JP2003218165A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 たとえばＴＣＰの製造に用いる絶縁テープの
引き出しおよび巻き取りを行うローダユニットおよびア
ンローダユニットの設置領域を縮小する。 【解決手段】 ユニット２内に絶縁テープ１を供給する
ためのリール４およびボンディング工程を経た絶縁テー
プを巻き取るためのリール５を配置し、リール４より引
き出された絶縁テープ１をユニット３内の組立作業位置
８へと搬送しボンディング工程を行った後、絶縁テープ
１をフィーダ９、１０を介してユニット２へと折り返し
て、リール５によって巻き取ることにより、ユニット２
に絶縁テープ１のローダ機能およびアンローダ機能を付
与する。
引き出しおよび巻き取りを行うローダユニットおよびア
ンローダユニットの設置領域を縮小する。 【解決手段】 ユニット２内に絶縁テープ１を供給する
ためのリール４およびボンディング工程を経た絶縁テー
プを巻き取るためのリール５を配置し、リール４より引
き出された絶縁テープ１をユニット３内の組立作業位置
８へと搬送しボンディング工程を行った後、絶縁テープ
１をフィーダ９、１０を介してユニット２へと折り返し
て、リール５によって巻き取ることにより、ユニット２
に絶縁テープ１のローダ機能およびアンローダ機能を付
与する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、テープキャリアパッケージ（Tape C
arrier Package；以降、ＴＣＰという）の製造方法に適
用して有効な技術に関するものである。
方法に関し、特に、テープキャリアパッケージ（Tape C
arrier Package；以降、ＴＣＰという）の製造方法に適
用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣカードなどの薄型半導体装置に搭載
するＬＳＩパッケージとして、ＴＣＰ、ＴＳＯＰ（Thin
Small Outline Package）およびＴＳＯＪ（Thin Small
Outline J-lead package）などが知られている。中で
も、ポリイミド樹脂などの絶縁材料で構成された薄いテ
ープに半導体チップを実装したＴＣＰは、半導体チップ
を封止する樹脂の厚さを薄くできるので、超薄型のＬＳ
Ｉパッケージを実現することができる。
するＬＳＩパッケージとして、ＴＣＰ、ＴＳＯＰ（Thin
Small Outline Package）およびＴＳＯＪ（Thin Small
Outline J-lead package）などが知られている。中で
も、ポリイミド樹脂などの絶縁材料で構成された薄いテ
ープに半導体チップを実装したＴＣＰは、半導体チップ
を封止する樹脂の厚さを薄くできるので、超薄型のＬＳ
Ｉパッケージを実現することができる。
【０００３】ＴＣＰを製造するには、片面にリードを形
成した絶縁テープのデバイスホール内に半導体チップを
配置し、あらかじめ半導体チップの主面（素子形成面）
に形成しておいたバンプ電極にリードの一端部（インナ
ーリード）をボンディングしてリードと半導体チップと
を電気的に接続する。次に、半導体チップの主面上に塗
布したポッティング樹脂を硬化させて半導体チップを切
断および除去し、リードの他端部（アウターリード部）
を基板へ実装できるように変形する。
成した絶縁テープのデバイスホール内に半導体チップを
配置し、あらかじめ半導体チップの主面（素子形成面）
に形成しておいたバンプ電極にリードの一端部（インナ
ーリード）をボンディングしてリードと半導体チップと
を電気的に接続する。次に、半導体チップの主面上に塗
布したポッティング樹脂を硬化させて半導体チップを切
断および除去し、リードの他端部（アウターリード部）
を基板へ実装できるように変形する。
【０００４】なお、ＴＣＰの製造方法については、たと
えば特開平１０−２１４８５７号公報などに記載があ
る。
えば特開平１０−２１４８５７号公報などに記載があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＴＣＰの製造方法においては以下のような課題が存在す
ることを本発明者は見出した。
ＴＣＰの製造方法においては以下のような課題が存在す
ることを本発明者は見出した。
【０００６】たとえば、バンプ電極にインナーリードを
ボンディングする工程においては、上記絶縁テープが巻
き取られたリールをローダユニットに配置した後、絶縁
テープを所定の作業位置まで引き出す。続いて、絶縁テ
ープのデバイスホール内に半導体チップを配置した後、
バンプ電極にインナーリードをボンディングする。その
後、その半導体チップを含む絶縁テープをアンローダユ
ニットに配置された空のリールに巻き取る。このよう
に、ローダユニットおよびアンローダユニットを設けて
絶縁テープの引き出しおよび巻き取りを行う場合、ロー
ダユニットおよびアンローダユニットの設置領域が広く
なってしまうことから、その設置領域の利用効率が低下
してしまう課題がある。
ボンディングする工程においては、上記絶縁テープが巻
き取られたリールをローダユニットに配置した後、絶縁
テープを所定の作業位置まで引き出す。続いて、絶縁テ
ープのデバイスホール内に半導体チップを配置した後、
バンプ電極にインナーリードをボンディングする。その
後、その半導体チップを含む絶縁テープをアンローダユ
ニットに配置された空のリールに巻き取る。このよう
に、ローダユニットおよびアンローダユニットを設けて
絶縁テープの引き出しおよび巻き取りを行う場合、ロー
ダユニットおよびアンローダユニットの設置領域が広く
なってしまうことから、その設置領域の利用効率が低下
してしまう課題がある。
【０００７】また、ローダユニットおよびアンローダユ
ニットの機能は、絶縁テープの引き出しおよび巻き取り
が主であるが、その機能を考慮した場合の原価が高くな
っている。そのため、ＴＣＰの製造コストが高くなって
しまう課題がある。
ニットの機能は、絶縁テープの引き出しおよび巻き取り
が主であるが、その機能を考慮した場合の原価が高くな
っている。そのため、ＴＣＰの製造コストが高くなって
しまう課題がある。
【０００８】本発明の目的は、たとえばＴＣＰの製造に
用いる絶縁テープの引き出しおよび巻き取りを行うロー
ダユニットおよびアンローダユニットの設置領域を縮小
する技術を提供することにある。
用いる絶縁テープの引き出しおよび巻き取りを行うロー
ダユニットおよびアンローダユニットの設置領域を縮小
する技術を提供することにある。
【０００９】また、本発明の他の目的は、ＴＣＰの製造
コストを低減できる技術を提供することにある。
コストを低減できる技術を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明は、第１テープの供給お
よび取り込みを行う第１ユニットおよび半導体装置の組
立工程を行う第２ユニットを有する半導体製造装置を用
い、前記第１ユニットに前記第１テープを巻き取った第
１リールおよび空の第２リールを配置する工程と、前記
第１ユニットから前記第１テープを引き出し、前記第２
ユニット内へ搬送する工程と、前記第２ユニット内にて
前記第１テープに半導体チップを取り付けた後において
前記第１テープを前記第１ユニットへ搬送し前記第２リ
ールに巻き取る工程とを含むものである。
よび取り込みを行う第１ユニットおよび半導体装置の組
立工程を行う第２ユニットを有する半導体製造装置を用
い、前記第１ユニットに前記第１テープを巻き取った第
１リールおよび空の第２リールを配置する工程と、前記
第１ユニットから前記第１テープを引き出し、前記第２
ユニット内へ搬送する工程と、前記第２ユニット内にて
前記第１テープに半導体チップを取り付けた後において
前記第１テープを前記第１ユニットへ搬送し前記第２リ
ールに巻き取る工程とを含むものである。
【００１３】また、本発明は、第１テープの供給および
取り込みを行う第１ユニットおよび半導体装置の組立工
程を行う第２ユニットを有する半導体製造装置を用い、
前記第１ユニットに前記第１テープおよび第２テープを
一体に巻き取った第１リールおよび空の第２リールを配
置する工程と、前記第１ユニットから前記第１テープお
よび前記第２テープを引き出し、前記第１テープを前記
第２ユニット内へ搬送する工程と、前記第２ユニット内
にて前記第１テープに半導体チップを取り付けた後にお
いて前記第１テープを前記第１ユニットへ搬送し、前記
第１テープおよび前記第２テープを一体に前記第２リー
ルに巻き取る工程とを含むものである。
取り込みを行う第１ユニットおよび半導体装置の組立工
程を行う第２ユニットを有する半導体製造装置を用い、
前記第１ユニットに前記第１テープおよび第２テープを
一体に巻き取った第１リールおよび空の第２リールを配
置する工程と、前記第１ユニットから前記第１テープお
よび前記第２テープを引き出し、前記第１テープを前記
第２ユニット内へ搬送する工程と、前記第２ユニット内
にて前記第１テープに半導体チップを取り付けた後にお
いて前記第１テープを前記第１ユニットへ搬送し、前記
第１テープおよび前記第２テープを一体に前記第２リー
ルに巻き取る工程とを含むものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】（実施の形態１）本実施の形態１の半導体
装置は、たとえばＴＣＰである。
装置は、たとえばＴＣＰである。
【００１６】図１は、本実施の形態１において用いる半
導体製造装置の概略を示す説明図である。本実施の形態
１の半導体製造装置は、絶縁テープ（第１テープ）１の
ローダ機能およびアンローダ機能を有するユニット（第
１ユニット）２と、たとえば引き出された絶縁テープ１
が有するインナーリードを半導体チップが有するバンプ
電極へボンディングする工程が行われるユニット（第２
ユニット）３とからなる。ユニット２内には、上記絶縁
テープ１を供給するためのリール（第１リール）４およ
び上記ボンディング工程を経た絶縁テープを巻き取るた
めのリール（第２リール）５が配置されている。
導体製造装置の概略を示す説明図である。本実施の形態
１の半導体製造装置は、絶縁テープ（第１テープ）１の
ローダ機能およびアンローダ機能を有するユニット（第
１ユニット）２と、たとえば引き出された絶縁テープ１
が有するインナーリードを半導体チップが有するバンプ
電極へボンディングする工程が行われるユニット（第２
ユニット）３とからなる。ユニット２内には、上記絶縁
テープ１を供給するためのリール（第１リール）４およ
び上記ボンディング工程を経た絶縁テープを巻き取るた
めのリール（第２リール）５が配置されている。
【００１７】リール４には、巻き取られている絶縁テー
プ１を保護する保護テープ（第２テープ）６も巻き取ら
れている。この保護テープ６は、リール４に絶縁テープ
１と一体に巻き取られることによって、絶縁テープ１を
保護する。また、保護テープ６は、絶縁テープ１がリー
ル４より引き出される際にリール５が配置されている方
向へ搬送され、上記ボンディング工程が完了した絶縁テ
ープ１と一体にリール５に巻き取られる。すなわち、リ
ール５に巻き取られた保護テープ６により、リール５に
巻き取られた絶縁テープ１を保護することができる。こ
れにより、リール４にて絶縁テープ１を保護していた保
護テープ６を、リール５に巻き取られた絶縁テープ１を
保護するために再利用することが可能となる。一方、リ
ール５に巻き取られた絶縁テープ１を保護するための保
護テープを新たに用意する場合には、リール４にて絶縁
テープ１を保護していた保護テープ６を巻き取るための
リールおよびリール５に巻き取る絶縁テープ１を保護す
るための新たな保護テープを巻き取ってあるリールを半
導体製造装置内に配置することが必要となる。これら２
個のリールを配置することにより、半導体製造装置は大
型化してしまう不具合が生じるが、上記のように保護テ
ープ６を再利用することにより、半導体製造装置の大型
化を回避することができる。すなわち、本実施の形態１
の半導体製造装置の設置スペースを縮小することが可能
となる。
プ１を保護する保護テープ（第２テープ）６も巻き取ら
れている。この保護テープ６は、リール４に絶縁テープ
１と一体に巻き取られることによって、絶縁テープ１を
保護する。また、保護テープ６は、絶縁テープ１がリー
ル４より引き出される際にリール５が配置されている方
向へ搬送され、上記ボンディング工程が完了した絶縁テ
ープ１と一体にリール５に巻き取られる。すなわち、リ
ール５に巻き取られた保護テープ６により、リール５に
巻き取られた絶縁テープ１を保護することができる。こ
れにより、リール４にて絶縁テープ１を保護していた保
護テープ６を、リール５に巻き取られた絶縁テープ１を
保護するために再利用することが可能となる。一方、リ
ール５に巻き取られた絶縁テープ１を保護するための保
護テープを新たに用意する場合には、リール４にて絶縁
テープ１を保護していた保護テープ６を巻き取るための
リールおよびリール５に巻き取る絶縁テープ１を保護す
るための新たな保護テープを巻き取ってあるリールを半
導体製造装置内に配置することが必要となる。これら２
個のリールを配置することにより、半導体製造装置は大
型化してしまう不具合が生じるが、上記のように保護テ
ープ６を再利用することにより、半導体製造装置の大型
化を回避することができる。すなわち、本実施の形態１
の半導体製造装置の設置スペースを縮小することが可能
となる。
【００１８】リール４より引き出された絶縁テープ１
は、フィーダ７によって搬送高さを一定にされてユニッ
ト３内に設置された組立作業位置８へと搬送される。そ
の組立作業位置８にて上記ボンディング工程が行われた
後、ユニット３内におけるユニット２側と対向する端部
に配置されたフィーダ（第１機構）９、１０を介して折
り返す。このように、ユニット３内におけるユニット２
側と対向する端部まで絶縁テープ１を搬送するシステム
とすることにより、たとえば上記ボンディング工程に用
いる機構を配置するスペースを広く確保することが可能
となる。フィーダ９、１０を介して折り返した絶縁テー
プ１は、フィーダ１１によってリール５への進入高さを
一定にされた後にリール５に巻き取られる。このよう
に、本実施の形態１においては、ユニット２に絶縁テー
プ１のローダユニットとしての機能およびアンローダユ
ニットとしての機能を持たせることによって、ローダユ
ニットおよびアンローダユニットの両方を設置する場合
に比べて上記半導体製造装置の設置スペースを縮小する
ことができる。また、ユニット２にローダユニットとし
ての機能およびアンローダユニットとしての機能を持た
せることによって、本実施の形態１の半導体製造装置の
原価を低減することができる。それにより、本実施の形
態１のＴＣＰの製造コストを低減することが可能とな
る。
は、フィーダ７によって搬送高さを一定にされてユニッ
ト３内に設置された組立作業位置８へと搬送される。そ
の組立作業位置８にて上記ボンディング工程が行われた
後、ユニット３内におけるユニット２側と対向する端部
に配置されたフィーダ（第１機構）９、１０を介して折
り返す。このように、ユニット３内におけるユニット２
側と対向する端部まで絶縁テープ１を搬送するシステム
とすることにより、たとえば上記ボンディング工程に用
いる機構を配置するスペースを広く確保することが可能
となる。フィーダ９、１０を介して折り返した絶縁テー
プ１は、フィーダ１１によってリール５への進入高さを
一定にされた後にリール５に巻き取られる。このよう
に、本実施の形態１においては、ユニット２に絶縁テー
プ１のローダユニットとしての機能およびアンローダユ
ニットとしての機能を持たせることによって、ローダユ
ニットおよびアンローダユニットの両方を設置する場合
に比べて上記半導体製造装置の設置スペースを縮小する
ことができる。また、ユニット２にローダユニットとし
ての機能およびアンローダユニットとしての機能を持た
せることによって、本実施の形態１の半導体製造装置の
原価を低減することができる。それにより、本実施の形
態１のＴＣＰの製造コストを低減することが可能とな
る。
【００１９】また、図１に示すように、たとえばユニッ
ト２内において、フィーダ１０の下部にローラー（第２
機構）１２を配置し、さらにローラー１２の上部にフィ
ーダ（第３機構）１３を配置し、絶縁テープ１をローラ
ー１２およびフィーダ１３を経由して搬送することによ
り、フィーダ１０とフィーダ１１との間で搬送される絶
縁テープ１に弛みを持たせるバッファ構造としてもよ
い。この時、フィーダ１０を通過した絶縁テープ１は、
フィーダ１０で折り返さずにローラー１２まで搬送さ
れ、フィーダ１１と同じ高さに設置されたフィーダ１３
を経由してフィーダ１１へ搬送される。このようなバッ
ファ構造を形成し絶縁テープ１に弛みを持たせることに
よって、リール５に巻き取る絶縁テープ１および保護テ
ープ６の終端部を揃えることが可能となる。
ト２内において、フィーダ１０の下部にローラー（第２
機構）１２を配置し、さらにローラー１２の上部にフィ
ーダ（第３機構）１３を配置し、絶縁テープ１をローラ
ー１２およびフィーダ１３を経由して搬送することによ
り、フィーダ１０とフィーダ１１との間で搬送される絶
縁テープ１に弛みを持たせるバッファ構造としてもよ
い。この時、フィーダ１０を通過した絶縁テープ１は、
フィーダ１０で折り返さずにローラー１２まで搬送さ
れ、フィーダ１１と同じ高さに設置されたフィーダ１３
を経由してフィーダ１１へ搬送される。このようなバッ
ファ構造を形成し絶縁テープ１に弛みを持たせることに
よって、リール５に巻き取る絶縁テープ１および保護テ
ープ６の終端部を揃えることが可能となる。
【００２０】図２は、図１に示した半導体製造装置にお
ける組立作業位置８の詳細を示した説明図である。リー
ル４（図１参照）より引き出された絶縁テープ１（図１
参照）は、ガイドレール１５に沿って搬送される。ウェ
ハカセット１６には、ダイシングにより個々の半導体チ
ップへと分割された半導体ウェハが収納されており、こ
のウェハカセット１６は、上記ボンディング工程時には
セット位置１７へと移される。ウェハカセット１６から
取り出された半導体ウェハをホルダ部１８にて保持した
後、突き上げユニット１９を用いて半導体チップを突き
上げ、ユニット２０にて突き上げられた半導体チップを
ピックアップする。続いて、ユニット２０によってピッ
クアップされた半導体チップは、マウントステージ２１
へ配置された後、半導体チップに形成されたバンプ電極
は絶縁テープ１に形成されたインナーリードへマウント
ヘッド部２２によってボンディングされる。このような
ボンディング工程の後、絶縁テープ１をリール５に巻き
取り、本実施の形態１の半導体装置を製造する。
ける組立作業位置８の詳細を示した説明図である。リー
ル４（図１参照）より引き出された絶縁テープ１（図１
参照）は、ガイドレール１５に沿って搬送される。ウェ
ハカセット１６には、ダイシングにより個々の半導体チ
ップへと分割された半導体ウェハが収納されており、こ
のウェハカセット１６は、上記ボンディング工程時には
セット位置１７へと移される。ウェハカセット１６から
取り出された半導体ウェハをホルダ部１８にて保持した
後、突き上げユニット１９を用いて半導体チップを突き
上げ、ユニット２０にて突き上げられた半導体チップを
ピックアップする。続いて、ユニット２０によってピッ
クアップされた半導体チップは、マウントステージ２１
へ配置された後、半導体チップに形成されたバンプ電極
は絶縁テープ１に形成されたインナーリードへマウント
ヘッド部２２によってボンディングされる。このような
ボンディング工程の後、絶縁テープ１をリール５に巻き
取り、本実施の形態１の半導体装置を製造する。
【００２１】（実施の形態２）図３は、本実施の形態２
の半導体製造装置の概略を示す説明図である。本実施の
形態２の半導体製造装置は、前記実施の形態１の半導体
製造装置（図１参照）と同様に、絶縁テープ１のローダ
機能およびアンローダ機能を有するユニット２と、引き
出された絶縁テープ１が有するインナーリードを半導体
チップが有するバンプ電極へボンディングする工程が行
われるユニット３とからなる。
の半導体製造装置の概略を示す説明図である。本実施の
形態２の半導体製造装置は、前記実施の形態１の半導体
製造装置（図１参照）と同様に、絶縁テープ１のローダ
機能およびアンローダ機能を有するユニット２と、引き
出された絶縁テープ１が有するインナーリードを半導体
チップが有するバンプ電極へボンディングする工程が行
われるユニット３とからなる。
【００２２】本実施の形態２は、絶縁テープ１をリール
４より引き出し、組立作業位置８にてボンディング工程
を行うまでは前記実施の形態１と同様である。その後、
絶縁テープ１は、ユニット３内におけるユニット２側と
対向する端部に配置されたフィーダ１３Ａおよびローラ
ー１２Ａを経由してユニット３内の上部へと搬送され
る。なお、ローラー１２Ａおよびフィーダ１３Ａは、前
記実施の形態１において示したローラー１２（図１参
照）およびフィーダ１３（図１参照）と同様の機能を有
し、絶縁テープ１に弛みを持たせるバッファ構造を形成
することができる。また、前記実施の形態１におけるロ
ーラー１２およびフィーダ１３と同様に、ローラー１２
Ａおよびフィーダ１３Ａを配置しない構成としてもよ
い。その場合には、ユニット３内におけるユニット２側
と対向する端部にフィーダを配置して、そのフィーダを
経由して絶縁テープ１をユニット３内の上部へ搬送する
構成となる。
４より引き出し、組立作業位置８にてボンディング工程
を行うまでは前記実施の形態１と同様である。その後、
絶縁テープ１は、ユニット３内におけるユニット２側と
対向する端部に配置されたフィーダ１３Ａおよびローラ
ー１２Ａを経由してユニット３内の上部へと搬送され
る。なお、ローラー１２Ａおよびフィーダ１３Ａは、前
記実施の形態１において示したローラー１２（図１参
照）およびフィーダ１３（図１参照）と同様の機能を有
し、絶縁テープ１に弛みを持たせるバッファ構造を形成
することができる。また、前記実施の形態１におけるロ
ーラー１２およびフィーダ１３と同様に、ローラー１２
Ａおよびフィーダ１３Ａを配置しない構成としてもよ
い。その場合には、ユニット３内におけるユニット２側
と対向する端部にフィーダを配置して、そのフィーダを
経由して絶縁テープ１をユニット３内の上部へ搬送する
構成となる。
【００２３】ユニット３の上部へ搬送された絶縁テープ
１は、ユニット３内におけるユニット２側と対向する上
端部に配置されたフィーダ２５およびユニット２内にお
けるユニット３側と対向する上端部に配置されたフィー
ダ２６を経由することによってユニット２、３内の上部
を搬送された後、リール５に巻き取られる。このように
絶縁テープ１の搬送経路を設定することにより、たとえ
ば組立作業位置８に配置するボンディング装置の設置ス
ペースを広げることが可能となる。すなわち、そのボン
ディング装置を余裕をもって配置することが可能とな
る。
１は、ユニット３内におけるユニット２側と対向する上
端部に配置されたフィーダ２５およびユニット２内にお
けるユニット３側と対向する上端部に配置されたフィー
ダ２６を経由することによってユニット２、３内の上部
を搬送された後、リール５に巻き取られる。このように
絶縁テープ１の搬送経路を設定することにより、たとえ
ば組立作業位置８に配置するボンディング装置の設置ス
ペースを広げることが可能となる。すなわち、そのボン
ディング装置を余裕をもって配置することが可能とな
る。
【００２４】また、前記実施の形態１の場合と同様に、
本実施の形態２においてもリール４にて絶縁テープ１を
保護していた保護テープ６を、リール５に巻き取られた
絶縁テープ１を保護するために再利用することが可能で
ある。
本実施の形態２においてもリール４にて絶縁テープ１を
保護していた保護テープ６を、リール５に巻き取られた
絶縁テープ１を保護するために再利用することが可能で
ある。
【００２５】上記のような本実施の形態２においても、
前記実施の形態１と同様の効果を得ることが可能とな
る。
前記実施の形態１と同様の効果を得ることが可能とな
る。
【００２６】（実施の形態３）図４は、本実施の形態３
の半導体製造装置の概略を示す説明図である。
の半導体製造装置の概略を示す説明図である。
【００２７】本実施の形態３では、絶縁テープ１はリー
ル４より引き出された後、ユニット２内の上部へ搬送さ
れる。続いて、絶縁テープ１は、ユニット２内における
ユニット３側と対向する上端部に配置されたフィーダ２
７およびユニット３内におけるユニット２側と対向する
上端部に配置されたフィーダ２８を経由することによっ
てユニット２、３内の上部を搬送される。次いで、絶縁
テープ１は、フィーダ２９にて搬送方向が変えられ、組
立作業位置８へと搬送される。組立作業位置８にて前記
実施の形態１と同様のボンディング工程が行われた後、
絶縁テープ１は、フィーダ３０を経由してユニット２内
へ搬送され、リール５に巻き取られる。このような本実
施の形態３によれば、ボンディング工程後の絶縁テープ
１の搬送経路を前記実施の形態１および前記実施の形態
２の場合よりも短くすることができる。その結果、ボン
ディング工程後の絶縁テープ１の搬送中に、絶縁テープ
１が有するインナーリードにボンディングされた半導体
チップに欠損などの不具合が生じることを防ぐことがで
きる。
ル４より引き出された後、ユニット２内の上部へ搬送さ
れる。続いて、絶縁テープ１は、ユニット２内における
ユニット３側と対向する上端部に配置されたフィーダ２
７およびユニット３内におけるユニット２側と対向する
上端部に配置されたフィーダ２８を経由することによっ
てユニット２、３内の上部を搬送される。次いで、絶縁
テープ１は、フィーダ２９にて搬送方向が変えられ、組
立作業位置８へと搬送される。組立作業位置８にて前記
実施の形態１と同様のボンディング工程が行われた後、
絶縁テープ１は、フィーダ３０を経由してユニット２内
へ搬送され、リール５に巻き取られる。このような本実
施の形態３によれば、ボンディング工程後の絶縁テープ
１の搬送経路を前記実施の形態１および前記実施の形態
２の場合よりも短くすることができる。その結果、ボン
ディング工程後の絶縁テープ１の搬送中に、絶縁テープ
１が有するインナーリードにボンディングされた半導体
チップに欠損などの不具合が生じることを防ぐことがで
きる。
【００２８】また、前記実施の形態１および前記実施の
形態２の場合と同様に、本実施の形態３においてもリー
ル４にて絶縁テープ１を保護していた保護テープ６を、
リール５に巻き取られた絶縁テープ１を保護するために
再利用することが可能である。
形態２の場合と同様に、本実施の形態３においてもリー
ル４にて絶縁テープ１を保護していた保護テープ６を、
リール５に巻き取られた絶縁テープ１を保護するために
再利用することが可能である。
【００２９】上記のような本実施の形態３においても、
前記実施の形態１および前記実施の形態２と同様の効果
を得ることが可能となる。
前記実施の形態１および前記実施の形態２と同様の効果
を得ることが可能となる。
【００３０】（実施の形態４）図５は、本実施の形態４
の半導体製造装置の概略を示す説明図である。
の半導体製造装置の概略を示す説明図である。
【００３１】本実施の形態４では、絶縁テープ１はリー
ル４より引き出された後、ユニット２内の下部へ搬送さ
れる。続いて、絶縁テープ１は、ユニット２内の下端部
に配置されたローラー３１およびユニット３内における
ユニット２側と対向する下端部に配置されたフィーダ３
２を経由することによってユニット２、３内の下部を搬
送される。フィーダ３２を通過した絶縁テープ１は上方
に向かって搬送され、フィーダ３３にて搬送方向が変え
られ、組立作業位置８へと搬送される。組立作業位置８
にて前記実施の形態１と同様のボンディング工程が行わ
れた後、絶縁テープ１は、フィーダ３４を経由してユニ
ット２内へ搬送され、リール５に巻き取られる。このよ
うな本実施の形態４によれば、前記実施の形態３と同様
に、ボンディング工程後の絶縁テープ１の搬送経路を前
記実施の形態１および前記実施の形態２の場合よりも短
くすることができる。その結果、ボンディング工程後の
絶縁テープ１の搬送中に、絶縁テープ１が有するインナ
ーリードにボンディングされた半導体チップに欠損など
の不具合が生じることを防ぐことができる。
ル４より引き出された後、ユニット２内の下部へ搬送さ
れる。続いて、絶縁テープ１は、ユニット２内の下端部
に配置されたローラー３１およびユニット３内における
ユニット２側と対向する下端部に配置されたフィーダ３
２を経由することによってユニット２、３内の下部を搬
送される。フィーダ３２を通過した絶縁テープ１は上方
に向かって搬送され、フィーダ３３にて搬送方向が変え
られ、組立作業位置８へと搬送される。組立作業位置８
にて前記実施の形態１と同様のボンディング工程が行わ
れた後、絶縁テープ１は、フィーダ３４を経由してユニ
ット２内へ搬送され、リール５に巻き取られる。このよ
うな本実施の形態４によれば、前記実施の形態３と同様
に、ボンディング工程後の絶縁テープ１の搬送経路を前
記実施の形態１および前記実施の形態２の場合よりも短
くすることができる。その結果、ボンディング工程後の
絶縁テープ１の搬送中に、絶縁テープ１が有するインナ
ーリードにボンディングされた半導体チップに欠損など
の不具合が生じることを防ぐことができる。
【００３２】また、前記実施の形態１、前記実施の形態
２および前記実施の形態３の場合と同様に、本実施の形
態４においてもリール４にて絶縁テープ１を保護してい
た保護テープ６を、リール５に巻き取られた絶縁テープ
１を保護するために再利用することが可能である。さら
に、本実施の形態２では、保護テープ６の搬送経路中に
おいて、ローラー３５の後段に上下動が可能なローラー
３６を配置し、搬送中の保護テープ６に弛みを持たせる
バッファ構造を形成している。このようなバッファ構造
を形成することにより、前記実施の形態１、前記実施の
形態２および前記実施の形態３の場合より安定して保護
テープ６を搬送することが可能となる。
２および前記実施の形態３の場合と同様に、本実施の形
態４においてもリール４にて絶縁テープ１を保護してい
た保護テープ６を、リール５に巻き取られた絶縁テープ
１を保護するために再利用することが可能である。さら
に、本実施の形態２では、保護テープ６の搬送経路中に
おいて、ローラー３５の後段に上下動が可能なローラー
３６を配置し、搬送中の保護テープ６に弛みを持たせる
バッファ構造を形成している。このようなバッファ構造
を形成することにより、前記実施の形態１、前記実施の
形態２および前記実施の形態３の場合より安定して保護
テープ６を搬送することが可能となる。
【００３３】上記のような本実施の形態４においても、
前記実施の形態１、前記実施の形態２および前記実施の
形態３と同様の効果を得ることが可能となる。
前記実施の形態１、前記実施の形態２および前記実施の
形態３と同様の効果を得ることが可能となる。
【００３４】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。
【００３５】前記実施の形態においては、本発明をＴＣ
Ｐの製造方法に適用する場合について例示したが、たと
えばＣＯＦ（Chip On Film）のようなＴＣＰ以外の半導
体装置の製造方法に適用してもよい。
Ｐの製造方法に適用する場合について例示したが、たと
えばＣＯＦ（Chip On Film）のようなＴＣＰ以外の半導
体装置の製造方法に適用してもよい。
【００３６】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。 （１）一つのユニット内に絶縁テープ供給用のリールと
絶縁テープ巻き取り用のリールとを配置することによ
り、そのユニットに絶縁テープのローダユニットとして
の機能およびアンローダユニットとしての機能を持たせ
ることができるので、ローダユニットおよびアンローダ
ユニットの両方を設置する場合に比べて半導体製造装置
の設置スペースを縮小することができる。 （２）一つのユニットに絶縁テープのローダユニットと
しての機能およびアンローダユニットとしての機能を持
たせることにより、半導体製造装置の原価を低減するこ
とができるので、半導体装置の製造コストを低減するこ
とができる。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。 （１）一つのユニット内に絶縁テープ供給用のリールと
絶縁テープ巻き取り用のリールとを配置することによ
り、そのユニットに絶縁テープのローダユニットとして
の機能およびアンローダユニットとしての機能を持たせ
ることができるので、ローダユニットおよびアンローダ
ユニットの両方を設置する場合に比べて半導体製造装置
の設置スペースを縮小することができる。 （２）一つのユニットに絶縁テープのローダユニットと
しての機能およびアンローダユニットとしての機能を持
たせることにより、半導体製造装置の原価を低減するこ
とができるので、半導体装置の製造コストを低減するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
に用いる半導体製造装置の概略を示す説明図である。
に用いる半導体製造装置の概略を示す説明図である。
【図２】図１に示した半導体製造装置の要部を示す説明
図である。
図である。
【図３】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製
造に用いる半導体製造装置の概略を示す説明図である。
造に用いる半導体製造装置の概略を示す説明図である。
【図４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製
造に用いる半導体製造装置の概略を示す説明図である。
造に用いる半導体製造装置の概略を示す説明図である。
【図５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製
造に用いる半導体製造装置の概略を示す説明図である。
造に用いる半導体製造装置の概略を示す説明図である。
１ 絶縁テープ（第１テープ）
２ ユニット（第１ユニット）
３ ユニット（第２ユニット）
４ リール（第１リール）
５ リール（第２リール）
６ 保護テープ（第２テープ）
７ フィーダ
８ 組立作業位置
９ フィーダ（第１機構）
１０ フィーダ（第１機構）
１１ フィーダ
１２ ローラー（第２機構）
１２Ａ ローラー
１３ フィーダ（第３機構）
１３Ａ フィーダ
１５ ガイドレール
１６ ウェハカセット
１７ セット位置
１８ ホルダ部
１９ 突き上げユニット
２０ ユニット
２１ マウントステージ
２２ マウントヘッド部
２５〜３０ フィーダ
３１ ローラー
３２〜３４ フィーダ
３５ ローラー
３６ ローラー
Claims (4)
- 【請求項１】 第１テープの供給および取り込みを行う
第１ユニットおよび半導体装置の組立工程を行う第２ユ
ニットを有する半導体製造装置を用いた半導体装置の製
造方法であって、（ａ）前記第１ユニットに前記第１テ
ープを巻き取った第１リールおよび空の第２リールを配
置する工程、（ｂ）前記第１ユニットから前記第１テー
プを引き出し、前記第２ユニット内へ搬送する工程、
（ｃ）前記第２ユニット内にて前記第１テープに半導体
チップを取り付ける工程、（ｄ）前記（ｃ）工程後、前
記第１テープを前記第１ユニットへ搬送し、前記第２リ
ールに巻き取る工程、を含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 第１テープの供給および取り込みを行う
第１ユニットおよび半導体装置の組立工程を行う第２ユ
ニットを有する半導体製造装置を用いた半導体装置の製
造方法であって、（ａ）前記第１ユニットに前記第１テ
ープおよび第２テープを一体に巻き取った第１リールお
よび空の第２リールを配置する工程、（ｂ）前記第１ユ
ニットから前記第１テープおよび前記第２テープを引き
出し、前記第１テープを前記第２ユニット内へ搬送する
工程、（ｃ）前記第２ユニット内にて前記第１テープに
半導体チップを取り付ける工程、（ｄ）前記（ｃ）工程
後、前記第１テープを前記第１ユニットへ搬送し、前記
第１テープおよび前記第２テープを一体に前記第２リー
ルに巻き取る工程、を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 第１テープの供給および取り込みを行う
第１ユニットおよび半導体装置の組立工程を行う第２ユ
ニットを有する半導体製造装置を用いた半導体装置の製
造方法であって、（ａ）前記第１ユニットに前記第１テ
ープを巻き取った第１リールおよび空の第２リールを配
置する工程、（ｂ）前記第１ユニットから前記第１テー
プを引き出し、前記第２ユニット内へ搬送する工程、
（ｃ）前記第２ユニット内にて前記第１テープに半導体
チップを取り付ける工程、（ｄ）前記（ｃ）工程後、前
記第１テープを前記第１ユニットへ搬送し、前記第２リ
ールに巻き取る工程、を含み、前記（ｄ）工程は、（ｄ
１）前記第１テープを前記第２ユニット内における前記
第１ユニット側と対向する端部まで搬送する工程、（ｄ
２）前記第１テープを前記第２ユニット内における前記
第１ユニット側と対向する端部に配置された第１機構を
介して折り返し、前記第１テープを前記第１ユニットへ
搬送する工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項４】 第１テープの供給および取り込みを行う
第１ユニットおよび半導体装置の組立工程を行う第２ユ
ニットを有する半導体製造装置を用いた半導体装置の製
造方法であって、（ａ）前記第１ユニットに前記第１テ
ープを巻き取った第１リールおよび空の第２リールを配
置する工程、（ｂ）前記第１ユニットから前記第１テー
プを引き出し、前記第２ユニット内へ搬送する工程、
（ｃ）前記第２ユニット内にて前記第１テープに半導体
チップを取り付ける工程、（ｄ）前記（ｃ）工程後、前
記第１テープを前記第１ユニットへ搬送し、前記第２リ
ールに巻き取る工程、を含み、前記（ｄ）工程は、（ｄ
１）前記第１テープを前記第２ユニット内における前記
第１ユニット側と対向する端部まで搬送する工程、（ｄ
２）前記第２ユニット内における前記第１ユニット側と
対向する端部に配置された第１機構を介して前記第１テ
ープの搬送方向を変え、前記第１テープを前記第１機構
の下部に配置された第２機構へ搬送する工程、（ｄ３）
前記第２機構を介して前記第１テープを折り返し、前記
第２機構の上部に配置された第３機構を介して前記第１
テープの搬送方向を前記第２リールへ向かう方向へ変え
る工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002015241A JP2003218165A (ja) | 2002-01-24 | 2002-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002015241A JP2003218165A (ja) | 2002-01-24 | 2002-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218165A true JP2003218165A (ja) | 2003-07-31 |
Family
ID=27651694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002015241A Pending JP2003218165A (ja) | 2002-01-24 | 2002-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003218165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8205766B2 (en) | 2009-05-20 | 2012-06-26 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
| US8430264B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-04-30 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
-
2002
- 2002-01-24 JP JP2002015241A patent/JP2003218165A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8205766B2 (en) | 2009-05-20 | 2012-06-26 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
| US8430264B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-04-30 | The Bergquist Company | Method for packaging thermal interface materials |
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Effective date: 20041104 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050915 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050920 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060131 |