JP2003190761A - ガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方法、これを用いたガス供給方法及び半導体製造装置 - Google Patents
ガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方法、これを用いたガス供給方法及び半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス供給配管でのガスの液化箇所を確実に検
出できるガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方
法、これを用いたガス供給方法及び半導体製造装置を提
供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、チャンバ４にガスを供給する
配管７でのガスの液化箇所の検出方法であり、チャンバ
４の排気を行い配管７を経てチャンバ４にガスを供給し
た後、配管７のバルブ９を閉じ、チャンバ４内でバルブ
９を閉じる前後の圧力を測定し、配管７のバルブ９とチ
ャンバ４の間にガスの液化箇所があるか否かを検出す
る。この場合、バルブ９を閉じる前後で、バルブ９とチ
ャンバ４の間でガスが液化している場合は圧力変化が小
さく、液化していない場合は圧力変化が大きいため、チ
ャンバ４内でバルブ９を閉じる前後の圧力変化をモニタ
することで、バルブ９とチャンバ４の間でガスの液化箇
所を確実に検出できる。
出できるガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方
法、これを用いたガス供給方法及び半導体製造装置を提
供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、チャンバ４にガスを供給する
配管７でのガスの液化箇所の検出方法であり、チャンバ
４の排気を行い配管７を経てチャンバ４にガスを供給し
た後、配管７のバルブ９を閉じ、チャンバ４内でバルブ
９を閉じる前後の圧力を測定し、配管７のバルブ９とチ
ャンバ４の間にガスの液化箇所があるか否かを検出す
る。この場合、バルブ９を閉じる前後で、バルブ９とチ
ャンバ４の間でガスが液化している場合は圧力変化が小
さく、液化していない場合は圧力変化が大きいため、チ
ャンバ４内でバルブ９を閉じる前後の圧力変化をモニタ
することで、バルブ９とチャンバ４の間でガスの液化箇
所を確実に検出できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
チャンバ内にガスを供給するガス供給配管におけるガス
の液化箇所の検出方法、これを用いたガス供給方法及び
半導体製造装置に関する。
チャンバ内にガスを供給するガス供給配管におけるガス
の液化箇所の検出方法、これを用いたガス供給方法及び
半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体製造装置においては、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）装置のチャンバ内で半導体ウ
ェハ上にＳｉＯ2等の絶縁膜を形成するために、ＴＥＯ
Ｓ（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＰＯ（ＰＯ（ＯＣ
2Ｈ5）3）等の液体原料が使用されることがある。
ical Vapor Deposition）装置のチャンバ内で半導体ウ
ェハ上にＳｉＯ2等の絶縁膜を形成するために、ＴＥＯ
Ｓ（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＰＯ（ＰＯ（ＯＣ
2Ｈ5）3）等の液体原料が使用されることがある。
【０００３】この液体原料は気化供給装置によりガス化
された後、キャリアガスによりガス供給配管を経てＣＶ
Ｄ装置のチャンバ内に導入される。
された後、キャリアガスによりガス供給配管を経てＣＶ
Ｄ装置のチャンバ内に導入される。
【０００４】ところが、ＴＥＯＳやＴＥＰＯ等の液体原
料は、ガス化されても液体に戻りやすく、ガス供給配管
中で液化する場合があり、このガスの液化は、（１）チ
ャンバへのガスの実流量を不安定とする、（２）半導体
ウェハにおいて膜厚、膜質等の面内均一性を悪化させ
る、（３）パーティクル発生の原因となる、（４）成膜
速度を低下させる、など様々な問題を引き起こすおそれ
がある。
料は、ガス化されても液体に戻りやすく、ガス供給配管
中で液化する場合があり、このガスの液化は、（１）チ
ャンバへのガスの実流量を不安定とする、（２）半導体
ウェハにおいて膜厚、膜質等の面内均一性を悪化させ
る、（３）パーティクル発生の原因となる、（４）成膜
速度を低下させる、など様々な問題を引き起こすおそれ
がある。
【０００５】ここで、上記ガスの液化に影響を与える主
な項目としては、（１）配管及び気化供給装置の熱容
量、（２）配管の材質及び配管内壁の表面状態、（３）
配管の長さと曲げの数、（４）配管途中に設けられるフ
ィルター等、ガス流の抵抗となる部品の存在、（５）ガ
スの搬送用ドライガス（Ｈｅ、Ｎ2等）、（６）気化供
給装置の状態等が挙げられるが、ガスの液化を防止する
ためには主として、配管や気化供給装置等を交換すれば
足りる。
な項目としては、（１）配管及び気化供給装置の熱容
量、（２）配管の材質及び配管内壁の表面状態、（３）
配管の長さと曲げの数、（４）配管途中に設けられるフ
ィルター等、ガス流の抵抗となる部品の存在、（５）ガ
スの搬送用ドライガス（Ｈｅ、Ｎ2等）、（６）気化供
給装置の状態等が挙げられるが、ガスの液化を防止する
ためには主として、配管や気化供給装置等を交換すれば
足りる。
【０００６】そこで、従来は、作業者が、ガス供給配管
においてガスの液化が起こっている箇所を経験や勘によ
り推測し、ガスの液化が起こっている場合にはその部分
の配管を交換するか、気化供給装置を交換するなどして
ガスの液化を防止する作業を行っていた。
においてガスの液化が起こっている箇所を経験や勘によ
り推測し、ガスの液化が起こっている場合にはその部分
の配管を交換するか、気化供給装置を交換するなどして
ガスの液化を防止する作業を行っていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の方法は、作業者の経験と勘を頼りにしていたた
