JP2003218314A - Electronic circuit device for automobile and lead frame assembly - Google Patents

Electronic circuit device for automobile and lead frame assembly

Info

Publication number
JP2003218314A
JP2003218314A JP2002014961A JP2002014961A JP2003218314A JP 2003218314 A JP2003218314 A JP 2003218314A JP 2002014961 A JP2002014961 A JP 2002014961A JP 2002014961 A JP2002014961 A JP 2002014961A JP 2003218314 A JP2003218314 A JP 2003218314A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base
electronic circuit
circuit board
lead
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002014961A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3632663B2 (en
Inventor
Kazuhiko Kawakami
和彦 河上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2002014961A priority Critical patent/JP3632663B2/en
Publication of JP2003218314A publication Critical patent/JP2003218314A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3632663B2 publication Critical patent/JP3632663B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic circuit device for an automobile which reduces the occurrence of thermal stress molding resin cracking or the thermal stress separation of a molding resin from an electronic circuit board or its lead frame (base) by resin-molding the electronic circuit board and the base with the molding resin into a package. <P>SOLUTION: The electronic circuit device comprises an electronic circuit composed of the electronic circuit board which has installed electronic parts, the base to which the electronic circuit is adhered, a flange which is disposed on a partial area of the base, and leads whose materials are different from those of the base, and wherein the electronic circuit is connected electrically to the leads. The leads, the electronic circuit board excluding its partial area for the flange and the flange are molded in a body by resin-molding. The base is made of Invar clad with copper on both sides, and the leads are made of copper or a copper alloy. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車用電子回路
装置及びリードフレーム組立体に関する。特に、自動車
用の電子回路装置のパッケージ構造に係わり、例えば自
動車のエンジンルーム,トランスミッション等に装着さ
れ、エンジン,自動変速機等の制御を行う電子回路装置
などに好適なものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an automobile electronic circuit device and a lead frame assembly. In particular, the present invention relates to a package structure of an electronic circuit device for an automobile, for example, an electronic circuit device which is mounted in an engine room of an automobile, a transmission or the like and controls an engine, an automatic transmission and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】特開平6−61372号,特開平9−3
07026号に、基板に半導体素子を搭載して樹脂封止
するものがある。また、特開平6−132460号公
報,特開平7−58274号公報,特開平7−2497
27号公報及び特開平10−284668号公報に電子
回路装置に関する記載がある。
2. Description of the Related Art JP-A-6-61372 and JP-A-9-3
In 07026, there is one in which a semiconductor element is mounted on a substrate and sealed with resin. Further, JP-A-6-132460, JP-A-7-58274, and JP-A-7-2497.
No. 27 and Japanese Patent Laid-Open No. 10-284668 describe electronic circuit devices.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】はるかに面積の大きい
電子回路基板やベースまでも一つのモールド樹脂で封止
実装してしまうという技術は、非常に大きな課題があ
る。そして、その実装技術を実現するにあたって、上記
したように回路基板やベースの面積の大きさ故にそれを
包むエポキシ樹脂(モールド樹脂)の収縮応力が大きく
なり、それにより回路基板やエポキシ樹脂間の境界面で
剥離、もしくは樹脂クラックが発生するといった課題が
新たに生じた。また、使用環境条件とくに温度変化の繰
り返しによる熱応力でも、前記同様の剥離と樹脂クラッ
クが発生する問題があった。
The technique of encapsulating and mounting even a much larger area of an electronic circuit board and a base with a single molding resin has a great problem. When the mounting technology is realized, the shrinkage stress of the epoxy resin (mold resin) that wraps the circuit board and the base is large due to the size of the area of the circuit board and the base as described above, which causes a boundary between the circuit board and the epoxy resin. There is a new problem that peeling occurs on the surface or resin cracks occur. In addition, there is a problem that peeling and resin cracks similar to the above occur even under thermal stress due to repeated use environment conditions, especially temperature changes.

【0004】本発明の目的は、電子回路基板やそのリー
ドフレーム(ベース)までをもモールド樹脂によりパッ
ケージ化し、熱応力によるモールド樹脂と回路基板及び
ベースとの剥離や樹脂クラックのより少ない自動車用電
子回路装置を提供することである。
An object of the present invention is to package an electronic circuit board and even its lead frame (base) with a mold resin so that peeling between the mold resin and the circuit board or base due to thermal stress and resin cracks in the automobile can be reduced. It is to provide a circuit device.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、電子回路素子を載置した回路基板からな
る電子回路と、この電子回路を接着するベースと、この
ベースの一部に設けられたフランジ部と、前記ベースと
は異なる材質のリードとを備え、前記電子回路と前記リ
ードとが電気的に接続され、このリード及び前記フラン
ジの一部を除いて前記回路基板,前記リード,前記フラ
ンジが一括してモールド樹脂に埋設された構造におい
て、前記ベースはインバーの両面に銅を積層した材質で
あり、かつ前記リードは銅または銅合金の材質で構成さ
れている。
In order to achieve the above object, the present invention provides an electronic circuit comprising a circuit board on which electronic circuit elements are mounted, a base to which the electronic circuit is bonded, and a part of the base. And a lead made of a material different from that of the base, the electronic circuit and the lead are electrically connected, and the circuit board and the lead are partially removed. In the structure in which the lead and the flange are collectively embedded in the mold resin, the base is made of a material in which copper is laminated on both surfaces of the invar, and the lead is made of a material of copper or a copper alloy.

【0006】さらに好ましくは、前記回路基板はガラス
セラミックまたはセラミックを主体とした材質の多層回
路基板で構成され、前記ベースと前記リードとは、前記
モールド樹脂に埋設される前に塑性結合で一体化され、
埋設後に両者が分離されることを特徴とする。
More preferably, the circuit board is composed of a multi-layer circuit board made mainly of glass ceramic or ceramics, and the base and the lead are integrated by plastic bonding before being embedded in the mold resin. Is
The feature is that both are separated after burial.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】自動車の自動変速機の制御を電子
回路で行う方式は広く採用されており、その電子回路の
実装構造は種々ある。トランスミッション直付けの電子
回路装置では、水,油等の浸入で電子回路がダメージを
受けないように、装着場所を選定し、また、それらが浸
入しないような構造がとられている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of controlling an automatic transmission of an automobile by an electronic circuit is widely adopted, and there are various mounting structures of the electronic circuit. In the electronic circuit device directly attached to the transmission, the mounting place is selected so that the electronic circuit is not damaged by the intrusion of water, oil, or the like, and the electronic circuit device is structured so that they do not infiltrate.

【0008】その構造の一例として、金属のベースに電
子回路基板を装着し、このベースとカバーとを抵抗溶
接,レーザ溶接する等して電子回路装置内部を気密的に
封止するとともに、窒素等の不活性ガスを封入する、い
わゆるハーメチックシール構造が知られている。
As an example of the structure, an electronic circuit board is mounted on a metal base, the base and the cover are resistance-welded or laser-welded to hermetically seal the inside of the electronic circuit device, and nitrogen or the like is used. There is known a so-called hermetic seal structure in which an inert gas of

【0009】この構造では、電子回路の入出力端子をベ
ースに設けたスルーホールを通して外部に引き出し、ス
ルーホールは、絶縁抵抗の高いガラスで封止される。し
たがって、ベース,ガラス,端子の線膨張係数を最適に
選定する必要がある。すなわち、数100℃〜1000
℃の高温でガラスを融解し、常温に戻したときに前記三
者の部品間で、お互いに残留圧縮応力が作用するように
する必要があるためである。
In this structure, the input / output terminals of the electronic circuit are led out through the through holes provided in the base, and the through holes are sealed with glass having a high insulation resistance. Therefore, it is necessary to optimally select the linear expansion coefficient of the base, the glass, and the terminal. That is, several 100 ° C. to 1000
This is because it is necessary to cause residual compressive stress to act between the three parts when the glass is melted at a high temperature of ° C and returned to room temperature.

【0010】これらの材質は限定され、例えば封止材料
にソーダ・バリウムガラスを用いたとき、ベース材質と
しては鋼板、端子は鉄ニッケル合金(鉄50%−ニッケ
ル50%)の組み合わせとなる。
These materials are limited. For example, when soda-barium glass is used as the sealing material, the base material is a steel plate, and the terminals are a combination of iron-nickel alloy (iron 50% -nickel 50%).

【0011】このため、 高温での酸化防止が必要で、ベースは溶融温度の高い
ニッケルメッキ等が必要となる。
Therefore, it is necessary to prevent oxidation at high temperatures, and the base is required to be plated with nickel having a high melting temperature.

【0012】また前記溶接ではカバーの組み合わせ材
質が限定され、ベースと同じ鋼板が使用される。電子回
路に発熱素子が多い場合には、放熱し易くするためベー
ス材質としてはアルミ,銅等が好適であるが、上記した
ように鋼板を使用せざるを得ず、鋼板では放熱性が悪
い。
Further, in the welding, the combination material of the cover is limited, and the same steel plate as the base is used. When there are many heating elements in the electronic circuit, aluminum, copper or the like is suitable as the base material for facilitating heat dissipation, but as described above, steel plates have to be used, and the steel plates have poor heat dissipation.

【0013】さらには抵抗溶接ではベースとカバーと
の電気的接触抵抗が均一となるよう、両者の平面度精度
を高くする必要がある等、コストアップ要因がある。
Further, in the resistance welding, there is a factor of cost increase such that the flatness accuracy of the base and the cover must be high so that the electrical contact resistance between them is uniform.

