JP2003234260A - Reinforcing plate for semiconductor wafer - Google Patents
Reinforcing plate for semiconductor waferInfo
- Publication number
- JP2003234260A JP2003234260A JP2002030775A JP2002030775A JP2003234260A JP 2003234260 A JP2003234260 A JP 2003234260A JP 2002030775 A JP2002030775 A JP 2002030775A JP 2002030775 A JP2002030775 A JP 2002030775A JP 2003234260 A JP2003234260 A JP 2003234260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- reinforcing plate
- semiconductor wafer
- dielectric
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの補
強プレートに関し、特に、半導体デバイスの製造工程に
おける半導体ウエハの補強プレートに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reinforcing plate for a semiconductor wafer, and more particularly to a reinforcing plate for a semiconductor wafer in a semiconductor device manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造分野では、
半導体デバイスの高密度化、高集積化を達成すべく、ウ
エハプロセス（前工程）において半導体デバイスの基板
である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）
の微細化が一層進められている。特に、ウエハの設計ル
ール（最小加工寸法）が２００１年には０．１μｍであ
ったが、数年後には０．０７μｍになることが予想され
る。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of manufacturing semiconductor devices,
In order to achieve high density and high integration of semiconductor devices, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) which is a substrate of semiconductor devices in a wafer process (pre-process).
Is being further miniaturized. In particular, the wafer design rule (minimum processing dimension) was 0.1 μm in 2001, but is expected to be 0.07 μm in a few years.
【０００３】一方、ウエハプロセス後の後工程では、カ
ットされたウエハのチップをメインとなる基板に高密度
実装しているが、更に半導体デバイスの集積度を向上さ
せるためにチップ自体の薄肉化が求められている。On the other hand, in the post-process after the wafer process, the chips of the cut wafer are mounted on the main substrate at a high density. However, in order to further improve the degree of integration of semiconductor devices, the thickness of the chip itself is reduced. It has been demanded.
【０００４】ウエハのチップの薄肉化は、一般に、ウエ
ハプロセスの前にウエハの回路パターンを形成する面の
反対側の面を砥石等を用いて研削・研磨することにより
行われる。従来、厚さ約７５０μｍのウエハを約２００
μｍにまで薄くしていたが、今後は５０〜１００μｍま
で薄くする必要がある。The thinning of the wafer chip is generally performed by grinding and polishing the surface of the wafer opposite to the surface on which the circuit pattern is formed by using a grindstone or the like before the wafer process. Conventionally, about 200 wafers with a thickness of about 750 μm
The thickness was reduced to μm, but in the future it will be necessary to reduce it to 50 to 100 μm.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、５
０〜１００μｍの厚さに研磨された薄いウエハは、従来
のものに比べて脆く、回路パターンの形成によるウエハ
表面の凸凹に加え、研削・研磨により発生するウエハ裏
面のメカニカルクラッキングのためにわずかな外力を受
けると破損してしまうという問題があった。特に、ウエ
ハプロセスにおけるウエハの搬送時やプラズマエッチン
グ処理装置内へのウエハの設置時、取り上げ時にウエハ
の破損が発生しやすい。[Problems to be Solved by the Invention] However, 5
A thin wafer polished to a thickness of 0 to 100 μm is more fragile than the conventional one, and in addition to the unevenness of the wafer surface due to the formation of the circuit pattern, there is a slight amount of mechanical cracking on the back surface of the wafer caused by grinding and polishing. There was a problem that it would be damaged when receiving external force. In particular, when the wafer is transferred in the wafer process, when the wafer is installed in the plasma etching processing apparatus, or when the wafer is picked up, the wafer is likely to be damaged.
【０００６】また、ウエハを保持・固定するための静電
吸着装置において、ウエハの吸着力の向上を図るために
ウエハ裏面に電気絶縁性の酸化膜等を付ける方法が知ら
れているが、この方法では、ウエハプロセス中に冷却ガ
スによるウエハの冷却を十分に行えないという問題があ
った。そして、薄いウエハに対応する半導体製造装置を
新たに製造する場合は、ウエハの製造コストが上昇する
おそれがある。In an electrostatic chucking device for holding and fixing a wafer, a method is known in which an electrically insulating oxide film or the like is attached to the back surface of the wafer in order to improve the chucking force of the wafer. The method has a problem that the wafer cannot be sufficiently cooled by the cooling gas during the wafer process. When a semiconductor manufacturing apparatus corresponding to a thin wafer is newly manufactured, the manufacturing cost of the wafer may increase.
