JP2003197651A - Die attach film, method of manufacturing semiconductor device using the same, and the semiconductor device - Google Patents

Die attach film, method of manufacturing semiconductor device using the same, and the semiconductor device

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JP2003197651A
JP2003197651A JP2001390464A JP2001390464A JP2003197651A JP 2003197651 A JP2003197651 A JP 2003197651A JP 2001390464 A JP2001390464 A JP 2001390464A JP 2001390464 A JP2001390464 A JP 2001390464A JP 2003197651 A JP2003197651 A JP 2003197651A
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JP
Japan
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die attach
film
adhesive layer
attach film
light
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Application number
JP2001390464A
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Japanese (ja)
Inventor
Daisuke Nakagawa
大助 中川
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet which has an excellent expanding property and high resistance against chipping in a wafer processing step to simplify the step and reduce the cost in a semiconductor assembling step, and to provide a die attach film which can be used as a die attach film in an IC chip bonding step. <P>SOLUTION: In a film composed of a protective film, an adhesive layer, and a light-transmitting substrate, a die attach film with a dicing sheet function is provided, in which peeling strength between the protective film and the adhesive layer is 0.1 to 0.9 times larger than peeling strength between the light- transmitting substrate and the adhesive layer. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明に属する技術分野】本発明は、ダイアタッチフィ
ルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導
体装置に関する。さらに詳しくは、シリコン、ガリウ
ム、ヒ素などの半導体ウェハーを加工する際に使用する
ウェハー加工用のダイアタッチフィルム並びにそれを用
いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a die attach film, a semiconductor device manufacturing method using the same, and a semiconductor device. More specifically, the present invention relates to a die attach film for wafer processing used when processing a semiconductor wafer of silicon, gallium, arsenic, etc., a method for manufacturing a semiconductor device using the same, and a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化とモバイル用
途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化
の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進
んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケ
イ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウェハーに粘
着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子
に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップの
ピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リー
ドフレームあるいはテープ基板または有機硬質基板にダ
イボンディングする半導体装置の組立工程へ移送され
る。
2. Description of the Related Art In recent years, in response to higher functionality of electronic equipment and expansion to mobile applications, demands for higher density and higher integration of semiconductor devices have been increased, and high capacity and high density of IC packages have been advanced. . As a method for manufacturing these semiconductor devices, a pressure-sensitive adhesive sheet is attached to a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, etc., and cut and separated into individual semiconductor elements by dicing, expanding, and individual chip pickup performed. Then, the semiconductor chip is transferred to a process for assembling a semiconductor device in which a semiconductor chip is die-bonded to a metal lead frame, a tape substrate or an organic hard substrate.

【0003】ピックアップされた半導体チップは、ダイ
ボンディング工程において、液状エポキシ接着剤などの
ダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に
接着され、半導体装置が製造されている。しかしなが
ら、モバイル用などチップが小さい場合、適量の接着剤
を塗布することが困難であり、チップから接着剤がはみ
出したり、大容量用途向けの大きいチップの場合には、
反対に接着剤量が不足するなど十分な接着力を有するこ
とができないという問題点があった。また、接着剤の塗
布工程は繁雑でもあり、プロセスを簡略化するために
も、改善・改良が要求されている。
The semiconductor chip thus picked up is bonded to a lead frame or a substrate via a die attach material such as a liquid epoxy adhesive in a die bonding process to manufacture a semiconductor device. However, if the chip is small for mobile use, it is difficult to apply an appropriate amount of adhesive, and if the adhesive sticks out of the chip or if it is a large chip for large capacity applications,
On the other hand, there is a problem that the adhesive strength cannot be sufficient because the amount of the adhesive is insufficient. In addition, since the adhesive application process is complicated, improvements and improvements are required in order to simplify the process.

【0004】この問題の解決のため、液状ダイアタッチ
材の代わりに、フィルム状接着剤をダイアタッチ材とし
て使用することが提案され、一部では、既に使用されて
いるが、フィルム状接着剤をダイに貼り合わせる装置、
フィルム用ダイマウント装置が新たに必要となり、工程
の煩雑さ、さらには製造コストの上昇を招いている。従
って、現状のインフラを使用したままでの半導体装置の
組立工程の簡略化が要求されている。
To solve this problem, it has been proposed to use a film adhesive as a die attach material instead of the liquid die attach material, and in some cases, a film adhesive is used. A device to attach to a die,
A new die mount device for film is required, resulting in complicated processes and higher production costs. Therefore, it is required to simplify the semiconductor device assembling process while using the existing infrastructure.

【0005】かかる問題を解決する方法として、半導体
ウェハー加工時のウェハー固定機能とダイボンディング
工程のダイアタッチ機能とを同時に兼ね備えたウェハー
貼付用粘接着シートがある。すなわち、既存のダイシン
グフィルムのインフラを使い、ダイシングフィルムとダ
イアタッチフィルムを複合したフィルムを貼り合わせ、
ダイシング後基材のみを剥がしとり、ダイアタッチ材付
きのダイを得ようとするものである。
As a method of solving such a problem, there is a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking, which has both a wafer fixing function at the time of processing a semiconductor wafer and a die attach function in a die bonding process. That is, using the existing dicing film infrastructure, a film that is a composite of a dicing film and a die attach film is attached,
After dicing, only the base material is peeled off to obtain a die with a die attach material.

