JP2003185661A - 核酸固着用薄膜及び核酸解析方法 - Google Patents
核酸固着用薄膜及び核酸解析方法Info
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- JP2003185661A JP2003185661A JP2002239853A JP2002239853A JP2003185661A JP 2003185661 A JP2003185661 A JP 2003185661A JP 2002239853 A JP2002239853 A JP 2002239853A JP 2002239853 A JP2002239853 A JP 2002239853A JP 2003185661 A JP2003185661 A JP 2003185661A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜表面に効率的かつ再現性よくＤＮＡ等の核
酸を安定に固定化することができると共に、透明でかつ
膜表面が水素終端した水素化アモルファスカーボン膜又
は水素化アモルファスカーボンナイトライド膜からなる
核酸固着用薄膜を提供する。 【解決手段】 膜表面が−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）
による水素結合によって終端され、かつ膜中の水素濃度
が２０乃至５０原子％である水素化アモルファスカーボ
ン膜が基材表面にコーティングされている。又は、膜表
面が−Ｎ−Ｈ ２又は−Ｎ−ＨＲ（ＲはＣＨ３）又は−Ｃ
−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）による水素結合によって終端
され、かつ膜中の水素濃度が２０乃至５０原子％である
水素化アモルファスカーボンナイトライド膜が基材表面
にコーティングされている。
酸を安定に固定化することができると共に、透明でかつ
膜表面が水素終端した水素化アモルファスカーボン膜又
は水素化アモルファスカーボンナイトライド膜からなる
核酸固着用薄膜を提供する。 【解決手段】 膜表面が−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）
による水素結合によって終端され、かつ膜中の水素濃度
が２０乃至５０原子％である水素化アモルファスカーボ
ン膜が基材表面にコーティングされている。又は、膜表
面が−Ｎ−Ｈ ２又は−Ｎ−ＨＲ（ＲはＣＨ３）又は−Ｃ
−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）による水素結合によって終端
され、かつ膜中の水素濃度が２０乃至５０原子％である
水素化アモルファスカーボンナイトライド膜が基材表面
にコーティングされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は水素化アモルファス
カーボン膜又は水素化アモルファスカーボンナイトライ
ド膜を使用した核酸固着用薄膜及び核酸解析方法に関
し、更に詳述すれば、ＤＮＡ（デオキシリボ核酸）等の
核酸の塩基配列の決定、遺伝子病に関する診断、ゲノム
遺伝子の発現モニタリング等の核酸の解析に使用するこ
とができるハイブリダイゼーション用のＤＮＡマイクロ
アレイに利用できる核酸固着用薄膜及び核酸解析方法に
関する。
カーボン膜又は水素化アモルファスカーボンナイトライ
ド膜を使用した核酸固着用薄膜及び核酸解析方法に関
し、更に詳述すれば、ＤＮＡ（デオキシリボ核酸）等の
核酸の塩基配列の決定、遺伝子病に関する診断、ゲノム
遺伝子の発現モニタリング等の核酸の解析に使用するこ
とができるハイブリダイゼーション用のＤＮＡマイクロ
アレイに利用できる核酸固着用薄膜及び核酸解析方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ハイブリダイゼーションによる遺伝子の
解析は、例えば塩基配列決定、感染症及び遺伝子病の診
断、ゲノム遺伝子の発現によるモニタリング等において
広く用いられている。ＤＮＡマイクロアレイを用いた遺
伝子発現パターンのモニタリング法（M.Schena et al.,
Science, 260, 467(1995)）は、大量の遺伝子の発現を
迅速に解析できる手法として注目されている。これらの
遺伝子の解析においては、ＤＮＡ、ＲＮＡ又はこれらの
混合物等の核酸をプレート上に固定化したＤＮＡマイク
ロアレイ又はＤＮＡチップと呼ばれるものが用いられ
る。
解析は、例えば塩基配列決定、感染症及び遺伝子病の診
断、ゲノム遺伝子の発現によるモニタリング等において
広く用いられている。ＤＮＡマイクロアレイを用いた遺
伝子発現パターンのモニタリング法（M.Schena et al.,
Science, 260, 467(1995)）は、大量の遺伝子の発現を
迅速に解析できる手法として注目されている。これらの
遺伝子の解析においては、ＤＮＡ、ＲＮＡ又はこれらの
混合物等の核酸をプレート上に固定化したＤＮＡマイク
ロアレイ又はＤＮＡチップと呼ばれるものが用いられ
る。
【０００３】ＤＮＡを固定化するプレートとしては、ナ
イロン膜、ポリプロピレン膜、ニトロセルロース膜、ガ
ラスプレート、シリコンプレート等が用いられるが、ハ
イブリダイゼーションの検出をＲＩ（ラジオアイソトー
プ）を使用せずに蛍光物質を用いて行うことを考える
と、蛍光物質を含まないガラスプレート又はシリコンプ
レート等が適していると考えられる。現在では安価でか
つ取り扱いが簡便なスライドガラスが多く普及してい
る。
イロン膜、ポリプロピレン膜、ニトロセルロース膜、ガ
ラスプレート、シリコンプレート等が用いられるが、ハ
イブリダイゼーションの検出をＲＩ（ラジオアイソトー
プ）を使用せずに蛍光物質を用いて行うことを考える
と、蛍光物質を含まないガラスプレート又はシリコンプ
レート等が適していると考えられる。現在では安価でか
つ取り扱いが簡便なスライドガラスが多く普及してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
プレートの表面はＤＮＡ（核酸）を固定化するのに適切
な官能基を有せず、ＤＮＡを基材の表面に何らかの化学
物質でコーティングする必要があった。ガラスプレート
のコーティングの方法には、poly-L-lysineコート、sil
ilated（シリレン化）、silanated（シラン化）等があ
る。例えば、ガラス表面をアミノ基として固相置換する
場合、アミノシランを用いてコーティングする方法（Z.
Guo et al., Nucl. Acids Res., 22.5456(1994)）、pol
y-L-lysineを用いてコーティングする方法（M.Schena e
t al., Science, 270, 467(1995)）が知られている。こ
れらの方法により、ガラス表面をアミノ基等の官能基に
固相置換した表面にＤＮＡを固定化したプレートを用い
てＤＮＡを解析する場合、ＤＮＡの固定量が十分ではな
く、その後のハイブリダイゼーション後の蛍光シグナル
強度が低いか、又は固着量のばらつきに起因すると考え
られる再現性等に問題点があった。
プレートの表面はＤＮＡ（核酸）を固定化するのに適切
な官能基を有せず、ＤＮＡを基材の表面に何らかの化学
物質でコーティングする必要があった。ガラスプレート
のコーティングの方法には、poly-L-lysineコート、sil
ilated（シリレン化）、silanated（シラン化）等があ
る。例えば、ガラス表面をアミノ基として固相置換する
場合、アミノシランを用いてコーティングする方法（Z.
