JP2003211623A - リゾグラフイーの印刷プレートを作る方法 - Google Patents
リゾグラフイーの印刷プレートを作る方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像形成と印刷の次の過程で再使用できるよ
うにする。 【解決手段】 ２００及び４００ｎｍの間の波長を有す
る紫外線放射に該画像形成材料を露光する過程と、そし
て低酸素分圧下又は還元雰囲気中で該画像形成材料を加
熱する過程と、から成るグループから選択された過程に
より該セラミック酸化物又は酸化セラミック内に酸素空
格子点が導入される。
うにする。 【解決手段】 ２００及び４００ｎｍの間の波長を有す
る紫外線放射に該画像形成材料を露光する過程と、そし
て低酸素分圧下又は還元雰囲気中で該画像形成材料を加
熱する過程と、から成るグループから選択された過程に
より該セラミック酸化物又は酸化セラミック内に酸素空
格子点が導入される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック酸化物（cera
mic oxide）又は酸化セラミック（oxidic ceramic）を
含む画像形成材料（imaging material）でリゾグラフイ
ーの印刷プレート（lithographic printing plate）を
作る方法に関する。
mic oxide）又は酸化セラミック（oxidic ceramic）を
含む画像形成材料（imaging material）でリゾグラフイ
ーの印刷プレート（lithographic printing plate）を
作る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リゾグラフイー印刷（lithographic pri
nting）は典型的に、回転印刷プレスの円筒上に設置さ
れた印刷プレートの様ないわゆる印刷マスター（printi
ng master）の使用を含んでいる。該マスターは、その
表面上にリゾグラフイー画像を担っており、印刷物（pr
int）は、前記画像にインクを付け、次いで該インクを
該マスターから、典型的には紙である受け手材料（rece
iver material）上へ転送する、ことにより得られる。
従来のリゾグラフイー印刷では、インクのみならず水性
フアウンテイン溶液（aqueous fountain solution）
｛加湿液体（dampening liquid）とも呼ばれる｝が親油
性（oleophilic）の｛又は疎水性（hydrophobic）の、
すなわちインク受容性（ink-accepting）と、撥水性（w
ater-repelling）の｝範囲のみならず親水性（hydrophi
lic）の｛又は疎油性（oleophobic）の、すなわち水受
容性（water-accepting）と、インクをはじく性質の（i
nk-repelling）｝範囲からも成るリゾグラフイー画像に
供給される。いわゆる乾平板印刷（driographic printi
ng）では、該リゾグラフイーの画像はインク受容性とイ
ンクアブヒーシブ（ink-abhesive）の（インクをはじく
性質の）範囲から成り、乾平板印刷中、インクのみが該
マスターに供給される。
nting）は典型的に、回転印刷プレスの円筒上に設置さ
れた印刷プレートの様ないわゆる印刷マスター（printi
ng master）の使用を含んでいる。該マスターは、その
表面上にリゾグラフイー画像を担っており、印刷物（pr
int）は、前記画像にインクを付け、次いで該インクを
該マスターから、典型的には紙である受け手材料（rece
iver material）上へ転送する、ことにより得られる。
従来のリゾグラフイー印刷では、インクのみならず水性
フアウンテイン溶液（aqueous fountain solution）
｛加湿液体（dampening liquid）とも呼ばれる｝が親油
性（oleophilic）の｛又は疎水性（hydrophobic）の、
すなわちインク受容性（ink-accepting）と、撥水性（w
ater-repelling）の｝範囲のみならず親水性（hydrophi
lic）の｛又は疎油性（oleophobic）の、すなわち水受
容性（water-accepting）と、インクをはじく性質の（i
nk-repelling）｝範囲からも成るリゾグラフイー画像に
供給される。いわゆる乾平板印刷（driographic printi
ng）では、該リゾグラフイーの画像はインク受容性とイ
ンクアブヒーシブ（ink-abhesive）の（インクをはじく
性質の）範囲から成り、乾平板印刷中、インクのみが該
マスターに供給される。
【０００３】印刷マスターは一般にいわゆるコンピユー
タツーフイルム法（computor-to-film）により得られる
がそこでは字体（typeface）選択、走査、色分解、スク
リーニング、トラッピング（trapping）、レイアウトそ
して組み付け（imposition）はデジタル的に達成され、
各カラー選択は画像セッターを使用してグラフイックア
ートフイルムに転送される。処理後、該フイルムはプレ
ート前駆体（plate precurser）と呼ばれる画像形成材
料の露光用マスクとして使用出来るがプレート処理後、
マスターとして使用出来る印刷プレートが得られる。
タツーフイルム法（computor-to-film）により得られる
がそこでは字体（typeface）選択、走査、色分解、スク
リーニング、トラッピング（trapping）、レイアウトそ
して組み付け（imposition）はデジタル的に達成され、
各カラー選択は画像セッターを使用してグラフイックア
ートフイルムに転送される。処理後、該フイルムはプレ
ート前駆体（plate precurser）と呼ばれる画像形成材
料の露光用マスクとして使用出来るがプレート処理後、
マスターとして使用出来る印刷プレートが得られる。
【０００４】良く知られた感光性材料に加えて、感熱性
印刷プレート前駆体（heat-sensitive printing plate
precursers）も又非常にポピュラーになっている。この
様な感熱材料（thermal materials）は昼光安定性（day
light-stability）の利点を提供し、いわゆるコンピユ
ータツープレート法（computor-to-plate method）で特
に使用され、そこでは該プレート前駆体は直接、すなわ
ちフイルムマスクの使用無しで露光される。感熱プレー
トは熱又は赤外光に露光され、そして該発生熱が、除去
（ablation）、ポリマー化、ポリマーの交叉結合による
か又は熱可塑性ポリマーラテックスの粒子凝固による不
溶性化（insolubilization）、そして分子間相互作用の
破壊（destruction of intermolucular interaction）
又は展開バリア層の貫入能力（penetrability of a dev
elopment barrier layer）の向上による溶性化（solubi
lization）の様な、（物理−）化学過程をトリガーす
る。
印刷プレート前駆体（heat-sensitive printing plate
precursers）も又非常にポピュラーになっている。この
様な感熱材料（thermal materials）は昼光安定性（day
light-stability）の利点を提供し、いわゆるコンピユ
ータツープレート法（computor-to-plate method）で特
に使用され、そこでは該プレート前駆体は直接、すなわ
ちフイルムマスクの使用無しで露光される。感熱プレー
トは熱又は赤外光に露光され、そして該発生熱が、除去
（ablation）、ポリマー化、ポリマーの交叉結合による
か又は熱可塑性ポリマーラテックスの粒子凝固による不
溶性化（insolubilization）、そして分子間相互作用の
破壊（destruction of intermolucular interaction）
又は展開バリア層の貫入能力（penetrability of a dev
elopment barrier layer）の向上による溶性化（solubi
lization）の様な、（物理−）化学過程をトリガーす
る。
【０００５】いわゆる‘コンピユータツープレス（comp
utor-to-press）’法は、印刷用プレスのプレートシリ
ンダー上に設置されている間での、該プレス内に集積化
された画像セッターによるプレート前駆体の露光を含ん
でいる。集積化されたプレートセッターを有する印刷用
プレスは時にはデジタルプレスと呼ばれる。デジタルプ
レスの概要は非特許文献１で見られる。コンピユータツ
ープレス法は、例えば、特許文献１、特許文献２、特許
文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６で説明さ
れている。
utor-to-press）’法は、印刷用プレスのプレートシリ
ンダー上に設置されている間での、該プレス内に集積化
された画像セッターによるプレート前駆体の露光を含ん
でいる。集積化されたプレートセッターを有する印刷用
プレスは時にはデジタルプレスと呼ばれる。デジタルプ
レスの概要は非特許文献１で見られる。コンピユータツ
ープレス法は、例えば、特許文献１、特許文献２、特許
文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６で説明さ
れている。
【０００６】この様なオンプレス画像形成方法（on-pre
ss imaging methods）の２種類は公知である。第１の種
類に依れば、印刷プレート前駆体は印刷プレス上に設置
され、画像式に露光され、オプション的に現像され、そ
して次いで印刷マスターとして使用されそして最終的に
該プレスから外され、捨てられ（disposed of）、かく
して各画像用に新プレート材料を必要とする。オンプレ
ス画像形成システムの第２の種類では、同じリゾグラフ
イーの基盤が複数のプレスラン（press runs）（以降プ
リントサイクルと呼ばれる）で使用される。該基盤から
リゾグラフイーの画像を消去して前記基盤を画像形成と
印刷の次のプリントサイクルで再使用することを可能に
する幾つかの方法が従来技術で公知である。従来技術の
方法の１つは、例えば特許文献７、特許文献８、そして
特許文献９で説明される様に、ジルコニア又はジルコニ
ア−アルミナ複合材料（zirconia-alumina composite）
の様なセラミックの画像式の親水性−疎水性遷移（hydr
ophilic-hydrophobic transition）と画像消去過程での
続いての逆の遷移とに依存する。特許文献１０は、露光
範囲での合金の局所的”溶融”を引き起こし、それによ
り疎水性／親油性表面を創るために高エネルギー赤外線
照射を使用して画像形成され得るジルコニア合金とα−
アルミナの複合材料を含む再使用可能な印刷材料を開示
している。親水性／疎油性から疎水性／親油性への変換
機構は明らかでなく：特許文献１１では不足当量の（su
bstoichiometric）ジルコニアの局所的な除去と形成が
疎水性表面への変換の原因であり、一方特許文献１２で
は同じ実験的条件が疎水性状態への遷移の原因として局
所的溶融を引き起こすと言われている。
ss imaging methods）の２種類は公知である。第１の種
類に依れば、印刷プレート前駆体は印刷プレス上に設置
され、画像式に露光され、オプション的に現像され、そ
して次いで印刷マスターとして使用されそして最終的に
該プレスから外され、捨てられ（disposed of）、かく
して各画像用に新プレート材料を必要とする。オンプレ
ス画像形成システムの第２の種類では、同じリゾグラフ
イーの基盤が複数のプレスラン（press runs）（以降プ
リントサイクルと呼ばれる）で使用される。該基盤から
リゾグラフイーの画像を消去して前記基盤を画像形成と
印刷の次のプリントサイクルで再使用することを可能に
する幾つかの方法が従来技術で公知である。従来技術の
方法の１つは、例えば特許文献７、特許文献８、そして
特許文献９で説明される様に、ジルコニア又はジルコニ
ア−アルミナ複合材料（zirconia-alumina composite）
の様なセラミックの画像式の親水性−疎水性遷移（hydr
ophilic-hydrophobic transition）と画像消去過程での
続いての逆の遷移とに依存する。特許文献１０は、露光
範囲での合金の局所的”溶融”を引き起こし、それによ
り疎水性／親油性表面を創るために高エネルギー赤外線
照射を使用して画像形成され得るジルコニア合金とα−
アルミナの複合材料を含む再使用可能な印刷材料を開示
している。親水性／疎油性から疎水性／親油性への変換
機構は明らかでなく：特許文献１１では不足当量の（su
bstoichiometric）ジルコニアの局所的な除去と形成が
疎水性表面への変換の原因であり、一方特許文献１２で
は同じ実験的条件が疎水性状態への遷移の原因として局
所的溶融を引き起こすと言われている。
【０００７】従来技術はセラミック表面の画像式の親水
性−疎水性変換用に下記の露光方法、すなわち： −例えば、１０６４ｎｍの波長で発光するネオジウム−
ヤグ（Nd:YAG）レーザーを用いての赤外線レーザー照
射、又は −平均電力が１Ｗから５０Ｗであり、ピーク電力は６ｋ
Ｗと１００ｋＷの間にある、高電力照射 を開示している。
性−疎水性変換用に下記の露光方法、すなわち： −例えば、１０６４ｎｍの波長で発光するネオジウム−
ヤグ（Nd:YAG）レーザーを用いての赤外線レーザー照
射、又は −平均電力が１Ｗから５０Ｗであり、ピーク電力は６ｋ
Ｗと１００ｋＷの間にある、高電力照射 を開示している。
【０００８】従来技術の方法で必要な高いレーザー電力
出力は商業的プレートセッターでの実施に好適でない高
価な露光装置の使用を意味する。加えて、該高電力は該
セラミックの溶融、シンターリング（sintering）又は
分解（decomposition）を誘導し、それは不可逆的表面
形態変化に導き、かくしてこの過程を真に可逆的な過程
でなくする。
出力は商業的プレートセッターでの実施に好適でない高
価な露光装置の使用を意味する。加えて、該高電力は該
セラミックの溶融、シンターリング（sintering）又は
分解（decomposition）を誘導し、それは不可逆的表面
形態変化に導き、かくしてこの過程を真に可逆的な過程
でなくする。
【０００９】
【非特許文献１】 画像形成科学及び技術の１９９７年
のデジタル印刷技術に関する国際会議論文集（Proceedi
ngs of the Imaging Science & Technology's 1997 Int
ernational Conference on Digital Printing Technolo
gies）｛ノンインパクト印刷（Non-Inpact Printing）
１３｝
のデジタル印刷技術に関する国際会議論文集（Proceedi
ngs of the Imaging Science & Technology's 1997 Int
ernational Conference on Digital Printing Technolo
gies）｛ノンインパクト印刷（Non-Inpact Printing）
１３｝
【００１０】
【特許文献１】 欧州出願第６４０４７８号
【００１１】
【特許文献２】 欧州出願第７７０４９５号
【００１２】
【特許文献３】 欧州出願第７７０４９６号
【００１３】
【特許文献４】 ＰＣＴ出願 ＷＯ９４／１２８０
【００１４】
【特許文献５】 欧州出願第５８０３９４号
【００１５】
【特許文献６】 欧州出願第７７４３６４号
【００１６】
【特許文献７】 米国特許第５，７４３，１８９号
【００１７】
【特許文献８】 米国特許第５，５４３，２６９号
【００１８】
【特許文献９】 米国特許第５，８３６，２４９号
【００１９】
【特許文献１０】 米国特許第５，８９３，３２８号
【００２０】
【特許文献１１】 米国特許第５，８３６，２４９号
【００２１】
【特許文献１２】 米国特許第５，８９３，３２８号
［発明が解決しようとする課題と課題を解決するための
手段］本発明の目的はリサイクルされ画像形成と印刷の
次の過程で再使用され得るリゾグラフイーの印刷プレー
トを画像形成材料から作るための真に可逆的方法を提供
することである。本発明のもう１つの目的は高電力露光
装置の必要を有しないこの様な可逆的方法を提供するこ
とである。
手段］本発明の目的はリサイクルされ画像形成と印刷の
次の過程で再使用され得るリゾグラフイーの印刷プレー
トを画像形成材料から作るための真に可逆的方法を提供
することである。本発明のもう１つの目的は高電力露光
装置の必要を有しないこの様な可逆的方法を提供するこ
とである。
【００２２】この目的は請求項１で規定される方法によ
り実現される。特定の実施例は従属請求項で規定され
る。
り実現される。特定の実施例は従属請求項で規定され
る。
【００２３】本発明に依れば、
−２００及び４００ｎｍの間の波長を有する紫外線放射
（ultraviolet radiation）への露光；及び −低酸素分圧下（under low partial oxygen pressur
e）又は還元雰囲気中での加熱、から成るグループから
選択された過程によりセラミック酸化物又は酸化セラミ
ック内で酸素空格子点（oxygen vacancies）が形成され
る。
（ultraviolet radiation）への露光；及び −低酸素分圧下（under low partial oxygen pressur
e）又は還元雰囲気中での加熱、から成るグループから
選択された過程によりセラミック酸化物又は酸化セラミ
ック内で酸素空格子点（oxygen vacancies）が形成され
る。
【００２４】紫外線照射（ultraviolet irradiation）
への露光中、該セラミックも加熱され得る。該セラミッ
クが加熱される実施例では、セラミック酸化物又は酸化
セラミックのシンターリング又は溶融を避けるために該
温度は充分低く保たれる。紫外線放射が使用される実施
例では、低圧水銀ランプ（low-pressure mercury lam
p）を用いて好適な光が容易に得られる。低酸素分圧下
での加熱が使用される場合は、それは約２００℃以上の
温度で行われるのが好ましい。低酸素分圧下の前記加熱
は、例えば、１０及び５００ｍＷの間の赤外線光を放射
する低電力ダイオードレーザー（low-power diode lase
r）を使用して行うことが出来る。
への露光中、該セラミックも加熱され得る。該セラミッ
クが加熱される実施例では、セラミック酸化物又は酸化
セラミックのシンターリング又は溶融を避けるために該
温度は充分低く保たれる。紫外線放射が使用される実施
例では、低圧水銀ランプ（low-pressure mercury lam
p）を用いて好適な光が容易に得られる。低酸素分圧下
での加熱が使用される場合は、それは約２００℃以上の
温度で行われるのが好ましい。低酸素分圧下の前記加熱
は、例えば、１０及び５００ｍＷの間の赤外線光を放射
する低電力ダイオードレーザー（low-power diode lase
r）を使用して行うことが出来る。
【００２５】本発明の方法では、水に対する接触角（co
ntact angle for water）の増加は２０度より高いのが
好ましく、４０度より高いのが有利である。下にある機
構のあり得る、限定しない説明として、該接触角の増加
はセラミックの表面での酸素空格子点の前述の形成の結
果であると信じられる。本発明の好ましい実施例の一般
的原理は図１ａ及びｂで示される。親水性のセラミック
表面５は空気の様な酸素を含む雰囲気中でセラミックの
材料又は表面をＴ＝２００℃以上の温度で加熱する８こ
とにより発生される。親油性表面６の発生は、紫外線放
射への露光或いは低酸素分圧下又は還元雰囲気中での加
熱の前記過程４の少なくとも１つにより、酸素空格子点
７を創ることにより行われる。
ntact angle for water）の増加は２０度より高いのが
好ましく、４０度より高いのが有利である。下にある機
構のあり得る、限定しない説明として、該接触角の増加
はセラミックの表面での酸素空格子点の前述の形成の結
果であると信じられる。本発明の好ましい実施例の一般
的原理は図１ａ及びｂで示される。親水性のセラミック
表面５は空気の様な酸素を含む雰囲気中でセラミックの
材料又は表面をＴ＝２００℃以上の温度で加熱する８こ
とにより発生される。親油性表面６の発生は、紫外線放
射への露光或いは低酸素分圧下又は還元雰囲気中での加
熱の前記過程４の少なくとも１つにより、酸素空格子点
７を創ることにより行われる。
【００２６】リゾグラフイーの画像は、酸化雰囲気中で
該セラミックを加熱する過程によりセラミック酸化物又
は酸化セラミックの水に対する接触角を減少させること
により消去され得る。前記酸化雰囲気は好ましくは空気
であるのがよい。前記加熱は好ましくは約２００℃以上
で行われるのがよい。
該セラミックを加熱する過程によりセラミック酸化物又
は酸化セラミックの水に対する接触角を減少させること
により消去され得る。前記酸化雰囲気は好ましくは空気
であるのがよい。前記加熱は好ましくは約２００℃以上
で行われるのがよい。
【００２７】本発明の方法で使用するためのセラミック
酸化物又は酸化セラミックは好ましくはアルミナ、ジル
コニアそしてアノード処理アルミニウム（anodized alu
minum）から成るグループから選択されるのがよい。該
アルミナは好ましくはα−アルミナがよい。
酸化物又は酸化セラミックは好ましくはアルミナ、ジル
コニアそしてアノード処理アルミニウム（anodized alu
minum）から成るグループから選択されるのがよい。該
アルミナは好ましくはα−アルミナがよい。
【００２８】
【実施例】セラミック酸化物及び酸化セラミックは、電
気回路を支える基盤（substrate）（例えば、半導体生
産で）、広範囲の寸法で、そして高い摩耗と温度とに耐
える人口品のための膜又はフイルター、の様な、種々の
応用品で使用される。セラミック材料のより興味深い特
性の幾つかはそれらの硬さ、とそれらの熱抵抗及び熱伝
導率とを含んでおり、それらは高いが特定的な材料要求
を有する応用品でセラミック酸化物及び酸化セラミック
を特に有用にする。
気回路を支える基盤（substrate）（例えば、半導体生
産で）、広範囲の寸法で、そして高い摩耗と温度とに耐
える人口品のための膜又はフイルター、の様な、種々の
応用品で使用される。セラミック材料のより興味深い特
性の幾つかはそれらの硬さ、とそれらの熱抵抗及び熱伝
導率とを含んでおり、それらは高いが特定的な材料要求
を有する応用品でセラミック酸化物及び酸化セラミック
を特に有用にする。
【００２９】セラミック酸化物及び酸化セラミックは、
密度が高く、硬くそして耐久性のある材料を形成するた
めに粒子（粉末）を高温度でシンターリングすることに
より通常作られる固体化合物（solid compound）として
規定され得る。従ってセラミックはそれらの特定の機械
的及び／又は機能的特性により特徴付けられる。
密度が高く、硬くそして耐久性のある材料を形成するた
めに粒子（粉末）を高温度でシンターリングすることに
より通常作られる固体化合物（solid compound）として
規定され得る。従ってセラミックはそれらの特定の機械
的及び／又は機能的特性により特徴付けられる。
【００３０】本発明で使用するための好ましいセラミッ
ク酸化物又は酸化セラミックは電気的に絶縁性である。
好ましいセラミックスはサブミクロンの結晶粒子寸法
（grain size）を有し、適当な表面粗さとナトリウム又
はカルシウムの様ないわゆる‘自然の不純物（native i
mpurities）’とが出来るだけ低く保たれている、一方
該表面の特性を改良するために制御された不純物の導入
（ドーピング）が使用出来るのが好ましい。好ましく
は、９６％から９９％に及ぶ密度を有する密度の高い
（dense）セラミック材料が使用されるのがよい。
ク酸化物又は酸化セラミックは電気的に絶縁性である。
好ましいセラミックスはサブミクロンの結晶粒子寸法
（grain size）を有し、適当な表面粗さとナトリウム又
はカルシウムの様ないわゆる‘自然の不純物（native i
mpurities）’とが出来るだけ低く保たれている、一方
該表面の特性を改良するために制御された不純物の導入
（ドーピング）が使用出来るのが好ましい。好ましく
は、９６％から９９％に及ぶ密度を有する密度の高い
（dense）セラミック材料が使用されるのがよい。
【００３１】本発明を実施するためにアルミナ及びジル
コニアの様なモノリシックな酸化物セラミックが使用さ
れるのが好ましい。アノード処理アルミニウム及びα−
アルミナが高度に好ましい。又酸化セラミック複合材
料、基盤上の結晶粒界変性酸化セラミック及びセラミッ
ク層が使用され得る（Also oxidic ceramic composite
s, grain boundary midified oxidic ceramic and cera
mic layers on a sustrate can be used）。前記基盤は
セラミックス、ガラス、金属そして半導体等から選択出
来る。蒸着方法（Deposition methods）はゾル−ゲル
（sol-gel）、ピーブイデー（PVD）、シーブイデー（CV
D）、プラズマベースの蒸着及び／又はレーザーベース
の蒸着を含む。
コニアの様なモノリシックな酸化物セラミックが使用さ
れるのが好ましい。アノード処理アルミニウム及びα−
アルミナが高度に好ましい。又酸化セラミック複合材
料、基盤上の結晶粒界変性酸化セラミック及びセラミッ
ク層が使用され得る（Also oxidic ceramic composite
s, grain boundary midified oxidic ceramic and cera
mic layers on a sustrate can be used）。前記基盤は
セラミックス、ガラス、金属そして半導体等から選択出
来る。蒸着方法（Deposition methods）はゾル−ゲル
（sol-gel）、ピーブイデー（PVD）、シーブイデー（CV
D）、プラズマベースの蒸着及び／又はレーザーベース
の蒸着を含む。
【００３２】最も好ましい実施例では、該セラミックの
バンドギャップ（bandgap）は酸素空格子点の形成のエ
ンタルピーより大きく、それは好適に２から５電子ボル
トの範囲内にある。酸素空格子点は下記過程で創られ
る： 紫外線照射（UV-irradiation） ２００及び４００ｎｍの間、より好ましくは２００と３
５０ｎｍの間に波長（λ）を有する紫外線放射は本発明
の酸素空格子点を創るのに特に好適である。オゾン発生
を避けるために低酸素分圧が好ましい。例えば、親油性
表面を創るために低圧水銀ランプ（λ＝２５４ｎｍ／１
５ｍＷ）が使用出来る。
バンドギャップ（bandgap）は酸素空格子点の形成のエ
ンタルピーより大きく、それは好適に２から５電子ボル
トの範囲内にある。酸素空格子点は下記過程で創られ
る： 紫外線照射（UV-irradiation） ２００及び４００ｎｍの間、より好ましくは２００と３
５０ｎｍの間に波長（λ）を有する紫外線放射は本発明
の酸素空格子点を創るのに特に好適である。オゾン発生
を避けるために低酸素分圧が好ましい。例えば、親油性
表面を創るために低圧水銀ランプ（λ＝２５４ｎｍ／１
５ｍＷ）が使用出来る。
【００３３】キセノンデイマーエキシマーランプ（Xeno
n dimer excimer lamp）（λ＝１７２ｎｍ）を用いた照
射は親油性表面を作らなかった。従って行い得る説明
は、欠陥創生（defect creation）が該表面の下で起こ
り、該光エネルギーが該酸化物のバンドギャップより大
きいため電荷担体（charge carriers）が創られそして
再結合効果が過剰電荷を除去すると言う現象に関係して
いる。 低酸素分圧下での加熱 低酸素分圧下での加熱は該欠陥平衡（defect equilibri
um）を酸素空格子点が優勢欠陥種（predominant defect
species）である領域へシフトすると信じられる。低酸
素分圧は窒素及びアルゴンの様な不活性ガスの流れを使
用することにより創ることが出来る。なおより良い方法
は水素の様な還元性ガスを追加することにより還元性雰
囲気を創ることである。該酸素分圧は周囲大気の全圧の
１５％より少ないのが好ましく、１０％より少ないのが
より好ましい。
n dimer excimer lamp）（λ＝１７２ｎｍ）を用いた照
射は親油性表面を作らなかった。従って行い得る説明
は、欠陥創生（defect creation）が該表面の下で起こ
り、該光エネルギーが該酸化物のバンドギャップより大
きいため電荷担体（charge carriers）が創られそして
再結合効果が過剰電荷を除去すると言う現象に関係して
いる。 低酸素分圧下での加熱 低酸素分圧下での加熱は該欠陥平衡（defect equilibri
um）を酸素空格子点が優勢欠陥種（predominant defect
species）である領域へシフトすると信じられる。低酸
素分圧は窒素及びアルゴンの様な不活性ガスの流れを使
用することにより創ることが出来る。なおより良い方法
は水素の様な還元性ガスを追加することにより還元性雰
囲気を創ることである。該酸素分圧は周囲大気の全圧の
１５％より少ないのが好ましく、１０％より少ないのが
より好ましい。
【００３４】好ましくは該加熱は低電力ダイオードレー
ザーを用いて行われるのがよいがそれはＴ＝２００℃で
の加熱が既に低酸素分圧下で酸素空格子点を創るのに充
分だからである。 例 セラミック材料の表面に於ける可逆的な親水性／親油性
変換は印刷過程用の基礎を形成する。インクは親油性表
面で保持され親水性表面では拒絶される。画像形成は該
表面を親油性に変えることにより起こり、画像消去は該
表面を親水性に変えることによりもたらされる。
ザーを用いて行われるのがよいがそれはＴ＝２００℃で
の加熱が既に低酸素分圧下で酸素空格子点を創るのに充
分だからである。 例 セラミック材料の表面に於ける可逆的な親水性／親油性
変換は印刷過程用の基礎を形成する。インクは親油性表
面で保持され親水性表面では拒絶される。画像形成は該
表面を親油性に変えることにより起こり、画像消去は該
表面を親水性に変えることによりもたらされる。
【００３５】画像形成（親油性表面の発生）は酸素空格
子点を創ることにより行われる。
子点を創ることにより行われる。
【００３６】本発明の画像消去（親水性表面の発生）は
酸素との反応による酸素空格子点の対消滅（annihilati
on）により行われる。 １．接触角測定 １．１ α−アルミナ（サンプルＡ） セラミック人口品（ceramic artifact）を形成するため
にα−アルミナ粉末ＣＴ３０００ＳＧ｛アルコア（Alco
a）｝が加圧され、シンターされそしてポリッシされ
た。前記人口品の表面は空気へ開放して、１時間、Ｔ＝
２５０℃で加熱することにより親水性にされた。次いで
該表面は下記過程の各々により親油性にされた： −水素雰囲気中で、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱する；
水に対する最終接触角は７４．２度であった。 −窒素雰囲気中で、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱する；
水に対する最終接触角は６１．４度であった。 −１時間、Ｔ＝２００℃での紫外線光（λ＝２５４ｎ
ｍ）を用いた照射；水に対する最終接触角は４５．４度
であった。 １．２ アノード処理アルミニウム（サンプルＢ） アノード処理アルミニウムを紫外線光（λ＝２５４ｎ
ｍ）で照射することにより親水性表面が用意された。次
いで該表面は下記過程の各々により親油性にされた： −水素雰囲気中で、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱する；
水に対する最終接触角＝１３５．６度。 −窒素雰囲気中で、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱する；
水に対する最終接触角＝６５．６度。 ２．画像に沿う接触角増加 サンプルＡの表面がマスク２を介して紫外線照射３を用
いて選択的に露光された（図２ａ及び２ｂ参照）。該照
射された表面は疎水性となり、非照射表面は親水性に留
まっていた。
酸素との反応による酸素空格子点の対消滅（annihilati
on）により行われる。 １．接触角測定 １．１ α−アルミナ（サンプルＡ） セラミック人口品（ceramic artifact）を形成するため
にα−アルミナ粉末ＣＴ３０００ＳＧ｛アルコア（Alco
a）｝が加圧され、シンターされそしてポリッシされ
た。前記人口品の表面は空気へ開放して、１時間、Ｔ＝
２５０℃で加熱することにより親水性にされた。次いで
該表面は下記過程の各々により親油性にされた： −水素雰囲気中で、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱する；
水に対する最終接触角は７４．２度であった。 −窒素雰囲気中で、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱する；
水に対する最終接触角は６１．４度であった。 −１時間、Ｔ＝２００℃での紫外線光（λ＝２５４ｎ
ｍ）を用いた照射；水に対する最終接触角は４５．４度
であった。 １．２ アノード処理アルミニウム（サンプルＢ） アノード処理アルミニウムを紫外線光（λ＝２５４ｎ
ｍ）で照射することにより親水性表面が用意された。次
いで該表面は下記過程の各々により親油性にされた： −水素雰囲気中で、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱する；
水に対する最終接触角＝１３５．６度。 −窒素雰囲気中で、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱する；
水に対する最終接触角＝６５．６度。 ２．画像に沿う接触角増加 サンプルＡの表面がマスク２を介して紫外線照射３を用
いて選択的に露光された（図２ａ及び２ｂ参照）。該照
射された表面は疎水性となり、非照射表面は親水性に留
まっていた。
【００３７】同様な結果はアノード処理アルミニウムサ
ンプルＢでも得られた。 ３．画像に沿って照射された材料Ａ及びＢ上へのインク
パターン塗布 該完全な表面は水を有するスポンジで拭かれた（sponge
d with water）。該親水性表面は該水を保持し、均一な
水の層を創った。
ンプルＢでも得られた。 ３．画像に沿って照射された材料Ａ及びＢ上へのインク
パターン塗布 該完全な表面は水を有するスポンジで拭かれた（sponge
d with water）。該親水性表面は該水を保持し、均一な
水の層を創った。
【００３８】次いで印刷インクが該スポンジに付けら
れ、該完全な表面は再びスポンジで拭かれた。該疎水性
表面は該インクを保持し、一方該表面の親水性部分上で
は、インクは与えられなかった（no ink was withhel
d）。
れ、該完全な表面は再びスポンジで拭かれた。該疎水性
表面は該インクを保持し、一方該表面の親水性部分上で
は、インクは与えられなかった（no ink was withhel
d）。
【００３９】次いで該インクパターンはゴムスタンプに
転送され、該スタンプは該パターンを、例えば、紙上に
印刷するよう使用出来た。
転送され、該スタンプは該パターンを、例えば、紙上に
印刷するよう使用出来た。
【００４０】本発明の好ましい実施例の該可逆的なリゾ
グラフイー印刷過程は図３に抄録される。
グラフイー印刷過程は図３に抄録される。
【００４１】実質的に表面欠陥（surface defects）の
ないセラミック表面１０がマスク１２でカバーされる
（１１）。次いで該表面は、Ｔ＝２００℃での紫外線光
（UV light）（λ＝２５４ｎｍ）を用いた照射の様な、
本発明の表面欠陥（surface deficiencies）を創る方法
で処理され（１３）、マスクが該表面をカバーしない親
油性表面を作る（１４）。該マスクの除去は直ぐ使用出
来る（ready-to-use）リゾグラフイーの印刷プレートを
生じる。インク溶液を有するスポンジで拭くと（１
７）、該親油性表面１４は該インクを保持するが、親水
性表面１６はしない。これはインク装備表面（ink-load
ed surface）１８を創る。ゴムスタンプへ（又は直接サ
ポート表面へ）のインクの転送（１９，２１）はインク
装備ゴムスタンプ２０を生じ、それは通常のサポート
（例えば、紙）上へ印刷するため使用出来る。該印刷プ
レートはインクで再装備されることも出来て（２２）、
同じパターンを印刷するため再使用される。もしより多
くの同一印刷が必要でなければ、該印刷プレートは清浄
化され（２３）、本発明の方法により（例えば、空気へ
開放して、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱することによ
り）完全に親水性表面へ再生され得る（２５）。該印刷
プレートは今度は再使用され得る。
ないセラミック表面１０がマスク１２でカバーされる
（１１）。次いで該表面は、Ｔ＝２００℃での紫外線光
（UV light）（λ＝２５４ｎｍ）を用いた照射の様な、
本発明の表面欠陥（surface deficiencies）を創る方法
で処理され（１３）、マスクが該表面をカバーしない親
油性表面を作る（１４）。該マスクの除去は直ぐ使用出
来る（ready-to-use）リゾグラフイーの印刷プレートを
生じる。インク溶液を有するスポンジで拭くと（１
７）、該親油性表面１４は該インクを保持するが、親水
性表面１６はしない。これはインク装備表面（ink-load
ed surface）１８を創る。ゴムスタンプへ（又は直接サ
ポート表面へ）のインクの転送（１９，２１）はインク
装備ゴムスタンプ２０を生じ、それは通常のサポート
（例えば、紙）上へ印刷するため使用出来る。該印刷プ
レートはインクで再装備されることも出来て（２２）、
同じパターンを印刷するため再使用される。もしより多
くの同一印刷が必要でなければ、該印刷プレートは清浄
化され（２３）、本発明の方法により（例えば、空気へ
開放して、１時間、Ｔ＝２５０℃で加熱することによ
り）完全に親水性表面へ再生され得る（２５）。該印刷
プレートは今度は再使用され得る。
【００４２】本発明の特徴及び態様を示せば以下の通り
である。
である。
【００４３】１．セラミック酸化物又は酸化セラミック
を含む画像形成材料からリゾグラフイーの印刷プレート
を作る方法であるが、リゾグラフイーの画像が該セラミ
ック酸化物又は酸化セラミックの水に対する接触角の増
加を画像に沿って行うことにより創られる、該作る方法
に於いて、酸素空格子点が該セラミック酸化物又は酸化
セラミック内に、 −２００及び４００ｎｍの間の波長を有する紫外線放射
に該画像形成材料を露光する過程と、 −低酸素分圧下又は還元雰囲気中で該画像形成材料を加
熱する過程と、から成るグループから選択された過程に
よって導入されることを特徴とする該方法。
を含む画像形成材料からリゾグラフイーの印刷プレート
を作る方法であるが、リゾグラフイーの画像が該セラミ
ック酸化物又は酸化セラミックの水に対する接触角の増
加を画像に沿って行うことにより創られる、該作る方法
に於いて、酸素空格子点が該セラミック酸化物又は酸化
セラミック内に、 −２００及び４００ｎｍの間の波長を有する紫外線放射
に該画像形成材料を露光する過程と、 −低酸素分圧下又は還元雰囲気中で該画像形成材料を加
熱する過程と、から成るグループから選択された過程に
よって導入されることを特徴とする該方法。
【００４４】２．該酸素空格子点が、前記画像形成材料
を加熱中に、２００及び４００ｎｍの間の波長を有する
紫外線放射に該画像形成材料を露光することにより該セ
ラミック酸化物又は酸化セラミック内に導入されること
を特徴とする上記１の方法。
を加熱中に、２００及び４００ｎｍの間の波長を有する
紫外線放射に該画像形成材料を露光することにより該セ
ラミック酸化物又は酸化セラミック内に導入されること
を特徴とする上記１の方法。
【００４５】３．前記加熱過程の各々は該セラミック酸
化物又は酸化セラミックのシンターリング又は溶融を引
き起こさないことを特徴とする上記１又は２の方法。
化物又は酸化セラミックのシンターリング又は溶融を引
き起こさないことを特徴とする上記１又は２の方法。
【００４６】４．該接触角が少なくとも２０度だけ増加
されることを特徴とする上記の何れかの方法。
されることを特徴とする上記の何れかの方法。
【００４７】５．該接触角が少なくとも４０度だけ増加
されることを特徴とする上記の何れかの方法。
されることを特徴とする上記の何れかの方法。
【００４８】６．該酸素空格子点の形成のエンタルピー
が２から５電子ボルトの範囲であることを特徴とする上
記の何れかの方法。
が２から５電子ボルトの範囲であることを特徴とする上
記の何れかの方法。
【００４９】７．リゾグラフイーの印刷の方法が、
（ａ）上記１から６の何れかの方法によりリゾグラフイ
ーの印刷プレートを作る過程と、（ｂ）該セラミック酸
化物又は酸化セラミックの水に対する該接触角を減少さ
せることにより該リゾグラフイーの画像を消去する過程
であるが、該セラミック酸化物又は酸化セラミックを酸
化雰囲気中で加熱する過程により該酸素空格子点が対消
滅させられて該消去する過程と、を具備することを特徴
とする該方法。
（ａ）上記１から６の何れかの方法によりリゾグラフイ
ーの印刷プレートを作る過程と、（ｂ）該セラミック酸
化物又は酸化セラミックの水に対する該接触角を減少さ
せることにより該リゾグラフイーの画像を消去する過程
であるが、該セラミック酸化物又は酸化セラミックを酸
化雰囲気中で加熱する過程により該酸素空格子点が対消
滅させられて該消去する過程と、を具備することを特徴
とする該方法。
【００５０】８．リゾグラフイーの印刷の方法が、
（ａ）上記１から６の何れかの方法によりリゾグラフイ
ーの印刷プレートを作る過程と、（ｂ）該セラミック酸
化物又は酸化セラミックの水に対する該接触角を減少さ
せることにより該リゾグラフイーの画像を消去する過程
であるが、該セラミック酸化物又は酸化セラミックを酸
化雰囲気中で加熱する過程により該酸素空格子点が対消
滅させられて該消去する過程と、（ｃ）該消去された画
像形成材料を、リゾグラフイーの印刷プレートを作る次
の過程で上記１から６の何れかの方法により再使用する
過程と、を具備することを特徴とする方法。
（ａ）上記１から６の何れかの方法によりリゾグラフイ
ーの印刷プレートを作る過程と、（ｂ）該セラミック酸
化物又は酸化セラミックの水に対する該接触角を減少さ
せることにより該リゾグラフイーの画像を消去する過程
であるが、該セラミック酸化物又は酸化セラミックを酸
化雰囲気中で加熱する過程により該酸素空格子点が対消
滅させられて該消去する過程と、（ｃ）該消去された画
像形成材料を、リゾグラフイーの印刷プレートを作る次
の過程で上記１から６の何れかの方法により再使用する
過程と、を具備することを特徴とする方法。
【００５１】９．該セラミック酸化物又は酸化セラミッ
クがアルミナ及び／又はジルコニアを含むことを特徴と
する上記の何れかの方法。
クがアルミナ及び／又はジルコニアを含むことを特徴と
する上記の何れかの方法。
【００５２】１０．該セラミック酸化物又は酸化セラミ
ックがα−アルミナ又はアノード処理アルミニウムを含
むことを特徴とする上記の何れかの方法。
ックがα−アルミナ又はアノード処理アルミニウムを含
むことを特徴とする上記の何れかの方法。
【図１】本発明の酸素空格子点の創生と対消滅とを示
す。
す。
【図２】本発明の好ましい実施例を表す。
【図３】本発明のリゾグラフイーの印刷過程の実施例を
表す。
表す。
１ サンプル
２ マスク
３ 紫外線照射
４ 露光過程
５ 親水性のセラミック表面
６ 親油性の表面
７ 酸素空格子点
８ 加熱
１０ セラミック表面
１１ カバー過程
１２ マスク
１３ 処理過程
１４ カバーされない表面、親油性表面
１５ マスクの除去過程
１６ カバーされた表面、親水性表面
１７ インク溶液を有するスポンジで拭く過程
１８ インク装備表面
１９、２１ インクの転送
２０ インク装備ゴムスタンプ
２２ インクの再装備
２３ 清浄化過程
２５ 再生印刷プレートとして再使用へ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H025 AB03 AC04 AC08 AD01 BB00
BH03 FA29
2H084 AA36 AA40 BB02 BB13 CC05
2H096 AA06 BA13 EA03 EA04 EA23
FA03 HA01 LA30
2H114 AA04 AA22 BA01 BA10 DA05
DA08 EA08 EA10 FA11 GA29
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック酸化物又は酸化セラミックを
含む画像形成材料からリゾグラフイーの印刷プレートを
作る方法であるが、リゾグラフイーの画像が該セラミッ
ク酸化物又は酸化セラミックの水に対する接触角の増加
を画像に沿って行うことにより創られる、該作る方法に
於いて、酸素空格子点が該セラミック酸化物又は酸化セ
ラミック内に、 −２００及び４００ｎｍの間の波長を有する紫外線放射
に該画像形成材料を露光する過程と、 −低酸素分圧下又は還元雰囲気中で該画像形成材料を加
熱する過程と、から成るグループから選択された過程に
よって導入されることを特徴とする該方法。 - 【請求項２】 リゾグラフイーの印刷の方法が、 （ａ）請求項１の方法によりリゾグラフイーの印刷プレ
ートを作る過程と、 （ｂ）該セラミック酸化物又は酸化セラミックの水に対
する該接触角を減少させることにより該リゾグラフイー
の画像を消去する過程であるが、該セラミック酸化物又
は酸化セラミックを酸化雰囲気中で加熱する過程により
該酸素空格子点が対消滅させられて該消去する過程と、
を具備することを特徴とする該方法。 - 【請求項３】 リゾグラフイーの印刷の方法が、 （ａ）請求項１の方法によりリゾグラフイーの印刷プレ
ートを作る過程と、 （ｂ）該セラミック酸化物又は酸化セラミックの水に対
する該接触角を減少させることにより該リゾグラフイー
の画像を消去する過程であるが、該セラミック酸化物又
は酸化セラミックを酸化雰囲気中で加熱する過程により
該酸素空格子点が対消滅させられて該消去する過程と、 （ｃ）該消去された画像形成材料を、リゾグラフイーの
印刷プレートを作る次の過程で請求項１の方法により再
使用する過程と、を具備することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP01870291A EP1321448A1 (en) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Method for reversibly changing the hydrophilic properties of a ceramic oxide or an oxidic ceramic |
| EP01870291.0 | 2001-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003211623A true JP2003211623A (ja) | 2003-07-29 |
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ID=8185078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002368071A Pending JP2003211623A (ja) | 2001-12-21 | 2002-12-19 | リゾグラフイーの印刷プレートを作る方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2003211623A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2334496B1 (en) | 2008-09-12 | 2014-05-07 | J P Imaging Limited | Improvements in or relating to printing |
| US8323803B2 (en) | 2009-04-01 | 2012-12-04 | Xerox Corporation | Imaging member |
| WO2011114171A1 (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | J P Imaging Limited | Improvements in or relating to printing |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2264656B (en) * | 1992-02-07 | 1995-07-12 | Zortech Int | Coating surface of hydrophobic microporous thermal insulation material |
| US5238530A (en) * | 1992-04-20 | 1993-08-24 | Texas Instruments Incorporated | Anisotropic titanate etch |
| US5939194A (en) * | 1996-12-09 | 1999-08-17 | Toto Ltd. | Photocatalytically hydrophilifying and hydrophobifying material |
| US5965629A (en) * | 1996-04-19 | 1999-10-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Process for modifying surfaces of materials, and materials having surfaces modified thereby |
| US5836248A (en) * | 1997-05-01 | 1998-11-17 | Eastman Kodak Company | Zirconia-alumina composite ceramic lithographic printing member |
| US5893328A (en) * | 1997-05-01 | 1999-04-13 | Eastman Kodak Company | Method of controlled laser imaging of zirconia-alumina composite ceramic lithographic printing member to provide localized melting in exposed areas |
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| DE19826377A1 (de) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Heidelberger Druckmasch Ag | Druckmaschine und Druckverfahren |
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-
2001
- 2001-12-21 EP EP01870291A patent/EP1321448A1/en not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-12-19 JP JP2002368071A patent/JP2003211623A/ja active Pending
- 2002-12-19 US US10/324,638 patent/US20030145749A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-20 WO PCT/BE2002/000193 patent/WO2003053882A1/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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