JPH064814B2 - Paste for mounting semiconductor pellets - Google Patents

Paste for mounting semiconductor pellets

Info

Publication number
JPH064814B2
JPH064814B2 JP61059407A JP5940786A JPH064814B2 JP H064814 B2 JPH064814 B2 JP H064814B2 JP 61059407 A JP61059407 A JP 61059407A JP 5940786 A JP5940786 A JP 5940786A JP H064814 B2 JPH064814 B2 JP H064814B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
paste
parts
epoxy resin
manufactured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP61059407A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62218413A (en
Inventor
洋志 稲葉
輝 奥野山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Chemical Products Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Chemical Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Chemical Products Co Ltd filed Critical Toshiba Chemical Products Co Ltd
Priority to JP61059407A priority Critical patent/JPH064814B2/en
Publication of JPS62218413A publication Critical patent/JPS62218413A/en
Publication of JPH064814B2 publication Critical patent/JPH064814B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は、半導体装置の組立て(アッセンブリ)などに
使用されるペーストに関し、更に詳しくは、半導体ペレ
ットの大型化とアッセンブリ工程の短縮化に対応するよ
うに改良したもので、配線の腐食断線がなく接着性に優
れた高速硬化のペーストに関する。
Description: TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a paste used for assembling (assembling) a semiconductor device, and more particularly to increasing the size of a semiconductor pellet and shortening the assembly process. The present invention relates to a rapid-curing paste which is improved as described above and has excellent adhesiveness without corrosion breakage of wiring.

[発明の技術的背景とその問題点] 半導体装置の組立てで、金属薄板(リードフレーム)上
の所定部分にIC、LSI等の半導体ペレットをマウン
トし電気的に接続する工程は、素子の長期信頼性に影響
を与える重要な工程の1つである。従来よりこの接続方
法としては、半導体ペレットのシリコン面をリードフレ
ーム上の金メッキ面に加熱圧着するというAu−Siの
共晶法が主流であった。しかし、近年の貴金属、特に金
の高騰を契機として、樹脂モールド型半導体装置では、
Au−Si共晶法から、半田を使用する方法、導電性ペ
ーストを使用する方法等に急速に移行しつつある。
[Technical Background of the Invention and Problems Thereof] In the process of assembling a semiconductor device, the process of mounting and electrically connecting a semiconductor pellet such as an IC or an LSI on a predetermined portion of a metal thin plate (lead frame) is a long-term reliability of the device. It is one of the important processes that affect sex. Conventionally, as this connection method, an Au-Si eutectic method has been mainstream, in which the silicon surface of the semiconductor pellet is thermocompression bonded to the gold-plated surface on the lead frame. However, in recent years, with the surge of precious metals, especially gold, resin-molded semiconductor devices have
The Au-Si eutectic method is rapidly changing to a method using solder, a method using a conductive paste, or the like.

しかし、半田を使用する方法は、一部実用化されている
が、半田や半田ボールが飛散して電極等に付着し、腐食
断線の原因となる可能性が指摘されている。一方、導電
性ペーストを使用する方法では通常銀粉末を配合したエ
ポキシ樹脂が用いられ、約10年程前から一部実用化され
ていたが、信頼性の面でAu−Siの共晶合金を生成さ
せる共晶法に比較して満足すべきものが得られなかっ
た。導電性ペーストを使用する場合は、半田法に比べて
耐熱性に優れる等の長所を有しているが、その反面、樹
脂やその硬化剤が半導体素子接着用としてつくられたも
のでないために、アルミニウム電極の腐食を促進し、断
線不良の原因となる場合が多く、素子の信頼性はAu−
Si共晶法に比べて劣っていた。また、この方法は、生
産性向上に大きく寄与できるという利点を有している
が、MOSICの場合は、サブ電極を半導体ペレット上
のボンディングパッドより引き出すために、ペレット裏
面とフレームとの導通は必要でないにもかかわらず高価
な銀ペーストが使用されており、コスト高となる欠点が
あった。
However, although the method using solder has been partially put into practical use, it has been pointed out that solder or solder balls may scatter and adhere to electrodes or the like, which may cause corrosion breakage. On the other hand, in the method using the conductive paste, an epoxy resin mixed with silver powder is usually used, and it has been partially put into practical use for about 10 years, but in terms of reliability, an Au-Si eutectic alloy is used. No satisfactory results were obtained compared to the eutectic method used. When a conductive paste is used, it has advantages such as excellent heat resistance as compared with the soldering method, but on the other hand, since the resin or the curing agent is not made for bonding semiconductor elements, In many cases, it promotes corrosion of the aluminum electrode and causes a disconnection failure.
It was inferior to the Si eutectic method. Further, this method has an advantage that it can greatly contribute to productivity improvement, but in the case of MOSIC, it is necessary to connect the back surface of the pellet to the frame in order to draw out the sub-electrode from the bonding pad on the semiconductor pellet. Notwithstanding, expensive silver paste is used, and there is a drawback that the cost becomes high.

