JP2003179288A - 光増幅装置及びそれを用いた信号光の増幅方法 - Google Patents
光増幅装置及びそれを用いた信号光の増幅方法Info
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- JP2003179288A JP2003179288A JP2001376042A JP2001376042A JP2003179288A JP 2003179288 A JP2003179288 A JP 2003179288A JP 2001376042 A JP2001376042 A JP 2001376042A JP 2001376042 A JP2001376042 A JP 2001376042A JP 2003179288 A JP2003179288 A JP 2003179288A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 増幅利得の波長依存性のみならず温度依存性
もが小さい光増幅装置を提供する。 【解決手段】 光増幅装置１０は、励起光を発する励起
光源１３ａ，１５ａと、励起光源１３ａ，１５ａからの
励起光が入力されるＥＤＦ１４と、ＥＤＦ１４の温度を
検知するファイバ温度検知手段と、ファイバ温度検知手
段からのＥＤＦ１４の温度の情報に基づいて、その温度
でのＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存性が縮小され
るように励起光源１３ａ，１５ａからの励起光のパワー
を制御する波長依存性制御手段１９と、ファイバ温度検
知手段からのＥＤＦ１４の温度の情報に基づいて、その
温度でのＥＤＦ１４による各波長の増幅利得が所定基準
温度での対応波長の増幅利得に近づくようにＥＤＦ１４
から出力された信号光のパワーを制御する温度依存性制
御手段１９と、を備える。
もが小さい光増幅装置を提供する。 【解決手段】 光増幅装置１０は、励起光を発する励起
光源１３ａ，１５ａと、励起光源１３ａ，１５ａからの
励起光が入力されるＥＤＦ１４と、ＥＤＦ１４の温度を
検知するファイバ温度検知手段と、ファイバ温度検知手
段からのＥＤＦ１４の温度の情報に基づいて、その温度
でのＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存性が縮小され
るように励起光源１３ａ，１５ａからの励起光のパワー
を制御する波長依存性制御手段１９と、ファイバ温度検
知手段からのＥＤＦ１４の温度の情報に基づいて、その
温度でのＥＤＦ１４による各波長の増幅利得が所定基準
温度での対応波長の増幅利得に近づくようにＥＤＦ１４
から出力された信号光のパワーを制御する温度依存性制
御手段１９と、を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、励起光を発する励
起光源と励起光源からの励起光が入力される希土類元素
ドープファイバとを備え、励起光源からの励起光が希土
類元素ドープファイバの希土類元素の電子を励起させて
希土類元素ドープファイバに入力された信号光を誘導放
出により増幅するように構成された光増幅装置及びそれ
を用いた信号光の増幅方法に関する。
起光源と励起光源からの励起光が入力される希土類元素
ドープファイバとを備え、励起光源からの励起光が希土
類元素ドープファイバの希土類元素の電子を励起させて
希土類元素ドープファイバに入力された信号光を誘導放
出により増幅するように構成された光増幅装置及びそれ
を用いた信号光の増幅方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】波長多重（ＷＤＭ）光通信システムにお
いて、信号光を増幅するためにエルビウムドープファイ
バ光増幅装置（以下「ＥＤＦＡ」という）が用いられて
いる。このＥＤＦＡは、その周囲の温度、つまりはエル
ビウムドープファイバ（以下「ＥＤＦ」という）の温度
が変化するのに伴って増幅利得の波長依存性が変化す
る、という特性を有する。そのため、ＥＤＦＡ周囲の温
度に対応してＥＤＦに入力する励起光のパワーを制御し
たり、温度補償フィルタを接続したり、或いは、通常の
希土類元素ドープファイバに対して逆の増幅利得特性を
付与するファイバを接続する、といった方法によりその
増幅利得の波長依存性を縮小することが行われている。
いて、信号光を増幅するためにエルビウムドープファイ
バ光増幅装置（以下「ＥＤＦＡ」という）が用いられて
いる。このＥＤＦＡは、その周囲の温度、つまりはエル
ビウムドープファイバ（以下「ＥＤＦ」という）の温度
が変化するのに伴って増幅利得の波長依存性が変化す
る、という特性を有する。そのため、ＥＤＦＡ周囲の温
度に対応してＥＤＦに入力する励起光のパワーを制御し
たり、温度補償フィルタを接続したり、或いは、通常の
希土類元素ドープファイバに対して逆の増幅利得特性を
付与するファイバを接続する、といった方法によりその
増幅利得の波長依存性を縮小することが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法のうちで最
も簡易に対応できるものは、ＥＤＦに入力する励起光の
パワーを制御することである。
も簡易に対応できるものは、ＥＤＦに入力する励起光の
パワーを制御することである。
【０００４】しかしながら、この方法では、各温度にお
いてＥＤＦによる増幅利得の波長依存性を解消できるも
のの、各波長の増幅利得の絶対値自体が各温度毎に異な
るものとなる、すなわち、増幅利得の温度依存性が依然
として残るという問題がある。
いてＥＤＦによる増幅利得の波長依存性を解消できるも
のの、各波長の増幅利得の絶対値自体が各温度毎に異な
るものとなる、すなわち、増幅利得の温度依存性が依然
として残るという問題がある。
【０００５】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、増幅利得の波長依存
性のみならず温度依存性もが小さい光増幅装置及びそれ
を用いた信号光の増幅方法を提供することにある。
であり、その目的とするところは、増幅利得の波長依存
性のみならず温度依存性もが小さい光増幅装置及びそれ
を用いた信号光の増幅方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、希土類元素ド
ープファイバによる増幅利得の波長依存性が縮小される
ように励起光源からの励起光のパワーを制御すると共
に、希土類元素ドープファイバによる各波長の増幅利得
が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近づくように
信号光のパワーを制御するようにしたものである。
ープファイバによる増幅利得の波長依存性が縮小される
ように励起光源からの励起光のパワーを制御すると共
に、希土類元素ドープファイバによる各波長の増幅利得
が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近づくように
信号光のパワーを制御するようにしたものである。
【０００７】具体的には、本発明の第１の解決手段は、
励起光を発する励起光源と、該励起光源からの励起光が
入力される希土類元素ドープファイバと、を備え、該励
起光源からの励起光が該希土類元素ドープファイバの希
土類元素の電子を励起させて該希土類元素ドープファイ
バに入力された信号光を誘導放出により増幅するように
構成された光増幅装置を前提とする。そして、該希土類
元素ドープファイバの温度を検知するファイバ温度検知
手段と、該ファイバ温度検知手段からの希土類元素ドー
プファイバの温度の情報に基づいて、その温度での該希
土類元素ドープファイバによる増幅利得の波長依存性が
縮小されるように該励起光源からの励起光のパワーを制
御する波長依存性制御手段と、該ファイバ温度検知手段
からの希土類元素ドープファイバの温度の情報に基づい
て、その温度での該希土類元素ドープファイバによる各
波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利得
に近づくように信号光のパワーを制御する温度依存性制
御手段と、をさらに備えていることを特徴とする。
励起光を発する励起光源と、該励起光源からの励起光が
入力される希土類元素ドープファイバと、を備え、該励
起光源からの励起光が該希土類元素ドープファイバの希
土類元素の電子を励起させて該希土類元素ドープファイ
バに入力された信号光を誘導放出により増幅するように
構成された光増幅装置を前提とする。そして、該希土類
元素ドープファイバの温度を検知するファイバ温度検知
手段と、該ファイバ温度検知手段からの希土類元素ドー
プファイバの温度の情報に基づいて、その温度での該希
土類元素ドープファイバによる増幅利得の波長依存性が
縮小されるように該励起光源からの励起光のパワーを制
御する波長依存性制御手段と、該ファイバ温度検知手段
からの希土類元素ドープファイバの温度の情報に基づい
て、その温度での該希土類元素ドープファイバによる各
波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利得
に近づくように信号光のパワーを制御する温度依存性制
御手段と、をさらに備えていることを特徴とする。
【０００８】上記の構成によれば、希土類元素ドープフ
ァイバの温度を検知するステップと、その検知した希土
類元素ドープファイバの温度の情報に基づいて、その温
度での希土類元素ドープファイバによる増幅利得の波長
依存性が縮小されるように励起光源からの励起光のパワ
ーを制御するステップと、検知した希土類元素ドープフ
ァイバの温度の情報に基づいて、その温度での希土類元
素ドープファイバによる各波長の増幅利得が所定基準温
度での対応波長の増幅利得に近づくように信号光のパワ
ーを制御するステップと、を経ることにより、励起光の
パワーを制御するステップで増幅利得の波長依存性が縮
小されると共に、信号光のパワーを制御するステップで
増幅利得の温度依存性が縮小されるので、増幅利得の波
長依存性及び温度依存性のいずれもが小さいものとな
る。また、励起光パワーを小さくすることにより、希土
類元素ドープファイバ内での損失が増し、そのことによ
り生ずる雑音特性の劣化も最小限にすることができる。
ァイバの温度を検知するステップと、その検知した希土
類元素ドープファイバの温度の情報に基づいて、その温
度での希土類元素ドープファイバによる増幅利得の波長
依存性が縮小されるように励起光源からの励起光のパワ
ーを制御するステップと、検知した希土類元素ドープフ
ァイバの温度の情報に基づいて、その温度での希土類元
