JP2003205265A - Film coating apparatus and method therefor - Google Patents

Film coating apparatus and method therefor

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JP2003205265A JP2002004969A JP2002004969A JP2003205265A JP 2003205265 A JP2003205265 A JP 2003205265A JP 2002004969 A JP2002004969 A JP 2002004969A JP 2002004969 A JP2002004969 A JP 2002004969A JP 2003205265 A JP2003205265 A JP 2003205265A
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liquid
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信和 石坂
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祐晃 森川
Shuji Ono
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid waste of coating liquid and to save the time necessary for coating film to form a liquid membrane of the coating liquid on a substrate by scan-coating. <P>SOLUTION: The coating apparatus is composed of a substrate holding part which moves the substrate in the direction of Y for keeping it practically horizontal, a supply nozzle which reciprocates in the direction of X while the coating liquid is discharged on the substrate, and a pair of liquid receiving parts which move freely back and forth in the direction of X for receiving the coating liquid from the supply nozzle at both ends of a moving area of the supply nozzle and for regulating an area to be coated. A master control part outputs a moving command of the substrate holding part and the liquid receiving part when the coating liquid deceleration of the supply nozzle is started as to a controller of the coating unit (Step S5) (Step S6), outputs a moving command for an opposite direction to a supply nozzle when these movements are completed (Step S8), and outputs commands other than the moving command for the supply nozzle, the substrate holding part and the liquid receiving part after the movement is started to the opposite direction of the supply nozzle. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板(液晶ディスプレイ用ガラス基板)、ま
たはフォトマスク用のレチクル基板などの各種基板に塗
布液の供給を行い、その基板の表面に塗布液の液膜を形
成する技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention supplies a coating solution to various substrates such as a semiconductor wafer, an LCD substrate (glass substrate for liquid crystal display), or a reticle substrate for a photomask, and coats the surface of the substrate. The present invention relates to a technique for forming a liquid film of liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスやLCDの製造プロセス
においては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により
被処理基板へのレジスト処理が行われている。この技術
は、例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)にレジス
ト液を塗布して当該表面に液膜を形成し、フォトマスク
を用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行う
ことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行
われる。この工程を行うにあたっては、従来から例えば
塗布ユニット、現像ユニット、及びこれらユニットの処
理に対する前後の処理を行うための加熱ユニット、冷却
ユニット、並びにこれら各ユニットの間で被処理基板の
受け渡しを行うためのメインアームを備えたパターン形
成装置が用いられている。
2. Description of the Related Art In the manufacturing process of semiconductor devices and LCDs, a resist process is performed on a substrate to be processed by a technique called photolithography. In this technique, for example, a resist liquid is applied to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) to form a liquid film on the surface, the resist film is exposed using a photomask, and then a development process is performed to obtain a desired pattern. Is carried out by a series of steps. In performing this step, conventionally, for example, a coating unit, a developing unit, a heating unit for performing a process before and after the process of these units, a cooling unit, and a substrate to be processed are transferred between these units. The pattern forming apparatus provided with the main arm is used.

【0003】パターン形成装置におけるレジスト液の塗
布ユニットとしては、例えば図12に示すようなレール
Rに沿って移動自在な基板保持部11により、被処理基
板であるウエハWを裏面側から吸着保持すると共に、こ
の保持されたウエハWの上方に、レジスト液の吐出口が
当該ウエハWと対向するようにノズル12を設け、この
ノズル12を図示しないガイド部材に沿ってX方向に往
復させると共に、ウエハWをY方向に間欠送りし、いわ
ゆる一筆書きの要領でウエハWの表面全体にレジスト液
を供給していくものが知られている。
As a resist liquid coating unit in the pattern forming apparatus, for example, a substrate holding portion 11 movable along a rail R as shown in FIG. 12 sucks and holds a wafer W to be processed from the back side. At the same time, a nozzle 12 is provided above the held wafer W so that the discharge port of the resist solution faces the wafer W, and the nozzle 12 is reciprocated in the X direction along a guide member (not shown). It is known that W is intermittently fed in the Y direction and the resist solution is supplied to the entire surface of the wafer W in a so-called one-stroke writing manner.

【0004】このような塗布装置では、例えばレジスト
液がウエハWの外縁にこぼれ落ちると、当該部位に付着
したレジスト液がパーティクルとなって飛散するおそれ
があることから、ウエハWにおけるデバイス形成が行わ
れる被塗布領域以外の部分にレジスト液が付着すること
を極力抑える必要があり、例えば図13及び図14に示
すような一対の液受け部13(13a,13b)が用い
られている。
In such a coating apparatus, for example, if the resist liquid spills on the outer edge of the wafer W, the resist liquid adhering to the relevant portion may be scattered as particles. It is necessary to prevent the resist liquid from adhering to a portion other than the coating area to be covered as much as possible, and for example, a pair of liquid receiving portions 13 (13a, 13b) as shown in FIGS. 13 and 14 is used.

【0005】液受け部13(13a,13b)は、図示
するようにノズル12の移動領域における両端部にX方
向に進退自在に設けられており、塗布処理時にはウエハ
Wの被塗布領域14の幅に応じて移動するように制御部
15から制御される構成とされている。制御部15に
は、例えば図14に示すように、ノズル12のY座標の
位置と液受け部13(13a,13b)の離間距離dと
を対応付けたデータが記憶されており、そのデータは例
えば(Y=−99mm,d=○○mm)、(Y=−9
8.5mm,d=△△mm)、(Y=−98mm,d=
□□mm)…といった具合に記述されている。ここでY
=−100mmは、ウエハWの先端が例えば液受け部1
3aの中央と液受け部13bの中央とを結ぶ線に位置し
ているときのノズル12の位置であり、ウエハWが図中
の矢印の方向に前進するにつれてY座標の値が例えば
0.5mmずつ少なくなる。このようにノズル12のY
座標位置に応じて液受け部13a,13bがX方向に中
心線aに対して対称的に変化し、これによりウエハW上
のデバイス形成領域にレジスト液が塗布される。
As shown in the drawing, the liquid receiving portions 13 (13a, 13b) are provided at both ends in the moving region of the nozzle 12 so as to be movable back and forth in the X direction, and the width of the coated region 14 of the wafer W during the coating process. The control unit 15 is configured to control the movement according to the above. For example, as shown in FIG. 14, the control unit 15 stores data in which the position of the Y coordinate of the nozzle 12 and the separation distance d of the liquid receiving unit 13 (13a, 13b) are associated with each other. For example, (Y = -99 mm, d = OOmm), (Y = -9
8.5 mm, d = ΔΔmm), (Y = −98 mm, d =
□□ mm) ... and so on. Where Y
= −100 mm, the tip of the wafer W is, for example, the liquid receiving portion 1.
It is the position of the nozzle 12 when it is located on the line connecting the center of 3a and the center of the liquid receiving portion 13b, and the value of the Y coordinate is, for example, 0.5 mm as the wafer W advances in the direction of the arrow in the figure. It will decrease little by little. In this way, Y of the nozzle 12
The liquid receiving portions 13a and 13b change symmetrically with respect to the center line a in the X direction according to the coordinate position, whereby the resist liquid is applied to the device formation region on the wafer W.

【0006】ところで、記述のパターン形成装置では、
塗布ユニット、現像ユニット、加熱ユニット、冷却ユニ
ットの各ユニットやメインアームは、各々コントローラ
を備えており、このコントローラにより夫々のユニット
での処理が制御されているが、さらにパターン形成装置
はメインコンピュータを備えていて、これによりシステ
ム全体の動作が管理されるようになっている。例えばノ
ズル12の移動を例にして説明すると、ノズル12の加
速や減速、停止は塗布ユニットのコントローラで制御す
るが、この移動のタイミングはメインコンピュータから
の指令により決定される。
By the way, in the described pattern forming apparatus,
The coating unit, the developing unit, the heating unit, the cooling unit, and the main arm each have a controller, and the controller controls the processing in each unit. It is provided, and the operation of the entire system is managed by this. Taking the movement of the nozzle 12 as an example, the acceleration, deceleration, and stop of the nozzle 12 are controlled by the controller of the coating unit, but the timing of this movement is determined by a command from the main computer.

【0007】具体的には各ユニット及びメインアームの
コントローラは、ある工程が開始されたときに開始のフ
ラグ、及び当該工程が終了したときに終了のフラグを立
て、メインコンピュータでは各ユニット及びメインアー
ムにどのようなフラグが立てらているかを、例えば1周
20m秒の速度で監視し、それに対応する指令を送るよ
うになっている。一例としては加熱ユニットにてウエハ
の加熱が終了した旨のフラグを見て、メインアームに対
して加熱ユニットに処理が終了したウエハを受け取りに
行く旨の指令を出すことが行われている。
Specifically, the controller of each unit and the main arm sets a start flag when a certain process is started and an end flag when the certain process is completed. It is designed to monitor what kind of flag is set at, for example, at a speed of 20 msec per revolution, and send a command corresponding thereto. As an example, a flag indicating that the heating of the wafer has been completed is seen in the heating unit, and a command is sent to the main arm to the heating unit to receive the processed wafer.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで前記塗布ユニ
ットでは、コントローラにより、ノズル12はウエハW
の外縁例えば液受け部13(13a,13b)の内端縁
付近で減速をし始め、所定位置で停止し、再び逆方向に
加速し始めるように移動が制御され、一方液受け部13
と基板保持部11は、ノズル12が減速を開始した時に
液受け部13がX方向に、ウエハW(基板保持部11)
がY方向に所定距離の移動を開始し、これらの移動が終
了してから、ノズル12の加速が開始されるように夫々
の移動が制御されている。
By the way, in the coating unit, the controller controls the nozzle 12 to be the wafer W.
The movement is controlled so that deceleration starts near the inner edge of the liquid receiving portion 13 (13a, 13b), stops at a predetermined position, and starts accelerating in the opposite direction again, while the liquid receiving portion 13
When the nozzle 12 starts decelerating, the liquid receiving section 13 moves the wafer W (the substrate holding section 11) in the X direction.
Starts to move a predetermined distance in the Y direction, and after these movements are finished, the respective movements are controlled so that the acceleration of the nozzle 12 is started.

【0009】この際の塗布ユニットのコントローラにお
けるノズル12、液受け部13、基板保持部の移動制御
について図15のフロ−図により説明すると、先ずノズ
ル12が減速したか否かを判断して、減速開始したとき
には移動開始の旨のフラグを立て(ステップ1)、これ
をメインコンピュータが見て、前記コントローラに液受
け部13と基板保持部11に所定の移動を開始する旨の
指令を出す(ステップ2)。次いでこれらの両方が所定
位置に移動したか否かを判断して、液受け部13と基板
保持部11の移動が完了したときには移動完了の旨のフ
ラグを立て(ステップ3)、これをメインコンピュータ
が見てノズル12に加速する旨の指令を出す(ステップ
4)ようになっている。この後次工程において××のフ
ラグが立っているか否かを判断(ステップ5)、フラグ
が立っていればその対応処理を行う(ステップ6)。
The movement control of the nozzle 12, the liquid receiving portion 13, and the substrate holding portion in the controller of the coating unit at this time will be described with reference to the flowchart of FIG. 15. First, it is judged whether or not the nozzle 12 is decelerated, When the deceleration is started, a flag indicating that the movement is started is set (step 1), and the main computer sees this and issues a command to the controller to the liquid receiving portion 13 and the substrate holding portion 11 to start a predetermined movement ( Step 2). Next, it is judged whether or not both of them have moved to a predetermined position, and when the movement of the liquid receiving portion 13 and the substrate holding portion 11 is completed, a flag indicating the completion of movement is set (step 3), and this is set to the main computer. Is issued, the nozzle 12 is commanded to accelerate (step 4). After this, in the next step, it is judged whether or not the XX flag is set (step 5), and if the flag is set, the corresponding process is performed (step 6).

【0010】しかしながらこのような制御方法では、メ
インコンピュータは1周20m秒の速度でステップ1や
ステップ3、ステップ5のフラグが立っているか否かを
監視しているので、液受け部13と基板保持部11の移
動が完了した旨のフラグ(ステップ3)が立つ前にステ
ップ3が判断される場合があり、この場合にはステップ
3においてNOと判断して次のステップ5に進んでしま
い、次のフラグを見に行き1周してしまう。このため、
実際に液受け部13と基板保持部11の移動が完了して
からも移動完了の旨のフラグをメインコンピュータが次
に見にくるまでノズル12に関しては加速の旨の指令が
出ないことになり、ノズル12の停止時間が長くなって
しまう。
However, in such a control method, since the main computer monitors whether or not the flags of step 1, step 3 and step 5 are set at a speed of 20 msec per revolution, the liquid receiving part 13 and the substrate are Step 3 may be determined before the flag (step 3) indicating that the movement of the holding unit 11 is completed is set. In this case, NO is determined in step 3 and the process proceeds to the next step 5. I went to see the next flag and went around once. For this reason,
Even after the movement of the liquid receiving portion 13 and the substrate holding portion 11 is actually completed, the instruction to accelerate the nozzle 12 is not issued until the main computer next sees the flag indicating the movement completion. The stop time of the nozzle 12 becomes long.

【0011】このようにノズル12の移動がスムーズに
行われずに、ノズル12の停止時間が長い場合には、ノ
ズル12からは薬液が吐出し続けているので、ウエハW
の塗布に用いられない薬液の吐出量が多くなって薬液の
無駄が生じるし、またノズル12の停止時間分、塗布処
理全体の時間が長くなってしまう。
When the nozzle 12 is not smoothly moved in this way and the nozzle 12 is stopped for a long time, the chemical liquid is continuously discharged from the nozzle 12, so the wafer W
The discharge amount of the chemical liquid not used for the coating is increased and the chemical liquid is wasted, and the time for the entire coating process is lengthened by the stop time of the nozzle 12.

【0012】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、基板に対して塗布液を線状
にスキャン塗布して当該基板の表面に塗布液の液膜を形
成するにあたり、塗布液の無駄を省き、塗布膜形成処理
に要する時間を短縮することができる技術を提供するこ
とにある。
The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to linearly scan-coat a substrate with a coating liquid to form a liquid film of the coating liquid on the surface of the substrate. In view of the above, it is an object of the present invention to provide a technique capable of eliminating waste of the coating liquid and shortening the time required for the coating film forming process.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明に係る塗布膜形成
装置は、複数の基板を収納した基板カセットが載置され
るカセットステーションと、基板に供給ノズルから塗布
液を供給し、当該基板に液膜を形成するための塗布ユニ
ットと、この塗布ユニットにて行われる塗布処理の前処
理または後処理を行なうための複数の処理ユニットと、
前記基板を塗布ユニット及び処理ユニットの間で搬送す
るための搬送手段と、前記塗布ユニットと処理ユニット
と搬送手段の各々に設けられ、夫々の処理を制御するた
めのコントローラと、前記塗布ユニットと処理ユニット
と搬送手段の各々のコントローラに対して指令を出力
し、この指令に基づいて夫々のコントローラの動作を管
理する主制御部と、を備えた塗布膜形成装置において、
前記塗布ユニットは、基板を略水平に保持するためのY
方向に移動する基板保持部と、前記基板保持部に保持さ
れた基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出し
ながらX方向に往復移動し、当該供給ノズルの移動領域
の両端部近傍領域において減速を開始する供給ノズル
と、前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供
給ノズルからの塗布液を受けとめて被塗布領域を規制す
ることができるように、互いにX方向に進退自在に設け
られる一対の液受け部とを備え、供給ノズルをX方向に
移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、基板
を供給ノズル及び液受け部に対してY方向に間欠移動さ
せて、前記直線状の塗布領域がY方向に並べられるよう
に塗布液を塗布するように構成され、主制御部では、塗
布ユニットのコントローラに対して供給ノズルが減速を
始めた時に基板保持部と液受け部との移動指令を出力
し、これらの移動が完了した時に供給ノズルに逆方向へ
の移動指令を出力し、この供給ノズルの逆方向への移動
が開始されてから、供給ノズルと基板保持部と液受け部
の移動指令以外の指令を塗布ユニット、処理ユニット、
搬送手段のいずれかのコントローラに出力することを特
徴とする。
A coating film forming apparatus according to the present invention includes a cassette station in which a substrate cassette accommodating a plurality of substrates is placed, and a coating liquid is supplied to the substrates from a supply nozzle to supply the substrates to the substrates. A coating unit for forming a liquid film, and a plurality of processing units for performing pretreatment or posttreatment of the coating treatment performed in this coating unit,
A transport unit for transporting the substrate between the coating unit and the processing unit, a controller provided in each of the coating unit, the processing unit, and the transport unit, for controlling respective processing, the coating unit and the processing unit. A coating film forming apparatus including: a main control unit that outputs a command to each controller of the unit and the transporting unit and manages the operation of each controller based on the command;
The coating unit is a Y unit for holding the substrate substantially horizontally.
And a substrate holding unit that moves in the direction, and is provided opposite to the substrate held by the substrate holding unit and reciprocates in the X direction while discharging the coating liquid onto the substrate, and both ends of the moving region of the supply nozzle. The supply nozzle that starts deceleration in the vicinity area and the both ends of the moving area of the supply nozzle can advance and retreat in the X direction so that the application area can be regulated by receiving the coating liquid from the supply nozzle. A pair of liquid receiving parts provided, and the supply nozzle is moved in the X direction to linearly apply the coating liquid on the substrate, and then the substrate is intermittently moved in the Y direction with respect to the supply nozzle and the liquid receiving part. The coating liquid is applied so that the linear coating regions are arranged in the Y direction, and the main controller holds the substrate when the supply nozzle starts decelerating with respect to the controller of the coating unit. And a liquid receiving part, and when these movements are completed, a movement command in the reverse direction is output to the supply nozzle, and after the movement of this supply nozzle in the reverse direction is started, Commands other than movement commands for the substrate holder and liquid receiver are applied to the coating unit, the processing unit,
It is characterized in that it is output to any controller of the conveying means.

【0014】このような塗布膜形成装置では、主制御部
により供給ノズルと基板保持部と液受け部の移動に関す
る指令以外の指令を出力する第1の工程と、主制御部に
より供給ノズルと基板保持部と液受け部の移動に関する
指令以外の指令を出力する第2の工程と、前記第1の工
程と第2の工程との間に行われる割り込み工程と、を含
み、前記割り込み工程は、前記供給ノズルの移動領域の
両端部近傍において前記供給ノズルの速度を減速させ、
前記供給ノズルが減速を始めたときに開始され、前記供
給ノズルが減速を始めたときに前記基板保持部と液受け
部との移動を開始する工程と、前記前記基板保持部と液
受け部の移動が完了したときに、供給ノズルの逆方向へ
の移動を開始する工程と、よりなり前記供給ノズルの逆
方向への移動を始めたときに前記割り込み工程が終了し
て、前記第2の工程へ進むことを特徴とする塗布膜形成
方法が実施される。
In such a coating film forming apparatus, the first control step outputs a command other than the command relating to the movement of the supply nozzle, the substrate holding section and the liquid receiving section, and the main control section controls the supply nozzle and the substrate. A second step of outputting a command other than a command relating to the movement of the holding part and the liquid receiving part, and an interrupt process performed between the first process and the second process, the interrupt process comprising: Decelerating the speed of the supply nozzle near both ends of the moving area of the supply nozzle,
Starting when the supply nozzle starts decelerating, starting movement of the substrate holding part and liquid receiving part when the supply nozzle starts decelerating, and the substrate holding part and liquid receiving part The step of starting the movement of the supply nozzle in the opposite direction when the movement is completed; and the step of ending the interruption step when starting the movement of the supply nozzle in the opposite direction, and the second step. The coating film forming method is carried out, which is characterized in that

【0015】本発明の塗布膜形成装置及びその方法で
は、塗布ユニットの供給ノズルが減速すると、基板保持
部と液受け部とに移動指令が出力されて割り込み工程が
実施され、基板保持部と液受け部との移動が完了して供
給ノズルが逆方向に移動し始めることにより当該割り込
み工程が終了する。これにより供給ノズルと基板保持部
と液受け部の移動が優先的に行われるので、供給ノズル
の停止時間が短縮され、塗布液の無駄が抑えられると共
に、塗布膜形成処理に要する時間を短縮することができ
る。
In the coating film forming apparatus and method according to the present invention, when the supply nozzle of the coating unit is decelerated, a movement command is output to the substrate holding section and the liquid receiving section, and the interruption process is executed, and the substrate holding section and the liquid receiving section are executed. When the supply nozzle starts moving in the opposite direction after the movement with the receiving portion is completed, the interruption process ends. As a result, the supply nozzle, the substrate holding unit, and the liquid receiving unit are preferentially moved, so that the stop time of the supply nozzle is shortened, the waste of the coating liquid is suppressed, and the time required for the coating film forming process is shortened. be able to.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下に先ず本発明に係る塗布膜形
成装置について、基板に対してレジスト膜を形成する場
合を例に取り、その実施の形態を説明する。図1及び図
2は本実施の形態の全体構成を示すものであり、図中2
1はカセットステーションであって、例えば25枚のウ
エハWを収納したカセットCを載置するカセット載置部
22と、載置されたカセットCとの間でウエハWの受け
渡しを行うための受け渡しアーム23とが設けられてい
て、この受け渡しアーム23の奥側には筐体24にて周
囲を囲まれる処理部S1が接続されている。処理部S1
の中央には搬送手段をなす主搬送手段25が設けられて
おり、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には、
ウエハに塗布液である例えばレジスト液を塗布してレジ
スト膜を形成するための塗布ユニット3Aや、露光後の
ウエハに現像液を液盛りして現像処理を行うための現像
ユニット3Bが、夫々複数個この例では上下に2個ずつ
設けられている。また主搬送手段25の左側、手前側、
奥側には塗布ユニット3Aや現像ユニット3Bにて行わ
れる塗布処理や現像処理の前処理又は後処理を行うため
の処理ユニット等を多段に積み重ねて構成される棚ユニ
ットU1,U2,U3が夫々配置されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The embodiments of the coating film forming apparatus according to the present invention will be described below, taking the case of forming a resist film on a substrate as an example. 1 and 2 show the overall configuration of the present embodiment.
Reference numeral 1 denotes a cassette station, for example, a cassette mounting portion 22 for mounting a cassette C containing 25 wafers W and a transfer arm for transferring the wafer W between the mounted cassettes C. 23 is provided, and a processing unit S1 surrounded by a casing 24 is connected to the back side of the transfer arm 23. Processing unit S1
A main transport means 25, which is a transport means, is provided at the center of the
A plurality of coating units 3A for coating a wafer with a coating liquid, for example, a resist liquid to form a resist film, and a plurality of developing units 3B for pouring a developing liquid on the exposed wafer to perform development processing are provided. In this example, two pieces are provided above and below. In addition, on the left side, front side, and
Shelving units U1, U2, U3 each of which is configured by stacking processing units for performing pre-processing or post-processing of the coating process and the developing process performed in the coating unit 3A and the developing unit 3B are stacked in multiple stages on the back side. It is arranged.

【0017】棚ユニットU1,U2,U3を構成する処
理ユニットには、例えば図3に棚ユニットU2,U3を
代表して示すように塗布ユニット3Aにて表面に塗布液
が塗られたウエハWを減圧雰囲気下で乾燥し、該塗布液
中に含まれる溶剤を揮発する減圧乾燥ユニット201、
ウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット202、ウ
エハWを冷却する冷却ユニット203、疎水化処理ユニ
ット204等が含まれる。なお棚ユニットU2,U3に
ついては、ウエハWを受け渡すための受け渡し台を備え
た受け渡しユニット205も組み込まれる。また、上述
した主搬送手段25は例えば昇降及び前後に移動自在で
且つ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニ
ット3A、現像ユニット3B及び棚ユニットU1,U
2,U3を構成する各ユニット間でウエハWの受け渡し
を行うことが可能となっている。但し図2では便宜上受
け渡しアーム23及び主搬送手段25は描いていない。
As the processing units constituting the shelf units U1, U2, U3, for example, as shown in FIG. 3 as a representative of the shelf units U2, U3, a wafer W whose surface is coated with a coating liquid by a coating unit 3A is used. A reduced pressure drying unit 201 which dries under a reduced pressure atmosphere and volatilizes the solvent contained in the coating liquid;
A heating unit 202 for heating (baking) the wafer W, a cooling unit 203 for cooling the wafer W, a hydrophobic processing unit 204, and the like are included. A transfer unit 205 including a transfer table for transferring the wafer W is also incorporated in the shelf units U2 and U3. In addition, the above-mentioned main transport means 25 is configured to be movable up and down, moved back and forth, and rotatable around a vertical axis, and has a coating unit 3A, a developing unit 3B, and shelf units U1, U.
It is possible to transfer the wafer W between the units forming the U2 and U3. However, in FIG. 2, the transfer arm 23 and the main transfer means 25 are not shown for convenience.

【0018】このような処理部S1の奥側にはインタ−
フェイス部S2を介して露光装置S3が接続されてい
る。インタ−フェイス部S2は例えば昇降自在、左右、
前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成され
た搬送ア−ム26により処理部S1と露光装置S3の間
でウエハWの受け渡しを行うものである。
An interface is provided on the back side of the processing section S1.
The exposure device S3 is connected via the face portion S2. The interface part S2 can be moved up and down, left and right,
The wafer W is transferred between the processing section S1 and the exposure apparatus S3 by a transfer arm 26 configured to be movable back and forth and rotatable about a vertical axis.

【0019】このような塗布膜形成装置におけるウエハ
Wの流れについて簡単に説明する。先ずカセットCがカ
セットステーション21に搬入されると、受け渡しアー
ム23によりウエハWが取り出される。そしてウエハW
は受け渡しアーム23から棚ユニットU2中の受け渡し
ユニット205を介して主搬送手段25へと受け渡さ
れ、疎水化ユニット204にて疎水化処理が行われた
後、塗布ユニット3A内に搬入され、ここで塗布液であ
るレジスト液が塗布される。次いで塗布液が塗布された
ウエハWは主搬送手段25にて減圧乾燥ユニット201
へ搬送され、ここで所定の手法でウエハ表面の塗布液に
含まれる溶剤が蒸発されて乾燥され、処理後のウエハW
は減圧乾燥ユニット201への搬入時と逆順の工程を経
て、主搬送手段25により搬出され、次工程である冷却
ユニット203に搬送される。この後インタ−フェイス
部S2、搬送アーム26を介して露光装置S3に送ら
れ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行
われる。露光処理後のウエハは、逆の経路で処理部S1
に搬送され、冷却ユニット203を介して現像ユニット
3Bに送られて現像処理され、レジストマスクが形成さ
れる。しかる後ウエハWは逆の経路で元のカセットC内
に戻される。
The flow of the wafer W in such a coating film forming apparatus will be briefly described. First, when the cassette C is loaded into the cassette station 21, the transfer arm 23 takes out the wafer W. And wafer W
Is transferred from the transfer arm 23 to the main transfer means 25 via the transfer unit 205 in the shelf unit U2, and after being subjected to the hydrophobic treatment by the hydrophobicizing unit 204, it is carried into the coating unit 3A. Then, a resist solution which is a coating solution is applied. Then, the wafer W coated with the coating liquid is depressurized and dried by the main transfer means 25.
Wafer W after being processed, the solvent contained in the coating liquid on the wafer surface is evaporated and dried by a predetermined method.
Is carried out by the main carrying means 25 through the steps in the reverse order of the time of carrying in the reduced pressure drying unit 201, and carried to the cooling unit 203 which is the next step. After that, it is sent to the exposure device S3 through the interface portion S2 and the transfer arm 26, and exposure is performed there through a mask corresponding to the pattern. After the exposure processing, the wafer is processed in the reverse path through the processing unit S1.
Is transferred to the developing unit 3B via the cooling unit 203 and is subjected to development processing to form a resist mask. Thereafter, the wafer W is returned to the original cassette C by the reverse path.

【0020】ここで図4及び図5を参照して塗布ユニッ
ト3Aの説明を行う。図中30は筐体であり、その内部
空間は中央にスリット31が形成された仕切り板32に
て上下に区画されており、また図示しない気流形成手段
により例えば清浄な空気のダウンフロ−が形成されてい
る。スリット31における長さ方向の幅は例えばウエハ
Wの被塗布領域の最大幅とほぼ同じとされている。
The coating unit 3A will be described with reference to FIGS. 4 and 5. Reference numeral 30 in the drawing denotes a housing, the inner space of which is vertically divided by a partition plate 32 having a slit 31 formed in the center thereof, and clean air downflow is formed by an airflow forming means (not shown). ing. The width of the slit 31 in the lengthwise direction is, for example, substantially the same as the maximum width of the coated region of the wafer W.

【0021】先ず仕切り板32の下方側の下部側空間3
0aから説明すると、33は基板保持部であり、ウエハ
Wを裏面側にて吸着して略水平に保持する吸着部34
と、吸着部34を昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在と
するための駆動基体35とで構成され、駆動基体35は
その下端を移動体36によって支持されている。
First, the lower space 3 below the partition plate 32
To explain from 0a, 33 is a substrate holding portion, which is a suction portion 34 that sucks the wafer W on the back surface side and holds it substantially horizontally.
And a drive base 35 for making the suction part 34 movable up and down and rotatable about a vertical axis. The drive base 35 is supported at its lower end by a moving body 36.

【0022】前記筐体30の底面には例えば2本のY方
向に伸びるレール37aが配設されており、また移動体
36の上面には駆動基体35をX方向にガイドするレー
ル37bが設けられていて、駆動機構38の働きによ
り、基板保持部33に保持されるウエハWが下部側空間
30a内におけるXY方向の任意の位置へと移動可能に
構成されている。ここで移動体36をY方向にガイドす
る駆動機構38は、例えば移動体36の底面近傍に前記
レール37aと略平行して設けられたボールネジ部39
とモータM1とにより構成され、モータM1がボールネ
ジ部39を回転させることで移動体36はレール37a
にガイドされてY方向へ移動するようになっている。
For example, two rails 37a extending in the Y direction are provided on the bottom surface of the housing 30, and a rail 37b for guiding the drive base 35 in the X direction is provided on the upper surface of the moving body 36. The wafer W held by the substrate holder 33 can be moved to an arbitrary position in the XY direction in the lower space 30a by the operation of the drive mechanism 38. Here, the drive mechanism 38 for guiding the moving body 36 in the Y direction is, for example, a ball screw portion 39 provided near the bottom surface of the moving body 36 and substantially parallel to the rail 37a.
And the motor M1. The motor M1 rotates the ball screw portion 39 to move the moving body 36 to the rail 37a.
It is designed to be moved in the Y direction by being guided by.

【0023】仕切り板32の上方側の上部側空間30b
には、既述のスリット31の一部を覆い、上方から落下
してくるレジスト液を受け止め、ウエハの外縁近傍領域
へのレジスト液の供給を防ぐための一対の液受け部41
(41a,41b)が設けられている。この液受け部4
1(41a,41b)は上方から落下してくるレジスト
液を受け止め、これを回収することができるように例え
ばトレー状に形成されており、更に図示は省略するが表
面に付着したレジスト液を洗い流すための洗浄機構、或
いは受けたレジスト液を装置外部に排出するためのドレ
インラインなどが設けられている。また液受け部41
は、その内端部がウエハの被塗布領域の外縁(ウエハの
外端縁から僅かに内側)近傍に位置するように、ウエハ
の中心を通る中心線に対して対称的な位置に配置される
ものであり、夫々進退駆動部42(42a,42b)を
介してX方向に前記中心線に対して対称的に進退自在に
構成されている。
An upper space 30b above the partition plate 32
The pair of liquid receiving portions 41 for covering a part of the slit 31 described above, receiving the resist liquid falling from above, and preventing the supply of the resist liquid to the region near the outer edge of the wafer.
(41a, 41b) are provided. This liquid receiving part 4
1 (41a, 41b) is formed, for example, in the shape of a tray so that it can receive the resist solution falling from above and collect it. Further, although not shown, the resist solution adhering to the surface is washed away. There is provided a cleaning mechanism for draining, or a drain line for discharging the received resist liquid to the outside of the apparatus. Also, the liquid receiver 41
Are arranged symmetrically with respect to the center line passing through the center of the wafer so that the inner end of the wafer is located near the outer edge (slightly inner side of the outer edge of the wafer) of the coated area of the wafer. Each of them is configured to be movable forward and backward symmetrically with respect to the center line in the X direction via the forward and backward drive parts 42 (42a, 42b).

【0024】また前記液受け部41(41a,41b)
の移動領域上方には、ガイド部材51に沿って移動体5
2を介してX方向にガイドされる供給ノズル5が設けら
れている。前記供給ノズル5はノズル駆動部53により
前記移動体52を介してX方向に移動できるようになっ
ており、例えばノズル駆動部53はモータM2により駆
動されるボールネジ部54により構成されている。
Further, the liquid receiving portion 41 (41a, 41b)
Above the moving area of the moving body 5 along the guide member 51.
A supply nozzle 5 is provided which is guided in the X-direction via 2. The supply nozzle 5 can be moved in the X direction by the nozzle driving unit 53 via the moving body 52. For example, the nozzle driving unit 53 is composed of a ball screw portion 54 driven by a motor M2.

【0025】このような塗布ユニット3Aでは、主搬送
手段25により筐体30内に搬入されたウエハWは、基
板保持部33にて裏面側を吸着され概ね水平に保持され
る。そして供給ノズル5をウエハWの上方に位置決めす
ると共に、液受け部41(41a,41b)を夫々ウエ
ハWの外端縁よりも少し内側の所定位置に配置した後、
このノズル5から塗布液を吐出させながらX方向に移動
させる一方、ウエハWを移動体36によりY方向に間欠
送りさせ、こうして一筆書きの要領で塗布液が塗布され
る。
In the coating unit 3A as described above, the wafer W carried into the housing 30 by the main carrier means 25 is held by the substrate holding portion 33 so that the back surface side thereof is sucked and is substantially horizontal. Then, the supply nozzle 5 is positioned above the wafer W, and the liquid receiving portions 41 (41a, 41b) are respectively arranged at predetermined positions slightly inside the outer edge of the wafer W.
While the coating liquid is being ejected from the nozzle 5 while being moved in the X direction, the wafer W is intermittently fed in the Y direction by the moving body 36, and thus the coating liquid is applied in a single stroke.

【0026】ここで前記基板保持部33の駆動機構38
や、液受け部41の進退駆動部42、供給ノズル5のノ
ズル駆動部53の作動は、塗布ユニット3Aのコントロ
ーラ6により制御されているが、続いて駆動機構38、
進退駆動部42、ノズル駆動部53の作動に関するコン
トローラ6の機能について説明する。
Here, a drive mechanism 38 for the substrate holding portion 33.
The operation of the advancing / retreating drive section 42 of the liquid receiving section 41 and the nozzle drive section 53 of the supply nozzle 5 are controlled by the controller 6 of the coating unit 3A.
Functions of the controller 6 relating to the operation of the advancing / retreating drive unit 42 and the nozzle drive unit 53 will be described.

【0027】つまりコントローラ6は、図6に示すよう
に駆動機構38のモータM1のコントローラである第1
のコントローラ61と、進退駆動部42a,42bのコ
ントローラである第2のコントローラ62と、ノズル駆
動部53のモータM2のコントローラである第3のコン
トローラ63と、を備えており、前記第1のコントロー
ラ61は、基板保持部33の動作データ61aとフラグ
記憶部61b、第2のコントローラ62は液受け部41
の動作データ62aとフラグ記憶部62b、第3のコン
トローラ63は、供給ノズル5の動作データ63aとフ
ラグ記憶部63bと、を夫々備えている。
That is, the controller 6 is a controller for the motor M1 of the drive mechanism 38 as shown in FIG.
Controller 61, a second controller 62 that is a controller of the advancing / retreating drive units 42a and 42b, and a third controller 63 that is a controller of the motor M2 of the nozzle drive unit 53, and the first controller Reference numeral 61 is operation data 61a of the substrate holding unit 33 and a flag storage unit 61b, and the second controller 62 is the liquid receiving unit 41.
The operation data 62a, the flag storage unit 62b, and the third controller 63 each include the operation data 63a of the supply nozzle 5 and the flag storage unit 63b.

【0028】ところでコントローラ6にはウエハの位置
データが管理されている。この位置データは、従来の技
術の項で説明したように、(Y=−99.5mm,d=
○○mm)…というものである。この位置データに基づ
いて、例えばピッチ:Amm、ノズルスピード:Bm/
s、液受け部41a,41b間の距離:Cmmで求めら
れる供給ノズル5のスキャン軌道が予め計算されてい
る。ここでY=−100mmは、ウエハWの先端が例え
ば液受け部41aの中央と液受け部41bの中央とを結
ぶ線に位置しているときの供給ノズル5の位置、ピッチ
は基板保持部33のY方向の移動距離であって例えば2
mmに設定される。前記供給ノズル5のスキャン軌道に
基づいて基板保持部33の動作データ61a、液受け部
41の動作データ62a、供給ノズル5の動作データ6
3aが夫々求められ、こうして得られたデータは夫々の
コントローラ61〜63に格納される。
By the way, the controller 6 manages wafer position data. The position data is (Y = -99.5 mm, d =
XX mm) ... Based on this position data, for example, pitch: Amm, nozzle speed: Bm /
s, the distance between the liquid receiving portions 41a and 41b: The scan trajectory of the supply nozzle 5 obtained by Cmm is calculated in advance. Here, Y = −100 mm is the position and pitch of the supply nozzle 5 when the tip of the wafer W is located on, for example, the line connecting the center of the liquid receiving portion 41 a and the center of the liquid receiving portion 41 b. Is the moving distance in the Y direction, for example, 2
set to mm. Based on the scan trajectory of the supply nozzle 5, operation data 61a of the substrate holding unit 33, operation data 62a of the liquid receiving unit 41, operation data 6 of the supply nozzle 5
3a are respectively obtained, and the data thus obtained are stored in the respective controllers 61 to 63.

【0029】また前記フラグ記憶部61bは、基板保持
部33がY方向に移動を開始したときの移動開始のフラ
グ及び所定位置への移動を終了したときの移動終了のフ
ラグを予め記憶していて、所定のタイミングで対応する
フラグを立てる機能を有しており、フラグ記憶部62b
は液受け部41a,41bがX方向に移動を開始したと
きの移動開始のフラグ及び所定位置への移動を終了した
ときの移動終了のフラグを予め記憶していて、所定のタ
イミングで対応するフラグを立てる機能を有しており、
フラグ記憶部62cは、供給ノズル5が減速を開始した
ときの減速開始のフラグを予め記憶していて、減速を開
始したときに当該フラグを立てる機能を有している。
The flag storage section 61b stores in advance a movement start flag when the substrate holding section 33 starts moving in the Y direction and a movement end flag when ending movement to a predetermined position. , And has a function of setting a corresponding flag at a predetermined timing.
Stores in advance a movement start flag when the liquid receiving portions 41a and 41b start moving in the X direction and a movement end flag when ending movement to a predetermined position, and a corresponding flag at a predetermined timing. Has the function of standing up,
The flag storage unit 62c previously stores a deceleration start flag when the supply nozzle 5 starts deceleration, and has a function of setting the flag when deceleration starts.

【0030】一方前記基板処理装置は、CPU、メモ
リ、プログラム71等からなるコンピュータよりなる主
制御部7を備えており、この主制御部7により当該装置
全体が管理されるようになっている。主制御部7は、例
えば図7に示すように、減圧乾燥ユニット201、加熱
ユニット202、冷却ユニット203、疎水化ユニット
204、受け渡しユニット205、主搬送手段25、塗
布ユニット3A、現像ユニット3B、露光装置S3、の
管理を行う各々のコントローラ211,212,21
3,214,215,205,6,30B,200に接
続され、塗布ユニット3Aにおいては、既述の3つのコ
ントローラ61,62,63にも接続されている。
On the other hand, the substrate processing apparatus is provided with a main control section 7 composed of a computer including a CPU, a memory, a program 71 and the like, and the main control section 7 manages the entire apparatus. For example, as shown in FIG. 7, the main control unit 7 includes a reduced pressure drying unit 201, a heating unit 202, a cooling unit 203, a hydrophobizing unit 204, a delivery unit 205, a main transport unit 25, a coating unit 3A, a developing unit 3B, and an exposure. Each controller 211, 212, 21 that manages the device S3
3, 214, 215, 205, 6, 30B, 200, and in the coating unit 3A, the three controllers 61, 62, 63 described above are also connected.

【0031】各ユニットのコントローラは所定の処理に
おいて処理開始の旨のフラグや処理終了の旨のフラグつ
まり完了で「1」、未完了で「0」の1ビットデータを
立てるように構成されており、主制御部7は各ユニット
及び主搬送手段25のフラグを1周20m秒のサイクル
で監視し、フラグが「1」のデータであるときはこのフ
ラグに対する対応処理の動作指令を該当するコントロー
ラに出力する。当該コントローラでは前記対応処理の所
定の動作は予め記憶されており、主制御部7からの指令
に基づいて所定の対応処理が行われるように構成されて
いる。
The controller of each unit is configured to set a flag indicating the start of processing and a flag indicating the end of processing in a predetermined process, that is, 1-bit data of "1" when completed and "0" when not completed. , The main controller 7 monitors the flags of each unit and the main transport means 25 in a cycle of 20 msec for one round, and when the flag is data of "1", the operation command of the corresponding process for this flag is sent to the corresponding controller. Output. In the controller, the predetermined operation of the corresponding process is stored in advance, and the predetermined corresponding process is performed based on a command from the main control unit 7.

【0032】ここで本発明の作用について説明する。前
記塗布ユニット3Aでは、供給ノズル5はウエハWの外
縁近傍に配置されている液受け部41(41a,41
b)の内端縁付近で減速をし始め、所定位置で停止し、
次のスキャン開始点までX方向に移動し、再び逆の方向
に向けて加速し始めるように移動が制御されている。一
方液受け部41と基板保持部33は、供給ノズル5が減
速を開始した時に液受け部42a,42bがX方向に夫
々所定距離、ウエハW(基板保持部33)がY方向に所
定ピッチの移動を開始し、これらの移動が終了してか
ら、再び供給ノズル5の加速が開始され逆方向に移動す
るように夫々の移動が制御されている。
The operation of the present invention will be described below. In the coating unit 3A, the supply nozzle 5 has the liquid receiving portion 41 (41a, 41a) arranged near the outer edge of the wafer W.
Start deceleration near the inner edge of b), stop at a predetermined position,
The movement is controlled so as to move in the X direction to the start point of the next scan and start accelerating in the opposite direction again. On the other hand, in the liquid receiving portion 41 and the substrate holding portion 33, when the supply nozzle 5 starts decelerating, the liquid receiving portions 42a and 42b have a predetermined distance in the X direction and the wafer W (the substrate holding portion 33) has a predetermined pitch in the Y direction. Each movement is controlled so that the movement of the supply nozzle 5 is started again after the movement is started and these movements are completed, and the supply nozzle 5 is accelerated again.

【0033】供給ノズル5の移動について、図8の供給
ノズル5のノズル駆動部53のモータM2の電流量の経
時変化を示す特性図にて説明すると、時間t1〜時間t
4は供給ノズル5がウエハの塗布領域上のY座標=P1
であるP1位置を正方向例えばウエハの右端から左端ま
で移動している時間、時間t5〜時間t8は供給ノズル
5がウエハの塗布領域上のY座標=P2であるP2位置
(P1位置から所定ピッチ離れた位置)を逆方向に例え
ばウエハ左端から右端まで移動している時間をいう。こ
こで時間t1〜時間t4までと、時間t5〜時間t8ま
でとは、電流の流れが正逆反対になっており、これは供
給ノズル5が逆方向に移動することを意味する。また供
給ノズル5は、時間t1〜時間t4までは電流量が多く
なる程加速して電流量が少なくなる程減速し、時間t5
〜時間t8までは電流量が少なくなる程加速して電流量
が多くなる程減速し、電流量0のときは供給ノズル5が
停止することを夫々意味する。
The movement of the supply nozzle 5 will be described with reference to FIG. 8 which is a characteristic diagram showing the change over time in the amount of current of the motor M2 of the nozzle drive section 53 of the supply nozzle 5, which is from time t1 to time t.
4 is the Y coordinate of the supply nozzle 5 on the coating area of the wafer = P1
P2 position (a predetermined pitch from the P1 position) where the supply nozzle 5 is at the Y coordinate = P2 on the coating area of the wafer during a time period in which the P1 position is moving in the positive direction, for example, from the right end to the left end of the wafer, from time t5 to time t8. It refers to the time during which the remote position is moved in the opposite direction, for example, from the left end of the wafer to the right end. Here, the time t1 to the time t4 and the time t5 to the time t8 are opposite in the flow of the electric current, which means that the supply nozzle 5 moves in the opposite direction. Further, the supply nozzle 5 accelerates as the current amount increases from the time t1 to the time t4 and decelerates as the current amount decreases, and the time t5.
Up to time t8, it means acceleration as the current amount decreases and deceleration as the current amount increases, and when the current amount is 0, the supply nozzle 5 stops.

【0034】これにより時間t1はウエハの被塗布領域
の右端部からウエハが正方向に移動を開始しようとする
ときのウエハの加速の開始時、時間t3はウエハの被塗
布領域の左端部(ウエハの左側の液受け部41bの内端
部に対応する位置)に供給ノズル5が到着し、ウエハの
減速を開始するときの減速開始時を夫々意味し、時間t
5はウエハの被塗布領域の左端部からウエハが逆方向に
移動を開始しようとするときのウエハの加速の開始時、
時間t7はウエハの被塗布領域の右端部(ウエハの右側
の液受け部41aの内端部に対応する位置)に供給ノズ
ル5が到着し、ウエハの減速を開始するときの減速開始
時を夫々意味する。
As a result, time t1 is at the start of acceleration of the wafer when the wafer starts to move in the positive direction from the right end portion of the wafer coated area, and time t3 is at the left end portion of the wafer coated area (wafer When the supply nozzle 5 arrives at a position (corresponding to the inner end of the liquid receiving portion 41b on the left side of the) of the liquid receiving portion 41b and starts deceleration of the wafer, the deceleration start time is defined as time t.
5 is the start of acceleration of the wafer when the wafer is about to start moving in the opposite direction from the left end of the coated area of the wafer,
At time t7, the supply nozzle 5 arrives at the right end of the coated area of the wafer (the position corresponding to the inner end of the liquid receiving portion 41a on the right side of the wafer) and starts deceleration of the wafer. means.

【0035】続いて図9のフロー図に基づいて、本発明
の作用を説明すると、ステップS1では○○のフラグが
立っているか否かの判断を行い、YES(例えば1ビッ
トデータの「1」)であればステップS2にて対応処理
を行い、NO(例えば1ビットデータの「0」)であれ
ばステップS3に進む。続いてステップS3では△△の
フラグが立っているか否かの判断を行い、YESであれ
ばステップS4にて対応処理を行い、NOであればステ
ップS5に進む。ステップS3の工程は特許請求の範囲
の第1の工程に相当する。
Next, the operation of the present invention will be described with reference to the flow chart of FIG. 9. In step S1, it is determined whether or not the flag of XX is set, and YES (for example, "1" of 1-bit data is set). If so, the corresponding process is performed in step S2, and if NO (for example, 1-bit data “0”), the process proceeds to step S3. Subsequently, in step S3, it is determined whether or not the flag ΔΔ is set. If YES, the corresponding process is performed in step S4, and if NO, the process proceeds to step S5. The step S3 corresponds to the first step in the claims.

【0036】ステップS5では、供給ノズル5のノズル
駆動部53のモータM2の減速の開始のフラグが立って
いるか否かの判断を行い、YESであればステップS6
にて基板保持部33の第1のコントローラ61と液受け
部41の第2のコントローラ62とに、基板保持部33
はY方向に所定ピッチ、液受け部41はX方向に所定距
離、夫々所定の移動を行う旨の指令を出す。次いでステ
ップS7にて基板保持部33及び液受け部41が所定位
置への移動が完了した旨のフラグが立っているか否かの
判断を行い、YESであれば供給ノズル5の第3のコン
トローラ63にモータM2の加速を開始する旨の指令を
出し(ステップS8)、NOであれば再びステップS7
にて基板保持部33及び液受け部41が所定位置へ移動
したか否かの判断を行う。次いでステップS9にて××
のフラグが立っているか否かの判断を行い、YESであ
ればステップS10にて対応処理を行い、NOであれば
次のステップ(図示せず)に進む。ここでステップS9
の工程は特許請求の範囲の第2の工程に相当する。
In step S5, it is determined whether or not a flag for starting deceleration of the motor M2 of the nozzle driving section 53 of the supply nozzle 5 is set, and if YES, step S6.
At the first controller 61 of the substrate holding part 33 and the second controller 62 of the liquid receiving part 41, the substrate holding part 33
Indicates a predetermined pitch in the Y direction, and the liquid receiving section 41 issues a command to perform a predetermined distance in the X direction. Next, in step S7, it is determined whether or not a flag indicating that the substrate holding unit 33 and the liquid receiving unit 41 have been moved to the predetermined positions is set, and if YES, the third controller 63 of the supply nozzle 5 is determined. A command to start acceleration of the motor M2 (step S8), and if NO, step S7 again.
At, it is determined whether the substrate holding portion 33 and the liquid receiving portion 41 have moved to the predetermined positions. Then in step S9
If YES, the corresponding process is performed in step S10, and if NO, the process proceeds to the next step (not shown). Step S9 here
The step of corresponds to the second step in the claims.

【0037】ここで○○のフラグや△△のフラグ、××
のフラグとは、塗布ユニット3Aの供給ノズル5、基板
保持部33、液受け渡し部41の移動に関する以外のフ
ラグをいい、例えば加熱ユニット202での加熱が終了
した旨のフラグや、主搬送手段25による塗布ユニット
3Aへのウエハの搬送が終了した旨のフラグをいう。こ
の例では図示の便宜上全てのフラグを記載するのではな
く、例示である。
Here, XX flag, ΔΔ flag, XX
Is a flag other than the movement of the supply nozzle 5, the substrate holding unit 33, and the liquid delivery unit 41 of the coating unit 3A. For example, the flag indicating that heating by the heating unit 202 is completed, or the main transfer unit 25. Is a flag indicating that the transfer of the wafer to the coating unit 3A has been completed. In this example, not all flags are shown for convenience of illustration, but they are examples.

【0038】このように本発明では、供給ノズル5と基
板保持部33と液受け部41の移動に関するプログラム
を割り込みプログラムとし、当該プログラムが他のもの
に対して優先するようにプログラムが作成されている。
つまり供給ノズル5の減速開始の旨のフラグが立ち、主
制御部7がこれを見ると直ちに割り込みプログラムを起
動し、供給ノズル5の加速開始を始めるまで、次のユニ
ットのフラグを見に行かない。
As described above, in the present invention, the program relating to the movement of the supply nozzle 5, the substrate holding portion 33 and the liquid receiving portion 41 is used as an interrupt program, and the program is created so that the program has priority over other programs. There is.
That is, a flag indicating that the supply nozzle 5 starts decelerating is set, and when the main control unit 7 sees this, the interrupt program is immediately activated, and the flag of the next unit is not seen until the start of acceleration of the supply nozzle 5 is started. .

【0039】このように供給ノズル5と基板保持部33
と液受け部41の移動に関するプログラムが優先的に行
われ、供給ノズル5の減速開始のフラグが立つと直ぐに
基板保持部33と液受け部41の移動が行われ、基板保
持部33と液受け部41の移動が完了した旨のフラグが
立つと直ぐに供給ノズル5の加速が始められるので、供
給ノズル5の停止時間が短くなる。このため停止中に吐
出され続けている塗布液の量が少なくなり、塗布液の省
量化を図ることができるので、コストダウンを図ること
ができる。また供給ノズル5の停止時間が短くなること
から、基板の塗布処理に要する処理時間が短縮され、基
板処理装置全体のスループットを高めることができる。
In this way, the supply nozzle 5 and the substrate holder 33 are
The program relating to the movement of the liquid receiving unit 41 and the liquid receiving unit 41 is preferentially performed, and the substrate holding unit 33 and the liquid receiving unit 41 are moved immediately when the deceleration start flag of the supply nozzle 5 is set, and the substrate holding unit 33 and the liquid receiving unit 41 are moved. As soon as the flag indicating that the movement of the portion 41 has been completed is set, the supply nozzle 5 starts to accelerate, and the stop time of the supply nozzle 5 is shortened. Therefore, the amount of the coating liquid continuously discharged during the stop is reduced, and the amount of the coating liquid can be saved, so that the cost can be reduced. Further, since the stop time of the supply nozzle 5 is shortened, the processing time required for the substrate coating processing is shortened, and the throughput of the entire substrate processing apparatus can be increased.

【0040】これに対して図15に示す従来のプログラ
ムでは供給ノズル5の減速を開始しても主制御部7はユ
ニット全体のフラグを監視するので、供給ノズル5の減
速を開始してから基板保持部33と液受け部41の移動
が行われるまでに時間がかかったり、基板保持部33と
液受け部41の移動が完了しても供給ノズル5の加速の
開始を待たなければならない場合がある。
On the other hand, in the conventional program shown in FIG. 15, even if the deceleration of the supply nozzle 5 is started, the main control section 7 monitors the flag of the whole unit. In some cases, it may take some time until the holding unit 33 and the liquid receiving unit 41 are moved, or even if the movement of the substrate holding unit 33 and the liquid receiving unit 41 is completed, it is necessary to wait for the start of acceleration of the supply nozzle 5. is there.

【0041】具体的に図10により説明すると、ここに
はX方向にスキャン移動する供給ノズル5のノズル駆動
部53のモータM2の速度波形(電力供給量)と、Y方
向に所定ピッチで移動する基板保持部33の駆動機構3
8のモータM1の速度波形(電力供給量)と、供給ノズ
ル5の割り込み信号と、基板保持部33の割り込み信号
とが記されている。この図について基板保持部33の移
動ピッチが2mmであり、供給ノズル5の移動速度が1
m/秒、加減速時間が5m秒の場合を例にして説明す
る。
More specifically, referring to FIG. 10, here, the speed waveform (power supply amount) of the motor M2 of the nozzle driving unit 53 of the supply nozzle 5 that scans and moves in the X direction and the Y direction is moved at a predetermined pitch. Drive mechanism 3 for substrate holding unit 33
The speed waveform (power supply amount) of the motor M1 of No. 8, the interrupt signal of the supply nozzle 5, and the interrupt signal of the substrate holding unit 33 are described. In this figure, the moving pitch of the substrate holder 33 is 2 mm, and the moving speed of the supply nozzle 5 is 1.
An example will be described in which the acceleration / deceleration time is 5 msec.

【0042】先ず供給ノズル5のモータM2の速度波形
は既述のように所定位置(時間t3,時間t7))で減
速し、このときに減速開始の割り込み信号を出力して
フラグを立てる。この後供給ノズル5は所定位置で停止
して、ここから次のスキャン開始点までX方向に移動
し、このときに位置決め完了の旨の割り込み信号を出
力して、フラグを立てる。そして約10m秒間(時間t
5−時間t4)停止した後、再び加速することを示して
いる。
First, the speed waveform of the motor M2 of the supply nozzle 5 is decelerated at a predetermined position (time t3, time t7) as described above, and at this time, a deceleration start interrupt signal is output and a flag is set. After that, the supply nozzle 5 stops at a predetermined position, moves from here to the next scan start point in the X direction, and at this time, an interrupt signal indicating the completion of positioning is output and a flag is set. And about 10 msec (time t
5-time t4) It shows that the vehicle accelerates again after stopping.

【0043】一方基板保持部33では供給ノズル5の減
速を開始した旨のフラグが立つ(時間t3)と、モータ
M1に電力供給して2mmピッチ移動し、移動完了後の
その旨の割り込み信号を出力してフラグを立てる。こ
の例では基板保持部33の移動に要する時間(時間ta
−時間t3)は約12.5m秒である。なお(時間t5
−時間tb)で示される時間はコントローラ6の処理時
間であり、供給ノズル5の位置決め完了の信号を出力し
てからコントローラ6にて処理する時間を含めて供給ノ
ズル5は停止させておく。
On the other hand, when the flag indicating that the supply nozzle 5 has started decelerating is set in the substrate holding unit 33 (time t3), electric power is supplied to the motor M1 to move by 2 mm pitch, and an interrupt signal indicating that the movement is completed is sent. Output and flag. In this example, the time required to move the substrate holder 33 (time ta
-Time t3) is approximately 12.5 ms. Note that (time t5
The time indicated by −time tb) is the processing time of the controller 6, and the supply nozzle 5 is stopped including the time for the controller 6 to process after the positioning completion signal of the supply nozzle 5 is output.

【0044】このようにこの例では、供給ノズル5が次
のスキャンの位置決めのために停止している間に、基板
保持部33の移動が完了することを示しており、図示は
していないが、液受け部41の移動も基板保持部33の
移動と同じタイミングで行われ、液受け部41は基板保
持部33よりも小さい部材であるので10m秒で移動が
完了する。このため供給ノズル5が次のスキャンの位置
決めのために停止している間に、基板保持部33及び液
受け部41の移動が完了するので、供給ノズル5の停止
時間が最短となり、既述の効果が得られる。
As described above, this example shows that the movement of the substrate holding portion 33 is completed while the supply nozzle 5 is stopped for the positioning of the next scan, which is not shown. The movement of the liquid receiving portion 41 is also performed at the same timing as the movement of the substrate holding portion 33. Since the liquid receiving portion 41 is a member smaller than the substrate holding portion 33, the movement is completed in 10 ms. Therefore, the movement of the substrate holding unit 33 and the liquid receiving unit 41 is completed while the supply nozzle 5 is stopped for the positioning of the next scan, so that the stop time of the supply nozzle 5 is the shortest and The effect is obtained.

【0045】続いて本発明の他の実施の形態について説
明する。この例は、図のフロ−図に示すように、供給ノ
ズル5等の移動に関する割り込みプログラムを2回組み
込むようにしたものである。例えば図11に示すプログ
ラムにおいて、○○○のフラグに関するステップS5の
後と、×××のフラグに関するステップS11の後に、
供給ノズル5等の移動に関する割り込みプログラムが夫
々組み込まれている。図11のステップS5〜ステップ
S8よりなる割り込みプログラムとステップS11〜ス
テップS14よりなる割り込みプログラムは、図9のス
テップS5〜ステップS8よりなる割り込みプログラム
と同様に作成されている。この例ではステップS14の
次工程(図示せず)が特許請求の範囲の第3の工程に相
当する。
Next, another embodiment of the present invention will be described. In this example, as shown in the flow chart of the figure, an interrupt program relating to the movement of the supply nozzle 5 and the like is incorporated twice. For example, in the program shown in FIG. 11, after step S5 regarding the flag of XX and after step S11 regarding the flag of XXX,
An interrupt program relating to the movement of the supply nozzle 5 and the like is incorporated in each. The interrupt program including steps S5 to S8 in FIG. 11 and the interrupt program including steps S11 to S14 are created in the same manner as the interrupt program including steps S5 to S8 in FIG. In this example, the step (not shown) subsequent to step S14 corresponds to the third step in the claims.

【0046】このような例では、主制御部7が図9に示
す例よりも短い間隔例えば10m秒毎に供給ノズル5の
減速開始のフラグを監視できるので、当該フラグが立っ
てから当該フラグを主制御部7が見るまでの時間がより
短くなる。このため供給ノズル5の減速が開始されてか
ら、そのままの状態でそれほど待つことなく、基板保持
部33と液受け部41との移動が開始される。このため
より供給ノズル5の停止時間がより短くて済み、塗布液
の無駄を抑えることができるうえ、トータルの処理時間
をより短縮することができる。
In such an example, since the main control section 7 can monitor the deceleration start flag of the supply nozzle 5 at intervals shorter than that shown in FIG. 9, for example, every 10 msec, the flag is set after the flag is set. The time until the main control unit 7 looks becomes shorter. Therefore, after the deceleration of the supply nozzle 5 is started, the substrate holding section 33 and the liquid receiving section 41 start to move without waiting so long. Therefore, the stop time of the supply nozzle 5 can be shortened, the waste of the coating liquid can be suppressed, and the total processing time can be further shortened.

【0047】以上において本発明で用いられる基板はL
CD基板であってもよい。フォトマスク用のレチクル基
板であってもよい。また塗布液としてはレジスト液に限
らず層間絶縁材料、低誘電体材料、強誘電体材料、配線
材料、有機金属材料、金属ペースト等を用いるようにし
てもよい。
In the above, the substrate used in the present invention is L
It may be a CD substrate. It may be a reticle substrate for a photomask. The coating liquid is not limited to the resist liquid, and an interlayer insulating material, a low dielectric material, a ferroelectric material, a wiring material, an organic metal material, a metal paste, or the like may be used.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板に対
して塗布液を線状にスキャン塗布して当該基板の表面に
塗布液の液膜を形成するにあたり、塗布液の無駄を省
き、塗布膜形成処理に要する時間を短縮することができ
る。
As described above, according to the present invention, when the coating liquid is linearly scan-coated on the substrate to form the liquid film of the coating liquid on the surface of the substrate, waste of the coating liquid is eliminated. The time required for the coating film forming process can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る塗布膜形成装置の一実施の形態に
おける全体構造を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing the overall structure of an embodiment of a coating film forming apparatus according to the present invention.

【図2】上記の実施の形態における全体構造を示す斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view showing the overall structure of the above embodiment.

【図3】上記の実施の形態において用いられる棚ユニッ
トの構成について示す概略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a shelf unit used in the above embodiment.

【図4】上記の実施の形態において用いられる塗布ユニ
ットを説明するための縦断面図である。
FIG. 4 is a vertical cross-sectional view for explaining a coating unit used in the above embodiment.

【図5】上記の塗布ユニットを説明するための平面図で
ある。
FIG. 5 is a plan view for explaining the coating unit.

【図6】上記の塗布ユニットを説明するための斜視図で
ある。
FIG. 6 is a perspective view for explaining the coating unit.

【図7】上記の塗布膜形成装置の主制御部7を説明する
ための説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining a main control unit 7 of the coating film forming apparatus.

【図8】上記の塗布ユニットの供給ノズルのモータの電
流量の経時変化を示す特性図である。
FIG. 8 is a characteristic diagram showing a change over time in a current amount of a motor of a supply nozzle of the coating unit.

【図9】本発明の塗布膜形成方法を説明するためのフロ
ー図である。
FIG. 9 is a flow chart for explaining the coating film forming method of the present invention.

【図10】上記の塗布ユニットの供給ノズルのモータの
電流量と割り込み信号、基板保持部のモータの電流量と
割り込み信号の関係を示す特性図である。
FIG. 10 is a characteristic diagram showing a relationship between a current amount of a motor of a supply nozzle of the coating unit and an interrupt signal, and a current amount of a motor of a substrate holding unit and an interrupt signal.

【図11】本発明に係る塗布膜形成方法のさらに他の実
施の形態を説明するためのフロ−図である。
FIG. 11 is a flowchart for explaining still another embodiment of the coating film forming method according to the present invention.

【図12】従来の塗布膜形成装置を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing a conventional coating film forming apparatus.

【図13】従来の塗布膜形成装置を示す側面図である。FIG. 13 is a side view showing a conventional coating film forming apparatus.

【図14】従来の塗布膜形成方法を説明するための平面
図である。
FIG. 14 is a plan view for explaining a conventional coating film forming method.

【図15】従来の塗布膜形成方法を説明するためのフロ
−図である。
FIG. 15 is a flowchart for explaining a conventional coating film forming method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 カセットステーション 25 主搬送手段 3A 塗布ユニット 33 基板保持部 38 駆動機構 39,54 ボールネジ部 M1,M2 モータ 41(41a,41b) 液受け部 42(41a,41b) 進退駆動部 5 供給ノズル 52 移動体 53 ノズル駆動部 6 コントローラ 61 第1のコントローラ 62 第2のコントローラ 63 第3のコントローラ 7 主制御部 71 プログラム 21 cassette station 25 Main transport means 3A coating unit 33 substrate holder 38 Drive mechanism 39,54 Ball screw part M1, M2 motor 41 (41a, 41b) Liquid receiving part 42 (41a, 41b) Forward / backward drive unit 5 supply nozzles 52 Mobile 53 Nozzle drive 6 controller 61 First Controller 62 Second controller 63 Third Controller 7 Main control unit 71 programs

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成14年1月28日(2002.1.2
8)
[Submission date] January 28, 2002 (2002.1.2
8)

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】発明の名称[Name of item to be amended] Title of invention

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【発明の名称】 塗布膜形成装置及びその方法Patent application title: Coating film forming apparatus and method thereof

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森川 祐晃 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター東京エレクトロン株式会社 (72)発明者 大野 修二 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター東京エレクトロン株式会社 Fターム(参考) 4D075 AC65 CA47 DA06 DB13 DB14 DC22 DC24 EA07 EA45 4F042 AA02 AA07 BA08 DA00 DB00 DF09 DF11 DF28 DF29 DF32 EB09 EB13 EB18 EB21 5F031 CA02 CA05 CA20 DA01 FA01 FA02 FA05 FA07 FA11 FA12 GA47 GA49 HA13 HA57 HA58 HA59 LA07 LA12 MA24 MA26 MA27 PA03 PA04 PA26 5F046 JA02 JA27    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Yuuki Morikawa             TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo             Sending Center Tokyo Electron Limited (72) Inventor Shuji Ohno             TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo             Sending Center Tokyo Electron Limited F term (reference) 4D075 AC65 CA47 DA06 DB13 DB14                       DC22 DC24 EA07 EA45                 4F042 AA02 AA07 BA08 DA00 DB00                       DF09 DF11 DF28 DF29 DF32                       EB09 EB13 EB18 EB21                 5F031 CA02 CA05 CA20 DA01 FA01                       FA02 FA05 FA07 FA11 FA12                       GA47 GA49 HA13 HA57 HA58                       HA59 LA07 LA12 MA24 MA26                       MA27 PA03 PA04 PA26                 5F046 JA02 JA27

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の基板を収納した基板カセットが載
置されるカセットステーションと、基板に供給ノズルか
ら塗布液を供給し、当該基板に液膜を形成するための塗
布ユニットと、この塗布ユニットにて行われる塗布処理
の前処理または後処理を行なうための複数の処理ユニッ
トと、前記基板を塗布ユニット及び処理ユニットの間で
搬送するための搬送手段と、前記塗布ユニットと処理ユ
ニットと搬送手段の各々に設けられ、夫々の処理を制御
するためのコントローラと、前記塗布ユニットと処理ユ
ニットと搬送手段の各々のコントローラに対して指令を
出力し、この指令に基づいて夫々のコントローラの動作
を管理する主制御部と、を備えた塗布膜形成装置におい
て、 前記塗布ユニットは、基板を略水平に保持するためのY
方向に移動する基板保持部と、前記基板保持部に保持さ
れた基板と対向して設けられ、該基板に塗布液を吐出し
ながらX方向に往復移動し、当該供給ノズルの移動領域
の両端部近傍領域において減速を開始する供給ノズル
と、前記供給ノズルの移動領域の両端部において前記供
給ノズルからの塗布液を受けとめて被塗布領域を規制す
ることができるように、互いにX方向に進退自在に設け
られる一対の液受け部とを備え、供給ノズルをX方向に
移動させて基板上に塗布液を直線状に塗布した後、基板
を供給ノズル及び液受け部に対してY方向に間欠移動さ
せて、前記直線状の塗布領域がY方向に並べられるよう
に塗布液を塗布するように構成され、 主制御部では、塗布ユニットのコントローラに対して供
給ノズルが減速を始めた時に基板保持部と液受け部の移
動指令を出力し、これらの移動が完了した時に供給ノズ
ルに逆方向への移動指令を出力し、この供給ノズルの逆
方向への移動が開始されてから、供給ノズルと基板保持
部と液受け部の移動指令以外の指令を塗布ユニット、処
理ユニット、搬送手段のいずれかのコントローラに出力
することを特徴とする塗布膜形成装置。
1. A cassette station in which a substrate cassette containing a plurality of substrates is placed, a coating unit for supplying a coating liquid to a substrate from a supply nozzle and forming a liquid film on the substrate, and the coating unit. A plurality of processing units for performing pre-treatment or post-treatment of the coating process performed in step 1, a transporting unit for transporting the substrate between the coating unit and the processing unit, the coating unit, the processing unit, and a transporting unit. To each controller of the coating unit, the processing unit, and the conveying means, which is provided in each of the above-mentioned units, and controls the operation of each controller based on this command. In the coating film forming apparatus, the coating unit includes a Y controller for holding the substrate substantially horizontally.
And a substrate holding unit that moves in the direction, and is provided opposite to the substrate held by the substrate holding unit and reciprocates in the X direction while discharging the coating liquid onto the substrate, and both ends of the moving region of the supply nozzle. The supply nozzle that starts deceleration in the vicinity area and the both ends of the moving area of the supply nozzle can advance and retreat in the X direction so that the application area can be regulated by receiving the coating liquid from the supply nozzle. A pair of liquid receiving parts provided, and the supply nozzle is moved in the X direction to linearly apply the coating liquid on the substrate, and then the substrate is intermittently moved in the Y direction with respect to the supply nozzle and the liquid receiving part. The coating liquid is applied so that the linear coating regions are arranged in the Y direction, and the main controller holds the substrate when the supply nozzle starts decelerating with respect to the controller of the coating unit. Section and the liquid receiving section are output, and when these movements are completed, a movement instruction in the reverse direction is output to the supply nozzle, and after the movement of this supply nozzle in the reverse direction is started, A coating film forming apparatus, which outputs a command other than a command to move a substrate holding unit and a liquid receiving unit to a controller of any one of a coating unit, a processing unit, and a transfer unit.
【請求項2】 一対の液受け部は、基板保持部の回転中
心の移動路に対して、互いに対称に進退することを特徴
とする請求項1記載の塗布膜形成装置。
2. The coating film forming apparatus according to claim 1, wherein the pair of liquid receiving portions advance and retreat symmetrically with respect to the movement path of the rotation center of the substrate holding portion.
【請求項3】 前記基板保持部をY方向に移動させる駆
動機構は、Y方向に伸びる第1のボールネジ部とこの第
1のボールネジ部を回転させる第1のモータよりなり、
前記供給ノズルをX方向に移動させるノズル駆動部は、
X方向に伸びる第2のボールネジ部とこの第2のボール
ネジ部を回転させる第2のモータよりなり、前記主制御
部の指令に基づき前記コントローラにより第1のモータ
及び第2のモータへの電力供給量が制御されることを特
徴とする請求項1又は2記載の塗布膜形成装置。
3. A drive mechanism for moving the substrate holding part in the Y direction comprises a first ball screw part extending in the Y direction and a first motor rotating the first ball screw part,
The nozzle driving unit that moves the supply nozzle in the X direction,
It is composed of a second ball screw portion extending in the X direction and a second motor for rotating the second ball screw portion, and the controller supplies power to the first motor and the second motor based on a command from the main controller. The coating film forming apparatus according to claim 1 or 2, wherein the amount is controlled.
【請求項4】 複数の基板を収納した基板カセットが載
置されるカセットステーションと、基板に塗布液の液膜
を形成するための塗布ユニットと、この塗布ユニットに
て行われる塗布処理の前処理または後処理を行なうため
の複数の処理ユニットと、前記基板を塗布ユニット及び
処理ユニットの間で搬送するための搬送手段と、を備
え、主制御部により前記塗布ユニット、処理ユニット、
搬送手段の駆動が制御される塗布膜形成装置において行
われる塗布膜形成方法であって、 前記塗布ユニットでは、基板をY方向に移動自在な基板
保持部にて略水平に保持し、基板の被塗布領域を規制す
るために前記被塗布領域の外側に一対の液受け部を配置
してから、基板保持部に保持された基板と対向するよう
に設けられた供給ノズルを、当該基板に向かって塗布液
を吐出させながらX方向に移動させて基板上に塗布液を
直線状に塗布した後、基板を供給ノズル及び液受け部に
対してY方向に間欠移動させ、前記直線状の塗布領域が
Y方向に並べられるように基板への塗布液の塗布が行わ
れ、 主制御部により供給ノズルと基板保持部と液受け部の移
動に関する指令以外の指令を出力する第1の工程と、 主制御部により供給ノズルと基板保持部と液受け部の移
動に関する指令以外の指令を出力する第2の工程と、 前記第1の工程と第2の工程との間に行われる割り込み
工程と、を含み、 前記割り込み工程は、前記供給ノズルの移動領域の両端
部近傍において前記供給ノズルの速度を減速させ、前記
供給ノズルが減速を始めたときに開始され、 前記供給ノズルが減速を始めたときに前記基板保持部と
液受け部との移動を開始する工程と、 前記前記基板保持部と液受け部の移動が完了したとき
に、供給ノズルの逆方向への移動を開始する工程と、よ
りなり 前記供給ノズルの逆方向への移動を始めたときに前記割
り込み工程が終了して、前記第2の工程へ進むことを特
徴とする塗布膜形成方法。
4. A cassette station in which a substrate cassette containing a plurality of substrates is placed, a coating unit for forming a liquid film of a coating liquid on the substrates, and a pretreatment of the coating process performed by this coating unit. Alternatively, a plurality of processing units for performing post-processing, and a transport unit for transporting the substrate between the coating unit and the processing unit, the main control unit the coating unit, the processing unit,
A method for forming a coating film, which is performed in a coating film forming apparatus in which the driving of a transfer unit is controlled, wherein the coating unit holds a substrate substantially horizontally by a substrate holder that can move in the Y direction, and After arranging a pair of liquid receiving portions on the outside of the coating area to regulate the coating area, a supply nozzle provided so as to face the substrate held by the substrate holding section is moved toward the substrate. After the coating liquid is discharged and moved in the X direction to linearly apply the coating liquid on the substrate, the substrate is intermittently moved in the Y direction with respect to the supply nozzle and the liquid receiving portion, and the linear coating region is The first step in which the coating liquid is applied to the substrates so that they are arranged in the Y direction, and the main control unit outputs a command other than a command regarding the movement of the supply nozzle, the substrate holding unit, and the liquid receiving unit, and the main control Supply nozzle and substrate A second step of outputting a command other than a command relating to the movement of the plate and the liquid receiving part, and an interrupt step performed between the first step and the second step, wherein the interrupt step is The speed of the supply nozzle is decelerated in the vicinity of both ends of the movement area of the supply nozzle, the operation is started when the supply nozzle starts decelerating, and the substrate holding section and the liquid receiving section when the supply nozzle starts decelerating. And a step of starting the movement of the supply nozzle in the opposite direction when the movement of the substrate holding section and the liquid receiving section is completed, and The coating film forming method, wherein the interrupting step is completed when the transfer is started, and the process proceeds to the second step.
【請求項5】 主制御部により供給ノズルと基板保持部
と液受け部の移動に関する指令以外の指令を出力し、第
2の工程の後に行われる第3の工程をさらに含み、 前記第2の工程と第3の工程の間に、前記割り込み工程
を再び行うことを特徴とする請求項2記載の塗布膜形成
方法。
5. The method further includes a third step performed after the second step by outputting a command other than a command relating to the movement of the supply nozzle, the substrate holding part, and the liquid receiving part by the main control part, and the second step. The coating film forming method according to claim 2, wherein the interrupting step is performed again between the step and the third step.
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