Guo et al., Nucl. Acids Res., 22.5456(1994)）、pol
y-L-lysineを用いてコーティングする方法（M.Schena e
t al., Science, 270, 467(1995)）が知られている。こ
れらの方法により、ガラス表面をアミノ基等の官能基に
固相置換した表面にＤＮＡを固定化したプレートを用い
てＤＮＡを解析する場合、ＤＮＡの固定量が十分ではな
く、その後のハイブリダイゼーション後の蛍光シグナル
強度が低いか、又は固着量のばらつきに起因すると考え
られる再現性等に問題点があった。
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、膜表面に効率的かつ再現性よくＤＮＡ等の
核酸を安定に固定化することができると共に、透明でか
つ膜表面が水素終端した水素化アモルファスカーボン膜
又は水素化アモルファスカーボンナイトライド膜からな
る核酸固着用薄膜及び核酸解析方法を提供することを目
的とする。
のであって、膜表面に効率的かつ再現性よくＤＮＡ等の
核酸を安定に固定化することができると共に、透明でか
つ膜表面が水素終端した水素化アモルファスカーボン膜
又は水素化アモルファスカーボンナイトライド膜からな
る核酸固着用薄膜及び核酸解析方法を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る核酸固着用
薄膜は、膜表面が−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）による
水素結合によって終端され、かつ膜中の水素濃度が２０
乃至５０原子％である水素化アモルファスカーボン膜が
基材表面にコーティングされていることを特徴とする。
薄膜は、膜表面が−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）による
水素結合によって終端され、かつ膜中の水素濃度が２０
乃至５０原子％である水素化アモルファスカーボン膜が
基材表面にコーティングされていることを特徴とする。
【０００７】本発明に係る他の核酸固着用薄膜は、膜表
面が−Ｎ−Ｈ２又は−Ｎ−ＨＲ（ＲはＣＨ３）又は−Ｃ
−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）による水素結合によって終端
され、かつ膜中の水素濃度が２０乃至５０原子％である
水素化アモルファスカーボンナイトライド膜が基材表面
にコーティングされていることを特徴とする。
面が−Ｎ−Ｈ２又は−Ｎ−ＨＲ（ＲはＣＨ３）又は−Ｃ
−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）による水素結合によって終端
され、かつ膜中の水素濃度が２０乃至５０原子％である
水素化アモルファスカーボンナイトライド膜が基材表面
にコーティングされていることを特徴とする。
【０００８】この核酸固着用薄膜において、例えば、前
記コーティング処理基材がガラスプレート又はシリコン
プレートである。
記コーティング処理基材がガラスプレート又はシリコン
プレートである。
【０００９】また、前記水素化アモルファスカーボン膜
又は前記水素化アモルファスカーボンナイトライド膜
は、その表面終端水素に対し、官能基を含有する化学物
質又はガスによってこの官能基に表面置換したものとす
ることができる。
又は前記水素化アモルファスカーボンナイトライド膜
は、その表面終端水素に対し、官能基を含有する化学物
質又はガスによってこの官能基に表面置換したものとす
ることができる。
【００１０】更に、前記水素化アモルファスカーボン膜
又は前記水素化アモルファスカーボンナイトライド膜の
表面終端水素に対し、官能基を一方の末端に有するカッ
プリング剤の他方の末端が化学結合しているものとする
ことができる。
又は前記水素化アモルファスカーボンナイトライド膜の
表面終端水素に対し、官能基を一方の末端に有するカッ
プリング剤の他方の末端が化学結合しているものとする
ことができる。
【００１１】前記官能基は、例えば、アミノ基、水酸
基、カルボキシル基、クロライド基、エポキシ基、アル
デヒド基、イソシアネート基、及びチオシアネート基か
らなる群から選択された１種である。
基、カルボキシル基、クロライド基、エポキシ基、アル
デヒド基、イソシアネート基、及びチオシアネート基か
らなる群から選択された１種である。
【００１２】本発明に係る核酸解析方法は、請求項１乃
至８のいずれか１項に記載の核酸固着用薄膜に核酸を固
定化して、試料中の核酸を解析することを特徴とする。
至８のいずれか１項に記載の核酸固着用薄膜に核酸を固
定化して、試料中の核酸を解析することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明者等は、上記目的を達成す
べく鋭意研究を重ねた結果、例えばガラスプレート上に
透明でかつ水素終端した水素化アモルファスカーボン膜
が、アミノ基及びカルボキシル基等の官能基を高密度に
表面置換できることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
べく鋭意研究を重ねた結果、例えばガラスプレート上に
透明でかつ水素終端した水素化アモルファスカーボン膜
が、アミノ基及びカルボキシル基等の官能基を高密度に
表面置換できることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１４】更に、膜中に水素を２０乃至５０原子％導
入することによって、５００ｎｍ乃至５０００ｎｍ（＝
５μｍ）にわたって、膜厚１００ｎｍにおいても９０％
以上の透過率を示す透明水素化アモルファスカーボン膜
を得ることができ、ハイブリダイゼーション後の光学的
処理のバックグラウンドを低減することができる。
入することによって、５００ｎｍ乃至５０００ｎｍ（＝
５μｍ）にわたって、膜厚１００ｎｍにおいても９０％
以上の透過率を示す透明水素化アモルファスカーボン膜
を得ることができ、ハイブリダイゼーション後の光学的
処理のバックグラウンドを低減することができる。
【００１５】更に、本発明者等は、前述のカーボンクラ
スターにＮを導入し、表面にアミノ基（−ＮＨ２）又は
第２級アミンである−ＮＨＲ（Ｒはアルキル基でＣ
Ｈ３）で水素終端させた水素化アモルファスカーボンナ
イトライド膜を作製し、高密度にアミノ基又は第２級ア
ミンが膜表面を終端しているガラスプレートを作製し
た。この膜は同様に水素を２０乃至５０原子％導入する
ことで、５００ｎｍ乃至５０００ｎｍにわたって、膜厚
１００ｎｍにおいても９０％以上の透過率を示す。
スターにＮを導入し、表面にアミノ基（−ＮＨ２）又は
第２級アミンである−ＮＨＲ（Ｒはアルキル基でＣ
Ｈ３）で水素終端させた水素化アモルファスカーボンナ
イトライド膜を作製し、高密度にアミノ基又は第２級ア
ミンが膜表面を終端しているガラスプレートを作製し
た。この膜は同様に水素を２０乃至５０原子％導入する
ことで、５００ｎｍ乃至５０００ｎｍにわたって、膜厚
１００ｎｍにおいても９０％以上の透過率を示す。
【００１６】これによって一般にガラス基板表面におい
て、ＤＮＡ固着のためのpoly-L-lysineコート等の官能
基置換のための化学処理を行うことなく、高密度のアミ
ノ基、第２級アミンを表面に直接導入することができ
る。
て、ＤＮＡ固着のためのpoly-L-lysineコート等の官能
基置換のための化学処理を行うことなく、高密度のアミ
ノ基、第２級アミンを表面に直接導入することができ
る。
【００１７】更に、本発明によれば、前記水素化アモル
ファスカーボン膜をコーティングしたガラスプレートの
コーティング表面を官能基置換し、ＤＮＡ等の核酸を固
定化したガラスプレート等の基板を得ることができる。
また、前記水素化アモルファスカーボンナイトライド膜
をコーティングしたガラスプレートの表面では、アミノ
基又は第２級アミンで終端され、同様にＤＮＡ等の核酸
を固定化したガラスプレート基板である。勿論、シリコ
ン基板でもかまわない。また、本発明によれば、固定化
された核酸を用いて試料中の核酸を解析する方法におい
て、前記ガラスプレートを使用して核酸を解析すること
ができる。
ファスカーボン膜をコーティングしたガラスプレートの
コーティング表面を官能基置換し、ＤＮＡ等の核酸を固
定化したガラスプレート等の基板を得ることができる。
また、前記水素化アモルファスカーボンナイトライド膜
をコーティングしたガラスプレートの表面では、アミノ
基又は第２級アミンで終端され、同様にＤＮＡ等の核酸
を固定化したガラスプレート基板である。勿論、シリコ
ン基板でもかまわない。また、本発明によれば、固定化
された核酸を用いて試料中の核酸を解析する方法におい
て、前記ガラスプレートを使用して核酸を解析すること
ができる。
【００１８】本発明によると、膜表面に高密度の官能基
の置換が可能であることから、膜をコーティングしたガ
ラス表面に対し、ＤＮＡ等の核酸の固定化を高密度に行
うことができ、蛍光強度の安定性、再現性が優れたＤＮ
Ａマイクロアレイ又はＤＮＡチップを得ることができ
る。
の置換が可能であることから、膜をコーティングしたガ
ラス表面に対し、ＤＮＡ等の核酸の固定化を高密度に行
うことができ、蛍光強度の安定性、再現性が優れたＤＮ
Ａマイクロアレイ又はＤＮＡチップを得ることができ
る。
【００１９】以下、本発明について更に詳細に説明す
る。本発明の水素化アモルファスカーボン膜は、化学気
相蒸着法（ＣＶＤ）によって形成可能である。ＣＨ４ガ
スをプラズマによって解離させ、成膜前駆体であるＣＨ
Ｘ（Ｘ＝１、２、３）によって水素化アモルファスカー
ボン膜を成膜する。成膜条件によっては、膜の構造を構
成するクラスターを数ｎｍに制御することが可能で、こ
の膜中の水素含有量は２０乃至５０原子％となる。これ
によって、可視光から赤外光にわたって極めて高い透過
率を示す。この膜を構成するクラスターは、−Ｃ−ＨＸ
（Ｘ＝１、２、３）によって終端されており、表面にお
いてもカーボンクラスターの終端は同様に−Ｃ−Ｈ
Ｘ（Ｘ＝１、２、３）によって終端されている。つま
り、水素被覆率の高い表面を有している。
る。本発明の水素化アモルファスカーボン膜は、化学気
相蒸着法（ＣＶＤ）によって形成可能である。ＣＨ４ガ
スをプラズマによって解離させ、成膜前駆体であるＣＨ
Ｘ（Ｘ＝１、２、３）によって水素化アモルファスカー
ボン膜を成膜する。成膜条件によっては、膜の構造を構
成するクラスターを数ｎｍに制御することが可能で、こ
の膜中の水素含有量は２０乃至５０原子％となる。これ
によって、可視光から赤外光にわたって極めて高い透過
率を示す。この膜を構成するクラスターは、−Ｃ−ＨＸ
（Ｘ＝１、２、３）によって終端されており、表面にお
いてもカーボンクラスターの終端は同様に−Ｃ−Ｈ
Ｘ（Ｘ＝１、２、３）によって終端されている。つま
り、水素被覆率の高い表面を有している。
【００２０】また、膜の光透過率は、膜厚１００ｎｍに
おいて、波長域５００ｎｍ乃至５０００ｎｍ（５μｍ）
において９０％以上の透過率を有し、可視光から赤外に
わたって優れた透明性を示す。ハイブリダイゼーション
後の光学測定においても低バックグランドを実現するこ
とが可能である。
おいて、波長域５００ｎｍ乃至５０００ｎｍ（５μｍ）
において９０％以上の透過率を有し、可視光から赤外に
わたって優れた透明性を示す。ハイブリダイゼーション
後の光学測定においても低バックグランドを実現するこ
とが可能である。
【００２１】この水素化アモルファスカーボン膜を、例
えば、ガラス基板にコーティング成膜することにより、
これをＤＮＡ等の核酸の固着基板に使用することができ
る。水素終端されたアモルファスカーボン膜の表面に対
し、塩素を含む雰囲気下で紫外線照射を行い、クロライ
ド基に置換する。次に、アンモニアを含む雰囲気下で再
度紫外線照射を行い、アミノ基を導入することができ
る。また、アンモニアプラズマを使ってアモルファスカ
ーボン膜表面の水素をアミノ基に直接置換することも可
能である。
えば、ガラス基板にコーティング成膜することにより、
これをＤＮＡ等の核酸の固着基板に使用することができ
る。水素終端されたアモルファスカーボン膜の表面に対
し、塩素を含む雰囲気下で紫外線照射を行い、クロライ
ド基に置換する。次に、アンモニアを含む雰囲気下で再
度紫外線照射を行い、アミノ基を導入することができ
る。また、アンモニアプラズマを使ってアモルファスカ
ーボン膜表面の水素をアミノ基に直接置換することも可
能である。
【００２２】アミノ基以外の官能基の固相置換には、例
えば、カルボキシル基の固相置換には、このアミノ基を
使って、シュウ酸等２価カルボン酸を使っての１つのカ
ルボキシル基をアミド結合させることで可能である（特
開２００１−１３９５３２）。
えば、カルボキシル基の固相置換には、このアミノ基を
使って、シュウ酸等２価カルボン酸を使っての１つのカ
ルボキシル基をアミド結合させることで可能である（特
開２００１−１３９５３２）。
【００２３】また、このように水素化アモルファスカー
ボン膜の表面を溶液又はガス等によって反応させ、直接
置換する方法以外にも、一方の末端に官能基を有するカ
ップリング剤で処理して、その官能基を利用してもよ
い。市販されているカップリング剤の官能基としては、
アミノ基、イソシアネート基、クロライド基、エポキシ
基等があり、固着させるＤＮＡ等の核酸によって適宜選
択することが可能である。
ボン膜の表面を溶液又はガス等によって反応させ、直接
置換する方法以外にも、一方の末端に官能基を有するカ
ップリング剤で処理して、その官能基を利用してもよ
い。市販されているカップリング剤の官能基としては、
アミノ基、イソシアネート基、クロライド基、エポキシ
基等があり、固着させるＤＮＡ等の核酸によって適宜選
択することが可能である。
【００２４】上述のようにして製造した本発明の水素化
アモルファスカーボン膜を、例えばガラスプレートにコ
ーティングし、コーティングしたガラスプレートのコー
ティング面を所望の官能基に固相置換し、このコーティ
ング表面に核酸を固定化することで、核酸固定化ガラス
プレートを作製することができる。本発明の核酸は、Ｄ
ＮＡであってもよく、ＲＮＡであってもよい。これらの
核酸の分子量等は特に限定されず、合成したオリゴヌク
レチオドであっても、また天然の核酸であっても、更に
ＰＣＲ産物等を使用してもよい。
アモルファスカーボン膜を、例えばガラスプレートにコ
ーティングし、コーティングしたガラスプレートのコー
ティング面を所望の官能基に固相置換し、このコーティ
ング表面に核酸を固定化することで、核酸固定化ガラス
プレートを作製することができる。本発明の核酸は、Ｄ
ＮＡであってもよく、ＲＮＡであってもよい。これらの
核酸の分子量等は特に限定されず、合成したオリゴヌク
レチオドであっても、また天然の核酸であっても、更に
ＰＣＲ産物等を使用してもよい。
【００２５】核酸の解析をハイブリダイゼーションによ
って行う場合、核酸又は本発明の水素化アモルファスカ
ーボン膜でコーティングされたガラスプレート表面に固
定化する核酸（オリゴヌクレチオドを含む）のいずれか
が標識されていることが望ましい。標識化の方法は特に
限定されるものではなく、例えばＲＩ及び蛍光色素を用
いる方法等を使用することができる。ハイブリダイゼー
ションの結果は、各種標識法に即した方法によって測定
することができる。但し、後に述べる遺伝子発現モニタ
リング法においては、核酸を検出波長が異なる複数の蛍
光色素で標識することにより、試料核酸間の発現の強弱
を並行して検出できるため、蛍光法による標識を用いる
ことが望ましい。
って行う場合、核酸又は本発明の水素化アモルファスカ
ーボン膜でコーティングされたガラスプレート表面に固
定化する核酸（オリゴヌクレチオドを含む）のいずれか
が標識されていることが望ましい。標識化の方法は特に
限定されるものではなく、例えばＲＩ及び蛍光色素を用
いる方法等を使用することができる。ハイブリダイゼー
ションの結果は、各種標識法に即した方法によって測定
することができる。但し、後に述べる遺伝子発現モニタ
リング法においては、核酸を検出波長が異なる複数の蛍
光色素で標識することにより、試料核酸間の発現の強弱
を並行して検出できるため、蛍光法による標識を用いる
ことが望ましい。
【００２６】これらの核酸を本発明の水素化アモルファ
スカーボン膜をコーティングしたガラスプレート表面に
固定化する方法を以下に述べる。水素化アモルファスカ
ーボン膜の表面は、例えば前述のように塩素雰囲気での
紫外線照射によってクロライド基に置換し、アンモニア
雰囲気での紫外線照射によってアミノ基に既に置換され
ている。
スカーボン膜をコーティングしたガラスプレート表面に
固定化する方法を以下に述べる。水素化アモルファスカ
ーボン膜の表面は、例えば前述のように塩素雰囲気での
紫外線照射によってクロライド基に置換し、アンモニア
雰囲気での紫外線照射によってアミノ基に既に置換され
ている。
【００２７】核酸のガラスプレートへの固定化は適量の
核酸溶液を本発明の水素化アモルファスカーボン膜をコ
ーティングしたガラスプレート上に滴下し、乾燥、紫外
線照射又は両者を併合することにより行うことができ
る。核酸をガラスプレートに安定に固定化するという点
では、紫外線を照射することが望ましい。その後の解析
に使用することを考慮すると、ガラスプレート上に固定
されていない核酸等を取り除くため、各種の酸、熱湯、
又はアルコール等を用いて後処理することが望ましい。
核酸溶液を本発明の水素化アモルファスカーボン膜をコ
ーティングしたガラスプレート上に滴下し、乾燥、紫外
線照射又は両者を併合することにより行うことができ
る。核酸をガラスプレートに安定に固定化するという点
では、紫外線を照射することが望ましい。その後の解析
に使用することを考慮すると、ガラスプレート上に固定
されていない核酸等を取り除くため、各種の酸、熱湯、
又はアルコール等を用いて後処理することが望ましい。
【００２８】このようにして作製された核酸を固定化し
たガラスプレートは、ＤＮＡ（又はＲＮＡ）マイクロア
レイ又はＤＮＡ（又はＲＮＡ）チップといわれ、各種の
遺伝子解析を行う際に利用されている。勿論、核酸を固
定化したガラスプレートをＤＮＡマイクロアレイという
ことがあるが、ＤＮＡに限定されるものでなく、ＲＮＡ
を固定化したガラスプレートも含まれる。ＤＮＡマイク
ロアレイの作製方法としては、上述の方法の他に、プレ
ート上に直接オリゴヌクレチオドを合成する方法（A.
C. Pease et al., Proc. Natl. Acad. Aci. USA, 91, 5
022(1994)）又は合成したオリゴヌクレチオド（Z.Guo e
t al., Nucl. Acids Res., 22.5456(1994)）、又はＰＣ
Ｒ産物等（M.Schena et al., Science, 270, 467(199
5)）をガラスプレート上に固定化する方法等がある。
たガラスプレートは、ＤＮＡ（又はＲＮＡ）マイクロア
レイ又はＤＮＡ（又はＲＮＡ）チップといわれ、各種の
遺伝子解析を行う際に利用されている。勿論、核酸を固
定化したガラスプレートをＤＮＡマイクロアレイという
ことがあるが、ＤＮＡに限定されるものでなく、ＲＮＡ
を固定化したガラスプレートも含まれる。ＤＮＡマイク
ロアレイの作製方法としては、上述の方法の他に、プレ
ート上に直接オリゴヌクレチオドを合成する方法（A.
C. Pease et al., Proc. Natl. Acad. Aci. USA, 91, 5
022(1994)）又は合成したオリゴヌクレチオド（Z.Guo e
t al., Nucl. Acids Res., 22.5456(1994)）、又はＰＣ
Ｒ産物等（M.Schena et al., Science, 270, 467(199
5)）をガラスプレート上に固定化する方法等がある。
【００２９】本発明の方法により作製されたＤＮＡマイ
クロアレイは、ＤＮＡ固着量が多く、また安定であるこ
とから、ハイブリダイゼーション法により遺伝子を解析
しようとする場合、高感度でかつ再現性よく使用でき
る。
クロアレイは、ＤＮＡ固着量が多く、また安定であるこ
とから、ハイブリダイゼーション法により遺伝子を解析
しようとする場合、高感度でかつ再現性よく使用でき
る。
【００３０】特定の遺伝子を検出する方法としては、Ｐ
ＣＲ（Polymerase Chain Reaction）法及びサザンノー
ザンハイブリダイゼーション法等が広く使用されている
が、これらの方法を使用した測定法は、未だ操作が煩雑
で、熟練を要する。このため、より簡便で高速な測定方
法の開発が望まれており、ＤＮＡチップ法及びキャピラ
リー電気泳動法等が開発されている。ＤＮＡチップ法
は、ガラス基板上に多種類のＤＮＡを固定化したチップ
を使用する。測定対象遺伝子を蛍光物質及び酵素等で標
識しておき、ＤＮＡチップ上で相補的な遺伝子と結合を
生じさせた後、標識体による増幅作用を利用して検出す
る。これに対し、試料遺伝子と相補的な配列をもつ遺伝
子を標識しておく方法もあり、ＤＮＡプローブ法とよば
れている。このときは試料遺伝子はフィルタ等に固定化
しておく。
ＣＲ（Polymerase Chain Reaction）法及びサザンノー
ザンハイブリダイゼーション法等が広く使用されている
が、これらの方法を使用した測定法は、未だ操作が煩雑
で、熟練を要する。このため、より簡便で高速な測定方
法の開発が望まれており、ＤＮＡチップ法及びキャピラ
リー電気泳動法等が開発されている。ＤＮＡチップ法
は、ガラス基板上に多種類のＤＮＡを固定化したチップ
を使用する。測定対象遺伝子を蛍光物質及び酵素等で標
識しておき、ＤＮＡチップ上で相補的な遺伝子と結合を
生じさせた後、標識体による増幅作用を利用して検出す
る。これに対し、試料遺伝子と相補的な配列をもつ遺伝
子を標識しておく方法もあり、ＤＮＡプローブ法とよば
れている。このときは試料遺伝子はフィルタ等に固定化
しておく。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の実施例について、本発明の範
囲から外れる比較例と比較してその効果について説明す
る。
囲から外れる比較例と比較してその効果について説明す
る。
【００３２】［実施例１］水素化アモルファスカーボン
膜の成膜にはプラズマＣＶＤ装置を用いた。使用したガ
スはＨｅ、ＣＨ４、Ｈ２である。使用したプラズマＣＶ
Ｄ装置は狭ギャップ平行平板タイプのもので、ＲＦ（１
３．５６ＭＨｚの高周波）が印加されるカソード電極と
その対向に平行してグランド電極が設置されている。両
電極の表面にはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が溶射コーティ
ングされている。両電極間は２ｍｍに設定されている。
カソード電極の面積は２０ｍｍ×１２０ｍｍである。グ
ランド電極は対向のカソード電極に対して平行に設置さ
れており、またグランド電極は平行方向に移動できるよ
うになっており、グランド電極にスライドガラスを載置
し、両電極間で発生するプラズマ領域（＝およそカソー
ド面積：２０ｍｍ×１２０ｍｍ）中をグランド電極上の
スライドガラスが平行移動することで、スライドガラス
上に均一に水素化アモルファスカーボンを成膜すること
ができる。
膜の成膜にはプラズマＣＶＤ装置を用いた。使用したガ
スはＨｅ、ＣＨ４、Ｈ２である。使用したプラズマＣＶ
Ｄ装置は狭ギャップ平行平板タイプのもので、ＲＦ（１
３．５６ＭＨｚの高周波）が印加されるカソード電極と
その対向に平行してグランド電極が設置されている。両
電極の表面にはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が溶射コーティ
ングされている。両電極間は２ｍｍに設定されている。
カソード電極の面積は２０ｍｍ×１２０ｍｍである。グ
ランド電極は対向のカソード電極に対して平行に設置さ
れており、またグランド電極は平行方向に移動できるよ
うになっており、グランド電極にスライドガラスを載置
し、両電極間で発生するプラズマ領域（＝およそカソー
ド面積：２０ｍｍ×１２０ｍｍ）中をグランド電極上の
スライドガラスが平行移動することで、スライドガラス
上に均一に水素化アモルファスカーボンを成膜すること
ができる。
【００３３】使用したスライドガラスのサイズは２５．
４ｍｍ×７６．２ｍｍ×１．０ｍｍ（ｔ）である。成膜
の前の洗浄処理は、エタノール及び超純水による超音波
洗浄である。洗浄後、スライドガラスをＣＶＤ装置内の
グランド電極上に載置した。
４ｍｍ×７６．２ｍｍ×１．０ｍｍ（ｔ）である。成膜
の前の洗浄処理は、エタノール及び超純水による超音波
洗浄である。洗浄後、スライドガラスをＣＶＤ装置内の
グランド電極上に載置した。
【００３４】また、実施例１ではグランド電極を浮遊状
態とし（グランドではない）、これに４００ｋＨｚの電
力を印加し、スライドガラス上へのイオンボンバード処
理ができるようにした。
態とし（グランドではない）、これに４００ｋＨｚの電
力を印加し、スライドガラス上へのイオンボンバード処
理ができるようにした。
【００３５】グランド電極の移動速度は１．５ｍｍ／秒
とした場合、スライドガラス上に成膜される水素化アモ
ルファスカーボン膜の膜厚は３０ｎｍであった。
とした場合、スライドガラス上に成膜される水素化アモ
ルファスカーボン膜の膜厚は３０ｎｍであった。
【００３６】上記条件において、グランドの移動速度を
変えることで任意の膜厚を得ることができる。図１は上
記条件において成膜した膜厚３００ｎｍの水素化アモル
ファスカーボン膜の波長５００ｎｍ乃至２５００ｎｍに
おける光透過率を示すグラフ図である。同波長域におい
て、９０％以上の光透過率を有することが分かり、優れ
た透明性を示している。比較のためにスパッタ法によっ
て成膜したＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜
（膜厚１００ｎｍ）の透過率を図１中に示す。本発明の
水素化アモルファスカーボン膜と比較して、ＤＬＣ膜は
膜厚は１／３であるが、５００ｎｍの透過率は２０％程
度であり、膜は茶褐色である。
変えることで任意の膜厚を得ることができる。図１は上
記条件において成膜した膜厚３００ｎｍの水素化アモル
ファスカーボン膜の波長５００ｎｍ乃至２５００ｎｍに
おける光透過率を示すグラフ図である。同波長域におい
て、９０％以上の光透過率を有することが分かり、優れ
た透明性を示している。比較のためにスパッタ法によっ
て成膜したＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜
（膜厚１００ｎｍ）の透過率を図１中に示す。本発明の
水素化アモルファスカーボン膜と比較して、ＤＬＣ膜は
膜厚は１／３であるが、５００ｎｍの透過率は２０％程
度であり、膜は茶褐色である。
【００３７】次に、波長２５００ｎｍ乃至５０００ｎｍ
の赤外域でのＦＴＩＲによる透過率測定結果について、
図２を参照して説明する。本発明の水素化アモルファス
カーボン膜は、２５００ｎｍ乃至５０００ｎｍの赤外域
においても８５％以上の高い透過率を示す。なお、３３
００ｎｍ乃至３５００ｎｍあたりにみられる吸収ピーク
はｓｐ３軌道のＣＨ３、ｓｐ３軌道のＣＨ２及びｓｐ３
軌道のＣＨに起因するピークである。
の赤外域でのＦＴＩＲによる透過率測定結果について、
図２を参照して説明する。本発明の水素化アモルファス
カーボン膜は、２５００ｎｍ乃至５０００ｎｍの赤外域
においても８５％以上の高い透過率を示す。なお、３３
００ｎｍ乃至３５００ｎｍあたりにみられる吸収ピーク
はｓｐ３軌道のＣＨ３、ｓｐ３軌道のＣＨ２及びｓｐ３
軌道のＣＨに起因するピークである。
【００３８】図３は、図１及び図２に示した水素化アモ
ルファスカーボン膜のラマン分光スペクトルである。ラ
マンスペクトルは波長５１４．５ｎｍのＡｒ＋レーザー
をラマン散乱励起源として得られる。図３から分かるよ
うに、ラマンスペクトル上には高分子的な構造をもつ軟
質膜に特有の蛍光によるバックグランドが大きく現れて
いる。この結果から、水素化アモルファスカーボン膜を
構成するカーボンクラスターのサイズは数ｎｍであるこ
とが分かる。
ルファスカーボン膜のラマン分光スペクトルである。ラ
マンスペクトルは波長５１４．５ｎｍのＡｒ＋レーザー
をラマン散乱励起源として得られる。図３から分かるよ
うに、ラマンスペクトル上には高分子的な構造をもつ軟
質膜に特有の蛍光によるバックグランドが大きく現れて
いる。この結果から、水素化アモルファスカーボン膜を
構成するカーボンクラスターのサイズは数ｎｍであるこ
とが分かる。
【００３９】また、水素化アモルファスカーボン膜の膜
中の水素濃度を弾性反跳粒子検出法（ＥＲＤＡ）によっ
て測定した結果を図４に示す。図４から分かるように、
水素化アモルファスカーボン膜における水素濃度は３０
乃至４０原子％である。比較のために、スパッタによる
ＤＬＣ膜の水素濃度を測定した結果も図４に示すが、こ
のスパッタによるＤＬＣ膜の水素濃度は１０乃至２０原
子％であった。
中の水素濃度を弾性反跳粒子検出法（ＥＲＤＡ）によっ
て測定した結果を図４に示す。図４から分かるように、
水素化アモルファスカーボン膜における水素濃度は３０
乃至４０原子％である。比較のために、スパッタによる
ＤＬＣ膜の水素濃度を測定した結果も図４に示すが、こ
のスパッタによるＤＬＣ膜の水素濃度は１０乃至２０原
子％であった。
【００４０】次に、水素化アモルファスカーボン膜表面
の水接触角を測定した。この水素化アモルファスカーボ
ン膜の接触角は８５乃至１００°であり、比較のために
測定したスパッタによるＤＬＣ膜の接触角は４５乃至６
０°であった。従って、水素化アモルファスカーボン膜
の表面は水素終端による強い疎水表面であることが分か
る。
の水接触角を測定した。この水素化アモルファスカーボ
ン膜の接触角は８５乃至１００°であり、比較のために
測定したスパッタによるＤＬＣ膜の接触角は４５乃至６
０°であった。従って、水素化アモルファスカーボン膜
の表面は水素終端による強い疎水表面であることが分か
る。
【００４１】以上の光透過率、ラマンスペクトル、ＥＲ
ＤＡ、水接触角測定の分析結果により、水素化アモルフ
ァスカーボン膜は、膜構造におけるカーボンクラスタが
数ｎｍであり、またクラスタの終端（表面も含めて）が
−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）であることが分かる。
ＤＡ、水接触角測定の分析結果により、水素化アモルフ
ァスカーボン膜は、膜構造におけるカーボンクラスタが
数ｎｍであり、またクラスタの終端（表面も含めて）が
−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）であることが分かる。
【００４２】上述のようにスライドガラスに膜厚３０ｎ
ｍの該水素化アモルファスカーボン膜を成膜コーティン
グした後、塩素雰囲気において紫外線照射を行い、表面
水素をクロライド基に置換し、その後アンモニア雰囲気
において紫外線照射を行い、表面をアミノ基に置換し
た。アミノ基の導入は、前述したようにアンモニアプラ
ズマを使っても可能であり、プラズマ条件を変化させる
ことでアミノ基の密度を変えることができる。そのとき
の表面は１０°乃至９０°にわたって水接触角を制御で
きる。今回は紫外線照射を使用した。紫外線照射による
アミノ基導入後の接触角は４０°であった。更に、ガラ
スプレートを２価カルボン酸の溶液に１時間浸漬し、次
に５００ｒｐｍの遠心乾燥によってスライドガラス表面
の溶液を取り除いた。このスライドガラスを真空オーブ
ンで５０℃に、３０分加熱して乾燥した。これによっ
て、１つのカルボキシル基をアミノ基表面とアミド結合
させ、最表面をカルボキシル基に置換した。
ｍの該水素化アモルファスカーボン膜を成膜コーティン
グした後、塩素雰囲気において紫外線照射を行い、表面
水素をクロライド基に置換し、その後アンモニア雰囲気
において紫外線照射を行い、表面をアミノ基に置換し
た。アミノ基の導入は、前述したようにアンモニアプラ
ズマを使っても可能であり、プラズマ条件を変化させる
ことでアミノ基の密度を変えることができる。そのとき
の表面は１０°乃至９０°にわたって水接触角を制御で
きる。今回は紫外線照射を使用した。紫外線照射による
アミノ基導入後の接触角は４０°であった。更に、ガラ
スプレートを２価カルボン酸の溶液に１時間浸漬し、次
に５００ｒｐｍの遠心乾燥によってスライドガラス表面
の溶液を取り除いた。このスライドガラスを真空オーブ
ンで５０℃に、３０分加熱して乾燥した。これによっ
て、１つのカルボキシル基をアミノ基表面とアミド結合
させ、最表面をカルボキシル基に置換した。
【００４３】標識化試料ＤＮＡとしては、プラスミドｐ
ＧＥＭ５Ｚｆ（＋）（プロメガ社）を用いた。プラスミ
ドの標識化はＬａｂｅｌｌＴ（宝酒造（株）製）を用い
て、蛍光標識（フルオレセイン）により行った。試料Ｄ
ＮＡの固定化で標識したプラスミドＤＮＡを０．５ｍｇ
／ミリリットルの濃度になるように３×ＳＳＣ（Sambro
ok et al., Molecular Cloning, 2nd Edition(Cold Spr
ing Harbor Laboratory Press, 1989)）に溶解した。
ＧＥＭ５Ｚｆ（＋）（プロメガ社）を用いた。プラスミ
ドの標識化はＬａｂｅｌｌＴ（宝酒造（株）製）を用い
て、蛍光標識（フルオレセイン）により行った。試料Ｄ
ＮＡの固定化で標識したプラスミドＤＮＡを０．５ｍｇ
／ミリリットルの濃度になるように３×ＳＳＣ（Sambro
ok et al., Molecular Cloning, 2nd Edition(Cold Spr
ing Harbor Laboratory Press, 1989)）に溶解した。
【００４４】このようにして作成したガラスプレート
に、試料ＤＮＡをスポットした。対象として、ガラスプ
レートにポリアスパラギン酸をコーティングし、ガラス
表面をカルボキシル基に置換したもの（特開２０００−
６３１５４公報）を使用して同様に試料ＤＮＡをスポッ
トした。スポットを風乾した後、湿潤容器内で４５℃に
１分保温した。ガラスプレートを９０℃に加熱した超純
水上で試料ＤＮＡをスポットした面を５秒蒸気にあてた
後（リハドレーション処理）、再度ガラス面をかえして
５秒間の瞬間乾燥を行い、ＵＶクロスリンカー（フナコ
シ社）によって６０ｍＪの紫外線（２５４ｎｍ）を照射
した。
に、試料ＤＮＡをスポットした。対象として、ガラスプ
レートにポリアスパラギン酸をコーティングし、ガラス
表面をカルボキシル基に置換したもの（特開２０００−
６３１５４公報）を使用して同様に試料ＤＮＡをスポッ
トした。スポットを風乾した後、湿潤容器内で４５℃に
１分保温した。ガラスプレートを９０℃に加熱した超純
水上で試料ＤＮＡをスポットした面を５秒蒸気にあてた
後（リハドレーション処理）、再度ガラス面をかえして
５秒間の瞬間乾燥を行い、ＵＶクロスリンカー（フナコ
シ社）によって６０ｍＪの紫外線（２５４ｎｍ）を照射
した。
【００４５】次に、無水コハク酸５．５ｇを３１５ミリ
リットルの１−メチル−２−ピロリドン溶液に溶解さ
せ、これにSodium Borate（ホウ酸６１．８ｇ、ｐＨ調
整用ＮａＯＨ（ｐＨ８．０にあわせる）、超純水８００
ミリリットル）を注いだ。この溶液に上述のスライドガ
ラスを２０分間浸漬した。その後、９０℃の超純水で１
分間リンスした後、更に９５％エタノールで２分間浸漬
し、ガラスプレートを８００ｒｐｍで遠心乾燥した（ブ
ロッキング処理）。
リットルの１−メチル−２−ピロリドン溶液に溶解さ
せ、これにSodium Borate（ホウ酸６１．８ｇ、ｐＨ調
整用ＮａＯＨ（ｐＨ８．０にあわせる）、超純水８００
ミリリットル）を注いだ。この溶液に上述のスライドガ
ラスを２０分間浸漬した。その後、９０℃の超純水で１
分間リンスした後、更に９５％エタノールで２分間浸漬
し、ガラスプレートを８００ｒｐｍで遠心乾燥した（ブ
ロッキング処理）。
【００４６】固定化されたＤＮＡの量の測定は、プラス
ミドを標識した蛍光量を定量測定することによって行っ
た。蛍光量の検出にはフルオロイメージャー（FluoroIm
ager）(モレキュラーダイナミックス社)を用いた。その
結果、対象としたポリアスパラギン酸をコーティングし
たガラスプレートを使用した場合の蛍光強度を１とする
と、水素化アモルファスカーボン膜をスライドガラス基
板にコーティングし、カルボキシル基に置換させる化学
処理を行ったガラスプレートを使用した場合、９である
ことが分かり、１０倍近い量のＤＮＡが固着しているこ
とが分かった。
ミドを標識した蛍光量を定量測定することによって行っ
た。蛍光量の検出にはフルオロイメージャー（FluoroIm
ager）(モレキュラーダイナミックス社)を用いた。その
結果、対象としたポリアスパラギン酸をコーティングし
たガラスプレートを使用した場合の蛍光強度を１とする
と、水素化アモルファスカーボン膜をスライドガラス基
板にコーティングし、カルボキシル基に置換させる化学
処理を行ったガラスプレートを使用した場合、９である
ことが分かり、１０倍近い量のＤＮＡが固着しているこ
とが分かった。
【００４７】［実施例２］実施例１と同様の方法によっ
て、スライドガラスに膜厚３０ｎｍの水素化アモルファ
スカーボン膜を成膜コーティングした後、アンモニアプ
ラズマ照射を施して、前記水素化アモルファスカーボン
膜の表面水素をアミノ基に置換した。このアンモニアプ
ラズマ照射には平行平板型プラズマリアクタを用い、ア
ンモニア（ＮＨ３）ガス流量が１００ｃｃ／分、圧力が
３９Ｐａ、高周波実効投入電力が０．１４Ｗ／ｃｍ２の
条件で、室温においてプラズマを発生させることによっ
て、水素化アモルファスカーボン膜表面にアンモニアプ
ラズマを所定時間にわたり照射した。
て、スライドガラスに膜厚３０ｎｍの水素化アモルファ
スカーボン膜を成膜コーティングした後、アンモニアプ
ラズマ照射を施して、前記水素化アモルファスカーボン
膜の表面水素をアミノ基に置換した。このアンモニアプ
ラズマ照射には平行平板型プラズマリアクタを用い、ア
ンモニア（ＮＨ３）ガス流量が１００ｃｃ／分、圧力が
３９Ｐａ、高周波実効投入電力が０．１４Ｗ／ｃｍ２の
条件で、室温においてプラズマを発生させることによっ
て、水素化アモルファスカーボン膜表面にアンモニアプ
ラズマを所定時間にわたり照射した。
【００４８】図５は上記のように水素化アモルファスカ
ーボン膜表面にアンモニアプラズマ照射した結果を示
す。図５（ａ）はアンモニアプラズマ照射された水素化
アモルファスカーボン膜表面における水接触角の測定結
果とアンモニアプラズマ照射時間との関係を示すグラフ
であり、図５（ｂ）はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析の
光電子脱出角が１５°の場合における結果から計算した
アンモニアプラズマ照射後の水素化アモルファスカーボ
ン膜表面におけるカーボン（Ｃ）と窒素（Ｎ）の原子組
成比と水接触角の測定結果との関係を示すグラフであ
る。図５（ａ）から分かるように、アンモニアプラズマ
照射時間が長いほど、水素化アモルファスカーボン膜表
面における水接触角は小さくなり、より親水性を示すよ
うになった。また、図５（ｂ）から明らかなように、ア