素ドープファイバによる各波長の増幅利得が所定基準温
度での対応波長の増幅利得に近づくように信号光のパワ
ーを制御するステップと、を経ることにより、励起光の
パワーを制御するステップで増幅利得の波長依存性が縮
小されると共に、信号光のパワーを制御するステップで
増幅利得の温度依存性が縮小されるので、増幅利得の波
長依存性及び温度依存性のいずれもが小さいものとな
る。また、励起光パワーを小さくすることにより、希土
類元素ドープファイバ内での損失が増し、そのことによ
り生ずる雑音特性の劣化も最小限にすることができる。
【０００９】ここで、増幅利得の波長依存性とは、所定
波長範囲での信号光の波長に対する増幅利得の大小差、
すなわち、ばらつきを意味し、それが縮小されるとは、
その大小差が縮小されることを意味する。このときの波
長範囲は、例えば、ＷＤＭ通信で使用されるＣバンド
（１５３０〜１５６５ｎｍ）、Ｌバンド（１５６５〜１
６２５ｎｍ）及びＳバンド（１４６０〜１５３０ｎｍ）
である。
波長範囲での信号光の波長に対する増幅利得の大小差、
すなわち、ばらつきを意味し、それが縮小されるとは、
その大小差が縮小されることを意味する。このときの波
長範囲は、例えば、ＷＤＭ通信で使用されるＣバンド
（１５３０〜１５６５ｎｍ）、Ｌバンド（１５６５〜１
６２５ｎｍ）及びＳバンド（１４６０〜１５３０ｎｍ）
である。
【００１０】また、波長依存性制御手段により希土類元
素ドープファイバによる増幅利得の波長依存性が縮小さ
れるように制御されるが、好適には、その波長依存性が
最小となるように制御されるものとするのがよい。温度
依存性制御手段により希土類元素ドープファイバによる
各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利
得に近づくように制御されるが、好適には、希土類元素
ドープファイバによる各波長の増幅利得が所定基準温度
での対応波長の増幅利得に略等しくなるように制御され
るものとするのがよい。
素ドープファイバによる増幅利得の波長依存性が縮小さ
れるように制御されるが、好適には、その波長依存性が
最小となるように制御されるものとするのがよい。温度
依存性制御手段により希土類元素ドープファイバによる
各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利
得に近づくように制御されるが、好適には、希土類元素
ドープファイバによる各波長の増幅利得が所定基準温度
での対応波長の増幅利得に略等しくなるように制御され
るものとするのがよい。
【００１１】さらに、希土類元素ドープファイバは、特
に限定されるものではないが、ＥＤＦ、ネオジウムをド
ープしたネオジウムドープファイバ（ＮＤＦ）又はイッ
テルビウムをドープした（ＹＤＦ）が好適に用いられ
る。また、これらにＰｒ（プラセオジウム）Ｔｍ（ツリ
ウム）を共ドープしたものであってもよい。
に限定されるものではないが、ＥＤＦ、ネオジウムをド
ープしたネオジウムドープファイバ（ＮＤＦ）又はイッ
テルビウムをドープした（ＹＤＦ）が好適に用いられ
る。また、これらにＰｒ（プラセオジウム）Ｔｍ（ツリ
ウム）を共ドープしたものであってもよい。
【００１２】第１の解決手段において、信号光に含まれ
る波数を検知する波数検知手段をさらに備えており、上
記波長依存性制御手段は、上記ファイバ温度検知手段か
らの希土類元素ドープファイバの温度の情報及び上記波
数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、その
温度及び波数での上記希土類元素ドープファイバによる
増幅利得の波長依存性が縮小されるように上記励起光源
からの励起光のパワーを制御するように構成されている
と共に、上記温度依存性制御手段は、上記ファイバ温度
検知手段からの希土類元素ドープファイバの温度の情報
及び上記波数検知手段からの信号光の波数の情報に基づ
いて、その温度及び波数での上記希土類元素ドープファ
イバによる各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波
長の増幅利得に近づくように信号光のパワーを制御する
ように構成されているものであってもよい。かかる構成
によれば、信号光の波数が変化しても増幅利得の変化が
抑えられることとなる。
る波数を検知する波数検知手段をさらに備えており、上
記波長依存性制御手段は、上記ファイバ温度検知手段か
らの希土類元素ドープファイバの温度の情報及び上記波
数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、その
温度及び波数での上記希土類元素ドープファイバによる
増幅利得の波長依存性が縮小されるように上記励起光源
からの励起光のパワーを制御するように構成されている
と共に、上記温度依存性制御手段は、上記ファイバ温度
検知手段からの希土類元素ドープファイバの温度の情報
及び上記波数検知手段からの信号光の波数の情報に基づ
いて、その温度及び波数での上記希土類元素ドープファ
イバによる各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波
長の増幅利得に近づくように信号光のパワーを制御する
ように構成されているものであってもよい。かかる構成
によれば、信号光の波数が変化しても増幅利得の変化が
抑えられることとなる。
【００１３】信号光の波数の検知は、希土類元素ドープ
ファイバに入力される前の信号光により行うことが好ま
しい。一般に、希土類元素ドープファイバに入力される
前の信号光では各波長の光のパワーは等しいため全パワ
ーを検知するだけで容易に波数を検知できるが、一方、
希土類元素ドープファイバから出力された後の信号光で
は希土類元素ドープファイバによる増幅利得が各波長毎
に完全に一定ではないので波長分割して波数を検知する
必要があり構成が複雑となるからである。
ファイバに入力される前の信号光により行うことが好ま
しい。一般に、希土類元素ドープファイバに入力される
前の信号光では各波長の光のパワーは等しいため全パワ
ーを検知するだけで容易に波数を検知できるが、一方、
希土類元素ドープファイバから出力された後の信号光で
は希土類元素ドープファイバによる増幅利得が各波長毎
に完全に一定ではないので波長分割して波数を検知する
必要があり構成が複雑となるからである。
【００１４】また、上記温度依存性制御手段は、上記希
土類元素ドープファイバから出力された信号光のパワー
を制御するように構成されていることが望ましい。希土
類元素ドープファイバに入力される信号光のパワーを制
御した場合、信号光の成分をカットすると雑音成分の割
合が多くなり、さらにそれが増幅されることとなるが、
上記の構成によれば、かかる事態を回避することができ
るからである。
土類元素ドープファイバから出力された信号光のパワー
を制御するように構成されていることが望ましい。希土
類元素ドープファイバに入力される信号光のパワーを制
御した場合、信号光の成分をカットすると雑音成分の割
合が多くなり、さらにそれが増幅されることとなるが、
上記の構成によれば、かかる事態を回避することができ
るからである。
【００１５】本発明の第２の解決手段は、励起光を発す
る励起光源と、該励起光源からの励起光が入力される希
土類元素ドープファイバと、を備え、該励起光源からの
励起光が該希土類元素ドープファイバの希土類元素の電
子を励起させて該希土類元素ドープファイバに入力され
た信号光を誘導放出により増幅するように構成された光
増幅装置を前提とする。そして、該希土類元素ドープフ
ァイバにより増幅された信号光の増幅利得の波長依存性
をモニタする信号光モニタ手段と、該信号光モニタ手段
でモニタした増幅された信号光の所定特性の情報に基づ
いて、該希土類元素ドープファイバによる増幅利得の波
長依存性が縮小されるように該励起光源からの励起光の
パワーを制御する波長依存性制御手段と、該信号光モニ
タ手段でモニタした増幅された信号光の所定特性の情報
に基づいて、該希土類元素ドープファイバによる各波長
の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近
づくように信号光のパワーを制御する温度依存性制御手
段と、をさらに備えていることを特徴とする。
る励起光源と、該励起光源からの励起光が入力される希
土類元素ドープファイバと、を備え、該励起光源からの
励起光が該希土類元素ドープファイバの希土類元素の電
子を励起させて該希土類元素ドープファイバに入力され
た信号光を誘導放出により増幅するように構成された光
増幅装置を前提とする。そして、該希土類元素ドープフ
ァイバにより増幅された信号光の増幅利得の波長依存性
をモニタする信号光モニタ手段と、該信号光モニタ手段
でモニタした増幅された信号光の所定特性の情報に基づ
いて、該希土類元素ドープファイバによる増幅利得の波
長依存性が縮小されるように該励起光源からの励起光の
パワーを制御する波長依存性制御手段と、該信号光モニ
タ手段でモニタした増幅された信号光の所定特性の情報
に基づいて、該希土類元素ドープファイバによる各波長
の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近
づくように信号光のパワーを制御する温度依存性制御手
段と、をさらに備えていることを特徴とする。
【００１６】上記の構成によれば、希土類元素ドープフ
ァイバにより増幅された信号光の増幅利得の波長依存性
をモニタするステップと、そのモニタした増幅された信
号光の所定特性の情報に基づいて、希土類元素ドープフ
ァイバによる増幅利得の波長依存性が縮小されるように
励起光源からの励起光のパワーを制御するステップと、
モニタした増幅された信号光の所定特性の情報に基づい
て、希土類元素ドープファイバによる各波長の増幅利得
が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近づくように
信号光のパワーを制御するステップと、を経ることによ
り、励起光のパワーを制御するステップで増幅利得の波
長依存性が縮小されると共に、信号光のパワーを制御す
るステップで増幅利得の温度依存性が縮小されるので、
増幅利得の波長依存性及び温度依存性のいずれもが小さ
いものとなる。
ァイバにより増幅された信号光の増幅利得の波長依存性
をモニタするステップと、そのモニタした増幅された信
号光の所定特性の情報に基づいて、希土類元素ドープフ
ァイバによる増幅利得の波長依存性が縮小されるように
励起光源からの励起光のパワーを制御するステップと、
モニタした増幅された信号光の所定特性の情報に基づい
て、希土類元素ドープファイバによる各波長の増幅利得
