JP2003179401A - 抵抗器と底部電極とを同時に作成することによって製造されるマイクロ電気機械スイッチ - Google Patents
抵抗器と底部電極とを同時に作成することによって製造されるマイクロ電気機械スイッチInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗器と底部電極とを同時に作成することに
よって製造されるマイクロ電気機械スイッチを提供す
る。 【解決手段】 シリコン基板の上に抵抗器材料の層を沈
着する段階３２０と、ハード・マスク材料の層を沈着す
る段階３３０と、金属材料の層を沈着する段階３４０と
をまず順次に行って積層体を形成することにより、抵抗
器と底部電極とが同時に作成される。次に、この底部電
極と一定長の抵抗器をパターンに作成する段階およびエ
ッチングを行う段階３５０が実行される。その後、定め
られた一定長の抵抗器からハード・マスク材料および金
属材料を除去するために、第２のエッチング工程３６０
が行われる。最後に、１つの好ましい実施例では、定め
られた底部電極および抵抗器に対応してパターンに作成
されそしてエッチングが行われる３７０誘電体の層でも
って、底部電極および抵抗器の構造体が封止される。
よって製造されるマイクロ電気機械スイッチを提供す
る。 【解決手段】 シリコン基板の上に抵抗器材料の層を沈
着する段階３２０と、ハード・マスク材料の層を沈着す
る段階３３０と、金属材料の層を沈着する段階３４０と
をまず順次に行って積層体を形成することにより、抵抗
器と底部電極とが同時に作成される。次に、この底部電
極と一定長の抵抗器をパターンに作成する段階およびエ
ッチングを行う段階３５０が実行される。その後、定め
られた一定長の抵抗器からハード・マスク材料および金
属材料を除去するために、第２のエッチング工程３６０
が行われる。最後に、１つの好ましい実施例では、定め
られた底部電極および抵抗器に対応してパターンに作成
されそしてエッチングが行われる３７０誘電体の層でも
って、底部電極および抵抗器の構造体が封止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、全体的に言えば、
マイクロ電気機械スイッチに関する。さらに詳細に言え
ば、本発明は抵抗器およびスイッチ−コンデンサ底部電
極を作成する方法および装置に関する。
マイクロ電気機械スイッチに関する。さらに詳細に言え
ば、本発明は抵抗器およびスイッチ−コンデンサ底部電
極を作成する方法および装置に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】電気通信の分野におけ
る急速な進歩は、情報の転送を可能にする電子デバイス
およびシステムの改良に先導されている。電子信号の進
路を定めることができるスイッチは、どの通信システム
においても重要な部品である。インピーダンス整合や調
節可能な利得増幅器および信号の経路決定や信号の伝送
のような多くの通信の応用に対して、電気スイッチがマ
イクロ波回路の中で広く用いられている。最近の技術
は、全体的に言えば、ＭＥＳＦＥＴおよびＰＩＮダイオ
ードを含む固体スイッチに頼っている。高い周波数にお
いて十分な特性を有するスイッチは、特に有用である。
ＰＩＮダイオードはよく用いられるＲＦスイッチであ
る。けれども、このデバイスは、典型的には、電力消費
が大きく（低インピーダンス状態に対してキャリアを得
るために、ダイオードは順方向にバイアスされなければ
ならない）、コストが高く、非線形的である、ブレーク
ダウン電圧が低くそして高い周波数において挿入損失が
大きいという欠点を有する。
る急速な進歩は、情報の転送を可能にする電子デバイス
およびシステムの改良に先導されている。電子信号の進
路を定めることができるスイッチは、どの通信システム
においても重要な部品である。インピーダンス整合や調
節可能な利得増幅器および信号の経路決定や信号の伝送
のような多くの通信の応用に対して、電気スイッチがマ
イクロ波回路の中で広く用いられている。最近の技術
は、全体的に言えば、ＭＥＳＦＥＴおよびＰＩＮダイオ
ードを含む固体スイッチに頼っている。高い周波数にお
いて十分な特性を有するスイッチは、特に有用である。
ＰＩＮダイオードはよく用いられるＲＦスイッチであ
る。けれども、このデバイスは、典型的には、電力消費
が大きく（低インピーダンス状態に対してキャリアを得
るために、ダイオードは順方向にバイアスされなければ
ならない）、コストが高く、非線形的である、ブレーク
ダウン電圧が低くそして高い周波数において挿入損失が
大きいという欠点を有する。
【０００３】マイクロ機械加工の技術は、集積回路の製
造に固有の精度と反復性とを備えた複雑な３次元構造体
の製造を可能にし、それにより半導体電子部品に代わる
ものを提供している。マイクロ機械スイッチは、従来の
トランジスタを越える利点を提供する。その理由は、こ
れらのマイクロ機械スイッチは機械スイッチと同様に機
能し、しかし占める容積は小さくそして低コストである
からである。これらの新規な構造体により、集積回路の
設計および機能性を新しい領域に拡大することが可能で
あり、それにより広い技術分野に応用できる新規な技術
が出現することが可能である。
造に固有の精度と反復性とを備えた複雑な３次元構造体
の製造を可能にし、それにより半導体電子部品に代わる
ものを提供している。マイクロ機械スイッチは、従来の
トランジスタを越える利点を提供する。その理由は、こ
れらのマイクロ機械スイッチは機械スイッチと同様に機
能し、しかし占める容積は小さくそして低コストである
からである。これらの新規な構造体により、集積回路の
設計および機能性を新しい領域に拡大することが可能で
あり、それにより広い技術分野に応用できる新規な技術
が出現することが可能である。
【０００４】最近、挿入損失が小さくそして分離が良好
で大きな電力を処理することができそして必要とするス
イッチング電力およびスタティック電力が少ないマイク
ロ電気機械（ＭＥＭ(micro-electromechanical))スイッ
チが開発されている。例えばフェーズド・アレイ・レー
ダにおけるビーム操縦のような機能に対して、これらの
システムは単一のスイッチまたはスイッチのアレイを用
いる。これらのスイッチは、可動素子（導電体または誘
電体）を信号路の中にまたは信号路の外に偏向すること
により、容量的接続またはオーム的接続のいずれかを開
放するまたは閉じることによって、高周波信号のスイッ
チングを行う。このようなデバイスの非常によい１つの
例は、ドラムヘッドの容量的なスイッチ構造体である。
このドラムヘッド容量的スイッチ構造体は、米国特許第
5,619,061号に詳細に開示されている。その内容を簡略
に説明すれば、入力ＲＦ信号が２個の電極（底部電極ま
たは膜電極）の中の１つの電極を通してこの構造体の中
