JP2003183464A - ポリプロピレン系樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 延伸時の機械的負荷が小さく、延伸による
フィルムの破れが少なく、熱収縮率等の耐熱性および剛
性の良好な一軸または二軸延伸フィルムに適したポリプ
ロピレン系樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 （Ａ）メルトフロレート（ＭＦＲ）が
０．１〜１０ｇ／１０分であり、（Ｂ）示差走査型熱量
計（ＤＳＣ）で測定した融点が１６０℃以上であり、且
つ、（Ｃ）広角Ｘ線回折法による１２２℃における結晶
化度Ｘ₁₂₂と応力−歪み曲線から求めた降伏応力Ｙが
（１）式および（２）式を満たす炭素数４〜２０のα−
オレフィン重合体とポリプロピレンからなるポリプロピ
レン系樹脂組成物である。 ｜Ｙ−１．８９Ｘ₁₂₂｜≦０．１ （１） ０．４≦Ｙ≦０．９ （２）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的性質および
剛性、引張り強度等の機械的特性が良好なポリプロピレ
ン系樹脂組成物および該ポリプロピレン系樹脂組成物を
延伸したフィルムに関するものであり、詳しくは、製膜
に際して、延伸時の機械的負荷が小さく、延伸によるフ
ィルムの破れも少なく、且つ熱収縮率等の耐熱性および
剛性の良好な一軸または二軸延伸フィルムに適したポリ
プロピレン系樹脂組成物および該ポリプロピレン系樹脂
組成物を延伸したフィルムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】通常、二軸延伸フィルムに用いられるポ
リプロピレン樹脂としては、プロピレンの単独重合体が
一般的である。この二軸延伸フィルムの剛性や耐熱性等
の機械的性質を改良するために、例えば、パラターシャ
リーブチル安息香酸アルミニウム塩等の結晶化核剤を添
加して成形する方法が知られているが、コストが高く経
済的でない上、延伸フィルムの透明性が低下するという
欠点がある。また、高立体規則性触媒で製造された高結
晶性ポリプロピレン単独重合体を用いる方法もあるが、
延伸加工性が悪いという欠点がある。延伸加工性を改良
する方法として、プロピレンと少量のエチレンを共重合
する方法が知られている（特公昭６４−６２１１号公
報、特公平３−４３７１号公報等）。しかし、共重合体
では、耐熱性と剛性が低下するという欠点がある。さら
に、今後、生産効率の向上のために、二軸延伸ポリプロ
ピレンフィルムの生産設備の大型化、高速化が進むと考
えられるが、従来のポリプロピレン樹脂を使用すると、
製膜時における延伸装置の機械負荷の上昇、フィルムの
厚み精度の低下および延伸破れが発生するなどの問題が
発生している。即ち、剛性と耐熱性等の機械物性と、優
れた延伸加工性の両方を併せ持つ二軸延伸用ポリプロピ
レン樹脂の開発が要望されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、延伸時の機
械的負荷が小さく、延伸によるフィルムの破れも少な
く、熱収縮率等の耐熱性および剛性の良好な一軸または
二軸延伸フィルムに適したポリプロピレン系樹脂組成物
および該ポリプロピレン系樹脂組成物を延伸したフィル
ムを提供することを目的とするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、高立体規則性
（高結晶性）ポリプロピレンに、低立体規則性（低結晶
性）の炭素数４〜２０のα−オレフィン重合体を配合し
たポリプロピレン系樹脂組成物が、製膜時の加熱状態に
おいて結晶化度が低く、且つ室温において結晶化度が上
昇し、延伸加工性のみならず該フィルムの剛性および耐
熱性にも優れることを見出した。さらに、検討を重ね、
かかる性能を発揮させるためには、低立体規則性の炭素
数４〜２０のα−オレフィン重合体における結晶性、す
なわち、製膜時の結晶化度がある特定の範囲内にあるこ
とが必要であることを見出し、本発明を完成させるに至
った。すなわち、本発明は、炭素数４〜２０のα−オ
レフィン重合体とポリプロピレンからなり、（Ａ）メル
トフロレート（ＭＦＲ）が０．１〜１０ｇ／１０分であ
り、（Ｂ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で測定した融点
が１６０℃以上であり、且つ、（Ｃ）広角Ｘ線回折法に
よる１２２℃における結晶化度Ｘ₁₂₂と応力−歪み曲線
から求めた降伏応力Ｙが（１）式および（２）式を満た
すポリプロピレン系樹脂組成物 ｜Ｙ−１．８９Ｘ₁₂₂｜≦０．１ （１） ０．４≦Ｙ≦０．９ （２）、 α−オレフィン重合体が、（１）立体規則性指数
［（ｍｍｍｍ）／（ｍｍｒｒ＋ｒｍｍｒ）］が２０以
下、および（２）ＧＰＣ法により測定した重量平均分子
量（Ｍｗ）が１０，０００〜１，０００，０００を満た
すブテン−１系重合体であって、その含有量が５〜５０
質量％である上記に記載のポリプロピレン系樹脂組成
物および上記またはに記載のポリプロピレン系樹
脂組成物を、一軸または二軸に延伸してなる延伸フィル
ムに関するものである。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明のポリプロピレン系樹脂組
成物の、メルトフローレート（ＭＦＲ）は、ＪＩＳ−Ｋ
７２１０に準拠し、２３０℃、２．１６ｋｇにて測定し
た値であって、０．１〜１０ｇ／１０分の範囲にある。
０．１ｇ／１０分未満では、樹脂組成物の粘度が高くな
るため押出機の負荷が上昇し、フィルムの成形が困難に
なる。１０ｇ／１０分を超えると溶融張力が低下するた
め、延伸原反シートの成形の際、厚み精度が低下し、二
軸延伸後のフィルムの厚みの均一性が低下する。

【０００６】また、本発明のポリプロピレン系樹脂組成
物の示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で測定した融点は、１
６０℃以上である。１６０℃未満では該フィルムの耐熱
性、剛性が低下する。高立体規則性ポリプロピレンを配
合することにより、融点を１６０℃以上とすることがで
きる。

【０００７】さらに、本発明のポリプロピレン系樹脂組
成物は、広角Ｘ線回折法による１２２℃における結晶化
度Ｘ₁₂₂と応力−歪み曲線から求めた降伏応力Ｙが、上
記（１）式および（２）式を満たすことが必要である。
Ｙ−１．８９Ｘ₁₂₂＞０．１の場合、１２２℃で殆どの
結晶が融解してしまうためフィルムの耐熱性が劣る。ま
た、Ｙ−１．８９Ｘ₁₂₂＜−０．１の場合には、室温と
１２２℃とで結晶化度が殆ど同じであるためフィルムの
剛性が低すぎることになる。さらに、降伏応力Ｙが０．
４未満ではフィルムの剛性が低下し、０．９を超えると
延伸加工性が悪化する。尚、結晶化度Ｘ₁₂₂および降伏
応力Ｙは、高立体規則性ポリプロピレンと低立体規則性
の炭素数４〜２０のα−オレフィン重合体の配合比によ
り調節することができる。従って、上記式（１）の｜Ｙ
−１．８９Ｘ₁₂₂｜の値は、１２２℃における結晶化度
Ｘ₁₂₂および降伏応力Ｙによって調節することができ
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明で使用する低立体規則性の
炭素数４〜２０のα−オレフィン重合体（以下、α−オ
レフィン重合体と略称する場合がある。）は、好ましく
は、炭素数４〜２０のα−オレフィンに由来する構造単
位が９５モル％以上である。特に、好ましくは、９８モ
ル％以上、さらに、好ましくは、９９モル％以上であ
る。炭素数４〜２０のα−オレフィンに由来する構造単
位が９５モル％未満であるとフィルムにゲル、ブツ等が
発生し、物性が低下する可能性がある。

【０００９】本発明のα−オレフィン重合体の、立体規
則性指数 ［（ｍｍｍｍ）／（ｍｍｒｒ＋ｒｍｍｒ）］
は２０以下であることが好ましい。特に、好ましくは１
８以下、更に好ましくは１５以下である。立体規則性指
数が２０を超えると、軟質のフィルムが得られない可能
性がある。立体規則性指数（ｍｍｍｍ）／［（ｍｍｒ
ｒ）＋（ｒｍｍｒ）］は、下記方法により、（ｍｍｍ
ｍ）、（ｍｍｍｒ）及び（ｒｍｍｒ）を測定した値から
算出した。

【００１０】本発明において、メソペンタッド分率（ｍ
ｍｍｍ）は、朝倉らにより報告された「Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｊｏｕｒｎａｌ，１６，７１７（１９８４）」、Ｊ．
Ｒａｎｄａｌｌらにより報告された「Ｍａｃｒｏｍｏ
ｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，Ｃ２９，２０１（１９８
９）」及びＶ．Ｂｕｓｉｃｏらにより報告された「Ｍａ
ｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，１９８，１２５
７（１９９７）」で提案された方法に準拠して求めた。
即ち、¹³Ｃ核磁気共鳴スペクトルを用いてメチレン基、
メチン基のシグナルを測定し、高級α−オレフィン系共
重合体中のメソペンタッド分率を求めた。¹³Ｃ核磁気共
鳴スペクトルの測定は、下記の装置及び条件にて行っ
た。 装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＸ４００型¹³Ｃ−Ｎ
ＭＲ装置 方法：プロトン完全デカップリング法 濃度：２３０ｍｇ／ミリリットル 溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの
９０：１０（容量比）混合溶媒 温度：１３０℃ パルス幅：４５° パルス繰り返し時間：４秒 積算：１００００回

【００１１】さらに、本発明のα−オレフィン重合体に
おいて、好ましくは、ブテン−１系重合体である。ブテ
ン−１系重合体は、ＧＰＣ法により測定した重量平均分
子量（Ｍｗ）が１０，０００〜１，０００，０００を満
たすものである。Ｍｗが１０，０００未満では、剛性が
低下し、１，０００，０００を超えると、延伸張力が高
くなり、破断し易くなる。

【００１２】本発明のα−オレフィン重合体は、炭素数
４〜２０のα−オレフィンと非共役ポリエンモノマーよ
り得られる共重合体でもよい。又、本発明のα−オレフ
ィン重合体は、ランダム共重合体が好ましい。炭素数４
〜２０のα−オレフィンとしては、１−ブテン、１−ペ
ンテン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１
−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデ
セン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイ
コセン等が挙げられる。これらのα−オレフィンは、一
種又は二種以上を用いることができ、好ましくは結晶性
を有する１−ブテンを少なくとも１種用いるとよい。

