JP2003195123A - 光通信用光路変換体及びその実装構造並びに光モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＶＣＳＥＬの表面実装を低背に実現するため
に簡便な構造を備えた、光通信用の光路変換体及びその
実装構造並びにそれを用いた光モジュールを提供するこ
と。 【解決手段】 柱状を成す基体１１に入射光を９０°の
角度で光路変換させる傾斜反射面１３を形成するととも
に、該傾斜反射面１３に周囲媒質より大きな屈折率を有
する透光性媒質から成る半球体１４を設けた光通信用光
路変換体Ｈとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信及び光情報
処理分野等において使用される光路変換反射体及びその
実装構造並びに光モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信システムや、光情報処理シ
ステムの実用化が進むにつれ、さらに大容量の光信号を
処理する事ができ、かつ高機能を有するシステムが要求
されるようになってきている。これらシステムの実現に
は光機能素子を集積した光集積回路が不可欠であり、盛
んに研究されている。

【０００３】特に、光半導体素子と光ファイバを接続す
る技術に関し、従来、光半導体素子と光ファイバ間の光
接続は素子を発光させる、若しくは素子導波路一端に光
を入射し、出射端に光ファイバを設置し、光ファイバ受
光光量が最大になるように光ファイバ位置を微妙に調整
することにより、光ファイバと光半導体素子との光学的
接続を行う、いわゆるアクティブアラインメント方法が
一般的であった。

【０００４】このようにアクティブアラインメント方法
は、素子自身を発光させる、若しくは、片端から光を入
射させる必要が生じる。また、素子個々毎に対する光軸
調芯には時間がかかりコスト上昇につながる等の不便さ
があった。

【０００５】上記問題を解決するために、光半導体素子
と光ファイバとの相対位置を機械的に精度よく配置し、
光学接続を達成する技術（パッシブアラインメント技
術）が、近年盛んに研究されている。

【０００６】パッシブアラインメント技術は、光半導体
素子及び光ファイバ位置は機械的な精度のみで決まるた
め、光半導体素子を発光させる、若しくは光を入射させ
る必要がない。このように、パッシブアラインメント技
術は、従来電気素子のマウント技術の延長線上にあると
いえ、その量産効果は極めて絶大であり、光モジュール
の低価格化には必須の技術となりつつある。また、パッ
シブアラインメント技術はこのような表面実装型光伝送
モジュールを実現させ、光モジュールの高速化、小型低
背化に必要不可欠の技術となっている。

【０００７】一方、近年、面発光レーザ（Vertical Cav
ity Surface Emitting Laser、以下略してＶＣＳＥＬと
記す）の応用展開が盛んに議論されている。面発光レー
ザは、端面共振器型の従来のファブリペローレーザと比
較し、動作電流が小さく、温度特性にも優れる等の優れ
た特徴を有しているために、次世代の光通信用光源とし
て注目されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上のことから、前記
パッシブアラインメント技術を前記ＶＣＳＥＬに応用展
開しようとする流れは至極自然である。

【０００９】しかしながら、ＶＣＳＥＬを表面実装した
光モジュールを実現するためには、次の２つの大きな課
題を解決する必要があった。

【００１０】第1の課題とは、ＶＣＳＥＬ実装面とＶＣ
ＳＥＬの光出射方向が互いに垂直な関係にあることによ
り、ＶＣＳＥＬと光ファイバを光学的に接続するには何
らかの工夫が必要となることである。

【００１１】ＶＣＳＥＬを表面実装するので、その光出
射方向は実装基板に対し法線の方向となる。一般に、電
流を供給する電極は実装基板表面に形成されるために、
電極と実装基板上の電気接合部位を接続させると、実装
基板表面に対し法線の方向に光線が出射される。すなわ
ち、光線進行方向と実装面が垂直の位置関係となる。従
来型の端面発光レーザにおいてはこのような配慮は不要
である。端面発光レーザでは、通常、共振器は実装面に
平行に形成されるので、光出射の方向は共振器の方向
（つまり実装面と平行）に出射する。このため、共振器
の片側端面に光ファイバを配置することにより、容易に
レーザダイオードからの出射光を光ファイバに入射でき
る。

【００１２】そこで、斜面形状に加工した光ファイバの
先端面、或いは半透明反射面で、ＶＣＳＥＬからの出射
光を反射させて、光路変換を行う方法が提案されている
（例えば、米国特許６０８１６３８号公報を参照）。

