ge, but has a recess in the center, etc.
It is a refractive index distribution map explaining various unfavorable profiles.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1ポート(中心ポート)、2 第2ポート、
3 第3ポート、4 第4ポート、 5 第5ポー
ト、 6 第6ポート、7 第7ポート、 8 第
8ポート、 9 反応容器、10 ガラス微粒子合成
用バーナ、 11 火炎、12 ターゲット(出発
材)、 13 ガラス微粒子堆積体。
1 1st port (center port), 2 2nd port,
3 3rd port, 4th 4th port, 5 5th port, 6 6th port, 7 7th port, 8 8th port, 9 reaction vessel, 10 glass particle synthesis burner, 11 flame, 12 target (starting material) , 13 Glass fine particle deposit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大賀 裕一 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Fターム(参考) 2H050 AC05 4G014 AH16 4G021 EA01 EB15    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Yuichi Oga             Sumitomoden 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Ki Industry Co., Ltd. Yokohama Works F-term (reference) 2H050 AC05                 4G014 AH16                 4G021 EA01 EB15

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス原料ガス及びGe化合物ガスをガ
ラス微粒子合成用バーナの火炎中に導入することにより
生成されたガラス微粒子を、回転しつつ該バーナとは相
対的に移動する出発材の一端から堆積させることにより
Geを含有するGI型屈折率分布のガラス微粒子堆積体
を形成する製造方法において、上記ガラス微粒子合成用
バーナとして、同心円状の多重管構造で中心ポートより
突出したポートを外側に有し、ガラス原料ガスを供給す
るポートの断面積が4πmm2〜25πmm2 であるバ
ーナを用い、且つGe化合物ガスを最も多く流すポート
の飛行時間をT1 (ms)、ガラス原料ガスを最も多く
流すポートの管内飛行時間をT2 (ms)とするとき、
1 とT2 が数1 【数1】T1 ≧ 45ms かつ T2 ≦ 45ms の式を満足するように行うことを特徴とするガラス微粒
子堆積体の製造方法。
1. Glass fine particles produced by introducing a glass raw material gas and a Ge compound gas into the flame of a burner for synthesizing glass fine particles, from one end of a starting material that moves relative to the burner while rotating. In a manufacturing method for forming a GI-type refractive index distribution glass fine particle deposit containing Ge, the burner for synthesizing glass fine particles has, as a burner for synthesizing glass fine particles, a port having a concentric multi-tube structure and protruding from a central port on the outside. However, a burner having a cross-sectional area of the port for supplying the glass raw material gas of 4πmm 2 to 25πmm 2 is used, and the flight time of the port for flowing the most Ge compound gas is T 1 (ms), and the most glass raw material gas is flown. When the in-flight time of the port is T 2 (ms),
A method for producing a glass fine particle deposit, characterized in that T 1 and T 2 are satisfied so as to satisfy the equations: T 1 ≧ 45 ms and T 2 ≦ 45 ms.
【請求項2】 前記多重管バーナの中心から突出部の管
までの径方向距離r及び突出長Lが数2 【数2】0.04≦r/L≦0.4 を満足するものであることを特徴とする請求項1記載の
ガラス微粒子堆積体の製造方法。
2. The radial distance r from the center of the multi-tube burner to the tube of the projecting portion and the projecting length L satisfy the following equation (2): 0.04 ≦ r / L ≦ 0.4. The method for producing a glass fine particle deposit according to claim 1, wherein
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