が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近づくように
信号光のパワーを制御するステップと、を経ることによ
り、励起光のパワーを制御するステップで増幅利得の波
長依存性が縮小されると共に、信号光のパワーを制御す
るステップで増幅利得の温度依存性が縮小されるので、
増幅利得の波長依存性及び温度依存性のいずれもが小さ
いものとなる。
【００１７】ここで、信号光の所定特性とは、例えば、
信号光の各波長のパワー又は増幅利得、あるいは、信号
光の波長と増幅利得との関係等、直接的に又は間接的に
増幅利得の波長依存性及び温度依存性を知ることができ
る特性をいう。
信号光の各波長のパワー又は増幅利得、あるいは、信号
光の波長と増幅利得との関係等、直接的に又は間接的に
増幅利得の波長依存性及び温度依存性を知ることができ
る特性をいう。
【００１８】また、増幅利得の波長依存性とは、所定波
長範囲での信号光の波長に対する増幅利得の大小差、す
なわち、ばらつきを意味し、それが縮小されるとは、そ
の大小差が縮小されることを意味する。このときの波長
範囲は、例えば、ＷＤＭ通信で使用されるＣバンド（１
５３０〜１５６５ｎｍ）、Ｌバンド（１５６５〜１６２
５ｎｍ）及びＳバンド（１４６０〜１５３０ｎｍ）であ
る。
長範囲での信号光の波長に対する増幅利得の大小差、す
なわち、ばらつきを意味し、それが縮小されるとは、そ
の大小差が縮小されることを意味する。このときの波長
範囲は、例えば、ＷＤＭ通信で使用されるＣバンド（１
５３０〜１５６５ｎｍ）、Ｌバンド（１５６５〜１６２
５ｎｍ）及びＳバンド（１４６０〜１５３０ｎｍ）であ
る。
【００１９】さらに、波長依存性制御手段により希土類
元素ドープファイバによる増幅利得の波長依存性が縮小
されるように制御されるが、好適には、その波長依存性
が最小となるように制御されるものとするのがよい。温
度依存性制御手段により希土類元素ドープファイバによ
る各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅
利得に近づくように制御されるが、好適には、希土類元
素ドープファイバによる各波長の増幅利得が所定基準温
度での対応波長の増幅利得に略等しくなるように制御さ
れるものとするのがよい。
元素ドープファイバによる増幅利得の波長依存性が縮小
されるように制御されるが、好適には、その波長依存性
が最小となるように制御されるものとするのがよい。温
度依存性制御手段により希土類元素ドープファイバによ
る各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅
利得に近づくように制御されるが、好適には、希土類元
素ドープファイバによる各波長の増幅利得が所定基準温
度での対応波長の増幅利得に略等しくなるように制御さ
れるものとするのがよい。
【００２０】そして、希土類元素ドープファイバは、特
に限定されるものではないが、ＥＤＦ、ネオジムをドー
プしたネオジウムドープファイバ（ＮＤＦ）又はイッテ
ルビウムをドープした（ＹＤＦ）が好適に用いられる。
に限定されるものではないが、ＥＤＦ、ネオジムをドー
プしたネオジウムドープファイバ（ＮＤＦ）又はイッテ
ルビウムをドープした（ＹＤＦ）が好適に用いられる。
【００２１】第２の各解決手段において、信号光に含ま
れる波数を検知する波数検知手段をさらに備えており、
上記波長依存性制御手段は、上記信号光モニタ手段でモ
ニタした増幅された信号光の所定特性の情報及び上記波
数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、その
波数での上記希土類元素ドープファイバによる増幅利得
の波長依存性が縮小されるように上記励起光源からの励
起光のパワーを制御するように構成されていると共に、
上記温度依存性制御手段は、上記信号光モニタ手段でモ
ニタした増幅された信号光の所定特性の情報及び上記波
数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、その
波数での上記希土類元素ドープファイバによる各波長の
増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近づ
くように信号光のパワーを制御するように構成されてい
るものであってもよい。かかる構成によれば、信号光の
波数が変化しても増幅利得の変化が抑えられることとな
る。
れる波数を検知する波数検知手段をさらに備えており、
上記波長依存性制御手段は、上記信号光モニタ手段でモ
ニタした増幅された信号光の所定特性の情報及び上記波
数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、その
波数での上記希土類元素ドープファイバによる増幅利得
の波長依存性が縮小されるように上記励起光源からの励
起光のパワーを制御するように構成されていると共に、
上記温度依存性制御手段は、上記信号光モニタ手段でモ
ニタした増幅された信号光の所定特性の情報及び上記波
数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、その
波数での上記希土類元素ドープファイバによる各波長の
増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近づ
くように信号光のパワーを制御するように構成されてい
るものであってもよい。かかる構成によれば、信号光の
波数が変化しても増幅利得の変化が抑えられることとな
る。
【００２２】信号光の波数の検知は、希土類元素ドープ
ファイバに入力される前の信号光により行うことが好ま
しい。一般に、希土類元素ドープファイバに入力される
前の信号光では各波長の光のパワーは等しいため全パワ
ーを検知するだけで容易に波数を検知できるが、一方、
希土類元素ドープファイバから出力された後の信号光で
は希土類元素ドープファイバによる増幅利得が各波長毎
に完全に一定ではないので波長分割して波数を検知する
必要があり構成が複雑となるからである。
ファイバに入力される前の信号光により行うことが好ま
しい。一般に、希土類元素ドープファイバに入力される
前の信号光では各波長の光のパワーは等しいため全パワ
ーを検知するだけで容易に波数を検知できるが、一方、
希土類元素ドープファイバから出力された後の信号光で
は希土類元素ドープファイバによる増幅利得が各波長毎
に完全に一定ではないので波長分割して波数を検知する
必要があり構成が複雑となるからである。
【００２３】また、上記温度依存性制御手段は、上記希
土類元素ドープファイバから出力された信号光のパワー
を制御するように構成されていることが望ましい。希土
類元素ドープファイバに入力される信号光のパワーを制
御した場合、信号光の成分をカットすると雑音成分の割
合が多くなり、さらにそれが増幅されることとなるが、
上記の構成によれば、かかる事態を回避することができ
るからである。
土類元素ドープファイバから出力された信号光のパワー
を制御するように構成されていることが望ましい。希土
類元素ドープファイバに入力される信号光のパワーを制
御した場合、信号光の成分をカットすると雑音成分の割
合が多くなり、さらにそれが増幅されることとなるが、
上記の構成によれば、かかる事態を回避することができ
るからである。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１及び
第２の各解決手段によれば、増幅利得の波長依存性のみ
ならず温度依存性をも小さくすることができると共に、
雑音特性の劣化を最小限に抑えることができる。
第２の各解決手段によれば、増幅利得の波長依存性のみ
ならず温度依存性をも小さくすることができると共に、
雑音特性の劣化を最小限に抑えることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００２６】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係るＥＤＦＡである光増幅装置１０を示す。
１に係るＥＤＦＡである光増幅装置１０を示す。
【００２７】この光増幅装置１０は、波数が一定で且つ
各波長のパワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅するた
めに使用されるものである。
各波長のパワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅するた
めに使用されるものである。
【００２８】この光増幅装置１０では、信号光入力端１
１から信号光出力端１８に向かって、第１アイソレータ
１２、第１ＷＤＭカプラ１３、ＥＤＦ１４、第２ＷＤＭ
カプラ１５、第２アイソレータ１６及び可変光アテネー
タ１７が光信号パスを介して直列に接続されており、こ
れがＷＤＭ信号光の伝搬路を構成している。また、第１
ＷＤＭカプラ１３には第１励起レーザダイオード（以下
「励起ＬＤ」という）（励起光源）１３ａが及び第２Ｗ
ＤＭカプラ１５には第２励起ＬＤ（励起光源）１５ａが
それぞれ光信号パスを介して接続されている。さらに、
ＥＤＦ１４は温度センサ（ファイバ温度検知手段）を備
えた温度検知槽１４ａ内に配されている。そして、温度
センサ、第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ、可変光
アテネータ１７に電気的に接続された制御部１９が設け
られている。
１から信号光出力端１８に向かって、第１アイソレータ
１２、第１ＷＤＭカプラ１３、ＥＤＦ１４、第２ＷＤＭ
カプラ１５、第２アイソレータ１６及び可変光アテネー
タ１７が光信号パスを介して直列に接続されており、こ
れがＷＤＭ信号光の伝搬路を構成している。また、第１
ＷＤＭカプラ１３には第１励起レーザダイオード（以下
「励起ＬＤ」という）（励起光源）１３ａが及び第２Ｗ
ＤＭカプラ１５には第２励起ＬＤ（励起光源）１５ａが
それぞれ光信号パスを介して接続されている。さらに、
ＥＤＦ１４は温度センサ（ファイバ温度検知手段）を備
えた温度検知槽１４ａ内に配されている。そして、温度
センサ、第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ、可変光
アテネータ１７に電気的に接続された制御部１９が設け
られている。
【００２９】第１及び第２アイソレータ１２，１６は、
ＷＤＭ信号光及び励起光が逆向きに伝搬されるのを阻止
して発振を抑止することにより効率よく且つ大きな利得
が得られるようにする。
ＷＤＭ信号光及び励起光が逆向きに伝搬されるのを阻止
して発振を抑止することにより効率よく且つ大きな利得
が得られるようにする。
【００３０】第１及び第２ＷＤＭカプラ１３，１５は、
第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａからの励起光を信
号光伝搬路に注入してＥＤＦ１４に入力する。すなわ
ち、この光増幅装置１０は双方向励起の構成のものであ
る。
第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａからの励起光を信
号光伝搬路に注入してＥＤＦ１４に入力する。すなわ
ち、この光増幅装置１０は双方向励起の構成のものであ
る。
【００３１】ＥＤＦ１４は、コアにエルビウムがドープ
された光ファイバであり、第１及び第２励起ＬＤ１３
ａ，１５ａからの励起光によりエルビウムの電子が励起
し、誘導放出によりＷＤＭ信号光を増幅する。
された光ファイバであり、第１及び第２励起ＬＤ１３
ａ，１５ａからの励起光によりエルビウムの電子が励起
し、誘導放出によりＷＤＭ信号光を増幅する。
【００３２】可変光アテネータ１７は、ＷＤＭ信号光の
パワーを全波長領域に渡って一律に減衰させ、しかも、
その減衰量が可変である。
パワーを全波長領域に渡って一律に減衰させ、しかも、
その減衰量が可変である。
【００３３】第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａは、
ＥＤＦ１４のエルビウムの電子を励起状態にする波長
１．４８μｍのレーザ励起光を発する。
ＥＤＦ１４のエルビウムの電子を励起状態にする波長
１．４８μｍのレーザ励起光を発する。
【００３４】温度検知槽１４ａは、槽内の温度をＥＤＦ
１４の温度として温度センサにより検知する。
１４の温度として温度センサにより検知する。
【００３５】制御部１９は、温度検知槽１４ａの温度セ
ンサからＥＤＦ１４の温度の情報を受け取り、それに基
づいて、第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａに信号を
送って励起光のパワーを制御すると共に、可変光アテネ
ータ１７に信号を送って光パワー減衰量を調節してＥＤ
Ｆ１４から出力されたＷＤＭ信号光のパワーを制御す
る。すなわち、制御部１９は、波長依存性制御手段及び
温度依存性制御手段を構成する。また、制御部１９は、
各ファイバ温度におけるＥＤＦ１４による増幅利得の波
長依存性が最小となる励起光のパワー、及び基準温度７
０℃におけるＬバンド（１５６５〜１６２５ｎｍ）の全
波長範囲での波長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係
（λ−Ｇ関係）を情報として有する記録媒体を備えてい
る。
ンサからＥＤＦ１４の温度の情報を受け取り、それに基
づいて、第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａに信号を
送って励起光のパワーを制御すると共に、可変光アテネ
ータ１７に信号を送って光パワー減衰量を調節してＥＤ
Ｆ１４から出力されたＷＤＭ信号光のパワーを制御す
る。すなわち、制御部１９は、波長依存性制御手段及び
温度依存性制御手段を構成する。また、制御部１９は、
各ファイバ温度におけるＥＤＦ１４による増幅利得の波
長依存性が最小となる励起光のパワー、及び基準温度７
０℃におけるＬバンド（１５６５〜１６２５ｎｍ）の全
波長範囲での波長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係
（λ−Ｇ関係）を情報として有する記録媒体を備えてい
る。
【００３６】次に、この光増幅装置１０によるＷＤＭ信
号光の増幅動作について説明する。
号光の増幅動作について説明する。
【００３７】信号光入力端１１からＷＤＭ信号光が入力
されると、それが第１アイソレータ１２を通過した後、
第１ＷＤＭカプラ１３で第１励起ＬＤ１３ａからの励起
光と合波され、それらが一緒にＥＤＦ１４に入力され
る。一方、第２励起ＬＤ１５ａからの励起光が第２ＷＤ
Ｍカプラ１５を介してＥＤＦ１４に入力される。
されると、それが第１アイソレータ１２を通過した後、
第１ＷＤＭカプラ１３で第１励起ＬＤ１３ａからの励起
光と合波され、それらが一緒にＥＤＦ１４に入力され
る。一方、第２励起ＬＤ１５ａからの励起光が第２ＷＤ
Ｍカプラ１５を介してＥＤＦ１４に入力される。
【００３８】ＥＤＦ１４では、第１及び第２励起ＬＤ１
３ａ，１５ａからの励起光によってＥＤＦ１４内のエル
ビウムの電子が励起状態となって反転分布状態となり、
そこにＷＤＭ信号光が併せて入力されることにより励起
状態の電子が刺激されて基底状態に遷移し、そのときに
ＷＤＭ信号光と同波長且つ同位相の光が放出されること
により、結果として、ＷＤＭ信号光が増幅される。すな
わち、誘導放出によりＷＤＭ信号光が増幅される。
３ａ，１５ａからの励起光によってＥＤＦ１４内のエル
ビウムの電子が励起状態となって反転分布状態となり、
そこにＷＤＭ信号光が併せて入力されることにより励起
状態の電子が刺激されて基底状態に遷移し、そのときに
ＷＤＭ信号光と同波長且つ同位相の光が放出されること
により、結果として、ＷＤＭ信号光が増幅される。すな
わち、誘導放出によりＷＤＭ信号光が増幅される。
【００３９】ＥＤＦ１４で増幅されたＷＤＭ信号光は、
第２ＷＤＭカプラ１５及び第２アイソレータ１６を介し
て可変光アテネータ１７に入力される。
第２ＷＤＭカプラ１５及び第２アイソレータ１６を介し
て可変光アテネータ１７に入力される。
【００４０】可変光アテネータ１７に入力されたＷＤＭ
信号光は、そのまま又は全波長範囲に渡って一律に減衰
させられ信号光出力端１８から出力される。
信号光は、そのまま又は全波長範囲に渡って一律に減衰
させられ信号光出力端１８から出力される。
【００４１】次に、ＷＤＭ信号光の増幅動作時の制御部
１９の制御について図２を参照しながら説明する。
１９の制御について図２を参照しながら説明する。
【００４２】スタートして、ステップＳ１では、第１及
び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａから発しているそれぞれ
の励起光のパワー（Ｐｐ）を検知し、ステップＳ２に進
む。
び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａから発しているそれぞれ
の励起光のパワー（Ｐｐ）を検知し、ステップＳ２に進
む。
【００４３】ステップＳ２では、励起光のパワーがＰｐ
であるときにＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存性が
最小となる温度（Ｔ’）を読み込み、ステップＳ３に進
む。
であるときにＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存性が
最小となる温度（Ｔ’）を読み込み、ステップＳ３に進
む。
【００４４】ステップＳ３では、ＥＤＦ１４の温度
（Ｔ）を温度検知槽１４ａの温度センサで検知し、それ
を情報として受け取り、ステップＳ４に進む。
（Ｔ）を温度検知槽１４ａの温度センサで検知し、それ
を情報として受け取り、ステップＳ４に進む。
【００４５】ステップＳ４では、ＴがＴ’に等しいか否
かを判断する。そして、ＴがＴ’に等しい場合、すなわ
ち、励起光のパワーがファイバ温度に対応したものであ
る場合、ステップＳ５に進む。ＴがＴ’と異なる場合、
ステップＳ７に進む。
かを判断する。そして、ＴがＴ’に等しい場合、すなわ
ち、励起光のパワーがファイバ温度に対応したものであ
る場合、ステップＳ５に進む。ＴがＴ’と異なる場合、
ステップＳ７に進む。
【００４６】ステップＳ７では、ＴがＴ’よりも大きい
か否かを判断する。そして、ＴがＴ’よりも小さい場
合、ステップＳ８に進み、励起光のパワーを所定量減ら
してステップＳ９に進む。ＴがＴ’よりも小さくない
（大きい）場合、ステップＳ１０に進み、励起光のパワ
ーを所定量増やしてステップＳ１１に進む。
か否かを判断する。そして、ＴがＴ’よりも小さい場
合、ステップＳ８に進み、励起光のパワーを所定量減ら
してステップＳ９に進む。ＴがＴ’よりも小さくない
（大きい）場合、ステップＳ１０に進み、励起光のパワ
ーを所定量増やしてステップＳ１１に進む。
【００４７】ステップＳ９では、ＥＤＦ１４による増幅
利得の波長依存性が最小か否か、すなわち、Ｔでのλ−
Ｇ関係が達成されているか否かを判断する。そして、Ｔ
でのλ−Ｇ関係が達成されている場合、ステップＳ５に
進む。Ｔでのλ−Ｇ関係が達成されていない場合、ステ
ップＳ８に戻る。
利得の波長依存性が最小か否か、すなわち、Ｔでのλ−
Ｇ関係が達成されているか否かを判断する。そして、Ｔ
でのλ−Ｇ関係が達成されている場合、ステップＳ５に
進む。Ｔでのλ−Ｇ関係が達成されていない場合、ステ
ップＳ８に戻る。
【００４８】ステップＳ１１では、ＥＤＦ１４による増
幅利得の波長依存性が最小か否か、すなわち、Ｔでのλ
−Ｇ関係が達成されているか否かを判断する。そして、
Ｔでのλ−Ｇ関係が達成されている場合、ステップＳ５
に進む。Ｔでのλ−Ｇ関係が達成されていない場合、ス
テップＳ１０に戻る。
幅利得の波長依存性が最小か否か、すなわち、Ｔでのλ
−Ｇ関係が達成されているか否かを判断する。そして、
Ｔでのλ−Ｇ関係が達成されている場合、ステップＳ５
に進む。Ｔでのλ−Ｇ関係が達成されていない場合、ス
テップＳ１０に戻る。
【００４９】ここまでのフローでは、ＥＤＦ１４の温度
情報に基づいて、その温度でのＥＤＦ１４による増幅利
得の波長依存性が最小になるように第１及び第２励起Ｌ
Ｄ１３ａ，１５ａからの励起光のパワーを制御する。例
えば、図３は、ファイバ温度２０℃でのＥＤＦ１４によ
る増幅利得の波長依存性が最小となるように第１及び第
２励起ＬＤ１３ａ，１５ａからの励起光のパワーを調節
した場合において、Ｌバンド（１５６５〜１６２５ｎ
ｍ）におけるファイバ温度を変量したときの波長とＥＤ
Ｆ１４による増幅利得との関係を示す。また、図４は、
ファイバ温度２０℃の場合の増幅利得を基準としたとき
のファイバ温度−１０℃及び７０℃のそれぞれの場合の
波長と増幅利得差との関係を示す。図３及び４によれ
ば、励起光のパワーが一定の条件においてファイバ温度
が２０℃よりも低くなると（例えば−１０℃）、１５８
０ｎｍ付近を中心として、短波長側の増幅利得が大きく
なり且つ長波長側の増幅利得が小さくなっている一方、
逆にファイバ温度が２０℃よりも高くなると（例えば７
０℃）、１５８０ｎｍ付近を中心として、短波長側の増
幅利得が小さくなり且つ長波長側の増幅利得が大きくな
っている。そして、図５は、ファイバ温度が７０℃の場