[発明の目的] 本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもの
で、その目的は半導体ペレットの大型化、アッセンブリ
工程の短縮化に対応するとともに、配線の腐食断線がな
く、接着性や耐加水分解性に優れ、ボイドの発生がなく
高速硬化性で、かつコスト低減に寄与できるペーストを
提供しようとするものである。
[Object of the Invention] The present invention has been made in order to solve the above-mentioned drawbacks, and its purpose is to cope with an increase in the size of a semiconductor pellet and a shortening of the assembly process, and to prevent the wiring from corroding and breaking, and to improve the adhesiveness. Another object of the present invention is to provide a paste that is excellent in hydrolysis resistance, does not generate voids, is fast curable, and can contribute to cost reduction.

[発明の概要] 本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、銀粉末を使用しないで熱伝導性のよい充填剤
を使用することによって上記目的を達成でき特性の優れ
た、コスト低減に寄与できるペーストが得られることを
見いだし本発明を完成したものである。即ち、本発明
は、 (A)ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂から
なる変性または混合樹脂 (B)エポキシシラン (C)熱伝導性充填剤 を含み、半導体ペレットを搭載するに用いることを特徴
とするペーストである。
[Summary of the Invention] As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have achieved the above object by using a filler having good thermal conductivity without using silver powder. The inventors have completed the present invention by finding that an excellent paste that can contribute to cost reduction can be obtained. That is, the present invention is characterized by including (A) a modified or mixed resin composed of polyparahydroxystyrene and an epoxy resin, (B) epoxysilane (C) a thermally conductive filler, and used for mounting a semiconductor pellet. It is a paste.

本発明に用いる(A)変性または混合樹脂は、ポリパラ
ヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂とを反応させて得ら
れる変性樹脂、あるいはポリパラヒドロキシスチレンと
エポキシ樹脂を混合した樹脂である(この混合樹脂を含
めて、以下に変性樹脂とも呼ぶことにする)。その成分
の1つであるポリパラヒドロキシスチレンは次式で示さ
れる樹脂である。
The modified or mixed resin (A) used in the present invention is a modified resin obtained by reacting polyparahydroxystyrene and an epoxy resin, or a resin obtained by mixing polyparahydroxystyrene and an epoxy resin (including this mixed resin. And will be referred to as modified resin below). One of the components, polyparahydroxystyrene, is a resin represented by the following formula.

