JP2003218460A - レーザダイオード制御回路、およびレーザダイオードを制御する方法 - Google Patents

レーザダイオード制御回路、およびレーザダイオードを制御する方法

Info

Publication number
JP2003218460A
JP2003218460A JP2002016111A JP2002016111A JP2003218460A JP 2003218460 A JP2003218460 A JP 2003218460A JP 2002016111 A JP2002016111 A JP 2002016111A JP 2002016111 A JP2002016111 A JP 2002016111A JP 2003218460 A JP2003218460 A JP 2003218460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
value
signal
laser diode
control circuit
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002016111A
Other languages
English (en)
Inventor
Takushi Murata
拓史 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2002016111A priority Critical patent/JP2003218460A/ja
Priority to US10/351,459 priority patent/US6795458B2/en
Publication of JP2003218460A publication Critical patent/JP2003218460A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50—Transmitters
    • H04B10/564—Power control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50—Transmitters
    • H04B10/501—Structural aspects
    • H04B10/503—Laser transmitters
    • H04B10/504—Laser transmitters using direct modulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体発光素子を含むレーザ光発生部の光出
力パワーおよび消光比に関する制御を行うためのレーザ
ダイオード制御回路を提供する。 【解決手段】レーザダイオード制御回路は、負荷部８、
制御部１０、バイアス電流回路部１６、及び変調電流回
路部１８を備える。負荷部は、レーザ光発生部２からの
光を受けるモニタ用受光素子４における受光量に対応す
る光電流に対応した信号Ｖ1を生成する。制御部１０
は、値Ｄｂと、値Ｄｍと、変化分△Ｄｂと、変化分△Ｄ
ｍから、第１および第２の制御信号Ｖ2、Ｖ3を発生す
る。変化分△Ｄｍは、発光パワー及び消光比が一定にな
るように規定された関数ｆ(Ｄｂ、△Ｄｂ)＝△Ｄｍによ
り生成される。第１の制御信号Ｖ2は、バイアス電流Ｉ
ｂを変更するために△Ｄｂ及びＤｂから発生され、第２
の制御信号Ｖ3は、変調電流Ｉｍを変更するために△Ｄ
ｍ及びＤｍに対応する値から発生される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
制御回路、およびレーザダイオードを制御する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光送信器は、半導体レーザと、レーザ駆
動回路とを備える。光通信の分野では、半導体レーザ
は、レーザ駆動回路により駆動され、送信信号に対応し
た信号光を発生する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】発明者らは、半導体レ
ーザを制御に関する研究に携わっている。この研究にお
いて、発明者らは、半導体レーザの制御方法について検
討を行った。この検討により、下記のことが明らかにな
った。
【０００４】第１の手法では、モニタ用受光素子の出力
の平均値及びピーク値を検出することにより、半導体レ
ーザの光出力パワーおよび消光比を制御する手法があ
る。しかしながら、発明者らの検討によれば、光信号の
伝送レートが上がると、受ける光信号中に存在するピー
ク値を検出できるほどモニタ用受光素子を高速に動作さ
せることが難しいことが明らかになった。
【０００５】第２の手法では、制御回路は、モニタ用受
光素子の出力をＡ／Ｄ変換器によりディジタル値に変換
してこのディジタル値をメモリに記憶された基準値から
減算する。制御回路は、減算値をＤ／Ａ変換器によりア
ナログ値に変換して、このアナログ値に基づいて半導体
レーザを制御している。この制御手法では、各温度に対
して最適な変調電流値をメモリに記憶しておき、この値
に基づいて消光比を一定にすることを意図している。こ
の手法では、この制御のために、周囲温度を検知するサ
ーミスタからの信号により変調電流値が一意的に決定さ
れると共に、平均パワーが一定に維持されるようにバイ
アス電流が決定されている。しかしながら、発明者らの
検討によれば、この手法では、レーザ光発生部の経時変
化により発光効率が低下すると、バイアス電流のみが増
加していくように動作することが明らかになった。故
に、消光比が一定に保てない。
【０００６】第３の手法では、使用範囲の温度に対して
バイアス電流、変調電流、モニタ用受光素子の初期値を
メモリに記憶しておき、モニタ用受光素子からの信号と
メモリに記憶された値との比較結果に基づいて信号によ
り変調電流およびバイアス電流を決定している。この手
法では、温度センサからの信号により変調電流およびバ
イアス電流を決定している。しかしながら、発明者らの
検討によれば、この手法では、半導体レーザの経時劣化
による変化を補償できない。
【０００７】この検討によれば、半導体レーザの光出力
パワーを所定値に近づけるように制御する手法、また半
導体レーザの消光比を所定値に近づけるように制御する
手法において、従来の手法では達成されていない技術課
題があることを発見した。
【０００８】そこで、本発明の目的は、半導体発光素子
を含むレーザ光発生部の光出力パワーおよび消光比に関
する制御を行うためのレーザダイオード制御回路、およ
びレーザダイオードを制御する方法を提供することとし
た。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の一側面は、レー
ザダイオード制御回路に関する。レーザダイオード制御
回路は、負荷部と、制御部と、バイアス電流回路部と、
変調電流回路部とを備える。負荷部は、レーザ光発生部
から受けた光量に応じて受光素子によって発生された光
電流に対応した信号を生成する。制御部は、値Ｘと、値
Ｙと、値Ｘに対する変化分△Ｘと、値Ｙに対する変化分
△Ｙとから、バイアス電流及び変調電流の一方を変更す
るための第１の制御信号並びにバイアス電流及び変調電
流の他方を変更するための第２の制御信号を発生するよ
うに動作する。第１の制御信号は、△ＤｂおよびＤｂに
対応する値から発生される。第２の制御信号は、△Ｄｍ
およびＤｍに対応する値から発生される。変化分△Ｙ
は、発光パワーが所定の依存性を示すと共に消光比が所
定の依存性を示すように規定された関数ｆ(Ｘ、△Ｘ)＝
△Ｙにより生成される。変数の組(Ｘ、Ｙ、△Ｘ、△Ｙ)
は、(Ｄｂ、Ｄｍ、△Ｄｂ、△Ｄｍ)及び(Ｄｍ、Ｄｂ、
△Ｄｍ、△Ｄｂ)のいずれかであり、記号Ｄｂはバイア
ス電流Ｉｂに対応する値を示しており、記号Ｄｍは変調
電流Ｉｍに対応する値を示しており、記号△Ｄｂはバイ
アス電流Ｉｂの変化分△Ｉｂに対応する値を示してお
り、記号△Ｄｍは変調電流Ｉｍの変化分△Ｉｍに対応す
る値を示している。バイアス電流回路部は、レーザ光発
生部に接続されており、第１の制御信号に従ってバイア
ス電流を生成する。変調電流回路部は、レーザ光発生部
に接続されており、第２の制御信号に従って変調電流を
生成する。
【００１０】この制御回路では、バイアス電流および変
調電流の制御のために、変数の組(Ｘ、Ｙ、△Ｘ、△Ｙ)
＝(Ｄｂ、Ｄｍ、△Ｄｂ、△Ｄｍ)または(Ｄｍ、Ｄｂ、
△Ｄｍ、△Ｄｂ)の組に対して関数ｆ(Ｘ、△Ｘ)＝△Ｙ
により変化分△Ｙを生成しているので、発光パワーが所
定の依存性を示すと共に消光比が所定の依存性を示すよ
うに制御可能である制御回路が提供される。
【００１１】レーザダイオード制御回路では、関数ｆ
は、発光パワーが一定になると共に消光比が一定になる
ように規定された関数に対する近似関数であるように構
成できる。
【００１２】レーザダイオード制御回路では、制御部
は、第１の手段と、第２の手段と、第３の手段とを備え
るように構成されることができる。第１の手段は、光電
流に対応した信号に対応する値と基準値との比較結果に
応じて決定される変化分△Ｘおよび関数ｆ(Ｘ、△Ｘ)＝
△Ｙに従って、変化分△Ｙを生成するように動作する。
第２の手段は、△ＤｂおよびＤｂに対応する値から第１
の制御信号を発生するように動作する。第３の手段は、
△ＤｍおよびＤｍに対応する値から第２の制御信号を発
生するように動作する。
【００１３】レーザダイオード制御回路では、第１の手
段は、不揮発性メモリを含むことができる。レーザダイ
オード制御回路は、外部装置と通信をするためのインタ
フェイス部と、インタフェイス部に接続され不揮発性メ
モリへの書き込みを行うための手段を更に備えることが
できる。この構成によれば、インタフェイス部を介して
レーザダイオード制御回路の調整を行うことができる。
例えば、インタフェイス部を備えることにより、レーザ
ダイオード駆動回路に必要な個体毎の調整作業におい
て、手動調整と比較して手間を軽減できる。また、レー
ザダイオードの個体毎の特性データがコンピュータとい
った外部装置内に配置されている場合には、特性データ
に合わせて調整を行うことができる。
【００１４】レーザダイオード制御回路では、第１の記
憶手段は、変数Ｘの全範囲に対して定数(△Ｙ／△Ｘ)0
を記憶しているようにしてもよい。この構成は、実現が
容易であり、また回路規模および処理ステップを小さく
できる。
【００１５】レーザダイオード制御回路では、第１の記
憶手段は、変数Ｘの全範囲が分割された複数の領域
(Ｒn：ｎ≧１)のそれぞれ対応づけて定数(△Ｙ／△Ｘ)n
を記憶しているようにしてもよい。この構成は、比較的
容易に実現できるものであり、また簡単な近似関数を用
いているにもかかわらず広い温度範囲で発光パワーおよ
び消光比を所定の特性に保つことができる。
【００１６】レーザダイオード制御回路では、第１の手
段は、第１の生成手段と、比較手段と、第２の生成手段
と、第３の生成手段とを備えるようにしてもよい。第１
の生成手段は、変数Ｘの全範囲が分割された複数の領域
(Ｒm：ｍ≧１)のうちの任意の領域Ｒmにおいて該領域内
のＸに対する線形関数ｆにより規定される値(△Ｙ／△
Ｘ)mを生成するように動作する。比較手段は、光電流値
に対応するモニタ信号を基準値と比較するように動作す
る。第２の生成手段は、光量が所定値よりも小さいこと
を比較手段における比較結果が示す場合、光量を増加さ
せるように設定される値△Ｘと値(△Ｙ／△Ｘ)mとに基
づいて値△Ｙを求めるように動作する。第３の生成手段
は、光量が所定値よりも大きいことを比較結果が示す場
合、光量を減少させるように設定される値△Ｘと値(△
Ｙ／△Ｘ)mとに基づいて値△Ｙを求めるように動作す
る。この構成は、実現が比較的容易であり、また広い温
度範囲で発光パワーおよび消光比を精度よく所定の特性
に保つことができる。
【００１７】レーザダイオード制御回路では、制御部
は、Ｄｂ、Ｄｍ、及びＤｂとＤｍとの和ＳＵＭとのいず
れか１つを閾値と比較して、この比較結果を示す第１の
比較信号を生成するための手段と、第１の比較信号が電
流超過を示す場合に当該レーザ光発生部の電流超過を示
す第１の警報信号を発生するための手段とを備えるよう
にできる。レーザ光発生部の劣化および故障を検出する
ことが可能になる。また、制御部は、第１の警報信号が
発生された場合、第１の比較信号が電流正常を示すと
き、前記第１の警報信号を停止するための手段とを備え
ることができる。
【００１８】レーザダイオード制御回路では、制御部
は、光電流に対応するモニタ信号を閾値と比較して、こ
の比較結果を示す第３の比較信号を生成するための手段
と、第３の比較信号がパワー過小を示す場合、レーザ光
