JP2003218316A - Multichip package structure and manufacturing method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はマルチチップパッケ
ージ構造と製造方法に係り、特に、二つ以上の同じ或い
は異なる機能のチップを同一のパッケージ中に積み重
ね、且つ各二つのチップ間に懸空区域がないマルチチッ
プパッケージ構造と製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-chip package structure and a manufacturing method, and more particularly, two or more chips having the same or different functions are stacked in the same package, and a suspension area is provided between two chips. No multi-chip package structure and manufacturing method.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在の半導体製造の傾向は、いかに小さ
い半導体パッケージ中に多くのロジック回路を押し込み
つつもコストを下げるかということであり、即ちこれが
世界の半導体業者が一致して研究する課題である。ゆえ
にこの領域中の研究、競争は非常に激烈である。チップ
の回路設計の最小素子寸法を縮小する研究のほか、最低
のコストで直接単一半導体パッケージの記憶容量を倍増
する方式として、同一パッケージ中に二つ以上のチップ
を押し込む方法がある。2. Description of the Related Art The current trend in semiconductor manufacturing is how to reduce the cost while pushing many logic circuits into a small semiconductor package. is there. Therefore, research and competition in this area are extremely fierce. In addition to research on reducing the minimum element size of chip circuit design, there is a method of directly doubling the storage capacity of a single semiconductor package at the lowest cost by pushing two or more chips into the same package.
【0003】最もよく見られるマルチチップパッケージ
構造は並列式(side−by−side)マルチチッ
プパッケージ構造であり、それは二つ以上のチップを相
互に並列に共同基板の主要取り付け面に取り付ける。チ
ップと共同基板上の導電回路間の連接は、一般にはワイ
ヤボンディングにより達成される。しかし、この並列式
マルチチップパッケージ構造の欠点は、パッケージ効率
が低過ぎ、このため基板の面積がチップ数量の増加によ
り増加することである。The most common multi-chip package structure is the side-by-side multi-chip package structure, which mounts two or more chips in parallel with each other on the main mounting surface of the joint board. The connection between the chip and the conductive circuit on the common substrate is generally achieved by wire bonding. However, a drawback of this parallel-type multi-chip package structure is that the package efficiency is too low, which increases the area of the substrate due to the increase in the number of chips.
【0004】図1は米国パテント第5323060号に
記載のマルチチップスタック装置であり、それは、第1
半導体チップ110が基板120に設けられ、並びに電
気的に基板120に連接され、及び、第2半導体チップ
130が第1半導体チップ110の上に積み重ねられ並
びに電気的に基板120に連接されている。その特徴
は、二つのチップの間に設けられた一つの樹脂層140
を利用してボンディングワイヤの線弧(the loo
ps of the bonding wires)の
必要とする空隙(clearance)を提供している
ことにある。並びに、該樹脂層140の厚さは、ボンデ
ィングワイヤの弧高(loop height)より大
きくなければならず、それは第1半導体チップ110の
正面とボンディングワイヤ150の線弧頂点間の距離を
指し、これにより第2半導体チップ130がボンディン
グワイヤ150の線弧に接触するのを防止する。FIG. 1 is a multi-chip stack device described in US Pat. No. 5,323,060, which is
The semiconductor chip 110 is provided on the substrate 120 and electrically connected to the substrate 120, and the second semiconductor chip 130 is stacked on the first semiconductor chip 110 and electrically connected to the substrate 120. The feature is that one resin layer 140 provided between two chips is used.
The bonding wire arc (the loo
It is to provide the clearance required by ps of the bonding wires. In addition, the thickness of the resin layer 140 must be greater than the loop height of the bonding wire, which is the distance between the front surface of the first semiconductor chip 110 and the wire arc apex of the bonding wire 150. This prevents the second semiconductor chip 130 from coming into contact with the wire arc of the bonding wire 150.
【0005】周知のチップのボンディングパッドと基板
のボンディングパッドの間にワイヤ連接を形成するワイ
ヤボンディング技術は一般に、(a)チップボンディン
グパッドへのボールボンド(ball bond)、
(b)チップボンディングパッドと基板ボンディングパ
ッド間における線弧形成、及び(c)基板ボンディング
パッドへのスティッチボンド(stitch bon
d)により、ボンディングワイヤ連接を完成する。一般
にその弧高は約10〜15milである。線弧変数、外
形及び型式を調整することにより、周知のワイヤボンデ
ィング技術は弧高を約6milまで低くすることができ
る。しかしそれ以上低くしようとすればワイヤが損傷し
並びにその引張り力が低くなった。Known wire bonding techniques for forming a wire connection between a chip bonding pad and a substrate bonding pad generally include (a) ball bonding to the chip bonding pad,
(B) Line arc formation between chip bonding pad and substrate bonding pad, and (c) stitch bond to substrate bonding pad.
The bonding wire connection is completed by d). Generally, the arc height is about 10 to 15 mil. By adjusting the wire arc variables, geometry and type, known wire bonding techniques can reduce arc height to about 6 mils. However, lowering it further damaged the wire and lowered its pulling force.
