JP2003213115A - 遊技機部品用ポリカーボネート樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、拭取り、水洗によっても帯
電防止効果が損なわれないで半永久的に持続し、電子回
路の誤動作や破損を防ぐことができ、しかも透明で内部
が視認可能であり、イオン性低分子量物質の滲出が抑制
された、耐衝撃性の良好な電子回路組込み遊技機部品用
のポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 （Ａ）ポリカーボネート樹脂９９〜６０
重量部および（Ｂ）ポリエーテルエステル１〜４０重量
部からなる遊技機部品用ポリカーボネート樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路を組込ん
だ遊技機部品用の帯電防止性樹脂組成物に関する。更に
詳しくは、拭取り、水洗によっても帯電防止効果が損な
われないで半永久的に持続し、電子回路の誤動作や破損
を防ぐことができ、しかも透明で内部が視認可能であ
り、イオン性低分子量物質の滲出が抑制された、電子回
路組込み遊技機部品用途のポリカーボネート樹脂組成物
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、家庭用、業務用遊技機では、その
娯楽性を高めるため、複雑な動作を特徴とするものが開
発され、広く普及している。このような遊技機の動作制
御には高度な演算処理が必要であり、その大多数はＩＣ
などの集積回路を実装した基板が組込まれるに至ってい
る。

【０００３】一方、これら遊技機においては、その内部
で鋼球、硬貨、メダル等の金属片や、樹脂製の景品等が
定常的に移動や衝突を繰返している為に、連続的に静電
気が発生している。このようにして生じた静電気は、制
御用電子回路の誤動作を誘発し、場合によってはその破
壊を引き起こすこともある。

【０００４】かかる制御用電子回路の誤動作、破壊を防
ぐ目的で従来検討されてきた主な技術としては、（１）
電子回路基板カバーを電磁波シールド材料とする方法、
（２）電子回路基板ケースを含む遊技機部品を帯電防止
材料とする方法、などが挙げられる。

【０００５】前記（１）は、たとえ遊技機内部で静電気
が発生、蓄積されていたとしても、その放電による電磁
ノイズを電磁波シールド材からなる電子回路基板ケー
ス、カバー類で有効に遮断するものである。また、前記
（２）は、遊技機内部での静電気の発生を抑制、又は発
生した静電気の蓄積を抑制することにより、電子回路基
板周辺での静電気放電を起こさせないようにするもので
ある。

【０００６】前記（１）の範疇に属する技術としては、
例えば特開平６−７９０３２号公報や実開平６−７４１
８２号公報に、基板ケースを金属板で覆うことが記載さ
れている。しかし、この場合には金属板が不透明なため
に、基板ケース内部を目視で確認できないという問題点
があった。また実開平６−７４１８２号公報には基板ケ
ースを金属メッシュで覆う方法について、特開平１１−
３０９２６３号公報には、金属コーティングされたポリ
エステルメッシュと透明樹脂基板ケースとの貼り合わせ
の構成について記載されている。しかしながら、これら
の場合には、基板ケース内部は目視で確認可能であるも
のの、基板ケースの製造、加工工程が煩雑となり、コス
トも高くなるという問題があった。

【０００７】ところで、プラスチック材料はその優れた
諸特性を生かし、このような電子回路組込み遊技機の部
品として多く利用されているが、一般にプラスチックに
は電気絶縁性が高いという特徴があり、その内部で常に
静電気が発生しているような遊技機部品として使用した
場合には、これらプラスチック製部品に静電気が蓄積さ
れ、遊技機制御用電子回路の誤動作や破壊の原因となり
得る。また、静電気の蓄積は、埃の付着、作業者又は遊
戯者への電撃等の問題を起こす原因ともなる。そこで前
記（２）のように、遊技機部品として使用されるプラス
チック材料を帯電防止化する技術が種々検討されてき
た。

【０００８】プラスチック材料の帯電防止化手法は、大
きく内部添加型と塗布型とに分類される。塗布型では、
別行程が必要であり、製造プロセス上は内部添加型の方
が有利である。

【０００９】内部添加型による方法ではこれまで、アル
キルスルホン酸塩やアルキルベンゼンスルホン酸塩とい
ったイオン性界面活性剤をポリマー中に練り込む方法
が、効果や経済性に優れるために一般的に広く採用され
てきた。しかし、こうした低分子量の界面活性剤を利用
する方法では、かかる界面活性剤が樹脂表面に染み出す
為に制電効果は高いものの、拭き取りや水洗によってそ
の効果が低下するという問題があった。

【００１０】遊技機内部において、静電気が発生し、蓄
積される可能性のある部位とは、主に鋼球、硬貨、メダ
ル等の金属片や景品等の樹脂片が常に移動又は衝突させ
られている部分であり、例えば弾球遊技機においては、
遊技盤面上にあって鋼球が衝突する部位や、遊技盤裏面
の鋼球流路などがこれに相当する。このような部位にイ
オン性界面活性剤練込み型の帯電防止処理をしたプラス
チックを使った場合、かかる界面活性剤が鋼球との衝突
を繰返すことにより部品表面から除去される結果、徐々
に性能が低下するという問題がある。更に、遊技機制御
用基板ケース又はカバーについては直接鋼球との衝突は
無いものの、電子回路の誤動作や破壊を防止する為には
静電気を蓄積させないことが重要であるが、イオン性界
面活性剤練込み型の帯電防止性プラスチックでは、イオ
ン性の低分子量物質の滲出により基板がダメージを受け
る可能性があるために使用できない場合も多い。

【００１１】そこで、拭き取りや水洗によっても帯電防
止効果が損なわれず半永久的に持続するものとして、制
電性ポリマーを樹脂に混合する種々の方法が知られてい
る。特開昭６２−２７３２５２号公報には、ポリカーボ
ネートとポリスチレン系ポリマーから成る樹脂に対し
て、ポリエーテルエステルアミドを制電性ポリマーとし
て配合することが記載されている。また、特開平５−９
７９８４号公報には高分子系帯電防止剤として、幹ポリ
マーがポリアミド、枝ポリマーがポリアルキレンエーテ
ルとポリエステルとのブロックポリマーから成るグラフ
トポリマーが記載されており、表面固有抵抗を減少させ
る効果について述べられている。また、米国特許第４０
０６１２３号明細書及び米国特許第４０３５３４６号明
細書においては、芳香族スルホン酸ホスホニウム塩を分
子中に有するガラス転移温度２５℃以下の制電性ポリア
ミドが開示されている。

【００１２】更に電子回路組込み遊技機部品用材料とし
ては、特開平９−３３３９号公報にポリエーテルエステ
ルアミドとイオン性界面活性剤とを必須成分として含む
熱可塑性樹脂組成物が、特開平１０−１５５９９５号公
報にポリエーテルエステルアミドとスチレン系樹脂から
なる樹脂組成物が、それぞれ開示されている。しかし、
このように２種類以上のポリマーから成る組成物では、
通常はポリマー同士ミクロには混合していない為に、ポ
リカーボネートのような透明樹脂に混合した場合には、
屈折率の違いに起因する光の散乱のために成形品が不透
明となってしまうという問題がある。

【００１３】ところで、特開平６−５７１５３号公報、
及び特開平６−６５５０８号公報において、ポリアルキ
レングリコール、グリコール、及び多価カルボン酸から
成るポリエーテルエステルが記載されている。かかるポ
リマーは他の熱可塑性樹脂に混合することにより持続的
な制電性を示すものの、かかるポリマー単独で十分な帯
電防止効果を得るためには、比較的多量の添加が必要と
なる。そこで更に制電効果を上げるために、ドデシルス
ルホン酸ナトリウム等のイオン性界面活性剤を併用する
ことについても述べられている。しかしながら、そうし
た場合には拭き取りや水洗などによって制電効果が低下
し、効果の持続性が不十分であるという問題がある。ま
た、イオン性界面活性剤を併用した場合には、イオン性
低分子量物質の滲出が起るために、電子回路部品として
は使用できない可能性があるという問題もある。更にこ
のポリエーテルエステルは、熱可塑性の各種ポリマーに
適用されているものの、ポリカーボネート等、ポリエー
テル成分と親和性の良いポリマーについては、効果が低
いという問題もある。

【００１４】特開平８−２８３５４８号公報には、ポリ
アルキレングリコール、グリコール及び多価カルボン酸
から成るポリエーテルエステルとポリカーボネートを含
む熱可塑性樹脂組成物が開示されている。しかしなが
ら、この公報で具体的に示されるポリエーテルエステル
とポリカーボネートの樹脂組成物は持続的な制電効果が
得られるものの、ポリエーテルエステルとポリカーボネ
ートとの屈折率が異なるために光の散乱が生じ、成形品
の透明性が不十分であった。

【００１５】更に特開平９−２４９８０５号公報には、
ポリアルキレングリコール、グリコール及び多価カルボ
ン酸から成るポリエーテルエステルとイオン性界面活性
剤とを含むポリカーボネート樹脂組成物が開示されてい
る。この場合には、持続的な制電効果と透明性に優れて
いるものの、イオン性界面活性剤を併用している為にイ
オン性低分子量物質が滲出する可能性があり、電子回路
が組込まれた遊技機部品用途には、イオン性低分子量物
質が滲出する為に使用できない場合がある。

【００１６】従って、拭き取りや水洗によっても帯電防
止効果が損なわれないで半永久的に持続し、透明で、且
つイオン性低分子量物質の滲出の恐れが無い遊技機部品
用のポリカーボネート樹脂組成物を得ることが要望され
ている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、拭取
り、水洗によっても帯電防止効果が損なわれないで半永
久的に持続し、電子回路の誤動作や破損を防ぐことがで
き、しかも透明で内部が視認可能であり、イオン性低分
子量物質の滲出が抑制された、耐衝撃性の良好な電子回
路組込み遊技機部品用のポリカーボネート樹脂組成物を
提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、ポリエーテルエス
テル、殊にスルホン酸塩基を持たない特定の芳香族ジカ
ルボン酸成分及びスルホン酸塩基で核置換された特定の
芳香族ジカルボン酸成分を含有して成るポリエーテルエ
ステルをポリカーボネート樹脂に混合することによっ
て、拭き取りや水洗によっても帯電防止効果が損なわれ
ず半永久的に持続し、更に透明性に優れたポリカーボネ
ート樹脂組成物が得られること、また該組成物が遊技機
部品用途に好適であることを見出し、本発明に到達し
た。

【００１９】すなわち、本発明によれば、（Ａ）ポリカ
ーボネート樹脂９９〜６０重量部および（Ｂ）ポリエー
テルエステル１〜４０重量部からなる遊技機部品用ポリ
カーボネート樹脂組成物が提供される。

【００２０】本発明で（Ａ）成分として使用されるポリ
カーボネート樹脂は、一例として二価フェノールとカー
ボネート前駆体とを界面重合法または溶融重合法等の方
法で反応させて得ることができる。ここで使用される二
価フェノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、
レゾルシノール、４，４′−ビフェノール、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（略称ビスフェノ
ールＡ）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘ
キサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペン
タン、α，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ
−ジイソプロピルベンゼン、α，α′−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピ
ルシクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）オ
キシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エステル、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３，５−ジブロ
モ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−メチルフェニル）スルフィド、９，９−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンおよび９，
９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フル
オレン等が挙げられる。好ましい二価フェノールは、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）アルカンであり、なかで
もビスフェノールＡが特に好ましい。

【００２１】カーボネート前駆体としてはカルボニルハ
ライド、炭酸ジエステルまたはハロホルメート等が使用
され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネートま
たは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げられ
る。

【００２２】上記二価フェノールとカーボネート前駆体
を界面重合法によってポリカーボネート樹脂を製造する
に当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二価フェ
ノールの酸化防止剤等を使用してもよい。またポリカー
ボネート樹脂は三官能以上の多官能性芳香族化合物を共
重合した分岐ポリカーボネート樹脂であっても、芳香族
または脂肪族の二官能性カルボン酸を共重合したポリエ
ステルカーボネート樹脂であってもよく、また、得られ
たポリカーボネート樹脂の２種以上を混合した混合物で
あってもよい。

【００２３】界面重合法による反応は、通常二価フェノ
ールとホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶
媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては例えば水酸
化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化
物、ピリジン等が用いられる。

【００２４】有機溶媒としては例えば塩化メチレン、ク
ロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。

【００２５】また、反応促進のために例えば第三級アミ
ンや第四級アンモニウム塩等の触媒を用いることがで
き、分子量調節剤として例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール等の末端
停止剤を用いるのが好ましい。

【００２６】反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は数
分〜５時間、反応中のｐＨは通常１０以上に保つのが好
ましい。

【００２７】溶融重合法による反応は、通常二価フェノ
ールと炭酸ジエステルとのエステル交換反応であり、不
活性ガスの存在下に二価フェノールと炭酸ジエステルを
混合し、減圧下通常１２０〜３５０℃で反応させる。減
圧度は段階的に変化させ、最終的には１３３Ｐａ以下に
して生成したフェノール類を系外に除去させる。反応時
間は通常１〜４時間程度である。

【００２８】炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニ
ルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフ
ェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチ
ルカーボネートおよびジブチルカーボネート等が挙げら
れ、なかでもジフェニルカーボネートが好ましい。

【００２９】重合速度を速めるために重合触媒を使用す
ることができ、重合触媒としては、例えば水酸化ナトリ
ウムや水酸化カリウム等のアルカリ金属やアルカリ土類
金属の水酸化物、ホウ素やアルミニウムの水酸化物、ア
ルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、第４級アンモニウ
ム塩、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシ
ド、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩、亜鉛
化合物、ホウ素化合物、ケイ素化合物、ゲルマニウム化
合物、有機錫化合物、鉛化合物、アンチモン化合物、マ
ンガン化合物、チタン化合物、ジルコニウム化合物等の
通常エステル化反応やエステル交換反応に使用される触
媒があげられる。触媒は単独で使用しても良いし、二種
類以上を併用して使用しても良い。

【００３０】また、重合反応において、フェノール性の
末端基を減少するために、重合反応の後期あるいは終了
後に、例えば２−クロロフェニルフェニルカーボネー
ト、２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネ
ートおよび２−エトキシカルボニルフェニルフェニルカ
ーボネート等の化合物を加えることが好ましい。

【００３１】上記以外の反応形式の詳細についても、成
書及び特許公報などで良く知られている反応形式を採用
することができる。

【００３２】本発明におけるポリカーボネート樹脂の分
子量は、粘度平均分子量（Ｍ）で１０，０００〜１０
０，０００が好ましく、１２，０００〜４５，０００が
より好ましく、１５，０００〜４０，０００が特に好ま
しい。かかる粘度平均分子量を有するポリカーボネート
樹脂は、十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動
性も良好であり成形歪みが発生せず好ましい。かかる粘
度平均分子量は塩化メチレン１００ｍｌにポリカーボネ
ート樹脂０．７ｇを２０℃で溶解した溶液から求めた比
粘度（η_sp）を次式に挿入して求めたものである。 η_sp／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］²ｃ（但し［η］
は極限粘度） ［η］＝１．２３×１０^-4Ｍ^0.83 ｃ＝０．７

【００３３】本発明で（Ｂ）成分として使用されるポリ
エーテルエステルは、（Ｂ１）スルホン酸塩基を持たな
い芳香族ジカルボン酸及び／又はそのエステル、（Ｂ
２）下記式（１）で表されるスルホン酸塩基で置換され
た芳香族ジカルボン酸及び／又はそのエステル、（Ｂ
３）炭素数２〜１０のグリコール成分および（Ｂ４）数
平均分子量２００〜５００００のポリ（アルキレンオキ
シド）グリコール成分より得られたポリエーテルエステ
ルが好適である。

【００３４】

【化２】

【００３５】［式（１）中、Ａｒは炭素数６〜２０の３
価の芳香族基、Ｒ₁及びＲ₂はそれぞれ独立に水素原子、
炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリー
ル基を表し、Ｍ⁺は金属イオン、テトラアルキルホスホ
ニウムイオン又はテトラアルキルアンモニウムイオンを
表す。］

【００３６】（Ｂ１）スルホン酸塩基を持たない芳香族
ジカルボン酸及び／又はそのエステルとしては、例えば
テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン
酸、ビフェニルジカルボン酸、及びそれらのエステル形
成性の誘導体を挙げることができる。中でも、ナフタレ
ンジカルボン酸、ビフェニルジカルボン酸及び／又はそ
れらのエステル形成性の誘導体、殊にナフタレンジカル
ボン酸及び／又はそのエステル形成性の誘導体を用いた
場合には、ポリエーテルエステルの屈折率をポリカーボ
ネートの屈折率に近づけることができ、光線透過率の高
い透明な成形品を得やすくなるので特に好ましい。具体
的には、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナ
フタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン
酸ジメチル、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジエチ
ル、２，７−ナフタレンジカルボン酸ジメチル、２，７
−ナフタレンジカルボン酸ジエチル等のアルキルエステ
ルが挙げられ、これらの化合物の芳香環の水素原子はア
ルキル基、ハロゲン原子等で置換されていても良い。こ
れらの芳香族ジカルボン酸及びそのエステル形成性誘導
体は単独で使用しても２種以上を組み合わせて用いても
良い。

【００３７】（Ｂ２）スルホン酸塩基で置換された芳香
族ジカルボン酸及び／又はそのエステルは、前記式
（１）で表される。

【００３８】前記式（１）中のＡｒは、炭素数６〜２０
の３価の芳香族基であり、具体的には３価のベンゼン
環、ナフタレン環が挙げられ、これらの環がアルキル
基、フェニル基、ハロゲン、アルコキシ基等の置換基を
有していても良い。

【００３９】前記式（１）において、Ｒ₁及びＲ₂はそれ
ぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭
素数６〜１２のアリール基を表し、好ましくは水素原
子、メチル基およびエチル基である。

【００４０】前記式（１）において、Ｍ⁺は金属イオ
ン、テトラアルキルホスホニウムイオンまたはテトラア
ルキルアンモニウムイオンを表す。Ｍ⁺としては具体的
にはナトリウムイオン、カリウムイオン、リチウムイオ
ン等のアルカリ金属イオン、カルシウムイオン、マグネ
シウムイオン等のアルカリ土類金属イオン、亜鉛イオ
ン、テトラブチルホスホニウムイオン、テトラメチルホ
スホニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、
テトラメチルアンモニウムイオン等が挙げられる。これ
らのイオンの中では金属イオンが好ましく、アルカリ金
属イオン、アルカリ土類金属イオンおよび亜鉛イオンが
より好ましい。但し２価の金属イオンの場合にはスルホ
ン酸基２モルに対して金属イオン１モルが対応するもの
とする。

【００４１】かかる（Ｂ２）スルホン酸塩基で置換され
た芳香族ジカルボン酸またはそのエステル成分として
は、４−ナトリウムスルホ−イソフタル酸、５−ナトリ
ウムスルホ−イソフタル酸、４−カリウムスルホ−イソ
フタル酸、５−カリウムスルホ−イソフタル酸、２−ナ
トリウムスルホ−テレフタル酸、２−カリウムスルホ−
テレフタル酸、４−スルホ−イソフタル酸亜鉛塩、５−
スルホ−イソフタル酸亜鉛塩、２−スルホ−テレフタル
酸亜鉛塩、４−スルホ−イソフタル酸テトラアルキルホ
スホニウム塩、５−スルホ−イソフタル酸テトラアルキ
ルホスホニウム塩、４−スルホ−イソフタル酸テトラア
ルキルアンモニウム塩、５−スルホ−イソフタル酸テト
ラアルキルアンモニウム塩、２−スルホ−テレフタル酸
テトラアルキルホスホニウム塩、２−スルホ−テレフタ
ル酸テトラアルキルアンモニウム塩、４−ナトリウムス
ルホ−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−ナトリウ
ムスルホ−２，７−ナフタレンジカルボン酸、４−カリ
ウムスルホ−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−カ
リウムスルホ−２，７−ナフタレンジカルボン酸、４−
スルホ−２，６−ナフタレンジカルボン酸亜鉛塩、４−
スルホ−２，７−ナフタレンジカルボン酸亜鉛塩、４−
スルホ−２，６−ナフタレンジカルボン酸テトラアルキ
ルアンモニウム塩、４−スルホ−２，７−ナフタレンジ
カルボン酸テトラアルキルアンモニウム塩、４−スルホ
−２，６−ナフタレンジカルボン酸テトラアルキルホス
ホニウム塩、４−スルホ−２，７−ナフタレンジカルボ
ン酸テトラアルキルホスホニウム塩、又はこれらのジメ
チルエステル、ジエチルエステル等を挙げることができ
る。

【００４２】これらの中で、Ｒ₁、Ｒ₂が共にメチル基ま
たはエチル基（特に好ましくはメチル基）であり、Ａｒ
がベンゼン環であり、Ｍ⁺がナトリウムおよびカリウム
等のアルカリ金属イオンであることが、重合性、帯電防
止性、機械物性、色調等の面でより好ましい。具体的に
は、例えば、４−ナトリウムスルホ−イソフタル酸ジメ
チル、５−ナトリウムスルホ−イソフタル酸ジメチル、
４−カリウムスルホ−イソフタル酸ジメチル、５−カリ
ウムスルホ−イソフタル酸ジメチル、２−ナトリウムス
ルホ−テレフタル酸ジメチル、２−カリウムスルホ−テ
レフタル酸ジメチル等が挙げられる。

【００４３】（Ｂ）ポリエーテルエステルを構成する
（Ｂ１）成分および（Ｂ２）成分の二種の酸成分は、全
酸成分を１００モル％として、（Ｂ１）スルホン酸塩基
を持たない芳香族ジカルボン酸及び／又はそのエステル
９５〜５０モル％及び（Ｂ２）上記式（１）で示される
スルホン酸塩基で置換された芳香族ジカルボン酸及び／
又はそのエステル５〜５０モル％の割合であることが好
ましい。かかる（Ｂ２）成分の割合が５モル％未満で
は、帯電防止効果が十分でない場合がある。また、（Ｂ
２）成分が５０モル％を越えると重合反応が困難にな
り、十分な重合度の（Ｂ）ポリエーテルエステルを得難
くなったり、取り扱い性が悪化することがある。上記
（Ｂ１）成分及び（Ｂ２）成分のより好ましい割合は、
（Ｂ１）９２〜６５モル％および（Ｂ２）８〜３５モル
％であり、さらに好ましい割合は（Ｂ１）９０〜７０モ
ル％および（Ｂ２）１０〜３０モル％である。

【００４４】また、本発明における好適な（Ｂ）ポリエ
ーテルエステルの構成成分の１つである（Ｂ３）炭素数
２〜１０のグリコール成分としては、具体的にはエチレ
ングリコール、１，４−ブタンジオール、プロピレング
リコール、１，６−ヘキサンジオール、３−メチル−
１，５−ペンタンジオール等を例示することができる。
かかるグリコール成分は、ジエチレングリコールのよう
にエーテル結合、チオジエタノールのようにチオエーテ
ル結合を含んでいても良い。

【００４５】かかるグリコール成分は単独で用いても良
いし、２種以上を併用しても良い。この中で主として
１，６−ヘキサンジオールを用いることが帯電防止効果
の点で好ましく、１，６−ヘキサンジオールとエチレン
グリコールを併用することが更に好ましい。（Ｂ）ポリ
エーテルエステル中における１，６−ヘキサンジオール
とエチレングリコールの好ましい共重合割合は、１，６
−ヘキサンジオール９５〜５０モル％およびエチレング
リコール５〜５０モル％であり、更に好ましくは１，６
−ヘキサンジオール９０〜７０モル％およびエチレング
リコール１０〜３０モル％である。

【００４６】本発明における好適な（Ｂ）ポリエーテル
エステルの構成成分の一つである（Ｂ４）ポリ（アルキ
レンオキシド）グリコール成分としては、ポリエチレン
グリコールから主として成るポリアルキレングリコール
が好ましい。また、かかるポリエチレングリコールはポ
リプロピレングリコール等を共重合成分として含んでい
ても良い。

【００４７】かかるポリ（アルキレンオキシド）グリコ
ールの数平均分子量は２００〜５０，０００の範囲が好
ましい。かかる分子量が２００に満たない場合には、十
分な制電効果が得られないことがある。また、実用性の
点から、かかる分子量は５０，０００程度であれば十分
である。ポリ（アルキレンオキシド）グリコールの好ま
しい分子量は５００〜３０，０００であり、さらに好ま
しくは１，０００〜２０，０００である。

【００４８】（Ｂ）ポリエーテルエステル全体に対し
て、上記（Ｂ４）ポリ（アルキレンオキシド）グリコー
ル成分由来の構造単位が占める割合は、単量体重量基準
で１０〜５０重量％の範囲内とすることが、本発明のポ
リカーボネート樹脂組成物の透明性、帯電防止効果の点
から好ましい。すなわち、（Ｂ）ポリエーテルエステル
を、これを構成する（Ｂ１）成分、（Ｂ２）成分、（Ｂ
３）成分及び（Ｂ４）成分に分解して考えた場合に、
（Ｂ１）成分、（Ｂ２）成分、（Ｂ３）成分及び（Ｂ
４）成分の単量体としての合計重量を１００重量％とし
て、かかる（Ｂ４）ポリ（アルキレンオキシド）グリコ
ール成分は単量体として１０〜５０重量％となるように
することが好ましい。１０重量％より少ないと帯電防止
効果が十分でない場合があり、５０重量％より多くなる
と（Ｂ）ポリエーテルエステルの屈折率が低くなり、ポ
リカーボネート樹脂に配合すると光線透過率の高い、透
明性に優れるポリカーボネート樹脂組成物の成形品を得
ることが困難となる場合がある。（Ｂ４）成分の含有量
は、（Ｂ１）成分、（Ｂ２）成分、（Ｂ３）成分及び
（Ｂ４）成分の単量体としての合計重量を１００重量％
として、単量体重量基準で１５〜４５重量％の範囲がよ
り好ましく、２０〜４０重量％の範囲がさらに好まし
い。

【００４９】本発明における（Ｂ）ポリエーテルエステ
ルは、フェノール／テトラクロロエタン（重量比４０／
６０）の混合溶媒中３０℃で測定した還元粘度（濃度
１．２ｇ／ｄｌ）が０．３以上であることが好ましい。
還元粘度が０．３より小さいと耐熱性や、機械物性低下
の原因となることがある。還元粘度に対する上限は、か
かるポリマーが実質的に線状の重合体であるので、帯電
防止効果の点でも、機械物性の点でも高い方が好ましい
が、実際的な重合の上限は４．０程度である。還元粘度
はより好ましくは０．４以上であり、さらに好ましくは
０．５以上である。

【００５０】本発明における（Ｂ）ポリエーテルエステ
ルは、上記（Ｂ１）成分、（Ｂ２）成分、（Ｂ３）成分
及び（Ｂ４）成分をエステル交換触媒存在下、１５０〜
３００℃で加熱溶融し、重縮合反応せしめることによっ
て得ることができる。

【００５１】エステル交換触媒としては通常のエステル
交換反応に使用できるものならば特に制限はない。かか
るエステル交換触媒としては、三酸化アンチモン等のア
ンチモン化合物、酢酸第一錫、ジブチル錫オキサイド、
ジブチル錫ジアセテート等の錫化合物、テトラブチルチ
タネート等のチタン化合物、酢酸亜鉛等の亜鉛化合物、
酢酸カルシウム等のカルシウム化合物、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等のアルカリ金属塩等を例示すること
ができる。これらのうちテトラブチルチタネートが好ま
しく用いられる。

【００５２】また上記触媒の使用量としては、通常のエ
ステル交換反応における使用量で良く、概ね使用する酸
成分１モルに対し、０．０１〜０．５モル％が好まし
く、０．０３〜０．３モル％がより好ましい。

【００５３】また、反応時には酸化防止剤を併用するこ
とも好ましい。かかる酸化防止剤としては、例えばペン
タエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオ
ネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ラウ
リルチオプロピオネート）、グリセロール−３−ステア
リルチオプロピオネート、トリエチレングリコール−ビ
ス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６−ヘキサ
ンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペン
タエリスリトール−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、
１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベ
ンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイ
ド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベン
ジル）イソシアヌレート、３，９−ビス｛１，１−ジメ
チル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチ
ル｝−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，
５）ウンデカン等が挙げられる。これら酸化防止剤の使
用量は、（Ｂ）ポリエーテルエステル１００重量部に対
して０．００１〜０．５重量部が好ましい。

【００５４】上記成分（Ｂ１）成分〜（Ｂ４）成分を加
熱溶融して重縮合する温度としては、初期反応として１
５０〜２００℃で数十分から十数時間エステル化反応及
び／又はエステル交換反応を留出物を留去しながら行っ
た後、反応物を高分子量化する重合反応を１８０〜３０
０℃で行う。１８０℃より温度が低いと反応が進み難
く、３００℃より温度が高いと分解などの副反応が起こ
りやすくなるため上記温度範囲が好ましい。重合反応温
度は２００〜２８０℃がさらに好ましく、２２０〜２６
０℃が特に好ましい。この重合反応の反応時間は反応温
度や重合触媒にもよるが、通常数十分から数十時間程度
である。

【００５５】本発明におけるポリカーボネート樹脂組成
物は、（Ａ）ポリカーボネート樹脂と（Ｂ）ポリエーテ
ルエステルとの配合割合は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分と
の合計を１００重量部として、（Ａ）成分９９〜６０重
量部および（Ｂ）成分１〜４０重量部の割合であり、
（Ａ）成分９０〜６５重量部および（Ｂ）成分１０〜３
５重量部の割合が好ましい。ポリエーテルエステルが１
重量部より少ないと帯電防止効果が不十分になり好まし
くなく、４０重量部を超えると、ポリカーボネート樹脂
自体の物性が大きく低下し好ましくない。

【００５６】本発明のポリカーボネート樹脂組成物の製
造方法は特に限定されるものではないが、前記の（Ａ）
ポリカーボネート樹脂、（Ｂ）ポリエーテルエステル及
び必要に応じて各種の添加剤を通常用いられている方法
で溶融混練することにより、従来公知の方法で容易に混
合して製造することができる。

【００５７】例えば、一軸あるいは二軸の溶融押出し機
を用いて、（Ａ）ポリカーボネート樹脂、（Ｂ）ポリエ
ーテルエステル及び必要に応じて各種の添加剤を溶融混
合することができる。これらを混合する温度としては、
２２０〜３４０℃の範囲が好ましく、２４０〜３２０℃
の範囲がより好ましい。２２０℃より温度が低いと混合
が十分ではないことがあり、３４０℃より温度が高いと
分解などの劣化を起こすことがあり上記温度範囲が好ま
しい。

【００５８】比較的多量のイオン性界面活性剤を含むポ
リカーボネート樹脂組成物を電子回路組込み遊技機部品
として使用した場合には、部品から滲出するイオン性低
分子量物質が付着することにより電子回路基板が汚染さ
れ、電子基板の誤作動や破壊が引き起こされる可能性が
ある。従って、電子回路組込み遊技機部品としてイオン
性界面活性剤を含むポリカーボネート樹脂組成物を使用
することは一般的には好ましくないと考えられる。しか
し、このような電子回路汚染の原因となるイオン性低分
子量物質の滲出が少ない場合には、実質上電子回路の汚
染を起こすことが無く使用可能である。本発明のポリカ
ーボネート樹脂組成物は実質的にイオン性界面活性剤を
含まないことが好ましいが、実質上電子回路汚染を引き
起こさない範囲の少量のイオン性界面活性剤を併用して
も良く、そのようなイオン性界面活性剤の添加量は、本
発明のポリカーボネート樹脂組成物１００重量部に対し
て０．５重量部以下である。

【００５９】本発明のポリカーボネート樹脂組成物に
は、成形時における分子量の低下や色相の悪化を防止す
るために、さらにりん系熱安定剤を使用することができ
る。かかる熱安定剤としては、燐酸誘導体である燐酸エ
ステル、亜燐酸の誘導体である亜燐酸エステルに加え、
亜ホスホン酸、ホスホン酸およびこれらのエステル等が
挙げられる。

【００６０】具体的には、トリフェニルホスファイト、
トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリデシルホ
スファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデ
シルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイ
ト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロ
ピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニル
ホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モ
ノオクチルジフェニルホスファイト、トリス（２，４−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ビス
（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニ
ル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メ
チレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタ
エリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホス
ファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスフ
ァイト、

【００６１】トリブチルホスフェート、トリエチルホス
フェート、トリメチルホスフェート、トリフェニルホス
フェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェー
ト、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、
ジイソプロピルホスフェート、

【００６２】テトラキス（２，４−ジ−ｉｓｏ−プロピ
ルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイ
ト、テトラキス（２，４−ジ−ｎ−ブチルフェニル）−
４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス
（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４’
−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，３’−ビフェニ
レンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−３，３’−ビフェニレンジホス
ホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｉｓｏ−プロピル
フェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、
テトラキス（２，６−ジ−ｎ−ブチルフェニル）−４，
４’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，
６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフ
ェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，３’−ビフェニレンジ
ホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）−３，３’−ビフェニレンジホスホナイ
ト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−
フェニル−フェニルホスホナイト、

【００６３】ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホ
スホン酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピル等が
挙げられ、なかでもトリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）ホスファイト、テトラキス（２，４−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレ
ンジホスホナイトおよびビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）−フェニル−フェニルホスホナイトが
好ましい。

【００６４】これらの熱安定剤は、１種もしくは２種以
上を混合して用いてもよい。かかる熱安定剤の使用量
は、該ポリカーボネート樹脂組成物１００重量部に対し
て０．００１〜０．３重量部が好ましい。

【００６５】本発明のポリカーボネート樹脂組成物に
は、成形時の金型からの離型性を付与する目的等で脂肪
酸エステル化合物を使用することができる。

【００６６】かかる脂肪酸エステルとしては、炭素原子
数１〜２０の一価または多価アルコールと炭素原子数１
０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステ
ルであるのが好ましい。かかる一価または多価アルコー
ルと飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルとし
ては、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸ジグ
リセリド、ステアリン酸トリグリセリド、ステアリン酸
モノソルビテート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタ
エリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトー
ルテトラステアレート、ペンタエリスリトールテトラペ
ラルゴネート、プロピレングリコールモノステアレー
ト、ステアリルステアレート、パルミチルパルミテー
ト、ブチルステアレート、メチルラウレート、イソプロ
ピルパルミテート、ビフェニルビフェネ−ト、ソルビタ
ンモノステアレート、２−エチルヘキシルステアレート
等が挙げられ、なかでも、ステアリン酸モノグリセリ
ド、ステアリン酸トリグリセリド、ペンタエリスリトー
ルテトラステアレートが好ましく用いられる。かかる脂
肪酸エステルの使用量は、ポリカーボネート樹脂組成物
１００重量部に対して０．００１〜０．８重量部が好ま
しい。

【００６７】本発明におけるポリカーボネート樹脂組成
物には、必要に応じて各種の添加剤を本発明の目的が損
なわれない範囲で少割合使用することができる。各種の
添加剤としては、ガラス繊維、金属繊維、アラミド繊
維、セラミック繊維、チタン酸カリウィスカー、炭素繊
維、アスベストのような繊維状強化剤、タルク、炭酸カ
ルシウム、マイカ、ワラストナイト、クレー、酸化チタ
ン、酸化アルミニウム、ガラスフレーク、ミルドファイ
バー、金属フレーク、金属粉末のような各種充填剤、あ
るいは触媒失活剤、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、顔
料、難燃化剤、難燃助剤、可塑剤等の添加剤を適宜配合
しても差し支えない。

【００６８】本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、
これを２ｍｍ厚の成形品にしたときの可視光線の透過率
が７０％以上であることが好ましい。光線透過率が７０
％以上であれば、遊技機部品の中でも特に透明性が要求
される電子回路基板ケース、カバー類や賞球整列流下レ
ール、装飾用照明カバー部品等として使用した場合で
も、良好な内部視認性を確保できる。光線透過率は高い
ほど好ましく、７５％以上であることが更に好ましい。

【００６９】本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、
温度２３℃、相対湿度５０％の雰囲気における成形品の
表面固有抵抗が１×１０¹⁴Ω以下が好ましい。１×１０
¹⁴Ω以下であれば帯電防止効果が十分で、電子回路の誤
動作や破壊を防止することができ、電子回路組込み遊技
機の部品として実用性に優れる。電子回路の誤動作や破
壊を起こさせない為には、表面固有抵抗は低いほど有利
であるが、通常は１×１０⁹Ω程度以上であれば十分で
ある。

【００７０】本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、
実質的にイオン性界面活性剤を含まず、イオン性低分子
量物質の滲出が実質上無い為、表面を水拭きしたり、空
拭きしたりしても、その表面から帯電防止剤成分が脱落
すること無く、拭取り後も初期の表面固有抵抗値を十分
に維持することができる。従って、該ポリカーボネート
樹脂組成物からなる遊技機部品は拭取り清掃を繰返して
もその制電性能を失わず、電子回路の誤動作や破壊を半
永久的に防止することが可能である。具体的には、下記
［評価法Ａ］の２０回の水拭き後の表面固有抵抗が１×
１０ ⁹Ω〜１×１０¹⁴Ωの範囲が好ましい。

【００７１】［評価法Ａ］；水に浸したキムワイプ（株
式会社クレシア製）で成形品表面に対して１０往復の拭
取りを行った後、乾燥したキムワイプにて成形品表面に
ついた水滴を拭取った。その後、成形品を２３℃、湿度
５０％の雰囲気下で２４時間放置した。この一連の操作
を「１回の水拭き」と規定する。この一連の操作を２０
回繰り返し、成形品の表面固有抵抗を、超絶縁計（東亜
電波工業株式会社製ＳＭ−８２１０）を用いて印加電圧
１０００Ｖにて測定した。また、下記［評価法Ｂ］の１
００往復の空拭き後の表面固有抵抗が１×１０⁹Ω〜１
×１０¹⁴Ωの範囲が好ましい。

【００７２】［評価法Ｂ］；乾燥したキムワイプで成形
品表面に対して１往復の拭取りを行った後、成形品を２
３℃、湿度５０％の雰囲気下で２４時間放置した。続い
て、乾燥したキムワイプで同じ成形品表面に対して４往
復の拭取り（累積５往復の拭取り）を行った後、成形品
を２３℃、湿度５０％の雰囲気下で２４時間放置した。
続いて、乾燥したキムワイプで同じ成形品表面に対して
５往復の拭取り（累積１０往復の拭取り）を行った後、
成形品を２３℃、湿度５０％の雰囲気下で２４時間放置
した。続いて、乾燥したキムワイプで同じ成形品表面に
対して１５往復の拭取り（累積２５往復の拭取り）を行
った後、成形品を２３℃、湿度５０％の雰囲気下で２４
時間放置した。続いて、乾燥したキムワイプで同じ成形
品表面に対して２５往復の拭取り（累積５０往復の拭取
り）を行った後、成形品を２３℃、湿度５０％の雰囲気
下で２４時間放置した。続いて、乾燥したキムワイプで
同じ成形品表面に対して５０往復の拭取り（累積１００
往復の拭取り）を行った後、成形品を２３℃、湿度５０
％の雰囲気下で２４時間放置した。この成形品について
超絶縁計（東亜電波工業株式会社製ＳＭ−８２１０）を
用いて、印加電圧１０００Ｖにて表面固有抵抗を測定し
た。

【００７３】［評価法Ａ］および［評価法Ｂ］におい
て、表面固有抵抗が上記数値範囲を満足するものは、半
永久的に帯電防止効果が持続し、殊にパチンコ部品とし
て使用した場合、誤作動（電気ノイズの発生）を起こし
難い利点がある。

【００７４】本発明の遊技機とは、動作制御用に電子回
路の組込まれた遊技機を指す。このような遊技機として
は、パチンコ店やゲームセンターなどで使用される業務
用遊技機、及び、家庭用遊技機が含まれる。業務用遊技
機としては、例えばパチンコなどの弾球遊技機、スロッ
トマシン、ゲームセンターに設置されている各種ゲーム
機などが挙げられる。また家庭用遊技機としては、ＴＶ
ゲーム機、携帯用ゲーム機などの各種小型ゲーム機が挙
げられる。これらの中でも、本発明のポリカーボネート
樹脂組成物は、パチンコなどの弾球遊技機に特に好適に
用いられる。

【００７５】このような弾球遊技機の部品としては、遊
技機の動作制御用の基板を収納するケース又はカバー、
球通路に設置された各種部品類、遊技機の遊技盤上に設
置される意匠性を凝らした各種装飾部品類などが挙げら
れる。

【００７６】遊技機の動作制御用の基板とは、例えば賞
球払出しを制御するための賞球払出し制御基板、装飾用
あるいは遊技者にある特定の入賞状態にあることを知ら
せる目的でＬＥＤや蛍光灯などの各種照明の点灯又は点
滅を制御する装飾制御基板などが挙げられ、本発明のポ
リカーボネート樹脂組成物はこれらの基板が収納される
ケース又はカバー類に好適に用いることができる。

【００７７】また、球通路に設置された各種部品類と
は、遊技機背面に設置されている球タンク、賞球を整
列、流下させるための整列レール、賞球を払出す際に球
の通過する流下通路などが挙げられる。

【００７８】遊技機の遊技盤上に設置される意匠性を凝
らした各種装飾部品類としては、遊技機盤面上に設置さ
れ、弾かれた球が接触し得る全ての部品が含まれ、例え
ば、遊技機盤自体の収納外枠、遊技盤の前面カバーを始
め、入賞口、入賞しなかった球の排出口、ＬＥＤや蛍光
灯などの照明カバー部品、遊技機盤面上の球の流下速度
や角度を変える目的で盤面上に設置された各種障害物部
品などが例示できる。

【００７９】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明の好ましい態様
について記載するが、本発明は実施例のみに限定される
ものではない。なお、実施例中「部」は「重量部」を意
味する。

【００８０】（１）表面固有抵抗（Ｒ）の測定は、成形
品を２３℃、湿度５０％の雰囲気下で２４時間放置した
後、超絶縁計（東亜電波工業株式会社製ＳＭ−８２１
０）を用いて、印加電圧１０００Ｖにて実施した。

【００８１】（２）成形品の光の透過については、ＡＳ
ＴＭ Ｄ１００３に従い、光線透過率を測定した。測定
には分光光度計（島津製作所（株）製ＵＶ−２４００Ｐ
Ｃ）を用い、サンプル厚２ｍｍで、ＣＩＥ Ｓｏｕｒｃ
ｅ Ｃにより測定した。

【００８２】（３）ポリエーテルエステル重合体の還元
粘度は、フェノール／テトラクロロエタン（重量比４０
／６０）の混合溶媒中において、濃度１．２（ｇ／ｄ
ｌ）、３０℃にて測定した値である。

【００８３】（４）成形品表面の拭取りに対して帯電防
止性能がどの程度維持されるかを評価する方法として、
以下に規定する評価法Ａ、評価法Ｂを用いた。

【００８４】［評価法Ａ］水に浸したキムワイプ（株式
会社クレシア製）で成形品表面に対して１０往復の拭取
りを行った後、乾燥したキムワイプにて成形品表面につ
いた水滴を拭取った。その後、成形品を２３℃、湿度５
０％の雰囲気下で２４時間放置した。この一連の操作を
「１回の水拭き」と規定する。１回、２回、３回、４
回、５回、１０回、１５回、２０回の水拭き後の表面固
有抵抗を、超絶縁計（東亜電波工業（株）製ＳＭ−８２
１０）を用いて印加電圧１０００Ｖにて測定した。

【００８５】［評価法Ｂ］乾燥したキムワイプで成形品
表面に対して１往復の拭取りを行った後、成形品を２３
℃、湿度５０％の雰囲気下で２４時間放置した後、超絶
縁計（東亜電波工業株式会社製ＳＭ−８２１０）を用い
て、印加電圧１０００Ｖにて表面固有抵抗を測定した。
続いて、乾燥したキムワイプで同じ成形品表面に対して
４往復の拭取り（累積５往復の拭取り）を行った後、同
様の方法にて（成形品を２３℃、湿度５０％の雰囲気下
で２４時間放置した後、超絶縁計を用いて印加電圧１０
００Ｖにて）表面固有抵抗を測定した。続いて、乾燥し
たキムワイプで同じ成形品表面に対して５往復の拭取り
（累積１０往復の拭取り）を行った後、同様の方法にて
表面固有抵抗を測定した。続いて、乾燥したキムワイプ
で同じ成形品表面に対して１５往復の拭取り（累積２５
往復の拭取り）を行った後、同様の方法にて表面固有抵
抗を測定した。続いて、乾燥したキムワイプで同じ成形
品表面に対して２５往復の拭取り（累積５０往復の拭取
り）を行った後、同様の方法にて表面固有抵抗を測定し
た。続いて、乾燥したキムワイプで同じ成形品表面に対
して５０往復の拭取り（累積１００往復の拭取り）を行
った後、同様の方法にて表面固有抵抗を測定した。

【００８６】（５）実装試打試験；パチンコ遊技機にお
いて、遊技機盤面上に設置される部品である装飾用ＬＥ
Ｄカバー、入賞口、及び遊技機盤裏面に設置される部品
である入賞球流下用通路部品を射出成形し、パチンコ台
に実装した状態でのパチンコ球５０万発の試打試験を実
施した。この実装試打試験による機械強度評価結果を、
以下の３段階で評価した。 ○→割れ、クラック共に入らなかった。 △→割れなかったが、微少なクラックが生じた。 ×→割れにより、部品が破損した。

【００８７】［参考例１］１５０．８部の２，６−ナフ
タレンジカルボン酸ジメチルエステル（Ｂ１成分）、２
４．９部の５−ナトリウムスルホイソフタル酸ジメチル
（Ｂ２成分）、４７．９部のエチレングリコール（Ｂ３
−１成分）、７４．６部の１，６−ヘキサンジオール
（Ｂ３−２成分）、８９．８部のポリエチレングリコー
ル（数平均分子量２０００；Ｂ４成分）、及び０．１４
部のテトラブチルチタネートを精留塔及び攪拌装置を備
えた反応器に入れ、容器内を窒素置換した後、攪拌しな
がら常圧下２００℃まで昇温した。反応により生成する
メタノールを留去しながら６時間で２００℃から２３０
℃まで徐々に昇温していき、反応を完結させた。その
後、反応物を攪拌装置を備えた真空留出系を有する反応
器に移送し、温度２３０℃にて攪拌しながら、６０分後
に６．７×１０²Ｐａ、１００分後に１．３×１０²Ｐ
ａ、１２０分後には０．６７×１０²Ｐａと系内を徐々
に減圧にしていき、反応留出物を留去しながら重合反応
せしめることにより、ポリエーテルエステル共重合体を
得た。得られたポリエーテルエステル共重合体の還元粘
度は１．３５であった。また、得られたポリエーテルエ
ステル共重合体は、Ｂ１成分とＢ２成分との割合が８
５：１５（モル比）であり、Ｂ３−１成分とＢ３−２成
分との割合が１９：８１（モル比）であり、Ｂ４成分の
含有量は、単量体重量基準で２６重量％であった。

【００８８】［実施例１］ポリカーボネート樹脂（帝人
化成（株）製パンライトＬ−１２２５ＷＰ、粘度平均分
子量２２，４００）８５．０部、参考例１で製造したポ
リエーテルエステル共重合体１５．０部を３０ｍｍφ同
方向回転２軸エクストルーダー（（株）日本製鋼所製Ｔ
ＥＸ３０ＸＳＳＴ）を用いて、シリンダー温度２６０
℃、スクリュー回転数１６０ｒｐｍ、吐出量２０ｋｇ／
ｈｒの条件にて溶融混練し、これをペレット化した。次
に射出成形機（住友重機械工業株式会社製ＳＧ１５０
Ｕ）を用いて、シリンダー温度２６０℃、金型温度７０
℃にて射出成形を行い、２ｍｍ厚の成形品を得た。得ら
れた成形品についての表面固有抵抗値、評価法Ａ、評価
法Ｂによる帯電防止性能の評価結果、光線透過率及び実
装試打試験の結果を表１に示した。

【００８９】［実施例２］ポリカーボネート樹脂（帝人
化成（株）製パンライトＬ−１２２５ＷＰ、粘度平均分
子量２２，４００）８０．０部、参考例１で製造したポ
リエーテルエステル重合体２０．０部を用いたこと以外
は実施例１と同様にして、溶融混練、射出成形を行い、
２ｍｍ厚の成形品を得た。得られた成形品についての表
面固有抵抗値、評価法Ａ、評価法Ｂによる帯電防止性能
の評価結果、光線透過率及び実装試打試験の結果を表１
に示した。

【００９０】［実施例３］ポリカーボネート樹脂（帝人
化成（株）製パンライトＬ−１２２５ＷＰ、粘度平均分
子量２２，４００）７０．０部、参考例１で製造したポ
リエーテルエステル重合体３０．０部を用いたこと以外
は実施例１と同様にして、溶融混練、射出成形を行い、
２ｍｍ厚の成形品を得た。得られた成形品についての表
面固有抵抗値、評価法Ａ、評価法Ｂによる帯電防止性能
の評価結果、光線透過率及び実装試打試験の結果を表１
に示した。

【００９１】［比較例１］ポリカーボネート樹脂（帝人
化成（株）製パンライトＬ−１２２５ＷＰ、粘度平均分
子量２２，４００）９８．０部と、ドデシルベンゼンス
ルホン酸ナトリウム（竹本油脂（株）製）２．０部を、
３０ｍｍφ同方向回転２軸エクストルーダー（株式会社
日本製鋼所製ＴＥＸ３０ＸＳＳＴ）を用いて、シリンダ
ー温度２７０℃、スクリュー回転数１６０ｒｐｍ、吐出
量２０ｋｇ／ｈｒの条件にて溶融混練し、これをペレッ
ト化した。次に射出成形機（住友重機械工業株式会社製
ＳＧ１５０Ｕ）を用いて、シリンダー温度２８０℃、金
型温度８０℃にて射出成形を行い、２ｍｍ厚の成形品を
得た。得られた成形品についての表面固有抵抗値、評価
法Ａ、評価法Ｂによる帯電防止性能の評価結果、光線透
過率及び実装試打試験の結果を表１に示した。

【００９２】

【表１】

【００９３】

【発明の効果】本発明のポリカーボネート樹脂組成物
は、帯電防止性能に優れ、成形品表面を拭いたり、水洗
したりすることによる帯電防止性能の低下がほとんどな
く半永久的に帯電防止性能が持続し、且つ透明性および
耐衝撃性が良好であり、パチンコ等の弾球遊技機部品用
として特に好適に使用される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 67:00） Ｆターム(参考） 2C088 BC63 DA09 DA17 4J002 CF052 CF082 CF102 CF142 CG011 CG031 FD102 GC00 4J029 AA03 AA09 AB07 AC01 AC02 AD10 AE01 BA02 BA03 BA04 BA05 BB05A BB09A BB12A BB12B BB13A BD09A BF25 BF28 BG06X CB04A CB05A CB06A CC05A CC06A CH01 CH03 DA01 DB07 DB12 DB13 DC08 HA01 HB01 HB02 HB03 HB04 HC01 HC04A HC05A

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）ポリカーボネート樹脂９９〜６０
   重量部および（Ｂ）ポリエーテルエステル１〜４０重量
   部からなる遊技機部品用ポリカーボネート樹脂組成物。
2. 【請求項２】 前記（Ｂ）ポリエーテルエステルが、
   （Ｂ１）スルホン酸塩基を持たない芳香族ジカルボン酸
   及び／又はそのエステル、（Ｂ２）下記式（１）で表さ
   れるスルホン酸塩基で置換された芳香族ジカルボン酸及
   び／又はそのエステル、（Ｂ３）炭素数２〜１０のグリ
   コール成分および（Ｂ４）数平均分子量２００〜５００
   ００のポリ（アルキレンオキシド）グリコール成分より
   得られたポリエーテルエステルである請求項１記載の遊
   技機部品用ポリカーボネート樹脂組成物。 【化１】 ［式（１）中、Ａｒは炭素数６〜２０の３価の芳香族
   基、Ｒ₁及びＲ₂はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜
   ６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表
   し、Ｍ⁺は金属イオン、テトラアルキルホスホニウムイ
   オン又はテトラアルキルアンモニウムイオンを表す。］
3. 【請求項３】 前記（Ｂ）ポリエーテルエステルの成分
   中、（Ｂ１）スルホン酸塩基を持たない芳香族ジカルボ
   ン酸及び／又はそのエステルが、ナフタレンジカルボン
   酸、ビフェニルジカルボン酸及び／又はそれらのエステ
   ルである請求項１記載の遊技機部品用ポリカーボネート
   樹脂組成物。
4. 【請求項４】 温度２３℃、湿度５０％の雰囲気におけ
   る表面固有抵抗が１×１０⁹〜１×１０¹⁴Ωの範囲であ
   る請求項１記載の遊技機部品用ポリカーボネート樹脂組
   成物。
5. 【請求項５】 本文に規定した「評価法Ａ」にて、２０
   回の水拭き後の表面固有抵抗が１×１０⁹〜１×１０¹⁴
   Ωの範囲である請求項１記載の遊技機部品用ポリカーボ
   ネート樹脂組成物。
6. 【請求項６】 本文に規定した「評価法Ｂ」にて、１０
   ０往復の空拭き後の表面固有抵抗が１×１０⁹〜１×１
   ０¹⁴Ωの範囲である請求項１記載の遊技機部品用ポリカ
   ーボネート樹脂組成物。
7. 【請求項７】 成形品の２ｍｍ厚部における全光線透過
   率が７０％以上である請求項１記載の遊技機部品用ポリ
   カーボネート樹脂組成物。