JP2003180655A - Mr装置中の対象の位置を測定する方法、並びに、かかる方法を行うためのカテーテル及びmr装置 - Google Patents
Mr装置中の対象の位置を測定する方法、並びに、かかる方法を行うためのカテーテル及びmr装置Info
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Abstract
く、非線形共鳴回路による高調波の共鳴周波数の発生を
用いずに、MR装置中の対象中で簡単、高速、且つ正確
な位置測定を行うことを目的とする。 【解決手段】 磁気共鳴(MR)に基づいて動作する装
置の検査ゾーン中の体の中にある望ましくは医用器具で
あり特にカテーテルである対象の位置を測定する方法
は、対象上に配置された電磁共鳴回路と体の核磁化のた
めにMR装置中で印加されるRF磁場との間の相互作用
を評価する。この方法では、RF磁場の周波数に同調さ
れ異なる共鳴回路線質係数の2つの状態をとりうる磁気
共鳴回路が使用され、第1の段階では、共鳴回路が2つ
の状態のうちの一方であるときに第1のRFパルスによ
ってフリップ角を伴う核磁化が誘起され、第2の段階で
は、共鳴回路が2つの状態のうちの他方であるときに第
2のRFパルスによって核磁化がリフェーズされる。
Description
の分野に関連する。本発明は、磁気共鳴(MR)に基づ
いて動作する装置の検査ゾーン中の体の中にある特にカ
テーテルといった物体の位置測定を行う方法、即ち、請
求項1の前段部に記載の方法に関連する。本発明はま
た、請求項8及び請求項10の前段部に記載の方法を実
行するためのカテーテル及びMR装置に関連する。
(例えば特許文献1参照)。2次元又は3次元画像を形
成するために磁場と核スピンの間の相互作用を用いる画
像形成磁気共鳴方法(磁気共鳴撮像又MRI)は、今日
では広く用いられており、特に医用診断の分野では、軟
構造を撮像する場合に多くの点で他の撮像方法よりも優
れており、電離放射線を必要とせず、通常は侵襲的でな
いため、広く用いられている。
い均一な磁場の中に配置され、この磁場の方向はまた測
定が基礎とする座標系の軸(通常はz軸)を決める。磁
場は、所定の周波数(ラーモア周波数)の交番する電磁
場を印加することによって励起(スピン共鳴)されうる
磁場の強さに依存して、個々の核スピンに対して異なる
エネルギーレベルを生じさせる。巨視的には、個々の核
スピンの分布は、磁場がz軸に対して垂直に延びている
ときに適当な周波数の電磁パルス(RFパルス)を印加
することによって螺旋状の経路に沿って均衡状態から逸
脱されうる全体磁化を生じさせ、z軸に対して歳差運動
を行う。歳差運動は、フリップ角と称される開口角を有
する円錐面を示す。フリップ角の大きさは、印加される
電磁パルスの強さ及び持続時間に依存する。いわゆる9
0°のパルスの場合、スピンはz軸から横平面(フリッ
プ角90°)へ偏向される。
元の平衡状態へ戻り、その状態において、第1の時定数
T1(スピン格子緩和時間)でz方向の磁化が生じ、第
2の時定数T2で(スピン−スピン緩和時間)でz方向
に垂直な方向の磁化が緩和する。磁化の変化は、磁化の
変化がz軸に垂直な方向で(横磁化、時定数T2)測定
されるよう従来通りの向きとされるコイルによって検出
される。横磁化の崩壊は、90°パルスの印加の後、同
じ位相の順序付けられた状態から全ての位相角度が均一
に分布される平衡状態への(局部的な磁場の不均質性に
よって生ずる)核スピンの遷移が続く(ディフェー
ズ)。ディフェーズは、リフォーカスパルス(180
°)パルスによって補償されうる。これにより、検出コ
イル中にエコー信号(スピンエコー)が生ずる。
に、3つの主軸に沿って延びる線形傾斜磁場が均一な磁
場に重畳され、スピン共鳴周波数の線形空間依存性を与
える。すると、検出コイルでピックアップされる信号
は、時間軸から周波数軸へのフーリエ変換の後に体の中
の異なる場所に関連付けられうる異なる周波数の成分を
含む。
テーテルといった、体の中へ導入される医用器具の動き
の位置を測定するため又は追跡するために使用されう
る。
するために器具の先端にマイクロコイル及びキャパシタ
からなる閉共鳴回路を設けることが提案されている(特
許文献1参照)。共鳴回路は、MR方法中に生ずる周波
数に同調されているとき、RF信号を局部的に増加さ
せ、従ってその共鳴の性質により体の中のフリップ角を
増加させる。この局部的な増加は、器具の先端の位置を
測定するために使用されるよう、MR撮像中に検出され
うる。しかしながら、この方法では、器具の先端の位置
の測定が撮像処理の一部に含まれるため比較的動作が遅
いという問題がある。更に、共鳴回路によって増幅され
るRF信号と体の残る部分で生ずるRF信号の重畳は、
検出及び位置測定を妨げる。
イルを有する非線形共鳴回路を使用するものである(例
えば、特許文献2参照)。核磁化の励起は、スピン共鳴
スペクトルの範囲と重なり合わない周波数スペクトルを
有するRFパルスによって行われ、従ってマイクロコイ
ルの近接磁場の外側では磁気共鳴は励起されない。しか
しながら、非線形共鳴回路は、その非線形性のため、R
FパルスからRF信号を発生し、このRF信号は局部的
にスピン共鳴周波数と重なり合い、磁気共鳴の局部的な
励起を生じさせる。この局部的な核磁化は測定されえ、
決定された位置は検査されるべき体のMR画像中で再生
されうる。
書
波数(ラーモア周波数)以外の周波数で動作する必要が
あること、また、非線形共鳴回路による高調波の形のラ
ーモア周波数の発生はあまり効果的ではなく、低い磁場
強度のみを生じさせることという欠点がある。
中で簡単で、高速で、正確な位置測定を可能とする方
法、カテーテル、及びMR装置を提供することを目的と
する。
の周波数に同調され異なる共鳴回路線質係数の2つの状
態をとりうる磁気共鳴回路が使用され、第1の段階で
は、共鳴回路が2つの状態のうちの一方であるときに第
1のRFパルスによってフリップ角を伴う核磁化が誘起
され、第2の段階では、共鳴回路が2つの状態のうちの
他方であるときに第2のRFパルスによって核磁化がリ
フェーズされること、共鳴回路中に追加的な切換素子が
設けられ、この切換素子は共鳴回路の共鳴回路線質係数
に影響を与えること、並びに、フリップ角を伴う核磁化
についての第1の振幅及び第1のパルス持続時間を有す
る第1のRFパルス、並びに、核磁化をリフェーズする
ための第2の振幅及び第2のパルス持続時間を有する第
2のRFパルスが時間的に連続して発生するようRFパ
ルスを制御する制御ユニットを含むことによって達成さ
れる。
異なる共鳴線質係数を有しうる磁気共鳴回路によって位
置が測定されうるカテーテルを提供することである。核
磁化が第1のRFパルスによって励起され第2の続くR
Fパルスによって再びリフェーズされる(位相がそろえ
られる)と、共鳴回路は第1のRFパルスと第2のRF
パルスについては異なる共鳴線質係数を有し、共鳴回路
に関連付けられるコイルの外側では正味の効果はない。
しかしながら、コイルの近接磁場中では、磁場の共鳴の
増大(ステップアップ)が異なることにより正味の磁化
が残り、この正味の磁化はMR機器中で位置測定のため
に評価されうる。この種類の差動測定は、完全な画像の
形成を必要とせず、患者にとって安全で、容易に実行さ
れえ、追加的な機器を必要としない高速且つ正確なリア
ルタイムの位置測定を可能とする。更に、速さにより、
位置測定は高い度合いで動きの影響を受けることはな
い。
ば、共鳴回路は2つの状態間で切り換えられえ、位置測
定を行っている間に2つの状態間で切り換えられる。こ
れにより、適切に評価されうるはっきりとした区別が可
能となる。
切り換えられ、特に、切換には、核磁化またはそのリフ
ェーズのために必要とされる2つのRFパルスのうちの
1つが用いられる。これにより、共鳴回路に影響を与え
るための更なる追加装置は必要とされないという利点が
ある。
核磁化及びそのリフェーズのために2つのRFパルスが
用いられ、これらのRFパルスのうちの1つは低いパワ
ー及び長いパルス持続時間を有し、他のRFパルスは高
いパワー及び短いパルス持続時間を有し、高いパワー及
び短いパルス持続時間を有するRFパルスは共鳴回路を
切り換えるために使用されることを特徴とする。
含まれる非線形要素が切り換えのために使用されるとき
に得られる。
能な要素を設け、共鳴回路を光信号によって切り換える
ことも可能である。
では、切換素子はダイオードによって形成され、即ちキ
ャパシタに並列に接続される単純なダイオード、又はキ
ャパシタンスに直列に接続される容量性ダイオード、又
はフォトダイオードであり、フォトダイオードの場合
は、フォトダイオード及び更なるキャパシタンスの直列
接続がキャパシタンスに並列に接続される。
添付の図面を参照して詳述する。図1及び図2は、本発
明による方法を実施するのに適したMR装置を示す図で
ある。図1に示すMR画像を形成する装置(磁気共鳴検
査装置とも称される)は、4つの主コイル1からなり、
十分の数テスラから数テスラのオーダの磁束密度を有す
るz方向の均一な安定した磁場(主磁場)を発生(磁気
誘導)する系を含む。主コイル1はz軸と同心であるよ
う配置され、球面2上に配置されうる。例えばテーブル
面4上に置かれる患者10といった検査されるべき対象
は、これらのコイルの中に配置される。
第1の傾斜磁場を発生するために、球面2又は円筒状の
面の上に4つの第1のコイル3が配置される。更に、や
はりz軸方向に延びるが垂直方向(x方向)に線形に変
化する第2の傾斜磁場を発生する4つの第2のコイル7
が設けられる。最後に、4つの第3のコイル5(そのう
ちの2つのみを図示する)を用いて、z軸方向に延び図
1の図の平面に対して垂直な(y方向)平面上で線形に
変化する第3の傾斜磁場が発生される。
査されるべき患者の部分へ導入され、この器具の先端に
は共鳴回路6が設けられる。この体の部分は、RF送信
コイル11によって囲まれ、RF送信コイル11にはR
Fパルスが印加され、スピン共鳴を励起するRF磁場が
この部分を横切る。励起に続く緩和は、磁化の変化を生
じさせ、これはRF受信コイル12中に対応する電圧を
生じさせる(図2参照)。この電圧は、MR撮像のため
に評価され、傾斜磁場は励起された状態の位置測定を可
能とする。
要素は、図2に示され、傾斜磁場波形発生器20を制御
する制御ユニット17を含む。この発生器の出力には、
第1の傾斜磁場増幅器21、第2の傾斜磁場増幅器2
2、第3の傾斜磁場増幅器23が夫々接続される。これ
らの増幅器は、第1のコイル3、第2のコイル5、第3
のコイル7についての夫々の電流を夫々発生する。これ
らの増幅器の利得計数は、導線39を介して制御ユニッ
ト17によって互いに独立に調整されえ、それによりコ
イル3、5、7はx、y、及びz方向に傾斜磁場を発生
し、検査されているゾーン中の対応する3つの空間方向
にスライス選択が行われうる。
存するラーモア周波数に対してRFパルスの周波数を調
整するため、及び、MR撮像のために異なる長さのRF
パルスを発生するために、RF発生器18を制御する。
RFパルスは、その利得が制御ユニット17によって制
御される増幅器に印加され、続いてRF送信コイル11
に到達する。
受信コイル12中に生ずるMR信号は、発振器130か
らの(安定した磁場の局部的な強度によって決定される