発生部の発光パワー低下を示す第２の警報信号を生成す
るための手段とを備えることができる。レーザ光発生部
の劣化および故障を検出することが可能になる。また、
制御部は、第２の警報信号が生成されている場合に、第
３の比較信号がパワー正常を示すとき、第２の警報信号
を停止するための手段とを備えることができる。
【００１９】第１の比較信号および第３の比較信号の両
方を利用することにより、例えば、所定の光パワーを発
生しているが供給電流量が多い場合である劣化状態と、
発光していない場合である故障状態とを区別できるよう
になる。これにより不測のシステムダウンを避けるため
に故障に先立って光モジュールを予め交換できるように
なる。
【００２０】レーザダイオード制御回路は、外部装置と
通信をするためのインタフェイス部と、インタフェイス
部からの信号に応答を示してレーザ光発生部における光
の発生を停止させるための手段と、インタフェイス部か
らの信号に応答を示してレーザ光発生部における光の発
生を開始するための手段とを更に備えることができる。
これらの手段によれば、例えば、光コネクタの抜けを検
出して光出力を停止させることによりレーザ光の漏れに
よる危険を回避できる。また、意図的に光出力を停止及
び開始できるので、例えば、光ファイバの疎通を確認で
きる。
【００２１】本発明の別の側面は、レーザダイオードを
制御する方法に関する。この方法は、(ａ)レーザ光発生
部からの光を受けるモニタ用受光素子からの光電流に対
応した信号を生成するステップと、(ｂ)値Ｘ、値Ｙ、信
号に対応する値と基準値との比較結果に応じて決定され
る変数△Ｘ、および発光パワーが所定の依存性を示すと
共に消光比が所定の依存性を示すように規定された関数
ｆ(Ｘ、△Ｘ)＝△Ｙにより生成された値△Ｙのうち、バ
イアス電流および変調電流の一方を制御するための第１
の制御信号を△ＸおよびＸから発生すると共に、バイア
ス電流および変調電流の他方を制御するための第２の制
御信号を△ＹおよびＹから発生するステップと、 (ｃ)
第１および第２の制御信号に基づいて生成されたバイア
ス電流および変調電流により前記レーザ光発生部を駆動
するステップとを備える。変数の組(Ｘ、Ｙ、△Ｘ、△
Ｙ)は、(Ｄｂ、Ｄｍ、△Ｄｂ、△Ｄｍ)及び(Ｄｍ、Ｄ
ｂ、△Ｄｍ、△Ｄｂ)のいずれかである。記号Ｄｂはバ
イアス電流Ｉｂに対応する値を示しており、記号Ｄｍは
変調電流Ｉｍに対応する値を示しており、記号△Ｄｂは
バイアス電流の変化分△Ｉｂに対応する値を示してお
り、記号△Ｄｍは変調電流の変化分△Ｉｍに対応する値
を示している。
【００２２】このレーザダイオードを制御する方法で
は、発生ステップ(ｂ)は、(ｄ)信号に対応する値と基準
値との差の絶対値を所定値と比較するステップと、(ｅ)
絶対値が所定値を越える場合、信号に対応する値と基準
値との比較結果に応じて決定される△Ｘ、および発光パ
ワーが所定の依存性を示すと共に消光比が所定の依存性
を示すように規定された関数 ｆ(Ｘ、△Ｘ)＝△Ｙ により生成された値△Ｙ、値Ｘ、値Ｙのうち、バイアス
電流および変調電流の一方を制御するための第１の制御
信号を△ＸおよびＸから発生すると共に、バイアス電流
および変調電流の他方を制御するための第２の制御信号
を△ＹおよびＹから発生するステップと、 (ｆ)絶対値
が所定値以下である場合、第１および第２の制御信号を
維持するステップとを備えるようにしてもよい。この方
法によれば、バイアス電流および変調電流が揺らぐこと
を低減できる。
【００２３】本発明の上記の目的および他の目的、特
徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発
明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述からより容易
に明らかになる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明は、添付図面と共に以下の
詳細な記述を考慮することによって容易に理解される。
図面に共通な同一要素を示すために、可能な場合には、
同一の参照番号が使用される。
【００２５】(第１の実施の形態)図１は、本発明の実施
の形態に係わるレーザダイオード制御回路を示すブロッ
ク図である。レーザダイオード制御回路１ａは、駆動回
路６と、負荷部８と、制御部１０と、バイアス電流およ
び変調電流制御回路１２とを備える。
【００２６】また、レーザダイオード制御回路１ａは、
レーザ光発生部２と、モニタ用受光素子４とを更に備え
ることができる。レーザ光発生部２は、半導体レーザ素
子２ａといった半導体発光素子を含む。半導体レーザ素
子２ａはアノード２ｂおよびカソード２ｃを有する。ま
た、半導体レーザ素子２ａは、一端面および他端面を有
しており、一端面および他端面は光共振器を形成する。
レーザ光発生部２は、光ファイバといった光導波路１４
に光学的に結合されており、レーザ光発生部２からの光
ＬForwardは光導波路１４に提供される。モニタ用受光
素子４は、レーザ光発生部２に光学的に結合されてお
り、レーザ光発生部２からの光ＬBackを受けるように配
置されているが、これに限定されるものではなく、光Ｌ
Forwardの一部分を受けるようにしてもよい。また、受
光素子４は、レーザ光発生部２からの光の受光量に対応
する光電流Ｉ1を生成する。例えば、受光素子４は、フ
ォトダイオード４ａといった半導体受光素子を含む。フ
ォトダイオード４ａは、アノード４ｂおよびカソード４
ｃを有する。
【００２７】負荷部８は、受光素子４に接続されてお
り、光電流Ｉ1に対応した負荷電圧Ｖ1を生成する。ま
た、負荷部８は、抵抗体といった抵抗素子８ａを含む。
制御部１０は、入力１０ａを介して負荷電圧Ｖ1を受け
て、この電圧に応答して、バイアス電流Ｉbを変更する
ための第１の制御信号Ｖ2および変調電流Ｉmを変更する
ための第２の制御信号Ｖ3を発生するように動作する。
また、制御部１０は、Ａ／Ｄ変換回路部１２ａと、制御
手段１２ｂと、第１のＤ／Ａ変換回路部１２ｃ、第２の
Ｄ／Ａ変換回路部１２ｄ、およびインタフェース部１２
ｅを含む。Ａ／Ｄ変換回路部１２ａは、入力１０ａを介
して負荷電圧Ｖ1を受けて、負荷電圧Ｖ1に対応するディ
ジタル値Ｄmonを生成するＡ／Ｄ変換器を含む。制御手
段１２ｂでは、発光パワーが所定の依存性を示すと共に
消光比が所定の依存性を示すように規定された関数ｆ
(Ｄb、△Ｄb)＝△Ｄmまたはｆ(Ｄm、△Ｄm)＝△Ｄbを実
現するための手段を含む。記号Ｄbはバイアス電流Ｉbに
対応するディジタル値を示しており、記号Ｄmは変調電
流Ｉmに対応するディジタル値を示しており、記号△Ｄb
はバイアス電流の変化分△Ｉbに対応するディジタル値
を示しており、記号△Ｄmは変調電流の変化分△Ｉmに対
応するディジタル値を示している。本実施の形態では、
第１のＤ／Ａ変換回路部１２ｃが、△Ｄｂ＋Ｄｂ(ディ
ジタル値)に対応する値から、第１の制御信号Ｖ2(アナ
ログ値)を発生する。第２のＤ／Ａ変換回路部１２ｄ
は、△Ｄｍ＋Ｄｍ(ディジタル値)に対応する値から、第
１の制御信号Ｖ3(アナログ値)を発生する。制御部内部
における処理をディジタル制御により行うと、温度およ
び電源電圧の変動の影響を受け難い制御が可能になる。
また複雑な制御を正確に行うことができる。
【００２８】この制御回路１ａは、関数ｆをバイアス電
流Ｉｂおよび変調電流Ｉｍの制御のために用いる。この
関数ｆは、受光素子４からの信号に応答を示し、発光パ
ワーが所定の依存性を示すと共に消光比が所定の依存性
を示すように規定されている。
【００２９】レーザダイオード制御回路１ａの制御手段
１２ｂでは、関数ｆは、発光パワーが一定になると共に
消光比が一定になるように規定された関数に対する近似
関数であるように構成できる。関数ｆの好適な実施例と
しては、発光パワーが一定になると共に消光比が一定に
なるように規定された関数である。
【００３０】バイアス電流および変調電流制御回路部１
２は、バイアス電流制御回路１２ａおよび変調電流制御
回路１２ｂを含む。バイアス電流制御回路１２ａは、第
１の制御信号Ｖ2を受けて、バイアス電流回路を制御す
るための信号Ｉ2を生成する。バイアス電流制御回路１
２ａは、Ｖ＋入力およびＶ−入力を有する演算増幅器を
含むことができる。Ｖ＋入力は、第１の制御信号Ｖ2を
受ける。Ｖ−入力は、バイアス電流回路部からのフィー
ドバック信号を受ける。変調電流制御回路は第２の制御
信号Ｖ3を受けて、変調電流回路を制御するための信号
Ｉ3を生成する。変調電流制御回路１２ｂは、Ｖ＋入力
およびＶ−入力を有する演算増幅器を含むことができ
る。Ｖ＋入力は、第２の制御信号Ｖ3を受ける。Ｖ−入
力は、変調電流回路部からのフィードバック信号を受け
る。
【００３１】駆動回路６は、バイアス電流回路部１６、
変調電流回路部１８および駆動部２０を含む。バイアス
電流回路部１６は、バイアス電流生成部１６ａおよび変
動検出部１６ｂを含む。
【００３２】バイアス電流生成部１６ａは、変動検出部
１６ｂとレーザ光発生部２との間に配置されている。変
動検出部１６ｂの一端は、ノード６ａを介してレーザ光
発生部２に接続されており、バイアス電流回路部１６ｂ
は、バイアス電流制御回路１２ａからの制御信号Ｉ2を
ノード６ｂを介して受けてバイアス電流Ｉｂを生成す
る。また、変動検出部１６ｂは、バイアス電流生成部１
６ａとノード１６ｃにおいて接続されており、バイアス
電流Ｉｂの変化を検出する。この変化の検出のために、
変動検出部１６ｂは抵抗を含むことができる。ノード１
６ｃの電圧は、ノード６ｃを介してバイアス電流制御回
路１２ａにＶ−端子に提供される。この接続によって、
バイアス電流制御回路１２ａはノード１６ｃに制御信号
Ｖ2を生成するように制御信号Ｉ2を発生する。
【００３３】変調電流生成部１８ａは、変動検出部１８
ｂとレーザ光発生部２との間に配置されている。変動検
出部１８ｂは、ノード６ａを介してレーザ光発生部２に
接続されており、変調電流制御回路１２ｂからの制御信
号Ｉ3をノード６ｅを介して受けて変調電流Ｉｍを生成
する。また、変動検出部１８ｂは、変調電流生成部１８
ａとノード１８ｃにおいて接続されており、変調電流Ｉ
ｍの変化を検出する。さらに、変動検出部１８ｂは、変
化の検出のための抵抗を含むことができる。ノード１８
ｃの電圧は、ノード６ｆを介して変調電流制御回路１２
ｂにＶ−端子に提供される。この接続によって、変調電
流制御回路１２ｂはノード１８ｃに制御信号Ｖ3を生成
するように制御信号Ｉ3を発生する。
【００３４】バイアス電流Ｉｂおよび変調電流Ｉｍは、
レーザ光発生部２に提供される。また、変調電流Ｉｍ
は、駆動部２０を介してレーザ光発生部２に提供され
る。駆動部２０は、差動対部２０ａを含む。差動対部２
０ａは、第１および第２のトランジスタ２０ｂ及び２０
ｃを備える。第１および第２のトランジスタ２０ｂ、２
０ｃの一端子(エミッタ)は、ノード２０ｄにおいて互い
に接続されている。ノード２０ｄは、変調電流制御回路
部１８に接続されている。第１のトランジスタ２０ｂの
他端子２０ｅ(コレクタ)は、ノード６ａを介してレーザ
光発生部２に接続されている。第２のトランジスタ２０
ｃの他端子２０ｆ(コレクタ)は、ノード６ｄを介して電
源線に接続されている。第１および第２のトランジスタ
２０ｂ及び２０ｃの制御端子(ベース)２０ｇ及び２０ｈ
は、それぞれ、差動対入力６ｇ、６ｈに接続されてい
る。差動対入力６ｇ及び６ｈには、差動駆動信号ＶINが
提供される。
【００３５】制御手段１２ｂの構成を例示的に示せば、
ＣＰＵといった中央処理装置２０と、プログラムおよび
制御データを記憶するメモリ２２とを含むことができ
る。メモリ２２は、不揮発性メモリ２２ａと不揮発性メ
モリ２２ａへの書き込みを行うための回路部２２ｂとを
含むことができる。
【００３６】インタフェイス部１２ｅは、レーザ光発生
部２の異常を検出したことを示す警報器２６ａ、２６ｂ
に信号線２８ａ、２８ｂを介して接続されている。
【００３７】また、インタフェイス部１２ｅは、制御手
段１２ｂに接続されて、制御手段１２ｂに制御信号を送
ると共に制御手段１２ｂからの制御信号を受ける。ま
た、インタフェイス部は、レーザ光発生部における光の
発生を停止させるための信号を受けることができ、また
レーザ光発生部における光の発生を開始するための信号
を受けることができる。インタフェイス部１２ｅは、ま
た、通信線２８ｃを介して、コンピュータといった外部
制御装置２４に接続されている。インタフェイス部１２
ｅを用いると、外部制御装置２４との通信により、外部
制御装置２４内に記憶されている半導体レーザ素子の特
性データを不揮発性メモリ２２ａ上にロードできる。特
性データは、外部制御装置２４によって計算されたもの
