JP2003209293A

JP2003209293A - 発光ダイオード

Info

Publication number: JP2003209293A
Application number: JP2002008940A
Authority: JP
Inventors: Tomoaki Abe; 智明阿部; Naohito Hamada; 直仁浜田; Masaru Aoki; 大青木
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2002-01-17
Filing date: 2002-01-17
Publication date: 2003-07-25

Abstract

(57)【要約】【課題】良好な特性を有する表面実装型発光ダイオー
ドを提供する。【解決手段】発光ダイオードは、電極を兼用する支持
部と、前記支持部上に接続された発光ダイオードチップ
と、前記発光ダイオードチップを前記支持部上で封止す
る透光性樹脂体であって、上面から切り込んだ溝型プリ
ズムを有する透光性樹脂体とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードに
関し、特に広指向角の表面実装型発光ダイオードに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】表面実装型発光ダイオードは、リードを
有する有機基板上に発光ダイオードをダイ付けし、金ワ
イヤなどで他の電極をボンディングし、透光性エポキシ
樹脂等で封止することにより形成されている。有機基板
は、例えば銅配線を積層したガラスエポキシシートであ
り、プリント配線板（ＰＷＢ)等と呼ばれる。

【０００３】表面実装型発光ダイオードを薄型化する場
合、封止樹脂体を直方体形状とし、高さを低くすること
により薄型化している。ＰＷＢは強度の点から極端に薄
くすることはできず、例えば厚さ０．１２ｍｍである。
発光ダイオードダイオードチップは、たとえば０．１８
ｍｍ平方の面積と０．１８ｍｍ程度の高さを有する。発
光ダイオードチップの上面に金ワイヤをボンディングす
る場合、チップ上面上の樹脂層の厚さはたとえば０．１
ｍｍとすることが望まれる。この場合、発光ダイオード
の全高さは約０．４ｍｍとなる。

【０００４】エポキシ樹脂は、約１．５４の屈折率を有
する。樹脂層表面において、発光ダイオードチップから
発した光の入射角が約４０．５度以上になると、入射光
は全て全反射されてしまう。一旦封止体内で全反射され
た光を有効に利用することは容易ではない。

【０００５】さらに、発光ダイオードからの発光の視認
性を向上するため、発光の広指向性が望まれる場合があ
る。発光ダイオードの上面から発する光は方向としては
法線から９０度の方向まで分布可能であるが、樹脂層表
面への入射角が大きくなると反射率が増大し、屈折光の
成分が減少する。チップ上面の法線からの角度が大きく
なるほど、外部での光成分が減少する。チップ上面の法
線からの角度が大きくなるほど外部での光強度は減少す
る。

【０００６】封止体側面に入射し、屈折して透過する光
もある。その出射光の方向について従来特に工夫はされ
ていない。封止体側面はチップ上面の法線と平行な面で
ある。ところでチップを構成する基板は、多くの場合発
光に対して不透明な半導体で構成されている。したがっ
て、封止体側面に入射する光は、水平面より上側に向か
うものが多く、下側に向かうものは少ない。封止体側面
を透過する光は、より上側に向かうことになる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】表面実装型発光ダイオ
ードは、外部発光効率、広指向性について十分対策が取
られているとは言えない。

【０００８】本発明の目的は、良好な特性を有する表面
実装型発光ダイオードを提供することである。

【０００９】本発明のさらに他の目的は、より薄型化が
可能な表面実装型発光ダイオードを提供することであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の１観点によれ
ば、電極を兼用する支持部と、前記支持部上に接続され
た発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップ
を前記支持部上で封止する透光性樹脂体であって、上面
から切り込んだ溝型プリズムを有する透光性樹脂体と,
を有する発光ダイオードが提供される。

【００１１】

【発明の実施の形態】実施例の説明に先立ち、本発明者
等が行なった解析について説明する。

【００１２】図９（Ａ）は、従来技術による表面実装型
発光ダイオードの構成を概略的に示す断面図である。ガ
ラスエポキシシート５１の表面に銅配線層５２が選択的
に形成されている。このような構成のＰＷＢ５０の上
に、エポキシ樹脂の封止体６０が形成されている。

【００１３】発光ダイオードチップ５４は、銅配線５２
の一方の上にダイ付けされ、その表面の電極が金ワイヤ
５８によって他方の配線５２に接続されている。発光ダ
イオードチップ５４は、例えばｎ型基板５５の上に、ｎ
型層５６、ｐ型層５７を積層した構成を有する。ｎ型層
５６、Ｐ型層５７の界面のｐｎ接合が発光面を構成す
る。

【００１４】エポキシ樹脂封止体６０は、発光ダイオー
ドチップ５４及び金ワイヤ５８を封止するように形成さ
れ、直方体形状を有する。発光ダイオードチップ５４の
ｐｎ接合から発した光は、エポキシ樹脂封止体５０の上
面か、側面から外部に導出される。

【００１５】図９（Ｂ）は、樹脂封止体６０の上面から
発する光を考察した線図である。光線Ｌ１は、樹脂封止
体６０の上面に垂直に入射し、垂直に出射する。光線Ｌ
２は、樹脂封止体６０の上面にある角度を持って入射
し、屈折して出射する。樹脂封止体６０が屈折率約１．
５４のエポキシ樹脂の場合、屈折はエポキシ樹脂の屈折
率１．５４と外界（空気）の屈折率１．０によって決ま
る方向に進む。

【００１６】光線Ｌ３は、エポシキ樹脂６０の上面に入
射角約４０．５度で入射する光を示す。エポキシ樹脂と
空気との界面における全反射の臨界角は、約４０．５度
である。光線Ｌ３は、エポキシ樹脂表面から外部に抜け
た場合、エポキシ樹脂６０の上面とほぼ平行に進む。全
反射の臨界角以上の入射角で界面に入射する光は全反射
する。

【００１７】なお、光学的界面においては、屈折と同時
に反射が生じる。図中破線で反射光を示す。反射光は、
入射角が大きくなるほど強くなる。従って、同一強度の
光が界面に向っても、入射角に依存して屈折光、反射光
の強度は変化する。

【００１８】エポキシ樹脂の封止体６０の上面に全反射
の臨界角以上で入射する光は、外部に出ることはなく、
全て全反射されてしまう。これらの光を有効に利用する
ことができれば、外部効率を向上することができ、かつ
広指向性を改善することが可能であろう。

【００１９】図９（Ｃ）は、樹脂封止体６０の側面に入
射する光の進向を示す。光線Ｌ４は、樹脂封止体６０の
側面に垂直に入射し、垂直に出射する。光線Ｌ５は、樹
脂封止体６０の側面にやや上向きに入射し、屈折により
さらに大きな角度を持って出射する。光線Ｌ６は、界面
にさらに大きな入射角で入射し、さらに大きな出射角で
出射する。これらの光の進行方向を調整することができ
れば、所望の広指向性に近づけることが可能であろう。

【００２０】図１（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例に
よる発光ダイオードの構成を示す上面図、側面図、断面
図及び線図である。図１（Ａ）は発光ダイオードの上面
図であり、印刷配線板（ＰＷＢ）１０の上に樹脂封止体
２０が形成されている様子を示している。図１（Ｂ）
は、右側面図であり、図１（Ｃ）は下側面図である。

【００２１】樹脂封止体２０の長手方向の長さＬＥは、
例えば約１．４ｍｍであり、短手方向の長さＳＥは、例
えば約０．８ｍｍである。ＰＷＢ１０は、樹脂封止体２
０と同一の短手方向長さを有し、長手方向においてはそ
の端部が樹脂封止体２０の側面から露出している。ＰＷ
Ｂの長手方向の長さＬＯは、例えば約１．６ｍｍであ
る。

【００２２】図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、樹脂封
止体２０の側面は、法線方向から傾いた方向に設定され
ている。長手方向の側面ＬＰは、ＰＷＢの法線（すなわ
ち、中に収容される発光ダイオードチップ上面の法線）
に対し、φ１＝約３度内側に傾いた方向である。図１
（Ｃ）に示すように、短手方向の側面ＳＰは、法線に対
しφ２＝約１０度内側に傾いた方向である。

【００２３】さらに、傾いた側面の上端は丸められてい
る。例えば、丸め部Ｒ１、Ｒ２は、曲率半径約０．１ｍ
ｍの曲面である。ＰＷＢ１０の下面から、樹脂封止体２
０の上面までの高さＨＴは、例えば約０．４ｍｍ以上で
ある。樹脂封止体２０の高さＨＥは、例えば０．３５ｍ
ｍ以上である。

【００２４】図１（Ｄ）は、図１（Ａ）に示すＩＤ‐Ｉ
Ｄ線に沿う断面図である。樹脂封止体２０の内部には、
発光ダイオードチップ１４が埋め込まれている。発光ダ
イオードチップ１４は、例えばｎ型基板１５の表面上に
ｎ型層１６、ｐ型１７を積層した構造を有する。ｎ型層
１６とｐ型１７の間に形成されるｐｎ接合面が発光面と
なる。発光ダイオードチップ１４の上面には、ｐ側電極
が形成されており、このｐ側電極とＰＷＢの配線との間
が金等の金属ワイヤ１８で接続されている。

【００２５】上述の構成においては、樹脂封止体２０の
側面が内側に傾斜する面で形成されている。この効果を
以下に考察する。

【００２６】図１（Ｅ）は、傾斜した側面に入射する光
線の進行方向を示す。光線Ｌ７は、樹脂封止体２０の傾
斜側面ＳＰに垂直に入射する光線を示す。光学界面に垂
直に入射する光線は、垂直に出射する。

【００２７】光線Ｌ８は、光線Ｌ７よりも上方に向って
発射した光を示す。側面ＳＰに角度θｉで入射した光線
は、ｎｓｉｎθｉ＝１＊ｓｉｎθｏの関係を満たす出射
角θｏで出射する。すなわち、傾いた光はその傾きをさ
らに強める方向に出射する。光線Ｌ９は、水平方向に進
む光であり、傾斜した側面ＳＰには傾斜面と等しい角度
で入射する。この入射角度に従って、光線Ｌ９は下方に
屈折して出射する。

【００２８】発光ダイオードチップ１４の基板１５が、
発光ダイオードチップの発する光の波長において不透明
な材料で形成されている場合、水平面より下方に向って
出射する光は少ない。図１（Ｅ）に示す例示の光Ｌ７〜
Ｌ９において、光Ｌ９は極めて少ないと予測される。

【００２９】光線Ｌ７は、側面ＳＰが垂直な場合には、
より上方に屈折して出射する。側面ＳＰを傾けたことに
より、光線Ｌ７はより下方に向って出射する。光線Ｌ８
も同様である。従って、側面ＳＰを傾斜させたことによ
り、出射する光はより広い角度に広がると予想される。

【００３０】図２（Ａ）（Ｂ）は、計算により求めた出
射光強度の分布を示すグラフである。図中方位角方向が
垂直な面内の方向であり、０度は法線に従って上方に進
行する方向を示す。同心円上の数値は、規格化した光強
度を示す。図２（Ａ）は、長手方向に沿った垂直面内の
光強度分布を示し、図２（Ｂ）は、短手方向に沿った垂
直面内の光強度分布を示す。図２（Ｂ）の光強度分布と
比較して、図２（Ａ）の光強度分布はより広い角度に分
布していることが分かる。

【００３１】図１に示す構成において、長手方向と短手
方向との差は、その長さと共に側面の傾斜角度である。
ところで、全反射の臨界角が約４０．５度であること
は、発光ダイオード上面上の樹脂層の厚さが約０．１ｍ
ｍとした場合、発光ダイオードチップの端部から約０．
０８５ｍｍ以上離れた位置に入射する光は、全て全反射
されてしまうことを示している。

【００３２】従って、図１の構成において、上面から直
接出射する光は中央部のみに限られており、長軸方向の
長さと短軸方向の長さが異なることの影響は少ないであ
ろう。すると、側面の傾斜角度の傾きの差が光強度分布
の差の大きな原因と考えられる。側面を１０度傾けたこ
とにより、側面が３度傾いている場合と較べ、法線から
の角度５０度近傍の光強度が大きく改善されていると考
えられる。

【００３３】図３は、本発明の他の実施例による発光ダ
イオードの構成を概略的に示す。図３（Ａ）は上面図、
図３（Ｂ）は右側面図、図３（Ｃ）は下側面図である。
図１に示す構成と異なる点は、樹脂封止体２０の上面に
溝Ｇを設けた点である。溝Ｇは、図３（Ａ）に示すよう
に円形であり、内側の直径が約０．４ｍｍ、外側の直径
が約０．６ｍｍである。図３（Ｂ）、（Ｃ）の側面図に
おいては、溝Ｇは隠れているが、その中央部の形状を破
線で示す。

【００３４】図３（Ｄ）は、図３（Ａ）におけるIIIＤ
−IIIＤ線に沿う断面図である。溝Ｇは、内側が法線に
対して例えば２０度の下広がりの面方位を有し、発光ダ
イオードチップに対向する面で形成され、外側が法線に
対して例えば７０度の上広がりの面方位を有し、発光ダ
イオードチップから次第に遠ざかる方向に沿う面で形成
されている。法線に対して２０度の角度を形成する内側
の面をＧＡで示し、法線に対し７０度の発光ダイオード
チップから遠ざかる方向に沿う角度を持つ外側の面をＧ
Ｂで示す。

【００３５】図３（Ｅ）は、溝部Ｇに入射する光の振る
舞いに対する考察を示す概念図である。溝Ｇを形成しな
かった場合の表面を波線でＧＸで示す。溝を形成しない
場合には面ＧＸに入射する光線が全て全反射される領域
に、溝Ｇは形成されているとする。光線Ｌ１１は、溝Ｇ
が形成されていない場合には、樹脂封止体２０の表面で
全反射され、下方に向う。溝Ｇが形成され、発光ダイオ
ードチップと対向する面ＧＡが形成されると、光線Ｌ１
１よりもさらに大きな入射角で進行した光Ｌ１２も、面
ＧＡを透過し、外部に出射する。

【００３６】このように、樹脂封止体２０の上面に溝を
形成し、その領域に向う光に対する入射角を減少させる
ことにより、全反射すべき光を屈折して外部に出射させ
ることが可能となる。

【００３７】面ＧＢは、面ＧＸよりも入射角が大きくな
る、左下がりに傾いた面であり、この面に光が入射する
場合その光は全反射する。全反射後の光を有効に取り出
すように他の面を設計することも可能であろう。

【００３８】なお、溝Ｇを発光ダイオードチップから入
射する光が全て全反射する領域に設ける場合を説明した
が、入射する光の一部が全反射する場合にも少なくとも
その効果が認められる。従って、溝Ｇは、溝Ｇが存在し
ない場合入射する光の少なくとも一部が全反射する領域
に形成すれば外部に出射する光の光量を増加させること
ができる。入射する光が全て全反射する領域に設けれ
ば、その効果はさらに大きくなる。

【００３９】図４（Ａ）、（Ｂ）は、図２（Ａ）、
（Ｂ）同様出射する光強度の分布を示すグラフである。
図４（Ａ）が長手方向に沿う垂直面内の光強度分布を示
し、図４（Ｂ）が短手方向に沿う垂直面内の光強度分布
を示す。

【００４０】先ず図４（Ａ）を図２（Ａ）と比較する
と、５０度近傍の光強度は減少しているが、より大きな
出射角である７０度、８０度、さらに９０度近くの領域
における光強度分布は大きく向上していることが分か
る。すなわち、より大きな広指向性が望ましい場合に
は、溝が極めて有効であることを示している。

【００４１】図４（Ｂ）を図２（Ｂ）と比較すると、法
線近傍の光強度は若干減少するところもあるが、大きな
角度領域においては光強度が大きく向上していることが
分かる。樹脂封止体の側面の加工を余り行なわなくて
も、上面に溝を設けることにより良好な広指向性を得る
ことが可能であると解釈できる。

【００４２】図３の構成においては、１つの溝を形成し
た。１つの溝を複数の溝で置き換えることも可能であ
る。

【００４３】図５は、樹脂封止体２０の上面に５つの溝
Ｇ１〜Ｇ５を形成した構成を示す。図５（Ａ）は上面
図、図５（Ｂ）は右側面図、図５（Ｃ）は下側面図であ
り、図５（Ｄ）は断面図である。

【００４４】図５（Ａ）に示すように、樹脂封止体２０
の上面には５つの溝Ｇ１〜Ｇ５が形成されている。最も
内側の溝Ｇ１は、その内径が約０．２ｍｍである。各溝
の幅は約０．２ｍｍである。従って、最も外側の溝Ｇ５
の外周は、直径約１．２ｍｍである。

【００４５】図５（Ｄ）は、断面図であり、発光ダイオ
ードチップ１４も示す。図に示すように、最も内側の溝
Ｇ１は、発光ダイオードチップ１４の端部近傍から形成
されており、溝Ｇ１が存在しない場合、入射光の一部が
全反射する領域である。なお、形成する溝の数、位置、
形状は目的に応じて種々変更することが可能である。例
えば、溝の深さを位置に応じて変化させることもでき
る。溝を形成する２つの面の角度も位置に応じて変更さ
せることもできる。

【００４６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、図５の構成の発光
ダイオードの出射光分布を示すグラフである。図６
（Ａ）が長手方向の光強度分布、図６（Ｂ）が短手方向
の光強度分布を示す。全体として、図４（ａ）同様の良
好な広指向性が得られていることがわかる。図４（Ａ）
において存在した５０度近傍の凹みは、改善されてい
る。

【００４７】図６（Ｂ）は、短手方向の光強度分布を示
す。垂直面内の方向０度から６０度近傍まで広い領域に
渡って均一な光強度分布が得られていることが分かる。

【００４８】図６（Ａ）、（Ｂ）に示すグラフは、５つ
の溝Ｇ１〜Ｇ５が図５に示すように同一の形状で同一の
方向に配置された場合である。各面の配置は、未だ最適
化されていない。溝位置、形状を調整することにより、
目的に応じたさらに良好な特性が得られる可能性が強
い。

【００４９】表面実装型発光ダイオードは、その高さを
極力低くすることが望まれる場合が多い。図７（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）は、ＧＷＢの代りに金属リードを用いた
構成を示す。

【００５０】図７（Ａ）において、金属リード３０ａ、
３０ｃは、それぞれ発光ダイオードチップの２つの電極
に接続するためのリードである。リード３０ａは、その
先端部３０ｂが発光ダイオードチップ１４をダイ付けす
る支持部としても機能する。さらに、この支持部３０ｂ
は、プレス等によりその厚さが減少されている。例え
ば、リード３０ｃは厚さ約０．１１ｍｍ、リード３０ａ
の外延部は同じ厚さ約０．１１ｍｍであり、支持部３０
ｂの厚さは約０．０８ｍｍである。

【００５１】ＰＷＢをリードに置換することにより、発
光ダイオード全体の高さを減少させることが可能とな
る。例えば、ＰＷＢを用いた場合の高さが０．４ｍｍで
ある場合、リードに交換することにより、高さを約０．
３５ｍｍに減少させることが可能である。

【００５２】リードは、他の実施例の構成においても同
様に用いることができる。図７（Ｂ）は、図３の構成に
おいてＰＷＢをリードに置換した構成を示す。

【００５３】図７（Ｃ）は、図５の構成においてＰＷＢ
をリードに置換した構成を示す。

【００５４】図８（Ａ）〜（Ｅ）は、図７に示す発光ダ
イオードを製造する方法を概略的に示す。

【００５５】図８（Ａ）に示すように、リード３０ａの
支持部３０ｂの上に、発光ダイオードチップ１４をダイ
付けし、その上面の電極と他のリード３０ｃの間を金ワ
イヤ18等によってボンディングして接続する。なお、こ
の段階においてはリード３０ａ、３０ｃの外延は接続部
により接続されており、リードフレームの形状である。

【００５６】図８（Ｂ）に示すように、リード３０ａ、
３０ｃの下面にシート３２を接着する。シート３２は、
例えばフッ素樹脂フィルム（ＦＥＰ、ＥＴＦＥ、ＰＴＦ
Ｅ、）弗素含心ガラスクロス、ポリエチレンテレフタレ
ート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔｈａ
ｌａｔｅ、ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレンフィル
ム、ポリ塩化ビニリジンフィルム等で形成することがで
きる。シート32の上面には接着層が形成されているか接
着層がない場合でも３０、３２を、図（Ｃ）のように置
き、金型ではさみこむ。

【００５７】図８（Ｃ）に示すように、シート３２を接
着した組み立て体を金型３５のキャビティー内に設置
し、上金型３６を上方より被せる。上金型３６が、リー
ドを圧着し、シート32内にリードを幾分潜りこませる。
上金型３６内に形成されたキャビティ内に、エポキシ樹
脂を射出注入する。上金型36に形成されたキャビティ
は、前述の実施例に示されような上面、側面形状を有す
るように形成されている。

【００５８】図８（Ｄ）に示すように、金型からエポキ
シ樹脂封止体２０を形成した組立体を取り出し、下面の
シート32をはがす。下面のシート３２内にリード３０
ａ、３０ｃが潜り込んでいた構成のため、封止樹脂２０
の下面はリード下面より上方に浮き上がった状態で留ま
っている。このような構成とすることにより、リード３
０ａ、３０ｃの下面を印刷回路基板上にハンダ付け等す
る場合、リード３０ａ、３０ｃ間の短絡を良好に防止す
ることができる。

【００５９】図８（Ｅ）に示すように、リードフレーム
の余分な部分を切断し、目的とするリード形状とする。
このような工程により、図７（Ａ）に示す発光ダイオー
ドが得られる。なお、図３（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光ダ
イオードも、同様の工程で上金型３６のキャビティ形状
を変更するのみで実現できることは当業者に自明であろ
う。

【００６０】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに限定されないことは当業者に自明であ
ろう。例えば、発光ダイオードの各構成要件の材料は任
意に選択することができる。封止樹脂の材料も、目的と
する波長で透明な材料から任意に選択することが可能で
ある。上面発光ダイオードチップを用いる場合を説明し
たが、端面発光ダイオードチップを用いる場合にも、同
様の構成を採用することが可能であろう。その他、種々
の変更、改良、組み合わせが可能なことも当業者に自明
であろう。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
良好な特性を有する表面実装型発光ダイオードが提供さ
れる。

【００６２】表面実装型発光ダイオードの指向性を広角
化することが可能である。

【００６３】表面実装型発光ダイオードを高さを減少す
ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例による発光ダイオードを示
す上面図、側面図、断面図及び概念図である。

【図２】図１に示す発光ダイオードの光出射特性を示
すグラフである。

【図３】本発明の他の実施例による発行ダイオードの
構成を示す上面図、側面図、断面図、概念図である。

【図４】図３の発光ダイオードの光出射特性を示すグ
ラフである。

【図５】本発明のさらに他の実施例による発光ダイオ
ードの構成を示す平面図、側面図、断面図である。

【図６】図５に示す発光ダイオードの光出射特性を示
すグラフである。

【図７】本発明のさらに他の実施例による発光ダイオ
ードの構成を示す断面図である。

【図８】図７に示す発光ダイオードを製造する工程を
概略的に示す断面図である。

【図９】発光ダイオードの出射光の解析を行なうため
の概略断面図、概念図である。

【符号の説明】

１０ＰＷＢ（印刷配線板）１４発光ダイオードチップ１５半導体基板１６ｎ型層１７ｐ型層１８金ワイヤ２０樹脂封止体Ｇ溝ＧＡ内側面ＧＢ外側面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青木大東京都目黒区中目黒２−９−13 スタンレー電気株式会社内Ｆターム(参考） 5F041 AA06 DA17 DA20 DA44 DA57

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極を兼用する支持部と、前記支持部上に接続された発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップを前記支持部上で封止する透
光性樹脂体であって、上面から切り込んだ溝型プリズム
を有する透光性樹脂体と,を有する発光ダイオード。
【請求項２】前記溝型プリズムは、上面が平坦な場合
には前記発光ダイオードチップから発した光が少なくと
も一部前記透光性樹脂体内で全反射を生じる領域に設け
られている請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】前記溝型プリズムは、上面が平坦な場合
には前記発光ダイオードチップの発光面のいずれの点か
ら発した光も前記透光性樹脂体内で全反射を生じる領域
に設けられている請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項４】前記溝型プリズムは、前記発光ダイオー
ドチップに対向する屈折面と前記発光ダイオードチップ
から次第に遠ざかる方向に沿った非透過面とを有し、前
記屈折面は前記発光ダイオードチップから発する光の少
なくとも一部を透過させ、前記非透過面は前記発光ダイ
オードチップから発した光が透過しない方向に設定され
ている請求項１〜３のいずれか１項記載の発光ダイオー
ド。
【請求項５】さらに、前記溝型プリズムの外側に同様
の形状を有する他の溝型プリズムを有する請求項４記載
の発光ダイオード。
【請求項６】さらに、前記透光性樹脂体が、前記発光
ダイオードチップの上面の法線に対して上に向うほど近
づく向きに傾いた側面を有する請求項１〜５のいずれか
１項記載の発光ダイオード。
【請求項７】前記支持部が、第１の厚さを有する第１
のリードと、前記第１の厚さを有する外延部と前記第１
の厚さより薄いチップ支持部とを有する第２のリードと
を含み、前記発光ダイオードチップは前記支持部上に接続される
請求項１〜６のいずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項８】前記溝型プリズムは、前記透光性樹脂体
の上面で円形の形状を有する請求項１〜７のいずれか１
項記載の発光ダイオード。
【請求項９】電極を兼用する支持部と、前記支持部上
に接続された発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップを前記支持部上で封止する透
光性樹脂体であって、前記発光ダイオードチップの上面
の法線に対して上に向うほど近づく向きに傾いた側面を
有する透光性樹脂体と,を有する発光ダイオード。
【請求項１０】第１の厚さを有する第１のリードと、
前記第１の厚さを有する外延部と前記第１の厚さより薄
いチップ支持部とを有する第２のリードとを含む支持部
と、前記チップ支持部上に接続された発光ダイオードチップ
と、前記発光ダイオードチップを前記支持部上で封止する透
光性樹脂体と,を有する発光ダイオード。