JP2003217855A - Electroluminescence display, and manufacturing method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス表示装置に関するものであって、より詳しく
は、その生産性及び耐久性を向上させるための改良に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescence display device, and more particularly to an improvement for improving productivity and durability thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と略記する。）素子
を用いたＥＬ表示装置は、陰極線管や液晶表示装置に代
わる表示装置として注目されている。ＥＬ表示装置は、
使用する材料によって無機ＥＬ表示装置と有機ＥＬ表示
装置とに大別され、とりわけ、発光層に有機薄膜を用
い、低電圧での駆動が可能な有機ＥＬ表示装置の研究開
発が活発化している。単純マトリクス型の有機ＥＬ表示
装置は既に実用化されていて、薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と略記する。）を
用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置は実
用化段階に入りつつある。2. Description of the Related Art In recent years, electroluminescence (Elec
tro Luminescence: Hereinafter abbreviated as “EL”. The EL display device using the element has been attracting attention as a display device that replaces a cathode ray tube or a liquid crystal display device. EL display device,
The organic EL display device is roughly classified into an inorganic EL display device and an organic EL display device depending on the material used, and in particular, research and development of an organic EL display device which uses an organic thin film for a light emitting layer and can be driven at a low voltage has been activated. A simple matrix type organic EL display device has already been put into practical use, and a thin film transistor (Thin
Film Transistor: Hereinafter, abbreviated as "TFT". The active matrix type organic EL display device using (1) is entering the stage of practical application.
【０００３】従来のアクティブマトリクス型の有機ＥＬ
表示装置について、図１３〜１５を参照しながら説明す
る。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる透明絶縁
性基板４１上にはバッファ層４２が配されていて、さら
にその上に多結晶シリコン層６５が配されている。多結
晶シリコン層６５は、ソース領域６５ｂ、チャネル領域
６５ａ及びドレイン領域６５ｃを有している。バッファ
層４２上には、多結晶シリコン層６５を覆うようにゲー
ト絶縁膜４４が配されていて、ゲート絶縁膜４４上には
さらにゲート信号線（図示せず）と一体化されたゲート
電極４５が形成されている。Conventional active matrix type organic EL
The display device will be described with reference to FIGS. A buffer layer 42 is arranged on a transparent insulating substrate 41 made of quartz glass, non-alkali glass or the like, and a polycrystalline silicon layer 65 is further arranged thereon. The polycrystalline silicon layer 65 has a source region 65b, a channel region 65a and a drain region 65c. A gate insulating film 44 is arranged on the buffer layer 42 so as to cover the polycrystalline silicon layer 65, and a gate electrode 45 integrated with a gate signal line (not shown) is further formed on the gate insulating film 44. Are formed.
【０００４】ゲート絶縁膜４４上には、層間絶縁膜４６
が形成されている。ソース電極４８及びドレイン電極４
９は、層間絶縁膜４６に形成されたコンタクトホール４
７を通じて、それぞれソース領域６５ｂ及びドレイン領
域６５ｃに接続されている。An interlayer insulating film 46 is formed on the gate insulating film 44.
Are formed. Source electrode 48 and drain electrode 4
9 is a contact hole 4 formed in the interlayer insulating film 46.
7 are connected to the source region 65b and the drain region 65c, respectively.
【０００５】以上のようにして構成されるＴＦＴアレイ
基板６０上には、平坦化膜５０を隔てて、陽極としての
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる画素電極５２が
配されている。画素電極５２は、平坦化膜５０に形成さ
れたコンタクトホール５１を介してドレイン電極４９に
接続されている。A pixel electrode 52 made of indium tin oxide (ITO) as an anode is arranged on the TFT array substrate 60 constructed as described above with a planarizing film 50 therebetween. The pixel electrode 52 is connected to the drain electrode 49 via a contact hole 51 formed in the flattening film 50.
【０００６】画素電極５２を覆うように、発光層５４が
形成されている。発光層５４は、赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）または青色（Ｂ）の発光材料からなり、たとえば
画素ごとまたは複数個の画素にわたって配され、図１４
に示すように開口部５６ａを有するメタルマスク５６を
用いた蒸着によって、画素電極５２上に適宜、赤色、緑
色または青色の発光材料を蒸着して形成される。発光層
５４上には、画素間で連なった陰極５５が積層して形成
される。A light emitting layer 54 is formed so as to cover the pixel electrode 52. The light emitting layer 54 is made of a red (R), green (G) or blue (B) light emitting material, and is arranged, for example, in each pixel or over a plurality of pixels.
As shown in FIG. 5, a metal mask 56 having an opening 56a is used for vapor deposition to appropriately deposit a red, green or blue light emitting material on the pixel electrode 52. On the light emitting layer 54, a cathode 55 connected between pixels is laminated and formed.
【０００７】上記した従来のエレクトロルミネッセンス
表示装置は、以下のような問題点を有していた。図１５
に示すように、画素電極５２と陰極５５との絶縁性を確
保するために、それらの間には画素電極５２よりも外形
が大きい発光層５４が配されていた。そのため、図中Ａ
で示す画素電極５２の端部付近では、下地の段差によっ
てその上に形成される発光層５４の被着状態（段差被覆
性）が悪く、他所と比べて発光層５４の厚さが薄くなっ
てしまう。発光層５４の厚さが局所的に薄い部分には電
界が集中しやすく、発光層５４はその部分への電界集中
によって劣化が著しく速かった。したがって、表示装置
は充分な寿命が確保できなかった。また、発光層５４の
被着状態が更に悪くなると、発光層５４が切れて、画素
電極５２と陰極５５とが短絡してしまうこともある。す
なわち、発光すらできなくなることもあった。The above-mentioned conventional electroluminescence display device has the following problems. Figure 15
As shown in FIG. 5, in order to ensure the insulation between the pixel electrode 52 and the cathode 55, a light emitting layer 54 having a larger outer shape than the pixel electrode 52 was arranged between them. Therefore, A in the figure
In the vicinity of the end portion of the pixel electrode 52 indicated by, the adhesion state (step coverage) of the light emitting layer 54 formed thereon due to the step of the base is poor, and the thickness of the light emitting layer 54 becomes smaller than that in other places. I will end up. An electric field is likely to be concentrated in a locally thin portion of the light emitting layer 54, and the light emitting layer 54 is significantly deteriorated due to the electric field concentration in that portion. Therefore, the display device cannot secure a sufficient life. Further, if the adhered state of the light emitting layer 54 is further deteriorated, the light emitting layer 54 may be broken and the pixel electrode 52 and the cathode 55 may be short-circuited. That is, it may not even be possible to emit light.
【０００８】さらに、発光層は、たとえば図１４に示す
ようにメタルマスク５６を用いて発光材料を蒸着して形
成していた。このとき、隣の画素領域にまで発光材料が
付着するのを防ぎ、さらに形成する層の厚さの精度を確
保するために、画素電極５２とメタルマスク５６とは接
触ないしはできるだけ近接させる必要がある。Further, the light emitting layer is formed by depositing a light emitting material using a metal mask 56 as shown in FIG. At this time, in order to prevent the light emitting material from adhering to the adjacent pixel region and ensure the accuracy of the thickness of the layer to be formed, the pixel electrode 52 and the metal mask 56 need to be in contact with each other or as close to each other as possible. .
【０００９】しかし、基板の搬送、反応室への給排気、
成膜、エッチング等の過程で、装置内に混入又はそこで
発生したパーティクル（浮遊塵埃）が基板やメタルマス
クに付着すると、メタルマスクと基板とを接触させる際
に、パーティクルによって基板に傷がついてしまうこと
があった。However, substrate transfer, supply / exhaust to / from the reaction chamber,
If particles (floating dust) mixed in or generated in the apparatus adhere to the substrate or the metal mask in the process of film formation, etching, etc., when the metal mask and the substrate are brought into contact with each other, the particles will scratch the substrate. There was an occasion.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる点に鑑
み、エレクトロルミネッセンス表示装置の寿命を向上さ
せるとともに、そのようなエレクトロルミネッセンス表
示装置を歩留りよく製造することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, it is an object of the present invention to improve the life of an electroluminescent display device and to manufacture such an electroluminescent display device with high yield.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明では、少なくとも
表面が絶縁性を有する基板上に、第一電極、発光層及び
第二電極が積層して配されたエレクトロルミネッセンス
表示装置において、第一電極の周縁部を被覆し、その肉
厚が第一電極側の端部に向かって薄くなった絶縁部材を
配する。絶縁部材は、基板上の表面に第一電極を形成し
たのちに形成する。絶縁部材の形成ののち、それに積層
して発光層及び第二電極を形成する。According to the present invention, in an electroluminescence display device in which a first electrode, a light emitting layer and a second electrode are laminated on a substrate having at least a surface having an insulating property, the first electrode An insulating member is provided which covers the peripheral edge of the and whose thickness decreases toward the end on the first electrode side. The insulating member is formed after forming the first electrode on the surface of the substrate. After forming the insulating member, the light emitting layer and the second electrode are formed by laminating the insulating member.
【００１２】本発明は、絶縁部材を配することで両電極
間の絶縁性を確保するとともに、その厚さを第一電極に
重なり合った端部より徐々に大きくすることによって、
発光層を形成する下地層の起伏を滑らかにして、その上
に形成される発光層の厚さが局所的に薄くなることを避
けるためのものである。これにより、発光層の厚さの部
分的低下に起因した局所的な劣化の著しい進行や短絡の
発生を抑制することが可能になる。According to the present invention, an insulating member is provided to ensure insulation between both electrodes, and the thickness is gradually increased from the end portion overlapping the first electrode.
This is for smoothing the undulations of the base layer forming the light emitting layer and for avoiding local thinning of the thickness of the light emitting layer formed thereon. This makes it possible to suppress the progress of local deterioration and the occurrence of short circuits due to the partial reduction in the thickness of the light emitting layer.
【００１３】絶縁部材の厚さは、たとえば、その第一電
極と接する端部から直線的に大きくする。その第一電極
と接する端部を端辺とする面と電極面とのなす角の大き
さが小さいことが望ましく、好ましくは６０度以下、よ
り好ましくは３０度以下にする。絶縁部材の第一電極側
の端部を端辺とする傾斜面を曲面とすることもできる。
好ましくは、第一電極側の端部における曲面の接線と第
一電極の表面とのなす角の大きさを６０度以下、より好
ましくは３０度以下とする。The thickness of the insulating member is, for example, linearly increased from the end contacting the first electrode. It is desirable that the angle formed between the surface having the end portion in contact with the first electrode as an end side and the electrode surface is small, preferably 60 degrees or less, and more preferably 30 degrees or less. The inclined surface having the end portion on the first electrode side of the insulating member as the end side may be a curved surface.
Preferably, the angle between the tangent to the curved surface at the end on the first electrode side and the surface of the first electrode is 60 degrees or less, more preferably 30 degrees or less.
【００１４】有機材料からなる絶縁部材は、無機材料か
らなるそれと比べてより短時間で形成することができ
る。絶縁部材用の有機材料には、たとえばアクリル樹
脂、ポリイミド樹脂またはノボラック樹脂を主成分とす
るものが用いられる。有機材料からなる絶縁部材は、た
とえば第一電極を覆うように基板上に感光性樹脂材料を
塗布し、さらに感光性樹脂材料を選択的に露光及び現像
して、形成しようとする絶縁部材に対応したパターン、
すなわち第一電極の周縁部以外を露出させ第一電極の周
縁部を被覆したパターンの硬化物を形成したのち、これ
を熱処理することによってそれに第一電極側の端部に向
かって厚みが減少した傾斜面を形成する。ここで、感光
性樹脂を用いることで、熱処理によって容易に絶縁部材
に傾斜面を形成することができる。また、熱処理による
絶縁部材の処理は、ばらつきが小さいので、再現性に優
れる。The insulating member made of an organic material can be formed in a shorter time than that made of an inorganic material. As the organic material for the insulating member, for example, one containing acrylic resin, polyimide resin or novolac resin as a main component is used. The insulating member made of an organic material corresponds to the insulating member to be formed by, for example, applying a photosensitive resin material on the substrate so as to cover the first electrode, and then selectively exposing and developing the photosensitive resin material. Pattern,
That is, after forming a cured product of a pattern in which the periphery of the first electrode is exposed except for the periphery of the first electrode, the thickness is reduced toward the end on the side of the first electrode by heat-treating the cured product. Form an inclined surface. Here, by using the photosensitive resin, the inclined surface can be easily formed on the insulating member by heat treatment. Further, the treatment of the insulating member by the heat treatment has a small variation, and thus is excellent in reproducibility.
【００１５】無機材料からなる絶縁部材は、有機材料か
らなるそれと比べて膜の形成に長時間を要するものの、
絶縁性に優れるため薄くすることができる。すなわち、
発光層を形成しようとする下地層の起伏をより小さくす
ることができる。無機材料からなる絶縁部材は、たとえ
ば、第一電極を覆うように基板上に無機材料膜を形成し
たのち、これを選択的にエッチングすることによって形
成する。エッチングによる絶縁部材の加工は、ばらつき
が小さいので再現性に優れている。絶縁部材用の有機材
料には、たとえば酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化
ケイ素を主成分とするものが用いられる。酸化ケイ素を
主成分とするものは、たとえばスピンオングラスにより
形成される。Although an insulating member made of an inorganic material requires a longer time to form a film than that made of an organic material,
Since it has excellent insulation properties, it can be made thin. That is,
It is possible to further reduce the undulations of the underlayer on which the light emitting layer is to be formed. The insulating member made of an inorganic material is formed, for example, by forming an inorganic material film on the substrate so as to cover the first electrode and then selectively etching the film. The processing of the insulating member by etching is excellent in reproducibility because the variation is small. As the organic material for the insulating member, for example, one containing silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride as a main component is used. The material containing silicon oxide as a main component is formed, for example, by spin-on-glass.
【００１６】無機材料からなる膜と有機材料からなる膜
の多層構造を有する絶縁部材を用いると、無機材料から
なる絶縁部材と比べてその形成に要する時間を短縮する
ことができる。好ましくは、有機材料膜中に残存する水
が発光層に悪影響を与えることを避けるため、有機材料
膜上に無機膜を形成する。なお、耐熱温度が２５０℃程
度と低いアクリル樹脂を平坦化膜に用いると、窒化ケイ
素等、無機材料からなる絶縁部材は、２５０℃以下で形
成する必要がある。そこで、スピンオングラスによる平
坦化膜を用いれば、その焼き締め温度にもよるが、４５
０℃程度までの耐熱性が確保できるので、より窒化ケイ
素や酸化ケイ素の形成条件の自由度が増す。When an insulating member having a multilayer structure of a film made of an inorganic material and a film made of an organic material is used, the time required for forming the insulating member can be shortened as compared with an insulating member made of an inorganic material. Preferably, an inorganic film is formed on the organic material film in order to prevent water remaining in the organic material film from adversely affecting the light emitting layer. When an acrylic resin having a low heat resistance of about 250 ° C. is used for the flattening film, the insulating member made of an inorganic material such as silicon nitride needs to be formed at 250 ° C. or lower. Therefore, if a flattening film made of spin-on glass is used, it depends on the baking temperature, but
Since heat resistance up to about 0 ° C. can be secured, the degree of freedom in forming conditions for silicon nitride and silicon oxide is further increased.
【００１７】絶縁部材の一部、すなわち第一電極側端部
の近傍領域は発光層よりも上層に配されることから、発
光層の形成において、形成しようとする発光層に対応し
たパターンのマスクを用い、マスクと絶縁部材を密着さ
せて発光材料を蒸着すると、マスクが直接第一電極に触
れないため、第一電極の損傷を防ぐことができる。絶縁
部材にマスクを密着させることで、発光層の面積の精度
や膜厚精度を高めることができ、表示性能に優れたエレ
クトロルミネッセンス表示装置を得ることができる。Since a part of the insulating member, that is, the region near the end on the first electrode side is disposed above the light emitting layer, a mask having a pattern corresponding to the light emitting layer to be formed in forming the light emitting layer. When the light emitting material is vapor-deposited with the mask and the insulating member in close contact with each other, the mask does not directly contact the first electrode, and therefore damage to the first electrode can be prevented. By bringing the mask into close contact with the insulating member, the accuracy of the area and the film thickness of the light emitting layer can be increased, and an electroluminescent display device having excellent display performance can be obtained.
【００１８】また、発光層を形成した後、発光層の薄く
なった部分を被覆するように絶縁部材を形成してもよ
い。After forming the light emitting layer, an insulating member may be formed so as to cover the thinned portion of the light emitting layer.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、好ましい本発明の実施の形
態について、図面を用いて詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００２０】（実施の形態１）本実施の形態の有機ＥＬ
表示装置の構成を図１に示す。（ａ）及び（ｂ）に示す
ように、有機ＥＬ表示装置１６のＴＦＴアレイ基板１７
には、マトリクス状に配された画素電極１２の周縁部を
被覆して格子状の絶縁部材１３が配されている。ガラス
基板１の表面には、酸化ケイ素からなる厚さ１００〜６
００ｎｍ程度のバッファ層２を隔てて、薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）１０５の多結晶シリコン層３が形成されて
いる。多結晶シリコン層３は、チャネル領域３ａとその
両側にそれぞれ接続したソース領域３ｂ及びドレイン領
域３ｃを有する。バッファ層２上には、多結晶シリコン
層３を覆うように、酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜４
が形成されていて、その上層にはチャネル領域３ａに対
応する位置にゲート電極５が形成されている。さらにこ
れらを覆うようにたとえばＳｉＯ2からなる層間絶縁膜
６が形成されている。ソース領域３ｂ及びドレイン領域
３ｃは、それぞれ層間絶縁膜６を貫通したコンタクトホ
ール７を通じてソース電極８及びドレイン電極９に接続
されている。なお、図示しないが、電流制御用のＴＦＴ
１０５とともに、スイッチング素子として他のＴＦＴが
配されている。(Embodiment 1) Organic EL of this embodiment
The structure of the display device is shown in FIG. As shown in (a) and (b), the TFT array substrate 17 of the organic EL display device 16
A grid-shaped insulating member 13 is arranged to cover the periphery of the pixel electrodes 12 arranged in a matrix. The surface of the glass substrate 1 has a thickness of 100 to 6 made of silicon oxide.
A polycrystalline silicon layer 3 of a thin film transistor (TFT) 105 is formed across a buffer layer 2 having a thickness of about 00 nm. The polycrystalline silicon layer 3 has a channel region 3a and a source region 3b and a drain region 3c connected to both sides thereof. A gate insulating film 4 made of silicon oxide is formed on the buffer layer 2 so as to cover the polycrystalline silicon layer 3.
Is formed, and the gate electrode 5 is formed in a position corresponding to the channel region 3a in the upper layer. Further, an interlayer insulating film 6 made of, for example, SiO 2 is formed so as to cover these. The source region 3b and the drain region 3c are connected to the source electrode 8 and the drain electrode 9 through contact holes 7 that penetrate the interlayer insulating film 6, respectively. Although not shown, a current control TFT
Along with 105, another TFT is arranged as a switching element.
【００２１】以上の構成のＴＦＴアレイ基板１７の層間
絶縁膜６上には、厚さ１〜５μｍの平坦化膜１０を隔て
て有機ＥＬ素子１０６が形成されている。有機ＥＬ素子
１０６の陽極としての画素電極１２は、たとえば厚さ５
０〜２００ｎｍのインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からな
り、平坦化膜１０を貫通したコンタクトホール１１を通
じてドレイン電極７と接続されている。画素電極１２上
には、発光層１４と陰極１５が積層して形成されてい
る。発光層１４は、たとえばホール輸送層（Hole Trans
portation Layer：以下、「ＨＴＬ」と略記する。）、
発光層（Emission Layer：以下、「ＥＭＬ」と略記す
る。）、電子輸送層（Electron Transportation Laye
r：以下、「ＥＴＬ」と略記する。）を含む多層構造で
あって、各層は蒸着によって形成される。陰極１５は、
たとえば厚さ１００〜２００ｎｍのアルミニウム・リチ
ウム合金膜からなる。なお、発光層１４は水や酸素に非
常に弱いことから、それへの水や酸素の浸入を抑制する
ため、陰極１５上にメタルキャップやガラスキャップ
（ともに図示せず）を配しても良い。The organic EL element 106 is formed on the interlayer insulating film 6 of the TFT array substrate 17 having the above structure, with the flattening film 10 having a thickness of 1 to 5 μm interposed therebetween. The pixel electrode 12 as the anode of the organic EL element 106 has a thickness of 5
It is made of indium tin oxide (ITO) having a thickness of 0 to 200 nm and is connected to the drain electrode 7 through a contact hole 11 penetrating the flattening film 10. A light emitting layer 14 and a cathode 15 are laminated and formed on the pixel electrode 12. The light emitting layer 14 is, for example, a hole transport layer (Hole Trans
portation Layer: Hereinafter, abbreviated as "HTL". ),
Emission layer (hereinafter abbreviated as "EML"), electron transport layer (Electron Transportation Layer)
r: Hereinafter, abbreviated as "ETL". ) Is included, each layer is formed by vapor deposition. The cathode 15 is
For example, it is made of an aluminum-lithium alloy film having a thickness of 100 to 200 nm. Since the light emitting layer 14 is extremely weak against water and oxygen, a metal cap or a glass cap (both not shown) may be provided on the cathode 15 in order to suppress entry of water or oxygen into the light emitting layer 14. .
【００２２】陽極である画素電極１２から注入されたホ
ールと陰極１５から注入された電子とが発光層１４の内
部で再結合し、発光層１４を形成する有機分子を励起し
て励起子を発生させる。この励起子は、放射または熱失
活して基底状態へ戻るが、放射失活が即ち発光である。
そして、この放射された光が、透明な画素電極１２から
ガラス基板１を介して外部へ放出される原理によって、
画像が表示される。The holes injected from the pixel electrode 12 serving as an anode and the electrons injected from the cathode 15 are recombined inside the light emitting layer 14 to excite the organic molecules forming the light emitting layer 14 to generate excitons. Let The excitons are radiatively or thermally deactivated to return to the ground state, and the radiative deactivation is emission.
Then, according to the principle that the emitted light is emitted to the outside from the transparent pixel electrode 12 through the glass substrate 1,
The image is displayed.
【００２３】図１（ａ）に示すように、画素電極１２の
間隙部分には、その周縁部を被覆するようにアクリル樹
脂からなる絶縁部材１３が配されている。絶縁部材１３
は、図１の（ａ）及び（ｂ）に示すように、画素電極１
２側の端部１３ｂに向かってその厚さが減少している。
この絶縁部材１３の端面は曲面であって、その先端にお
ける接線と画素電極１２の表面とのなす角度はたとえ
ば、３０度である。As shown in FIG. 1A, an insulating member 13 made of acrylic resin is arranged in the gap portion of the pixel electrode 12 so as to cover the peripheral portion thereof. Insulation member 13
Is the pixel electrode 1 as shown in FIGS.
The thickness decreases toward the end 13b on the second side.
The end surface of the insulating member 13 is a curved surface, and the angle formed by the tangent line at the tip and the surface of the pixel electrode 12 is, for example, 30 degrees.
【００２４】装置の回路構成を図３に示す。ゲートバス
ライン１０１とソースバスライン１０２とに囲まれた領
域には、表示を行う単位画素１０８が形成されている。
ゲートバスライン１０１とソースバスライン１０２との
交点付近には、図２に示すように、スイッチング素子で
ある第１のＴＦＴ１０４が配されている。ＴＦＴ１０４
のドレイン電極は、蓄積容量１０７に接続されている。
ＴＦＴ１０４のドレイン電極は、電流制御素子である第
２のＴＦＴ１０５のゲート電極にも接続されている。Ｔ
ＦＴ１０５のドレイン電極は有機ＥＬ素子１０６の陽極
側に、ＴＦＴ１０５のソース電極は電流供給バスライン
１０３にそれぞれ接続されていて、電流供給バスライン
１０３からの電流は、ＴＦＴ１０５を介して有機ＥＬ素
子１０６に供給される。蓄積容量１０７は、次フレーム
に画像信号がプログラムされるまでの期間、ＴＦＴ１０
５のゲート電極に印加される電圧を保持する。The circuit configuration of the device is shown in FIG. A unit pixel 108 for displaying is formed in a region surrounded by the gate bus line 101 and the source bus line 102.
As shown in FIG. 2, a first TFT 104, which is a switching element, is arranged near the intersection of the gate bus line 101 and the source bus line 102. TFT 104
The drain electrode of is connected to the storage capacitor 107.
The drain electrode of the TFT 104 is also connected to the gate electrode of the second TFT 105 which is a current control element. T
The drain electrode of the FT 105 is connected to the anode side of the organic EL element 106, and the source electrode of the TFT 105 is connected to the current supply bus line 103. The current from the current supply bus line 103 is connected to the organic EL element 106 via the TFT 105. Supplied. The storage capacitor 107 is provided in the TFT 10 until the image signal is programmed in the next frame.
The voltage applied to the gate electrode of No. 5 is held.
【００２５】単位画素１０８の各々には、スイッチング
用のＴＦＴ１０４を介して画像信号がプログラムされ、
プログラムされた画像信号は蓄積容量１０７に保持され
て第２のＴＦＴ１０５のゲート電圧を制御する。第２の
ＴＦＴ１０５を介してＥＬ素子１０６に電流を流すこと
で画像が表示される。An image signal is programmed in each of the unit pixels 108 via the switching TFT 104,
The programmed image signal is held in the storage capacitor 107 and controls the gate voltage of the second TFT 105. An image is displayed by passing a current through the EL element 106 through the second TFT 105.
【００２６】次に、エレクトロルミネッセンス表示装置
の製造方法について、図５および図６を用いて説明す
る。Next, a method of manufacturing the electroluminescent display device will be described with reference to FIGS.
【００２７】（１）まず、図５（ａ）に示すように、ガ
ラス基板（たとえばコ−ニング社製＃１７３７ガラス）
１ガラス基板１の表面に、後工程で形成するシリコン膜
への不純物の拡散を防ぐため、酸化ケイ素からなる厚さ
が１００〜６００ｎｍのバッファ層２を形成する。(1) First, as shown in FIG. 5A, a glass substrate (for example, # 1737 glass manufactured by Corning Incorporated) is used.
(1) A buffer layer 2 made of silicon oxide and having a thickness of 100 to 600 nm is formed on the surface of the glass substrate 1 in order to prevent diffusion of impurities into a silicon film formed in a later step.
【００２８】（２）バッファ層２上に、シラン（ＳｉＨ
4）を原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、
厚さ３０〜１５０ｎｍの非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜
を形成し、さらに４００〜４５０℃の熱処理によってａ
−Ｓｉ膜中の水素を除去する。次いで、図５（ｂ）に示
すように、ＸｅＣｌエキシマレーザアニールにより、ａ
−Ｓｉ膜を局所的に加熱溶融して結晶化させ、さらにフ
ォトリソグラフィとエッチングによって、ＴＦＴ１０５
を構成する多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜３を形成す
る。(2) On the buffer layer 2, silane (SiH
By the plasma CVD method using 4 ) as a source gas,
An amorphous silicon (a-Si) film having a thickness of 30 to 150 nm is formed, and a heat treatment is performed at 400 to 450 ° C.
-Remove hydrogen in the Si film. Then, as shown in FIG. 5B, by a XeCl excimer laser annealing, a
The -Si film is locally heated and melted to be crystallized, and then the TFT 105 is formed by photolithography and etching.
To form a polycrystalline silicon (p-Si) film 3.
【００２９】（３）図５（ｃ）に示すように、プラズマ
ＣＶＤ法によって、ＴＥＯＳ（(C2H 5O)4Si）を原料ガス
として、バッファ層２上にゲート絶縁膜４として厚さ１
００ｎｍの酸化ケイ素膜を形成する。(3) As shown in FIG. 5C, plasma
TEOS ((C2H FiveO)FourSi) as the source gas
As a gate insulating film 4 having a thickness of 1
A 00 nm silicon oxide film is formed.
【００３０】（４）図５（ｄ）に示すように、ゲート電
極５として厚さ２５０ｎｍ程度のモリブデンタングステ
ン（ＭｏＷ）合金からなる膜を形成する。ここでは、ゲ
ート電極５の膜厚を２５０ｎｍとしたが、膜厚はプロセ
スや抵抗値などの設計要素に応じて適宜選択される。(4) As shown in FIG. 5D, a film of molybdenum-tungsten (MoW) alloy having a thickness of about 250 nm is formed as the gate electrode 5. Here, the film thickness of the gate electrode 5 is 250 nm, but the film thickness is appropriately selected according to design factors such as process and resistance value.
【００３１】（５）水素希釈ホスフィン（ＰＨ3）のプ
ラズマを生成し、図５（ｅ）に示すように、ゲート電極
５をマスクとして、質量分離を行わずに加速電圧７０ｋ
Ｖ、ドープ量５×１０12〜５×１０13ｃｍ-2の条件でイ
オンドーピングすることにより、多結晶シリコン膜３に
ソース領域３ｂ及びドレイン領域３ｃを形成する。次い
で、多結晶シリコン膜３の結晶化と注入された不純物の
活性化を兼ねて、４５０〜６００℃で１時間熱処理す
る。(5) Plasma of hydrogen-diluted phosphine (PH 3 ) is generated, and as shown in FIG. 5 (e), an acceleration voltage of 70 k is obtained without mass separation using the gate electrode 5 as a mask.
The source region 3b and the drain region 3c are formed in the polycrystalline silicon film 3 by ion doping under the conditions of V and a doping amount of 5 × 10 12 to 5 × 10 13 cm −2 . Then, the polycrystalline silicon film 3 is heat-treated at 450 to 600 ° C. for 1 hour in order to both crystallize the polycrystalline silicon film 3 and activate the implanted impurities.
【００３２】（６）図５（ｆ）に示すように、ＴＥＯＳ
を原料ガスに用いたプラズマＣＶＤ法によって、ゲート
絶縁膜４の全面に、ゲート電極５を覆うように酸化ケイ
素からなる層間絶縁膜６を形成する。(6) As shown in FIG. 5 (f), TEOS
An interlayer insulating film 6 made of silicon oxide is formed on the entire surface of the gate insulating film 4 by a plasma CVD method using as a raw material gas so as to cover the gate electrode 5.
【００３３】（７）図５（ｇ）に示すように、層間絶縁
膜６及びゲート絶縁膜４にコンタクトホ−ル７を形成
し、さらにそれぞれコンタクトホール７を介してソース
領域３ｂ及びドレイン領域３ｃに接続したソース電極８
及びドレイン電極９を形成した。ソース電極８及びドレ
イン電極９は、たとえばともに下層に１００ｎｍのＭｏ
膜、上層に厚さ７００ｎｍのＡｌ膜、更にその上層にＭ
ｏ膜が積層された三層構造とする。Ｍｏはバリア層とし
て機能する。これにより、ＴＦＴ１０５を形成した。な
お、図示しないが、ＴＦＴ１０４についても、第２のＴ
ＦＴ１０５と同じ工程によって形成する。(7) As shown in FIG. 5 (g), contact holes 7 are formed in the interlayer insulating film 6 and the gate insulating film 4, and the source region 3b and the drain region 3c are further provided through the contact holes 7, respectively. Source electrode 8 connected to
And the drain electrode 9 was formed. The source electrode 8 and the drain electrode 9 are both underlayers of Mo of 100 nm, for example.
Film, an Al film with a thickness of 700 nm on the upper layer, and M on the upper layer
It has a three-layer structure in which o films are laminated. Mo functions as a barrier layer. Thereby, the TFT 105 was formed. Although not shown, the TFT 104 also has a second T
It is formed by the same process as FT105.
【００３４】（８）図６（ｈ）に示すように、感光性の
アクリル樹脂材料を層間絶縁膜６の全面に塗布、感光、
現像して厚さ１〜５μｍ程度の平坦化膜１０を形成す
る。(8) As shown in FIG. 6H, a photosensitive acrylic resin material is applied to the entire surface of the interlayer insulating film 6, exposed to light,
It is developed to form a flattening film 10 having a thickness of about 1 to 5 μm.
【００３５】（９）次いで、図６（ｉ）に示すように、
平坦化膜１０にドレイン電極９へ達するコンタクトホー
ル１１を形成したのち、平坦化膜１０上に、陽極として
厚さ５０〜２００ｎｍ程度のＩＴＯ膜からなる画素電極
１２を、コンタクトホール１１を通じてドレイン電極９
と接続して形成する。(9) Next, as shown in FIG.
After forming the contact hole 11 reaching the drain electrode 9 in the flattening film 10, the pixel electrode 12 made of an ITO film having a thickness of about 50 to 200 nm as an anode is formed on the flattening film 10 through the contact hole 11.
Formed by connecting with.
【００３６】（１０）図６（ｊ）に示すように、画素電
極１２を覆うように、平坦化膜１０上に、感光性のアク
リル樹脂材料１３’を塗布する。なお、感光性アクリル
樹脂１３’の膜厚は画素電極１２の周縁部を覆う必要が
あるので、画素電極１２の膜厚以上でなければならな
い。また、後述する発光層１４をマスク蒸着する場合で
あって、その保護膜を兼ねる場合は１〜５μｍ程度が好
ましい。(10) As shown in FIG. 6J, a photosensitive acrylic resin material 13 'is applied on the flattening film 10 so as to cover the pixel electrodes 12. The film thickness of the photosensitive acrylic resin 13 ′ needs to be equal to or larger than the film thickness of the pixel electrode 12 because it is necessary to cover the peripheral portion of the pixel electrode 12. Further, when the light emitting layer 14 described later is vapor-deposited with a mask and also serves as a protective film thereof, the thickness is preferably about 1 to 5 μm.
【００３７】（１１）次いで、図６（ｋ）に示すよう
に、アクリル樹脂材料１３’を選択的に露光・現像し
て、画素電極１２の周縁部以外を露出させ、画素電極１
２の周縁部を被覆する絶縁部材１３を形成する。(11) Next, as shown in FIG. 6 (k), the acrylic resin material 13 'is selectively exposed and developed to expose the portions other than the peripheral portion of the pixel electrode 12, and the pixel electrode 1
An insulating member 13 is formed to cover the peripheral edge of the second electrode 2.
【００３８】（１２）ポストベークを行なって、図６
（ｌ）に示すように、絶縁部材１３の厚さを、画素電極
１２側の端部１３ｂに向かって減少させる。(12) Post-baking is performed, and the result of FIG.
As shown in (l), the thickness of the insulating member 13 is reduced toward the end 13b on the pixel electrode 12 side.
【００３９】ここで、図４にθで示す、絶縁部材１３の
傾斜面すなわち画素電極側の端部を端辺とする面と画素
電極１２の表面とのなす角の大きさは、ベーク温度とベ
ーク時間とにより決定することができる。たとえば、本
実施の形態で用いたアクリル樹脂材料では、ベーク温度
を２３０℃、ベーク時間を３０分の条件でポストベーク
することにより、接触角を３０度とすることができた。
ベーク温度及びベーク時間は、製造工程における様々な
条件により、適宜変更することができる。例えば、製造
工程上、ベーク時間に時間がかけられないのであれば、
ベーク温度を２３０℃で行えば３０分という短時間でθ
の小さい絶縁部材を形成することができる。また、ポス
トベークを比較的低温で行なった後に、紫外線を照射し
てブリーチングを行い、最後に最終ベークを行なうこと
でもθの制御は可能である。また、絶縁部材１３を、画
素電極１２の表面側の端部に向かって肉厚が直線的に減
少するように形成することも可能である。Here, the angle between the inclined surface of the insulating member 13, that is, the surface having the end portion on the pixel electrode side as the end side and the surface of the pixel electrode 12, which is denoted by θ in FIG. It can be determined by the baking time. For example, with the acrylic resin material used in the present embodiment, the contact angle could be set to 30 degrees by post-baking under conditions of a baking temperature of 230 ° C. and a baking time of 30 minutes.
The baking temperature and the baking time can be appropriately changed depending on various conditions in the manufacturing process. For example, in the manufacturing process, if you can not take a long time to bake,
If the baking temperature is 230 ° C, it will be θ in a short time of 30 minutes.
It is possible to form an insulating member having a small size. It is also possible to control θ by performing post-baking at a relatively low temperature, irradiating ultraviolet rays for bleaching, and finally performing final baking. It is also possible to form the insulating member 13 so that the thickness thereof linearly decreases toward the end portion on the front surface side of the pixel electrode 12.
【００４０】（１３）次いで、図６（ｍ）に示すよう
に、基板１を上下反転させ、メタルマスク１８を絶縁部
材１３に密着させ、メタルマスク１８の開口部１８ａを
介して、ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬをこの順番で蒸着して
発光層１４を形成する。発光層１４の形成は、たとえば
各単位画素ごとに行い、図６（ｍ）に示す発光層１４の
形成が終了すれば、メタルマスク１８の開口部１８ａの
位置を隣の単位画素に合わせて多色の発光層を形成する
ようにして、隣接する３つの単位画素のそれぞれに、赤
（Ｒ）色材料、緑（Ｇ）色材料及び青（Ｂ）色材料を蒸
着して発光層を形成する。なお、赤（Ｒ）色材料として
は、キノリノールアルミ錯体（以下、「Ａｌｑ３」と略
記する。）に４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−
（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル）−４Ｈ
−ピラン（ＤＣＪＴ）をドープしたものを、緑（Ｇ）色
材料としては、Ａｌｑ３にキナクリドンをドープしたも
のを、青（Ｂ）色材料としては、１−（２，２−ジフェ
ニルビニル）−４−［４−（２,２−ジフェニルビニ
ル）フェニル］ベンゼン（ＤＰＶＢｉ）が用いられる。(13) Next, as shown in FIG. 6 (m), the substrate 1 is turned upside down, the metal mask 18 is brought into close contact with the insulating member 13, and the HTL / EML is made through the opening 18a of the metal mask 18. / ETL is vapor-deposited in this order to form the light emitting layer 14. The light emitting layer 14 is formed for each unit pixel, for example, and when the formation of the light emitting layer 14 shown in FIG. 6 (m) is completed, the position of the opening 18a of the metal mask 18 is adjusted to match the adjacent unit pixel. A red (R) color material, a green (G) color material, and a blue (B) color material are vapor-deposited on each of three adjacent unit pixels so as to form a color light emitting layer to form a light emitting layer. . As a red (R) color material, quinolinol aluminum complex (hereinafter, abbreviated as "Alq3") to 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- is used.
(1,1,7,7-Tetramethyljulolidyl) -4H
-Pyran (DCJT) -doped, green (G) colored material is Alq3 doped with quinacridone, and blue (B) colored material is 1- (2,2-diphenylvinyl) -4 -[4- (2,2-Diphenylvinyl) phenyl] benzene (DPVBi) is used.
【００４１】（１４）最後に、厚さ１００〜２００ｎｍ
のＡｌＬｉ合金膜を発光層１４上に蒸着して陰極１５を
形成すると、図１に示すエレクトロルミネッセンス表示
装置１６が得られる。(14) Finally, the thickness is 100 to 200 nm.
By depositing the above AlLi alloy film on the light emitting layer 14 to form the cathode 15, the electroluminescent display device 16 shown in FIG. 1 is obtained.
【００４２】発光層としては、可視領域で傾向特性を有
し、かつ成膜性の良い蛍光体材料であるＡｌｑ３やＢｅ
−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）が適する。更に、
以下の材料の内から選択して用いることも出来る。Ａｌ
ｑ３、Ｂｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）、２，
５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキ
サイゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’
−ビス（５，７−ペンチル−２−ベンゾオキサイゾリ
ル）スチルベン、４−４’−ビス［５，７−ジ−（２−
メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサイゾリル］ス
チルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−
２−ベンゾオキサイゾリル）チオフェン、２，５−ビス
（［５−α，α−ジメチルベンジル］−２−ベンゾオキ
サイゾリル）チオフェン、２，５−ビス［５，７−ジ−
（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサイゾリ
ル］−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス
（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）チオフェ
ン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフ
ェニル、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−
２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾ
オキサイゾリル、２−［２−（４−クロロフェニル）ビ
ニル］ナフト［１，２−ｄ］オキサゾール等のベンゾオ
キサゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレ
ン）−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、
２−［２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニ
ル］ビニル］ベンゾイミダゾール、２−［２−（４−カ
ルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミダゾール等のベ
ンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤や、トリス（８−キ
ノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）
マグネシウム、ビス（ベンゾ［ｆ］−８−キノリノー
ル）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）ア
ルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）イン
ジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アル
ミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−ク
ロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ
−８−キノリノール）カルシウム、ポリ［亜鉛−ビス
（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン］等の８
−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンド
リジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物や、
１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４
−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４
−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、
１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４
−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス
（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン等のスチリ
ルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチ
リル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）
ピラジン、２，５−ビス［２−（１−ナフチル）ビニ
ル］ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）
ピラジン、２，５−ビス［２−（４−ビフェニル）ビニ
ル］ピラジン、２，５−ビス「２−（１−ピレニル）ビ
ニル］ピラジン等のジスチリルピラジン誘導体や、ナフ
タルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾ
ール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエ
ン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導
体や、芳香族ジメチリディン誘導体、アントラセン、サ
リチル酸塩、ピレン、コロネン等も用いられる。As the light emitting layer, Alq3 or Be which is a phosphor material having a tendency characteristic in the visible region and having a good film forming property.
Benzoquinolinol (BeBq2) is suitable. Furthermore,
It is also possible to select and use from the following materials. Al
q3, Be-benzoquinolinol (BeBq2), 2,
5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) -1,3,4-thiadiazole, 4,4 '
-Bis (5,7-pentyl-2-benzoxazolyl) stilbene, 4-4'-bis [5,7-di- (2-
Methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di-t-benzil-
2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis ([5-α, α-dimethylbenzyl] -2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5,7-di-
(2-Methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] -3,4-diphenylthiophene, 2,5-bis (5-methyl-2-benzoxazolyl) thiophene, 4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- [2- [4- (5-methyl-
2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazolyl, benzoxazoles such as 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho [1,2-d] oxazole, 2,2 ′-(p -Phenylenedivinylene) -benzothiazoles such as bisbenzothiazole,
Fluorescent brighteners such as 2- [2- [4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole and 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole based benzimidazoles and tris ( 8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol)
Magnesium, bis (benzo [f] -8-quinolinol) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, 8- 8 such as lithium quinolinol, tris (5-chloro-8-quinolinol) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinol) calcium, poly [zinc-bis (8-hydroxy-5-quinolinonyl) methane]
-A metal chelated oxinoid compound such as a hydroxyquinoline-based metal complex or dilithium epindridione,
1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4
-(3-Methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4
-Methylstyryl) benzene, distyrylbenzene,
1,4-bis (2-ethylstyryl) benzene, 1,4
-Styrylbenzene compounds such as bis (3-ethylstyryl) benzene and 1,4-bis (2-methylstyryl) 2-methylbenzene, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5- Bis (4-ethylstyryl)
Pyrazine, 2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl)
Distyrylpyrazine derivatives such as pyrazine, 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine, and 2,5-bis "2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine, naphthalimide derivatives, and perylene derivatives Further, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, coumarin derivatives, aromatic dimethylidyne derivatives, anthracenes, salicylates, pyrene, coronene, etc. are also used.
【００４３】正孔輸送層としては、正孔移動度が高く、
透明で成膜性の良いＴＰＤが好ましい。ＴＰＤ以外に以
下の材料から選択して用いることが出来る。ポルフィ
ン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅
フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド
等のポリフィリン化合物や、１，１−ビス｛４−（ジ−
Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，
４’，４”−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレ
ンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナ
フタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−２−
２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニ
ル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｍ−トリル
−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバ
ゾール等の芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリル
アミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−
４’−［４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチ
ルベン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体
や、オキサジアゾール誘導体や、イミダゾール誘導体
や、ポリアリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体
や、ピラゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体
や、アニールアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導
体や、オキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘
導体や、フルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、
シラザン誘導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体
や、オリゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジ
メチリディン系化合物や、ポリ３−メチルチオフェン等
の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の
高分子中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させ
た、高分子分散系の正孔輸送層も用いられる。The hole transport layer has a high hole mobility,
TPD, which is transparent and has good film forming properties, is preferable. In addition to TPD, the following materials can be selected and used. Porphyrin, tetraphenylporphine copper, phthalocyanine, copper phthalocyanine, porphyrin compounds such as titanium phthalocyanine oxide, and 1,1-bis {4- (di-
P-tolylamino) phenyl} cyclohexane, 4,
4 ′, 4 ″ -trimethyltriphenylamine, N, N,
N ', N'-tetrakis (P-tolyl) -P-phenylenediamine, 1- (N, N-di-P-tolylamino) naphthalene, 4,4'-bis (dimethylamino) -2-
2'-dimethyltriphenylmethane, N, N, N ',
Aromatic tertiary such as N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobiphenyl, N, N'-diphenyl-N, N'-di-m-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, N-phenylcarbazole Primary amines, 4-di-P-tolylaminostilbene, 4- (di-P-tolylamino)-
Stilbene compounds such as 4 ′-[4- (di-P-tolylamino) styryl] stilbene, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, Phenylenediamine derivatives, annealed amine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives,
An organic material such as a silazane derivative, a polysilane-based aniline-based copolymer, an oligomer, a styrylamine compound, an aromatic dimethylidin-based compound, or poly-3-methylthiophene is used. Further, a polymer-dispersed hole transport layer in which a low molecular weight organic material for a hole transport layer is dispersed in a polymer such as polycarbonate is also used.
【００４４】電子輸送層としては、１，３−ビス（４−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾ
リル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール
誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノ
ン誘導体等が用いられる。陰極としては、仕事関数の低
い金属もしくは合金が用いられ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｔ
ｉ等の金属や、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金等のＭ
ｇ合金や、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂ
ａ合金等のＡｌ合金などが用いられる。As the electron transport layer, 1,3-bis (4-
Oxadiazole derivatives such as tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) phenylene (OXD-7), anthraquinodimethane derivatives, diphenylquinone derivatives and the like are used. As the cathode, a metal or alloy having a low work function is used, and Al, In, Mg, T
Metals such as i and M such as Mg-Ag alloys and Mg-In alloys
g alloy, Al-Li alloy, Al-Sr alloy, Al-B
An Al alloy such as an a alloy is used.
【００４５】図４にθで示す、絶縁部材の傾斜面と画素
電極とのなす角度を２０〜９０度とした表示装置の劣化
寿命及び初期の短絡発生を評価した。ここで、劣化寿命
は、温度６０℃、電流密度３０ｍＡ／ｃｍ2の条件で連
続的に表示させてその輝度が半減するまでの時間であっ
て、短絡発生率は、１０個作製した表示装置のうち、初
動時に表示不能な画素が確認されたものの割合を示す。The deterioration life and the initial occurrence of short circuit of the display device in which the angle between the inclined surface of the insulating member and the pixel electrode, which is indicated by θ in FIG. 4, was set to 20 to 90 degrees were evaluated. Here, the deterioration life is the time until the luminance is reduced to half after continuous display under the conditions of a temperature of 60 ° C. and a current density of 30 mA / cm 2 , and the short circuit occurrence rate is 10 display devices. Of these, the proportion of those in which undisplayable pixels were confirmed at the initial movement is shown.
【００４６】[0046]
【表１】 [Table 1]
【００４７】θを６０度とすると、θが９０度（９０度
よりも大きい場合も含む）の場合と比べて寿命を２倍程
度にまで向上させことができ、３０度とすると、２．４
倍程度にまで向上させることができる。また、短絡発生
率においても、θが９０度の場合には５０％以上と非常
に高かったのに対して、６０度の場合には１０％とな
り、さらに３０度の場合には確認されなかった。以上の
結果より、劣化を抑制するためには、θを９０度未満、
好ましくは６０度以下、更に好ましくは３０度以下にす
ると良いことが分かる。When θ is 60 degrees, the life can be doubled as compared with the case where θ is 90 degrees (including the case where it is larger than 90 degrees), and when it is 30 degrees, 2.4.
It can be doubled. Also, the short circuit occurrence rate was very high at 50% or more when θ was 90 degrees, whereas it was 10% when θ was 60 degrees, and was not confirmed at 30 degrees. . From the above results, in order to suppress the deterioration, θ is less than 90 degrees,
It is understood that it is preferably 60 degrees or less, more preferably 30 degrees or less.
【００４８】本実施の形態では、発光層１４に低分子系
材料を用いた有機ＥＬ表示装置について述べたが、発光
層１４に高分子系の材料を用いることも可能である。ま
た、発光層１４に無機材料を用いた無機ＥＬ表示装置に
も本実施の形態の構成は適用可能である。Although the organic EL display device using the low molecular weight material for the light emitting layer 14 is described in the present embodiment, it is also possible to use the high molecular weight material for the light emitting layer 14. Further, the configuration of the present embodiment can be applied to an inorganic EL display device using an inorganic material for the light emitting layer 14.
【００４９】また、陰極としてＡｌとＬｉの合金を用い
たが、これに限定するものではなく、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍ
ｇ、Ｔｉ等の金属や、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金
等のＭｇ合金や、Ａｌ／ＬｉＦ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、
Ａｌ−Ｂａ合金等のＡｌ合金等等を用いても良い。一
方、陽極である画素電極としてはＩＴＯを用いたが、Ａ
ＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎＯ2）、ＡＺＯ（Ａｌをド
ープしたＺｎＯ）等も用いられる。Although an alloy of Al and Li was used as the cathode, the present invention is not limited to this, and Al, In, M
g, metal such as Ti, Mg-Ag alloy, Mg alloy such as Mg-In alloy, Al / LiF alloy, Al-Sr alloy,
You may use Al alloy etc., such as Al-Ba alloy. On the other hand, although ITO was used for the pixel electrode that is the anode,
TO (Sb-doped SnO 2 ), AZO (Al-doped ZnO) and the like are also used.
【００５０】光は、画素電極１２を介して、ＴＦＴアレ
イ基板１７側から取り出しているが、陰極のＡｌ：Ｌｉ
合金ではなく、例えば、透過率を高くし、かつ電子注入
効率を確保するため、極薄（厚さ１〜３０ｎｍ程度）の
Ｍｇ−Ａｇ合金を形成した後、透明導電体であるＩＴＯ
をスパッタ法などで形成すれば、アレイ基板とは逆方向
に光を取り出すことができるので、ＴＦＴによる開口率
の減少を防ぐことができ、高い光取出し効率が得られ
る。この場合には、メタルキャップではなく、ガラスな
どの透明な基板を用いて、または透明な有機樹脂薄膜と
無機材料薄膜をＩＴＯ上に積層することによって薄膜を
封止する。Light is taken out from the TFT array substrate 17 side through the pixel electrode 12, but Al: Li of the cathode is used.
Instead of an alloy, for example, an ultrathin (thickness of about 1 to 30 nm) Mg-Ag alloy is formed and then ITO, which is a transparent conductor, is formed in order to increase the transmittance and ensure the electron injection efficiency.
Since the light can be extracted in the direction opposite to that of the array substrate by forming the film by a sputtering method or the like, it is possible to prevent a reduction in the aperture ratio due to the TFT and obtain a high light extraction efficiency. In this case, the thin film is sealed by using a transparent substrate such as glass instead of the metal cap, or by stacking a transparent organic resin thin film and an inorganic material thin film on ITO.
【００５１】また、第１のＴＦＴ１０４及び第２のＴＦ
Ｔ１０５としては、ｐ−Ｓｉに限定するものではなく、
ａ−Ｓｉ、微結晶Ｓｉ、単結晶Ｓｉ、ＳｉＧｅ合金、Ｇ
ａＡｓなどのIII−V族やII−VI族、また有機ＴＦＴを使
用することができる。In addition, the first TFT 104 and the second TF
T105 is not limited to p-Si,
a-Si, microcrystalline Si, single crystal Si, SiGe alloy, G
Group III-V or II-VI such as aAs, or organic TFT can be used.
【００５２】また、ＴＦＴ１０４及び１０５は、トップ
ゲート型ＴＦＴに限らず、ボトムゲート型のＴＦＴでも
良い。さらに、ＴＦＴを構成するソース・ドレイン電極
の形成後に、ＴＦＴ全体のパッシベーション膜としてＳ
ｉＮXなどを形成しても良い。Further, the TFTs 104 and 105 are not limited to top gate type TFTs, but may be bottom gate type TFTs. Further, after forming the source / drain electrodes constituting the TFT, S is used as a passivation film for the entire TFT.
iN X or the like may be formed.
【００５３】（実施の形態２）本実施の形態では、絶縁
部材に無機材料、より具体的には窒化ケイ素（Ｓｉ
Ｎ X）を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置の例
について説明する。(Embodiment 2) In this embodiment, insulation is used.
Inorganic materials for the members, more specifically silicon nitride (Si
N XExample of electroluminescent display device using
Will be described.
【００５４】図７に示すように、ＴＦＴアレイ基板１７
上には、平坦化膜１０が形成されていて、平坦化膜１０
上に陽極としての画素電極１２が形成されている。この
構成は実施の形態１と同様であるが、本実施の形態で
は、画素電極１２の周縁部を被覆するように配された絶
縁部材３０が、窒化ケイ素からなり、画素電極１２表面
側の端部３０ｂに向けて肉厚が直線的に減少するように
形成されている。絶縁層３０の傾斜面３０ｃと画素電極
１２の表面とのなす角θはたとえば３０度である。As shown in FIG. 7, the TFT array substrate 17
A flattening film 10 is formed on the flattening film 10.
A pixel electrode 12 as an anode is formed on the top. Although this configuration is the same as that of the first embodiment, in the present embodiment, the insulating member 30 arranged so as to cover the peripheral portion of the pixel electrode 12 is made of silicon nitride and has an end on the surface side of the pixel electrode 12. It is formed so that the wall thickness decreases linearly toward the portion 30b. The angle θ formed by the inclined surface 30c of the insulating layer 30 and the surface of the pixel electrode 12 is, for example, 30 degrees.
【００５５】絶縁部材３０の形成方法について説明す
る。画素電極１２を被覆するように平坦化膜１０全面
に、原料ガスにシラン（ＳｉＨ4）、アンモニア（Ｎ
Ｈ3）、窒素（Ｎ2）及び水素（Ｈ2）を用いたプラズマ
ＣＶＤ法によって、厚さ３００ｎｍ〜１μｍの窒化ケイ
素膜を形成する。なお、原料ガスに水素が含まれている
場合は、水素の還元作用で画素電極１２のＩＴＯが還元
される可能性があるので、プラズマＣＶＤ装置の出力を
小さくするとともに、温度を低くする方が好ましい。A method of forming the insulating member 30 will be described. Silane (SiH 4 ) and ammonia (N) are used as source gases on the entire surface of the flattening film 10 so as to cover the pixel electrodes 12.
A silicon nitride film having a thickness of 300 nm to 1 μm is formed by a plasma CVD method using H 3 ), nitrogen (N 2 ) and hydrogen (H 2 ). When the source gas contains hydrogen, the ITO of the pixel electrode 12 may be reduced by the reducing action of hydrogen, so it is better to lower the output of the plasma CVD apparatus and lower the temperature. preferable.
【００５６】その後、形成された窒化ケイ素膜上に、通
常のフォトリソグラフィ技術によってレジストパターン
を形成する。なお、レジストパターンは、画素電極１２
の間隙位置の上方及び画素電極１２の周縁部の上方に位
置するように形成する。このレジストをマスクとして、
窒化ケイ素膜のドライエッチングを行う。After that, a resist pattern is formed on the formed silicon nitride film by an ordinary photolithography technique. The resist pattern is the pixel electrode 12
It is formed so as to be located above the gap position and above the peripheral portion of the pixel electrode 12. With this resist as a mask,
Dry etching of the silicon nitride film is performed.
【００５７】ドライエッチングは、たとえばＣＦ4とＯ2
との混合ガスをエッチングガスとして用い、ＣＦ4とＯ2
との比を１：０．０５〜１：２として行う。このドライ
エッチングによって、レジストより露出した領域、すな
わち画素電極１２の周縁部以外の窒化ケイ素膜を除去し
て、画素電極１２の周縁部を被覆する絶縁部材３０が形
成される。なお、上記の比を１：０．３としたドライエ
ッチングでは、絶縁部材３０の傾斜面３０ｃと画素電極
１２の表面とのなす角θは３０度となった。ここで、エ
ッチングガス中のＣＦ4に対するＯ2の比が高いほど、窒
化シリコン膜と同時にレジストもエッチングされやす
く、さらに窒化ケイ素膜及びレジストは等方的にエッチ
ングされるために、θが小さくなる。このため、θを小
さくするためには、ＣＦ4に対するＯ2の比を高くすれば
良い。Dry etching is performed by using, for example, CF 4 and O 2
And a mixed gas of CF 4 and O 2 are used as an etching gas.
With the ratio of 1: 0.05 to 1: 2. By this dry etching, the region exposed from the resist, that is, the silicon nitride film other than the peripheral portion of the pixel electrode 12 is removed, and the insulating member 30 that covers the peripheral portion of the pixel electrode 12 is formed. In dry etching with the above ratio of 1: 0.3, the angle θ between the inclined surface 30c of the insulating member 30 and the surface of the pixel electrode 12 was 30 degrees. Here, the higher the ratio of O 2 to CF 4 in the etching gas is, the more easily the resist is simultaneously etched with the silicon nitride film, and the silicon nitride film and the resist are isotropically etched, so that θ becomes smaller. . Therefore, in order to reduce θ, the ratio of O 2 to CF 4 should be increased.
【００５８】その後、実施の形態１と同様にして発光層
１４及び陰極１５を形成する。After that, the light emitting layer 14 and the cathode 15 are formed in the same manner as in the first embodiment.
【００５９】θと劣化寿命または短絡発生との関係は、
絶縁部材を感光性のアクリル樹脂で形成した実施の形態
１の場合とほぼ同じであった。The relationship between θ and the deterioration life or the occurrence of a short circuit is
This was almost the same as in the first embodiment in which the insulating member was formed of a photosensitive acrylic resin.
【００６０】なお、本実施の形態では、窒化ケイ素から
なる絶縁部材を用いたが、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）や酸
窒化ケイ素（ＳｉＯＮX）からなるものを用いた場合で
も同様の効果を得ることができる。また、ドライエッチ
ングによらず、ウェットエッチングによっても、絶縁部
材を形成することができる。Although the insulating member made of silicon nitride is used in the present embodiment, the same effect can be obtained even when the insulating member made of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon oxynitride (SiON x ) is used. You can Further, the insulating member can be formed by wet etching instead of dry etching.
【００６１】（実施の形態３）本実施の形態では、スピ
ンオングラスにより形成された酸化シリコンを主成分と
する膜を絶縁部材に用いた例について説明する。本実施
の形態のエレクトロルミネッセンス表示装置を図８に示
す。図８に示すように、ＴＦＴアレイ基板１７上には、
実施の形態１及び２のそれらと同様に、平坦化膜１０及
び陽極となる画素電極１２が形成されている。本実施の
形態では、画素電極１２の周縁部を被覆するように、酸
化ケイ素からなり、画素電極１２の表面とのなす角θが
３０度の傾斜面３１ｃを有する絶縁部材３１が形成され
ている。Embodiment Mode 3 In this embodiment mode, an example in which a film containing silicon oxide as a main component formed by spin-on-glass is used as an insulating member will be described. The electroluminescent display device of this embodiment is shown in FIG. As shown in FIG. 8, on the TFT array substrate 17,
Similar to those of the first and second embodiments, the flattening film 10 and the pixel electrode 12 serving as an anode are formed. In the present embodiment, the insulating member 31 made of silicon oxide and having the inclined surface 31c having an angle θ with the surface of the pixel electrode 12 of 30 degrees is formed so as to cover the peripheral portion of the pixel electrode 12. .
【００６２】絶縁部材３１は、いわゆるスピンオングラ
スによって形成される。まず、画素電極１２を覆うよう
に平坦化膜１０上に酸化シリコンを主成分とするスピン
オングラスをスピンコート法により塗布して厚さ３００
ｎｍ〜５μｍ程度の膜を形成する。その後、スピンオン
グラスの焼き締めを行なう。なお、スピンコート法以外
にも、吹きつけ法やディッピング法などを用いても良
い。The insulating member 31 is formed by so-called spin-on glass. First, spin-on glass containing silicon oxide as a main component is applied to the flattening film 10 so as to cover the pixel electrode 12 by a spin coating method to form a thickness of 300.
A film having a thickness of about 5 to 5 μm is formed. Then, the spin-on glass is baked. In addition to the spin coating method, a spraying method or a dipping method may be used.
【００６３】その後、形成された膜上に通常のフォトリ
ソグラフィによってレジストパターンを形成する。な
お、レジストパターンは、画素電極１２の間隙位置の上
方及び画素電極１２の周縁部の上方に位置するように形
成する。このレジストをマスクとして、膜を、実施の形
態２と同様な方法によりエッチングすると、酸化シリコ
ンからなる絶縁部材３１が形成される。その後、実施の
形態と同様にして発光層１４及び陰極１５を形成する。Then, a resist pattern is formed on the formed film by ordinary photolithography. The resist pattern is formed so as to be located above the gap position of the pixel electrode 12 and above the peripheral portion of the pixel electrode 12. Using this resist as a mask, the film is etched by the same method as in Embodiment 2 to form an insulating member 31 made of silicon oxide. Then, the light emitting layer 14 and the cathode 15 are formed in the same manner as in the embodiment.
【００６４】なお、絶縁部材３１の傾斜面３１ｃと画素
電極１２の表面とのなす角θと、劣化寿命及び短絡発生
率との関係は、実施の形態１及び２の場合と同じであっ
た。The relationship between the angle θ formed by the inclined surface 31c of the insulating member 31 and the surface of the pixel electrode 12 and the deterioration life and the short circuit occurrence rate was the same as in the first and second embodiments.
【００６５】（実施の形態４）上記実施の形態では、画
素電極の周縁部を絶縁部材で被覆する構成について説明
したが、図９に示すような構成としても良い。即ち、発
光層１４が画素電極１２を被覆するように形成され、絶
縁部材３２は発光層１４の周縁部を被覆するように形成
される。発光層１４上から画素電極とのなす角θが３０
度の絶縁部材３２の傾斜面３２ｃに沿って、陰極１４が
形成されている。絶縁部材３２には、実施の形態１〜３
で用いた有機材料や無機材料を用いることができる。(Embodiment 4) In the above embodiment, the structure in which the peripheral edge of the pixel electrode is covered with the insulating member has been described, but the structure shown in FIG. 9 may be adopted. That is, the light emitting layer 14 is formed so as to cover the pixel electrode 12, and the insulating member 32 is formed so as to cover the peripheral portion of the light emitting layer 14. The angle θ between the light emitting layer 14 and the pixel electrode is 30.
The cathode 14 is formed along the inclined surface 32c of the insulating member 32. The insulating member 32 has the first to third embodiments.
The organic material or the inorganic material used in the above can be used.
【００６６】図９に示すように、画素電極１２の端部付
近の発光層１４の膜厚は薄くなってしまうものの、発光
層１４の膜厚が薄くなる部分は絶縁部材３２によって被
覆されるため、この薄くなった部分における劣化の進行
や短絡発生が、画像表示装置としての歩留まりや信頼性
に影響は及ぼさない。As shown in FIG. 9, although the thickness of the light emitting layer 14 near the end of the pixel electrode 12 becomes thin, the portion where the thickness of the light emitting layer 14 becomes thin is covered with the insulating member 32. The progress of deterioration and the occurrence of short circuits in the thinned portion do not affect the yield and reliability of the image display device.
【００６７】（実施の形態５）本実施の形態では、単純
マトリクス型のエレクトロルミネッセンス表示装置の例
について説明する。図１０〜図１２に示すように、ガラ
ス基板２１上には、ＩＴＯからなる陽極２２がストライ
プ状に形成されている。陽極２２の間隙部分には、陽極
２２の周縁部を覆う絶縁部材２３が形成され、絶縁部材
２３は、陽極２２側の端部２３ｂに向けて肉厚が減少す
る傾斜面２３ｃが形成されている。絶縁部材２３は酸化
ケイ素からなり、絶縁部材２３の傾斜面２３ｃと陽極２
２の表面とのなす角θは、３０度となるように設定され
ている。(Embodiment Mode 5) In this embodiment mode, an example of a simple matrix electroluminescent display device is described. As shown in FIGS. 10 to 12, anodes 22 made of ITO are formed in stripes on the glass substrate 21. An insulating member 23 that covers the peripheral portion of the anode 22 is formed in the gap portion of the anode 22, and the insulating member 23 is formed with an inclined surface 23c whose thickness decreases toward the end portion 23b on the anode 22 side. . The insulating member 23 is made of silicon oxide, and the inclined surface 23c of the insulating member 23 and the anode 2
The angle θ formed by the surface of 2 is set to 30 degrees.
【００６８】また、陽極２２上から絶縁部材２３に沿っ
て、発光層２４が形成され、発光層２４上には、陽極２
２と直交するストライプ状の陰極２５が形成されてい
る。なお、陰極２５は、アルミニウム（Ａｌ）からな
る。また、発光層２４は、隣接する陽極２２上のそれぞ
れに、赤（Ｒ）色材料、緑（Ｇ）色材料および青（Ｂ）
色材料が蒸着されて形成されている。選択された陽極２
２及び陰極２５に電圧を印加することにより、両電極
（陽極２２と陰極２５）の交点の発光層２４が印加電圧
に応じた輝度で発光する。A light emitting layer 24 is formed on the anode 22 along the insulating member 23, and the anode 2 is formed on the light emitting layer 24.
A stripe-shaped cathode 25 orthogonal to 2 is formed. The cathode 25 is made of aluminum (Al). Further, the light emitting layer 24 has a red (R) color material, a green (G) color material, and a blue (B) color material on each of the adjacent anodes 22.
The color material is formed by vapor deposition. Selected anode 2
By applying a voltage to 2 and the cathode 25, the light emitting layer 24 at the intersection of both electrodes (the anode 22 and the cathode 25) emits light with the brightness according to the applied voltage.
【００６９】このような単純マトリクス型のエレクトロ
ルミネッセンス表示装置２０においても、絶縁部材２３
によって発光層２４の膜厚が部分的に薄くなくことを防
ぐことができるので、陽極２２の端部で発生する電界集
中を抑制することができる。よって、電界集中に起因し
たＥＬ表示装置の寿命の低下を抑制することができる。
また、発光層の膜厚が部分的に薄くなるようなことはな
いので、陽極２２と陰極２５との短絡の発生を抑制する
ことができる。In such a simple matrix type electroluminescent display device 20 as well, the insulating member 23 is used.
By this, it is possible to prevent the light emitting layer 24 from being partially thin, and thus it is possible to suppress the electric field concentration generated at the end portion of the anode 22. Therefore, it is possible to suppress the reduction in the life of the EL display device due to the electric field concentration.
Further, since the film thickness of the light emitting layer does not become partially thin, it is possible to suppress the occurrence of a short circuit between the anode 22 and the cathode 25.
【００７０】絶縁部材２３としては、酸化ケイ素以外
に、窒化ケイ素等の無機材料や、感光性アクリル樹脂、
ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂等の有機材料を用いる
ことができる。陽極２２としては、ＩＴＯのほか、酸化
錫などの透明電極を用いても良く、その他、Ｎｉ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｐｄなどの金属電極を用いても良い。また、
陰極２５としては、Ａｌを用いているが、その他とし
て、Ａｇ、Ａｕなどの金属、ＭｇＡｇ合金、ＡｌＬｉ合
金などを用いることができる。As the insulating member 23, in addition to silicon oxide, an inorganic material such as silicon nitride, a photosensitive acrylic resin,
Organic materials such as polyimide resin and novolac resin can be used. As the anode 22, in addition to ITO, a transparent electrode such as tin oxide may be used.
You may use metal electrodes, such as u, Pt, and Pd. Also,
Although Al is used as the cathode 25, a metal such as Ag or Au, a MgAg alloy, an AlLi alloy, or the like can be used as the cathode 25.
【００７１】本実施の形態では、下から基板２１、陽極
２２、発光層２４、陰極２５の順に積層されているが、
必ずしもこの順に積層する必要はなく、下から基板２
１、陰極２５、発光層２４、陽極２５の順としてもよ
い。In this embodiment, the substrate 21, the anode 22, the light emitting layer 24, and the cathode 25 are laminated in this order from the bottom.
It is not always necessary to stack the substrates in this order.
The order may be 1, the cathode 25, the light emitting layer 24, and the anode 25.
【００７２】[0072]
【発明の効果】本発明によると、寿命が長いエレクトロ
ルミネッセンス表示装置を歩留り良く製造することがで
きる。また、省資源・エネルギーにも寄与することか
ら、地球環境保護の観点からも、実用上の効果は大き
い。According to the present invention, an electroluminescent display device having a long life can be manufactured with a high yield. Further, since it contributes to resource saving and energy, it has a great practical effect from the viewpoint of protecting the global environment.
【図１】本発明の実施の形態１に係るエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の構成を示す説明図であり、（ａ）は
概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線矢視断面図、
（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。1A and 1B are explanatory views showing a configuration of an electroluminescence display device according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a schematic plan view and FIG. 1B is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. Figure,
(C) is a sectional view taken along the line BB ′ of (a).
【図２】本発明の実施の形態１に係るエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の単位画素の構成を示す概略平面図で
ある。FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration of a unit pixel of the electroluminescence display device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態１に係るエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the electroluminescence display device according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の
要部をなす絶縁部材の拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of an insulating member forming a main part of the electroluminescence display device of the present invention.
【図５】本発明の実施の形態１に係るエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の製造方法を示す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the method for manufacturing the electroluminescent display device according to the first embodiment of the present invention.
【図６】同じく、概略断面図である。FIG. 6 is likewise a schematic sectional view.
【図７】本発明の実施の形態２に係るエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の単位画素の構成を示す概略断面図で
ある。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a unit pixel of the electroluminescence display device according to the second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施の形態３に係るエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の単位画素の構成を示す概略断面図で
ある。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a unit pixel of the electroluminescence display device according to the third embodiment of the present invention.
【図９】本発明の実施の形態４に係るエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の単位画素の構成を示す概略断面図で
ある。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a unit pixel of an electroluminescence display device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の実施の形態５に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の構成を示す概略平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view showing a configuration of an electroluminescence display device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図１１】図１０のＤ−Ｄ’線矢視断面図である。11 is a cross-sectional view taken along the line D-D ′ of FIG.
【図１２】図１１の拡大断面図である。12 is an enlarged cross-sectional view of FIG.
【図１３】従来のエレクトロルミネッセンス表示装置の
構成を示す概略断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional electroluminescence display device.
【図１４】メタルマスクを用いて発光材料を蒸着する際
の概略断面図である。FIG. 14 is a schematic cross-sectional view when depositing a light emitting material using a metal mask.
【図１５】画素電極の端部の拡大断面図である。FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of an end portion of a pixel electrode.
１、２１ ガラス基板 ２ バッファ層 ３ 多結晶シリコン層 ３ａ チャネル領域 ３ｂ ソース領域 ３ｃ ドレイン領域 ４ ゲート絶縁膜 ５ ゲート電極 ６ 層間絶縁膜 ７、１１ コンタクトホール ８ ソース電極 ９ ドレイン電極 １０ 平坦化膜 １２ 画素電極 １３、２３、３０、３１、３２ 絶縁部材 １３ｂ 端部 １４、２４ 発光層 １５、２５ 陰極 １６、２０ 有機ＥＬ表示装置 １７ ＴＦＴアレイ基板 １８ メタルマスク ２２ 陽極 １０１ ゲートバスライン １０２ ソースバスライン １０３ 電流供給バスライン １０４、１０５ ＴＦＴ １０６ 有機ＥＬ素子 １０７ 蓄積容量 １０８ 単位画素 1,21 glass substrate 2 buffer layers 3 Polycrystalline silicon layer 3a channel region 3b Source area 3c drain region 4 Gate insulation film 5 Gate electrode 6 Interlayer insulation film 7, 11 Contact hole 8 Source electrode 9 Drain electrode 10 Flattening film 12 pixel electrodes 13, 23, 30, 31, 32 Insulation member 13b end 14, 24 Light emitting layer 15, 25 cathode 16, 20 Organic EL display device 17 TFT array substrate 18 metal mask 22 Anode 101 gate bus line 102 source bus line 103 Current supply bus line 104, 105 TFT 106 organic EL device 107 storage capacity 108 unit pixels
Claims (19)
に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された
発光層と、前記発光層上に形成された第二電極と、前記
第一電極の周縁部を被覆する絶縁部材とを備え、前記絶
縁部材は、前記第一電極側の端部に向かって肉厚が薄く
なるエレクトロルミネッセンス表示装置。1. A first electrode formed on a substrate having an insulating property at least on a surface, a light emitting layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the light emitting layer, An electroluminescent display device, comprising: an insulating member that covers a peripheral portion of the first electrode, the insulating member having a thickness that decreases toward an end portion on the first electrode side.
周縁部に対応した領域の前記発光層を被覆する請求項１
記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。2. The insulating member further covers the light emitting layer in a region corresponding to a peripheral portion of the first electrode.
The electroluminescence display device described.
の端部に向かって直線的に減少する請求項１記載のエレ
クトロルミネッセンス表示装置。3. The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the thickness of the insulating member linearly decreases toward the end portion on the first electrode side.
端辺とする傾斜面と前記第一電極の表面とのなす角が６
０度以下である請求項３記載のエレクトロルミネッセン
ス表示装置。4. The angle formed by the inclined surface having the end portion on the first electrode side of the insulating member as an edge and the surface of the first electrode is 6 degrees.
The electroluminescence display device according to claim 3, wherein the electroluminescence display device is 0 degrees or less.
す角の大きさが３０度以下である請求項４記載のエレク
トロルミネッセンス表示装置。5. The electroluminescence display device according to claim 4, wherein an angle formed by the inclined surface and the surface of the first electrode is 30 degrees or less.
端辺とする傾斜面が曲面であって、その前記第一電極側
の端部における接線と前記第一電極の表面とのなす角の
大きさが６０度以下である請求項１記載のエレクトロル
ミネッセンス表示装置。6. The inclined surface having the end portion on the first electrode side of the insulating member as an end side is a curved surface, and the tangent line at the end portion on the first electrode side and the surface of the first electrode are formed. The electroluminescence display device according to claim 1, wherein the angle formed is 60 degrees or less.
項６記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。7. The electroluminescence display device according to claim 6, wherein the size of the corner is 30 degrees or less.
１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。8. The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the insulating member is made of an organic material.
ミド樹脂またはノボラック樹脂を主成分とする請求項８
記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。9. The organic material contains acrylic resin, polyimide resin or novolac resin as a main component.
The electroluminescence display device described.
求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。10. The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the insulating member is made of an inorganic material.
イ素または酸窒化ケイ素を主成分とする請求項１０記載
のエレクトロルミネッセンス表示装置。11. The electroluminescent display device according to claim 10, wherein the inorganic material contains silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride as a main component.
料膜とが積層された積層構造を有する請求項１記載のエ
レクトロルミネッセンス表示装置。12. The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the insulating member has a laminated structure in which an organic material film and an inorganic material film are laminated.
上の表面に、第一電極を形成する第一電極形成工程と、 前記第一電極の周縁部を被覆し、その前記第一電極の表
面側の端部に向かって肉厚が減少した絶縁部材を形成す
る絶縁部材形成工程と、 前記第一電極上に発光層を形成する発光層形成工程と、 前記発光層上に第二電極を形成する第二電極形成工程と
を含むエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。13. A first electrode forming step of forming a first electrode on a surface of a substrate having an insulating property at least, and a peripheral portion of the first electrode is covered, and a surface side of the first electrode is formed. An insulating member forming step of forming an insulating member having a reduced thickness toward an end of the light emitting layer, a light emitting layer forming step of forming a light emitting layer on the first electrode, and a second electrode forming on the light emitting layer. A method of manufacturing an electroluminescence display device, which comprises a step of forming a second electrode.
一電極に対応した開口部を有するマスクを前記絶縁部材
に密着させたのち、前記マスクの前記開口部を介して発
光材料を前記第一電極上に蒸着する請求項１３記載のエ
レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。14. In the step of forming a light emitting layer, a mask having an opening corresponding to the first electrode is brought into close contact with the insulating member, and then a light emitting material is applied to the first electrode through the opening of the mask. The method for manufacturing an electroluminescence display device according to claim 13, wherein the electroluminescence display device is vapor-deposited thereon.
第一電極を覆うように、前記基板上に感光性樹脂材料を
塗布し、さらに前記感光性樹脂材料を選択的に露光及び
現像して、前記第一電極の周縁部以外を露出させるとと
もに前記第一電極の周縁部を被覆する前記絶縁部材を形
成したのち、形成された前記絶縁部材を熱処理して、前
記絶縁部材に前記第一電極側の端部に向かって肉厚が減
少した傾斜面を形成する請求項１３記載のエレクトロル
ミネッセンス表示装置の製造方法。15. In the step of forming the insulating member, a photosensitive resin material is applied onto the substrate so as to cover the first electrode, and the photosensitive resin material is selectively exposed and developed, After forming the insulating member that covers the peripheral portion of the first electrode while exposing a portion other than the peripheral portion of the first electrode, heat treatment is performed on the formed insulating member, and the insulating member on the first electrode side. 14. The method for manufacturing an electroluminescence display device according to claim 13, wherein an inclined surface having a reduced thickness toward the end is formed.
イミド樹脂またはノボラック樹脂を主成分とする請求項
１５記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法。16. The method of manufacturing an electroluminescent display device according to claim 15, wherein the insulating member contains an acrylic resin, a polyimide resin, or a novolac resin as a main component.
第一電極を覆うように、前記基板上に無機材料膜を形成
したのち、前記無機材料膜を選択的にエッチングするこ
とによって前記第一電極の周縁部以外の領域を露出させ
て、前記絶縁部材を形成する請求項１３記載のエレクト
ロルミネッセンス表示装置の製造方法。17. In the step of forming the insulating member, an inorganic material film is formed on the substrate so as to cover the first electrode, and the inorganic material film is selectively etched to form the first electrode of the first electrode. The method of manufacturing an electroluminescence display device according to claim 13, wherein the insulating member is formed by exposing a region other than the peripheral portion.
ケイ素または酸窒化ケイ素を主成分とする請求項１７記
載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。18. The method for manufacturing an electroluminescence display device according to claim 17, wherein the inorganic material film contains silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride as a main component.
分とし、スピンオングラスにより形成される請求項１８
記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。19. The inorganic material film containing silicon oxide as a main component and formed by spin-on-glass.
A method for manufacturing the electroluminescent display device described.
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