である。また、レーザダイオード制御回路に必要な個体
毎の調整作業をインタフェイス部１２ｅを用いて行うこ
とにより、この調整ではマニュアル調整と比較して調整
の時間を短縮できる。加えて、レーザ光発生部に含まれ
る半導体発光素子の個体毎の特性データが、コンピュー
タといった外部制御装置２４に格納されている場合に
は、個々の特性データが反映された調整を行うことがで
きる。
【００３８】(第２の実施の形態)図２は、本発明の実施
の形態に係わるレーザダイオード制御回路を示すブロッ
ク図である。レーザダイオード制御回路１ｂは、駆動回
路６、負荷部８、制御部１０、並びにバイアス電流およ
び変調電流制御回路１２とを備える。図２では、制御部
１０を機能的なブロックにより表現している。レーザダ
イオード制御回路１ｂでは、制御部１０は、第１の手段
３０と、第２の手段３２と、第３の手段３４とを備える
ように構成されている。第１の実施の形態と同様に、レ
ーザダイオード制御回路１ｂは、レーザ光発生部２およ
びモニタ用受光素子４を更に備えることができる。
【００３９】第１の手段３０は、光電流Ｉ1に対応した
モニタ電圧Ｖ1に対応する値と基準値との比較結果に応
じて決定される変化分△Ｄｂおよび関数ｆ(Ｄｂ、△Ｄ
ｂ)＝△Ｄｍに従って、変化分△Ｄｍを生成するように
動作する。関数ｆは、発光パワーが所定の依存性を示す
と共に消光比が所定の依存性を示すように規定されてい
る。第１の手段３０によれば、値Ｄｂと、値Ｄｍと、値
Ｄｂに対する変化分△Ｄｂと、値Ｄｍに対する変化分△
Ｄｍのすべてが得られる。第２の手段３２は、第１の手
段３０からの信号Ｄ1(例えば、Ｄｂ＋△Ｄｂ)を受ける
ように構成されており、△ＤｂおよびＤｂに対応する値
から第１の制御信号Ｖ2を発生するように動作する。第
３の手段３４は、第１の手段３０からの信号Ｄ2(例え
ば、Ｄｍ＋△Ｄｍ)を受けるように構成されており、△
ＤｍおよびＤｍに対応する値から第２の制御信号Ｖ3を
発生するように動作する。
【００４０】第１の手段３０は、変換手段３５と、記憶
手段３６と、第１の比較手段３８と、第１の演算手段４
０と、第２の演算手段４２とを備えている。変換手段３
５は、光電流値I1に対応した電圧Ｖ1をモニタ信号Ｄ3に
変換するように動作する。記憶手段３６は、第１の記憶
手段３６ａおよび第２の記憶手段３６ｂを備える。第１
の記憶手段３６ａは、変数Ｉｂの範囲に関連づけて△Ｄ
ｍ／△Ｄｂの値を記憶している。第１の記憶手段３６ａ
のデータ構造は、図３(ａ)、図３(ｂ)、図４(ａ)、図４
(ｂ)を参照しながら後ほど説明される。第２の記憶手段
３６ｂは、現在のバイアス電流Ｄｂに対応する値Ｄｂお
よび現在の変調電流Ｄｍに対応する値Ｄｍを格納してい
る。第１の比較手段３８は、モニタ信号Ｄ3と記憶手段
３６ａから基準値Ｄref1とを受けてこれらを比較するよ
うに動作すると共に、比較信号Ｄcomp1を提供する。第
１の演算手段４０は、第１の比較手段３８からの比較信
号Ｄcomp1を受けるように構成されており、モニタ信号
Ｄ3が基準値Ｄref1より小さいことを比較信号Ｄcomp1が
示す場合(光電流が所定値よりも小さい場合)、正の値
(バイアス電流を増加するように設定された値)△Ｄｂと
第１の記憶手段３６ａの記憶内容とに基づいて値△Ｄｍ
を求めるように動作する。第２の演算手段４２は、第１
の比較手段３８からの比較信号Ｄcomp1を受けるように
構成されており、モニタ信号Ｄ3が基準値Ｄref1より大
きいことを比較信号Ｄcomp1が示す場合(光電流が所定値
よりも大きい場合)、負の値(変調電流を減少するように
設定された値)△Ｄｂと第１の記憶手段３０ａの記憶内
容とに基づいて値△Ｄｍを求めるように動作する。第１
の演算手段４０または第２の演算手段４２によれば、第
２および第３の手段３２、３４に提供する信号Ｄ1およ
び信号Ｄ2が提供される。
【００４１】第１の演算手段４０及び第２の演算手段４
２は、また、計算された△Ｄｍ並びにＤｂ、△Ｄｂおよ
びＤｍから、信号Ｄ1(例えば、Ｄｂ＋△Ｄｂ)および信
号Ｄ2(例えば、Ｄｍ＋△Ｄｍ)を生成して、第２の記憶
手段３６ｂに提供する。第２の記憶手段３６ｂは、(Ｄ
ｂ＋△Ｄｂ)を更新されたＤｂとして所定の記憶要素に
格納すると共に、(Ｄｍ＋△Ｄｍ)を更新されたＤｍとし
て所定の記憶要素に格納する。
【００４２】図３(ａ)は、第１の記憶手段３６ａのデー
タ構造を示す図面である。第１の記憶手段３６ａは、所
定のバイアス電流の範囲で一定の値(△Ｄｍ／△Ｄｂ)
0((△Ｉｍ／△Ｉｂ)0)を記憶する記憶要素４４を有す
る。また、第１の記憶手段３６ａは、値(△Ｄｍ／△Ｄ
ｂ)0((△Ｉｍ／△Ｉｂ)0)を使用できる範囲を示す値Ｄ
ｂ min(Ｉｂmin)およびＤｂmax(Ｉｂmax)を記憶する記憶
要素４６ａ、４６ｂを有する。図３(ｂ)は、発光パワー
が一定であると共に消光比が一定であるように規定され
た特性線Ｃ0と、図３(ａ)に示されるデータ構造内のデ
ータの近似線Ｃ1とを示すグラフである。グラフの横軸
は、バイアス電流Ｉｂを示しており、縦軸は、(△Ｉｍ
／△Ｉｂ)を示す。
【００４３】第１の手段３０は、モニタ値Ｄ3に基づい
て決定される△Ｄｂと、データ(△Ｄｍ／△Ｄｂ)0とか
ら (△Ｄｍ／△Ｄｂ)0×△Ｄｂ＝△Ｄｍ を生成する。図３(ｂ)に示された関数ｆの構成が簡素で
あるので、その実現が容易である。また、所定のバイア
ス電流または変調電流の範囲において、発光パワーおよ
び消光比を一定値に近づけるような制御が可能になるこ
とが理解される。さらに、回路規模が小さくできると共
に、処理プログラムのステップ数を少なくできる。
【００４４】図４(ａ)は、第１の記憶手段３６ａのデー
タ構造を示す図面である。図４(ａ)に示されたデータ
は、別の近似関数を表現する。この実施の形態では、第
１の記憶手段３６ａは、バイアス電流Ｄｂ(Ｉｂ)の範囲
を区分するための境界値Ｄｂ1(Ｉｂ1)及びＤｂ2(Ｉｂ2)
を記憶する記憶要素５０ａ、５０ｂを有する。また、第
１の記憶手段３６ａは、バイアス電流の領域の上限及び
下限を規定する値Ｄｂmi n(Ｉｂmin)およびＤｂmax(Ｉｂ
max)を記憶する記憶要素５０ｃ、５０ｄを有する。バイ
アス電流の変化許容範囲は複数の領域(Ｒn：ｎ≧１)に
分割されており、第１の記憶手段３６ａは、複数の領域
Ｒnのそれぞれ対応づけて定数(△Ｉｍ／△Ｉｂ)nを記憶
しているように構成される。本実施の形態では、第１の
記憶手段３６ａは、３つの領域Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3毎に規定
される一定の値(△Ｄｍ／△Ｄｂ)1((△Ｉｍ／△Ｉ
ｂ)1)、値(△Ｄｍ／△Ｄｂ)2 ((△Ｉｍ／△Ｉｂ)2)、値
(△Ｄｍ／△Ｄｂ)3((△Ｉｍ／△Ｉｂ)3)を記憶する記憶
要素４８ａ、４８ｂ、４８ｃを有する。図４(ｂ)は、発
光パワーが一定であると共に消光比が一定であるように
規定された特性線Ｃ0と、図４(ａ)に示されるデータ構
造内のデータの近似線Ｃ2とを示すグラフである。グラ
フの横軸はバイアス電流Ｉｂを示しており、横軸は(△
Ｉｍ／△Ｉｂ)を示す。
【００４５】第１の手段３０は、モニタ信号Ｄ3により
決定される△Ｄｂと、データ(△Ｄｍ／△Ｄｂ)i(ｉ＝
１，２，３)とから (△Ｄｍ／△Ｄｂ)i×△Ｄｂ＝△Ｄｍ を求める。図４(ｂ)に示された関数ｆの構成が比較的簡
素であるので、その実現が比較的容易である。この近似
は簡単であるけれども、バイアス電流または変調電流の
所定の範囲において、発光パワーおよび消光比を一定値
に近づけるような制御が可能になることが理解される。
【００４６】また、レーザダイオード制御回路１ｂで
は、制御部１０は、変数Ｄｂの値に応じて異なる△Ｄｂ
の値を提供する調整手段４３を備えることができる。調
整手段によれば、バイアス電流または変調電流の範囲に
応じて、光電流の変動に対する応答速度を変更できる。
また、温度に対するバイアス電流Ｉｂの変化率が大きい
ような温度領域で△Ｉｂを変更すれば、ＩｂおよびＩｍ
の収束を速めることができる。
【００４７】(第３の実施の形態)図５(ａ)は、本発明の
実施の形態に係わるレーザダイオード制御回路を示すブ
ロック図である。レーザダイオード制御回路１ｃの制御
部１０は、第１〜３の手段３０、３２、３４を備えてい
る。第１の手段３０は、変換手段３５と、記憶手段３６
と、第２の比較手段６０と、判定手段６２と、第３の演
算手段６４と、第４の演算手段６６とを備えるように構
成されている。第１の記憶手段３６ａは、変数Ｄｂの範
囲に関連づけて△Ｄｍ／△Ｄｂの値を記憶している。第
２の比較手段６０は、第２の記憶手段３６ｂから基準値
Ｄref2とモニタ信号Ｄ4とを受けてこれらを比較するよ
うに動作すると共に、比較信号Ｄsubを提供する。判定
手段６２は、比較結果Ｄsubの絶対値と所定値Ｄref3と
のいずれが大きいかを判定して、判定結果Ｄcomp2を生
成する。判定結果Ｄcomp2は、例えば、比較結果Ｄsub及
び所定値Ｄref3との一方から、比較結果Ｄsub及び所定
値Ｄref3との他方を差し引くことにより生成される。
【００４８】第３の演算手段６４は、第３ａの演算手段
６４ａと、第３ｂの演算手段６４ｂとを有する。第３の
演算手段６４は、判定手段６２からの判定結果Ｄsubが
ゼロ以上である場合(光電流の絶対変化量が有意である
と判断した場合)に動作する。この条件が満たされると
き、第３ａの演算手段６４ａは、モニタ信号Ｄ4が基準
値Ｄref2より小さいとき(光電流が所定値より小さいと
き)正の値(バイアス電流が増加するように設定される
値)△Ｄｂと記憶手段３６の記憶内容(関数ｆ)とに基づ
いて値△Ｄｍを生成するように動作する。また、この条
件が満たされるとき、第３ｂの演算手段６４ｂは、モニ
タ信号Ｄ4が基準値Ｄref2より大きいとき(光電流が所定
値より大きいとき)負の値(バイアス電流が減少するよう
に設定される値)△Ｄｂと記憶手段３６の記憶内容(関数
ｆ)とに基づいて値△Ｄｍを生成するように動作する。
第４の演算手段６６は、モニタ信号Ｄ4と基準値Ｄref2
との差の絶対値が所定値Ｄref3未満である場合(光電流
の絶対変化量が有意でないと判断した場合)、値Ｄｂお
よび値Ｄｍを維持するように動作する。これは、例え
ば、制御部１０において△Ｄｂ及び関数ｆを用いて△Ｄ
ｍを更新せずに、△Ｄｂ＝△Ｄｍ＝０を設定することに
より実現される。しかしながら、これに限定されるもの
ではない。
【００４９】本実施の形態の構成によれば、モニタ信号
と基準値との差の絶対値に応じてバイアス電流及び変調
電流の制御を変更できるので、バイアス電流及び変調電
流が微少に変動することを防止できる。
【００５０】第２の手段３２は、△ＤｂおよびＤｂに対
応する値から第１の制御信号Ｖ2を発生するように動作
する。第３の手段３４は、△ＤｍおよびＤｍに対応する
値から第２の制御信号Ｖ3を発生するように動作する。
【００５１】図５(ｂ)は、記憶手段３６の構造を示すブ
ロック図である。第１の記憶手段３６ａは、図３(ａ)、
図３(ｂ)、図４(ａ)、図４(ｂ)を参照しながら既に説明
したようなデータ構造を含むことができる。第２の記憶
手段３６ｂは、現在のバイアス電流Ｉｂに対応する値Ｄ
ｂ、現在の変調電流Ｉｍに対応する値Ｄｍ、基準値Ｄ
ref2および所定値Ｄref3、その他のデータを格納する記
憶要素３６ｃを有する。
【００５２】(第４の実施の形態)図６は、本発明の実施
の形態に係わるレーザダイオード制御回路を示すブロッ
ク図である。レーザダイオード制御回路１ｄの制御部１
０は、変換手段３５と、記憶手段３６と、第１の生成手
段７０と、第３の比較手段７２と、第２の生成手段７４
と、第３の生成手段７６とを備えるように構成されてい
る。
【００５３】第１の生成手段７０は、変数Ｄｂの全範囲
が分割された複数の領域(Ｒm：ｍ≧１)のうちの任意の
領域Ｒm内のＸに対して線形関数により規定される値(△
Ｙ／△Ｘ)mを生成するように動作する。この関数を実現
するために、記憶手段３６は下記のようなデータ構造を
備える。
【００５４】図７(ａ)は、第１の記憶手段３６ａのデー
タ構造を示す図面である。第１の記憶手段３６ａは、複
数のバイアス電流値と、この値に対応する値(△Ｉｍ／
△Ｉｂ)nとを記憶している。本実施の形態では、第１の
記憶手段３６ａは、複数のバイアス電流値Ｄ3〜Ｄ7(Ｉ
ｂ3〜Ｉｂ7)を格納する記憶要素５２ａ、５２ｂ、５２
ｃ、５２ｄ、５２ｅを有すると共に、記憶要素５２ａ、
５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅの各々と関連づけて値
(△Ｄｍ／△Ｄｂ)3〜 (△Ｄｍ／△Ｄｂ)7((△Ｉｍ／△
Ｉｂ)3〜(△Ｉｍ／△Ｉｂ)7)を格納する記憶要素５４
ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄ、５４ｅを有する。
【００５５】図７(ｂ)は、発光パワーが一定であると共
に消光比が一定であるように規定された特性線Ｃ0と、
図７(ａ)に示されるデータ構造内のデータの近似線(破
線)Ｃ3とを示すグラフである。グラフの横軸は、バイア
ス電流Ｉｂを示しており、横軸は、(△Ｉｍ／△Ｉｂ)を
示す。
【００５６】図６を参照すると、第１の生成手段７０
は、図７(ａ)に示されたデータを用いてＤｂの領域毎に
独立変数Ｄｂの一次関数ｆの値を生成する。本実施の形
態では、関数ｆは、第２の記憶手段３６ａ内に格納され
ている隣接する２点を通過する直線により表現される。
このように得られた関数ｆは、隣接する２点間の領域内
において特性線Ｃ0に対する近似関数となる。
【００５７】第２の比較手段７２は、モニタ信号Ｄ5と
記憶手段３６ａから基準値Ｄref3とを受けてこれらを比
較するように動作すると共に、比較信号Ｄcomp3を提供
する。第２の生成手段７４は、第３の比較手段７２から
の比較信号Ｄcomp3を受けるように構成されており、モ
ニタ信号Ｄ5が基準値Ｄref3より小さいことを比較信号
Ｄcomp3が示す場合(光電流が所定値より小さい場合)、
第１の生成手段７０によって提供された値(△Ｙ／△Ｘ)
mと、正の値(バイアス電流を増加するように設定された
値)△Ｄｂと、関数ｆとに基づいて値△Ｄｍを求めるよ
うに動作する。第３の生成手段７６は、比較信号Ｄ
comp3を受けるように構成されており、モニタ信号Ｄ5が
基準値Ｄref3より大きいことを比較信号Ｄcomp3が示す
場合(光電流が所定値より大きい場合)、第１の生成手段
７０によって提供された値(△Ｙ／△Ｘ)mと、負の値(バ
イアス電流を減少するように設定された値)△Ｄｂと、
関数ｆとに基づいて値△Ｄｍを求めるように動作する。
第２の生成手段７４または第３の生成手段７６によれ
ば、第２および第３の手段３２、３４に提供する信号Ｄ
1(例えば、Ｄｂ＋△Ｄｂ)および信号Ｄ2(例えば、Ｄｍ
＋△Ｄｍ)が得られる。
【００５８】この制御部の構成によれば、その実現が比
較的容易である。また、バイアス電流及び変調電流並び
に温度を相対的に広い範囲において、第２の実施の形態
に記載の関数ｆによる制御と比較すると、発光パワーお
よび消光比をさらに精度良く一定値に近づけるような制
御が可能になる。
【００５９】(第５の実施の形態)図８は、本発明の実施
の形態に係わるレーザダイオード制御回路を示すブロッ
ク図である。レーザダイオード制御回路１ｅの制御部１
０は、第１の手段３０と、第２の手段３２と、第３の手
段３４と、第４の手段８０と、第５の手段８２と、第６
の手段８４と、初期値設定手段８６とを備えるように構
成されている。
【００６０】第４の手段８０は、光電流Ｉ1に対応した
電圧Ｖ1に対応するモニタ信号値Ｄ6と基準値Ｄref4との
差が閾値Ｄth1未満である場合、バイアス電流および変
調電流を更新しないように制御信号Ｄ6を生成するよう
に動作する。このとき、例えば、制御信号Ｄ6は、△Ｉ
ｂ＝０及び△Ｉｍ＝０を実現するような信号であるが、
これに限定されるものではない。この構成によれば、バ
イアス電流及び変調電流が微少に変動することを防止で
きる。第２および第３の手段は、この制御信号Ｄ6に応
答を示して、第１および第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2を生成
するように動作する。
【００６１】第５の手段８２は、値Ｄｂがバイアス電流
閾値Ｄth2を越える場合(バイアス電流が所定値を越える
場合)及び値Ｄｍが変調電流閾値Ｄth3を越える場合(変
調電流が所定値を越える場合)の少なくともいずれか一
方の場合に、バイアス電流及び変調電流を増加させない
ように制御信号Ｄ7を生成するように動作する。第２お
よび第３の手段は、この制御信号Ｄ7に応答を示して、
第１および第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2を生成するように動
作する。この構成によれば、バイアス電流および変調電
流の超過を検出して、駆動回路に過電流が提供されるこ
とを防止できる。
【００６２】この機能を実現するために、第５の手段８
２は、値Ｄｂがバイアス電流閾値Ｄ th2を越える場合(バ
イアス電流が所定値を越える場合)及び値Ｄｍが変調電
流閾値Ｄth3を越える場合(変調電流が所定値を越える場
合)のいずれか一方が生じたことを検出するための手段
８２ａと、この検出に応答して、例えば△Ｄｂ＝△Ｄｍ
＝０を生成するための制御信号Ｄ7を生成するための手
段８２ｂとを備えるように構成される。なお、第５の手
段８２は、レーザダイオード制御回路の初期値設定に利
用できる。
【００６３】第５の手段８２を用いると、半導体レーザ
素子の使用環境が一時的に規定範囲外になっても、使用
環境が規定範囲内に復帰したときから光出力パワーおよ
び消光比を一定に保つための制御が開始できるようにな
る。また、例えば、レーザダイオード起動時にあるいは
レーザモジュールの故障時に、過電流が生じることを防
止できる。
【００６４】第６の手段８４は、値Ｄｂがバイアス電流
閾値未満Ｄth4である場合(バイアス電流が所定値を未満
である場合)及び値Ｄｍが変調電流閾値Ｄth5未満である
場合(変調電流が所定値未満である場合)の少なくともい
ずれか一方の場合に、バイアス電流および変調電流を減
少させないように制御信号Ｄ8を生成する。第２および
第３の手段は、この制御信号Ｄ8に応答を示して、第１
および第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2を生成するように動作す
る。この構成によれば、レーザ光発生部の光出力の低下
が検出される。
【００６５】この機能を実現するために、第６の手段８
４は、値Ｄｂがバイアス電流閾値Ｄ th4未満である場合
及び値Ｄｍが変調電流閾値Ｄth5未満である場合のいず
れか一方が生じたことを検出するための手段８４ａと、
検出に応答して、例えば△Ｄｂ＝△Ｄｍ＝０を生成する
ための手段８４ｂとを更に備えるように構成される。な
お、第６の手段８４をレーザダイオード制御回路の初期
値設定に利用できる。
【００６６】第６の手段８４を用いると、半導体レーザ
素子の使用環境が一時的に規定範囲外になっても、使用
環境が規定範囲内に復帰したときから光出力パワーおよ
び消光比を一定に保つための制御が開始できるようにな
る。
【００６７】初期値設定手段８６は、複数の制御信号の
組(第１の制御信号、第２の制御信号)i(ｉ＝１、・・・
ｎ)を順次に提供して当該レーザダイオード制御回路１
ｅを起動するための制御信号Ｄ9を生成するように動作
する。第２および第３の手段は、この制御信号Ｄ9に応
答を示して、第１および第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2を生成
するように動作する。この構成によれば、レーザ光発生
部２の動作を開始したとき、レーザ光発生部２に過渡的
に過電流が流れることを防止できる。
【００６８】初期値設定手段は、上記の構成に限定され
るものではない。半導体レーザ素子を起動するときに、
下記に手順によりバイアス電流および変調電流を設定す
る。まず、バイアス電流Ｉｂが最も小さい準基準点(第
１の制御信号、第２の制御信号)aの設定を行う。所定の
時間(電源供給から安定した発光が得られるまでの時間)
が経過したとき、モニタ用受光素子からの光電流に対応
する値Ｄ4を目標値と比較する。値Ｄ4が目標値より小さ
い場合(光量が目標光量より小さい場合)、準基準点(第
１の制御信号、第２の制御信号)bの設定を行う。これ以
降、準備されている準基準点を順次に提供する。この繰
り返しにより、モニタ用受光素子からの光電流に対応す
る値Ｄ4が目標値を越えた場合、あるいは基準点の設定
を行った場合のいずれかの場合(光量が目標光量から所
定値内にある場合)が生じたとき、初期値設定ルーチン
を終了すると共に、通常の制御フローへ戻る。
【００６９】本実施の形態および他の実施の形態におい
て現れる基準値Ｄref4、閾値Ｄth1、バイアス電流閾値
Ｄth2、変調電流閾値Ｄth3、バイアス電流閾値未満Ｄ
th4、変調電流閾値Ｄth5、複数の制御信号の組(第１の
制御信号、第２の制御信号)i(ｉ＝１、・・・ｎ)、複数
の準基準点(第１の制御信号、第２の制御信号)j(ｊ＝
ａ、ｂ、ｃ、・・・)といった定数は、第２の記憶手段
３６ｂ内の記憶要素３６ｃに格納されるようにできる。
【００７０】(第６の実施の形態)図９は、本発明の実施
の形態に係わるレーザダイオード制御回路を示すブロッ
ク図である。レーザダイオード制御回路１ｆの制御部１
０は、第１の手段３０、第２の手段３２、および第３の
手段３４を備える。また、制御部１０は、レーザ光発生
部の電流超過を検出するための過剰電流検知手段９０を
更に備えることができる。この手段９０によれば、レー
ザ光発生部の故障および劣化を検知できる。さらに、制
御部１０は、レーザ光発生部のパワー低下を検出するた
めのパワー低下検知手段１０２を更に備えることができ
る。この手段１０２によれば、レーザ光発生部の故障お
よび劣化を検知できる。
【００７１】過剰電流検知手段９０とパワー低下検知手
段１０２との両方を利用することにより、レーザ光発生
部が所定の光出力パワーで発光しているが供給電流が大
き過ぎる状態(劣化)と、レーザ光発生部が発光していな
い状態(故障)とを区別できる。これにより、レーザ光発
生部の劣化を検出して光モジュールを交換することによ
り、システムダウンといった不測の事態を避けることが
できる。
【００７２】過剰電流検知手段９０は、ＤｂとＤｍとの
和Ｄsumを生成するための手段９２と、和Ｄsumが閾値Ｄ
th6以上である場合比較信号Ｄcomp4を生成するための手
段９４と、比較信号Ｄcomp4に応答して当該レーザ光発
生部２の電流超過を示す第１の警報信号Ｖ4を生成する
ための手段９６とを備えるように構成される。この構成
によれば、レーザ光発生部２の電流超過を検出できる。
また、検知部９０は、第１の警報信号Ｖ1が生成されて
いるときに設定されるフラグを格納する記憶要素を含む
と共に、このフラグが設定されており和Ｄsumが閾値Ｄ
th7未満である場合に比較信号Ｄcomp5を生成するための
手段９８と、比較信号Ｄcomp5に応答して、第１の警報
信号Ｖ4を停止する第１の停止信号Ｖ5を生成するための
手段１００とを備えるように構成される。この構成によ
れば、検出された過電流の警報を解除できる。この比較
は、Ｄsumに代えて、Ｄｍ、Ｄｂにより行うこともでき
る。過剰電流検知手段９０において、閾値Ｄth6に対し
てヒステリシスを持つように閾値Ｄth7を決定すれば、
警報出力がふらつくことを防止できる。
【００７３】パワー低下検知手段１０２は、光電流に対
応するモニタ信号Ｄ10が閾値Ｄth8以下であることを示
す比較信号Ｄcomp6を生成するための手段と、比較信号
Ｄcom p6に応答して当該レーザ光発生部２の発光パワー
低下を示す第２の警報信号Ｖ6を生成するための手段と
を備えるように構成される。この構成によれば、レーザ
光発生部の発光パワーの低下を検出できる。また、パワ
ー低下検知部１０２は、第２の警報信号Ｖ6が生成され
ているときに設定されるフラグを格納する記憶要素を含
むと共に、このフラグが設定されておりモニタ信号Ｄ10
が閾値Ｄth9以上である場合に比較信号Ｄcomp7を生成す
るための手段と、比較信号Ｄcomp7に応答して第２の警
報信号を停止するための手段とを備えるように構成でき
る。この構成によれば、検出されたパワー低下の警報を
解除できる。パワー低下検知手段１０２において、閾値
Ｄth6に対してヒステリシスを持つように閾値Ｄth7を決
定すれば、警報出力がふらつくことを防止できる。
【００７４】発光停止手段１１２は、インタフェイス部
からの信号に応答を示してレーザ光発生部における光の
発生を停止させるように動作する。発光開始手段１１３
は、インタフェイス部からの信号に応答を示してレーザ
光発生部における光の発生を開始するように動作する。
これらの手段を備えることにより、当該レーザダイオー
ド制御回路に接続されていた光コネクタが外れたことを
検出して、光出力を停止することにより、レーザ光の漏
れに起因する不具合を防止できる。また、レーザ発生部
からの光出力を意図的にオン／オフすることにより、レ
ーザ発生部が光学的に結合された光ファイバの疎通を確
認できる。
【００７５】(第７の実施の形態)上記の実施の形態で示
されたレーザダイオード制御回路では、レーザ光発生部
からの信号に基づいてバイアス電流および変調電流を制
