【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に化合物半導体
チップをマウントする半導体装置のアッセンブリーや各
種部品類の接着等に使用するもので、熱時接着強度が高
く、速硬化性、耐熱性、耐湿性に優れ、半導体チップの
大型化に対応できる絶縁性ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に絶縁性ペーストは、エポキシ樹脂
等の熱硬化性樹脂結合剤（バインダー）と絶縁性粉末と
から構成され、各種電子部品の接着、コーティング等に
適用されている。熱硬化性樹脂である結合剤は、硬化剤
により熱硬化して有機溶剤に不溶となり、また、耐熱
性、耐湿性、耐候性等が付与される。
【０００３】また、半導体装置において、金属薄板（リ
ードフレーム）上の所定部分にＬＥＤ、ＩＣ、ＬＳＩ等
の化合物半導体チップを接続する工程は、素子の長期信
頼性に影響を与える重要な工程の一つである。従来から
この接続方法として、低融点の合金（半田）を用いてろ
う付けをする方法、樹脂ペースト（導電性または絶縁性
接着剤）を使用する方法等がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし半田を使用する
方法は、一部実用化されているが半田や半田ボールが飛
散して電極等に付着し、腐食断線の原因となる可能性が
指摘されている。一方、樹脂ペーストを使用する方法で
は、導電性ペーストの場合は、通常銀粉末を配合したエ
ポキシ樹脂が用いられ、約１５年程前から一部実用化さ
れてきた。しかし、信頼性の面でシリコンチップにおけ
るＡｕ−Ｓｉ共晶合金を生成させる共晶法に比較して満
足すべきものが得られなかった。
【０００５】これら樹脂ペーストを使用する場合は、半
田法に比べて耐熱性に優れる等の長所を有するが、その
反面、樹脂やその硬化剤が半導体素子接着用としてつく
られたものでないため、アルミニウム電極の腐食を促進
し断線不良の原因となる場合が多く、素子の信頼性はＡ
ｕ−Ｓｉ共晶法に劣っていた。
【０００６】さらに近年、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チッ
プの大型化に伴い、アッセンブリ工程や実装工程中の熱
履歴によるチップクラックや接着力低下が問題となって
いる。一般に樹脂硬化物の耐熱性、耐湿性、電気特性を
向上させるためには、その架橋密度を高くしてガラス転
移温度Ｔｇを高くすることが知られている。ところが、
このような効果を期待してＴｇを高くし過ぎると、樹脂
硬化物の弾性率を高くする結果となる。応力は、一般に
熱膨張率と弾性率との積に比例すると考えられているた
め、絶縁性ペーストではシリカ等の無機充填剤を添加し
て熱膨張係数を小さくできたとしても、結果的には応力
歪みの低下につながらず、ストレスによる樹脂と基材
（半導体チップや樹脂基板，金属フレームなど）との密
着性の低下や、硬化物やチップ、基材にクラックが発生
する問題が生じていた。
【０００７】このような背景から、物理的、電気的な接
合信頼性の向上、アッセンブリ工程の短縮化を含めた量
産性の向上を目指して、低応力で密着性が高く、速硬化
できる絶縁性ペーストの開発が強く要求されていた。
【０００８】本発明の目的は、上記の事情に鑑みてなさ
れたもので、熱時接着強度が高く、速硬化性、耐熱性、
耐湿性に優れ、半導体チップの大型化に対応できる絶縁
性ペーストを提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述する組成の
絶縁性ペーストを用いることにとって、上記の目的を達
成できることを見いだし、本発明を完成したものであ
る。
【００１０】即ち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化触媒として、（ａ）有機基を有するアルミニ
ウム化合物および（ｂ）Ｓｉに直結したＯＨ基もしくは
加水分解性基を分子内に１個以上有するシリコーン化合
物または同じくオルガノシラン化合物、（Ｃ）絶縁性粉
末を必須成分としてなることを特徴とする絶縁性ペース
ト以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、エピコート８２７，８２８，８３４，１００１，１
００２，１００７，１００９（シェル化学社製、商品
名）、ＤＥＲ３８０，３３１，３３２，３３４，３３
５，３３６，３３７，３８３，６６０（ダウ・ケミカル
社製、商品名）、アラルダイトＧＹ２５０，２６０，２
８０，６０７１，６０８４，６０９７，６０９９（旭チ
バ社製、商品名）、エピクロン８１０，１０００，１０
１０，３０１０（大日本インキ化学工業社製、商品
名）、旭電化社製ＥＰシリーズ等が挙げられ、これらは
単独または２種以上混合して使用することができる。ま
た、これらのエポキシ樹脂の高純度タイプ品や希釈剤と
して使用される単官能エポキシ樹脂類も含まれる。
【００１２】本発明に用いる（Ｂ）硬化触媒としては、
（ａ）有機基を有するアルミニウム化合物および（ｂ）
Ｓｉに直結したＯＨ基もしくは加水分解性基を分子内に
１個以上有するシリコーン化合物（ポリシロキサン）ま
たはオルガノシラン化合物とが使用される。（ａ）有機
基を有するアルミニウム化合物としては、例えば、メチ
ル基，エチル基，イソプロピル基等のアルキル基、ベン
ジル基等の芳香族基、メトキシ基，エトキシ基等のアル
コキシ基、フェノキシ基，アセトオキシ基等のアシルオ
キシ基、アセチルアセトン等の有機基を有する化合物で
あり、具体的には、トリイソプロポキシアルミニウム，
ジイソプロポキシアセトオキシアルミニウム，アルミニ
ウムトリスアセチルアセトネート，アルミニウムトリス
エチルアセトアセテート，トリエチルアルミニウム等が
挙げられ、これらは単独または２種以上混合して使用す
ることができる。
【００１３】また、（ｂ）のうち、Ｓｉに直結したＯＨ
基もしくは加水分解性基を分子内に１個以上有するシリ
コーン化合物としては、シロキサン骨格が直鎖状または
分岐状のいずれかであってもよく、直鎖状のものは下記
一般式で示される。
【００１４】
【化１】
（但し、式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は、水素原子，アルキル基，
芳香族基，不飽和アルキル基，ハロアルキル基，ＯＨ基
またはアルコキシル基等の加水分解性基を表し、Ｒ1 ，
Ｒ2 のうち少なくとも１個はＯＨ基もしくはアルコキシ
ル基等の加水分解性基である）
これらのシリコーン化合物は単一の分子量である必要は
なく、またいかなる平均分子量のものでも用いることが
できる。
【００１５】また、（ｂ）のうち、Ｓｉに直結したＯＨ
基もしくは加水分解性基を分子内に１個以上有するオル
ガノシラン化合物としては、次の一般式で示されものが
使用され、これらは単独または２種以上混合して使用す
ることができる。
【００１６】
【化２】
（但し、式中、Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 は、アルキル
基，芳香族基，アルコキシル基などの加水分解性基また
はＯＨ基を表し、Ｒ3 〜Ｒ6 ののうち少なくとも１個は
ＯＨ基もしくは加水分解性基である）
上述した硬化触媒は、（ａ）有機基を有するアルミニウ
ム化合物と、（ｂ）Ｓｉに直結したＯＨ基もしくは加水
分解性基を分子内に１個以上有するシリコーン化合物ま
たはオルガノシラン化合物とを併用することが本発明の
目的達成上重要なことである。
【００１７】本発明に用いる（Ｃ）絶縁性粉末として
は、例えばカーボンランダム，炭化ホウ素，窒化アルミ
ニウム，窒化チタン等の非酸化物、セラミック粉末，ベ
リリウム，マグネシウム，アルミニウム，チタン，シリ
コン等の酸化物粉末（具体例は、結晶シリカ，溶融シリ
カ，微粉シリカ，タルク）等が挙げられ、これらは単独
または２種以上混合して使用することができる。これら
絶縁性粉末の配合割合は、特に制限されないが、（絶縁
性粉末）／（樹脂＋絶縁性粉末）の値が３０〜８０重量
％の範囲であることが望ましい。
【００１８】また、絶縁性粉末は、いずれも不純物イオ
ン濃度が低く、平均粒径２０μｍ以下であることが望ま
しい。平均粒径が２０μｍを超えると組成物の性状がペ
ースト状にならず、塗布性能が低下して好ましくない。
【００１９】本発明の絶縁性ペーストは、上述したエポ
キシ樹脂、硬化触媒および絶縁性粉末を必須成分とする
が、本発明の目的に反しない限り、また必要に応じて、
粘度調整用の少量の溶剤、消泡剤、カップリング剤、そ
の他の添加剤を配合することができる。この絶縁性ペー
ストは、常法に従い上述した各成分を十分混合した後、
更に例えばディスパース、ニーダー、三本ロールミル等
による混練処理を行い、その後減圧脱泡して製造するこ
とができる。こうして製造した絶縁性ペーストは、各種
半導体素子・電子部品の接着、コーティング等に使用す
ることができる。
【００２０】
【作用】本発明の絶縁性ペーストは、エポキシ樹脂、特
定の硬化触媒および絶縁性粉末を用いることによって目
的を達成したものである。即ち、（ａ）のアルミニウム
化合物と（ｂ）のシリコーン化合物またはシラン化合物
とが併用されて硬化触媒として働くことにより、硬化物
のＴｇをそれほど上げることなく、耐湿性、電気特性、
硬化速度を向上させ、かつ低応力性、密着性に優れた絶
縁性ペーストを得ることができる。
【００２１】
【発明の実施形態】次に本発明を実施例によって説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。以下の実施例および比較例において「部」と
は特に説明のない限り「重量部」を意味する。
【００２２】実施例１
エポキシ樹脂のＹＬ９８３Ｕ（油化シェルエポキシ社
製、商品名）１００部とフェニルグリシジルエーテル１
０部、アルミニウムトリスアセチルアセトネート２部、
ジフェニルジエトキシシラン３部および平均粒径８μｍ
の球状の溶融シリカ粉末１５０部を混合しさらに三本ロ
ールで混練処理を行い、減圧脱泡して絶縁性ペーストを
製造した。
【００２３】実施例２
エポキシ樹脂のＹＬ９８０（油化シェルエポキシ社製、
商品名）９０部とエピコート＃１００１（油化シェルエ
ポキシ社製、商品名）１０部、エチルセロソルブアセテ
ート８０部、アルミニウムトリスエチルアセトアセテー
ト２部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
３部および平均粒径５μｍの球状の溶融シリカ粉末２３
５部を混合しさらに三本ロールで混練処理を行い、減圧
脱泡して絶縁性ペーストを製造した。
【００２４】実施例３
エポキシ樹脂のエピコート＃８０７（油化シェルエポキ
シ社製、商品名）１０部と、フェニルグリシジルエーテ
ル３０部、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート
２部、シリコーン化合物としてＳＨ６０１８（トーレ・
ダウコーニング社製商品名、Ｓｉ−ＯＨ基を有する）３
部および平均粒径６μｍの球状の溶融シリカ粉末１８０
部を混合しさらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱
泡して絶縁性ペーストを製造した。
【００２５】比較例１
実施例１の配合において、硬化触媒をアルミニウムトリ
スアセチルアセトネート／ジフェニルジエトキシシラン
併用の代わりに、イミダゾールの１Ｂ２ＰＺ（四国化成
工業社製、商品名）５部を配合した以外は、実施例１と
同様にして絶縁性ペーストを製造した。
【００２６】比較例２
市販のエポキシ樹脂ベースの溶剤型半導体用絶縁性ペー
ストを入手した。
【００２７】実施例１〜３および比較例１〜２で得た絶
縁性ペーストについて、ＰＣＴ前後の接着強度（常温、
熱時）、チップの反り、耐半田リフロー性を評価した。
その結果を表１に示したが、いずれも本発明が優れてお
り、本発明の顕著な効果が認られた。
【００２８】
【表１】
＊１：２ｍｍ×２ｍｍチップ（高さ３００μｍ）を、リ
ードフレーム（銅系、ベッド面は銀メッキ）上に、絶縁
性ペーストを用いて接着し、上記所定の半導体素子接着
条件で硬化した。硬化後、プッシュプルゲージを用いて
剪断方向の接着強度を測定した。熱時接着強度は２５０
℃のヒートブロック上で測定した。
【００２９】＊２：４×１２ｍｍのシリコンチップを、
リードフレーム（銅系、ベッド面は銀メッキ）上に、絶
縁性ペーストを用いて接着し、上記所定の半導体素子接
着条件で硬化した。硬化後、シリコンチップ表面の反り
を、チップの辺方向、対角線方向の計６方向で測定し、
その最大値を反りとした。
【００３０】＊３：４×１２ｍｍのシリコンチップを、
リードフレーム（銅系、ベッド面は銀メッキ）上に、絶
縁性ペーストを用いて接着し、上記所定の半導体素子接
着条件で硬化した。それを同一のエポキシ封止材料で封
止して、樹脂封止型半導体装置を作成した。それを６０
℃×６０％ＲＨ×１２０ｈ吸湿後、２３０℃×１０秒の
半田リフローに２回通し、超音波探傷装置（ＳＡＴ）で
半導体装置内のペースト層の剥離を観察した。各半導体
装置１０個について行い、剥離の発生した数を明記し
た。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明の絶縁性導電性ペーストは、速硬化性、耐熱
性、耐湿性、密着性に優れており、また、チップ反りの
発生を低減することができる。この絶縁性ペーストを使
用することによって大型半導体チップの接合信頼性の向
上、量産性の向上に対応でき、工業上大変有益なもので
ある。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is particularly used for assembling a semiconductor device for mounting a compound semiconductor chip and for bonding various parts, and has a bonding strength at hot time. The present invention relates to an insulating paste which is high, has excellent fast curing properties, excellent heat resistance and moisture resistance, and can cope with an increase in the size of a semiconductor chip. [0002] Generally, an insulating paste is composed of a thermosetting resin binder (binder) such as an epoxy resin and an insulating powder, and is applied to bonding and coating of various electronic parts. The binder, which is a thermosetting resin, is thermally cured by a curing agent, becomes insoluble in an organic solvent, and has heat resistance, moisture resistance, weather resistance, and the like. In a semiconductor device, a process of connecting a compound semiconductor chip such as an LED, an IC, or an LSI to a predetermined portion on a thin metal plate (lead frame) is one of important processes that affect the long-term reliability of the device. One. Conventionally, this connection method includes a method of brazing using a low melting point alloy (solder), a method of using a resin paste (conductive or insulating adhesive), and the like. [0004] However, although some of the methods using solder have been put to practical use, there is a possibility that solder or solder balls scatter and adhere to electrodes and the like, causing corrosion disconnection. Has been pointed out. On the other hand, in the method using a resin paste, in the case of a conductive paste, an epoxy resin mixed with silver powder is usually used, and has been partially put into practical use for about 15 years. However, in terms of reliability, satisfactory results were not obtained as compared with the eutectic method for producing an Au-Si eutectic alloy in a silicon chip. [0005] When these resin pastes are used, they have advantages such as superior heat resistance as compared with the soldering method. On the other hand, since the resin and its hardener are not made for bonding semiconductor elements, aluminum paste is used. In many cases, corrosion of the electrode is promoted, which causes disconnection failure.
It was inferior to the u-Si eutectic method. Further, in recent years, as semiconductor chips such as ICs and LSIs have become larger, chip cracks due to heat history during an assembly process and a mounting process and a decrease in adhesive strength have become problems. Generally, in order to improve the heat resistance, moisture resistance, and electrical properties of a cured resin, it is known to increase the crosslink density and raise the glass transition temperature Tg. However,
If Tg is set too high in anticipation of such an effect, the result will be an increase in the elastic modulus of the cured resin. Since stress is generally considered to be proportional to the product of the coefficient of thermal expansion and the modulus of elasticity, even if an inorganic filler such as silica can be added to the insulating paste to reduce the coefficient of thermal expansion, the result is that This has not led to a reduction in stress strain, but has caused problems such as a decrease in adhesion between the resin and the base material (semiconductor chip, resin substrate, metal frame, etc.) due to stress, and cracks in the cured product, chip, and base material. . [0007] Against this background, with the aim of improving the reliability of physical and electrical bonding and the improvement of mass productivity including shortening of the assembling process, the insulating property which has high adhesion with low stress and can be cured quickly. The development of pastes has been strongly demanded. The object of the present invention has been made in view of the above circumstances, and has a high adhesive strength at the time of heat, a rapid curing property, heat resistance,
An object of the present invention is to provide an insulating paste having excellent moisture resistance and capable of coping with an increase in the size of a semiconductor chip. Means for Solving the Problems The present inventor has conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, has found that the use of an insulating paste having a composition described later can achieve the above object. The present invention has been completed. That is, the present invention provides (A) an epoxy resin,
(B) As a curing catalyst, (a) an aluminum compound having an organic group and (b) a silicone compound or an organosilane compound having at least one OH group or a hydrolyzable group directly bonded to Si in the molecule, and (C) The present invention will be described in detail below with reference to an insulating paste comprising an insulating powder as an essential component. As the epoxy resin (A) used in the present invention, Epicoat 827, 828, 834, 1001, 1
002, 1007, 1009 (trade name, manufactured by Shell Chemical Company), DER380, 331, 332, 334, 33
5,336,337,383,660 (manufactured by Dow Chemical Company, trade name), Araldite GY250,260,2
80, 6071, 6084, 6097, 6099 (manufactured by Asahi Ciba, trade name), Epicron 810, 1000, 10
10, 3010 (trade name, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) and EP series manufactured by Asahi Denka Co., Ltd. These can be used alone or in combination of two or more. Also included are high-purity types of these epoxy resins and monofunctional epoxy resins used as diluents. The curing catalyst (B) used in the present invention includes:
(A) an aluminum compound having an organic group and (b)
A silicone compound (polysiloxane) or an organosilane compound having at least one OH group or hydrolyzable group directly bonded to Si in a molecule is used. (A) Examples of the aluminum compound having an organic group include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group and an isopropyl group, an aromatic group such as a benzyl group, an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, a phenoxy group, and an acetooxy group. Compounds having an organic group such as an acyloxy group such as acetylacetone, etc., and specifically, triisopropoxyaluminum,
Examples thereof include diisopropoxyacetooxyaluminum, aluminum trisacetylacetonate, aluminum trisethylacetoacetate, and triethylaluminum. These can be used alone or in combination of two or more. Further, in (b), OH directly connected to Si
As the silicone compound having one or more groups or hydrolyzable groups in the molecule, the siloxane skeleton may be either linear or branched, and a linear siloxane skeleton is represented by the following general formula. Embedded image (Wherein, R 1 and R 2 represent a hydrogen atom, an alkyl group,
It represents an aromatic group, unsaturated alkyl group, a haloalkyl group, a hydrolyzable group such as OH group or alkoxyl group, R 1,
At least one of R 2 is a hydrolyzable group such as an OH group or an alkoxyl group.) These silicone compounds do not need to have a single molecular weight, and may have any average molecular weight. Further, in (b), OH directly connected to Si
As the organosilane compound having one or more groups or hydrolyzable groups in the molecule, those represented by the following general formula are used, and these can be used alone or in combination of two or more. Embedded image (Wherein, R 3 , R 4 , R 5 , and R 6 represent a hydrolyzable group such as an alkyl group, an aromatic group, or an alkoxyl group or an OH group, and at least one of R 3 to R 6 Is an OH group or a hydrolyzable group.) The curing catalyst described above comprises (a) an aluminum compound having an organic group and (b) one or more OH groups or hydrolyzable groups directly bonded to Si in the molecule. It is important to achieve the object of the present invention in combination with a silicone compound or an organosilane compound. The (C) insulating powder used in the present invention includes, for example, non-oxides such as carbon random, boron carbide, aluminum nitride and titanium nitride, ceramic powders and oxides such as beryllium, magnesium, aluminum, titanium and silicon. Powders (specific examples are crystalline silica, fused silica, finely divided silica, and talc), and these can be used alone or as a mixture of two or more. The mixing ratio of these insulating powders is not particularly limited, but the value of (insulating powder) / (resin + insulating powder) is preferably in the range of 30 to 80% by weight. It is desirable that the insulating powder has a low impurity ion concentration and an average particle diameter of 20 μm or less. If the average particle size exceeds 20 μm, the properties of the composition do not become paste, and the coating performance is undesirably reduced. The insulating paste of the present invention contains the above-mentioned epoxy resin, curing catalyst and insulating powder as essential components. Unless the object of the present invention is violated, and if necessary,
A small amount of a solvent for adjusting the viscosity, a defoaming agent, a coupling agent, and other additives can be blended. This insulating paste, after sufficiently mixing the above-described components according to a conventional method,
Further, for example, a kneading treatment using a disperser, a kneader, a three-roll mill, or the like is performed, and then defoaming is performed under reduced pressure. The insulating paste thus manufactured can be used for bonding, coating, and the like of various semiconductor elements and electronic components. The purpose of the insulating paste of the present invention is achieved by using an epoxy resin, a specific curing catalyst and an insulating powder. That is, the aluminum compound of (a) and the silicone compound or silane compound of (b) are used in combination to act as a curing catalyst, so that the Tg of the cured product is not significantly increased, and the moisture resistance, electrical properties,
It is possible to obtain an insulating paste having an improved curing speed, and excellent in low stress property and adhesion. Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following Examples and Comparative Examples, “parts” means “parts by weight” unless otherwise specified. Example 1 100 parts of epoxy resin YL983U (trade name, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) and phenylglycidyl ether 1
0 parts, aluminum trisacetylacetonate 2 parts,
3 parts of diphenyldiethoxysilane and average particle size of 8 μm
Was mixed with a three-roll mill, followed by defoaming under reduced pressure to produce an insulating paste. Example 2 Epoxy resin YL980 (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.)
90 parts of Epicoat # 1001 (trade name, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), 80 parts of ethyl cellosolve acetate, 2 parts of aluminum trisethylacetoacetate, 3 parts of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and average Spherical fused silica powder 23 having a particle size of 5 μm
Five parts were mixed, and the mixture was further kneaded with a three-roll mill, and degassed under reduced pressure to produce an insulating paste. Example 3 10 parts of epoxy resin Epicoat # 807 (trade name, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), 30 parts of phenylglycidyl ether, 2 parts of aluminum trisethylacetoacetate, and SH6018 (Toray Co., Ltd.) as a silicone compound
Dow Corning product name, having Si-OH group) 3
Part and spherical fused silica powder 180 having an average particle size of 6 μm
The resulting mixture was kneaded with three rolls and defoamed under reduced pressure to produce an insulating paste. Comparative Example 1 The procedure of Example 1 was repeated except that the curing catalyst was replaced with 5 parts of imidazole 1B2PZ (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) instead of aluminum trisacetylacetonate / diphenyldiethoxysilane combination. Produced an insulating paste in the same manner as in Example 1. Comparative Example 2 A commercially available epoxy resin-based insulating paste for a solvent-type semiconductor was obtained. With respect to the insulating pastes obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, the adhesive strength before and after PCT (normal temperature,
During heating), chip warpage and solder reflow resistance were evaluated.
The results are shown in Table 1, all of which show that the present invention was excellent and that the remarkable effects of the present invention were confirmed. [Table 1] * 1: A 2 mm × 2 mm chip (height: 300 μm) was bonded on a lead frame (copper-based, bed surface was silver-plated) using an insulating paste, and cured under the above-described predetermined semiconductor element bonding conditions. After curing, the adhesive strength in the shear direction was measured using a push-pull gauge. Hot adhesive strength is 250
It measured on the heat block of ° C. * 2: A 4 × 12 mm silicon chip was
It was bonded on a lead frame (copper-based, bed surface was silver-plated) using an insulating paste, and was cured under the predetermined semiconductor element bonding conditions. After curing, the warpage of the silicon chip surface was measured in a total of six directions, the side direction of the chip and the diagonal direction,
The maximum value was defined as warpage. * 3: A 4 × 12 mm silicon chip is
It was bonded on a lead frame (copper-based, bed surface was silver-plated) using an insulating paste, and was cured under the above-mentioned predetermined semiconductor element bonding conditions. It was sealed with the same epoxy sealing material to produce a resin-sealed semiconductor device. 60
After absorbing moisture of 120 ° C. × 60% RH × 120 h, the paste was passed twice through a solder reflow at 230 ° C. × 10 seconds, and the peeling of the paste layer in the semiconductor device was observed by an ultrasonic flaw detector (SAT). The test was performed for each of ten semiconductor devices, and the number of peelings was specified. As is clear from the above description and Table 1, the insulative conductive paste of the present invention is excellent in quick-curing property, heat resistance, moisture resistance, and adhesion, and is excellent in chip quality. Warpage can be reduced. By using this insulating paste, it is possible to cope with the improvement of the joining reliability of large semiconductor chips and the improvement of mass productivity, which is very useful industrially.
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