【０００７】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、現在使用している半導体製造装置をそのまま用
いることができ、ウエハの冷却効率を低下させることな
く、製造時のわずかな外力による破損を防止することが
できる半導体ウエハの補強プレートを提供することを目
的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and the semiconductor manufacturing apparatus currently used can be used as it is, and the cooling efficiency of the wafer is not lowered, and a slight external force is applied during the manufacturing. An object of the present invention is to provide a reinforcing plate for a semiconductor wafer that can prevent breakage.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の半導体ウエハの補強プレートは、薄
肉化された半導体ウエハを補強する補強プレートにおい
て、所定の厚みを有するプレート状の誘電体から成り、
前記半導体ウエハの回路パターンが形成される面の反対
側の面に接着されることを特徴とする。In order to achieve the above object, the reinforcing plate for a semiconductor wafer according to claim 1 is a reinforcing plate for reinforcing a thinned semiconductor wafer, and is a plate having a predetermined thickness. Consisting of a dielectric,
The semiconductor wafer is adhered to the surface opposite to the surface on which the circuit pattern is formed.
【０００９】請求項２記載の半導体ウエハの補強プレー
トは、請求項１記載の半導体ウエハの補強プレートにお
いて、前記誘電体は、該誘電体の強度、誘電率、及び熱
伝導率により決定されることを特徴とする。A reinforcing plate for a semiconductor wafer according to a second aspect is the reinforcing plate for a semiconductor wafer according to the first aspect, wherein the dielectric is determined by the strength, the dielectric constant, and the thermal conductivity of the dielectric. Is characterized by.
【００１０】請求項３記載の半導体ウエハの補強プレー
トは、請求項１又は２記載の半導体ウエハの補強プレー
トにおいて、前記誘電体は、少なくともクオーツ、ポリ
イミド樹脂、及びセラミックのいずれか１つから成るこ
とを特徴とする。A reinforcement plate for a semiconductor wafer according to a third aspect is the reinforcement plate for a semiconductor wafer according to the first or second aspect, wherein the dielectric is at least one of quartz, polyimide resin and ceramic. Is characterized by.
【００１１】請求項４記載の半導体ウエハの補強プレー
トは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ウ
エハの補強プレートにおいて、前記誘電体は、内部に電
極を有し、該電極に通電することに起因する静電気力に
より前記半導体ウエハを吸着することを特徴とする。A reinforcing plate for a semiconductor wafer according to a fourth aspect is the reinforcing plate for a semiconductor wafer according to any one of the first to third aspects, in which the dielectric has electrodes inside, It is characterized in that the semiconductor wafer is attracted by an electrostatic force caused by energization.
【００１２】請求項５記載の半導体ウエハの補強プレー
トは、請求項４記載の半導体ウエハの補強プレートにお
いて、前記電極は、前記誘電体における前記半導体ウエ
ハとの接触面の反対側の表面に露出していることを特徴
とする。A reinforcing plate for a semiconductor wafer according to a fifth aspect is the reinforcing plate for a semiconductor wafer according to the fourth aspect, wherein the electrode is exposed on a surface of the dielectric material opposite to a contact surface with the semiconductor wafer. It is characterized by
【００１３】請求項６記載の半導体ウエハの補強プレー
トは、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体ウ
エハの補強プレートにおいて、前記誘電体は、前記半導
体ウエハの製造時における前工程の前に前記半導体ウエ
ハに接着されることを特徴とする。A reinforcing plate for a semiconductor wafer according to a sixth aspect is the reinforcing plate for a semiconductor wafer according to any one of the first to fifth aspects, wherein the dielectric is used in a pre-process at the time of manufacturing the semiconductor wafer. It is characterized in that it is previously bonded to the semiconductor wafer.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る補強プ
レートを図面を参照して詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A reinforcing plate according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００１５】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る補強プレートが接着された半導体
ウエハの全体構成を示す断面図である。(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view showing the overall structure of a semiconductor wafer to which a reinforcing plate according to a first embodiment of the present invention is bonded.
【００１６】図１において、半導体ウエハ（以下、単に
「ウエハ」という。）１は、シリコン（Ｓｉ）等から成
るウエハ本体２と、所定の厚みを有するプレート状の誘
電体から成り、ウエハ本体２に接着してウエハ本体２を
補強する補強プレート３とで構成される。In FIG. 1, a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as "wafer") 1 comprises a wafer body 2 made of silicon (Si) or the like, and a plate-shaped dielectric having a predetermined thickness. And a reinforcing plate 3 for adhering to and reinforcing the wafer body 2.
【００１７】ウエハ本体２の径は、通常、４インチφ、
６インチφ、８インチφ、１２インチφ等と各種存在す
るが、本実施の形態では８インチφを想定して説明す
る。ウエハ本体２の厚みは、通常、約７５０μｍである
が、回路パターンが形成される面の反対側の面（以下
「ウエハ本体２の裏面」という。）が研磨・研削加工さ
れ、約５０〜１００μｍにまで薄肉化されている。The diameter of the wafer body 2 is usually 4 inches φ,
There are various types such as 6 inch φ, 8 inch φ, 12 inch φ, etc., but in the present embodiment, description will be made assuming 8 inch φ. The thickness of the wafer main body 2 is usually about 750 μm, but the surface opposite to the surface on which the circuit pattern is formed (hereinafter referred to as “the back surface of the wafer main body 2”) is polished and ground to a thickness of about 50 to 100 μm. It has been thinned to.