このような樹脂としては、例えばマルゼンレジンM(丸
善石油社製、商品名)がある。この樹脂は、分子量が3
000〜8000で、水酸基当量が120のものである。
また、変性樹脂の他の成分であるエポキシ樹脂として
は、例えば次のようなビスフェノール類のジエポキシド
がある。エピコート827,828,834,100
1,1002,1004,1007,1009(シェル
化学社製、商品名)、DER330,331,332,
334,335,336,337,660,661,6
62,667,668,669(ダウケミカル社製、商
品名)、アラルダイトGY250,260,280,6
071,6084,6097,6099(チバガイギー
社製、商品名)、EPI−REZ510,5101(J
ones Dabney 社製、商品名)、エピクロン
810,1000,1010,3010(大日本インキ
化学工業社製,商品名)や旭電化社製EPシリーズがあ
る。さらにエポキシ樹脂として、平均エポキシ基数3以
上の、例えばノボラック・エポキシ樹脂を使用すること
により、熱時(350℃)の接着強度を更に向上させるこ
とができる。これらのノボラック・エポキシ樹脂として
は、分子量500以上のものが適している。このようなノ
ボラック・エポキシ樹脂としては、例えば次のようなも
のがある。アラルダイドEPN1138,1139,E
CN1273,1280,1299(チバガイギー社
製、商品名)、DEN431,438(ダウケミカル社
製、商品名)、エピコート152,154(シェル化学
社製、商品名)、ERR−0100、ERRB−044
7、ERLB−0488(ユニオンカーバイド社製、商
品名)、日本化薬社製EOCNシリーズ等がある。
An example of such a resin is Marzen Resin M (trade name, manufactured by Maruzen Oil Co., Ltd.). This resin has a molecular weight of 3
000 to 8,000 and a hydroxyl group equivalent of 120.
Further, as an epoxy resin which is another component of the modified resin, there is, for example, the following bisphenol diepoxide. Epicoat 827,828,834,100
1,1002,1004,1007,1009 (manufactured by Shell Chemical Co., trade name), DER330,331,332
334, 335, 336, 337, 660, 661, 6
62,667,668,669 (trade name, manufactured by Dow Chemical Co.), Araldite GY250, 260, 280, 6
071, 6084, 6097, 6099 (trade name, manufactured by Ciba-Geigy), EPI-REZ510, 5101 (J
Ones Dabney, trade name), Epicron 810, 1000, 1010, 3010 (Dainippon Ink and Chemicals, trade name) and Asahi Denka EP series. Furthermore, by using, for example, a novolac epoxy resin having an average number of epoxy groups of 3 or more as the epoxy resin, the adhesive strength at the time of heating (350 ° C.) can be further improved. As these novolac epoxy resins, those having a molecular weight of 500 or more are suitable. Examples of such novolac epoxy resin are as follows. Araldite EPN1138, 1139, E
CN1273, 1280, 1299 (manufactured by Ciba Geigy, trade name), DEN431, 438 (manufactured by Dow Chemical Co., trade name), Epicoat 152, 154 (manufactured by Shell Chemical Co., trade name), ERR-0100, ERRB-044
7, ERLB-0488 (trade name, manufactured by Union Carbide Co., Ltd.), EOCN series manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and the like.

本発明に用いる(B)エポキシシランとしては、例えば
β−(3.4エポキシシクロへキシル)エチルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラ
ン等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して用
いる。
Examples of the (B) epoxysilane used in the present invention include β- (3.4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane and the like. These are used alone or in combination of two or more.

ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂からなる
(A)変性または混合樹脂と、(B)エポキシシランと
の配合割合は、当量付近であることが望ましい。配合割
合が当量付近を大きくはずれると、いずれかが硬化時に
未反応となり、熱時の接着強度や加熱減量が多くなり好
ましくない。本発明に用いる(A)ポリパラヒドロキシ
スチレンとエポキシ樹脂とからなる変性または混合樹脂
と(B)エポキシシランを配合する場合は、(A)
(B)成分を加えて溶解混合させるが、(A)変性また
は混合樹脂のポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹
脂とは単に溶解混合してもよいし、必要に応じて加熱反
応により相互に部分的な結合をさせたものでもよい。ま
たこれらの変性樹脂の共通の溶剤に溶解することにより
作業粘度を改善することもできる。そしてまた必要であ
れば硬化触媒を使用することもできる。ここで用いる粘
度調整用の溶剤類としては、ジオキサン、ヘキサノン、
ベンゼン、トルエン、ソルベントナフサ、工業用ガソリ
ン、酢酸セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソ
ルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル
ピロリドン等が挙げれ、これらは単独又は2種以上混合
して使用する。
The mixing ratio of the (A) modified or mixed resin composed of polyparahydroxystyrene and an epoxy resin and the (B) epoxysilane is preferably in the vicinity of an equivalent amount. If the blending ratio deviates greatly from the equivalent, one of them becomes unreacted at the time of curing and the adhesive strength at heating and the weight loss upon heating increase, which is not preferable. When blending the modified or mixed resin (A) polyparahydroxystyrene and epoxy resin used in the present invention and (B) epoxysilane, (A)
Although the component (B) is added and dissolved and mixed, the (A) modified or mixed resin, polyparahydroxystyrene, and the epoxy resin may be simply dissolved and mixed, or if necessary, partially heated by reaction with each other. It may be a combination. Further, the working viscosity can be improved by dissolving the modified resin in a common solvent. And, if desired, a curing catalyst can also be used. Solvents for viscosity adjustment used here include dioxane, hexanone,
Examples include benzene, toluene, solvent naphtha, industrial gasoline, cellosolve acetate, ethyl cellosolve, butyl cellosolve acetate, butyl carbitol acetate, dimethylformamide, dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone. These may be used alone or in combination of two or more. To do.

