JP2003197824A - Ceramic circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、主に高出力用トラ
ンジスタ、パワーモジュール等の実装に用いられるセラ
ミックス回路基板に係り、特に他部材との固定に用いら
れる貫通孔の強度に優れたセラミックス回路基板に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic circuit board mainly used for mounting high-power transistors, power modules, etc., and particularly to a ceramic circuit excellent in strength of a through hole used for fixing to other members. Regarding the substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、パワートランジスタモジュール用
基板やスイッチング電源モジュール用基板等の回路基板
として、セラミックス基板上に銅板、アルミニウム板、
各種クラッド板等の金属板を接合したセラミックス回路
基板が広く使用されている。また、上記セラミックス基
板としては、安価で汎用性が高いアルミナ（Ａｌ
２Ｏ３）基板、または電気絶縁性を有すると共に熱伝導
性に優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板や窒化けい
素（Ｓｉ３Ｎ４）基板等が一般的に使用されている。2. Description of the Related Art In recent years, copper plates, aluminum plates, ceramic plates, ceramic plates, etc. have been used on circuit boards such as substrates for power transistor modules and switching power supply modules.
Ceramic circuit boards in which metal plates such as various clad plates are joined are widely used. Further, as the ceramic substrate, alumina (Al
A 2 O 3 ) substrate, an aluminum nitride (AlN) substrate, a silicon nitride (Si 3 N 4 ) substrate, or the like having electrical insulation and excellent thermal conductivity are generally used.
【０００３】上述したような銅板等で回路を構成したセ
ラミックス回路基板は、例えば図３に示されるように、
セラミックス基板１の一方の表面に金属回路板としての
銅板４を接合する一方、他方の表面に裏金属板としての
銅板を接合して形成されている。A ceramics circuit board having a circuit formed of a copper plate or the like as described above is, for example, as shown in FIG.
It is formed by bonding a copper plate 4 as a metal circuit board to one surface of the ceramics substrate 1 and a copper plate as a back metal plate on the other surface.
【０００４】このようなパワートランジスタモジュール
用基板やスイッチング電源モジュール用基板等に使用さ
れるセラミックス回路基板には、高い電気絶縁性と熱衝
撃に対する信頼性が要求されるとともに、ヒートシン
ク、実装ボード、機械ケーシング等のベース部材との間
に高い接合強度が要求されている。A ceramic circuit board used for such a substrate for a power transistor module or a substrate for a switching power supply module is required to have high electrical insulation and reliability against thermal shock, as well as a heat sink, a mounting board and a machine. High joint strength with a base member such as a casing is required.
【０００５】セラミックス回路基板とベース部材等との
接合には、はんだ等のろう材を介して接合する手法が広
く利用されているが、さらに信頼性を向上させるため、
例えば図３に示されるように、セラミックス回路基板１
の角部付近に貫通孔２を形成し、この貫通孔２を利用し
てネジ等で固定する手法も多用されるようになってい
る。A method of joining a ceramic circuit board and a base member or the like through a brazing material such as solder has been widely used, but in order to further improve the reliability,
For example, as shown in FIG. 3, the ceramic circuit board 1
A method in which a through hole 2 is formed in the vicinity of a corner portion of and is fixed by a screw or the like using the through hole 2 is also widely used.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな貫通孔を有するセラミックス回路基板においては、
ベース部材等へネジ止めする際の締着力が僅かでも大き
くなると、セラミックス基板とネジとの接触部分、特に
セラミックス基板の貫通孔周辺部分にクラックが入って
しまうことがある。However, in the ceramic circuit board having such a through hole,
If the fastening force when screwing to the base member or the like is increased even slightly, cracks may occur at the contact portion between the ceramic substrate and the screw, especially at the peripheral portion of the through hole of the ceramic substrate.
【０００７】また、半導体素子の高集積化および高出力
化に伴い熱サイクル負荷も大幅に上昇しており、セラミ
ックス基板とネジとの接触部分、特に負荷が集中しやす
い貫通孔周辺部分を起点としてクラックが発生しやすく
なっている。In addition, the thermal cycle load has increased significantly with the high integration and high output of semiconductor elements, and the starting point is the contact portion between the ceramic substrate and the screw, especially the peripheral portion of the through hole where the load tends to concentrate. Cracks are likely to occur.
【０００８】さらに、近年、セラミックス回路基板の薄
型化が進んでおり、これに使用されるセラミックス基板
についても薄型化が求められている。このためセラミッ
クス基板の強度は必然的に低下しており、特に上記した
ようなセラミックス基板の貫通孔周辺部分には、ネジ止
めの際や使用時の応力によりクラック等が発生しやすく
なっていることから、その抑制が求められている。Further, in recent years, ceramic circuit boards have been made thinner, and ceramic substrates used therein have also been required to be made thinner. For this reason, the strength of the ceramic substrate is inevitably reduced, and cracks are likely to occur in the peripheral portion of the through hole of the ceramic substrate due to stress during screwing or during use, in particular. Therefore, the suppression is required.
【０００９】本発明は上記したような課題を解決するた
めになされたものであって、ネジ止めの際や使用時の応
力によるセラミックス基板貫通孔周辺部分の損傷が抑制
可能なセラミックス回路基板を提供することを目的とし
ている。The present invention has been made to solve the above problems, and provides a ceramics circuit board capable of suppressing damage to the peripheral portion of the through hole of the ceramics board due to stress during screwing or during use. The purpose is to do.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックス回
路基板は、セラミックス基板の表裏両主面に金属板が接
合されたセラミックス回路基板において、前記セラミッ
クス基板は両主面間を繋ぐ貫通孔を有し、前記貫通孔の
なかから選ばれる少なくとも一つの貫通孔の少なくとも
一方の端部に補強部材が具備されていることを特徴とす
る。The ceramics circuit board of the present invention is a ceramics circuit board in which metal plates are bonded to both front and back main surfaces of the ceramics board, and the ceramics board has through holes connecting the two main surfaces. However, a reinforcing member is provided at at least one end of at least one through hole selected from the through holes.
