JP2003218635A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JP2003218635A JP2003218635A JP2002008812A JP2002008812A JP2003218635A JP 2003218635 A JP2003218635 A JP 2003218635A JP 2002008812 A JP2002008812 A JP 2002008812A JP 2002008812 A JP2002008812 A JP 2002008812A JP 2003218635 A JP2003218635 A JP 2003218635A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミリ波帯において安定かつ低位相雑音の電圧
制御発振器を提供する。 【解決手段】 周波数変更可能な同調回路部１と、発振
回路部３とを備え、発振回路部３を、エミッタ又はソー
ス端子が接地された第１のトランジスタ２９のコレクタ
又はドレイン端子と、交流的にベース又はゲート端子が
接地された第２のトランジスタ３０とを接続したカスコ
ード型トランジスタにより構成する。
制御発振器を提供する。 【解決手段】 周波数変更可能な同調回路部１と、発振
回路部３とを備え、発振回路部３を、エミッタ又はソー
ス端子が接地された第１のトランジスタ２９のコレクタ
又はドレイン端子と、交流的にベース又はゲート端子が
接地された第２のトランジスタ３０とを接続したカスコ
ード型トランジスタにより構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話端末など
のマイクロ波、ミリ波帯無線の高周波通信装置などで好
適に使用される電圧制御発振器に関し、特に２つのトラ
ンジスタを直流的に接続したカスコード型トランジスタ
を用いた電圧制御発振器に関する。
のマイクロ波、ミリ波帯無線の高周波通信装置などで好
適に使用される電圧制御発振器に関し、特に２つのトラ
ンジスタを直流的に接続したカスコード型トランジスタ
を用いた電圧制御発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧制御発振器は、高周波無線通信機の
局部発振信号を発生させる周波数シンセサイザの発振信
号源として一般に用いられ、電圧によって発振周波数を
変化させる機能を有している。また、通常、これらの電
圧制御発振器においては、発振電力や発振周波数の変動
を抑えることが必要である。
局部発振信号を発生させる周波数シンセサイザの発振信
号源として一般に用いられ、電圧によって発振周波数を
変化させる機能を有している。また、通常、これらの電
圧制御発振器においては、発振電力や発振周波数の変動
を抑えることが必要である。
【０００３】一般に電圧制御発振器は、発振回路部、同
調回路部、バッファ増幅回路部により構成される。発振
回路部の構成としては、並列帰還型や直列帰還型のもの
がある。また、トランジスタの接地方式についても、エ
ミッタ（ソース）接地、ベース（ゲート）接地、コレク
タ（ドレイン）接地型のものが知られている。
調回路部、バッファ増幅回路部により構成される。発振
回路部の構成としては、並列帰還型や直列帰還型のもの
がある。また、トランジスタの接地方式についても、エ
ミッタ（ソース）接地、ベース（ゲート）接地、コレク
タ（ドレイン）接地型のものが知られている。
【０００４】同調回路部の構成としては、共振回路部と
可変容量素子を用いて構成されることが多く、可変容量
素子の容量値を制御することにより発振周波数を変更可
能としている。
可変容量素子を用いて構成されることが多く、可変容量
素子の容量値を制御することにより発振周波数を変更可
能としている。
【０００５】さらに、通常出力部には、負荷変動を軽減
するためのバッファ増幅回路が設けられる。
するためのバッファ増幅回路が設けられる。
【０００６】一方、直流電流を消費するトランジスタを
有する発振回路部とバッファ増幅回路部の消費電流を低
減するために、それらの回路の必要な直流電流が、発振
回路部とバッファ増幅回路部に直列に流れるように縦続
接続したカスコード接続型の電圧制御発振器が存在す
る。
有する発振回路部とバッファ増幅回路部の消費電流を低
減するために、それらの回路の必要な直流電流が、発振
回路部とバッファ増幅回路部に直列に流れるように縦続
接続したカスコード接続型の電圧制御発振器が存在す
る。
【０００７】図９は、特開平７−２２１５４５号に記載
されている従来のカスコード接続型の電圧制御発振器を
示したものである。この電圧制御発振器１０ｘは、主に
発振回路部１０１、共振回路部１００、バッファ増幅回
路部１０２により構成され、発振回路部１０１を構成す
るトランジスタ１０３に流れた直流電流がバッファ増幅
回路部１０２を構成するトランジスタ１０４に流れるよ
うにカスコード接続されている。発振回路部１０１で
は、容量素子１０５，１０６，１０７により帰還ループ
が形成されており、発振信号は、容量素子１０８により
バッファ増幅回路部１０２に入力され、バッファ増幅回
路部１０２の出力端子１０９より取り出される。また、
発振器が発振するためには、容量素子１０５，１０６，
１０７を適切に定めることにより所望の周波数におい
て、Ｆ点より発振回路部を見た反射係数「ｔが、負性抵
抗特性（｜「ｔ｜＞１（｜「ｔ｜は「ｔの大きさを示
す。））になるようにする必要がある。これは、発振器
が発振するための条件が、 ｜「ｒ｜×｜「ｔ｜＞１ （１） ∠「ｒ＋∠「ｔ＝２×ｎ×π （２） と表されるためである。ここで、「ｒは、Ｆ点より共振
回路側を見込んだ反射係数、｜「ｒ｜は「ｒの大きさ、
∠「ｒは「ｒの位相、∠「ｔは「ｔの位相、ｎは整数を
それぞれ表している。
されている従来のカスコード接続型の電圧制御発振器を
示したものである。この電圧制御発振器１０ｘは、主に
発振回路部１０１、共振回路部１００、バッファ増幅回
路部１０２により構成され、発振回路部１０１を構成す
るトランジスタ１０３に流れた直流電流がバッファ増幅
回路部１０２を構成するトランジスタ１０４に流れるよ
うにカスコード接続されている。発振回路部１０１で
は、容量素子１０５，１０６，１０７により帰還ループ