【００１８】補強プレート３は、ウエハ本体２の径と同
じ大きさを有し、ウエハ本体２の裏面に接着剤等により
接着されている。補強プレート３には、ウエハ１の搬送
時やウエハプロセス（加工処理）時に受ける外力により
簡単にウエハ１が破損しないように物理的強度の高いも
のが必要とされる一方、ウエハ１の搬送台やウエハ１を
保持するウエハ保持装置に吸着・固定しやすく、且つ加
工処理中にウエハ１が受ける熱を逃がしやすいものが必
要とされる。このため、補強プレート３に用いられる誘
電体は、物理的強度と共に、誘電率、及び熱伝導率によ
り決定される。The reinforcing plate 3 has the same size as the diameter of the wafer body 2 and is adhered to the back surface of the wafer body 2 with an adhesive or the like. The reinforcing plate 3 is required to have a high physical strength so that the wafer 1 is not easily damaged by an external force received during the transfer of the wafer 1 or a wafer process (processing). What needs to be easily adsorbed and fixed to a wafer holding device that holds the wafer 1 and to easily release the heat received by the wafer 1 during processing is required. Therefore, the dielectric used for the reinforcing plate 3 is determined by the dielectric constant and the thermal conductivity as well as the physical strength.
【００１９】補強プレート３に用いられる誘電体として
は、クオーツやポリイミド樹脂、セラミック（例えば、
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、
酸化亜鉛（Ｚｎ2Ｏ3）、及びボロンナイトライド（Ｂ
Ｎ，ＰＢＮ））等が好適である。これらは、誘電率や熱
伝導率に優れており、ウエハ本体２の大きさやウエハプ
ロセス時の状態、半導体製造装置の種類等に応じて適宜
選択される。As the dielectric used for the reinforcing plate 3, quartz, polyimide resin, ceramic (for example,
Alumina (Al 2 O 3 ), Aluminum Nitride (AlN),
Zinc oxide (Zn 2 O 3 ) and boron nitride (B
N, PBN)) and the like are preferred. These are excellent in permittivity and thermal conductivity, and are appropriately selected depending on the size of the wafer body 2, the state during wafer processing, the type of semiconductor manufacturing apparatus, and the like.
【００２０】補強プレート３の厚みは、誘電体の物理的
強度に応じて設定されるが、クオーツでは１００〜５０
０μｍが好ましく、ポリイミド樹脂では３００〜６００
μｍが好ましい。セラミックでは１００〜５００μｍが
好ましい。The thickness of the reinforcing plate 3 is set according to the physical strength of the dielectric, but in the case of quartz, it is 100 to 50.
0 μm is preferable, and 300 to 600 for polyimide resin.
μm is preferred. For ceramics, 100 to 500 μm is preferable.
【００２１】特に、クオーツは他の誘電体に比べて加工
性が良く、ポリイミド樹脂は誘電率が良い。また、セラ
ミックは、他の誘電体に比べて熱伝導率及び誘電率が良
い。In particular, quartz has better workability than other dielectrics, and polyimide resin has good permittivity. Further, ceramic has better thermal conductivity and dielectric constant than other dielectrics.
【００２２】図２は、図１のウエハ１が載置されたウエ
ハ保持装置の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a wafer holding device on which the wafer 1 of FIG. 1 is placed.
【００２３】図２において、ウエハ保持装置は、不図示
のプラズマエッチング処理装置におけるチャンバー内に
設置されている。ウエハ保持装置は、静電気力を利用し
てウエハ１を吸着して固定・保持する静電吸着部４と、
アルミニウム（Ａｌ）等から成り、静電吸着部４を固定
するベース部７とで構成される。In FIG. 2, the wafer holding device is installed in a chamber of a plasma etching processing device (not shown). The wafer holding device includes an electrostatic attraction unit 4 that attracts and fixes and holds the wafer 1 by using electrostatic force.
The base portion 7 is made of aluminum (Al) or the like and fixes the electrostatic attraction portion 4.
【００２４】静電吸着部４は、銅（Ｃｕ）製で厚さ２０
〜３０μｍのプレート状の内部電極５と、内部電極５の
全面を覆うと共に、約１５０μｍの厚みを有するプレー
ト状の誘電体から成る保護膜６とを備える。The electrostatic attraction unit 4 is made of copper (Cu) and has a thickness of 20.
A plate-shaped internal electrode 5 having a thickness of ˜30 μm and a protective film 6 that covers the entire surface of the internal electrode 5 and is made of a plate-shaped dielectric having a thickness of approximately 150 μm are provided.