に入力され、そして底部電極を被覆している誘電体と膜
が接触する時にこの入力ＲＦ信号が他の電極に伝送され
る。
で大きな電力を処理することができそして必要とするス
イッチング電力およびスタティック電力が少ないマイク
ロ電気機械（ＭＥＭ(micro-electromechanical))スイッ
チが開発されている。例えばフェーズド・アレイ・レー
ダにおけるビーム操縦のような機能に対して、これらの
システムは単一のスイッチまたはスイッチのアレイを用
いる。これらのスイッチは、可動素子（導電体または誘
電体）を信号路の中にまたは信号路の外に偏向すること
により、容量的接続またはオーム的接続のいずれかを開
放するまたは閉じることによって、高周波信号のスイッ
チングを行う。このようなデバイスの非常によい１つの
例は、ドラムヘッドの容量的なスイッチ構造体である。
このドラムヘッド容量的スイッチ構造体は、米国特許第
5,619,061号に詳細に開示されている。その内容を簡略
に説明すれば、入力ＲＦ信号が２個の電極（底部電極ま
たは膜電極）の中の１つの電極を通してこの構造体の中
に入力され、そして底部電極を被覆している誘電体と膜
が接触する時にこの入力ＲＦ信号が他の電極に伝送され
る。
【０００５】ＭＥＭデバイスはまた、マイクロ波領域に
おいて十分によく動作するために、他の制御回路と一緒
に集積化することができる。例えば、単極双投スイッチ
（ＳＰＤＴ(single-pole double-throw switch))として
動作してマイクロ波システムの中の他の部品との間で電
力の流れの信号を進めるために、受動部品（抵抗器、コ
ンデンサおよびインダクタ）および少なくとも１つの他
のスイッチと一緒に、ＭＥＭスイッチが回路の中に配置
される。けれども、この形式の回路の集積化をシリコン
で実現することを試みる時、１つの問題点が生ずる。そ
れは、（電極のような）ＭＥＭ部品と（バイアス抵抗器
ような）受動部品との間で温度処理工程が多様に異なる
ためである。したがって、抵抗器部品とスイッチ電極と
を同時に作成することによって、マイクロ電気機械スイ
ッチを効率的に製造する方法が要請されている。
おいて十分によく動作するために、他の制御回路と一緒
に集積化することができる。例えば、単極双投スイッチ
（ＳＰＤＴ(single-pole double-throw switch))として
動作してマイクロ波システムの中の他の部品との間で電
力の流れの信号を進めるために、受動部品（抵抗器、コ
ンデンサおよびインダクタ）および少なくとも１つの他
のスイッチと一緒に、ＭＥＭスイッチが回路の中に配置
される。けれども、この形式の回路の集積化をシリコン
で実現することを試みる時、１つの問題点が生ずる。そ
れは、（電極のような）ＭＥＭ部品と（バイアス抵抗器
ような）受動部品との間で温度処理工程が多様に異なる
ためである。したがって、抵抗器部品とスイッチ電極と
を同時に作成することによって、マイクロ電気機械スイ
ッチを効率的に製造する方法が要請されている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明により技術的な利
点が達成されるが、これらの技術的な利点は、基板の上
にマイクロ電気機械スイッチの底部電極と一緒に回路の
中に抵抗器を集積化する方法およびその方法により製造
される製品により得られる。この方法は、基板の少なく
とも１つの側面の上に抵抗器材料の均一な層を沈着する
段階と、この抵抗器材料の上にハード・マスク材料の均
一な層を沈着する段階と、このハード・マスク材料の上
に金属材料の均一な層を沈着して積層体を形成する段階
とを有する。これらの沈着段階の後、この沈着された積
層体から底部電極および抵抗器長さがパターンに作成さ
れそしてエッチングが行われる。第２のエッチング段階
では、このパターンに作成された一定長の抵抗器からハ
ード・マスク材料および金属材料がエッチングにより作
成される。この際、ハード・マスク材料および金属材料
はパターンに作成された底部電極を実質的に被覆したま
まである。さらに、好ましい実施例では、底部電極およ
び抵抗器の構造体が沈着された誘電体層で封止される。
沈着されたこの誘電体層は、この構造体に対応して後で
パターンに作成されそしてエッチングが行われる。
点が達成されるが、これらの技術的な利点は、基板の上
にマイクロ電気機械スイッチの底部電極と一緒に回路の
中に抵抗器を集積化する方法およびその方法により製造
される製品により得られる。この方法は、基板の少なく
とも１つの側面の上に抵抗器材料の均一な層を沈着する
段階と、この抵抗器材料の上にハード・マスク材料の均
一な層を沈着する段階と、このハード・マスク材料の上
に金属材料の均一な層を沈着して積層体を形成する段階
とを有する。これらの沈着段階の後、この沈着された積
層体から底部電極および抵抗器長さがパターンに作成さ
れそしてエッチングが行われる。第２のエッチング段階
では、このパターンに作成された一定長の抵抗器からハ
ード・マスク材料および金属材料がエッチングにより作
成される。この際、ハード・マスク材料および金属材料
はパターンに作成された底部電極を実質的に被覆したま
まである。さらに、好ましい実施例では、底部電極およ
び抵抗器の構造体が沈着された誘電体層で封止される。
沈着されたこの誘電体層は、この構造体に対応して後で
パターンに作成されそしてエッチングが行われる。
【０００７】
【発明の実施の形態】添付図面を参照しての下記の詳細
な説明により、本発明をさらによく理解することができ
るであろう。
な説明により、本発明をさらによく理解することができ
るであろう。
【０００８】例示された好ましい実施例について具体的
に説明することにより、本発明の多くの革新的な内容を
明らかにすることができるであろう。けれども、これら
の実施例は、多くの好ましい応用および多くの革新的な
内容を示すほんの少数個の例を示したに過ぎないことを
断っておく。全体的に言えば、本出願の明細書に述べら
れている説明は、本発明のいずれの請求項の範囲を必ず
しも限定するものではない。さらに、本発明のいくつか
の特徴は説明されるが、しかしその他の特徴については
説明されていないものもある。
に説明することにより、本発明の多くの革新的な内容を
明らかにすることができるであろう。けれども、これら
の実施例は、多くの好ましい応用および多くの革新的な
内容を示すほんの少数個の例を示したに過ぎないことを
断っておく。全体的に言えば、本出願の明細書に述べら
れている説明は、本発明のいずれの請求項の範囲を必ず
しも限定するものではない。さらに、本発明のいくつか
の特徴は説明されるが、しかしその他の特徴については
説明されていないものもある。
【０００９】最近用いられているＭＥＭスイッチは、Ｒ
Ｆ領域において改良された電気的特性を有するデバイス
として開発されている。このようなデバイスの非常によ