御している。この回路によれば、関数ｆを用いた制御に
より発光パワーを一定に近づけるような制御だけでな
く、また、関数ｆを用いた制御により消光比を一定に近
づけるような制御も行うことができる。
【００７６】次いで、上記の実施の形態で示されたレー
ザダイオード制御回路によって、光出力パワー及び消光
比を一定値に近づけるような制御が可能であることを示
す。
【００７７】図１０は、半導体レーザ素子のＩ−Ｌ特性
図を示しており、横軸は、駆動電流を示し、縦軸は光出
力パワーを示す。図１０において、記号ＴMは常温(例え
ば、２５℃)におけるＩ−Ｌ特性線を示しており、記号
ＴLは低温(＜２５℃)におけるＩ−Ｌ特性線を示してお
り、記号ＴHは高温(＞２５℃)におけるＩ−Ｌ特性線を
示している。この特性図によれば、一定の発光パワーを
得るためには、温度が上昇するにつれて駆動電流を大き
くする必要がある。駆動電流は、バイアス電流と変調電
流とからなる。バイアス電流と変調電流との比率は、そ
れぞれの温度において異なっている。しかしながら、レ
ーザ駆動電流をバイアス電流と変調電流とに分けて制御
することにより、光出力パワーだけでなく消光比も制御
可能になる。また、レーザダイオードの閾値電流Ｉthは
半導体レーザ素子の個体によってばらつくけれども、上
記の実施の形態に記載された手法によれば、このばらつ
きに対する調整を個体毎に実施できる。
【００７８】発明者らは、バイアス電流ＩｂとしてＩth
＋Ｉαと(Ｉthはしきい値電流)規定すると共に、レーザ
駆動電流とバイアス電流との差を変調電流と規定した。
発明者は、半導体レーザ素子のバイアス電流と変調電流
との温度依存性を測定した。図１１は、半導体レーザ素
子の発光パワーおよび消光比を一定にするように調整し
ながら測定されたバイアス電流および変調電流の温度依
存性を示す図面であり、縦軸は電流を示しており、横軸
は温度を示す。図１１において、記号Ｉｍ0およびＩｂ0
は初期の半導体レーザ素子の電流特性を示している。
【００７９】発明者は、さらに、長時間の使用により特
性が変化(経時劣化)した半導体レーザ素子のバイアス電
流と変調電流との温度依存性を同様な条件の下で測定し
た。図１１において、記号Ｉｍ1およびＩｂ1は、この半
導体レーザ素子の電流特性を示している。発明者は、特
性曲線Ｉｍ0およびＩｂ0を特性曲線Ｉｍ1およびＩｂ1と
比較してみた。その比較結果によれば、特性曲線Ｉｍ1
およびＩｂ1は特性曲線Ｉｍ0およびＩｂ0を左(低温領
域)へシフトさせることによって近似的に得られること
が明らかになった。このシフトは、特性が劣化した半導
体レーザ素子ではバイアス電流および変調電流を増加さ
せないと、発光パワーおよび消光比を一定に保てないこ
とを示している。
【００８０】図１２は、(△Ｉｍ／△Ｉｂ)の温度依存性
を示す特性図である。この特性図は、図１１の特性曲線
から得ることができる。図１２の特性曲線Ｒは、図１１
に示された各温度において、変調電流特性曲線Ｉｍおよ
びバイアス電流特性曲線Ｉｂの温度に関する微分係数
(△Ｉｍ／△Ｔ)および(△Ｉｂ／△Ｔ)を求めその比(△
Ｉｍ／△Ｉｂ)を計算して、プロットすることによって
得られる。また、経時劣化した半導体レーザ素子の特性
曲線Ｉｍ1および特性曲線Ｉｂ1についても微分係数を計
算できる。この結果は、特性曲線Ｒを左(低温領域)へシ
フトさせた曲線Ｓにより近似的に表現できることが明ら
かになった。
【００８１】図１３は、(△Ｉｍ／△Ｉｂ)のバイアス電
流Ｉｂ依存性を示す特性図である。横軸は、バイアス電
流を示し、縦軸は(△Ｉｍ／△Ｉｂ)を示す。この特性図
は、図１１及び図１２の特性曲線から得ることができ
る。
【００８２】発明者は、図１１及び図１２において半導
体レーザ素子の特性劣化が特性曲線のシフトとして現れ
ることに着目した。図１１において、あるバイアス電流
Ｉｂにおいては、特性曲線Ｉｂ0の微分係数(△Ｉｂ／△
Ｔ)0は特性曲線Ｉｂ1の微分係数(△Ｉｂ／△Ｔ)1と実質
的に等しい。これは、半導体レーザ素子の特性劣化によ
っては、図１３の特性曲線は変化しないことを示してい
る。したがって、本実施の形態の方法によれば、発光パ
ワーおよび消光比を一定値に近づけるような制御が可能
であるだけでなく、半導体レーザ素子の特性劣化も補償
できる。
【００８３】関数ｆは、このような手順により決定でき
る。発明者らの実験によれば、この関数はレーザダイオ
ード素子の個体毎の依存性よりも、製造ロットによる依
存性が強いことが明らかにされた。故に、関数ｆの決定
は、製造ロット毎に行うことが好ましい。
【００８４】これまでの説明は、バイアス電流Ｉｂにつ
いて行われたけれども、ある変調電流Ｉｍにおいては、
特性曲線Ｉｍ0の微分係数(△Ｉｍ／△Ｔ)0は特性曲線Ｉ
ｍ1の微分係数(△Ｉｍ／△Ｔ)1と実質的に等しいので、
変調電流Ｉｍに対しても適用される。
【００８５】引き続いて、上記の実施の形態に説明した
ように動作するように、レーザダイオード制御回路を調
整する方法の一例を説明する。 (１) 調整されるべきレーザダイオード制御回路を所定
の環境温度に保つ。 (２) 所望の光出力パワーを得ると共に、所望の消光比
を得るように、バイアス電流および変調電流を調整す
る。これらの電流値に対応する値をレーザダイオード制
御回路内の記憶手段に格納する。これらの値は、レーザ
ダイオード制御回路を正しく動作させる際の初期値を提
供する。 (３) モニタ用受光素子からの光電流を測定する。この
光電流に対応する値をレーザダイオード制御回路内の記
憶手段(図２の参照番号３６)に格納する。この値は、レ
ーザダイオード制御回路を正しく動作させる際の基準点
を提供する。
【００８６】これらの過程の結果、半導体レーザ素子の
バイアス電流および変調電流並びにモニタ用受光素子の
受信感度の個体差が調整されたレーザダイオード制御回
路が提供される。
【００８７】これまでの説明から、ある基準点において
所定の光出力パワー及び消光比を出力するように、バイ
アス電流及び変調電流を調整すると共に、制御関数ｆを
決定できれば、レーザダイオードの光出力パワー及び消
光比を広い温度範囲にわたって一定に近づけるように制
御できることが理解される。
【００８８】(第８の実施の形態)図１４は、レーザダイ
オードを制御する方法を示すフローチャートである。フ
ローチャート１２０では、ステップＳ１０１においてレ
ーザダイオード制御回路が起動され、ステップＳ１０３
において、初期値設定手段を起動してバイアス電流及び
変調電流を制御するための初期値が設定される。適切な
初期値が設定された後に、ステップＳ１０５において、
関数ｆを用いてバイアス電流および変調電流の制御を受
光素子からの光電流値に基づいて行う。また、ステップ
１０７おいて、レーザダイオード制御回路を制御するた
めのパラメータの異常の有無を検知する。引き続いて、
ステップＳ１０９において、インタフェイス部を介して
停止信号を受けているかが判定される。停止信号を受け
ている場合には、ステップＳ１１１において、停止手段
が起動されてレーザダイオード制御回路の動作を停止す
る。停止信号を受けていない場合には、ステップＳ１０
５に戻るので、停止信号を受けるまで、ステップＳ１０
５、Ｓ１０７、Ｓ１０９が繰り返される。なお、図１４
に示された制御フローにより実現される機能を割り込み
機能を利用して実現することもできる。
【００８９】図１５は、ステップＳ１０７を詳細に示す
フローチャート１２２である。異常検知ステップでは、
ステップＳ１１３において、バイアス電流値が正常であ
るかを判定する。判定結果が異常を示す場合には、ステ
ップＳ１１５において、バイアス電流の異常を示す信号
が発生される。判定結果が正常を示す場合には、ステッ
プＳ１１７において、変調電流値が正常であるかを判定
する。判定結果が異常を示す場合には、ステップＳ１１
９において、変調電流の異常を示す信号が発生される。
判定結果が正常を示す場合には、ステップＳ１２１にお
いて、バイアス電流と変調電流との和が正常であるかを
判定する。判定結果が異常を示す場合には、ステップＳ
１２３において、電流和の異常を示す信号が発生され
る。判定結果が正常を示す場合には、ステップＳ１２５
光出力パワーにおいて、正常であるかを判定する。判定
結果が異常を示す場合には、ステップＳ１２７におい
て、光出力パワーの異常を示す信号が発生される。判定
結果が正常を示す場合には、異常検知ステップＳ１０７
を終了する。なお、異常検知ステップＳ１０７では、上
記の検知のうち一部を行うようにしてもよい。
【００９０】図１６は、ステップＳ１０５の制御手順示
すフローチャート１２４である。ステップＳ１０５のお
いては、バイアス電流および変調電流に対する適切な初
期値から、モニタ用受光素子からの光電流値に基づいて
バイアス電流および変調電流の制御を行う。ステップＳ
１２９において、モニタ用受光素子からの光電流に対応
したモニタ信号Ｄ3を生成する。次いで、ステップＳ１
３１において、モニタ信号Ｄ3をＤref1と比較する。
【００９１】比較結果がＤ3≧Ｄref1を示す場合(光電流
が所定値以上である場合)、ステップＳ１３３において
負値△Ｄｂを生成する。ステップＳ１３３において、負
値(バイアス電流を減少させるように設定される値)△Ｄ
ｂおよびＤｂから関数ｆにより△Ｄｍを計算する。次い
で、ステップＳ１３７において△Ｄｂ、△Ｄｍ、Ｄｂ、
Ｄｍから第１及び第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2を生成する。
ステップＳ１３９において、第１及び第２の制御信号Ｖ
1、Ｖ2に基づいてバイアス電流Ｉｂおよび変調電流Ｉｍ
を発生する。この電流はレーザダイオードに加えられ
る。そして、レーザダイオードからの光は、モニタ用受
光素子に入力する。
【００９２】比較結果がＤ3＜Ｄref1を示す場合(光電流
が所定値未満である場合)、ステップＳ１４１において
正値(バイアス電流を増加させるように設定される値)△
Ｄｂを生成する。ステップＳ１４３において、正値△Ｄ
ｂおよびＤｂから関数ｆにより△Ｄｍを計算する。次い
で、ステップＳ１４５において△Ｄｂ、△Ｄｍ、Ｄｂ、
Ｄｍから第１及び第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2を生成する。
ステップＳ１４７において、第１及び第２の制御信号Ｖ
1、Ｖ2に基づいてバイアス電流Ｉｂおよび変調電流Ｉｍ
を発生する。この電流はレーザダイオードに加えられ
る。そして、レーザダイオードからの光は、モニタ用受
光素子に入力する。
【００９３】ステップＳ１３９及びＳ１４７が終了する
と、制御は異常検知ステップに移る。なお、異常検知
は、割り込み処理を用いても実現できる。
【００９４】図１７は、ステップＳ１０５の別の制御手
順を詳細に示すフローチャート１２６である。ステップ
Ｓ１０５においては、バイアス電流および変調電流の対
する適切な初期値から、モニタ用受光素子からの光電流
値に基づいてバイアス電流および変調電流の制御を行
う。ステップＳ１４９において、モニタ用受光素子から
の光電流に対応したモニタ信号Ｄ4を生成する。次い
で、ステップＳ１５１において、モニタ信号Ｄ4を閾値
Ｄref2と比較する。この検知のために、本実施の形態で
は、モニタ信号Ｄ4とＤref2との差を生成して、この差
の絶対値(Ｄ4−Ｄref 2)ABSと閾値Ｄref3とを比較する。
比較結果が(Ｄ4−Ｄref2)ABS＞閾値Ｄref3を示す場合
(光電流の変化量が有意である場合)、ステップＳ１６１
において、モニタ信号Ｄ4をＤref2と比較する。
【００９５】比較結果がＤ4＞Ｄref2を示す場合(光電流
が所定値より大きい場合)、ステップＳ１６３において
負値(バイアス電流を減少するように設定された値)△Ｄ
ｂを生成する。ステップＳ１６５において、△Ｄｂおよ
びＤｂから関数ｆにより△Ｄｍを計算する。次いで、ス
テップＳ１６７において△Ｄｂ、△Ｄｍ、Ｄｂ、Ｄｍか
ら第１及び第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2を生成する。ステッ
プＳ１６９において、第１及び第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2
に基づいてバイアス電流Ｉｂおよび変調電流Ｉｍを発生
する。この電流はレーザダイオードに加えられる。そし
て、レーザダイオードからの光は、モニタ用受光素子に
入力する。
【００９６】比較結果がＤ3＜Ｄref1を示す場合(光電流
が所定値より小さい場合)、ステップＳ１７１において
正値(バイアス電流を増加するように設定された値)△Ｄ
ｂを生成する。ステップＳ１７３において、△Ｄｂおよ
びＤｂから関数ｆにより△Ｄｍを計算する。次いで、ス
テップＳ１７５において△Ｄｂ、△Ｄｍ、Ｄｂ、Ｄｍか
ら第１及び第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2を生成する。ステッ
プＳ１７７において、第１及び第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2
に基づいてバイアス電流Ｉｂおよび変調電流Ｉｍを発生
する。この電流はレーザダイオードに加えられる。そし
て、レーザダイオードからの光は、モニタ用受光素子に
入力する。
【００９７】比較結果が(Ｄ4−Ｄref2)ABS＜閾値Ｄref3
を示す場合(光電流の変化量が有意でない場合)、ステッ
プ１５３において、現在のバイアス電流及び変調電流を
維持するように△Ｄｂ及び△Ｄｍを設定する。ステップ
Ｓ１５３において、第１及び第２の制御信号Ｖ1、Ｖ2に
基づいてバイアス電流Ｉｂおよび変調電流Ｉｍを発生す
る。この電流はレーザダイオードに加えられる。そし
て、レーザダイオードからの光は、モニタ用受光素子に
入力する。
【００９８】ステップＳ１６９、Ｓ１７７及びＳ１５３
が終了すると、制御は異常検知ステップに移る。なお、
異常検知は、割り込み処理を用いても実現できる。
【００９９】図１４〜図１７を参照しながらレーザダイ
オードを制御する方法について説明したが、関数ｆとし
ては、当該実施の形態に先行する実施の形態に記載され
たものが適用可能である。
【０１００】以上、本実施の形態のレーザダイオード制
御回路及びレーザダイオードを制御する方法によれば、
レーザ光発生部の光出力パワーおよび消光比に関する制
御を行うようにしている。この制御に際して、モニタ用
受光素子の出力信号のピーク検出を行うことなく、また
レーザ光発生部の温度のモニタを行うことがない。この
ピーク検出は、伝送レートが高くなるに従って困難にな
る。また、レーザ光発生部の半導体発光素子が経時変化
すると無意味になるレーザ光発生部の温度のモニタを行
うことない。
【０１０１】本実施の形態に示されたレーザダイオード
制御回路及びレーザダイオードを制御する方法によれ
ば、レーザダイオードの周囲温度の変化や経時変化に対
して光出力パワーと消光比とを一定に制御する回路を効
率的に提供できる。つまり、光送信器を大量に製造する
際にレーザダイオードの個体差に応じた調整作業をこう
りつ良く行うことが可能になる。
【０１０２】好適な実施の形態において本発明の原理を
図示し説明してきたが、本発明はそのような原理から逸
脱することなく配置および詳細において変更され得るこ
とができることは、当業者によって認識される。例え
ば、実施の形態に示されたレーザダイオード制御回路
は、バイポーラトランジスタにより構成されているけれ
ども、ＩＩＩ−Ｖ系化合物半導体トランジスタにより構
成されてもよい。また、関数ｆの実現方法は、本実施の
形態に記載された近似関数に限定されることなく、必要
なように変更される。さらに、実施の形態においては、
光出力パワーおよび消光比を一定値に近づける関数を用
いる制御法について説明したが、本発明は、発光パワー
が所定の依存性を示すと共に消光比が所定の依存性を示
すように規定された関数を用いる制御法についても適用
される。さらにまた、実施の形態では、制御部がＣＰＵ
といったプロセッサを用いる場合を説明したが、制御部
がディジタル論理回路によって構成されてもよい。加え
て、レーザ光発生部は、半導体レーザ素子を含むものに
限定されず、半導体光増幅素子を含むようなもの、ＥＡ
変調素子を集積したものでもよい。したがって、特許請
求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正およ
び変更に権利を請求する。
【０１０３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体発光素子を含むレーザ光発生部の光出力パワーお
よび消光比に関する制御を行うためのレーザダイオード
制御回路、およびレーザダイオードを制御する方法が提
供された。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係わるレーザダ
イオード制御回路を示すブロック図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係わるレーザダ
イオード制御回路を示すブロック図である。
【図３】図３(ａ)は、第１の記憶手段のデータ構造を示
す図面である。図３(ｂ)は、発光パワーが一定であると
共に消光比が一定であるように規定された特性線Ｃ
0と、図３(ａ)に示されるデータ構造内のデータに近似
線Ｃ1とを示すグラフである。
【図４】図４(ａ)は、第１の記憶手段のデータ構造を示
す図面である。図４(ｂ)は、発光パワーが一定であると
共に消光比が一定であるように規定された特性線Ｃ
0と、図４(ａ)に示されるデータ構造内のデータに近似
線Ｃ2とを示すグラフである。
【図５】図５(ａ)は、本発明の実施の形態に係わるレー
ザダイオード制御回路を示すブロック図である。図５
(ｂ)は、記憶手段の構造を示すブロック図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係わるレーザダ
イオード制御回路を示すブロック図である。
【図７】図７(ａ)は、第１の記憶手段３６ａのデータ構
造を示す図面である。図７(ｂ)は、発光パワーが一定で
あると共に消光比が一定であるように規定された特性線
Ｃ0と、図７(ａ)に示されるデータ構造内のデータに近
似線(破線)Ｃ3とを示すグラフである。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係わるレーザダ
イオード制御回路を示すブロック図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係わるレーザダ
イオード制御回路を示すブロック図である。
【図１０】図１０は、半導体レーザ素子のＩ−Ｌ特性図
を示す。
【図１１】図１１は、半導体レーザ素子の発光パワーお
よび消光比を一定にするように調整しながら測定された
バイアス電流および変調電流の温度依存性を示す図面で
ある。
【図１２】図１２は、(△Ｉｍ／△Ｉｂ)の温度依存性を
示す特性図である。
【図１３】図１３は、(△Ｉｍ／△Ｉｂ)のバイアス電流
Ｉｂ依存性を示す特性図である。
【図１４】図１４は、レーザダイオードを制御する方法
を示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、異常検知ステップを詳細に示すフ
ローチャートである。
【図１６】図１６は、バイアス電流及び変調電流の制御
手順示すフローチャートである。
【図１７】図１７は、バイアス電流及び変調電流の制御
手順示す別のフローチャートである。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ…レーザダイオード制御
回路、２…レーザ光発生部、４…モニタ用受光素子、４
ａ…フォトダイオード、４ｂ…アノード、４ｃ…カソー
ド、６…駆動回路、８…負荷部、１０…制御部、１２…
バイアス電流および変調電流制御回路、１２ａ…Ａ／Ｄ
変換回路部、１２ｂ…制御手段、１２ｃ…第１のＤ／Ａ
変換回路部、１２ｄ…第２のＤ／Ａ変換回路部、１２ｅ
…インタフェース部、１６…バイアス電流回路部、１８
…変調電流回路部、２０…駆動部、２２…メモリ、２２
ａ…不揮発性メモリ、２４…外部制御装置、２６ａ、２
６ｂ…警報器、２８ａ、２８ｂ…信号線

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レーザ光発生部から受けた光量に応じて
    受光素子によって発生された光電流に対応した信号を生
    成する負荷部を備え、 前記信号に対応する値と基準値との比較結果に応じて決
    定された△Ｘと、発光パワーが所定の依存性を示すと共
    に消光比が所定の依存性を示すように規定された関数 ｆ(Ｘ、△Ｘ)＝△Ｙ により生成された△Ｙと、Ｘと、Ｙとのうち、バイアス
    電流及び変調電流の一方を変更するための第１の制御信
    号を△ＸおよびＸに対応する値から発生すると共にバイ
    アス電流及び変調電流の他方を変更するための第２の制
    御信号を△ＹおよびＹに対応する値から発生するための
    制御部を備え、ここで、変数の組(Ｘ、Ｙ、△Ｘ、△Ｙ)
    は(Ｄｂ、Ｄｍ、△Ｄｂ、△Ｄｍ)及び(Ｄｍ、Ｄｂ、△
    Ｄｍ、△Ｄｂ)のいずれかであり、記号Ｄｂはバイアス
    電流Ｉｂに対応する値を示しており、記号Ｄｍは変調電
    流Ｉｍに対応する値を示しており、記号△Ｄｂはバイア
    ス電流Ｉｂの変化分△Ｉｂに対応する値を示しており、
    記号△Ｄｍは変調電流Ｉｍの変化分△Ｉｍに対応する値
    を示しており、 前記レーザ光発生部に提供されるバイアス電流を前記第
    １の制御信号に従って生成するバイアス電流回路部を備
    え、 前記レーザ光発生部に提供される変調電流を前記第２の
    制御信号に従って生成する変調電流回路部を備えるレー
    ザダイオード制御回路。
  2. 【請求項２】 前記制御部は、 前記信号に対応する値と基準値との比較結果に応じて決
    定される変化分△Ｘおよび前記関数ｆ(Ｘ、△Ｘ)＝△Ｙ
    に従って、変化分△Ｙを生成するための第１の手段と、 前記△Ｄｂおよび前記Ｄｂに対応する値から第１の制御
    信号を発生するための第２の手段と、 前記△Ｄｍおよび前記Ｄｍに対応する値から第２の制御
    信号を発生するための第３の手段とを備える請求項１に
    記載のレーザダイオード制御回路。
  3. 【請求項３】 前記制御部は、前記信号を受けて前記信
    号に対応するディジタル値を生成するＡ／Ｄ変換回路
    部、ディジタル値Ｄｂ＋△Ｄｂに対応するアナログ値を
    生成する第１のＤ／Ａ変換回路部、およびディジタル値
    Ｄｍ＋△Ｄｍに対応するアナログ値を生成する第２のＤ
    ／Ａ変換回路部を備える、請求項１または請求項２に記
    載のレーザダイオード制御回路。
  4. 【請求項４】 前記関数ｆは、発光パワーが一定になる
    と共に消光比が一定になるように規定された関数の近似
    関数である、請求項１〜請求項３のいずれかに記載のレ
    ーザダイオード制御回路。
  5. 【請求項５】 前記第１の手段は、 前記変数Ｘの範囲に関連づけて△Ｙ／△Ｘの値を記憶す
    る第１の記憶手段と、前記受光素子からの光電流値に対
    応するモニタ信号を基準値と比較するための比較手段
    と、 前記光量が所定値より小さいことを前記比較手段におけ
    る比較結果が示す場合、前記光量を増加させるように設
    定される値△Ｘと前記記憶手段の記憶内容とに基づいて
    値△Ｙを求めるための第１の演算手段と、 前記光量が所定値より大きいことを前記比較結果が示す
    場合、前記光量を減少させるように設定される値△Ｘと
    前記記憶手段の記憶内容とに基づいて値△Ｙを求めるた
    め第２の演算手段とを備える請求項２に記載のレーザダ
    イオード制御回路。
  6. 【請求項６】 前記第１の記憶手段は、変数Ｘの全範囲
    に対して定数(△Ｙ／△Ｘ)0を記憶している、請求項５
    に記載のレーザダイオード制御回路。
  7. 【請求項７】 前記第１の記憶手段は、変数Ｘの全範囲
    が分割された複数の領域(Ｒn：ｎ≧１)にそれぞれ対応
    づけて定数(△Ｙ／△Ｘ)nを記憶している、請求項５に
    記載のレーザダイオード制御回路。
  8. 【請求項８】 前記第１の手段は、 変数Ｘの全範囲が分割された複数の領域(Ｒm：ｍ≧１)
    のうちの任意の領域Ｒmにおいて該領域内のＸに対する
    線形関数ｆにより規定される値(△Ｙ／△Ｘ)mを生成す
    るための第１の生成手段と、 前記受光素子からの光電流値に対応するモニタ信号を基
    準値と比較するための比較手段と、 前記光量が所定値よりも小さいことを前記比較手段にお
    ける比較結果が示す場合、値(△Ｙ／△Ｘ)mと、前記光
    量を増加させるように設定される値△Ｘとに基づいて値
    △Ｙを求めるための第２の生成手段と、 前記光量が所定値よりも大きいことを前記比較結果が示
    す場合、値(△Ｙ／△Ｘ)mと、前記光量を減少させるよ
    うに設定される値△Ｘとに基づいて値△Ｙを求めるため
    の第３の生成手段とを備える請求項２に記載のレーザダ
    イオード制御回路。
  9. 【請求項９】 前記制御部は、変数Ｘの値に応じて異な