め、ガス供給配管においてガスの液化が起こっている箇
所を検出できない場合もあり、その場合には、ガスの液
化が起こっている箇所が見つかるまでその検出作業を繰
り返し行う必要がある。このため、この検出作業により
多くの時間、人、費用を必要としていた。特に、近年の
半導体ウェハの大口径化に伴い、チャンバの容積が大き
くなる状況下にあっては、液体原料の使用流量も多くな
る傾向があり、上記のような問題は、以前よりも深刻な
ものとなっている。
た従来の方法は、作業者の経験と勘を頼りにしていたた
め、ガス供給配管においてガスの液化が起こっている箇
所を検出できない場合もあり、その場合には、ガスの液
化が起こっている箇所が見つかるまでその検出作業を繰
り返し行う必要がある。このため、この検出作業により
多くの時間、人、費用を必要としていた。特に、近年の
半導体ウェハの大口径化に伴い、チャンバの容積が大き
くなる状況下にあっては、液体原料の使用流量も多くな
る傾向があり、上記のような問題は、以前よりも深刻な
ものとなっている。
【０００８】そこで、本発明は、ガス供給配管において
ガスの液化が起こっている箇所を確実に検出することが
できるガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方
法、これを用いたガス供給方法及び半導体製造装置を提
供することを目的とする。
ガスの液化が起こっている箇所を確実に検出することが
できるガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方
法、これを用いたガス供給方法及び半導体製造装置を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した。その結果、本発明者等は、
ガス化した液体原料の液化が生じた場合には、その後ガ
ス化した液体原料の供給流量をゼロにした後でも、チャ
ンバ内の圧力が短時間ではベース圧力に戻らないことを
見出した。すなわち、ガス供給配管内でガスが液化して
いれば、ガス化液体原料の供給流量をゼロにした後で
も、ガス供給配管内に液体原料が残っているため、液体
原料が再びガス化してしばらくチャンバ内に導入され、
チャンバ内の圧力が短時間ではベース圧力に戻らないこ
とを見出し、本発明を完成するに至ったものである。な
お、ベース圧力とは、チャンバ内にガスを供給せず、チ
ャンバ内の排気のみを行っているときの圧力を言う。
を解決すべく鋭意検討した。その結果、本発明者等は、
ガス化した液体原料の液化が生じた場合には、その後ガ
ス化した液体原料の供給流量をゼロにした後でも、チャ
ンバ内の圧力が短時間ではベース圧力に戻らないことを
見出した。すなわち、ガス供給配管内でガスが液化して
いれば、ガス化液体原料の供給流量をゼロにした後で
も、ガス供給配管内に液体原料が残っているため、液体
原料が再びガス化してしばらくチャンバ内に導入され、
チャンバ内の圧力が短時間ではベース圧力に戻らないこ
とを見出し、本発明を完成するに至ったものである。な
お、ベース圧力とは、チャンバ内にガスを供給せず、チ
ャンバ内の排気のみを行っているときの圧力を言う。
【００１０】すなわち、本発明は、チャンバ内にガスを
供給するガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方
法において、前記チャンバの排気を行う第１工程と、前
記ガス供給配管を通して前記チャンバ内にガスを供給す
る第２工程と、前記ガス供給配管に設けられるバルブを
閉じる第３工程と、前記チャンバ内において前記バルブ
を閉じる前後の圧力を測定し、その圧力変化により、前
記ガス供給配管のうち前記バルブと前記チャンバとの間
の部分にガスの液化箇所があるか否かを検出する第４工
程とを含むことを特徴とする。
供給するガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方
法において、前記チャンバの排気を行う第１工程と、前
記ガス供給配管を通して前記チャンバ内にガスを供給す
る第２工程と、前記ガス供給配管に設けられるバルブを
閉じる第３工程と、前記チャンバ内において前記バルブ
を閉じる前後の圧力を測定し、その圧力変化により、前
記ガス供給配管のうち前記バルブと前記チャンバとの間
の部分にガスの液化箇所があるか否かを検出する第４工
程とを含むことを特徴とする。
【００１１】この発明によれば、チャンバの排気を行
い、ガス供給配管を通してチャンバ内にガスを供給した
後、バルブを閉じ、チャンバ内においてバルブを閉じる
前後の圧力を測定する。ここで、ガス供給配管のうちバ
ルブとチャンバとの間の部分でガスが液化している場
合、バルブを閉じた後も、ガス供給配管に残っている液
体がガス化されてしばらくチャンバ内に導入されるの
で、チャンバ内のガスの圧力が急激には下がらずしばら
く高い状態にある。一方、バルブとチャンバとの間のガ
ス供給配管においてガスが液化していない場合、ガス供
給配管内に液体が残っているので、バルブを閉じた後
は、液化したガスがチャンバ内に導入されることはな
く、チャンバ内のガスの圧力は急激に低くなる。このた
め、バルブを閉じる前後のチャンバ内の圧力変化をモニ
タすることで、ガス供給配管のうち前記バルブと前記チ
ャンバとの間の部分でガスの液化箇所があるか否かを確
実に検出できる。
い、ガス供給配管を通してチャンバ内にガスを供給した
後、バルブを閉じ、チャンバ内においてバルブを閉じる
前後の圧力を測定する。ここで、ガス供給配管のうちバ
ルブとチャンバとの間の部分でガスが液化している場
合、バルブを閉じた後も、ガス供給配管に残っている液
体がガス化されてしばらくチャンバ内に導入されるの
で、チャンバ内のガスの圧力が急激には下がらずしばら
く高い状態にある。一方、バルブとチャンバとの間のガ
ス供給配管においてガスが液化していない場合、ガス供
給配管内に液体が残っているので、バルブを閉じた後
は、液化したガスがチャンバ内に導入されることはな
く、チャンバ内のガスの圧力は急激に低くなる。このた
め、バルブを閉じる前後のチャンバ内の圧力変化をモニ
タすることで、ガス供給配管のうち前記バルブと前記チ
ャンバとの間の部分でガスの液化箇所があるか否かを確
実に検出できる。
【００１２】また本発明は、チャンバ内にガスを供給す
るガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方法にお
いて、前記チャンバの排気を行う第１工程と、前記ガス
供給配管を通して前記チャンバ内にガスを供給する第２
工程と、前記ガス供給配管に前記チャンバ側から順次設
けられる第１バルブ及び第２バルブのうち前記第１バル
ブを閉じる第３工程と、前記チャンバ内において前記第
１バルブを閉じる前後の圧力を測定し、前記ガス供給配
管のうち前記第１バルブと前記チャンバとの間の部分に
ガスの液化箇所があるか否かを検出する第４工程と、前
記第４工程でガスの液化箇所が検出されないときに、前
記第１バルブを開き、前記ガス供給配管を通して前記チ
ャンバ内にガスを供給する第５工程と、前記第２バルブ
を閉じる第６工程と、前記チャンバ内において前記第２
バルブを閉じる前後の圧力を測定し、その圧力変化によ
り前記ガス供給配管のうち前記第２バルブと前記第１バ
ルブとの間の部分にガスの液化箇所が有るか否かを検出
する第７工程とを含むことを特徴とする。
るガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方法にお
いて、前記チャンバの排気を行う第１工程と、前記ガス
供給配管を通して前記チャンバ内にガスを供給する第２
工程と、前記ガス供給配管に前記チャンバ側から順次設
けられる第１バルブ及び第２バルブのうち前記第１バル
ブを閉じる第３工程と、前記チャンバ内において前記第
１バルブを閉じる前後の圧力を測定し、前記ガス供給配
管のうち前記第１バルブと前記チャンバとの間の部分に
ガスの液化箇所があるか否かを検出する第４工程と、前
記第４工程でガスの液化箇所が検出されないときに、前
記第１バルブを開き、前記ガス供給配管を通して前記チ
ャンバ内にガスを供給する第５工程と、前記第２バルブ
を閉じる第６工程と、前記チャンバ内において前記第２
バルブを閉じる前後の圧力を測定し、その圧力変化によ
り前記ガス供給配管のうち前記第２バルブと前記第１バ
ルブとの間の部分にガスの液化箇所が有るか否かを検出
する第７工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】この発明によれば、ガス供給配管に第１バ
ルブ及び第２バルブが設けられている場合でも、ガスの
液化箇所を確実に検出できる。
ルブ及び第２バルブが設けられている場合でも、ガスの
液化箇所を確実に検出できる。
【００１４】更に、本発明は、チャンバ内にガス供給配
管を通してガスを供給するガス供給方法において、上記
ガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方法を用い
て前記ガス供給配管におけるガスの液化箇所を検出する
工程と、前記ガス供給配管のうち前記ガスの液化箇所を
有する部分を加熱して液化ガスを気化させる工程と、前
記バルブを開き、前記ガス供給配管を通して前記チャン
バ内にガスを供給する工程とを含むことを特徴とする。
管を通してガスを供給するガス供給方法において、上記
ガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方法を用い
て前記ガス供給配管におけるガスの液化箇所を検出する
工程と、前記ガス供給配管のうち前記ガスの液化箇所を
有する部分を加熱して液化ガスを気化させる工程と、前
記バルブを開き、前記ガス供給配管を通して前記チャン
バ内にガスを供給する工程とを含むことを特徴とする。
【００１５】この発明によれば、ガス供給配管における
ガスの液化箇所を検出した後、その液化箇所を有する部
分を加熱して液化ガスを気化させるので、ガスの液化箇
所を有する部分を交換することなく、チャンバ内にガス
を供給できる。
ガスの液化箇所を検出した後、その液化箇所を有する部
分を加熱して液化ガスを気化させるので、ガスの液化箇
所を有する部分を交換することなく、チャンバ内にガス
を供給できる。
【００１６】更に本発明は、チャンバ内にガス供給配管
を通してガスを供給する半導体製造装置において、前記
ガス供給配管に設けられるバルブと、前記チャンバの排
気を行う排気手段と、前記ガス供給配管にガスを供給す
るガス供給手段と、前記チャンバ内の圧力を測定する圧
力測定手段と、前記ガス供給配管を加熱する加熱手段
と、前記バルブを閉じる前後の前記チャンバ内の圧力変
化に応じて、前記加熱手段が前記ガス供給配管を加熱す
るように前記加熱手段を制御する制御手段とを備えるこ
とを特徴とする。
を通してガスを供給する半導体製造装置において、前記
ガス供給配管に設けられるバルブと、前記チャンバの排
気を行う排気手段と、前記ガス供給配管にガスを供給す
るガス供給手段と、前記チャンバ内の圧力を測定する圧
力測定手段と、前記ガス供給配管を加熱する加熱手段
と、前記バルブを閉じる前後の前記チャンバ内の圧力変
化に応じて、前記加熱手段が前記ガス供給配管を加熱す
るように前記加熱手段を制御する制御手段とを備えるこ
とを特徴とする。
【００１７】この装置によれば、排気手段によりチャン
バの排気が行われ、ガス供給手段によりガス供給配管に
ガスが供給される。このとき、バルブを開くと、ガス供
給配管からチャンバにガスが供給される。その後、バル
ブが閉じられる。このとき、圧力測定手段によって、バ
ルブを閉じる前後でチャンバ内の圧力が測定される。こ
のとき、上述した原理により、バルブを閉じる前後の圧
力変化によってガス供給配管のうちバルブとチャンバと
の間の部分にガスの液化箇所があるか否かを確実に検出
できる。こうしてガスの液化箇所が検出されたならば、
制御手段により、加熱手段が制御され、加熱手段により
ガス供給配管が加熱されて液化したガスが気化される。
その後、バルブを開き、ガス供給手段によりガスが供給
される。こうして、ガスの液化箇所を有する部分を交換
することなく、チャンバ内にガスを供給できる。
バの排気が行われ、ガス供給手段によりガス供給配管に
ガスが供給される。このとき、バルブを開くと、ガス供
給配管からチャンバにガスが供給される。その後、バル
ブが閉じられる。このとき、圧力測定手段によって、バ
ルブを閉じる前後でチャンバ内の圧力が測定される。こ
のとき、上述した原理により、バルブを閉じる前後の圧
力変化によってガス供給配管のうちバルブとチャンバと
の間の部分にガスの液化箇所があるか否かを確実に検出
できる。こうしてガスの液化箇所が検出されたならば、
制御手段により、加熱手段が制御され、加熱手段により
ガス供給配管が加熱されて液化したガスが気化される。