【0014】レーザ溶接では、前記ベースに施したニ
ッケルメッキの厚さのばらつきが溶接に影響し、また、
溶接部分のビードが露出する。それによる錆発生を防止
するための保護コーティングが必要である。
In laser welding, variations in the thickness of the nickel plating applied to the base affect welding, and
The bead of the welded part is exposed. A protective coating is required to prevent rusting due to it.

【0015】外観では確実に溶接の良否判定を行うこ
とが難しく、気密性を確認するためにはヘリウムガスを
用いたチェック法,不活性液体中に入れて気泡の発生有
無をチェックするバブルリークチェック法等が必要であ
った。
It is difficult to reliably judge the quality of welding from the appearance. To check the airtightness, a check method using helium gas, a bubble leak check for checking the presence or absence of bubbles in an inert liquid Laws were needed.

【0016】上記した諸々の点を改善するために、電子
回路素子を搭載した回路基板を熱伝導のよい材質で製作
したベースに接着し、このベースの片面を露出しつつ、
回路基板及びベースをエポキシ樹脂(モールド樹脂)で
封止するパッケージ技術が提案されている。
In order to improve the above-mentioned various points, a circuit board on which an electronic circuit element is mounted is adhered to a base made of a material having good thermal conductivity, and while exposing one side of the base,
A packaging technique has been proposed in which a circuit board and a base are sealed with an epoxy resin (mold resin).

【0017】しかしながら、この場合、例えば電子回路
素子としてシリコンチップを使用し、回路基板として前
記シリコンチップに近似した線膨張係数を有するガラス
・セラミック基板を用い、これらの部材をエポキシ樹脂
で封止する構造においては、次のような課題があった。
However, in this case, for example, a silicon chip is used as an electronic circuit element, a glass ceramic substrate having a linear expansion coefficient similar to that of the silicon chip is used as a circuit substrate, and these members are sealed with an epoxy resin. The structure had the following problems.

【0018】すなわち、前記回路基板やベースを埋設す
るエポキシ樹脂のモールド工程(トランスファモールド
工程)時に、そのモールド樹脂(エポキシ樹脂)を、硬
化工程を経て型から取り出した後の冷却中に、エポキシ
樹脂の硬化収縮と前記基板やベースに対する線膨張係数
差とによって、エポキシ樹脂と回路基板やベースとの境
界面で剥離、または樹脂クラックが生じる。
That is, during the molding process (transfer molding process) of the epoxy resin for embedding the circuit board or base, the molding resin (epoxy resin) is taken out from the mold through the curing process, and the epoxy resin is cooled during cooling. Due to the curing shrinkage and the difference in linear expansion coefficient with respect to the substrate or base, peeling or resin cracks occur at the interface between the epoxy resin and the circuit board or base.

【0019】これは、モールド成形時におけるエポキシ
樹脂等価線膨張係数(エポキシ樹脂等価線膨張係数は、
そのモールド樹脂が型から取り出されて室温に冷却され
るまでの成形温度時の樹脂の化学的収縮と、成形温度〜
ガラス転移温度Tgまでの線膨張係数α1と、ガラス転
移温度Tg〜室温までの線膨張係数α2とを合成したも
のであり、常温の線膨張係数に比べて約4倍の値であ
る)がベースのそれより大きく、かつ回路基板の線膨張
係数もベースよりさらに小さいため、回路基板に密着し
たエポキシ樹脂の収縮応力によって回路基板とベースと
が反り、密着されていないエポキシ樹脂の部分、または
密着力の弱い部分に引張り応力が働き、境界面で剥離が
発生するものである。
This is because the epoxy resin equivalent linear expansion coefficient at the time of molding (the epoxy resin equivalent linear expansion coefficient is
The chemical shrinkage of the resin at the molding temperature until the mold resin is taken out of the mold and cooled to room temperature, and the molding temperature ~
It is a combination of the linear expansion coefficient α1 up to the glass transition temperature Tg and the linear expansion coefficient α2 between the glass transition temperature Tg and room temperature, which is about 4 times the linear expansion coefficient at room temperature) The linear expansion coefficient of the circuit board is smaller than that of the base, and the linear expansion coefficient of the circuit board is smaller than that of the base. The tensile stress acts on the weak part of the surface, and peeling occurs at the boundary surface.

【0020】この剥離をなくすために、例えばベースの
端面部分に密着性のよい皮膜処理を形成すると、境界面
付近のエポキシ樹脂にクラックが発生してしまう問題が
あった。
In order to eliminate this peeling, for example, if a film treatment with good adhesion is formed on the end face portion of the base, there is a problem that cracks occur in the epoxy resin near the boundary surface.

【0021】その対策として、硬化収縮が少なく、かつ
線膨張係数の小さいエポキシ樹脂を使用する、あるいは
前記ベースの端面に線膨張係数差を吸収する柔軟な樹脂
コーティング処理を施す、等が考えられる。しかしなが
らいずれもコストアップが避けられず、安価な構造が望
まれていた。
As a countermeasure, it is conceivable to use an epoxy resin having a small curing shrinkage and a small linear expansion coefficient, or to apply a flexible resin coating treatment to the end surface of the base to absorb the difference in the linear expansion coefficient. However, in any case, cost increase is inevitable, and an inexpensive structure has been desired.

【0022】なお、従来の公知技術には、例えば特開平
7−240493号公報のように半導体素子をリードフ
レームに搭載してこれらの部品をモールド樹脂中に埋設
してパッケージ化したものや、特開平1−205556
号公報のようにICチップとそのマウント部材および放
熱板をパッケージ化したものがある。これらの従来技術
は、電子回路基板やそのベースまでをもモールド樹脂で
パッケージしようとするものではない。
In the prior art, a semiconductor device is mounted on a lead frame and these components are embedded in a mold resin to be packaged, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 7-240493. Kaihei 1-205556
There is a package of an IC chip, its mounting member, and a heat radiating plate, as disclosed in Japanese Patent Publication No. JP-A-2003-242242. These conventional techniques do not attempt to package the electronic circuit board and even the base thereof with the molding resin.

【0023】以下、以上を踏まえた上で、第一の実施例
を図1〜図22に示す。
Based on the above, the first embodiment is shown in FIGS. 1 to 22.

【0024】図1は本実施例に係わる自動車用電子回路
装置(コントロールユニット)1の平面図、図2及び図
3はその見る方向を変えた一部断面側面図である。
FIG. 1 is a plan view of an automobile electronic circuit device (control unit) 1 according to this embodiment, and FIGS. 2 and 3 are partial cross-sectional side views in which the viewing direction is changed.

【0025】フランジ部2dを有するベース2に、回路
素子6および回路基板7からなる電子回路5が搭載され
ている。この搭載は、回路基板7をベース2上に接着す
ることで行われる。回路基板7は、ベース2の中央部を
部分的に盛り上げた領域に、その部分のみを接着する構
造である。この構造については後述する。
An electronic circuit 5 including a circuit element 6 and a circuit board 7 is mounted on a base 2 having a flange portion 2d. This mounting is performed by adhering the circuit board 7 onto the base 2. The circuit board 7 has a structure in which only the portion of the base 2 is adhered to the partially raised area of the central portion of the base 2. This structure will be described later.

【0026】3aはリード(端子)であり、外部の接続
対象物(図示せず)とを電気的に接続する場合には、リ
ード3aが外部対象物のハーネス・コネクタに嵌合、ま
たはハーネス端子に溶接等で接続される。
Reference numeral 3a is a lead (terminal). When electrically connecting to an external connection object (not shown), the lead 3a is fitted to a harness connector of the external object, or a harness terminal. It is connected by welding or the like.

【0027】電子回路5とリード3aとは、熱圧着,超
音波等のワイヤボンディング法でアルミ細線9を介して
電気的に接続されている。
The electronic circuit 5 and the lead 3a are electrically connected to each other through the aluminum thin wire 9 by a wire bonding method such as thermocompression bonding or ultrasonic wave.

【0028】電子回路5をベース2上に接着し、電子回
路5とリード3aとをアルミ細線9で接続した後、これ
らの部品(回路素子6,回路基板7,ベース2,リード
3a)を一括してモールド樹脂(以下、封止樹脂と称す
る)4中にリード3aの一部やフランジ2dの一部を除
いて埋設する。
After the electronic circuit 5 is adhered to the base 2 and the electronic circuit 5 and the lead 3a are connected by the thin aluminum wire 9, these parts (circuit element 6, circuit board 7, base 2, lead 3a) are collectively packaged. Then, it is embedded in a mold resin (hereinafter referred to as a sealing resin) 4 except for a part of the lead 3a and a part of the flange 2d.

【0029】封止樹脂4は、トランスファモールド成形
によって製作する。トランスファモールド成形は、一般
に封止樹脂としてエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を使用
する方法で、粉末を圧縮成形したタブレット状のエポキ
シ樹脂を、所定の温度,圧力を印加することにより融解
させ、これを型内に流動および固化させるものである。
この製法は、LSI(大規模集積回路)等のチップのパ
ッケージとして広く採用されている。
The sealing resin 4 is manufactured by transfer molding. Transfer molding is generally a method of using a thermosetting resin such as an epoxy resin as a sealing resin, and a tablet-shaped epoxy resin obtained by compression molding powder is melted by applying a predetermined temperature and pressure. To flow and solidify in the mold.
This manufacturing method is widely adopted as a package of a chip such as an LSI (Large Scale Integrated Circuit).

【0030】封止樹脂4は、とくに低線膨張係数の樹脂
とし、内部部品を全体的に包む。封止樹脂4は、内部部
品との密着力を常に所定値に保持するため、また、はん
だ付け部や半導体チップと回路基板との細線ワイヤボン
ディング接続部等に、熱応力によっての剥れ及び断線が
生じないようにするため、最適な物性値が選定される。
The sealing resin 4 is a resin having a particularly low coefficient of linear expansion and entirely encloses the internal parts. The encapsulating resin 4 keeps the adhesive force with the internal parts at a predetermined value at all times, and also peels off or breaks due to thermal stress at the soldering portion or the thin wire bonding connection portion between the semiconductor chip and the circuit board. The optimum physical property value is selected to prevent the occurrence of

【0031】自動車用の電子回路装置は、使用時の熱応
力繰り返しにより、封止樹脂4とリード3a,ベース2
とのそれぞれの密着界面からの水,油等の浸入が懸念さ
れる。その点については、リード3aおよびベース2と
封止樹脂4との線膨張係数差を極力小さくし、それら部
材間での熱応力を低減したり、リード3aおよびベース
2に特殊な表面処理(例えばアルミキレート処理)を施
し、樹脂と部材との境界部分で共有結合させる手法によ
り解決可能である。
The electronic circuit device for automobiles has the sealing resin 4, the lead 3a and the base 2 which are repeatedly subjected to thermal stress during use.
There is a concern that water, oil, etc. may enter from the respective contact interfaces with and. Regarding this point, the difference in linear expansion coefficient between the lead 3a and the base 2 and the sealing resin 4 is made as small as possible to reduce the thermal stress between these members, and the lead 3a and the base 2 are subjected to a special surface treatment (for example, Aluminum chelate treatment) and covalent bond at the boundary between the resin and the member can be solved.

【0032】リード3aは熱伝導の良い銅、または銅系
の合金材が選定される。回路基板7はセラミック,ガラ
ス・セラミック等の比較的線膨張係数の小さい材質が選
定され、所定の回路パターンが形成されている。回路基
板7が接着されるベース2は、線膨張係数が回路基板7
及び封止樹脂4に近いものを選定する。例えば、インバ
ー(鉄64%−ニッケル36%の合金)の両面に銅を積
層した材料、いわゆるクラッド材を選定したもので、両
金属の厚さ比率を変え、所望の合成された線膨張係数を
得る。ちなみに材料単独での線膨張係数は、インバーは
約1ppm /℃、銅は16.5ppm/℃である。
For the lead 3a, copper or a copper-based alloy material having good thermal conductivity is selected. The circuit board 7 is made of a material having a relatively small coefficient of linear expansion, such as ceramic or glass / ceramic, and has a predetermined circuit pattern. The base 2 to which the circuit board 7 is bonded has a linear expansion coefficient of the circuit board 7
And a resin close to the sealing resin 4 is selected. For example, a material in which copper is laminated on both sides of Invar (iron 64% -nickel 36% alloy), that is, a so-called clad material is selected, and the desired linear expansion coefficient is changed by changing the thickness ratio of both metals. obtain. By the way, the linear expansion coefficient of the material alone is about 1 ppm / ° C for Invar and 16.5 ppm / ° C for copper.

【0033】線膨張係数を小さくする場合には、銅の厚
さを薄くインバーの厚さを厚くすることになる。このた
め本願第一の実施例では、例えば回路基板7の線膨張係
数を7ppm/℃、封止樹脂4の線膨張係数を8ppm/℃と
すると、クラッド材の線膨張係数を10.6ppm/℃程度
としている。この線膨張係数を得るクラッド材の一例と
して、ベース2の厚さが0.6mmの場合には、インバー
と銅の厚さは各々0.2mmである。
To reduce the linear expansion coefficient, the thickness of copper is reduced and the thickness of Invar is increased. Therefore, in the first embodiment of the present application, for example, when the linear expansion coefficient of the circuit board 7 is 7 ppm / ° C and the linear expansion coefficient of the sealing resin 4 is 8 ppm / ° C, the linear expansion coefficient of the clad material is 10.6 ppm / ° C. It is about degree. As an example of the clad material for obtaining this linear expansion coefficient, when the thickness of the base 2 is 0.6 mm, the thickness of each of the invar and the copper is 0.2 mm.

【0034】回路基板7および封止樹脂4の線膨張係数
に近い値のクラッド材の線膨張係数を8ppm /℃程度に
選定すると、お互いの線膨張係数差が小さくなり、使用
環境条件とくに温度変化の繰り返しによる熱応力が低減
し、封止樹脂4のクラックや部材との密着界面剥離に対
する抗力が増大する。
When the coefficient of linear expansion of the clad material having a value close to that of the circuit board 7 and the sealing resin 4 is selected to be about 8 ppm / ° C., the difference in coefficient of linear expansion between them becomes small, and the environmental conditions, especially the temperature change. The thermal stress due to the repetition of the above is reduced, and the resistance against the crack of the sealing resin 4 and the peeling of the adhesive interface with the member is increased.

【0035】この場合には、銅の厚さを薄くする必要が
あり、例えば全体の厚さが0.6mmの場合には、インバ
ーの厚さが0.3mm、銅の厚さが0.15mmとなる。銅の
量が少ないと熱伝導率が小さくなり、回路素子6が高発
熱素子のときには温度上昇値が高くなるため、本実施例
の場合には、前記クラッド材のインバー,銅各々の厚さ
を0.2mmに選定した。
In this case, it is necessary to reduce the thickness of copper. For example, when the total thickness is 0.6 mm, the invar thickness is 0.3 mm and the copper thickness is 0.15 mm. Becomes When the amount of copper is small, the thermal conductivity is small, and when the circuit element 6 is a high heat generating element, the temperature rise value is high. Therefore, in the case of this embodiment, the thickness of each of the invar and copper of the clad material is adjusted. Selected to 0.2mm.

【0036】しかしながら温度上昇が問題とならない場
合には、熱応力に起因する封止樹脂4のクラックや部材
との密着界面剥離防止に対し、線膨張係数を8ppm /℃
程度に選定するのが好ましい。
However, when the temperature rise is not a problem, the linear expansion coefficient is 8 ppm / ° C. to prevent the crack of the sealing resin 4 caused by the thermal stress and the peeling of the interface with the member.
It is preferable to select the degree.

【0037】したがって、回路素子6の温度上昇に応じ
て、クラッド材のインバー,銅各々の厚さを最適値に選
定すればよい。
Therefore, the thicknesses of the invar and copper of the clad material may be selected to the optimum values according to the temperature rise of the circuit element 6.

【0038】クラッド材は柔らかい銅と硬いインバーと
を積層しているため、材料相互の硬さの差が大きく、プ
レスの打ち抜き加工性が悪い問題がある。一般にプレス
の打ち抜き加工においては、その加工面は、だれ面,せ
ん断面,破断面が形成されて所定の形状ができる。とこ
ろがクラッド材を打ち抜くときは、硬度差の大きい薄板
を重ねて同時に打ち抜く状態と等価で、前記だれ面,せ
ん断面,破断面が曖昧となり、抜き端面で板間の結合部
が剥離しやすい問題が生じる。
Since the clad material is formed by laminating soft copper and hard Invar, there is a large difference in hardness between the materials, and there is a problem that the punching workability of the press is poor. Generally, in the punching process of a press, the machined surface has a drooping surface, a shearing surface, and a fracture surface, so that a predetermined shape can be formed. However, when punching out the clad material, it is equivalent to punching thin plates with a large difference in hardness at the same time, and the droop face, shear face, and fracture surface become ambiguous, and there is a problem that the joint part between the plates is easily separated at the punched end face. Occurs.

【0039】例えばインバーの硬さとしてはHv(ヴィ
ッカース硬さ)200、銅はHv50程度であるが、前
記リード3aは細幅部分が多数並ぶ形状であり、高精度
で打ち抜き加工することが困難となる。この対策とし
て、本願では単純な形状で高精度を要しないベース2の
部分をクラッド材とし、高精度を要するリード3aを銅
または銅合金材とした。
For example, the hardness of the invar is Hv (Vickers hardness) of 200 and that of copper is about Hv50, but the lead 3a has a shape in which a large number of narrow width portions are arranged, and it is difficult to punch with high precision. Become. As a countermeasure against this, in the present application, the portion of the base 2 which has a simple shape and does not require high precision is used as a clad material, and the leads 3a which require high precision are made of copper or copper alloy material.

【0040】ベース部分2とリード部分3aを、同一の
銅合金材で一体にプレス加工するのが、一般的なリード
フレームの構造であるが、その線膨張係数は17ppm /
℃前後で、回路基板7及び封止樹脂4に比して大きく、
使用時の熱応力繰り返しによる樹脂クラック、樹脂との
密着界面剥離が発生しやすい。とくにベース部分2は広
い面積で、封止樹脂4との密着界面に働く熱応力が大き
い。リード部分3aは小面積であり、本願第一の実施例
構造では問題とならないレベルである。
A general lead frame structure is one in which the base portion 2 and the lead portion 3a are integrally pressed with the same copper alloy material, but the linear expansion coefficient thereof is 17 ppm /
Around ℃, larger than the circuit board 7 and the sealing resin 4,
Resin cracks due to repeated thermal stress during use and peeling at the interface with the resin are likely to occur. In particular, the base portion 2 has a large area, and the thermal stress acting on the adhesion interface with the sealing resin 4 is large. The lead portion 3a has a small area, which is not a problem in the structure of the first embodiment of the present application.

【0041】図4は本実施例に係わる電子回路装置の要
部断面図であり、図3に対応するものである。
FIG. 4 is a sectional view of an essential part of an electronic circuit device according to this embodiment, which corresponds to FIG.

【0042】ベース部分2の上面には、回路基板7が接
着剤8で接着される。回路基板7は、ベース2の中央部
を部分的に盛り上げた領域に、その部分のみを接着する
構造である。一般には基板をベースに接着する場合、全
面接着する構造であるが、本願第一の実施例では部分的
に接着する。
The circuit board 7 is bonded to the upper surface of the base portion 2 with an adhesive 8. The circuit board 7 has a structure in which only the portion of the base 2 is adhered to the partially raised area of the central portion of the base 2. In general, when the substrate is adhered to the base, the entire surface is adhered, but in the first embodiment of the present application, it is partially adhered.

【0043】全面を接着する構造では、接着剤と部材と
の界面を隙間なく接着することが困難で、接着剤の硬化
時に界面に空気層が形成されたり、微小な気泡が多数接
着剤中に残ったりする。このため、トランスファモール
ド工程の熱により気泡が膨張して潰れ、接着部と封止樹
脂4との密着界面付近で界面剥離する問題が発生しやす
い。
In the structure in which the entire surface is adhered, it is difficult to adhere the interface between the adhesive and the member without a gap, and an air layer is formed at the interface when the adhesive is cured, and a large number of minute bubbles are present in the adhesive. It remains. For this reason, the problem that the bubbles are expanded and crushed by the heat of the transfer molding step and the interface is peeled off near the adhesion interface between the adhesive portion and the sealing resin 4 is likely to occur.

【0044】ベース2には多数の小孔2gが設けてあ
り、その部分に封止樹脂4が充填されるようにしてい
る。この小孔2gの存在により、回路基板7の面積相当
部分のベース2が低い剛性で構成されることとなる。剛
性が低いことは、封止樹脂4との線膨張係数差による熱
応力を吸収しやすく、かつ多数個分散して小孔2gが設
けられているため、部材との密着界面での剥離防止効果
が非常に大きくなる利点がある。なお、小孔2gの一部
は、後述するように回路基板7の接着工程,アルミ材細
線9のワイヤボンディング工程での治具が挿入される孔
を兼ねている。
The base 2 is provided with a large number of small holes 2g, and the sealing resin 4 is filled in the small holes 2g. Due to the existence of the small holes 2g, the base 2 of the area corresponding to the area of the circuit board 7 is configured with low rigidity. Since the rigidity is low, the thermal stress due to the difference in linear expansion coefficient with the sealing resin 4 is easily absorbed, and a large number of small holes 2g are provided in a dispersed manner. Has the advantage of being very large. It should be noted that a part of the small hole 2g also serves as a hole into which a jig is inserted in the step of adhering the circuit board 7 and the wire bonding step of the aluminum thin wire 9, as will be described later.

【0045】回路基板7には、図示されない配線パター
ンが形成され、また、基板上に回路素子6とボンディン
グパッド10がはんだ接続されている。ボンディングパ
ッド10とリード3aには、熱圧着,超音波等のワイヤ
ボンディング法によりアルミ材の細線9が各々接続され
ている。
A wiring pattern (not shown) is formed on the circuit board 7, and the circuit element 6 and the bonding pad 10 are soldered on the board. A thin wire 9 made of an aluminum material is connected to each of the bonding pad 10 and the lead 3a by a wire bonding method such as thermocompression bonding or ultrasonic wave.

【0046】回路基板7の材質は、回路素子6の大部分
を占めるシリコンチップに近い線膨張係数を有したもの
で、かつ封止樹脂4との線膨張係数差が小さいものがよ
い。回路規模が大きくなると小型化するには多層の回路
基板が好ましく、セラミックやガラス・セラミック基板
が好適である。放熱性を重視する場合には、熱伝導率の
大きいセラミック基板がよい。
It is preferable that the material of the circuit board 7 has a coefficient of linear expansion close to that of a silicon chip occupying most of the circuit element 6 and has a small difference in coefficient of linear expansion from the sealing resin 4. A multi-layer circuit board is preferable for downsizing as the circuit scale becomes large, and a ceramic or glass-ceramic board is preferable. If heat dissipation is important, a ceramic substrate having a large thermal conductivity is preferable.

【0047】図5はベース2とリードフレーム3とを結
合し、一体化した形状を示すものである。
FIG. 5 shows a shape in which the base 2 and the lead frame 3 are joined and integrated.

【0048】ベース2は、基板搭載部2′,フランジ部
2d,位置決め孔部2f,係合部2e,多数の小孔2
g,基板接着部2hを有した形状である。小孔2gは、
回路基板7の面積相当に分散して設け、前記した界面剥
離防止効果を目的としている。リードフレーム3は、リ
ード3a,ボンディングパッド部3b,つなぎ部3c,
フレーム部3d,係合部3f,切り欠き3eからなり、
これらを各々プレス加工で製作する。そして両係合部2
e,3fで結合し、一体化する。
The base 2 includes a board mounting portion 2 ', a flange portion 2d, a positioning hole portion 2f, an engaging portion 2e, and a large number of small holes 2.
g, a shape having a substrate bonding portion 2h. 2g of small holes
The circuit boards 7 are provided in a dispersed manner corresponding to the area of the circuit board 7 for the purpose of preventing interfacial peeling. The lead frame 3 includes a lead 3a, a bonding pad portion 3b, a connecting portion 3c,
It consists of a frame part 3d, an engaging part 3f, and a notch 3e,
Each of these is manufactured by pressing. And both engaging parts 2
e, 3f are combined and integrated.

【0049】アルミ材の細線9をワイヤボンディング接
続するためのボンディングパッド部3bには、その表面
が酸化されないようにニッケルメッキ,銀メッキ等が部
分的に施される。フランジ部2dは相手部材に固定する
ため、孔2fは組立時の治具を位置決めするために設け
たものである。
The bonding pad portion 3b for connecting the thin wire 9 made of an aluminum material by wire bonding is partially plated with nickel or silver so that the surface thereof is not oxidized. The flange portion 2d is fixed to a mating member, and the hole 2f is provided for positioning a jig during assembly.

【0050】切り欠き3eは方向性を決めるもので、製
作誤差で生じるトランスファモールド成形時の型合わせ
誤差を少なくする目的で設けている。また、回路基板7
を接着し、ワイヤボンディング作業が終了した状態の組
立体を、この型にセットする際、逆方向にならないよう
にする目的も兼ねている。この切り欠き3eは、リード
フレーム3が対称形状の場合、表裏が識別できる任意の
形状,位置を選定すればよい。
The notch 3e determines the directionality, and is provided for the purpose of reducing a die alignment error at the time of transfer molding, which is caused by a production error. Also, the circuit board 7
It also serves the purpose of preventing the assembly from being bonded in the opposite direction when set in this mold after the wire bonding work is completed. When the lead frame 3 has a symmetrical shape, the notch 3e may be selected to have an arbitrary shape and position that can identify the front and back.

【0051】なお、つなぎ部3cとフレーム部3dとフ
ランジ部2dとで閉ループ構成になっている理由は、こ
の部分をトランスファモールド成形型で上下から締め付
けることにより、封止樹脂4でトランスファモールド成
形した際、型内でエポキシ樹脂が融解して液状になった
とき、この閉ループ部の外側に洩れないようにするため
である。
The reason why the connecting portion 3c, the frame portion 3d and the flange portion 2d have a closed loop structure is that the sealing resin 4 is used for transfer molding by tightening this portion from above and below with a transfer molding die. This is to prevent the epoxy resin from leaking to the outside of the closed loop portion when the epoxy resin melts and becomes liquid in the mold.

【0052】嵌合するリード3aの細幅部分とモールド
型との間には、嵌合隙間ができるため、この部分で液状
のエポキシ樹脂が外部に洩れるが、閉ループ構成となっ
ていることにより、そのループ内で硬化後に薄いバリと
して残る。そしてこの成形後、リードフレーム3のつな
ぎ部3c,フレーム部3dを切断し、複数の独立したリ
ード3aを形成するとともに、ベース2のフランジ部2
dを所定の形状に窓抜き加工、および折り曲げ加工する
ことにより、コントロールユニット1が完成する。
Since a fitting gap is formed between the narrow portion of the lead 3a to be fitted and the mold, liquid epoxy resin leaks to the outside at this portion, but due to the closed loop structure, It remains as a thin burr after curing in the loop. After this molding, the connecting portion 3c and the frame portion 3d of the lead frame 3 are cut to form a plurality of independent leads 3a, and the flange portion 2 of the base 2 is formed.
The control unit 1 is completed by subjecting d to a predetermined shape through a window punching process and a bending process.

【0053】図6はベース2とリードフレーム3とを結
合した部分の詳細図、図7は図6のA−A断面図を示す
ものである。
FIG. 6 is a detailed view of a portion where the base 2 and the lead frame 3 are joined, and FIG. 7 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【0054】ベース2に設けた係合部2eは凸状で、リ
ードフレーム3の係合部3f(凹状)に嵌合されている。
これら凸状,凹状の一部には平面方向に係止できるよ
う、各々傾斜部を設けている。そしてプレス荷重の印加
により、係合部2eの銅2b,2cを厚さ方向に潰し、
凹所13を形成して結合する。各係合部の凹凸形状をお
互い逆に設置しても同じ結合効果は得られる。
The engaging portion 2e provided on the base 2 has a convex shape and is fitted into the engaging portion 3f (concave shape) of the lead frame 3.
An inclined portion is provided on each of the convex and concave portions so that they can be locked in the planar direction. Then, by applying a press load, the copper 2b, 2c of the engaging portion 2e is crushed in the thickness direction,
The recess 13 is formed and joined. Even if the concavo-convex shapes of the engaging portions are installed in reverse, the same coupling effect can be obtained.

【0055】なお、潰す部分は凸形状の一部であり、そ
の材料硬度が凹形状の材料硬度より低いものでないと、
プレス荷重を印加したときに、凹部が外側に開いてしま
い、十分な結合ができない問題がある。本願はこれを考
慮し、リードフレーム3は、クラッド材の銅部分2b,
2cより硬度の高い材料を選定している。一例として、
Hv(ヴィッカース硬さ)150の銅合金である。
The crushed portion is a part of the convex shape, and the material hardness thereof must be lower than that of the concave material,
When a pressing load is applied, the recess opens outward, and there is a problem that sufficient bonding cannot be achieved. In the present application, in consideration of this, the lead frame 3 includes the copper portion 2b of the clad material,
Material with hardness higher than 2c is selected. As an example,
It is a copper alloy having an Hv (Vickers hardness) of 150.

【0056】ベース2のクラッド材はインバー2a,銅
2b,2cからなり、周知のように所定の温度と圧力を
印加して積層形成したもので、金属材料間の拡散で強固
に結合されている。銅2b,2cを潰して凹所13を上
下に形成することにより、材料は塑性流動を起し、平面
方向の嵌合隙間が埋められ、ベース2とリードフレーム
3とが結合される。
The clad material of the base 2 is made of Invar 2a, copper 2b and 2c, is formed by laminating by applying a predetermined temperature and pressure as is well known, and is firmly bonded by diffusion between metal materials. . By crushing the coppers 2b and 2c to form the recesses 13 on the upper and lower sides, the material causes a plastic flow, the fitting gap in the plane direction is filled, and the base 2 and the lead frame 3 are joined.

【0057】凹所13を形成する方法の一例を図8に示
す。
An example of a method of forming the recess 13 is shown in FIG.

【0058】11は下型、12は上型であり、段付き形
状を有している。上下方向から荷重を印加すると、銅部
分2b,2cが潰され、凹所13が形成される。所定の
荷重が印加されたとき、型11,12の段付き部分がリ
ードフレーム3の上下面、及びベース2の上下面に当接
するプレス条件に設定しておく。当接しないと、銅部分
2b,2cが嵌合部近傍で局部的に厚さ方向に盛り上
り、厚さ方向のゆがみが生じる恐れがある。
Reference numeral 11 is a lower mold, and 12 is an upper mold, which has a stepped shape. When a load is applied from above and below, the copper portions 2b and 2c are crushed and the recess 13 is formed. The press conditions are set so that the stepped portions of the molds 11 and 12 contact the upper and lower surfaces of the lead frame 3 and the upper and lower surfaces of the base 2 when a predetermined load is applied. Otherwise, the copper portions 2b and 2c may locally bulge in the thickness direction in the vicinity of the fitting portion, causing distortion in the thickness direction.

【0059】図面では材料の厚さを同一として表してい
るが、ベース2とリードフレーム3のいずれかを厚くし
てもよい。放熱性を高める必要がある場合には、ベース
2を厚くするのが効果的である。また、リード3aをコ
ネクタ接続する場合には、相手側雌端子の適合厚さに合
わせることができる。
In the drawings, the material is shown to have the same thickness, but either the base 2 or the lead frame 3 may be thickened. When it is necessary to enhance heat dissipation, it is effective to make the base 2 thick. Further, when the lead 3a is connected to the connector, the thickness can be adjusted to the compatible thickness of the mating female terminal.

【0060】図9はリードフレーム3の製作形状、図1
0はベース2の製作形状であり、各々プレスの打ち抜き
加工で製作する。
FIG. 9 shows the manufacturing shape of the lead frame 3, FIG.
Reference numeral 0 denotes a manufacturing shape of the base 2, which is manufactured by punching with a press.

【0061】リードフレーム3は、リード部3a,ボン
ディングパッド部3b,つなぎ部3c,フレーム部3
d,切り欠き3e,係合部3fを有している。点線で結
んだ部分は、連続してプレス加工するための空き部分で
ある。ボンディングパッド部3bには、酸化防止のため
ニッケルメッキ,銀メッキ等が必要であるが、プレス加
工前の材料状態で、帯状に部分的に施しておいてもよい
し、プレス加工後に部分メッキしてもよい。
The lead frame 3 includes a lead portion 3a, a bonding pad portion 3b, a joint portion 3c, and a frame portion 3
It has d, a notch 3e, and an engaging portion 3f. The part connected by the dotted line is an empty part for continuous press working. The bonding pad portion 3b needs to be nickel-plated, silver-plated or the like to prevent oxidation, but it may be partially applied in a strip shape in the material state before the press working, or may be partially plated after the press working. May be.

【0062】ベース2は、回路搭載部2′,係合部2
e,フランジ2d,位置決め孔2f,多数の小孔2g,
基板接着部2hを有している。リードフレーム3と同様
に、連続してプレス加工するための空き部分を設ける形
状にしてもよい。
The base 2 includes a circuit mounting portion 2'and an engaging portion 2
e, flange 2d, positioning hole 2f, many small holes 2g,
It has a substrate bonding portion 2h. Similar to the lead frame 3, it may be shaped so as to have an empty portion for continuous press working.

【0063】このように、ベースとリードとを異種材料
で製作した後、両者を塑性結合で一体化したため、回路
基板や封止樹脂の物性値,放熱性の要求レベルや相手側
コネクタ端子に応じて、ベースとリードの材料を最適な
線膨張係数,熱伝導率および厚さで選定できることにな
る。同一の銅合金材でリードフレームを構成する従来の
ものでは達し得なかった、大きな効果である。
As described above, since the base and the lead are made of different materials and integrated with each other by the plastic coupling, the physical properties of the circuit board and the sealing resin, the required level of heat radiation and the mating connector terminal are used. Therefore, the materials of the base and the lead can be selected with the optimum linear expansion coefficient, thermal conductivity and thickness. This is a great effect that cannot be achieved by the conventional one in which the lead frame is made of the same copper alloy material.

【0064】図11はベース2の接着部2hの詳細を示
す平面図で、図12はそのB−B断面図である。
FIG. 11 is a plan view showing details of the adhesive portion 2h of the base 2, and FIG. 12 is a sectional view taken along line BB thereof.

【0065】蝶形の窓2i,細幅小窓2j,傾斜部2
k,水平方向に伸びる接着領域2lが形成されている。
傾斜部2kは、蝶形の窓2iと細幅小窓2jとの間を狭
く形成しているため、剛性が低く一種の板ばねのように
作用する。これは接着剤8と回路基板7とが接着され、
封止樹脂4でモールドされた後の使用状態において、お
互いの部材の線膨張係数差に起因する熱応力による接着
剥れを防止する効果を目的としたものである。
Butterfly-shaped window 2i, narrow narrow window 2j, inclined portion 2
k, a bonding area 2l extending in the horizontal direction is formed.
Since the inclined portion 2k forms a narrow space between the butterfly-shaped window 2i and the narrow small window 2j, it has low rigidity and acts like a kind of leaf spring. This is because the adhesive 8 and the circuit board 7 are adhered,
The purpose is to prevent the peeling of the adhesive due to the thermal stress due to the difference in linear expansion coefficient between the members in the use state after being molded with the sealing resin 4.

【0066】図13は回路基板7を接着する治具の一例
を示す平面図、図14はそのC−C断面図である。
FIG. 13 is a plan view showing an example of a jig for adhering the circuit board 7, and FIG. 14 is a sectional view taken along line CC of FIG.

【0067】まずベース2とリードフレーム3とを結合
した図5の状態を、接着治具15の上に位置させ、これ
を離すとベース2の位置決め孔2fにピン15aが貫通
する。次いでベース2に多数設けられた小孔2gの一部
に、ピン15bが貫通し、そして接着治具15の上面
に、ベース2の下面とリードフレーム3の下面とが接す
る。
First, the state shown in FIG. 5 in which the base 2 and the lead frame 3 are combined is positioned on the bonding jig 15, and when this is released, the pin 15a penetrates the positioning hole 2f of the base 2. Next, the pins 15b penetrate through a part of the small holes 2g provided in the base 2, and the lower surface of the base 2 and the lower surface of the lead frame 3 contact the upper surface of the bonding jig 15.

【0068】ここで、ピン15aは2本設置している
が、位置決め孔2f4箇所全部に貫通するよう、4本設
置してもよい。
Although two pins 15a are installed here, four pins 15a may be installed so as to penetrate all four positioning holes 2f.

【0069】その後接着剤8をベース2の接着領域2l
に塗布する。そして回路基板7を載せると、ピン15b
の頭部に接して止まる。このピン15bは、回路基板7
の四隅部分に位置するよう、実施例では4本設置してい
る。接着剤8を塗布するのは、前記結合状態の組立体を
接着治具15に搭載する前に実施しておいてもよい。回
路基板7の上面の一部に荷重を印加し、接着剤8を回路
基板7及び接着領域2lとなじませるのが効果的であ
る。なお、回路基板7の平面方向位置決めは図示してい
ないが、小孔2gに貫通する任意形状のピンを設けるこ
とにより容易に構成できる。
Thereafter, the adhesive 8 is applied to the adhesive area 21 of the base 2.
Apply to. When the circuit board 7 is placed, the pins 15b
It stops by touching the head of. This pin 15b is connected to the circuit board 7
In the embodiment, four pieces are installed so as to be located at the four corners of. The application of the adhesive 8 may be performed before the assembly in the bonded state is mounted on the bonding jig 15. It is effective to apply a load to a part of the upper surface of the circuit board 7 so that the adhesive 8 becomes compatible with the circuit board 7 and the adhesion region 21. Although the positioning of the circuit board 7 in the plane direction is not shown, it can be easily configured by providing a pin of an arbitrary shape penetrating the small hole 2g.

【0070】接着治具15には、ピン15a,15bを
多数設置し、同時に多数の回路基板7を接着できるよう
に準備する。所定の温度と時間を加えることにより、接
着剤8の硬化が完了する。
A large number of pins 15a and 15b are provided on the bonding jig 15, and preparation is made so that a large number of circuit boards 7 can be bonded at the same time. Curing of the adhesive 8 is completed by applying a predetermined temperature and time.

【0071】図15はワイヤボンディング作業の治具を
示す平面図、図16はそのD−D断面図である。
FIG. 15 is a plan view showing a jig for wire bonding work, and FIG. 16 is a DD sectional view thereof.

【0072】接着硬化工程が終了した組立体を、ボンデ
ィング治具16の下治具16aに載せる。まずベース2
の位置決め孔2fにピン16cが貫通すると、ベース2
及びリードフレーム3の下面が下治具16aの上面に当
接する。次いで上治具16bでベース2とリードフレー
ム3を押さえ、図示しないクランプ治具を用いて両者が
上下方向と平面方向に動かないように固定する。
The assembly after the adhesive curing process is placed on the lower jig 16a of the bonding jig 16. First base 2
When the pin 16c penetrates the positioning hole 2f of the
Also, the lower surface of the lead frame 3 contacts the upper surface of the lower jig 16a. Next, the base 2 and the lead frame 3 are pressed by the upper jig 16b, and are fixed so as not to move in the vertical direction and the planar direction by using a clamp jig (not shown).

【0073】その後、回路基板7の下面にピン16dの
頭部が接するように、ピン16dを押し上げる。ロック
機構を組み合わせることにより、その位置でピン16d
を静止させることは容易である(図示せず)。ピン16
dは、回路基板7の四隅4箇所と、中央部のボンディン
グパッド10付近の下面2箇所、合計6本設置してい
る。
Then, the pin 16d is pushed up so that the head of the pin 16d contacts the lower surface of the circuit board 7. By combining the lock mechanism, the pin 16d
It is easy to rest (not shown). Pin 16
6 are installed at four corners of the circuit board 7 and two lower surfaces near the bonding pad 10 in the central portion.

【0074】ワイヤボンディング作業では、細線9が貫
通したボンディング用のキャピラリにより、数百グラム
の荷重で回路基板7が押圧されるが、ピン16dで支持
しているため押圧荷重で回路基板7が変形するのを防止
できる。ワイヤボンデング作業は熱圧着,超音波等、任
意の方式を採用し、アルミ材の細線9を回路基板7のボ
ンディングパッド10とリード3aとの間を電気的に接
続する。
In the wire bonding work, the circuit board 7 is pressed with a load of several hundred grams by the bonding capillary through which the fine wire 9 penetrates, but the circuit board 7 is deformed by the pressing load because it is supported by the pin 16d. Can be prevented. For wire bonding work, any method such as thermocompression bonding and ultrasonic wave is adopted, and the thin wire 9 made of aluminum material is electrically connected between the bonding pad 10 of the circuit board 7 and the lead 3a.

【0075】第一の実施例の具体的寸法を図17〜図2
2に示す。単位はmmである。
Specific dimensions of the first embodiment are shown in FIGS.
2 shows. The unit is mm.

【0076】図17はコントロールユニット1の平面
図、図18はその一部断面側面図、図19はベース2と
リードフレーム3とを結合した状態を示す図、図20は
ベース2の小孔2gの詳細図、図21は接着部2hの平
面図、図22はそのE−E断面図である。
FIG. 17 is a plan view of the control unit 1, FIG. 18 is a partial sectional side view thereof, FIG. 19 is a view showing a state in which the base 2 and the lead frame 3 are coupled, and FIG. 20 is a small hole 2g of the base 2. 21 is a plan view of the adhesive portion 2h, and FIG. 22 is a sectional view taken along line EE thereof.

【0077】図23〜図29は、第二の実施例を示すも
のである。
23 to 29 show the second embodiment.

【0078】第一の実施例との違いは、回路基板7をベ
ース2に接着する構造である。第一の実施例では、回路
基板7をベース2の中央部のみに接着する構造であった
が、第二の実施例では全面に接着する構造である。全面
を接着する構造では、接着剤と部材との界面を隙間なく
接着することが困難で、接着剤の硬化時に界面に空気層
が形成されたり、微小な気泡が多数接着剤中に残ったり
する。このため、トランスファモールド工程の熱により
気泡が膨張して潰れ、接着部と封止樹脂4との密着界面
付近で界面剥離する問題が発生しやすかった。
The difference from the first embodiment is the structure in which the circuit board 7 is bonded to the base 2. In the first embodiment, the circuit board 7 is adhered only to the central portion of the base 2, but in the second embodiment, it is adhered to the entire surface. In the structure where the entire surface is bonded, it is difficult to bond the interface between the adhesive and the member without any gap, and an air layer is formed at the interface when the adhesive is cured, or many minute bubbles remain in the adhesive. . For this reason, the problem that the bubbles are expanded and crushed by the heat of the transfer molding process and the interface is peeled off near the adhesion interface between the adhesive portion and the sealing resin 4 is likely to occur.

【0079】しかしながら接着作業工程で、接着剤8を
例えば数十μm厚さのエポキシ接着剤シートとし、回路
基板7の上面から押圧荷重を加え、所定の温度と時間を
印加することにより、前記の問題点は解決できる。その
場合には、電子回路5を構成する際の作業順序が第一の
実施例とは異なる。
However, in the bonding operation step, the adhesive 8 is made into an epoxy adhesive sheet having a thickness of several tens of μm, a pressing load is applied from the upper surface of the circuit board 7, and a predetermined temperature and time are applied, whereby The problem can be solved. In that case, the work sequence for constructing the electronic circuit 5 is different from that in the first embodiment.

【0080】第一の実施例では、回路基板7に回路素子
6の搭載を行った組立体を、ベース2に接着する構成で
あった。第二の実施例では、回路基板7をベース2に接
着した後、回路素子6を搭載する構成である。回路素子
6の搭載は、回路基板7のパターンとの電気的接続を行
うため、はんだ,銀ペースト等が選定されるが、第二の
実施例でもこの工法は可能である。
In the first embodiment, the assembly in which the circuit element 6 is mounted on the circuit board 7 is adhered to the base 2. In the second embodiment, the circuit element 6 is mounted after the circuit board 7 is bonded to the base 2. For mounting the circuit element 6, solder, silver paste or the like is selected in order to make electrical connection with the pattern of the circuit board 7, but this construction method is also possible in the second embodiment.

【0081】図23はベース2とリードフレーム3とを
結合した状態の平面図である。
FIG. 23 is a plan view showing a state in which the base 2 and the lead frame 3 are joined together.

【0082】ベース2は、基板搭載面2′には小孔のな
い形状である。位置決め用孔16は、第一の実施例と同
じように設置している。また、係合部2e,3fは、図
5とは逆に設置している。
The base 2 has a shape having no small holes on the substrate mounting surface 2 '. The positioning hole 16 is installed in the same manner as in the first embodiment. Further, the engaging portions 2e and 3f are installed in the opposite manner to that of FIG.

【0083】ベース2の線膨張係数を、回路基板7及び
封止樹脂4と、ほぼ同じに選定した場合には、例えば回
路基板7が7ppm/℃、封止樹脂4が8ppm/℃のとき、
ベース2は8ppm/℃が好適である。
When the linear expansion coefficient of the base 2 is selected to be substantially the same as that of the circuit board 7 and the sealing resin 4, for example, when the circuit board 7 is 7 ppm / ° C and the sealing resin 4 is 8 ppm / ° C,
The base 2 is preferably 8 ppm / ° C.

【0084】この場合には全体の厚さが0.6mmのと
き、インバーの厚さは0.3mm、銅の厚さは0.15mm
となる。銅の量が少ないと熱伝導率が小さくなり、回路
素子6が高発熱素子のときには温度上昇値が高くなる
が、第一の実施例のように一部のみ回路基板7を接着す
るものではなく、ベース2の広い面積部分に接着してい
るため、放熱性はよくなる。
In this case, when the total thickness is 0.6 mm, the invar thickness is 0.3 mm and the copper thickness is 0.15 mm.
Becomes When the amount of copper is small, the thermal conductivity is small, and when the circuit element 6 is a high heat generating element, the temperature rise value is high, but the circuit board 7 is not adhered only partially as in the first embodiment. Since it is adhered to a large area of the base 2, heat dissipation is improved.

【0085】図24に、回路基板7をベース2に接着す
る方法の一例を示す。
FIG. 24 shows an example of a method for adhering the circuit board 7 to the base 2.

【0086】まず接着治具20の上面に、ベース2とリ
ードフレーム3とを結合した組立体を載置する。接着シ
ート8′をベース2に置き、その上に回路基板7を載せ
る。そして治具21で回路基板7の上面に荷重を印加す
る。この状態で所定の温度と時間をかけ、接着シート
8′を融解,硬化して接着工程が終了する。
First, the assembly in which the base 2 and the lead frame 3 are combined is placed on the upper surface of the bonding jig 20. The adhesive sheet 8'is placed on the base 2 and the circuit board 7 is placed thereon. Then, the jig 21 applies a load to the upper surface of the circuit board 7. In this state, the adhesive sheet 8'is melted and cured by applying a predetermined temperature and time, and the adhesive process is completed.

【0087】回路基板7の材質は、ガラスセラミック,
セラミックのため、ヤング率が高く荷重を印加した際、
割れ易いので、接着シート8′はこの点を考慮して、低
い荷重で融解,硬化できる物性値のものを選定する。ま
た、回路基板7に形成されている導体パターンに傷がつ
いたり、保護用のガラス膜が割れたりしないよう、例え
ば治具21の表面に、弾力性の高い耐熱性の樹脂をコー
ティングしておく必要がある。
The material of the circuit board 7 is glass ceramic,
Since the ceramic has a high Young's modulus and a load is applied,
Since the adhesive sheet 8'is easily broken, the adhesive sheet 8'has a physical property value that can be melted and cured under a low load in consideration of this point. Further, for example, the surface of the jig 21 is coated with a heat-resistant resin having high elasticity so that the conductor pattern formed on the circuit board 7 is not scratched or the glass film for protection is not broken. There is a need.

【0088】ここで接着シート8′の選定例について説
明する。
Here, an example of selecting the adhesive sheet 8'will be described.

【0089】エポキシ系の接着剤を主体とし、厚さが5
0〜200μmのもので、回路基板7とほぼ同じ面積寸
法とする。一般にこの種の接着シートは、数十μm厚の
ポリエステル樹脂フィルムで接着剤の両面を挟む構造で
ある。このフィルムの片面を剥し、この面をベース2に
載せ、反対面のフィルムを介して上面からローラで押圧
するか、プレス機で押圧して仮接着する。この際、完全
硬化条件として、例えば150℃で1時間のものであれ
ば、50℃の雰囲気で数秒押圧することにより、仮接着
できる。また、前記したような工程により、この仮接着
工程を経ないで行うこともできる。
Epoxy adhesive is the main component, and the thickness is 5
It has a size of 0 to 200 μm and has substantially the same area size as the circuit board 7. Generally, this type of adhesive sheet has a structure in which both sides of the adhesive are sandwiched by a polyester resin film having a thickness of several tens of μm. One surface of this film is peeled off, this surface is placed on the base 2, and the roller is pressed from the upper surface through the film on the opposite surface with a roller, or is pressed with a pressing machine to temporarily bond. At this time, if the complete curing condition is, for example, 150 ° C. for 1 hour, temporary bonding can be performed by pressing in an atmosphere of 50 ° C. for several seconds. Further, it is possible to perform the above-mentioned steps without going through this temporary adhesion step.

【0090】液状の接着剤では既に述べたように、硬化
時に界面に空気層が形成されたり、微小な気泡が多数接
着剤中に残ったりするが、圧力を印加しながら高温度で
シート状の接着剤を硬化させると、この問題は解決でき
る。
As described above, in the case of the liquid adhesive, an air layer is formed at the interface at the time of curing or a large number of fine air bubbles remain in the adhesive, but a sheet-like adhesive is formed at a high temperature while applying pressure. Curing the adhesive will solve this problem.

【0091】この接着工程を終了した後、回路基板7の
所定配線パターンにペーストはんだを印刷し、回路素子
6,ボンディングパッド10等の部品を搭載し、リフロ
ー炉ではんだを溶融させ、室温で固化させて電気的接合
を行う。図25に、その完成状態を示す。
After this bonding step is completed, paste solder is printed on a predetermined wiring pattern of the circuit board 7, components such as the circuit element 6 and the bonding pad 10 are mounted, and the solder is melted in a reflow furnace and solidified at room temperature. Then, electrical connection is performed. FIG. 25 shows the completed state.

【0092】図26は、アルミ細線9のワイヤボンディ
ング作業する状況を示し、図25のE−E断面で、第一
の実施例の図16に相当する。ワイヤボンディング作業
の要領は、図16の説明と同様である。
FIG. 26 shows a situation where the aluminum thin wire 9 is wire-bonded, and corresponds to FIG. 16 of the first embodiment in the EE cross section of FIG. The procedure of the wire bonding work is the same as that described with reference to FIG.

【0093】図27は、ベース2とリードフレーム3と
を一体結合する第二の実施例である。
FIG. 27 shows a second embodiment in which the base 2 and the lead frame 3 are integrally connected.

【0094】第一の実施例図6では、係合部分を、ベー
ス2に凸部、リードフレーム3に凹部を形成したが、本
図は各々逆に形成している。この理由を次に述べる。
First Embodiment In FIG. 6, the engaging portion is formed with the convex portion on the base 2 and the concave portion on the lead frame 3, but this drawing is formed in reverse. The reason for this will be described below.

【0095】ベース2の線膨張係数を8ppm /℃に選定
した場合には、全体厚さを第一の実施例と同一例えば
0.6mmのときには、銅2bの厚さが0.15mm、インバ
ー2aの厚さが0.3mm となり、銅部分が第一の実施例
のときより薄い。このため、銅2bの凸部を潰して凹所
13を形成した際、リードフレーム3との結合力が弱く
なる。
When the linear expansion coefficient of the base 2 is selected to be 8 ppm / ° C., when the overall thickness is the same as that of the first embodiment, for example, 0.6 mm, the thickness of the copper 2b is 0.15 mm and the invar 2a is 2a. Has a thickness of 0.3 mm, and the copper portion is thinner than in the first embodiment. Therefore, when the convex portion of the copper 2b is crushed to form the recess 13, the bonding force with the lead frame 3 becomes weak.

【0096】インバー2aの硬さはリードフレーム3よ
り硬いので、リードフレーム3に形成した凸部を潰して
も問題ない。とくにリードフレーム3の材質を銅とした
場合には、銅合金より柔らかいので、図6のように凹部
をリードフレーム3に形成すると、係合部3fが外側に
開いてしまう問題が生じる。
Since the hardness of the invar 2a is harder than that of the lead frame 3, there is no problem in crushing the convex portion formed on the lead frame 3. In particular, when the material of the lead frame 3 is copper, it is softer than a copper alloy. Therefore, when the recess is formed in the lead frame 3 as shown in FIG. 6, there is a problem that the engaging portion 3f opens outward.

【0097】したがって、銅とインバーのクラッド材の
厚さ比率、リードフレーム3の材質硬度に応じ、凹部1
3をリードフレーム3かベース2の何れかに形成するこ
とである。
Therefore, according to the thickness ratio of the clad material of copper and Invar, and the material hardness of the lead frame 3, the concave portion 1 is formed.
3 is formed on either the lead frame 3 or the base 2.

【0098】図28は図27のF−F断面、図29は凹
部13を形成する方法で、第一の実施例と同様である。
FIG. 28 is a sectional view taken along the line FF in FIG. 27, and FIG. 29 is a method for forming the recess 13, which is the same as that in the first embodiment.

【0099】[0099]

【発明の効果】本発明によれば、電子回路基板やそのリ
ードフレーム(ベース)までをもモールド樹脂によりパ
ッケージ化し、熱応力によるモールド樹脂と回路基板及
びベースとの剥離や樹脂クラックのより少ない自動車用
電子回路装置を提供することができる。
According to the present invention, an electronic circuit board and its lead frame (base) are also packaged with a mold resin, and peeling between the mold resin and the circuit board or base due to thermal stress and resin cracks are less likely to occur in an automobile. An electronic circuit device for use can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】自動車用電子回路装置の一部を断面して示す、
第一実施例の平面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a part of an electronic circuit device for an automobile,
The top view of 1st Example.

【図2】図1の一部縦断面側面図。FIG. 2 is a partial vertical cross-sectional side view of FIG.

【図3】図1の一部横断面側面図。FIG. 3 is a partial cross-sectional side view of FIG.

【図4】第一実施例の要部断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part of the first embodiment.

【図5】リードフレームとベースとを一体化した形状を
示す第一実施例の平面図。
FIG. 5 is a plan view of the first embodiment showing a shape in which a lead frame and a base are integrated.

【図6】図5の結合部を示す詳細図。FIG. 6 is a detailed view showing the coupling portion of FIG.

【図7】図6のA−A断面図。7 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図8】結合のための凹所を形成する方法を示す第一実
施例の断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view of the first embodiment illustrating a method of forming a recess for joining.

【図9】リードフレームの形状を示す第一実施例の平面
図。
FIG. 9 is a plan view of the first embodiment showing the shape of the lead frame.

【図10】ベースの形状を示す第一実施例の平面図。FIG. 10 is a plan view of the first embodiment showing the shape of the base.

【図11】ベースの接着部詳細を示す第一実施例の平面
図。
FIG. 11 is a plan view of the first embodiment showing details of the adhesive portion of the base.

【図12】図11のB−B断面図。12 is a sectional view taken along line BB of FIG.

【図13】回路基板を接着する治具と、接着作業の第一
実施例を示す平面図。
FIG. 13 is a plan view showing a jig for bonding a circuit board and a first embodiment of the bonding work.

【図14】図13のC−C断面図。14 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG.

【図15】ワイヤボンディング作業の治具と、作業状態
を示す第一実施例の平面図。
FIG. 15 is a plan view of a jig for wire bonding work and a first embodiment showing the work state.

【図16】図15のD−D断面図。16 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG.

【図17】コントロールユニットの具体的寸法を示す第
一実施例の平面図。
FIG. 17 is a plan view of the first embodiment showing specific dimensions of the control unit.

【図18】図17の一部断面側面図。18 is a partial cross-sectional side view of FIG.

【図19】ベースとリードフレームとの結合状態の具体
的寸法を示す第一実施例の図。
FIG. 19 is a diagram of a first embodiment showing specific dimensions of a coupled state of a base and a lead frame.

【図20】ベース小孔の具体的寸法を示す第一実施例の
詳細図。
FIG. 20 is a detailed view of the first embodiment showing specific dimensions of the base small holes.

【図21】ベース接着部の具体的寸法を示す第一実施例
の平面図。
FIG. 21 is a plan view of the first embodiment showing specific dimensions of the base adhesive portion.

【図22】図21のE−E断面図。22 is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG.

【図23】ベースとリードフレームとの結合形状を示す
第二実施例の平面図。
FIG. 23 is a plan view of the second embodiment showing the combined shape of the base and the lead frame.

【図24】基板を接着する状況を示す第二実施例の断面
図。
FIG. 24 is a cross-sectional view of the second embodiment showing a state of adhering substrates.

【図25】基板に電子回路素子を搭載した状態を示す第
二実施例の平面図。
FIG. 25 is a plan view of the second embodiment showing a state where electronic circuit elements are mounted on a substrate.

【図26】ワイヤボンディング作業の治具と、作業状態
を示す第二実施例の断面図。
FIG. 26 is a cross-sectional view of a jig for wire bonding work and a second embodiment showing the work state.

【図27】図23の結合部詳細を示す平面図。FIG. 27 is a plan view showing details of the connecting portion in FIG. 23.

【図28】図27のF−F断面図。28 is a cross-sectional view taken along the line FF of FIG.

【図29】結合のための凹所を形成する方法を示す第二
実施例の断面図。
FIG. 29 is a cross-sectional view of a second embodiment illustrating a method of forming a recess for joining.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…コントロールユニット(電子回路装置)、2…ベー
ス、2d…フランジ部、2e…ベースの係合部、3…リ
ードフレーム、3a…リード、3f…リードフレームの
係合部、4…封止樹脂、5…電子回路、6…回路素子、
7…回路基板、9…アルミ細線。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Control unit (electronic circuit device), 2 ... Base, 2d ... Flange part, 2e ... Base engaging part, 3 ... Lead frame, 3a ... Lead, 3f ... Lead frame engaging part, 4 ... Sealing resin 5, ... Electronic circuit, 6 ... Circuit element,
7 ... Circuit board, 9 ... Aluminum fine wire.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電子回路素子を載置した回路基板からなる
電子回路と、この電子回路を接着するベースと、このベ
ースの一部に設けられたフランジ部と、前記ベースとは
異なる材質のリードとを備え、前記電子回路と前記リー
ドとが電気的に接続され、このリード及び前記フランジ
の一部を除いて前記回路基板,前記リード,前記フラン
ジが一括してモールド樹脂に埋設された構造において、
前記ベースはインバーの両面に銅を積層した材質であ
り、かつ前記リードは銅または銅合金の材質で構成され
ていることを特徴とする、自動車用電子回路装置。
1. An electronic circuit comprising a circuit board on which electronic circuit elements are mounted, a base to which the electronic circuit is adhered, a flange portion provided on a part of the base, and a lead made of a material different from the base. And a structure in which the electronic circuit and the lead are electrically connected, and the circuit board, the lead, and the flange are collectively embedded in a mold resin except for a part of the lead and the flange. ,
An electronic circuit device for an automobile, wherein the base is made of a material in which copper is laminated on both sides of the invar, and the leads are made of a material of copper or a copper alloy.
【請求項2】前記ベースと前記リードとは、前記モール
ド樹脂に埋設される前に塑性結合で一体化され、埋設後
に両者が分離される請求項1記載の自動車用電子回路装
置。
2. The electronic circuit device for an automobile according to claim 1, wherein the base and the lead are integrated by plastic bonding before being embedded in the molding resin, and are separated after being embedded.
【請求項3】前記回路基板は、ガラスセラミックまたは
セラミックを主体とした材質である請求項1,2のいず
れか1項記載の自動車用電子回路装置。
3. The electronic circuit device for an automobile according to claim 1, wherein the circuit board is made of glass ceramic or a material mainly composed of ceramic.
【請求項4】前記回路基板は、多層の回路基板である請
求項1から3の、いずれか1項記載の自動車用電子回路
装置。
4. The automobile electronic circuit device according to claim 1, wherein the circuit board is a multilayer circuit board.
【請求項5】電子回路素子を載置した回路基板からなる
電子回路と、この電子回路を接着するベースと、このベ
ースの一部に設けられたフランジ部と、前記ベースとは
異なる材質のリードとを備え、前記電子回路と前記リー
ドとが電気的に接続され、このリード及び前記フランジ
の一部を除いて前記回路基板,前記リード,前記フラン
ジが一括してモールド樹脂に埋設される自動車用電子回
路装置において、前記ベースはインバーの両面に銅を積
層した材質であり、かつ前記リードは銅または銅合金の
材質で構成され、前記モールド樹脂に埋設される前に、
前記ベースと前記リードとが、塑性結合で一体化さてい
ることを特徴とするリードフレーム組立体。
5. An electronic circuit composed of a circuit board on which an electronic circuit element is mounted, a base to which the electronic circuit is bonded, a flange portion provided on a part of the base, and a lead made of a material different from the base. And an electronic circuit electrically connected to the lead, wherein the circuit board, the lead, and the flange are collectively embedded in a mold resin except for a part of the lead and the flange. In the electronic circuit device, the base is a material in which copper is laminated on both sides of the Invar, and the lead is made of a material of copper or a copper alloy, before being embedded in the mold resin,
A lead frame assembly, wherein the base and the lead are integrated by plastic bonding.
JP2002014961A 2002-01-24 2002-01-24 Electronic circuit device for automobile and lead frame assembly Expired - Fee Related JP3632663B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002014961A JP3632663B2 (en) 2002-01-24 2002-01-24 Electronic circuit device for automobile and lead frame assembly

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002014961A JP3632663B2 (en) 2002-01-24 2002-01-24 Electronic circuit device for automobile and lead frame assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003218314A true JP2003218314A (en) 2003-07-31
JP3632663B2 JP3632663B2 (en) 2005-03-23

Family

ID=27651495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002014961A Expired - Fee Related JP3632663B2 (en) 2002-01-24 2002-01-24 Electronic circuit device for automobile and lead frame assembly

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3632663B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP3632663B2 (en) 2005-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4283514B2 (en) Electronic circuit equipment
JP3793628B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
JP2916915B2 (en) Method of manufacturing ball grid array semiconductor package
KR101193212B1 (en) Wiring board having built-in semiconductor chip and method for manufacturing the same
KR20030055130A (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR20010066939A (en) Semiconductor device and method of producing the same
JPWO2007116544A1 (en) Composite substrate and method for manufacturing composite substrate
JP3664045B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP4244235B2 (en) Electronic circuit equipment
JP5262983B2 (en) Mold package and manufacturing method thereof
US6617200B2 (en) System and method for fabricating a semiconductor device
JP2002368159A (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
KR100192871B1 (en) Semiconductor device having a leadframe and metal substrate
JP3553513B2 (en) Automotive electronic circuit devices
JP3550100B2 (en) Automotive electronic circuit device and package manufacturing method thereof
JP3632663B2 (en) Electronic circuit device for automobile and lead frame assembly
JP2018032881A (en) Wire bonding method, and semiconductor device
JP2003068970A (en) Electronic circuit device for vehicle
JP2001352185A (en) Electronic circuit device for car
JP3382516B2 (en) Semiconductor package
JP5017228B2 (en) Semiconductor device
JP4357492B2 (en) Semiconductor device
JP4357493B2 (en) Semiconductor device
JPH06163737A (en) Semiconductor device and its production
JPH0714966A (en) Multi-terminal composite lead frame and manufacture thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040914

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041104

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041213

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 3632663

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080107

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100107

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120107

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees