JP2003218458A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 活性層と、量子井戸構造を有する可飽和吸収層とが基板上に形成された窒化物半導体レーザである半導体発光装置であって、前記可飽和吸収層の１つの井戸層の厚さｄは、０．５ｎｍ≦ｄであり、前記可飽和吸収層の井戸層の厚さの合計ｄ _total は、０．５ｎｍ≦ｄ _total ≦４ｎｍであることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記可飽和吸収層の井戸層の厚さｄは、０．５ｎｍ≦ｄ≦３ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
3. 前記可飽和吸収層の光の閉じ込め係数Γは、０．００1≦Γ≦０．０１６であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
4. 前記可飽和吸収層の光の閉じ込め係数Γは、０．００1≦Γ≦０．０１２であることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置。
5. 前記活性層と前記可飽和吸収層との距離ｌ₁は、１０ｎｍ≦ｌ₁≦７５ｎｍであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置。
6. 前記可飽和吸収層は、単一量子井戸からなることを特徴とする請求項１、３または５のいずれかに記載の半導体発光装置。
7. 前記可飽和吸収層は、多重量子井戸からなることを特徴とする請求項１、３または５のいずれかに記載の半導体発光装置。
8. 前記可飽和吸収層は、ＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体発光装置。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光装置において、前記活性層と前記可飽和吸収層の間にバンドギャップがＧａＮよりも大きいキャリアブロック層が設けられていることを特徴とする半導体発光装置。
10. 前記キャリアブロック層は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｌＮからなることを特徴とする請求項９記載の半導体発光装置。
11. 前記活性層は、量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体発光装置。