ンモニアプラズマ照射された水素化アモルファスカーボ
ン膜表面において、カーボン（Ｃ）に対する窒素（Ｎ）
の原子数比が高くなるほど水接触角が小さくなり、より
親水性を示すようになった。ＸＰＳ分析結果を詳細に検
討した結果、このアンモニアプラズマ照射された水素化
アモルファスカーボン膜表面に存在する窒素（Ｎ）はア
ミノ基に由来するものと同定された。これらの結果か
ら、水素化アモルファスカーボン膜にアンモニアプラズ
マを照射することによって、この膜表面にはアミノ基が
導入され、膜表面における水接触角が小さくなることが
分かった。即ち、水素化アモルファスカーボン膜へのア
ンモニアプラズマ照射時間が長くなるほど、この膜表面
に存在するアミノ基の数は増大し、この膜表面における
水接触角は小さくなる。
ーボン膜表面にアンモニアプラズマ照射した結果を示
す。図５（ａ）はアンモニアプラズマ照射された水素化
アモルファスカーボン膜表面における水接触角の測定結
果とアンモニアプラズマ照射時間との関係を示すグラフ
であり、図５（ｂ）はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析の
光電子脱出角が１５°の場合における結果から計算した
アンモニアプラズマ照射後の水素化アモルファスカーボ
ン膜表面におけるカーボン（Ｃ）と窒素（Ｎ）の原子組
成比と水接触角の測定結果との関係を示すグラフであ
る。図５（ａ）から分かるように、アンモニアプラズマ
照射時間が長いほど、水素化アモルファスカーボン膜表
面における水接触角は小さくなり、より親水性を示すよ
うになった。また、図５（ｂ）から明らかなように、ア
ンモニアプラズマ照射された水素化アモルファスカーボ
ン膜表面において、カーボン（Ｃ）に対する窒素（Ｎ）
の原子数比が高くなるほど水接触角が小さくなり、より
親水性を示すようになった。ＸＰＳ分析結果を詳細に検
討した結果、このアンモニアプラズマ照射された水素化
アモルファスカーボン膜表面に存在する窒素（Ｎ）はア
ミノ基に由来するものと同定された。これらの結果か
ら、水素化アモルファスカーボン膜にアンモニアプラズ
マを照射することによって、この膜表面にはアミノ基が
導入され、膜表面における水接触角が小さくなることが
分かった。即ち、水素化アモルファスカーボン膜へのア
ンモニアプラズマ照射時間が長くなるほど、この膜表面
に存在するアミノ基の数は増大し、この膜表面における
水接触角は小さくなる。
【００４９】次に、実施例１と同様の方法によって、ス
ライドガラスに膜厚３０ｎｍの水素化アモルファスカー
ボン膜が成膜コーティングされたガラスプレートを用意
し、このガラスプレート上の水素化アモルファスカーボ
ン膜に上記のアンモニアプラズマ照射を６０秒間にわた
り施すことによって、この膜表面にアミノ基を導入し
た。このようにしてアミノ基が導入された水素化アモル
ファスカーボン膜の膜表面における水接触角は６０°で
あった。このようにして作成したガラスプレートを、実
施例１と同様に、２価カルボン酸の溶液に１時間浸漬し
た後、５００ｒｐｍの遠心乾燥によってガラスプレート
表面の溶液を取り除いた。次に、ガラスプレートを真空
オーブンを用いて５０℃で３０分間にわたり乾燥させ
た。これによって、１つのカルボキシル基をアミノ基表
面とアミド結合させ、最表面をカルボキシル基に置換し
た。
ライドガラスに膜厚３０ｎｍの水素化アモルファスカー
ボン膜が成膜コーティングされたガラスプレートを用意
し、このガラスプレート上の水素化アモルファスカーボ
ン膜に上記のアンモニアプラズマ照射を６０秒間にわた
り施すことによって、この膜表面にアミノ基を導入し
た。このようにしてアミノ基が導入された水素化アモル
ファスカーボン膜の膜表面における水接触角は６０°で
あった。このようにして作成したガラスプレートを、実
施例１と同様に、２価カルボン酸の溶液に１時間浸漬し
た後、５００ｒｐｍの遠心乾燥によってガラスプレート
表面の溶液を取り除いた。次に、ガラスプレートを真空
オーブンを用いて５０℃で３０分間にわたり乾燥させ
た。これによって、１つのカルボキシル基をアミノ基表
面とアミド結合させ、最表面をカルボキシル基に置換し
た。
【００５０】このガラスプレートにおいて、実施例１と
同様に、ＤＮＡスポット処理、リハイドレーション処
理、ＵＶクロスリンキング処理、ブロッキング処理を順
々に行った。固定化されたＤＮＡの量の測定は、実施例
１同様プラスミドを標識した蛍光量を定量測定すること
によって行った。蛍光量の検出にはフルオロイメージャ
ーを用いた。その結果、実施例１において対象としたガ
ラスプレート、即ちポリアスパラギン酸をコーティング
したガラスプレートを使用した場合の蛍光強度を１とす
ると、水素化アモルファスカーボン膜をスライドガラス
に成膜コーティングし、アンモニアプラズマ照射により
アミノ基を導入してからカルボキシル基に置換させる化
学処理を行ったガラスプレートを使用した場合、蛍光強
度比が６であることが分かり、６倍近い量のＤＮＡが固
着していることが分かった。
同様に、ＤＮＡスポット処理、リハイドレーション処
理、ＵＶクロスリンキング処理、ブロッキング処理を順
々に行った。固定化されたＤＮＡの量の測定は、実施例
１同様プラスミドを標識した蛍光量を定量測定すること
によって行った。蛍光量の検出にはフルオロイメージャ
ーを用いた。その結果、実施例１において対象としたガ
ラスプレート、即ちポリアスパラギン酸をコーティング
したガラスプレートを使用した場合の蛍光強度を１とす
ると、水素化アモルファスカーボン膜をスライドガラス
に成膜コーティングし、アンモニアプラズマ照射により
アミノ基を導入してからカルボキシル基に置換させる化
学処理を行ったガラスプレートを使用した場合、蛍光強
度比が６であることが分かり、６倍近い量のＤＮＡが固
着していることが分かった。
【００５１】［実施例３］実施例１と同様の方法によっ
て、スライドガラスに膜厚３０ｎｍの水素化アモルファ
スカーボン膜を成膜コーティングした後、大気中におい
て、この水素化アモルファスカーボン膜の表面に波長が
２５４ｎｍの紫外線を照射した。紫外線照射には、ＵＶ
トランスイルミネーターを用いた。
て、スライドガラスに膜厚３０ｎｍの水素化アモルファ
スカーボン膜を成膜コーティングした後、大気中におい
て、この水素化アモルファスカーボン膜の表面に波長が
２５４ｎｍの紫外線を照射した。紫外線照射には、ＵＶ
トランスイルミネーターを用いた。
【００５２】図６は紫外線照射された水素化アモルファ
スカーボン膜表面における水接触角の測定結果と紫外線
照射時間との関係を示すグラフであり、図７は紫外線照
射後の水素化アモルファスカーボン膜表面の反射ＦＴＩ
Ｒ（Fourier Transform Infrared Spectroscopy：フー
リエ変換赤外分光）による分析結果を示す図である。図
６のグラフから分かるように、紫外線照射時間が長いほ
ど、水素化アモルファスカーボン膜表面における水接触
角は小さくなり、より親水性を示すようになった。ま
た、図７に示すように、紫外線照射された水素化アモル
ファスカーボン膜表面の反射ＦＴＩＲによる分析結果に
は、波数１７１０ｃｍ−１付近に現れＣ＝Ｏ結合に帰属
するピークと、波数２９６６ｃｍ−１付近に現れＣ−Ｈ
結合に帰属するピークとが明瞭に認められる。なお、他
のピークは下地スライドガラスに起因する吸光によるも
のである。これらの結果から、紫外線照射を施された水
素化アモルファスカーボン膜の表面においては、図２に
示したような−ＣＨ２及び−ＣＨ３により水素終端され
ていた膜表面が、アルデヒド基（Ｏ＝Ｃ−Ｈ）で置換さ
れていることがわかった。このようなアルデヒド基は、
水素化アモルファスカーボン膜の表面に存在するＣ−Ｈ
結合が紫外線照射により切断され、この結合が切れて活
性化されたサイトと大気中に存在する酸素又は水とが反
応することによって導入されたものと考えられる。この
ため、水素化アモルファスカーボン膜の表面に紫外線を
照射することによって、膜表面にはアルデヒド基が導入
されて水接触角が小さくなり、親水性を示すようにな
る。また、この膜表面への紫外線照射時間が長いほど、
膜表面に存在するアルデヒド基の密度が増大し、より親
水性を示すようになる。
スカーボン膜表面における水接触角の測定結果と紫外線
照射時間との関係を示すグラフであり、図７は紫外線照
射後の水素化アモルファスカーボン膜表面の反射ＦＴＩ
Ｒ（Fourier Transform Infrared Spectroscopy：フー
リエ変換赤外分光）による分析結果を示す図である。図
６のグラフから分かるように、紫外線照射時間が長いほ
ど、水素化アモルファスカーボン膜表面における水接触
角は小さくなり、より親水性を示すようになった。ま
た、図７に示すように、紫外線照射された水素化アモル
ファスカーボン膜表面の反射ＦＴＩＲによる分析結果に
は、波数１７１０ｃｍ−１付近に現れＣ＝Ｏ結合に帰属
するピークと、波数２９６６ｃｍ−１付近に現れＣ−Ｈ
結合に帰属するピークとが明瞭に認められる。なお、他
のピークは下地スライドガラスに起因する吸光によるも
のである。これらの結果から、紫外線照射を施された水
素化アモルファスカーボン膜の表面においては、図２に
示したような−ＣＨ２及び−ＣＨ３により水素終端され
ていた膜表面が、アルデヒド基（Ｏ＝Ｃ−Ｈ）で置換さ
れていることがわかった。このようなアルデヒド基は、
水素化アモルファスカーボン膜の表面に存在するＣ−Ｈ
結合が紫外線照射により切断され、この結合が切れて活
性化されたサイトと大気中に存在する酸素又は水とが反
応することによって導入されたものと考えられる。この
ため、水素化アモルファスカーボン膜の表面に紫外線を
照射することによって、膜表面にはアルデヒド基が導入
されて水接触角が小さくなり、親水性を示すようにな
る。また、この膜表面への紫外線照射時間が長いほど、
膜表面に存在するアルデヒド基の密度が増大し、より親
水性を示すようになる。
【００５３】次に、実施例１と同様の方法によって、ス
ライドガラスに膜厚３０ｎｍの該水素化アモルファスカ
ーボン膜が成膜コーティングされたガラスプレートを用
意し、このガラスプレート上の水素化アモルファスカー
ボン膜に上記の紫外線照射を１８０分間にわたり施すこ
とによって、この膜表面にアルデヒド基を導入した。こ
のようにしてアルデヒド基が導入された水素化アモルフ
ァスカーボン膜の膜表面における水接触角は６０°であ
った。このガラスプレートにおいて、実施例１と同様
に、ＤＮＡスポット処理、リハイドレーション処理、Ｕ
Ｖクロスリンキング処理、ブロッキング処理を順々に行
った。固定化されたＤＮＡの量の測定は、実施例１同様
プラスミドを標識した蛍光量を定量測定することによっ
て行った。蛍光量の検出にはフルオロイメージャーを用
いた。その結果、実施例１において対象としたガラスプ
レート、即ちポリアスパラギン酸をコーティングしたガ
ラスプレートを使用した場合の蛍光強度を１とすると、
水素化アモルファスカーボン膜をスライドガラスに成膜
コーティングし、紫外線照射によりアルデヒド基を導入
たガラスプレートを使用した場合、蛍光強度比が１０で
あることが分かり、１０倍近い量のＤＮＡが固着してい
ることが分かった。
ライドガラスに膜厚３０ｎｍの該水素化アモルファスカ
ーボン膜が成膜コーティングされたガラスプレートを用
意し、このガラスプレート上の水素化アモルファスカー
ボン膜に上記の紫外線照射を１８０分間にわたり施すこ
とによって、この膜表面にアルデヒド基を導入した。こ
のようにしてアルデヒド基が導入された水素化アモルフ
ァスカーボン膜の膜表面における水接触角は６０°であ
った。このガラスプレートにおいて、実施例１と同様
に、ＤＮＡスポット処理、リハイドレーション処理、Ｕ
Ｖクロスリンキング処理、ブロッキング処理を順々に行
った。固定化されたＤＮＡの量の測定は、実施例１同様
プラスミドを標識した蛍光量を定量測定することによっ
て行った。蛍光量の検出にはフルオロイメージャーを用
いた。その結果、実施例１において対象としたガラスプ
レート、即ちポリアスパラギン酸をコーティングしたガ
ラスプレートを使用した場合の蛍光強度を１とすると、
水素化アモルファスカーボン膜をスライドガラスに成膜
コーティングし、紫外線照射によりアルデヒド基を導入
たガラスプレートを使用した場合、蛍光強度比が１０で
あることが分かり、１０倍近い量のＤＮＡが固着してい
ることが分かった。
【００５４】［実施例４］実施例１におけるプラズマＣ
ＶＤ装置を用いて、水素化アモルファスカーボンナイト
ライド膜の成膜を行った。プラズマＣＶＤで使用したガ
スはＨｅ、ＣＨ４、Ｈ２、ＮＨ３であり、カソード電極
には１３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波）を印加した。Ｎ
の導入はＮＨ３のほかに、モノメチルアミン（ＣＨ３Ｎ
Ｈ２）等のＣＮＨ系でも可能である。また、実施例１と
同様に、グランド電極を浮遊状態とし（グランドではな
い）、これに４００ｋＨｚの電力を印加し、スライドガ
ラス上へのイオンボンバード処理ができるようにした。
ＶＤ装置を用いて、水素化アモルファスカーボンナイト
ライド膜の成膜を行った。プラズマＣＶＤで使用したガ
スはＨｅ、ＣＨ４、Ｈ２、ＮＨ３であり、カソード電極
には１３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波）を印加した。Ｎ
の導入はＮＨ３のほかに、モノメチルアミン（ＣＨ３Ｎ
Ｈ２）等のＣＮＨ系でも可能である。また、実施例１と
同様に、グランド電極を浮遊状態とし（グランドではな
い）、これに４００ｋＨｚの電力を印加し、スライドガ
ラス上へのイオンボンバード処理ができるようにした。
【００５５】グランド電極の移動速度は１．５ｍｍ／秒
とした場合、スライドガラス上に成膜される水素化アモ
ルファスカーボンナイトライド膜の膜厚は３０ｎｍであ
った。
とした場合、スライドガラス上に成膜される水素化アモ
ルファスカーボンナイトライド膜の膜厚は３０ｎｍであ
った。
【００５６】上記条件において、グランド電極の移動速
度を調整し、膜厚３００ｎｍの水素化アモルファスカー
ボンナイトライド膜を成膜した。この水素化アモルファ
スカーボンナイトライド膜において、実施例１と同様
に、波長５００ｎｍ乃至５０００ｎｍにおける光透過率
を測定した結果、同波長域において、８５％以上の透過
率を有することが分かり、優れた透明性を示した。更
に、ＦＴＩＲによる赤外吸収スペクトルを測定した結
果、３３００ｃｍ−１付近にアミノ基の伸縮振動に起因
する吸収と２８００乃至３０００ｃｍ−１付近にメチル
基の伸縮振動に起因するピークが得られた。このＦＴＩ
Ｒスペクトルの結果からアミノ基及び第２級アミンによ
って表面が水素終端されていることが分かった。
度を調整し、膜厚３００ｎｍの水素化アモルファスカー
ボンナイトライド膜を成膜した。この水素化アモルファ
スカーボンナイトライド膜において、実施例１と同様
に、波長５００ｎｍ乃至５０００ｎｍにおける光透過率
を測定した結果、同波長域において、８５％以上の透過
率を有することが分かり、優れた透明性を示した。更
に、ＦＴＩＲによる赤外吸収スペクトルを測定した結
果、３３００ｃｍ−１付近にアミノ基の伸縮振動に起因
する吸収と２８００乃至３０００ｃｍ−１付近にメチル
基の伸縮振動に起因するピークが得られた。このＦＴＩ
Ｒスペクトルの結果からアミノ基及び第２級アミンによ
って表面が水素終端されていることが分かった。
【００５７】ラマンスペクトルは図２と同様に、高分子
的な構造をもつ軟質膜に特有の蛍光によるバックグラン
ドが大きく現れる結果となり、カーボンクラスタのサイ
ズは数ｎｍ程度と予想される。
的な構造をもつ軟質膜に特有の蛍光によるバックグラン
ドが大きく現れる結果となり、カーボンクラスタのサイ
ズは数ｎｍ程度と予想される。
【００５８】また、水素化アモルファスカーボンナイト
ライド膜の膜中の水素濃度を弾性反跳粒子検出法（ＥＲ
ＤＡ）によって測定したところ、３０乃至４０原子％で
あることが分かった。
ライド膜の膜中の水素濃度を弾性反跳粒子検出法（ＥＲ
ＤＡ）によって測定したところ、３０乃至４０原子％で
あることが分かった。
【００５９】以上の光透過率（ＦＴＩＲ含む）、ラマン
スペクトル、ＥＲＤＡの分析の結果、水素化アモルファ
スカーボンナイトライド膜は、膜構造におけるカーボン
クラスタが数ｎｍであり、またクラスタの終端（表面も
含めて）が−Ｎ−Ｈ２又は−Ｎ−ＨＲ（Ｒはアルキル基
でＣＨ３）又は−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）であるこ
とが分かった。今回の実験ではＣＨ４／ＮＨ３比を変え
ることで表面のＮ−Ｈ ｘ（親水基）／Ｃ−Ｈｘ（疎水
基）比を変えることができる。これによって、表面の接
触角を１０°乃至９０°にわたって任意に変えることが
できる。
スペクトル、ＥＲＤＡの分析の結果、水素化アモルファ
スカーボンナイトライド膜は、膜構造におけるカーボン
クラスタが数ｎｍであり、またクラスタの終端（表面も
含めて）が−Ｎ−Ｈ２又は−Ｎ−ＨＲ（Ｒはアルキル基
でＣＨ３）又は−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）であるこ
とが分かった。今回の実験ではＣＨ４／ＮＨ３比を変え
ることで表面のＮ−Ｈ ｘ（親水基）／Ｃ−Ｈｘ（疎水
基）比を変えることができる。これによって、表面の接
触角を１０°乃至９０°にわたって任意に変えることが
できる。
【００６０】実施例１で示したようなクロライド基、ア
ミノ基といった多段処理によって表面にアミノ基を導入
せずに、直接的にアミノ基を導入した。実施例１と同様
に、スライドガラスにおいて、２価カルボン酸の溶液に
１時間浸漬し、次に５００ｒｐｍの遠心乾燥によってス
ライドガラス表面の溶液を取り除いた。スライドガラス
を真空オーブンで５０℃、３０分乾燥させた。これによ
って、１つのカルボキシル基をアミノ基表面とアミド結
合させ、最表面をカルボキシル基に置換した。
ミノ基といった多段処理によって表面にアミノ基を導入
せずに、直接的にアミノ基を導入した。実施例１と同様
に、スライドガラスにおいて、２価カルボン酸の溶液に
１時間浸漬し、次に５００ｒｐｍの遠心乾燥によってス
ライドガラス表面の溶液を取り除いた。スライドガラス
を真空オーブンで５０℃、３０分乾燥させた。これによ
って、１つのカルボキシル基をアミノ基表面とアミド結
合させ、最表面をカルボキシル基に置換した。
【００６１】このスライドガラスにおいて、実施例１と
同様に、ＤＮＡスポット処理、リハイドレーション処
理、ＵＶクロスリンキング処理、ブロッキング処理を順
々に行った。固定化されたＤＮＡの量の測定は、実施例
１と同様に、プラスミドを標識した蛍光量を定量測定す
ることによって行った。蛍光量の検出にはフルオロイメ
ージャー（FluoroImager）(モレキュラーダイナミック
ス社)を用いた。その結果、実施例１において対象とし
たガラスプレート、即ちポリアスパラギン酸をコーティ
ングしたガラスプレートを使用した場合の蛍光強度を１
とすると、水素化アモルファスカーボン膜をスライドガ
ラス基板にコーティングし、カルボキシル基に置換させ
る化学処理を行ったガラスプレートを使用した場合、１
０であることが分かり、１０倍近い量のＤＮＡが固着し
ていることが分かった。
同様に、ＤＮＡスポット処理、リハイドレーション処
理、ＵＶクロスリンキング処理、ブロッキング処理を順
々に行った。固定化されたＤＮＡの量の測定は、実施例
１と同様に、プラスミドを標識した蛍光量を定量測定す
ることによって行った。蛍光量の検出にはフルオロイメ
ージャー（FluoroImager）(モレキュラーダイナミック
ス社)を用いた。その結果、実施例１において対象とし
たガラスプレート、即ちポリアスパラギン酸をコーティ
ングしたガラスプレートを使用した場合の蛍光強度を１
とすると、水素化アモルファスカーボン膜をスライドガ
ラス基板にコーティングし、カルボキシル基に置換させ
る化学処理を行ったガラスプレートを使用した場合、１
０であることが分かり、１０倍近い量のＤＮＡが固着し
ていることが分かった。
【００６２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、膜
表面に効率的かつ再現性よくＤＮＡ等の核酸を安定に固
定化することができる。
表面に効率的かつ再現性よくＤＮＡ等の核酸を安定に固
定化することができる。
【図１】横軸に波長をとり、縦軸に光透過率をとって、
水素化アモルファスカーボン膜の波長５００ｎｍ乃至２
５００ｎｍにおける光透過率の結果を示すグラフ図であ
る。
水素化アモルファスカーボン膜の波長５００ｎｍ乃至２
５００ｎｍにおける光透過率の結果を示すグラフ図であ
る。
【図２】横軸に波長をとり、縦軸に光透過率をとって、
水素化アモルファスカーボン膜の波長２５００ｎｍ乃至
５０００ｎｍにおける光透過率の結果を示すグラフ図で
ある。
水素化アモルファスカーボン膜の波長２５００ｎｍ乃至
５０００ｎｍにおける光透過率の結果を示すグラフ図で
ある。
【図３】横軸に波数をとり、縦軸に強度をとって、波数
６００乃至２２００ｃｍ−１におけるラマンスペクトル
結果を示すグラフ図である。
６００乃至２２００ｃｍ−１におけるラマンスペクトル
結果を示すグラフ図である。
【図４】横軸に膜の深さをとり、縦軸に水素濃度をとっ
て、ＥＲＤＡによる膜中水素濃度を示すグラフ図であ
る。
て、ＥＲＤＡによる膜中水素濃度を示すグラフ図であ
る。
【図５】図５（ａ）はプラズマ照射時間と水接触角との
関係を示すグラフであり、図５（ｂ）は膜表面における
Ｃ／Ｎ組成比と水接触角との関係を示すグラフである。
関係を示すグラフであり、図５（ｂ）は膜表面における
Ｃ／Ｎ組成比と水接触角との関係を示すグラフである。
【図６】紫外線照射時間と水接触角との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図７】横軸に波数をとり、縦軸に吸光度をとって、波
数８００乃至４０００ｃｍ−１における反射ＦＴＩＲ結
果を示すグラフである。
数８００乃至４０００ｃｍ−１における反射ＦＴＩＲ結
果を示すグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｃ１２Ｎ 15/09 Ｃ１２Ｎ 15/00 Ａ
(72)発明者 甘中 将人
兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号
株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
(72)発明者 石橋 清隆
兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号
株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
Ｆターム(参考） 4B024 AA11 CA04 CA05 CA06 CA09
GA18 GA19 HA14
4B029 AA07 AA21 AA23 BB20 CC03
CC11 FA12 FA15
4B063 QA01 QA18 QA19 QQ43 QR08
QR32 QR38 QR42 QR55 QR62
QR63 QR84 QS12 QS25 QS34
QS39 QX01 QX07
Claims (9)
- 【請求項１】 膜表面が−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）
による水素結合によって終端され、かつ膜中の水素濃度
が２０乃至５０原子％である水素化アモルファスカーボ
ン膜が基材表面にコーティングされていることを特徴と
する核酸固着用薄膜。 - 【請求項２】 膜表面が−Ｎ−Ｈ２又は−Ｎ−ＨＲ（Ｒ
はＣＨ３）又は−Ｃ−ＨＸ（Ｘ＝１，２，３）による水
素結合によって終端され、かつ膜中の水素濃度が２０乃
至５０原子％である水素化アモルファスカーボンナイト
ライド膜が基材表面にコーティングされていることを特
徴とする核酸固着用薄膜。 - 【請求項３】 前記コーティング処理基材がガラスプレ
ート又はシリコンプレートであることを特徴とする請求
項１又は２に記載の核酸固着用薄膜。 - 【請求項４】 前記水素化アモルファスカーボン膜は、
その表面終端水素に対し、官能基を含有する化学物質又
はガスによってこの官能基に表面置換したことを特徴と
する請求項１に記載の核酸固着用薄膜。 - 【請求項５】 前記水素化アモルファスカーボンナイト
ライド膜は、その表面終端水素に対し、官能基を含有す
る化学物質又はガスによってこの官能基に表面置換した
ことを特徴とする請求項２に記載の核酸固着用薄膜。 - 【請求項６】 前記水素化アモルファスカーボン膜の表
面終端水素に対し、官能基を一方の末端に有するカップ
リング剤の他方の末端が化学結合していることを特徴と
する請求項１に記載の核酸固着用薄膜。 - 【請求項７】 前記水素化アモルファスカーボンナイト
ライド膜の表面終端水素に対し、官能基を一方の末端に
有するカップリング剤の他方の末端が化学結合している
ことを特徴とする請求項２に記載の核酸固着用薄膜。 - 【請求項８】 前記官能基は、アミノ基、水酸基、カル
ボキシル基、クロライド基、エポキシ基、アルデヒド
基、イソシアネート基、及びチオシアネート基からなる
群から選択された１種であることを特徴とする請求項６
又は７に記載の核酸固着用薄膜。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
核酸固着用薄膜に核酸を固定化して、試料中の核酸を解
析することを特徴とする核酸解析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002239853A JP4133110B2 (ja) | 2001-10-12 | 2002-08-20 | 核酸固着用薄膜及び核酸解析方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-316030 | 2001-10-12 | ||
| JP2001316030 | 2001-10-12 | ||
| JP2002239853A JP4133110B2 (ja) | 2001-10-12 | 2002-08-20 | 核酸固着用薄膜及び核酸解析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003185661A true JP2003185661A (ja) | 2003-07-03 |
| JP4133110B2 JP4133110B2 (ja) | 2008-08-13 |
Family
ID=27615402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002239853A Expired - Fee Related JP4133110B2 (ja) | 2001-10-12 | 2002-08-20 | 核酸固着用薄膜及び核酸解析方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4133110B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007075950A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Kobe Steel Ltd | マイクロ流体デバイスおよびその製法 |
| JP2008232877A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Toyota Central R&D Labs Inc | 生体分子の固定用材料、生体分子が固定化された固相体及びその製造方法 |
| JP2009150658A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Tdk Corp | 電気化学センサ及び電気化学センサシステム |
| CN109142293A (zh) * | 2018-07-27 | 2019-01-04 | 福州大学 | 一种基于氮化碳解吸附作用的荧光传感器及其制备和应用 |
-
2002
- 2002-08-20 JP JP2002239853A patent/JP4133110B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007075950A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Kobe Steel Ltd | マイクロ流体デバイスおよびその製法 |
| JP2008232877A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Toyota Central R&D Labs Inc | 生体分子の固定用材料、生体分子が固定化された固相体及びその製造方法 |
| JP2009150658A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Tdk Corp | 電気化学センサ及び電気化学センサシステム |
| CN109142293A (zh) * | 2018-07-27 | 2019-01-04 | 福州大学 | 一种基于氮化碳解吸附作用的荧光传感器及其制备和应用 |
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|---|---|
| JP4133110B2 (ja) | 2008-08-13 |
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