い１つの例は、図１に示されたドラムヘッドの容量的ス
イッチである。ＭＥＭスイッチの詳細な説明は米国特許
第 5,619,061号に開示されている。この特許の内容は、
参考として本発明の中に取り込まれている。この特許の
内容を簡単に説明すれば、入力ＲＦ信号が電極（底部電
極１０または膜電極２０）の中の１つの電極を通してこ
の構造体の中に取り込まれ、そして底部電極１０を被覆
する誘電体３０と可動な膜電極２０とが接触する時、こ
のＲＦ信号が他の電極に伝送される。
Ｆ領域において改良された電気的特性を有するデバイス
として開発されている。このようなデバイスの非常によ
い１つの例は、図１に示されたドラムヘッドの容量的ス
イッチである。ＭＥＭスイッチの詳細な説明は米国特許
第 5,619,061号に開示されている。この特許の内容は、
参考として本発明の中に取り込まれている。この特許の
内容を簡単に説明すれば、入力ＲＦ信号が電極（底部電
極１０または膜電極２０）の中の１つの電極を通してこ
の構造体の中に取り込まれ、そして底部電極１０を被覆
する誘電体３０と可動な膜電極２０とが接触する時、こ
のＲＦ信号が他の電極に伝送される。
【００１０】膜電極２０は直流の静電界を加えることに
よって偏向することが可能である。膜電極２０は、絶縁
体のスペーサ６０によって保持される。絶縁体のスペー
サ６０は、フォトレジスト、ＰＭＭＡなどのような種々
の材料で作成することがでる。または他の実施例では、
スペーサ６０は導電体で作成することもできる。膜電極
２０と底部電極１０との間に直流電圧を加えると、この
直流電圧が原因となって生ずる電極間の静電引力によっ
て、可動膜電極２０が下方に偏向する。
よって偏向することが可能である。膜電極２０は、絶縁
体のスペーサ６０によって保持される。絶縁体のスペー
サ６０は、フォトレジスト、ＰＭＭＡなどのような種々
の材料で作成することがでる。または他の実施例では、
スペーサ６０は導電体で作成することもできる。膜電極
２０と底部電極１０との間に直流電圧を加えると、この
直流電圧が原因となって生ずる電極間の静電引力によっ
て、可動膜電極２０が下方に偏向する。
【００１１】オン位置（膜２０が下方位置）では、膜電
極２０は誘電体３０の頂部の位置にまで静電気により偏
向し、そして膜電極２０は底部電極１０との間に によって与えられる静電容量値を有して静電容量的に結
合する。この式において、εdieは底部電極１０を被覆
する誘電体の誘電率であり、Ｄdieはこの誘電体の厚さ
５０である。「オフ」位置（膜２０が上方位置）では、
「オフ」状態の静電容量値は によって与えられる。この式において、Ａは電極の横断
面積（すなわち、空気誘電体の両側にある金属の面積）
であり、εairは空気の誘電率、Ｄairは膜の下側部分と
誘電体の上側部分との間の距離７０である。オフ／オン
のインピーダンスの比はεdieＤair／εairＤdieによっ
て与えられ、そしてデバイスの物理的な設計と絶縁体材
料の性質とによっては、この比は大きい（100:1 以上）
ことが可能である。100:1 という比は、マイクロ波信号
を効果的にスイッチングするのには十分過ぎる位に大き
い値である。
極２０は誘電体３０の頂部の位置にまで静電気により偏
向し、そして膜電極２０は底部電極１０との間に によって与えられる静電容量値を有して静電容量的に結
合する。この式において、εdieは底部電極１０を被覆
する誘電体の誘電率であり、Ｄdieはこの誘電体の厚さ
５０である。「オフ」位置（膜２０が上方位置）では、
「オフ」状態の静電容量値は によって与えられる。この式において、Ａは電極の横断
面積（すなわち、空気誘電体の両側にある金属の面積）
であり、εairは空気の誘電率、Ｄairは膜の下側部分と
誘電体の上側部分との間の距離７０である。オフ／オン
のインピーダンスの比はεdieＤair／εairＤdieによっ
て与えられ、そしてデバイスの物理的な設計と絶縁体材
料の性質とによっては、この比は大きい（100:1 以上）
ことが可能である。100:1 という比は、マイクロ波信号
を効果的にスイッチングするのには十分過ぎる位に大き
い値である。
【００１２】１個のＭＥＭスイッチは、単極単投（ＳＰ
ＳＴ(single-pole single-throw)）形のスイッチとして
動作する。けれども、信号の流れおよび／または電力の
流れの向きを定めるためにマイクロ波システムに用いら
れるスイッチの応用では、例えば、ＳＰＤＴ形のスイッ
チが抵抗器やコンデンサおよびインダクタのような受動
部品と一緒に回路の中に配置されることが要求されるこ
とが多い。
ＳＴ(single-pole single-throw)）形のスイッチとして
動作する。けれども、信号の流れおよび／または電力の
流れの向きを定めるためにマイクロ波システムに用いら
れるスイッチの応用では、例えば、ＳＰＤＴ形のスイッ
チが抵抗器やコンデンサおよびインダクタのような受動
部品と一緒に回路の中に配置されることが要求されるこ
とが多い。
【００１３】図２は、単極双投（ＳＰＤＴ）形の分路Ｒ
Ｆスイッチ２００を示した図である。この単極双投形の
分路ＲＦスイッチ２００は、多数個のＭＥＭスイッチお
よび多数個の受動部品を備えている。図に示されている
ように、抵抗器とコンデンサとの両方が要求された動作
のために必要である。動作の際には、スイッチ・プル・
ダウン電圧がバイアス左パッド２１０に加えられ、その
結果スイッチ２０１およびスイッチ２０３がオンにな
る。ＲＦ入力２２０のＲＦ信号は、スイッチ２０１を通
りおよび結合コンデンサ２１１を通って進み、そして左
ＲＦ出力から出力する。この信号は、バイアスされた抵
抗器２１２によってアースに進むことが阻止される。抵
抗器２１２の抵抗値は典型的には10キロオームである
が、この抵抗値は左ＲＦ出力に接続される典型的な50オ
ームＴ線路の抵抗値に比べて大きい。スイッチ２０２を
通して取得することができるすべての信号は、スイッチ
２０３を通ってアースに進み、したがって信号が右ＲＦ
出力から出力しないことが確実に得られる。回路の中の
これらのコンデンサは、直流信号を阻止する役割を果た
す。信号のこの経路を定めるのを助けるためにおよび直
流バイアスをＲＦ信号から分離するために、この回路の
中に抵抗器が必要である。
Ｆスイッチ２００を示した図である。この単極双投形の
分路ＲＦスイッチ２００は、多数個のＭＥＭスイッチお
よび多数個の受動部品を備えている。図に示されている
ように、抵抗器とコンデンサとの両方が要求された動作
のために必要である。動作の際には、スイッチ・プル・
ダウン電圧がバイアス左パッド２１０に加えられ、その
結果スイッチ２０１およびスイッチ２０３がオンにな
る。ＲＦ入力２２０のＲＦ信号は、スイッチ２０１を通
りおよび結合コンデンサ２１１を通って進み、そして左
ＲＦ出力から出力する。この信号は、バイアスされた抵
抗器２１２によってアースに進むことが阻止される。抵