【００２５】ウエハ１は、補強プレート３側の面が静電
吸着部４の上面と密着するように載置される。静電吸着
部４内の内部電極５は、外部の可変直流電源９に導線８
を介して接続されており、可変直流電源９により直流電
流が印加される。The wafer 1 is placed so that the surface on the side of the reinforcing plate 3 is in close contact with the upper surface of the electrostatic attraction portion 4. The internal electrode 5 in the electrostatic attraction unit 4 is connected to an external variable DC power supply 9 by a conductor 8
, And a DC current is applied by the variable DC power supply 9.
【００２６】静電吸着部４は、内部電極５より保護膜６
に与えられた電荷と補強プレート３の表面近傍で分極し
た電荷に起因する静電気力により吸着力を発生して、ウ
エハ１を吸着・保持する。ウエハ１を吸着するのに必要
な吸着力は、補強プレート３に用いられる誘電体の材質
や厚みにより異なるが、内部電極５に印加する電圧を調
整することによって吸着力を一定にすることができる。The electrostatic attraction portion 4 has a protective film 6 rather than an internal electrode 5.
A suction force is generated by an electrostatic force caused by the electric charge given to the electric field and the electric charge polarized near the surface of the reinforcing plate 3 to adsorb and hold the wafer 1. The attracting force required to attract the wafer 1 varies depending on the material and thickness of the dielectric used for the reinforcing plate 3, but the attracting force can be made constant by adjusting the voltage applied to the internal electrode 5. .
【００２７】ウエハ保持装置は、プラズマエッチング処
理終了後のウエハ１を静電吸着部４から取り上げるため
の不図示の棒状の支持体（以下、「プッシャ」とい
う。）と、ウエハ１と保護膜６との間にヘリウム（Ｈ
ｅ）等のガスを噴出する不図示のガス噴出部とを備え
る。プッシャは、静電吸着部４内に設けられた不図示の
貫通穴を上下方向に移動することでウエハ１を静電吸着
部４より取り上げる。ガス噴出部は、ウエハ１と保護膜
６との間に冷却ガスを噴出することにより、ウエハ１の
冷却を行うと共に、ウエハ１と保護膜６との間にできる
わずかな隙間を埋めて熱伝導率を向上させる。The wafer holding device has a rod-shaped support (not shown) (hereinafter, referred to as “pusher”) for picking up the wafer 1 after the plasma etching process from the electrostatic attraction unit 4, the wafer 1 and the protective film 6. Helium (H
e) and the like for ejecting a gas, which is not shown. The pusher vertically moves a through hole (not shown) provided in the electrostatic attraction unit 4 to pick up the wafer 1 from the electrostatic attraction unit 4. The gas jetting portion cools the wafer 1 by jetting a cooling gas between the wafer 1 and the protective film 6, and at the same time, fills a slight gap formed between the wafer 1 and the protective film 6 to conduct heat. Improve the rate.
【００２８】上記第１の実施の形態によれば、所定の厚
みを有するプレート状の誘電体から成る補強プレート３
をウエハ本体２の回路パターンが形成される面の反対側
の面に接着するので、薄肉化されたウエハ本体２を補強
し、ウエハ１の搬送時やウエハプロセス時に該ウエハ１
が受ける外力による破損を防止することができる。According to the first embodiment, the reinforcing plate 3 made of a plate-shaped dielectric having a predetermined thickness is used.
Is adhered to the surface of the wafer body 2 opposite to the surface on which the circuit pattern is formed, so that the thinned wafer body 2 is reinforced, and the wafer 1 is transferred during wafer transfer or during wafer processing.
It is possible to prevent damage due to an external force received by.
【００２９】また、補強プレート３を構成する誘電体に
は、熱伝導率のよいものが用いられるので、ウエハの冷
却効率を低下させることなく、現在使用している半導体
製造装置をそのまま用いることができる。Further, since the dielectric material forming the reinforcing plate 3 has a high thermal conductivity, the semiconductor manufacturing apparatus currently used can be used as it is without lowering the wafer cooling efficiency. it can.
【００３０】なお、上記第１の実施の形態では、補強プ
レート３の大きさがウエハ本体２の径と同一であった
が、それに限られないことは云うまでもない。Although the size of the reinforcing plate 3 is the same as the diameter of the wafer main body 2 in the first embodiment, it goes without saying that it is not limited to this.
【００３１】また、ウエハ本体２と補強プレート３と
は、互いに接着剤等で付けられているが、単に補強プレ
ート３の上面にウエハ本体２を載せるだけであってもよ
い。この場合、ウエハ本体２と補強プレート３が残留静
電気により互いに吸着されるので、搬送時等におけるウ
エハ本体２の落下を防止することができる。Although the wafer body 2 and the reinforcing plate 3 are attached to each other with an adhesive or the like, the wafer body 2 may be simply placed on the upper surface of the reinforcing plate 3. In this case, since the wafer body 2 and the reinforcing plate 3 are attracted to each other by the residual static electricity, it is possible to prevent the wafer body 2 from dropping during transportation.
