JP2000091082A - Organic el display - Google Patents

Organic el display

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JP2000091082A
JP2000091082A JP10254702A JP25470298A JP2000091082A JP 2000091082 A JP2000091082 A JP 2000091082A JP 10254702 A JP10254702 A JP 10254702A JP 25470298 A JP25470298 A JP 25470298A JP 2000091082 A JP2000091082 A JP 2000091082A
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JP
Japan
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organic
electrode
inorganic insulating
insulating layer
display
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Application number
JP10254702A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoki Sano
直樹 佐野
Takayuki Hirano
貴之 平野
Tetsuo Nakayama
徹生 中山
Mitsunobu Sekiya
光信 関谷
Tatsuya Sasaoka
龍哉 笹岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display having high quality of display, high reliability and high manufacturing yield. SOLUTION: This organic EL display 10 is formed by laminating plural stripe first electrodes 12 made of a transparent conductive material, organic layers 13R, 13G, 13B having at least made of an organic light emitting material, and a second electrode 14 on a transparent board 11 in this order. An inorganic insulating layer 15 is provided between adjacent first electrodes 12, 12 so as to cover a side end of the first electrodes 12.... The organic layers 13R, 13G, 13B are provided at a central part of the first electrode 12 in which the organic layers 13R, 13G, 13B are not covered by the inorganic insulating layer 15, in a state of contacting with the first electrode 12 along the longitudinal direction of the first electrode 12.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光層を備え
て構成される有機EL素子を有した、有機EL(有機エ
レクトロルミネセンス)ディスプレイに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL (organic electroluminescence) display having an organic EL element provided with an organic light emitting layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、自発光型フラットパネルディスプ
レイのニーズが高まっており、様々なディスプレイ表示
装置の開発が盛んに行われている。特に、液晶ディスプ
レイ(LCD)やプラズマディスプレイ(PDP)、有
機ELディスプレイなどの開発が精力的に進められてお
り、なかでも、自発光型で高精細の表示も可能である方
式のものとして有機ELディスプレイが注目され、盛ん
にその研究開発がなされている。
2. Description of the Related Art In recent years, the need for self-luminous flat panel displays has been increasing, and various display devices have been actively developed. In particular, the development of a liquid crystal display (LCD), a plasma display (PDP), an organic EL display, etc. has been vigorously pursued. Among them, a self-luminous type which is capable of high-definition display is an organic EL display. Display has attracted attention, and its research and development has been actively pursued.

【0003】有機ELは、文献「Appl.Phys.Lett.51,91
3(1987) 」に示されるように、酸化インジウムスズ(I
TO)/有機正孔輸送層/有機発光層/陰極という素子
構造を持つものがC.W.Tangらによって1987
年に提案されたことをきっかけにして、一層広く研究開
発がなされるようになってきている。
[0003] Organic EL is described in the document "Appl. Phys. Lett. 51, 91".
3 (1987) ".
TO) / organic hole transport layer / organic light emitting layer / cathode has a device structure of C.I. W. 1987 by Tang et al.
Research and development has become more widespread following the proposals made in the year.

【0004】一般にマトリクス型の有機ELディスプレ
イは、図3に示すようにガラス等からなる透明基板1の
表面にストライプ状の透明電極2…が陽極として形成さ
れ、この上に正孔輸送層、有機蛍光体層(有機発光層)
などからなる有機層3…がストライプ状に形成され、さ
らにこの上に金属等からなるストライプ状の陰極4…が
形成されて構成されたものである。
In general, in a matrix type organic EL display, as shown in FIG. 3, a transparent electrode 2 in the form of stripes is formed as an anode on the surface of a transparent substrate 1 made of glass or the like. Phosphor layer (organic light emitting layer)
Are formed in the form of stripes, and the cathodes 4 in the form of stripes made of metal or the like are formed thereon.

【0005】透明電極2…と陰極4…とは互いに直交し
て配置されており、有機層3…は通常陰極4…と同じマ
スクを用いてパターニングされるため、陰極4…と同一
の平面視形状に形成されている。なお、陰極4上には、
通常有機層3の劣化を防ぐため、絶縁材料等からなる保
護膜(図示略)が形成されている。
The transparent electrodes 2 and the cathodes 4 are arranged orthogonal to each other, and the organic layer 3 is usually patterned using the same mask as the cathodes 4. It is formed in a shape. In addition, on the cathode 4,
Usually, a protective film (not shown) made of an insulating material or the like is formed to prevent the organic layer 3 from being deteriorated.

【0006】ところで、このようなマトリクス型の有機
ELディスプレイでは、透明電極2からなる配線のエッ
ジ、すなわち側端部を、図3に示したように該透明電極
2の幅が上から下に行くにつれて広がるようにテーパ状
に形成することがしばしば行われている。これは、テー
パ状に形成しないと、透明電極2の側端部での有機発光
層3のステップカバレージが不十分になり、この側端部
上にて透明電極2と陰極4との間で電気的な短絡が生じ
てしまうおそれがあるからである。すなわち、前述した
ように透明電極2の側端部をテーパ状に形成することに
より有機発光層3のステップカバレージを良くし、透明
電極2と陰極4との間で電気的な短絡を防いでいるので
ある。
By the way, in such a matrix type organic EL display, as shown in FIG. 3, the width of the transparent electrode 2 goes from top to bottom, as shown in FIG. It is often performed to form a tapered shape so as to spread as it goes. If the transparent electrode 2 is not formed in a tapered shape, the step coverage of the organic light emitting layer 3 at the side end of the transparent electrode 2 becomes insufficient, and the electric power between the transparent electrode 2 and the cathode 4 is formed on this side end. This is because there is a possibility that a short circuit may occur. That is, as described above, by forming the side end of the transparent electrode 2 into a tapered shape, the step coverage of the organic light emitting layer 3 is improved, and an electrical short circuit between the transparent electrode 2 and the cathode 4 is prevented. It is.