【００１３】非共役ポリエンモノマーとしては、炭素数
が６以上、炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有し、
無置換或いはシリル基のような触媒を被毒しない置換基
を有するものが好ましい。非共役ポリエンモノマーの具
体例としては、１、６−ヘプタジエン、１、７−オクタ
ジエン、１、８−ノナジエン、１、９−デカジエン、
１、１１−ドデカジエン、１、１３−テトラデカジエン
及びこれらを低級アルキル基で置換した誘導体等の直鎖
又は分岐の非環式ジエン；１、３−ジビニルシクロペン
タン、１、２−ジビニルシクロヘキサン、１、３−ジビ
ニルシクロヘキサン、１、４−ジビニルシクロヘキサ
ン、１、５−ジビニルシクロオクタン、１−アリル−４
−ビニルシクロヘキサン、１、４−ジアリルビニルシク
ロヘキサン、１−アリル−５−ビニルシクロヘキサン、
１、５−ジアリルビニルシクロヘキサン及びこれらを低
級アルキル基で置換した誘導体等の単脂環式ジエンが挙
げられる。又、ビシクロ−（２、２、１）−ヘプタ−
２、５−ジエン（ノルボルナジエン）、ノルボルナジエ
ンの二量体、２、５−ノルボルナジエンをシクロペンタ
ジエニル１、４、４ａ、５、８、８ａ−ヘキサヒドロ−
１、４、５、８−ジメタノ−ナフタレンと反応させて得
られた反応生成物等の二環の二重結合を有するジオレフ
ィン、及びこれらの組み合わせが挙げられる。非共役ポ
リエンモノマーの、α−オレフィン重合体中の含有量は
０．０００１〜１モル％、好ましくは０．００１〜０．
５モル％、更に好ましくは０．０１〜０．１モル％であ
る。又、本発明のα−オレフィン重合体は、更に、エチ
レン、プロピレン、炭素数４以上のα−オレフィンと共
重合してもよい。

【００１４】本発明のα−オレフィン重合体の製造方法
としては、メタロセン触媒と呼ばれる触媒系を用いて炭
素数４〜２０のα−オレフィンの単独重合又はα−オレ
フィンと非共役ポリエンモノマーを共重合する方法が挙
げられる。メタロセン系触媒としては、特開昭５８−１
９３０９号公報、特開昭６１−１３０３１４号公報、特
開平３−１６３０８８号公報、特開平４−３００８８７
号公報、特開平４−２１１６９４号公報、特表平１−５
０２０３６号公報等に記載されるようなシクロペンタジ
エニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル
基、置換インデニル基等を１又は２個配位子とする遷移
金属化合物、及び該配位子が幾何学的に制御された遷移
金属化合物と助触媒を組み合わせて得られる触媒が挙げ
られる。

【００１５】本発明においては、メタロセン触媒のなか
でも、配位子が架橋基を介して架橋構造を形成している
遷移金属化合物からなる場合が好ましく、なかでも、２
個の架橋基を介して架橋構造を形成している遷移金属化
合物と助触媒を組み合わせて得られるメタロセン触媒を
用いて炭素数４〜２０のα−オレフィンの単独重合又は
α−オレフィンと非共役ポリエンモノマーを共重合する
方法が更に好ましい。具体的に例示すれば、（Ａ）一般
式（Ｉ）

【００１６】

【化１】

【００１７】〔式中、Ｍは周期律表第３〜１０族又はラ
ンタノイド系列の金属元素を示し、Ｅ ¹ 及びＥ² はそれ
ぞれ置換シクロペンタジエニル基、インデニル基、置換
インデニル基、ヘテロシクロペンタジエニル基、置換ヘ
テロシクロペンタジエニル基、アミド基、ホスフィド
基、炭化水素基及び珪素含有基の中から選ばれた配位子
であって、Ａ¹ 及びＡ² を介して架橋構造を形成してお
り、又それらは互いに同一でも異なっていてもよく、Ｘ
はσ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合、複数の
Ｘは同じでも異なっていてもよく、他のＸ、Ｅ¹、Ｅ²
又はＹと架橋していてもよい。Ｙはルイス塩基を示し、
Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なっていても
よく、他のＹ、Ｅ¹ 、Ｅ² 又はＸと架橋していてもよ
く、Ａ¹及びＡ² は二つの配位子を結合する二価の架橋基
であって、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２
０のハロゲン含有炭化水素基、珪素含有基、ゲルマニウ
ム含有基、スズ含有基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−
ＳＯ₂−、−Ｓｅ−、−ＮＲ¹−、−ＰＲ¹ −、−Ｐ
（Ｏ）Ｒ¹ −、−ＢＲ¹ −又は−ＡｌＲ¹ −を示し、Ｒ
¹は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水
素基又は炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基を示
し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。ｑは
１〜５の整数で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０
〜３の整数を示す。〕で表される遷移金属化合物、及び
（Ｂ）（Ｂ−１）該（Ａ）成分の遷移金属化合物又はそ
の派生物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物
及び（Ｂ−２）アルミノキサンから選ばれる成分を含有
する重合用触媒の存在下、炭素数４〜２０のα−オレフ
ィンの単独重合又はα−オレフィンと非共役ポリエンモ
ノマーを共重合させる方法が挙げられる。

【００１８】上記一般式（Ｉ）において、Ｍは周期律表
第３〜１０族又はランタノイド系列の金属元素を示し、
具体例としてはチタン，ジルコニウム，ハフニウム，イ
ットリウム，バナジウム，クロム，マンガン，ニッケ
ル，コバルト，パラジウム及びランタノイド系金属等が
挙げられるが、これらの中ではオレフィン重合活性等の
点からチタン，ジルコニウム及びハフニウムが好適であ
る。Ｅ¹ 及びＥ² はそれぞれ、置換シクロペンタジエニ
ル基，インデニル基，置換インデニル基，ヘテロシクロ
ペンタジエニル基，置換ヘテロシクロペンタジエニル
基，アミド基（−Ｎ＜），ホスフィン基（−Ｐ＜），炭
化水素基〔＞ＣＲ−，＞Ｃ＜〕及び珪素含有基〔＞Ｓｉ
Ｒ−，＞Ｓｉ＜〕（但し、Ｒは水素又は炭素数１〜２０
の炭化水素基或いはヘテロ原子含有基である）の中から
選ばれた配位子を示し、Ａ¹及びＡ²を介して架橋構造を
形成している。又、Ｅ¹ 及びＥ²は互いに同一でも異な
っていてもよい。このＥ¹ 及びＥ²としては、置換シク
ロペンタジエニル基，インデニル基及び置換インデニル
基が好ましい。

【００１９】また、Ｘはσ結合性の配位子を示し、Ｘが
複数ある場合、複数のＸは同じでも異なっていてもよ
く、他のＸ，Ｅ¹ ，Ｅ²又はＹと架橋していてもよい。
該Ｘの具体例としては、ハロゲン原子，炭素数１〜２０
の炭化水素基，炭素数１〜２０のアルコキシ基，炭素数
６〜２０のアリールオキシ基，炭素数１〜２０のアミド
基，炭素数１〜２０の珪素含有基，炭素数１〜２０のホ
スフィド基，炭素数１〜２０のスルフィド基，炭素数１
〜２０のアシル基等が挙げられる。一方、Ｙはルイス塩
基を示し、Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異な
っていてもよく、他のＹやＥ¹ ，Ｅ²又はＸと架橋して
いてもよい。該Ｙのルイス塩基の具体例としては、アミ
ン類，エーテル類，ホスフィン類，チオエーテル類等を
挙げることができる。

【００２０】次に、Ａ¹ 及びＡ²は二つの配位子を結合
する二価の架橋基であって、炭素数１〜２０の炭化水素
基、炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、珪素含
有基、ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−Ｏ−、−Ｃ
Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｓｅ−、−ＮＲ¹ −、−
ＰＲ¹ −、−Ｐ（Ｏ）Ｒ¹ −、−ＢＲ¹ −又は−ＡｌＲ
¹ −を示し、Ｒ¹ は水素原子、ハロゲン原子又は炭素数
１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン含有
炭化水素基を示し、それらは互いに同一でも異なってい
てもよい。このような架橋基としては、例えば、一般式

【００２１】

【化２】

【００２２】（Ｄは炭素、ケイ素又はスズ、Ｒ² 及びＲ
³はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基
で、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、又互
いに結合して環構造を形成していてもよい。ｅは１〜４
の整数を示す。）で表されるものが挙げられ、その具体
例としては、メチレン基，エチレン基，エチリデン基，
プロピリデン基，イソプロピリデン基，シクロヘキシリ
デン基，１，２−シクロヘキシレン基，ビニリデン基
（ＣＨ₂＝Ｃ＝），ジメチルシリレン基，ジフェニルシ
リレン基，メチルフェニルシリレン基，ジメチルゲルミ
レン基，ジメチルスタニレン基，テトラメチルジシリレ
ン基，ジフェニルジシリレン基等を挙げることができ
る。これらの中で、エチレン基，イソプロピリデン基及
びジメチルシリレン基が好適である。ｑは１〜５の整数
で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０〜３の整数を
示す。このような一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合
物の中では、一般式（II）

【００２３】

【化３】

【００２４】で表される二重架橋型ビスシクロペンタジ
エニル誘導体を配位子とする遷移金属化合物が好まし
い。上記一般式（II）において、Ｍ，Ａ¹ ，Ａ²，ｑ及
びｒは上記と同じである。Ｘ¹ はσ結合性の配位子を示
し、Ｘ¹ が複数ある場合、複数のＸ¹ は同じでも異なっ
ていてもよく、他のＸ¹ 又はＹ¹ と架橋していてもよ
い。このＸ¹ の具体例としては、一般式（Ｉ）のＸの説
明で例示したものと同じものを挙げることができる。Ｙ
¹ はルイス塩基を示し、Ｙ¹ が複数ある場合、複数のＹ
¹ は同じでも異なっていてもよく、他のＹ¹ 又はＸ¹ と
架橋していてもよい。このＹ¹ の具体例としては、一般
式（Ｉ）のＹの説明で例示したものと同じものを挙げる
ことができる。Ｒ⁴ 〜Ｒ⁹ はそれぞれ水素原子，ハロゲ
ン原子，炭素数１〜２０の炭化水素基，炭素数１〜２０
のハロゲン含有炭化水素基，珪素含有基又はヘテロ原子
含有基を示すが、その少なくとも一つは水素原子でない
ことが必要である。又、Ｒ ⁴ 〜Ｒ⁹は互いに同一でも異
なっていてもよく、隣接する基同士が互いに結合して環
を形成していてもよい。なかでも、Ｒ⁶ とＲ⁷ は環を形
成していること及びＲ⁸とＲ⁹は環を形成していることが
好ましい。Ｒ⁴及びＲ⁵としては、酸素、ハロゲン、珪素
等のヘテロ原子を含有する基が重合活性が高くなり好ま
しい。