【0006】このため、周知のボンディングワイヤ技術
によると、該樹脂層140の厚さは8milより大きく
なければならず、それにより第2半導体チップ130が
ボンディングワイヤ150の線弧に接触するのを完全に
防止できる。この樹脂層140の材料は一般にエポキシ
樹脂或いはテープとされる。しかし、厚さ8milのエ
ポキシ樹脂層を形成するのは非常に困難である。このほ
か、厚さ8milのテープを使用すると、一方で製造コ
ストが大幅に増加し、また一方で、該樹脂層140とシ
リコンチップ間の熱膨張係数不一致(CTE mism
atch)により製造されるパッケージ構造の信頼性が
厳重に損なわれた。Therefore, according to the well-known bonding wire technique, the thickness of the resin layer 140 must be greater than 8 mil, so that the second semiconductor chip 130 can be completely in contact with the wire arc of the bonding wire 150. Can be prevented. The material of the resin layer 140 is generally epoxy resin or tape. However, it is very difficult to form an epoxy resin layer having a thickness of 8 mil. In addition, the use of a tape having a thickness of 8 mils significantly increases the manufacturing cost on the one hand, and on the other hand, the thermal expansion coefficient mismatch (CTE mism) between the resin layer 140 and the silicon chip.
The reliability of the package structure manufactured by ATC has been severely impaired.
【0007】このため図2に示される米国パテント第6
005778号に記載のもう一種のマルチチップパッケ
ージスタック装置が提供された。それは、第1半導体チ
ップ110が基板120に設けられ、並びに電気的に基
板120に連接され、及び第2半導体チップ130が第
1半導体チップ110の上に積み重ねられ並びに基板1
20に電気的に連接されている。この米国パテント第6
005778号の特徴は、二つのチップ間に設けられた
スペーサ(spacer)160によりボンディングワ
イヤ150の線弧(the loops of the
bonding wires)の必要とする空隙(c
learance)を提供していることにある。このほ
か、金属導電材料で製造したスペーサ160は半導体チ
ップの接地面とされ得るほか、コンデンサの取り付けに
供される。しかし、米国パテント第6005778号の
スペーサ160はすでに米国パテント第5323060
号の樹脂層140の欠点を解決してはいるが、スペーサ
は実際のチップ寸法より小さくする必要があり、このた
め上層のチップを重ねる時、即ち、スペーサと懸空区域
を発生しうる。この構造は上層チップにワイヤボンディ
ングする時、工程上の困難性を発生し、且つボンディン
グワイヤが移動を発生しやすく、その正確度に影響が生
じ、工程の歩留りが低くなり、競争力に影響を与えた。Therefore, the US patent No. 6 shown in FIG.
Another type of multi-chip package stack device described in No. 005778 was provided. That is, the first semiconductor chip 110 is provided on the substrate 120 and electrically connected to the substrate 120, and the second semiconductor chip 130 is stacked on the first semiconductor chip 110 and the substrate 1
It is electrically connected to 20. This US Patent No. 6
The characteristic of No. 57878 is that the spacers 160 provided between the two chips cause the loops of the bonding wire 150.
The void (c) required by the bonding wires
It is to provide (learance). In addition, the spacer 160 made of a metal conductive material can be used as a ground plane of a semiconductor chip and is also used for mounting a capacitor. However, US Patent No. 6005778 spacer 160 is already US Patent No. 5323060.
Although it solves the drawbacks of the resin layer 140 of No. 1), the spacer needs to be smaller than the actual chip size, so that when the chips of the upper layer are stacked, that is, the spacer and the suspended area can be generated. This structure causes difficulty in the process of wire bonding to the upper layer chip, and the bonding wire is apt to move, its accuracy is affected, the process yield is lowered, and the competitiveness is affected. Gave.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的
は、ワイヤボンディングを容易に制御できるマルチチッ
プパッケージ構造と製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION A main object of the present invention is to provide a multi-chip package structure and a manufacturing method capable of easily controlling wire bonding.
【0009】本発明のもう一つの目的は、ワイヤボンデ
ィングを正確に行えるマルチチップパッケージ構造と製
造方法を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a multi-chip package structure and a manufacturing method capable of accurately performing wire bonding.
【0010】本発明のさらにもう一つの目的は、ワイヤ
ボンディングの工程の歩留りを有効に高めることができ
るマルチチップパッケージ構造と製造方法を提供するこ
とにある。Still another object of the present invention is to provide a multi-chip package structure and a manufacturing method capable of effectively increasing the yield of the wire bonding process.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
と該基板の上方に位置してワイヤボンディングの方式で
該基板と電気的に連接される複数のチップと、各二つの
チップの間に位置してサンドイッチ状を形成する若干の
粘着層と、各粘着層内に被覆されて、各チップを支持す
る若干のスペーサと、を具えたことを特徴とする、マル
チチップパッケージ構造としている。請求項2の発明
は、前記マルチチップパッケージ構造が封止樹脂で被覆
されて該マルチチップパッケージ構造が保護されたこと
を特徴とする、請求項1に記載のマルチチップパッケー
ジ構造としている。請求項3の発明は、マルチチップパ
ッケージ構造の製造方法において、(a)第1チップを
基板の上に接合するステップ、(b)第1チップをワイ
ヤボンディング方式で基板と電気的に連接するステッ
プ、(c)第1チップの寸法より小さいスペーサを第1
粘着層で第1チップの上に接合するステップ、(d)第
2粘着層で被覆し、該第2粘着層で第2チップを接合
し、そのうち第1粘着層と第2粘着層で該スペーサを内
部に被覆する一つの粘着層を形成し、且つ該第1チッ
プ、該粘着層及び該第2チップでサンドイッチ状を形成
するステップ、(e)第2チップをワイヤボンディング
の方式で、基板と電気的に連接するステップ、以上のス
テップを具えたことを特徴とする、マルチチップパッケ
ージ構造の製造方法としている。請求項4の発明は、前
記マルチチップパッケージ構造の製造方法において、
(e)のステップの後に、さらに(c)から(e)のス
テップを重複して行い、マルチチップのパッケージを完
成することを特徴とする、請求項3に記載のマルチチッ
プパッケージ構造の製造方法としている。請求項5の発
明は、前記マルチチップパッケージ構造の製造方法にお
いて、(e)のステップの後に、(f)封止樹脂でマル
チチップパッケージ構造をモールディングして該マルチ
チップパッケージ構造を保護するステップ、を含むこと
を特徴とする、請求項3又は請求項4に記載のマルチチ
ップパッケージ構造の製造方法としている。According to a first aspect of the present invention, there are provided a substrate, a plurality of chips located above the substrate and electrically connected to the substrate by a wire bonding method, and two chips each. The multi-chip package structure is characterized in that it has a few adhesive layers that are sandwiched between them to form a sandwich, and some spacers that are coated in each adhesive layer and support each chip. . The invention according to claim 2 provides the multi-chip package structure according to claim 1, wherein the multi-chip package structure is covered with a sealing resin to protect the multi-chip package structure. According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a multi-chip package structure, (a) a step of joining the first chip onto the substrate, (b) a step of electrically connecting the first chip to the substrate by a wire bonding method. , (C) first spacer smaller than the size of the first chip
Step of bonding on the first chip with an adhesive layer, (d) coating with a second adhesive layer, bonding a second chip with the second adhesive layer, of which the spacer is the first adhesive layer and the second adhesive layer A step of forming an adhesive layer that covers the inside of the substrate, and forming a sandwich with the first chip, the adhesive layer and the second chip, (e) a second chip and a substrate by a wire bonding method. The method of manufacturing a multi-chip package structure is characterized by including electrically connecting steps and the above steps. According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing the multi-chip package structure,
4. The method for manufacturing a multi-chip package structure according to claim 3, wherein after the step (e), the steps (c) to (e) are repeated to complete the multi-chip package. I am trying. According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a multi-chip package structure, after the step (e), (f) a step of molding the multi-chip package structure with a sealing resin to protect the multi-chip package structure, The method of manufacturing a multi-chip package structure according to claim 3 or 4, further comprising:
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】本発明は一種のマルチチップパッ
ケージ構造を提供し、それは、基板、基板の上方に位置
する複数のチップを具え、且つ各チップがワイヤボンデ
ィング方式で該基板と電気的に連接し、若干個の粘着層
が、各二つのチップの間に位置し、それをサンドイッチ
状となし、若干のスペーサが各粘着層内に被覆されて、
各チップを支持する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention provides a kind of multi-chip package structure, which comprises a substrate, a plurality of chips located above the substrate, and each chip is electrically connected to the substrate by a wire bonding method. Connected, some adhesive layers are located between each two chips, sandwich it, some spacers are coated in each adhesive layer,
Support each chip.
【0013】本発明は一種のマルチチップパッケージ構
造の製造方法を提供し、それは以下のステップを含み、
即ち、(a)第1チップを基板の上に接合するステッ
プ、(b)第1チップをワイヤボンディング方式で、基
板と電気的に連接するステップ、(c)第1チップの寸
法より小さいスペーサを第1粘着層で第1チップの上に
接合するステップ、(d)第2粘着層で被覆し、第2チ
ップを接合し、そのうち第1粘着層と第2粘着層で該ス
ペーサを内部に被覆する一つの粘着層を形成し、且つ該
第1チップ、該粘着層及び該第2チップでサンドイッチ
状を形成するステップ、(e)第2チップをワイヤボン
ディングの方式で、基板と電気的に連接するステップ。The present invention provides a method of manufacturing a multi-chip package structure, which includes the following steps:
That is, (a) a step of bonding the first chip onto the substrate, (b) a step of electrically connecting the first chip to the substrate by a wire bonding method, and (c) a spacer smaller than the size of the first chip. Step of bonding on the first chip with the first adhesive layer, (d) coating with the second adhesive layer, bonding the second chip, of which the first adhesive layer and the second adhesive layer cover the spacer inside Forming one adhesive layer and forming a sandwich with the first chip, the adhesive layer and the second chip, (e) electrically connecting the second chip to the substrate by a wire bonding method. Steps to take.
【0014】好ましくは、さらにステップ(c)とステ
ップ(e)を重複し、更に多くのマルチチップのパッケ
ージを完成する。Preferably, step (c) and step (e) are further repeated to complete more multi-chip packages.
【0015】[0015]
【実施例】本発明は一種のマルチチップパッケージ構造
と製造方法に係り、二つ以上の同じ或いは異なる機能の
チップを同一パッケージ中に積み重ね、且つ各二つのチ
ップ間に懸空区域を無くしたマルチチップパッケージ構
造と製造方法である。本発明のマルチチップパッケージ
構造は、基板、該基板の上方に位置してワイヤボンディ
ングの方式で該基板と電気的に連接される複数のチッ
プ、各二つのチップの間に位置してサンドイッチ状を形
成する若干の粘着層、各粘着層内に被覆されて、各チッ
プを支持する若干のスペーサ、を具えている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a multi-chip package structure and manufacturing method, in which two or more chips having the same or different functions are stacked in the same package and a suspended area is eliminated between each two chips. The package structure and the manufacturing method. The multi-chip package structure of the present invention includes a substrate, a plurality of chips located above the substrate and electrically connected to the substrate by a wire bonding method, and sandwiched between two chips. It comprises a few adhesive layers to be formed and a few spacers coated in each adhesive layer to support each chip.
【0016】図3を参照されたい。図3は本発明のマル
チチップパッケージ構造の第1実施例を示す。図4から
図9は図3の第1実施例の製造ステップの実施例を示
す。Please refer to FIG. FIG. 3 shows a first embodiment of the multi-chip package structure of the present invention. 4 to 9 show an embodiment of the manufacturing steps of the first embodiment of FIG.
【0017】図3に示される本発明の第1実施例による
と、マルチチップパッケージ構造2は、複数のチップ、
一つの基板23、若干の粘着層と若干のスペーサを具え
ている。該複数のチップは基板23の上方に位置し、本
実施例では第1チップ21と第2チップ22を含み、各
チップ21、22はいずれも作動面210、220(A
ctive Side)及び非作動面211、221
(Inactive Side)を具えている。該作動
面210、220はチップ21、22の回路設計が設け
られた一側表面であり、並びに各チップ21、22の作
動面210、220の所定の位置に複数の連接パッド2
12、222が設けられてチップ21、22の回路と外
界の連結のインタフェースとされ、本実施例では該連接
パッド212、222は金属パッド或いはアルミパッド
(Al Pad)とされる。According to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 3, the multi-chip package structure 2 includes a plurality of chips,
It comprises one substrate 23, some adhesive layers and some spacers. The plurality of chips are located above the substrate 23 and include a first chip 21 and a second chip 22 in the present embodiment, and each of the chips 21 and 22 has an operating surface 210, 220 (A).
active side) and non-actuating surface 211, 221
(Inactive Side). The operating surfaces 210 and 220 are one side surface on which the circuit design of the chips 21 and 22 is provided, and a plurality of connecting pads 2 are provided at predetermined positions of the operating surfaces 210 and 220 of the chips 21 and 22, respectively.
12, 222 are provided to serve as an interface for connecting the circuits of the chips 21 and 22 to the outside world. In this embodiment, the connection pads 212 and 222 are metal pads or aluminum pads (Al Pads).
【0018】第1チップ21の作動面210と第2チッ
プ22の作動面220上の複数の連接パッド212、2
22はボンディングワイヤ213、223で基板23と
電気的に連接され、且つ第1チップ21の非作動面21
1は基板23に結合されている。本実施例では、該第1
チップ21の非作動面211はチップ粘着層24により
基板23に接合され、チップ粘着層24にはホットメル
ト性の両面テープ(Dual−Sided Adhes
ive Tape)、銀ろう、エポキシ樹脂その他の粘
着性を有する材料とされる。A plurality of connecting pads 212, 2 on the working surface 210 of the first chip 21 and the working surface 220 of the second chip 22.
22 is electrically connected to the substrate 23 by the bonding wires 213 and 223, and the non-operating surface 21 of the first chip 21.
1 is bonded to the substrate 23. In this embodiment, the first
The non-operating surface 211 of the chip 21 is bonded to the substrate 23 by the chip adhesive layer 24, and the chip adhesive layer 24 has a hot-melt double-sided adhesive tape (Dual-Sided Adhesives).
iv Tape), silver wax, epoxy resin and other materials having adhesiveness.
【0019】該若干の粘着層は、二つのチップの間に位
置し、サンドイッチ状を形成し、本実施例中の粘着層2
5は第1粘着層250と第2粘着層251を包括し、そ
のうち第1粘着層250はスペーサ26を粘着するのに
用いられ、且つ第2粘着層251が第1チップ21と第
2チップ22の間の空隙位置を充填し、これにより第2
チップ22が緊密且つ平らに第2粘着層251に粘着す
る。実際には、第1粘着層250と第2粘着層251に
ホットメルト性の両面テープ、銀ろう、エポキシ樹脂そ
の他の粘着性を有する材料を採用可能で、ゆえに、それ
は全体の粘着層25から見て、スペーサ26が該粘着層
25内に被覆されて、第2チップ22を支持するのに用
いられている。The slight adhesive layer is located between the two chips and forms a sandwich, and the adhesive layer 2 in this embodiment is
5 includes a first adhesive layer 250 and a second adhesive layer 251, of which the first adhesive layer 250 is used to adhere the spacer 26, and the second adhesive layer 251 includes the first chip 21 and the second chip 22. Fill the void positions between the two
The chip 22 adheres tightly and flatly to the second adhesive layer 251. In practice, the first adhesive layer 250 and the second adhesive layer 251 may be made of a hot-melt double-sided tape, silver wax, epoxy resin or other adhesive material, and therefore, it can be seen from the whole adhesive layer 25. Then, a spacer 26 is covered in the adhesive layer 25 and is used to support the second chip 22.
【0020】図3に示されるサンドイッチ状の構造によ
り、第1チップ21と第2チップ22の間には空隙がな
く、ゆえに、本発明のマルチチップパッケージ構造2は
ワイヤボンディングを容易に制御でき、且つワイヤボン
ディングを正確に行え、有効に工程の歩留りを高めるこ
とができる。該第1チップ21と第2チップ22は異な
る機能を有するチップとされ得る。例えば、第1チップ
21はロジック回路のチップとされて、第2チップ22
が記憶回路のチップとされうる。これにより同一IC中
に数種類の異なる機能のチップを設けて、ICの設計及
び使用弾性を大場に増加できる。当然、半導体に習熟し
た者が以上の説明により容易に思いつくように、第1チ
ップ21と第2チップ22は同じ機能を有するチップと
もされうる。Due to the sandwich-like structure shown in FIG. 3, there is no gap between the first chip 21 and the second chip 22. Therefore, the multi-chip package structure 2 of the present invention can easily control the wire bonding, In addition, the wire bonding can be performed accurately, and the process yield can be effectively increased. The first chip 21 and the second chip 22 may be chips having different functions. For example, the first chip 21 is a logic circuit chip, and the second chip 22 is
Can be a chip of a memory circuit. As a result, chips having several different functions can be provided in the same IC, and the IC design and use elasticity can be increased to a large extent. Of course, the first chip 21 and the second chip 22 may be chips having the same function, as those skilled in the semiconductor can easily think of by the above description.
【0021】図4から図9は図3に示される第1実施例
のマルチチップパッケージ構造の製造方法の好ましいス
テップ実施例である。それは以下のステップを包括す
る。
(a)第1チップ21の非作動面211をチップ粘着層
24により基板23の上に結合する。
(b)ワイヤボンディング方式で、第1チップ21の作
動面210上の連接パッド212を、金線213で基板
23に連接し、第1チップ21の回路を金線213を経
由して基板23と電気的に連接し、該基板23をさらに
外界と電気的に連接する。
(c)第1チップ21の寸法より小さく設けられ金線2
13との接触を防止したスペーサ26をスペーサ26を
第1粘着層250で第1チップ21の作動面210の上
に接合する。
(d)第2粘着層251で被覆し、第1チップ21の作
動面210の露出した部分及びスペーサ26と第1粘着
層250の露出した部分を被覆し、該第2粘着層を第2
チップ22の非作動面221を接合するのに用い、その
うち、該第1粘着層250と第2粘着層251で、スペ
ーサ26を内部に被覆する一つの粘着層25を形成し、
且つ第1チップ21、粘着層25及び第2チップ22で
サンドイッチ構造を形成する。
(e)ワイヤボンディング方式で、第2チップ22の作
動面220上の連接パッド222を金線223で基板2
3に連接し、第2チップ22の回路を金線223で基板
23と電気的に連接し、並びにマルチチップパッケージ
構造2を完成する。
(f)さらに封止樹脂27でモールディングして該マル
チチップパッケージを被覆して保護し、完全なマルチチ
ップパッケージ構造2を形成する。4 to 9 are preferred step embodiments of the method of manufacturing the multi-chip package structure of the first embodiment shown in FIG. It involves the following steps: (A) The non-operating surface 211 of the first chip 21 is bonded onto the substrate 23 by the chip adhesive layer 24. (B) By the wire bonding method, the connecting pad 212 on the operating surface 210 of the first chip 21 is connected to the substrate 23 by the gold wire 213, and the circuit of the first chip 21 is connected to the substrate 23 via the gold wire 213. The substrate 23 is electrically connected to the outside world. (C) The gold wire 2 provided to be smaller than the size of the first chip 21.
The spacer 26, which is prevented from contacting with the spacer 13, is bonded to the working surface 210 of the first chip 21 by the first adhesive layer 250. (D) Covering with the second adhesive layer 251, covering the exposed portion of the operating surface 210 of the first chip 21 and the exposed portion of the spacer 26 and the first adhesive layer 250, and applying the second adhesive layer to the second adhesive layer.
Used to bond the non-actuating surface 221 of the chip 22, of which the first adhesive layer 250 and the second adhesive layer 251 form one adhesive layer 25 that internally coats the spacer 26,
In addition, the first chip 21, the adhesive layer 25, and the second chip 22 form a sandwich structure. (E) Using the wire bonding method, the connecting pad 222 on the operating surface 220 of the second chip 22 is connected to the substrate 2 by the gold wire 223.
3, the circuit of the second chip 22 is electrically connected to the substrate 23 by the gold wire 223, and the multi-chip package structure 2 is completed. (F) Further, the multi-chip package is protected by molding with a sealing resin 27 to form a complete multi-chip package structure 2.
【0022】図10に示される第2実施例では、マルチ
チップパッケージ構造3は第1チップ31をチップ粘着
層34で基板33上に結合させた後、ワイヤボンディン
グ方式で、第1チップ31の回路を基板33と電気的に
連接し、その後、第1実施例のステップ(c)からステ
ップ(e)を重複し、スペーサ36aを第1粘着層35
0aと第2粘着層351aで組成した粘着層35aで被
覆し、且つ粘着層35aにより第2チップ32を接合
し、スペーサ36bを第1粘着層350bと第2粘着層
351bで組成した粘着層35bで被覆し、且つ粘着層
35bにより第3チップ37を接合し、スペーサ36c
を第1粘着層350cと第2粘着層351cで組成した
粘着層35cで被覆し、且つ粘着層35cにより第4チ
ップ38を接合し、最後に、封止樹脂39でモールディ
ングして該マルチチップパッケージ構造を被覆して保護
する。チップとチップの間には依然として空隙がなく、
ゆえに更に多くのチップをパッケージしてもワイヤボン
ディングの制御に影響を与えることがなく、且つワイヤ
ボンディングの正確度が下がらず、有効に工程の歩留
り、速度を高めることができる。In the second embodiment shown in FIG. 10, in the multi-chip package structure 3, the first chip 31 is bonded to the substrate 33 by the chip adhesive layer 34, and then the circuit of the first chip 31 is formed by the wire bonding method. Is electrically connected to the substrate 33, and thereafter, steps (c) to (e) of the first embodiment are repeated, and the spacer 36a is attached to the first adhesive layer 35.
0a and the adhesive layer 35a composed of the second adhesive layer 351a, and the second chip 32 is bonded by the adhesive layer 35a, and the spacer 36b is composed of the first adhesive layer 350b and the second adhesive layer 351b. And the third chip 37 is joined by the adhesive layer 35b, and the spacer 36c
Is covered with a pressure-sensitive adhesive layer 35c composed of a first pressure-sensitive adhesive layer 350c and a second pressure-sensitive adhesive layer 351c, and a fourth chip 38 is bonded by the pressure-sensitive adhesive layer 35c, and finally molded with a sealing resin 39 to form the multi-chip package. Cover and protect the structure. There is still no gap between the chips,
Therefore, even if more chips are packaged, the control of wire bonding is not affected, the accuracy of wire bonding does not decrease, and the process yield and speed can be effectively increased.
【0023】図11は本発明の第1実施例と外界の結合
の実施例を示し、そのうち、該マルチチップパッケージ
構造2の基板23上には複数のソルダバンプ4が設けら
れ、並びに該ソルダバップ4を利用してその他の基板と
結合して電気的連接を完成する。図12は本発明の第1
実施例の外界との結合の別の実施例を示し、そのうち、
マルチチップパッケージ構造2の基板はピン5を挿入す
る方式でその他の基板と結合され電気的連接を完成す
る。当然、半導体に習熟した者であれば前述の説明に基
づき容易に思いつくように、第2実施例と外界との結合
にも上述の方式を採用するか、或いはその他の常用の方
式でこれを操作することができる。FIG. 11 shows a first embodiment of the present invention and an embodiment of external coupling, in which a plurality of solder bumps 4 are provided on the substrate 23 of the multi-chip package structure 2 and the solder bumps 4 are provided. It is used to combine with other substrates to complete electrical connection. FIG. 12 shows the first of the present invention.
7 shows another embodiment of the coupling of the embodiment with the outside world, of which
The substrate of the multi-chip package structure 2 is combined with another substrate by inserting the pin 5 to complete electrical connection. Naturally, as those skilled in the semiconductor can easily think of based on the above description, the above-mentioned method is also used for coupling the second embodiment with the outside world, or other conventional method is used. can do.
【0024】[0024]
【発明の効果】総合すると、本発明のマルチチップパッ
ケージ構造と製造方法は、ワイヤボンディングの方式の
制御を容易とするだけでなく、ワイヤボンディングを更
に正確に行えるようにし、有効に工程の歩留りを高め
る。且つ本発明のマルチチップパッケージ構造と製造方
法は同一のICに数種類の異なる機能のチップ或いは同
じ機能のチップを同時に包括可能で、ICの設計及び使
用弾性を大幅に増加し、その全体構造は非常に簡単で、
体積面積と長度がいずれも比較的小さく、工程が簡単
で、製造コストも非常に低廉である。In summary, according to the multi-chip package structure and the manufacturing method of the present invention, not only the control of the wire bonding method is facilitated, but also the wire bonding can be performed more accurately, and the process yield is effectively increased. Increase. In addition, the multi-chip package structure and the manufacturing method of the present invention can include several kinds of chips having different functions or chips having the same functions at the same time in the same IC, greatly increasing the design and use elasticity of the IC, and the overall structure is very large. Easy to
Both volume area and length are relatively small, the process is simple and the manufacturing cost is very low.
【図1】周知の技術のマルチチップパッケージ構造の実
施例図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a multi-chip package structure according to a known technique.
【図2】周知の技術のマルチチップパッケージ構造の別
の実施例図である。FIG. 2 is a diagram illustrating another embodiment of a multi-chip package structure according to a known technique.
【図3】本発明のマルチチップパッケージ構造の第1実
施例図である。FIG. 3 is a diagram of a first embodiment of a multi-chip package structure of the present invention.
【図4】図3の実施例のマルチチップパッケージ構造の
製造方法の好ましい製造方法ステップ実施例表示図であ
る。FIG. 4 is a schematic view showing a preferred manufacturing method step embodiment of the manufacturing method of the multi-chip package structure of the embodiment of FIG. 3;
【図5】図3の実施例のマルチチップパッケージ構造の
製造方法の好ましい製造方法ステップ実施例表示図であ
る。5 is a schematic view showing a preferred manufacturing method step embodiment of the manufacturing method of the multi-chip package structure of the embodiment of FIG. 3; FIG.
【図6】図3の実施例のマルチチップパッケージ構造の
製造方法の好ましい製造方法ステップ実施例表示図であ
る。FIG. 6 is a schematic view showing a preferred manufacturing method step embodiment of the manufacturing method of the multi-chip package structure of the embodiment of FIG. 3;
【図7】図3の実施例のマルチチップパッケージ構造の
製造方法の好ましい製造方法ステップ実施例表示図であ
る。FIG. 7 is a view showing a preferred manufacturing method step embodiment of the manufacturing method of the multi-chip package structure of the embodiment of FIG. 3;
【図8】図3の実施例のマルチチップパッケージ構造の
製造方法の好ましい製造方法ステップ実施例表示図であ
る。FIG. 8 is a view showing a preferred manufacturing method step embodiment of the manufacturing method of the multi-chip package structure of the embodiment of FIG. 3;
【図9】図3の実施例のマルチチップパッケージ構造の
製造方法の好ましい製造方法ステップ実施例表示図であ
る。FIG. 9 is a schematic view showing a preferred manufacturing method step embodiment of the manufacturing method of the multi-chip package structure of the embodiment of FIG. 3;
【図10】本発明のマルチチップパッケージ構造の第2
実施例図である。FIG. 10 is a second multi-chip package structure of the present invention.
FIG.
【図11】本発明の第1実施例と外界の結合の好ましい
実施例表示図である。FIG. 11 is a schematic view showing a preferred embodiment of the coupling between the first embodiment of the present invention and the outside world.
【図12】本発明の第1実施例と外界の結合の別の好ま
しい実施例表示図である。FIG. 12 is a schematic view of another preferred embodiment of the external connection according to the first embodiment of the present invention.
2 マルチチップパッケージ構造 23 基板 21 第1チップ 22 第2チップ 210、220 作動面 211、221非作動面 212、222 連接パッド 213、223 ボンディングワイヤ(又は金線) 24 チップ粘着層 25 粘着層 250 第1粘着層 251 第2粘着層 26 スペーサ 27 封止樹脂 3 マルチチップパッケージ構造 31 第1チップ 34 チップ粘着層 33 基板 36a スペーサ 350a 第1粘着層 351a 第2粘着層 35a 粘着層 32 第2チップ 36b スペーサ 350b 第1粘着層 351b 第2粘着層 35b 粘着層 37 第3チップ 36c スペーサ 350c 第1粘着層 351c 第2粘着層 35c 粘着層 38 第4チップ 39 封止樹脂 4 ソルダバンプ 5 ピン 2 Multi-chip package structure 23 board 21 First Chip 22 Second chip 210, 220 working surface 211,221 Non-operating surface 212, 222 Connection pad 213, 223 Bonding wire (or gold wire) 24 chip adhesive layer 25 Adhesive layer 250 First adhesive layer 251 second adhesive layer 26 Spacer 27 Sealing resin 3 Multi-chip package structure 31 First chip 34 Chip adhesive layer 33 substrate 36a spacer 350a First adhesive layer 351a Second adhesive layer 35a adhesive layer 32 Second chip 36b spacer 350b First adhesive layer 351b Second adhesive layer 35b adhesive layer 37 Third Chip 36c spacer 350c First adhesive layer 351c Second adhesive layer 35c adhesive layer 38 4th chip 39 Sealing resin 4 Solder bump 5 pin
Claims (5)
ンディングの方式で該基板と電気的に連接される複数の
チップと、 各二つのチップの間に位置してサンドイッチ状を形成す
る若干の粘着層と、 各粘着層内に被覆されて、各チップを支持する若干のス
ペーサと、 を具えたことを特徴とする、マルチチップパッケージ構
造。1. A substrate, a plurality of chips located above the substrate and electrically connected to the substrate by a wire bonding method, and a sandwich formed between each two chips. A multi-chip package structure, comprising: an adhesive layer of, and a plurality of spacers that are coated in each adhesive layer and support each chip.
樹脂で被覆されて該マルチチップパッケージ構造が保護
されたことを特徴とする、請求項1に記載のマルチチッ
プパッケージ構造。2. The multi-chip package structure according to claim 1, wherein the multi-chip package structure is covered with a sealing resin to protect the multi-chip package structure.
において、 (a)第1チップを基板の上に接合するステップ、 (b)第1チップをワイヤボンディング方式で基板と電
気的に連接するステップ、 (c)第1チップの寸法より小さいスペーサを第1粘着
層で第1チップの上に接合するステップ、 (d)第2粘着層で被覆し、該第2粘着層で第2チップ
を接合し、そのうち第1粘着層と第2粘着層で該スペー
サを内部に被覆する一つの粘着層を形成し、且つ該第1
チップ、該粘着層及び該第2チップでサンドイッチ状を
形成するステップ、 (e)第2チップをワイヤボンディングの方式で、基板
と電気的に連接するステップ、 以上のステップを具えたことを特徴とする、マルチチッ
プパッケージ構造の製造方法。3. A method of manufacturing a multi-chip package structure, comprising the steps of: (a) bonding a first chip onto a substrate; (b) electrically connecting the first chip to the substrate by wire bonding. c) bonding a spacer smaller than the size of the first chip onto the first chip with a first adhesive layer, (d) covering with a second adhesive layer and bonding a second chip with the second adhesive layer, A first adhesive layer and a second adhesive layer of which form one adhesive layer that internally coats the spacer, and
A step of forming a sandwich with the chip, the adhesive layer and the second chip; (e) a step of electrically connecting the second chip to a substrate by a wire bonding method; A method of manufacturing a multi-chip package structure.
方法において、 (e)のステップの後に、さらに(c)から(e)のス
テップを重複して行い、マルチチップのパッケージを完
成することを特徴とする、請求項3に記載のマルチチッ
プパッケージ構造の製造方法。4. The method of manufacturing a multi-chip package structure according to claim 4, wherein after step (e), steps (c) to (e) are repeated to complete the multi-chip package. The method of manufacturing the multi-chip package structure according to claim 3.
方法において、 (e)のステップの後に、 (f)封止樹脂でマルチチップパッケージ構造をモール
ディングして該マルチチップパッケージ構造を保護する
ステップ、 を含むことを特徴とする、請求項3又は請求項4に記載
のマルチチップパッケージ構造の製造方法。5. The method for manufacturing a multi-chip package structure, comprising the step of (e) after the step of (e) molding the multi-chip package structure with a sealing resin to protect the multi-chip package structure. The method of manufacturing a multi-chip package structure according to claim 3 or 4, characterized in that.
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---|---|
JP (1) | JP2003218316A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158747A (en) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JP2007514326A (en) * | 2003-12-22 | 2007-05-31 | インテル・コーポレーション | Method for integrating a plurality of passive elements in contact with spacers in a stacked die |
JP2007250887A (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Toshiba Corp | Laminated type semiconductor device |
JP2008541431A (en) * | 2005-05-04 | 2008-11-20 | スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | Multi-chip module and manufacturing method |
US7615413B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing stack-type semiconductor device and method of manufacturing stack-type electronic component |
US7629695B2 (en) | 2004-05-20 | 2009-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked electronic component and manufacturing method thereof |
CN111704102A (en) * | 2020-06-09 | 2020-09-25 | 格物感知(深圳)科技有限公司 | Method for reducing stress of MEMS chip |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0888316A (en) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Nec Corp | Hybrid ic and its manufacture |
JP2001060657A (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
JP2002057272A (en) * | 2000-08-04 | 2002-02-22 | ▲せき▼品精密工業股▲ふん▼有限公司 | Stacked-die package structure |
JP2002141459A (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Sony Corp | Semiconductor device and its manufacturing method |
-
2002
- 2002-01-10 JP JP2002003350A patent/JP2003218316A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0888316A (en) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Nec Corp | Hybrid ic and its manufacture |
JP2001060657A (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
JP2002057272A (en) * | 2000-08-04 | 2002-02-22 | ▲せき▼品精密工業股▲ふん▼有限公司 | Stacked-die package structure |
JP2002141459A (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Sony Corp | Semiconductor device and its manufacturing method |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158747A (en) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JP2007514326A (en) * | 2003-12-22 | 2007-05-31 | インテル・コーポレーション | Method for integrating a plurality of passive elements in contact with spacers in a stacked die |
US8268673B2 (en) | 2004-05-20 | 2012-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked electronic component and manufacturing method thereof |
US8008763B2 (en) | 2004-05-20 | 2011-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked electronic component and manufacturing method thereof |
US7629695B2 (en) | 2004-05-20 | 2009-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked electronic component and manufacturing method thereof |
US9024424B2 (en) | 2004-05-20 | 2015-05-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked electronic component and manufacturing method thereof |
US7615413B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing stack-type semiconductor device and method of manufacturing stack-type electronic component |
US7785926B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing stack-type semiconductor device and method of manufacturing stack-type electronic component |
JP4785917B2 (en) * | 2005-05-04 | 2011-10-05 | スパンション エルエルシー | Multi-chip module manufacturing method |
JP2008541431A (en) * | 2005-05-04 | 2008-11-20 | スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | Multi-chip module and manufacturing method |
JP2011205116A (en) * | 2005-05-04 | 2011-10-13 | Spansion Llc | Multi-chip module |
US8586413B2 (en) | 2005-05-04 | 2013-11-19 | Spansion Llc | Multi-chip module having a support structure and method of manufacture |
US8227296B2 (en) | 2006-03-16 | 2012-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked semiconductor device |
JP2007250887A (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Toshiba Corp | Laminated type semiconductor device |
US7994620B2 (en) | 2006-03-16 | 2011-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked semiconductor device |
CN111704102A (en) * | 2020-06-09 | 2020-09-25 | 格物感知(深圳)科技有限公司 | Method for reducing stress of MEMS chip |
CN111704102B (en) * | 2020-06-09 | 2023-04-07 | 格物感知(深圳)科技有限公司 | Method for reducing stress of MEMS chip |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040921 |