抗器２１２の抵抗値は典型的には10キロオームである
が、この抵抗値は左ＲＦ出力に接続される典型的な50オ
ームＴ線路の抵抗値に比べて大きい。スイッチ２０２を
通して取得することができるすべての信号は、スイッチ
２０３を通ってアースに進み、したがって信号が右ＲＦ
出力から出力しないことが確実に得られる。回路の中の
これらのコンデンサは、直流信号を阻止する役割を果た
す。信号のこの経路を定めるのを助けるためにおよび直
流バイアスをＲＦ信号から分離するために、この回路の
中に抵抗器が必要である。
【００１４】けれども、前記で説明したＳＰＤＴ回路を
シリコンで実現することは困難である。それは、ＩＣ技
術において日常的に用いられるポリシリコン抵抗器の製
造上の要請のためである。ポリシリコンは（約 620℃で
沈着されるような）比較的に高い温度で処理が行われる
ために、ＭＥＭデバイスが組立てられる前にポリシリコ
ンの沈着とエッチングを実行しなければならない。この
ことは、アルミニウムをベースとする底部電極に対して
確かに必要である。さらに効率的な操作のために、（下
方状態にある時）膜２０と主要なコンデンサ誘電体３０
との間の接触面積が最大であることを確実に得るため
に、ＭＥＭ接触体の表面は非常に滑らかであることが要
求される。ポリシリコン抵抗器の製造のために要求され
る高温処理やエッチング処理および注入処理は、下側の
酸化物を粗くする。この粗くなった下側酸化物の上に、
底部電極が沈着される。この粗さは底部電極１０それ自
身に伝達されるであろう。したがって、電極の有効な接
触面積領域は小さくなるであろう。
シリコンで実現することは困難である。それは、ＩＣ技
術において日常的に用いられるポリシリコン抵抗器の製
造上の要請のためである。ポリシリコンは（約 620℃で
沈着されるような）比較的に高い温度で処理が行われる
ために、ＭＥＭデバイスが組立てられる前にポリシリコ
ンの沈着とエッチングを実行しなければならない。この
ことは、アルミニウムをベースとする底部電極に対して
確かに必要である。さらに効率的な操作のために、（下
方状態にある時）膜２０と主要なコンデンサ誘電体３０
との間の接触面積が最大であることを確実に得るため
に、ＭＥＭ接触体の表面は非常に滑らかであることが要
求される。ポリシリコン抵抗器の製造のために要求され
る高温処理やエッチング処理および注入処理は、下側の
酸化物を粗くする。この粗くなった下側酸化物の上に、
底部電極が沈着される。この粗さは底部電極１０それ自
身に伝達されるであろう。したがって、電極の有効な接
触面積領域は小さくなるであろう。
【００１５】本発明は、バイアス抵抗器を作成するため
に薄膜抵抗器を用いる。例えば、ポリ抵抗器の製造に付
随する問題点をなくするために、ＭＥＭスイッチと一緒
に薄膜抵抗器が製造される。したがって、ＭＥＭスイッ
チの底部電極と抵抗器との製造に用いられる材料は、同
じ工程操作の中で沈着される。抵抗器と底部電極とを同
時に形成することはまた時間を節約することになり、そ
してまた少なくとも１つのマスク段階を節約することに
なる。それに加えて、本発明の製造技術は低温処理工程
であって、必要な時には、どのコンデンサを製造した後
にでも抵抗器を製造することができる。
に薄膜抵抗器を用いる。例えば、ポリ抵抗器の製造に付
随する問題点をなくするために、ＭＥＭスイッチと一緒
に薄膜抵抗器が製造される。したがって、ＭＥＭスイッ
チの底部電極と抵抗器との製造に用いられる材料は、同
じ工程操作の中で沈着される。抵抗器と底部電極とを同
時に形成することはまた時間を節約することになり、そ
してまた少なくとも１つのマスク段階を節約することに
なる。それに加えて、本発明の製造技術は低温処理工程
であって、必要な時には、どのコンデンサを製造した後
にでも抵抗器を製造することができる。
【００１６】図３は、本発明によりマイクロ電気機械ス
イッチの抵抗器と底部電極とを同時に作成する製造法を
示した図である。１つの好ましい実施例の第１の段階３
１０では、ＳｉＯ2のような引留材料(auchor material)
がマイクロ波品質のウエハまたは基板の上に成長（また
は沈着）される。図４は、シリコン基板の上にＳｉＯ 2
が沈着成長された１つの好ましい実施例を示した図であ
る。けれども、この基板は種々の材料で作成することが
できる。例えば、サファイヤの上のシリコン、ヒ化ガリ
ウム、アルミナ、ガラス、絶縁体の上のシリコンなどで
作成することができる。シリコン基板の上の厚い酸化物
領域の上にスイッチを作成することにより、制御電極の
ための制御回路をスイッチと同じダイの上に集積化する
ことができる。この酸化物はまた、シリコン基板に付随
する誘電損失を小さくするのに役立つ。
イッチの抵抗器と底部電極とを同時に作成する製造法を
示した図である。１つの好ましい実施例の第１の段階３
１０では、ＳｉＯ2のような引留材料(auchor material)
がマイクロ波品質のウエハまたは基板の上に成長（また
は沈着）される。図４は、シリコン基板の上にＳｉＯ 2
が沈着成長された１つの好ましい実施例を示した図であ
る。けれども、この基板は種々の材料で作成することが
できる。例えば、サファイヤの上のシリコン、ヒ化ガリ
ウム、アルミナ、ガラス、絶縁体の上のシリコンなどで
作成することができる。シリコン基板の上の厚い酸化物
領域の上にスイッチを作成することにより、制御電極の
ための制御回路をスイッチと同じダイの上に集積化する
ことができる。この酸化物はまた、シリコン基板に付随
する誘電損失を小さくするのに役立つ。
【００１７】図３を再び参照して次の段階３２０におい
て、薄膜抵抗器材料が沈着される。ＴａＮ、ＳｉＣｒま
たはＮｉＣｒのような金属を用いて薄膜抵抗器を製造す
る際の細部については、1999年12月2日受付のバーリ(Ba
iely)ほか名の出願中米国特許出願シリアル番号第09/45
2,691号に開示されている。この出願中特許の内容は、
参考として本出願の中に取り込まれている。ここでは、
ＮｉＣｒを用いる場合を説明することにする。ただし、
前記で説明した他の任意の材料を用いることもできる。
この好ましい実施例では、ＮｉＣｒが薄膜抵抗器材料と
して用いられる。
て、薄膜抵抗器材料が沈着される。ＴａＮ、ＳｉＣｒま
たはＮｉＣｒのような金属を用いて薄膜抵抗器を製造す
る際の細部については、1999年12月2日受付のバーリ(Ba
iely)ほか名の出願中米国特許出願シリアル番号第09/45
2,691号に開示されている。この出願中特許の内容は、
参考として本出願の中に取り込まれている。ここでは、
ＮｉＣｒを用いる場合を説明することにする。ただし、
前記で説明した他の任意の材料を用いることもできる。
この好ましい実施例では、ＮｉＣｒが薄膜抵抗器材料と
して用いられる。
【００１８】薄膜材料が沈着された後、一般的によく知
られているマイクロ製造技術に適合したハード・マスク
