JP2003207802A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

Info

Publication number
JP2003207802A
JP2003207802A JP2003031485A JP2003031485A JP2003207802A JP 2003207802 A JP2003207802 A JP 2003207802A JP 2003031485 A JP2003031485 A JP 2003031485A JP 2003031485 A JP2003031485 A JP 2003031485A JP 2003207802 A JP2003207802 A JP 2003207802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display device
substrate
pixel electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003031485A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Izumi
良弘 和泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2003031485A priority Critical patent/JP2003207802A/en
Publication of JP2003207802A publication Critical patent/JP2003207802A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the generation of a defective display due to chipping existing on the connection side of active matrix substrates and to prevent the generation of a defective curing of a frame-like peripheral seal constituting a liquid crystal display panel, in a liquid crystal display device forming a large screen by connecting a plurality of active matrix substrates onto their side faces. <P>SOLUTION: In the liquid crystal display device constituting one large substrate by connecting the side faces of active matrixes and attaining a large screen by sticking the large substrate to the other substrate, pixel electrodes are arranged close to the connection side of the active matrixes as compared with signal lines or scanning lines laid along the connection side. In the liquid crystal display device attaining the large screen by connecting the side faces of liquid crystal display panels, pixel electrodes are arranged rather close to the connection side of the panels as compared with signal lines or scanning lines formed along the connection side. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、AV(オーディオ
ビデュアル)機器の表示装置やOA(オフィスオートメ
ーション)機器の表示装置として使用される大画面液晶
表示装置に関し、特に、複数のアクティブマトリクス基
板又は液晶表示パネルを側面で接続することで大画面化
を図る液晶表示装置及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a large-screen liquid crystal display device used as a display device for AV (audio-vidual) equipment or a display device for OA (office automation) equipment, and more particularly to a plurality of active matrix substrates or The present invention relates to a liquid crystal display device in which a liquid crystal display panel is connected on a side surface to achieve a large screen and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、AV機器として用いられる家庭用
のテレビ、OA機器に用いられる表示装置は、軽量化、
薄型化、低消費電力化、高精細化及び画面の大型化が要
求されている。このため、CRT、液晶表示装置(LC
D)、プラズマ表示装置(PDP)、EL表示装置、L
ED表示装置等の表示装置においても大画面化の開発・
実用化が進められている。
2. Description of the Related Art In recent years, home-use televisions used as AV equipment and display devices used in OA equipment have been reduced in weight,
Thinning, low power consumption, high definition and large screen are required. Therefore, the CRT, the liquid crystal display (LC
D), plasma display device (PDP), EL display device, L
Development of a large screen for display devices such as ED display devices
Practical application is in progress.

【0003】なかでも液晶表示装置は、他の表示装置に
比べ、厚さ(奥行き)が格段に薄くできること、消費電
力が小さいこと、フルカラー化が容易なこと等の利点を
有するので、近年においては種々の分野で用いられつつ
あり、画面の大型化への期待も大きい。液晶表示装置
は、単純マトリクス型とアクティブマトリクス型に大別
されるが、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、高
精細、大画面、高表示品位が期待されている。
Among them, the liquid crystal display device has the advantages that the thickness (depth) can be remarkably thin, power consumption is small, and full-color display is easy as compared with other display devices. It is being used in various fields, and there are great expectations for larger screens. Liquid crystal display devices are roughly classified into simple matrix type and active matrix type, and active matrix type liquid crystal display devices are expected to have high definition, large screen and high display quality.

【0004】ところがその反面、アクティブマトリクス
液晶表示装置は、画面の大型化を図ると、製造工程にお
いて信号配線、走査配線の断線、画素欠陥等による不良
率が急激に高くなり、更には液晶表示装置の価格上昇を
もたらすといった問題が生じる。そこでこれを解決する
為に、液晶表示装置を構成する一対の電極付き基板の
内、少なくとも一方の基板を複数枚の小基板をその側面
で接続して、大基板とした構造の液晶表示装置が実開昭
60−191029号公報に開示されている。
On the other hand, in the active matrix liquid crystal display device, when the size of the screen is increased, the defective rate due to the disconnection of the signal wiring, the scanning wiring, the pixel defect and the like is rapidly increased in the manufacturing process, and further, the liquid crystal display device. The problem arises that it will lead to a rise in prices. Therefore, in order to solve this, a liquid crystal display device having a structure in which at least one of a pair of substrates with electrodes constituting a liquid crystal display device is connected to a plurality of small substrates at its side surface to form a large substrate is provided. It is disclosed in Japanese Utility Model Publication No. 60-191029.

【0005】図11は、実開昭60−191029号公
報で開示されている液晶表示装置の構成を、平面図
(a)と、平面図(a)のB−B'線断面図(b)で示
す。ここでは4枚のアクティブマトリクス基板(以下、
TFT基板という)52、53、54、55を側面同士
で田字状に接続することにより一方の大基板を構成し、
他方の電極付きのカラーフィルターを形成した対向基板
(以下、CF基板という)51との間に、スペーサ57
及び液晶層50を介して貼り合わせることで大画面の液
晶表示装置を形成している。一般にアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の場合、一画素毎に微細なアクティブ
素子70と画素電極71がマトリクス状に配置されてい
るTFT基板を大面積で歩留まり良く製造することは極
めて困難である。従って、液晶表示装置を構成する一対
の基板の内、TFT基板を複数の小基板として製造し、
それらを互いの側面で接続して一方の大型TFT基板を
構成し、カラーフィルターが付設された他方の大型の対
向基板と貼り合わせてパネル化すると、生産性の上で効
率が良くなる。
FIG. 11 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) taken along the line BB ′ of the plan view (a) showing the configuration of the liquid crystal display device disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 191029/1985. Indicate. Here, four active matrix substrates (hereinafter,
One of the large substrates is formed by connecting side surfaces of 52, 53, 54, and 55 (referred to as TFT substrates) in a cross-shaped pattern.
A spacer 57 is provided between the other substrate 51 (hereinafter referred to as a CF substrate) 51 on which a color filter with electrodes is formed.
A large-screen liquid crystal display device is formed by laminating the liquid crystal layer 50 and the liquid crystal layer 50. Generally, in the case of an active matrix type liquid crystal display device, it is extremely difficult to manufacture a TFT substrate in which minute active elements 70 and pixel electrodes 71 are arranged in a matrix for each pixel in a large area with a high yield. Therefore, of the pair of substrates that make up the liquid crystal display device, the TFT substrate is manufactured as a plurality of small substrates,
If they are connected to each other at their side surfaces to form one large-sized TFT substrate and then bonded to the other large-sized opposite substrate provided with a color filter to form a panel, the efficiency is improved in terms of productivity.

【0006】また、上記と同様の目的で、複数の液晶表
示パネルを同一平面上に側面同士隣接させ接続すること
で大画面化を図った液晶表示装置が特開平8−1227
69号公報に開示されている。
For the same purpose as described above, a liquid crystal display device having a large screen by connecting a plurality of liquid crystal display panels on the same plane so that their side surfaces are adjacent to each other is disclosed in JP-A-8-1227.
No. 69 publication.

【0007】図15は、特開平8−122769号公報
で開示されている液晶表示装置の構成図を、平面図
(a)と、断面図(b)で示す。ここでは左右2枚のア
クティブマトリクス型液晶表示パネル81、82を補強
基板83上に側面同士隣接させて接着剤84で貼り付け
ることで大画面の液晶表示装置を形成している。個々の
液晶表示パネル81、82は、TFT基板85、86
と、電極付きカラーフィルターを形成した対向基板(C
F基板)87、88が液晶層89を介してシール90で
貼り合わされた構造になっている。シール90は各液晶
表示パネルの周辺部に枠状に設けられており、その枠シ
ール内に液晶層89が封入された構造になっている。こ
の構造の液層表示装置は、既存の生産設備で得られる最
大サイズの液晶表示パネルを継ぎ合わせることで、新た
な大型液晶表示装置の生産設備を導入することなく液晶
表示装置の大画面化を実現できるといった長所を有す
る。
FIG. 15 is a plan view (a) and a sectional view (b) of the liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 8-122769. Here, a large-screen liquid crystal display device is formed by adhering two left and right active matrix type liquid crystal display panels 81 and 82 on the reinforcing substrate 83 so that their side surfaces are adjacent to each other with an adhesive 84. Each of the liquid crystal display panels 81 and 82 has a TFT substrate 85 or 86.
And a counter substrate (C
F substrate) 87 and 88 are bonded together by a seal 90 with a liquid crystal layer 89 interposed therebetween. The seal 90 is provided in a frame shape in the peripheral portion of each liquid crystal display panel, and has a structure in which the liquid crystal layer 89 is enclosed in the frame seal. The liquid-layer display device with this structure is a liquid crystal display device with the largest size that can be obtained from existing production equipment, thus increasing the screen size of the liquid crystal display device without introducing new production equipment for large liquid crystal display devices. It has the advantage that it can be realized.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記液
晶表示装置は下記の問題点を有している。
However, the above liquid crystal display device has the following problems.

【0009】実開昭60−191029号公報の問題点
この液晶表示装置では、複数のTFT基板52、53、
54、55を先に製造し、それらを互いの側面で接続し
て一方の大型TFT基板としている。周知の通り、TF
T基板上には、マトリクス状に形成された走査配線(ゲ
ートバスライン)72と信号配線(ソースバスライン)
73、それら両配線のマトリクス交差点毎に形成された
薄膜トランジスタ(TFT素子)をスイッチング素子と
するアクティブ素子70と画素電極71が具備されてい
る。
Problem of Japanese Utility Model Laid-Open No. 60-191029 In this liquid crystal display device, a plurality of TFT substrates 52, 53,
54 and 55 are manufactured first, and they are connected to each other at their side surfaces to form one large TFT substrate. As we all know, TF
On the T substrate, scanning wirings (gate bus lines) 72 and signal wirings (source bus lines) formed in a matrix are formed.
73, an active element 70 using a thin film transistor (TFT element) formed at each matrix intersection of both wirings as a switching element, and a pixel electrode 71.

【0010】図11を見て分かるように、大型TFT基
板を構成する複数の小さいTFT基板52、53、5
4、55には、上記マトリクス状に配列された信号配線
73、走査配線72と、アクティブ素子70及び画素電
極71が全て同じ位置関係で設けられている。具体的に
は、全てのTFT基板52、53、54、55におい
て、Y方向に延長されている信号配線73の右側で、か
つX方向に延長されている走査配線72の下側に、信号
配線73にソース電極が接続され、走査配線72にゲー
ト電極が接続されるTFTよりなるアクティブ素子70
が設けられ、そしてドレインと接続される画素電極71
が設けられている。
As can be seen from FIG. 11, a plurality of small TFT substrates 52, 53, 5 forming a large TFT substrate.
The signal wirings 73 and the scanning wirings 72, the active elements 70, and the pixel electrodes 71, which are arranged in a matrix, are provided at the positions 4 and 55 in the same positional relationship. Specifically, in all the TFT substrates 52, 53, 54, 55, the signal wiring is on the right side of the signal wiring 73 extending in the Y direction and below the scanning wiring 72 extending in the X direction. An active element 70 including a TFT whose source electrode is connected to 73 and whose gate electrode is connected to the scanning wiring 72
And a pixel electrode 71 connected to the drain
Is provided.

【0011】図12は、左上側のTFT基板52と右上
側のTFT基板53の接続領域近傍を示す拡大平面図で
ある。左右のTFT基板52、53は、接続領域60で
接着剤56を用いて接続されている。この接続領域60
を含む領域における画素ピッチは、左右のTFT基板5
2と53の連続性を得るため、TFT基板52及び53
の表示領域の画素ピッチと同一に形成することが望まし
い。このため、各TFT基板の接続端面は非常に精度良
く平坦に処理し、接続領域60を狭く形成する必要があ
る。しかしながら、TFT基板をマザーガラスから所定
のサイズに切り出す際にスクライブ切断方法を用いる
と、切断面に0.5mm程度の凹凸が生じるため平坦な
切断端面を得ることは不可能である。従って、切断端面
の平坦性を得るためにダイヤモンドブレードを用いたダ
イシング装置を用いて切断する必要が有る。ダイシング
装置を用いた切断の場合は、切断面を0.05mm以下
の凹凸に仕上げることが可能である。
FIG. 12 is an enlarged plan view showing the vicinity of the connection region between the upper left TFT substrate 52 and the upper right TFT substrate 53. The left and right TFT substrates 52 and 53 are connected to each other in the connection region 60 using an adhesive 56. This connection area 60
The pixel pitch in the area including the
To obtain continuity of 2 and 53, TFT substrates 52 and 53
It is desirable to form the pixel pitch in the same display area. For this reason, it is necessary to process the connection end face of each TFT substrate to be flat with extremely high precision and to form the connection region 60 narrow. However, if a scribe cutting method is used when cutting the TFT substrate from the mother glass into a predetermined size, it is impossible to obtain a flat cut end surface because unevenness of about 0.5 mm occurs on the cut surface. Therefore, it is necessary to cut using a dicing device using a diamond blade in order to obtain flatness of the cut end surface. In the case of cutting using a dicing device, it is possible to finish the cut surface into unevenness of 0.05 mm or less.

【0012】ダイシング装置を用いて切断した場合も、
図13に示す様にTFT基板53の切断端面のエッジに
微細な欠け(チッピング)63が生じることがある。た
とえば経験によると、表1に示した条件でダイシング切
断を行うと、縦550mm、横650mm、厚さ1.1
mmのマザーガラスを横方向に切断する場合、650m
mの切断距離の中で、小さいチッピング(チッピング奥
行きWが0.01mm以下のもの)が多数と、大きなチ
ッピング(チッピング奥行きWが0.03〜0.05m
m程度のもの)が2〜5箇所で突発的に発生することが
判明している。
Even when cutting is performed using a dicing device,
As shown in FIG. 13, a fine chipping 63 may occur at the edge of the cut end surface of the TFT substrate 53. For example, according to experience, when the dicing cutting is performed under the conditions shown in Table 1, the length is 550 mm, the width is 650 mm, and the thickness is 1.1.
650 m when laterally cutting a mm mother glass
Within the cutting distance of m, there are many small chippings (having a chipping depth W of 0.01 mm or less) and large chippings (chipping depth W of 0.03 to 0.05 m).
It has been found that 2 to 5 places suddenly occur.

【0013】[0013]

【表1】 [Table 1]

【0014】ダイシング条件を最適化することで、チッ
ピング奥行きWが0.03〜0.05mm程度の大きな
チッピングの発生確率を減らすことは可能であるとは思
われるが、生産効率の向上が求められる生産条件の中
で、大きなチッピングの発生を皆無にすることは不可能
である。
By optimizing the dicing conditions, it is possible to reduce the probability of occurrence of large chippings with a chipping depth W of about 0.03 to 0.05 mm, but improvement in production efficiency is required. In production conditions, it is impossible to eliminate the occurrence of large chippings.

【0015】TFT基板の接続領域に大きなチッピング
(チッピング奥行きWが0.03〜0.05mm程度の
もの)が発生すると、以下の様な問題が生じる。
If large chipping (having a chipping depth W of about 0.03 to 0.05 mm) occurs in the connection area of the TFT substrate, the following problems occur.

【0016】図14は、接続領域にチッピング63を有
する左右のTFT基板52、53を継ぎ合わせた際の接
続領域近傍の拡大平面図である。図に示す様に、ダイシ
ング切断時に発生するチッピング63が、右側TFT基
板53では接続辺に隣接している信号配線73を断線す
る可能性がある。また、場合によっては、アクティブ素
子70を破壊することもある。このように、大きいチッ
ピング63は、液晶表示パネルの生産良品率に大きな影
響があるが、小さいチッピングは信号配線を断線するよ
うな大きな生産良品率に影響を与える損傷とはならな
い。
FIG. 14 is an enlarged plan view of the vicinity of the connection region when the left and right TFT substrates 52 and 53 having the chippings 63 in the connection region are joined together. As shown in the figure, the chipping 63 generated when cutting the dicing may disconnect the signal wiring 73 adjacent to the connection side on the right TFT substrate 53. Moreover, the active element 70 may be destroyed in some cases. As described above, the large chipping 63 has a great influence on the production yield rate of the liquid crystal display panel, but the small chipping does not cause damage such as disconnection of the signal wiring affecting the large production yield rate.

【0017】従って、TFT基板53のエッジに大きな
チッピング(チッピング奥行きWが0.03〜0.05
mm程度のもの)が発生したとしても、信号配線やアク
ティブ素子が破壊されない構造が求められている。
Therefore, a large chipping (chipping depth W of 0.03 to 0.05) is formed on the edge of the TFT substrate 53.
Therefore, even if a signal wire or an active element is generated, a structure is required.

【0018】特開平8−122769号公報の問題点こ
の液晶表示装置は、図15(a)に平面図、図15
(b)断面図を示す様に、液晶表示パネル81、82を
隣接接続することによって構成されている。液晶表示パ
ネルに用いられるTFT基板85、86には、周知の通
り、マトリクス状に形成された走査配線(ゲートバスラ
イン)91と信号配線(ソースバスライン)92、それ
ら両配線のマトリクス交差点毎に形成されたアクティブ
素子(TFT素子)93と画素電極94が具備されてい
る。また、前述した様に、シール90は各液晶表示パネ
ル81、82の周辺部に枠状に設けられており、その枠
状のシール90の内側に液晶層89が封入された構造に
なっている。
Problems of Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-122769 This liquid crystal display device is shown in a plan view in FIG.
(B) As shown in the sectional view, the liquid crystal display panels 81 and 82 are connected adjacent to each other. As is well known, on the TFT substrates 85 and 86 used for the liquid crystal display panel, scanning wirings (gate bus lines) 91 and signal wirings (source bus lines) 92, which are formed in a matrix, and matrix intersections of both wirings are provided. The formed active element (TFT element) 93 and the pixel electrode 94 are provided. Further, as described above, the seal 90 is provided in a frame shape around the liquid crystal display panels 81 and 82, and the liquid crystal layer 89 is enclosed inside the frame-shaped seal 90. .

【0019】図16は、図15に示した液晶表示装置に
おける、左右の液晶表示パネル81、82の接続領域近
傍におけるTFT基板85、86の拡大平面図である。
左右のTFT基板85、86は、接続領域80で接着剤
84を用いて接続されているとともに、TFT基板8
5、86の接続辺に沿って、TFT基板85、86とC
F基板87、88を貼り合わせるためのシール90が設
けられている。なお、シール90は、個々の液晶表示パ
ネル81、82の周囲に設けられている枠状のシールパ
ターンを示している。
FIG. 16 is an enlarged plan view of the TFT substrates 85 and 86 near the connection regions of the left and right liquid crystal display panels 81 and 82 in the liquid crystal display device shown in FIG.
The left and right TFT substrates 85 and 86 are connected to each other using an adhesive 84 in the connection region 80, and the TFT substrate 8
Along the connecting sides of 5, 86, the TFT substrates 85, 86 and C
A seal 90 for attaching the F substrates 87 and 88 is provided. The seal 90 is a frame-shaped seal pattern provided around the individual liquid crystal display panels 81 and 82.

【0020】ここで、接続領域での画素ピッチを他領域
の画素ピッチと同一にすると、表示の均一性が得られ
て、継ぎ目が目立たなくなるので、シール90は、でき
るだけ細く形成するとともに、接続辺に沿って配置され
ている画素電極94に隣接して配置する必要がある。こ
のためシール90の材料としては、シール90に隣接す
る表示画素に表示不良等の悪影響を与えないように、硬
化時に形状乱れの少ない光硬化型シール剤を用いてい
る。
Here, if the pixel pitch in the connection area is set to be the same as the pixel pitch in the other area, the uniformity of the display is obtained and the seam becomes inconspicuous. Therefore, the seal 90 is formed as thin as possible and the connection side is formed. It is necessary to dispose the pixel electrode 94 adjacent to the pixel electrode 94. For this reason, as the material of the seal 90, a photo-curing type sealant that causes little shape disorder during curing is used so as not to adversely affect the display pixels adjacent to the seal 90 such as display defects.

【0021】ところが、上記マトリクス状の走査配線9
1及び信号配線92と、TFT素子93及び画素電極9
4の位置関係が、左右の液晶表示パネル81、82にお
いて、同じである場合、即ち、図16に示すように、左
右のTFT基板85と86で、X方向に延長される走査
配線91の下側で、かつY方向に延長されている信号配
線92の右側に、走査配線91、信号配線92と接続さ
れるTFT素子93及び画素電極94が設けられている
と、以下の問題が生じる。
However, the matrix-shaped scanning wiring 9 is used.
1 and signal wiring 92, TFT element 93 and pixel electrode 9
4 is the same in the left and right liquid crystal display panels 81 and 82, that is, in the left and right TFT substrates 85 and 86, as shown in FIG. 16, under the scanning wiring 91 extending in the X direction. If the scanning wiring 91, the TFT element 93 connected to the signal wiring 92, and the pixel electrode 94 are provided on the side and on the right side of the signal wiring 92 extending in the Y direction, the following problems occur.

【0022】TFT基板85、86とCF基板87、8
8を周辺部で枠状にシールする工程において、シール樹
脂を光照射によって硬化させる際、CF基板87、88
の側から光照射を行うと、画素電極94と対向する領域
以外の領域に形成したブラックマトリクス(BM)によ
って光が遮られてしまうため、TFT基板85、86側
から照射を行う必要がある。しかしながら、右側のTF
T基板86では、図16に示す様にシール90と接続辺
に沿った信号配線92が重なっているため、信号配線9
2によって光が遮られてシール90の硬化不良を招く結
果となる。シール90の硬化不良が存在すると、シール
90に隣接する表示画素に表示不良等の悪影響を与える
ことになる。
TFT substrates 85 and 86 and CF substrates 87 and 8
In the step of sealing 8 in a frame shape at the peripheral portion, when the sealing resin is cured by light irradiation, the CF substrates 87, 88
When the light is irradiated from the side of, the light is blocked by the black matrix (BM) formed in the region other than the region facing the pixel electrode 94, and therefore it is necessary to perform the irradiation from the side of the TFT substrates 85 and 86. However, the right TF
On the T-board 86, as shown in FIG. 16, since the seal 90 and the signal wiring 92 along the connection side overlap, the signal wiring 9
The light is blocked by 2 and the curing failure of the seal 90 is caused. If there is a curing failure of the seal 90, the display pixels adjacent to the seal 90 will be adversely affected such as display failure.

【0023】従って、シール90に隣接して表示画素が
配置された場合でも、シール90の硬化不良を生じない
構造が求められている。
Therefore, even if the display pixel is arranged adjacent to the seal 90, there is a demand for a structure that does not cause curing failure of the seal 90.

【0024】[0024]

【課題を解決する為の手段】本発明の請求項1記載の液
晶表示装置は、信号配線と走査配線とが直交配列され、
該信号配線と走査配線との各交差点近傍にアクティブ素
子及び画素電極が形成されてなるアクティブマトリクス
基板を複数側面同士で接続して一方の大基板を構成し、
該一方の基板とほぼ同じ大きさの電極付き対向基板との
間に液晶層を介して貼り合わせて構成される液晶表示装
置において、前記対向基板上には、異なる3色からなる
カラーフィルターが形成され、隣接する3色の画素及び
非表示領域を1ユニットとする画素ユニットが構成さ
れ、前記非表示領域の幅が、前記アクティブマトリクス
基板のそれぞれの接続領域側に形成される前記画素電極
間の間隔とほぼ等しいことを特徴としている。
In the liquid crystal display device according to claim 1 of the present invention, the signal wiring and the scanning wiring are arranged orthogonally,
An active matrix substrate having active elements and pixel electrodes formed in the vicinity of each intersection of the signal wiring and the scanning wiring is connected on a plurality of side surfaces to form one large substrate,
In a liquid crystal display device configured by laminating a liquid crystal layer between one of the substrates and a counter substrate with electrodes of approximately the same size, color filters of three different colors are formed on the counter substrate. A pixel unit having adjacent three-color pixels and a non-display region as one unit is formed, and the width of the non-display region is between the pixel electrodes formed on the respective connection region sides of the active matrix substrate. It is characterized by being almost equal to the interval.

【0025】また、本発明の請求項2記載の液晶表示装
置は、前記一方の大基板を構成するアクティブマトリク
ス基板上の接続辺に沿って形成される前記信号配線と画
素電極のうち、該画素電極の方が前記接続領域側に形成
されている、あるいは前記走査線と画素電極のうち、該
画素電極の方が前記接続領域側に形成されていることを
特徴としている。
Further, in a liquid crystal display device according to a second aspect of the present invention, the pixel among the signal wiring and the pixel electrode formed along the connection side on the active matrix substrate which constitutes the one large substrate is the pixel. It is characterized in that the electrode is formed on the side of the connection region, or the pixel electrode is formed on the side of the connection region among the scanning line and the pixel electrode.

【0026】また、本発明の請求項3記載の液晶表示装
置は、信号配線と走査配線とが直交配列され、該信号配
線と走査配線との各交差点近傍にアクティブ素子及び画
素電極が形成されてなるアクティブマトリクス基板と、
該アクティブマトリクス基板とほぼ同じ大きさの電極付
き対向基板との間に液晶層を介して貼り合せてなる液晶
表示パネルを、同一平面上で複数枚隣接させて側面同士
を接続して構成される液晶表示装置において、前記対向
基板上には、異なる3色からなるカラーフィルターが形
成され、隣接する3色の画素及び非表示領域を1ユニッ
トとする画素ユニットが構成され、前記非表示領域の幅
が、前記液晶表示パネルのそれぞれの接続領域側に形成
される前記画素電極間の間隔とほぼ等しいことを特徴と
している。
Further, in the liquid crystal display device according to claim 3 of the present invention, the signal wirings and the scanning wirings are arranged orthogonally, and active elements and pixel electrodes are formed in the vicinity of each intersection of the signal wirings and the scanning wirings. Active matrix substrate,
A plurality of liquid crystal display panels, which are bonded to each other with a liquid crystal layer interposed between the active matrix substrate and a counter substrate with electrodes of substantially the same size, are formed by adjoining side surfaces of a plurality of liquid crystal display panels. In the liquid crystal display device, color filters of three different colors are formed on the counter substrate, pixels of adjacent three colors and a pixel unit having a non-display area as one unit are configured, and a width of the non-display area is formed. Is substantially equal to the interval between the pixel electrodes formed on the connection region side of the liquid crystal display panel.

【0027】また、本発明の請求項4の液晶表示装置
は、前記液晶表示パネルを構成するアクティブマトリク
ス基板上の接続辺に沿って形成される前記信号配線と画
素電極のうち、該画素電極の方が前記接続領域側に形成
されている、あるいは前記走査線と画素電極のうち、該
画素電極の方が前記接続領域側に形成されていることを
特徴としている。
Further, in a liquid crystal display device according to a fourth aspect of the present invention, among the signal wiring and the pixel electrode formed along the connection side on the active matrix substrate constituting the liquid crystal display panel, the pixel electrode One of the scanning line and the pixel electrode is formed on the side of the connection region, or one of the scanning line and the pixel electrode is formed on the side of the connection region.

【0028】また、本発明の請求項5の液晶表示装置
は、前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に
おいて前記液晶層を封止するシール剤が、前記液晶表示
パネルの接続辺に沿って前記アクティブマトリクス基板
上に設けられ、さらに前記接続辺に沿って設けられたシ
ール剤は、前記信号配線及び操作配線と重ならないよう
に設けられていることを特徴としている。
Further, in a liquid crystal display device according to a fifth aspect of the present invention, a sealant for sealing the liquid crystal layer between the active matrix substrate and the counter substrate is provided along the connection side of the liquid crystal display panel. The sealant provided on the active matrix substrate and provided along the connection side is provided so as not to overlap the signal wiring and the operation wiring.

【0029】本発明の液晶表示装置は、以上の特徴を有
することにより、各実施例において、次のような作用が
ある。
Since the liquid crystal display device of the present invention has the above characteristics, it has the following effects in each embodiment.

【0030】(実施例1の作用)本発明の実施例1の液
晶表示装置は、2枚のアクティブマトリクス基板を側面
同士で接続することにより一方の大基板を構成し、該一
方の大基板とほぼ同じ大きさの対向基板との間に液晶層
を介して貼り合わせることで大画面の液晶表示装置を構
成している。TFT基板を複数の小基板で形成し、それ
らを互いの側面で接続して一方の大型TFT基板として
いる点は、基本的に従来例に示した液晶表示装置と同様
である。ただし、TFT基板上に設けられている、マト
リクス状に形成された走査配線と信号配線、それら両配
線のマトリクス交差点毎に形成されたアクティブ素子及
び画素電極の位置関係が異なっている。即ち、右側のT
FT基板では、Y方向に延長されている信号配線の左側
に、該信号配線と接続されるアクティブ素子及び画素電
極が設けられている。これに対し、左側のTFT基板で
は、Y方向に延長されている信号配線の右側に、該信号
配線と接続されるアクティブ素子及び画素電極が設けら
れている。つまり、左右2枚のTFT基板の接続辺近傍
には、信号配線ではなく、画素電極が隣接している構造
になっている。
(Operation of Example 1) In the liquid crystal display device of Example 1 of the present invention, one large substrate is formed by connecting two active matrix substrates at their side surfaces. A large-screen liquid crystal display device is configured by laminating a counter substrate of approximately the same size through a liquid crystal layer. The point that the TFT substrate is formed of a plurality of small substrates and they are connected to each other at their side faces to form one large TFT substrate is basically the same as the liquid crystal display device shown in the conventional example. However, the positional relationship between the scanning wirings and the signal wirings formed in a matrix on the TFT substrate, and the active elements and pixel electrodes formed at each matrix intersection of these wirings are different. That is, T on the right
On the FT substrate, active elements and pixel electrodes connected to the signal wirings are provided on the left side of the signal wirings extending in the Y direction. On the other hand, in the left TFT substrate, the active element and the pixel electrode connected to the signal wiring are provided on the right side of the signal wiring extended in the Y direction. That is, not the signal wiring but the pixel electrodes are adjacent to each other in the vicinity of the connection sides of the two left and right TFT substrates.

【0031】従って、これらTFT基板の接続辺をダイ
シング切断法によって切り出す際、前述したような理由
で接続辺に大きなチッピング(チッピング奥行きWが
0.03〜0.05mm程度のもの)が発生したとして
も、信号配線やアクティブ素子が破壊されることを防ぐ
ことができる。また、仮に画素電極に到達する程大きな
該チッピングが発生したとしても、チッピングによって
破損された画素のみが点欠陥不良となるだけで済み、従
来の様に信号配線の断線による線欠陥不良になる様なこ
とはなく、最低限の表示不良に抑えることが可能であ
る。ただし、このチッピングは最大でチッピング奥行き
Wが50μmのものが存在する為、上記効果を得る為に
は、TFT基板の接続辺から画素電極までの隙間Mを5
0μm以上に設定する必要がある。
Therefore, when the connecting sides of these TFT substrates are cut out by the dicing cutting method, it is assumed that large chipping (having a chipping depth W of about 0.03 to 0.05 mm) occurs on the connecting sides for the reason described above. Also, it is possible to prevent the signal wiring and the active element from being destroyed. Even if the chipping is large enough to reach the pixel electrode, only the pixel damaged by the chipping becomes the point defect defect, and the line defect defect due to the disconnection of the signal wiring is generated as in the conventional case. This is not the case, and it is possible to suppress the display defect to the minimum. However, since this chipping has a maximum chipping depth W of 50 μm, in order to obtain the above effect, the gap M from the connection side of the TFT substrate to the pixel electrode is set to 5 mm.
It is necessary to set it to 0 μm or more.

【0032】(実施例2の作用)また、本発明の実施例
2は、実施例1と同様の構造で、4枚のアクティブマト
リクス基板を上下左右で田字状に接続することにより一
方の大基板を構成し、該一方の基板とほぼ同じ大きさの
対向基板との間に液晶層を介して貼り合わせることで大
画面の液晶表示装置を形成している。この実施例2で
は、右上側のTFT基板では、Y方向に延長されている
信号配線の左側に、かつX方向に延長されている走査配
線の下側に、該信号配線、走査配線と接続されるアクテ
ィブ素子及び画素電極が設けられている。また、右下側
のTFT基板では、Y方向に延長されている信号配線の
左側に、かつX方向に延長されている走査配線の上側
に、該信号配線、走査配線と接続されるアクティブ素子
と画素電極が設けられている。また、左上側のTFT基
板では、Y方向に延長されている信号配線の右側に、か
つX方向に延長されている走査配線の下側に、該信号配
線、走査配線と接続されるアクティブ素子と画素電極が
設けられている。また、左下側のTFT基板では、Y方
向に延長されている信号配線の右側に、かつX方向に延
長されている走査配線の上側に、該信号配線、走査配線
と接続されるTFT素子及び画素電極が設けられてい
る。
(Operation of Second Embodiment) In addition, the second embodiment of the present invention has a structure similar to that of the first embodiment, and by connecting four active matrix substrates vertically and horizontally in a cross pattern, A large-screen liquid crystal display device is formed by forming a substrate and bonding the one substrate and a counter substrate having substantially the same size with a liquid crystal layer interposed therebetween. In the second embodiment, the TFT substrate on the upper right side is connected to the signal wiring and the scanning wiring on the left side of the signal wiring extended in the Y direction and on the lower side of the scanning wiring extended in the X direction. Active elements and pixel electrodes are provided. In the lower right TFT substrate, on the left side of the signal wiring extending in the Y direction and on the upper side of the scanning wiring extending in the X direction, the signal wiring and the active element connected to the scanning wiring are provided. Pixel electrodes are provided. In the TFT substrate on the upper left side, on the right side of the signal wiring extending in the Y direction and on the lower side of the scanning wiring extending in the X direction, an active element connected to the signal wiring and the scanning wiring is provided. Pixel electrodes are provided. In the TFT substrate on the lower left side, on the right side of the signal wiring extended in the Y direction and on the upper side of the scanning wiring extended in the X direction, the signal wiring, the TFT element and the pixel connected to the scanning wiring. Electrodes are provided.

【0033】従って、これらTFT基板の接続辺をダイ
シング切断法によって切り出す際、前述したような理由
で接続辺に大きなチッピング(チッピング奥行きWが
0.03〜0.05mm程度のもの)が発生したとして
も、実施例1と同様に信号配線や走査配線やアクティブ
素子が破壊されることを防ぐことができる。また、仮に
画素電極に到達する程大きなチッピングが発生したとし
ても、チッピングによって破損された画素のみが点欠陥
不良となるだけで済み、従来の様に信号断線による線欠
陥不良になる様なことはなく、最低限の表示不良に抑え
ることが可能である。
Therefore, when the connecting sides of these TFT substrates are cut out by the dicing cutting method, it is assumed that large chipping (having a chipping depth W of about 0.03 to 0.05 mm) occurs on the connecting sides for the reason described above. Also, similarly to the first embodiment, it is possible to prevent the signal wiring, the scanning wiring, and the active element from being destroyed. Further, even if a large amount of chipping is generated to reach the pixel electrode, only the pixel damaged by the chipping becomes a point defect defect, and a line defect defect due to a signal disconnection as in the conventional case does not occur. It is possible to suppress the display defect to the minimum.

【0034】(実施例3の作用)本発明の実施例3の液
晶表示装置は、左右2枚のアクティブマトリクス型液晶
表示パネルを補強基板上に側面同士隣接させて接着剤で
貼り付けることで大画面の液晶表示装置を形成してい
る。各液晶表示パネルは、TFT基板とCF基板が液晶
表示パネルの周辺部に枠状に設けられたシールで貼り合
わされ、その枠状シール内に液晶が封入された構造であ
る点は、基本的に従来例に示した液晶表示装置と同様で
ある。ただし、TFT基板上に設けられている、マトリ
クス状に形成された走査配線と信号配線、それら両配線
のマトリクス交差点毎に形成されたアクティブ素子及び
画素電極の位置関係が異なっている。即ち、右側のTF
T基板では、Y方向に延長されている信号配線の左側
に、該信号配線と接続されるアクティブ素子及び画素電
極が設けられている。これに対し、左側のTFT基板で
は、Y方向に延長されている信号配線の右側に、該信号
配線と接続されるアクティブ素子及び画素電極が設けら
れている。つまり、左右のTFT基板の接続辺近傍に
は、信号配線ではなく、画素電極が隣接している構造に
なっている。
(Operation of Third Embodiment) The liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention has a large size by adhering two active matrix type liquid crystal display panels on the left and right sides on the reinforcing substrate so that the side surfaces thereof are adjacent to each other with an adhesive. Forming a liquid crystal display device for the screen. Basically, each liquid crystal display panel has a structure in which a TFT substrate and a CF substrate are attached to each other with a frame-shaped seal around the periphery of the liquid crystal display panel, and liquid crystal is enclosed in the frame-shaped seal. This is similar to the liquid crystal display device shown in the conventional example. However, the positional relationship between the scanning wirings and the signal wirings formed in a matrix on the TFT substrate, and the active elements and pixel electrodes formed at each matrix intersection of these wirings are different. That is, the right TF
On the T substrate, active elements and pixel electrodes connected to the signal wiring are provided on the left side of the signal wiring extending in the Y direction. On the other hand, in the left TFT substrate, the active element and the pixel electrode connected to the signal wiring are provided on the right side of the signal wiring extended in the Y direction. That is, not the signal wiring but the pixel electrodes are adjacent to each other near the connection sides of the left and right TFT substrates.

【0035】従って、これらTFT基板の接続辺沿って
シールを設ける際、シールを画素電極に近づけてもシー
ルが信号配線と重なることがない。このため、シールを
硬化させるためにTFT基板側から光を照射しても、信
号配線によって光が遮られることがなく、シールを完全
に硬化させることが可能である。
Therefore, when the seal is provided along the connection side of these TFT substrates, the seal does not overlap with the signal wiring even if the seal is brought close to the pixel electrode. Therefore, even if light is irradiated from the TFT substrate side to cure the seal, the signal wiring does not block the light, and the seal can be completely cured.

【0036】(実施例4の作用)また本発明の実施例4
は、上記実施例3と同様の構造で、4枚の液晶表示パネ
ルを補強基板上に上下左右に側面同士隣接させて接着剤
で貼り付けることで大画面の液晶表示装置を形成してい
る。この実施例4では、右上側のTFT基板では、Y方
向に延長されている信号配線の左側に、かつX方向に延
長されている走査配線の下側に、該信号配線、走査配線
と接続されるアクティブ素子及び画素電極が設けられて
いる。また、右下側のTFT基板では、Y方向に延長さ
れている信号配線の左側に、かつX方向に延長されてい
る走査配線の上側に、該信号配線、走査配線と接続され
るアクティブ素子及び画素電極が設けられている。ま
た、左上側のTFT基板では、Y方向に延長されている
信号配線の右側に、かつX方向に延長されている走査配
線の下側に、該信号配線、走査配線と接続されるアクテ
ィブ素子及び画素電極が設けられている。また、左下側
のTFT基板では、Y方向に延長されている信号配線の
右側に、かつX方向に延長されている走査配線の上側
に、該信号配線、走査配線と接続されるアクティブ素子
及び画素電極が設けられている。
(Operation of Embodiment 4) Embodiment 4 of the present invention
Has a structure similar to that of the third embodiment, and four liquid crystal display panels are attached to each other on the reinforcing substrate so that the side surfaces thereof are adjacent to each other in the vertical and horizontal directions to form a large-screen liquid crystal display device. In the fourth embodiment, the TFT substrate on the upper right side is connected to the signal wirings and the scanning wirings on the left side of the signal wirings extended in the Y direction and on the lower side of the scanning wirings extended in the X direction. Active elements and pixel electrodes are provided. In the lower right TFT substrate, on the left side of the signal line extending in the Y direction and on the upper side of the scanning line extending in the X direction, the signal line, the active element connected to the scanning line, and Pixel electrodes are provided. In the TFT substrate on the upper left side, on the right side of the signal wiring extending in the Y direction and below the scanning wiring extending in the X direction, the signal wiring, the active element connected to the scanning wiring, and Pixel electrodes are provided. In the TFT substrate on the lower left side, on the right side of the signal wiring extending in the Y direction and on the upper side of the scanning wiring extending in the X direction, the signal wiring, active elements and pixels connected to the scanning wiring. Electrodes are provided.

【0037】従って、これらTFT基板の接続辺に沿っ
てシールを設ける際、シールを画素電極に近づけてもシ
ールが信号配線と走査配線に重なることがない。このた
め、シールを硬化させるためにTFT基板側から光を照
射しても、信号配線や走査配線によって光が遮られるこ
とがなく、シールを完全に硬化させることが可能にな
る。
Therefore, when the seal is provided along the connection side of these TFT substrates, the seal does not overlap the signal wiring and the scanning wiring even if the seal is brought close to the pixel electrode. Therefore, even if light is irradiated from the TFT substrate side to cure the seal, the signal wiring and scanning wiring do not block the light, and the seal can be completely cured.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】(実施例1)以下、図面を参考に
しながら本発明の実施例1を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (Embodiment 1) Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0039】図1は、本発明の実施例1にかかわる液晶
表示装置の構成を示し、図1(a)は平面図、図1
(b)は断面図を示す。図1に示す様に、本発明の液晶
表示装置は、アクティブマトリクス基板(TFT基板)
1、2を左右で接続することにより一方の大基板を形成
し、この一方の大基板とほぼ同じ大きさの電極付きのカ
ラーフィルターを形成した対向基板3との間に、液晶層
4を介して貼り合わせることで大画面の液晶表示装置を
形成している。通常、TFT基板1、2が接続された大
基板は対向基板3より若干大きく形成され、対向基板3
より大きい部分に走査配線、信号配線の接続端子を形成
している。図2は、図1に示す液晶表示装置を構成して
いる左右のTFT基板の接続領域付近を示す拡大平面図
である。TFT基板1、2は、図2に示すように、ガラ
ス等の透明基板上に、マトリクス状に配置された走査配
線(ゲートバスライン)5及び信号配線(ソースバスラ
イン)6、これら両配線のマトリクス交差点に形成され
たアモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体材料
よりなる薄膜トランジスタ(TFT(Thin Fil
m Transisitor))をスイッチング素子と
するアクティブ素子7、ITO等の透明導電膜から形成
される画素電極8が周知の材料及びプロセスで形成され
ている。TFTのゲート電極は走査配線5に接続され、
ソース電極は信号配線6に接続され、ドレイン電極は画
素電極8に接続される。対向基板(CF基板)3は、ガ
ラス等の透明基板上に、上記各画素電極8に対応して設
けられた赤(R)緑(G)青(B)の各カラーフィルタ
ー9と、各画素電極8の間からの光漏れを防ぐための格
子状遮光膜(ブラックマトリクス(BM))10、IT
O等の透明導電膜から形成される共通電極が周知の材料
及びプロセスで形成されている。
FIG. 1 shows the structure of a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view and FIG.
(B) shows a sectional view. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device of the present invention includes an active matrix substrate (TFT substrate).
One large substrate is formed by connecting 1 and 2 on the left and right, and a liquid crystal layer 4 is interposed between the one large substrate and a counter substrate 3 on which a color filter with electrodes of substantially the same size is formed. A large-screen liquid crystal display device is formed by bonding them together. Usually, the large substrate to which the TFT substrates 1 and 2 are connected is formed to be slightly larger than the counter substrate 3,
Connection terminals for scanning wiring and signal wiring are formed in a larger portion. FIG. 2 is an enlarged plan view showing the vicinity of the connection regions of the left and right TFT substrates that constitute the liquid crystal display device shown in FIG. The TFT substrates 1 and 2 are, as shown in FIG. 2, scanning lines (gate bus lines) 5 and signal lines (source bus lines) 6 arranged in a matrix on a transparent substrate such as glass, and both of these lines. Thin film transistors (TFTs) formed of semiconductor materials such as amorphous silicon and polysilicon formed at matrix intersections.
m Transistor)) is used as a switching element, and an active element 7 and a pixel electrode 8 formed of a transparent conductive film such as ITO are formed by known materials and processes. The gate electrode of the TFT is connected to the scanning wiring 5,
The source electrode is connected to the signal wiring 6, and the drain electrode is connected to the pixel electrode 8. The counter substrate (CF substrate) 3 is a transparent substrate made of glass or the like and each color filter 9 of red (R) green (G) blue (B) provided corresponding to each pixel electrode 8 and each pixel. Lattice-shaped light-shielding film (black matrix (BM)) 10 for preventing light leakage from between the electrodes 8, IT
The common electrode formed of a transparent conductive film such as O is formed by a known material and process.

【0040】また、図2は、マトリクス状に配線された
走査配線5、信号配線6とアクティブ素子7及び画素電
極8の位置関係を示している。図2に示すように、左側
のTFT基板1と、右側のTFT基板2は、マトリクス
状の走査配線5、信号配線6とアクティブ素子7及び画
素電極8の位置関係が反対に配置された構造になってい
る。即ち、接続領域Nを中心とする線対称に配置されて
いる。具体的には、左側のTFT基板1では、Y方向に
延長されている信号配線6の右側に、この信号配線6と
ソース電極が接続されるアクティブ素子7及び画素電極
8が設けられている。これに対し、右側のTFT基板2
では、Y方向に延長されている信号配線6の左側に、こ
の信号配線6とソース電極が接続されるアクティブ素子
7及び画素電極8が設けられている。つまり、左右のT
FT基板1、2の接続領域Nの近傍には、信号配線6は
なく、画素電極8が隣接している構造になっている。ま
た、上記左右2枚のTFT基板1、2は、図に示す接続
領域Nにおいて透明な接着剤11で側面同士が接続され
ている。
FIG. 2 shows the positional relationship among the scanning wirings 5, the signal wirings 6, the active elements 7, and the pixel electrodes 8 arranged in a matrix. As shown in FIG. 2, the TFT substrate 1 on the left side and the TFT substrate 2 on the right side have a structure in which the scanning wirings 5, the signal wirings 6, the active elements 7 and the pixel electrodes 8 are arranged in the opposite positional relationship. Has become. That is, they are arranged in line symmetry around the connection region N. Specifically, on the TFT substrate 1 on the left side, the active element 7 and the pixel electrode 8 to which the signal line 6 and the source electrode are connected are provided on the right side of the signal line 6 extending in the Y direction. On the other hand, the TFT substrate 2 on the right side
Then, on the left side of the signal line 6 extending in the Y direction, the active element 7 and the pixel electrode 8 to which the signal line 6 and the source electrode are connected are provided. That is, the left and right T
The signal wiring 6 is not provided in the vicinity of the connection region N of the FT substrates 1 and 2, and the pixel electrodes 8 are adjacent to each other. The side surfaces of the two left and right TFT substrates 1 and 2 are connected to each other with a transparent adhesive 11 in a connection region N shown in the figure.

【0041】なお、図3に示すように、TFT基板1と
2の接続辺から画素電極8までの距離Mは、50μmに
設定した。このため、接続領域Nが50μmの場合、T
FT基板1と2の接続領域Nをはさむ画素電極間8と8
の距離は(2M+N)=150μmとなる。ところで、
図1に示す本発明の液晶表示装置で、例えば、対角40
インチサイズ、解像度800×600(SVGA)の表
示を得るためには、R、G、Bの3画素を1ユニットと
する1画素ユニットのサイズは約1000μm×100
0μmとなる。そこで、図4に示すように、1画素ユニ
ットUあたり150/1000の割合で非表示エリアN
Uを設けておくことで、TFT基板の接続領域Nをこの
非表示エリア内に納めることができる。表示領域の全て
の画素ユニットにこのような非表示エリアを設けること
で、TFT基板1、2の接続領域Nにおいても他の部分
と同様の画素ピッチが実現でき、継ぎ目を目立たせない
で違和感のない表示が実現できる。なお、非表示エリア
NUはCF基板に設けられているブラックマトリクス
(BM)で覆い隠しておくと良い。
As shown in FIG. 3, the distance M from the connection side between the TFT substrates 1 and 2 to the pixel electrode 8 was set to 50 μm. Therefore, when the connection region N is 50 μm, T
Between the pixel electrodes 8 and 8 sandwiching the connection region N between the FT substrates 1 and 2.
The distance is (2M + N) = 150 μm. by the way,
The liquid crystal display device of the present invention shown in FIG.
In order to obtain an inch size display with a resolution of 800 × 600 (SVGA), the size of one pixel unit with 3 units of R, G and B as one unit is about 1000 μm × 100.
It becomes 0 μm. Therefore, as shown in FIG. 4, the non-display area N is set at a rate of 150/1000 per pixel unit U.
By providing U, the connection region N of the TFT substrate can be accommodated in this non-display area. By providing such a non-display area in all the pixel units in the display area, the same pixel pitch as in the other portions can be realized in the connection area N between the TFT substrates 1 and 2, and the seams will not be conspicuous and will be uncomfortable. No display can be realized. The non-display area NU may be covered with a black matrix (BM) provided on the CF substrate.

【0042】TFT基板をマザーガラスから所定のサイ
ズに切り出す場合、簡便なスクライブ切断方法を用いる
と、切断面に0.5mm程度の凹凸が生じるため平坦な
切断端面を得ることは不可能である。そこで本実施例で
は、ダイヤモンドブレードを使用したダイシング装置を
用いて切断を行うことにした。この結果、表1で示した
条件でダイシング装置を用いることで、切断面を0.0
2mmの凹凸に仕上げることができ、接続領域Nを50
μmにして接続することが可能であった。
When a TFT substrate is cut out from a mother glass into a predetermined size, if a simple scribe cutting method is used, it is impossible to obtain a flat cut end surface because unevenness of about 0.5 mm is generated on the cut surface. Therefore, in this embodiment, cutting is performed using a dicing device using a diamond blade. As a result, by using the dicing device under the conditions shown in Table 1, the cut surface is 0.0
It can be finished to 2 mm unevenness and the connection area N is 50
It was possible to make the connection in μm.

【0043】ただし、たとえダイシング装置を用いて切
断したとしても、図3に示す様に切断面のエッジに微細
な欠け(チッピング)Bが生じる。たとえば、表1に示
した条件でダイシング切断を行うと、650mmの切断
距離の中で、小さいチッピング(チッピング奥行きWが
0.01mm以下のもの)が多数と、大きなチッピング
(チッピング奥行きWが0.03〜0.05mm程度の
もの)が2〜5箇所で突発的に発生する。
However, even if cutting is performed using a dicing device, a fine chipping (chipping) B occurs at the edge of the cut surface as shown in FIG. For example, when dicing cutting is performed under the conditions shown in Table 1, many small chippings (having a chipping depth W of 0.01 mm or less) and large chippings (having a chipping depth W of 0. (About 0.3 to 0.05 mm) suddenly occurs at 2 to 5 places.

【0044】このような場合、従来の液晶表示装置で
は、TFT基板のダイシング切断時に発生するチッピン
グが、図14に示した様に接続辺に隣接している信号配
線を断線する可能性があった。また場合によっては、ア
クティブ素子を破壊する可能性もあった。
In such a case, in the conventional liquid crystal display device, chipping that occurs when the dicing of the TFT substrate is cut may break the signal wiring adjacent to the connection side as shown in FIG. . In some cases, the active element may be destroyed.

【0045】しかしながら、本発明の液晶表示装置の場
合、図2に示す構造を採用しているためこのような問題
を解決することが可能である。図3は、接続辺に上記チ
ッピングBを有するTFT基板1、2を継ぎ合わせた際
のTFT基板の拡大平面図である。図に示す様に、TF
T基板1、2のダイシング切断時にチッピングBが発生
したとしても、従来のように接続領域Nに信号配線6が
隣接していないので、チッピングBによって信号配線6
が断線されることは全くない。また、アクティブ素子7
が破壊されることもない。ただし、このチッピングBは
最大でチッピング奥行きWが50μmのものが存在する
為、上記効果を得る為には、TFT基板の接続辺から画
素電極までの隙間Mを50μm以上に設定する必要があ
る。
However, in the case of the liquid crystal display device of the present invention, since the structure shown in FIG. 2 is adopted, such a problem can be solved. FIG. 3 is an enlarged plan view of the TFT substrate when the TFT substrates 1 and 2 having the chipping B on the connection side are joined together. As shown in the figure, TF
Even if chipping B occurs at the time of cutting the dicing of the T substrates 1 and 2, the signal wiring 6 is not adjacent to the connection region N as in the conventional case.
Is never broken. In addition, the active element 7
Will not be destroyed. However, since the chipping B has a maximum chipping depth W of 50 μm, it is necessary to set the gap M from the connection side of the TFT substrate to the pixel electrode to 50 μm or more in order to obtain the above effect.

【0046】上述してきたように、本発明の液晶表示装
置では、図2に示す配線設計を採用し、TFT基板1、
2の接続領域Nから画素電極8までの隙間Mを50μm
以上に設定することで、TFT基板を切断加工する際に
チッピング奥行きWが0.03〜0.05mm程度のチ
ッピングBが発生したとしても、断線不良や点欠陥不良
の発生を防ぐことが可能になる。また、ダイシング切断
加工条件を究極に最適化する必要がなく、生産効率の向
上を妨げることもない。また、仮に極希であるが画素電
極8に到達する程大きなチッピングが発生したとして
も、チッピングによって破損された画素電極8の部分の
みが点欠陥不良となるだけで済み、従来の様に信号配線
の断線による線欠陥不良になる様なことはなく、最低限
の表示不良に抑えることが可能である。
As described above, in the liquid crystal display device of the present invention, the wiring design shown in FIG.
The gap M from the connection region N of No. 2 to the pixel electrode 8 is 50 μm
With the above settings, it is possible to prevent the occurrence of disconnection defects and point defect defects even when chipping B having a chipping depth W of about 0.03 to 0.05 mm occurs when cutting the TFT substrate. Become. Further, it is not necessary to optimize the dicing / cutting processing conditions to the ultimate, and the improvement of production efficiency is not hindered. Even if chipping, which is extremely rare but large enough to reach the pixel electrode 8, occurs, only the portion of the pixel electrode 8 damaged by the chipping becomes a point defect defect. It is possible to suppress the display defect to the minimum without causing the line defect defect due to the disconnection.

【0047】なお、ここでは、対角40インチサイズ、
解像度800×600(SVGA)の表示を得ることの
できる液晶表示装置について具体例を示したが、本発明
はこれらサイズ、解像度にこだわるものではなく、図1
に示すようにTFT基板を接続することで大型化を図る
液晶表示装置であれば、サイズを問わず広く適用させる
ことが可能である。また、図5(a)の平面図、図5
(b)の断面図を示す液晶表示装置のように、2枚のT
FT基板1、2の接続領域Nに沿って、各TFT基板
1、2とCF基板3の隙間にシール12、12が設けら
れた構造の液晶表示装置でも同様の効果を得ることが可
能である。また、アクティブ素子として、例えばMIM
のようにTFT素子以外のものを用いた場合でも同様の
効果を得ることができる。
Here, the diagonal size of 40 inches,
A specific example of a liquid crystal display device capable of obtaining a display with a resolution of 800 × 600 (SVGA) has been shown, but the present invention is not limited to these sizes and resolutions.
If the liquid crystal display device is intended to be large-sized by connecting the TFT substrate as shown in (4), it can be widely applied regardless of size. In addition, the plan view of FIG.
As shown in the liquid crystal display device shown in the sectional view of FIG.
Similar effects can be obtained even in a liquid crystal display device having a structure in which seals 12 and 12 are provided in the gaps between the TFT substrates 1 and 2 and the CF substrate 3 along the connection region N of the FT substrates 1 and 2. . As an active element, for example, MIM
Even when a device other than the TFT element is used as described above, the same effect can be obtained.

【0048】(実施例2)実施例2に示す本発明の液晶
表示装置は、アクティブマトリクス基板(TFT基板)
を上下左右に配置して、田字状に接続することにより一
方の大基板を形成し、この一方の大基板とほぼ同じ大き
さの他方の電極付きのカラーフィルターを形成した対向
基板との間に液晶層を介して貼り合わせることで大画面
の液晶表示装置を形成している。TFT基板の接続数が
異なる以外は、基本的には実施例1に示した液晶表示装
置と同様の構造である。
(Embodiment 2) The liquid crystal display device of the present invention shown in Embodiment 2 is an active matrix substrate (TFT substrate).
Are arranged vertically and horizontally to form one large substrate by connecting in a cross-shaped pattern, and between this one large substrate and the opposite substrate on which the color filter with the other electrode of almost the same size is formed. Then, a large-screen liquid crystal display device is formed by laminating the liquid crystal layer through the liquid crystal layer. The structure is basically the same as that of the liquid crystal display device shown in Example 1 except that the number of TFT substrates connected is different.

【0049】図6は、上下左右のTFT基板21、2
2、23、24の接続領域付近を示す拡大平面図であ
る。マトリクス状の走査配線25、信号配線26と、ア
クティブ素子27及び画素電極28の位置関係が示され
ている。図から分かるように、上下左右のTFT基板2
1、22、23、24において、マトリクス状の走査配
線25、信号配線26と、アクティブ素子27及び画素
電極28の位置関係が異なっている。即ち、接続領域N
を中心にして、上下方向及び左右方向に線対称に配置さ
れている。具体的には、右上側のTFT基板21では、
Y方向に延長されている信号配線26の左側に、かつX
方向に延長されている走査配線25の下側に、該信号配
線26、走査配線25と接続されるアクティブ素子27
及び画素電極28が設けられている。また、右下側のT
FT基板22では、Y方向に延長されている信号配線2
6の左側に、かつX方向に延長されている走査配線25
の上側に、該信号配線26、走査配線25と接続される
アクティブ素子27及び画素電極28が設けられてい
る。また、左上側のTFT基板24では、Y方向に延長
されている信号配線26の右側に、かつX方向に延長さ
れている走査配線25の下側に、該信号配線26、走査
配線25と接続されるアクティブ素子27及び画素電極
28が設けられている。また、左下側のTFT基板23
では、Y方向に延長されている信号配線26の右側に、
かつX方向に延長されている走査配線25の上側に、該
信号配線26、走査配線25と接続されるアクティブ素
子27及び画素電極28が設けられている。
FIG. 6 shows upper, lower, left and right TFT substrates 21, 2
It is an enlarged plan view which shows the connection area vicinity of 2, 23, and 24. The positional relationship among the matrix-shaped scanning wirings 25, the signal wirings 26, the active elements 27, and the pixel electrodes 28 is shown. As can be seen from the figure, the upper, lower, left and right TFT substrates
In Nos. 1, 22, 23, and 24, the positional relationship between the scanning lines 25 and the signal lines 26 in a matrix, the active elements 27, and the pixel electrodes 28 is different. That is, the connection area N
Are arranged in line symmetry vertically and horizontally. Specifically, in the TFT substrate 21 on the upper right side,
To the left of the signal wiring 26 extending in the Y direction, and X
An active element 27 connected to the signal wiring 26 and the scanning wiring 25 is provided below the scanning wiring 25 extending in the direction.
And a pixel electrode 28 are provided. Also, T on the lower right side
On the FT substrate 22, the signal wiring 2 extended in the Y direction
The scanning wiring 25 on the left side of 6 and extending in the X direction
An active element 27 connected to the signal wiring 26 and the scanning wiring 25 and a pixel electrode 28 are provided on the upper side of the. In the upper left TFT substrate 24, the signal wiring 26 and the scanning wiring 25 are connected to the right side of the signal wiring 26 extending in the Y direction and below the scanning wiring 25 extending in the X direction. The active element 27 and the pixel electrode 28 are provided. In addition, the TFT substrate 23 on the lower left side
Then, on the right side of the signal wiring 26 extending in the Y direction,
The signal wiring 26, the active element 27 connected to the scanning wiring 25, and the pixel electrode 28 are provided above the scanning wiring 25 extending in the X direction.

【0050】従って、これらTFT基板21、22、2
3、24の接続辺をダイシング切断法によって切り出す
際、前述したような理由で接続辺に大きなチッピングB
(チッピング奥行きWが0.03〜0.05mm程度の
もの)が発生したとしても、実施例1と同様に様の作用
で信号配線26や走査配線25やアクティブ素子27が
破壊されることを防ぐことができる。ただし、チッピン
グBは最大でチッピング奥行きWが50μmのものが存
在する為、上記効果を得る為には、横方向の接続辺及び
縦方向の接続辺ともに、TFT基板の接続辺から画素電
極までの隙間Mを50μm以上に設定する必要がある。
Therefore, these TFT substrates 21, 22, 2
When cutting the connection sides of 3 and 24 by the dicing cutting method, a large chipping B is formed on the connection side for the reason described above.
Even if (chipping depth W is about 0.03 to 0.05 mm) occurs, the signal wiring 26, the scanning wiring 25, and the active element 27 are prevented from being destroyed by the same action as in the first embodiment. be able to. However, since there is chipping B having a maximum chipping depth W of 50 μm, in order to obtain the above effect, both the horizontal connection side and the vertical connection side are from the connection side of the TFT substrate to the pixel electrode. It is necessary to set the gap M to 50 μm or more.

【0051】また、ダイシング切断加工条件を究極に最
適化する必要がなく、生産効率の向上を妨げることもな
い。また、仮に極希であるが画素電極に到達する程大き
な該チッピングが発生したとしても、チッピングによっ
て破損された画素のみが点欠陥不良となるだけで済み、
従来の様に信号配線の断線による線欠陥不良になる様な
ことはなく、最低限の表示不良に抑えることが可能であ
る。
Further, it is not necessary to optimize the dicing / cutting processing conditions to the ultimate, and the improvement of production efficiency is not hindered. Further, even if the chipping, which is extremely rare but large enough to reach the pixel electrode, occurs, only the pixel damaged by the chipping becomes a point defect defect.
It is possible to suppress the display defect to the minimum without causing the line defect defect due to the disconnection of the signal wiring as in the conventional case.

【0052】(実施例3)図7は、実施例3に示す本発
明の液晶表示装置の構成を示し、図7(a)は平面図、
図7(b)は断面図を示す。この液晶表示装置は、左右
のアクティブマトリクス型液晶表示パネル31、32を
補強基板33上に側面同士隣接させて接着剤34で貼り
付けることで大画面の液晶表示装置を形成している。液
晶表示パネル31、32に用いられるTFT基板35
a、35bは、ガラス等の透明基板上に、マトリクス状
に配置された走査配線(ゲートバスライン)41及び信
号配線(ソースバスライン)42、これら両配線のマト
リクス交差点に形成された薄膜トランジスタ(TFT
(Thin Film Transistor))をスイッチング素子とする
アクティブ素子43、ITO等の透明導電膜から形成さ
れる画素電極44が周知の材料及びプロセスで形成され
ている。TFTのゲート電極は走査配線41に接続さ
れ、ソース電極は信号配線42に接続され、ドレイン電
極は画素電極44に接続される。また、対向基板(CF
基板)37a、37bは、ガラス等の透明基板上に、各
画素毎に設けられた赤(R)緑(G)青(B)のカラー
フィルター45と、各画素間からの光漏れを防ぐための
格子状遮光膜(ブラックマトリクス(BM))46、I
TO等の透明導電膜から形成される共通電極が周知の材
料及びプロセスで形成されている。
(Embodiment 3) FIG. 7 shows the structure of the liquid crystal display device of the present invention shown in Embodiment 3, FIG.
FIG. 7B shows a sectional view. In this liquid crystal display device, the left and right active matrix liquid crystal display panels 31 and 32 are attached to each other on the reinforcing substrate 33 so that their side surfaces are adjacent to each other with an adhesive 34 to form a large screen liquid crystal display device. TFT substrate 35 used for liquid crystal display panels 31, 32
Reference numerals a and 35b are scanning wirings (gate bus lines) 41 and signal wirings (source bus lines) 42 arranged in a matrix on a transparent substrate such as glass, and thin film transistors (TFTs) formed at matrix intersection points of these wirings.
An active element 43 having a (Thin Film Transistor) as a switching element and a pixel electrode 44 formed of a transparent conductive film such as ITO are formed by a known material and process. The gate electrode of the TFT is connected to the scanning wiring 41, the source electrode is connected to the signal wiring 42, and the drain electrode is connected to the pixel electrode 44. In addition, the counter substrate (CF
Substrates 37a and 37b are provided on a transparent substrate such as glass to prevent red (R) green (G) blue (B) color filters 45 provided for each pixel and light leakage between the pixels. Lattice-like light-shielding film (black matrix (BM)) 46, I
A common electrode formed of a transparent conductive film such as TO is formed by a known material and process.

【0053】また、TFT基板35a、35bとCF基
板37a、37bはシール40によって貼り合わされて
いる。このシールは個々の液晶表示パネル31、32の
周辺部に枠状に設けられており、その枠シール内にそれ
ぞれ液晶層39が封入された構造になっている。液晶表
示装置の光の入射側と出射側に偏光板36a、36bが
設けられ、ノーマリホワイトモードの場合、偏光板36
a、36bの偏光軸方向は互いに直交するよう配置され
る。
Further, the TFT substrates 35a and 35b and the CF substrates 37a and 37b are attached by a seal 40. The seal is provided in the shape of a frame on the periphery of each of the liquid crystal display panels 31 and 32, and the liquid crystal layer 39 is enclosed in the frame seal. Polarizing plates 36a and 36b are provided on the light incident side and the light emitting side of the liquid crystal display device, and in the case of the normally white mode, the polarizing plate 36
The polarization axes of a and 36b are arranged so as to be orthogonal to each other.

【0054】図8は、図7に示す液晶表示装置を構成し
ている左右のTFT基板35a、35bの接続部付近を
示す拡大平面図である。マトリクス状の走査配線41、
信号配線42と、アクティブ素子43及び画素電極44
の位置関係が示されている。図から分かるように、左右
のTFT基板35a、35bによって、マトリクス状の
走査配線41、信号配線42と、アクティブ素子43及
び画素電極44の位置関係が異なっている。即ち、接続
領域N'を中心とする線対称になっている。具体的に
は、右側のTFT基板35bでは、Y方向に延長されて
いる信号配線42の左側に、該信号配線42と接続され
るアクティブ素子43及び画素電極44が設けられてい
る。これに対し、左側のTFT基板35aでは、Y方向
に延長されている信号配線42の右側に、該信号配線4
2と接続されるアクティブ素子43及び画素電極44が
設けられている。つまり、左右のTFT基板35aと3
5bの接続辺近傍には、信号配線42ではなく、画素電
極44が隣接している構造になっている。
FIG. 8 is an enlarged plan view showing the vicinity of the connecting portion between the left and right TFT substrates 35a and 35b which constitute the liquid crystal display device shown in FIG. Matrix-shaped scan wiring 41,
Signal wiring 42, active element 43 and pixel electrode 44
The positional relationship of is shown. As can be seen from the figure, the left and right TFT substrates 35a and 35b have different positional relationships between the matrix-shaped scanning wirings 41 and signal wirings 42, and the active elements 43 and the pixel electrodes 44. That is, they are line-symmetric with respect to the connection region N '. Specifically, on the TFT substrate 35b on the right side, the active element 43 and the pixel electrode 44 connected to the signal wiring 42 are provided on the left side of the signal wiring 42 extending in the Y direction. On the other hand, in the left TFT substrate 35a, the signal wiring 4 is provided on the right side of the signal wiring 42 extending in the Y direction.
An active element 43 and a pixel electrode 44 that are connected to the pixel 2 are provided. That is, the left and right TFT substrates 35a and 3a
In the vicinity of the connection side of 5b, not the signal line 42 but the pixel electrode 44 is adjacent.

【0055】なお、TFT基板35a、35bの接続辺
から画素電極44までの隙間M'は、150μmに設定
した。このため、接続領域N'が50μmの場合、TF
T基板35a、35bの接続領域にまたがる画素電極間
の間隙は(2M'+N')=350μmとなる。ところ
で、図7に示す本発明の液晶表示装置で、例えば、対角
40インチサイズ、解像度800×600(SVGA)
の表示を得るためには、R、G、Bの3画素を1ユニッ
トとする1画素ユニットのサイズは約1000μm×1
000μmとなる。そこで、図9に示すように、1画素
ユニットUあたり350/1000の割合で非表示エリ
アNUを設けておくことで、TFT基板の接続部を該非
表示エリア内に納めることができる。表示領域の全ての
画素ユニットにこのような非表示エリアを設けること
で、TFT基板35a、35bの接続領域N'において
も他の部分と同様の画素ピッチが実現でき、継ぎ目の目
立たせないで、違和感のない表示が実現できる。なお、
非表示エリアはCF基板に設けられているブラックマト
リクス(BM)で覆い隠しておくと良い。
The gap M ′ from the connection side of the TFT substrates 35a and 35b to the pixel electrode 44 was set to 150 μm. Therefore, when the connection area N ′ is 50 μm, TF
The gap between the pixel electrodes straddling the connection region of the T substrates 35a and 35b is (2M ′ + N ′) = 350 μm. By the way, in the liquid crystal display device of the present invention shown in FIG. 7, for example, a diagonal size of 40 inches and a resolution of 800 × 600 (SVGA).
In order to obtain the display of, the size of one pixel unit with three pixels of R, G and B as one unit is about 1000 μm × 1
000 μm. Therefore, as shown in FIG. 9, by providing the non-display area NU at a ratio of 350/1000 per pixel unit U, the connection portion of the TFT substrate can be accommodated in the non-display area. By providing such a non-display area in all the pixel units in the display area, the same pixel pitch as in the other portions can be realized in the connection area N ′ of the TFT substrates 35a and 35b, and the seams can be made inconspicuous. A display with no discomfort can be realized. In addition,
The non-display area is preferably covered with a black matrix (BM) provided on the CF substrate.

【0056】また、左右の液晶表示パネル31、32
は、接続領域N'で接着剤34を用いて接続されている
とともに、TFT基板の接続辺に沿って、TFT基板3
5a、35bとCF基板37a、37bを貼り合わせる
ためのシール40が設けられている。なお、シール40
は、個々の液晶表示パネル31、32の周囲に設けられ
ている枠状のシールパターンの内、左右TFT基板の接
続辺に沿って設けられているシールのことである。この
シール40は、接続領域での画素ピッチを他領域の画素
ピッチと揃えて表示の均一性を得るために、できるだけ
細く形成するとともに、接続辺に沿って形成されている
画素電極44にできるだけ近づけて配置する必要があ
る。例えば、図8に示す設計の場合、TFT基板の接続
辺から画素電極44までの隙間M'(150μm)以内
にシール40を納める必要がある。このためシール40
の材料としては、シール40に隣接する表示画素に表示
不良等の悪影響を与えないように、硬化時に形状乱れの
少ない光硬化型シール剤を用いる必要がある。具体的に
は、アクリル系の紫外線硬化型シール剤を用いている。
Further, the left and right liquid crystal display panels 31, 32
Are connected with the adhesive 34 in the connection region N ′, and the TFT substrate 3 is connected along the connection side of the TFT substrate.
A seal 40 for attaching the CF substrates 37a and 37b to the 5a and 35b is provided. The seal 40
Is a seal provided along the connection sides of the left and right TFT substrates in the frame-shaped seal pattern provided around each of the liquid crystal display panels 31 and 32. The seal 40 is formed as thin as possible in order to align the pixel pitch in the connection area with the pixel pitch in the other area to obtain display uniformity, and is made as close as possible to the pixel electrode 44 formed along the connection side. Need to be placed. For example, in the case of the design shown in FIG. 8, it is necessary to put the seal 40 within the gap M ′ (150 μm) from the connection side of the TFT substrate to the pixel electrode 44. Therefore, the seal 40
As the material of (1), it is necessary to use a photo-curing type sealing agent which causes little shape disorder during curing so as not to adversely affect display pixels adjacent to the seal 40 such as display defects. Specifically, an acrylic ultraviolet curing sealant is used.

【0057】従来は、マトリクス状の走査配線91と信
号配線92がアクティブ素子93及び画素電極94と
は、図16に示したような位置関係であったため、シー
ル40と接続辺に沿った信号配線92が重なることがあ
り、シール40を光照射によって硬化させる際、信号配
線92によって光が遮られるためシール40の硬化不良
を招いていた。
Conventionally, since the matrix-shaped scanning wirings 91 and the signal wirings 92 have the positional relationship between the active element 93 and the pixel electrode 94 as shown in FIG. 16, the signal wirings along the seal 40 and the connection side are formed. 92 may overlap, and when the seal 40 is cured by light irradiation, light is blocked by the signal wiring 92, which causes the curing failure of the seal 40.

【0058】これに対し、本発明の液晶表示装置では、
図8に示した様に、シール40を接続領域N'に隣接し
ている画素電極44にできるだけ近づけて配置しても、
信号配線42とシール40が重なることがない。従っ
て、シール硬化用の光をTFT基板側から照射した場合
でも信号配線42によって光が遮られることがなく、シ
ール40を完全に硬化させることが可能となり、シール
40に隣接する表示画素に表示不良等の悪影響を与える
ことがない。
On the other hand, in the liquid crystal display device of the present invention,
As shown in FIG. 8, even if the seal 40 is arranged as close as possible to the pixel electrode 44 adjacent to the connection region N ′,
The signal wiring 42 and the seal 40 do not overlap. Therefore, even when the light for curing the seal is irradiated from the TFT substrate side, the light is not blocked by the signal wiring 42, and the seal 40 can be completely cured, and the display pixel adjacent to the seal 40 has a defective display. There is no adverse effect such as.

【0059】なお、ここでは、対角40インチサイズ、
解像度800×600(SVGA)の表示を得ることの
できる液晶表示装置について具体例を示したが、本発明
はこれらサイズ、解像度にこだわるものではなく、図7
に示すように左右のアクティブマトリクス型液晶表示パ
ネルを同一平面上に側面同士隣接させて接着剤で貼り付
けることで大型化を図る液晶表示装置であれば、サイズ
を問わず広く適用させることが可能である。また、アク
ティブ素子として、例えばMIMのようにTFT素子以
外のものを用いた場合でも同様の効果を得ることができ
る。
In this case, a diagonal size of 40 inches,
A specific example of a liquid crystal display device capable of obtaining a display with a resolution of 800 × 600 (SVGA) was shown, but the present invention is not limited to these sizes and resolutions.
As shown in, the left and right active matrix liquid crystal display panels can be widely applied regardless of their size as long as they are liquid crystal display devices that are made larger by adhering the side surfaces adjacent to each other with an adhesive. Is. Further, the same effect can be obtained even when an element other than the TFT element such as MIM is used as the active element.

【0060】(実施例4)実施例4に示す本発明の液晶
表示装置は、上下左右にアクティブマトリクス型液晶表
示パネルを配置して補強基板上に側面同士田字状に隣接
させて接着剤で貼り付けることで大画面の液晶表示装置
を形成している。液晶表示パネルの接続数が異なる以外
は、基本的には実施例3に示した液晶表示装置と同様の
構造である。
(Embodiment 4) In the liquid crystal display device of the present invention shown in Embodiment 4, the active matrix liquid crystal display panels are arranged vertically and horizontally, and the side surfaces are adjacent to each other in the shape of a cross with an adhesive. A large-screen liquid crystal display device is formed by pasting. The structure is basically the same as that of the liquid crystal display device according to the third embodiment except that the number of connected liquid crystal display panels is different.

【0061】図10は、上下左右に配置したTFT基板
の接続部付近を示す拡大平面図である。マトリクス状の
走査配線、信号配線と、アクティブ素子及び素電極の位
置関係が示されている。図から分かるように、上下左右
に配置されたTFT基板47、48、49、50におい
て、マトリクス状の走査配線41、信号配線42と、ア
クティブ素子43及び画素電極44の位置関係が異なっ
ている。即ち、接続領域N'を中心にして上下左右方向
に線対称に配置されている。具体的には、右上のTFT
基板45では、Y方向に延長されている信号配線42の
左側に、かつX方向に延長されている走査配線41の下
側に、該信号配線42、走査配線41と接続されるアク
ティブ素子43及び画素電極44が設けられている。ま
た、右下のTFT基板48では、Y方向に延長されてい
る信号配線42の左側に、かつX方向に延長されている
走査配線41の上側に、該信号配線42、走査配線41
と接続されるアクティブ素子43及び画素電極44が設
けられている。また、左下のTFT基板50では、Y方
向に延長されている信号配線42の右側に、かつX方向
に延長されている走査配線41の下側に、該信号配線4
2、走査配線41と接続されるアクティブ素子43及び
画素電極44が設けられている。また、左上のTFT基
板49では、Y方向に延長されている信号配線42の右
側に、かつX方向に延長されている走査配線41の上側
に、該信号配線42、走査配線41と接続されるアクテ
ィブ素子43及び画素電極44が設けられている。
FIG. 10 is an enlarged plan view showing the vicinity of the connecting portions of the TFT substrates arranged vertically and horizontally. The positional relationship between the matrix-shaped scanning wirings, signal wirings, active elements and elementary electrodes is shown. As can be seen from the drawing, in the TFT substrates 47, 48, 49, 50 arranged vertically and horizontally, the positional relationship between the scanning wiring 41 and the signal wiring 42 in the matrix, the active element 43 and the pixel electrode 44 is different. That is, they are arranged line-symmetrically in the vertical and horizontal directions centering on the connection region N ′. Specifically, the upper right TFT
On the substrate 45, on the left side of the signal wiring 42 extending in the Y direction and below the scanning wiring 41 extending in the X direction, the signal wiring 42, the active element 43 connected to the scanning wiring 41, and The pixel electrode 44 is provided. In the lower right TFT substrate 48, the signal wiring 42 and the scanning wiring 41 are arranged on the left side of the signal wiring 42 extending in the Y direction and on the upper side of the scanning wiring 41 extending in the X direction.
An active element 43 and a pixel electrode 44 which are connected to the active element 43 are provided. In the lower left TFT substrate 50, the signal wiring 4 is provided on the right side of the signal wiring 42 extending in the Y direction and below the scanning wiring 41 extending in the X direction.
2. The active element 43 and the pixel electrode 44 connected to the scanning wiring 41 are provided. In the upper left TFT substrate 49, the signal wiring 42 and the scanning wiring 41 are connected to the right side of the signal wiring 42 extending in the Y direction and to the upper side of the scanning wiring 41 extending in the X direction. An active element 43 and a pixel electrode 44 are provided.

【0062】従って、これら液晶表示パネルをTFT基
板47、48、49、50の接続辺に沿ってシール40
を設ける際、シール40を画素電極に近づけてもシール
40が信号配線42や、走査配線41と重なることがな
い。このため、シール40を硬化させるためにTFT基
板側から光を照射しても、信号配線42や走査配線41
によって光が遮られることがなく、シール40を完全に
硬化させることが可能になる。
Therefore, these liquid crystal display panels are provided with a seal 40 along the connecting sides of the TFT substrates 47, 48, 49 and 50.
When the seal is provided, the seal 40 does not overlap with the signal wiring 42 or the scanning wiring 41 even if the seal 40 is brought close to the pixel electrode. Therefore, even if light is irradiated from the TFT substrate side to cure the seal 40, the signal wiring 42 and the scanning wiring 41
This allows the seal 40 to be completely cured without the light being blocked.

【0063】[0063]

【発明の効果】(実施例1の効果)本発明の液晶表示装
置は、液晶表示装置を構成している左右のTFT基板の
接続辺近傍には、信号配線ではなく、画素電極が隣接し
ている配線設計になっている。従って、これらTFT基
板の接続辺をダイシング切断法によって切り出す際、接
続辺にチッピングが発生したとしても、信号配線やTF
T素子が破壊されることを防ぐことができる。また、仮
に画素配線に到達する程大きな該チッピングが発生した
としても、チッピングによって破損された画素のみが点
欠陥不良となるだけで済み、従来の様に信号断線による
線欠陥不良になる様なことはなく、最低限の表示不良に
抑えることが可能である。
(Effects of Embodiment 1) In the liquid crystal display device of the present invention, not the signal wiring but the pixel electrodes are adjacent to each other in the vicinity of the connection sides of the left and right TFT substrates constituting the liquid crystal display device. The wiring is designed. Therefore, when the connection sides of these TFT substrates are cut out by the dicing cutting method, even if chipping occurs on the connection sides, signal wiring and TF
It is possible to prevent the T element from being destroyed. Further, even if the chipping is large enough to reach the pixel wiring, only the pixel damaged by the chipping becomes a point defect defect, and a line defect defect due to a signal disconnection is generated as in the past. However, it is possible to suppress the display defect to the minimum.

【0064】(実施例2の効果)本発明の液晶表示装置
は、液晶表示装置を構成している上下左右のTFT基板
の接続辺近傍には、信号配線や走査配線ではなく、画素
電極が隣接している配線設計になっている。従って、こ
れらTFT基板の接続辺をダイシング切断法によって切
り出す際、接続辺にチッピングが発生したとしても、信
号配線や走査配線やTFT素子が破壊されることを防ぐ
ことができる。また、仮に画素電極に到達する程大きな
該チッピングが発生したとしても、チッピングによって
破損された画素のみが点欠陥不良となるだけで済み、従
来の様に信号断線による線欠陥不良になる様なことはな
く、最低限の表示不良に抑えることが可能である。
(Effect of Embodiment 2) In the liquid crystal display device of the present invention, not the signal wiring or the scanning wiring but the pixel electrodes are adjacent in the vicinity of the connection sides of the upper, lower, left and right TFT substrates constituting the liquid crystal display device. The wiring is designed. Therefore, when the connection sides of these TFT substrates are cut out by the dicing cutting method, even if chipping occurs on the connection sides, it is possible to prevent the signal wiring, the scanning wiring, and the TFT element from being destroyed. Even if the chipping is large enough to reach the pixel electrode, only the pixel damaged by the chipping becomes a point defect defect, and a line defect defect due to a signal disconnection is generated as in the conventional case. However, it is possible to suppress the display defect to the minimum.

【0065】(実施例3の効果)本発明の液晶表示装置
は、液晶表示装置を構成している左右のアクティブマト
リクス型液晶表示パネルのTFT基板の接続辺近傍に
は、信号配線ではなく、画素電極が隣接している配線設
計になっている。従って、シールを接続辺に隣接してい
る画素電極にできるだけ近づけて配置したとしても、T
FT基板側から照射される光が何ら遮られることなくシ
ールに届くため、シールを完全に硬化させることが可能
である。
(Effect of Embodiment 3) In the liquid crystal display device of the present invention, not the signal wiring but the pixel is provided in the vicinity of the connection side of the TFT substrate of the left and right active matrix type liquid crystal display panels constituting the liquid crystal display device. The wiring is designed so that the electrodes are adjacent to each other. Therefore, even if the seal is arranged as close as possible to the pixel electrode adjacent to the connection side, T
Since the light emitted from the FT substrate side reaches the seal without being blocked, it is possible to completely cure the seal.

【0066】(実施例4の効果)本発明の液晶表示装置
は、液晶表示装置を構成している上下左右のアクティブ
マトリクス型液晶表示パネルのTFT基板の接続辺近傍
には、信号配線や走査配線ではなく、画素電極が隣接し
ている配線設計になっている。従って、シール40を接
続辺に隣接している画素電極にできるだけ近づけて配置
したとしても、TFT基板側から照射される光が何ら遮
られることなくシール40に届くため、シール40を完
全に硬化させることが可能である。
(Effect of Embodiment 4) In the liquid crystal display device of the present invention, the signal wiring and the scanning wiring are provided near the connection sides of the TFT substrate of the upper, lower, left and right active matrix type liquid crystal display panels constituting the liquid crystal display device. Instead, the wiring design is such that the pixel electrodes are adjacent. Therefore, even if the seal 40 is arranged as close as possible to the pixel electrode adjacent to the connection side, the light emitted from the TFT substrate reaches the seal 40 without being blocked, so that the seal 40 is completely cured. It is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1にかかわる液晶表示装置の構
成を示し、(a)は平面図、(b)は断面図である。
FIG. 1 shows a configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, (a) is a plan view and (b) is a sectional view.

【図2】図1に示す液晶表示装置を構成している左右の
TFT基板の接続領域付近を示す拡大平面図である。
FIG. 2 is an enlarged plan view showing the vicinity of the connection region of the left and right TFT substrates that constitute the liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】図2の拡大平面図において、接続辺にチッピン
グを有するTFT基板を継ぎ合わせた際のTFT基板の
拡大平面図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view of the TFT substrate when the TFT substrates having chipping on the connection side are joined together in the enlarged plan view of FIG.

【図4】図1に示す液晶表示装置の1画素ユニットの画
素配置図である。
FIG. 4 is a pixel layout diagram of one pixel unit of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図5】図1に示す液晶表示装置のTFT基板とCF基
板の隙間にシールが設けられた構造の液晶表示装置を示
し、(a)は平面図、(b)は断面図である。
5A and 5B show a liquid crystal display device having a structure in which a seal is provided in a gap between a TFT substrate and a CF substrate of the liquid crystal display device shown in FIG. 1, FIG. 5A is a plan view, and FIG.

【図6】本発明の実施例2にかかわる液晶表示装置の上
下左右のTFT基板の接続領域付近を示す拡大平面図で
ある。
FIG. 6 is an enlarged plan view showing the vicinity of connection regions of the upper, lower, left and right TFT substrates of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例3にかかわる液晶表示装置の構
成を示し、(a)は平面図、(b)は断面図である。
FIG. 7 shows a configuration of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, (a) is a plan view and (b) is a sectional view.

【図8】図7に示す液晶表示装置を構成している左右の
TFT基板の接続領域付近を示す拡大平面図である。
8 is an enlarged plan view showing the vicinity of the connection region of the left and right TFT substrates that constitute the liquid crystal display device shown in FIG.

【図9】図7に示す液晶表示装置の1画素ユニットの画
素配置図である。
9 is a pixel layout diagram of one pixel unit of the liquid crystal display device shown in FIG. 7. FIG.

【図10】本発明の実施例4にかかわる液晶表示装置の
上下左右のTFT基板の接続領域付近を示す拡大平面図
である。
FIG. 10 is an enlarged plan view showing the vicinity of the connection regions of the upper, lower, left and right TFT substrates of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment of the present invention.

【図11】従来の液晶表示装置の構成を示し、(a)は
平面図、(b)は断面図である。
FIG. 11 shows a configuration of a conventional liquid crystal display device, (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view.

【図12】図11に示す液晶表示装置の左右のTFT基
板の接続領域近傍を示す拡大平面図である。
12 is an enlarged plan view showing the vicinity of the connection region of the left and right TFT substrates of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図13】TFT基板をダイシング装置を用いて切断し
た時の、切断面のエッジに生じる微細な欠け(チッピン
グ)を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing fine chipping (chipping) that occurs at the edge of the cut surface when the TFT substrate is cut using a dicing device.

【図14】接続辺にチッピングを有するTFT基板を継
ぎ合わせた際のTFT基板の拡大平面図である。
FIG. 14 is an enlarged plan view of the TFT substrate when the TFT substrates having chipping on the connection side are joined together.

【図15】従来の液晶表示装置の構成を示し、(a)は
平面図、(b)は断面図である。
FIG. 15 shows a configuration of a conventional liquid crystal display device, (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view.

【図16】図15に示す液晶表示装置の左右のTFT基
板の接続領域近傍を示す拡大平面図である。
16 is an enlarged plan view showing the vicinity of the connection region of the left and right TFT substrates of the liquid crystal display device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2 アクティブマトリクス基板(TFT基板) 3 対向基板 4 液晶層 5 走査配線(ゲートバスライン) 6 信号配線(ソースバスライン) 7 アクティブ素子(TFT素子) 8 画素電極 9 カラーフィルター 10 ブラックマトリクス(BM) 11 接着剤 B チッピング 12 シール 21、22、23、24 TFT基板 25 走査配線 26 信号配線 27 アクティブ素子 28 画素電極 31、32 アクティブマトリクス液晶表示パネル 33 補強基板 34 接着剤 35a、35b TFT基板 36a、36b 偏光板 37a、37b 対向基板 39 液晶層 40 シール 41 走査配線 42 信号配線 43 アクティブ素子 44 画素電極 45 カラーフィルター 46 ブラックマトリクス(BM) 47、48、49、50 TFT基板 1, 2 Active matrix substrate (TFT substrate) 3 Counter substrate 4 Liquid crystal layer 5 Scan wiring (gate bus line) 6 Signal wiring (source bus line) 7 Active element (TFT element) 8 pixel electrodes 9 color filters 10 Black Matrix (BM) 11 adhesive B chipping 12 seals 21, 22, 23, 24 TFT substrate 25 scanning wiring 26 signal wiring 27 Active element 28 pixel electrodes 31, 32 Active matrix liquid crystal display panel 33 Reinforcing board 34 Adhesive 35a, 35b TFT substrate 36a, 36b Polarizing plate 37a, 37b Counter substrate 39 Liquid crystal layer 40 seals 41 Scan wiring 42 signal wiring 43 Active element 44 pixel electrode 45 color filter 46 Black Matrix (BM) 47, 48, 49, 50 TFT substrate

フロントページの続き Fターム(参考) 2H089 HA33 HA40 JA10 LA41 NA44 TA01 TA02 TA09 TA12 2H091 FA02Y FD02 GA01 GA02 GA09 GA13 2H092 JB22 JB31 JB54 NA29 PA01 PA04 PA08 Continued front page    F term (reference) 2H089 HA33 HA40 JA10 LA41 NA44                       TA01 TA02 TA09 TA12                 2H091 FA02Y FD02 GA01 GA02                       GA09 GA13                 2H092 JB22 JB31 JB54 NA29 PA01                       PA04 PA08

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】信号配線と走査配線とが直交配列され、該
信号配線と走査配線との各交差点近傍にアクティブ素子
及び画素電極が形成されてなるアクティブマトリクス基
板を複数側面同士で接続して一方の大基板を構成し、該
一方の大基板とほぼ同じ大きさの電極付き対向基板との
間に液晶層を介して貼り合わせて構成される液晶表示装
置において、 前記対向基板上には、異なる3色からなるカラーフィル
ターが形成され、隣接する3色の画素及び非表示領域を
1ユニットとする画素ユニットが構成され、前記非表示
領域の幅が、前記アクティブマトリクス基板のそれぞれ
の接続領域側に形成される前記画素電極間の間隔とほぼ
等しいことを特徴とする液晶表示装置。
1. An active matrix substrate, in which signal wirings and scanning wirings are arranged orthogonally, and active elements and pixel electrodes are formed in the vicinity of respective intersections of the signal wirings and scanning wirings. Of the large substrate, and the one large substrate and a counter substrate with electrodes of substantially the same size are bonded to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A color filter composed of three colors is formed, and a pixel unit having adjacent three color pixels and a non-display area as one unit is configured, and the width of the non-display area is closer to each connection area side of the active matrix substrate. A liquid crystal display device, wherein the distance between the formed pixel electrodes is substantially equal.
【請求項2】前記一方の大基板を構成するアクティブマ
トリクス基板上の接続辺に沿って形成される前記信号配
線と画素電極のうち、該画素電極の方が前記接続領域側
に形成されている、あるいは前記走査線と画素電極のう
ち、該画素電極の方が前記接続領域側に形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
2. Of the signal wiring and the pixel electrode formed along the connection side on the active matrix substrate forming the one large substrate, the pixel electrode is formed on the connection region side. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein, of the scanning line and the pixel electrode, the pixel electrode is formed on the side of the connection region.
【請求項3】信号配線と走査配線とが直交配列され、該
信号配線と走査配線との各交差点近傍にアクティブ素子
及び画素電極が形成されてなるアクティブマトリクス基
板と、該アクティブマトリクス基板とほぼ同じ大きさの
電極付き対向基板との間に液晶層を介して貼り合せてな
る液晶表示パネルを、同一平面上で複数枚隣接させて側
面同士を接続して構成される液晶表示装置において、 前記対向基板上には、異なる3色からなるカラーフィル
ターが形成され、隣接する3色の画素及び非表示領域を
1ユニットとする画素ユニットが構成され、前記非表示
領域の幅が、前記液晶表示パネルのそれぞれの接続領域
側に形成される前記画素電極間の間隔とほぼ等しいこと
を特徴とする液晶表示装置。
3. An active matrix substrate in which signal wirings and scanning wirings are arranged orthogonally and active elements and pixel electrodes are formed in the vicinity of respective intersections of the signal wirings and scanning wirings, and substantially the same as the active matrix substrate. A liquid crystal display device comprising a plurality of liquid crystal display panels that are bonded together with an electrode-equipped counter substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, and are formed by adjoining side surfaces of a plurality of liquid crystal display panels. Color filters of three different colors are formed on the substrate, pixels of adjacent three colors and a pixel unit having a non-display area as one unit are configured, and the width of the non-display area is equal to that of the liquid crystal display panel. A liquid crystal display device, wherein the distance between the pixel electrodes formed on each connection region side is substantially equal.
【請求項4】前記液晶表示パネルを構成するアクティブ
マトリクス基板上の接続辺に沿って形成される前記信号
配線と画素電極のうち、該画素電極の方が前記接続領域
側に形成されている、あるいは前記走査線と画素電極の
うち、該画素電極の方が前記接続領域側に形成されてい
ることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
4. Of the signal wiring and the pixel electrode formed along the connection side on the active matrix substrate forming the liquid crystal display panel, the pixel electrode is formed on the connection region side. 4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein, of the scanning line and the pixel electrode, the pixel electrode is formed on the connection region side.
【請求項5】前記アクティブマトリクス基板と対向基板
との間において前記液晶層を封止するシール剤が、前記
液晶表示パネルの接続辺に沿って前記アクティブマトリ
クス基板上に設けられ、さらに前記接続辺に沿って設け
られたシール剤は、前記信号配線及び操作配線と重なら
ないように設けられていることを特徴とする請求項3に
記載の液晶表示装置。
5. A sealant for sealing the liquid crystal layer between the active matrix substrate and a counter substrate is provided on the active matrix substrate along a connection side of the liquid crystal display panel, and the connection side is further provided. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the sealant provided along the line is provided so as not to overlap the signal line and the operation line.
JP2003031485A 2003-02-07 2003-02-07 Liquid crystal display device Pending JP2003207802A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003031485A JP2003207802A (en) 2003-02-07 2003-02-07 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003031485A JP2003207802A (en) 2003-02-07 2003-02-07 Liquid crystal display device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9069443A Division JPH10268332A (en) 1997-03-24 1997-03-24 Liquid crystal display device and its manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003207802A true JP2003207802A (en) 2003-07-25

Family

ID=27656198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003031485A Pending JP2003207802A (en) 2003-02-07 2003-02-07 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003207802A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005055587A (en) * 2003-08-01 2005-03-03 Sony Corp Semiconductor substrate, liquid crystal display device, and projector
WO2018068542A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-19 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate and display device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005055587A (en) * 2003-08-01 2005-03-03 Sony Corp Semiconductor substrate, liquid crystal display device, and projector
JP4590839B2 (en) * 2003-08-01 2010-12-01 ソニー株式会社 Semiconductor substrate, liquid crystal display device and projector
WO2018068542A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-19 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate and display device
US10546879B2 (en) 2016-10-14 2020-01-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10048543B2 (en) Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
KR100785147B1 (en) Method of manufacturing liquid crystal display device
JPH10268332A (en) Liquid crystal display device and its manufacture
KR100949506B1 (en) Liquid Crystal Display Device and Method for Manufacturing the Same
JP2005352419A (en) Method for manufacturing device substrate, device substrate, and mother substrate
JPH11149087A (en) Liquid crystal display device
KR20180126732A (en) Manufacturing method of multi-panel and display device
JP2010224491A (en) Liquid crystal display panel
JP2000338514A (en) Liquid crystal display device
US8715433B2 (en) Method for fabricating liquid crystal display panel
JP2003207802A (en) Liquid crystal display device
JP2009116309A (en) Liquid crystal display device
JP5292594B2 (en) LCD panel
JP2965976B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
EP2453297A2 (en) Method for creating a multi-display device
JP2001075511A (en) Substrate
KR20040011671A (en) Liquid Crystal Display Device
KR20050068294A (en) Seal pattern of lcd and the forming method thereof
JP3889487B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device
JP2000029042A (en) Manufacture of liquid crystal display device
KR20110038986A (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR102395577B1 (en) Display panel &amp; display device
JP2000066181A (en) Liquid crystal display device
JP2003098511A (en) Liquid crystal device and manufacturing method therefor
KR20020090523A (en) devices for cutting a panel for a liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040608

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041019