【0007】また、このような短絡を防ぐ方法として、
他には、ストライプ状に形成された透明電極の側端部
を、有機フォトレジストからなる有機絶縁層で覆う方法
も知られている。ただし、この有機絶縁層の形成によっ
て生じる段差でその上に形成される陰極配線に断線が生
じるおそれがある場合には、該有機絶縁層の側端部、す
なわち透明電極の側端部を覆う箇所をテーパー状に形成
し、前記段差をなるべく小さくするといった手法が採ら
れることもある。このように透明電極の側端部を有機フ
ォトレジストからなる有機絶縁層で覆う場合には、一
旦、透明電極を覆った状態で透明基板の全面に有機フォ
トレジストを成膜し、これをフォトリソグラフィーの手
法によって露光・現像し、パターニングする必要があ
る。
As a method for preventing such a short circuit,
Another known method is to cover a side edge of a transparent electrode formed in a stripe shape with an organic insulating layer made of an organic photoresist. However, when there is a possibility that disconnection may occur in the cathode wiring formed thereon due to a step caused by the formation of the organic insulating layer, a portion covering the side end of the organic insulating layer, that is, a portion covering the side end of the transparent electrode Is formed in a tapered shape and the step is reduced as much as possible. When the side edges of the transparent electrode are covered with an organic insulating layer made of an organic photoresist as described above, an organic photoresist is formed on the entire surface of the transparent substrate once while covering the transparent electrode, and this is subjected to photolithography. It is necessary to perform exposure, development and patterning by the above-mentioned method.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな露光・現像によるパターニングを行うと、本来清浄
になるべき領域である透明電極(陽極)の表面には、フ
ォトレジストの材料である有機物の残渣物が不均一に残
ってしまう。このように有機物の残渣物が不均一に残っ
てしまうと、透明電極上に形成された有機発光層は、残
渣物の量等に応じてその発光のためのしきい値電圧が上
がってしまう。そして、このようにして透明電極2と陰
極4とによって決まる各画素間で、残渣物の量等に応じ
てその発光のためのしきい値電圧にバラツキが生じてし
まうと、有機ELディスプレイにあってはその画面内に
おいて輝度むらなどが起こり、表示品位の低下を招いて
しまう。
However, when patterning is performed by such exposure and development, the surface of the transparent electrode (anode), which should be cleaned, is left with the residue of the organic material which is a photoresist material. Things remain unevenly. If the organic residue remains non-uniformly, the threshold voltage for light emission of the organic light emitting layer formed on the transparent electrode increases in accordance with the amount of the residue and the like. If the threshold voltage for light emission varies between pixels determined by the transparent electrode 2 and the cathode 4 in accordance with the amount of the residue and the like in this manner, the organic EL display may fail. As a result, uneven brightness occurs in the screen, which causes a decrease in display quality.

【0009】また、このような有機フォトレジストから
なる有機絶縁層では、耐圧の信頼性の問題から薄膜化す
ることができないため、この上に形成される陰極4の配
線パターンに大きな段差が生じ易くなってしまい、断線
等による歩留りの低下が起こってしまう。このように、
製造上歩留りが高く、かつ高品位な有機ELディスプレ
イパネルは、従来では提供されていないのである。しか
して、近年情報の高密度化、多様化に伴い、有機ELデ
ィスプレイにおいても低電力損失でかつ高精細、多色化
(フルカラー化)などの高表示品位のものが要求されて
きている。
Further, since the organic insulating layer made of such an organic photoresist cannot be made thinner due to the problem of the reliability of the withstand voltage, a large step is apt to occur in the wiring pattern of the cathode 4 formed thereon. As a result, the yield is reduced due to disconnection or the like. in this way,
An organic EL display panel having a high production yield and high quality has not been conventionally provided. In recent years, with the increase in density and diversification of information, there has been a demand for organic EL displays with low power loss, high definition, and high display quality such as multicolor (full color).

【0010】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、高表示品位であり信頼性
も高くしかも製造上歩留りも高い、有機ELディスプレ
イを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an organic EL display having high display quality, high reliability, and high production yield.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の有機ELディス
プレイでは、透明基板上に、透明導電材料からなるスト
ライプ状の第1の電極複数と、少なくとも有機発光材料
からなる層を有した有機層と、第2の電極とがこの順に
形成され、前記第1の電極の隣り合う電極間に、該第1
の電極の側端部を覆った状態で無機絶縁層が設けられ、
前記有機層が、前記無機絶縁層に覆われない第1の電極
の中央部にて、該第1の電極の長さ方向に沿ってこれに
接した状態で設けられていることを前記課題の解決手段
とした。ここで、無機絶縁層としては、シリコン酸化物
(SiOx )、シリコン窒化物(Six y )、シリコ
ン酸窒化物(SiOx y )、アルミニウム酸化物(A
x y )のいずれか一種あるいは複数種から形成する
のが好ましい。
According to the organic EL display of the present invention, a plurality of striped first electrodes made of a transparent conductive material and an organic layer having at least a layer made of an organic light emitting material are formed on a transparent substrate. , A second electrode are formed in this order, and the first electrode is disposed between adjacent electrodes of the first electrode.
An inorganic insulating layer is provided so as to cover side edges of the electrodes of
It is an object of the present invention that the organic layer is provided in a central portion of the first electrode not covered with the inorganic insulating layer and in contact with the first electrode along the length direction of the first electrode. The solution. Here, the inorganic insulating layer, a silicon oxide (SiO x), silicon nitride (Si x N y), silicon oxynitride (SiO x N y), aluminum oxide (A
l x O y ).

【0012】この有機ELディスプレイの製造方法によ
れば、前記第1の電極の隣り合う電極間に、ステップカ
バレージの難しい第1の電極の側端部を覆った状態で無
機絶縁層を設けているので、該第1の電極の側端部と第
2の電極との間で短絡が生じるのが防止される。また、
無機絶縁層を用いることにより、有機絶縁層を用いる場
合に比べ耐圧や絶縁性等についての信頼性が高くなる。
さらに、製造時に有機物の残渣物が残り易い有機絶縁層
を形成することなく、無機絶縁層を用いることにより、
第1の電極上に残渣物が残るのが抑えられることから、
第1の電極と有機層との間に良好な界面が形成され、こ
れによりしきい値電圧が低く抑えられる。
According to this method of manufacturing an organic EL display, the inorganic insulating layer is provided between the electrodes adjacent to the first electrode so as to cover the side end of the first electrode, which has difficulty in step coverage. Therefore, a short circuit is prevented from occurring between the side end of the first electrode and the second electrode. Also,
By using an inorganic insulating layer, reliability in terms of withstand voltage, insulating properties, and the like is higher than in the case of using an organic insulating layer.
Furthermore, by using an inorganic insulating layer without forming an organic insulating layer in which residues of organic substances are likely to remain during manufacturing,
Since the residue on the first electrode is suppressed,
A good interface is formed between the first electrode and the organic layer, which keeps the threshold voltage low.

【0013】また、前記無機絶縁層を、金属アルミニウ
ムまたはアルミニウム合金を陽極酸化することで得られ
るアルミニウム酸化物によって形成すれば、該アルミニ
ウム酸化物はアルマイト化されて黒色で多孔質状の絶縁
膜となる。したがって、これをブラックマトリクスとし
て直接用いれば、非発光エリアを暗色化してコントラス
トを向上させる可能になる。
Further, when the inorganic insulating layer is formed of aluminum oxide obtained by anodizing metal aluminum or aluminum alloy, the aluminum oxide is anodized to form a black porous insulating film. Become. Therefore, if this is directly used as a black matrix, the non-light-emitting area can be darkened to improve the contrast.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の有機ELディスプ
レイを詳しく説明する。図1は本発明の有機ELディス
プレイの一実施形態例を示す図であり、該有機ELディ
スプレイの発光エリアの概略構成を示す要部側断面図で
ある。図1において符号10はRGB方式によるフルカ
ラーのマトリクス型有機ELディスプレイである。この
有機ELディスプレイ10においては、透明ガラスから
なる透明基板11の表面にストライプ状の透明電極(第
1の電極)12…が陽極として形成され、この上に正孔
輸送層、有機蛍光体層(有機発光層)などからなるスト
ライプ状の有機層13R、13G、13B…が形成さ
れ、さらにこの上にストライプ状の陰極(第2の電極)
14…が形成されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an organic EL display of the present invention will be described in detail. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the organic EL display of the present invention, and is a sectional side view of a main part showing a schematic configuration of a light emitting area of the organic EL display. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a full-color matrix type organic EL display according to the RGB system. In this organic EL display 10, stripe-shaped transparent electrodes (first electrodes) 12... Are formed as anodes on the surface of a transparent substrate 11 made of transparent glass, and a hole transport layer, an organic phosphor layer ( Are formed. The organic layers 13R, 13G, 13B,... Are formed of stripes, and a cathode (second electrode) is formed thereon.
.. Are formed.

【0015】透明電極(第1の電極)12…は、酸化イ
ンジウムスズ(ITO)や酸化スズ(SnO2 )、酸化
亜鉛(ZnO)等の導電性の高い透明導電材料から形成
されるもので、本例では酸化インジウムスズによって形
成されている。また、これら透明電極12…は、その両
側端部が、上から下に行くにつれて該透明電極12の幅
が漸次広がるよう、テーパ状に形成されている。なお、
線順次走査方式のフラットディスプレイの場合では、通
常は配線抵抗による電圧降下を抑制するため、電気抵抗
の高い透明電極12は大電流の流れる水平方向に走る走
査線側には用いられず、垂直方向のデータラインとして
用いられる。したがって、本例においても透明電極12
…は、垂直方向のデータラインとなっている。
The transparent electrodes (first electrodes) 12 are formed of a highly conductive transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). In the present example, it is formed of indium tin oxide. Are formed in a tapered shape such that the width of the transparent electrode 12 gradually increases from top to bottom. In addition,
In the case of the flat display of the line sequential scanning system, usually, in order to suppress a voltage drop due to wiring resistance, the transparent electrode 12 having a high electric resistance is not used on the scanning line side running in the horizontal direction where a large current flows, but in the vertical direction. Is used as a data line. Therefore, also in this example, the transparent electrode 12
.. Are vertical data lines.

【0016】陰極14…は、一般にAlによって形成さ
れており、本例においてもAlによって形成されてい
る。なお、この陰極14…の形成材料として他に例え
ば、AlにLiを適当な方法でドーピングした材料や、
Mg−Ag系の合金など周期律表第IIa族系アルカリ
土類金属含有の合金を用いることもできる。これらはい
ずれも仕事関数の低い材料であり、発光のしきい値電圧
を下げる効果を有している。透明電極12…と陰極14
…とは、XYマトリクスを形成すべく互いに直交して配
置されており、また陰極14…上には、有機層13…の
劣化を防ぐため、絶縁材料等からなる保護膜(図示略)
が形成されている。
The cathodes 14 are generally made of Al, and in this embodiment, they are also made of Al. In addition, as a material for forming the cathodes 14, for example, a material in which Al is doped with Li by an appropriate method,
An alloy containing an alkaline earth metal of Group IIa of the periodic table, such as an Mg-Ag alloy, can also be used. All of these are materials having a low work function and have an effect of lowering the threshold voltage of light emission. Transparent electrode 12 and cathode 14
Are arranged orthogonally to each other to form an XY matrix, and a protective film (not shown) made of an insulating material or the like on the cathodes 14 to prevent the organic layers 13 from deteriorating.
Are formed.

【0017】また、透明電極12…における隣り合う電
極12、12間には、無機絶縁層15が形成配置されて
いる。無機絶縁層15は、前記透明電極12のテーパ状
に形成された側端部を覆って配設され、さらに該透明電
極12、12間を埋め込んだ状態に形成されたものであ
る。これら無機絶縁層15…には、透明電極12の側端
部を覆った箇所に、下側から上側に行くにつれて透明電
極12の中央部側から側端部側に向かうテーパ部15a
が形成されている。
Further, an inorganic insulating layer 15 is formed and arranged between the adjacent electrodes 12 in the transparent electrodes 12. The inorganic insulating layer 15 is disposed so as to cover the tapered side end of the transparent electrode 12, and is formed so as to bury the transparent electrodes 12, 12. In these inorganic insulating layers 15, a tapered portion 15 a is provided at a portion covering the side end of the transparent electrode 12, from the lower side to the upper side, from the center to the side end of the transparent electrode 12.
Are formed.

【0018】また、この無機絶縁層15は、シリコン酸
化物(SiOx )、シリコン窒化物(Six y )、シ
リコン酸窒化物(SiOx y )、アルミニウム酸化物
(Alx y )等の無機絶縁材料のうちの一種あるいは
複数種から形成されたものである。特に、シリコン酸化
物(SiOx )やシリコン窒化物(Six y )、シリ
コン酸窒化物(SiOx y )で形成するのが、これら
をプラズマCVD法などで容易に成膜することができ、
好ましい。
Further, the inorganic insulating layer 15, silicon oxide (SiO x), silicon nitride (Si x N y), silicon oxynitride (SiO x N y), aluminum oxide (Al x O y) And the like, and are formed from one or more of inorganic insulating materials. In particular, silicon oxide (SiO x) or silicon nitride (Si x N y), to form a silicon oxynitride (SiO x N y) may be easily formed thereof, and the like by a plasma CVD method Can,
preferable.

【0019】前記有機層13R、13G、13Bは、有
機層13Rが赤色を発光し、有機層13Gが緑色を発光
し、有機層13Bが青色を発光するものとなっている。
これら有機層13R、13G、13Bは、透明電極12
の前記無機絶縁層15に覆われない箇所、すなわち透明
電極12の中央部に接した状態で形成されたもので、該
透明電極12の長さ方向に沿ってストライプ状に配設さ
れたものである。
The organic layers 13R, 13G, and 13B are such that the organic layer 13R emits red light, the organic layer 13G emits green light, and the organic layer 13B emits blue light.
These organic layers 13R, 13G, and 13B form the transparent electrode 12
A portion that is not covered by the inorganic insulating layer 15, that is, a portion that is formed in contact with the center of the transparent electrode 12, and that is disposed in a stripe shape along the length direction of the transparent electrode 12. is there.

【0020】このような構成の有機ELディスプレイ1
0を作製するには、まず、図2(a)に示すようにガラ
ス等からなる透光性(すなわち透明)の透明基板11を
用意し、この透明基板11の上に透明導電材料層(図示
略)を成膜する。そして、この透明導電材料層をその両
側端部がテーパ状となるストライプ状、すなわちXYマ
トリクスタイプのディスプレイにおける、データ専用の
パターン形状にパターニングし、陽極となる透明電極1
2…を複数並列した状態に形成する。
The organic EL display 1 having such a configuration
In order to manufacture the transparent substrate 11, first, as shown in FIG. 2A, a transparent (ie, transparent) transparent substrate 11 made of glass or the like is prepared, and a transparent conductive material layer (shown in FIG. (Abbreviation). Then, this transparent conductive material layer is patterned into a stripe shape in which both side edges are tapered, that is, a pattern dedicated to data in an XY matrix type display, and a transparent electrode 1 serving as an anode is formed.
2 are formed in parallel.

【0021】ここで、透明導電材料層の成膜法として
は、DCおよびRFマグネトロンスパッタ法が一般的で
あるが、CVD法や反応性真空蒸着法等を採用すること
もできる。また、透明導電材料層のパターニング方法に
ついては、特に限定されることはないものの、得られる
透明電極12の側端部をテーパ状に形成できるパターニ
ング法が望ましく、例えば、塩酸硝酸系混酸によるウエ
ットエッチングが採用される。
Here, as a method of forming the transparent conductive material layer, a DC and RF magnetron sputtering method is generally used, but a CVD method, a reactive vacuum deposition method, or the like can also be adopted. The method of patterning the transparent conductive material layer is not particularly limited, but is preferably a patterning method capable of forming the side end of the obtained transparent electrode 12 into a tapered shape, for example, wet etching using hydrochloric acid / nitric acid-based mixed acid. Is adopted.

【0022】次に、図2(b)に示すように、透明電極
12…を覆った状態に無機絶縁膜16を形成する。この
無機絶縁膜16は、前記無機絶縁層15の形成材料から
なるもので、前述したようにシリコン酸化物(Si
x )、シリコン窒化物(SixNy )、シリコン酸窒化
物(SiOx y )、アルミニウム酸化物(Al
x y)等の無機絶縁材料からなるものである。このよ
うな無機絶縁膜16の成膜法としては、通常はプラズマ
CVD法が用いられるが、これに限定されることなく、
スピンオングラス(SOG)法やゾル−ゲル法などの湿
式の成膜法も採用可能である。
Next, as shown in FIG. 2B, an inorganic insulating film 16 is formed so as to cover the transparent electrodes 12. The inorganic insulating film 16 is made of a material for forming the inorganic insulating layer 15, and has a silicon oxide (Si
O x), silicon nitride (Si x N y), silicon oxynitride (SiO x N y), aluminum oxide (Al
x O y ). As a method for forming such an inorganic insulating film 16, a plasma CVD method is usually used, but is not limited thereto.
A wet film forming method such as a spin-on-glass (SOG) method or a sol-gel method can also be adopted.

【0023】また、プラズマCVD法を採用した場合に
おいても、当然ながら原料ガスについては限定されるこ
となく、例えばTEOSプラズマCVD法のように、T
EOSなどの液体ソースを蒸気化して成膜させてもよ
い。特に、下地の陽極となる透明電極12…がITOか
らなっている場合、無機絶縁膜16の成膜の際に該透明
電極12…が酸素プラズマや水素プラズマに長時間晒さ
れると、得られる有機ELディスプレイのしきい値電圧
が上昇する傾向があることからこれに注意をしなければ
ならないが、TEOSプラズマCVD法などは、通常の
プラズマCVDに比べて下地へのダメージが少ないとい
う利点がある。
In the case where the plasma CVD method is employed, the source gas is naturally not limited.
A liquid source such as EOS may be vaporized to form a film. In particular, when the transparent electrodes 12 serving as the base anode are made of ITO, if the transparent electrodes 12 are exposed to oxygen plasma or hydrogen plasma for a long time during the formation of the inorganic insulating film 16, the obtained organic It should be noted that the threshold voltage of an EL display tends to increase, but the TEOS plasma CVD method and the like have an advantage that damage to a base is less than that of a normal plasma CVD method.

【0024】また、無機絶縁膜16の形成材料としてア
ルミニウム酸化物を用いる場合、その成膜法としては、
アルミニウムを成膜してこれをシュウ酸などの溶液中で
陽極酸化し、酸化アルミニウム皮膜を形成してこれを無
機絶縁膜16とする、といった方法を採用することがで
きる。このような成膜法によれば、得られる皮膜を、電
界条件によって多孔質状の無機絶縁膜にすることができ
る。そして、この無機絶縁膜の孔の径を変えることによ
り、可視域の光に対する良好な吸収体にすることができ
るのである。また、これをさらに封孔処理することによ
り、様々な色に発色した色アルマイトにすることができ
る。
When aluminum oxide is used as a material for forming the inorganic insulating film 16, the film forming method is as follows.
It is possible to adopt a method in which aluminum is formed and then anodized in a solution such as oxalic acid to form an aluminum oxide film, which is used as the inorganic insulating film 16. According to such a film forming method, the obtained film can be made into a porous inorganic insulating film depending on electric field conditions. By changing the diameter of the holes in the inorganic insulating film, a good absorber for light in the visible region can be obtained. Further, by subjecting this to a further sealing treatment, it is possible to obtain a color alumite which is colored in various colors.

【0025】特に、黒色アルマイトにすれば、これから
得られる無機絶縁層15により、透明基板11や透明電
極12に沿ったルミネッセンスの導波成分を抑えること
ができ、また外光反射成分を抑制することもできるの
で、高コントラストでかつクロストークのない高精細な
表示を得ることができるようになる。つまり、このよう
な黒色アルマイトからなる無機絶縁膜16を用いれば、
これから得られる無機絶縁層15が、ブラックマトリク
スの機能も有するようになるのである。なお、シリコン
含有のアルミ合金を陽極酸化して無機絶縁膜16を形成
すれば、特に封孔処理を施さなくても十分に黒化したア
ルマイト皮膜を得ることもできる。
In particular, if black alumite is used, the inorganic insulating layer 15 obtained therefrom can suppress the luminescence waveguide component along the transparent substrate 11 and the transparent electrode 12 and suppress the external light reflection component. Therefore, a high-definition display with high contrast and no crosstalk can be obtained. That is, if such an inorganic insulating film 16 made of black alumite is used,
The resulting inorganic insulating layer 15 also has a black matrix function. If the inorganic insulating film 16 is formed by anodizing a silicon-containing aluminum alloy, a sufficiently blackened alumite film can be obtained without any particular sealing treatment.

【0026】次いで、各画素の周辺部における無機絶縁
膜(図示略)を残した状態のままで、発光エリアにおけ
る透明電極12…上の無機絶縁膜16を公知のフォトリ
ソグラフィー技術、エッチング技術によってパターニン
グし、図2(c)に示すように透明電極12の側端部を
覆い、かつその中央部を開口した状態のストライプ状無
機絶縁層15…を形成する。
Next, the inorganic insulating film 16 on the transparent electrodes 12... In the light emitting area is patterned by a known photolithography technique and etching technique while leaving the inorganic insulating film (not shown) in the peripheral portion of each pixel. Then, as shown in FIG. 2C, the stripe-shaped inorganic insulating layers 15 are formed so as to cover the side edges of the transparent electrode 12 and open the center thereof.

【0027】エッチング法としては、無機絶縁膜16が
シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなっている場
合、CF4 等のフッ素系のガスを用いた反応性イオンエ
ッチング(RIE)などのプラズマエッチングを採用す
ることができる。このようなプラズマエッチングによれ
ば、例えば下地である透明電極12…がITOである場
合に十分なエッチング選択比を採ることができ、したが
ってITO(透明電極12…)をほとんどエッチングす
ることなく無機絶縁膜16のみをパターニングすること
ができる。
As the etching method, when the inorganic insulating film 16 is made of a silicon oxide film or a silicon nitride film, plasma etching such as reactive ion etching (RIE) using a fluorine-based gas such as CF 4 is used. Can be adopted. According to such plasma etching, for example, when the transparent electrodes 12 serving as a base are made of ITO, a sufficient etching selectivity can be obtained. Only the film 16 can be patterned.

【0028】ただし、無機絶縁層15…の上に形成され
る陰極14…からなる配線の断線などを抑えるべく、該
無機絶縁層15をテーパー状にエッチングするために
は、若干の酸素などをエッチングガスに混合することに
より、レジストパターンのエッチングレートを上げるな
どの方法を採る必要がある。また、無機絶縁膜16のエ
ッチングについては、RIEなどのドライエッチングに
限ることなく、フッ酸系のエッチング液を用いたウエッ
トエッチング法を用いることもできる。
However, in order to etch the inorganic insulating layer 15 in a tapered shape in order to suppress disconnection of the wiring composed of the cathodes 14 formed on the inorganic insulating layers 15, a slight amount of oxygen or the like is etched. It is necessary to adopt a method of increasing the etching rate of the resist pattern by mixing with a gas. In addition, the etching of the inorganic insulating film 16 is not limited to dry etching such as RIE, but may be a wet etching method using a hydrofluoric acid-based etchant.

【0029】また、特に無機絶縁膜16を陽極酸化法に
よる酸化アルミニウム皮膜、あるいは酸化アルミニウム
合金で形成した場合、陽極酸化を行う前にパターニング
(エッチング)しておくのが好ましい。なぜなら、単な
るエッチングであれば高温のリン酸によりウエットエッ
チングが可能であるが、パターンエッチングを行う場合
には通常フォトレジストがもたず、酸化膜のドライエッ
チングやウエットエッチングが困難になってしまうこと
が多いからである。
In particular, when the inorganic insulating film 16 is formed of an aluminum oxide film or an aluminum oxide alloy by an anodizing method, it is preferable to perform patterning (etching) before performing the anodizing. This is because wet etching is possible with high-temperature phosphoric acid if it is just etching, but dry etching or wet etching of an oxide film becomes difficult when pattern etching is performed because there is usually no photoresist. Because there are many.

【0030】次に、有機正孔輸送膜(図示略)や有機蛍
光体膜(図示略)等の積層膜(図示略)からなる発光材
料層(図示略)の成膜、およびこれのパターニングをR
(赤)、G(緑)、B(青)のそれぞれに対応して順次
行い、図2(d)に示すように赤色を発光する有機層1
3R、緑色を発光する有機層13G、青色を発光する有
機層13Bを所定パターン、すなわち透明電極12の中
央部に接し、かつ該透明電極12の長さ方向に沿ったス
トライプ状に形成する。
Next, a light emitting material layer (not shown) composed of a laminated film (not shown) such as an organic hole transport film (not shown) or an organic phosphor film (not shown) is formed and patterned. R
(Red), G (green), and B (blue) are sequentially performed, and the organic layer 1 that emits red light as shown in FIG.
3R, an organic layer 13G that emits green light, and an organic layer 13B that emits blue light are formed in a predetermined pattern, that is, in a stripe shape in contact with the center of the transparent electrode 12 and along the length direction of the transparent electrode 12.

【0031】これら有機層13R、13G、13Bにつ
いては、その材料の種類、構成、膜厚、色素のドーピン
グ形態等について特に限定されることはない。例えば、
緑色を発光する有機層13Gとしては、正孔輸送層とし
てTPDやα−NPDなどが形成され、電子輸送層かつ
発光層としてAlq3等が形成された2層構造のものが
用いられるが、これに限定されることはない。また、発
光色によっては、Alq3に適当な色素をドーピングさ
れて用いられる。
Regarding the organic layers 13R, 13G, and 13B, there is no particular limitation on the type of material, the configuration, the film thickness, the doping form of the dye, and the like. For example,
As the organic layer 13G that emits green light, a two-layer structure in which TPD, α-NPD, or the like is formed as a hole transport layer and Alq3 or the like is formed as an electron transport layer and a light emitting layer is used. It is not limited. Further, depending on the emission color, Alq3 is used after being doped with an appropriate dye.

【0032】これらの材料は低分子有機材料であるが、
このような低分子系の発光材料は、一般に真空蒸着によ
って成膜することができる。したがって、ディスプレイ
パネルを多色化にするべく、赤色(13R)、緑色(1
3G)、青色(13B)の三種類の有機層を形成するに
は、真空蒸着による成膜時に、蒸着マスクを用いて所定
の場所のみに特定の発光材料を成膜するようにし、これ
を複数回(3回)繰り返してRGBのパターンをそれぞ
れに形成すればよいのである。
Although these materials are low molecular organic materials,
Such a low molecular light emitting material can be generally formed into a film by vacuum evaporation. Therefore, in order to make the display panel multi-colored, red (13R), green (1R)
In order to form three types of organic layers of 3G) and blue (13B), a specific light emitting material is formed only at a predetermined place using a vapor deposition mask at the time of film formation by vacuum vapor deposition. It is sufficient to form the RGB patterns for each of the times (three times).

【0033】次いで、図1に示したように前記透明電極
12、有機層13R、13G、13Bに直交するストラ
イプ状の陰極14…を形成する。なお、この陰極14…
の配線パターニングとしては、該陰極14…がXYマト
リクスの走査線として用いられるようにして行う。これ
ら陰極14…の形成方法としては、マスクを用いてパタ
ーン形成する真空蒸着法が好適に採用されるが、他にス
パッタ法などを用いることもできる。
Next, as shown in FIG. 1, striped cathodes 14 orthogonal to the transparent electrodes 12 and the organic layers 13R, 13G, 13B are formed. In addition, this cathode 14 ...
Is performed so that the cathodes 14 are used as scanning lines of an XY matrix. As a method of forming the cathodes 14, a vacuum deposition method of forming a pattern using a mask is suitably employed, but a sputtering method or the like can also be used.

【0034】その後、有機層13R、13G、13Bが
空気中の酸素や水分に触れないようにこれらを保護する
ため、例えば低温で低ダメージの成膜が可能な材料によ
ってオーバーコート用の保護膜を形成することなどによ
り、本発明の有機ELディスプレイ10を得る。
Thereafter, in order to protect the organic layers 13R, 13G, and 13B from contact with oxygen and moisture in the air, for example, a protective film for overcoating is formed with a material capable of forming a film with low damage at a low temperature. By forming, for example, the organic EL display 10 of the present invention is obtained.

【0035】このような有機ELディスプレイ10にあ
っては、透明電極12…における隣り合う電極12、1
2間に、その側端部を覆った状態で無機絶縁層15を設
けているので、この側端部上での透明電極12と陰極1
4との間の短絡を防止することができる。また、無機絶
縁層15を用いていることにより、有機絶縁層を用いた
場合に比べ耐圧や絶縁性等についての信頼性を高くする
ことができる。さらに、無機絶縁層15を用いているこ
とにより透明電極12上に残渣物が残るのを抑えられる
ことから、透明電極12と有機層13R、13G、13
Bとの間に良好な界面を形成することができ、したがっ
てしきい値電圧が低く抑えることができる。
In such an organic EL display 10, adjacent ones of the transparent electrodes 12,.
2, the inorganic insulating layer 15 is provided so as to cover the side end, so that the transparent electrode 12 and the cathode 1 on this side end are provided.
4 can be prevented. In addition, the use of the inorganic insulating layer 15 makes it possible to increase the reliability of the withstand voltage, the insulating property, and the like, as compared with the case where the organic insulating layer is used. Further, since the residue on the transparent electrode 12 can be suppressed by using the inorganic insulating layer 15, the transparent electrode 12 and the organic layers 13R, 13G, 13
A good interface can be formed with B, so that the threshold voltage can be kept low.

【0036】なお、前記実施形態例では透明基板11と
して透明ガラスを用いたが、本発明は透明基板としてそ
の材質や厚さ、サイズについて特に限定されることな
く、例えば、透光性のあるポリエステルフィルムのよう
な有機高分子材料を透明基板に用いてもよい。また、有
機層13R、13G、13Bの形成材料についても、前
述したような低分子有機材料に限定されることなく、高
分子タイプの材料、例えばポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)(PVK)や有機ポリシラン系材料を用いることも
でき、その場合、成膜方法についても特に限定されるこ
となく、例えばスピンコート法や印刷法、キャスト法な
どを用いることができる。
Although the transparent glass is used as the transparent substrate 11 in the above embodiment, the present invention is not limited to the material, thickness and size of the transparent substrate. An organic polymer material such as a film may be used for the transparent substrate. Further, the material for forming the organic layers 13R, 13G, and 13B is not limited to the low-molecular-weight organic material as described above, but may be a polymer-type material such as poly (N-vinylcarbazole) (PVK) or organic polysilane. A system material can also be used. In this case, a film formation method is not particularly limited, and for example, a spin coating method, a printing method, a casting method, or the like can be used.

【0037】また、前記実施形態例では、特にRGB3
色をもつフルカラーディスプレイについて延べたが、発
光色についてもこれに限定されることはない。また、有
機層13R、13G、13Bおよび陰極14のパターニ
ング方法についても、マスク蒸着による方法以外に、リ
ソグラフィー技術とドライエッチング技術によるパター
ニング法など、従来公知の種々の技術が採用可能であ
る。
In the above-described embodiment, the RGB3
Although the description has been made on the full-color display having colors, the emission color is not limited to this. As for the method of patterning the organic layers 13R, 13G, 13B and the cathode 14, various conventionally known techniques such as a patterning method using a lithography technique and a dry etching technique can be adopted in addition to a method using a mask vapor deposition.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように本発明の有機ELデ
ィスプレイは、第1の電極の隣り合う電極間にその側端
部を覆った状態で無機絶縁層を設けたものであるから、
該第1の電極の側端部と第2の電極との間で短絡が生じ
るのを防止することができ、したがって高い信頼性を得
ることができるとともに、製造上の歩留りを高めること
もできる。また、無機絶縁層を用いることにより、有機
絶縁層を用いる場合に比べ耐圧や絶縁性等についての信
頼性も高くすることができる。さらに、製造時に有機物
の残渣物が残り易い有機絶縁層を形成することなく、無
機絶縁層を用いることにより、第1の電極上に残渣物が
残るのが抑えることができることから、第1の電極と有
機層との間に良好な界面を形成することができ、これに
よりしきい値電圧を低く抑えて輝度むらのない高品位の
表示を得ることができる。
As described above, the organic EL display of the present invention is provided with the inorganic insulating layer between the electrodes adjacent to the first electrode while covering the side end thereof.
It is possible to prevent a short circuit from occurring between the side end of the first electrode and the second electrode, so that high reliability can be obtained and the production yield can be increased. In addition, by using an inorganic insulating layer, reliability of withstand voltage, insulating property, and the like can be increased as compared with the case of using an organic insulating layer. Furthermore, by using an inorganic insulating layer without forming an organic insulating layer in which an organic residue is likely to remain during manufacturing, residue can be suppressed from remaining on the first electrode. A good interface can be formed between the semiconductor layer and the organic layer, whereby a high-quality display without luminance unevenness can be obtained with a low threshold voltage.

【0039】また、前記無機絶縁層を、金属アルミニウ
ムまたはアルミニウム合金を陽極酸化することで得られ
るアルミニウム酸化物によって形成すれば、該アルミニ
ウム酸化物はアルマイト化されて黒色で多孔質状の絶縁
膜となる。したがって、これをブラックマトリクスとし
て直接用いれば、非発光エリアを暗色化してコントラス
トを向上させる効果を持たせることができる。
When the inorganic insulating layer is formed of aluminum oxide obtained by anodizing metal aluminum or aluminum alloy, the aluminum oxide is anodized to form a black porous insulating film. Become. Therefore, if this is used directly as a black matrix, the effect of darkening non-light-emitting areas and improving contrast can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の有機ELディスプレイの一実施形態例
を示す図であり、有機ELディスプレイの発光エリアの
概略構成を示す要部側断面図である。
FIG. 1 is a view showing one embodiment of an organic EL display of the present invention, and is a sectional side view of a main part showing a schematic configuration of a light emitting area of the organic EL display.

【図2】(a)〜(d)は、図1に示した有機ELディ
スプレイの製造方法を工程順に説明するための要部側断
面図である。
FIGS. 2 (a) to 2 (d) are cross-sectional views of essential parts for describing a method of manufacturing the organic EL display shown in FIG. 1 in the order of steps.

【図3】従来の有機ELディスプレイの一例の概略構成
を示す要部側断面図である。
FIG. 3 is a side sectional view showing a main part of a schematic configuration of an example of a conventional organic EL display.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…有機ELディスプレイ、11…透明基板、12…
透明電極、13R,13G,13B…有機層、14…陰
極、15…無機絶縁層、15a…テーパ部
10 ... organic EL display, 11 ... transparent substrate, 12 ...
Transparent electrodes, 13R, 13G, 13B: organic layer, 14: cathode, 15: inorganic insulating layer, 15a: tapered portion

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 徹生 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 関谷 光信 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 笹岡 龍哉 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB04 AB05 AB07 AB18 BA06 CA01 CB00 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Tetsuo Nakayama 6-7-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Corporation (72) Inventor Mitsunobu Sekiya 6-35, Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Corporation (72) Inventor Tatsuya Sasaoka 6-35 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo F-term within Sony Corporation (reference) 3K007 AB00 AB04 AB05 AB07 AB18 BA06 CA01 CB00 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板上に、透明導電材料からなるス
トライプ状の第1の電極複数と、少なくとも有機発光材
料からなる層を有した有機層と、第2の電極とがこの順
に形成され、 前記第1の電極の隣り合う電極間に、該第1の電極の側
端部を覆った状態で無機絶縁層が設けられ、 前記有機層が、前記無機絶縁層に覆われない第1の電極
の中央部にて、該第1の電極の長さ方向に沿ってこれに
接した状態で設けられていることを特徴とする有機EL
ディスプレイ。
1. A plurality of striped first electrodes made of a transparent conductive material, an organic layer having at least a layer made of an organic light emitting material, and a second electrode are formed in this order on a transparent substrate, An inorganic insulating layer provided between adjacent electrodes of the first electrode so as to cover a side end of the first electrode; a first electrode in which the organic layer is not covered by the inorganic insulating layer; Characterized in that the organic EL device is provided in a central portion of the first electrode so as to be in contact with the first electrode along the longitudinal direction thereof.
display.
【請求項2】 前記無機絶縁層がシリコン酸化物によっ
て形成されてなることを特徴とする請求項1記載の有機
ELディスプレイ。
2. The organic EL display according to claim 1, wherein said inorganic insulating layer is formed of silicon oxide.
【請求項3】 前記無機絶縁層がシリコン窒化物によっ
て形成されてなることを特徴とする請求項1記載の有機
ELディスプレイ。
3. The organic EL display according to claim 1, wherein said inorganic insulating layer is formed of silicon nitride.
【請求項4】 前記無機絶縁層がシリコン酸窒化物によ
って形成されてなることを特徴とする請求項1記載の有
機ELディスプレイ。
4. The organic EL display according to claim 1, wherein said inorganic insulating layer is formed of silicon oxynitride.
【請求項5】 前記無機絶縁層がアルミニウム酸化物に
よって形成されてなることを特徴とする請求項1記載の
有機ELディスプレイ。
5. The organic EL display according to claim 1, wherein said inorganic insulating layer is formed of aluminum oxide.
【請求項6】 前記無機絶縁層を形成するアルミニウム
酸化物が、金属アルミニウムまたはアルミニウム合金を
陽極酸化することによって得られたものであることを特
徴とする請求項5記載の有機ELディスプレイ。
6. The organic EL display according to claim 5, wherein the aluminum oxide forming the inorganic insulating layer is obtained by anodizing metallic aluminum or an aluminum alloy.
【請求項7】 前記無機絶縁層における第1の電極の側
端部を覆った箇所が、下側から上側に行くにつれて第1
の電極の中央部側から側端部側に向かうテーパ部を有し
て形成されていることを特徴とする請求項1記載の有機
ELディスプレイ。
7. A portion of the inorganic insulating layer, which covers a side end of the first electrode, moves from the lower side to the upper side in the first direction.
2. The organic EL display according to claim 1, wherein the organic EL display is formed to have a tapered portion extending from a center portion side to a side end portion side of the electrode.
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