【００１１】前記補強部材は前記貫通孔の周囲に連続的
に形成され、かつ前記貫通孔の縁部から所定の範囲まで
形成されていることが好ましく、例えば金属材料からな
るものであることが好ましい。また、前記貫通孔は、前
記セラミックス回路基板の長手方向の中心を通り、かつ
長手方向に垂直な直線に対して対称に形成されているこ
とが好ましい。前記貫通孔は、例えば前記セラミックス
基板をネジ止めするための孔として利用することができ
る。It is preferable that the reinforcing member is continuously formed around the through hole and is formed up to a predetermined range from an edge portion of the through hole, and is preferably made of, for example, a metal material. . Further, it is preferable that the through hole is formed symmetrically with respect to a straight line passing through the center of the ceramic circuit board in the longitudinal direction and perpendicular to the longitudinal direction. The through hole can be used, for example, as a hole for screwing the ceramic substrate.
【００１２】前記セラミックス基板は、窒化アルミニウ
ム、窒化けい素、アルミナ、およびアルミナとジルコニ
アの化合物の中から選ばれる少なくとも１種を主成分と
する焼結体からなることが好ましく、その板厚が０．８
ｍｍ以下であることが好ましい。また、前記補強部材が
活性金属ろう材またはＡｌろう材を用いて接合されるこ
と、さらには前記補強部材と前記金属板とが同じ材質か
らなることが好ましい。The ceramic substrate is preferably made of a sintered body containing at least one selected from aluminum nitride, silicon nitride, alumina, and a compound of alumina and zirconia as a main component, and has a plate thickness of 0. .8
It is preferably not more than mm. Further, it is preferable that the reinforcing member is joined by using an active metal brazing material or an Al brazing material, and that the reinforcing member and the metal plate are made of the same material.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１４】図１は本発明のセラミックス回路基板の一
例を示した外観図であり、図２は本発明のセラミックス
回路基板の一例を示した断面図である。FIG. 1 is an external view showing an example of the ceramic circuit board of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing an example of the ceramic circuit board of the present invention.
【００１５】セラミックス回路基板を構成するセラミッ
クス基板１には、少なくとも１つの貫通孔２が形成され
ている。この貫通孔２は、例えばネジ止め等に利用され
るものであり、その端部には補強部材３が設けられてい
る。本発明では貫通孔２の少なくとも１つに補強部材３
が設けられていることによって、ネジ止めの際や使用時
にかかる負荷により、貫通孔を起点とするクラックの発
生等を抑制することができる。At least one through hole 2 is formed in the ceramic substrate 1 which constitutes the ceramic circuit substrate. The through hole 2 is used, for example, for screwing, and a reinforcing member 3 is provided at the end thereof. In the present invention, the reinforcing member 3 is provided in at least one of the through holes 2.
With the provision of, it is possible to suppress the occurrence of cracks originating from the through holes due to the load applied during screwing or during use.
【００１６】また、セラミックス基板１の両主面には、
貫通孔２が形成された部分を除いて、金属板４が接合さ
れている。この金属板４のうち少なくとも一方は回路板
として使用される。回路板として使用する際は、所定の
回路形状のものを使用してよいことは言うまでもない。
また、回路板として使用しない際の裏金属板は貫通孔を
覆うサイズでもよく、また貫通孔を覆わないサイズでも
よく、特にサイズは限定されるものではない。On both main surfaces of the ceramic substrate 1,
The metal plate 4 is joined except for the portion where the through hole 2 is formed. At least one of the metal plates 4 is used as a circuit board. Needless to say, when used as a circuit board, one having a predetermined circuit shape may be used.
The back metal plate when not used as a circuit board may have a size that covers the through holes or a size that does not cover the through holes, and the size is not particularly limited.
【００１７】セラミックス基板１に形成される貫通孔２
は、少なくとも１つ設けられていればよいが、貫通孔２
への負荷を低減させるために複数設けることが好まし
い。貫通孔２の形成位置はセラミックス基板１やこれに
接合される金属板４の形状や大きさにより適宜選択する
ことができるが、例えばセラミックス基板１の各角部等
に形成することが好ましい。また、貫通孔２の内面のネ
ジ溝の有無は、特に限定されるものではない。Through hole 2 formed in ceramic substrate 1
Is sufficient if at least one is provided, but the through hole 2
It is preferable to provide a plurality of them in order to reduce the load on them. The formation position of the through hole 2 can be appropriately selected depending on the shape and size of the ceramic substrate 1 and the metal plate 4 bonded to the ceramic substrate 1, but it is preferably formed at each corner of the ceramic substrate 1, for example. The presence or absence of the thread groove on the inner surface of the through hole 2 is not particularly limited.
【００１８】貫通孔を複数形成する場合には、セラミッ
クス基板の長手方向の中心を通り、かつ長手方向に垂直
な直線（中心線５）を引いた場合、この中心線５に対し
て対称な位置となるように形成されていることが好まし
い。このような配置とすることにより、各貫通孔２にか
かる負荷を均等にし、クラックの発生を低減することが
可能となる。また、このような配置とすることにより、
セラミックス回路基板の方向性がなくなるため、セラミ
ックス回路基板を固定する際に左右または上下の区別な
く固定することが可能となり、作業性も向上する。When forming a plurality of through holes, when a straight line (center line 5) passing through the center of the ceramic substrate in the longitudinal direction and perpendicular to the longitudinal direction is drawn, a position symmetrical to the center line 5 is drawn. It is preferable that it is formed so that With such an arrangement, it is possible to equalize the load applied to each through hole 2 and reduce the occurrence of cracks. Also, with this arrangement,
Since the directionality of the ceramic circuit board is eliminated, it is possible to fix the ceramic circuit board without distinction between right and left or up and down, and workability is also improved.
【００１９】補強部材３は必ずしも貫通孔２の両端部に
設ける必要はなく、貫通孔２の少なくとも一方の端部に
設けられていれば、貫通孔２を起点とするクラックの発
生を抑制することができる。The reinforcing member 3 does not necessarily have to be provided at both ends of the through hole 2, and if provided at at least one end of the through hole 2, the occurrence of cracks originating from the through hole 2 can be suppressed. You can
【００２０】補強部材３を貫通孔２の一方の端部のみに
形成する場合には、ネジ止めの際にネジの頭部が接触す
る側の貫通孔２端部に形成されていることが好ましい。
このような部分に形成されていることで、ネジ頭部とセ
ラミックス基板との直接的な接触を防ぎ、クラックの発
生を有効に抑制することが可能となる。好ましくは、貫
通孔２の両端部に補強部材３を形成することで、貫通孔
２周辺部の強度をより一層向上させることが可能とな
り、クラックの発生を有効に抑制することが可能とな
る。When the reinforcing member 3 is formed only on one end of the through hole 2, it is preferable that the reinforcing member 3 is formed on the end of the through hole 2 on the side where the head of the screw comes into contact when screwing. .
By being formed in such a portion, it is possible to prevent direct contact between the screw head and the ceramic substrate and effectively suppress the occurrence of cracks. Preferably, by forming the reinforcing members 3 at both ends of the through hole 2, it is possible to further improve the strength of the peripheral portion of the through hole 2 and effectively suppress the occurrence of cracks.
【００２１】補強部材３の形状は特に制限されるもので
はないが、図１に示されるように貫通孔２の周囲に連続
的に形成されていることが好ましい。これは、補強部材
３が連続していない部分があると、その部分に負荷が集
中してしまい、クラックが発生しやすくなる場合がある
ためである。このような形状としては、例えば円状、多
角形状のものであって、その中心部に貫通孔を有するも
のが挙げられる。The shape of the reinforcing member 3 is not particularly limited, but it is preferable that the reinforcing member 3 is continuously formed around the through hole 2 as shown in FIG. This is because if there is a portion where the reinforcing member 3 is not continuous, the load concentrates on that portion, and cracks are likely to occur. As such a shape, for example, a circular shape or a polygonal shape having a through hole in the center thereof can be mentioned.
【００２２】また、補強部材３は、貫通孔２の縁部から
一定の距離まで形成することが好ましい。補強部材３の
形成範囲が少ないと、クラックの発生を有効に抑制する
ことが困難となり、また形成範囲を必要以上に大きくし
ても、クラックの発生を抑制する効果は大きく変化せ
ず、かえって回路板等の金属板の形成範囲を狭めてしま
う。例えば、金属等からなるネジを利用して他部材と固
定する場合、補強部材３の形成範囲はネジの頭部と同等
の大きさ、あるいはそれより僅かに大きくすることが好
ましい。The reinforcing member 3 is preferably formed up to a certain distance from the edge of the through hole 2. If the forming range of the reinforcing member 3 is small, it becomes difficult to effectively suppress the generation of cracks, and even if the forming range is increased more than necessary, the effect of suppressing the generation of cracks does not change significantly, and rather the circuit The formation range of metal plates such as plates is narrowed. For example, when a screw made of metal or the like is used to fix the member to another member, it is preferable that the forming range of the reinforcing member 3 be equal to or slightly larger than the head of the screw.
【００２３】一応の目安として、ネジの頭部と同じ大き
さから２ｍｍ程度大きいことが好ましい。２ｍｍを超え
て大きくしても、セラミックス基板上での回路板の形成
面積が小さくなってしまうので、必ずしもよいとは言え
ない。また、補強部材３の厚さは０．１ｍｍ以上、さら
には０．１〜０．３ｍｍとすることが好ましい。補強部
材３の厚さが０．１ｍｍ未満では補強の効果が小さい。
また、０．３ｍｍを超えたものは補強の効果は十分であ
るが、補強部材として金属板を使用した場合に、あまり
厚い金属板を使用すると金属板とセラミックス基板との
熱膨張差によりセラミックス基板にクラックが生じる可
能性がでてくるので必ずしもよいとは言えない。As a rough guide, it is preferable that the head is as large as the head of the screw or larger by about 2 mm. Even if it exceeds 2 mm, the area of the circuit board formed on the ceramic substrate becomes small, and therefore it is not always good. The thickness of the reinforcing member 3 is preferably 0.1 mm or more, and more preferably 0.1 to 0.3 mm. If the thickness of the reinforcing member 3 is less than 0.1 mm, the reinforcing effect is small.
Further, if the thickness exceeds 0.3 mm, the reinforcing effect is sufficient, but when a metal plate is used as the reinforcing member, if a too thick metal plate is used, the difference in thermal expansion between the metal plate and the ceramic substrate causes a ceramic substrate It is not always good because cracks may occur in the.
【００２４】なお、本発明においては必ずしもネジ溝を
有するようなネジのみに限られず、セラミックス回路基
板の貫通孔２を利用して固定する一般的な固定部材、例
えばピン状、釘状の固定部材を用いる場合であっても十
分な効果を有するものである。また、固定方法に関して
もネジ溝を利用したボルト（雄ネジ）とナット（雌ネ
ジ）のような方式で固定する方法であってもよいし、ネ
ジ溝のないネジ（ピン等の固定部材）を使用し、ネジの
先端をかしめる方式または半田等のろう材や接着剤で固
定する方式であってもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the screw having the thread groove, but a general fixing member for fixing by utilizing the through hole 2 of the ceramic circuit board, for example, a pin-shaped or nail-shaped fixing member. Even when using, it has a sufficient effect. As for the fixing method, a method of fixing a bolt (male screw) and a nut (female screw) using a screw groove may be used, or a screw having no screw groove (a fixing member such as a pin) may be used. It may be used and the method of caulking the tip of the screw or the method of fixing with a brazing material such as solder or an adhesive.
【００２５】セラミックス回路基板を構成するセラミッ
クス基板としては、特に限定されるものではなく、酸化
アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）、ジルコニア
（ＺｒＯ）等の酸化物系セラミックス基板の他に、窒化
アルミニウム（ＡｌＮ），窒化けい素（Ｓｉ３Ｎ４），
窒化チタン（ＴｉＮ）等の窒化物、炭化けい素（Ｓｉ
Ｃ），炭化チタン（ＴｉＣ）等の炭化物、または窒化ホ
ウ素（ＢＮ）等の非酸化物系セラミックス基板でもよ
い。しかしながら、より高い電気絶縁性を確保するため
には、ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２の少
なくとも１種を主成分とするセラミックス焼結体からな
るセラミックス基板が好ましい。なお、本発明における
アルミナとジルコニアの化合物とは、アルミナ：ジルコ
ニアの重量比（質量％比）が２０：８０〜８０：２０、
かつ焼結体中のアルミナとジルコニアの合計量が９０質
量％以上となるものを示すものである。The ceramics substrate constituting the ceramics circuit substrate is not particularly limited, and in addition to oxide ceramics substrates such as aluminum oxide (alumina: Al 2 O 3 ) and zirconia (ZrO), aluminum nitride is also used. (AlN), silicon nitride (Si 3 N 4 ),
Nitride such as titanium nitride (TiN), silicon carbide (Si
C), a carbide such as titanium carbide (TiC), or a non-oxide ceramic substrate such as boron nitride (BN). However, in order to secure higher electric insulation, a ceramic substrate made of a ceramic sintered body containing at least one of AlN, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 and ZrO 2 as a main component is preferable. In the present invention, the compound of alumina and zirconia has a weight ratio (mass% ratio) of alumina: zirconia of 20:80 to 80:20,
In addition, the total amount of alumina and zirconia in the sintered body is 90% by mass or more.
