JP2003198298A - Clamp circuit - Google Patents

Clamp circuit

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JP2003198298A
JP2003198298A JP2001394656A JP2001394656A JP2003198298A JP 2003198298 A JP2003198298 A JP 2003198298A JP 2001394656 A JP2001394656 A JP 2001394656A JP 2001394656 A JP2001394656 A JP 2001394656A JP 2003198298 A JP2003198298 A JP 2003198298A
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Japan
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transistor
collector
transistors
input terminal
emitter
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JP2001394656A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiko Inagaki
▲靖▼彦 稲垣
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Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a clamp circuit, capable of preventing semiconductor chip from becoming large-sized and clamping an input which exceeds the clamp potential by a large amount. <P>SOLUTION: The clamp circuit for clamping the voltage of an input terminal with a first transistor Q11 and a second transistor Q12 has a third transistor Q13, whose emitter is connected to a power source and collector and base are connected to the collector of the transistor Q12, and a fourth transistor Q14 whose emitter is connected to the power source, collector is connected to the collector of the transistor Q11 and the base is commonly connected to the base of the transistor Q13, to form a current mirror circuit. When the transistor Q12 is turned on, the collector current of the transistor Q14 is fed back positively to the base of the transistor Q11 and an emitter current of the transistor Q12 increases, and the input which exceeds the clamp current by a large amount can be clamped. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はクランプ回路に関
し、信号電圧を所定電位にクランプするクランプ回路に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a clamp circuit, and more particularly to a clamp circuit for clamping a signal voltage at a predetermined potential.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体集積回路では、回路素子
が正常に動作する入力信号の電圧範囲が設定されてい
る。このため、半導体集積回路の外部入力端子には入力
信号が上記電圧範囲から外れた場合に上記電圧範囲の上
限値または下限値にクランプするクランプ回路が設けら
れている。
2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor integrated circuit, a voltage range of an input signal in which a circuit element normally operates is set. Therefore, the external input terminal of the semiconductor integrated circuit is provided with a clamp circuit for clamping the input signal outside the voltage range to the upper limit value or the lower limit value of the voltage range.

【0003】図1は、従来クランプ回路の一例の回路図
を示す。同図中、外部入力端子10は抵抗R1を介して
外部の信号源12に接続されている。また、外部入力端
子10は半導体集積回路内で抵抗R2に接続されてい
る。抵抗R2は演算増幅器14及び抵抗R3と共に入力
バッファを構成している。
FIG. 1 shows a circuit diagram of an example of a conventional clamp circuit. In the figure, an external input terminal 10 is connected to an external signal source 12 via a resistor R1. The external input terminal 10 is connected to the resistor R2 in the semiconductor integrated circuit. The resistor R2 constitutes an input buffer together with the operational amplifier 14 and the resistor R3.

【0004】更に、外部入力端子10には、npnトラ
ンジスタQ2のエミッタが接続されている。トランジス
タQ2のコレクタは電源Vccに接続され、トランジス
タQ2のベースはnpnトランジスタQ1のベース及び
コレクタと接続されてカレントミラー構成とされてい
る。トランジスタQ1のエミッタは接地され、トランジ
スタQ1のコレクタは定電流源16を介して電源Vcc
に接続されており、トランジスタQ1,Q2及び定電流
源16でクランプ回路を構成している。
Further, the external input terminal 10 is connected to the emitter of the npn transistor Q2. The collector of the transistor Q2 is connected to the power supply Vcc, and the base of the transistor Q2 is connected to the base and collector of the npn transistor Q1 to form a current mirror configuration. The emitter of the transistor Q1 is grounded, and the collector of the transistor Q1 is connected to the power source Vcc via the constant current source 16.
, And the transistors Q1 and Q2 and the constant current source 16 form a clamp circuit.