【0006】このダイシングシート機能つきダイアタッ
チフィルム使用時には粘接着層の保護のため貼られてあ
る保護フィルムを剥がして使用する。しかし粘接着層と
の密着性から保護フィルムがうまく剥離しない場合が見
られた。
When the die attach film with a dicing sheet function is used, the protective film attached for protecting the adhesive layer is peeled off before use. However, there were cases where the protective film did not peel off well due to the adhesion with the adhesive layer.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記のよう
な従来技術を改善・改良するため、ダイシングフィルム
とダイアタッチフィルムの機能を併せ持つフィルムの使
用時に保護フィルムを粘接着剤からスムーズに剥離する
ための技術であり、粘接着剤層にフィラーを添加するこ
とで保護フィルムとの易剥離をもたらし、保護フィルム
の剥離後ダイシング時にはダイシングフィルムとして耐
チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシー
トとしての機能を有し、ダイマウント時には接着剤とし
て使用することができ、しかも、厚みの均一性、接着強
度、剪断強度特性に優れ、厳しい湿熱条件に耐えるダイ
アタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造
方法及び半導体装置を提供することにある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to improve and improve the above-mentioned conventional techniques, the present invention makes it possible to smoothly remove a protective film from an adhesive when using a film having the functions of a dicing film and a die attach film. It is a technology for peeling, and it brings about easy peeling from the protective film by adding a filler to the adhesive layer, and a dicing sheet with excellent chipping resistance and crack characteristics as a dicing film during dicing after peeling of the protective film. And a die attach film that can be used as an adhesive at the time of die mounting, has excellent thickness uniformity, adhesive strength, and shear strength characteristics, and can withstand severe wet heat conditions, and a semiconductor device using the same. To provide a manufacturing method and a semiconductor device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、(1)保護フ
ィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなるフィルム
において、保護フィルムと粘接着層とのピール強度が光
透過性基材と粘接着層とのピール強度の0.1倍以上か
つ0.9倍以下であるダイシングシート機能つきダイア
タッチフィルム、(2)保護フィルムと粘接着層とのピ
ール強度が、10g/25mm以上かつ70g/25mm
以下である第(1)項記載のダイシングシート機能つき
ダイアタッチフィルム、(3)粘接着層が平均粒径0.
1〜25μmのフィラーを含有している第(1)又は
(2)項記載のダイシングシート機能つきダイアタッチ
フィルム。(4)粘接着層が銀、酸化チタン、シリカ、
及びマイカからなる群から選ばれた1種以上のフィラー
を含有している第(3)項記載のダイシングシート機能
つきダイアタッチフィルム、(5)粘接着剤層が、
(A)イミド環を有する樹脂成分、(B)紫外線硬化型
粘着成分、及び(C)熱硬化型接着成分を含み、375
nmより短い波長の紫外光の透過率が20%以下である
第(1)〜(4)項いずれか記載のダイシングシート機
能つきダイアタッチフィルム、(6)(A)第(1)〜
(5)項いずれかに記載のダイシングシート機能つきダ
イアタッチフィルムの粘接着層から保護フィルムを剥が
しシリコンウェハー裏面とを貼り合わせる工程と、
(B)該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切
り離す工程と、(C)ダイシング後にダイアッタチフィ
ルム面に紫外線を照射して粘接着層の光透過性基材との
接触界面を硬化させる工程と、(D)粘接着層を紫外線
硬化させた後、裏面にダイアタッチフィルムを残存させ
たダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ
工程と、(E)該ダイを、リードフレームまたは基板
に、ダイアタッチフィルムを介して加熱接着する工程と
を、含んでなる半導体装置の製造方法、(7)第(1)
〜(5)項いずれかに記載のダイシングシート機能つき
ダイアタッチフィルムにより、半導体素子とリードフレ
ーム又は基板とを接着してなる半導体装置、である。
Means for Solving the Problems The present invention provides (1) a film comprising a protective film, a tacky adhesive layer, and a light-transmissive substrate, wherein the peel strength between the protective film and the tacky adhesive layer is light transmissive. A die attach film with a dicing sheet function, which is 0.1 times or more and 0.9 times or less the peel strength between the base material and the adhesive layer, and (2) the peel strength between the protective film and the adhesive layer is 10 g. / 25mm or more and 70g / 25mm
The die attach film with a dicing sheet function according to item (1) below, and (3) the adhesive layer has an average particle size of 0.
The die attach film with a dicing sheet function according to item (1) or (2), which contains a filler of 1 to 25 μm. (4) The adhesive layer is silver, titanium oxide, silica,
And a die attach film with a dicing sheet function according to item (3), which contains one or more fillers selected from the group consisting of mica and (5) an adhesive layer,
375 including (A) a resin component having an imide ring, (B) an ultraviolet curable adhesive component, and (C) a thermosetting adhesive component
The die attach film with a dicing sheet function according to any one of (1) to (4), which has a transmittance of ultraviolet light having a wavelength shorter than nm of 20% or less, (6) (A) (1) to
A step of peeling the protective film from the adhesive layer of the die attach film with a dicing sheet function according to any one of the items (5) and bonding the back surface of the silicon wafer to each other.
(B) a step of dicing the silicon wafer into individual dies, and (C) irradiating ultraviolet rays on the surface of the die attach film after dicing to cure the contact interface of the adhesive layer with the light-transmitting substrate. A step of: (D) picking up the die having the die attach film left on the back side thereof after removing the die from the light transmissive substrate after (D) curing the adhesive layer with ultraviolet rays; Or a step of heating and adhering to a substrate via a die attach film, the method of manufacturing a semiconductor device, (7), (1)
A semiconductor device obtained by bonding a semiconductor element and a lead frame or a substrate with the die attach film with a dicing sheet function according to any one of (5) to (5).

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明は、保護フィルム、粘接着
層、光透過性基材からなるフィルムである。本発明に用
いる保護フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリ
エーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフ
ィルムメチルペンテンフィルム等がある。これらのフィ
ルムはシリコーン系、シリカ系の離型剤で処理されたも
のであってもよい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is a film comprising a protective film, an adhesive layer and a light-transmitting substrate. Examples of the protective film used in the present invention include polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, polyester film, polyimide film, polyetherimide film, polyether naphthalate film and methylpentene film. These films may be treated with a silicone-based or silica-based release agent.

【0010】本発明に用いられる保護フィルム及び光透
過性基材の膜厚は、20〜200μmであることが好ま
しく、特に好ましくは25〜100μmである。
The thickness of the protective film and the light-transmitting substrate used in the present invention is preferably 20 to 200 μm, and particularly preferably 25 to 100 μm.

【0011】本発明に用いる光透過性基材としては、ポ
リプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリブ
タジエンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、等があげ
られるが、30〜70重量部、好ましくは40〜60重
量部のポリプロピレン樹脂と70〜30重量部、好まし
くは60〜40重量部のポリスチレンブロックとビニル
イソプレンブロックからなる共重合体との混合物である
ことが好ましい。
Examples of the light-transmitting substrate used in the present invention include polypropylene film, polyethylene film, polybutadiene film, polyvinyl chloride film and the like, but 30 to 70 parts by weight, preferably 40 to 60 parts by weight of polypropylene. A mixture of a resin and 70 to 30 parts by weight, preferably 60 to 40 parts by weight of a polystyrene block and a copolymer of vinyl isoprene block is preferable.

【0012】本発明の粘接着層と保護フィルムとのピー
ル強度は、10g/25mm以上かつ70g/25mm
以下であることが好ましく、特に好ましくは20g/2
5mm以上かつ60g/25mm以下である。10g/
25mm未満だと保護フィルムが剥れやすくなりすぎる
傾向となり、70g/25mmを超えるとピール強度が
大きく保護フィルム側に粘接着層が残る可能性がある。
The peel strength between the adhesive layer and the protective film of the present invention is 10 g / 25 mm or more and 70 g / 25 mm.
It is preferably not more than 20 g / 2, particularly preferably 20 g / 2.
It is 5 mm or more and 60 g / 25 mm or less. 10 g /
If it is less than 25 mm, the protective film tends to peel off too easily, and if it exceeds 70 g / 25 mm, the peel strength is large and the adhesive layer may remain on the protective film side.

【0013】また本発明の粘接着層と光透過性基材との
ピール強度は、80g/25mm以上であることが好ま
しく、特に好ましくは90g/25mm以上である。8
0g/25mm未満であると保護フィルム側に粘接着層
が持っていかれる可能性がある。
The peel strength between the adhesive layer of the present invention and the light-transmitting substrate is preferably 80 g / 25 mm or more, and particularly preferably 90 g / 25 mm or more. 8
If it is less than 0 g / 25 mm, the adhesive layer may be brought to the protective film side.

【0014】本発明の粘接着層は、平均粒径0.1〜2
5μmのフィラーを含有していることが好ましい。平均
粒径が0.1μm未満であるとフィラー添加の効果が少
なく、25μmを超えるとフィルムとしての接着力の低
下をもたらす可能性がある。
The adhesive layer of the present invention has an average particle size of 0.1 to 2
It preferably contains a filler of 5 μm. If the average particle diameter is less than 0.1 μm, the effect of adding a filler is small, and if it exceeds 25 μm, the adhesive strength as a film may be reduced.

【0015】本発明の粘接着層に用いるフィラーとして
は、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等が好ましい。
The filler used in the adhesive layer of the present invention is preferably silver, titanium oxide, silica, mica or the like.

【0016】フィラーの含有量は0.1%〜30重量%
が好ましく、30%を超えるとフィルムとしてもろくな
り0.1%未満であればフィラー添加の効果が期待でき
ない。
The content of the filler is 0.1% to 30% by weight.
If it exceeds 30%, the film becomes brittle, and if it is less than 0.1%, the effect of adding a filler cannot be expected.

【0017】本発明において、粘接着層に用いる粘接着
剤は、未硬化時に十分な粘接着性を有し、370nm以
下の紫外線を照射することにより硬化する成分を含み、
紫外線照射され硬化した粘接着層と被接着物との界面に
おいて粘着性を持たなくなるという特徴を有することが
好ましい。
In the present invention, the tacky-adhesive used in the tacky-adhesive layer contains a component that has sufficient tackiness when uncured and is cured by irradiation with ultraviolet rays of 370 nm or less,
It is preferable that it has a characteristic that it loses tackiness at the interface between the adhesive layer cured by irradiation with ultraviolet rays and the adherend.

【0018】粘接着層は370nm以下の紫外光の吸収
率が60%以上であることが好ましく、紫外光照射され
た面のみ硬化が進行する。吸収率は、より好ましくは7
0%以上であり、更に好ましくは80%以上である。
The adhesive layer preferably has an absorptance of ultraviolet light having a wavelength of 370 nm or less of 60% or more, and curing proceeds only on the surface irradiated with ultraviolet light. The absorption rate is more preferably 7
It is 0% or more, more preferably 80% or more.

【0019】本発明に用いる粘接着剤としては、イミド
環を有する樹脂を含むことが好ましく、イミド環を有す
ることにより、より紫外光の吸収が促進され、紫外光の
吸収率を前記数値以上とすることができ、紫外光照射面
で光が吸収される。また、粘接着剤には、更に紫外線硬
化型粘着成分と、熱硬化型接着成分を含むことが好まし
い。
The tacky-adhesive agent used in the present invention preferably contains a resin having an imide ring. By having an imide ring, absorption of ultraviolet light is further promoted, and the absorption rate of ultraviolet light is at least the above value. The light is absorbed on the surface irradiated with ultraviolet light. Further, it is preferable that the tacky-adhesive agent further contains an ultraviolet curable adhesive component and a thermosetting adhesive component.

【0020】本発明に用いるイミド環を有する樹脂とし
ては、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエ
ーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルイミド樹脂な
どを挙げることができ、中でも、ポリイミド樹脂が好ま
しい。
Examples of the resin having an imide ring used in the present invention include a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polyetherimide resin, a polyetheretherimide resin and the like. Among them, the polyimide resin is preferable.

【0021】また前記ポリイミド樹脂としては、芳香族
テトラカルボン酸二無水物と、一般式(1)で表される
ジアミノポリシロキサンと、芳香族もしくは脂肪族ジア
ミンとを反応させて得られる一般式(2)で表されるポ
リイミド樹脂が、より好ましい。
As the polyimide resin, an aromatic tetracarboxylic dianhydride, a diaminopolysiloxane represented by the general formula (1), and an aromatic or aliphatic diamine are reacted to give a compound of the general formula ( The polyimide resin represented by 2) is more preferable.

【0022】[0022]

【化1】 [Chemical 1]

【0023】[0023]

【化2】 [Chemical 2]

【0024】(式(1)及び式(2)中、R1及びR2
炭素数1〜4で二価の脂肪族基もしくは芳香族基、
3,R4,R5及びR6は一価の脂肪族基もしくは芳香族
基、R7及びR8は四価の脂肪族基もしくは芳香族基、R
9は二価の脂肪族もしくは芳香族基を表し、m:nは5
〜80:95〜20である。kは、1〜50の整数であ
り、式(1)、式(2)とも同じ整数を示す。)
(In the formulas (1) and (2), R 1 and R 2 are divalent aliphatic groups or aromatic groups having 1 to 4 carbon atoms,
R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are monovalent aliphatic groups or aromatic groups, R 7 and R 8 are tetravalent aliphatic groups or aromatic groups, R
9 represents a divalent aliphatic or aromatic group, and m: n is 5
-80: 95-20. k is an integer of 1 to 50, and both formulas (1) and (2) represent the same integer. )

【0025】また、前記ジアミノポリシロキサンは、好
ましくは、一般式(1)中のkとして、1〜9および/ま
たは10〜50の繰り返し単位を有するジアミノポリシ
ロキサンである。
The diaminopolysiloxane is preferably a diaminopolysiloxane having 1 to 9 and / or 10 to 50 repeating units as k in the general formula (1).

【0026】本発明に用いる芳香族テトラカルボン酸二
無水物としては、3,3,4,4’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水
物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、エチレング
リコールビストリトメット酸二無水物、4,4’−(4,
4’−イソプロピデンジフェノキシ)フタル酸二無水物
などが挙げられる。上記の芳香族テトラカルボン酸二無
水物は単独で用いてもよく二種類以上組み合わせてもよ
い。
The aromatic tetracarboxylic dianhydride used in the present invention includes 3,3,4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride. Anhydride, pyromellitic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, ethylene glycol bistritomet dianhydride, 4,4 '-(4,
4'-isopropylidenediphenoxy) phthalic acid dianhydride and the like. The above aromatic tetracarboxylic dianhydrides may be used alone or in combination of two or more.

【0027】本発明に用いる一般式(1)で表されるジ
アミノポリシロキサンとしては、1,3−ビス(3−ア
ミノプロピル)テトラメチルシロキサンやα,ω−ビス
(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン等が挙
げられる。中でも、一般式(1)において、kが1〜9
及び/又は10〜50であることが好ましい。1〜9の
ものを用いれば密着性が向上し、10〜50のものを用
いれば流動性が向上し、目的に応じて選択できるが、両
者を併用すると、より好ましい。
Examples of the diaminopolysiloxane represented by the general formula (1) used in the present invention include 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethylsiloxane and α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethyl. Examples include siloxane. Among them, in the general formula (1), k is 1 to 9
And / or 10 to 50 is preferable. Adhesiveness is improved by using 1 to 9 and fluidity is improved by using 10 to 50, and it can be selected according to the purpose, but it is more preferable to use both in combination.

【0028】本発明に用いる芳香族もしくは脂肪族ジア
ミンとしては、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミ
ノビフェニル、4,6−ジメチル−m−フェニレンジア
ミン、2,5−ジメチル−p−フェニレンジアミン、
2,4−ジアミノメシチレン、4,4’−メチレンジ−
o−トルイジン、4,4’−メチレンジアミン−2,6
−キシリジン、4,4’−メチレン−2,6−ジエチル
アニリン、2,4−トルエンジアミン、m−フェニレン
ジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミ
ノジフェニルプロパン、3,3’−ジアミノジフェニル
プロパン、4,4’−ジアミノジフェニルエタン、3,
3’−ジアミノジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ
ジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,
3’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジア
ミノジフェニルスルフォン、3,3’−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、4,4’−ジアミノジフェニルエ−テ
ル、3,3’−ジアミノジフェニルエ−テル、ベンジジ
ン、3,3’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチ
ル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメト
キシベンジジン、ビス(p−アミノシクロヘキシル)メ
タン、ビス(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)エ
−テル、ビス(p−β−メチル−δ−アミノペンチル)
ベンゼン、p−ビス(2−メチル−4−アミノペンチ
ル)ベンゼン、1,5−ジアミノナフタレン、2,6−
ジアミノナフタレン、2,4−ビス(β−アミノ−t−
ブチル)トルエン、2,4−ジアミノトルエン、m−キ
シレン−2,5−ジアミン、p−キシレン−2,5−ジ
アミン、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジア
ミン、2,6−ジアミノピリジン、2,5−ジアミノピ
リジン、2,5−ジアミノ−1,3,4−オキサジアゾ
−ル、1,4−ジアミノシクロヘキサン、ピペラジン、
メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミン、2,5−ジメチルヘキサメチレンジアミン、3
−メトキシヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジ
アミン、2,5−ジメチルヘプタメチレンジアミン、3
−メチルヘプタメチレンジアミン、4,4−ジメチルヘ
プタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナ
メチレンジアミン、5−メチルノナメチレンジアミン、
デカメチレンジアミン、1,3−ビス(3−アミノフェ
ノキシ)ベンゼン、2,2−ビス[4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル]プロパン、1,3−ビス(4−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン、ビス−4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニルスルフォン、ビス−4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニルスルフォンなどを挙げることが
できる。上記のジアミンは、単独で用いても良く、2種
類以上を組み合わせて用いてもよい。
The aromatic or aliphatic diamine used in the present invention includes 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,6-dimethyl-m-phenylenediamine and 2,5-dimethyl-p-. Phenylenediamine,
2,4-diaminomesitylene, 4,4'-methylenedi-
o-toluidine, 4,4'-methylenediamine-2,6
-Xylidine, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 2,4-toluenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenyl Propane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 3,
3'-diaminodiphenylethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,
3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, benzidine, 3 , 3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p-β-amino-t-butyl) Phenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl)
Benzene, p-bis (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-
Diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-
Butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazol, 1,4-diaminocyclohexane, piperazine,
Methylenediamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, 2,5-dimethylhexamethylenediamine, 3
-Methoxyhexamethylenediamine, heptamethylenediamine, 2,5-dimethylheptamethylenediamine, 3
-Methylheptamethylenediamine, 4,4-dimethylheptamethylenediamine, octamethylenediamine, nonamethylenediamine, 5-methylnonamethylenediamine,
Decamethylenediamine, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, bis- 4- (4-aminophenoxy) phenyl sulfone, bis-4- (3-aminophenoxy) phenyl sulfone and the like can be mentioned. The above diamines may be used alone or in combination of two or more.

【0029】通常、ポリイミド樹脂を合成する際に、使
用される溶剤は、N−メチルピロリドンのような、非常
に沸点の高い溶剤であるため、従来、半導体装置の製造
で使用することは困難である。しかし、本発明で用いる
ポリイミド樹脂の溶媒として、アニソールなど低沸点溶
媒を用いることで、フィルム加工時の乾燥温度を低く設
定できる。
Usually, when synthesizing a polyimide resin, the solvent used is a solvent having a very high boiling point such as N-methylpyrrolidone. Therefore, it has been difficult to use it in the manufacture of semiconductor devices. is there. However, by using a low boiling point solvent such as anisole as the solvent of the polyimide resin used in the present invention, the drying temperature during film processing can be set low.

【0030】本発明において、一般式(2)で表される
ポリイミド樹脂のように、シリコーン変性されたポリイ
ミド樹脂が、より好ましいが、アニソールなど低沸点溶
媒に可溶であることが、更に好ましく、シリコーン変性
の割合としては、溶媒への溶解性やフィルム特性から、
一般式(2)におけるmとnの割合が、5〜80:95
〜20であることが好ましい。
In the present invention, a silicone-modified polyimide resin such as the polyimide resin represented by the general formula (2) is more preferable, but it is more preferable that it is soluble in a low boiling point solvent such as anisole. As the ratio of silicone modification, from the solubility in solvent and the film characteristics,
The ratio of m to n in the general formula (2) is 5 to 80:95.
It is preferably -20.

【0031】本発明に用いる紫外線硬化型接着成分とし
ては、アクリル系化合物(A−1)が好ましく、例え
ば、アクリル酸もしくはメタクリル酸エステルモノマー
やアクリル酸もしくはメタクリル酸誘導体の共重合体な
どが挙げられる。アクリル酸またはメタクリル酸エステ
ルとしては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸
メチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル等のア
ルキルエステル、ベンジルエステル、シクロアルキルエ
ステル、ジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ
酸エチレングリコール、ジアクリル酸1,6−ヘキサン
ジオール、ジメタクリル酸1,6−ヘキサンジオール、
ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、
ジアクリル酸1,10−デカンジオール、ジメタクリル
酸1,10−デカンジオール等の2官能アクリレート、
トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリ
ル酸トリメチロールプロパン、トリアクリ酸ペンタエリ
スリトール、トリメタクリ酸ペンタエリスリトール、ヘ
キサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタク
リル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレート
などが挙げられる。これらの内、アルキルエステルが好
ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が1〜1
5のアクリル酸、メタクリル酸アルキルエステルであ
る。
The ultraviolet-curable adhesive component used in the present invention is preferably an acrylic compound (A-1), and examples thereof include acrylic acid or methacrylic acid ester monomers and copolymers of acrylic acid or methacrylic acid derivatives. . Examples of the acrylic acid or methacrylic acid ester include alkyl esters such as methyl acrylate, methyl methacrylate, butyl acrylate, and butyl methacrylate, benzyl esters, cycloalkyl esters, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, and diacrylic acid. 1,6-hexanediol, 1,6-hexanediol dimethacrylate,
Glycerin diacrylate, glycerin dimethacrylate,
Difunctional acrylates such as 1,10-decanediol diacrylate and 1,10-decanediol dimethacrylate,
Examples thereof include polyfunctional acrylates such as trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and dipentaerythritol hexamethacrylate. Of these, alkyl esters are preferable, and particularly preferably the ester moiety has 1 to 1 carbon atoms.
Acrylic acid and methacrylic acid alkyl ester of No. 5.

【0032】本発明に用いるモノマー以外のアクリル系
化合物(A−1)の分子量は、好ましくは8万以上であ
り、特に好ましくは15万〜50万である。また、アク
リル系化合物のガラス転移温度は、通常30℃以下、好
ましくは−50〜0℃程度であり、室温近辺の温度領域
で粘着性を示す化合物が良い。
The molecular weight of the acrylic compound (A-1) other than the monomer used in the present invention is preferably 80,000 or more, and particularly preferably 150,000 to 500,000. Further, the glass transition temperature of the acrylic compound is usually 30 ° C. or lower, preferably about −50 to 0 ° C., and a compound that exhibits adhesiveness in a temperature range near room temperature is preferable.

【0033】本発明に用いるアクリル酸又はメタクリル
酸誘導体を構成単位とする共重合体としては、少なくと
も1種類のアクリル酸またはメタクリル酸アルキルエス
テルと、ビスフェノールA型(メタ)アクリル酸エステ
ルとの共重合体が好ましい。また、2官能ジ(メタ)ア
クリル酸エステルと(メタ)アクリル酸グリシジルとの
組み合わせも好ましい。
The copolymer having an acrylic acid or methacrylic acid derivative as a constitutional unit used in the present invention is a copolymer of at least one type of acrylic acid or methacrylic acid alkyl ester and bisphenol A type (meth) acrylic acid ester. Coalescence is preferred. A combination of a bifunctional di (meth) acrylic acid ester and glycidyl (meth) acrylate is also preferable.

【0034】イミド環を有する樹脂100重量部に対し
て、アクリル酸またはメタクリル酸エステルから誘導さ
れる成分単位の含有量は、通常20〜55モル%、好ま
しくは30〜40モル%である。またアクリル酸および
メタクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アク
リル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチ
ル、メタクリル酸ブチル等が挙げられる。20モル%未
満であると粘着力に乏しくなり55モル%を超えると保
護フィルムとの密着力が必要以上となる。
The content of the component unit derived from acrylic acid or methacrylic acid ester is usually 20 to 55 mol%, preferably 30 to 40 mol% with respect to 100 parts by weight of the resin having an imide ring. Examples of acrylic acid and methacrylic acid alkyl ester include methyl acrylate, methyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate and the like. If it is less than 20 mol%, the adhesive strength will be poor, and if it exceeds 55 mol%, the adhesion to the protective film will be unnecessarily high.

【0035】また、分子内にヒドロキシ基などの水酸基
を有する紫外線硬化型樹脂のアクリル酸又はメタクリル
酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着
剤の特性を容易に制御することができる。
Further, by introducing an acrylic acid or methacrylic acid ester of an ultraviolet curable resin having a hydroxyl group such as a hydroxy group in the molecule, it is possible to easily control the adhesiveness to the adherend and the characteristics of the adhesive. be able to.

【0036】紫外線硬化粘着成分には、更に、光重合開
始剤(A−2)を混在させることにより、紫外線照射時
の硬化時間および光線照射量を減らすことができる。ま
た、基材から剥離し、ダイアタッチフィルムとして使用
するためにも、重要な成分である。
By further mixing a photopolymerization initiator (A-2) in the UV-curable pressure-sensitive adhesive component, the curing time at the time of UV irradiation and the amount of light irradiation can be reduced. It is also an important component for peeling from the substrate and using it as a die attach film.

【0037】このような光重合開始剤(A−2)として
は、具体的にはベンゾフェノン、アセトフェノン、ベン
ゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安
息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチル
エーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、
ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
Specific examples of such a photopolymerization initiator (A-2) include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin isobutyl ether, methyl benzoin benzoate, benzoin benzoic acid, benzoin methyl ether, benzylfinyl sulfide, Benzyl,
Examples thereof include dibenzyl and diacetyl.

【0038】本発明で用いられる紫外線硬化型粘着成分
は、好ましくは上記成分(A−1)〜(A−2)からな
り、それらの配合比は各成分の特性に応じて、適宜に設
定されるが、一般的には成分(A−1)100重量部に
対して、成分(A−2)は好ましくは3〜30重量部、
より好ましくは5〜15重量部程度で用いることが好ま
しい。3重量部未満であると光開始剤の効果が弱く30
重量部を超えると反応性が高くなり保存性が悪くなる。
The UV-curable pressure-sensitive adhesive component used in the present invention is preferably composed of the above-mentioned components (A-1) to (A-2), and their compounding ratio is appropriately set according to the characteristics of each component. However, generally, the component (A-2) is preferably 3 to 30 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the component (A-1),
It is more preferable to use about 5 to 15 parts by weight. If it is less than 3 parts by weight, the effect of the photoinitiator is weakened.
If it exceeds the weight part, the reactivity becomes high and the storage stability becomes poor.

【0039】本発明に用いる熱硬化型接着成分は、紫外
線照射により硬化しないが、加熱により熱硬化反応が進
行し、三次元網目状化し、被着体である金属リードフレ
ーム及びテープまたは有機硬質基板を強固に接着する。
The thermosetting adhesive component used in the present invention is not cured by irradiation with ultraviolet rays, but a thermosetting reaction proceeds by heating to form a three-dimensional mesh, and a metal lead frame and tape or an organic hard substrate as an adherend. Firmly adhere.

【0040】このような熱硬化型接着成分としては、一
般的に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、
メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂と、それぞれに対して適
当な硬化促進剤とから形成されている。このような熱硬
化型接着成分は、種々知られていおり、本発明では、特
に制限されることなく、周知の種々の熱硬化型接着成分
を用いることができる。この様な接着成分として、例え
ば、エポキシ樹脂(B−1)と熱活性型潜在性エポキシ
樹脂硬化剤(B−2)との樹脂組成物を挙げることがで
きる。
Such thermosetting adhesive components are generally epoxy resin, phenol resin, urea resin,
It is formed of a thermosetting resin such as a melamine resin and a curing accelerator suitable for each. Various kinds of such thermosetting adhesive components are known, and various known thermosetting adhesive components can be used in the present invention without any particular limitation. Examples of such an adhesive component include a resin composition of an epoxy resin (B-1) and a heat-activatable latent epoxy resin curing agent (B-2).

【0041】エポキシ樹脂(B−1)としては、周知の
種々のエポキシ樹脂が用いられるが、通常は、分子量3
00〜2000程度のものが好ましく、特に好ましく
は、分子量300〜800の常温液状のエポキシ樹脂
と、分子量400〜2000、好ましくは500〜15
00の常温固体のエポキシ樹脂とをブレンドした形で用
いるのが望ましい。また、本発明に、特にこのましく使
用されるエポキシ樹脂のエポキシ当量は、通常50〜8
000g/eqである。
Various well-known epoxy resins are used as the epoxy resin (B-1), but the molecular weight is usually 3
The epoxy resin having a molecular weight of 300 to 800, which is liquid at room temperature, and the molecular weight of 400 to 2000, preferably 500 to 15, are preferable.
It is desirable to use it in the form of a blend with a normal temperature solid epoxy resin of 00. The epoxy equivalent of the epoxy resin particularly preferably used in the present invention is usually 50 to 8
It is 000 g / eq.

【0042】このようなエポキシ樹脂としては、具体的
には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、ポリエチレングリコール型
エポキシ樹脂などを挙げることができる。これらは、1
種単独で、または2種類以上を組み合わせて用いること
ができる。上記の中でも、ビスフェノール型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂及びフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂が特に好ましい。
Specific examples of such epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins and other bisphenol type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, polyethylene glycol type epoxy resins. Resin etc. can be mentioned. These are 1
They may be used alone or in combination of two or more. Among the above, bisphenol type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin and phenol novolac type epoxy resin are particularly preferable.

【0043】本発明において、熱活性型潜在性エポキシ
樹脂硬化剤(B−2)とは、室温ではエポキシ樹脂と反
応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ
樹脂と反応するタイプの硬化剤である。
In the present invention, the heat-activatable latent epoxy resin curing agent (B-2) is a type of curing which does not react with the epoxy resin at room temperature but is activated by heating above a certain temperature and reacts with the epoxy resin. It is an agent.

【0044】熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(B−
2)の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種
(アニオンまたはカチオン)を生成する方法と、室温付
近ではエポキシ樹脂と相溶、溶解し硬化反応を開始する
方法と、モレキュラーシーブ封入するタイプの硬化剤
で、高温で溶出して、硬化反応を開始する方法と、マイ
クロカプセルによる方法などが存在する。
Thermally active latent epoxy resin curing agent (B-
As the activation method of 2), a method of generating an active species (anion or cation) by a chemical reaction by heating, a method of compatibilizing with an epoxy resin at room temperature to dissolve and start a curing reaction, and encapsulation of molecular sieves. There is a method of initiating a curing reaction by elution at a high temperature with a type of curing agent and a method of using microcapsules.

【0045】熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤として
は、ジシアンジアミド、イミダゾール化合物や、これら
の混合物が好ましく、2−メチルイミダゾールとイソシ
アネートとの付加物であっても良い。これらは、単独
で、又は2種以上で用いても良い。
The heat-activatable latent epoxy resin curing agent is preferably dicyandiamide, an imidazole compound or a mixture thereof, and may be an adduct of 2-methylimidazole and isocyanate. These may be used alone or in combination of two or more.

【0046】本発明に用いる熱硬化型接着成分におい
て、上記の熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(B−
2)は、エポキシ樹脂(B−1)100重量部に対し
て、通常1〜20重量部が好ましく、5〜15重量部の
割合が、特に好ましく用いられる。1重量部未満である
と樹脂硬化剤の効果が少なく20重量部を超えると反応
性が高くなり保存性が悪くなる。
In the thermosetting adhesive component used in the present invention, the above-mentioned heat-activatable latent epoxy resin curing agent (B-
2) is generally preferably 1 to 20 parts by weight, and particularly preferably 5 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the epoxy resin (B-1). If it is less than 1 part by weight, the effect of the resin curing agent is small, and if it exceeds 20 parts by weight, the reactivity becomes high and the storability deteriorates.

【0047】本発明に用いる粘接着剤は、イミド環を有
する樹脂100重量部に対して、紫外線硬化型粘着成分
を好ましくは20〜80重量部、特に好ましくは30〜
60重量部添加し、熱硬化型接着成分を好ましくは20
〜80重量部、特に好ましくは30〜50重量部添加し
て、粘着性、接着性及び耐熱性を発現させることができ
る。
The pressure-sensitive adhesive used in the present invention preferably contains 20 to 80 parts by weight, and particularly preferably 30 to 30 parts by weight of an ultraviolet-curable adhesive component with respect to 100 parts by weight of the resin having an imide ring.
60 parts by weight is added, and the thermosetting adhesive component is preferably 20
˜80 parts by weight, particularly preferably 30 to 50 parts by weight can be added to develop tackiness, adhesiveness and heat resistance.

【0048】本発明のダイシングシート機能つきダイア
タッチフィルムの製造方法としては、先ず離型シート上
に、上記成分からなる粘接着剤樹脂組成物をワニス状
で、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター
など、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させて
粘接着剤層を形成する。その後離型シートを除去するこ
とによって粘接着剤フィルムとし、これに光透過性基材
に積層し、更に接着剤フィルムに保護フィルムを積層し
て保護フィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなる
ダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得る
ことができる。又は、離型シート上に形成された粘接着
剤層に、光透過性基材に積層して、保護フィルム(離型
シート)、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシ
ングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることが
できる。
In the method for producing the die attach film having a dicing sheet function of the present invention, first, a pressure-sensitive adhesive resin composition containing the above components in the form of a varnish is formed on a release sheet by a comma coater, a die coater or a gravure coater. And the like, and the adhesive layer is formed by drying according to a generally known method. After that, the release sheet is removed to form an adhesive / adhesive film, which is laminated on a light-transmitting base material, and a protective film is further laminated on the adhesive film to form a protective film, an adhesive / adhesive layer, and a light-transmitting layer. It is possible to obtain a die attach film having a dicing sheet function, which is composed of a base material. Alternatively, a dicing sheet including a protective film (release sheet), a pressure-sensitive adhesive layer, and a light-transmissive substrate, which is laminated on a light-transmissive substrate on a pressure-sensitive adhesive layer formed on the release sheet. A functional die attach film can be obtained.

【0049】または、光透過性基材上に、直接、粘接着
剤組成物を同様の方法で塗工し、乾燥させて、接着剤フ
ィルムに保護フィルムを積層して保護フィルム、粘接着
層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つ
きダイアタッチフィルムに得ることができる。
Alternatively, the adhesive composition is directly coated on a light-transmissive substrate by the same method, dried, and a protective film is laminated on the adhesive film to form a protective film and adhesive. It is possible to obtain a die attach film having a dicing sheet function, which comprises a layer and a light-transmitting substrate.

【0050】このようにして形成される粘接着層の厚さ
は、好ましくは3〜100μmで、10〜75μmであ
ることがより好ましい。厚さが3μm未満であると粘接
着剤としての効果が少なくなり、100μmを超えると
製品の作成上難しく厚み精度が悪くなる。
The thickness of the adhesive / bonding layer thus formed is preferably 3 to 100 μm, and more preferably 10 to 75 μm. If the thickness is less than 3 μm, the effect as a tacky adhesive is reduced, and if it exceeds 100 μm, it is difficult to produce a product, and the thickness accuracy deteriorates.

【0051】本発明の半導体装置の製造方法は、まず、
シリコンウェハーの裏面に本発明のダイシングシート機
能つきダイアタッチフィルムの粘接着層から保護フィル
ムを剥がし粘接着層を貼付した後、ダイアタッチフィル
ム付きシリコンウェハーを、ダイアタッチフィルムをダ
イシングフィルムとして介してダイシング装置上に固定
し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のダ
イアタッチフィルム付きシリコンウェハーを、個片単位
に切断して個片ダイとした半導体チップを得る。
In the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, first,
After the protective film is peeled off from the adhesive layer of the die attach film with a dicing sheet function of the present invention on the back surface of the silicon wafer and the adhesive layer is attached, the silicon wafer with the die attach film is inserted through the die attach film as the dicing film. Then, the die attach film-attached silicon wafer is cut into individual pieces using a cutting means such as a dicing saw to obtain semiconductor chips.

【0052】続いて、上記のようにして得られた半導体
チップに貼付したダイアタッチフィルムの光透過性基材
面に、紫外線(中心波長=約365nm)を照射する。
通常、照度は20〜500mJ/cm2、さらに照射時
間は、5〜600秒の範囲内に設定される。上記の紫外
線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。
Subsequently, the surface of the light-transmitting substrate of the die attach film attached to the semiconductor chip obtained as described above is irradiated with ultraviolet rays (center wavelength = about 365 nm).
Usually, the illuminance is set to 20 to 500 mJ / cm 2 , and the irradiation time is set to the range of 5 to 600 seconds. Various conditions can be set according to the case of the above ultraviolet irradiation.

【0053】次いで、ダイアタッチフィルムを半導体チ
ップの裏面に固着残存させたままで、光透過性基材のみ
を剥離する。
Next, only the light transmissive base material is peeled off while the die attach film is fixedly left on the back surface of the semiconductor chip.

【0054】このようにして、ダイアタッチフィルムの
粘接着層が固着されている半導体チップを、そのまま金
属リードフレームや基板に、粘接着層を介して、加熱・
圧着することで、ダイボンディングすることができる。
加熱・圧着の条件として、通常は、100〜300℃の
加熱温度、1〜10秒の圧着時間であり、好ましくは1
00〜200℃の加熱、1〜5秒の圧着時間である。つ
づいて、ダイアタッチフィルムに熱硬化型接着成分を含
む場合、後処理として、更に加熱にすることにより、ダ
イアタッチフィルム中の熱硬化型接着成分を硬化させ、
半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接
着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加
熱温度は、通常は100〜300℃程度、好ましくは1
50〜250℃程度であり、加熱時間は通常は1〜24
0分間、好ましくは10〜60分間である。
In this way, the semiconductor chip to which the adhesive / bonding layer of the die attach film is fixed is directly heated to the metal lead frame or substrate via the adhesive / adhesive layer.
By pressure bonding, die bonding can be performed.
The heating / pressing condition is usually a heating temperature of 100 to 300 ° C. and a pressing time of 1 to 10 seconds, preferably 1
The heating time is 00 to 200 ° C. and the pressure bonding time is 1 to 5 seconds. Subsequently, when the die attach film contains a thermosetting adhesive component, as a post-treatment, by further heating, the thermosetting adhesive component in the die attach film is cured,
It is possible to obtain a semiconductor device in which a semiconductor chip and a lead frame, a substrate or the like are firmly bonded. The heating temperature in this case is usually about 100 to 300 ° C., preferably 1
The temperature is about 50 to 250 ° C., and the heating time is usually 1 to 24.
It is 0 minutes, preferably 10 to 60 minutes.

【0055】最終的に硬化したダイアタッチフィルム
は、高い耐熱性を有するとともに、該ダイアタッチフィ
ルム中に含まれる熱硬化に関与しないイミド環を有する
樹脂成分、例えば、耐熱性の高いポリイミド樹脂の硬化
物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、
耐熱性を有する。
The finally hardened die-attach film has high heat resistance, and at the same time, a resin component having an imide ring which does not participate in heat curing contained in the die-attach film, for example, a polyimide resin having high heat resistance is hardened. The material has low brittleness, excellent shear strength and high impact resistance,
Has heat resistance.

【0056】[0056]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

【0057】(A)紫外線硬化型粘着成分 〔(A−1)(メタ)アクリル酸エステルモノマー〕
1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(メーカ
ー:共栄社化学(株)) 〔(A−2)光重合開始剤〕2,2−ジメトキシキ−
1,2−ジフェニルエタン−1−オン(メーカー:チバ
ガイギ(株))
(A) UV-curable adhesive component [(A-1) (meth) acrylic acid ester monomer]
1,6-hexanediol dimethacrylate (manufacturer: Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) [(A-2) Photopolymerization Initiator] 2,2-dimethoxykey
1,2-Diphenylethan-1-one (Manufacturer: Ciba-Geigy Co., Ltd.)

【0058】(B)熱硬化型接着成分 〔(B−1)エポキシ樹脂〕 (B−1−1)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(商品
名:エピコート1001、エポキシ当量:460g/e
q、メーカー:油化シェルエポキシ(株)) (B−1−2)クレゾールノボラックエポキシ樹脂(商
品名:EOCN−1020−80、エポキシ当量:20
0g/eq、メーカー:日本化薬(株)) 〔(B−2)熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤〕イミ
ダゾール化合物(商品名:1B2MZ、メーカー:四国
化成)
(B) Thermosetting adhesive component [(B-1) Epoxy resin] (B-1-1) Bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001, epoxy equivalent: 460 g / e)
q, manufacturer: Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. (B-1-2) Cresol novolac epoxy resin (trade name: EOCN-1020-80, epoxy equivalent: 20)
0 g / eq, manufacturer: Nippon Kayaku Co., Ltd. [(B-2) Thermally active latent epoxy resin curing agent] Imidazole compound (trade name: 1B2MZ, manufacturer: Shikoku Kasei)

【0059】(C)イミド基を含む樹脂成分 (C−1)シリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、
ジアミン成分として、1,3−ビス(3−アミノフェノ
キシ)ベンゼン(0.15モル)とα,ω−ビス(3−
アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(平均分子量
837)(0.15モル)に対して、酸成分に4,4’
−オキシジフタル酸二無水物(0.30モル)を用いた
アニソールに可溶なポリイミド樹脂を得た。分子量はM
w=60000である。 (C−2)シリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、
ジアミン成分として1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン(0.09モル)とα,ω−ビス(3−ア
ミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(平均分子量8
37)(0.21モル)に対して、酸成分に4,4’−
(4,4’−イソプロピデンジフェノキシ)フタル酸2
無水物(0.30モル)を用いたアニソールに可溶なポ
リイミド樹脂を得た。分子量はMw=50000であ
る。
(C) Resin component containing imide group (C-1) Silicone-modified polyimide resin, more specifically,
As the diamine component, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (0.15 mol) and α, ω-bis (3-
Aminopropyl) polydimethylsiloxane (average molecular weight 837) (0.15 mol), with 4,4 'as the acid component
Anisole-soluble polyimide resin using oxydiphthalic acid dianhydride (0.30 mol) was obtained. Molecular weight is M
w = 60,000. (C-2) Silicone-modified polyimide resin, more specifically,
1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (0.09 mol) as a diamine component and α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane (average molecular weight 8
37) (0.21 mol), the acid component is 4,4'-
(4,4'-isopropylidenediphenoxy) phthalic acid 2
Anisole-soluble polyimide resin using an anhydride (0.30 mol) was obtained. The molecular weight is Mw = 50,000.

【0060】(D)フィラー (D−1)銀SF−65(平均粒径3μm)(メーカ
ー:DMC2ジャパン(株)) (D−2)シリカフィラーSP−4B(平均粒径2μ
m)(メーカー:扶桑化学(株) )
(D) Filler (D-1) Silver SF-65 (average particle size 3 μm) (Manufacturer: DMC 2 Japan Co., Ltd.) (D-2) Silica filler SP-4B (average particle size 2 μm
m) (Manufacturer: Fuso Chemical Co., Ltd.)

【0061】光透過性基材 ハイブラ60重量部ポリプロピレン40重量部からなる
クリアテックCT−H817(クラレ製)を、押し出し
機で、厚み100μmのフィルムを形成した。
Light-transmitting substrate Hibra 60 parts by weight Cleartec CT-H817 (manufactured by Kuraray) consisting of 40 parts by weight of polypropylene was formed into a film having a thickness of 100 μm by an extruder.

【0062】《実施例1》表1に記載の割合で各成分を
調合し、粘接着剤組成物を得た。この粘接着剤組成物
を、ポリエチレンテレフタレート基材100μmに塗布
し、乾燥し粘接着剤フィルムを得た。この粘接着剤フィ
ルムに、光透過性基材を合わせてラミネートすることで
保護フィルム(ポリエチレンテレフタレート基材)、粘
接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機
能つきダイアタッチフィルムを作製した。このダイアタ
ッチフィルムの保護フィルムを剥離した後、粘接着層面
に半導体ウェハーを貼り付け、固定保持しダイシングソ
ーを用いて、スピンドル回転数50,000rpm、カ
ッティングスピード50mm/secで、5×5mm角の
チップサイズにカットした。次いで、紫外線を20秒で
250mJ/cm2の積算光量を照射後ダイアタッチフ
ィルムの残着した半導体チップから、光透過性基材を剥
離し、次いで、半導体チップを粘接着層を介して、42
−アロイ合金のリードフレームに、180℃−1MPa
−1.0secの条件で圧着して、ダイボンディング
し、ダイシングシート及びダイアタッチフィルムとして
の各項目の評価を行った。結果を表2に示す。
Example 1 The components were mixed in the proportions shown in Table 1 to obtain an adhesive composition. This adhesive composition was applied to 100 μm of polyethylene terephthalate substrate and dried to obtain an adhesive film. A die attach film with a dicing sheet function consisting of a protective film (polyethylene terephthalate substrate), an adhesive layer, and a light transmissive substrate is obtained by laminating a light transmissive substrate to this adhesive film. It was made. After peeling off the protective film of this die attach film, a semiconductor wafer is attached to the adhesive layer surface, fixed and held, and a dicing saw is used to rotate at a spindle speed of 50,000 rpm and a cutting speed of 50 mm / sec. It was cut to the chip size. Then, after irradiating the integrated light amount of 250 mJ / cm 2 with ultraviolet rays for 20 seconds, the light-transmissive base material is peeled off from the semiconductor chip remaining on the die attach film, and then the semiconductor chip is attached via the adhesive layer. 42
-Alloy alloy lead frame, 180 ℃ -1MPa
Each item was evaluated as a dicing sheet and a die attach film by pressure bonding under the condition of -1.0 sec and die bonding. The results are shown in Table 2.

【0063】《実施例2》粘接着剤成分の配合割合を表
1のように変更した以外は、実施例1と同様の操作を行
った。
Example 2 The same operation as in Example 1 was carried out except that the mixing ratio of the tacky-adhesive component was changed as shown in Table 1.

【0064】《比較例1》粘接着剤成分の配合割合を、
表1のように変更した以外は実施例1と同様の操作を行
った。
<< Comparative Example 1 >> The mixing ratio of the adhesive component was
The same operation as in Example 1 was performed except that the changes were made as shown in Table 1.

【0065】[0065]

【表1】 [Table 1]

【0066】[0066]

【表2】 [Table 2]

【0067】実施例および比較例の評価は、以下の評価
方法を用いた。 (1) ダイシング後のチップの飛散 半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いため
にダイアタッチフィルム上から剥離する半導体チップの
個数を計測することにより評価した。チッピング特性 ○:チップのかけの幅が最大で30μm以下のもの。 △:チップのかけの幅が最大で30〜50μmのもの。 ×:チップのかけの幅が最大で50μm以上のもの。 (2) ピックアップ性 半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイア
タッチフィルム付き半導体チップを光透過性基材から取
り上げること(ピックアップ)ができるかを評価した。 ○:ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの △:ダイシングしたチップの50〜90%がピックアッ
プ可能なもの ×:ピックアップが50%以下のもの (3) ダイアタッチフィルムとしての初期接着性 ダイアタッチフィルム付き半導体チップを42−アロイ
合金のリードフレームに180℃−1MPa−1.0s
ecの条件でダイボンディングし、そのまま未処理の状
態でチップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価
した。 (4) 吸湿後の接着性 上記(3)でダイボンディングした測定サンプルを85
℃/85%RH/168時間吸湿処理をした後、チップ
とリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。 ○:剪断強度が1MPa以上 △:剪断強度が0.5〜1.0 ×:剪断強度が0.5未満 (5)UV吸収率 UV吸収率の測定方法は、紫外光吸収率として、200
nmから375nmの紫外光を粘接着層にあて、吸光度計に
より、その吸収率を測定した。 (6)密着力の比 光透過性基材と粘接着層との180度ピール強度に対す
る保護フィルムと粘接着層との180度ピール強度の
比。
The following evaluation methods were used to evaluate the examples and comparative examples. (1) Scattering of chips after dicing After dicing a semiconductor wafer, the number of semiconductor chips peeled off from the die attach film due to weak adhesion was evaluated. Chipping characteristics ○: Chips with a maximum width of 30 μm or less. Δ: The maximum width of the chip is 30 to 50 μm. ×: The maximum width of the chip is 50 μm or more. (2) Pickup property It was evaluated whether the semiconductor chip with the die attach film could be picked up (picked up) from the light-transmitting substrate by irradiating with ultraviolet rays after dicing the semiconductor wafer. ◯: Almost all chips can be picked up Δ: 50 to 90% of dicing chips can be picked up ×: Pickup 50% or less (3) With initial adhesive die attach film as die attach film A semiconductor chip is mounted on a lead frame of 42-alloy alloy at 180 ° C-1MPa-1.0s.
Die bonding was performed under the condition of ec, and the shear strength between the chip and the lead frame was measured and evaluated in the untreated state. (4) Adhesion after absorption of moisture 85
After moisture absorption treatment at 850 ° C./85% RH for 168 hours, the shear strength between the chip and the lead frame was measured and evaluated. ◯: Shear strength is 1 MPa or more Δ: Shear strength is 0.5 to 1.0 ×: Shear strength is less than 0.5 (5) UV absorptivity The UV absorptivity is measured by an ultraviolet absorptivity of 200.
UV light from nm to 375 nm was applied to the adhesive layer, and the absorptance was measured by an absorptiometer. (6) Adhesive force ratio The ratio of the 180 ° peel strength of the protective film and the adhesive layer to the 180 ° peel strength of the light transmissive substrate and the adhesive layer.

【0068】比較例では密着力の比が1.5倍であり、
保護フィルムを剥がす時に保護フィルム側に粘接着層が
残り評価できなかった。
In the comparative example, the adhesion ratio is 1.5 times,
When the protective film was peeled off, an adhesive layer remained on the protective film side and could not be evaluated.

【0069】[0069]

【発明の効果】本発明によれば、ダイシング時にはダイ
シングフィルムとして耐チッピング特性、クラック特性
に優れたダイシングシートとしての機能を有し、ダイマ
ウント時には接着剤として使用することができ、しか
も、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、厳
しい湿熱条件に耐えるダイアタッチフィルムを提供でき
る。また、これを用いた半導体装置は、これまでの液状
エポキシ系のダイアタッチ材と同等または、それ以上の
耐衝撃性、耐熱性を有する。
According to the present invention, it has a function as a dicing sheet having excellent chipping resistance and crack characteristics as a dicing film at the time of dicing, can be used as an adhesive at the time of die mounting, and has a large thickness. It is possible to provide a die attach film which has excellent uniformity, adhesive strength, and shear strength characteristics and can withstand severe wet heat conditions. Further, a semiconductor device using the same has impact resistance and heat resistance equal to or higher than those of the liquid epoxy die attach material up to now.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J004 AA01 AA16 AA18 AB01 AB05 AB07 CA03 CA04 CA05 DA04 DA05 DB02 DB03 FA05 FA08 4J040 DF012 DF042 DF052 EB032 EB112 EB132 EC002 EC062 EC072 EH031 HA066 HA136 HA306 HA356 JA09 JB02 JB08 JB09 KA42 NA20 PA23 5F047 BA33 BB03 BB19    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 4J004 AA01 AA16 AA18 AB01 AB05                       AB07 CA03 CA04 CA05 DA04                       DA05 DB02 DB03 FA05 FA08                 4J040 DF012 DF042 DF052 EB032                       EB112 EB132 EC002 EC062                       EC072 EH031 HA066 HA136                       HA306 HA356 JA09 JB02                       JB08 JB09 KA42 NA20 PA23                 5F047 BA33 BB03 BB19

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 保護フィルム、粘接着層、及び光透過性
基材からなるフィルムにおいて、保護フィルムと粘接着
層とのピール強度が光透過性基材と粘接着層とのピール
強度の0.1倍以上かつ0.9倍以下であることを特徴
とするダイシングシート機能つきダイアタッチフィル
ム。
1. A film comprising a protective film, a tacky adhesive layer, and a light-transmitting substrate, wherein the peel strength between the protective film and the tacky adhesive layer is the peel strength between the light-transmitting substrate and the tacky adhesive layer. 0.1 times or more and 0.9 times or less of the die attach film with a dicing sheet function.
【請求項2】 保護フィルムと粘接着層とのピール強度
が、10g/25mm以上かつ70g/25mm以下であ
る請求項1記載のダイシングシート機能つきダイアタッ
チフィルム。
2. The die attach film with a dicing sheet function according to claim 1, wherein the peel strength between the protective film and the adhesive layer is 10 g / 25 mm or more and 70 g / 25 mm or less.
【請求項3】 粘接着層が平均粒径0.1〜25μmの
フィラーを含有している請求項1又は2記載のダイシン
グシート機能つきダイアタッチフィルム。
3. The die attach film with a dicing sheet function according to claim 1, wherein the tacky adhesive layer contains a filler having an average particle size of 0.1 to 25 μm.
【請求項4】 粘接着層が銀、酸化チタン、シリカ、及
びマイカからなる群から選ばれた1種以上のフィラーを
含有している請求項3記載のダイシングシート機能つき
ダイアタッチフィルム。
4. The die attach film with a dicing sheet function according to claim 3, wherein the adhesive layer contains at least one filler selected from the group consisting of silver, titanium oxide, silica and mica.
【請求項5】 粘接着剤層が、(A)イミド環を有する
樹脂成分、(B)紫外線硬化型粘着成分、及び(C)熱
硬化型接着成分を含み、375nmより短い波長の紫外
光の透過率が20%以下である請求項1〜4いずれか記
載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム。
5. An ultraviolet light having a wavelength shorter than 375 nm, wherein the adhesive layer contains (A) a resin component having an imide ring, (B) an ultraviolet curable adhesive component, and (C) a thermosetting adhesive component. The die attach film with a dicing sheet function according to claim 1, which has a transmittance of 20% or less.
【請求項6】 (A)請求項1〜5のいずれかに記載の
ダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムの粘接
着層から保護フィルムを剥がしシリコンウェハー裏面と
を貼り合わせる工程と、(B)該シリコンウェハーをダ
イシングし個片ダイに切り離す工程と、(C)ダイシン
グ後にダイアッタチフィルム面に紫外線を照射して粘接
着層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程と、
(D)粘接着層を紫外線硬化させた後、裏面にダイアタ
ッチフィルムを残存させたダイを光透過性基材から剥離
し取り出すピックアップ工程と、(E)該ダイを、リー
ドフレームまたは基板に、ダイアタッチフィルムを介し
て加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
6. A step of: (A) peeling the protective film from the tacky adhesive layer of the die attach film with a dicing sheet function according to any one of claims 1 to 5 and adhering it to the back surface of the silicon wafer; A step of dicing the silicon wafer into individual dies, and (C) a step of irradiating ultraviolet rays to the surface of the die attach film after dicing to cure the contact interface of the adhesive layer with the light-transmitting substrate.
(D) A pick-up step in which the die having the die attach film left on the back surface is peeled from the light-transmissive substrate and taken out after the adhesive layer is cured by ultraviolet light, and (E) the die is used as a lead frame or a substrate. And a step of heating and adhering through a die attach film, the method for manufacturing a semiconductor device.
【請求項7】 請求項1〜5のいずれかに記載のダイシ
ングシート機能つきダイアタッチフィルムにより、半導
体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導
体装置。
7. A semiconductor device in which a semiconductor element and a lead frame or a substrate are bonded together by the die attach film with a dicing sheet function according to any one of claims 1 to 5.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005611A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive tape for fixing semiconductor wafer
US8658515B2 (en) 2011-03-10 2014-02-25 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing film for semiconductor device
JP2014047288A (en) * 2012-08-31 2014-03-17 Hitachi Chemical Co Ltd Sticky adhesive film and production method of semiconductor device

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