【００２６】これらのセラミックス基板には酸化イット
リウムなどの希土類化合物、酸化カルシウムなどのアル
カリ土類化合物、タングステン酸化物などの遷移金属化
合物などの各種焼結助剤等が含有されていてもよい。These ceramic substrates may contain rare earth compounds such as yttrium oxide, alkaline earth compounds such as calcium oxide, and various sintering aids such as transition metal compounds such as tungsten oxide.
【００２７】また、セラミックス基板の板厚は０．８ｍ
ｍ以下であることが好ましい。セラミックス基板の板厚
を０．８ｍｍ以下とすることにより、熱抵抗が低減さ
れ、回路基板の放熱性が向上される。また、本発明で
は、セラミックス基板の貫通孔の端部に補強部材を設け
ることにより、特に０．８ｍｍ以下といった薄いセラミ
ックス基板についてもネジ止めする際や使用時にかかる
応力によりクラックが発生することを有効に抑制するこ
とができる。The thickness of the ceramic substrate is 0.8 m.
It is preferably m or less. By setting the thickness of the ceramic substrate to 0.8 mm or less, the thermal resistance is reduced and the heat dissipation of the circuit board is improved. Further, in the present invention, it is effective to provide a reinforcing member at the end of the through hole of the ceramic substrate so that cracks may be generated due to stress applied when screwing or using even a thin ceramic substrate of 0.8 mm or less. Can be suppressed.
【００２８】本発明におけるより好ましいセラミックス
基板の板厚は、０．１５〜０．７ｍｍ、さらには０．１
５〜０．５ｍｍである。セラミックス基板の熱伝導率は
アルミナ基板で２０〜４０Ｗ／ｍ・Ｋ、窒化けい素基板
で６０〜１２０Ｗ／ｍ・Ｋ、窒化アルミニウム基板で１
６０〜２３０Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、銅板（４００Ｗ／
ｍ・Ｋ程度）と比べると熱伝導率は劣ってしまう。その
ため、セラミックス基板は銅板等の金属板と比べるとど
うしても熱抵抗体になってしまう。そこで、セラミック
ス基板の板厚を薄くすることにより熱抵抗を下げ、実質
的に回路基板としての放熱性を向上させる。しかしなが
ら、セラミックス基板の板厚が０．１ｍｍより薄くなる
と基板の強度が低下し、ネジ止め等の応力に耐えられな
くなるおそれがあるため本発明では好ましい板厚として
上記数値を示した。The more preferable ceramic substrate thickness in the present invention is 0.15 to 0.7 mm, and more preferably 0.1 to 0.7 mm.
It is 5 to 0.5 mm. The ceramic substrate has a thermal conductivity of 20 to 40 W / mK for an alumina substrate, 60 to 120 W / mK for a silicon nitride substrate, and 1 for an aluminum nitride substrate.
It is about 60 to 230 W / mK and is a copper plate (400 W /
The thermal conductivity is inferior to that of m.K). Therefore, the ceramics substrate becomes a thermal resistor inevitably as compared with a metal plate such as a copper plate. Therefore, by reducing the thickness of the ceramics substrate, the thermal resistance is reduced, and the heat dissipation of the circuit substrate is substantially improved. However, when the thickness of the ceramic substrate is less than 0.1 mm, the strength of the substrate is lowered and there is a risk that it will not be able to withstand stress such as screwing.
【００２９】このようなセラミックス基板に接合される
金属板または回路板を構成する金属としては、銅、アル
ミニウム、鉄、ニッケル、クロム、銀、モリブデン、コ
バルトの単体またはその合金またはクラッド材が挙げら
れ、特に限定されるものではないが、導電性などに優れ
る銅、アルミニウムまたはその合金またはクラッド材が
好ましい。Examples of the metal constituting the metal plate or circuit board bonded to such a ceramic substrate include copper, aluminum, iron, nickel, chromium, silver, molybdenum, cobalt alone or an alloy thereof or a clad material. Although not particularly limited, copper, aluminum, an alloy thereof, or a clad material having excellent conductivity is preferable.
【００３０】金属板とセラミックス基板とは、例えば直
接接合法、活性金属接合法、あるいはＡｌろう材接合ま
たは接着剤により接合される。The metal plate and the ceramic substrate are joined by, for example, a direct joining method, an active metal joining method, or an Al brazing material joining or an adhesive.
【００３１】以下に直接接合法による金属板の接合方法
を説明する。例えば、金属板として銅板を使用し、直接
接合法によって金属板をアルミナ基板に接合する場合に
は、酸素を１００〜１０００ｐｐｍ含有するタフピッチ
電解銅からなる銅板を使用し、さらに後述するように銅
板表面に所定厚さの酸化銅層を予め形成し、直接接合時
に発生するＣｕ−Ｏ共晶の量を増加させ、セラミックス
基板と銅板とを接合することが好ましい。A method for joining metal plates by the direct joining method will be described below. For example, when a copper plate is used as the metal plate and the metal plate is bonded to the alumina substrate by the direct bonding method, a copper plate made of tough pitch electrolytic copper containing 100 to 1000 ppm of oxygen is used, and the copper plate surface is further described below. It is preferable that a copper oxide layer having a predetermined thickness is formed in advance to increase the amount of Cu—O eutectic generated during direct bonding, and the ceramic substrate and the copper plate are bonded together.
【００３２】上記酸化銅層などの酸化物層は、例えば金
属板を大気中において温度１５０〜３６０℃の範囲にて
２０〜１２０秒間加熱する表面酸化処理を実施すること
によって形成することができる。また、窒化けい素や窒
化アルミニウムのような窒化物系のセラミックス基板に
接合する場合には、あらかじめセラミックス基板の表面
に酸化膜を形成しておくことが好ましい。The oxide layer such as the copper oxide layer can be formed, for example, by performing a surface oxidation treatment of heating a metal plate in the atmosphere at a temperature of 150 to 360 ° C. for 20 to 120 seconds. In addition, when bonding to a nitride-based ceramic substrate such as silicon nitride or aluminum nitride, it is preferable to previously form an oxide film on the surface of the ceramic substrate.
【００３３】そして、セラミックス基板がアルミナ基板
の場合には、銅板を所定位置に接触配置して基板方向に
押圧した状態で銅の融点未満の温度（１０８３℃）で、
かつ銅−酸化銅の共晶温度（１０６５℃）以上に加熱
し、生成したＣｕ−Ｏ共晶化合物液相を結合剤として銅
板を直接的に接合する。また、セラミックス基板が窒化
物系のセラミックス基板の場合には、酸化膜を形成した
部分に銅板を接触配置して、上記したような加熱処理を
行う。When the ceramic substrate is an alumina substrate, a copper plate is placed in contact with a predetermined position and pressed toward the substrate at a temperature lower than the melting point of copper (1083 ° C.),
And it heats above the eutectic temperature (1065 degreeC) of copper-copper oxide, and joins a copper plate directly using the produced | generated Cu-O eutectic compound liquid phase as a binder. When the ceramic substrate is a nitride-based ceramic substrate, a copper plate is placed in contact with the portion where the oxide film is formed, and the heat treatment as described above is performed.
【００３４】また、アルミニウムからなる金属板とＳｉ
３Ｎ４基板とを接合する場合には、Ｓｉ３Ｎ４基板表面
に金属板を押圧した状態でアルミニウム−けい素の共晶
温度以上に加熱し、生成したＡｌ−Ｓｉ共晶化合物を接
合剤として金属板をＳｉ３Ｎ ４基板表面に直接的に接合
することができる。A metal plate made of aluminum and Si
ThreeNFourWhen joining to the substrate, SiThreeNFourSubstrate surface
Aluminum-silicon eutectic with metal plate pressed onto the
The Al-Si eutectic compound produced by heating above the temperature is contacted.
As a mixture, a metal plate made of SiThreeN FourBonding directly to the substrate surface
can do.
【００３５】このように直接接合法を使用して金属板を
セラミックス基板表面に直接接合することで、金属板と
セラミックス基板との間に、接着剤やろう材のような介
在物が存在しないため、両者間の熱抵抗が小さく、金属
板上に設けられた半導体素子等の発熱を系外に迅速に放
散させることが可能である。Since the metal plate is directly bonded to the surface of the ceramic substrate by using the direct bonding method as described above, there is no inclusion such as an adhesive or a brazing material between the metal plate and the ceramic substrate. The heat resistance between the two is small, and the heat generated by the semiconductor element or the like provided on the metal plate can be quickly dissipated outside the system.
【００３６】次に活性金属法による金属板の接合方法を
説明する。活性金属法では、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮ
ｂから選択される少なくとも１種の活性金属を含有し適
切な組成比を有するＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材等でセラ
ミックス基板表面に、厚さ２０μｍ前後の活性金属ろう
材層（金属接合層）を形成し、この金属接合層を介して
金属板を接合する。活性金属は、基板に対するろう材の
濡れ性を改善し、接合強度を高める作用を有する。Next, a method for joining metal plates by the active metal method will be described. In the active metal method, Ti, Zr, Hf and N
An active metal brazing material layer (metal bonding layer) having a thickness of about 20 μm on the surface of a ceramic substrate made of Ag—Cu—Ti based brazing material containing at least one active metal selected from b and having an appropriate composition ratio. Is formed, and the metal plates are joined via this metal joining layer. The active metal has an effect of improving the wettability of the brazing material with respect to the substrate and increasing the bonding strength.
【００３７】活性金属ろう材の具体例としては、重量％
で上記活性金属を１〜１０％，Ｃｕを１５〜４０％，残
部が実質的にＡｇからなるろう材組成物が好適である。
また、このようなろう材にはＩｎやＳｎを添加してもよ
い。As a specific example of the active metal brazing material, weight%
Then, a brazing filler metal composition in which the active metal is 1 to 10%, Cu is 15 to 40%, and the balance is substantially Ag is preferable.
In addition, In or Sn may be added to such a brazing material.
【００３８】上記金属接合層は、このろう材組成物を有
機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストをセ
ラミックス基板表面にスクリーン印刷する等の方法で形
成される。そしてスクリーン印刷した金属接合層上に、
金属板を接触配置した状態で、真空中または不活性ガス
雰囲気中で、例えばＡｇ−Ｃｕ共晶温度（７８０℃）以
上で、かつ金属板の融点（銅の場合は１０８３℃）以下
の温度に加熱することにより、金属板が金属接合層を介
してセラミックス基板に一体に接合される。The metal bonding layer is formed by a method such as screen-printing a bonding composition paste prepared by dispersing the brazing material composition in an organic solvent on the surface of the ceramic substrate. And on the screen-printed metal bonding layer,
In a state in which the metal plates are placed in contact with each other, in a vacuum or in an inert gas atmosphere, for example, at a temperature not lower than the Ag—Cu eutectic temperature (780 ° C.) and not higher than the melting point of the metal plate (1083 ° C. in the case of copper). By heating, the metal plate is integrally bonded to the ceramic substrate via the metal bonding layer.
【００３９】また、ろう材としてＡｌろう材を使用し
て、金属板とセラミックス基板とを接合してもよい。こ
のＡｌろう材としては例えばＡｌ−Ｓｉ系ろう材が挙げ
られ、この場合Ｓｉを１〜１０ｗｔ％含み、残部がＡｌ
であるようなろう材を使用することが好ましい。Alternatively, an Al brazing material may be used as the brazing material to bond the metal plate and the ceramic substrate. An example of the Al brazing material is an Al-Si based brazing material, in which case 1 to 10 wt% of Si is contained and the balance is Al.
It is preferred to use a brazing material such as
【００４０】このようなろう材組成物を有機溶媒中に分
散して調製した接合用組成物ペーストをセラミックス基
板表面にスクリーン印刷する等の方法で形成し、この部
分に金属板を接触配置した状態で、真空中または不活性
ガス雰囲気中で、加熱処理することによりこれらを接合
することができる。A state in which a bonding composition paste prepared by dispersing such a brazing material composition in an organic solvent is formed on the surface of a ceramic substrate by screen printing or the like, and a metal plate is placed in contact with this portion. Then, they can be joined by heat treatment in a vacuum or in an inert gas atmosphere.
【００４１】セラミックス基板に設けられる補強部材と
しては、金属材料および樹脂材料等からなるものを使用
することができる。金属材料としては、上記金属板と同
様のものが使用でき、具体的には銅、アルミニウム、
鉄、ニッケル、クロム、銀、モリブデン、コバルトの単
体またはその合金またはクラッド材である。樹脂材料と
しては、ゴム、プラスチック等の各種の有機化合物が挙
げられる。The reinforcing member provided on the ceramic substrate may be made of a metal material, a resin material, or the like. As the metal material, the same as the above metal plate can be used, specifically, copper, aluminum,
It is a simple substance of iron, nickel, chromium, silver, molybdenum, or cobalt, or an alloy or clad material thereof. Examples of the resin material include various organic compounds such as rubber and plastic.
【００４２】補強部材とセラミックス基板との接合は、
補強部材が板状の金属からなるものである場合には、上
記金属板と同様の方法、すなわち直接接合法、活性金属
接合法、またはＡｌろう材接合により接合することがで
きる。補強部材が樹脂からなるものである場合には、エ
ポキシ樹脂をはじめとする各種の接着剤を用いて接合す
ることができる。特に、金属板と補強部材が同一材質の
場合は、上記直接接合法、活性金属接合法、Ａｌろう材
接合法により金属板と補強部材の接合を一度に行うこと
ができるので製造性が向上する。The joining of the reinforcing member and the ceramic substrate is
When the reinforcing member is made of a plate-shaped metal, it can be bonded by the same method as the above-mentioned metal plate, that is, the direct bonding method, the active metal bonding method, or the Al brazing material bonding. When the reinforcing member is made of resin, it can be bonded using various adhesives including epoxy resin. Particularly, when the metal plate and the reinforcing member are made of the same material, the metal plate and the reinforcing member can be bonded at one time by the above-mentioned direct bonding method, active metal bonding method, and Al brazing material bonding method, so that manufacturability is improved. .
【００４３】補強部材の形成は、上記したような板状の
金属あるいは樹脂を接合する他に、例えばセラミックス
基板上に樹脂材料を直接塗布して形成してもよい。ま
た、例えばセラミックス基板に、その主面全体を覆うよ
うな金属板を接合した後、この金属板をエッチングして
回路等を形成する際に、その金属板の一部を補強部材と
して利用してもよい。The reinforcing member may be formed by directly applying a resin material onto, for example, a ceramic substrate, instead of joining the plate-shaped metal or resin as described above. In addition, for example, when a metal plate that covers the entire main surface is joined to a ceramic substrate and then the metal plate is etched to form a circuit or the like, a part of the metal plate is used as a reinforcing member. Good.
【００４４】このような本発明のセラミックス回路基板
は、例えば高出力トランジスタ、パワーモジュール等の
実装に好適に使用することができる。The ceramic circuit board of the present invention as described above can be preferably used for mounting, for example, high-power transistors and power modules.
【００４５】[0045]
【実施例】以下、本発明の実施の形態について実施例を
参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to embodiments.
【００４６】（実施例１〜７、比較例１〜２）セラミッ
クス粉末を焼結助剤および粘結助剤と混合し、シート状
に形成した後、脱脂処理および焼結を行い、板厚０．６
３５ｍｍ、長辺６０ｍｍ、短辺４０ｍｍのセラミックス
基板を作製した。このセラミックス基板に、レーザー加
工にて、所定の位置に両主面間に連続する直径１ｍｍの
貫通孔を形成した。(Examples 1 to 7, Comparative Examples 1 and 2) Ceramic powder was mixed with a sintering aid and a caking aid to form a sheet, which was then subjected to degreasing treatment and sintering to obtain a plate thickness of 0. .6
A ceramic substrate having a length of 35 mm, a long side of 60 mm and a short side of 40 mm was produced. This ceramic substrate was laser-processed to form a continuous through hole having a diameter of 1 mm between the two main surfaces at a predetermined position.
【００４７】この後、実施例１〜３、７については、酸
素含有量１００〜３００ｐｐｍ、板厚０．３ｍｍのタフ
ピッチ銅板をセラミックス基板上に配置し、窒素雰囲気
中、１０６５〜１０８３℃の範囲内で加熱処理を行い、
銅板とセラミックス基板とを直接接合させた。After this, in Examples 1 to 3 and 7, a tough pitch copper plate having an oxygen content of 100 to 300 ppm and a plate thickness of 0.3 mm was placed on a ceramics substrate, and the temperature was 1065 to 1083 ° C. in a nitrogen atmosphere. Heat treatment with
The copper plate and the ceramic substrate were directly bonded.
【００４８】なお、窒化アルミニウム基板については、
酸素雰囲気中、１０００〜１２５０℃の範囲内で加熱処
理を行い、基板表面に厚さ１〜３μｍのα型酸化アルミ
ニウム膜を形成した後、直接接合を行った。また、実施
例４〜６については、エポキシ樹脂系接着剤にて実施例
１と同様の金属板を接合した。Regarding the aluminum nitride substrate,
In an oxygen atmosphere, heat treatment was performed in the range of 1000 to 1250 ° C. to form an α-type aluminum oxide film having a thickness of 1 to 3 μm on the substrate surface, and then, direct bonding was performed. In addition, in Examples 4 to 6, the same metal plates as in Example 1 were joined with an epoxy resin adhesive.
【００４９】次に、接合された銅板部分をエッチングす
ることにより金属板（回路部分）および補強部材を同時
に形成し、実施例１〜７のセラミックス回路基板を作製
した。補強部材はセラミックス基板の貫通孔の周囲に形
成し、外径３ｍｍ、内径１ｍｍとした。なお、セラミッ
クス回路基板の他方の主面の金属板については、回路を
形成せずベタパターンのままとした。また、比較のため
に、補強部材を設けない比較例１および２のセラミック
ス回路基板を作製した。なお、比較例１は直接接合法、
比較例２はエポキシ樹脂系接着剤により接合したもので
ある。また、アルミナ基板は熱伝導率２５Ｗ／ｍ・Ｋ、
窒化アルミニウム基板は１９０Ｗ／ｍ・Ｋ、窒化けい素
基板は９０Ｗ／ｍ・Ｋ、アルミナ−ジルコニア基板（ア
ルミナとジルコニウムの化合物）は３０Ｗ／ｍ・Ｋのも
のを使用した。Next, the metal plate (circuit portion) and the reinforcing member were simultaneously formed by etching the joined copper plate portions to produce ceramic circuit boards of Examples 1 to 7. The reinforcing member was formed around the through hole of the ceramic substrate and had an outer diameter of 3 mm and an inner diameter of 1 mm. Regarding the metal plate on the other main surface of the ceramic circuit board, no circuit was formed and the solid pattern was left as it was. Further, for comparison, ceramic circuit boards of Comparative Examples 1 and 2 having no reinforcing member were prepared. Comparative Example 1 is a direct bonding method,
Comparative Example 2 is joined with an epoxy resin adhesive. The alumina substrate has a thermal conductivity of 25 W / mK,
The aluminum nitride substrate was 190 W / m · K, the silicon nitride substrate was 90 W / m · K, and the alumina-zirconia substrate (a compound of alumina and zirconium) was 30 W / m · K.
【００５０】次に、実施例および比較例のセラミックス
回路基板について、実際にネジ止めを行い、その際の基
板の割れ等の発生率を測定した。測定は各実施例、比較
例のセラミックス回路基板について、それぞれ３００枚
ずつ行った。結果を表１に示す。Next, the ceramic circuit boards of Examples and Comparative Examples were actually screwed, and the rate of occurrence of cracks in the boards was measured. The measurement was performed on each of the ceramic circuit boards of Examples and Comparative Examples by 300 sheets. The results are shown in Table 1.
【００５１】[0051]
【表１】 [Table 1]
【００５２】表１に示されるように、直接接合あるいは
接着剤による接合のいずれの方法により補強部材を設け
た場合においても、本発明のセラミックス回路基板で
は、不良発生率が大幅に改善されていることが認められ
た。As shown in Table 1, in the case where the reinforcing member is provided by either the direct bonding method or the bonding method using an adhesive, the ceramic circuit board of the present invention has a significantly improved defect occurrence rate. Was confirmed.
【００５３】（実施例８〜１４、比較例３〜４）セラミ
ックス基板（縦６０ｍｍ×横４０ｍｍ×厚さ０．６３５
ｍｍ）として窒化アルミニウム基板（熱伝導率２００Ｗ
／ｍ・Ｋ）または窒化けい素基板（熱伝導率８０Ｗ／ｍ
・Ｋ）を用い、活性金属接合法またはＡｌろう材接合に
よりセラミックス基板と無酸素銅板（板厚０．２５ｍ
ｍ）あるいはアルミニウム板（板厚０．２ｍｍ）とを接
合した。なお、活性金属接合法による接合はＡｇ−２７
ｗｔ％Ｃｕ−３ｗｔ％Ｔｉろう材を用いて、８３０℃で
熱処理を行い、Ａｌろう材による接合は、Ａｌ−５ｗｔ
％Ｓｉろう材を用いて、６５０℃で熱処理を行った。(Examples 8 to 14, Comparative Examples 3 to 4) Ceramic substrate (length 60 mm x width 40 mm x thickness 0.635)
mm) aluminum nitride substrate (thermal conductivity 200 W
/ MK) or silicon nitride substrate (thermal conductivity 80 W / m
・ K), ceramics substrate and oxygen-free copper plate (plate thickness 0.25 m by active metal bonding method or Al brazing material bonding)
m) or an aluminum plate (plate thickness 0.2 mm). In addition, joining by the active metal joining method is Ag-27.
Heat treatment is performed at 830 ° C. using a brazing filler metal of wt% Cu-3 wt% Ti, and a brazing filler metal of Al-5 wt% is used.
Heat treatment was performed at 650 ° C. using a% Si brazing material.
【００５４】さらに、接合された銅板またはＡｌ板部分
をエッチングすることにより金属板（回路部分）と補強
部材とを同時に形成し、セラミックス回路基板を作製し
た。補強部材はセラミックス基板の貫通孔の周囲に形成
し、外径３ｍｍ、内径１ｍｍとした。Further, a metal plate (circuit portion) and a reinforcing member were simultaneously formed by etching the joined copper plate or Al plate portion to produce a ceramic circuit board. The reinforcing member was formed around the through hole of the ceramic substrate and had an outer diameter of 3 mm and an inner diameter of 1 mm.
【００５５】また、比較のために、窒化アルミニウム基
板または窒化けい素基板に同様の方法により銅板あるい
はアルミニウム板を接合し、これをエッチングすること
により金属板（回路部分）のみを設け、補強部材は設け
ない比較例３および４を作製した。For comparison, a copper plate or an aluminum plate is bonded to an aluminum nitride substrate or a silicon nitride substrate by the same method, and the metal plate (circuit portion) is provided by etching the copper plate or aluminum plate. Comparative Examples 3 and 4 not provided were prepared.
【００５６】次に、各セラミックス回路基板に対し、実
施例１と同様の測定を行った。結果を表２に示す。Next, the same measurement as in Example 1 was performed on each ceramic circuit board. The results are shown in Table 2.
【００５７】[0057]
【表２】 [Table 2]
【００５８】表２に示されるように、活性金属法または
Ａｌろう材接合により補強部材を設けた本発明のセラミ
ックス回路基板についても、不良発生率が大幅に改善さ
れていることが認められた。また、前述の直接接合法お
よび接着剤を用いた接合法と比較して、活性金属接合法
およびＡｌろう材接合法は接合強度が高いので補強部材
とセラミックス基板の接合強度が向上したためネジ止め
時の不良率が相対的に改善されたものと思われる。As shown in Table 2, it was also found that the failure rate of the ceramic circuit board of the present invention provided with the reinforcing member by the active metal method or the Al brazing material bonding was significantly improved. In addition, the active metal joining method and the Al brazing material joining method have higher joining strength than the above-mentioned direct joining method and joining method using an adhesive, so that the joining strength between the reinforcing member and the ceramic substrate is improved, and therefore, when screwing. It is thought that the defect rate of the is relatively improved.
【００５９】（実施例１５〜２０、比較例５〜６）次
に、セラミックス基板のサイズを変えた以外は実施例９
と同じ窒化アルミニウム基板を用いたセラミックス回路
基板を実施例１５〜１７、基板サイズを変えた以外は実
施例１２と同じ窒化けい素基板を用いたセラミックス回
路基板を実施例１８〜２０として用意し、同様にネジ止
め時の不良発生率（％）を測定した。また、比較のため
に本発明の好ましい範囲外である基板厚さを具備するも
のを比較例５、６として用意し同様の測定を行った。結
果を表３に示す。(Examples 15 to 20, Comparative Examples 5 to 6) Next, Example 9 except that the size of the ceramic substrate was changed.
Ceramic circuit boards using the same aluminum nitride substrate as in Examples 15 to 17 and ceramic circuit boards using the same silicon nitride substrate as in Example 12 except that the substrate size was changed were prepared as Examples 18 to 20. Similarly, the defect occurrence rate (%) at the time of screwing was measured. For comparison, those having a substrate thickness outside the preferred range of the present invention were prepared as Comparative Examples 5 and 6, and the same measurement was performed. The results are shown in Table 3.
【００６０】[0060]
【表３】 [Table 3]
【００６１】表３からも分かる通り、本実施例にかかる
基板厚さが０．１５〜０．８ｍｍと薄いものであって
も、不良発生率は低くなった。また、窒化アルミニウム
基板と窒化けい素基板とを比べた場合、窒化けい素基板
の方が強度が高いため不良発生率が相対的に低くなっ
た。このことから、ネジ止めを行う際は窒化けい素基板
の方が好ましいことが分かった。一方、比較例５や６の
ようにセラミックス基板の板厚があまり薄いと補強部材
を設ける効果が小さいことが分かった。As can be seen from Table 3, the defect occurrence rate was low even when the thickness of the substrate according to this example was as small as 0.15 to 0.8 mm. Further, when the aluminum nitride substrate and the silicon nitride substrate were compared, the silicon nitride substrate had a higher strength, and thus the defect occurrence rate was relatively low. From this, it was found that the silicon nitride substrate is preferable when screwing. On the other hand, it was found that the effect of providing the reinforcing member was small when the plate thickness of the ceramic substrate was too thin as in Comparative Examples 5 and 6.
【００６２】[0062]
【発明の効果】本発明のセラミックス回路基板によれ
ば、セラミックス基板に形成された少なくとも１つの貫
通孔に補強部材が設けられているため、ネジ止めの際や
使用時にかかる負荷により貫通孔からクラック等が発生
することを有効に抑制することができる。According to the ceramics circuit board of the present invention, since the reinforcing member is provided in at least one through hole formed in the ceramics board, cracks are generated from the through hole due to load applied during screwing or during use. It is possible to effectively suppress the occurrence of such problems.
【００６３】また、本発明のセラミックス回路基板によ
れば、セラミックス基板の貫通孔に補強部材が設けられ
ており、貫通孔からのクラック等の発生が抑制されるた
め、従来よりもセラミックス基板の厚さを薄くすること
が可能となる。Further, according to the ceramics circuit board of the present invention, since the reinforcing member is provided in the through hole of the ceramics board and the occurrence of cracks and the like from the through hole is suppressed, the thickness of the ceramics board is larger than that of the conventional one. It is possible to reduce the thickness.
【図１】本発明のセラミックス基板の一例を示した外観
図FIG. 1 is an external view showing an example of a ceramic substrate of the present invention.
【図２】本発明のセラミックス基板の一例を示した断面
図FIG. 2 is a sectional view showing an example of a ceramic substrate of the present invention.
【図３】従来のセラミックス基板の一例を示した外観図FIG. 3 is an external view showing an example of a conventional ceramics substrate.
１…セラミックス基板、２…貫通孔、３…補強部材、４
…金属板1 ... Ceramics substrate, 2 ... Through hole, 3 ... Reinforcing member, 4
… Metal plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G026 BA03 BA05 BA16 BA17 BB22 BB23 BB27 BC01 BC02 BD08 BF16 BF17 BF20 BF24 BF44 BF57 BG02 BG04 BG23 BG26 BG27 BH07 5E338 AA18 BB02 BB13 BB72 EE28 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 4G026 BA03 BA05 BA16 BA17 BB22 BB23 BB27 BC01 BC02 BD08 BF16 BF17 BF20 BF24 BF44 BF57 BG02 BG04 BG23 BG26 BG27 BH07 5E338 AA18 BB02 BB13 BB72 EE28
Claims (9)
が接合されたセラミックス回路基板において、前記セラ
ミックス基板は両主面間を繋ぐ貫通孔を有し、前記貫通
孔のなかから選ばれる少なくとも一つの貫通孔の少なく
とも一方の端部に補強部材が具備されていることを特徴
とするセラミックス回路基板。1. A ceramic circuit board in which metal plates are bonded to both front and back main surfaces of a ceramic substrate, the ceramic substrate having a through hole connecting both main surfaces, and at least one selected from the through holes. A ceramic circuit board, wherein a reinforcing member is provided at at least one end of one through hole.
的に形成され、かつ前記貫通孔の縁部から所定の範囲ま
で形成されていることを特徴とする請求項１記載のセラ
ミックス回路基板。2. The ceramic circuit board according to claim 1, wherein the reinforcing member is continuously formed around the through hole and is formed up to a predetermined range from an edge portion of the through hole. .
をネジ止めするための孔であることを特徴とする請求項
１または２記載のセラミックス回路基板。3. The ceramic circuit board according to claim 1, wherein the through hole is a hole for screwing the ceramic circuit board.
あることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記
載のセラミックス回路基板。4. The ceramic circuit board according to claim 1, wherein the reinforcing member is made of a metal material.
長手方向の中心を通り、かつ長手方向に垂直な直線に対
して対称に形成されていることを特徴とする請求項１乃
至４のいずれか１項記載のセラミックス回路基板。5. The through hole is formed symmetrically with respect to a straight line which passes through the center of the ceramic substrate in the longitudinal direction and is perpendicular to the longitudinal direction. The ceramics circuit board according to item 1.
ウム、窒化けい素、アルミナ、およびアルミナとジルコ
ニアの化合物の中から選ばれる少なくとも１種を主成分
とする焼結体からなることを特徴とする請求項１乃至５
のいずれか１項記載のセラミックス回路基板。6. The ceramic substrate is made of a sintered body containing at least one selected from aluminum nitride, silicon nitride, alumina, and a compound of alumina and zirconia as a main component. 1 to 5
The ceramic circuit board according to any one of 1.
ｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれ
か１項記載のセラミックス回路基板。7. The plate thickness of the ceramic substrate is 0.8 m.
The ceramic circuit board according to any one of claims 1 to 6, wherein the ceramic circuit board has a thickness of m or less.
Ａｌろう材を用いてセラミックス基板に接合されている
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の
セラミックス回路基板。8. The ceramic circuit board according to claim 1, wherein the reinforcing member is bonded to the ceramic substrate using an active metal brazing material or an Al brazing material.
であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項
記載のセラミックス回路基板。9. The ceramic circuit board according to claim 1, wherein the reinforcing member and the metal plate are made of the same material.
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