【００２５】この二重架橋型ビスシクロペンタジエニル
誘導体を配位子とする遷移金属化合物は、配位子間の架
橋基にケイ素を含むものが好ましい。一般式（Ｉ）で表
される遷移金属化合物の具体例としては、（１，２’−
エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス（インデニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）
（２，１’−メチレン）−ビス（インデニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，２’−イソプロピリデン）
（２，１’−イソプロピリデン）−ビス（インデニル）
ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）
（２，１’−エチレン）−ビス（３−メチルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）
（２，１’−エチレン）−ビス（４，５−ベンゾインデ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレ
ン）（２，１’−エチレン）−ビス（４−イソプロピル
インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エ
チレン）（２，１’−エチレン）−ビス（５，６−ジメ
チルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’
−エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス（４，７−
ジイソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス
（４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス
（３−メチル−４−イソプロピルインデニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−
エチレン）−ビス（５，６−ベンゾインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’
−イソプロピリデン）−ビス（インデニル）ジルコニウ
ムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−エ
チレン）−ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−メチレン）（２，１’−イソプロピリ
デン）−ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチル
シリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメ
チルシリレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）
（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ｎ−ブチル
インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジ
メチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス
（３−ｉ−プロピルインデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメ
チルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルイン
デニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチ
ルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３
−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチル
シリレン）ビス（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）
（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４−イソプロピ
ルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−
ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビ
ス（５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロ
リド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジ
メチルシリレン）ビス（４，７−ジ−ｉ−プロピルイン
デニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチ
ルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４
−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１
，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシ
リレン）ビス（３−メチル−４−ｉ−プロピルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシ
リレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（５，６
−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデ
ン）−ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロ
ピリデン）−ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウ
ムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，
１’−イソプロピリデン）−ビス（３−ｉ−プロピルイ
ンデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメ
チルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス
（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソ
プロピリデン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルイ
ンデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメ
チルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス
（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジク
ロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−
イソプロピリデン）−ビス（３−フェニルインデニル）
ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレ
ン）（２，１’−メチレン）−ビス（インデニル）ジル
コニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）
（２，１’−メチレン）−ビス（３−メチルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシ
リレン）（２，１’−メチレン）−ビス（３−ｉ−プロ
ピルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’
−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）−ビス
（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチ
レン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシ
リレン）（２，１’−メチレン）−ビス（３−トリメチ
ルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）−
ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）−
ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メ
チレン）−ビス（３−ｉ−プロピルインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド，（１，２’−ジフェニルシリレン）
（２，１’−メチレン）−ビス（３−ｎ−ブチルインデ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジフェニ
ルシリレン）（２，１’−メチレン）−ビス（３−トリ
メチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メ
チレン）−ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジ
ルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレ
ン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチルシク
ロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシ
リレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル
シクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジ
エニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチ
ルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチルシク
ロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）
（２，１’−メチレン）（３−メチルシクロペンタジエ
ニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−
イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニ
ル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−メ
チレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−メチレン）（２，１’−イソプロピリ
デン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソプロ
ピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’
−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメ
チルシリレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレ
ン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）
（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，
４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
クロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−メチレ
ン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）
（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’
−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタ
ジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）
（２，１’−メチレン）（３，４−ジメチルシクロペン
タジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレ
ン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソプロピリデ
ン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）
（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）
（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−エ
チルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチル
シリレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエ
ニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチル
シリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチ
ル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−
メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレ
ン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５
−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−
５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，
１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−フェニル
シクロペンジエニル）（３’−メチル−５’−フェニル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロ
ピリデン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエ
ニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチル
シリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチ
ル−５−ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）（３’−
メチル−５’−ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレ
ン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５
−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−
５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，
１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−フェニル
シクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−フェニ
ルシクロペンジエニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレ
ン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）
（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレ
ン）（２，１’−エチレン）（３−メチル−５−ｉ−プ
ロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−
ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−
エチレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタ
ジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−
ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチ
ル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３’−メチ
ル−５’−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，
１’−メチレン）（３−メチル−５−エチルシクロペン
タジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペン
ジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメ
チルシリレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−
５−ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチ
ル−５’−ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）
（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチル
シクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレ
ン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニ
ル）（３’−メチル−５’−フェニルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレ
ン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−ｉ−プ
ロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−
ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−イソプロ
ピリデン）（３−メチル−５−ｉ−プロピルシクロペン
タジエニル）（３’−メチル−５’−ｉ−プロピルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−メチレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル
−５−ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）（３’−メ
チル−５’−ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，
１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−ｉ−プロ
ピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｉ
−プロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロ
リド、（１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−ジ
メチルシリレン) ビスインデニルジルコニウムジクロリ
ド、（１，１’−ジフェニルシリレン）（２，２’−ジ
メチルシリレン) ビスインデニルジルコニウムジクロリ
ド、（１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−ジメ
チルシリレン) ビスインデニルジルコニウムジクロリ
ド、（１，１’−ジイソプロピルシリレン）（２，２’
−ジメチルシリレン) ビスインデニルジルコニウムジク
ロリド、（１，１’−ジメチルシリレン）（２，２’−
ジイソプロピルシリレン）ビスインデニルジルコニウム
ジクロリド、（１，１’−ジメチルシリレンインデニ
ル） （２，２’−ジメチルシリレン−３−トリメチル
シリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，
１’−ジフェニルシリレンインデニル） （２，２’−
ジフェニルシリレン−３−トリメチルシリルインデニ
ル） ジルコニウムジクロリド、（１，１’−ジフェニ
ルシリレンインデニル） （２，２’−ジメチルシリレ
ン−３−トリメチルシリルインデニル） ジルコニウム
ジクロリド、（１，１’−ジメチルシリレンインデニ
ル） （２，２’−ジフェニルシリレン−３−トリメチ
ルシリルインデニル） ジルコニウムジクロリド、
（１，１’−ジイソプロピルシリレンインデニル）
（２，２’−ジメチルシリレン−３−トリメチルシリル
インデニル） ジルコニウムジクロリド、（１，１’−
ジメチルシリレンインデニル） （２，２’−ジイソプ
ロピルシリレン−３−トリメチルシリルインデニル）
ジルコニウムジクロリド、（１，１’−ジイソプロピル
シリレンインデニル） （２，２’−ジイソプロピルシ
リレン−３−トリメチルシリルインデニル） ジルコニ
ウムジクロリド、（１，１’−ジメチルシリレンインデ
ニル） （２，２’−ジメチルシリレン−３−トリメチ
ルシリルメチルインデニル） ジルコニウムジクロリ
ド、（１，１’−ジフェニルシリレンインデニル）
（２，２’−ジフェニルシリレン−３−トリメチルシリ
ルメチルインデニル） ジルコニウムジクロリド、
（１，１’−ジフェニルシリレンインデニル） （２，
２’−ジメチルシリレン−３−トリメチルシリルメチル
インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，１’−ジ
メチルシリレンインデニル） （２，２’−ジフェニル
シリレン−３−トリメチルシリルメチルインデニル）
ジルコニウムジクロリド、（１，１’−ジイソプロピル
シリレンインデニル） （２，２’−ジメチルシリレン
−３−トリメチルシリルメチルインデニル） ジルコニ
ウムジクロリド、（１，１’−ジメチルシリレンインデ
ニル） （２，２’−ジイソプロピルシリレン−３−ト
リメチルメチルシリルインデニル） ジルコニウムジク
ロリド、（１，１’−ジイソプロピルシリレンインデニ
ル） （２，２’−ジイソプロピルシリレン−３−トリ
メチルメチルシリルインデニル） ジルコニウムジクロ
リド等、及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチ
タン又はハフニウムに置換したものを挙げることができ
る。もちろんこれらに限定されるものではない。又、他
の族又はランタノイド系列の金属元素の類似化合物であ
ってもよい。又、上記化合物において、（１，１’−）
（２，２’−）が（１，２’−）（２，１’−）であっ
てもよく、（１，２’−）（２，１’−）が（１，１’
−）（２，２’−）であってもよい。

【００２６】次に、（Ｂ）成分のうちの（Ｂ−１）成分
としては、上記（Ａ）成分の遷移金属化合物と反応し
て、イオン性の錯体を形成しうる化合物であれば、いず
れのものでも使用できるが、次の一般式（III），(IV) （〔Ｌ¹ −Ｒ¹⁰〕^k+）_a（〔Ｚ〕^- ）_b (III) （〔Ｌ² 〕^k+）_a（〔Ｚ〕^- ）_b (IV) （ただし、Ｌ² はＭ² 、Ｒ¹¹Ｒ¹²Ｍ³ 、Ｒ¹³ ₃Ｃ又はＲ
¹⁴Ｍ³である。） 〔（III），(IV)式中、Ｌ¹ はルイス塩基、〔Ｚ〕
^- は、非配位性アニオン〔Ｚ¹ 〕^- 及び〔Ｚ²〕^- 、ここ
で〔Ｚ¹〕^- は複数の基が元素に結合したアニオン即ち
〔Ｍ¹ Ｇ¹ Ｇ² ・・・Ｇ^f〕^- （ここで、Ｍ¹ は周期律
表第５〜１５族元素、好ましくは周期律表第１３〜１５
族元素を示す。Ｇ¹ 〜Ｇ^fはそれぞれ水素原子，ハロゲ
ン原子，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数２〜４０
のジアルキルアミノ基，炭素数１〜２０のアルコキシ
基，炭素数６〜２０のアリール基，炭素数６〜２０のア
リールオキシ基，炭素数７〜４０のアルキルアリール
基，炭素数７〜４０のアリールアルキル基，炭素数１〜
２０のハロゲン置換炭化水素基，炭素数１〜２０のアシ
ルオキシ基，有機メタロイド基、又は炭素数２〜２０の
ヘテロ原子含有炭化水素基を示す。Ｇ¹ 〜Ｇ^fのうち２
つ以上が環を形成していてもよい。ｆは〔（中心金属Ｍ
¹の原子価）＋１〕の整数を示す。）、〔Ｚ²〕^- は、酸
解離定数の逆数の対数（ｐＫａ）が−１０以下のブレン
ステッド酸単独又はブレンステッド酸及びルイス酸の組
合わせの共役塩基、或いは一般的に超強酸と定義される
酸の共役塩基を示す。又、ルイス塩基が配位していても
よい。又、Ｒ¹⁰は水素原子，炭素数１〜２０のアルキル
基，炭素数６〜２０のアリール基，アルキルアリール基
又はアリールアルキル基を示し、Ｒ¹¹及びＲ¹²はそれぞ
れシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル
基，インデニル基又はフルオレニル基、Ｒ¹³は炭素数１
〜２０のアルキル基，アリール基，アルキルアリール基
又はアリールアルキル基を示す。Ｒ¹⁴はテトラフェニル
ポルフィリン，フタロシアニン等の大環状配位子を示
す。ｋは〔Ｌ¹−Ｒ¹⁰〕，〔Ｌ²〕のイオン価数で１〜３
の整数、ａは１以上の整数、ｂ＝（ｋ×ａ）である。Ｍ
²は、周期律表第１〜３、１１〜１３、１７族元素を含
むものであり、Ｍ³は、周期律表第７〜１２族元素を示
す。〕で表されるものを好適に使用することができる。

【００２７】ここで、Ｌ¹の具体例としては、アンモニ
ア，メチルアミン，アニリン，ジメチルアミン，ジエチ
ルアミン，Ｎ−メチルアニリン，ジフェニルアミン，
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン，トリメチルアミン，トリエ
チルアミン，トリ−ｎ−ブチルアミン，メチルジフェニ
ルアミン，ピリジン，ｐ−ブロモ−Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ニリン，ｐ−ニトロ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン等のア
ミン類、トリエチルホスフィン，トリフェニルホスフィ
ン，ジフェニルホスフィン等のホスフィン類、テトラヒ
ドロチオフェン等のチオエーテル類、安息香酸エチル等
のエステル類、アセトニトリル，ベンゾニトリル等のニ
トリル類等を挙げることができる。

【００２８】Ｒ¹⁰の具体例としては水素，メチル基，エ
チル基，ベンジル基，トリチル基等を挙げることがで
き、Ｒ¹¹，Ｒ¹²の具体例としては、シクロペンタジエニ
ル基，メチルシクロペンタジエニル基，エチルシクロペ
ンタジエニル基，ペンタメチルシクロペンタジエニル基
等を挙げることができる。Ｒ¹³の具体例としては、フェ
ニル基，ｐ−トリル基，ｐ−メトキシフェニル基等を挙
げることができ、Ｒ¹⁴の具体例としてはテトラフェニル
ポルフィン，フタロシアニン，アリル，メタリル等を挙
げることができる。又、Ｍ¹²の具体例としては、Ｌｉ，
Ｎａ，Ｋ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｂｒ，Ｉ，Ｉ₃等を挙げること
ができ、Ｍ³ の具体例としては、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｚｎ等を挙げることができる。

【００２９】又、〔Ｚ¹〕^- 、即ち、〔Ｍ¹Ｇ¹Ｇ²・・・
Ｇ^f〕において、Ｍ¹の具体例としてはＢ，Ａｌ，Ｓi ，
Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等、好ましくはＢ及びＡｌが挙げられ
る。又、Ｇ¹，Ｇ²〜Ｇ^fの具体例としては、ジアルキル
アミノ基としてジメチルアミノ基，ジエチルアミノ基
等、アルコキシ基若しくはアリールオキシ基としてメト
キシ基，エトキシ基，ｎ−ブトキシ基，フェノキシ基
等、炭化水素基としてメチル基，エチル基，ｎ−プロピ
ル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，
ｎ−オクチル基，ｎ−エイコシル基，フェニル基，ｐ−
トリル基，ベンジル基，４−ｔ−ブチルフェニル基，
３，５−ジメチルフェニル基等、ハロゲン原子としてフ
ッ素，塩素，臭素，ヨウ素，ヘテロ原子含有炭化水素基
としてｐ−フルオロフェニル基，３，５−ジフルオロフ
ェニル基，ペンタクロロフェニル基，３，４，５−トリ
フルオロフェニル基，ペンタフルオロフェニル基，３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基，ビス（ト
リメチルシリル）メチル基等、有機メタロイド基として
ペンタメチルアンチモン基、トリメチルシリル基，トリ
メチルゲルミル基，ジフェニルアルシン基，ジシクロヘ
キシルアンチモン基，ジフェニル硼素等が挙げられる。

【００３０】また、非配位性のアニオン即ちｐＫａが−
１０以下のブレンステッド酸単独又はブレンステッド酸
及びルイス酸の組合わせの共役塩基〔Ｚ²〕^- の具体例
としてはトリフルオロメタンスルホン酸アニオン（ＣＦ
₃ＳＯ₃）^- ，ビス（トリフルオロメタンスルホニル）メ
チルアニオン，ビス（トリフルオロメタンスルホニル）
ベンジルアニオン，ビス（トリフルオロメタンスルホニ
ル）アミド，過塩素酸アニオン（ＣｌＯ₄）^- ，トリフ
ルオロ酢酸アニオン（ＣＦ₃ＣＯ₂）^- ，ヘキサフルオロ
アンチモンアニオン（ＳｂＦ₆）^- ，フルオロスルホン
酸アニオン（ＦＳＯ₃）^- ，クロロスルホン酸アニオン
（ＣｌＳＯ₃）^- ，フルオロスルホン酸アニオン／５−
フッ化アンチモン（ＦＳＯ₃／ＳｂＦ₅）^- ，フルオロス
ルホン酸アニオン／５−フッ化砒素（ＦＳＯ₃／Ａｓ
Ｆ₅）^- ，トリフルオロメタンスルホン酸／５−フッ化
アンチモン（ＣＦ₃ＳＯ₃／ＳｂＦ₅）^- 等を挙げること
ができる。

【００３１】このような前記（Ａ）成分の遷移金属化合
物と反応してイオン性の錯体を形成するイオン性化合
物、即ち（Ｂ−１）成分化合物の具体例としては、テト
ラフェニル硼酸トリエチルアンモニウム，テトラフェニ
ル硼酸トリ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラフェニル
硼酸トリメチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸テト
ラエチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸メチル（ト
リ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェニル硼酸ベ
ンジル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェ
ニル硼酸ジメチルジフェニルアンモニウム，テトラフェ
ニル硼酸トリフェニル（メチル）アンモニウム，テトラ
フェニル硼酸トリメチルアニリニウム，テトラフェニル
硼酸メチルピリジニウム，テトラフェニル硼酸ベンジル
ピリジニウム，テトラフェニル硼酸メチル（２−シアノ
ピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）硼酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸トリ−ｎ−ブチルアンモニウ
ム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリフ
ェニルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）硼酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）硼酸テトラエチルアンモ
ニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ベ
ンジル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）硼酸メチルジフェニルアン
モニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸
トリフェニル（メチル）アンモニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸メチルアニリニウム，テト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ジメチルアニリ
ニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ト
リメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）硼酸メチルピリジニウム，テトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸ベンジルピリジニウム，テトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）硼酸メチル（２−シア
ノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）硼酸ベンジル（２−シアノピリジニウム），テトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）硼酸メチル（４−シア
ノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）硼酸トリフェニルホスホニウム，テトラキス〔ビス
（３，５−ジトリフルオロメチル）フェニル〕硼酸ジメ
チルアニリニウム，テトラフェニル硼酸フェロセニウ
ム，テトラフェニル硼酸銀，テトラフェニル硼酸トリチ
ル，テトラフェニル硼酸テトラフェニルポルフィリンマ
ンガン，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸フ
ェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）
硼酸（１，１’−ジメチルフェロセニウム），テトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）硼酸デカメチルフェロセ
ニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸
銀、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリチ
ル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸リチウ
ム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ナトリ
ウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸テオ
ラフェニルポルフィリンマンガン，テトラフルオロ硼酸
銀，ヘキサフルオロ燐酸銀，ヘキサフルオロ砒素酸銀，
過塩素酸銀，トリフルオロ酢酸銀，トリフルオロメタン
スルホン酸銀等を挙げることができる。（Ｂ−１）は一
種用いてもよく、又二種以上を組み合わせて用いてもよ
い。

【００３２】一方、（Ｂ−２）成分のアルミノキサンと
しては、一般式（Ｖ）

【化４】 （式中、Ｒ¹⁵は炭素数１〜２０、好ましくは１〜１２の
アルキル基，アルケニル基，アリール基，アリールアル
キル基等の炭化水素基或いはハロゲン原子を示し、ｗは
平均重合度を示し、通常２〜５０、好ましくは２〜４０
の整数である。尚、各Ｒ¹⁵は同じでも異なっていてもよ
い。）で示される鎖状アルミノキサン、及び一般式（V
I）

【００３３】

【化５】 （式中、Ｒ¹⁵及びｗは前記一般式（Ｖ) におけるものと
同じである。)で示される環状アルミノキサンを挙げる
ことができる。

【００３４】前記アルミノキサンの製造法としては、ア
ルキルアルミニウムと水等の縮合剤とを接触させる方法
が挙げられるが、その手段については特に限定はなく、
公知の方法に準じて反応させればよい。例えば、有機
アルミニウム化合物を有機溶剤に溶解しておき、これを
水と接触させる方法、重合時に当初有機アルミニウム
化合物を加えておき、後に水を添加する方法、金属塩
等に含有されている結晶水、無機物や有機物への吸着水
を有機アルミニウム化合物と反応させる方法、テトラ
アルキルジアルミノキサンにトリアルキルアルミニウム
を反応させ、更に水を反応させる方法等がある。尚、ア
ルミノキサンとしては、トルエン不溶性のものであって
もよい。

【００３５】これらのアルミノキサンは一種用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ａ）触媒
成分と（Ｂ）触媒成分との使用割合は、（Ｂ）触媒成分
として（Ｂ−１）化合物を用いた場合には、モル比で好
ましくは１０：１〜１：１００、より好ましくは２：１
〜１：１０の範囲が望ましく、上記範囲を逸脱する場合
は、単位質量ポリマー当たりの触媒コストが高くなり、
実用的でない。又（Ｂ−２）化合物を用いた場合には、
モル比で好ましくは１：１〜１：１００００００、より
好ましくは１：１０〜１：１００００の範囲が望まし
い。この範囲を逸脱する場合は単位質量ポリマー当たり
の触媒コストが高くなり、実用的でない。又、触媒成分
（Ｂ）としては（Ｂ−１），（Ｂ−２）を単独又は二種
以上組み合わせて用いることもできる。

【００３６】本発明のα−オレフィン重合体の製造法に
おける重合用触媒は、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に
加えて（Ｃ）成分として有機アルミニウム化合物を用い
ることができる。ここで、（Ｃ）成分の有機アルミニウ
ム化合物としては、一般式(VII) Ｒ¹⁶ _vＡｌＪ_3-v （VII） 〔式中、Ｒ¹⁶は炭素数１〜１０のアルキル基、Ｊは水素
原子、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０
のアリール基又はハロゲン原子を示し、ｖは１〜３の整
数である〕で示される化合物が用いられる。前記一般式
（VII)で示される化合物の具体例としては、トリメチル
アルミニウム，トリエチルアルミニウム，トリイソプロ
ピルアルミニウム，トリイソブチルアルミニウム，ジメ
チルアルミニウムクロリド，ジエチルアルミニウムクロ
リド，メチルアルミニウムジクロリド，エチルアルミニ
ウムジクロリド，ジメチルアルミニウムフルオリド，ジ
イソブチルアルミニウムヒドリド，ジエチルアルミニウ
ムヒドリド，エチルアルミニウムセスキクロリド等が挙
げられる。