本発明に用いる(C)熱伝導性充填剤としては、アルカ
リ金属イオン、ハロゲンイオン等のイオン性不純物を含
まないことが必要である。このために、イオン性不純物
を含まない充填剤を選定する。水・溶剤あるいはイオン
交換剤等で洗浄してイオン性不純物を取り除く。またこ
の充填剤の熱伝導度は10k/Wm−1−1(0℃)以
上であることが望ましく、好ましくは20k/Wm−1
−1以上が良い。このような充填剤としては、例えば
銅、アルミニウム、マグネシウム、鉄、錫等の金属粉
末、黒鉛等の結晶性炭素類、カーボランダム、炭化ホウ
素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の非
酸化物のセラミック粉末、ベリウム、マグネシウム、ア
ルミニウム、チタン、シリコン等の酸化物等が挙げら
れ、これらは単独又は2種以上の混合系として用いる。
The (C) thermally conductive filler used in the present invention is required to contain no ionic impurities such as alkali metal ions and halogen ions. For this reason, a filler that does not contain ionic impurities is selected. Remove ionic impurities by washing with water / solvent or ion exchange agent. The thermal conductivity of the filler is desirably 10k / Wm -1 K -1 (0 ℃) or more, preferably 20k / Wm -1 K
-1 or more is good. Examples of such fillers include metal powders such as copper, aluminum, magnesium, iron and tin, crystalline carbons such as graphite, carborundum, boron carbide, boron nitride, aluminum nitride, non-oxides such as titanium nitride. Ceramic powder, oxides of beryllium, magnesium, aluminum, titanium, silicon and the like, which are used alone or as a mixed system of two or more kinds.

変性樹脂とエポキシシランとの合計からなる樹脂と充填
剤の配合割合は、合計樹脂/充填剤=10/90〜40/60の範
囲であることが望ましい。好ましくは15/85〜30/70の範
囲内がよい。充填剤が90部を超えるとペーストの粘度が
高くなり作業性に劣り、また60部未満ではボンディング
温度に耐える強度が得られず好ましくない。
The compounding ratio of the resin composed of the total of the modified resin and the epoxysilane and the filler is preferably in the range of total resin / filler = 10/90 to 40/60. It is preferably in the range of 15/85 to 30/70. If the amount of the filler exceeds 90 parts, the viscosity of the paste will be high and the workability will be poor, and if it is less than 60 parts, the strength to withstand the bonding temperature cannot be obtained, which is not preferable.

本発明のペーストは、変性樹脂、エポキシシラン、熱伝
導性充填剤を含むが、必要に応じて消泡剤、カップリン
グ剤その他の添加剤を加えることも可能である。またペ
ーストは常法に従い上述した変性樹脂、エポキシシラン
および熱伝導性充填剤を十分混合した後、更に、例えば
三本ロールによる混練処理し、その後減圧脱泡して製造
される。こうして製造されたペーストは半導体ペレット
とリードフレームとの接着用として使用される。
The paste of the present invention contains a modified resin, epoxy silane, and a heat conductive filler, but it is possible to add an antifoaming agent, a coupling agent and other additives if necessary. Further, the paste is manufactured by thoroughly mixing the above-mentioned modified resin, epoxysilane and heat conductive filler according to a conventional method, further kneading with, for example, three rolls, and then defoaming under reduced pressure. The paste thus produced is used for bonding the semiconductor pellet and the lead frame.

[発明の実施例] 次に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
らの実施例によって限定されるものではない。実施例お
よび比較例において「部」とは特に説明のない限り「重
量部」を意味する。
[Examples of the Invention] Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the examples and comparative examples, "parts" means "parts by weight" unless otherwise specified.

実施例1 エポキシ樹脂のEP4400(旭電化社製、商品名)
7.6部、パラヒドロキシスチレンのマルゼンレジンM
(丸善石油化学社製、商品名)5.6部、エポキシシラ
ンのβ−(3,4エポキシシクロへキシル)エチルトリ
メトキシシラン10.4部、およびジエチレングリコールジ
エチルエーテル4.0部を、100℃,1時間溶解反応を
行い黄色の粘稠な樹脂を得た。この樹脂27.8部に触媒と
して2PHZ−CN(四国化成社製、商品名)0.006部
とアルミナ粉末70部とを加えて十分混合してペースト
(A)を製造した。
Example 1 Epoxy resin EP4400 (trade name, manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.)
7.6 parts, parahydroxystyrene Marzene Resin M
(Maruzen Petrochemical Co., Ltd., trade name) 5.6 parts, β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane 10.4 parts of epoxysilane, and 4.0 parts of diethylene glycol diethyl ether at 100 ° C., 1 A time-dependent dissolution reaction was performed to obtain a yellow viscous resin. To 27.8 parts of this resin, 0.006 parts of 2PHZ-CN (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) as a catalyst and 70 parts of alumina powder were added and sufficiently mixed to prepare a paste (A).

実施例2 エポキシ樹脂のEP4400(前出)7.6部、パラヒ
ドロキシスチレンのマルゼンレジンM(前出)5.6
部、エポキシシランのγ−グリシドキシプロピルメチル
ジエトキシシラン10.4部、およびジエチレングリコール
ジエチルエーテル4.0部を、100℃で1時間溶解反応
を行い黄色の粘稠な樹脂を得た。この樹脂27.8部に触媒
として2PHZ−CN(前出)の0.006部とアルミナ粉
末70部を加えて十分混合してペースト(B)を製造し
た。
Example 2 7.6 parts of EP4400 of epoxy resin (supra), Marzene resin M of parahydroxystyrene (supra) 5.6.
Part, 10.4 parts of γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane of epoxysilane, and 4.0 parts of diethylene glycol diethyl ether were subjected to a dissolution reaction at 100 ° C. for 1 hour to obtain a yellow viscous resin. To 27.8 parts of this resin, 0.006 parts of 2PHZ-CN (described above) and 70 parts of alumina powder were added as a catalyst and sufficiently mixed to prepare a paste (B).

実施例3 エポキシ樹脂のEP4400(前出)7.6部、パラヒ
ドロキシスチレンのマルゼンレジンM(前出)5.6
部、エポキシシランのγ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン10.4部、およびジエチレングリコールジエ
チルエーテル4.0部を、100℃で1時間溶解反応を行
い、黄色の粘稠な樹脂を得た。この樹脂27.8部に触媒と
して2PHZ−CN(前出)の0.006部とアルミナ粉末7
0部とを加えて十分混合してペースト(C)を製造し
た。
Example 3 7.6 parts of EP4400 of epoxy resin (supra), Marzene resin M of parahydroxystyrene (supra) 5.6.
Part, 10.4 parts of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane of epoxysilane, and 4.0 parts of diethylene glycol diethyl ether were subjected to a dissolution reaction at 100 ° C. for 1 hour to obtain a yellow viscous resin. To 27.8 parts of this resin, 0.006 parts of 2PHZ-CN (described above) and alumina powder 7 as a catalyst
0 part was added and mixed well to produce paste (C).

比較例 市販のエポキシ樹脂ベースの溶剤型半導体用導電性ペー
スト(D)を入手した。
Comparative Example A commercially available epoxy resin-based solvent-type conductive paste for semiconductors (D) was obtained.

実施例1〜3のペースト(A)、(B)、(C)および
比較例の導電性ペースト(D)を用いて半導体ペレット
とリードフレームとを接着硬化した。これらについて接
着強度、ボイドの有無、加水分解性CIイオンの試験を
行った。その結果を第1表に示したが本発明の顕著な効
果が確認された。接着強度試験は、銀メッキを施したリ
ードフレーム(42アロイ)上に4×4mmのシリコン素
子を接着し、25℃および350℃における温度での強度を
プッシュプルゲージを用いて測定した。また加水分解性
CIイオンの試験は、各ペーストを第1表に示した接着
条件で硬化させた後、100メッシュに粉砕して180℃×2
時間加熱抽出を行ったCIイオンの量を測定した。
The semiconductor pellets and the lead frame were adhesively cured using the pastes (A), (B) and (C) of Examples 1 to 3 and the conductive paste (D) of the comparative example. These were tested for adhesive strength, presence of voids, and hydrolyzable CI ions. The results are shown in Table 1, and the remarkable effect of the present invention was confirmed. In the adhesive strength test, a 4 × 4 mm silicon element was bonded onto a silver-plated lead frame (42 alloy), and the strength at temperatures of 25 ° C. and 350 ° C. was measured using a push-pull gauge. For the test of hydrolyzable CI ion, each paste was cured under the adhesion conditions shown in Table 1, then pulverized to 100 mesh and 180 ° C x 2
The amount of CI ions subjected to the time heating extraction was measured.

[発明の効果] 本発明のペーストは、飛散溶剤が少ないためにボイドの
発生がなく、接着性、特に熱時の接着性に優れ、耐加水
分解性も優れており、配線金属の腐食による断線等の不
良や水分によるリーク電流の不良などもなく、また高速
硬化するペーストである。このペーストを使用すれば信
頼性の高い大型ペレットの半導体装置を製造することが
でき、かつアッセンブリ工程も大幅に短縮でき、また高
価な銀粉末を使用していないため、MOS、ICのコス
ト低減をはかることが可能となり、工業上大変有益なも
のである。
[Advantages of the Invention] The paste of the present invention does not generate voids due to a small amount of solvent scattered, has excellent adhesiveness, particularly adhesiveness at the time of heating, and has excellent hydrolysis resistance. It is a paste that cures at high speed without any defects such as defects and defects in leak current due to moisture. If this paste is used, a highly reliable large-sized pellet semiconductor device can be manufactured, the assembly process can be significantly shortened, and no expensive silver powder is used, so the cost of MOS and IC can be reduced. It is possible to measure, which is very useful in industry.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01B 1/22 A 7244−5G ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01B 1/22 A 7244-5G

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(A)ポリパラヒドロキシスチレンとエポ
キシ樹脂からなる変性または混合樹脂 (B)エポキシシラン (C)熱伝導性充填剤 を含み、半導体ペレットを搭載するに用いることを特徴
とするペースト。
1. A paste containing (A) a modified or mixed resin composed of polyparahydroxystyrene and an epoxy resin, (B) epoxysilane (C) a thermally conductive filler, and used for mounting a semiconductor pellet. .
JP61059407A 1986-03-19 1986-03-19 Paste for mounting semiconductor pellets Expired - Fee Related JPH064814B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61059407A JPH064814B2 (en) 1986-03-19 1986-03-19 Paste for mounting semiconductor pellets

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61059407A JPH064814B2 (en) 1986-03-19 1986-03-19 Paste for mounting semiconductor pellets

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62218413A JPS62218413A (en) 1987-09-25
JPH064814B2 true JPH064814B2 (en) 1994-01-19

Family

ID=13112393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61059407A Expired - Fee Related JPH064814B2 (en) 1986-03-19 1986-03-19 Paste for mounting semiconductor pellets

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH064814B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0662738B2 (en) * 1988-01-26 1994-08-17 住友ベークライト株式会社 Conductive resin paste
US5156771A (en) * 1989-05-31 1992-10-20 Kao Corporation Electrically conductive paste composition
JPH03173007A (en) * 1989-12-01 1991-07-26 Kao Corp Conductive paste and conductive film

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62207320A (en) * 1986-03-07 1987-09-11 Hitachi Ltd Theromosetting resin composition and semiconductor device coated or sealed therewith

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62218413A (en) 1987-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07103350B2 (en) Conductive resin paste
JP3769152B2 (en) Conductive paste
JPH064814B2 (en) Paste for mounting semiconductor pellets
JPH1192740A (en) Resin paste composition and semiconductor device
JPH0528495B2 (en)
JP3259501B2 (en) Conductive resin paste composition and semiconductor device
JPH05342910A (en) Conductive paste
JP2596663B2 (en) Conductive resin paste for semiconductors
JPS6232158A (en) Electrically conductive paste
JP2944363B2 (en) Semiconductor device using low-stress adhesive resin composition
JPH09194813A (en) Conductive resin paste composition and semiconductor device
JPS60193349A (en) Semiconductor element
JPH0212508B2 (en)
JP2767606B2 (en) Semiconductor element
JPH10223660A (en) Compound semiconductor device
JP2785246B2 (en) Conductive paste
JP2748318B2 (en) Semiconductor device
JP2003234019A (en) Insulation paste
JPH08165410A (en) Electrically conductive resin paste composition and semiconductor device
JPH0528494B2 (en)
JP2741677B2 (en) Semiconductor element
JPH06163610A (en) Semiconductor device
JPH10219187A (en) Electrical-insulation paste
JPH052915A (en) Semiconductor device
JPH0883815A (en) Compound semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees