JP2003222905A - Method for manufacturing liquid crystal display device and repairing method therefor - Google Patents

Method for manufacturing liquid crystal display device and repairing method therefor

Info

Publication number
JP2003222905A
JP2003222905A JP2002022215A JP2002022215A JP2003222905A JP 2003222905 A JP2003222905 A JP 2003222905A JP 2002022215 A JP2002022215 A JP 2002022215A JP 2002022215 A JP2002022215 A JP 2002022215A JP 2003222905 A JP2003222905 A JP 2003222905A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
forming
gate line
insulating film
interlayer insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002022215A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Yonetani
謙治 米谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002022215A priority Critical patent/JP2003222905A/en
Publication of JP2003222905A publication Critical patent/JP2003222905A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device allowed to repair a disconnected place when a gate line or a source line is disconnected and a repairing method therefor. <P>SOLUTION: When the gate line 102 (or the source line 107) is disconnected, laser light is irradiated at the opposite ends of a disconnected portion 110 from the upper surface or the rear of a glass substrate. A conductive line 104 formed between the gate line 102 and the source line 107 conducts to the gate line 102 (or the source line 107) through a laser-irradiated place 111 to repair the disconnected portion. As a result, a line defect caused by the disconnection is avoided. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置のア
レイ形成工程において、液晶本体のゲートラインまたは
ソースラインが断線している場合であっても、断線の修
復が容易な液晶表示装置の製造方法、およびその修復方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device in which the disconnection can be easily repaired even when the gate line or the source line of the liquid crystal body is broken in the array forming process of the liquid crystal display device. And a method for repairing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、パソコンの低価格化により、パソ
コンの普及率が急上昇している。また、モニターは、従
来主流であったCRTモニターから液晶モニターへ移行
しつつある。液晶モニターの普及を加速させるために
は、より低価格で高品質な製品を提供しなければならな
い。そのためには、歩留まり向上が必須である。
2. Description of the Related Art In recent years, the popularity of personal computers has rapidly increased due to the price reduction of personal computers. In addition, monitors are shifting from CRT monitors, which have been the mainstream in the past, to liquid crystal monitors. In order to accelerate the spread of LCD monitors, it is necessary to provide high-quality products at lower prices. For that purpose, yield improvement is essential.

【0003】以下に従来の液晶表示装置の製造方法につ
いて説明する。
A conventional method of manufacturing a liquid crystal display device will be described below.

【0004】図3は、この従来の液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。図3において、201はガラス
基板、202はゲートライン、203は層間絶縁膜A、
204は半導体層、205はソースパターン、206は
層間絶縁膜B、207は透明電極を示す。
FIG. 3 is a sectional view showing a method of manufacturing the conventional liquid crystal display device. In FIG. 3, 201 is a glass substrate, 202 is a gate line, 203 is an interlayer insulating film A,
Reference numeral 204 is a semiconductor layer, 205 is a source pattern, 206 is an interlayer insulating film B, and 207 is a transparent electrode.

【0005】上記構成の液晶表示装置を製造する場合、
まず、ガラス基板201上に金属材料をスパッタ法によ
り形成した後、その上にフォトレジストを塗布する。フ
ォトリソグラフィー法により、ゲートラインを形成する
型となるレジストパターンを形成し、そのレジストパタ
ーンを型としてドライエッチング法によりゲートライン
202を形成する。その後、ゲートライン202上に、
層間絶縁膜A203を形成する。層間絶縁膜A203と
しては、シリコン窒化膜を用いる。さらに、層間絶縁膜
A203上に半導体層204を形成して、その上に、ソ
ースライン・ソース電極・ドレイン電極等のソースパタ
ーン205を形成する。ソースパターン205も、ゲー
トライン202と同様に、金属材料をスパッタ法により
形成した後、その上にフォトレジストを塗布する。フォ
トリソグラフィー法により、ソースパターンを形成する
型となるレジストパターンを形成し、そのレジストパタ
ーンを型としてドライエッチング法により形成する。最
後に、ソースパターン205上に層間絶縁膜B206を
形成して、層間絶縁膜B206上に透明電極207を形
成する。
When manufacturing the liquid crystal display device having the above structure,
First, a metal material is formed on the glass substrate 201 by a sputtering method, and then a photoresist is applied thereon. A resist pattern serving as a mold for forming the gate line is formed by photolithography, and the gate line 202 is formed by dry etching using the resist pattern as a mold. After that, on the gate line 202,
An interlayer insulating film A203 is formed. A silicon nitride film is used as the interlayer insulating film A203. Further, a semiconductor layer 204 is formed on the interlayer insulating film A203, and a source pattern 205 such as a source line / source electrode / drain electrode is formed thereon. Similarly to the gate line 202, the source pattern 205 is also formed by forming a metal material by a sputtering method and then applying a photoresist thereon. A resist pattern serving as a mold for forming the source pattern is formed by photolithography, and the resist pattern is formed as a mold by dry etching. Finally, the interlayer insulating film B206 is formed on the source pattern 205, and the transparent electrode 207 is formed on the interlayer insulating film B206.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例の構成では、アレイ形成工程途中でゲートライン
またはソースラインが断線した場合、修復することでき
ないため、画面を点灯した際、線欠陥となってしまいチ
ップ不良となるという問題点を有していた。
However, in the structure of the above-mentioned conventional example, if the gate line or the source line is broken during the array forming process, it cannot be repaired, so that a line defect occurs when the screen is turned on. However, there is a problem that the chip becomes defective.

【0007】そこで、本発明は上記従来の問題点を解決
するため、ゲートラインまたはソースラインが断線した
場合に、断線箇所を修復することが可能な液晶表示装置
の製造方法、およびその修復方法を提供することを目的
とする。
In order to solve the above-mentioned conventional problems, the present invention provides a method of manufacturing a liquid crystal display device capable of repairing a broken line when a gate line or a source line is broken, and a repairing method thereof. The purpose is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶表示装置
のアレイ形成工程において、ガラス基板上にゲートライ
ンを形成する工程と、前記ゲートライン上に第一の層間
絶縁膜を形成する工程と、前記第一の層間絶縁膜上に、
前記ゲートラインの直上および前記ゲートライン間に前
記ゲートラインと直交する方向に導電性ラインを形成す
る工程と、前記導電性ライン上に第二の層間絶縁膜を形
成する工程と、前記第二の層間絶縁膜上に、半導体層を
形成する工程と、前記半導体層上に、前記ゲートライン
と直交する方向に形成された前記導電性ラインの直上の
ソースライン、ソース電極、ドレイン電極を形成する工
程と、前記ソースライン上に第三の層間絶縁膜を形成す
る工程と、前記第三の層間絶縁膜に前記ドレイン電極と
画素を接続するためのコンタクトホールを形成する工程
と、前記第三の層間絶縁膜上のうち画素部に透明の導電
性膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
To achieve this object, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises a step of forming a gate line on a glass substrate in an array forming step of the liquid crystal display device, A step of forming a first interlayer insulating film on the gate line, and on the first interlayer insulating film,
Forming a conductive line directly above the gate line and between the gate lines in a direction orthogonal to the gate line; forming a second interlayer insulating film on the conductive line; A step of forming a semiconductor layer on the interlayer insulating film, and a step of forming a source line, a source electrode, and a drain electrode on the semiconductor layer directly above the conductive line formed in a direction orthogonal to the gate line. A step of forming a third interlayer insulating film on the source line, a step of forming a contact hole in the third interlayer insulating film for connecting the drain electrode and a pixel, and the third interlayer insulating film. A step of forming a transparent conductive film on the pixel portion of the insulating film.

【0009】本発明の液晶表示装置の製造方法において
は、ゲートラインまたはソースラインが、その形成過程
で断線している場合に、ガラス基板上面または裏面から
断線部分の両端部にレーザー光を照射することにより、
前記ゲートラインまたはソースラインを、当該ゲートラ
インとソースライン間に形成された導電性ラインとを導
通させて断線部分を修復することが可能となる。これに
より、断線が原因で生じる線欠陥を回避することができ
る。
In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, when the gate line or the source line is broken during the formation process, laser light is irradiated from the upper surface or the back surface of the glass substrate to both ends of the broken portion. By
The gate line or the source line can be electrically connected to the conductive line formed between the gate line and the source line to repair the disconnection portion. This makes it possible to avoid a line defect caused by the disconnection.

【0010】また、本発明は、液晶表示装置のアレイ形
成工程において、ゲートラインまたはソースラインが、
その形成過程で断線している場合に、ガラス基板上面ま
たは裏面から断線部分の両端部にレーザー光を照射する
ことにより、前記ゲートラインまたはソースラインを、
当該ゲートラインとソースライン間に形成された導電性
ラインとを導通させて断線部分を修復する修復方法を提
供する。これにより、断線が原因で生じる線欠陥を容易
に修復することができる。
Further, according to the present invention, in the array forming process of the liquid crystal display device, the gate line or the source line is
When the wire is broken in the process of forming the gate line or the source line, by irradiating the both ends of the broken part from the upper surface or the back surface of the glass substrate,
A repairing method for repairing a disconnection portion by electrically connecting a conductive line formed between the gate line and the source line. Thereby, the line defect caused by the disconnection can be easily repaired.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しながら説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】(実施の形態1)図1は、本発明の第1の
実施の形態を示す液晶表示装置の断面図である。図1に
おいて、101はガラス基板、102はゲートライン、
103は層間絶縁膜a、104は導電性ライン、105
は層間絶縁膜b、106は半導体層、107はソースパ
ターン、108は層間絶縁膜c、109は透明電極を示
す。また、図2には、本発明の第1の実施の形態である
平面図を示す。
(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal display device showing a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 101 is a glass substrate, 102 is a gate line,
103 is an interlayer insulating film a, 104 is a conductive line, 105
Is an interlayer insulating film b, 106 is a semiconductor layer, 107 is a source pattern, 108 is an interlayer insulating film c, and 109 is a transparent electrode. Further, FIG. 2 shows a plan view which is the first embodiment of the present invention.

【0013】本発明の液晶表示装置を製造する場合、ま
ず、ガラス基板101上に金属材料をスパッタ法により
形成した後、その上にフォトレジストを塗布する。フォ
トリソグラフィー法により、ゲートラインを形成する型
となるレジストパターンを形成し、そのレジストパター
ンを型としてドライエッチング法によりゲートライン1
02を形成する。
When manufacturing the liquid crystal display device of the present invention, first, a metal material is formed on the glass substrate 101 by a sputtering method, and then a photoresist is applied thereon. A resist pattern serving as a mold for forming the gate line is formed by photolithography, and the gate line 1 is formed by dry etching using the resist pattern as a mold.
02 is formed.

【0014】その後、ゲートライン102上に、層間絶
縁膜a103を形成する。層間絶縁膜a103として
は、シリコン窒化膜を用いる。
After that, an interlayer insulating film a103 is formed on the gate line 102. A silicon nitride film is used as the interlayer insulating film a103.

【0015】さらに、層間絶縁膜a103上に金属材料
をスパッタ法により堆積した後、フォトレジストを塗布
する。フォトリソグラフィー法により、導電性ラインを
形成する型となるレジストパターンを形成し、そのレジ
ストパターンを型としてドライエッチング法により導電
性ライン104を形成する。ここで、導電性ライン10
4は、ゲートラインの直上と、隣接ゲートライン間にゲ
ートラインと直交する方向に形成する。
Further, after depositing a metal material on the interlayer insulating film a103 by a sputtering method, a photoresist is applied. A resist pattern serving as a mold for forming a conductive line is formed by photolithography, and the conductive line 104 is formed by a dry etching method using the resist pattern as a mold. Here, the conductive line 10
4 is formed immediately above the gate line and between adjacent gate lines in a direction orthogonal to the gate line.

【0016】さらに、導電性ライン104上に、層間絶
縁膜b105を形成し、層間絶縁膜b105上に半導体
層106を形成する。
Further, an interlayer insulating film b105 is formed on the conductive line 104, and a semiconductor layer 106 is formed on the interlayer insulating film b105.

【0017】この半導体層106上に、ソースライン・
ソース電極・ドレイン電極のソースパターン107を形
成する。ソースパターン107も、ゲートライン102
と同様に、金属材料をスパッタ法により形成した後、そ
の上にフォトレジストを塗布する。フォトリソグラフィ
ー法により、ソースパターンを形成する型となるレジス
トパターンを形成し、そのレジストパターンを型とし
て、ドライエッチング法により形成する。ここで、ソー
スラインは、導電性ライン104の直上に形成される。
On the semiconductor layer 106, a source line
The source pattern 107 of the source electrode / drain electrode is formed. The source pattern 107 is also the gate line 102.
Similarly to the above, a metal material is formed by a sputtering method, and then a photoresist is applied thereon. A resist pattern serving as a mold for forming a source pattern is formed by a photolithography method, and the resist pattern is used as a mold by a dry etching method. Here, the source line is formed immediately above the conductive line 104.

【0018】さらに、ソースパターン107上に層間絶
縁膜c108を形成して、この層間絶縁膜c108に、
ドレイン電極と画素を接続するためのコンタクトホール
を形成する。
Further, an interlayer insulating film c108 is formed on the source pattern 107, and this interlayer insulating film c108 is
A contact hole for connecting the drain electrode and the pixel is formed.

【0019】最後に、層間絶縁膜c108上に透明電極
109を形成する。
Finally, a transparent electrode 109 is formed on the interlayer insulating film c108.

【0020】なお、本実施の形態においては、従来の液
晶表示装置の製造方法で使用されている材料や方法を、
適宜用いることができる。
In this embodiment, the materials and methods used in the conventional method for manufacturing a liquid crystal display device are
It can be used as appropriate.

【0021】(実施の形態2)図4は、本発明の第2の
実施の形態を示す平面図である。図4において、110
は断線部分、111はレーザー照射箇所を示す。
(Second Embodiment) FIG. 4 is a plan view showing a second embodiment of the present invention. In FIG. 4, 110
Indicates a disconnection portion, and 111 indicates a laser irradiation portion.

【0022】ソースライン107(またはゲートライン
102)が断線している場合、ガラス基板上面または裏
面から、断線部分110の両端にレーザー光を照射す
る。これにより、ゲートライン102とソースライン1
07間に形成された導電性ライン104とゲートライン
102(またはソースライン107)を、レーザー照射
箇所111を介して導通させることによって断線部分を
修復する。
When the source line 107 (or the gate line 102) is broken, laser light is applied to both ends of the broken portion 110 from the upper surface or the back surface of the glass substrate. As a result, the gate line 102 and the source line 1
The disconnection is repaired by electrically connecting the conductive line 104 and the gate line 102 (or the source line 107) formed between 07 through the laser irradiation portion 111.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の製造方法
は、ゲートラインまたはソースラインが断線している場
合に、ガラス基板上面または裏面から断線部分の両端に
レーザー光を照射することにより、ゲートライン−ソー
スライン間に形成された導電性ラインとゲートラインま
たはソースラインを導通させることで断線部分を修復す
ることができる、優れた液晶表示装置を提供できる。ま
た、本発明は優れた修復方法を実現できるものである。
As described above, according to the manufacturing method of the present invention, when the gate line or the source line is broken, the gate electrode is irradiated with laser light from the upper surface or the back surface of the glass substrate to both ends of the broken portion. It is possible to provide an excellent liquid crystal display device capable of repairing a disconnection portion by electrically connecting a conductive line formed between a line and a source line to a gate line or a source line. Further, the present invention can realize an excellent repair method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態である液晶表示装置
の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態である液晶表示装置
の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】従来の液晶表示装置の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device.

【図4】本発明の第2の実施の形態である修復方法を示
す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a repairing method according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 ガラス基板 102 ゲートライン 103 層間絶縁膜a 104 導電性ライン 105 層間絶縁膜b 106 半導体層 107 ソースパターン 108 層間絶縁膜c 109 透明電極 110 断線部分 111 レーザー照射箇所 201 ガラス基板 202 ゲートライン 203 層間絶縁膜A 204 半導体層 205 ソースパターン 206 層間絶縁膜B 207 透明電極 101 glass substrate 102 gate line 103 interlayer insulating film a 104 conductive line 105 interlayer insulating film b 106 semiconductor layer 107 Source pattern 108 interlayer insulating film c 109 transparent electrode 110 disconnection 111 Laser irradiation point 201 glass substrate 202 gate line 203 Interlayer insulating film A 204 semiconductor layer 205 source pattern 206 Interlayer insulation film B 207 transparent electrode

フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 JA24 JA37 JA41 JB22 JB31 JB73 MA52 NA15 NA29 5F033 GG04 HH00 PP15 VV01 VV15 XX36 5F110 AA27 BB01 CC07 DD02 EE02 EE44 HL02 HL23 NN02 NN24 NN72 Continued front page    F-term (reference) 2H092 JA24 JA37 JA41 JB22 JB31                       JB73 MA52 NA15 NA29                 5F033 GG04 HH00 PP15 VV01 VV15                       XX36                 5F110 AA27 BB01 CC07 DD02 EE02                       EE44 HL02 HL23 NN02 NN24                       NN72

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶表示装置のアレイ形成工程におい
て、 ガラス基板上にゲートラインを形成する工程と、 前記ゲートライン上に第一の層間絶縁膜を形成する工程
と、 前記第一の層間絶縁膜上に、前記ゲートラインの直上お
よび前記ゲートライン間に前記ゲートラインと直交する
方向に導電性ラインを形成する工程と、 前記導電性ライン上に第二の層間絶縁膜を形成する工程
と、 前記第二の層間絶縁膜上に、半導体層を形成する工程
と、 前記半導体層上に、前記ゲートラインと直交する方向に
形成された前記導電性ラインの直上のソースライン、ソ
ース電極、ドレイン電極を形成する工程と、 前記ソースライン上に第三の層間絶縁膜を形成する工程
と、 前記第三の層間絶縁膜に前記ドレイン電極と画素を接続
するためのコンタクトホールを形成する工程と、 前記第三の層間絶縁膜上のうち画素部に透明の導電性膜
を形成する工程と、を有することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
1. A step of forming a gate line on a glass substrate, a step of forming a first interlayer insulating film on the gate line, and a step of forming the first interlayer insulating film in an array forming step of a liquid crystal display device. Forming a conductive line directly above the gate line and between the gate lines in a direction orthogonal to the gate line; forming a second interlayer insulating film on the conductive line; A step of forming a semiconductor layer on the second interlayer insulating film, and a source line, a source electrode, and a drain electrode directly above the conductive line formed on the semiconductor layer in a direction orthogonal to the gate line. A step of forming, a step of forming a third interlayer insulating film on the source line, and a contact hole for connecting the drain electrode and the pixel to the third interlayer insulating film. Method of manufacturing a liquid crystal display device for forming, forming a transparent conductive film on the pixel portion of the said third interlayer insulating film, characterized in that it has a.
【請求項2】 請求項1に記載のゲートラインまたはソ
ースラインが、その形成過程で断線している場合に、ガ
ラス基板上面または裏面から断線部分の両端部にレーザ
ー光を照射することにより、前記ゲートラインまたはソ
ースラインを、当該ゲートラインとソースライン間に形
成された導電性ラインとを導通させて断線部分を修復す
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. When the gate line or the source line according to claim 1 is broken in the process of forming the gate line or the source line, the both ends of the broken portion are irradiated with laser light from the upper surface or the back surface of the glass substrate, A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: connecting a gate line or a source line to a conductive line formed between the gate line and the source line to repair a disconnection portion.
【請求項3】 液晶表示装置のアレイ形成工程におい
て、ゲートラインまたはソースラインが、その形成過程
で断線している場合に、ガラス基板上面または裏面から
断線部分の両端部にレーザー光を照射することにより、
前記ゲートラインまたはソースラインを、当該ゲートラ
インとソースライン間に形成された導電性ラインとを導
通させて断線部分を修復することを特徴とする修復方
法。
3. In the process of forming an array of a liquid crystal display device, if the gate line or the source line is broken during the process of forming the array, laser light is irradiated from the upper surface or the back surface of the glass substrate to both ends of the broken portion. Due to
A method of repairing, characterized in that the gate line or the source line is electrically connected to a conductive line formed between the gate line and the source line to repair the disconnection portion.
JP2002022215A 2002-01-30 2002-01-30 Method for manufacturing liquid crystal display device and repairing method therefor Withdrawn JP2003222905A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002022215A JP2003222905A (en) 2002-01-30 2002-01-30 Method for manufacturing liquid crystal display device and repairing method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002022215A JP2003222905A (en) 2002-01-30 2002-01-30 Method for manufacturing liquid crystal display device and repairing method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003222905A true JP2003222905A (en) 2003-08-08

Family

ID=27745260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002022215A Withdrawn JP2003222905A (en) 2002-01-30 2002-01-30 Method for manufacturing liquid crystal display device and repairing method therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003222905A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006171610A (en) * 2004-12-20 2006-06-29 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CN100339744C (en) * 2004-12-03 2007-09-26 友达光电股份有限公司 Method for repairing circuit in external lead area of display panel
WO2008026352A1 (en) * 2006-09-01 2008-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing display and display
CN100403144C (en) * 2003-12-03 2008-07-16 三星电子株式会社 Thin film transistor array panel for display
CN102169267A (en) * 2011-05-23 2011-08-31 深圳市华星光电技术有限公司 Flat display panel and repairing method thereof
US20120256316A1 (en) * 2011-04-06 2012-10-11 E Ink Holdings Inc. Signal line structure of a flat display
US20140029228A1 (en) * 2012-07-24 2014-01-30 Mitsubishi Electric Corporation Display panel and display device
US8866985B2 (en) 2011-05-23 2014-10-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and repair method thereof
CN105044948A (en) * 2015-09-10 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, restoring method for same and display panel
CN111146182A (en) * 2020-02-14 2020-05-12 深圳第三代半导体研究院 Micro-fine line repairing material and repairing method thereof

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100403144C (en) * 2003-12-03 2008-07-16 三星电子株式会社 Thin film transistor array panel for display
CN100339744C (en) * 2004-12-03 2007-09-26 友达光电股份有限公司 Method for repairing circuit in external lead area of display panel
JP2006171610A (en) * 2004-12-20 2006-06-29 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
WO2008026352A1 (en) * 2006-09-01 2008-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing display and display
US20120256316A1 (en) * 2011-04-06 2012-10-11 E Ink Holdings Inc. Signal line structure of a flat display
CN102737569A (en) * 2011-04-06 2012-10-17 元太科技工业股份有限公司 Signal line structure
TWI457673B (en) * 2011-04-06 2014-10-21 E Ink Holdings Inc Signal line structure
US9182641B2 (en) * 2011-04-06 2015-11-10 E Ink Holdings Inc. Signal line structure of a flat display
US9377661B2 (en) 2011-05-23 2016-06-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and repair method thereof
CN102169267A (en) * 2011-05-23 2011-08-31 深圳市华星光电技术有限公司 Flat display panel and repairing method thereof
CN102169267B (en) * 2011-05-23 2013-04-24 深圳市华星光电技术有限公司 Flat display panel and repairing method thereof
US8866985B2 (en) 2011-05-23 2014-10-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and repair method thereof
US20140029228A1 (en) * 2012-07-24 2014-01-30 Mitsubishi Electric Corporation Display panel and display device
CN105044948A (en) * 2015-09-10 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, restoring method for same and display panel
WO2017041445A1 (en) * 2015-09-10 2017-03-16 京东方科技集团股份有限公司 Repair circuit, display substrate and corresponding display panel and repair method
CN111146182A (en) * 2020-02-14 2020-05-12 深圳第三代半导体研究院 Micro-fine line repairing material and repairing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI331247B (en) Pixel sturctur and repairing method thereof
US8633066B2 (en) Thin film transistor with reduced edge slope angle, array substrate and having the thin film transistor and manufacturing method thereof
JP2007005757A (en) Thin film transistor, its manufacturing method, liquid crystal display device, and its manufacturing method
JP2009128761A (en) Substrate device and method for manufacturing the same, and display device
JP2003222905A (en) Method for manufacturing liquid crystal display device and repairing method therefor
JP2003195329A (en) Display device and its manufacturing method
US20160336360A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof
TW466773B (en) Manufacturing method of thin film transistor liquid crystal display
US6436743B1 (en) Method of preventing electrical shorts
JP2007183556A (en) Method of manufcturing pixel structure
TWI289361B (en) Liquid crystal display device using thin film transistor and method for manufacturing the same
JP3332005B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
CN103293803B (en) Array base palte and manufacture method thereof for FFS mode liquid crystal display
JPH1010525A (en) Reflection type substrate, its manufacture and reflection type liquid crystal display device
US7675088B2 (en) Manufacturing method of thin film transistor array substrate
JP3724787B2 (en) Electrode substrate, method for producing the same, and liquid crystal display device including the electrode substrate
JP2005301162A (en) Display device and manufacturing method therefor
JP3805754B2 (en) Active matrix substrate and manufacturing method thereof
JP2938895B2 (en) Display device manufacturing method
JP4052804B2 (en) Electrode substrate and method for producing electrode substrate
US20060098133A1 (en) Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
JP2001217245A (en) Electronic component and its manufacturing method
TWI379135B (en) Pixel structure and repair method thereof, display panel and repair method thereof, and electro-optical apparatus and repair method thereof
TW594320B (en) Manufacturing method and structure of copper lines for a liquid crystal panel
TWI360713B (en) Pixel structure, thin film transistor and manufact

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050405