【００３２】また、ウエハ本体２と補強プレート３とを
接着する接着剤は、ウエハプロセス後の後工程での処理
を考慮して熱や溶剤等により剥がしやすいものがよい。Further, the adhesive for bonding the wafer body 2 and the reinforcing plate 3 is preferably one that can be easily peeled off by heat, a solvent or the like in consideration of the treatment in the post process after the wafer process.
【００３３】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態に係る補強プレートが接着された半導体
ウエハの全体構成を示す断面図である。同図において、
上述した図１、図２と対応する要素には同一の符号を付
してそれらの説明は省略する。(Second Embodiment) FIG. 3 is a sectional view showing the overall structure of a semiconductor wafer having a reinforcing plate adhered thereto according to a second embodiment of the present invention. In the figure,
The elements corresponding to those in FIG. 1 and FIG. 2 described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００３４】図３において、ウエハ１０は、厚みが約５
０〜１００μｍにまで薄肉化されたウエハ本体２と、所
定の厚みを有するプレート状の誘電体から成り、ウエハ
本体２に接着してウエハ本体２を補強する補強プレート
１１とで構成される。In FIG. 3, the wafer 10 has a thickness of about 5
The wafer main body 2 is thinned to 0 to 100 μm, and the reinforcing plate 11 is made of a plate-shaped dielectric having a predetermined thickness and adheres to the wafer main body 2 to reinforce the wafer main body 2.
【００３５】補強プレート１１は、銅（Ｃｕ）製で厚さ
２０〜３０μｍのプレート状の内部電極５と、内部電極
５の全面を覆うと共に誘電体から成る保護膜１２と、内
部電極５に接続され、外部に引き出された導線８とで構
成されている。The reinforcing plate 11 is made of copper (Cu) and has a plate shape with a thickness of 20 to 30 μm. The reinforcing plate 11 covers the entire surface of the internal electrode 5, and a protective film 12 made of a dielectric material is connected to the internal electrode 5. And the conducting wire 8 drawn out to the outside.
【００３６】ウエハ１０は、補強プレート１１側の面が
図２に示す静電吸着装置４の上面ではなく、ベース部７
の上面と密着するように載置される。補強プレート１１
内の内部電極５は、ウエハ１０がウエハ保持装置に載置
される際に、導線８を介してベース部７側に設けられた
接点（不図示）に接続される。ベース部７側に設けられ
た接点は、図２に示す可変直流電源９に接続されてい
る。The surface of the wafer 10 on the side of the reinforcing plate 11 is not the upper surface of the electrostatic chuck 4 shown in FIG.
It is placed so as to be in close contact with the upper surface of the. Reinforcement plate 11
When the wafer 10 is placed on the wafer holding device, the internal electrodes 5 therein are connected to the contacts (not shown) provided on the base portion 7 side through the conductors 8. The contacts provided on the base portion 7 side are connected to the variable DC power supply 9 shown in FIG.
【００３７】補強プレート１１は、ウエハ１０がウエハ
保持装置に載置され、可変直流電源９により内部電極５
に導線８を介して直流電流が印加されると、保護膜１２
に蓄えられた電荷に起因する静電気力によりウエハ本体
２を吸着するので、図２における静電吸着部４と同様の
吸着・保持機能を有する。これにより、図２のウエハ保
持装置における静電吸着部４が不要となり、ウエハ保持
装置の部品点数を減らして構造を簡略化することができ
る。On the reinforcing plate 11, the wafer 10 is placed on the wafer holding device, and the internal electrode 5 is supplied by the variable DC power source 9.
When a direct current is applied to the protective film 12 through the conductor 8,
Since the wafer main body 2 is attracted by the electrostatic force caused by the electric charge stored in, the electrostatic chucking unit 4 has the same attraction / holding function as the electrostatic attraction unit 4 in FIG. This eliminates the need for the electrostatic attraction unit 4 in the wafer holding device of FIG. 2 and reduces the number of parts of the wafer holding device and simplifies the structure.
【００３８】上記第２の実施の形態によれば、誘電体か
ら成る補強プレート１１が内部電極５を有し、該内部電
極５に通電することに起因する静電気力によりウエハ本
体２を吸着し、静電吸着部４と同じ機能を有するので、
薄肉化されたウエハ本体２を補強し、ウエハ１０の搬送
時やウエハプロセス時に該ウエハ１０が受ける外力によ
る破損を防止することができると共に、プラズマエッチ
ング処理装置におけるウエハ保持装置の部品点数を減ら
して構造を簡略化することができる。According to the second embodiment described above, the reinforcing plate 11 made of a dielectric material has the internal electrodes 5, and the wafer body 2 is attracted by the electrostatic force caused by energizing the internal electrodes 5, Since it has the same function as the electrostatic adsorption unit 4,
The thinned wafer body 2 can be reinforced so as to prevent the wafer 10 from being damaged by an external force received during the wafer transfer or the wafer process, and reduce the number of parts of the wafer holding device in the plasma etching apparatus. The structure can be simplified.
【００３９】ウエハ本体２と補強プレート１１とは、互
いに接着剤等で付けられているが、単に補強プレート１
１の上面にウエハ本体２を載せるだけであってもよい。
この場合、ウエハ本体２と補強プレート１１が残留静電
気により互いに吸着されるので、搬送時等におけるウエ
ハ本体２の落下を防止することができる。Although the wafer body 2 and the reinforcing plate 11 are attached to each other with an adhesive or the like, the reinforcing plate 1 is simply used.
The wafer main body 2 may be simply placed on the upper surface of 1.
In this case, since the wafer body 2 and the reinforcing plate 11 are attracted to each other by the residual static electricity, it is possible to prevent the wafer body 2 from dropping during transportation.
【００４０】（第３の実施の形態）図４は、本発明の第
３の実施の形態に係る補強プレートが接着された半導体
ウエハの全体構成を示す断面図である。同図において、
上述した図１、図２と対応する要素には同一の符号を付
してそれらの説明は省略する。(Third Embodiment) FIG. 4 is a sectional view showing the overall structure of a semiconductor wafer having a reinforcing plate adhered thereto according to a third embodiment of the present invention. In the figure,
The elements corresponding to those in FIG. 1 and FIG. 2 described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００４１】図４において、ウエハ２０は、厚みが約５
０〜１００μｍにまで薄肉化されたウエハ本体２と、所
定の厚みを有するプレート状の誘電体から成り、ウエハ
本体２に接着してウエハ本体２を補強する補強プレート
２１とで構成される。In FIG. 4, the wafer 20 has a thickness of about 5
The wafer body 2 is thinned to 0 to 100 μm, and the reinforcing plate 21 is made of a plate-shaped dielectric having a predetermined thickness and adheres to the wafer body 2 to reinforce the wafer body 2.
【００４２】補強プレート２１は、銅（Ｃｕ）製で厚さ
２０〜３０μｍのプレート状の内部電極５と、内部電極
５の上面及び側面を覆うと共に誘電体から成る保護膜２
２とで構成される。The reinforcing plate 21 is made of copper (Cu) and has a plate-like internal electrode 5 having a thickness of 20 to 30 μm.
2 and.
【００４３】ウエハ２０は、補強プレート２１側の面が
図２に示す静電吸着装置４の上面ではなく、ベース部７
の上面と密着するように載置される。内部電極５は、補
強プレート２１の表面に露出しているので、ウエハ１０
がウエハ保持装置に載置される際に、ベース部７側に設
けられた接点（不図示）に直接接続される。ベース部７
側に設けられた接点は、図２に示す可変直流電源９に接
続されている。The surface of the wafer 20 on the side of the reinforcing plate 21 is not the upper surface of the electrostatic chuck 4 shown in FIG.
It is placed so as to be in close contact with the upper surface of the. Since the internal electrodes 5 are exposed on the surface of the reinforcing plate 21, the wafer 10
When is mounted on the wafer holding device, it is directly connected to a contact (not shown) provided on the base portion 7 side. Base part 7
The contact provided on the side is connected to the variable DC power supply 9 shown in FIG.
【００４４】補強プレート２１は、ウエハ２０がウエハ
保持装置に載置され、可変直流電源９により内部電極５
に直流電流が印加されると、保護膜２２に蓄えられた電
荷に起因する静電気力によりウエハ本体２を吸着するの
で、図２における静電吸着部４と同様の吸着・保持機能
を有する。これにより、図２のウエハ保持装置における
静電吸着部４が不要となり、ウエハ保持装置の部品点数
を減らして構造を簡略化することができる。On the reinforcing plate 21, the wafer 20 is placed on the wafer holding device, and the internal electrode 5 is supplied by the variable DC power source 9.
When a direct current is applied to the wafer main body 2, the wafer main body 2 is attracted by the electrostatic force caused by the electric charge accumulated in the protective film 22, and thus has the same attraction / holding function as the electrostatic attraction unit 4 in FIG. This eliminates the need for the electrostatic attraction unit 4 in the wafer holding device of FIG. 2 and reduces the number of parts of the wafer holding device and simplifies the structure.
【００４５】内部電極５は、保護膜２２におけるウエハ
本体２との接触面（接着面）の反対側の表面に露出して
いる。このように、補強プレート２１内の内部電極５の
一部が露出しているので、図３に示す導線８や内部電極
５を覆う保護膜２２の一部が不要となり、補強プレート
２１の部品点数を減らしてコストダウンを図ることがで
きる。The internal electrodes 5 are exposed on the surface of the protective film 22 opposite to the contact surface (bonding surface) with the wafer body 2. As described above, since a part of the internal electrode 5 in the reinforcing plate 21 is exposed, a part of the protective film 22 covering the conducting wire 8 and the internal electrode 5 shown in FIG. Can be reduced to reduce costs.