が形成されており、発振信号は、容量素子１０８により
バッファ増幅回路部１０２に入力され、バッファ増幅回
路部１０２の出力端子１０９より取り出される。また、
発振器が発振するためには、容量素子１０５，１０６，
１０７を適切に定めることにより所望の周波数におい
て、Ｆ点より発振回路部を見た反射係数「ｔが、負性抵
抗特性（｜「ｔ｜＞１（｜「ｔ｜は「ｔの大きさを示
す。））になるようにする必要がある。これは、発振器
が発振するための条件が、 ｜「ｒ｜×｜「ｔ｜＞１ （１） ∠「ｒ＋∠「ｔ＝２×ｎ×π （２） と表されるためである。ここで、「ｒは、Ｆ点より共振
回路側を見込んだ反射係数、｜「ｒ｜は「ｒの大きさ、
∠「ｒは「ｒの位相、∠「ｔは「ｔの位相、ｎは整数を
それぞれ表している。
【０００８】また、共振回路部１００の共振周波数は、
所望の発振周波数に設定されており、この共振回路部に
可変容量素子を設けることにより、発振周波数を変更可
能としている。
所望の発振周波数に設定されており、この共振回路部に
可変容量素子を設けることにより、発振周波数を変更可
能としている。
【０００９】このように、従来のカスコード接続型の電
圧制御発振器１０ｘでは、カスコード接続された２つの
トランジスタ１０３、１０４のうち、トランジスタ１０
３は発振回路部１０１を、また、トランジスタ１０４は
バッファ増幅回路部１０２をそれぞれ個別に構成してい
る。
圧制御発振器１０ｘでは、カスコード接続された２つの
トランジスタ１０３、１０４のうち、トランジスタ１０
３は発振回路部１０１を、また、トランジスタ１０４は
バッファ増幅回路部１０２をそれぞれ個別に構成してい
る。
【００１０】しかし、高い周波数、例えば、ミリ波帯
（２０〜３００ＧＨｚ）の発振器を構成しようとした場
合、発振回路部をトランジスタ１０３のみで構成したの
では、そのような周波数帯においてトランジスタ１０３
の有する利得が小さいために、安定、かつ低位相雑音特
性の発振回路部を構成することが困難になる。
（２０〜３００ＧＨｚ）の発振器を構成しようとした場
合、発振回路部をトランジスタ１０３のみで構成したの
では、そのような周波数帯においてトランジスタ１０３
の有する利得が小さいために、安定、かつ低位相雑音特
性の発振回路部を構成することが困難になる。
【００１１】また、高い周波数になるにしたがい、トラ
ンジスタ１０３の有する入出力帰還成分のために、トラ
ンジスタ１０３自身のアイソレーション特性が劣化す
る。その結果、帰還ループを逆流する成分が増し、発振
回路部周辺の回路特性が、位相雑音特性を劣化させた
り、所望の発振周波数や発振出力を得ることが困難にな
る。例えば、電源やバッファ増幅器１０２の特性変動に
より、トランジスタ１０３自身の帰還成分を介して、反
射係数「ｔが変動してしまい、その結果発振周波数およ
び発振出力の変動による不安定動作を招くとともに、所
望の発振周波数での発振条件となる帰還回路を高精度に
設計することが難しくなり、低位相雑音特性を実現する
ことが困難であった。
ンジスタ１０３の有する入出力帰還成分のために、トラ
ンジスタ１０３自身のアイソレーション特性が劣化す
る。その結果、帰還ループを逆流する成分が増し、発振
回路部周辺の回路特性が、位相雑音特性を劣化させた
り、所望の発振周波数や発振出力を得ることが困難にな
る。例えば、電源やバッファ増幅器１０２の特性変動に
より、トランジスタ１０３自身の帰還成分を介して、反
射係数「ｔが変動してしまい、その結果発振周波数およ
び発振出力の変動による不安定動作を招くとともに、所
望の発振周波数での発振条件となる帰還回路を高精度に
設計することが難しくなり、低位相雑音特性を実現する
ことが困難であった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明が
解決しようとする技術的課題は、ミリ波帯において安定
かつ低位相雑音の電圧制御発振器を提供することであ
る。
解決しようとする技術的課題は、ミリ波帯において安定
かつ低位相雑音の電圧制御発振器を提供することであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段および作用・効果】本発明
は、上記技術的課題を解決するために、以下の構成の電
圧制御発振器を提供する。
は、上記技術的課題を解決するために、以下の構成の電
圧制御発振器を提供する。
【００１４】電圧制御発振器は、発振回路部と、周波数
を変更可能な同調回路部とを備えたものである。そし
て、前記発振回路部は、エミッタ又はソースを接地端子
とする第１のトランジスタのコレクタ又はドレインと、
ベース又はゲート端子が交流的に接地された第２のトラ
ンジスタのエミッタ又はソースがカスコード接続され
た、カスコード型トランジスタを備えている。
を変更可能な同調回路部とを備えたものである。そし
て、前記発振回路部は、エミッタ又はソースを接地端子
とする第１のトランジスタのコレクタ又はドレインと、
ベース又はゲート端子が交流的に接地された第２のトラ
ンジスタのエミッタ又はソースがカスコード接続され
た、カスコード型トランジスタを備えている。
【００１５】上記構成において、発振回路部を構成する
カスコード型トランジスタは、ミリ波帯において高利得
であるため、安定な発振回路部を構成することができ
る。また、２つの第１及び第２のトランジスタを一体と
して使用するため、回路の小型化が容易である。
カスコード型トランジスタは、ミリ波帯において高利得
であるため、安定な発振回路部を構成することができ
る。また、２つの第１及び第２のトランジスタを一体と
して使用するため、回路の小型化が容易である。
【００１６】さらに、発振回路部を構成するカスコード
型トランジスタは、トランジスタ自身の入出力帰還成分
が小さく、帰還成分を制御することが容易となる。例え
ば、所望の発振周波数で発振条件となる帰還回路を高精
度で設計することが可能であり、高い負荷Ｑ値と低位相
雑音特性を実現することができる。
型トランジスタは、トランジスタ自身の入出力帰還成分
が小さく、帰還成分を制御することが容易となる。例え
ば、所望の発振周波数で発振条件となる帰還回路を高精
度で設計することが可能であり、高い負荷Ｑ値と低位相
雑音特性を実現することができる。
【００１７】また、本発明は、以下の構成の電圧制御発
振器を提供する。