    る△Ｘの値を提供する手段を有する、請求項１〜請求項
    ８のいずれかに記載のレーザダイオード制御回路。
  10. 【請求項１０】 前記制御部は、現在のバイアス電流Ｉ
    ｂに対応する値Ｄｂおよび現在の変調電流Ｉｍに対応す
    る値Ｄｍを格納するための第２の記憶手段を有する、請
    求項１〜請求項９のいずれかに記載のレーザダイオード
    制御回路。
  11. 【請求項１１】 前記制御部は、前記信号に対応する値
    と基準値との差の絶対値が閾値以下である場合、Ｘ及び
    Ｙを維持する第４の手段を有する、請求項１〜請求項１
    ０のいずれかに記載のレーザダイオード制御回路。
  12. 【請求項１２】 前記制御部は、前記Ｄｂとバイアス電
    流閾値との比較結果がバイアス電流過剰であることを示
    す場合及び前記Ｄｍと変調電流閾値との比較結果が変調
    電流過剰であることを示す場合のいずれか一方の場合
    に、前記バイアス電流および前記変調電流を増加させな
    いように前記第１および第２の制御信号を生成する第５
    の手段を有する、請求項１〜請求項１１のいずれかに記
    載のレーザダイオード制御回路。
  13. 【請求項１３】 前記制御部は、前記Ｄｂとバイアス電
    流閾値との比較結果がバイアス電流過小であることを示
    す場合及び前記Ｄｍと変調電流閾値との比較結果が変調
    電流過小であることを示す場合のいずれか一方の場合
    に、前記バイアス電流および前記変調電流を減少させな
    いように前記第１および第２の制御信号を生成する第６
    の手段を有する、請求項１〜請求項１２のいずれかに記
    載のレーザダイオード制御回路。
  14. 【請求項１４】 前記制御部は、複数の制御信号の組
    (第１の制御信号、第２の制御信号)i(ｉ＝１、・・・
    ｎ)を順次に提供して当該レーザダイオード制御回路を
    起動するための初期値設定手段を更に備える、請求項１
    〜請求項１３のいずれかに記載のレーザダイオード制御
    回路。
  15. 【請求項１５】 前記制御部は、 前記Ｄｂ、前記Ｄｍ、前記Ｄｂと前記Ｄｍとの和ＳＵＭ
    のいずれか１つを閾値と比較して、該比較結果を示す第
    １の比較信号を生成するための手段と、 該第１の比較信号が電流超過を示す場合、当該レーザ光
    発生部の電流超過を示す第１の警報信号を発生するため
    の手段とを備える請求項１〜請求項１４のいずれかに記
    載のレーザダイオード制御回路。
  16. 【請求項１６】 前記制御部は、 該第１の警報信号が発生された場合、該第１の比較信号
    が電流正常を示すとき、前記第１の警報信号を停止する
    ための手段とを備える請求項１５に記載のレーザダイオ
    ード制御回路。
  17. 【請求項１７】 前記制御部は、 前記光電流に対応するモニタ信号を閾値と比較して、該
    比較結果を示す第３の比較信号を生成するための手段
    と、 前記第３の比較信号がパワー過小を示す場合、当該レー
    ザ光発生部の発光パワー低下を示す第２の警報信号を生
    成するための手段とを備える請求項１〜請求項１６のい
    ずれかに記載のレーザダイオード制御回路。
  18. 【請求項１８】 前記制御部は、 前記第２の警報信号が生成されている場合に、前記第３
    の比較信号がパワー正常を示すとき、前記第２の警報信
    号を停止するための手段とを備える請求項１７に記載の
    レーザダイオード制御回路。
  19. 【請求項１９】 前記制御部は、不揮発性メモリを含
    み、 当該レーザダイオード制御回路は、 外部装置と通信をするためのインタフェイス部と、 前記インタフェイス部に接続され前記不揮発性メモリへ
    の書き込みを行うための手段とを更に備える、請求項１
    〜請求項１８のいずれかに記載のレーザダイオード制御
    回路。
  20. 【請求項２０】 外部装置と通信をするためのインタフ
    ェイス部と、 前記インタフェイス部からの信号に応答を示して前記レ
    ーザ光発生部における光の発生を停止させるための手段
    と、 前記インタフェイス部からの信号に応答を示して前記レ
    ーザ光発生部における光の発生を開始するための手段と
    を更に備える、請求項１〜請求項１８のいずれかに記載
    のレーザダイオード制御回路。
  21. 【請求項２１】 当該レーザダイオード制御回路は、 半導体発光素子を含むレーザ光発生部と、 前記レーザ光発生部からの光を受けるように配置され、
    受けた光量に対応する光電流を生成するモニタ用受光素
    子とを更に備える、請求項１〜請求項２０のいずれかに
    記載のレーザダイオード制御回路。
  22. 【請求項２２】 レーザダイオードを制御する方法であ
    って、 レーザ光発生部からの光を受ける受光素子からの光電流
    に対応した信号を生成する生成ステップと、 前記信号に対応する値と基準値との比較結果に応じて決
    定される△Ｘ、および発光パワーが所定の依存性を示す
    と共に消光比が所定の依存性を示すように規定された関
    数 ｆ(Ｘ、△Ｘ)＝△Ｙ により生成された値△Ｙ、値Ｘ、値Ｙのうち、バイアス
    電流および変調電流の一方を制御するための第１の制御
    信号を△ＸおよびＸから発生すると共に、バイアス電流
    および変調電流の他方を制御するための第２の制御信号
    を△ＹおよびＹから発生する発生ステップと、 前記第１および第２の制御信号に基づいて生成されたバ
    イアス電流および変調電流により前記レーザ光発生部を
    駆動する駆動ステップとを備え、 変数の組(Ｘ、Ｙ、△Ｘ、△Ｙ)は(Ｄｂ、Ｄｍ、△Ｄ
    ｂ、△Ｄｍ)及び(Ｄｍ、Ｄｂ、△Ｄｍ、△Ｄｂ)のいず
    れかであり、記号Ｄｂはバイアス電流Ｉｂに対応する値
    を示しており、記号Ｄｍは変調電流Ｉｍに対応する値を
    示しており、記号△Ｄｂはバイアス電流の変化分△Ｉｂ
    に対応する値を示しており、記号△Ｄｍは変調電流の変
    化分△Ｉｍに対応する値を示している、方法。
  23. 【請求項２３】 前記発生ステップは、 前記信号に対応する値と基準値との差の絶対値を所定値
    と比較するステップと、 該絶対値が所定値を越える場合、前記信号に対応する値
    と基準値との比較結果に応じて決定される△Ｘ、および
    発光パワーが所定の依存性を示すと共に消光比が所定の
    依存性を示すように規定された関数 ｆ(Ｘ、△Ｘ)＝△Ｙ により生成された値△Ｙ、値Ｘ、値Ｙのうち、バイアス
    電流および変調電流の一方を制御するための第１の制御
    信号を△ＸおよびＸから発生すると共に、バイアス電流
    および変調電流の他方を制御するための第２の制御信号
    を△ＹおよびＹから発生する発生ステップと、 該絶対値が所定値以下である場合、前記第１および第２
    の制御信号を維持するステップとを備える、請求項２２
    に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記関数ｆは変数Ｘの全範囲に対して
    定数(△Ｙ／△Ｘ)0であるように規定されている、請求
    項２２または請求項２３に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記関数ｆは、変数Ｘの全範囲が分割
    された複数の領域(Ｒn：ｎ≧１)のそれぞれ対応づけて
    定数(△Ｙ／△Ｘ)nを生成するように規定されている、
    請求項２２または請求項２３に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記関数ｆは、変数Ｘの全範囲が分割
    された複数の領域(Ｒm：ｍ≧１)のうちの任意の領域Ｒm
    において該領域内のＸに対する線形関数により値(△Ｙ
    ／△Ｘ)mを生成するように規定されている、請求項２２
    または請求項２３に記載の方法。
JP2002016111A 2002-01-24 2002-01-24 レーザダイオード制御回路、およびレーザダイオードを制御する方法 Pending JP2003218460A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002016111A JP2003218460A (ja) 2002-01-24 2002-01-24 レーザダイオード制御回路、およびレーザダイオードを制御する方法
US10/351,459 US6795458B2 (en) 2002-01-24 2003-01-24 Laser diode control circuit and laser diode control method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002016111A JP2003218460A (ja) 2002-01-24 2002-01-24 レーザダイオード制御回路、およびレーザダイオードを制御する方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003218460A true JP2003218460A (ja) 2003-07-31

Family

ID=27652275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002016111A Pending JP2003218460A (ja) 2002-01-24 2002-01-24 レーザダイオード制御回路、およびレーザダイオードを制御する方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6795458B2 (ja)
JP (1) JP2003218460A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005209759A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ加熱装置およびレーザ加工機
KR100670829B1 (ko) 2005-12-12 2007-01-19 한국전자통신연구원 레이저 다이오드의 소광비 보상 장치 및 방법
JP2007335597A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ駆動回路及びレーザ駆動方法
EP2093849A2 (en) 2008-02-21 2009-08-26 Fujitsu Limited Optical transmitter

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6885685B2 (en) * 2002-06-11 2005-04-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Control system for a laser diode and a method for controlling the same
GB2406237B (en) * 2003-09-20 2007-08-08 Agilent Technologies Inc An electro-optical communication system
US7266136B2 (en) * 2004-03-25 2007-09-04 Finisar Corporation Temperature compensation for fiber optic transceivers using optimized convergence algorithms
JP4179240B2 (ja) * 2004-07-08 2008-11-12 ソニー株式会社 レーザ駆動方法およびレーザ駆動装置
JP2006080677A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 光データリンク
US7630422B1 (en) * 2005-01-14 2009-12-08 National Semiconductor Corporation Driver for vertical-cavity surface-emitting laser and method
JP2007055035A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Ricoh Co Ltd 画像形成装置、そのエラー処理方法、及びプログラム