【００４６】上記第３の実施の形態によれば、内部電極
５が、誘電体から成る保護膜２２におけるウエハ本体２
との接触面の反対側の表面に露出しているので、上記第
２の実施の形態における効果を確実に奏することができ
る。According to the third embodiment described above, the internal electrode 5 has the wafer body 2 in the protective film 22 made of a dielectric material.
Since it is exposed on the surface opposite to the contact surface with, it is possible to reliably obtain the effects of the second embodiment.
【００４７】[0047]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１記
載の補強プレートによれば、所定の厚みを有する誘電体
から成り、半導体ウエハの回路パターンが形成される面
の反対側の面に接着されるので、現在使用している半導
体製造装置をそのまま用いることができ、半導体ウエハ
の冷却効率を低下させることなく、製造時のわずかな外
力による破損を防止することができる。As described in detail above, according to the reinforcing plate of the first aspect, the reinforcing plate is made of a dielectric material having a predetermined thickness and is provided on the surface of the semiconductor wafer opposite to the surface on which the circuit pattern is formed. Since they are bonded, the semiconductor manufacturing apparatus currently used can be used as it is, and it is possible to prevent damage due to a slight external force during manufacturing without lowering the cooling efficiency of the semiconductor wafer.
【００４８】請求項２記載の補強プレートによれば、誘
電体は、該誘電体の強度、誘電率、及び熱伝導率により
決定されるので、請求項１記載の補強プレートの効果を
確実に奏することができる。According to the reinforcing plate of the second aspect, the dielectric is determined by the strength, the dielectric constant, and the thermal conductivity of the dielectric, so that the effect of the reinforcing plate of the first aspect is surely exhibited. be able to.
【００４９】請求項３記載の補強プレートによれば、誘
電体は、少なくともクオーツ、ポリイミド樹脂、及びセ
ラミックのいずれか１つから成るので、半導体ウエハの
製造装置の種類に応じて適宜選択される。According to the reinforcing plate of the third aspect, the dielectric is made of at least one of quartz, polyimide resin, and ceramic, and is appropriately selected according to the type of the semiconductor wafer manufacturing apparatus.
【００５０】請求項４記載の補強プレートによれば、誘
電体は、内部に電極を有し、該電極に通電することによ
り半導体ウエハを吸着するので、ウエハを吸着する装置
が不要となり、半導体製造装置内のウエハ保持装置にお
ける部品点数を減らして、構造を簡略化することができ
る。According to the reinforcing plate of the fourth aspect, since the dielectric has electrodes inside and the semiconductor wafer is sucked by energizing the electrodes, a device for sucking the wafer is not required, and semiconductor manufacturing is performed. The structure can be simplified by reducing the number of parts in the wafer holding device in the device.
【００５１】請求項５記載の補強プレートによれば、電
極は、前記誘電体における前記半導体ウエハとの接触面
の反対側の表面に露出しているので、請求項４記載の補
強プレートの効果を確実に奏することができる。According to the reinforcing plate of the fifth aspect, since the electrode is exposed on the surface of the dielectric opposite to the contact surface with the semiconductor wafer, the effect of the reinforcing plate of the fourth aspect can be obtained. It can be played reliably.
【００５２】請求項６記載の補強プレートによれば、誘
電体は、半導体ウエハの製造時における前工程の前に半
導体ウエハに接着されるので、前工程における半導体ウ
エハを最適に補強することができる。According to the reinforcing plate of the sixth aspect, since the dielectric is adhered to the semiconductor wafer before the pre-process in manufacturing the semiconductor wafer, the semiconductor wafer in the pre-process can be optimally reinforced. .
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る補強プレート
が接着された半導体ウエハの全体構成を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an overall configuration of a semiconductor wafer to which a reinforcing plate according to a first embodiment of the present invention is adhered.
【図２】図１のウエハ１が載置されたウエハ保持装置の
概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a wafer holding device on which the wafer 1 of FIG. 1 is placed.
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る補強プレート
が接着された半導体ウエハの全体構成を示す断面図であ
る。FIG. 3 is a sectional view showing an overall configuration of a semiconductor wafer to which a reinforcing plate according to a second embodiment of the present invention is adhered.
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る補強プレート
が接着された半導体ウエハの全体構成を示す断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view showing an overall configuration of a semiconductor wafer to which a reinforcing plate according to a third embodiment of the present invention is adhered.
１，１０，２０ 半導体ウエハ ２ ウエハ本体 ３，１１，２１ 補強プレート ４ 静電吸着部 ５ 内部電極 ６，１２，２２ 保護膜 ７ ベース部 ８ 導線 ９ 可変直流電源 1,10,20 Semiconductor wafer 2 Wafer body 3,11,21 Reinforcement plate 4 Electrostatic attraction 5 internal electrodes 6,12,22 protective film 7 Base 8 conductors 9 Variable DC power supply
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永関 一也 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Kazuya Nagaseki TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo Sending Center Tokyo Electron Limited
Claims (6)
強プレートにおいて、 所定の厚みを有するプレート状の誘電体から成り、前記
半導体ウエハの回路パターンが形成される面の反対側の
面に接着されることを特徴とする半導体ウエハの補強プ
レート。1. A reinforcing plate for reinforcing a thinned semiconductor wafer, comprising a plate-shaped dielectric having a predetermined thickness, and adhered to a surface of the semiconductor wafer opposite to a surface on which a circuit pattern is formed. A reinforcing plate for a semiconductor wafer, which is characterized in that
率、及び熱伝導率により決定されることを特徴とする請
求項１記載の半導体ウエハの補強プレート。2. The reinforcing plate for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the dielectric is determined by the strength, the dielectric constant, and the thermal conductivity of the dielectric.
リイミド樹脂、及びセラミックのいずれか１つから成る
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体ウエハの
補強プレート。3. The reinforcing plate for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the dielectric is made of at least one of quartz, polyimide resin, and ceramic.
極に通電することに起因する静電気力により前記半導体
ウエハを吸着することを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか１項に記載の半導体ウエハの補強プレート。4. The dielectric has an electrode inside, and attracts the semiconductor wafer by an electrostatic force caused by energization of the electrode. A reinforcing plate for a semiconductor wafer according to item 1.
導体ウエハとの接触面の反対側の表面に露出しているこ
とを特徴とする請求項４記載の半導体ウエハの補強プレ
ート。5. The reinforcing plate for a semiconductor wafer according to claim 4, wherein the electrode is exposed on a surface of the dielectric opposite to a contact surface with the semiconductor wafer.
時における前工程の前に前記半導体ウエハに接着される
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載
の半導体ウエハの補強プレート。6. The semiconductor wafer according to claim 1, wherein the dielectric is adhered to the semiconductor wafer before a pre-process in manufacturing the semiconductor wafer. Reinforcement plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002030775A JP4323746B2 (en) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | Semiconductor wafer reinforcement plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002030775A JP4323746B2 (en) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | Semiconductor wafer reinforcement plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003234260A true JP2003234260A (en) | 2003-08-22 |
| JP4323746B2 JP4323746B2 (en) | 2009-09-02 |
Family
ID=27774387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002030775A Expired - Fee Related JP4323746B2 (en) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | Semiconductor wafer reinforcement plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4323746B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165636A (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor element |
| WO2012018013A1 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | 旭硝子株式会社 | Support substrate |
-
2002
- 2002-02-07 JP JP2002030775A patent/JP4323746B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165636A (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor element |
| WO2012018013A1 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | 旭硝子株式会社 | Support substrate |
| JP5708648B2 (en) * | 2010-08-06 | 2015-04-30 | 旭硝子株式会社 | Support board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4323746B2 (en) | 2009-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5539179A (en) | Electrostatic chuck having a multilayer structure for attracting an object | |
| JP2002033376A (en) | Placing device of body to be treated | |
| US20130264605A1 (en) | Semiconductor device | |
| WO2021111732A1 (en) | Attracting-and-holding device and object surface machining method | |
| JP4898199B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2005012144A (en) | Electrostatic chuck | |
| US9984913B2 (en) | Tri-modal carrier for a semiconductive wafer | |
| JPH10154745A (en) | Electrostatic attracting device | |
| JP2005245106A (en) | Electrostatic chuck | |
| JP2003234260A (en) | Reinforcing plate for semiconductor wafer | |
| JP2004241443A (en) | Manufacturing method of semiconductor apparatus | |
| JPH10144779A (en) | Electrostatic chuck | |
| US20220190749A1 (en) | Electrostatic chuck and substrate fixing device | |
| JP2004111533A (en) | Electrostatic attraction apparatus | |
| JP2019169629A (en) | Board retainer | |
| JP2004140297A (en) | Carrying tray for semiconductor wafer | |
| JP2002373929A (en) | Wafer support | |
| JPH10223870A (en) | Wafer for manufacturing semiconductor device | |
| JP2851766B2 (en) | Electrostatic chuck | |
| JP2000183143A (en) | Electrostatic chuck | |
| JP2006294760A (en) | Method of manufacturing semiconductor device and support used for it | |
| JP2007142456A (en) | Electrostatic chuck | |
| JP2004031599A (en) | Electrostatic chuck | |
| JP2004259805A (en) | Electrostatic chuck | |
| JP3254701B2 (en) | Electrostatic chuck and method for manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050204 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060427 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090227 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090422 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090526 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090605 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150612 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |