JP2003216068A - Display device and substrate for display device, and method of manufacturing the same - Google Patents

Display device and substrate for display device, and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP2003216068A
JP2003216068A JP2002018048A JP2002018048A JP2003216068A JP 2003216068 A JP2003216068 A JP 2003216068A JP 2002018048 A JP2002018048 A JP 2002018048A JP 2002018048 A JP2002018048 A JP 2002018048A JP 2003216068 A JP2003216068 A JP 2003216068A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
display device
glass substrates
glass substrate
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002018048A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyohiro Kawasaki
清弘 川崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002018048A priority Critical patent/JP2003216068A/en
Publication of JP2003216068A publication Critical patent/JP2003216068A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the thickness of a glass board in order to reduce the weight of a liquid crystal panel. <P>SOLUTION: The board for the display device is obtained by disposing a thin glass sheet opposite to a thick glass plate with substantially no clearances and fusing their peripheral edges, or disposing the thin glass sheet opposite to the thick glass plate across a spacer under reduced pressure, then fusing the peripheral edges thereby forming the laminated glass plate. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はカラー表示機能を有
する表示装置、とりわけアクティブ型の表示装置に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device having a color display function, and more particularly to an active type display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の微細加工技術、液晶材料技術およ
び高密度実装技術等の進歩により、5〜50cm対角の
液晶表示装置でテレビジョン画像や各種の画像表示機器
が商用ベースで大量に提供されている。また、液晶パネ
ルを構成する2枚のガラス基板の一方にR、G、Bの着
色層を形成しておくことによりカラー表示も容易に実現
している。特にスイッチング素子を絵素毎に内蔵させ
た、いわゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストー
クも少なくかつ高速応答で高いコントラスト比を有する
画像が保証されている。
2. Description of the Related Art Recent advances in microfabrication technology, liquid crystal material technology, high-density packaging technology, and the like have provided a large amount of television images and various image display devices on a commercial basis with liquid crystal display devices having a diagonal length of 5 to 50 cm. Has been done. Further, color display is easily realized by forming R, G, and B colored layers on one of the two glass substrates constituting the liquid crystal panel. In particular, in a so-called active type liquid crystal panel in which a switching element is built in for each picture element, an image having a small crosstalk, a high-speed response, and a high contrast ratio is guaranteed.

【0003】これらの液晶表示装置(液晶パネル)は走
査線としては200〜1200本、信号線としては20
0〜1600本程度のマトリクス編成が一般的である
が、最近は表示容量の増大に対応すべく大画面化と高精
細化とが同時に進行している。
In these liquid crystal display devices (liquid crystal panels), 200 to 1200 scanning lines and 20 signal lines are used.
A matrix organization of about 0 to 1600 is generally used, but recently, in order to cope with an increase in display capacity, a larger screen and a higher definition have been simultaneously advanced.

【0004】図8は液晶パネルへの実装状態を示し、液
晶パネル1を構成する一方の透明性絶縁基板、例えばガ
ラス基板2上に形成された走査線の電極端子群6に駆動
信号を供給する半導体集積回路チップ3を導電性の接着
剤を用いて接続するCOG(Chip−On−Glas
s)方式や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースと
し、金または半田鍍金された銅箔の端子(図示せず)を
有するTCPフィルム4を信号線の電極端子群5に導電
性媒体を含む適当な接着剤で圧接して固定するTCP
(Tape−Carrier−Package)方式な
どの実装手段によって電気信号が画像表示部に供給され
る。ここでは便宜上二つの実装方式を同時に図示してい
るが実際には何れかの方式が適宜選択される。
FIG. 8 shows a state of mounting on a liquid crystal panel, in which a drive signal is supplied to an electrode terminal group 6 of scanning lines formed on one transparent insulating substrate which constitutes the liquid crystal panel 1, for example, a glass substrate 2. COG (Chip-On-Glass) for connecting the semiconductor integrated circuit chip 3 using a conductive adhesive
s) method or a suitable method in which a TCP film 4 based on a polyimide resin thin film and having gold or solder-plated copper foil terminals (not shown) is included in a signal line electrode terminal group 5 containing a conductive medium. TCP fixed by pressure contact with adhesive
An electric signal is supplied to the image display unit by mounting means such as a (Tape-Carrier-Package) method. Here, for convenience, two mounting methods are shown at the same time, but in practice, either method is appropriately selected.

【0005】8は液晶パネル1のほぼ中央部に位置する
画像表示部と信号線および走査線の電極端子群5、6と
の間を接続する配線路で、必ずしも電極端子群5、6と
同一の導電材で構成される必要はない。9は全ての液晶
セルに共通する透明導電性の対向電極を対向面上に有す
るもう1枚の透明性絶縁基板である対向ガラス基板また
はカラーフィルタである。
Reference numeral 8 denotes a wiring path for connecting the image display portion located in the substantially central portion of the liquid crystal panel 1 and the electrode terminal groups 5 and 6 of the signal line and the scanning line, which are not necessarily the same as the electrode terminal groups 5 and 6. Need not be composed of a conductive material. Reference numeral 9 is a counter glass substrate or a color filter which is another transparent insulating substrate having a transparent conductive counter electrode common to all liquid crystal cells on the counter surface.

【0006】図9はスイッチング素子として絶縁ゲート
型トランジスタ10を絵素毎に配置したアクティブ型液
晶パネルの等価回路図を示し、11(図8では配線路
8)は走査線、12(図8では配線路7)は信号線、1
3は液晶セルであって、液晶セル13は電気的には容量
素子として扱われる。実線で描かれた素子類は液晶パネ
ルを構成する一方のガラス基板2上に形成され、点線で
描かれた全ての液晶セル13に共通の対向電極14はも
う一方の対向ガラス基板9上に形成されている。絶縁ゲ
ート型トランジスタ10のOFF抵抗あるいは液晶セル
13の抵抗が低い場合や表示画像の階調性を重視する場
合には、負荷としての液晶セル13の時定数を大きくす
るための補助の蓄積容量15を液晶セル13に並列に加
える等の回路的工夫が加味される。なお、16は蓄積容
量15の共通母線である蓄積容量線である。
FIG. 9 shows an equivalent circuit diagram of an active type liquid crystal panel in which an insulated gate transistor 10 is arranged for each picture element as a switching element. 11 (wiring path 8 in FIG. 8) is a scanning line and 12 (in FIG. 8). Wiring path 7) is a signal line, 1
3 is a liquid crystal cell, and the liquid crystal cell 13 is electrically treated as a capacitive element. The elements drawn by the solid line are formed on one glass substrate 2 constituting the liquid crystal panel, and the counter electrode 14 common to all the liquid crystal cells 13 drawn by the dotted line is formed on the other counter glass substrate 9. Has been done. When the OFF resistance of the insulated gate transistor 10 or the resistance of the liquid crystal cell 13 is low, or when the gradation of the display image is emphasized, the auxiliary storage capacitor 15 for increasing the time constant of the liquid crystal cell 13 as a load is used. Is added to the liquid crystal cell 13 in parallel. Incidentally, 16 is a storage capacitor line which is a common bus of the storage capacitor 15.

【0007】図10は液晶パネルの画像表示部の要部断
面図を示し、液晶パネル1を構成する2枚のガラス基板
2、9は樹脂性のファイバやビーズあるいは柱状のスペ
ーサ材(図示せず)によって数μm程度の所定の距離を
隔てて形成され、その間隙(ギャップ)は対向ガラス基
板9の周縁部において有機性樹脂よりなるシール材と封
口材(何れも図示せず)とで封止された閉空間になって
おり、この閉空間に液晶17が充填されている。
FIG. 10 is a cross-sectional view of the main part of the image display portion of the liquid crystal panel. The two glass substrates 2 and 9 constituting the liquid crystal panel 1 are made of resinous fibers, beads or columnar spacer materials (not shown). ) Is formed at a predetermined distance of about several μm, and the gap is sealed with a sealing material made of an organic resin and a sealing material (neither is shown) at the peripheral edge of the counter glass substrate 9. The closed space is a closed space, and the closed space is filled with the liquid crystal 17.

【0008】カラー表示を実現する場合には、対向ガラ
ス基板9の閉空間側に着色層18と称する染料または顔
料の何れか一方もしくは両方を含む厚さ1〜2μm程度
の有機薄膜層が被着されて色表示機能が与えられ、対向
ガラス基板9は別名カラーフィルタ(Color Fi
lter、略語はCF)と呼称される。そして、液晶1
7の性質によってはカラーフィルタ9の上面またはガラ
ス基板2の下面の何れかもしくは両面上に偏光板19が
貼付され、液晶パネル1は電気光学素子として機能す
る。現在、市販されている大部分の液晶パネルでは液晶
材料にTN(ツイスト・ネマチック)系の物を用いてお
り、偏光板19は通常2枚必要である。さらに図示はし
ないが、透過型液晶パネルでは光源として裏面光源が配
置され、下方より白色光が照射される。
In order to realize color display, an organic thin film layer having a thickness of about 1 to 2 μm containing either or both of a dye and a pigment called a coloring layer 18 is deposited on the closed space side of the counter glass substrate 9. The counter glass substrate 9 is also called a color filter (Color Fi).
lter, abbreviated as CF). And liquid crystal 1
Depending on the property of 7, the polarizing plate 19 is attached to either the upper surface of the color filter 9 or the lower surface of the glass substrate 2 or both surfaces, and the liquid crystal panel 1 functions as an electro-optical element. Currently, most liquid crystal panels on the market use TN (twisted nematic) type liquid crystal materials, and normally two polarizing plates 19 are required. Although not shown, a rear surface light source is arranged as a light source in the transmissive liquid crystal panel, and white light is emitted from below.

【0009】液晶17に接して2枚のガラス基板2、9
上に形成された例えば厚さ0.1μm程度のポリイミド
系樹脂薄膜20は液晶分子を決められた方向に配向させ
るための配向膜である。21は絶縁ゲート型トランジス
タ10のドレインと透明導電性の絵素電極22とを接続
するドレイン配線(電極)であり、ソース配線(信号
線)12と同時に形成されることが多い。ソース配線1
2とドレイン配線21との間に位置するのは半導体層2
3である。カラーフィルタ9上で隣り合った着色層18
の境界に形成された厚さ0.1μm程度のCr薄膜層2
4は半導体層23と走査線11及び信号線12に外部光
が入射するのを防止するための光遮蔽で、いわゆるブラ
ックマトリクス(Black Matrix、略語はB
M)として定着化した技術である。
Two glass substrates 2 and 9 in contact with the liquid crystal 17
The polyimide resin thin film 20 having a thickness of, for example, about 0.1 μm formed thereon is an alignment film for aligning liquid crystal molecules in a predetermined direction. Reference numeral 21 denotes a drain wiring (electrode) that connects the drain of the insulated gate transistor 10 and the transparent conductive pixel electrode 22, and is often formed at the same time as the source wiring (signal line) 12. Source wiring 1
2 is located between the drain wiring 21 and the semiconductor layer 2
It is 3. Adjacent colored layers 18 on the color filter 9
Cr thin film layer 2 having a thickness of about 0.1 μm formed on the boundary of
Reference numeral 4 denotes a light shield for preventing external light from entering the semiconductor layer 23, the scanning line 11 and the signal line 12, which is a so-called black matrix (abbreviation: B).
This is a technology that has become established as M).

【0010】ガラス基板サイズの拡大による生産性の向
上も相俟って生産コストが低下し、また生産量の増大に
つれて使用する部品・材料の価格も低下する相乗的な作
用が働き、液晶パネルの市場は拡大の一途をたどってい
る。現時点における最大の市場はノートPCとデスクト
ップモニターであるが、携帯電話の急速な成長により、
同時に成長が見込まれる情報携帯端末機器の表示部にも
中小型の液晶パネルが必要であり、携帯電話やこれらの
情報端末機器、更にはデジタル家電機器と従来のカーナ
ビ用途以外にも中小型の液晶パネル市場での大きな成長
が見込まれている。
Along with the improvement in productivity due to the increase in the size of the glass substrate, the production cost is reduced, and the cost of the parts and materials used is also reduced as the production amount is increased. The market is steadily expanding. The largest markets at the moment are laptops and desktop monitors, but due to the rapid growth of mobile phones,
At the same time, small and medium-sized liquid crystal panels are required for the display part of information mobile terminal equipment, which is expected to grow. In addition to mobile phones, these information terminal equipment, digital home appliances and conventional car navigation applications, small and medium-sized liquid crystal Large growth is expected in the panel market.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】中でも携帯電話は、多
様な情報サービスの提供によりここ数年で爆発的に生産
量が拡大し、液晶パネル市場の大きな核となってきた。
携帯電話は市場に提供された当初から、小型・軽量・薄
型及び低消費電力の要望が大きく、最新の様々な技術開
発が盛込まれては新製品として次々に登場しているのが
実態である。
Among them, mobile phones have become a major core of the liquid crystal panel market, with the production volume expanding explosively in the last few years by providing various information services.
From the beginning when mobile phones were introduced to the market, there were great demands for small size, light weight, thin shape, and low power consumption, and with the latest various technological developments being incorporated, they are being introduced one after another as new products. is there.

【0012】アクティブ型の液晶表示装置に用いられる
ガラス基板の板厚は当初1.1mmであった。ところ
が、携帯用ノートパソコンの軽量化のために板厚0.7
mmのものが導入されるとたちまちこれが標準仕様とな
ってしまった。これに対抗するかのように単純型の液晶
表示装置では差別化のためにさらに薄板化が推進され、
現状では板厚0.4mmまで実用化されている。
The plate thickness of the glass substrate used in the active type liquid crystal display device was initially 1.1 mm. However, in order to reduce the weight of portable notebook computers, the plate thickness is 0.7.
As soon as the mm version was introduced, this became the standard specification. As if countering this, thin type liquid crystal display devices are being further thinned for differentiation.
At present, it is practically used up to a plate thickness of 0.4 mm.

【0013】アクティブ型と単純型の液晶表示装置では
その製造工程の長さと処理温度に大きな差異があり、マ
ザーガラス基板の大きさが400×500mm程度と比
較的小さいアクティブ型の液晶表示装置の製造ラインで
は板厚0.5mmのものが生産できるような改造がなさ
れたが、小型・軽量化のための要望は止まることがな
く、ついには板厚0.3mmの液晶表示装置が必要とさ
れるに至った。
There is a big difference between the active type and the simple type liquid crystal display devices in the length of the manufacturing process and the processing temperature, and the size of the mother glass substrate is relatively small, about 400 × 500 mm. The line was modified to produce a 0.5 mm thick plate, but the demand for smaller and lighter products never stopped, and finally a 0.3 mm thick liquid crystal display device was needed. Came to.

【0014】ガラス基板の板厚が薄い程、その機械的強
度が弱くなることは明白で、板厚0.3mmの要望に対
して液晶表示装置を生産するラインでは薄いマザーガラ
ス基板の採用を断念し、液晶パネルとして完成してから
ガラス基板を薄くする対応をしている。これは図11に
示したように、例えば板厚0.7mmのガラス基板2と
同じく板厚0.7mmのカラーフィルタ9とをシール材
(図示せず)を用いて接合して一体化した貼り合わせ基
板50の周辺に適当な保護樹脂51を塗布して硬化した
後に弗酸系食刻液を含む研磨液を用いて貼り合わせ基板
50の両面のガラス基板2及び9を研磨して薄くし、さ
らに保護樹脂51を除去し、この後は通常の割段・注入
・封口工程を経て液晶パネルの個片(図11では例えば
12個)を得るもので、この結果、板厚0.3mmの液
晶パネルが実用化するに至った。
It is clear that the thinner the thickness of the glass substrate is, the weaker the mechanical strength becomes. Therefore, in the line for producing a liquid crystal display device, the use of a thin mother glass substrate is abandoned in response to the demand for a thickness of 0.3 mm. However, we are working on making the glass substrate thinner after it is completed as a liquid crystal panel. As shown in FIG. 11, for example, a glass substrate 2 having a plate thickness of 0.7 mm and a color filter 9 having a plate thickness of 0.7 mm are joined and integrated by using a sealing material (not shown). A suitable protective resin 51 is applied to the periphery of the laminated substrate 50 and cured, and then the glass substrates 2 and 9 on both sides of the laminated substrate 50 are polished and thinned using a polishing liquid containing a hydrofluoric acid-based etching liquid. Further, the protective resin 51 is removed, and thereafter, the individual pieces (for example, 12 pieces in FIG. 11) of the liquid crystal panel are obtained through the normal splitting, filling, and sealing steps. As a result, the liquid crystal having a plate thickness of 0.3 mm is obtained. The panel came to practical use.

【0015】このような製造方法においてはアクティブ
基板(ガラス基板2)とカラーフィルタ(対向ガラス基
板9)とを薬液に溶かしているので、その産業廃棄物と
してのコストも決して廉価ではなく必ずしも最善とは言
えない。このような観点から先行例である特許番号32
02718号公報には図12に示したように板厚の異な
った2枚のガラス基板2a及び2b(または9a及び9
b)を耐熱性のОリング52で貼り合わせて一体化した
基板を用いて薄い方のガラス基板2a上または9a上に
アクティブ基板やカラーフィルタを作製し、一体化した
基板を1組用いて液晶パネルを作製し、割段あるいは切
断後に厚い方のガラス基板2b及び9bを除去する技術
が開示されている。
In such a manufacturing method, since the active substrate (glass substrate 2) and the color filter (opposite glass substrate 9) are dissolved in a chemical solution, the cost of the industrial waste is not cheap and is not always the best. I can't say. From this point of view, the patent number 32, which is a precedent example
No. 02718 discloses two glass substrates 2a and 2b (or 9a and 9) having different plate thicknesses as shown in FIG.
b) is bonded by a heat-resistant O-ring 52 to form an integrated substrate, an active substrate or a color filter is formed on the thinner glass substrate 2a or 9a, and the integrated substrate is used to form a liquid crystal. A technique for manufacturing a panel and removing the thicker glass substrates 2b and 9b after splitting or cutting is disclosed.

【0016】先行例では図12(a)に示したように2
枚のガラス基板2a及び2bを静電気で吸着させて一体
化しているが、加熱あるいは薬液中での処理でガラス基
板2a及び2bの帯電は簡単に除電されてしまうのでシ
ール材(Oリング52)だけでの固定は実質的には実現
しない。また、シール材(Oリング52)に有機性樹脂
材を用いたのでは精々200℃程度のプロセスしか耐え
られず、アクティブ基板を得ることも困難と考えられ
る。
In the prior art example, as shown in FIG.
The glass substrates 2a and 2b are electrostatically adsorbed and integrated, but the sealing of the glass substrates 2a and 2b is easily eliminated by heating or treatment in a chemical solution. Fixing at is virtually impossible. Further, if an organic resin material is used for the sealing material (O-ring 52), it can withstand only a process of about 200 ° C. at most, and it is considered difficult to obtain an active substrate.

【0017】同じく先行例で図12(b)に示したよう
に、2枚のガラス基板2a及び2bを真空吸着力で吸着
させて一体化した実施例も紹介されているが、上記Оリ
ング52に接着力が無いと2枚のガラス基板2a及び2
bを固定する事ができず、そのためОリング52に弗素
系の高温硬化樹脂を用いているが、Оリング52と2枚
のガラス基板2a及び2bとで構成された閉空間内の弗
素系高温硬化樹脂を熱硬化する工程で発生する溶剤蒸気
の逃げ口が無く、実現性に疑問が多い。
Similarly, as shown in FIG. 12 (b) in the prior art, an embodiment in which two glass substrates 2a and 2b are adsorbed and integrated by a vacuum adsorption force is also introduced. If there is no adhesive force on the two glass substrates 2a and 2
b cannot be fixed, and therefore a fluorine-based high temperature curing resin is used for the O-ring 52. However, the fluorine-based high temperature inside the closed space composed of the O-ring 52 and the two glass substrates 2a and 2b is used. There is no escape for solvent vapor generated in the process of thermosetting the cured resin, and there are many doubts about its feasibility.

【0018】このように、本発明はかかる現状に鑑みな
されたもので、先行例と同様に2枚のガラス基板を貼り
合わせて一体化して合わせガラス基板を得るに当たり、
300℃を超えるプロセスに耐えられるものを提供する
ことを目的とする。
As described above, the present invention has been made in view of the above situation, and when two glass substrates are bonded and integrated to obtain a laminated glass substrate as in the prior art,
The object is to provide a product that can withstand a process exceeding 300 ° C.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明では、2枚のガラ
ス基板を貼り合わせるに際して、一つの方法では分子間
引力を利用し、もう一つの方法では真空による押圧を利
用している。
In the present invention, when two glass substrates are bonded together, one method uses intermolecular attractive force and the other method uses vacuum pressing.

【0020】請求項3に記載の表示装置用基板は、大き
さが略同一で板厚の異なる2枚のガラス基板を略隙間無
く対向させ、少なくとも端面近傍を接合(融合)してい
ることを特徴とする。
In the display device substrate according to a third aspect, two glass substrates having substantially the same size but different plate thicknesses are made to face each other without a gap, and at least the vicinity of the end face is joined (fused). Characterize.

【0021】請求項6は請求項3に記載の表示装置用基
板の製造方法であって、大きさが略同一で板厚の異なっ
た2枚のガラス基板を洗浄する工程と、減圧下で前記2
枚のガラス基板を略隙間無く対向させて固定する工程
と、少なくとも周縁部の端面近傍にレーザ光を照射して
前記2枚のガラス基板を融合させる工程とを有すること
を特徴とする。
A sixth aspect of the present invention is a method of manufacturing a substrate for a display device according to the third aspect, which comprises a step of cleaning two glass substrates having substantially the same size but different plate thicknesses, and the step of reducing the pressure under reduced pressure. Two
The method is characterized by including a step of fixing the two glass substrates so as to face each other with substantially no gap, and a step of irradiating at least the vicinity of the end face of the peripheral portion with laser light to fuse the two glass substrates.

【0022】この構成により、洗浄後の活性な表面を有
する2枚のガラス基板を分子間引力で略隙間無く貼り合
わせることが可能であり、しかも減圧下で周縁部を融合
させているので、わずかに残った隙間が存在しても大気
圧下では隙間が有する真空力で2枚のガラス基板が離れ
ることは阻止される。同様に加熱処理によって前記隙間
内の圧力が増大しても融合された周縁部が2枚のガラス
基板を固定しているので2枚のガラス基板が離れること
は阻止される。
With this structure, it is possible to bond two glass substrates having an active surface after cleaning with an intermolecular attractive force without any gap, and since the peripheral portions are fused under reduced pressure, Even if there is a gap left in the gap, the vacuum force of the gap prevents the two glass substrates from separating under atmospheric pressure. Similarly, even if the pressure in the gap increases due to the heat treatment, the fused peripheral edge portion fixes the two glass substrates, and thus the separation of the two glass substrates is prevented.

【0023】請求項4に記載の表示装置用基板は、大き
さが略同一で板厚の異なる2枚のガラス基板をスペーサ
を介して対向させ、少なくとも端面近傍を接合(融合)
して形成された閉空間が減圧状態にあることを特徴とす
る。
In the display device substrate according to a fourth aspect, two glass substrates having substantially the same size but different plate thicknesses are opposed to each other through a spacer, and at least the vicinity of the end face is bonded (fused).
The closed space thus formed is in a reduced pressure state.

【0024】請求項7は請求項4に記載の表示装置用基
板の製造方法であって、減圧下で大きさが略同一で板厚
の異なる2枚のガラス基板の何れか一方のガラス基板上
にスペーサ材を散布する工程と、前記2枚のガラス基板
を対向させて固定する工程と、少なくとも周縁部の端面
近傍にレーザ光を照射して前記2枚のガラス基板を融合
させる工程とを有することを特徴とする。
A seventh aspect of the present invention is a method for manufacturing a substrate for a display device according to the fourth aspect, wherein one of the two glass substrates having substantially the same size and different plate thicknesses under reduced pressure is placed on one of the glass substrates. A step of spraying a spacer material on the substrate, a step of fixing the two glass substrates so as to face each other, and a step of irradiating a laser beam at least in the vicinity of the end face of the peripheral edge portion to fuse the two glass substrates. It is characterized by

【0025】この構成により、減圧下で周縁部を融合さ
せているので大気圧下ではスペーサを介して2枚のガラ
ス基板が構成する空間が有する真空力で2枚のガラス基
板が離れることは阻止される。同様に加熱処理によって
前記空間内の圧力が増大しても融合された周縁部が2枚
のガラス基板を固定しているので2枚のガラス基板が離
れることは阻止される。
With this structure, since the peripheral portions are fused under reduced pressure, the two glass substrates are prevented from being separated from each other by the vacuum force of the space formed by the two glass substrates via the spacer under atmospheric pressure. To be done. Similarly, even if the pressure in the space is increased by the heat treatment, the fused peripheral edge portion fixes the two glass substrates, and thus the separation of the two glass substrates is prevented.

【0026】請求項1に記載の液晶表示装置は、一主面
上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁
ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線と、
信号線も兼ねるソース電極と、絵素電極を接続されたド
レイン電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに
配列された絶縁基板と、一主面上に少なくとも所定の分
光特性を有する着色層が所定のパターン状に形成されて
いるカラーフィルタまたは対向基板とを対向させ、その
間隙に液晶を充填してなる液晶表示装置において、絶縁
基板またはカラーフィルタもしくは対向基板の何れか一
方もしくは両方が厚み0.05〜0.2mmのガラス板
であることを特徴とする。
According to another aspect of the liquid crystal display device of the present invention, at least an insulated gate transistor is provided on one main surface, and a scanning line that also serves as a gate electrode of the insulated gate transistor.
An insulating substrate in which unit picture elements having a source electrode that also serves as a signal line and a drain electrode connected to a picture element electrode are arranged in a two-dimensional matrix; and a colored layer having at least a predetermined spectral characteristic on one main surface. In a liquid crystal display device in which a color filter or a counter substrate formed in a predetermined pattern is opposed and a gap is filled with liquid crystal, one or both of the insulating substrate and the color filter or the counter substrate is thick. It is characterized by being a glass plate of 0.05 to 0.2 mm.

【0027】この構成は請求項3または請求項4に記載
された大面積の表示装置用基板を用いて初めて実現する
ものであり、最大の特徴は液晶表示装置の薄型化と軽量
化にある。大面積、例えば400×500mmあるいは
550×650mm以上で厚み0.05〜0.2mmの
ガラス板を実用的なタクトで稼動させる表示装置の生産
ラインの構築は現時点では見通しがなく、既存の生産ラ
インで実現する価値は大きい。
This structure is realized for the first time by using the large-area display device substrate described in claim 3 or 4, and the most significant feature is thinning and weight saving of the liquid crystal display device. There is no prospect at this time to construct a production line for a display device that operates a glass plate with a large area, for example, 400 x 500 mm or 550 x 650 mm or more and a thickness of 0.05 to 0.2 mm with a practical tact, and the existing production line The value to be realized in is great.

【0028】請求項2に記載の発光型表示装置は、一主
面上に少なくともスイッチング用絶縁ゲート型トランジ
スタと、前記スイッチング用絶縁ゲート型トランジスタ
のゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号
線と、ドレイン配線に接続された蓄積容量と、駆動用絶
縁ゲート型トランジスタと、前記駆動用絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレイン配線に接続された表示電極とを有
する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された絶縁基
板と、発光表示媒体と、少なくとも前記発光表示媒体を
封止する機構とよりなる表示装置において、絶縁基板が
厚み0.05〜0.2mmのガラス板であることを特徴
とする。
According to a second aspect of the present invention, in the light emitting display device, at least a switching insulated gate transistor is provided on one main surface, and a scanning line and a source line that also serve as a gate electrode of the switching insulated gate transistor and a signal line. A unit pixel having a storage capacitor connected to the drain wiring, a driving insulated gate transistor, and a display electrode connected to the drain wiring of the driving insulated gate transistor are arranged in a two-dimensional matrix. In a display device including an insulating substrate, a light emitting display medium, and a mechanism for sealing at least the light emitting display medium, the insulating substrate is a glass plate having a thickness of 0.05 to 0.2 mm.

【0029】この構成は請求項3または請求項4に記載
された大面積の表示装置用基板を用いて初めて実現する
ものであり、最大の特徴は発光表示装置の薄型化と軽量
化にある。
This structure is first realized by using the large-area display device substrate described in claim 3 or 4, and the most significant feature is thinning and weight reduction of the light emitting display device.

【0030】請求項5に記載のカラーフィルタは、板厚
の薄い方の一主面上に少なくとも所定の分光特性を有す
る着色層が所定のパターン状に形成されている請求項3
と請求項4に記載の表示装置用基板を用いることを特徴
とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the color filter according to the third aspect, a coloring layer having at least a predetermined spectral characteristic is formed in a predetermined pattern on one main surface having a smaller thickness.
And a display device substrate according to claim 4 is used.

【0031】この構成も請求項3または請求項4に記載
された大面積の表示装置用基板を用いて初めて実現する
ものであり、最大の特徴はこのカラーフィルタとアクテ
ィブ基板とを貼り合わせて得られる液晶表示装置の薄型
化と軽量化にある。
This structure is also realized only by using the large-area display device substrate described in claim 3 or 4, and the greatest feature is obtained by bonding the color filter and the active substrate together. There is a reduction in the thickness and weight of the liquid crystal display device used.

【0032】請求項8は請求項1に記載の液晶表示装置
の製造方法であって、少なくとも板厚の異なる2枚のガ
ラス基板を貼り合わせてなる一方の表示装置用基板の薄
い方のガラス基板の一主面上にアクティブマトリクスを
形成する工程と、板厚の異なる2枚のガラス基板を貼り
合わせてなる他方の表示装置用基板の薄い方のガラス基
板の一主面上にカラーフィルタを形成する工程と、シー
ル材とスペーサ材とを用いて前記アクティブマトリクス
基板とカラーフィルタとを対向させて貼り合わせる工程
と、前記貼り合わせられた一対の表示装置用基板の周縁
部を切断除去して板厚の厚い2枚のガラス基板を除去す
る工程と、板厚の薄い2枚のガラス基板からなる貼り合
わせられたマザーガラス基板を分断する工程とを有する
ことを特徴とする。
An eighth aspect of the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the first aspect, wherein at least two glass substrates having different plate thicknesses are bonded to each other, and one of the display device substrates is the thinner glass substrate. And a step of forming an active matrix on one main surface, and forming a color filter on one main surface of the other glass substrate of the other display device obtained by bonding two glass substrates having different plate thicknesses And a step of adhering the active matrix substrate and the color filter so as to face each other by using a sealing material and a spacer material, and cutting and removing the peripheral portions of the pair of the adhering display device substrates to form a plate. It has a step of removing two thick glass substrates and a step of dividing a bonded mother glass substrate made of two thin glass substrates.

【0033】この構成により、既存の生産ラインで例え
ば400×500mm以上の大面積基板に本発明による
合わせガラス板を用いてアクティブ基板とカラーフィル
タとを作製することが可能であり、アクティブ基板とカ
ラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化することで
液晶パネルの薄型化が実現する。
With this configuration, it is possible to manufacture an active substrate and a color filter by using the laminated glass plate according to the present invention on a large area substrate of 400 × 500 mm or more in an existing production line. The liquid crystal panel can be made thinner by combining it with a filter to form a liquid crystal panel.

【0034】請求項9は請求項2に記載の発光型表示装
置の製造方法であって、板厚の異なる2枚の絶縁基板を
貼り合わせてなる表示装置用基板の薄い方のガラス基板
の一主面上に少なくともスイッチング用絶縁ゲート型ト
ランジスタと、前記スイッチング用絶縁ゲート型トラン
ジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ね
る信号線と、ドレイン配線に接続された蓄積容量と、駆
動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記駆動用絶縁ゲー
ト型トランジスタのドレイン配線に接続された表示電極
とを有する単位絵素を二次元のマトリクスに配列して形
成する工程と、前記表示電極上に発光表示媒体を形成す
る工程と、前記発光表示媒体上に共通電極を形成する工
程と、少なくとも発光領域を封止する工程と、前記発光
型表示装置が多面付けされた表示装置用基板の周縁部を
切断除去して板厚の厚いガラス基板を除去する工程と、
板厚の薄いガラス基板からなるマザーガラス基板を分断
する工程とを有することを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting display device according to the second aspect, wherein one of the glass substrates which is the thinner one of the display device substrates formed by bonding two insulating substrates having different plate thicknesses together. At least a switching insulated gate transistor on the main surface, a scanning line also serving as a gate electrode of the switching insulated gate transistor, a signal line also serving as a source wiring, a storage capacitor connected to a drain wiring, and a driving insulated gate -Type transistors and display electrodes connected to the drain wirings of the driving insulated gate transistors are arranged in a two-dimensional matrix and formed, and a light-emitting display medium is formed on the display electrodes. The step of forming a common electrode on the light-emitting display medium, the step of sealing at least the light-emitting region, and the multi-facet of the light-emitting display device. Removing the thick glass substrate of thickness was cut and removed periphery of morning a display device substrate,
And a step of cutting a mother glass substrate made of a thin glass substrate.

【0035】この構成により、既存の生産ラインで例え
ば400×500mm以上の大面積基板に本発明による
合わせガラス板を用いて発光型のアクティブ基板を作製
することが可能であり、発光型のアクティブ基板を分断
することで発光型表示装置の薄型化が実現する。
With this configuration, it is possible to manufacture a light emitting type active substrate by using the laminated glass plate according to the present invention on a large area substrate of, for example, 400 × 500 mm or more in an existing production line. By dividing the light emitting display device, the light emitting display device can be made thinner.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】請求項3と請求項4は本発明の骨
格となる2枚のガラス基板の貼り合わせ方法であり、表
示装置の構成要素としての位置付けは実施形態の中で別
途説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Claims 3 and 4 are a method of bonding two glass substrates, which is the skeleton of the present invention, and the positioning as a component of a display device will be separately described in the embodiments. .

【0037】本発明の実施形態を図1〜図7に記載した
図面に基づいて説明する。本発明の第1の実施形態に係
る表示装置用基板の製造工程の断面図を図1に示し、同
様に第2の実施形態は図3で示す。なお、従来例と同一
機能の部位については同一の符号を付して詳細な説明は
省略することとする。本発明による表示装置用基板の製
造方法では減圧下の処理が必要なので、図2に示したよ
うに減圧可能な処理室81に隣接して複数の真空待機室
82〜84を備えた貼り合わせ装置80の使用が望まし
く、図1に処理室81の概略断面図を示す。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings shown in FIGS. A cross-sectional view of the manufacturing process of the display device substrate according to the first embodiment of the present invention is shown in FIG. 1, and similarly, the second embodiment is shown in FIG. The parts having the same functions as those in the conventional example are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. Since the method for manufacturing a substrate for a display device according to the present invention requires a process under reduced pressure, a bonding apparatus including a plurality of vacuum standby chambers 82 to 84 adjacent to a process chamber 81 capable of reducing the pressure as shown in FIG. It is preferable to use 80, and FIG. 1 shows a schematic sectional view of the processing chamber 81.

【0038】(第1の実施形態)本発明の第1の実施形
態による表示装置用基板の製造方法では先ず、図示はし
ないが大きさが略同一で板厚の異なった2枚のガラス基
板2aまたは9aを適当な手段で清浄化し、純水を用い
た洗浄と乾燥の後、貼り合わせ装置80の外部より真空
待機室82を経由しゲートバルブを通って処理室81に
搬入し、図1(a)に示したように、薄い板厚のガラス
基板2aまたは9aを平坦な保持台85上に移載して適
当な手段により保持台85上に固定する。固定する手段
としては静電吸着あるいは真空吸着が採用されるが、後
者の場合には処理室81との差圧で吸着されることにな
る。処理室81内の真空度は1/10気圧以下で良い。
(First Embodiment) In the method for manufacturing a display device substrate according to the first embodiment of the present invention, first, although not shown, two glass substrates 2a having substantially the same size but different plate thicknesses are used. Alternatively, 9a is cleaned by an appropriate means, washed with pure water and dried, and then transferred from the outside of the bonding apparatus 80 into the processing chamber 81 through the vacuum standby chamber 82, the gate valve and the processing chamber 81, as shown in FIG. As shown in a), the thin glass substrate 2a or 9a is transferred onto a flat holding table 85 and fixed on the holding table 85 by an appropriate means. Although electrostatic adsorption or vacuum adsorption is adopted as the fixing means, in the latter case, the pressure is adsorbed by a pressure difference between the electrostatic pressure and the vacuum. The degree of vacuum in the processing chamber 81 may be 1/10 atmospheric pressure or less.

【0039】次に、図示はしないが大きさが略同一で板
厚の異なった2枚のガラス基板2bまたは9bを適当な
手段で清浄化し、純水を用いた洗浄と乾燥の後、貼り合
わせ装置80の外部より真空待機室83を経由しゲート
バルブを通って処理室81に搬入し、図1(b)に示し
たように、厚い板厚のガラス基板2bまたは9bを適当
な保持手段、例えばガラス基板2bまたは9bの端部を
含めてハンドリングするロボットアーム等を用いてガラ
ス基板2aまたは9a上に移載する。あるいは図示はし
ないがガラス基板2aまたは9a上の空間に複数個の受
けピンを配置し、一旦受けピン上にガラス基板2bまた
は9bを移載した後に受けピンをガラス基板2aまたは
9a上に軟着陸させても良い。この時、処理室81内の
真空度が1/100気圧以上である場合、図示はしない
がガラス基板2bまたは9bが滑っていかないように止
めピンを保持台85上に立てると良い。また、処理室8
1内の真空度が1/100気圧以下である場合にはガラ
ス基板2bまたは9bが滑ることはほとんど無い。そし
て、ガラス基板2bまたは9bの大半を押し付け板86
で軽く押さえると、洗浄後のガラス基板2a、2b(ま
たは9a、9b、以下省略)の表面は活性され、Van
der Waals分子間引力により2枚のガラス基
板2a、2bは0.3mm程度のうねりがあっても略隙
間無く密着する。
Next, although not shown, two glass substrates 2b or 9b having substantially the same size but different plate thicknesses are cleaned by an appropriate means, washed with pure water and dried, and then bonded. The apparatus 80 is carried into the processing chamber 81 from the outside of the apparatus 80 through the vacuum standby chamber 83 and the gate valve, and as shown in FIG. 1B, the thick glass substrate 2b or 9b is held by an appropriate holding means, For example, it is transferred onto the glass substrate 2a or 9a by using a robot arm or the like that handles the glass substrate 2b or 9b including the end portion. Alternatively, although not shown, a plurality of receiving pins are arranged in a space on the glass substrate 2a or 9a, the glass substrate 2b or 9b is temporarily transferred onto the receiving pin, and then the receiving pin is softly landed on the glass substrate 2a or 9a. May be. At this time, when the degree of vacuum in the processing chamber 81 is 1/100 atm or more, it is preferable to set a stop pin on the holding table 85 so that the glass substrate 2b or 9b does not slip, although not shown. Also, the processing chamber 8
When the degree of vacuum in 1 is 1/100 atm or less, the glass substrate 2b or 9b hardly slips. Then, most of the glass substrate 2b or 9b is pressed against the pressing plate 86.
When lightly pressed with, the surfaces of the glass substrates 2a and 2b (or 9a and 9b, which will be omitted hereinafter) after cleaning are activated, and
der Waals Due to the intermolecular attractive force, the two glass substrates 2a and 2b adhere to each other with substantially no gap even if there is a waviness of about 0.3 mm.

【0040】そこで、図1(c)に示したように炭酸ガ
スレーザ光87aを、例えばガラス基板2a、2bの端
部より0.1mm程内側の外周部88に沿って走査する
ように照射して外周部88でガラス基板2a、2bを例
えば幅50μm程度の幅で融合させて89とする。好ま
しくはこの後、押し付け板86を移動してガラス基板2
b(または9b)の背面を露出し、多面取りの場合に液
晶パネルとして完成した後に行なわれる割段線上または
切断線上の数点にもレーザ光を照射して融合させて合わ
せガラス基板の機械的強度を上げると良い事は言うまで
もないが、これはアクティブ基板の製作時のフォトマス
クと同様に品種毎に切り替える煩雑さは避けられない。
Therefore, as shown in FIG. 1C, the carbon dioxide gas laser beam 87a is irradiated so as to scan along the outer peripheral portion 88 which is located about 0.1 mm inside the end portions of the glass substrates 2a and 2b. At the outer peripheral portion 88, the glass substrates 2a and 2b are fused to have a width of, for example, about 50 μm to form 89. Preferably, after this, the pressing plate 86 is moved to move the glass substrate 2
The back surface of b (or 9b) is exposed, and laser light is also applied to several points on the dividing line or cutting line, which is performed after completing the liquid crystal panel in the case of multi-chambering, and fused to mechanically the laminated glass substrate. Needless to say, it is better to increase the strength, but this is unavoidable as in the case of the photomask used in the production of the active substrate.

【0041】ガラス基板2a、2bの融合にあたり、炭
酸ガスレーザ光87aの焦点をガラス基板2a、2bの
接合面に絞る、あるいはエキシマレーザ光等を併用する
等の技術を最大限度活用することが望ましい。また、ガ
ラス基板2a、2bの切断精度が±0.1mm程度であ
るので、好ましくは融合領域89がガラス基板2a、2
bの端部にまで形成されるよう、炭酸ガスレーザ光87
aの照射位置精度を上げるため、ガラス基板2a、2b
の端部を検知する手段も講ずると良い。あるいはガラス
基板2a、2bの端部にエキシマレーザ光87bを照射
して端部のみを融合させても良い。
In fusing the glass substrates 2a and 2b, it is desirable to maximize the utilization of a technique such as focusing the carbon dioxide laser light 87a on the bonding surface of the glass substrates 2a and 2b, or using excimer laser light in combination. Further, since the cutting accuracy of the glass substrates 2a and 2b is about ± 0.1 mm, it is preferable that the fusion area 89 be the glass substrates 2a and 2b.
The carbon dioxide laser light 87 is formed so as to be formed up to the end of b.
In order to increase the irradiation position accuracy of a, the glass substrates 2a, 2b
It is advisable to take measures to detect the edge of the. Alternatively, the ends of the glass substrates 2a and 2b may be irradiated with excimer laser light 87b to fuse only the ends.

【0042】厚い板厚のガラス基板としては現在、もっ
とも入手し易い0.7mmのものがあり、次に0.5m
mのものが推奨できよう。薄い板厚のガラス板としては
0.05〜0.2mmのものが適切であり、現時点では
0.2mmのものを推奨せざるを得ないが、ガラス基板
の切断サイズとハンドンリングの改善により薄いガラス
板を採用することは将来的には可能である。
As a thick glass substrate, there is currently a 0.7 mm substrate which is most easily available, and then 0.5 m.
I recommend m. As a thin glass plate, a glass plate with a thickness of 0.05 to 0.2 mm is suitable, and a glass plate with a thickness of 0.2 mm must be recommended at the present time, but it is thin due to improvement in the cutting size of the glass substrate and handling. It is possible to adopt a glass plate in the future.

【0043】最後に、図1(d)に示したように押し付
け板86を上昇させて保持台85の固定を解除し、図示
はしないが保持台85内に設けられた押し上げピン等の
機構により保持台85から一体化した表示装置用基板を
浮かし、ロボットアーム等の搬送手段によりゲートバル
ブを通り真空待機室84を経由して貼り合わせ装置80
の外部に取り出して第1の実施形態による表示装置用基
板の作製が完了する。
Finally, as shown in FIG. 1D, the pressing plate 86 is raised to release the fixing of the holding base 85, and although not shown, a mechanism such as a push-up pin provided in the holding base 85 is used. The integrated display device substrate is floated from the holding table 85, and the bonding device 80 is passed through the gate valve and the vacuum standby chamber 84 by a transfer means such as a robot arm.
After that, the display device substrate according to the first embodiment is completed.

【0044】第1の実施形態による表示装置用基板は2
枚のガラス基板2a、2bが分子間引力で密着し合って
おり、2枚のガラス基板2a、2bを剥離するには単に
2枚のガラス基板2a、2bを夫々裏面より真空吸着し
ながら剥離しようとしても容易には剥離しないので、2
枚のガラス基板2a、2bを加熱する、あるいは炭酸ガ
スを溶かして適当な導電性を付与された純水中に放置し
て剥離する等の補助的な手段が必要となる。第2の実施
形態による表示装置用基板はこの剥離を容易ならしめる
ための機能を付与したものである。
The display device substrate according to the first embodiment is 2
The two glass substrates 2a and 2b are in close contact with each other due to the intermolecular attractive force, and in order to peel off the two glass substrates 2a and 2b, simply peel the two glass substrates 2a and 2b from each back surface by vacuum suction. However, it does not peel easily, so 2
An auxiliary means such as heating the glass substrates 2a, 2b or peeling by leaving the glass substrates 2a, 2b in pure water to which carbon dioxide gas is melted and having a suitable conductivity is required. The display device substrate according to the second embodiment has a function for facilitating the peeling.

【0045】(第2の実施形態)本発明の第2の実施形
態による表示装置用基板の製造方法では先ず、図示はし
ないが大きさが略同一で板厚の異なった2枚のガラス基
板2aまたは9aを適当な手段で清浄化し、純水を用い
た洗浄と乾燥の後、貼り合わせ装置80の外部より真空
待機室82を経由しゲートバルブを通って処理室81に
搬入し、図3(a)に示したように、薄い板厚のガラス
基板2aまたは9aを平坦な保持台85上に移載して適
当な手段により保持台85上に固定する。
(Second Embodiment) In a method of manufacturing a display device substrate according to a second embodiment of the present invention, first, although not shown, two glass substrates 2a having substantially the same size but different plate thicknesses are used. Alternatively, 9a is cleaned by an appropriate means, washed with pure water and dried, then transferred from the outside of the bonding apparatus 80 to the processing chamber 81 through the vacuum standby chamber 82, the gate valve, and the processing chamber 81, as shown in FIG. As shown in a), the thin glass substrate 2a or 9a is transferred onto a flat holding table 85 and fixed on the holding table 85 by an appropriate means.

【0046】次に、図3(b)に示したように、処理室
81内で直径数〜数10μm程度のセラミック、石英、
サファイア等耐熱性の高いビーズまたはファイバよりな
るスペーサ90を少量の不活性ガスとともに供給口91
よりガラス基板2aまたは9a上に散布する。散布量と
散布密度は液晶パネルのスペーサ程に厳密でなくとも良
く、またガラス基板2aまたは9aの板厚偏差が20μ
m程度あるので、数μm程度のスペーサ90の粒径偏差
は許容される。
Next, as shown in FIG. 3B, in the processing chamber 81, a ceramic having a diameter of several to several tens of μm, quartz,
A spacer 90 made of bead or fiber having high heat resistance such as sapphire is provided with a supply port 91 together with a small amount of inert gas.
More spread on the glass substrate 2a or 9a. The amount of spray and the density of spray do not have to be as strict as the spacers of the liquid crystal panel, and the plate thickness deviation of the glass substrate 2a or 9a is 20μ.
Since it is about m, a deviation in particle size of the spacer 90 of about several μm is allowed.

【0047】次に、図3(c)に示したように、厚い板
厚のガラス基板2bまたは9bを適当な保持手段、例え
ばガラス基板2bまたは9bの端部を含めてハンドリン
グするロボットアーム等を用いてガラス基板2aまたは
9a上に移載する。そして、ガラス基板2bまたは9b
の大半を押し付け板86で軽く押さえると、2枚のガラ
ス基板2a、2b(または9a、9b、以下省略)はス
ペーサ90に対応した隙間を隔てて対向する。そこで炭
酸ガスレーザ光87aを、例えばガラス基板2a、2b
の端部より0.1mm程内側の外周部88に沿って走査
するように照射して外周部88でガラス基板2a、2b
を例えば幅50μm程度の幅で融合させて89とする。
好ましくはこの後、押し付け板86を移動してガラス基
板2bの背面を露出し、多面取りの場合に液晶パネルと
して完成した後に行なわれる割段線上または切断線上の
数点にもレーザ光を照射して融合させて合わせガラス基
板の機械的強度を上げると良い。
Next, as shown in FIG. 3 (c), an appropriate holding means, for example, a robot arm for handling the glass substrate 2b or 9b having a large thickness including the end portion of the glass substrate 2b or 9b is used. It is used and transferred onto the glass substrate 2a or 9a. And the glass substrate 2b or 9b
When most of them are lightly pressed by the pressing plate 86, the two glass substrates 2a and 2b (or 9a and 9b, hereinafter omitted) face each other with a gap corresponding to the spacer 90. Then, the carbon dioxide gas laser beam 87a is applied to, for example, the glass substrates 2a and 2b.
The glass substrate 2a, 2b is irradiated at the outer peripheral portion 88 by irradiating so as to scan along the outer peripheral portion 88 which is about 0.1 mm inside the end portion of the
To be 89 by fusing, for example, with a width of about 50 μm.
Preferably, after this, the pressing plate 86 is moved to expose the back surface of the glass substrate 2b, and in the case of multiple cutting, laser light is also applied to several points on the dividing line or cutting line which is performed after the liquid crystal panel is completed. It is better to fuse them together to increase the mechanical strength of the laminated glass substrate.

【0048】ガラス基板2a、2bの融合にあたり、炭
酸ガスレーザ光87aの焦点をガラス基板2a、2bの
接合面に絞る、あるいはエキシマレーザ光等を併用する
等の技術を最大限度、活用すると良い。また、さらにガ
ラス基板の切断精度が±0.1mm程度であるので、好
ましくは融合領域89がガラス基板2a、2bの端部に
まで形成されるよう、炭酸ガスレーザ光87aの照射位
置精度を上げるため、ガラス基板2a、2bの端部を検
知する手段も講ずると良い。あるいはガラス基板2a、
2bの端部にエキシマレーザ光87bを照射して端部を
融合させると良い。
In fusing the glass substrates 2a and 2b, it is advisable to utilize the technology such as focusing the carbon dioxide laser light 87a on the bonding surface of the glass substrates 2a and 2b, or using the excimer laser light together. Further, since the cutting accuracy of the glass substrate is about ± 0.1 mm, it is preferable to increase the irradiation position accuracy of the carbon dioxide gas laser beam 87a so that the fusion area 89 is formed even at the end portions of the glass substrates 2a and 2b. It is advisable to provide means for detecting the edges of the glass substrates 2a and 2b. Alternatively, the glass substrate 2a,
It is advisable to irradiate the end of 2b with excimer laser light 87b to fuse the ends.

【0049】2枚のガラス基板2a、2bを貼り合わせ
て融合した後に、図3(d)に示したように押し付け板
86を上昇させて保持台85の固定を解除し、図示はし
ないが押し上げピン等の機構により保持台85から一体
化した表示装置用基板を浮かし、ロボットアーム等の搬
送手段によりゲートバルブを通り真空待機室84を経由
して貼り合わせ装置80の外部に取り出して第2の実施
形態による表示装置用基板の作製が完了する。
After the two glass substrates 2a and 2b are adhered and fused, the pressing plate 86 is raised to release the fixing of the holding table 85 as shown in FIG. The integrated display device substrate is floated from the holding table 85 by a mechanism such as a pin, and taken out to the outside of the bonding device 80 by the transfer means such as a robot arm, through the gate valve and the vacuum standby chamber 84, and then the second device is used. The fabrication of the display device substrate according to the embodiment is completed.

【0050】(第3の実施形態)第3の実施形態は請求
項3と請求項4に記載の表示装置用基板(合わせガラス
基板)を用いて得られるカラーフィルタに関するもので
ある。
(Third Embodiment) The third embodiment relates to a color filter obtained by using the display device substrate (laminated glass substrate) according to the third and fourth aspects.

【0051】図示はしないが、ТFТ(アクティブ型)
液晶表示装置に用いられるカラーフィルタは以下に記載
する製造工程で量産されている。先ず、ガラス基板上に
不透明材質よりなるBMパターンを形成する。BM材と
しては膜厚1μm程度の感光性黒色樹脂を用いて写真食
刻技術によりそのまま選択的に形成するものと、写真食
刻技術を用いて膜厚0.1μm程度のCr(クロム)薄
膜を選択的に形成するものとがある。後者の場合、BM
からの反射光を抑制するためにCr表面に光学的な吸収
層を形成してCrOx(酸化クロム)/Cr/CrOx
の3層構成とすることもある。
Although not shown, ТFT (active type)
Color filters used in liquid crystal display devices are mass-produced in the manufacturing process described below. First, a BM pattern made of an opaque material is formed on a glass substrate. As the BM material, a photosensitive black resin having a film thickness of about 1 μm is selectively formed as it is by the photo etching technique, and a Cr (chrome) thin film having a film thickness of about 0.1 μm is used by the photo etching technique. Some are selectively formed. In the latter case, BM
CrOx (chromium oxide) / Cr / CrOx is formed by forming an optical absorption layer on the Cr surface in order to suppress the reflected light from the
It may be a three-layer structure.

【0052】次に、所定の分光特性を有する着色層
(R、G、B)がBMの一部を含むように所定のパター
ン状に形成される。着色層の形成は色(R、G、B)毎
に、すなわち3回行われる。着色層には透明ゼラチンを
染料または顔料で染色した時期もあったが、現在は大半
が膜厚1〜2μm程度の分散された有機性顔料を含む感
光性顔料樹脂が用いられる。画素数が少ない液晶表示装
置ではカラーフィルタのパターンにΔ(デルタ)配列が
用いられることはあるが、大半は縦縞状のストライプパ
ターンである。
Next, colored layers (R, G, B) having a predetermined spectral characteristic are formed in a predetermined pattern so as to include a part of BM. The colored layer is formed for each color (R, G, B), that is, three times. Although there was a time when transparent gelatin was dyed with a dye or a pigment in the coloring layer, most of the present time, a photosensitive pigment resin containing a dispersed organic pigment having a film thickness of about 1 to 2 μm is used. In a liquid crystal display device having a small number of pixels, a Δ (delta) array may be used as a color filter pattern, but most of them have a vertical striped stripe pattern.

【0053】最後に着色層(R、G、B)上に、実質的
には画像表示部に対応した領域上にマスク製膜で膜厚
0.1〜0.2μm程度の透明導電層であるIТО(I
ndium−Tin−Oxide)よりなる対向電極が
選択的に形成される。そして、輸送中のダスト付着防止
のために保護樹脂またはフィルムを付与された後、専用
の搬送容器に収納され、カラーフィルタの製造会社より
液晶パネルの製造会社に出荷されている。
Finally, a transparent conductive layer having a film thickness of about 0.1 to 0.2 μm is formed by mask film formation on the colored layers (R, G, B) and substantially on the region corresponding to the image display portion. IТО (I
A counter electrode made of ndium-tin-oxide) is selectively formed. Then, after a protective resin or film is applied to prevent dust adhesion during transportation, it is stored in a dedicated transport container and shipped from the color filter manufacturing company to the liquid crystal panel manufacturing company.

【0054】なお、アクティブ基板上に絵素電極と所定
の距離を隔てて形成された対向電極を有する横電界方式
(IPS)の液晶表示装置では透明導電層よりなる対向
電極は不要であり、特に150PPI以上の高精細液晶
表示装置ではカラーフィルタとアクティブ基板との貼り
合わせ精度向上の観点からカラーフィルタをアクティブ
基板上に内蔵させることも(Color−Filter
−On−Array、略語はCOA)既に定着化してい
る。
It should be noted that in a horizontal electric field (IPS) liquid crystal display device having a counter electrode formed on the active substrate at a predetermined distance from the pixel electrode, the counter electrode made of a transparent conductive layer is not necessary, and particularly In a high-definition liquid crystal display device of 150 PPI or more, it is possible to incorporate a color filter on the active substrate from the viewpoint of improving the bonding accuracy between the color filter and the active substrate (Color-Filter).
-On-Array, abbreviation COA) has already become established.

【0055】上記したカラーフィルタの製造工程では精
々2回の製膜工程と4回の写真食刻工程とが必要である
が、最高処理温度は透明導電層の形成も感光性顔料樹脂
上への形成と言う制約から基板加熱温度は精々200℃
が限界である。したがって、ガラス基板の熱膨張、合わ
せガラス基板間の閉じた空間内の残留ガスによる合わせ
ガラスの膨らみ等は何らカラーフィルタの作製の支障と
なるものではなく、従来の板厚のガラス基板を用いた生
産ラインに本発明による合わせガラス基板を導入するこ
とは極めて容易である。
The above-mentioned color filter manufacturing process requires at least two film forming steps and four photo-etching steps, but the maximum processing temperature is the formation of the transparent conductive layer on the photosensitive pigment resin. Due to the restriction of formation, the substrate heating temperature is 200 ° C at best
Is the limit. Therefore, the thermal expansion of the glass substrate and the swelling of the laminated glass due to the residual gas in the closed space between the laminated glass substrates do not hinder the production of the color filter at all, and the glass substrate having the conventional plate thickness is used. It is extremely easy to introduce the laminated glass substrate according to the present invention into the production line.

【0056】(第4の実施形態)第4の実施形態は薄い
液晶パネルを得るための製造方法であり、少なくとも板
厚の異なる2枚のガラス基板を貼り合わせてなる一方の
表示装置用基板の薄い方のガラス基板の一主面上にアク
ティブマトリクスを形成する工程と、板厚の異なる2枚
のガラス基板を貼り合わせてなる他方の表示装置用基板
の薄い方のガラス基板の一主面上にカラーフィルタを形
成する工程と、シール材とスペーサ材とを用いて前記ア
クティブマトリクス基板とカラーフィルタとを対向させ
て貼り合わせる工程と、前記貼り合わせられた一対の表
示装置用基板の周縁部を切断除去して板厚の厚い2枚の
ガラス基板を除去する工程と、板厚の薄い2枚のガラス
基板からなる貼り合わせられたマザーガラス基板を分断
する工程とからなる。
(Fourth Embodiment) A fourth embodiment is a manufacturing method for obtaining a thin liquid crystal panel, which is one display device substrate formed by bonding at least two glass substrates having different plate thicknesses. On the step of forming an active matrix on one main surface of the thinner glass substrate, and on the other main surface of the thinner glass substrate of the other display device substrate formed by bonding two glass substrates having different plate thicknesses A step of forming a color filter on the substrate, a step of sticking the active matrix substrate and the color filter so as to face each other using a sealing material and a spacer material, and a peripheral portion of the pair of display device substrates which are stuck to each other. It consists of a step of cutting and removing two thick glass substrates, and a step of cutting a bonded mother glass substrate consisting of two thin glass substrates. .

【0057】アクティブマトリクスを形成する工程は、
一般的には絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極を兼
ねる走査線の形成工程と、前記走査線上にゲート絶縁層
を介して絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる半
導体層を形成する工程と、前記半導体層に接してまたは
重ねてソース・ドレインとなる不純物を含む半導体層を
形成する工程と、絶縁ゲート型トランジスタのソース配
線も兼ねる信号線とドレイン配線と、前記ドレイン配線
を含んで絵素電極を形成する工程と、少なくともソース
・ドレイン配線(と半導体層のチャネル)を保護するパ
シベーション絶縁層を形成する工程と、走査線と信号線
の電極端子とを露出する工程とからなる。
The process of forming the active matrix is as follows.
Generally, a step of forming a scanning line that also serves as a gate electrode of an insulated gate transistor, a step of forming a semiconductor layer to be a channel of an insulated gate transistor over the scanning line with a gate insulating layer interposed therebetween, and a step of forming a semiconductor layer on the semiconductor layer. A step of forming a semiconductor layer containing an impurity which becomes a source / drain in contact with or overlapping with each other; a step of forming a pixel electrode including the signal line and the drain wiring also serving as the source wiring of the insulated gate transistor and the drain wiring And a step of forming a passivation insulating layer that protects at least the source / drain wiring (and the channel of the semiconductor layer), and a step of exposing the scanning line and the electrode terminal of the signal line.

【0058】なお、透明導電性の絵素電極であれば透過
型の、または金属性の絵素電極であれば反射型の液晶表
示装置が得られる。半透過型の液晶表示装置では両者の
特性を保有するため、絵素電極は透明電極と金属反射電
極とを画素内で部分的に配置する必要がある。また、既
に述べたように横電界方式(IPS)の液晶表示装置で
は透明導電性の絵素絵素電極は不要である。
A transparent liquid crystal display device can be obtained with transparent conductive pixel electrodes, or a reflective liquid crystal display device with metallic pixel electrodes. Since the transflective liquid crystal display device has both characteristics, it is necessary to partially dispose the transparent electrode and the metal reflective electrode as the pixel electrode in the pixel. Further, as described above, in the horizontal electric field type (IPS) liquid crystal display device, the transparent conductive picture element picture element electrode is unnecessary.

【0059】上記した製造工程の順序や製造工程の合理
化、及び配線材料の差異等は本質的な問題ではない。重
要なことは半導体層とゲート絶縁層を始めとする絶縁層
の形成温度であり、半導体層に非晶質シリコン薄膜を、
ゲート絶縁層にシリコン窒化層(SiNx)を用いた場
合にはゲート絶縁層の形成時に最高処理温度として35
0℃程度必要である。半導体層に低温ポリシリコン薄膜
を、ゲート絶縁層に酸化シリコン層(SiОx)を用い
た場合では製造工程中の各種損傷(ダメージ)の回復、
あるいはイオン注入または照射された不純物の活性化処
理(熱処理)時に最高処理温度として600℃程度必要
である。この600℃という限界がガラス基板の使用を
可能ならしめている最大の理由である。エキシマ・レー
ザ・アニールや高速ランプ・アニール等の加熱は多くの
場合、局所的にしかも数秒以下の短時間に実施されるの
で600℃を超えてもガラス基板全体が溶融もしくは変
形する等の支障は無い。
The order of the manufacturing process, the rationalization of the manufacturing process, the difference in the wiring material, and the like are not essential problems. What is important is the formation temperature of the insulating layer including the semiconductor layer and the gate insulating layer.
When a silicon nitride layer (SiNx) is used for the gate insulating layer, the maximum processing temperature is 35 at the time of forming the gate insulating layer.
About 0 ° C is required. When a low-temperature polysilicon thin film is used for the semiconductor layer and a silicon oxide layer (SiOx) is used for the gate insulating layer, recovery of various damages during the manufacturing process,
Alternatively, a maximum treatment temperature of about 600 ° C. is required at the time of ion implantation or activation treatment (heat treatment) of the irradiated impurities. This limit of 600 ° C. is the largest reason why glass substrates can be used. In many cases, heating such as excimer laser annealing or high speed lamp annealing is performed locally and in a short time of several seconds or less, so that even if the temperature exceeds 600 ° C., there is no problem such as melting or deformation of the entire glass substrate. There is no.

【0060】何れにせよ、アクティブ素子を形成した本
発明による合わせガラス基板2a、2bと、別途用意し
た本発明による合わせガラス基板9a、9bを用いたカ
ラーフィルタとを図4に示したように、従来通りシール
材(図示せず)を用いて貼り合わせる。液晶セルのギャ
ップ規制機構としてカラーフィルタまたはアクティブ基
板上に形成された柱状スペーサを採用するならばビーズ
分散工程は不要である。また、液晶の滴下工法で、貼り
合わせ工程と液晶封入とを同時に行って液晶パネルを形
成しても何ら支障は無い(特開昭63−179323号
公報参照)。
In any case, as shown in FIG. 4, the laminated glass substrates 2a and 2b according to the present invention on which active elements are formed and the color filters using separately prepared laminated glass substrates 9a and 9b according to the present invention are shown in FIG. As in the conventional method, a sealing material (not shown) is used for the attachment. If a color filter or a columnar spacer formed on an active substrate is used as a gap control mechanism of a liquid crystal cell, the bead dispersion step is unnecessary. Also, there is no problem even if the liquid crystal panel is formed by simultaneously performing the bonding step and the liquid crystal encapsulation by the liquid crystal dropping method (see Japanese Patent Laid-Open No. 63-179323).

【0061】そして、マザーガラス基板の周縁部を図示
したように、片側4本の切断線95−1〜4に沿って一
方のガラス基板9a、9bを分断する。図示はしないが
他方のガラス基板2a、2bも4本の切断線に沿って分
断する。合わせガラス基板は夫々2枚の薄いガラス基板
2a、2b及び9a、9bよりなるので従来のスクライ
ブとそれに続くブレーク(総称して割段)では割れ・欠
けが生じないような配慮が必要である。そこで最近、開
発されたばかりのレーザ切断技術を推奨する。例えば、
ショット社製のDLC−600では加熱手段である炭酸
ガスレーザを照射径0.01〜0.1mm程度に絞り、
切断方向に走査しながら冷却ガスを吹き付けて急熱・急
冷することでガラス基板に潜傷を内在させる技術であ
り、条件にもよるが板厚0.3mm以下であればレーザ
切断が可能であり、それ以上の板厚では潜傷が残るので
従来のスクライブよりもはるかに弱いブレーク(押圧)
で分断が可能である。本発明では厚いガラス基板9b
(2b)のみならず、薄いガラス基板9a(2a)にま
で潜傷を発生させるようなレーザ切断条件が必要とな
る。
Then, as shown in the drawing, the peripheral portion of the mother glass substrate is divided into one of the glass substrates 9a and 9b along the four cutting lines 95-1 to 95-4 on one side. Although not shown, the other glass substrate 2a, 2b is also divided along the four cutting lines. Since each laminated glass substrate is composed of two thin glass substrates 2a, 2b and 9a, 9b, it is necessary to take care so as not to cause cracking or chipping in the conventional scribe and the subsequent break (generally divided). Therefore, the laser cutting technology which has been recently developed is recommended. For example,
In the DLC-600 manufactured by SCHOTT Co., a carbon dioxide gas laser as a heating means is narrowed down to an irradiation diameter of about 0.01 to 0.1 mm,
It is a technology that causes latent scratches in the glass substrate by blowing cooling gas and rapidly heating and cooling while scanning in the cutting direction. Depending on the conditions, laser cutting is possible if the plate thickness is 0.3 mm or less. , A thicker thickness causes latent scratches, so a much weaker break (press) than conventional scribe
Can be divided by. In the present invention, the thick glass substrate 9b
Not only (2b) but also laser cutting conditions that cause latent scratches on the thin glass substrate 9a (2a) are required.

【0062】望ましくは厚いガラス基板9b、薄いガラ
ス基板9aさらには薄いガラス基板2aまで切断し、最
後の厚いガラス基板2bに潜傷を発生させるようなレー
ザ切断条件の開発が必要であり、より望ましくは全ての
ガラス基板9b、9a、2a及び2bを一気に切断する
ようなレーザ切断条件の開発が必要である。
Desirably, it is necessary to develop laser cutting conditions for cutting the thick glass substrate 9b, the thin glass substrate 9a, and further the thin glass substrate 2a, and causing latent scratches on the last thick glass substrate 2b. Requires the development of laser cutting conditions for cutting all the glass substrates 9b, 9a, 2a and 2b at once.

【0063】先述したように、一体化されたガラス基板
の強度を増すために割段線上または分断線上の一部が融
合されている場合には当該の割段線に沿ったレーザ切断
を行ない、例えば4分割、6分割されたマザーガラス基
板を得ることになる。
As described above, in order to increase the strength of the integrated glass substrate, when a part of the dividing line or the dividing line is fused, laser cutting is performed along the dividing line. For example, a mother glass substrate divided into 4 and 6 parts is obtained.

【0064】このようにレーザ切断技術等を用いてマザ
ーガラス基板を切断しても、略隙間無く貼り合わせた合
わせガラス基板であれば、不要な厚い方のガラス基板は
自然に剥離することはない。剥離させるためには加熱し
た雰囲気中に放置するか、イオナイザーで電離した空気
を吹き付けながら放置するか、炭酸ガスを溶かして導電
性を付与された純水中で放置するか等の手段が必要であ
る。一方、耐熱性のスペーサを介して貼り合わせた合わ
せガラス基板であれば容易に剥離する。引き続き、図示
はしないが、2枚の薄いガラス基板2a、9aで構成さ
れた一対のマザーガラス基板を上記したレーザ切断技術
を用いて多面取りのマザーガラス基板(例えば、図4で
は12面付け)を分断して個々の空パネルを得る(滴下
工法ではこの時点で液晶パネルが得られる)。そして、
個々の空パネルに液晶を注入・封口して得て本発明の第
4の実施形態が終了する。
Thus, even if the mother glass substrate is cut by using the laser cutting technique or the like, the unnecessary thicker glass substrate will not be naturally peeled off as long as it is a laminated glass substrate which is bonded with substantially no gap. . In order to remove it, it is necessary to leave it in a heated atmosphere, blow it with ionized air using an ionizer, or dissolve it in pure water that has been made conductive by dissolving carbon dioxide. is there. On the other hand, a laminated glass substrate bonded via a heat resistant spacer can be easily peeled off. Subsequently, although not shown, a pair of mother glass substrates composed of two thin glass substrates 2a and 9a are multi-chambered using the laser cutting technique described above (for example, 12 faces in FIG. 4). To obtain individual empty panels (a liquid crystal panel is obtained at this point by the dropping method). And
The fourth embodiment of the present invention is completed by filling and sealing the liquid crystal in each empty panel.

【0065】第4の実施形態ではアクティブ基板もカラ
ーフィルタも合わせガラス基板を用いて薄型化を実現し
たが、液晶表示装置は2枚のガラス基板で構成されるの
で何れか一方のガラス基板に合わせガラス基板を用いる
ことも可能である。薄型化の効果は減少するが、液晶表
示装置を構成する2枚ガラス基板の製造方法及び製造装
置が従来通りで何らの変更が無くできる効果は決して小
さなものではない。何れか一方に合わせガラス基板を採
用するならば、プロセスの長さと最高処理温度等を考慮
すると、既に述べたようにカラーフィルタまたは透明導
電性の対向電極を有する対向ガラス基板の方が圧倒的に
容易である。
In the fourth embodiment, both the active substrate and the color filter are made thin by using a laminated glass substrate. However, since the liquid crystal display device is composed of two glass substrates, it is possible to match one of the glass substrates. It is also possible to use a glass substrate. Although the effect of reducing the thickness is reduced, the effect that the manufacturing method and the manufacturing apparatus for the two glass substrates constituting the liquid crystal display device are the same as the conventional ones and there is no change is not small. If a laminated glass substrate is used for either one, considering the process length and the maximum processing temperature, etc., the counter glass substrate having the color filter or the transparent conductive counter electrode is overwhelming as already described. It's easy.

【0066】(第5の実施形態)第5の実施形態は薄い
発光型表示装置を得るための製造方法であり、板厚の異
なる2枚の絶縁基板を貼り合わせてなる表示装置用基板
の薄い方のガラス基板の一主面上に少なくともスイッチ
ング用絶縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング
用絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査
線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続
された蓄積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタ
と、前記駆動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配
線に接続された表示電極とを有する単位絵素を二次元の
マトリクスに配列して形成する工程と、前記表示電極上
に発光表示媒体を形成する工程と、前記発光表示媒体上
に共通電極を形成する工程と、少なくとも発光領域を封
止する工程と、前記発光型表示装置が多面付けされた表
示装置用基板の周縁部を切断除去して板厚の厚いガラス
基板を除去する工程と、板厚の薄いガラス基板からなる
マザーガラス基板を分断する工程とからなる。
(Fifth Embodiment) The fifth embodiment is a manufacturing method for obtaining a thin light emitting display device, in which a display device substrate formed by bonding two insulating substrates having different plate thicknesses is thin. On one main surface of the other glass substrate, at least a switching insulated gate transistor, a scanning line also serving as a gate electrode of the switching insulated gate transistor, a signal line also serving as a source wiring, and a storage capacitor connected to a drain wiring. A step of forming unit pixels having a driving insulated gate transistor and a display electrode connected to a drain wiring of the driving insulated gate transistor in a two-dimensional matrix, and forming the unit pixel on the display electrode. Forming a light emitting display medium, forming a common electrode on the light emitting display medium, sealing at least a light emitting region, From the step of cutting and removing the thick glass substrate by cutting and removing the peripheral portion of the display device substrate on which the optical display device is multi-faced, and the step of dividing the mother glass substrate made of the thin glass substrate Become.

【0067】図5の等価回路にも示したように、発光型
のアクティブマトリクスを形成する工程は、板厚の異な
る2枚の絶縁基板を貼り合わせてなる表示装置用基板の
薄い方のガラス基板の一主面上に少なくともスイッチン
グ用絶縁ゲート型トランジスタ10と、前記スイッチン
グ用絶縁ゲート型トランジスタ10のゲート電極も兼ね
る走査線11とソース配線も兼ねる信号線12と、ドレ
イン配線21に接続された蓄積容量15と、1個以上の
駆動用絶縁ゲート型トランジスタ40と、前記駆動用絶
縁ゲート型トランジスタ40のドレイン配線に接続され
た表示電極とを有する単位絵素を二次元のマトリクスに
配列して形成する工程と、前記表示電極上に発光表示媒
体(発光ダイオード41)を形成する工程と、前記発光
表示媒体上に共通電極43を形成する工程とからなる。
蓄積容量15は駆動用絶縁ゲート型トランジスタ40を
保持期間中ОNさせるために必要であり(特開平6−3
25869号公報参照)、発光表示媒体である有機EL
発光薄膜上に形成された導電性薄膜層よりなり、あるい
は発光表示媒体上に形成された導電性薄膜層よりなり、
全ての発光素子41に共通して流れる電流の帰還線(接
地線、アース線)が共通電極43である(特開平8−2
34683号公報参照)。なお、42は発光表示媒体を
駆動するための電力を供給する電源線であり、全ての駆
動用絶縁ゲート型トランジスタ40のソースに共通接続
し、絶縁基板上に形成された導電路からなる。
As shown in the equivalent circuit of FIG. 5, in the process of forming the light emitting active matrix, the thinner glass substrate of the display device substrate formed by bonding two insulating substrates having different plate thicknesses together. A storage connected to at least a switching insulated gate transistor 10, a scanning line 11 also serving as a gate electrode of the switching insulated gate transistor 10, a signal line 12 also serving as a source wiring, and a drain wiring 21 on one main surface of Formed by arranging unit pixels having a capacitor 15, at least one driving insulated gate transistor 40, and a display electrode connected to the drain wiring of the driving insulated gate transistor 40 in a two-dimensional matrix. Common to the step of forming a light emitting display medium (light emitting diode 41) on the display electrode, and And a step of forming a pole 43.
The storage capacitor 15 is necessary for turning on the driving insulated gate transistor 40 during the holding period (Japanese Patent Laid-Open No. 6-3
25869), organic EL as a light emitting display medium
Consisting of a conductive thin film layer formed on a light emitting thin film, or consisting of a conductive thin film layer formed on a light emitting display medium,
A common electrode 43 is a feedback line (ground line, ground line) for a current flowing commonly to all the light emitting elements 41 (Japanese Patent Laid-Open No. 8-2.
34683). Reference numeral 42 denotes a power supply line for supplying electric power for driving the light emitting display medium, which is commonly connected to the sources of all the driving insulated gate transistors 40 and is composed of a conductive path formed on an insulating substrate.

【0068】なお、駆動用絶縁ゲート型トランジスタ4
0の閾値電圧がばらついて発光素子41を駆動する電流
もばらつくと表示画像の忠実性が失われるので、オフセ
ットキャンセルのために駆動用絶縁ゲート型トランジス
タ40を複数個、例えば4個配置するようなことも半導
体集積回路設計技術から適用可能である。
The driving insulated gate transistor 4
If the threshold voltage of 0 varies and the current for driving the light emitting element 41 also varies, the fidelity of the displayed image is lost. Therefore, a plurality of driving insulated gate transistors 40, for example, four are arranged to cancel the offset. This is also applicable from the semiconductor integrated circuit design technology.

【0069】発光素子(発光ダイオード41)は一方の
導電性薄膜が透明導電層であり、他方の導電性薄膜が金
属反射層であって、これら一対の電極間に有機EL発光
薄膜がサンドイッチされている。有機EL発光薄膜より
発光した光は透明導電層側から外部に放出されるので、
透明導電層がガラス基板の一主面上に形成されている場
合にはガラス基板の他の主面上から発光した光が外部に
放出され、透明導電層がガラス基板の一主面上に形成さ
れた有機EL発光薄膜上に形成されている場合にはガラ
ス基板の一主面上から発光した光が外部に放出されるこ
とになる。前者の構成は画素の開口率の観点からは不利
である。しかしながら、有機EL発光薄膜上に低抵抗で
透明度の高い透明導電層を形成することは有機EL発光
薄膜への損傷を考慮すると不利であるが、技術開発によ
って後者が支配的になるであろうと推測される。
In the light emitting element (light emitting diode 41), one conductive thin film is a transparent conductive layer and the other conductive thin film is a metal reflective layer, and an organic EL light emitting thin film is sandwiched between these pair of electrodes. There is. Since the light emitted from the organic EL light emitting thin film is emitted to the outside from the transparent conductive layer side,
When the transparent conductive layer is formed on one main surface of the glass substrate, the light emitted from the other main surface of the glass substrate is emitted to the outside, and the transparent conductive layer is formed on the main surface of the glass substrate. When it is formed on the formed organic EL light emitting thin film, the light emitted from the one main surface of the glass substrate is emitted to the outside. The former configuration is disadvantageous from the viewpoint of the aperture ratio of the pixel. However, it is disadvantageous to form a transparent conductive layer having low resistance and high transparency on the organic EL light emitting thin film in view of damage to the organic EL light emitting thin film, but it is speculated that the latter will be dominant due to technological development. To be done.

【0070】有機EL発光薄膜はその膜厚が0.1〜
0.3μmと薄いこともあいまって、真空蒸着で形成さ
れる低分子型のものでは周囲の水分が浸入して劣化する
のを防止するために厳重な封止手段が必要であり、例え
ば、図6に示したように紫外線硬化樹脂等を用いて乾燥
剤(図示せず)を組み入れた帽子型のアルミニウム製の
防水蓋70で発光領域を封止している。これに対して、
塗付形成可能な高分子型のものでは低分子型のものと比
較すると比較的劣化度合いが弱いので、無機薄膜または
有機薄膜もしくはこれらの積層膜で保護絶縁層を形成す
ることで封止手段としている。
The organic EL light emitting thin film has a thickness of 0.1 to 10.
Combined with its thinness of 0.3 μm, a low molecular weight type formed by vacuum vapor deposition requires a strict sealing means to prevent the surrounding moisture from invading and deteriorating. As shown in FIG. 6, the light emitting region is sealed with a cap-shaped aluminum waterproof lid 70 in which a desiccant (not shown) is incorporated using an ultraviolet curable resin or the like. On the contrary,
Since the degree of deterioration of the polymer type that can be formed by coating is relatively weaker than that of the low molecular type, forming a protective insulating layer with an inorganic thin film, an organic thin film or a laminated film of these forms a sealing means. There is.

【0071】上記した製造工程の順序や製造工程の合理
化、及び配線材料の差異等は本質的な問題ではない。重
要なことは、ガラス基板の切断工程において発光素子を
含むアクティブ基板が水分等の浸入を阻止する機構・手
段を具備していることである。何れにせよ、本発明によ
る合わせガラス基板上に表示電極と共通電極を含む発光
素子とアクティブ素子を形成する工程と、少なくとも発
光領域を封止する工程と、前記発光型表示装置が多面付
けされたマザーガラス基板の周縁部を切断除去して板厚
の厚いガラス基板を除去する工程と、板厚の薄いガラス
基板からなるマザーガラス基板を分断する工程とから発
光型の表示装置を形成する。
The order of the manufacturing steps, the rationalization of the manufacturing steps, the difference in the wiring material, and the like are not essential problems. What is important is that the active substrate including the light emitting element is provided with a mechanism / means for preventing the intrusion of moisture or the like in the step of cutting the glass substrate. In any case, a step of forming a light emitting element including a display electrode and a common electrode and an active element on a laminated glass substrate according to the present invention, a step of sealing at least a light emitting region, and the light emitting display device are multi-faced. A light-emitting display device is formed by the steps of cutting and removing the peripheral edge portion of the mother glass substrate to remove the thick glass substrate and the step of dividing the mother glass substrate made of the thin glass substrate.

【0072】図7(a)には、例えば4面付けされた有
機EL表示装置が形成されたマザーガラス基板を示し、
駆動用の半導体集積回路チップ3a、3bが実装されて
いる。60、61は夫々信号線側、走査線側の電源線、
高速クロック線等の共通配線である。画像表示部上に帽
子状の防水蓋70または多層膜よりなる防水膜71が形
成されている点に注目されたい。ここでは2種類の防水
手段を図示しているが、実際には防水蓋70または防水
膜71の何れかが選択される。有機EL表示装置では発
光素子に多くの電流を流す必要があり、スイッチング用
絶縁ゲート型トランジスタ10と駆動用絶縁ゲート型ト
ランジスタ40に電流駆動能力の大きい、例えば低温ポ
リシリコンを半導体材料とする絶縁ゲート型トランジス
タを用いるのが一般的である。この場合には、駆動用の
半導体集積回路を内蔵することも比較的容易で、その場
合には図7(b)に示したように画像表示部外の領域に
は電源線、高速クロック線等の共通配線60、61が形
成されるだけで、デバイスの外見は非常に簡素化され
る。
FIG. 7A shows, for example, a mother glass substrate on which four-sided organic EL display devices are formed.
The semiconductor integrated circuit chips 3a and 3b for driving are mounted. Reference numerals 60 and 61 denote power supply lines on the signal line side and the scanning line side, respectively.
It is a common wiring such as a high-speed clock line. It should be noted that a hat-shaped waterproof lid 70 or a waterproof film 71 made of a multilayer film is formed on the image display portion. Although two types of waterproof means are shown here, either the waterproof lid 70 or the waterproof film 71 is actually selected. In the organic EL display device, it is necessary to flow a large amount of current through the light emitting element, and the switching insulating gate type transistor 10 and the driving insulating gate type transistor 40 have a large current driving capability, for example, an insulating gate using low temperature polysilicon as a semiconductor material. Type transistors are generally used. In this case, it is relatively easy to incorporate a semiconductor integrated circuit for driving. In that case, as shown in FIG. 7B, a power supply line, a high-speed clock line, etc. are provided in the area outside the image display unit. Only by forming the common wirings 60 and 61, the appearance of the device is greatly simplified.

【0073】合わせガラス基板上に多面付けされた発光
型の表示装置を分断するにあたり、マザーガラス基板の
周縁部を分断するが、略隙間無く貼り合わせた合わせガ
ラス基板であれば、不要な厚い方のガラス基板は自然に
剥離することはない。そのため、有機EL材料の低い耐
熱性(低分子型で最大100℃、高分子型で最大200
℃程度)を考慮すると加熱した雰囲気中に放置すること
は表示特性の重大な劣化をもたらすので、イオナイザー
で電離した空気を吹き付けながら放置するか、炭酸ガス
を溶かして導電性を付与された純水中で放置するか等の
手段が必要である。一方、耐熱性のスペーサを介して貼
り合わせた合わせガラス基板であれば容易に剥離する。
引き続き、図示はしないが、薄いガラス基板で構成され
たマザーガラス基板を先述したレーザ切断技術を用いて
多面取りの発光型表示装置を分断して個々の発光型表示
装置を得て本発明の第5の実施形態が完了する。
When dividing the light emitting display device which is attached on the laminated glass substrate in multiple directions, the peripheral portion of the mother glass substrate is divided. The glass substrate does not peel off spontaneously. Therefore, the low heat resistance of organic EL materials (up to 100 ° C for low-molecular type and up to 200 for high-molecular type
Considering the temperature (about ° C), leaving it in a heated atmosphere causes serious deterioration of display characteristics. Therefore, leave it while blowing ionized air with an ionizer, or use pure water that has been rendered conductive by dissolving carbon dioxide gas. It is necessary to take measures such as leaving it inside. On the other hand, a laminated glass substrate bonded via a heat resistant spacer can be easily peeled off.
Subsequently, although not shown in the drawing, the multi-chamber light emitting display device is divided by using the laser cutting technique described above for the mother glass substrate composed of a thin glass substrate to obtain individual light emitting display devices to obtain the first invention of the present invention. The fifth embodiment is completed.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上述べたように、本発明に記載の表示
装置用基板を用いると多面付けの分断処理工程に一部新
規な切断技術の導入が必要ではあるが、現存する量産ラ
インでベースとなるガラス基板の板厚が0.05〜0.
2mmの表示装置を作製することが可能となる。このよ
うな薄い板厚のガラス基板を処理する生産設備の実用化
に見通しが立たない限り、本発明の革新性は著しいもの
である。
As described above, when the substrate for a display device according to the present invention is used, it is necessary to introduce a new cutting technique in part of the cutting process for multi-sided attachment, but it is necessary to use it as a base for existing mass production lines. The glass substrate has a thickness of 0.05-0.
It is possible to manufacture a 2 mm display device. The innovation of the present invention is remarkable unless a production facility for processing such a thin glass substrate is put into practical use.

【0075】同じく表示装置の薄型化と軽量化がほぼ究
極のレベルにまで到達し、携帯電話、携帯型の情報表示
端末機器等においては薄型化と軽量化の効果だけでな
く、それらによって生じた空いた空間に新規な機能素子
またはそれを実現する集積回路、多層配線基板を搭載す
ることが可能となり、新規な創造をもたらす副次的な効
果が得られる。
Similarly, the thinning and lightening of the display device have reached almost the ultimate level, which is caused not only by the thinning and lightening effects in a mobile phone, a portable information display terminal device, etc., but also by these. It becomes possible to mount a new functional element, an integrated circuit that realizes the same, or a multilayer wiring board in an empty space, and a side effect that brings about a new creation can be obtained.

【0076】また、従来のガラス基板を化学・機械研磨
する薄型化技術と比較しても、大量の化学薬品や研磨剤
が不要となるだけでなく、それらに関連した排液処理も
不要である。さらに、分断して除去した厚いガラス板に
は表示装置を構成する無機・有機材料が一切付着してい
ないので、表示装置の製造現場で回収してガラスメーカ
に良好な屑ガラスとして提供することでリサイクルが容
易に実現し、同時に省材料までもが達成される。すなわ
ち、宇宙環境、地球環境までも配慮した人類にとって優
しい技術である。
Further, as compared with the conventional thinning technique of chemically / mechanically polishing a glass substrate, not only a large amount of chemicals and abrasives are not required, but also drainage treatment related thereto is not required. . Furthermore, since the inorganic and organic materials that make up the display device do not adhere to the thick glass plate that is cut and removed, it is possible to collect it at the display device manufacturing site and provide it to glass makers as good scrap glass. Recycling is easily realized, and at the same time material saving is achieved. In other words, it is a technology that is kind to humanity, taking into consideration the space environment and the global environment.

【0077】なお、本発明の要件は実施形態の説明から
も明らかなように、板厚の異なった2枚のガラス基板を
貼り合わせて得られる表示装置用基板を用いて薄型の表
示装置を得ることにあり、表示装置を作製するための材
料・製法・構成には何ら拘束されるもので無いことは明
らかであり、例えば着色層をアクティブ基板上に形成し
た液晶表示装置も本発明の範疇である。また、表示装置
以外のデバイスであっても絶縁性と耐熱性とが要求を満
たしていれば適用可能な技術であることも補足してお
く。
As is clear from the description of the embodiments, the requirements of the present invention are such that a thin display device is obtained by using a display device substrate obtained by bonding two glass substrates having different plate thicknesses. However, it is clear that the material, manufacturing method, and configuration for manufacturing the display device are not restricted at all. For example, a liquid crystal display device in which a colored layer is formed on an active substrate is also within the scope of the present invention. is there. In addition, it should be supplemented that even devices other than display devices can be applied as long as the insulation and heat resistance meet the requirements.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態にかかる表示装置用基
板の製造工程断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of a manufacturing process of a display device substrate according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態にかかる表示装置用基板の作
製に用いられる貼り合わせ機の概略構成図
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a bonding machine used for manufacturing a display device substrate according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施形態にかかる表示装置用基
板の製造工程断面図
FIG. 3 is a sectional view of a manufacturing process of a display device substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施形態にかかる液晶表示装置
用マザーガラス基板を示す図
FIG. 4 is a diagram showing a mother glass substrate for a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第5の実施形態にかかる発光型表示装
置の等価回路図
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a light emitting display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第5の実施形態にかかる発光型表示装
置を示す図
FIG. 6 is a diagram showing a light emitting display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第5の実施形態にかかる発光型表示装
置用マザーガラス基板を示す図
FIG. 7 is a view showing a mother glass substrate for a light emitting display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】液晶パネルの実装状態を示す斜視図FIG. 8 is a perspective view showing a mounted state of a liquid crystal panel.

【図9】液晶パネルの等価回路図FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal panel.

【図10】従来の液晶パネルの断面図FIG. 10 is a sectional view of a conventional liquid crystal panel.

【図11】先行例の液晶表示装置用マザーガラス基板を
示す図
FIG. 11 is a diagram showing a mother glass substrate for a liquid crystal display device of a prior art example.

【図12】別の先行例で開示された表示装置用基板の断
面図
FIG. 12 is a cross-sectional view of a display device substrate disclosed in another prior art example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 液晶パネル 2,2a ガラス基板 3 半導体集積回路チップ 4 TCPフィルム 5,6 電極端子群 9,9a カラーフィルタ(対向ガラス基板) 10 絶縁ゲート型トランジスタ 11 走査線(ゲート配線、ゲート電極) 12 信号線(ソース配線、ソース電極) 13 液晶セル 14 対向電極 15 蓄積容量 16 蓄積容量線 17 液晶 18 着色層 19 偏光板 20 ポリイミド系樹脂薄膜 21 ドレイン配線(電極) 22 (透明導電性)絵素電極 23 半導体層 24 Cr薄膜層 40 駆動用絶縁ゲート型トランジスタ 41 発光素子(発光ダイオード) 42 電源線 43 共通電極 50 貼り合わせ基板 51 保護樹脂 52 Oリング 60,61 共通配線 70 防水蓋 71 防水膜 80 (減圧下のガラス基板)貼り合わせ装置 81 処理室 82,83,84 真空待機室 85 保持台 86 押し付け板 87 レーザ光 88 外周部 89 融合(接合)領域 90 (貼り合わせガラス基板の)スペーサ 91 供給口 95 (合わせガラス基板周縁部の)切断線 1 LCD panel 2,2a glass substrate 3 Semiconductor integrated circuit chip 4 TCP film 5, 6 electrode terminal group 9,9a Color filter (opposite glass substrate) 10 Insulated gate type transistor 11 scanning lines (gate wiring, gate electrode) 12 signal lines (source wiring, source electrode) 13 Liquid crystal cell 14 Counter electrode 15 Storage capacity 16 storage capacity line 17 LCD 18 Coloring layer 19 Polarizer 20 Polyimide resin thin film 21 Drain wiring (electrode) 22 (Transparent conductive) picture element electrode 23 Semiconductor layer 24 Cr thin film layer 40 Insulated gate transistor for driving 41 Light emitting element (light emitting diode) 42 power line 43 Common electrode 50 bonded substrates 51 Protective resin 52 O-ring 60, 61 common wiring 70 waterproof lid 71 waterproof membrane 80 (Glass substrate under reduced pressure) Laminating device 81 Processing room 82,83,84 vacuum waiting room 85 holding table 86 Press plate 87 Laser light 88 outer periphery 89 Fusion area 90 Spacer (of laminated glass substrate) 91 Supply port 95 Cutting line (on the periphery of the laminated glass substrate)

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1339 500 G02F 1/1339 500 3K007 505 505 5C094 1/1368 1/1368 5G435 G09F 9/00 338 G09F 9/00 338 9/35 9/35 H05B 33/02 H05B 33/02 33/04 33/04 33/10 33/10 33/14 33/14 A Fターム(参考) 2H088 FA02 FA03 FA05 FA10 FA21 FA26 HA01 HA08 HA12 HA14 MA02 MA17 2H089 NA09 NA24 NA39 QA06 QA12 QA14 TA01 TA09 TA12 TA13 2H090 JA09 JB02 JC13 JC19 JD17 LA02 LA03 LA05 LA15 2H091 FA02Y FA35Y FC16 GA01 GA08 GA09 GA13 LA04 LA12 LA17 2H092 GA40 JA24 JB22 JB31 JB51 JB57 JB69 KA05 KA10 KA11 MA18 MA27 MA30 MA37 NA01 NA29 PA01 PA03 PA04 PA08 PA09 3K007 AB00 AB18 BA06 BB01 BB07 CA01 DB03 FA01 FA02 5C094 AA15 AA43 AA46 BA03 BA27 BA43 CA19 CA24 DA12 DA13 EA04 EA05 EA07 EB02 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 FB20 JA08 5G435 AA17 AA18 BB05 BB12 CC09 CC12 KK05 KK10 LL07 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G02F 1/1339 500 G02F 1/1339 500 3K007 505 505 505 5C094 1/1368 1/1368 5G435 G09F 9/00 338 G09F 9/00 338 9/35 9/35 H05B 33/02 H05B 33/02 33/04 33/04 33/10 33/10 33/14 33/14 AF term (reference) 2H088 FA02 FA03 FA05 FA10 FA21 FA26 HA01 HA08 HA12 HA14 MA02 MA17 2H089 NA09 NA24 NA39 QA06 QA12 QA14 TA01 TA09 TA12 TA13 2H090 JA09 JB02 JC13 JC19 JD17 LA02 LA03 LA05 LA15 2H091 FA02Y FA35Y FC16 GA01 GA08 GA09 GA13 LA04 LA12 LA05 LAJ LAJ LAJ LAB J27 JB22 J51 NA29 PA01 PA03 PA04 PA08 PA09 3K007 AB00 AB18 BA06 BB01 BB07 CA01 DB03 FA01 FA02 5C094 AA15 AA43 AA46 BA03 BA27 BA43 CA19 CA24 DA12 DA13 EA04 EA05 EA07 EB02 FA01 BB07 BB10 BB10 BB10 ABB5A08 BB12 ABB15A08 BB12 ABB15A08 BB12 ABB15A08 BB12 ABB15A08 BB10 ABB15A08 BB12 ABB15A08 BB10 ABB15A08 BB12 ABB15A08 BB10 ABB15A08 BB12 ABB15A08 BB10 ABB15A08 BB10 ABB15A08 BB10 ABB ABBBAA BB15 ABB BBA BBA ABBBA BB AA

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トラ
ンジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電
極も兼ねる走査線と、信号線も兼ねるソース電極と、絵
素電極を接続されたドレイン電極とを有する単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、一主面上
に少なくとも所定の分光特性を有する着色層が所定のパ
ターン状に形成されているカラーフィルタまたは対向基
板とを対向させ、その間隙に液晶を充填してなる液晶表
示装置において、絶縁基板またはカラーフィルタもしく
は対向基板の何れか一方もしくは両方が厚み0.05〜
0.2mmのガラス板であることを特徴とする液晶表示
装置。
1. A main surface is provided with at least an insulated gate transistor, a scanning line also serving as a gate electrode of the insulated gate transistor, a source electrode also serving as a signal line, and a drain electrode connected to a pixel electrode. The unit substrate having the unit picture elements is arranged in a two-dimensional matrix, and the color filter or the counter substrate on which a colored layer having at least a predetermined spectral characteristic is formed in a predetermined pattern on at least one main surface is made to face each other. In a liquid crystal display device in which the gap is filled with liquid crystal, one or both of the insulating substrate, the color filter and the counter substrate has a thickness of 0.05 to
A liquid crystal display device, which is a 0.2 mm glass plate.
【請求項2】 一主面上に少なくともスイッチング用絶
縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング用絶縁ゲ
ート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソー
ス配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された蓄
積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記駆
動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線に接続さ
れた表示電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された絶縁基板と、発光表示媒体と、少なくとも
前記発光表示媒体を封止する機構とよりなる表示装置に
おいて、絶縁基板が厚み0.05〜0.2mmのガラス
板であることを特徴とする発光型表示装置。
2. A storage capacitor connected to at least a switching insulated gate transistor, a scanning line also serving as a gate electrode of the switching insulated gate transistor and a signal line also serving as a source wiring, and a drain wiring on one main surface. An insulating substrate in which unit pixels having a driving insulated gate transistor and a display electrode connected to a drain wiring of the driving insulated gate transistor are arranged in a two-dimensional matrix; and a light emitting display medium, A display device comprising at least a mechanism for sealing the light emitting display medium, wherein the insulating substrate is a glass plate having a thickness of 0.05 to 0.2 mm.
【請求項3】 大きさが略同一で板厚の異なる2枚のガ
ラス基板を略隙間無く対向させ、少なくとも端面近傍を
接合してなる表示装置用基板。
3. A substrate for a display device, which comprises two glass substrates having substantially the same size and different plate thicknesses, which are opposed to each other with substantially no gap, and at least the vicinity of the end face is bonded.
【請求項4】 大きさが略同一で板厚の異なる2枚のガ
ラス基板をスペーサを介して対向させ、少なくとも端面
近傍を接合して形成された閉空間が減圧状態にある表示
装置用基板。
4. A substrate for a display device in which a closed space formed by joining two glass substrates having substantially the same size but different plate thicknesses with each other through a spacer and bonding at least the vicinity of the end face is in a reduced pressure state.
【請求項5】 板厚の薄い方の一主面上に少なくとも所
定の分光特性を有する着色層が所定のパターン状に形成
されていることを特徴とする請求項3または請求項4の
いずれかに記載の表示装置用基板を用いたカラーフィル
タ。
5. The coloring layer having at least a predetermined spectral characteristic is formed in a predetermined pattern on one main surface having a smaller plate thickness, according to claim 3 or 4. A color filter using the substrate for a display device according to.
【請求項6】 大きさが略同一で板厚の異なった2枚の
ガラス基板を洗浄する工程と、減圧下で前記2枚のガラ
ス基板を略隙間無く対向させて固定する工程と、少なく
とも周縁部の端面近傍にレーザ光を照射して前記2枚の
ガラス基板を融合させる工程とを有する表示装置用基板
の製造方法。
6. A step of cleaning two glass substrates having substantially the same size and different plate thicknesses, a step of fixing the two glass substrates so as to face each other under a reduced pressure with substantially no gap, and at least a peripheral edge. Irradiating a laser beam in the vicinity of the end face of the portion to fuse the two glass substrates together.
【請求項7】 減圧下で大きさが略同一で板厚の異なる
2枚のガラス基板の何れか一方のガラス基板上にスペー
サ材を散布する工程と、前記2枚のガラス基板を対向さ
せて固定する工程と、少なくとも周縁部の端面近傍にレ
ーザ光を照射して前記2枚のガラス基板を融合させる工
程とを有する表示装置用基板の製造方法。
7. A step of spraying a spacer material on one of the two glass substrates having substantially the same size and different plate thickness under reduced pressure, and the two glass substrates facing each other. A method of manufacturing a substrate for a display device, which comprises a step of fixing and a step of irradiating at least the vicinity of an end face of a peripheral portion with laser light to fuse the two glass substrates.
【請求項8】 少なくとも板厚の異なる2枚のガラス基
板を貼り合わせてなる一方の表示装置用基板の薄い方の
ガラス基板の一主面上にアクティブマトリクスを形成す
る工程と、板厚の異なる2枚のガラス基板を貼り合わせ
てなる他方の表示装置用基板の薄い方のガラス基板の一
主面上にカラーフィルタを形成する工程と、シール材と
スペーサ材とを用いて前記アクティブマトリクス基板と
カラーフィルタとを対向させて貼り合わせる工程と、前
記貼り合わせられた一対の表示装置用基板の周縁部を切
断除去して板厚の厚い2枚のガラス基板を除去する工程
と、板厚の薄い2枚のガラス基板からなる貼り合わせら
れたマザーガラス基板を分断する工程とを有する液晶表
示装置の製造方法。
8. A step of forming an active matrix on one main surface of a glass substrate of one display device, which is formed by bonding at least two glass substrates having different plate thicknesses, and a step of forming the active matrix differently. A step of forming a color filter on one main surface of a thinner glass substrate of the other display device substrate formed by bonding two glass substrates, and the active matrix substrate using a sealant and a spacer material. A step of adhering the color filters to face each other; a step of cutting and removing the peripheral portions of the pair of adhered display device substrates to remove two thick glass substrates; and a thin plate thickness. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of cutting a bonded mother glass substrate composed of two glass substrates.
【請求項9】 板厚の異なる2枚の絶縁基板を貼り合わ
せてなる表示装置用基板の薄い方のガラス基板の一主面
上に少なくともスイッチング用絶縁ゲート型トランジス
タと、前記スイッチング用絶縁ゲート型トランジスタの
ゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線
と、ドレイン配線に接続された蓄積容量と、駆動用絶縁
ゲート型トランジスタと、前記駆動用絶縁ゲート型トラ
ンジスタのドレイン配線に接続された表示電極とを有す
る単位絵素を二次元のマトリクスに配列して形成する工
程と、前記表示電極上に発光表示媒体を形成する工程
と、前記発光表示媒体上に共通電極を形成する工程と、
少なくとも発光領域を封止する工程と、前記発光型表示
装置が多面付けされた表示装置用基板の周縁部を切断除
去して板厚の厚いガラス基板を除去する工程と、板厚の
薄いガラス基板からなるマザーガラス基板を分断する工
程とを有する発光型表示装置の製造方法。
9. An insulating gate type transistor for switching at least on one main surface of a glass substrate of a thinner one of a substrate for a display device, which is formed by bonding two insulating substrates having different plate thicknesses, and the insulating gate type for switching. A scanning line that also serves as a gate electrode of a transistor, a signal line that also serves as a source wiring, a storage capacitor connected to a drain wiring, a driving insulated gate transistor, and a display connected to the drain wiring of the driving insulated gate transistor. Forming unit pixel elements having electrodes by arranging them in a two-dimensional matrix, forming a light emitting display medium on the display electrodes, and forming a common electrode on the light emitting display medium,
At least a step of sealing a light emitting region, a step of cutting and removing a thick glass substrate by cutting and removing a peripheral portion of a display device substrate to which the light emitting display device is attached, and a thin glass substrate. And a step of dividing a mother glass substrate made of
JP2002018048A 2002-01-28 2002-01-28 Display device and substrate for display device, and method of manufacturing the same Pending JP2003216068A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002018048A JP2003216068A (en) 2002-01-28 2002-01-28 Display device and substrate for display device, and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002018048A JP2003216068A (en) 2002-01-28 2002-01-28 Display device and substrate for display device, and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003216068A true JP2003216068A (en) 2003-07-30

Family

ID=27653526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002018048A Pending JP2003216068A (en) 2002-01-28 2002-01-28 Display device and substrate for display device, and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003216068A (en)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006220757A (en) * 2005-02-08 2006-08-24 Asahi Glass Co Ltd Thin plate glass laminated body and manufacturing method of display device using the same body
JP2007017820A (en) * 2005-07-11 2007-01-25 Future Vision:Kk Display device and method for manufacturing same
JP2007052367A (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Liquid crystal display apparatus and method for manufacturing the same
US7211940B2 (en) 2003-11-17 2007-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display device with opposed substrates of different thickness separated by spacers
WO2007129554A1 (en) 2006-05-08 2007-11-15 Asahi Glass Company, Limited Thin-sheet glass laminate, process for manufacturing display apparatus using the laminate, and supporting glass substrate
JP2008047514A (en) * 2006-08-21 2008-02-28 Samsung Sdi Co Ltd Vertical sealing device, and method of manufacturing organic electroluminescent display device utilizing it
WO2008111361A1 (en) 2007-03-12 2008-09-18 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate provided with protection glass and method for manufacturing display device using glass substrate provided with protection glass
WO2009128359A1 (en) 2008-04-17 2009-10-22 旭硝子株式会社 Glass laminate, display panel with support, method for producing glass laminate and method for manufacturing display panel with support
JP2010102020A (en) * 2008-10-22 2010-05-06 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Liquid crystal panel, method of manufacturing the same, coating for forming antistatic film of the same, and image display device
JP2010204405A (en) * 2009-03-04 2010-09-16 Epson Imaging Devices Corp Method for manufacturing in plane switching liquid crystal display panel
US7828618B2 (en) 2003-11-14 2010-11-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Super-thin OLED and method for manufacturing the same
JP2011065195A (en) * 2005-09-22 2011-03-31 Sharp Corp Liquid crystal display
JP2011201725A (en) * 2010-03-25 2011-10-13 Nippon Electric Glass Co Ltd Method for producing glass substrate
CN102707477A (en) * 2012-06-04 2012-10-03 昆山龙腾光电有限公司 Manufacturing method for liquid crystal display panel
US8303754B2 (en) 2006-07-12 2012-11-06 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate with protective glass, process for producing display device using glass substrate with protective glass, and silicone for release paper
CN102778771A (en) * 2011-05-12 2012-11-14 乐金显示有限公司 Method of fabricating lightweight and thin liquid crystal display device
US8652643B2 (en) 2005-08-09 2014-02-18 Asahi Glass Company, Limited Thin plate glass laminate and process for producing display device using thin plate glass laminate
JP2014531387A (en) * 2011-09-15 2014-11-27 アップル インコーポレイテッド Thin glass manufacturing method using support substrate

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000241804A (en) * 1999-02-23 2000-09-08 Nec Kagoshima Ltd Jig for production of display device and production of display device using the same
JP2000250000A (en) * 1999-03-03 2000-09-14 Seiko Epson Corp Production of liquid crystal panel
JP2000349298A (en) * 1999-03-26 2000-12-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Electrooptic device and manufacture thereof
JP2001142412A (en) * 1999-11-15 2001-05-25 Sharp Corp Manufacturing method of planar display panel, planar display panel and holding jig
JP2001142092A (en) * 1999-11-10 2001-05-25 Hitachi Ltd Liquid crystal display device and method of producing the same
JP2001215481A (en) * 2000-02-02 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal array device, its manufacturing method and liquid crystal display panel using the same
JP2003066858A (en) * 2001-08-23 2003-03-05 Sony Corp Method of manufacturing thin-film device substrate

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000241804A (en) * 1999-02-23 2000-09-08 Nec Kagoshima Ltd Jig for production of display device and production of display device using the same
JP2000250000A (en) * 1999-03-03 2000-09-14 Seiko Epson Corp Production of liquid crystal panel
JP2000349298A (en) * 1999-03-26 2000-12-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Electrooptic device and manufacture thereof
JP2001142092A (en) * 1999-11-10 2001-05-25 Hitachi Ltd Liquid crystal display device and method of producing the same
JP2001142412A (en) * 1999-11-15 2001-05-25 Sharp Corp Manufacturing method of planar display panel, planar display panel and holding jig
JP2001215481A (en) * 2000-02-02 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal array device, its manufacturing method and liquid crystal display panel using the same
JP2003066858A (en) * 2001-08-23 2003-03-05 Sony Corp Method of manufacturing thin-film device substrate

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7828618B2 (en) 2003-11-14 2010-11-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Super-thin OLED and method for manufacturing the same
US7211940B2 (en) 2003-11-17 2007-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display device with opposed substrates of different thickness separated by spacers
JP2006220757A (en) * 2005-02-08 2006-08-24 Asahi Glass Co Ltd Thin plate glass laminated body and manufacturing method of display device using the same body
JP2007017820A (en) * 2005-07-11 2007-01-25 Future Vision:Kk Display device and method for manufacturing same
JP4658721B2 (en) * 2005-07-11 2011-03-23 株式会社フューチャービジョン Manufacturing method of display device
US8652643B2 (en) 2005-08-09 2014-02-18 Asahi Glass Company, Limited Thin plate glass laminate and process for producing display device using thin plate glass laminate
JP2007052367A (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Liquid crystal display apparatus and method for manufacturing the same
US8009261B2 (en) 2005-09-22 2011-08-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device comprising a plurality of first and second supports
JP2011065195A (en) * 2005-09-22 2011-03-31 Sharp Corp Liquid crystal display
WO2007129554A1 (en) 2006-05-08 2007-11-15 Asahi Glass Company, Limited Thin-sheet glass laminate, process for manufacturing display apparatus using the laminate, and supporting glass substrate
US8157945B2 (en) 2006-05-08 2012-04-17 Asahi Glass Company, Limited Thin plate glass laminate, process for producing display device using thin plate glass laminate, and support glass substrate
US8303754B2 (en) 2006-07-12 2012-11-06 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate with protective glass, process for producing display device using glass substrate with protective glass, and silicone for release paper
JP2008047514A (en) * 2006-08-21 2008-02-28 Samsung Sdi Co Ltd Vertical sealing device, and method of manufacturing organic electroluminescent display device utilizing it
WO2008111361A1 (en) 2007-03-12 2008-09-18 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate provided with protection glass and method for manufacturing display device using glass substrate provided with protection glass
US8425711B2 (en) 2007-03-12 2013-04-23 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate with protective glass, and process for producing display device using glass substrate with protective glass
WO2009128359A1 (en) 2008-04-17 2009-10-22 旭硝子株式会社 Glass laminate, display panel with support, method for producing glass laminate and method for manufacturing display panel with support
JP2010102020A (en) * 2008-10-22 2010-05-06 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Liquid crystal panel, method of manufacturing the same, coating for forming antistatic film of the same, and image display device
JP2010204405A (en) * 2009-03-04 2010-09-16 Epson Imaging Devices Corp Method for manufacturing in plane switching liquid crystal display panel
JP2011201725A (en) * 2010-03-25 2011-10-13 Nippon Electric Glass Co Ltd Method for producing glass substrate
CN102778771A (en) * 2011-05-12 2012-11-14 乐金显示有限公司 Method of fabricating lightweight and thin liquid crystal display device
CN102778771B (en) * 2011-05-12 2015-10-28 乐金显示有限公司 The manufacture method of light and thin type liquid crystal indicator
JP2014531387A (en) * 2011-09-15 2014-11-27 アップル インコーポレイテッド Thin glass manufacturing method using support substrate
CN102707477A (en) * 2012-06-04 2012-10-03 昆山龙腾光电有限公司 Manufacturing method for liquid crystal display panel
CN102707477B (en) * 2012-06-04 2015-07-08 昆山龙腾光电有限公司 Manufacturing method for liquid crystal display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003216068A (en) Display device and substrate for display device, and method of manufacturing the same
KR101552729B1 (en) method of manufacturing a flexible display device
US8012288B2 (en) Method of fabricating flexible display device
JP4841031B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal device
TWI451610B (en) Mother substrate structure of light emitting devices and light emitting device and method of fabricating the same
US5936695A (en) Liquid crystal display device and method of fabricating same
JP2005202352A (en) Liquid crystal panel and its manufacturing method
US20070091062A1 (en) Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
US20110255034A1 (en) Display device
JP4131639B2 (en) Display devices and information devices that can be mounted on portable media
KR20040053801A (en) Manufacturing method of light emitting device and manufacturing device thereof
JP2003280035A (en) Display device and method for manufacturing the same
Garner et al. Cholesteric liquid crystal display with flexible glass substrates
JP2006201276A (en) Manufacturing method of liquid crystal display panel
US5929962A (en) Method and apparatus for integrating microlens array into a liquid crystal display device using a sacrificial substrate
JP2013235196A (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
TW201011396A (en) Flexible liquid crystal dislay panel and method for manufacturing the same
KR20050060733A (en) Carrier plate, method of laminating plastic plate using the same, and method of manufacturing display device having the flexibility
JP4218338B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2004226880A (en) Display panel and its manufacturing method
JP2004126054A (en) Display element and its manufacturing method
JP2005017567A (en) Liquid crystal display device and its manufacturing method, and electro luminescence display device and its manufacturing method
JP4648422B2 (en) Manufacturing method of display element
KR101279231B1 (en) Transfer film liquid crystal display device fabricated using the same and fabricating method for the liquid crystal display device
WO2010097855A1 (en) Method for manufacturing display panel

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050119

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050704

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20061109

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070925

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080205