振器を提供する。
【００１８】電圧制御発振器は、発振回路部と、共振回
路部と、電圧供給回路とを備えたものである。そして、
前記発振回路部は、エミッタ又はソースを接地端子とす
る第１のトランジスタのコレクタ又はドレインと、ベー
ス又はゲート端子が交流的に接地された第２のトランジ
スタのエミッタ又はソースがカスコード接続された、カ
スコード型トランジスタを備え、電圧供給回路は、前記
発振回路部の第２のトランジスタのベース又はゲート端
子の直流電位を変更できるように構成されている。
路部と、電圧供給回路とを備えたものである。そして、
前記発振回路部は、エミッタ又はソースを接地端子とす
る第１のトランジスタのコレクタ又はドレインと、ベー
ス又はゲート端子が交流的に接地された第２のトランジ
スタのエミッタ又はソースがカスコード接続された、カ
スコード型トランジスタを備え、電圧供給回路は、前記
発振回路部の第２のトランジスタのベース又はゲート端
子の直流電位を変更できるように構成されている。
【００１９】上記構成において、第２のトランジスタの
ベース電位を変更可能とし、第１のトランジスタ及び第
２のトランジスタにおけるベース−コレクタ接合容量を
制御することにより発振周波数を変更することが可能と
なる。そのため、可変容量素子を別途設ける必要がなく
なり、回路の簡素化が可能である。また、カスコード型
トランジスタに流れる電流は、第１のトランジスタのエ
ミッタ−ベース間電圧によりほぼ決定されるため、第２
のトランジスタのベース電位を変更した場合の電流値の
変化は小さく、安定した発振出力を得ることができる。
ベース電位を変更可能とし、第１のトランジスタ及び第
２のトランジスタにおけるベース−コレクタ接合容量を
制御することにより発振周波数を変更することが可能と
なる。そのため、可変容量素子を別途設ける必要がなく
なり、回路の簡素化が可能である。また、カスコード型
トランジスタに流れる電流は、第１のトランジスタのエ
ミッタ−ベース間電圧によりほぼ決定されるため、第２
のトランジスタのベース電位を変更した場合の電流値の
変化は小さく、安定した発振出力を得ることができる。
【００２０】本発明の電圧制御発振器は、具体的には以
下のように種々の態様で構成することができる。
下のように種々の態様で構成することができる。
【００２１】上記各構成において、好ましくは、電圧制
御発振器は、前記第１のトランジスタのエミッタ又はソ
ース端子部分に、前記エミッタ又はソース端子を交流的
に設置するための回路をさらに備える。
御発振器は、前記第１のトランジスタのエミッタ又はソ
ース端子部分に、前記エミッタ又はソース端子を交流的
に設置するための回路をさらに備える。
【００２２】上記構成によれば、第１のトランジスタの
接地すべき端子に、所望の周波数において接地となる回
路を付加することにより、接地インダクタンスなどの寄
生成分の影響を低減し、カスコード型トランジスタの利
得の高周波特性を改善することができる。したがって、
高い周波数において用いられる電圧制御発振器を容易に
実現することが可能となる。
接地すべき端子に、所望の周波数において接地となる回
路を付加することにより、接地インダクタンスなどの寄
生成分の影響を低減し、カスコード型トランジスタの利
得の高周波特性を改善することができる。したがって、
高い周波数において用いられる電圧制御発振器を容易に
実現することが可能となる。
【００２３】好ましくは、電圧制御発振器は、ｎ次高調
波（ｎは整数）発生回路又はバッファ増幅回路の少なく
とも１つからなる出力回路部をさらに備える。
波（ｎは整数）発生回路又はバッファ増幅回路の少なく
とも１つからなる出力回路部をさらに備える。
【００２４】上記構成によれば、ｎ次高調波（ｎは整
数）を出力部に設けることにより、低位相雑音発振波の
ｎ次高調波を出力することが可能となる。また、バッフ
ァ増幅回路を出力部に設けることにより、発振回路部の
負荷変動の影響を低減し、低位相雑音かつ高安定、高出
力とすることが可能である。
数）を出力部に設けることにより、低位相雑音発振波の
ｎ次高調波を出力することが可能となる。また、バッフ
ァ増幅回路を出力部に設けることにより、発振回路部の
負荷変動の影響を低減し、低位相雑音かつ高安定、高出
力とすることが可能である。
【００２５】好ましくは、電圧制御発振器は、前記第１
のトランジスタ又は前記第２のトランジスタの接地端子
部に、先端開放（又は短絡）の伝送線路を備える。
のトランジスタ又は前記第２のトランジスタの接地端子
部に、先端開放（又は短絡）の伝送線路を備える。
【００２６】上記構成によれば、第１のトランジスタ又
は第２のトランジスタの接地端子部分に先端開放（又は
短絡）の伝送線路を設けることにより、所望の周波数に
おいて交流的に接地することが可能であり、接地インダ
クタンスなどの寄生成分による利得の低下を防止するこ
とが可能である。また、前記伝送線路の長さを調節する
ことにより、所望の周波数にて、前記伝送線路の特性を
誘導性や容量性とすることができ、より大きな負性抵抗
が得られるように調整することができる。
は第２のトランジスタの接地端子部分に先端開放（又は
短絡）の伝送線路を設けることにより、所望の周波数に
おいて交流的に接地することが可能であり、接地インダ
クタンスなどの寄生成分による利得の低下を防止するこ
とが可能である。また、前記伝送線路の長さを調節する
ことにより、所望の周波数にて、前記伝送線路の特性を
誘導性や容量性とすることができ、より大きな負性抵抗
が得られるように調整することができる。
【００２７】好ましくは、前記第１又は第２のトランジ
スタの少なくとも一方は、へテロ接合バイポーラトラン
ジスタである。
スタの少なくとも一方は、へテロ接合バイポーラトラン
ジスタである。
【００２８】ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、高
周波特性が優れかつ１／ｆ雑音が小さいため、電圧制御
発振器の位相雑音をより低減することができる。さらに
へテロ接合バイポーラトランジスタは電力密度が大き
く、これを用いてカスコード型トランジスタを構成した
場合には、所望の出力を得るための素子サイズが小さく
てすむ。したがって、寄生成分が小さく、より入出力帰
還成分を低減することが可能である。
周波特性が優れかつ１／ｆ雑音が小さいため、電圧制御
発振器の位相雑音をより低減することができる。さらに
へテロ接合バイポーラトランジスタは電力密度が大き
く、これを用いてカスコード型トランジスタを構成した
場合には、所望の出力を得るための素子サイズが小さく
てすむ。したがって、寄生成分が小さく、より入出力帰
還成分を低減することが可能である。
【００２９】好ましくは、本発明の電圧制御発振器は構
成回路を少なくとも部分的に化合物半導体基板上に集積
する。
成回路を少なくとも部分的に化合物半導体基板上に集積
する。
【００３０】上記構成によれば、化合物半導体基板上で
は、高いＱ値と低位相雑音特性を得ることが困難である
が、発振回路部をカスコード型トランジスタにより構成
することにより、トランジスタ自身の入出力帰還成分を
低減することができるため、化合物半導体基板上でも低
位相雑音特性を実現することができる。
は、高いＱ値と低位相雑音特性を得ることが困難である
が、発振回路部をカスコード型トランジスタにより構成
することにより、トランジスタ自身の入出力帰還成分を
低減することができるため、化合物半導体基板上でも低
位相雑音特性を実現することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態に係る
電圧制御発振器について、図面を参照しながら説明す
る。
電圧制御発振器について、図面を参照しながら説明す
る。
【００３２】図１は、本発明の第１実施形態にかかる電
圧制御発振器の回路構造を示す図である。また、図２は
図１の電圧制御発振器の構成を示すブロック図である。
図１に示すように電圧制御発振器１０ａは、同調回路部
１と発振回路部３が直列に接続され、さらに同調回路部
１と出力回路部２とが接続されており、前記出力回路部
２の出力端子２７より発振出力を取り出す構成である。
ここで、発振回路部３は、後述するように２つのトラン
ジスタが接続された構成を有する。すなわち、図２に示
すように、同調回路部１とカスコード型トランジスタを
用いた発振回路部３とを直列に接続し、さらに、同調回
路部１と出力回路部２とを接続し、前記出力回路部２の
出力端子２７より発振出力を取り出す構成である。
圧制御発振器の回路構造を示す図である。また、図２は
図１の電圧制御発振器の構成を示すブロック図である。
図１に示すように電圧制御発振器１０ａは、同調回路部
１と発振回路部３が直列に接続され、さらに同調回路部
１と出力回路部２とが接続されており、前記出力回路部
２の出力端子２７より発振出力を取り出す構成である。
ここで、発振回路部３は、後述するように２つのトラン
ジスタが接続された構成を有する。すなわち、図２に示
すように、同調回路部１とカスコード型トランジスタを
用いた発振回路部３とを直列に接続し、さらに、同調回
路部１と出力回路部２とを接続し、前記出力回路部２の
出力端子２７より発振出力を取り出す構成である。
【００３３】ここで、同調回路部１は、主に長さが概ね
ｎ×λｇ／４（ｎは整数、λｇは発振信号の波長）であ
る結合線路よりなる共振回路４と可変容量素子５により
構成されている。また、可変容量素子５の一端より引き
出された端子２５に所望の電圧を印加することにより、
可変容量素子５の容量を制御し、発振周波数を変更可能
としている。
ｎ×λｇ／４（ｎは整数、λｇは発振信号の波長）であ
る結合線路よりなる共振回路４と可変容量素子５により
構成されている。また、可変容量素子５の一端より引き
出された端子２５に所望の電圧を印加することにより、
可変容量素子５の容量を制御し、発振周波数を変更可能
としている。
【００３４】また、発振回路部３は、主に、エミッタ端
子が接地されたトランジスタ２９のコレクタ端子と、ベ
ース端子が容量素子１６により交流的に接地されたトラ
ンジスタ３０のエミッタ端子とを伝送線路１１を介して
直流的に接続したカスコード型トランジスタにより構成
している。
子が接地されたトランジスタ２９のコレクタ端子と、ベ
ース端子が容量素子１６により交流的に接地されたトラ
ンジスタ３０のエミッタ端子とを伝送線路１１を介して
直流的に接続したカスコード型トランジスタにより構成
している。
【００３５】さらに、前記共振回路の端子４ｃに、伝送
線路７ａ及び伝送線路７ｂを介して、バッファ増幅回
路、又はｎ次高調波発生回路（ｎは整数）の少なくとも
１つよりなる出力回路部２が接続され、出力回路部２の
出力端子２７より発振出力を取り出す構成としている。
線路７ａ及び伝送線路７ｂを介して、バッファ増幅回
路、又はｎ次高調波発生回路（ｎは整数）の少なくとも
１つよりなる出力回路部２が接続され、出力回路部２の
出力端子２７より発振出力を取り出す構成としている。
【００３６】また、前記カスコード型トランジスタは、
共振回路の端子４ａに接続している伝送線路６の一端に
接続された端子２４に印加した電圧を、第１のトランジ
スタ２９のベース端子に供給し、また、端子２６に印加
した電圧を第２のトランジスタ３０のコレクタ端子に供
給し、また、端子２８に印加した電圧を第２のトランジ
スタ３０のベース端子に供給することにより動作する。
共振回路の端子４ａに接続している伝送線路６の一端に
接続された端子２４に印加した電圧を、第１のトランジ
スタ２９のベース端子に供給し、また、端子２６に印加
した電圧を第２のトランジスタ３０のコレクタ端子に供
給し、また、端子２８に印加した電圧を第２のトランジ
スタ３０のベース端子に供給することにより動作する。
【００３７】ここで、第１のトランジスタ２９と第２の
トランジスタ３０よりなるカスコード型トランジスタ、
伝送線路９、伝送線路１２及び同調回路部１によって帰
還ループが構成されており、伝送線路９、伝送線路１２
及び伝送線路１１の長さを調節することにより、所望の
周波数で発振するように位相の調整を行うことができ
る。前記帰還ループを構成するカスコード型トランジス
タは、第１のトランジスタと第２のトランジスタを用い
て構成しているため、２つのトランジスタでの位相変化
を利用することにより前記位相調整のための伝送線路
９,１２の長さを短くすることが可能であり、回路の小
型化が可能となる。
トランジスタ３０よりなるカスコード型トランジスタ、
伝送線路９、伝送線路１２及び同調回路部１によって帰
還ループが構成されており、伝送線路９、伝送線路１２
及び伝送線路１１の長さを調節することにより、所望の
周波数で発振するように位相の調整を行うことができ
る。前記帰還ループを構成するカスコード型トランジス
タは、第１のトランジスタと第２のトランジスタを用い
て構成しているため、２つのトランジスタでの位相変化
を利用することにより前記位相調整のための伝送線路
９,１２の長さを短くすることが可能であり、回路の小
型化が可能となる。
【００３８】また、帰還ループ内に同調回路部１を備え
ており、所望の周波数で発振させることが可能であると
ともに、位相雑音を低減することができる。
ており、所望の周波数で発振させることが可能であると
ともに、位相雑音を低減することができる。
【００３９】さらに、カスコード型トランジスタを用い
ることにより、トランジスタ自身が有する入出力帰還成
分を非常に小さくすることが可能であり、前記帰還ルー
プにおいて、信号の流れを一方向化させることができ、
容易に帰還量を制御することができる。そのため、不要
な雑音の発生を抑制することが可能となり、高いＱ値と
低位相雑音特性を実現することができる。
ることにより、トランジスタ自身が有する入出力帰還成
分を非常に小さくすることが可能であり、前記帰還ルー
プにおいて、信号の流れを一方向化させることができ、
容易に帰還量を制御することができる。そのため、不要
な雑音の発生を抑制することが可能となり、高いＱ値と
低位相雑音特性を実現することができる。
【００４０】次に図３を参照して本発明の第２実施形態
にかかる電圧制御装置について説明する。図３は、本発
明の第２実施形態にかかる電圧制御装置の回路構造を示
す図である。電圧制御装置１０ｂは、図３に示すよう
に、共振回路部４とカスコード型トランジスタを用いた
発振回路部３とは直列に接続され、さらに共振回路部４
と出力回路部２とを接続し、前記出力回路部２の出力端
子２７より発振出力を取り出す構成としている。
にかかる電圧制御装置について説明する。図３は、本発
明の第２実施形態にかかる電圧制御装置の回路構造を示
す図である。電圧制御装置１０ｂは、図３に示すよう
に、共振回路部４とカスコード型トランジスタを用いた
発振回路部３とは直列に接続され、さらに共振回路部４
と出力回路部２とを接続し、前記出力回路部２の出力端
子２７より発振出力を取り出す構成としている。
【００４１】共振回路部４は、長さが概ねｎ×λｇ／４
（ｎは整数、λｇは発振信号の波長）である非対称結合
線路により構成され、また、発振回路部３はカスコード
型トランジスタにより構成されている。さらに、前記共
振回路部４の端子４ｃより取り出された発振出力を、バ
ッファ増幅回路、又は、ｎ次高調波発生回路（ｎは整
数）の少なくとも１つよりなる出力回路部２の出力端子
２７より取り出す構成としている。
（ｎは整数、λｇは発振信号の波長）である非対称結合
線路により構成され、また、発振回路部３はカスコード
型トランジスタにより構成されている。さらに、前記共
振回路部４の端子４ｃより取り出された発振出力を、バ
ッファ増幅回路、又は、ｎ次高調波発生回路（ｎは整
数）の少なくとも１つよりなる出力回路部２の出力端子
２７より取り出す構成としている。
【００４２】ここで、発振周波数の変更は、端子２８に
加える電圧により第２のトランジスタのベース端子に供
給される電圧を制御し、第１のトランジスタ２９及び第
２のトランジスタ３０における素子内部のベース−コレ
クタ接合容量を変更することにより行われる。このよう
に構成することにより、可変容量素子を別途設ける必要
がなく、回路を簡素化することができる。
加える電圧により第２のトランジスタのベース端子に供
給される電圧を制御し、第１のトランジスタ２９及び第
２のトランジスタ３０における素子内部のベース−コレ
クタ接合容量を変更することにより行われる。このよう
に構成することにより、可変容量素子を別途設ける必要
がなく、回路を簡素化することができる。
【００４３】また、カスコード型トランジスタを構成す
る第２のトランジスタ３０のベース端子には、所望の発
振周波数において概ねλｇ／４の長さよりなる先端開放
の伝送線路１３が設けられている。この先端開放の伝送
線路１３を設けることにより、ベース端子は発振周波数
近傍において接地となるため、接地インダクタンスなど
の寄生成分の影響を小さくすることができる。その結
果、カスコード型トランジスタの利得が向上し、より安
定した発振動作を実現することができ、位相雑音を低減
することができる。また、伝送線路１３の長さを調整す
ることにより、発振周波数の微調整を行うことができ
る。
る第２のトランジスタ３０のベース端子には、所望の発
振周波数において概ねλｇ／４の長さよりなる先端開放
の伝送線路１３が設けられている。この先端開放の伝送
線路１３を設けることにより、ベース端子は発振周波数
近傍において接地となるため、接地インダクタンスなど
の寄生成分の影響を小さくすることができる。その結
果、カスコード型トランジスタの利得が向上し、より安
定した発振動作を実現することができ、位相雑音を低減
することができる。また、伝送線路１３の長さを調整す
ることにより、発振周波数の微調整を行うことができ
る。
【００４４】カスコード型トランジスタを構成する第１
のトランジスタ２９のエミッタ端子は接地されている
が、周波数が高くなるにしたがって接地インダクタンス
などの寄生成分の影響が大きくなる。よって、所望の発
振周波数において概ねλｇ／４の長さよりなる先端開放
の伝送線路を設け、交流的にも接地をすることがより好
ましい。
のトランジスタ２９のエミッタ端子は接地されている
が、周波数が高くなるにしたがって接地インダクタンス
などの寄生成分の影響が大きくなる。よって、所望の発
振周波数において概ねλｇ／４の長さよりなる先端開放
の伝送線路を設け、交流的にも接地をすることがより好
ましい。
【００４５】次に図４及び図５を用いて、本発明の第３
実施形態にかかる電圧制御発振器１０ｃについて説明す
る。図４は、本発明の第３実施形態にかかる電圧制御発
振器の回路構造を示す図である。また、図５は図４の電
圧制御発振器の構成を示すブロック図である。
実施形態にかかる電圧制御発振器１０ｃについて説明す
る。図４は、本発明の第３実施形態にかかる電圧制御発
振器の回路構造を示す図である。また、図５は図４の電
圧制御発振器の構成を示すブロック図である。
【００４６】電圧制御発振器１０ｃは、図４及び図５に
示すように、同調回路部１とカスコード接続したトラン
ジスタにより構成された発振回路部３を縦続接続し、さ
らに発振回路部３と出力回路部２とを縦続接続し、前記
出力回路部２の出力端子２７より発振出力を取り出す構
成である。
示すように、同調回路部１とカスコード接続したトラン
ジスタにより構成された発振回路部３を縦続接続し、さ
らに発振回路部３と出力回路部２とを縦続接続し、前記
出力回路部２の出力端子２７より発振出力を取り出す構
成である。
【００４７】同調回路部１は、主に長さが概ねｎ×λｇ
／２（ｎは整数、λｇは発振信号の波長）である伝送線
路４４よりなる共振回路とその端子４４ａに容量素子４
７を介して接続した可変容量素子４５ａ，４５ｂを備え
ている。また、端子２５に所望の電圧を印加することに
より、可変容量素子４５ａ，４５ｂの容量を制御し、発
振周波数を変更可能としている。
／２（ｎは整数、λｇは発振信号の波長）である伝送線
路４４よりなる共振回路とその端子４４ａに容量素子４
７を介して接続した可変容量素子４５ａ，４５ｂを備え
ている。また、端子２５に所望の電圧を印加することに
より、可変容量素子４５ａ，４５ｂの容量を制御し、発
振周波数を変更可能としている。
【００４８】発振回路部３は、上記第１実施形態の発振
回路部と同様の構成である。ここで、伝送線路１１及び
容量素子１６の容量値を調整することにより、端子４４
ｃより発振回路部側をみた反射係数「ｔの大きさを所望
の周波数において１より大きくすることができ、負性抵
抗特性を実現することができる。なお、帰還回路を別途
設けることによって、負性抵抗特性を実現してもよい。
回路部と同様の構成である。ここで、伝送線路１１及び
容量素子１６の容量値を調整することにより、端子４４
ｃより発振回路部側をみた反射係数「ｔの大きさを所望
の周波数において１より大きくすることができ、負性抵
抗特性を実現することができる。なお、帰還回路を別途
設けることによって、負性抵抗特性を実現してもよい。
【００４９】発振回路部３の端子４４ｄに、伝送線路７
を介して、バッファ増幅回路又はｎ次高調波発生回路
（ｎは整数）の少なくとも１つより構成される出力回路
部２が接続され、出力端子２７より所望の発振出力を取
り出すことができるように構成されている。
を介して、バッファ増幅回路又はｎ次高調波発生回路
（ｎは整数）の少なくとも１つより構成される出力回路
部２が接続され、出力端子２７より所望の発振出力を取
り出すことができるように構成されている。
【００５０】発振回路部３を構成するカスコード型トラ
ンジスタは、端子２４に印加した電圧を伝送線路４４の
端子４４ｂに接続している伝送線路６を介して第１のト
ランジスタ２９のベース端子に供給し、また、端子２６
に印加した電圧を伝送線路８及び伝送線路７を介して、
第２のトランジスタ３０のコレクタ端子に供給し、また
端子２８に印加した電圧を第２のトランジスタ３０のベ
ース端子に供給することにより動作する。伝送線路４４
の端子４４ｂは、伝送線路４４のほぼ中心に位置してお
り、伝送線路６、容量素子１４、抵抗１８、抵抗１９よ
りなる給電回路による共振回路４４への影響が小さくな
るように構成されている。
ンジスタは、端子２４に印加した電圧を伝送線路４４の
端子４４ｂに接続している伝送線路６を介して第１のト
ランジスタ２９のベース端子に供給し、また、端子２６
に印加した電圧を伝送線路８及び伝送線路７を介して、
第２のトランジスタ３０のコレクタ端子に供給し、また
端子２８に印加した電圧を第２のトランジスタ３０のベ
ース端子に供給することにより動作する。伝送線路４４
の端子４４ｂは、伝送線路４４のほぼ中心に位置してお
り、伝送線路６、容量素子１４、抵抗１８、抵抗１９よ
りなる給電回路による共振回路４４への影響が小さくな
るように構成されている。
【００５１】ここで、発振回路部３をカスコード型トラ
ンジスタによって構成することにより、トランジスタ自
身の有する入出力帰還成分を非常に小さくすることが可
能であり、トランジスタ自身のアイソレーション特性を
改善するとともに、発振回路部３の後段に設けた回路
（バッファ増幅器、又はｎ次高調波発生回路）などの影
響による、端子４４ｃにより発振回路部を見た反射係数
「ｔの変動を防止することができる。よって、安定した
発振と高い負荷Ｑ値と低位相雑音特性を実現することが
できる。
ンジスタによって構成することにより、トランジスタ自
身の有する入出力帰還成分を非常に小さくすることが可
能であり、トランジスタ自身のアイソレーション特性を
改善するとともに、発振回路部３の後段に設けた回路
（バッファ増幅器、又はｎ次高調波発生回路）などの影
響による、端子４４ｃにより発振回路部を見た反射係数
「ｔの変動を防止することができる。よって、安定した
発振と高い負荷Ｑ値と低位相雑音特性を実現することが
できる。
【００５２】また、本実施の形態にかかる電圧制御発振
器１０ｃにおいては、同調回路部１には、長さλｇ／２
の伝送線路４４を用いたが、伝送線路と誘電体共振器と
の組み合わせや、ｎ×λｇ／４同軸線路共振器（ｎは整
数）などの共振器を用いて構成してもよい。
器１０ｃにおいては、同調回路部１には、長さλｇ／２
の伝送線路４４を用いたが、伝送線路と誘電体共振器と
の組み合わせや、ｎ×λｇ／４同軸線路共振器（ｎは整
数）などの共振器を用いて構成してもよい。
【００５３】次に図６及び図７を用いて、本発明の第４
実施形態にかかる電圧制御発振器について説明する。図
６は、本発明の第４実施形態にかかる電圧制御発振器の
回路構造を示す図である。また、図７は、図６の電圧制
御発振器の構成を示すブロック図である。
実施形態にかかる電圧制御発振器について説明する。図
６は、本発明の第４実施形態にかかる電圧制御発振器の
回路構造を示す図である。また、図７は、図６の電圧制
御発振器の構成を示すブロック図である。
【００５４】電圧制御発振器１０ｄの各回路部は、上記
第３実施形態にかかる電圧制御発振器１０ｃの各回路部
と同様の構成を有する。すなわち、発振回路部３、同調
回路部１、バッファ増幅器又はｎ次高調波発生回路（ｎ
は整数）の少なくとも１つより構成される出力回路２の
接続方法を変更したものである。具体的には、発振回路
部３に同調回路部を縦続接続し、さらに同調回路部１に
出力回路部２を縦続接続し、発振出力を取り出す構成で
ある。
第３実施形態にかかる電圧制御発振器１０ｃの各回路部
と同様の構成を有する。すなわち、発振回路部３、同調
回路部１、バッファ増幅器又はｎ次高調波発生回路（ｎ
は整数）の少なくとも１つより構成される出力回路２の
接続方法を変更したものである。具体的には、発振回路
部３に同調回路部を縦続接続し、さらに同調回路部１に
出力回路部２を縦続接続し、発振出力を取り出す構成で
ある。
【００５５】上記構成の電圧制御発振器においても、第
３実施形態にかかる電圧制御発振器と同様に位相雑音を
低減することができる。
３実施形態にかかる電圧制御発振器と同様に位相雑音を
低減することができる。
【００５６】（実施例）上記電圧制御発振器を用いた高
周波通信装置について説明する。図８は、本発明の電圧
制御発振器を用いた高周波通信装置の一例を示すブロッ
ク図である。
周波通信装置について説明する。図８は、本発明の電圧
制御発振器を用いた高周波通信装置の一例を示すブロッ
ク図である。
【００５７】送信機７０ａは、変調信号源５０、ミキサ
５１、上記電圧制御発振器より構成される局部発振器５
２、帯域通過フィルタ５３、パワーアンプ５４、アンテ
ナ５５で構成される。また、受信機７０ｂは、アンテナ
５６、ローノイズアンプ５７、帯域通過フィルタ５８、
ミキサ５９、上記電圧制御発振器より構成される局部発
振器６０、チューナ６１により構成される。
５１、上記電圧制御発振器より構成される局部発振器５
２、帯域通過フィルタ５３、パワーアンプ５４、アンテ
ナ５５で構成される。また、受信機７０ｂは、アンテナ
５６、ローノイズアンプ５７、帯域通過フィルタ５８、
ミキサ５９、上記電圧制御発振器より構成される局部発
振器６０、チューナ６１により構成される。
【００５８】送信機７０ａの変調信号源５０で生成され
る中間周波信号は、ミキサ５１の中間周波信号入力端子
に入力される。また、局部発振器５２より出力される局
部発振信号は、ミキサ５１の局部発振信号用端子に入力
され、ミキサ５１により中間周波信号が局部発振信号に
より上昇変換（アップコンバート）される。次いで、ミ
キサ５１より発生する信号のうち、所望の高周波信号の
みが帯域通過フィルタ５３を通かし、パワーアンプ５４
により増幅され、高周波電波６２としてアンテナ５５よ
り放射される。
る中間周波信号は、ミキサ５１の中間周波信号入力端子
に入力される。また、局部発振器５２より出力される局
部発振信号は、ミキサ５１の局部発振信号用端子に入力
され、ミキサ５１により中間周波信号が局部発振信号に
より上昇変換（アップコンバート）される。次いで、ミ
キサ５１より発生する信号のうち、所望の高周波信号の
みが帯域通過フィルタ５３を通かし、パワーアンプ５４
により増幅され、高周波電波６２としてアンテナ５５よ
り放射される。
【００５９】送信機７０ａから放射された高周波電波６
２は、受信機７０ｂのアンテナ５６により受信され、ロ
ーノイズアンプ５７で増幅される。さらに、所望の高周
波信号のみが帯域通過フィルタ５８を通過し、ミキサ５
９の高周波信号用端子に入力される。一方、局部発振器
６０より出力される局部発振信号は、ミキサ５９の局部
発振信号用端子に入力される。高周波信号は、ミキサ５
９の内部で局部発振信号と混合され、再び中間周波信号
に下降変換（ダウンコンバート）される。中間周波信号
はチューナ６１に入力され、所望の情報に変換される。
２は、受信機７０ｂのアンテナ５６により受信され、ロ
ーノイズアンプ５７で増幅される。さらに、所望の高周
波信号のみが帯域通過フィルタ５８を通過し、ミキサ５
９の高周波信号用端子に入力される。一方、局部発振器
６０より出力される局部発振信号は、ミキサ５９の局部
発振信号用端子に入力される。高周波信号は、ミキサ５
９の内部で局部発振信号と混合され、再び中間周波信号
に下降変換（ダウンコンバート）される。中間周波信号
はチューナ６１に入力され、所望の情報に変換される。
【００６０】本発明の電圧制御発振器を局部発振器とし
て用いることにより、低位相雑音の局部発振信号を得る
ことが可能であり、ビットエラーレートの小さいデジタ
ル通信システムを容易に構成することが可能である。
て用いることにより、低位相雑音の局部発振信号を得る
ことが可能であり、ビットエラーレートの小さいデジタ
ル通信システムを容易に構成することが可能である。
【００６１】以上説明したように、本発明の電圧制御発
振器の発振回路部は、エミッタ端子を設置した第１のト
ランジスタのコレクタ端子と交流的にベース端子を設置
した第２のトランジスタのエミッタ端子とを接続したカ
スコード型トランジスタにより構成することにより、ミ
リ波帯において安定な発振回路部を構成することができ
るとともに回路を容易に小型化することができる。
振器の発振回路部は、エミッタ端子を設置した第１のト
ランジスタのコレクタ端子と交流的にベース端子を設置
した第２のトランジスタのエミッタ端子とを接続したカ
スコード型トランジスタにより構成することにより、ミ
リ波帯において安定な発振回路部を構成することができ
るとともに回路を容易に小型化することができる。
【００６２】さらに、カスコード型トランジスタは、ト
ランジスタ自身の入出力帰還成分が小さく、所望の発振
周波数で発振条件となる帰還成分を制御することが容易
となり、高い負荷Ｑ値と低位相雑音特性を実現すること
が可能である。
ランジスタ自身の入出力帰還成分が小さく、所望の発振
周波数で発振条件となる帰還成分を制御することが容易
となり、高い負荷Ｑ値と低位相雑音特性を実現すること
が可能である。
【００６３】また、第２のトランジスタのベース電位を
変更可能とし、第１のトランジスタ及び第２のトランジ
スタにおけるベース−コレクタ接合容量を制御すること
により発振周波数を変更することも可能である。このよ
うに構成することによって、可変容量素子を別途設ける
必要がなくなり、回路をより簡素化することができる。
変更可能とし、第１のトランジスタ及び第２のトランジ
スタにおけるベース−コレクタ接合容量を制御すること
により発振周波数を変更することも可能である。このよ
うに構成することによって、可変容量素子を別途設ける
必要がなくなり、回路をより簡素化することができる。
【００６４】また、カスコード型トランジスタに流れる
電流は、第１のトランジスタのエミッタ−ベース間電圧
によりほぼ決まるため、第２のトランジスタのベース電
位を変更した場合の電流値の変化は小さく、安定した発
振出力を得ることができる。
電流は、第１のトランジスタのエミッタ−ベース間電圧
によりほぼ決まるため、第２のトランジスタのベース電
位を変更した場合の電流値の変化は小さく、安定した発
振出力を得ることができる。
【００６５】また、第２のトランジスタのベース端子部
に先端開放（又は短絡）の伝送線路を設けることによ
り、より安定した発振出力を得ることが可能である。
に先端開放（又は短絡）の伝送線路を設けることによ
り、より安定した発振出力を得ることが可能である。
【００６６】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施可能である。
ものではなく、その他種々の態様で実施可能である。
【００６７】例えば、電圧制御発振器に対して位相同期
ループを構成してもよい。
ループを構成してもよい。
【図１】 本発明の第１実施形態にかかる電圧制御発振
器の回路構造を示す図である。
器の回路構造を示す図である。
【図２】 図１の電圧制御発振器の構成を示すブロック
図である。
図である。
【図３】 本発明の第２実施形態にかかる電圧制御装置
の回路構造を示す図である。
の回路構造を示す図である。
【図４】 本発明の第３実施形態にかかる電圧制御発振
器の回路構造を示す図である。
器の回路構造を示す図である。
【図５】 図４の電圧制御発振器の構成を示すブロック
図である。
図である。
【図６】 本発明の第４実施形態にかかる電圧制御発振
器の回路構造を示す図である。
器の回路構造を示す図である。
【図７】 図６の電圧制御発振器の構成を示すブロック
図である。
図である。
【図８】 本発明の電圧制御発振器を用いた高周波通信
装置の一例を示すブロック図である。
装置の一例を示すブロック図である。
【図９】 従来技術によるカスコード接続型トランジス
タを用いた電圧制御発振器の回路構造を示す図である。
タを用いた電圧制御発振器の回路構造を示す図である。
１ 同調回路部
２ 出力回路部
３ 発振回路部
４ 共振回路部
５ 可変容量素子
１０ａ〜１０ｄ 電圧制御発振器
６，７，７ａ，７ｂ，９，１１，１２ 伝送線路
１３ 先端開放の伝送線路
１６ 容量素子
１８，１９ 抵抗
２４ 第１のトランジスタのベース端子へのバイアス供
給端子 ２５ 可変容量素子の制御用バイアス供給端子 ２６ 第２のトランジスタのコレクタ端子へのバイアス
供給端子 ２７ 出力回路部の出力端子 ２８ 第２のトランジスタのベース端子へのバイアス供
給端子 ２９ 第１のトランジスタ ３０ 第２のトランジスタ ４５ａ，４５ｂ 可変容量素子 ５０ 変調信号源 ５１，５９ ミキサ ５２，６０ 局部発振器 ５３，５８ 帯域通過フィルタ ５４ パワーアンプ ５５，５６ アンテナ ５７ ローノイズアンプ ６２ 高周波電波 ７０ａ 送信機 ７０ｂ 受信機
給端子 ２５ 可変容量素子の制御用バイアス供給端子 ２６ 第２のトランジスタのコレクタ端子へのバイアス
供給端子 ２７ 出力回路部の出力端子 ２８ 第２のトランジスタのベース端子へのバイアス供
給端子 ２９ 第１のトランジスタ ３０ 第２のトランジスタ ４５ａ，４５ｂ 可変容量素子 ５０ 変調信号源 ５１，５９ ミキサ ５２，６０ 局部発振器 ５３，５８ 帯域通過フィルタ ５４ パワーアンプ ５５，５６ アンテナ ５７ ローノイズアンプ ６２ 高周波電波 ７０ａ 送信機 ７０ｂ 受信機
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Ｆターム(参考） 5J081 AA11 BB01 CC06 CC30 DD03
DD21 DD24 DD25 EE09 EE18
FF03 FF05 FF21 FF23 GG04
JJ27 KK09 KK22 LL05 MM01
Claims (8)
- 【請求項１】 発振回路部と、周波数を変更可能な同調
回路部とを備えた電圧制御発振器であって、 前記発振回路部は、エミッタ又はソースを接地端子とす
る第１のトランジスタのコレクタ又はドレインと、ベー
ス又はゲート端子が交流的に接地された第２のトランジ
スタのエミッタ又はソースがカスコード接続された、カ
スコード型トランジスタを備えていることを特徴とす
る、電圧制御発振器。 - 【請求項２】 発振回路部と、共振回路部と、電圧供給
回路とを備えた電圧制御発振器であって、 前記発振回路部は、エミッタ又はソースを接地端子とす
る第１のトランジスタのコレクタ又はドレインと、ベー
ス又はゲート端子が交流的に接地された第２のトランジ
スタのエミッタ又はソースがカスコード接続された、カ
スコード型トランジスタを備え、 電圧供給回路は、前記発振回路部の第２のトランジスタ
のベース又はゲート端子の直流電位を変更できるように
構成されていることを特徴とする電圧制御発振器 - 【請求項３】 前記第１のトランジスタのエミッタ又は
ソース端子部分に、前記エミッタ又はソース端子を交流
的に設置するための回路をさらに備えたことを特徴とす
る請求項１又は２に記載の電圧制御発振器。 - 【請求項４】 ｎ次高調波（ｎは整数）発生回路又はバ
ッファ増幅回路の少なくとも１つからなる出力回路部を
さらに備えたことを特徴とする請求項１〜３いずれか１
つに記載の電圧制御発振器。 - 【請求項５】 前記第１のトランジスタ又は前記第２の
トランジスタの接地端子部に、先端開放の伝送線路を設
けたことを特徴とする、請求項１〜４いずれか１つに記
載の電圧制御発振器。 - 【請求項６】 前記第１又は第２のトランジスタの少な
くとも一方は、へテロ接合バイポーラトランジスタであ
ることを特徴とする請求項１〜５いずれか１つに記載の
電圧制御発振器。 - 【請求項７】 前記電圧制御発振器は、構成回路を少な
くとも部分的に化合物半導体基板上に集積したことを特
徴とする請求項１〜６いずれか１つに記載の電圧制御発
振器。 - 【請求項８】 請求項１〜７いずれか１つに記載の電圧
制御発振器を有する高周波通信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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