【００３７】これらの有機アルミニウム化合物は一種用
いてもよく、二種以上を組合せて用いてもよい。本発明
のα−オレフィン重合体の製造法においては、上述した
（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を用いて予備接
触を行なうこともできる。予備接触は、（Ａ）成分に、
例えば、（Ｂ）成分を接触させることにより行なうこと
ができるが、その方法に特に制限はなく、公知の方法を
用いることができる。これら予備接触により触媒活性の
向上や、助触媒である（Ｂ）成分の使用割合の低減等、
触媒コストの低減に効果的である。又、更に、（Ａ）成
分と（Ｂ−２）成分を接触させることにより、上記効果
と共に、分子量向上効果も見られる。又、予備接触温度
は、通常−２０℃〜２００℃、好ましくは−１０℃〜１
５０℃、より好ましくは、０℃〜８０℃である。予備接
触においては、溶媒の不活性炭化水素として、脂肪族炭
化水素、芳香族炭化水素等を用いることができる。これ
らの中で特に好ましいものは、脂肪族炭化水素である。

【００３８】前記（Ａ）触媒成分と（Ｃ）触媒成分との
使用割合は、モル比で好ましくは１：１〜１：１０００
０、より好ましくは１：５〜１：２０００、更に好まし
くは１：１０ないし１：１０００の範囲が望ましい。該
（Ｃ）触媒成分を用いることにより、遷移金属当たりの
重合活性を向上させることができるが、あまり多いと有
機アルミニウム化合物が無駄になるとともに、重合体中
に多量に残存し、好ましくない。本発明においては、触
媒成分の少なくとも一種を適当な担体に担持して用いる
ことができる。該担体の種類については特に制限はな
く、無機酸化物担体、それ以外の無機担体及び有機担体
のいずれも用いることができるが、特に無機酸化物担体
或いはそれ以外の無機担体が好ましい。

【００３９】無機酸化物担体としては、具体的には、Ｓ
ｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｆｅ₂Ｏ
₃，Ｂ₂Ｏ₃，ＣａＯ，ＺｎＯ，ＢａＯ，ＴｈＯ₂やこれら
の混合物、例えばシリカアルミナ，ゼオライト，フェラ
イト，グラスファイバー等が挙げられる。これらの中で
は、特にＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃が好ましい。尚、上記無機
酸化物担体は、少量の炭酸塩，硝酸塩，硫酸塩等を含有
してもよい。

【００４０】一方、上記以外の担体として、ＭｇＣ
ｌ₂，Ｍｇ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂ 等で代表される一般式ＭｇＲ
¹⁷ _xＸ¹ _yで表されるマグネシウム化合物やその錯塩等を
挙げることができる。ここで、Ｒ¹⁷は炭素数１〜２０の
アルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基又は炭素数
６〜２０のアリール基、Ｘ¹はハロゲン原子又は炭素数
１〜２０のアルキル基を示し、ｘは０〜２、ｙは０〜２
でり、かつｘ＋ｙ＝２である。各Ｒ¹⁷及び各Ｘ¹はそれ
ぞれ同一でもよく、又異なってもいてもよい。又、有機
担体としては、ポリスチレン，スチレン−ジビニルベン
ゼン共重合体，ポリエチレン，ポリ１−ブテン，置換ポ
リスチレン，ポリアリレート等の重合体やスターチ，カ
ーボン等を挙げることができる。

【００４１】本発明において用いられる担体としては、
ＭｇＣｌ₂，ＭｇＣｌ（ＯＣ₂Ｈ₅），Ｍｇ（ＯＣ
₂Ｈ₅）₂，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃等が好ましい。又担体の性
状は、その種類及び製法により異なるが、平均粒径は通
常１〜３００μｍ、好ましくは１０〜２００μｍ、より
好ましくは２０〜１００μｍである。粒径が小さいと重
合体中の微粉が増大し、粒径が大きいと重合体中の粗大
粒子が増大し嵩密度の低下やホッパーの詰まりの原因に
なる。又、担体の比表面積は、通常１〜１０００ｍ²／
ｇ、好ましくは５０〜５００ｍ²／ｇ、細孔容積は通常
０．１〜５ｃｍ³／ｇ、好ましくは０．３〜３ｃｍ³／ｇ
である。

【００４２】比表面積又は細孔容積のいずれかが上記範
囲を逸脱すると、触媒活性が低下することがある。尚、
比表面積及び細孔容積は、例えばＢＥＴ法に従って吸着
された窒素ガスの体積から求めることができる。更に、
上記担体が無機酸化物担体である場合には、通常１５０
〜１０００℃、好ましくは２００〜８００℃で焼成して
用いることが望ましい。触媒成分の少なくとも一種を前
記担体に担持させる場合、（Ａ）触媒成分及び（Ｂ）触
媒成分の少なくとも一方を、好ましくは（Ａ）触媒成分
及び（Ｂ）触媒成分の両方を担持させるのが望ましい。

【００４３】該担体に、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の少
なくとも一方を担持させる方法については、特に制限さ
れないが、例えば（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の少なく
とも一方と担体とを混合する方法、担体を有機アルミ
ニウム化合物又はハロゲン含有ケイ素化合物で処理した
のち、不活性溶媒中で（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の少な
くとも一方と混合する方法、担体と（Ａ）成分及び／
又は（Ｂ）成分と有機アルミニウム化合物又はハロゲン
含有ケイ素化合物とを反応させる方法、（Ａ）成分又
は（Ｂ）成分を担体に担持させたのち、（Ｂ）成分又は
（Ａ）成分と混合する方法、（Ａ）成分と（Ｂ）成分
との接触反応物を担体と混合する方法、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分との接触反応に際して、担体を共存させる方
法等を用いることができる。

【００４４】尚、上記、及びの反応において、
（Ｃ）成分の有機アルミニウム化合物を添加することも
できる。本発明においては、前記（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）を接触させる際に、弾性波を照射させて触媒を調
製してもよい。弾性波としては、通常音波、特に好まし
くは超音波が挙げられる。具体的には、周波数が１〜１
０００ｋＨｚの超音波、好ましくは１０〜５００ｋＨｚ
の超音波が挙げられる。

【００４５】このようにして得られた触媒は、一旦溶媒
留去を行って固体として取り出してから重合に用いても
よいし、そのまま重合に用いてもよい。又、本発明にお
いては、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の少なくとも一方の
担体への担持操作を重合系内で行うことにより触媒を生
成させることができる。例えば（Ａ）成分及び（Ｂ）成
分の少なくとも一方と担体と更に必要により前記（Ｃ）
成分の有機アルミニウム化合物を加え、炭素数４〜２０
のα−オレフィンを常圧〜２ＭＰａ（ゲージ）加えて、
−２０〜２００℃で１分〜２時間程度予備重合を行い触
媒粒子を生成させる方法を用いることができる。

【００４６】本発明においては、（Ｂ−１）成分と担体
との使用割合は、質量比で好ましくは１：５〜１：１０
０００、より好ましくは１：１０〜１：５００とするの
が望ましく、（Ｂ−２）成分と担体との使用割合は、質
量比で好ましくは１：0.５〜１：１０００、より好まし
くは１：１〜１：５０とするのが望ましい。（Ｂ）成分
として二種以上を混合して用いる場合は、各（Ｂ）成分
と担体との使用割合が質量比で上記範囲内にあることが
望ましい。又、（Ａ）成分と担体との使用割合は、質量
比で、好ましくは１：５〜１：１００００、より好まし
くは１：１０〜１：５００とするのが望ましい。

【００４７】（Ｂ）成分〔（Ｂ−１）成分又は（Ｂ−
２）成分〕と担体との使用割合、又は（Ａ）成分と担体
との使用割合が上記範囲を逸脱すると、活性が低下する
ことがある。このようにして調製された本発明の重合用
触媒の平均粒径は、通常２〜２００μｍ、好ましくは１
０〜１５０μｍ、特に好ましくは２０〜１００μｍであ
り、比表面積は、通常２０〜１０００ｍ²／ｇ、好まし
くは５０〜５００ｍ²／ｇである。平均粒径が２μｍ未
満であると重合体中の微粉が増大することがあり、２０
０μｍを超えると重合体中の粗大粒子が増大することが
ある。比表面積が２０ｍ²／ｇ未満であると活性が低下
することがあり、１０００ｍ²／ｇを超えると重合体の
嵩密度が低下することがある。又、本発明の触媒におい
て、担体１００ｇ中の遷移金属量は、通常０．０５〜１
０ｇ、特に０．１〜２ｇであることが好ましい。遷移金
属量が上記範囲外であると、活性が低くなることがあ
る。

【００４８】このように担体に担持することによって工
業的に有利な高い嵩密度と優れた粒径分布を有する重合
体を得ることができる。本発明のα−オレフィン重合体
は、上述した重合用触媒を用いて、炭素数４〜２０のα
−オレフィンの単独重合又はα−オレフィンと非共役ポ
リエンモノマーを共重合させることにより製造される。
この場合、重合方法は特に制限されず、スラリー重合
法，気相重合法，塊状重合法，溶液重合法，懸濁重合法
等のいずれの方法を用いてもよいが、スラリー重合法，
気相重合法が特に好ましい。

【００４９】重合条件については、重合温度は通常−１
００〜２５０℃、好ましくは−５０〜２００℃、より好
ましくは０〜１３０℃である。又、反応原料に対する触
媒の使用割合は、原料モノマー／上記（Ａ）成分（モル
比）が好ましくは１〜１０⁸、特に１００〜１０⁵ とな
ることが好ましい。更に、重合時間は通常５分〜１０時
間、反応圧力は好ましくは常圧〜２０ＭＰａ（ゲー
ジ）、更に好ましくは常圧〜１０ＭＰａ（ゲージ）であ
る。

【００５０】本発明のα−オレフィン重合体の分子量の
調節方法としては、各触媒成分の種類，使用量，重合温
度の選択、更には水素存在下での重合等がある。重合溶
媒を用いる場合、例えば、ベンゼン，トルエン，キシレ
ン，エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、シクロペンタ
ン，シクロヘキサン，メチルシクロヘキサン等の脂環式
炭化水素、ペンタン，ヘキサン，ヘプタン，オクタン等
の脂肪族炭化水素、クロロホルム，ジクロロメタン等の
ハロゲン化炭化水素等を用いることができる。これらの
溶媒は一種を単独で用いてもよく、二種以上のものを組
み合わせてもよい。又、炭素数４〜２０のα−オレフィ
ン等のモノマーを溶媒として用いてもよい。尚、重合方
法によっては無溶媒で行うことができる。

【００５１】重合に際しては、前記重合用触媒を用いて
予備重合を行うことができる。予備重合は、固体触媒成
分に、例えば、少量の炭素数４〜２０のα−オレフィン
を接触させることにより行うことができるが、その方法
に特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。
予備重合に用いるオレフィンについては特に制限はな
く、前記に例示したものと同様のもの、例えば、炭素数
４〜２０のα−オレフィン或いはこれらの混合物等を挙
げることができるが、該重合において用いるオレフィン
と同じオレフィンを用いることが有利である。