ラーモアまたはMR周波数で)2つの互いに90°ずれ
た搬送波発振を混合することによって直交復調器13に
おいて復調され、それにより複素信号の実成分及び虚成
分と考えられうる2つの信号を生成する。これらの信号
は、アナログ・ディジタル変換器14に印加される。最
後に、画像処理ユニット16はモニタ15上での表示の
ためにMR画像を既に知られた方法で再構成する。
鳴回路6は、種々の形状を有しうる。図3は、カテーテ
ル60(破線で示す)の先端に設けられる共鳴回路30
の回路図を示す。カテーテル60は、図1に示すMR装
置の検査ゾーン中に置かれる検査されるべき人物(患
者)10の体の中に導入される。共鳴回路30は、望ま
しくはマイクロコイルであるインダクタンス31と、そ
れに対して並列に接続されるキャパシタンス32とを含
む。インダクタンス31とキャパシタンス32は、MR
装置によって励起される体の物質のラーモア周波数に本
質的に同調される並列共鳴回路を形成する。ダイオード
33の形の非線形要素はキャパシタンス32に対して並
列に接続される。
R装置によって送信されるRFパルスを受ける。パルス
のRFパワーが低いとき、ダイオード33にかかる電圧
は小さい。その場合、ダイオード33は、その閾値電圧
を超えていないため、導通状態ではない。すると、共鳴
回路30の共鳴線質係数は比較的高く、マイクロコイル
31の領域での局部RF磁場は係数G1>>1で乗算さ
れる。RFパワーがかなり増加されると、ダイオード3
3は導通状態となり、関連づけられるバイパス機能によ
り共鳴線質係数を減少させる。即ち局部RF磁場はその
ような高い度合いへ増加されず、乗算の係数は値G2<
G1をとる。
現するために使用されうる。共鳴回路30の挙動は、図
4中、時間(t)に対する局部RF磁場(RF)の変化
に基づいて示される。第1の段階において、カテーテル
60の領域において磁化をリフェーズするために比較的
低いRFパワーを有する長いRFパルスが使用される
と、カテーテル60の先端、即ち、マイクロコイル31
の領域におけるフリップ角は、共鳴の増大によってかな
り増加される(係数G1;図4中の曲線a;曲線eにお
いてダイオードによるクリッピングは開始しない)。続
いて(図4の境界線dからのように)、磁化をリフェー
ズするために180°ずれた位相と比較的高いRFパワ
ーを有する第2の短いRFパルス(図4中、曲線b)が
印加されると、マイクロコイル31の外側の領域中の励
起された磁化はRFパルスの時間積分が同じであればゼ
ロとなる。しかしながら、マイクロコイル31の直ぐ近
傍では、ダイオード33のクリッピング挙動により共鳴
の増大の効果が小さいため(係数G2;ダイオードによ
って決められるRF磁場は図4中の曲線cに沿って延び
る)磁化はゼロに等しくない。
ピークとして現れる。この文脈では、投影は、RFパル
スが(検査ゾーン中の)体積を励起することを意味する
と理解されるべきである。エコー(スピンエコー)が生
ずる瞬間、傾斜磁場は投影方向に印加される。得られた
信号のフーリエ変換は投影を生じさせ、即ち、投影方向
に対して垂直なスライスの積分から生ずる信号強度分布
は空間座標に沿ってプロットされる。カテーテル60に
よって生ずる顕著なピークがこのような投影中で検出さ
れうるとき、1次元方向におけるその位置はこの測定に
よって見つけられる。カテーテル60の空間中の位置
は、3つの直交する空間方向上で全部で3つの測定を行
うことによって決定される。投影によるこの位置測定は
非常に高速である。しかしながら、カテーテル60の位
置測定が完全な画像の捕捉によって行われる場合は、
(完全な画像を形成するには)これらの段階が256以
上必要となり、それでもカテーテルが実際に検出される
かは確かではない。
査ゾーンの所与のスライスを選択することが可能であ
り、それにより多数のマークされた器具が存在する場合
に夫々の共鳴回路(マーカ)と共に個々の器具を区別す
ることが可能である。しかしながら、磁化をリフェーズ
するために第2のパルスが印加される前に、既に知られ
ている方法でリフォーカスパルスによってスピンのリフ
ォーカスが行われねばならない。
合、測定シーケンスは以下の段階を含む:パワー1を有
するRFパルスを印加する;カテーテルから遠い磁化を
リフェーズするパワー2を有するRFパルスを印加す
る;スピンエコーの場合に適切であればリフォーカスパ
ルスを印加する;投影方向の傾斜磁場を印加する;デー
タ捕捉を開始する。
選択されると、以下の測定シーケンスが得られる:(経
過によってリフォーカスありで、または、リフォーカス
なしで)パワー1を有するRFパルスを有する傾斜磁場
位置測定シーケンスを印加する;カテーテルから遠い磁
化をリフェーズするパワー2を有するRFパルスを印加
し;同じ体積を選択する傾斜磁場シーケンスが印加され
る;スピンエコーの場合に適切であればリフォーカスパ
ルスを印加する;投影方向の傾斜磁場を印加する;デー
タ捕捉を開始する。
路30中で他の非線形構成要素を使用することが可能で
ある。これについて可能な構成要素は、例えば、トラン
ジスタ、電界効果構成要素(ソースとゲートが相互接続
されたFET)、またはいわゆるウォラストン(Wollas
ton)ワイヤ、即ち、電流を受けたときは非常に高速に
加熱され、それにより抵抗を増加させるプラチナ等の非
常に細いワイヤである。また、十分に小さく構成されて
いれば種々の熱抵抗器(PTC,NTC)、及び、飽和
可能な誘電体(強誘電体)を有するキャパシタが可能で
ある。しかしながら、ダイオードが断然に最も適してい
る。
によって乱されないべきである場合、高い電力の短いR
Fパルスによって共鳴の増大(step-up)が大きい状態
へ切り換えられる他の共鳴回路が使用されうる。図5
は、かかる共鳴回路の実施例を示す図である。図5に示
される共鳴回路34は、やはりマイクロコイル35と並
列接続されたキャパシタンス36とを含む。並列接続に
は、キャパシタンスと直列に接続されるキャパシタンス
ダイオード(バリキャップ(varicap)ダイオード)3
7が設けられ、更なるダイオード38はこのキャパシタ
ンスダイオードに並列に接続される。ダイオード38
は、出来る限り小さい順方向電圧を有するべきである。
休止状態では、キャパシタンスダイオード37は高いキ
ャパシタンスを有し、共鳴回路34の共鳴周波数は低
い。キャパシタンスダイオード37は、強いRFパルス
(この場合は低い周波数を有するパルスも)によって充
電され、そのキャパシタンスが低下される。そして共鳴
回路34の共鳴周波数が増加する。この状態は、短い時
間に亘って得られる。
させ、この磁化を第2のRFパルスによってリフェーズ
する上述の差動方法は、磁化に影響を与えるためにパル
ス間で切り換えられうる全てのマーカに対して適用可能
である。更なる切り換え可能なマーカの例としては、光
学的に切り換え可能な共鳴回路がある。この種類の共鳴
回路は図3に示すものに非常に似た構成を有し、ダイオ
ード33はフォトダイオードによって置換される。光導
体を介して、RFパルス間にカテーテル60に対して光
パルスが印加され、この光パルスはフォトダイオードを
導通状態とし、従って共鳴回路の線質係数を低下させ
る。
リ秒以内に行われるため、MR画像の動きによる効果が
高い度合いで除去されることである。
る:位置測定が正確である;位置測定がリアルタイムで
実行される;患者にとってRFに対して安全な方法であ
る;マーカは容易に構成されえ、MR装置中に他の追加
的な装置を必要としない;差分画像中に動きによる乱れ
が生じない。
置を簡単に示す図である。
テル中の回路図及び配置を示す図である。
Fパルスの典型的なシーケンスを示す図である。
である。
Claims (10)
- 【請求項1】 磁気共鳴(MR)に基づいて動作する装
置の検査ゾーン中の体の中にある望ましくは医用器具で
あり特にカテーテルである対象の位置を測定するため、
対象の上に配置され供給導線を含まない電磁共鳴回路と
MR装置中の体の中の核磁化のために印加されるRF磁
場との間の相互作用を評価する、位置測定のための方法
であって、 RF磁場の周波数に同調され異なる共鳴回路線質係数の
2つの状態をとりうる磁気共鳴回路が使用され、第1の
段階では、共鳴回路が2つの状態のうちの一方であると
きに第1のRFパルスによってフリップ角を伴う核磁化
が誘起され、第2の段階では、共鳴回路が2つの状態の
うちの他方であるときに第2のRFパルスによって核磁
化がリフェーズされることを特徴とする方法。 - 【請求項2】 共鳴回路は2つの状態間で切り換えられ
ることができ、共鳴回路は位置測定を行っている間に2
つの状態間で切り換えられることを特徴とする、請求項
1記載の方法。 - 【請求項3】 共鳴回路はRFパルスによって切り換え
られ、切換のために、核磁化またはそのリフェーズのた
めに必要とされる2つのRFパルスのうちの1つが用い
られることを特徴とする、請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 核磁化及びそのリフェーズのために2つ
のRFパルスが用いられ、上記RFパルスのうちの1つ
は低いパワー及び長いパルス持続時間を有し、他のRF
パルスは高いパワー及び短いパルス持続時間を有し、上
記高いパワー及び短いパルス持続時間を有するRFパル
スは共鳴回路を切り換えるために使用されることを特徴
とする、請求項3記載の方法。 - 【請求項5】 共鳴回路に含まれる非線形要素は切り換
えのために使用されることを特徴とする、請求項4記載
の方法。 - 【請求項6】 印加される第1のRFパルスは上記低い
パワー及び長いパルス持続時間を有するRFパルスであ
り、印加される第2のRFパルスは上記高いパワー及び
短いパルス持続時間を有するRFパルスであり、第2の
RFパルスは共鳴回路を高い共鳴回路線質係数の状態か
ら低い共鳴回路線質係数の状態へ切り換えることを特徴
とする、請求項4記載の方法。 - 【請求項7】 共鳴回路は光学的に制御可能な要素を含
み、光信号によって切り換えられることを特徴とする、
請求項2記載の方法。 - 【請求項8】 特にマイクロコイルの形のインダクタン
ス及びインダクタンスに並列に接続されるキャパシタン
スを具備した供給導線のない共鳴回路を含む請求項1に
記載の方法を行うカテーテルであって、 共鳴回路中に追加的な切換素子が設けられ、この切換素
子は共鳴回路の共鳴回路線質係数に影響を与えることを
特徴とするカテーテル。 - 【請求項9】 追加的な切換要素はダイオードであるこ
とを特徴とする、請求項8記載のカテーテル。 - 【請求項10】 ラーモア周波数を決める強さを有する
均一の安定した磁場を発生する第1の手段と、RFパル
スを発生する第2の手段と、検査されるべき対象中で発
生したMR信号を受信する第3の手段とを含む請求項1
記載の方法を行うMR装置であって、 フリップ角を伴う核磁化のための第1の振幅及び第1の
パルス持続時間を有する第1のRFパルス、並びに、核
磁化をリフェーズするための第2の振幅及び第2のパル
ス持続時間を有する第2のRFパルスが時間的に連続し
て発生するようRFパルスを制御する制御ユニットを含
むことを特徴とするMR装置。
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