合について、ＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存性が
最小になるように第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ
からの励起光のパワーを増やして制御された後の波長と
ＥＤＦ１４による増幅利得との関係を示す。図５によれ
ば、ファイバ温度７０℃の場合と２０℃の場合とで、波
長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係が同一傾向とな
り、ＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存性が平坦化さ
れて最小となっている。
情報に基づいて、その温度でのＥＤＦ１４による増幅利
得の波長依存性が最小になるように第１及び第２励起Ｌ
Ｄ１３ａ，１５ａからの励起光のパワーを制御する。例
えば、図３は、ファイバ温度２０℃でのＥＤＦ１４によ
る増幅利得の波長依存性が最小となるように第１及び第
２励起ＬＤ１３ａ，１５ａからの励起光のパワーを調節
した場合において、Ｌバンド（１５６５〜１６２５ｎ
ｍ）におけるファイバ温度を変量したときの波長とＥＤ
Ｆ１４による増幅利得との関係を示す。また、図４は、
ファイバ温度２０℃の場合の増幅利得を基準としたとき
のファイバ温度−１０℃及び７０℃のそれぞれの場合の
波長と増幅利得差との関係を示す。図３及び４によれ
ば、励起光のパワーが一定の条件においてファイバ温度
が２０℃よりも低くなると（例えば−１０℃）、１５８
０ｎｍ付近を中心として、短波長側の増幅利得が大きく
なり且つ長波長側の増幅利得が小さくなっている一方、
逆にファイバ温度が２０℃よりも高くなると（例えば７
０℃）、１５８０ｎｍ付近を中心として、短波長側の増
幅利得が小さくなり且つ長波長側の増幅利得が大きくな
っている。そして、図５は、ファイバ温度が７０℃の場
合について、ＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存性が
最小になるように第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ
からの励起光のパワーを増やして制御された後の波長と
ＥＤＦ１４による増幅利得との関係を示す。図５によれ
ば、ファイバ温度７０℃の場合と２０℃の場合とで、波
長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係が同一傾向とな
り、ＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存性が平坦化さ
れて最小となっている。
【００５０】ステップＳ５では、基準温度７０℃におけ
るＬバンド（１５６５〜１６２５ｎｍ）の全波長範囲で
の波長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係（λ−Ｇ’
関係）を読み込み、ステップＳ６に進む。
るＬバンド（１５６５〜１６２５ｎｍ）の全波長範囲で
の波長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係（λ−Ｇ’
関係）を読み込み、ステップＳ６に進む。
【００５１】ステップＳ６では、λ−Ｇ関係がλ−Ｇ’
関係に略一致、すなわち、前者の各波長の増幅利得が後
者の対応波長の増幅利得に略一致するか否かを判断す
る。そして、それらが一致する場合、ステップＳ１に戻
る。それらが一致しない場合、ステップＳ１２に進み、
可変光アテネータ１７による減衰量を増やしてステップ
Ｓ６に戻る。
関係に略一致、すなわち、前者の各波長の増幅利得が後
者の対応波長の増幅利得に略一致するか否かを判断す
る。そして、それらが一致する場合、ステップＳ１に戻
る。それらが一致しない場合、ステップＳ１２に進み、
可変光アテネータ１７による減衰量を増やしてステップ
Ｓ６に戻る。
【００５２】後半のフローでは、ＥＤＦ１４の温度情報
に基づいて、その温度でのＥＤＦ１４による各波長の増
幅利得が基準温度である７０℃での対応波長の増幅利得
に略等しくなるように可変光アテネータ１７で減衰させ
るＷＤＭ信号光のパワーの減衰量を調整してＥＤＦ１４
から出力されたＷＤＭ信号光のパワーを制御する。例え
ば、上記の図５に示す例では、ファイバ温度２０℃の場
合と７０℃の場合とで、波長とＥＤＦ１４による増幅利
得との関係が同一傾向を示すことにより波長依存性が解
消されているものの、各波長毎で増幅利得が異なる、す
なわち、温度依存性が依然として残っている。図６は、
ファイバ温度２０℃の場合について、ＥＤＦ１４による
各波長の増幅利得が基準温度７０℃での対応波長の増幅
利得に略等しくなるように可変光アテネータ１７で減衰
されるパワーの減衰量が１．５ｄＢに調整されてＥＤＦ
１４から出力されたＷＤＭ信号光のパワーが制御された
後の波長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係を示す。
図６によれば、ファイバ温度が２０℃の場合と７０℃の
場合とで、波長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係が
略一致している。なお、可変光アテネータ１７はＷＤＭ
信号光のパワーを減衰させる機能しか有しないので、基
準温度は想定されるファイバ温度の上限値に設定されて
いる。従って、ファイバ温度７０℃の場合には可変光ア
テネータ１７で減衰されるＷＤＭ信号光のパワーの減衰
量が０に調整される。
に基づいて、その温度でのＥＤＦ１４による各波長の増
幅利得が基準温度である７０℃での対応波長の増幅利得
に略等しくなるように可変光アテネータ１７で減衰させ
るＷＤＭ信号光のパワーの減衰量を調整してＥＤＦ１４
から出力されたＷＤＭ信号光のパワーを制御する。例え
ば、上記の図５に示す例では、ファイバ温度２０℃の場
合と７０℃の場合とで、波長とＥＤＦ１４による増幅利
得との関係が同一傾向を示すことにより波長依存性が解
消されているものの、各波長毎で増幅利得が異なる、す
なわち、温度依存性が依然として残っている。図６は、
ファイバ温度２０℃の場合について、ＥＤＦ１４による
各波長の増幅利得が基準温度７０℃での対応波長の増幅
利得に略等しくなるように可変光アテネータ１７で減衰
されるパワーの減衰量が１．５ｄＢに調整されてＥＤＦ
１４から出力されたＷＤＭ信号光のパワーが制御された
後の波長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係を示す。
図６によれば、ファイバ温度が２０℃の場合と７０℃の
場合とで、波長とＥＤＦ１４による増幅利得との関係が
略一致している。なお、可変光アテネータ１７はＷＤＭ
信号光のパワーを減衰させる機能しか有しないので、基
準温度は想定されるファイバ温度の上限値に設定されて
いる。従って、ファイバ温度７０℃の場合には可変光ア
テネータ１７で減衰されるＷＤＭ信号光のパワーの減衰
量が０に調整される。
【００５３】上記構成の光増幅装置１０によれば、ＥＤ
Ｆ１４の温度を検知するステップと、その検知したＥＤ
Ｆ１４の温度の情報に基づいて、その温度でのＥＤＦ１
４による増幅利得の波長依存性が最小になるように第１
及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ，１７ａからの励起光
のパワーを制御するステップと、検知したＥＤＦ１４の
温度の情報に基づいて、その温度でのＥＤＦ１４による
各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利
得に略等しくなるようにＥＤＦ１４から出力されたＷＤ
Ｍ信号光のパワーを制御するステップと、を経ることに
より、励起光のパワーを制御するステップで増幅利得の
波長依存性が最小にされると共に、ＷＤＭ信号光のパワ
ーを制御するステップで増幅利得の温度依存性が縮小さ
れるので、増幅利得の波長依存性及び温度依存性のいず
れもを小さいものとすることができると共に、励起光パ
ワーを小さくすることにより、ＥＤＦ１４内での損失が
増し、そのことにより生ずる雑音特性の劣化も最小限に
することができる。
Ｆ１４の温度を検知するステップと、その検知したＥＤ
Ｆ１４の温度の情報に基づいて、その温度でのＥＤＦ１
４による増幅利得の波長依存性が最小になるように第１
及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ，１７ａからの励起光
のパワーを制御するステップと、検知したＥＤＦ１４の
温度の情報に基づいて、その温度でのＥＤＦ１４による
各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利
得に略等しくなるようにＥＤＦ１４から出力されたＷＤ
Ｍ信号光のパワーを制御するステップと、を経ることに
より、励起光のパワーを制御するステップで増幅利得の
波長依存性が最小にされると共に、ＷＤＭ信号光のパワ
ーを制御するステップで増幅利得の温度依存性が縮小さ
れるので、増幅利得の波長依存性及び温度依存性のいず
れもを小さいものとすることができると共に、励起光パ
ワーを小さくすることにより、ＥＤＦ１４内での損失が
増し、そのことにより生ずる雑音特性の劣化も最小限に
することができる。
【００５４】また、制御部１９によりＥＤＦ１４から出
力された信号光のパワーを制御するようにしているの
で、ＥＤＦ１４に入力される信号光のパワーを制御する
場合のように、信号光の成分をカットすることにより雑
音成分の割合が多くなり、さらにそれが増幅されるとい
ったことを回避することができる。
力された信号光のパワーを制御するようにしているの
で、ＥＤＦ１４に入力される信号光のパワーを制御する
場合のように、信号光の成分をカットすることにより雑
音成分の割合が多くなり、さらにそれが増幅されるとい
ったことを回避することができる。
【００５５】さらに、波長依存性制御手段と上記温度依
存性制御手段とが単一制御系である制御部１９で構成さ
れているので、装置の構成が簡略なものとなっている。
存性制御手段とが単一制御系である制御部１９で構成さ
れているので、装置の構成が簡略なものとなっている。
【００５６】（実施形態２）図７は、本発明の実施形態
２に係るＥＤＦＡである光増幅装置２０を示す。なお、
実施形態１と同一部分は同一符号で示す。
２に係るＥＤＦＡである光増幅装置２０を示す。なお、
実施形態１と同一部分は同一符号で示す。
【００５７】この光増幅装置２０は、波数が変化し且つ
各波長のパワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅するた
めに使用されるものである。
各波長のパワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅するた
めに使用されるものである。
【００５８】この光増幅装置２０では、信号光入力端１
１から信号光出力端１８に向かって、第３ＷＤＭカプラ
２１、第１アイソレータ１２、第１ＷＤＭカプラ１３、
ＥＤＦ１４、第２ＷＤＭカプラ１５、第２アイソレータ
１６及び可変光アテネータ１７が光信号パスを介して直
列に接続されており、これがＷＤＭ信号光の伝搬路を構
成している。また、第１ＷＤＭカプラ１３には第１励起
ＬＤ（励起光源）１３ａが及び第２ＷＤＭカプラ１５に
は第２励起ＬＤ（励起光源）１５ａがそれぞれ光信号パ
スを介して接続されている。さらに、ＥＤＦ１４は温度
センサ（ファイバ温度検知手段）を備えた温度検知槽１
４ａ内に配されている。そして、第３ＷＤＭカプラ２１
に光信号パスを介して接続されると共に、温度センサ、
第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ、可変光アテネー
タ１７に電気的に接続された制御部２９が設けられてい
る。
１から信号光出力端１８に向かって、第３ＷＤＭカプラ
２１、第１アイソレータ１２、第１ＷＤＭカプラ１３、
ＥＤＦ１４、第２ＷＤＭカプラ１５、第２アイソレータ
１６及び可変光アテネータ１７が光信号パスを介して直
列に接続されており、これがＷＤＭ信号光の伝搬路を構
成している。また、第１ＷＤＭカプラ１３には第１励起
ＬＤ（励起光源）１３ａが及び第２ＷＤＭカプラ１５に
は第２励起ＬＤ（励起光源）１５ａがそれぞれ光信号パ
スを介して接続されている。さらに、ＥＤＦ１４は温度
センサ（ファイバ温度検知手段）を備えた温度検知槽１
４ａ内に配されている。そして、第３ＷＤＭカプラ２１
に光信号パスを介して接続されると共に、温度センサ、
第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ、可変光アテネー
タ１７に電気的に接続された制御部２９が設けられてい
る。
【００５９】第１及び第２アイソレータ１２，１６、第
１及び第２ＷＤＭカプラ１３，１５、ＥＤＦ１４、可変
光アテネータ１７、並びに第１及び第２励起ＬＤ１３
ａ，１５ａの構成・機能は実施形態１と同一である。
１及び第２ＷＤＭカプラ１３，１５、ＥＤＦ１４、可変
光アテネータ１７、並びに第１及び第２励起ＬＤ１３
ａ，１５ａの構成・機能は実施形態１と同一である。
【００６０】第３ＷＤＭカプラ２１は、入力されるＷＤ
Ｍ信号光の一部を分岐して制御部２９に入力する。
Ｍ信号光の一部を分岐して制御部２９に入力する。
【００６１】制御部２９は、第３ＷＤＭカプラ２１から
のＷＤＭ信号光の波数を検知すると共に温度検知槽１４
ａの温度センサからＥＤＦ１４の温度の情報を受け取
り、それらに基づいて、第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，
１５ａに信号を送って励起光のパワーを制御すると共
に、可変光アテネータ１７に信号を送って光パワー減衰
量を調節してＥＤＦ１４から出力されたＷＤＭ信号光の
パワーを制御する。すなわち、制御部２９は、波数検知
手段、波長依存性制御手段及び温度依存性制御手段を構
成する。また、制御部２９は、ファイバ温度及びＷＤＭ
信号光の波数の各組み合わせでの波長とＥＤＦ１４によ
る増幅利得との関係（λ−Ｇ関係）を情報として有する
記録媒体を備えている。
のＷＤＭ信号光の波数を検知すると共に温度検知槽１４
ａの温度センサからＥＤＦ１４の温度の情報を受け取
り、それらに基づいて、第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，
１５ａに信号を送って励起光のパワーを制御すると共
に、可変光アテネータ１７に信号を送って光パワー減衰
量を調節してＥＤＦ１４から出力されたＷＤＭ信号光の
パワーを制御する。すなわち、制御部２９は、波数検知
手段、波長依存性制御手段及び温度依存性制御手段を構
成する。また、制御部２９は、ファイバ温度及びＷＤＭ
信号光の波数の各組み合わせでの波長とＥＤＦ１４によ
る増幅利得との関係（λ−Ｇ関係）を情報として有する
記録媒体を備えている。
【００６２】ＷＤＭ信号光の増幅動作は実施形態１と同
一である。
一である。
【００６３】次に、ＷＤＭ信号光の増幅動作時の制御部
２９の制御について図８を参照しながら説明する。
２９の制御について図８を参照しながら説明する。
【００６４】スタートして、ステップＳ１’では、ＥＤ
Ｆ１４の温度（Ｔ）を温度検知槽１４ａの温度センサで
検知し、それを情報として受け取ると共に、第３ＷＤＭ
カプラ２１からのＷＤＭ信号光を受け取ってその波数
（ｎ）を検知し、ステップＳ２’に進む。
Ｆ１４の温度（Ｔ）を温度検知槽１４ａの温度センサで
検知し、それを情報として受け取ると共に、第３ＷＤＭ
カプラ２１からのＷＤＭ信号光を受け取ってその波数
（ｎ）を検知し、ステップＳ２’に進む。
【００６５】ステップＳ２’では、Ｔ及びｎでの波長と
ＥＤＦによる増幅利得との関係（λ−Ｇ関係）を読み込
み、ステップＳ３’に進む。
ＥＤＦによる増幅利得との関係（λ−Ｇ関係）を読み込
み、ステップＳ３’に進む。
【００６６】ステップＳ３’では、Ｔ及びｎでのλ−Ｇ
関係に基づいて、ＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存
性が最小になるように第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１
５ａから発せられる励起光のパワーＰｐを設定し、ステ
ップＳ４’に進む。
関係に基づいて、ＥＤＦ１４による増幅利得の波長依存
性が最小になるように第１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１
５ａから発せられる励起光のパワーＰｐを設定し、ステ
ップＳ４’に進む。
【００６７】ステップＳ４’では、Ｔ及びｎでのλ−Ｇ
関係に基づいて、各波長の増幅利得が所定基準温度７０
℃での対応波長の増幅利得に略等しくなるようにＥＤＦ
１４から出力されたＷＤＭ信号光のパワーの可変光アテ
ネータ１７による減衰量を設定し、ステップＳ１’に戻
る。
関係に基づいて、各波長の増幅利得が所定基準温度７０
℃での対応波長の増幅利得に略等しくなるようにＥＤＦ
１４から出力されたＷＤＭ信号光のパワーの可変光アテ
ネータ１７による減衰量を設定し、ステップＳ１’に戻
る。
【００６８】上記構成の光増幅装置２０によれば、ＷＤ
Ｍ信号光の波数が変化しても増幅利得の変化を抑止する
ことができる。
Ｍ信号光の波数が変化しても増幅利得の変化を抑止する
ことができる。
【００６９】また、ＥＤＦ１４から出力された後のＷＤ
Ｍ信号光ではＥＤＦ１４による増幅利得が各波長毎に完
全に一定ではないので波長分割して波数を検知する必要
があり構成が複雑となるが、上記の構成ではＥＤＦ１４
に入力される前のＷＤＭ信号光により波数を検知してい
るので、各波長の光のパワーは等しく、全パワーを検知
するだけで容易に波数を検知でき、構成が容易である。
Ｍ信号光ではＥＤＦ１４による増幅利得が各波長毎に完
全に一定ではないので波長分割して波数を検知する必要
があり構成が複雑となるが、上記の構成ではＥＤＦ１４
に入力される前のＷＤＭ信号光により波数を検知してい
るので、各波長の光のパワーは等しく、全パワーを検知
するだけで容易に波数を検知でき、構成が容易である。
【００７０】その他の作用・効果は実施形態１と同一で
ある。
ある。
【００７１】（実施形態３）図９は、本発明の実施形態
３に係るＥＤＦＡである光増幅装置３０を示す。なお、
実施形態１と同一部分は同一符号で示す。
３に係るＥＤＦＡである光増幅装置３０を示す。なお、
実施形態１と同一部分は同一符号で示す。
【００７２】この光増幅装置３０は、波数が一定であり
且つ各波長のパワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅す
るために使用されるものである。
且つ各波長のパワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅す
るために使用されるものである。
【００７３】この光増幅装置３０では、信号光入力端１
１から信号光出力端１８に向かって、第１アイソレータ
１２、第１ＷＤＭカプラ１３、ＥＤＦ１４、第２ＷＤＭ
カプラ１５、第２アイソレータ１６、可変光アテネータ
１７及び第４ＷＤＭカプラ３１が光信号パスを介して直
列に接続されており、これがＷＤＭ信号光の伝搬路を構
成している。また、第１ＷＤＭカプラ１３には第１励起
ＬＤ（励起光源）１３ａが及び第２ＷＤＭカプラ１５に
は第２励起ＬＤ（励起光源）１５ａがそれぞれ光信号パ
スを介して接続されている。そして、第４ＷＤＭカプラ
３１に光信号パスを介して接続されると共に、第１及び
第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ並びに可変光アテネータ１
７に電気的に接続された制御部３９が設けられている。
１から信号光出力端１８に向かって、第１アイソレータ
１２、第１ＷＤＭカプラ１３、ＥＤＦ１４、第２ＷＤＭ
カプラ１５、第２アイソレータ１６、可変光アテネータ
１７及び第４ＷＤＭカプラ３１が光信号パスを介して直
列に接続されており、これがＷＤＭ信号光の伝搬路を構
成している。また、第１ＷＤＭカプラ１３には第１励起
ＬＤ（励起光源）１３ａが及び第２ＷＤＭカプラ１５に
は第２励起ＬＤ（励起光源）１５ａがそれぞれ光信号パ
スを介して接続されている。そして、第４ＷＤＭカプラ
３１に光信号パスを介して接続されると共に、第１及び
第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ並びに可変光アテネータ１
７に電気的に接続された制御部３９が設けられている。
【００７４】第１及び第２アイソレータ１２，１６、第
１及び第２ＷＤＭカプラ１３，１５、ＥＤＦ１４、可変
光アテネータ１７、並びに第１及び第２励起ＬＤ１３
ａ，１５ａの構成・機能は実施形態１と同一である。
１及び第２ＷＤＭカプラ１３，１５、ＥＤＦ１４、可変
光アテネータ１７、並びに第１及び第２励起ＬＤ１３
ａ，１５ａの構成・機能は実施形態１と同一である。
【００７５】第４ＷＤＭカプラ３１は、ＥＤＦ１４から
出力された増幅されたＷＤＭ信号光の一部を分岐して制
御部３９に入力する。
出力された増幅されたＷＤＭ信号光の一部を分岐して制
御部３９に入力する。
【００７６】制御部３９は、第４ＷＤＭカプラからの増
幅されたＷＤＭ信号光をモニタして各波長毎のパワーの