【００５２】又、予備重合温度は、通常−２０〜２００
℃、好ましくは−１０〜１３０℃、より好ましくは０〜
８０℃である。予備重合においては、溶媒として、脂肪
族炭化水素，芳香族炭化水素，モノマー等を用いること
ができる。これらの中で特に好ましいのは脂肪族炭化水
素である。又、予備重合は無溶媒で行ってもよい。予備
重合においては、予備重合生成物の極限粘度〔η〕（１
３５℃デカリン中で測定）が０．２デシリットル／ｇ以
上、特に０．５デシリットル／ｇ以上、触媒中の遷移金
属成分１ミリモル当たりに対する予備重合生成物の量が
１〜１００００ｇ、特に１０〜１０００ｇとなるように
条件を調整することが望ましい。

【００５３】次に、本発明の高立体規則性ポリプロピレ
ンは、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）で測定した立体
規則性の指標であるメソペンタッド分率（ｍｍｍｍ）が
９５％以上であることが必要である。高立体規則性ポリ
プロピレンは、以下の方法により製造することができ
る。高立体規則性ポリプロピレンの製造に用いられる重
合触媒は、チタン化合物、マグネシウム化合物及び電子
供与性化合物を接触させ、反応させて得られる固体触媒
成分と一般式(VIII) ＳｉＲ²¹ _m（ＯＲ²²）_4-m （VIII） （式中、Ｒ²¹は炭素数１〜２０の分岐鎖状炭化水素基、
直鎖状炭化水素基又は環状炭化水素基を示し、Ｒ²²は炭
素数１〜４の直鎖状炭化水素基又は分岐鎖状炭化水素基
を示す。Ｒ²¹及びＲ²²は同一でも互いに異なっていても
よい。ｍは０〜３の整数を示す。）で表される有機ケイ
素化合物及び有機アルミニウム化合物からなる触媒系を
用いることが好ましい。

【００５４】一般式(VIII)で表される有機ケイ素化合物
において、Ｒ²¹としては、炭素数１〜２０の分岐状炭化
水素基及び飽和環状炭化水素基が好ましい。Ｒ²¹として
は、炭素数１〜２０のアルキル基、シクロアルキル基、
ビニル基及びアリール基等が挙げられ、炭素数１〜２０
の３級アルキル基、シクロアルキル基が好ましい。Ｒ ²²
としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基等が挙げられる。一般式(VIII)で表される有
機ケイ素化合物として具体的には、ジシクロペンチルジ
メトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシラン、
ジ−ｔ−ブチルジメトキシシラン、ｔ−ブチルシクロペ
ンチルジメトキシシラン、ｔ−ブチルシクロヘキシルジ
メトキシシラン、シクロペンチルテキシルジメトキシシ
ラン、シクロヘキシルテキシルジメトキシシラン、シク
ロヘキシルシクロペンチルジメトキシシラン、ジシクロ
ペンチルジエトキシシラン、ジシクロヘキシルジエトキ
シシラン、ジ−ｔ−ブチルジエトキシシラン、ｔ−ブチ
ルシクロペンチルジエトキシシラン、ｔ−ブチルシクロ
ヘキシルジエトキシシラン、シクロペンチルテキシルジ
エトキシシラン、シクロヘキシルテキシルジエトキシシ
ラン、シクロヘキシルシクロペンチルジエトキシシラン
を好ましく挙げることができる。

【００５５】チタン化合物としては、一般式(IX) ＴｉＸ¹ _p（ＯＲ²³）_4-p (IX) 上記の一般式(IX)において、Ｘ¹ はハロゲン原子を示
し、その中でも塩素原子及び臭素原子が好ましく、塩素
原子が特に好ましい。Ｒ²³は炭化水素基であって、飽和
基や不飽和基であってもよく、直鎖状のものや分枝鎖を
有するもの、或いは環状のものであってもよく、更には
イオウ、窒素、酸素、ケイ素、リン等のヘテロ原子を含
むものであってもよい。好ましくは炭素数１〜１０個の
炭化水素基、特にアルキル基、アルケニル基、シクロア
ルケニル基、アリール基及びアラルキル基等が好まし
く、直鎖又は分岐鎖のアルキル基が特に好ましい。−Ｏ
Ｒ²³が複数存在する場合にはそれらは互いに同じでも異
なってもよい。Ｒ²³の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−デシル基、アリル基、ブテニル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、フェ
ニル基、トリル基、ベンジル基、フェネチル基等が挙げ
られる。ｐは０〜４の整数を示す。

【００５６】上記の一般式(IX)で示されるチタン化合物
としては、テトラアルコキシチタン、テトラハロゲン化
チタン、トリハロゲン化アルコキシチタン、ジハロゲン
化ジアルコキシチタン及びモノハロゲン化トリアルコキ
シチタン等を挙げることができる。これらの中で、重合
活性の面から、高ハロゲン含有チタン化合物、特に四塩
化チタンが好ましい。これらのチタン化合物は、それぞ
れ単独で用いてもよく、又、２種以上を組み合わせて用
いてもよい。

【００５７】マグネシウム化合物としては、一般式
（Ｘ） ＭｇＲ²⁴Ｒ²⁵ （Ｘ） で表されるマグネシウム化合物を用いることができる。
上記の一般式（Ｘ）において、Ｒ²⁴及びＲ²⁵は、炭化水
素基、ＯＲ²⁶基（Ｒ²⁶は炭化水素基）又はハロゲン原子
を示す。ここで、Ｒ²⁴及びＲ²⁵の炭化水素基としては、
炭素数１〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アラルキル基等を、ＯＲ²⁶基としては、Ｒ²⁶
が炭素数１〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、
アリール基、アラルキル基等を、ハロゲン原子として
は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素等を挙げることができ
る。又、Ｒ²⁴及びＲ²⁵は、同一でも異なってもよい。

【００５８】上記の一般式（Ｘ）で示されるマグネシウ
ム化合物の具体例としては、ジエチルマグネシウム、エ
チルブチルマグネシウム及びジフェニルマグネシウム等
のアルキルマグネシウム、アリールマグネシウム、ジエ
トキシマグネシウム及びジフェノキシマグネシウム等の
アルコキシマグネシウム、アリロキシマグネシウム、エ
チルマグネシウムクロリド、塩化マグネシウム及びフェ
ニルマグネシウムクロリド等のハロゲン化マグネシウム
等を挙げることができる。

【００５９】高立体規則性ポリプロピレンの製造におい
て固体触媒成分に用いる電子供与性化合物の典型的なも
のは、カルボン酸のエステル誘導体であり、好ましくは
芳香族カルボン酸のエステル誘導体であり、更に好まし
くは芳香族ジカルボン酸のエステル誘導体である。又、
エステル部の有機基は、直鎖、分岐又は環状の脂肪族炭
化水素基であることが好ましい。これらの中では、フタ
ル酸ジエステル誘導体又はマロン酸ジエステル誘導体が
好ましく、又、エステル部の有機基としては、炭素数が
４以上の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水基が特に好まし
い。具体的には、フタル酸ジ−ｎ−ブチル、フタル酸ジ
−ｉ −ブチル、マロン酸ジ−ｎ−ブチル、マロン酸ジ
−ｉ −ブチル等が好ましい。これらの芳香族ジカルボ
ン酸エステル化合物はそれぞれ単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。固体触媒成分
は、上記マグネシウム化合物、チタン化合物、ハロゲン
原子、エステル化合物、及び必要に応じてケイ素化合物
を、温度を除いて通常の方法で接触させればよく、接触
手順については特に問わない。例えば、各成分を炭化水
素等の不活性溶媒の存在下で接触させてもよいし、予め
炭化水素等の不活性溶媒で各成分を希釈して接触させて
もよい。この不活性溶媒としては、例えば、ｎ−オクタ
ン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素、メチルシクロヘキ
サン、エチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素又はこれらの混合物
を挙げることができる。

【００６０】高立体規則性ポリプロピレンの製造におい
て用いられる有機アルミニウムとしては、トリエチルア
ルミニウム、トリイソブチルアルミニウム等のトリアル
キルアルミニウムを挙げることができる。

【００６１】高立体規則性ポリプロピレンの製造には、
気相重合法、液相重合法、スラリー重合法、バルク重合
法等のいずれも適用することができる。又、多段重合法
で製造してもよく、この場合、各段階における重合を、
それぞれが異なる重合法により行なってもよい。重合時
の触媒は、予めエチレン、プロピレン、１−ブテン、１
−ヘキセン等α−オレフィンで予備重合を行なったもの
を用いてもよい。

【００６２】重合条件は、重合法により異なるが、重合
温度は２０〜１２０℃の範囲で、重合圧力は０．１〜１
０ＭＰａ（ゲージ）の範囲で、プロピレンを導入しなが
ら重合することができる。又、分子量を調節するために
水素のような分子量調節剤を添加してもよい。更に重合
時の触媒は、予めエチレン、プロピレン、１−ブテン、
１−ヘキセン等α−オレフィンで予備重合を行なったも
のを用いてもよい。

【００６３】本発明のポリプロピレン系樹脂組成物は、
高立体規則性ポリプロピレンおよび低立体規則性の炭素
数４〜２０のα−オレフィン重合体をブレンドすること
によっても得ることができる。高立体規則性ポリプロピ
レンに対するα−オレフィン重合体の含有量は、通常３
〜７０質量％であり、好ましくは５〜５０質量％であ
る。α−オレフィン重合体がブテン−１系重合体である
場合、その含有量は、通常５〜５０質量％でる。５０質
量%を超えると、ポリプロピレン系樹脂組成物の剛性が
低下し、５質量％未満では、延伸加工性が悪化する場合
がある。さらに、ポリプロピレン系樹脂組成物には、用
途に応じ、公知の各種添加剤、例えば、酸化防止剤、耐
候剤、熱安定剤、帯電防止剤、防曇剤、アンチブロッキ
ング剤、中和剤、滑剤、造核剤、着色剤、無機または有
機充填剤などを添加するのが好ましい。

【００６４】本発明のポリプロピレン系樹脂組成物は、
上記各成分を予めドライブレンドした後、例えば、単軸
又は二軸押出機、バンバリーミキサー、ニーダー等で、
１８０〜２００℃で溶融混練することによって製造する
ことができる。本発明のポリプロピレン系樹脂組成物
は、一軸又は二軸延伸ポリプロピレン系フィルムの基材
樹脂として好適に用いられる。一軸又は二軸延伸フィル
ムは公知の製造方法、例えば、テンタ一法等によって製
造することができる。

【００６５】

【実施例】次に、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、これらの例によってなんら限定され
るものではない。 実施例１ （１）ポリブテン−１の製造 １．触媒調製 ２−クロロジメチルシリルインデンの製造 窒素気流下、１リットルの三つ口フラスコにＴＨＦ（テ
トラヒドロフラン)５０ミリリットルとマグネシウム
２．５ｇ（４１ミリモル)を加え、次に１，２−ジブロ
モエタン０．１ミリリットルを加えて３０分間攪拌し、
マグネシウムを活性化した。攪拌後、溶媒を抜き出し、
新たにＴＨＦ５０ミリリットルを添加した。次に２−ブ
ロモインデン５．０ｇ(２５．６ミリモル）のＴＨＦ(２
００ミリリットル)溶液を２時間かけて滴下した。滴下
終了後、室温において２時間攪拌して、−７８℃に冷却
し、ジクロロジメチルシラン３．１ミリリットル(２
５．６ミリモル)のＴＨＦ(１００ミリリットル)溶液を
１時間かけて滴下した。滴下終了後、１５時間攪拌し、
溶媒を留去した。残渣をヘキサン２００ミリリットルで
抽出した後、ヘキサンを留去することにより、２−クロ
ロジメチルシリルインデン６．６ｇ(２４．２ミリリモ
ル)を得た（収率９４％）。

【００６６】（１，２'−ジメチルシリレン）（２，
１'−ジメチルシリレン）−ビス（インゲン）の製造 窒素気流下、１リットルの三つ口フラスコにＴＨＦ４０
０ミリリットルと２−クロロジメチルシリルインデン８
ｇを加え、−７８℃に冷却した。この溶液へ、ＬｉＮ
（ＳｉＭｅ₃）₂のＴＨＦ溶液（１．０モル／リットル）
３８．５ミリリットル（３８．５ミリモル）を滴下し
た。室温において１５時間攪拌した後、溶媒を留去し、
ヘキサン３００ミリリットルで抽出した。ヘキサンを留
去することによリ、（１，２'−ジメチルシリレン）
（２，１'−ジメチルシリレン）−ビス（インデン）
２．０ｇ（６．４ミリモル）を得た（収率３３．４
％）。

【００６７】（１，２'−ジメチルシリレン）（２，
１'−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリ
ルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドの製造 シュレンク瓶に（１，２'−ジメチルシリレン）（２，
１'−ジメチルシリレン）−ビス（インデン）のリチウ
ム塩の３．０ｇ（６．９７ミリモル）をＴＨＦ５０ミリ
リットルに溶解し−７８℃に冷却した。次に、ヨードメ
チルトリメチルシラン２．１ミリリットル（１４．２ミ
リモル）をゆっくりと滴下し、室温で１２時間課攪拌し
た。溶媒を留去しエーテル５０ミリリットルを加えて、
飽和塩化アンモニウム溶液で洗浄した。分液後、有機相
を乾燥し溶媒を留去して（１，２'−ジメチルシリレ
ン）（２，１'−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリ
メチルシリルメチルインデン）３．０４ｇ（５．８８ミ
リモル）を得た（収率８４％）。次に、窒素気流下にお
いて、シュレンクク瓶に上記で得られた（１，２'−ジ
メチルシリレン）（２，１'−ジメチルシリレン）−ビ
ス（３−トリメチルシリルメチルインデン）３．０４ｇ
（５．８８ミリモル）とエーテル５０ミリリットルを入
れた。−７８℃に冷却しｎ−ブチルリチウム（ｎ−Ｂｕ
Ｌｉ）のヘキサン溶液［１．５４Ｍ、７．６ミリリット
ル（１．７ミリモル）］を滴下した。温度を室温とし、
１２攪拌後、エーテルを留去した。得られた固体をヘキ
サン４０ミリリットルで洗浄することにより、１，２'
−ジメチルシリレン）（２，１'−ジメチルシリレン）
−ビス（インデン）のリチウム塩をエーテル付加体とし
て３．０６ｇ（５．０７ミリモル）を得た（収率７３
％）。核磁気共鳴スペクトルの測定結果は、下記の通り
であった。¹ H-NMR（90MHz、THF-d₈）：δO.04（s、18H、トリメチ
ルシリル)；0.48（s、12H、ジメチルシリレン）；1.10
（t、6H、メチル)；2.59（s、4H、メチレン)；3.38
（q、4H、メチレン)、6.2-7.7（m、8H、Ar-H） 窒素気流下で、得られたリチウム塩のエーテル付加体を
トルエン５０ミリリットルに溶解した。−７８℃に冷却
後、予め−７８℃に冷却した四塩化ジルコニウム１．２
ｇ（５．１ミリモル）のトルエン（２０ミリリットル）
懸濁液を滴下し、室温で６時間攪拌した。反応後、溶媒
を留去し、得られた残渣をジクロロメタンにより再結晶
化して、（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−ジ
メチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチル
インデニル）ジルコニウムジクロライド０．９ｇ（１．
３３ミリモル）を得た（収率２６％）。核磁気共鳴スペ
クトルの測定結果は、下記の通りであった。¹ H-NMR（90MHz、CDCL₃）による測定の結果は、δ0.O
（s、18H、トリメチルシリル）；1.02、1.12（s、12H、
ジメチルシリレン）；2.51（dd、4H、メチレン）；7.1-
7.6（m、8H、Ar-H）

【００６８】２．ブテン−１の重合 加熱乾燥した１０リットルのオートクレーブに、ヘブタ
ン４リットル、１−ブテン２．５Ｋｇ、トリイソブチル
アルミニウム５ミリモル、メチルアルミノキサン１０ミ
リモルを加え、さらに水素を０．０３ＭＰａ導入した。
攪拌しながら温度を６０℃にした後、上記１．で得られ
た（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−ジメチル
シリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデ
ニル）ジルコニウムジクロライドを１０マイクロモル加
え６０分間重合を行なった。重合反応終了後、反応物を
減圧下、乾燥することにより、１−ブテン重合体７６７
ｇを得た。得られた１−ブテン単独重合体について、下
記方法により立体規則性指数［（ｍｍｍｍ）／（ｍｍｒ
ｒ＋ｒｍｍｒ）］およびＭｗ、Ｍｗ／Ｍｎを測定したと
ころ、立体規則性指数は９．１、Ｍｗ＝４．２×１
０⁵、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０であった。

【００６９】３．立体規則性指数［（ｍｍｍｍ）／（ｍ
ｍｒｒ＋ｒｍｍｒ）］および重量平均分子量Ｍｗ、数平
均分子量ＭｎおよびＭｗ／Ｍｎの測定方法 メソペンタッド分率（ｍｍｍｍ）及び異常挿入含有量
（１，４挿入分率）は、朝倉らにより報告された「Ｐｏ
ｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ，１６，７１７（１９８
４）」、Ｊ．Ｒａｎｄａｌｌらにより報告された「Ｍａ
ｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，Ｃ２９，２０１
（１９８９）」及びＶ．Ｂｕｓｉｃｏらにより報告され
た「Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，１９
８，１２５７（１９９７）」で提案された方法に準拠し
て求めた。すなわち、¹³Ｃ核磁気共鳴スペクトルを用い
てメチレン基、メチン基のシグナルを測定し、ポリ（１
−ブテン) 分子中のメソペンタッド分率及び異常挿入含
有量を求めた。¹³Ｃ核磁気共鳴スペクトルの測定は、下
記の装置及び条件にて行った。 装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＸ４００型¹³Ｃ−Ｎ
ＭＲ装置 方法：プロトン完全デカップリング法 濃度：２３０ｍｇ／ミリリットル 溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの
９０：１０（容量比）混合溶媒 温度：１３０℃ パルス幅：４５° パルス繰り返し時間：４秒 積算：１００００回 立体規則性指数［（ｍｍｍｍ）／（ｍｍｒｒ＋ｒｍｍ
ｒ）］は、上記方法により、（ｍｍｍｍ）、（ｍｍｍ
ｒ）及び（ｒｍｍｒ）を測定した値から算出した。

【００７０】Ｍｗ／Ｍｎは、ＧＰＣ法により、下記の
装置及び条件で測定したポリスチレン換算の重量平均分
子量Ｍｗ及び数平均分子量Ｍｎより算出した値である。 ＧＰＣ測定装置 カラム ：ＴＯＳＯ ＧＭＨＨＲ−Ｈ（Ｓ）ＨＴ 検出器 ：液体クロマトグラム用ＲＩ検出器 ＷＡＴＥＲＳ １５０Ｃ 測定条件 溶媒 ：１，２，４−トリクロロベンゼン 測定温度 ：１４５℃ 流速 ：１．０ミリリットル／分 試料濃度 ：２．２ｍｇ／ミリリットル 注入量 ：１６０マイクロリットル 検量線 ：Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ 解析プログラム：ＨＴ−ＧＰＣ（Ｖｅｒ．１．０）

【００７１】（２）高立体規則性ポリプロピレンの製造 １．固体触媒成分の調製 内容積０．５リットルの攪拌機付きの三つ口フラスコを
窒素ガスで置換した後、脱水処理したオクタンを６０ミ
リリットル、ジエトキシマグネシウム１６ｇを加えた。
４０℃に加熱し、四塩化ケイ素２．４ミリリットルを加
えて２０分間攪拌した後、フタル酸ジブチル１．６ミリ
リットルを添加した。この溶液を８０℃まで昇温し、引
き続き四塩化チタンを７７ミリリットルを滴下し、内温
１２５℃で、２時間攪拌して接触操作を行った。その
後、攪拌を停止して固体を沈降させ、上澄み液を抜き出
した。１００ミリリットルの脱水オクタンを加え、攪拌
しながら１２５℃まで昇温し、１分間保持した後、攪拌
を停止して固体を沈降させ、上澄み液を抜き出した。こ
の洗浄操作を７回繰り返した。さらに、四塩化チタンを
１２２ミリリットル加え、内温１２５℃で、２時間攪拌
して２回目の接触操作を行った。その後、上記の１２５
℃での脱水オクタンによる洗浄を６回繰返し、固体触媒
成分を得た。

【００７２】２．プロピレンの重合 内容積１０リットルの攪拌機付ステンレス製オートクレ
ーブを十分乾燥し、窒素置換の後、室温にて脱水処理し
たオクタンを４リットルを加えた。トリエチエルアルミ
ニウム２０ミリモル、ジシクロペンチルジメトキシシラ
ン１ミリモル、上記１．で得られた固体成分をＴｉ原子
換算で０．０５ミリモルを加え、水素を０．０５ＭＰａ
張り込み、続いてプロピレンを導入しながら８０℃、全
圧０．８ＭＰａまで昇温昇圧してから、２時間重合を行
なった。その後、５０ミリリットルのメタノールを投入
し、降温、脱圧し、内容物を取り出した。ロ別後、真空
乾燥してプロピレン重合体を１．２ｋｇを得た。得られ
たプロピレン単独重合体について、下記３．の方法によ
りメソペンタッド分率（ｍｍｍｍ）を測定したところ、
９８％であった。

【００７３】３．メソペンタッド分率の測定 プロピレン重合体のメソペンタッド分率は、¹³Ｃ核磁気
共鳴スペクトルを用いて測定した重合体中の総メチル基
数（プロピレンユニットのメチル基由来のピーク強度）
に対するアイソタクチック連鎖中のメチル基数（アイソ
タクチックに結合したプロピレンユニットの５連鎖にお
ける中央のメチル基由来のピーク強度）の分率である。
各シグナルの帰属は、Ａ．Ｚａｍｂｅｌｌｉらにより報
告された「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，８，６８７
（１９７５）」およびＴ．Ｈａｙａｓｈｉららにより報
告された「Ｐｏｌｙｍｅｒ，２９，１３８（１９８
８）」で提案された方法に準拠した。¹³Ｃ核磁気共鳴ス
ペクトルの測定は、下記の装置及び条件にて行った。 装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＬＡ５００型¹³Ｃ−Ｎ
ＭＲ装置 濃度：２００ｍｇ／３ミリリットル 溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの
９０：１０（容量比）混合溶媒 温度：１３０℃ パルス幅：４５° パルス繰り返し時間：４秒 積算：１００００回

【００７４】（３）プロピレン系樹脂組成物の調製並び
に評価方法および評価結果 １．プロピレン系組成物の調製 （１）で得られたポリブテンー1パウダー０．７ｋｇ、
（２）で得られたポリプロピレンパウダー２．９ｋｇ、
中和剤として、ＤＨＴ-４Ａ［協和化学工業（株）］５
００ｐｐｍ、酸化防止剤としてＰＥＰＱ［クラリアント
ジャパン（株）］７５０ｐｐｍおよびイルガノックス１
０１０［チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）］１
５００ｐｐｍを、よく混合した後、２０ｍｍ二軸混練押
出機にて溶融混練造粒し、ぺレットを作成した。溶融時
の樹脂の温度は２００℃であった。

【００７５】２．評価 メルトフローレート（ＭＦＲ）の測定 ＪｌＳ−Ｋ７２１０に準拠し、２３０℃、２．１６ｋｇ
にて測定した結果を表１に示す。

【００７６】)融点および融解エンタルピーの測定方
法 パーキンエルマ一社製のＤＳＣ−７型示差走査熱量分析
計を用いて上記ペレット（１０ｍｇ±０．０５ｍｇ）を
室温から５００℃／分の昇温条件下、２２０℃まで昇温
し、同温度にて３分間保持後、−１０℃／分にて０℃ま
で降温し、その温度にて３分間保持した後、１０℃／分
にて１９０℃まで昇温する。この条件下で、２度目の昇
温時の１５０℃以降に現れる融解曲線のピーク値を融点
とした。測定した融点Ｔｍを表１に示す。

【００７７】降伏応力Ｙの測定方法 上記ペレットを２２０℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ²の条件
で、０．５ｍｍ厚みのスペーサーを用いて３分間プレス
成形し、直ちにドライアイスエタノール中に急冷するこ
とで、非晶化フィルムを作製した。非晶化フィルムを１
０ｍｍ×２５ｍｍの短冊状に切り、延伸グリップにはさ
みこんだ後、オーク製作所社製オプトレオメーターＨＲ
Ｓ−１００型の恒温槽内にセットし、４分間予熱して、
延伸速度１１ｍｍ／ｓで延伸比９倍（ｌ／ｌ。）まで延
伸した。初期チャック間距離をｌ。（ｍｍ）延伸時のチ
ャック間距離をｌ（ｍｍ）とすると、歪みεは次式で表
わされる。 ε＝∫_l。^l (dl/l)＝ln(l/l。) 又、短冊状非晶化フィルムの初期断面積をＡ。（ｍ
ｍ²）、延伸張力をＦ（ｋｇｆ）とすると、応力σ（Ｍ
Ｐａ）は次式で表わされる。 σ＝［（１＋ε）×Ｆ］／Ａ。 従って、応力−歪み曲線から求めたσの極大値をＺとす
ると、降伏応力Ｙは次式で定義することができる。 Ｙ＝ｌｏｇＺ 降伏応力Ｙの測定結果を表１に示す。

【００７８】結晶化度Ｘ₁₂₂の測定方法 上記で作製した非晶化フィルムを、オプトレオメータ
の１２２℃の恒温槽内で４分間熱処理した後、理学電機
社製対陰極型ロータフレックスＲＵ−２００を用い、５
０ｋＶ、１８０ｍＡ出力のＣｕＫα線（波長＝０．１５
４ｍμ）の単色光をφ０．３ｍｍのピンホールでコリメ
ーションし、ＷＡＸＳ像を１１０ｍｍカメラ長のイメー
ジングプレートに露光時間１５分で記録した。得られた
ＷＡＸＳ像に対して円環平均をとって一次元化した後、
空気散乱の除去、吸収補正、偏光補正、立体角補正およ
び非干渉性散乱除去を行ってＷＡＸＳ強度分布を得た。
このＷＡＸＳ強度分布をコンピューターで数個のガウス
関数Ｉ（ｓ）に波形分離すると、Ｘ₁₂₂は次式で定義す
ることができる。

【式１】 但し、Ｓは、散乱角２θとＸ線の波長λから下記のよう
に求めることができる。 ｓ＝２ｓｉｎθ／λ 尚、ｃｒｙは結晶を、ａｍはアモルファスを意味してい
る。Ｘ₁₂₂の測定結果を表１に示す。

【００７９】延伸性の評価方法 上記ペレットを２２０℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ²の条件
でプレス成形し、１２０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３ｍｍの
延伸用原反を作製した。この原反シートを岩本製作所製
テーブルテンターにより、延伸温度1６４℃、予熱時間
８０秒、延伸速度９０％／秒で、縦方向に５倍延伸し、
引き続いて横方向に１０倍延伸した。１原反シートにつ
き５回ずつ延伸を行い、フィルムの延伸破れの回数を下
記により評価した。 ○：破れなし、△：１回破れた。×：２回以上破れた。 延伸性の評価結果を表１に示す。

【００８０】引張弾性率の測定 上記ペレットをプレス成形して試験片を作成し、ＪＩＳ
Ｋ−７１１３に準拠して、クロスヘッド速度を５０ｍｍ
／ｍｉｎとし、引張試験を行なった。引張弾性率の測定
結果を表１に示す。

【００８１】実施例２ 実施例１の（１）２．で得られたポリブテンー１のパウ
ダーを１．２ｋｇ、実施例１の（２）２．で得られた高
立体規則性ポリプロピレンのパウダーを２．４ｋｇを用
いた以外は、実施例１の（３）１．と同様にしてプロピ
レン系組成物の調製し、評価を行なった。結果を表１に
示す。

【００８２】実施例３ 実施例１の（１）２．で得られたポリブテンー１のパウ
ダーを１．８ｋｇ、実施例１の（２）２．で得られた高
立体規則性ポリプロピレンのパウダーを１．８ｋｇを用
いた以外は、実施例１の（３）１．と同様にしてプロピ
レン系組成物の調製し、評価を行なった。結果を表１に
示す。以上より、引張弾性率は、１２００〜１８００Ｍ
Ｐａであることが好ましい。１２００ＭＰ未満では十分
な剛性が得られない可能性があり、１８００ＭＰａを超
えると延伸性が悪化する場合がある。

【００８３】比較例1 実施例１の（１）２．で得られたポリブテンー１のパウ
ダーを０．３ｋｇ、実施例１の（２）２．で得られた高
立体規則性ポリプロピレンのパウダーを３．３ｋｇを用
いた以外は、実施例１の（３）１．と同様にしてプロピ
レン系組成物の調製し、評価を行なった。結果を表１に
示す。

【００８４】比較例２ 実施例１の（１）２．で得られたポリブテンー1のパウ
ダーを０．５ｋｇ、実施例１の（２）２．で得られた高
立体規則性ポリプロピレンのパウダーを３．１ｋｇを用
いた以外は、実施例１の（３）１．と同様にしてプロピ
レン系組成物の調製し、評価を行なった。結果を表１に
示す。

【００８５】比較例３ 実施例１の（１）２．で得られたポリブテンー1のパウ
ダーを２．２ｋｇ、実施例１の（２）２．で得られた高
立体規則性ポリプロピレンのパウダーを１．４ｋｇを用
いた以外は、実施例１の（３）１．と同様にしてプロピ
レン系組成物の調製し、評価を行なった。結果を表１に
示す。比較例３は引張弾性率が低く、延伸フィルムは剛
性に欠けるものであった。

【００８６】

【表１】

【００８７】

【発明の効果】本発明によれば、剛性、耐熱性等の機械
物性に優れ、且つフィルムの成形性が良好なプロピレン
系樹脂組成物が得られ、該フィルムは、ＰＥＴなどの代
替として食品、衣料、医薬品等の包装用フィルム、各種
コンデンサーおよび粘着テープ基材等に好適に使用する
ことができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 23:18） Ｂ２９Ｋ 23:00 Ｂ２９Ｋ 23:00 Ｂ２９Ｌ 7:00 Ｂ２９Ｌ 7:00 Ｆターム(参考） 4F071 AA14 AA20 AA80 AA81 AA84 AA88 AA89 AF13 AF14 AF34 AF45 AF53 AF61 AH04 AH19 BA01 BB07 BB08 BC01 4F210 AA11A AA12A AG01 QC01 QC05 QG01 QG17 4J002 BB121 BB162 BB172 GG02 GJ00 GQ00 GT00 4J100 AA03P AA04P AA07Q AA15Q AA16Q AA18Q AA19Q AA21Q AS01Q CA01 CA04 CA10 CA11 DA01 DA09 DA24 DA28 DA41 DA43 DA47 DA50 FA10 FA19 FA28 FA29 JA05 JA43 JA58 JA59

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 炭素数４〜２０のα−オレフィン重合体
   とポリプロピレンからなり、（Ａ）メルトフロレート
   （ＭＦＲ）が０．１〜１０ｇ／１０分であり、（Ｂ）示
   差走査型熱量計（ＤＳＣ）で測定した融点が１６０℃以
   上であり、且つ、（Ｃ）広角Ｘ線回折法による１２２℃
   における結晶化度Ｘ₁₂₂と応力−歪み曲線から求めた降
   伏応力Ｙが（１）式および（２）式を満たすポリプロピ
   レン系樹脂組成物。 ｜Ｙ−１．８９Ｘ₁₂₂｜≦０．１ （１） ０．４≦Ｙ≦０．９ （２）
2. 【請求項２】 α−オレフィン重合体が、（１）立体規
   則性指数 ［（ｍｍｍｍ）／（ｍｍｒｒ＋ｒｍｍｒ）］
   が２０以下、および（２）ＧＰＣ法により測定した重量
   平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００〜１，０００，００
   ０を満たすブテン−１系重合体であって、その含有量が
   ５〜５０質量％である請求項１に記載のポリプロピレン
   系樹脂組成物。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のポリプ
   ロピレン系樹脂組成物を、一軸または二軸に延伸してな
   る延伸フィルム。