【００１３】しかし、この方法では、光ファイバ端面を
斜めに研磨すること、また、光ファイバの円筒対称性を
無くすことにより、光ファイバの光軸における回転方向
の調整が必要になること等から、コストが増大するなど
の問題がある。

【００１４】また別の方法として、ＶＣＳＥＬからの出
射光を光ファイバに入射させるために、実装基板の表層
に斜め反射面を設け、この反射面で光路を曲げ、予め所
望の位置に配置された光ファイバへ光入射させる方法が
提案されている（例えば、特表平１１−５０２６３３号
公報を参照）。しかし、この方法では以下の第２の課題
を解決しなければならない。

【００１５】第２の課題は、レーザダイオードの出射光
が或る広がり角を持って空間を伝播していくという問題
である。

【００１６】これを解決する最も単純な方法は、レーザ
ダイオードの光出射端と光ファイバの光入射端を近接さ
せることである。端面発光型レーザを用いるならば、こ
の方法を実施することは至極簡単である。。

【００１７】しかし、ＶＣＳＥＬを用いる場合は、前記
第１の課題で述べたように、光出射方向が実装面と垂直
になるために、何らかの反射面で光路を変換する必要が
あり必ずしも容易ではない。また、ＶＣＳＥＬチップの
外形寸法等による幾何的制限により、いくらかの光路長
を確保しなければならない。このため、光ファイバに入
射する出射光スポット径が大きくなり、その結果、光フ
ァイバとの光学接続が効率的にできなくなる。

【００１８】これら問題へのアプローチとして最も単純
な方法は、チップキャリアと呼ばれる矩形体の一側面に
ＶＣＳＥＬを実装し、その後、チップキャリアの別の側
面を実装面として、ＶＣＳＥＬ出射面と光ファイバ入射
端面が相対向して近接されるように、チップキャリアを
実装基板上に実装するという方法である。

【００１９】しかし、この方法では、ＶＣＳＥＬをチッ
プキャリア上に実装した後、チップキャリアを回転さ
せ、実装基板上に配置する必要があり、工程上不便であ
る。また、現在、出射光の高速変調動作が要求されてい
るので、チップキャリア自体の有するキャパシタンスが
高速動作を阻害する要因ともなっており、チップキャリ
アを省くことが望ましい。

【００２０】そこで本発明は、上記２つの大きな課題を
同時に解決でき、しかもＶＣＳＥＬの表面実装を低背に
実現するために簡便な構造を備えた、光通信用の光路変
換体及びその実装構造並びにそれを用いた光モジュール
を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明の光通信用光路変換体は、柱状を成す基体
に入射光を９０°の角度で光路変換させる傾斜反射面を
形成するとともに、該傾斜反射面に周囲媒質より大きな
屈折率を有する透光性媒質から成る半球体を設けたこと
を特徴とする。

【００２２】また特に、基体は単結晶シリコンから成
り、該単結晶シリコンの異方性エッチングを用いて傾斜
反射面を形成するとともに、該傾斜反射面に光反射膜を
被着形成したことを特徴とする。

【００２３】また、本発明の光通信用光路変換体の実装
構造は、高低差のある低位置面及び高位置面を形成した
基板の低位置面に、面発光及び／又は受光を行わせる光
半導体素子を配設するとともに、前記高位置面に前記光
半導体素子に光接続させる上記の光通信用光路変換体を
配設したことを特徴とする。

【００２４】また、本発明の光モジュールは、上記の光
通信用光路変換体の実装構造を備えるとともに、前記光
半導体素子に前記光通信用光路変換体の傾斜反射面を介
して光接続させる光ファイバの先端を対面させたことを
特徴とする。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て模式的に図示した図面に基づき詳細に説明する。

【００２６】本発明に係る光通信用光路変換体（以下、
単に光路変換体という）の断面図を図１に示す。光路変
換体Ｈは柱状を成す基体１１を備え、この基体１１には
光路変換体Ｈの実装面１２に対し、実装面に対し所定角
度（例えば、図示のように１３５°）を成す傾斜反射面
である光反射面１３上に、透光性を有し周囲媒質より大
きな屈折率を有する誘電体より成る半球体１４を配置す
る形態を特徴とする。このとき、半球体１４の中心Ｃは
光反射面１３上にある。ＶＣＳＥＬ１５からの出射光
は、前記半球体１４に入射し、周囲媒質と半球体１４の
境界で平行光に変換される。平行光に変換された伝播光
は、光反射面１３で９０度光路変換され、再度半球体１
４の境界面に到達する。半球体１４の境界面で平行伝播
光は再び集光され、光ファイバ１６に入射する。

【００２７】ここで、次に半球体１４の光入射側につい
て、図２に示す断面模式図を用いて説明する。図２にお
いて、点Ｃは半球体１４の境界面の中心、ｒは半球体１
４の境界面の半径、点Ｆは焦点位置を、Ａは半球体１４
の境界面の球面と直線ＣＦとの交点（以下、頂点）を表
す。半球体１４内部の屈折率をｎ１、半球体１４の外部
の屈折率をｎ２とすると、焦点距離ＡＦはｎ２／（ｎ１
−ｎ２）×ｒの関係式で与えられる。例えば、ｎ１＝
１．５、ｎ２＝１．０とし、ｒ＝１００μｍとすると、
ＡＦ＝２００μｍとなり、半球体１４の境界面頂点Ａか
ら２００μｍ離した位置にＶＣＳＥＬの出射点を配置す
ると、出射光は平行光に変換される。同様に光出射側に
ついても説明できる。

【００２８】図２に示す光学配置において、光学的結像
倍率は１である。しかしながら、必ずしも、発光素子の
発光点を半球体１４の焦点位置に配置する必要はない。
図１に示す半球体１４と光反射面１３の構成は、球レン
ズを用いた結像光学系と等価である。すなわち、発光点
と半球体中心、並びに半球体と結像像間の距離をそれぞ
れ、a、ｂとし、半球体の焦点距離をｆ（＝ＡＦ）とし
たとき１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの等式が成り立ち、結像
倍率ｍはｍ＝ｂ／aとなる。

【００２９】次に、光路変換体Ｈの基体１１の作製方法
について説明する。

【００３０】光路変換体Ｈの基体１１は異方性エッチン
グが可能な単結晶シリコン等のウエハから作製される。
図３に示すように、例えば単結晶シリコンウエハ２１
は、面方位が（１００）面またはそれに等価な面から
（５４．７−４５）°傾いたウエハとする。ここで５
４．７°はシリコンウエハ２１の主面は（１００）面ま
たはそれに等価な面を異方性エッチングした際に形成さ
れる傾斜角である。

【００３１】光路を９０°変換するためには前記傾斜角
が図示のように４５°でなければならないから、そのと
きのシリコンウエハ２１の面方位傾きは９．７°とな
る。

【００３２】図４（a）に示すシリコンウエハ２１に形
成されたＶ溝２２は、図３に示す単結晶シリコンの［１
１０］方向またはそれに等価な方向に沿って直線的に形
成される。Ｖ溝２２の形成はフォトリソグラフィー技
術、単結晶シリコンの異方性エッチング技術を用いて行
われる。

【００３３】溝２２を形成後、光反射膜（不図示）を形
成すべく金属薄膜をＶ溝２２斜面上に形成する。金属薄
膜の最上層には反射率の高いＡｕが最適であるが、金属
光沢を有する別の金属であってもよい。金属薄膜は複数
の異なった材質の多層薄膜とし、最上層金属膜をシリコ
ン基体上に有効に形成させるために、最上層金属薄膜と
シリコン基体間に下地金属多層膜及びシリコン酸化膜
（ＳｉＯ２）層が設けられる。例えば、Ａｕが最上層膜
である場合、下地金属多層膜としてはＰｔ／Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ／Ｔｉ等が有効である。光反射膜は下地金属も
含め数１０００オングストロームから数μｍ程度が適当
である。本光反射膜は半球体１４と反射面の重なる部分
に最低限設ければよく、必ずしもＶ溝２２斜面全体に設
ける必要はない。

【００３４】また、ここで半球体１４について説明す
る。半球体１４は、例えばクラウンガラス、硼珪クラウ
ンガラス、重クラウンガラス、軽フリントガラス、重フ
リントガラス、シリカガラス、サファイヤ、セレン化亜
鉛等の一般的なガラス材料で作製してもよい。光路変換
体Ｈの基体１１の光反射面には透光性の樹脂接着材等で
接合させればよい。また、予め光反射面に光透光性の樹
脂材料に対し濡れ性のよい表面を円形状に設け、一方で
濡れ性の良い表面の周りは塗れ性の悪い材料を配設する
などし、濡れ性の良い表面上に適切な量の前記光透光性
樹脂材料を滴下させ、その表面張力で半球体を形成する
方法等も考えられる。

【００３５】次に、本発明の光路変換体の実装形態とそ
れを用いた光モジュール実施形態について説明する。

【００３６】図５（a）に光路変換体Ｈを素子実装用基
板（以下、単に基板という）３１に配設する様子を分解
斜視図にて示し、図２（ｂ）に光路変換体Ｈの実装構造
（または光モジュール）を斜視図にて示す。図５に示す
ように、高低差のある基板３１の低位置面３２ｂに、活
性層領域がＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系等の半導体材料で構成されたＶＣＳＥＬ等の光半導
体素子であるＶＣＳＥＬ３３（及び／又はフォトダイオ
ード等の光半導体素子である面受光素子：以下、ＶＣＳ
ＥＬという）を配設するとともに、高位置面３２aに光
路変換体Ｈを配設している。

【００３７】光モジュールは、光路変換体Ｈの光出射光
結像点に光ファイバ１６の光入射端１６ａを配置させた
ものである。また、高低差のある低位置面３２ｂ及び高
位置面３２ａは図示のように凹部ではない段差でもよ
い。

【００３８】具体的な本発明の光路変換体の実装工程に
ついて説明する。図５において、ＶＣＳＥＬ３３を実装
する基板３１は、高低差のある低位置面３２ｂ及び３２
ａが形成されており、低位置面３２ｂを異方性エッチン
グで容易に作製可能な例えば単結晶シリコンを用いる。
また、凹部内に形成された低位置面３２ｂの周囲の高位
置面３２ａに、薄膜パターンである接合用半田で接合部
３４が形成されている。ＶＣＳＥＬ３３は、例えば基板
３１に形成されたアラインメントマーカ（不図示）等に
よって正確に位置決めされ、低位置面３２ｂに設けられ
た接合用半田（不図示）によって実装固定される。

【００３９】ＶＣＳＥＬ３３の実装後、光路変換体Ｈが
ＶＣＳＥＬ３３と同様にＶＣＳＥＬ３３の上部に実装固
定される。光路変換体Ｈの基板３１と相対向させる面
（この実施形態では実装面１２）には予め接合用金属パ
ターンで接合部位３５が形成されており、基板３１側の
接合部３４との加熱圧着により接合される。このとき、
ＶＣＳＥＬ３３の光出射点と半球体１４は同一光軸上に
配置されるように正確に位置決め実装されている。

【００４０】ＶＣＳＥＬ３３及び光路変換体Ｈを基板３
１上へ実装後、光ファイバ１６を位置決めするための光
ファイバ実装用基板３６を基板３１上へ配置し、次い
で、光ファイバ１６を光ファイバ実装用基板３６上へ配
置する。このとき、光ファイバ１６の光軸と半球体１４
の光軸が一致するように正確に位置決めされる。

【００４１】接合部３４、或いは３５は、下地金属とし
て、例えば、上層／下層でＡｕ／ＣｒあるいはＡｕ／Ｐ
ｔ／Ｔｉ等の積層体で形成し、この積層体上に金錫、鉛
錫等の半田材料を配設して構成されている。なお、この
ような下地金属の下部には例えばＳｉＯ２膜等の絶縁膜
が形成されている。ＶＣＳＥＬ３３への電力供給線路
（不図示）は、前記絶縁膜を最下層に設け、最下層の絶
縁膜上に面発光素子１１への電力供給線路を形成し、そ
の上にＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の
絶縁膜を形成した後、前記下地金属を形成する構造とし
てもよい。

【００４２】かくして、本実施形態によれば、面発光素
子の実装面に対し垂直方向に出射した光の光路を容易に
９０°変換することができ、効率よく且つ効果的に光フ
ァイバに光入射させることができ、低背化を実現した光
モジュールとすることができる。

【００４３】また、本発明の光路変換体によれば、反射
面は入射光に対し９０°の角度で光路変換させるように
形成されていて且つ、前記反射面上に透光性を有する誘
電体材料で半球体が形成されていることで、簡単な構成
で光半導体素子と光ファイバとの光結合が効率良く実現
される。

【００４４】また、本発明の光路変換体基体及び反射面
は、シリコン異方性エッチングを用いて傾斜面を形成
し、前記傾斜面は例えば（１１１）面及びそれと等価な
面からなり且つ、前記反射面は入射光に対し９０°の角
度で光路変換させるように形成されていることで、作製
コストの削減ができる。

【００４５】また、高低差のある低位置面及び高位置面
を形成した基板に低位置面に、光半導体素子を配設する
とともに、高位置面に光路変換体を配設する実装構造に
より、低背化を実現させることができる。

【００４６】また、本発明の光路変換体の実装構造を備
えるとともに、前記光路変換体を用いて、前記光半導体
素子と光ファイバの光学的接続を行う光モジュール構造
により、高出力で低背な光モジュールを実現させること
ができる。

【００４７】なお、本発明の光路変換体を用いた光モジ
ュールは、ＶＣＳＥＬ等の面発光素子を用いた光送受信
モジュールを想定したが、相反性より、面発光素子を受
光素子として用いて、光受信用モジュールに応用した
り、面発光素子と受光素子とを設けて光受発信用モジュ
ールに適用できることは当然である。

【００４８】また、本発明の光路変換体、及びそれを用
いた光モジュールの実施形態について、単独の発光／受
光素子と単独の光ファイバ間の結合を考えて説明を行っ
たが、本発明の光路変換体に複数の半球体を配置するこ
とは至極簡単であり、すなわち、たとえばアレイ型発光
素子列と光ファイバ列間の光結合についても応用できる
ことは至極自然である。

【００４９】

【実施例】以下に、本発明をより具体化した実施例につ
いて説明する。

【００５０】図１において、光路変換体Ｈの基体１１は
単結晶シリコンを用い、フォトリソグラフィー技術並び
にアルカリ水溶液を用いた異方性エッチング技術等を用
いて正確に作製した。光反射面１３は光路変換体Ｈの接
合面に対し４５°の傾斜をもって形成され、半球体１４
の半径は１００μｍとした。光反射面は金属蒸着法を用
いて作製し、反射部のみを半球体の半径と一致させ円形
状に形成した。光反射面上には硼珪クラウンガラスより
成る半球体１４を配置し、光路変換体Ｈの基体１１と半
球体１４は透光性のエポキシ系樹脂接着剤で接合した。
その他、アクリル系、シリコン系、ポリイミド系等の樹
脂を用いてもよい。

【００５１】図５に示す光モジュールにおいて、基板３
１として単結晶シリコンを用い、ＶＣＳＥＬ３３を配設
した低位置面３２ｂはフォトリソグラフィー技術並びに
アルカリ水溶液を用いた異方性エッチング技術等を用い
て正確に作製した。この低位置面３２ｂの深さは４００
μｍとした。これは、半球体１４の焦点距離、並びにＶ
ＣＳＥＬ３３の素子厚みにより決定したからである（焦
点距離及びＶＣＳＥＬ３３の素子厚みを２００μｍ程度
とした）。また、低位置面３２ｂの幅は、光路変換体Ｈ
のサイズより決まるが、光路変換体Ｈの接合面を１ｍｍ
×１ｍｍとしたので、これより少し小さめのサイズとし
た。ＶＣＳＥＬ３３の実装基板である基板３１上に、低
位置面３２ｂも含めて、最下層としてＳｉＯ２から成る
絶縁膜を熱酸化法により形成した。

【００５２】最下層のＳｉＯ２上に、ＶＣＳＥＬ３３へ
電力を供給する電気配線を、フォトリソグラフィー法及
び金属蒸着法等により形成し、その上に前記金属配線の
電気接続部（電極パット）を除き、上部絶縁層としてＳ
ｉＯ２をスパッタ法で形成した。上部絶縁層上に接続用
薄膜半田パターンから成る接合部３４を設けた。半田薄
膜材料として金錫半田を用いた。半田パターンの下地金
属層としては上層／下層でＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉの積層構造
とした。本実施例の半田薄膜パターンは不図示としてい
るが、ＶＣＳＥＬ３３の実装部にも同時に設けた。

【００５３】ＶＣＳＥＬ３３、光路変換体Ｈ、及び光フ
ァイバ１６の実装工程について以下に説明する。

【００５４】最初に、ＶＣＳＥＬ３３を基板３１上の低
位置面３２ｂに位置決めマーカ（不図示）を用いて正確
に配置され、不図示の薄膜半田を用いてＶＣＳＥＬ３３
を実装した。その後、基板３１と光路変換体Ｈを、位置
決めマーカ（不図示）を用いて位置あわせした後、基板
３１側の接合部３４及び光路変換体Ｈ側の接合部１５を
圧着加熱することにより、基板３１上に光路変換体Ｈを
実装した。

【００５５】次に、光ファイバ実装用基板３６を正確に
基板３１上へ実装し、最後に光ファイバ１６を光ファイ
バ実装用基板３６上に設けられたＶ溝へ配置固定するこ
とで、本発明の光路変換体Ｈを備えた光モジュールを完
成させた。

【００５６】かくして、本実施例により、面発光素子の
実装面に対し垂直方向に出射した光の光路を容易に９０
°変換することができ、効率よく且つ効果的に光ファイ
バに光入射させることができ、低背化を実現した光モジ
ュールとすることができた。

【００５７】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の光通
信用光路変換体によれば、傾斜反射面は入射光に対し９
０°の角度で光路変換させるように形成されていて且
つ、傾斜反射面上に透光性を有する誘電体材料で半球体
が形成されていることで、簡単な構成で光半導体素子と
光ファイバとの光結合が効率良く実現される。

【００５８】また、請求項２の光通信用光路変換体によ
れば、光路変換体の傾斜反射面は、単結晶シリコンの異
方性エッチングを用いて形成することで、光路変換体を
きわめて容易にかつ多量に作製することができる。

【００５９】また、請求項３の光通信用光路変換体の実
装構造によれば、高低差のある低位置面及び高位置面を
形成した基板に低位置面に、光半導体素子を配設すると
ともに、高位置面に上記光通信用光路変換体を配設する
ようにしたので、低背化を容易に実現させることができ
る。

【００６０】また、請求項４の光モジュールによれば、
上記実装構造を備えているので、高出力で低背な光モジ
ュールを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光通信用光路変換体の実施形態を
模式的に説明する断面図である。

【図２】本発明に係る光通信用光路変換体に設ける半球
体の光学的位置関係を模式的に説明する断面図である。

【図３】本発明に係る光通信用光路変換体の基体を作製
する単結晶シリコン基板を模式的に説明する斜視図であ
る。

【図４】本発明に係る光通信用光路変換体の基体を作製
する方法を模式的に説明する図であり、（ａ）は切断前
のシリコンウエハの平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図、
（ｃ）は（ａ）のシリコンウエハを切断してできた光路
変換体基体の斜視図である。

【図５】本発明に係る光通信用光路変換体の実装構造
（または光モジュール）を模式的に説明する図であり、
（a）は光通信用光路変換体を実装基板上に配設する際
の分解斜視図、（ｂ）は光通信用光路変換体の実装構造
（または光モジュール）の斜視図である。

【符号の説明】

１１：基体 １２：光通信用光路変換体の実装面 １３：光反射面（傾斜反射面） １４：半球体 １５：ＶＣＳＥＬ １６：光ファイバ ２１：シリコン基板 ２２：Ｖ溝 ３１：素子実装基板 ３２ａ：高位置面 ３２ｂ：低位置面 ３３：ＶＣＳＥＬ（光半導体素子） ３４：実装基板側の接合部 ３５：光路変換体側の接合部 ３６：光ファイバ実装基板 Ｈ：光通信用光路変換体

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 柱状を成す基体に入射光を９０°の角度
   で光路変換させる傾斜反射面を形成するとともに、該傾
   斜反射面に周囲媒質より大きな屈折率を有する透光性媒
   質から成る半球体を設けたことを特徴とする光通信用光
   路変換体。 【請求光２】 前記基体は単結晶シリコンから成り、該
   単結晶シリコンの異方性エッチングを用いて傾斜反射面
   を形成するとともに、該傾斜反射面に光反射膜を被着形
   成したことを特徴とする請求項１に記載の光通信用光路
   変換体。
2. 【請求項２】 高低差のある低位置面及び高位置面を形
   成した基板の低位置面に、面発光及び／又は受光を行わ
   せる光半導体素子を配設するとともに、前記高位置面に
   前記光半導体素子に光接続させる請求項１または２に記
   載の光通信用光路変換体を配設したことを特徴とする光
   通信用光路変換体の実装構造。
3. 【請求項３】 請求項３に記載の光通信用光路変換体の
   実装構造を備えるとともに、前記光半導体素子に前記光
   通信用光路変換体の傾斜反射面を介して光接続させる光
   ファイバの先端を対面させたことを特徴とする光モジュ
   ール。