その後、バルブを開き、ガス供給手段によりガスが供給
される。こうして、ガスの液化箇所を有する部分を交換
することなく、チャンバ内にガスを供給できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１９】図１は、本発明の半導体製造装置の一実施
形態を示す概略図である。図１に示すように、半導体製
造装置１は、ＣＶＤ装置２と、ＣＶＤ装置２に原料ガス
を供給するガス供給装置３とを備える。
形態を示す概略図である。図１に示すように、半導体製
造装置１は、ＣＶＤ装置２と、ＣＶＤ装置２に原料ガス
を供給するガス供給装置３とを備える。
【００２０】ＣＶＤ装置２は、半導体ウェハを収容する
ためのチャンバ４を有し、チャンバ４には、当該チャン
バ４内の圧力を測定する圧力計（圧力測定手段）５が設
置されている。
ためのチャンバ４を有し、チャンバ４には、当該チャン
バ４内の圧力を測定する圧力計（圧力測定手段）５が設
置されている。
【００２１】ガス供給装置３は、チャンバ４に接続され
る排気配管６を備えており、排気配管６には真空ポンプ
（図示せず）が設置され、真空ポンプによりチャンバ４
内が減圧されるようになっている。なお、排気配管６、
真空ポンプにより排気手段が構成されている。
る排気配管６を備えており、排気配管６には真空ポンプ
（図示せず）が設置され、真空ポンプによりチャンバ４
内が減圧されるようになっている。なお、排気配管６、
真空ポンプにより排気手段が構成されている。
【００２２】またガス供給装置３は、チャンバ４に接続
される原料ガス供給配管７を備えており、原料ガス供給
配管７には、チャンバ４側から順次フィルタ８、第１バ
ルブ９、第２バルブ１０、第３バルブ１１が設置されて
いる。
される原料ガス供給配管７を備えており、原料ガス供給
配管７には、チャンバ４側から順次フィルタ８、第１バ
ルブ９、第２バルブ１０、第３バルブ１１が設置されて
いる。
【００２３】第３バルブ１１は、液体原料をガス化して
原料ガスとするためのインジェクションバルブであり、
第３バルブ１１には、液体原料供給配管１２を介して液
体原料供給源（図示せず）が接続されている。かかる液
体原料は、半導体ウェハ上に絶縁膜を形成する際の原料
ガスのソースとなるものであり、かかる液体原料として
は、例えばＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＰＯ
（ＰＯ（ＯＣ2Ｈ5）3）、ＴＭＰＯ（ＰＯ（ＯＣ
Ｈ3）3）、ＴＭＰ（Ｐ（ＯＣＨ3）3）、ＴＭＢ（Ｂ（Ｏ
ＣＨ3）3）、ＴＥＢ（Ｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）等が用いられ
る。液体原料供給配管１２には、第３バルブ１１側から
順次、液体フローメータ１３、第４バルブ１４が設置さ
れている。なお、第３バルブ１１、第４バルブ１４、液
体原料供給源によりガス供給手段が構成されている。
原料ガスとするためのインジェクションバルブであり、
第３バルブ１１には、液体原料供給配管１２を介して液
体原料供給源（図示せず）が接続されている。かかる液
体原料は、半導体ウェハ上に絶縁膜を形成する際の原料
ガスのソースとなるものであり、かかる液体原料として
は、例えばＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＰＯ
（ＰＯ（ＯＣ2Ｈ5）3）、ＴＭＰＯ（ＰＯ（ＯＣ
Ｈ3）3）、ＴＭＰ（Ｐ（ＯＣＨ3）3）、ＴＭＢ（Ｂ（Ｏ
ＣＨ3）3）、ＴＥＢ（Ｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）等が用いられ
る。液体原料供給配管１２には、第３バルブ１１側から
順次、液体フローメータ１３、第４バルブ１４が設置さ
れている。なお、第３バルブ１１、第４バルブ１４、液
体原料供給源によりガス供給手段が構成されている。
【００２４】更に第３バルブ１１には、キャリアガス供
給配管１５を介してキャリアガス源（図示せず）が接続
されている。また、原料ガス供給配管７のうち第３バル
ブ１１と第２バルブ１０との間の部分には、添加ガス供
給配管１６が接続され、添加ガス供給配管１６は途中で
２つに分岐し、分岐した２つの分岐配管１６ａ，１６ｂ
はそれぞれ、窒素源、酸素源に接続されている。分岐配
管１６ａ，１６ｂにはそれぞれバルブ１７ａ，１７ｂが
設置されている。
給配管１５を介してキャリアガス源（図示せず）が接続
されている。また、原料ガス供給配管７のうち第３バル
ブ１１と第２バルブ１０との間の部分には、添加ガス供
給配管１６が接続され、添加ガス供給配管１６は途中で
２つに分岐し、分岐した２つの分岐配管１６ａ，１６ｂ
はそれぞれ、窒素源、酸素源に接続されている。分岐配
管１６ａ，１６ｂにはそれぞれバルブ１７ａ，１７ｂが
設置されている。
【００２５】また原料ガス供給配管７には、第１バルブ
９とチャンバ４との間、第１バルブ９と第２バルブ１０
との間、第２バルブ１０と第３バルブ１１との間にそれ
ぞれヒータ（加熱手段）が設置されている。ヒータは、
原料ガス供給配管７を加熱して液体原料を再びガス化さ
せるためのものである。原料ガス供給配管７には、図示
しない温度測定装置（例えば熱電対）が設置されてい
る。
９とチャンバ４との間、第１バルブ９と第２バルブ１０
との間、第２バルブ１０と第３バルブ１１との間にそれ
ぞれヒータ（加熱手段）が設置されている。ヒータは、
原料ガス供給配管７を加熱して液体原料を再びガス化さ
せるためのものである。原料ガス供給配管７には、図示
しない温度測定装置（例えば熱電対）が設置されてい
る。
【００２６】更に半導体製造装置１は、第１バルブ９、
第２バルブ１０、第３バルブ１１、圧力計５、ヒータ及
び温度測定装置に電気的に接続される制御装置１９を備
えている。制御装置１９は、圧力計５で測定される圧力
変化に応じてヒータを作動し、ヒータが原料ガス供給配
管７を加熱するよう制御するものである。また、制御装
置１９は、第１バルブ９、第２バルブ１０、及び第３バ
ルブ１１の開閉を任意のタイミングで制御することも可
能である。更に、制御装置１９は、温度測定装置で測定
される原料ガス供給配管７の温度に基づいてヒータを制
御することも可能となっている。
第２バルブ１０、第３バルブ１１、圧力計５、ヒータ及
び温度測定装置に電気的に接続される制御装置１９を備
えている。制御装置１９は、圧力計５で測定される圧力
変化に応じてヒータを作動し、ヒータが原料ガス供給配
管７を加熱するよう制御するものである。また、制御装
置１９は、第１バルブ９、第２バルブ１０、及び第３バ
ルブ１１の開閉を任意のタイミングで制御することも可
能である。更に、制御装置１９は、温度測定装置で測定
される原料ガス供給配管７の温度に基づいてヒータを制
御することも可能となっている。
【００２７】なお、原料ガス供給配管７における第１バ
ルブ９及びフィルタ８間の部分と排気配管６とは、バイ
パス配管２０によって接続され、バイパス配管２０には
第５バルブ２１が設置されている。
ルブ９及びフィルタ８間の部分と排気配管６とは、バイ
パス配管２０によって接続され、バイパス配管２０には
第５バルブ２１が設置されている。
【００２８】次に、前述した半導体製造装置１における
ガス供給方法について図２のフローチャートを参照して
説明する。
ガス供給方法について図２のフローチャートを参照して
説明する。
【００２９】まず第１バルブ９、第２バルブ１０、第３
バルブ１１、第４バルブ１４、第５バルブ２１を閉じた
状態にする。次に、真空ポンプによりチャンバ４内のガ
スを排気配管６を通して排出し、チャンバ４の排気を行
う（第１工程、Ｓ１００）。このとき、チャンバ４内の
圧力を圧力計５で測定する。このときの圧力は、通常１
〜５０００Ｐａである（以下、この圧力を「ベース圧
力」と言う）。
バルブ１１、第４バルブ１４、第５バルブ２１を閉じた
状態にする。次に、真空ポンプによりチャンバ４内のガ
スを排気配管６を通して排出し、チャンバ４の排気を行
う（第１工程、Ｓ１００）。このとき、チャンバ４内の
圧力を圧力計５で測定する。このときの圧力は、通常１
〜５０００Ｐａである（以下、この圧力を「ベース圧
力」と言う）。
【００３０】次に、第１バルブ９、第２バルブ１０、第
３バルブ１１および第４バルブ１４を開き、液体原料供
給源から液体原料供給配管１２を通して第３バルブ１１
に液体原料、例えばＴＥＯＳを送り込む。一方、キャリ
アガス供給源からキャリアガス供給配管１５を通してキ
ャリアガスを第３バルブ１１に送り込む。すると、液体
原料は第３バルブ１１から噴射されてガス化されて原料
ガスとなり、キャリアガスと共に原料ガス供給配管７を
通してチャンバ４に供給される（第２工程、Ｓ１０
１）。一方、例えばバルブ１６ｂを開き、添加ガス供給
配管１４を通して原料ガス供給配管７にＯ2ガスを導入
する。従って、チャンバ４内には、原料ガスとＯ2ガス
との混合ガスが供給される。
３バルブ１１および第４バルブ１４を開き、液体原料供
給源から液体原料供給配管１２を通して第３バルブ１１
に液体原料、例えばＴＥＯＳを送り込む。一方、キャリ
アガス供給源からキャリアガス供給配管１５を通してキ
ャリアガスを第３バルブ１１に送り込む。すると、液体
原料は第３バルブ１１から噴射されてガス化されて原料
ガスとなり、キャリアガスと共に原料ガス供給配管７を
通してチャンバ４に供給される（第２工程、Ｓ１０
１）。一方、例えばバルブ１６ｂを開き、添加ガス供給
配管１４を通して原料ガス供給配管７にＯ2ガスを導入
する。従って、チャンバ４内には、原料ガスとＯ2ガス
との混合ガスが供給される。
【００３１】チャンバ４内では、圧力計５により圧力を
測定する（第４工程）。原料ガスとＯ2ガスとの混合ガ
スがチャンバ４内に供給される場合、チャンバ４内の圧
力は５〜３０００Ｐａとなるようにすることが好まし
い。圧力が５Ｐａ未満では、第１バルブ９、第２バルブ
１０又は第３バルブ１１を閉じたときにその前後の圧力
変化が小さくなるため、ガスの液化箇所が有るか無いか
を区別することが困難となる傾向があり、３０００Ｐａ
を超えると、原料ガスとＯ2ガスを無駄に使用すること
となり、多大なコストがかかると共に、蒸気圧との関係
で液化が起こりやすくなる傾向がある。
測定する（第４工程）。原料ガスとＯ2ガスとの混合ガ
スがチャンバ４内に供給される場合、チャンバ４内の圧
力は５〜３０００Ｐａとなるようにすることが好まし
い。圧力が５Ｐａ未満では、第１バルブ９、第２バルブ
１０又は第３バルブ１１を閉じたときにその前後の圧力
変化が小さくなるため、ガスの液化箇所が有るか無いか
を区別することが困難となる傾向があり、３０００Ｐａ
を超えると、原料ガスとＯ2ガスを無駄に使用すること
となり、多大なコストがかかると共に、蒸気圧との関係
で液化が起こりやすくなる傾向がある。
【００３２】原料ガス供給配管７においてガスの液化箇
所を検出する場合は、チャンバ４に最も近い位置にある
第１バルブ９を閉じる（第３工程、Ｓ１０２）。このと
き、チャンバ４内の圧力を測定する（第４工程）。この
とき、第１バルブ９を閉じる前のチャンバ４内の圧力は
既に測定されているので、第１バルブ９を閉じた後のチ
ャンバ４の圧力を測定することにより、チャンバ４内の
圧力が第１バルブ９を閉じる前後でどの程度変化したか
が分かる。
所を検出する場合は、チャンバ４に最も近い位置にある
第１バルブ９を閉じる（第３工程、Ｓ１０２）。このと
き、チャンバ４内の圧力を測定する（第４工程）。この
とき、第１バルブ９を閉じる前のチャンバ４内の圧力は
既に測定されているので、第１バルブ９を閉じた後のチ
ャンバ４の圧力を測定することにより、チャンバ４内の
圧力が第１バルブ９を閉じる前後でどの程度変化したか
が分かる。
【００３３】ここで、原料ガス供給配管７のうち第１バ
ルブ９とチャンバ４との間の部分でガスが液化している
場合、第１バルブ９とチャンバ４との間で液体原料が残
っているので、第１バルブ９を閉じた後も、液体原料が
ガス化されてしばらくチャンバ４内に導入され、チャン
バ４内のガスの圧力が急激に下がらずしばらく高い状態
を維持する。即ち第１バルブ９を閉じる前後で圧力変化
は小さい。一方、第１バルブ９とチャンバ４との間でガ
スが液化していない場合、第１バルブ９とチャンバ４と
の間で液体原料が残っていないので、第１バルブ９を閉
じた後は、液体原料がガス化されてチャンバ４内に導入
されることはなく、チャンバ４内のガスの圧力は急激に
低くなる。即ち第１バルブ９を閉じる前後で圧力変化は
大きい。従って、第１バルブ９を閉じる前後の圧力変化
をモニタし、圧力変化が大きいか否かを判別する（Ｓ１
０３）。
ルブ９とチャンバ４との間の部分でガスが液化している
場合、第１バルブ９とチャンバ４との間で液体原料が残
っているので、第１バルブ９を閉じた後も、液体原料が
ガス化されてしばらくチャンバ４内に導入され、チャン
バ４内のガスの圧力が急激に下がらずしばらく高い状態
を維持する。即ち第１バルブ９を閉じる前後で圧力変化
は小さい。一方、第１バルブ９とチャンバ４との間でガ
スが液化していない場合、第１バルブ９とチャンバ４と
の間で液体原料が残っていないので、第１バルブ９を閉
じた後は、液体原料がガス化されてチャンバ４内に導入
されることはなく、チャンバ４内のガスの圧力は急激に
低くなる。即ち第１バルブ９を閉じる前後で圧力変化は
大きい。従って、第１バルブ９を閉じる前後の圧力変化
をモニタし、圧力変化が大きいか否かを判別する（Ｓ１
０３）。
【００３４】これにより、第１バルブ９とチャンバ４と
の間にガスの液化箇所があるか否かを確実に検出でき
る。このため、効率的に検出作業を行うことができ、原
料ガス供給配管７の一部を交換する必要もない。よっ
て、多くの時間、人、費用を節約することができる。
の間にガスの液化箇所があるか否かを確実に検出でき
る。このため、効率的に検出作業を行うことができ、原
料ガス供給配管７の一部を交換する必要もない。よっ
て、多くの時間、人、費用を節約することができる。
【００３５】なお、上記圧力変化の大小の基準は、例え
ば次の通りである。即ち、第１バルブ９を閉じた後の圧
力の低下率が、第１バルブ９を閉じる前と後の圧力差の
１０％以上である場合には、圧力変化が大きいものと
し、１０％未満であれば、圧力変化が小さいものとす
る。第１バルブ９を閉じた後の圧力の低下率が、第１バ
ルブ９を閉じる前と後の圧力差の１０％程度以上あれば
差を確認できる。
ば次の通りである。即ち、第１バルブ９を閉じた後の圧
力の低下率が、第１バルブ９を閉じる前と後の圧力差の
１０％以上である場合には、圧力変化が大きいものと
し、１０％未満であれば、圧力変化が小さいものとす
る。第１バルブ９を閉じた後の圧力の低下率が、第１バ
ルブ９を閉じる前と後の圧力差の１０％程度以上あれば
差を確認できる。
【００３６】ここで、第１バルブ９を閉じる前後で圧力
変化が小さい場合には、第１バルブ９とチャンバ４との
間に、ガスの液化箇所が検出されたことになる（Ｓ１０
４）。一方、第１バルブ９を閉じる前後で圧力変化が大
きい場合には、第１バルブ９とチャンバ４との間でガス
の液化箇所が検出されないこととなり、この場合は、第
１バルブ９を開き、再び原料ガス供給配管７を通してチ
ャンバ４内に原料ガス及びＯ2ガス等を供給する（第５
工程、Ｓ１０５）。そして、チャンバ４内の圧力が安定
したならば、第２バルブ１０を閉じ（第６工程、Ｓ１０
６）、第２バルブ１０を閉じる前後のチャンバ４内の圧
力変化をモニタする（第７工程）。
変化が小さい場合には、第１バルブ９とチャンバ４との
間に、ガスの液化箇所が検出されたことになる（Ｓ１０
４）。一方、第１バルブ９を閉じる前後で圧力変化が大
きい場合には、第１バルブ９とチャンバ４との間でガス
の液化箇所が検出されないこととなり、この場合は、第
１バルブ９を開き、再び原料ガス供給配管７を通してチ
ャンバ４内に原料ガス及びＯ2ガス等を供給する（第５
工程、Ｓ１０５）。そして、チャンバ４内の圧力が安定
したならば、第２バルブ１０を閉じ（第６工程、Ｓ１０
６）、第２バルブ１０を閉じる前後のチャンバ４内の圧
力変化をモニタする（第７工程）。
【００３７】このとき、圧力変化が大きいか否かを判別
し（Ｓ１０７）、圧力変化が小さいならば、第１バルブ
９と第２バルブ１０との間にガスの液化箇所が検出され
たこととなり（Ｓ１０８）、圧力変化が大きいならば、
ガスの液化箇所は検出されないこととなる。従って、圧
力変化をモニタすることにより、第１バルブ９と第２バ
ルブ１０との間にガスの液化箇所があるか否かを確実に
検出できる。
し（Ｓ１０７）、圧力変化が小さいならば、第１バルブ
９と第２バルブ１０との間にガスの液化箇所が検出され
たこととなり（Ｓ１０８）、圧力変化が大きいならば、
ガスの液化箇所は検出されないこととなる。従って、圧
力変化をモニタすることにより、第１バルブ９と第２バ
ルブ１０との間にガスの液化箇所があるか否かを確実に
検出できる。
【００３８】ここで、第２バルブ１０と第１バルブ９と
の間でガスの液化箇所が検出されない場合は、第２バル
ブ１０を開き、原料ガス及びＯ2ガスをチャンバ４内に
供給する（Ｓ１０９）。そして、チャンバ４内の圧力が
安定したならば、第３バルブ１１を閉じ（Ｓ１１０）、
チャンバ４内において、第３バルブ１１を閉じる前後の
圧力変化をモニタする。
の間でガスの液化箇所が検出されない場合は、第２バル
ブ１０を開き、原料ガス及びＯ2ガスをチャンバ４内に
供給する（Ｓ１０９）。そして、チャンバ４内の圧力が
安定したならば、第３バルブ１１を閉じ（Ｓ１１０）、
チャンバ４内において、第３バルブ１１を閉じる前後の
圧力変化をモニタする。
【００３９】このとき、圧力変化が大きいか否かを判別
し（Ｓ１１１）、圧力変化が小さいならば、第２バルブ
１０と第３バルブ１１との間にガスの液化箇所が検出さ
れたこととなり（Ｓ１１２）、圧力変化が大きいなら
ば、ガスの液化箇所は検出されないこととなる。
し（Ｓ１１１）、圧力変化が小さいならば、第２バルブ
１０と第３バルブ１１との間にガスの液化箇所が検出さ
れたこととなり（Ｓ１１２）、圧力変化が大きいなら
ば、ガスの液化箇所は検出されないこととなる。
【００４０】こうして原料ガス供給配管７におけるガス
の液化箇所を検出したならば、制御装置１９により、ガ
スの液化箇所を有する部分に設置されたヒータを制御
し、当該部分を加熱する。制御装置１９において、ガス
の液化箇所が検出されたか否かは、第１バルブ９、第２
バルブ１０又は第３バルブ１１を閉じる前後の圧力変化
によって判断される。即ち、この圧力変化が大きいとき
は、ガスの液化箇所が検出されていないものとし、圧力
変化が小さいときは、ガスの液化箇所が検出されたもの
とする。なお、この圧力変化の大小の基準は、既に説明
した基準と同じである。
の液化箇所を検出したならば、制御装置１９により、ガ
スの液化箇所を有する部分に設置されたヒータを制御
し、当該部分を加熱する。制御装置１９において、ガス
の液化箇所が検出されたか否かは、第１バルブ９、第２
バルブ１０又は第３バルブ１１を閉じる前後の圧力変化
によって判断される。即ち、この圧力変化が大きいとき
は、ガスの液化箇所が検出されていないものとし、圧力
変化が小さいときは、ガスの液化箇所が検出されたもの
とする。なお、この圧力変化の大小の基準は、既に説明
した基準と同じである。
【００４１】このとき、制御装置１９は、温度測定装置
で測定された原料ガス供給配管７の温度に基づき原料ガ
ス供給配管７内の液体原料をガス化するようにヒータを
制御し、原料ガス供給配管７を加熱する。この加熱温度
は、液体原料の沸点以上（例えばＴＥＯＳの場合は１６
９℃以上）とする。こうして当該部分内で液体原料がガ
ス化されることとなる。
で測定された原料ガス供給配管７の温度に基づき原料ガ
ス供給配管７内の液体原料をガス化するようにヒータを
制御し、原料ガス供給配管７を加熱する。この加熱温度
は、液体原料の沸点以上（例えばＴＥＯＳの場合は１６
９℃以上）とする。こうして当該部分内で液体原料がガ
ス化されることとなる。
【００４２】次に、第１バルブ９、第２バルブ１０、第
３バルブ１１のすべてが開いた状態にして、原料ガス供
給配管７を通してチャンバ４内にＴＥＯＳおよびＯ2ガ
スを供給する。
３バルブ１１のすべてが開いた状態にして、原料ガス供
給配管７を通してチャンバ４内にＴＥＯＳおよびＯ2ガ
スを供給する。
【００４３】このようにすることにより、原料ガス供給
配管７においてガスの液化箇所を有する部分を交換する
ことなく、チャンバ４内に原料ガスを供給できる。従っ
て、交換に伴う人員、時間、費用を節約することができ
る。
配管７においてガスの液化箇所を有する部分を交換する
ことなく、チャンバ４内に原料ガスを供給できる。従っ
て、交換に伴う人員、時間、費用を節約することができ
る。
【００４４】本発明は、前述した実施形態に限定される
ものではない。例えば上記実施形態では、原料ガス供給
配管７においてガスの液化箇所を検出した後、当該液化
箇所を有する部分を交換することなく加熱することによ
り引き続きガスの供給を行っているが、原料ガス供給配
管７を加熱する代わりに、ガスの液化箇所を有する部分
を交換してもよい。
ものではない。例えば上記実施形態では、原料ガス供給
配管７においてガスの液化箇所を検出した後、当該液化
箇所を有する部分を交換することなく加熱することによ
り引き続きガスの供給を行っているが、原料ガス供給配
管７を加熱する代わりに、ガスの液化箇所を有する部分
を交換してもよい。
【００４５】また上記実施形態では、原料ガス供給配管
７において３つのバルブが設置されているが、これに限
られるものではなく、少なくとも１つのバルブが設置さ
れていればよい。但し、複数のバルブが原料ガス供給配
管７に設置される場合は、チャンバ４に近い方から順に
バルブを閉じることによりガスの液化箇所の検出作業を
行う必要がある。これは、チャンバ４に遠いバルブから
順に閉じると、ガスの液化箇所の検出作業に時間がかか
り、作業効率が低くなるからである。
７において３つのバルブが設置されているが、これに限
られるものではなく、少なくとも１つのバルブが設置さ
れていればよい。但し、複数のバルブが原料ガス供給配
管７に設置される場合は、チャンバ４に近い方から順に
バルブを閉じることによりガスの液化箇所の検出作業を
行う必要がある。これは、チャンバ４に遠いバルブから
順に閉じると、ガスの液化箇所の検出作業に時間がかか
り、作業効率が低くなるからである。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のガス供給配
管におけるガスの液化箇所の検出方法によれば、バルブ
を閉じる前後におけるチャンバ内の圧力変化をモニタす
ることにより、ガス供給配管におけるガスの液化箇所を
確実に検出できるため、効率的に検出作業を行うことが
でき、ガス供給配管を交換する必要もない。よって、時
間、費用、人を節約できる。
管におけるガスの液化箇所の検出方法によれば、バルブ
を閉じる前後におけるチャンバ内の圧力変化をモニタす
ることにより、ガス供給配管におけるガスの液化箇所を
確実に検出できるため、効率的に検出作業を行うことが
でき、ガス供給配管を交換する必要もない。よって、時
間、費用、人を節約できる。
【００４７】また本発明のガス供給方法及び半導体製造
装置によれば、ガスの液化箇所があっても、加熱により
液化ガスをガス化するので、ガス供給配管を交換する必
要が無くなり、ガス供給配管の交換に伴う人員、費用、
時間を節約できる。
装置によれば、ガスの液化箇所があっても、加熱により
液化ガスをガス化するので、ガス供給配管を交換する必
要が無くなり、ガス供給配管の交換に伴う人員、費用、
時間を節約できる。
【図１】本発明のガス供給装置の一実施形態を示す概略
図である。
図である。
【図２】本発明のガス供給配管におけるガス液化箇所検
出方法の一例を示すフローチャートである。
出方法の一例を示すフローチャートである。
４…チャンバ、６…排気配管（排気手段）、７…原料ガ
ス供給配管（ガス供給配管）、９…バルブ、１０…第２
バルブ、１１…第３バルブ（ガス供給手段）、１２…液
体原料供給配管（ガス供給手段）、１４…第４バルブ
（ガス供給手段）、１９…制御装置。
ス供給配管（ガス供給配管）、９…バルブ、１０…第２
バルブ、１１…第３バルブ（ガス供給手段）、１２…液
体原料供給配管（ガス供給手段）、１４…第４バルブ
（ガス供給手段）、１９…制御装置。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ
(72)発明者 島山 努
千葉県成田市新泉14ー３野毛平工業団地内
アプライド マテリアルズ ジャパン株
式会社内
Ｆターム(参考） 2F055 AA39 BB20 CC60 DD20 EE40
FF49 GG49
3J071 AA02 BB11 BB14 CC11 CC25
EE24 EE38 FF11
4G068 AB02 AC05 AD39 AF31 AF40
4K030 AA06 AA09 BA44 CA04 EA01
JA09 JA10 KA39 LA15
5F045 AB32 AC09 BB08 EE02 EE04
GB06
Claims (7)
- 【請求項１】 チャンバ内にガスを供給するガス供給配
管におけるガスの液化箇所の検出方法において、 前記チャンバの排気を行う第１工程と、 前記ガス供給配管を通して前記チャンバ内にガスを供給
する第２工程と、 前記ガス供給配管に設けられるバルブを閉じる第３工程
と、 前記チャンバ内において前記バルブを閉じる前後の圧力
を測定し、その圧力変化により、前記ガス供給配管のう
ち前記バルブと前記チャンバとの間の部分にガスの液化
箇所があるか否かを検出する第４工程と、を含むことを
特徴とするガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出
方法。 - 【請求項２】 前記第２工程において、前記チャンバ内
の圧力を１〜５００００Ｐａとすることを特徴とする請
求項１に記載のガス供給配管におけるガスの液化箇所の
検出方法。 - 【請求項３】 チャンバ内にガスを供給するガス供給配
管におけるガスの液化箇所の検出方法において、 前記チャンバの排気を行う第１工程と、 前記ガス供給配管を通して前記チャンバ内にガスを供給
する第２工程と、 前記ガス供給配管に前記チャンバ側から順次設けられる
第１バルブ及び第２バルブのうち前記第１バルブを閉じ
る第３工程と、 前記チャンバ内において前記第１バルブを閉じる前後の
圧力を測定し、その圧力変化により、前記ガス供給配管
のうち前記第１バルブと前記チャンバとの間の部分にガ
スの液化箇所があるか否かを検出する第４工程と、 前記第４工程でガスの液化箇所が検出されないときに、
前記第１バルブを開き、前記ガス供給配管を通して前記
チャンバ内にガスを供給する第５工程と、 前記第２バルブを閉じる第６工程と、 前記チャンバ内において前記第２バルブを閉じる前後の
圧力を測定し、その圧力変化により前記ガス供給配管の
うち前記第２バルブと前記第１バルブとの間の部分にガ
スの液化箇所が有るか否かを検出する第７工程と、を含
むことを特徴とするガス供給配管におけるガスの液化箇
所の検出方法。 - 【請求項４】 前記第２工程及び前記第５工程におい
て、前記チャンバ内の圧力を１〜５０００Ｐａとするこ
とを特徴とする請求項３に記載のガス供給配管における
ガスの液化箇所の検出方法。 - 【請求項５】 チャンバ内にガス供給配管を通してガス
を供給するガス供給方法において、 請求項１〜４のいずれか一項に記載のガス供給配管にお
けるガスの液化箇所の検出方法を用いて前記ガス供給配
管におけるガスの液化箇所を検出する工程と、 前記ガス供給配管のうち前記ガスの液化箇所を有する部
分を加熱して液化したガスを気化させる工程と、 前記バルブを開き、前記ガス供給配管を通して前記チャ
ンバ内にガスを供給する工程と、を含むことを特徴とす
るガス供給方法。 - 【請求項６】 チャンバ内にガス供給配管を通してガス
を供給する半導体製造装置において、 前記ガス供給配管に設けられるバルブと、 前記チャンバの排気を行う排気手段と、 前記ガス供給配管にガスを供給するガス供給手段と、 前記チャンバ内の圧力を測定する圧力測定手段と、 前記ガス供給配管を加熱する加熱手段と、 前記バルブを閉じる前後の前記チャンバ内における圧力
変化に応じて、前記加熱手段が前記ガス供給配管を加熱
するように前記加熱手段を制御する制御手段と、を備え
ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項７】 前記ガス供給配管に前記バルブを含む複
数のバルブが設けられており、前記制御手段は、前記複
数のバルブのそれぞれを閉じる前後の前記チャンバ内に
おける圧力変化に応じて、前記加熱手段が前記ガス供給
配管を加熱するように前記加熱手段を制御することを特
徴とする請求項６に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001389558A JP2003190761A (ja) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | ガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方法、これを用いたガス供給方法及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001389558A JP2003190761A (ja) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | ガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方法、これを用いたガス供給方法及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003190761A true JP2003190761A (ja) | 2003-07-08 |
Family
ID=27597747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001389558A Withdrawn JP2003190761A (ja) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | ガス供給配管におけるガスの液化箇所の検出方法、これを用いたガス供給方法及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003190761A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258051A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 気相成長装置と半導体装置の製造方法 |
| KR101430062B1 (ko) * | 2014-04-28 | 2014-08-14 | (주)해피글로벌솔루션 | 유체 가속형 진공배관 장치 |
-
2001
- 2001-12-21 JP JP2001389558A patent/JP2003190761A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258051A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 気相成長装置と半導体装置の製造方法 |
| KR101430062B1 (ko) * | 2014-04-28 | 2014-08-14 | (주)해피글로벌솔루션 | 유체 가속형 진공배관 장치 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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