JP2003204158A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JP2003204158A JP2003204158A JP2002000173A JP2002000173A JP2003204158A JP 2003204158 A JP2003204158 A JP 2003204158A JP 2002000173 A JP2002000173 A JP 2002000173A JP 2002000173 A JP2002000173 A JP 2002000173A JP 2003204158 A JP2003204158 A JP 2003204158A
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- bvh
- wiring
- wiring board
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＢＶＨを用いた多層配線基板において、多層
配線基板の反りを防止した多層配線基板を提供する。 【解決手段】 多層化した配線層の間がＢＶＨで接続さ
れた多層配線基板において、第１主面と第２主面とを備
えた絶縁板と、絶縁板の第１主面上に設けられた第１配
線層と、絶縁板の第２主面上に設けられた第２配線層
と、絶縁板中に、第１配線層に対して平行に設けられた
埋め込み配線層と、第１主面に設けられ、第１配線層と
埋め込み配線層とを電気的に接続するＢＶＨとを含み、
絶縁板を挟んでＢＶＨと対向する第２主面に、ＢＶＨと
略同一形状で埋め込み配線層とは接続されないダミーＢ
ＶＨが設けられる。
配線基板の反りを防止した多層配線基板を提供する。 【解決手段】 多層化した配線層の間がＢＶＨで接続さ
れた多層配線基板において、第１主面と第２主面とを備
えた絶縁板と、絶縁板の第１主面上に設けられた第１配
線層と、絶縁板の第２主面上に設けられた第２配線層
と、絶縁板中に、第１配線層に対して平行に設けられた
埋め込み配線層と、第１主面に設けられ、第１配線層と
埋め込み配線層とを電気的に接続するＢＶＨとを含み、
絶縁板を挟んでＢＶＨと対向する第２主面に、ＢＶＨと
略同一形状で埋め込み配線層とは接続されないダミーＢ
ＶＨが設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、特に、ＢＶＨ構造を有する多層配線基板に関する。
し、特に、ＢＶＨ構造を有する多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層配線基板では、多層配線基板
を貫通する、直径が０．３５ｍｍ程度のバイアホールに
より、それぞれの配線層の間を接続していた。しかしな
がら、多層配線基板を用いたモジュール等の小型化に伴
い、配線層間の接続には、直径が０．１５ｍｍ程度と小
さいＢＶＨ（Blind Via Hole）が用いられるようになっ
てきた。
を貫通する、直径が０．３５ｍｍ程度のバイアホールに
より、それぞれの配線層の間を接続していた。しかしな
がら、多層配線基板を用いたモジュール等の小型化に伴
い、配線層間の接続には、直径が０．１５ｍｍ程度と小
さいＢＶＨ（Blind Via Hole）が用いられるようになっ
てきた。
【０００３】図４は、全体が２００で表される、本実施
の形態にかかる多層配線基板の断面図である。多層配線
基板２００は、両面に第１、第２配線層２１１、２１２
が形成されたコア層２１３からなる第１基板２１０、第
３、第４配線層２２１、２２２が形成されたコア層２２
３からなる第２基板２２０、及び第５、第６配線層２３
１、２３２が形成されたコア層２３３からなる第３基板
２３０を含む。それぞれの配線層は、例えば銅から形成
され、また、コア層は、例えばガラスエポキシ樹脂から
形成される。第１基板２１０、第２基板２２０、第３基
板２３０は、略同一の構造（材料、膜厚等）を有する。
の形態にかかる多層配線基板の断面図である。多層配線
基板２００は、両面に第１、第２配線層２１１、２１２
が形成されたコア層２１３からなる第１基板２１０、第
３、第４配線層２２１、２２２が形成されたコア層２２
３からなる第２基板２２０、及び第５、第６配線層２３
１、２３２が形成されたコア層２３３からなる第３基板
２３０を含む。それぞれの配線層は、例えば銅から形成
され、また、コア層は、例えばガラスエポキシ樹脂から
形成される。第１基板２１０、第２基板２２０、第３基
板２３０は、略同一の構造（材料、膜厚等）を有する。
【０００４】第１基板２１０、第２基板２２０、及び第
３基板２３０の間には、プリプレグ層２４０、２５０が
設けられている。それぞれの基板２２０、２３０、２４
０は、プリプレグ層２４０、２５０を間に挟んだ状態で
加圧、加熱することにより、プリプレグ層２４０、２５
０で接着されている。
３基板２３０の間には、プリプレグ層２４０、２５０が
設けられている。それぞれの基板２２０、２３０、２４
０は、プリプレグ層２４０、２５０を間に挟んだ状態で
加圧、加熱することにより、プリプレグ層２４０、２５
０で接着されている。
【０００５】第１基板２１０には、第１配線層２１１と
第２配線層２１２とを電気的に接続するＢＶＨが設けら
れている。ＢＶＨは、例えば直径が略０．１５ｍｍの孔
部からなり、孔部の内部には、第１配線層２１１と第２
配線層２１２とを接続する金属層が設けられている。ま
た、多層配線基板２００には、積層された配線層の間を
電気的に接続するスルーホール２６０が設けられてい
る。
第２配線層２１２とを電気的に接続するＢＶＨが設けら
れている。ＢＶＨは、例えば直径が略０．１５ｍｍの孔
部からなり、孔部の内部には、第１配線層２１１と第２
配線層２１２とを接続する金属層が設けられている。ま
た、多層配線基板２００には、積層された配線層の間を
電気的に接続するスルーホール２６０が設けられてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すように、例
えば、第１基板２１０には数１０個のＢＶＨ２７０が形
成され、第３基板２３０にはＢＶＨが形成されない構造
では、それぞれの基板２１０、２２０、２３０の間にプ
リプレグ層２４０、２５０を挟み、加圧、加熱して多層
配線基板２００を形成すると、多層配線基板２００に反
りが発生した。このような多層配線基板２００の反り
は、多層配線基板２００上に実装されるＩＣ等の半導体
装置の接続不良の原因となっていた。
えば、第１基板２１０には数１０個のＢＶＨ２７０が形
成され、第３基板２３０にはＢＶＨが形成されない構造
では、それぞれの基板２１０、２２０、２３０の間にプ
リプレグ層２４０、２５０を挟み、加圧、加熱して多層
配線基板２００を形成すると、多層配線基板２００に反
りが発生した。このような多層配線基板２００の反り
は、多層配線基板２００上に実装されるＩＣ等の半導体
装置の接続不良の原因となっていた。
【０００７】そこで、反りの発生原因について検討した
結果、第１基板２１０にのみ多数の孔部を設け、反対側
の第３基板２３０に孔部を設けないような、多層配線基
板２００の表裏の構造が非対称な構造では、第１基板２
１０と第３基板２３０との間でコア層の膨張率等が異な
り、これが原因で反りが発生することを見出した。
結果、第１基板２１０にのみ多数の孔部を設け、反対側
の第３基板２３０に孔部を設けないような、多層配線基
板２００の表裏の構造が非対称な構造では、第１基板２
１０と第３基板２３０との間でコア層の膨張率等が異な
り、これが原因で反りが発生することを見出した。
【０００８】そこで、本発明は、ＢＶＨを用いた多層配
線基板において、多層配線基板の反りを防止した多層配
線基板の提供を目的とする。
線基板において、多層配線基板の反りを防止した多層配
線基板の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、多層化した配
線層の間がＢＶＨ（Blind Via Hole）で接続された多層
配線基板であって、第１主面と第２主面とを備えた絶縁
板と、該絶縁板の該第１主面上に設けられた第１配線層
と、該絶縁板の該第２主面上に設けられた第２配線層
と、該絶縁板中に、該第１配線層に対して略平行に設け
られた埋め込み配線層と、該第１主面に設けられ、該第
１配線層と該埋め込み配線層とを電気的に接続するＢＶ
Ｈとを含み、該絶縁板を挟んで該ＢＶＨと対向する該第
２主面に、該ＢＶＨと略同一構造で該埋め込み配線層と
は接続されないダミーＢＶＨが設けられたことを特徴と
する多層配線基板である。このように、第１主面のＢＶ
Ｈと対向する第２主面に、ＢＶＨと略同一構造（形状、
材料等）からなるダミーＢＶＨを設けることにより、第
１主面と第２主面との間の膨張率等の違いを低減でき
る。この結果、多層配線基板の製造工程において発生し
ていた多層配線基板の反りを防止できる。これにより、
多層配線基板に、ＩＣ等を実装した場合の、接続不良を
防止し、信頼性の高い半導体モジュールを得ることがで
きる。
線層の間がＢＶＨ（Blind Via Hole）で接続された多層
配線基板であって、第１主面と第２主面とを備えた絶縁
板と、該絶縁板の該第１主面上に設けられた第１配線層
と、該絶縁板の該第２主面上に設けられた第２配線層
と、該絶縁板中に、該第１配線層に対して略平行に設け
られた埋め込み配線層と、該第１主面に設けられ、該第
１配線層と該埋め込み配線層とを電気的に接続するＢＶ
Ｈとを含み、該絶縁板を挟んで該ＢＶＨと対向する該第
２主面に、該ＢＶＨと略同一構造で該埋め込み配線層と
は接続されないダミーＢＶＨが設けられたことを特徴と
する多層配線基板である。このように、第１主面のＢＶ
Ｈと対向する第２主面に、ＢＶＨと略同一構造（形状、
材料等）からなるダミーＢＶＨを設けることにより、第
１主面と第２主面との間の膨張率等の違いを低減でき
る。この結果、多層配線基板の製造工程において発生し
ていた多層配線基板の反りを防止できる。これにより、
多層配線基板に、ＩＣ等を実装した場合の、接続不良を
防止し、信頼性の高い半導体モジュールを得ることがで
きる。
【００１０】上記絶縁板が、少なくとも、上記第１配線
層と第３配線層とに挟まれた第１コア層と、上記第２配
線層と第４配線層とに挟まれた第２コア層とを含み、該
第１コア層を貫通して設けられた上記ＢＶＨが、該第１
配線層と該第３配線層とを電気的に接続し、該第２コア
層を貫通して設けられた上記ダミーＢＶＨが、該第４配
線層に接続されない多層配線基板でもある。かかる多層
配線基板を用いることにより、第１コア層と第２コア層
との間の膨張率等の違いを低減でき、多層配線基板の製
造工程において発生していた反りを防止できる。
層と第３配線層とに挟まれた第１コア層と、上記第２配
線層と第４配線層とに挟まれた第２コア層とを含み、該
第１コア層を貫通して設けられた上記ＢＶＨが、該第１
配線層と該第３配線層とを電気的に接続し、該第２コア
層を貫通して設けられた上記ダミーＢＶＨが、該第４配
線層に接続されない多層配線基板でもある。かかる多層
配線基板を用いることにより、第１コア層と第２コア層
との間の膨張率等の違いを低減でき、多層配線基板の製
造工程において発生していた反りを防止できる。
【００１１】上記第４配線層は、該ダミーＢＶＨから間
隔を隔てて上記第２コア層上に設けられたものでもあ
る。
隔を隔てて上記第２コア層上に設けられたものでもあ
る。
【００１２】上記絶縁板が、両面に配線層が設けられた
複数のコア層と、該コア層に挟まれて該コア層同士を接
続するプリプレグ層とを含むことを特徴とする多層配線
基板でもある。このように、ダミーＢＶＨを設けること
により、両面に配線層を設けたコア層をプリプレグ層で
接続して形成した多層配線基板の反りを防止できる。
複数のコア層と、該コア層に挟まれて該コア層同士を接
続するプリプレグ層とを含むことを特徴とする多層配線
基板でもある。このように、ダミーＢＶＨを設けること
により、両面に配線層を設けたコア層をプリプレグ層で
接続して形成した多層配線基板の反りを防止できる。
【００１３】上記ＢＶＨが、上記第１基板に設けられた
孔部と該孔部内に設けられた金属層とを含み、上記ダミ
ーＢＶＨが、上記第２基板に設けられた孔部と該孔部内
に設けられた金属層とを含むものであっても良い。
孔部と該孔部内に設けられた金属層とを含み、上記ダミ
ーＢＶＨが、上記第２基板に設けられた孔部と該孔部内
に設けられた金属層とを含むものであっても良い。
【００１４】上記孔部は、中心線を略同一とした円筒形
状の孔部からなり、上記金属層で該孔部の内壁を覆った
ものであっても良い。
状の孔部からなり、上記金属層で該孔部の内壁を覆った
ものであっても良い。
【００１５】少なくとも上記第１コア層と上記第２コア
層とが、略同一組成で略同一膜厚のコア層からなること
が好ましい。
層とが、略同一組成で略同一膜厚のコア層からなること
が好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、全体が１００で表され
る、本実施の形態にかかる多層配線基板の断面図であ
る。多層配線基板１００は、両面に第１、第２配線層１
１、１２が形成されたコア層１３からなる第１基板１０
と、第３、第４配線層２１、２２が形成されたコア層２
３からなる第２基板２０と、第５、第６配線層３１、３
２が形成されたコア層３３からなる第３基板３０とを含
む。それぞれの配線層は、例えば銅から形成され、ま
た、コア層は、例えばガラスエポキシ樹脂から形成され
る。
る、本実施の形態にかかる多層配線基板の断面図であ
る。多層配線基板１００は、両面に第１、第２配線層１
１、１２が形成されたコア層１３からなる第１基板１０
と、第３、第４配線層２１、２２が形成されたコア層２
３からなる第２基板２０と、第５、第６配線層３１、３
２が形成されたコア層３３からなる第３基板３０とを含
む。それぞれの配線層は、例えば銅から形成され、ま
た、コア層は、例えばガラスエポキシ樹脂から形成され
る。
【００１７】第１基板１０、第２基板２０、及び第３基
板３０の間には、プリプレグ層４０、５０が設けられて
いる。プリプレグ層４０、５０の材料には、例えばガラ
スクロス等の補強基材にＢＴレジン等の熱硬化性樹脂を
含浸させた材料が用いられる。それぞれの基板２０、３
０、４０は、プリプレグ層４０、５０を間に挟んだ状態
で加圧、加熱することにより、プリプレグ層４０、５０
で接着されている。
板３０の間には、プリプレグ層４０、５０が設けられて
いる。プリプレグ層４０、５０の材料には、例えばガラ
スクロス等の補強基材にＢＴレジン等の熱硬化性樹脂を
含浸させた材料が用いられる。それぞれの基板２０、３
０、４０は、プリプレグ層４０、５０を間に挟んだ状態
で加圧、加熱することにより、プリプレグ層４０、５０
で接着されている。
【００１８】第１基板１０には、第１配線層１１と第２
配線層１２とを電気的に接続するＢＶＨ（Blind Via Ho
le）７０が設けられている。ＢＶＨ７０は、例えば直径
が略０．１５ｍｍの孔部７１からなり、孔部７１の内部
には、第１配線層１１と第２配線層１２とを接続する金
属層７２が設けられている。金属層７２は、例えば銅か
らなる。ＢＶＨ７０の形成は、第１基板１０にドリル等
を用いて孔部７１を形成した後に、メッキ法等を用いて
金属層７２を孔部７１内に形成して行う。金属層７２
は、孔部７１を埋め込むように形成しても構わない。
配線層１２とを電気的に接続するＢＶＨ（Blind Via Ho
le）７０が設けられている。ＢＶＨ７０は、例えば直径
が略０．１５ｍｍの孔部７１からなり、孔部７１の内部
には、第１配線層１１と第２配線層１２とを接続する金
属層７２が設けられている。金属層７２は、例えば銅か
らなる。ＢＶＨ７０の形成は、第１基板１０にドリル等
を用いて孔部７１を形成した後に、メッキ法等を用いて
金属層７２を孔部７１内に形成して行う。金属層７２
は、孔部７１を埋め込むように形成しても構わない。
【００１９】第３基板３０には、第２基板２０を挟んで
ＢＶＨ７０と対向する位置に、ＢＶＨ７０と略同一構造
のダミーＢＶＨ８０が設けられている。即ち、対向する
ＢＶＨ７０とダミーＢＶＨ８０とは、略同一の中心軸を
有し、同一の直径、深さ、材料等を有するように形成さ
れる。ダミーＢＶＨ８０は、ＢＶＨ７０と同じ方法で形
成される。
ＢＶＨ７０と対向する位置に、ＢＶＨ７０と略同一構造
のダミーＢＶＨ８０が設けられている。即ち、対向する
ＢＶＨ７０とダミーＢＶＨ８０とは、略同一の中心軸を
有し、同一の直径、深さ、材料等を有するように形成さ
れる。ダミーＢＶＨ８０は、ＢＶＨ７０と同じ方法で形
成される。
【００２０】図２は、多層配線基板１００に形成され
た、ＢＶＨ７０の概略図である。また、図３は、多層配
線基板１００に形成された、ＢＶＨ８０の概略図であ
る。図２に示すように、ＢＶＨ７０では、孔部７１に設
けられた金属層７２により、第１配線層１１と第２配線
層１２とを電気的に接続している。一方、図３に示すよ
うに、ダミーＢＶＨ８０は第６配線層３２には接続され
ているが、第５配線層３１には接続されていない。この
ように、第５配線層３１は、ダミーＢＶＨ８０に接続さ
れないように、予め形成しておく。なお、多層配線基板
１００には、必要に応じて、積層された配線層の間を電
気的に接続するスルーホール６０を設けても良い。
た、ＢＶＨ７０の概略図である。また、図３は、多層配
線基板１００に形成された、ＢＶＨ８０の概略図であ
る。図２に示すように、ＢＶＨ７０では、孔部７１に設
けられた金属層７２により、第１配線層１１と第２配線
層１２とを電気的に接続している。一方、図３に示すよ
うに、ダミーＢＶＨ８０は第６配線層３２には接続され
ているが、第５配線層３１には接続されていない。この
ように、第５配線層３１は、ダミーＢＶＨ８０に接続さ
れないように、予め形成しておく。なお、多層配線基板
１００には、必要に応じて、積層された配線層の間を電
気的に接続するスルーホール６０を設けても良い。
【００２１】このように、第２基板２０を挟んでＢＶＨ
７０と対称となる位置に、ＢＶＨ７０と略同一構造から
なるダミーＢＶＨ８０を設けることにより、第１基板１
０と第３基板３０との間の膨張率等の違いを低減でき
る。この結果、多層配線基板１００の製造工程において
発生していた多層配線基板１００の反りを防止できる。
これにより、多層配線基板１００に、ＩＣ等を実装した
場合の、接続不良を防止し、信頼性の高い半導体モジュ
ールを得ることができる。
７０と対称となる位置に、ＢＶＨ７０と略同一構造から
なるダミーＢＶＨ８０を設けることにより、第１基板１
０と第３基板３０との間の膨張率等の違いを低減でき
る。この結果、多層配線基板１００の製造工程において
発生していた多層配線基板１００の反りを防止できる。
これにより、多層配線基板１００に、ＩＣ等を実装した
場合の、接続不良を防止し、信頼性の高い半導体モジュ
ールを得ることができる。
【００２２】なお、本実施の形態では、３つの基板をプ
リプレグで接続した、６層の配線層を有する多層配線基
板について述べたが、６層以外の配線層を有する多層配
線基板にかかる構造を適用することもできる。
リプレグで接続した、６層の配線層を有する多層配線基
板について述べたが、６層以外の配線層を有する多層配
線基板にかかる構造を適用することもできる。
【００２３】また、本実施の形態では、第１基板１０に
ＢＶＨ７０、第３基板３０にダミーＢＶＨ８０を有する
場合について説明したが、第３基板に、ダミーＢＶＨ８
０とともに、ＢＶＨ７０が形成されても構わない。この
場合には、第３基板のＢＶＨ７０と対称の位置の、第１
基板１０に、ダミーＢＶＨ８０が形成される。
ＢＶＨ７０、第３基板３０にダミーＢＶＨ８０を有する
場合について説明したが、第３基板に、ダミーＢＶＨ８
０とともに、ＢＶＨ７０が形成されても構わない。この
場合には、第３基板のＢＶＨ７０と対称の位置の、第１
基板１０に、ダミーＢＶＨ８０が形成される。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかるＢＶＨを有する多層配線基板では、多層配線基
板の反りに起因する半導体装置の実装不良を低減し、信
頼性の高い半導体モジュールを提供できる。
にかかるＢＶＨを有する多層配線基板では、多層配線基
板の反りに起因する半導体装置の実装不良を低減し、信
頼性の高い半導体モジュールを提供できる。
【図１】 本発明の実施の形態にかかる多層配線基板の
断面図である。
断面図である。
【図２】 多層配線基板に設けられたＢＶＨの概略図で
ある。
ある。
【図３】 多層配線基板に設けられたダミーＢＶＨの概
略図である。
略図である。
【図４】 従来の多層配線基板の断面図である。
１０ 第１基板、１１ 第１配線層、１２ 第２配線
層、１３ コア層、２０第２基板、３０ 第３基板、４
０、５０ プリプレグ層、６０ スルーホール、７０
ＢＶＨ、７１ 孔部、７２ 金属層、８０ ダミーＢＶ
Ｈ、８１ 孔部、８２ 金属層、１００ 多層配線基
板。
層、１３ コア層、２０第２基板、３０ 第３基板、４
０、５０ プリプレグ層、６０ スルーホール、７０
ＢＶＨ、７１ 孔部、７２ 金属層、８０ ダミーＢＶ
Ｈ、８１ 孔部、８２ 金属層、１００ 多層配線基
板。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5E317 AA24 AA28 BB01 BB11 CD31
GG09
5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AA41
AA43 AA60 BB01 BB20 CC02
CC08 CC31 DD02 DD32 EE02
EE06 EE07 FF01 GG15 GG28
HH11
Claims (7)
- 【請求項１】 多層化した配線層の間がＢＶＨで接続さ
れた多層配線基板であって、 第１主面と第２主面とを備えた絶縁板と、 該絶縁板の該第１主面上に設けられた第１配線層と、 該絶縁板の該第２主面上に設けられた第２配線層と、 該絶縁板中に、該第１配線層に対して略平行に設けられ
た埋め込み配線層と、 該第１主面に設けられ、該第１配線層と該埋め込み配線
層とを電気的に接続するＢＶＨとを含み、 該絶縁板を挟んで該ＢＶＨと対向する該第２主面に、該
ＢＶＨと略同一構造で該埋め込み配線層とは接続されな
いダミーＢＶＨが設けられたことを特徴とする多層配線
基板。 - 【請求項２】 上記絶縁板が、少なくとも、 上記第１配線層と第３配線層とに挟まれた第１コア層
と、 上記第２配線層と第４配線層とに挟まれた第２コア層と
を含み、 該第１コア層を貫通して設けられた上記ＢＶＨが、該第
１配線層と該第３配線層とを電気的に接続し、該第２コ
ア層を貫通して設けられた上記ダミーＢＶＨが、該第４
配線層に接続されないことを特徴とする請求項１に記載
の多層配線基板。 - 【請求項３】 上記第４配線層が、該ダミーＢＶＨから
間隔を隔てて上記第２コア層上に設けられたことを特徴
とする請求項２に記載の多層配線基板。 - 【請求項４】 上記絶縁板が、両面に配線層が設けられ
た複数のコア層と、該コア層に挟まれて該コア層同士を
接続するプリプレグ層とを含むことを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載の多層配線基板。 - 【請求項５】 上記ＢＶＨが、上記第１基板に設けられ
た孔部と該孔部内に設けられた金属層とを含み、上記ダ
ミーＢＶＨが、上記第２基板に設けられた孔部と該孔部
内に設けられた金属層とを含むことを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載の多層配線基板。 - 【請求項６】 上記孔部が、中心線を略同一とした円筒
形状の孔部からなり、上記金属層で該孔部の内壁を覆っ
たことを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板。 - 【請求項７】 少なくとも上記第１コア層と上記第２コ
ア層とが、略同一組成で略同一膜厚のコア層からなるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層配
線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002000173A JP2003204158A (ja) | 2002-01-04 | 2002-01-04 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002000173A JP2003204158A (ja) | 2002-01-04 | 2002-01-04 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003204158A true JP2003204158A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27640645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002000173A Pending JP2003204158A (ja) | 2002-01-04 | 2002-01-04 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003204158A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0732690U (ja) * | 1993-11-18 | 1995-06-16 | 有限会社シンセー | アドバル−ン |
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-
2002
- 2002-01-04 JP JP2002000173A patent/JP2003204158A/ja active Pending
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