材料が、次の段階３３０においてＮｉＣｒ層の上に沈着
される。好ましい実施例では、沈着段階３３０において
厚さ約1000オングストロームのＴｉＷが沈着される。
られているマイクロ製造技術に適合したハード・マスク
材料が、次の段階３３０においてＮｉＣｒ層の上に沈着
される。好ましい実施例では、沈着段階３３０において
厚さ約1000オングストロームのＴｉＷが沈着される。
【００１９】最後の沈着段階３４０において、抵抗率の
小さな金属が沈着される。１つの好ましい実施例では、
Ａｌ−ＳｉがスイッチのＲＦ動作を最適化するのに要求
される厚さに沈着される。一般的には、Ａｌ−Ｓｉの厚
さ約4000オングストロームで十分である。基板と二酸化
シリコンとＮｉＣｒとＴｉＷとＡｌ−Ｓｉとの積層体の
全体は、スイッチ底部電極およびバイアス抵抗器として
の役割を果たすであろう。
小さな金属が沈着される。１つの好ましい実施例では、
Ａｌ−ＳｉがスイッチのＲＦ動作を最適化するのに要求
される厚さに沈着される。一般的には、Ａｌ−Ｓｉの厚
さ約4000オングストロームで十分である。基板と二酸化
シリコンとＮｉＣｒとＴｉＷとＡｌ−Ｓｉとの積層体の
全体は、スイッチ底部電極およびバイアス抵抗器として
の役割を果たすであろう。
【００２０】図５は、本発明によりシリコン基板の上に
薄膜抵抗体材料５１０とハード・マスク材料５２０と金
属５３０とが沈着された積層体を示した図である。１つ
の好ましい実施例では、これらの層のおのおのは均一な
層である。
薄膜抵抗体材料５１０とハード・マスク材料５２０と金
属５３０とが沈着された積層体を示した図である。１つ
の好ましい実施例では、これらの層のおのおのは均一な
層である。
【００２１】積層体が完成した後、底部電極と第１のレ
ベルの相互接続体と一定長の抵抗器とがパターンに作成
され、そして金属積層体の全体にエッチング３５０（図
３）が行われる。図６Ａは、本発明により底部電極と一
定長の抵抗器とを定めるパターン作成およびエッチング
が行われた底部電極６１０と、抵抗器６２０と、相互接
続体６３０と、ボンド・パッド６４０とを示した図であ
る。図６Ｂは、図６Ａの線ＡＡ′に沿っての横断面図で
ある。Ａｌ、ＴｉＷおよびＮｉＣｒの好ましい積層体に
おいて、Ａｌに湿式エッチングまたは乾式エッチングの
いずれを行うことができるが、一方、１つの好ましい実
施例ではＴｉＷおよびＮｉＣｒには湿式エッチングが行
われる。
ベルの相互接続体と一定長の抵抗器とがパターンに作成
され、そして金属積層体の全体にエッチング３５０（図
３）が行われる。図６Ａは、本発明により底部電極と一
定長の抵抗器とを定めるパターン作成およびエッチング
が行われた底部電極６１０と、抵抗器６２０と、相互接
続体６３０と、ボンド・パッド６４０とを示した図であ
る。図６Ｂは、図６Ａの線ＡＡ′に沿っての横断面図で
ある。Ａｌ、ＴｉＷおよびＮｉＣｒの好ましい積層体に
おいて、Ａｌに湿式エッチングまたは乾式エッチングの
いずれを行うことができるが、一方、１つの好ましい実
施例ではＴｉＷおよびＮｉＣｒには湿式エッチングが行
われる。
【００２２】次の段階３６０（図３）は、レジストをパ
ターンに作成しそしてエッチングを行う段階である。こ
のようにレジストをパターンに作成することにより、抵
抗器が露出され、そしてエッチングを行うことによって
ハード・マスク材料（この場合には例えばＡｌおよびＴ
ｉＷ）が除去される。図７Ａは、ＡｌおよびＴｉＷが除
去された後の底部電極６１０と抵抗器６２０とを示した
図である。図７Ｂは、図７Ａの線ＡＡ′に沿っての横断
面図である。底部電極（それはレジストで完全に被覆さ
れる）はこの第２のエッチング段階３６０によって影響
を受けない。この段階において、主要なコンデンサ誘電
体が底部電極の上に沈着され、そしてパターンに作成さ
れそしてエッチングが行われる（段階３７０）。この主
要な誘電体は、例えば、ＳｉＯ2、Ｓｉ2Ｎ4またはＴａ2
Ｏ5である。ただし、任意の適切な誘電体を用いること
も予想される。
ターンに作成しそしてエッチングを行う段階である。こ
のようにレジストをパターンに作成することにより、抵
抗器が露出され、そしてエッチングを行うことによって
ハード・マスク材料（この場合には例えばＡｌおよびＴ
ｉＷ）が除去される。図７Ａは、ＡｌおよびＴｉＷが除
去された後の底部電極６１０と抵抗器６２０とを示した
図である。図７Ｂは、図７Ａの線ＡＡ′に沿っての横断
面図である。底部電極（それはレジストで完全に被覆さ
れる）はこの第２のエッチング段階３６０によって影響
を受けない。この段階において、主要なコンデンサ誘電
体が底部電極の上に沈着され、そしてパターンに作成さ
れそしてエッチングが行われる（段階３７０）。この主
要な誘電体は、例えば、ＳｉＯ2、Ｓｉ2Ｎ4またはＴａ2
Ｏ5である。ただし、任意の適切な誘電体を用いること
も予想される。
【００２３】図８は、誘電体を沈着しそしてパターンに
作成しそしてエッチングが行われた後の底部電極および
抵抗器の構造体を示した図である。参照番号８１０は底
部電極を被覆する誘電体を示し、そして参照番号８２０
は抵抗器の部分を被覆する誘電体を示す。ハード・マス
ク材料が除去されたできるだけすぐ後に、露出された抵
抗器材料が封止されることが推奨される。
作成しそしてエッチングが行われた後の底部電極および
抵抗器の構造体を示した図である。参照番号８１０は底
部電極を被覆する誘電体を示し、そして参照番号８２０
は抵抗器の部分を被覆する誘電体を示す。ハード・マス
ク材料が除去されたできるだけすぐ後に、露出された抵
抗器材料が封止されることが推奨される。
【００２４】本発明の方法およびシステムの１つの好ま
しい実施例が添付図面を参照して詳細に説明されたが、
本発明の範囲は開示された実施例に限定されるものでは
ない。本発明の範囲内において、種々の再構成、種々の
変更および種々の置換えが可能である。本発明の範囲は
請求項によって定められる。
しい実施例が添付図面を参照して詳細に説明されたが、
本発明の範囲は開示された実施例に限定されるものでは
ない。本発明の範囲内において、種々の再構成、種々の
変更および種々の置換えが可能である。本発明の範囲は
請求項によって定められる。
【００２５】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１） 基板の上にマイクロ電気機械スイッチの底部電
極と一緒に回路の中に抵抗器を集積する方法であって、
前記基板の少なくとも１つの側面の上に抵抗器材料の均
一な層を沈着する段階と、前記抵抗器材料の上にハード
・マスク材料の均一な層を沈着する段階と、前記ハード
・マスク材料の上に金属材料の均一な層を沈着する段階
と、ここで前記沈着されたこれらの層が積層体を形成
し、前記積層体から底部電極および一定長の抵抗器をパ
ターンに作成する段階およびエッチングを行う段階と、
パターンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハー
ド・マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う
段階と、の順次の段階を有する方法。 （２） 第１項記載の方法において、パターンに作成さ
れた前記一定長の抵抗器から前記ハード・マスク材料お
よび前記金属材料にエッチングを行う前記段階の後にお
いて前記ハード・マスク材料および前記金属材料がパタ
ーンに作成された前記底部電極を実質的に被覆したまま
である方法。 （３） 第２項記載の方法において、パターンに作成さ
れた前記一定長の抵抗器から前記ハード・マスク材料お
よび前記金属材料にエッチングを行う前記段階の後にお
いてパターンに作成された前記底部電極および前記一定
長の抵抗器の上に誘電体を沈着する段階をさらに有する
方法。 （４） 第３項記載の方法において、パターンに作成さ
れた前記底部電極および前記一定長の抵抗器に対応して
沈着された前記誘電体をパターンに作成する段階および
エッチングを行う段階をさらに有する方法。 （５） 第３項記載の方法において、パターンに作成さ
れた前記一定長の抵抗器から前記ハード・マスク材料お
よび前記金属材料にエッチングを行う段階のすぐ後に誘
電体の前記沈着段階が実行される方法。 （６） 第１項記載の方法において、前記基板が引留材
料の沈着された均一な層を有する方法。 （７） 第６項記載の方法において、前記引留材料が二
酸化シリコンで構成される方法。 （８） 第１項記載の方法において、前記抵抗器材料が
ＮｉＣｒで構成される方法。 （９） 第１項記載の方法において、前記ハード・マス
ク材料がＴｉＷで構成される方法。 （１０） 第１項記載の方法において、前記金属材料が
Ａｌ−Ｓｉで構成される方法。 （１１） 第１項記載の方法において、前記エッチング
段階の少なくとも１つが湿式エッチング段階で構成され
る方法。
る。 （１） 基板の上にマイクロ電気機械スイッチの底部電
極と一緒に回路の中に抵抗器を集積する方法であって、
前記基板の少なくとも１つの側面の上に抵抗器材料の均
一な層を沈着する段階と、前記抵抗器材料の上にハード
・マスク材料の均一な層を沈着する段階と、前記ハード
・マスク材料の上に金属材料の均一な層を沈着する段階
と、ここで前記沈着されたこれらの層が積層体を形成
し、前記積層体から底部電極および一定長の抵抗器をパ
ターンに作成する段階およびエッチングを行う段階と、
パターンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハー
ド・マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う
段階と、の順次の段階を有する方法。 （２） 第１項記載の方法において、パターンに作成さ
れた前記一定長の抵抗器から前記ハード・マスク材料お
よび前記金属材料にエッチングを行う前記段階の後にお
いて前記ハード・マスク材料および前記金属材料がパタ
ーンに作成された前記底部電極を実質的に被覆したまま
である方法。 （３） 第２項記載の方法において、パターンに作成さ
れた前記一定長の抵抗器から前記ハード・マスク材料お
よび前記金属材料にエッチングを行う前記段階の後にお
いてパターンに作成された前記底部電極および前記一定
長の抵抗器の上に誘電体を沈着する段階をさらに有する
方法。 （４） 第３項記載の方法において、パターンに作成さ
れた前記底部電極および前記一定長の抵抗器に対応して
沈着された前記誘電体をパターンに作成する段階および
エッチングを行う段階をさらに有する方法。 （５） 第３項記載の方法において、パターンに作成さ
れた前記一定長の抵抗器から前記ハード・マスク材料お
よび前記金属材料にエッチングを行う段階のすぐ後に誘
電体の前記沈着段階が実行される方法。 （６） 第１項記載の方法において、前記基板が引留材
料の沈着された均一な層を有する方法。 （７） 第６項記載の方法において、前記引留材料が二
酸化シリコンで構成される方法。 （８） 第１項記載の方法において、前記抵抗器材料が
ＮｉＣｒで構成される方法。 （９） 第１項記載の方法において、前記ハード・マス
ク材料がＴｉＷで構成される方法。 （１０） 第１項記載の方法において、前記金属材料が
Ａｌ−Ｓｉで構成される方法。 （１１） 第１項記載の方法において、前記エッチング
段階の少なくとも１つが湿式エッチング段階で構成され
る方法。
【００２６】（１２） 基板の上にマイクロ電気機械ス
イッチの底部電極と一緒に回路の中に抵抗器を集積する
方法によって製造されるＲＦスイッチであって、前記方
法が前記基板の少なくとも１つの側面の上に抵抗器材料
の均一な層を沈着する段階と、前記抵抗器材料の上にハ
ード・マスク材料の均一な層を沈着する段階と、前記ハ
ード・マスク材料の上に金属材料の均一な層を沈着する
段階と、ここで前記沈着されたこれらの層が積層体を形
成し、前記積層体から底部電極および一定長の抵抗器を
パターンに作成する段階およびエッチングを行う段階
と、パターンに作成された前記一定長の抵抗器から前記
ハード・マスク材料および前記金属材料にエッチングを
行う段階と、を有するＲＦスイッチ。 （１３） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
パターンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハー
ド・マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う
前記段階の後において前記ハード・マスク材料および前
記金属材料がパターンに作成された前記底部電極を実質
的に被覆したままであるＲＦスイッチ。 （１４） 第１３項記載のＲＦスイッチにおいて、パタ
ーンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハード・
マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う前記
段階の後においてパターンに作成された前記底部電極お
よび前記抵抗器の上に誘電体を沈着する段階をさらに有
するＲＦスイッチ。 （１５） 第１４項記載のＲＦスイッチにおいて、パタ
ーンに作成された前記底部電極および前記一定長の抵抗
器に対応して沈着された前記誘電体をパターンに作成す
る段階およびエッチングを行う段階をさらに有するＲＦ
スイッチ。 （１６） 第１４項記載のＲＦスイッチにおいて、パタ
ーンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハード・
マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う段階
のすぐ後に誘電体を沈着する前記段階が実行されるＲＦ
スイッチ。 （１７） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
基板がＳｉＯ2で構成される引留材料の沈着された均一
な層を有するＲＦスイッチ。 （１８） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
抵抗器材料がＮｉＣｒで構成されるＲＦスイッチ。 （１９） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
金属材料がＡｌ−Ｓｉで構成されるＲＦスイッチ。 （２０） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
エッチング段階の少なくとも１つが湿式エッチング段階
で構成されるＲＦスイッチ。
イッチの底部電極と一緒に回路の中に抵抗器を集積する
方法によって製造されるＲＦスイッチであって、前記方
法が前記基板の少なくとも１つの側面の上に抵抗器材料
の均一な層を沈着する段階と、前記抵抗器材料の上にハ
ード・マスク材料の均一な層を沈着する段階と、前記ハ
ード・マスク材料の上に金属材料の均一な層を沈着する
段階と、ここで前記沈着されたこれらの層が積層体を形
成し、前記積層体から底部電極および一定長の抵抗器を
パターンに作成する段階およびエッチングを行う段階
と、パターンに作成された前記一定長の抵抗器から前記
ハード・マスク材料および前記金属材料にエッチングを
行う段階と、を有するＲＦスイッチ。 （１３） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
パターンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハー
ド・マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う
前記段階の後において前記ハード・マスク材料および前
記金属材料がパターンに作成された前記底部電極を実質
的に被覆したままであるＲＦスイッチ。 （１４） 第１３項記載のＲＦスイッチにおいて、パタ
ーンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハード・
マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う前記
段階の後においてパターンに作成された前記底部電極お
よび前記抵抗器の上に誘電体を沈着する段階をさらに有
するＲＦスイッチ。 （１５） 第１４項記載のＲＦスイッチにおいて、パタ
ーンに作成された前記底部電極および前記一定長の抵抗
器に対応して沈着された前記誘電体をパターンに作成す
る段階およびエッチングを行う段階をさらに有するＲＦ
スイッチ。 （１６） 第１４項記載のＲＦスイッチにおいて、パタ
ーンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハード・
マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う段階
のすぐ後に誘電体を沈着する前記段階が実行されるＲＦ
スイッチ。 （１７） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
基板がＳｉＯ2で構成される引留材料の沈着された均一
な層を有するＲＦスイッチ。 （１８） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
抵抗器材料がＮｉＣｒで構成されるＲＦスイッチ。 （１９） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
金属材料がＡｌ−Ｓｉで構成されるＲＦスイッチ。 （２０） 第１２項記載のＲＦスイッチにおいて、前記
エッチング段階の少なくとも１つが湿式エッチング段階
で構成されるＲＦスイッチ。
【００２７】（２１） 本発明により、シリコン基板の
上にマイクロ電気機械の底部電極と一緒に回路の中にバ
イアス抵抗器を集積化する方法およびこの方法によって
製造される製品が得られる。シリコン基板の上に抵抗器
材料の層を沈着する段階３２０と、ハード・マスク材料
の層を沈着する段階３３０と、金属材料の層を沈着する
段階３４０とをまず順次に行って積層体を形成すること
により、抵抗器と底部電極とが同時に作成される。次
に、この底部電極と一定長の抵抗器をパターンに作成す
る段階およびエッチングを行う段階３５０が実行され
る。その後、定められた一定長の抵抗器からハード・マ
スク材料および金属材料を除去するために、第２のエッ
チング工程３６０が行われる。最後に、１つの好ましい
実施例では、定められた底部電極および抵抗器に対応し
てパターンに作成されそしてエッチングが行われる３７
０誘電体の層でもって、底部電極および抵抗器の構造体
が封止される。
上にマイクロ電気機械の底部電極と一緒に回路の中にバ
イアス抵抗器を集積化する方法およびこの方法によって
製造される製品が得られる。シリコン基板の上に抵抗器
材料の層を沈着する段階３２０と、ハード・マスク材料
の層を沈着する段階３３０と、金属材料の層を沈着する
段階３４０とをまず順次に行って積層体を形成すること
により、抵抗器と底部電極とが同時に作成される。次
に、この底部電極と一定長の抵抗器をパターンに作成す
る段階およびエッチングを行う段階３５０が実行され
る。その後、定められた一定長の抵抗器からハード・マ
スク材料および金属材料を除去するために、第２のエッ
チング工程３６０が行われる。最後に、１つの好ましい
実施例では、定められた底部電極および抵抗器に対応し
てパターンに作成されそしてエッチングが行われる３７
０誘電体の層でもって、底部電極および抵抗器の構造体
が封止される。
【図１】ドラムヘッドの容量的マイクロ電気機械スイッ
チの図。
チの図。
【図２】単極双投シリーズ分路ＲＦスイッチ構成体の
図。
図。
【図３】本発明によりマイクロ電気機械スイッチの抵抗
器と底部電極とを同時に作成することにより製造する方
法を示した図。
器と底部電極とを同時に作成することにより製造する方
法を示した図。
【図４】本発明によりマイクロ波品質のシリコン基板の
上に二酸化シリコンの沈着成長を示した図。
上に二酸化シリコンの沈着成長を示した図。
【図５】本発明によりシリコン基板ウエハの上に薄膜抵
抗体材料とハードマスク材料と金属とが沈着された積層
体を示した図。
抗体材料とハードマスク材料と金属とが沈着された積層
体を示した図。
【図６】本発明により薄膜抵抗器およびボンド・パッド
を備えた回路の中の底部電極構造体の図であって、Ａは
この底部電極構造体を示した図、ＢはＡに示された構造
体の横断面図。
を備えた回路の中の底部電極構造体の図であって、Ａは
この底部電極構造体を示した図、ＢはＡに示された構造
体の横断面図。
【図７】図６Ａに示された構造体の図であって、Ａはレ
ジスト・パターンの図、ＢはＡに示された構造体の横断
面図。
ジスト・パターンの図、ＢはＡに示された構造体の横断
面図。
【図８】図７Ｂに示された構造体の上の主要な誘電体の
沈着、パターン作成およびエッチングを示した図。
沈着、パターン作成およびエッチングを示した図。
１０ 底部電極
２０ 膜電極
１００ マイクロ電気機械スイッチ
５１０ 抵抗器材料
５２０ 金属材料
５３０ ハードマスク材料
３２０ 抵抗器材料の均一な層を沈着する段階
３３０ ハードマスク材料の均一な層を沈着する段階
３４０ 金属材料の均一な層を沈着する段階
３５０ 積層体をパターンに作成およびエッチングを行
う段階 ３６０ 第２のエッチング段階
う段階 ３６０ 第２のエッチング段階
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ステュアート エム、ジェイコブセン
アメリカ合衆国 テキサス、フリスコ、
チャールストン ドライブ 5906
(72)発明者 ディヴィッド ジェイ、シーモア
アメリカ合衆国 テキサス、プレイノー、
ダブリュ、フィフティーンス ストリー
ト 2701、 アパートメント ナンバー
142
Ｆターム(参考） 5E033 AA01 BA01 BB05 BC01
5F038 AC14 AR07 AR12 EZ14 EZ15
EZ20
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の上にマイクロ電気機械スイッチの
底部電極と一緒に回路の中に抵抗器を集積する方法であ
って、 前記基板の少なくとも１つの側面の上に抵抗器材料の均
一な層を沈着する段階と、 前記抵抗器材料の上にハード・マスク材料の均一な層を
沈着する段階と、 前記ハード・マスク材料の上に金属材料の均一な層を沈
着する段階と、ここで前記沈着されたこれらの層が積層
体を形成し、 前記積層体から底部電極および一定長の抵抗器をパター
ンに作成する段階およびエッチングを行う段階と、 パターンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハー
ド・マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う
段階と、の順次の段階を有する方法。 - 【請求項２】 基板の上にマイクロ電気機械スイッチの
底部電極と一緒に回路の中に抵抗器を集積する方法によ
って製造されるＲＦスイッチであって、前記方法が前記
基板の少なくとも１つの側面の上に抵抗器材料の均一な
層を沈着する段階と、 前記抵抗器材料の上にハード・マスク材料の均一な層を
沈着する段階と、 前記ハード・マスク材料の上に金属材料の均一な層を沈
着する段階と、ここで前記沈着されたこれらの層が積層
体を形成し、 前記積層体から底部電極および一定長の抵抗器をパター
ンに作成する段階およびエッチングを行う段階と、 パターンに作成された前記一定長の抵抗器から前記ハー
ド・マスク材料および前記金属材料にエッチングを行う
段階と、を有するＲＦスイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/941,031 US6698082B2 (en) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | Micro-electromechanical switch fabricated by simultaneous formation of a resistor and bottom electrode |
| US941031 | 2001-08-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003179401A true JP2003179401A (ja) | 2003-06-27 |
Family
ID=25475826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002247074A Pending JP2003179401A (ja) | 2001-08-28 | 2002-08-27 | 抵抗器と底部電極とを同時に作成することによって製造されるマイクロ電気機械スイッチ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6698082B2 (ja) |
| EP (1) | EP1288977B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003179401A (ja) |
| DE (1) | DE60234295D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2002
- 2002-08-27 JP JP2002247074A patent/JP2003179401A/ja active Pending
- 2002-08-28 DE DE60234295T patent/DE60234295D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-28 EP EP02102230A patent/EP1288977B1/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| US20030042560A1 (en) | 2003-03-06 |
| DE60234295D1 (de) | 2009-12-24 |
| US6977196B1 (en) | 2005-12-20 |
| EP1288977A1 (en) | 2003-03-05 |
| EP1288977B1 (en) | 2009-11-11 |
| US6698082B2 (en) | 2004-03-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070807 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071107 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071112 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071212 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080107 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080110 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080401 |