JP2007103398A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujitsu Ltd 消光比制御装置、消光比制御方法、および消光比制御プログラム
TW200733591A (en) * 2006-02-17 2007-09-01 Delta Electronics Inc Optical network unit and control method thereof
JP2007324525A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Fuji Xerox Co Ltd 光送信機、光通信システム、及び光送信機の調整方法
JP2016096191A (ja) * 2014-11-12 2016-05-26 住友電気工業株式会社 光送信器及び駆動電流制御方法
US20170288369A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Dual closed loop for laser power control
JP6717082B2 (ja) * 2016-06-30 2020-07-01 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光送信モジュールおよび光送信モジュールの制御方法
US9853735B1 (en) * 2016-08-04 2017-12-26 Realtek Semiconductor Corporation Optical transmitter and method thereof
TWI638496B (zh) * 2017-10-26 2018-10-11 華星光通科技股份有限公司 具有消光比補償功能的直流耦合光通訊模組及用於高速光通訊模組的消光比補償方法
US11848653B2 (en) 2018-05-18 2023-12-19 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Method and apparatus to speed convergence and control behavior of digital control loop
US10938365B2 (en) 2018-05-18 2021-03-02 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Variable step size to reduce convergence time of a control loop
US11005573B2 (en) 2018-11-20 2021-05-11 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Optic signal receiver with dynamic control
US11218345B2 (en) 2019-09-19 2022-01-04 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Using ISI or Q calculation to adapt equalizer settings
FR3101218B1 (fr) 2019-09-23 2022-07-01 Macom Tech Solutions Holdings Inc Adaptation d’égaliseur sur la base de mesures de dispositif de surveillance de l’œil
US11196484B2 (en) 2019-10-15 2021-12-07 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Finding the eye center with a low-power eye monitor using a 3-dimensional algorithm
US11575437B2 (en) 2020-01-10 2023-02-07 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Optimal equalization partitioning
TW202143665A (zh) 2020-01-10 2021-11-16 美商Ｍａｃｏｍ技術方案控股公司 最佳等化分割
US11658630B2 (en) 2020-12-04 2023-05-23 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Single servo loop controlling an automatic gain control and current sourcing mechanism
US11616529B2 (en) 2021-02-12 2023-03-28 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Adaptive cable equalizer
TWI830307B (zh) * 2022-07-27 2024-01-21 茂達電子股份有限公司 具有減少控制複雜度機制的光感測器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6448480A (en) * 1987-08-19 1989-02-22 Fujitsu Ltd Semiconductor laser modulation control system
US5309269A (en) * 1991-04-04 1994-05-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Light transmitter
JP3130571B2 (ja) * 1991-07-24 2001-01-31 富士通株式会社 半導体レーザアレイ装置
GB2260667B (en) * 1991-10-19 1995-10-25 Northern Telecom Ltd Optical transmitters
US5394416A (en) * 1994-05-11 1995-02-28 Alcatel Network Systems, Inc. Laser modulation controller using additive and amplitude modulation control tones
JP2001197014A (ja) 2000-01-17 2001-07-19 Mitsubishi Electric Corp 光送信器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005209759A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ加熱装置およびレーザ加工機
KR100670829B1 (ko) 2005-12-12 2007-01-19 한국전자통신연구원 레이저 다이오드의 소광비 보상 장치 및 방법
JP2007335597A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ駆動回路及びレーザ駆動方法
EP2093849A2 (en) 2008-02-21 2009-08-26 Fujitsu Limited Optical transmitter

Also Published As

Publication number Publication date
US20030165168A1 (en) 2003-09-04
US6795458B2 (en) 2004-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003218460A (ja) レーザダイオード制御回路、およびレーザダイオードを制御する方法
JP2004022744A (ja) レーザ光発生部制御回路、および、レーザ光発生部制御方法
US7443897B2 (en) Method for distinguish failure modes in an APC circuit and an optical transmitter using the same
US7309853B2 (en) Method for controlling a bias voltage applied to an avalanche photodiode
US8472488B2 (en) Algorithm to drive semiconductor laser diode
US9089084B2 (en) Method to produce optical transceiver
US20050286575A1 (en) Control method and control circuit for laser diode, and optical transmitter using the same
US7492799B2 (en) Light-emitting element driver
US10536217B2 (en) Optical transmission module and control method of optical transmission module
JP2005304022A (ja) 光受信回路
JP4574650B2 (ja) レーザダイオード駆動装置及び光走査装置
US11646545B2 (en) Method and apparatus for monitoring the optical output power of a laser diode with an associated photodiode and particle sensor device
US6907055B2 (en) Method and circuit for measuring the optical modulation amplitude (OMA) in the operating region of a laser diode
CN117039610B (zh) 激光器驱动电路及驱动方法、照明系统、激光雷达
EP1233488A1 (en) A light source
JP2003249716A (ja) 発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム
CN104137442A (zh) 光发送器
US7236506B2 (en) Method and apparatus for compensating for temperature characteristics of laser diode in optical communication system
US20130077646A1 (en) Automatic modulation control for maintaining constant extinction ratio (er), or constant optical modulation amplitude (oma) in an optical transceiver
US20120236888A1 (en) Method to drive semiconductor laser diode
US8320420B2 (en) Polarity independent laser monitor diode current sensing circuit for optical modules
US8767785B2 (en) Method to drive semiconductor laser diode and method to assemble optical transceiver implemented with the same
CN113990023B (zh) 一种用于光电式烟雾探测器的自校准、补偿电路和方法
KR20080101065A (ko) 자동온도 보상 기능을 구비한 광 송신기
US10707969B1 (en) Controller of optical transmitter

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070731

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070927

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071030