【0005】ここで、外部入力端子10の入力電圧が正
の場合にはトランジスタQ2はオフしているが、外部入
力端子10の電位が負となるとトランジスタQ2はオン
してトランジスタQ2のエミッタ電流が抵抗R1に流れ
ることにより、外部入力端子10がトランジスタQ1の
エミッタ電位である略0Vから下がらないようにクラン
プしている。
Here, when the input voltage of the external input terminal 10 is positive, the transistor Q2 is off, but when the potential of the external input terminal 10 becomes negative, the transistor Q2 is turned on and the emitter current of the transistor Q2 changes. By flowing through the resistor R1, the external input terminal 10 is clamped so as not to drop from the emitter potential of the transistor Q1 of approximately 0V.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来のクランプ回路で
は、トランジスタQ1,Q2のエミッタ面積比が1:1
でトランジスタQ1のエミッタ電流I1を1μAとした
場合、外部入力端子10に印加される入力電圧が正の場
合にもトランジスタQ1には1μAのエミッタ電流I1
が流れ、外部入力端子10の電位が0Vとなった場合に
トランジスタQ2のエミッタ電流I2は1μAとなる。
In the conventional clamp circuit, the emitter area ratio of the transistors Q1 and Q2 is 1: 1.
When the emitter current I1 of the transistor Q1 is 1 μA, the emitter current I1 of 1 μA is applied to the transistor Q1 even when the input voltage applied to the external input terminal 10 is positive.
And the potential of the external input terminal 10 becomes 0 V, the emitter current I2 of the transistor Q2 becomes 1 μA.

【0007】しかし、外部入力端子10に大きな負電圧
が印加されると、トランジスタQ2のエミッタ電流I2
が1μAであるために、図2に示すように、外部入力端
子10の電位を0Vにクランプすることができず、半導
体集積回路の誤動作の原因となる。
However, when a large negative voltage is applied to the external input terminal 10, the emitter current I2 of the transistor Q2 is increased.
2 is 1 μA, the potential of the external input terminal 10 cannot be clamped to 0 V as shown in FIG. 2, which causes a malfunction of the semiconductor integrated circuit.

【0008】このため、トランジスタQ1,Q2のエミ
ッタ電流を例えば100μAに設定すると、図3に示す
ように、外部入力端子10の電位を0Vにクランプする
ことができるものの、常時トランジスタQ2で消費され
る電流が大きくなるという問題があった。なお、図2、
図3では、上段に実線で入力電圧、破線で外部入力端子
10の電圧を示し、下段に実線でトランジスタQ2のエ
ミッタ電流I2を示している。
Therefore, if the emitter currents of the transistors Q1 and Q2 are set to, for example, 100 μA, the potential of the external input terminal 10 can be clamped to 0 V as shown in FIG. 3, but it is constantly consumed by the transistor Q2. There was a problem that the current became large. Note that FIG.
In FIG. 3, the upper line shows the input voltage, the broken line shows the voltage of the external input terminal 10, and the lower line shows the emitter current I2 of the transistor Q2.

【0009】また、トランジスタQ2のエミッタ面積を
トランジスタQ1のエミッタ面積に対して大きくする
と、クランプ回路の構成面積が大きくなって半導体チッ
プが大型化するという問題が生じる。
If the emitter area of the transistor Q2 is made larger than the emitter area of the transistor Q1, there is a problem that the construction area of the clamp circuit becomes large and the semiconductor chip becomes large.

【0010】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、半導体チップの大型化を防止でき、クランプ電位を
大きく超える入力に対してクランプが可能なクランプ回
路を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a clamp circuit capable of preventing an increase in the size of a semiconductor chip and clamping an input that greatly exceeds the clamp potential.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、コレクタ及びベースを定電流源に接続された第1ト
ランジスタ(Q11,Q21)と、エミッタを入力端子
に接続された第2トランジスタ(Q12,Q22)とで
カレントミラー回路を構成し、前記入力端子の電圧をク
ランプするクランプ回路において、エミッタを電源に接
続されコレクタ及びベースを前記第2トランジスタ(Q
12,Q22)のコレクタに接続された第3トランジス
タ(Q13,Q23)と、エミッタを電源に接続されコ
レクタを前記第1トランジスタ(Q11,Q21)のコ
レクタに接続されベースを前記第3トランジスタ(Q1
3,Q23)と共通接続されてカレントミラー回路を構
成する第4トランジスタ(Q14,Q24)とを有する
ことにより、第2トランジスタ(Q12,Q22)がオ
ンすると第4トランジスタ(Q14,Q24)のコレク
タ電流が第1トランジスタ(Q11,Q21)のベース
に正帰還されて第2トランジスタ(Q12,Q22)の
エミッタ電流が増大し、クランプ電位を大きく超える入
力に対してクランプが可能となる。
According to a first aspect of the invention, there is provided a first transistor (Q11, Q21) having a collector and a base connected to a constant current source, and a second transistor having an emitter connected to an input terminal. (Q12, Q22) forms a current mirror circuit, and in the clamp circuit for clamping the voltage of the input terminal, the emitter is connected to the power supply and the collector and the base are connected to the second transistor (Q
12, Q22) and a third transistor (Q13, Q23) connected to the collector, and an emitter connected to the power supply, a collector connected to the collector of the first transistor (Q11, Q21), and a base connected to the third transistor (Q1).
3, Q23) and a fourth transistor (Q14, Q24) commonly connected to form a current mirror circuit, so that when the second transistor (Q12, Q22) turns on, the collector of the fourth transistor (Q14, Q24) The current is positively fed back to the base of the first transistor (Q11, Q21) to increase the emitter current of the second transistor (Q12, Q22), and it becomes possible to clamp an input that greatly exceeds the clamp potential.

【0012】請求項2に記載の発明は、請求項1記載の
クランプ回路において、前記第1、第2トランジスタ
(Q11,Q21,Q12,Q22)はnpnトランジ
スタであり、前記第3、第4トランジスタ(Q13,Q
23,Q14,Q24)はpnpトランジスタであるこ
とにより、入力端子の電圧を接地電位にクランプするこ
とができる。
According to a second aspect of the present invention, in the clamp circuit according to the first aspect, the first and second transistors (Q11, Q21, Q12, Q22) are npn transistors, and the third and fourth transistors. (Q13, Q
Since 23, Q14, Q24) are pnp transistors, the voltage of the input terminal can be clamped to the ground potential.

【0013】請求項3に記載の発明は、請求項1記載の
クランプ回路において、前記第1、第2トランジスタ
(Q11,Q21,Q12,Q22)はpnpトランジ
スタであり、前記第3、第4トランジスタ(Q13,Q
23,Q14,Q24)はnpnトランジスタであるこ
とにより、入力端子の電圧を電源の電位にクランプする
ことができる。
According to a third aspect of the present invention, in the clamp circuit according to the first aspect, the first and second transistors (Q11, Q21, Q12, Q22) are pnp transistors, and the third and fourth transistors. (Q13, Q
Since 23, Q14, Q24) are npn transistors, the voltage of the input terminal can be clamped to the potential of the power supply.

【0014】なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容
易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示
の態様に限定されるものではない。
It should be noted that the reference numerals in the above parentheses are given for easy understanding and are merely examples, and the present invention is not limited to the illustrated modes.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図4は、本発明クランプ回路の一
実施例の回路図を示す。同図中、外部入力端子20は抵
抗R11を介して外部の信号源22に接続されている。
また、外部入力端子20は半導体集積回路内で抵抗R1
2に接続されている。抵抗R12は演算増幅器24及び
抵抗R13と共に入力バッファを構成している。
FIG. 4 shows a circuit diagram of an embodiment of the clamp circuit according to the present invention. In the figure, the external input terminal 20 is connected to an external signal source 22 via a resistor R11.
Further, the external input terminal 20 is a resistor R1 in the semiconductor integrated circuit.
Connected to 2. The resistor R12 constitutes an input buffer together with the operational amplifier 24 and the resistor R13.

【0016】更に、外部入力端子20には、npnトラ
ンジスタQ12のエミッタが接続されている。トランジ
スタQ12のコレクタはpnpトランジスタQ13のコ
レクタに接続され、トランジスタQ12のベースはnp
nトランジスタQ11のベース及びコレクタと接続され
てカレントミラー回路を構成している。トランジスタQ
11のエミッタは接地されており、トランジスタQ11
のコレクタは定電流源26を介して電源Vccに接続さ
れると共に、pnpトランジスタQ14のコレクタに接
続されている。
Further, the external input terminal 20 is connected to the emitter of the npn transistor Q12. The collector of the transistor Q12 is connected to the collector of the pnp transistor Q13, and the base of the transistor Q12 is np.
It is connected to the base and collector of the n-transistor Q11 to form a current mirror circuit. Transistor Q
The emitter of 11 is grounded, and transistor Q11
Is connected to the power supply Vcc via the constant current source 26 and is also connected to the collector of the pnp transistor Q14.

【0017】トランジスタQ13のベース及びコレクタ
はトランジスタQ14のベースと接続されてカレントミ
ラー回路を構成しており、トランジスタQ13,Q14
それぞれのエミッタは電源Vccに接続されている。
The base and collector of the transistor Q13 are connected to the base of the transistor Q14 to form a current mirror circuit, and the transistors Q13 and Q14 are provided.
Each emitter is connected to the power supply Vcc.

【0018】ここで、外部入力端子20の入力電圧が正
の場合にはトランジスタQ12、Q13,Q14はオフ
しているが、外部入力端子20の電位が負となるとトラ
ンジスタQ12,Q13,Q14はオンしてトランジス
タQ12のエミッタ電流I2が抵抗R11に流れること
により、外部入力端子20がトランジスタQ11のエミ
ッタ電位である略0V(クランプ電位)から下がらない
ようにクランプする。
Here, when the input voltage of the external input terminal 20 is positive, the transistors Q12, Q13, Q14 are off, but when the potential of the external input terminal 20 becomes negative, the transistors Q12, Q13, Q14 are on. Then, the emitter current I2 of the transistor Q12 flows through the resistor R11, so that the external input terminal 20 is clamped so as not to drop from the emitter potential of the transistor Q11, which is approximately 0 V (clamp potential).

【0019】このとき、トランジスタQ14のコレクタ
電流がトランジスタQ11,Q12のベースに正帰還さ
れてトランジスタQ11,Q12で電流増幅されるた
め、トランジスタQ12のエミッタ電流I2は従来に比
して大幅に(例えば100倍程度)大きくなる。
At this time, since the collector current of the transistor Q14 is positively fed back to the bases of the transistors Q11 and Q12 and amplified by the transistors Q11 and Q12, the emitter current I2 of the transistor Q12 is significantly larger than that in the conventional case (for example, It becomes larger (about 100 times).

【0020】このため、トランジスタQ11,Q12の
エミッタ面積比が1:1でトランジスタQ11のエミッ
タ電流I1を1μAとした場合、外部入力端子20に印
加される入力電圧が正の場合はトランジスタQ11に1
μAのエミッタ電流I1が流れる。つまり、通常の消費
電流は小さい。
Therefore, when the emitter area ratio of the transistors Q11 and Q12 is 1: 1 and the emitter current I1 of the transistor Q11 is 1 μA, when the input voltage applied to the external input terminal 20 is positive, the transistor Q11 has one.
An emitter current I1 of μA flows. That is, the normal current consumption is small.

【0021】外部入力端子20に大きな負電圧が印加さ
れた場合、トランジスタQ14のエミッタ電流が正帰還
されることでトランジスタQ12のエミッタ電流I2は
外部入力端子20を略0Vにクランプするために必要な
電流を抵抗R11に流し、図5に示すように、外部入力
端子20の電位を0Vにクランプすることができる。こ
の回路は従来回路に対してトランジスタ2個の追加にす
ぎず、半導体チップの面積の増加は無いに等しい。
When a large negative voltage is applied to the external input terminal 20, the emitter current I2 of the transistor Q12 is necessary for clamping the external input terminal 20 to about 0V by positively feeding back the emitter current of the transistor Q14. A current can be passed through the resistor R11 to clamp the potential of the external input terminal 20 to 0V as shown in FIG. This circuit is nothing more than the addition of two transistors to the conventional circuit, and there is almost no increase in the area of the semiconductor chip.

【0022】なお、図6は、外部入力端子20に演算増
幅器24と抵抗R11,R14で非反転増幅器を接続し
た変形例を示す。ここでのクランプ回路の動作は図4と
同様であり、その説明を省略する。
FIG. 6 shows a modification in which an operational amplifier 24 and a non-inverting amplifier are connected to the external input terminal 20 by resistors R11 and R14. The operation of the clamp circuit here is the same as that of FIG. 4, and the description thereof is omitted.

【0023】図7は、本発明クランプ回路の他実施例の
回路図を示す。同図中、外部入力端子30は抵抗R21
を介して外部の信号源32に接続されている。また、外
部入力端子30は半導体集積回路内で抵抗R22に接続
されている。抵抗R22は演算増幅器34及び抵抗R2
3と共に入力バッファを構成している。
FIG. 7 shows a circuit diagram of another embodiment of the clamp circuit of the present invention. In the figure, the external input terminal 30 is a resistor R21.
Is connected to an external signal source 32 via. The external input terminal 30 is connected to the resistor R22 in the semiconductor integrated circuit. The resistor R22 is the operational amplifier 34 and the resistor R2.
3 together with 3 form an input buffer.

【0024】更に、外部入力端子30には、pnpトラ
ンジスタQ22のエミッタが接続されている。トランジ
スタQ22のコレクタはnpnトランジスタQ23のコ
レクタに接続され、トランジスタQ22のベースはpn
pトランジスタQ21のベース及びコレクタと接続され
てカレントミラー回路を構成している。トランジスタQ
21のエミッタは電源Vccに接続されており、トラン
ジスタQ21のコレクタは定電流源36を介して接地さ
れると共に、npnトランジスタQ24のコレクタに接
続されている。
Further, the external input terminal 30 is connected to the emitter of the pnp transistor Q22. The collector of the transistor Q22 is connected to the collector of the npn transistor Q23, and the base of the transistor Q22 is pn.
It is connected to the base and collector of the p-transistor Q21 to form a current mirror circuit. Transistor Q
The emitter of 21 is connected to the power supply Vcc, the collector of the transistor Q21 is grounded via the constant current source 36, and is connected to the collector of the npn transistor Q24.

【0025】トランジスタQ23のベース及びコレクタ
はトランジスタQ24のベースと接続されてカレントミ
ラー回路を構成しており、トランジスタQ23,Q24
それぞれのエミッタは接地されている。
The base and collector of the transistor Q23 are connected to the base of the transistor Q24 to form a current mirror circuit, and the transistors Q23 and Q24 are provided.
Each emitter is grounded.

【0026】ここで、外部入力端子30の入力電圧が電
源Vccの電位(電位Vccという)以下の場合にはト
ランジスタQ22、Q23,Q24はオフしているが、
外部入力端子30の電位が電位Vccを超えるとトラン
ジスタQ22,Q23,Q24はオンしてトランジスタ
Q22のエミッタ電流I2が抵抗R21に流れることに
より、外部入力端子30がトランジスタQ21のエミッ
タ電位である電位Vcc(クランプ電位)を超えないよ
うにクランプする。
Here, when the input voltage of the external input terminal 30 is equal to or lower than the potential of the power source Vcc (referred to as the potential Vcc), the transistors Q22, Q23 and Q24 are off,
When the potential of the external input terminal 30 exceeds the potential Vcc, the transistors Q22, Q23, Q24 are turned on and the emitter current I2 of the transistor Q22 flows through the resistor R21, so that the external input terminal 30 becomes the potential Vcc which is the emitter potential of the transistor Q21. Clamp not to exceed (clamp potential).

【0027】このとき、トランジスタQ24のコレクタ
電流がトランジスタQ21,Q22のベースに正帰還さ
れてトランジスタQ21,Q22で電流増幅されるた
め、トランジスタQ22のエミッタ電流は従来に比して
大幅に大きくなる。外部入力端子30が電位Vccを大
きく超えた場合、トランジスタQ24のエミッタ電流が
正帰還されることでトランジスタQ22のエミッタ電流
は外部入力端子30を電位Vccにクランプするために
必要な電流を抵抗R21に流す。
At this time, the collector current of the transistor Q24 is positively fed back to the bases of the transistors Q21 and Q22 and amplified by the transistors Q21 and Q22, so that the emitter current of the transistor Q22 becomes significantly larger than that in the conventional case. When the external input terminal 30 greatly exceeds the potential Vcc, the emitter current of the transistor Q24 is positively fed back, so that the emitter current of the transistor Q22 supplies the resistor R21 with the current necessary to clamp the external input terminal 30 to the potential Vcc. Shed.

【0028】[0028]

【発明の効果】上述の如く、請求項1に記載の発明は、
エミッタを電源に接続されコレクタ及びベースを第2ト
ランジスタのコレクタに接続された第3トランジスタ
と、エミッタを電源に接続されコレクタを第1トランジ
スタのコレクタに接続されベースを第3トランジスタと
共通接続されてカレントミラー回路を構成する第4トラ
ンジスタとを有することにより、第2トランジスタがオ
ンすると第4トランジスタのコレクタ電流が第1トラン
ジスタのベースに正帰還されて第2トランジスタのエミ
ッタ電流が増大し、クランプ電位を大きく超える入力に
対してクランプが可能となる。
As described above, the invention according to claim 1 is
A third transistor having an emitter connected to the power supply and a collector and a base connected to the collector of the second transistor; and an emitter connected to the power supply, a collector connected to the collector of the first transistor and a base commonly connected to the third transistor. With the fourth transistor forming the current mirror circuit, when the second transistor is turned on, the collector current of the fourth transistor is positively fed back to the base of the first transistor to increase the emitter current of the second transistor, thereby increasing the clamp potential. Clamping is possible for inputs that greatly exceed.

【0029】請求項2に記載の発明は、第1、第2トラ
ンジスタはnpnトランジスタであり、第3、第4トラ
ンジスタはpnpトランジスタであることにより、入力
端子の電圧を接地電位にクランプすることができる。
According to a second aspect of the present invention, the first and second transistors are npn transistors and the third and fourth transistors are pnp transistors, so that the voltage at the input terminal can be clamped to the ground potential. it can.

【0030】請求項3に記載の発明は、第1、第2トラ
ンジスタはpnpトランジスタであり、第3、第4トラ
ンジスタはnpnトランジスタであることにより、入力
端子の電圧を電源の電位にクランプすることができる。
According to a third aspect of the invention, the first and second transistors are pnp transistors, and the third and fourth transistors are npn transistors, so that the voltage of the input terminal is clamped to the potential of the power supply. You can

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来クランプ回路の一例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an example of a conventional clamp circuit.

【図2】図1の回路各部の信号波形図である。FIG. 2 is a signal waveform diagram of each part of the circuit of FIG.

【図3】図1の回路各部の信号波形図である。FIG. 3 is a signal waveform diagram of each part of the circuit of FIG.

【図4】本発明クランプ回路の一実施例の回路図であ
る。
FIG. 4 is a circuit diagram of an embodiment of a clamp circuit according to the present invention.

【図5】図4の回路各部の信号波形図である。5 is a signal waveform diagram of each part of the circuit of FIG.

【図6】本発明クランプ回路の変形例の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a modified example of the clamp circuit of the present invention.

【図7】本発明クランプ回路の他実施例の回路図であ
る。
FIG. 7 is a circuit diagram of another embodiment of the clamp circuit according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20,30 外部入力端子 22,32 信号源 24,34 演算増幅器 26,36 定電流源 R11〜R14,R21〜R23 抵抗 Q11,Q12,Q23,Q24 npnトランジスタ Q13,Q14,Q21,Q22 pnpトランジスタ 20, 30 External input terminal 22,32 signal source 24,34 Operational amplifier 26,36 constant current source R11 to R14, R21 to R23 resistors Q11, Q12, Q23, Q24 npn transistors Q13, Q14, Q21, Q22 pnp transistor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コレクタ及びベースを定電流源に接続さ
れた第1トランジスタと、エミッタを入力端子に接続さ
れた第2トランジスタとでカレントミラー回路を構成
し、前記入力端子の電圧をクランプするクランプ回路に
おいて、 エミッタを電源に接続されコレクタ及びベースを前記第
2トランジスタのコレクタに接続された第3トランジス
タと、 エミッタを電源に接続されコレクタを前記第1トランジ
スタのコレクタに接続されベースを前記第3トランジス
タと共通接続されてカレントミラー回路を構成する第4
トランジスタとを有することを特徴とするクランプ回
路。
1. A clamp for forming a current mirror circuit with a first transistor having a collector and a base connected to a constant current source and a second transistor having an emitter connected to an input terminal, and clamping a voltage at the input terminal. A third transistor having an emitter connected to the power supply and a collector and a base connected to the collector of the second transistor; and an emitter connected to the power supply and a collector connected to the collector of the first transistor to a third base Fourth connection with a transistor to form a current mirror circuit
A clamp circuit having a transistor.
【請求項2】 請求項1記載のクランプ回路において、 前記第1、第2トランジスタはnpnトランジスタであ
り、 前記第3、第4トランジスタはpnpトランジスタであ
ることを特徴とするクランプ回路。
2. The clamp circuit according to claim 1, wherein the first and second transistors are npn transistors, and the third and fourth transistors are pnp transistors.
【請求項3】 請求項1記載のクランプ回路において、 前記第1、第2トランジスタはpnpトランジスタであ
り、 前記第3、第4トランジスタはnpnトランジスタであ
ることを特徴とするクランプ回路。
3. The clamp circuit according to claim 1, wherein the first and second transistors are pnp transistors, and the third and fourth transistors are npn transistors.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2008121597A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-09 Linear Technology Corporation Method for clamping a semiconductor region at or near ground
JP2010541498A (en) * 2007-10-03 2010-12-24 クゥアルコム・インコーポレイテッド Dual path current amplifier

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