情報を受け取り、それに基づいて、第１及び第２励起Ｌ
Ｄ１３ａ，１５ａに信号を送って励起光のパワーを制御
すると共に、可変光アテネータ１７に信号を送って光パ
ワー減衰量を調節してＥＤＦ１４から出力されたＷＤＭ
信号光のパワーを制御する。すなわち、制御部３９は、
信号光モニタ手段、波長依存性制御手段及び温度依存性
制御手段を構成する。また、制御部３９は、基準温度７
０℃におけるＷＤＭ信号光の総パワー（Ｐ70）を情報と
して有する記録媒体を備えている。
幅されたＷＤＭ信号光をモニタして各波長毎のパワーの
情報を受け取り、それに基づいて、第１及び第２励起Ｌ
Ｄ１３ａ，１５ａに信号を送って励起光のパワーを制御
すると共に、可変光アテネータ１７に信号を送って光パ
ワー減衰量を調節してＥＤＦ１４から出力されたＷＤＭ
信号光のパワーを制御する。すなわち、制御部３９は、
信号光モニタ手段、波長依存性制御手段及び温度依存性
制御手段を構成する。また、制御部３９は、基準温度７
０℃におけるＷＤＭ信号光の総パワー（Ｐ70）を情報と
して有する記録媒体を備えている。
【００７７】ＷＤＭ信号光の増幅動作は実施形態１と同
一である。
一である。
【００７８】次に、ＷＤＭ信号光の増幅動作時の制御部
３９の制御について図１０を参照しながら説明する。
３９の制御について図１０を参照しながら説明する。
【００７９】スタートして、ステップＳ１”では、第４
ＷＤＭカプラ３１からの増幅したＷＤＭ信号光のパワー
を波長毎に検知し、ステップＳ２”に進む。
ＷＤＭカプラ３１からの増幅したＷＤＭ信号光のパワー
を波長毎に検知し、ステップＳ２”に進む。
【００８０】ステップＳ２”では、短波長側のパワー
（ＰS）と長波長側のパワー（ＰL）との絶対値の差又は
比が所定範囲にあるか否かを判断する。そして、それが
所定範囲にある場合、ステップＳ３”に進む。それが所
定範囲にない場合、ステップＳ５”に進む。
（ＰS）と長波長側のパワー（ＰL）との絶対値の差又は
比が所定範囲にあるか否かを判断する。そして、それが
所定範囲にある場合、ステップＳ３”に進む。それが所
定範囲にない場合、ステップＳ５”に進む。
【００８１】ステップＳ５”では、ＰLがＰSよりも大き
いか否かを判断する。そして、ＰLがＰSよりも大きい場
合、ステップＳ６”に進み、励起光のパワーを所定量増
やしてステップＳ２”に戻る。ＰLがＰSよりも大きくな
い（小さい）場合、ステップＳ７”に進み、励起光のパ
ワーを所定量減らしてステップＳ２”に戻る。
いか否かを判断する。そして、ＰLがＰSよりも大きい場
合、ステップＳ６”に進み、励起光のパワーを所定量増
やしてステップＳ２”に戻る。ＰLがＰSよりも大きくな
い（小さい）場合、ステップＳ７”に進み、励起光のパ
ワーを所定量減らしてステップＳ２”に戻る。
【００８２】ステップＳ３”では、基準温度７０℃にお
けるＬバンド（１５６５〜１６２５ｎｍ）の全波長範囲
での総パワー（Ｐ70）を読み込み、ステップＳ４”に進
む。
けるＬバンド（１５６５〜１６２５ｎｍ）の全波長範囲
での総パワー（Ｐ70）を読み込み、ステップＳ４”に進
む。
【００８３】ステップＳ４”では、増幅されたＷＤＭ信
号光のパワーの総和（ΣＰｎ）がＰ 70に略一致するか否
かを判断する。そして、それらが一致する場合、ステッ
プＳ１”に戻る。それらが一致しない場合、ステップＳ
８”に進み、可変光アテネータ１７による減衰量を増や
してステップＳ４”に戻る。
号光のパワーの総和（ΣＰｎ）がＰ 70に略一致するか否
かを判断する。そして、それらが一致する場合、ステッ
プＳ１”に戻る。それらが一致しない場合、ステップＳ
８”に進み、可変光アテネータ１７による減衰量を増や
してステップＳ４”に戻る。
【００８４】上記構成の光増幅装置３０によれば、ＥＤ
Ｆ１４により増幅されたＷＤＭ信号光のパワーをモニタ
するステップと、そのモニタした増幅されたＷＤＭ信号
光の増幅利得のパワーの情報に基づいて、ＥＤＦ１４に
よる増幅利得の波長依存性が最小になるように第１及び
第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａからの励起光のパワーを制
御するステップと、モニタした増幅されたＷＤＭ信号光
の各波長のパワーの情報に基づいて、ＥＤＦ１４による
各波長の増幅利得が基準温度７０℃での対応波長の増幅
利得に略等しくなるようにＥＤＦ１４から出力されたＷ
ＤＭ信号光のパワーを制御するステップと、を経ること
により、励起光のパワーを制御するステップで増幅利得
の波長依存性が最小にされると共に、ＷＤＭ信号光のパ
ワーを制御するステップで増幅利得の温度依存性が縮小
されるので、増幅利得の波長依存性及び温度依存性のい
ずれもを小さいものとすることができる。
Ｆ１４により増幅されたＷＤＭ信号光のパワーをモニタ
するステップと、そのモニタした増幅されたＷＤＭ信号
光の増幅利得のパワーの情報に基づいて、ＥＤＦ１４に
よる増幅利得の波長依存性が最小になるように第１及び
第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａからの励起光のパワーを制
御するステップと、モニタした増幅されたＷＤＭ信号光
の各波長のパワーの情報に基づいて、ＥＤＦ１４による
各波長の増幅利得が基準温度７０℃での対応波長の増幅
利得に略等しくなるようにＥＤＦ１４から出力されたＷ
ＤＭ信号光のパワーを制御するステップと、を経ること
により、励起光のパワーを制御するステップで増幅利得
の波長依存性が最小にされると共に、ＷＤＭ信号光のパ
ワーを制御するステップで増幅利得の温度依存性が縮小
されるので、増幅利得の波長依存性及び温度依存性のい
ずれもを小さいものとすることができる。
【００８５】また、制御部３９によりＥＤＦ１４から出
力された信号光のパワーを制御するようにしているの
で、ＥＤＦ１４に入力される信号光のパワーを制御する
場合のように、信号光の成分をカットすることにより雑
音成分の割合が多くなり、さらにそれが増幅されるとい
ったことを回避することができる。
力された信号光のパワーを制御するようにしているの
で、ＥＤＦ１４に入力される信号光のパワーを制御する
場合のように、信号光の成分をカットすることにより雑
音成分の割合が多くなり、さらにそれが増幅されるとい
ったことを回避することができる。
【００８６】（実施形態４）図１１は、本発明の実施形
態４に係るＥＤＦＡである光増幅装置４０を示す。な
お、実施形態１と同一部分は同一符号で示す。
態４に係るＥＤＦＡである光増幅装置４０を示す。な
お、実施形態１と同一部分は同一符号で示す。
【００８７】この光増幅装置４０は、波数が変化し且つ
各波長のパワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅するた
めに使用されるものである。
各波長のパワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅するた
めに使用されるものである。
【００８８】この光増幅装置４０では、信号光入力端１
１から信号光出力端１８に向かって、第３ＷＤＭカプラ
２１、第１アイソレータ１２、第１ＷＤＭカプラ１３、
ＥＤＦ１４、第２ＷＤＭカプラ１５、第２アイソレータ
１６、可変光アテネータ１７及び第４ＷＤＭカプラ３１
が光信号パスを介して直列に接続されており、これがＷ
ＤＭ信号光の伝搬路を構成している。また、第１ＷＤＭ
カプラ１３には第１励起ＬＤ（励起光源）１３ａが及び
第２ＷＤＭカプラ１５には第２励起ＬＤ（励起光源）１
５ａがそれぞれ光信号パスを介して接続されている。そ
して、第３及び第４ＷＤＭカプラ２１，３１に光信号パ
スを介して接続されると共に、温度センサ、第１及び第
２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ、可変光アテネータ１７に電
気的に接続された制御部４９が設けられている。
１から信号光出力端１８に向かって、第３ＷＤＭカプラ
２１、第１アイソレータ１２、第１ＷＤＭカプラ１３、
ＥＤＦ１４、第２ＷＤＭカプラ１５、第２アイソレータ
１６、可変光アテネータ１７及び第４ＷＤＭカプラ３１
が光信号パスを介して直列に接続されており、これがＷ
ＤＭ信号光の伝搬路を構成している。また、第１ＷＤＭ
カプラ１３には第１励起ＬＤ（励起光源）１３ａが及び
第２ＷＤＭカプラ１５には第２励起ＬＤ（励起光源）１
５ａがそれぞれ光信号パスを介して接続されている。そ
して、第３及び第４ＷＤＭカプラ２１，３１に光信号パ
スを介して接続されると共に、温度センサ、第１及び第
２励起ＬＤ１３ａ，１５ａ、可変光アテネータ１７に電
気的に接続された制御部４９が設けられている。
【００８９】第１及び第２アイソレータ１２，１６、第
１及び第２ＷＤＭカプラ１３，１５、ＥＤＦ１４、可変
光アテネータ１７、並びに第１及び第２励起ＬＤ１３
ａ，１５ａの構成・機能は実施形態１と同一である。
１及び第２ＷＤＭカプラ１３，１５、ＥＤＦ１４、可変
光アテネータ１７、並びに第１及び第２励起ＬＤ１３
ａ，１５ａの構成・機能は実施形態１と同一である。
【００９０】第３ＷＤＭカプラ２１は、入力されるＷＤ
Ｍ信号光の一部を分岐して制御部４９に入力する。第４
ＷＤＭカプラ３１は、ＥＤＦ１４から出力された増幅さ
れたＷＤＭ信号光の一部を分岐して制御部４９に入力す
る。
Ｍ信号光の一部を分岐して制御部４９に入力する。第４
ＷＤＭカプラ３１は、ＥＤＦ１４から出力された増幅さ
れたＷＤＭ信号光の一部を分岐して制御部４９に入力す
る。
【００９１】制御部４９は、第３ＷＤＭカプラ２１から
のＷＤＭ信号光の波数を検知すると共に第４ＷＤＭカプ
ラ３１からの増幅されたＷＤＭ信号光をモニタして各波
長毎のパワーの情報を受け取り、それらに基づいて、第
１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａに信号を送って励起
光のパワーを制御し、可変光アテネータ１７に信号を送
って光パワー減衰量を調節してＥＤＦ１４から出力され
たＷＤＭ信号光のパワーを制御する。すなわち、制御部
４９は、波数検知手段、信号光モニタ手段、波長依存性
制御手段及び温度依存性制御手段を構成する。また、制
御部４９は、基準温度２０℃における各波数でのＷＤＭ
信号光の総パワーを情報として有する記録媒体を備えて
いる。
のＷＤＭ信号光の波数を検知すると共に第４ＷＤＭカプ
ラ３１からの増幅されたＷＤＭ信号光をモニタして各波
長毎のパワーの情報を受け取り、それらに基づいて、第
１及び第２励起ＬＤ１３ａ，１５ａに信号を送って励起
光のパワーを制御し、可変光アテネータ１７に信号を送
って光パワー減衰量を調節してＥＤＦ１４から出力され
たＷＤＭ信号光のパワーを制御する。すなわち、制御部
４９は、波数検知手段、信号光モニタ手段、波長依存性
制御手段及び温度依存性制御手段を構成する。また、制
御部４９は、基準温度２０℃における各波数でのＷＤＭ
信号光の総パワーを情報として有する記録媒体を備えて
いる。
【００９２】ＷＤＭ信号光の増幅動作は実施形態１と同
一である。また、ＷＤＭ信号光の増幅動作時の制御部４
９の制御は、実施形態３の制御と同様である。
一である。また、ＷＤＭ信号光の増幅動作時の制御部４
９の制御は、実施形態３の制御と同様である。
【００９３】上記構成の光増幅装置４０によれば、ＷＤ
Ｍ信号光の波数が変化しても増幅利得の変化を抑止する
ことができる。
Ｍ信号光の波数が変化しても増幅利得の変化を抑止する
ことができる。
【００９４】また、ＥＤＦ１４から出力された後のＷＤ
Ｍ信号光ではＥＤＦ１４による増幅利得が各波長毎に完
全に一定ではないので波長分割して波数を検知する必要
があり構成が複雑となるが、上記の構成ではＥＤＦ１４
に入力される前のＷＤＭ信号光により波数を検知してい
るので、各波長の光のパワーは等しく、全パワーを検知
するだけで容易に波数を検知でき、構成が容易である。
Ｍ信号光ではＥＤＦ１４による増幅利得が各波長毎に完
全に一定ではないので波長分割して波数を検知する必要
があり構成が複雑となるが、上記の構成ではＥＤＦ１４
に入力される前のＷＤＭ信号光により波数を検知してい
るので、各波長の光のパワーは等しく、全パワーを検知
するだけで容易に波数を検知でき、構成が容易である。
【００９５】その他の作用・効果は実施形態３と同一で
ある。
ある。
【００９６】（その他の実施形態）上記実施形態１〜４
では、希土類元素ドープファイバをＥＤＦ１４とした
が、特にこれに限定されるものではなく、ＮＤＦやＹＤ
Ｆであってもよい。
では、希土類元素ドープファイバをＥＤＦ１４とした
が、特にこれに限定されるものではなく、ＮＤＦやＹＤ
Ｆであってもよい。
【００９７】また、上記実施形態１〜４では、可変光ア
テネータ１７をＥＤＦ１４の出力側に設けたが、特にこ
れに限定されるものではなく、ＥＤＦ１４の入力側に設
けるようにしてもよい。但し、ＥＤＦ１４の入力側に設
けた場合、可変光アテネータ１７により信号光成分がカ
ットされるため、それによって雑音成分の割合が多くな
ることから、上記実施形態１〜４のようにすることが好
ましい。
テネータ１７をＥＤＦ１４の出力側に設けたが、特にこ
れに限定されるものではなく、ＥＤＦ１４の入力側に設
けるようにしてもよい。但し、ＥＤＦ１４の入力側に設
けた場合、可変光アテネータ１７により信号光成分がカ
ットされるため、それによって雑音成分の割合が多くな
ることから、上記実施形態１〜４のようにすることが好
ましい。
【００９８】また、上記実施形態１〜４では、各波数の
パワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅する光増幅装置
１０，２０，３０，４０としたが、特にこれに限定され
るものではなく、各波長のパワーが異なるＷＤＭ信号光
を増幅するものであってもよい。この場合、ＥＤＦ１４
に入力されるＷＤＭ信号光をモニタする手段が必要とな
ったり、制御部１９，２９，３９，４９での制御構成を
上記実施形態１〜４のものと異なるものとする必要があ
る。
パワーが一定であるＷＤＭ信号光を増幅する光増幅装置
１０，２０，３０，４０としたが、特にこれに限定され
るものではなく、各波長のパワーが異なるＷＤＭ信号光
を増幅するものであってもよい。この場合、ＥＤＦ１４
に入力されるＷＤＭ信号光をモニタする手段が必要とな
ったり、制御部１９，２９，３９，４９での制御構成を
上記実施形態１〜４のものと異なるものとする必要があ
る。
【００９９】また、上記実施形態１〜４では、ＥＤＦ１
４による増幅利得の波長依存性が最小となりＥＤＦ１４
による各波長の増幅利得が所定基準温度７０℃での対応
波長の増幅利得に略等しくなるように制御するものとし
たが、特にこれに限定されるものではなく、ＥＤＦ１４
による増幅利得の波長依存性が縮小され、ＥＤＦ１４に
よる各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増
幅利得に近づくように制御されるものであれば、他の実
施形態であってもよい。
４による増幅利得の波長依存性が最小となりＥＤＦ１４
による各波長の増幅利得が所定基準温度７０℃での対応
波長の増幅利得に略等しくなるように制御するものとし
たが、特にこれに限定されるものではなく、ＥＤＦ１４
による増幅利得の波長依存性が縮小され、ＥＤＦ１４に
よる各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増
幅利得に近づくように制御されるものであれば、他の実
施形態であってもよい。
【０１００】また、上記実施形態１と実施形態２とで制
御部１９，２９の制御を異なるものとしたが、特にこれ
に限定されるものではなく、実施形態１に制御を実施形
態２に、実施形態２の制御を実施形態１に適用してもよ
い。すなわち、実施形態１の制御のステップＳ９及びス
テップＳ１１において、λ−Ｇ関係を波数ｎにおける
［λ−Ｇ］n関係、λ−Ｇ’関係を波数ｎにおける［λ
−Ｇ’］n関係とすることにより、図２に示すフローチ
ャートを実施形態２に適用することができる。さらに、
これらとは全く異なる制御を行うようにしてもよい。同
様に、実施形態３の制御部３９の制御及び実施形態４の
制御部４９の制御も、上記のものに限定されるものでは
ない。
御部１９，２９の制御を異なるものとしたが、特にこれ
に限定されるものではなく、実施形態１に制御を実施形
態２に、実施形態２の制御を実施形態１に適用してもよ
い。すなわち、実施形態１の制御のステップＳ９及びス
テップＳ１１において、λ−Ｇ関係を波数ｎにおける
［λ−Ｇ］n関係、λ−Ｇ’関係を波数ｎにおける［λ
−Ｇ’］n関係とすることにより、図２に示すフローチ
ャートを実施形態２に適用することができる。さらに、
これらとは全く異なる制御を行うようにしてもよい。同
様に、実施形態３の制御部３９の制御及び実施形態４の
制御部４９の制御も、上記のものに限定されるものでは
ない。
【０１０１】また、上記実施形態１では、Ｌバンド（１
５６５〜１６２５ｎｍ）の全波長範囲でのλ−Ｇ関係を
対照させる制御を行ったが、特にこれに限定されるもの
ではなく、短波長側又は長波長側の一部の範囲のλ−Ｇ
関係を対照させるようにしても、また、所定波長のλ−
Ｇ関係のみを対照させるようにしてもよい。
５６５〜１６２５ｎｍ）の全波長範囲でのλ−Ｇ関係を
対照させる制御を行ったが、特にこれに限定されるもの
ではなく、短波長側又は長波長側の一部の範囲のλ−Ｇ
関係を対照させるようにしても、また、所定波長のλ−
Ｇ関係のみを対照させるようにしてもよい。
【０１０２】また、上記実施形態２では、ＥＤＦ１４の
温度（Ｔ）及びＷＤＭ信号光の波数（ｎ）を検知した制
御としたが、特にこれに限定されるものではなく、ＷＤ
Ｍ信号光の波数（ｎ）の検知は行わず、ＥＤＦ１４の温
度（Ｔ）のみを温度検知槽１４ａの温度センサで検知す
る制御も可能である。
温度（Ｔ）及びＷＤＭ信号光の波数（ｎ）を検知した制
御としたが、特にこれに限定されるものではなく、ＷＤ
Ｍ信号光の波数（ｎ）の検知は行わず、ＥＤＦ１４の温
度（Ｔ）のみを温度検知槽１４ａの温度センサで検知す
る制御も可能である。
【０１０３】また、上記実施形態２及び４では、ＷＤＭ
信号光の波数を検知するために用いられる第３ＷＤＭカ
プラ２１をＥＤＦ１４の入力側に設けたが、これをＥＤ
Ｆ１４の出力側に設けるようにしてもよい。
信号光の波数を検知するために用いられる第３ＷＤＭカ
プラ２１をＥＤＦ１４の入力側に設けたが、これをＥＤ
Ｆ１４の出力側に設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１に係る光増幅装置の回路図
である。
である。
【図２】本発明の実施形態１に係る光増幅装置の制御部
の制御フローチャート図である。
の制御フローチャート図である。
【図３】励起光のパワーを一定としたときの波長とＥＤ
Ｆの増幅利得との関係を示すグラフ図である。
Ｆの増幅利得との関係を示すグラフ図である。
【図４】ファイバ温度２０℃のときのＥＤＦの増幅利得
を基準としたときのファイバ温度−１０℃及び７０℃の
それぞれについての波長と増幅利得差との関係を示すグ
ラフ図である。
を基準としたときのファイバ温度−１０℃及び７０℃の
それぞれについての波長と増幅利得差との関係を示すグ
ラフ図である。
【図５】ファイバ温度７０℃において励起光のパワーの
制御を行った後の波長とＥＤＦの増幅利得との関係を示
すグラフ図である。
制御を行った後の波長とＥＤＦの増幅利得との関係を示
すグラフ図である。
【図６】ファイバ温度２０℃において可変光アテネータ
による制御を行った後の波長とＥＤＦの増幅利得との関
係を示すグラフ図である。
による制御を行った後の波長とＥＤＦの増幅利得との関
係を示すグラフ図である。
【図７】本発明の実施形態２に係る光増幅装置の回路図
である。
である。
【図８】本発明の実施形態２に係る光増幅装置の制御部
の制御フローチャート図である。
の制御フローチャート図である。
【図９】本発明の実施形態３に係る光増幅装置の回路図
である。
である。
【図１０】本発明の実施形態３に係る光増幅装置の制御
部の制御フローチャート図である。
部の制御フローチャート図である。
【図１１】本発明の実施形態４に係る光増幅装置の回路
図である。
図である。
１０，２０，３０，４０ 光増幅装置
１１ 信号光入力端
１２ 第１アイソレータ
１３ 第１ＷＤＭカプラ
１３ａ 第１励起ＬＤ
１４ ＥＤＦ
１４ａ 温度検知槽
１５ 第２ＷＤＭカプラ
１５ａ 第２励起ＬＤ
１６ 第２アイソレータ
１７ 可変光アテネータ
１８ 信号光出力端
１９，２９，３９，４９ 制御部
２１ 第３ＷＤＭカプラ
３１ 第４ＷＤＭカプラ
Claims (8)
- 【請求項１】 励起光を発する励起光源と、該励起光源
からの励起光が入力される希土類元素ドープファイバ
と、を備え、該励起光源からの励起光が該希土類元素ド
ープファイバの希土類元素の電子を励起させて該希土類
元素ドープファイバに入力された信号光を誘導放出によ
り増幅するように構成された光増幅装置であって、 上記希土類元素ドープファイバの温度を検知するファイ
バ温度検知手段と、 上記ファイバ温度検知手段からの希土類元素ドープファ
イバの温度の情報に基づいて、その温度での上記希土類
元素ドープファイバによる増幅利得の波長依存性が縮小
されるように上記励起光源からの励起光のパワーを制御
する波長依存性制御手段と、 上記ファイバ温度検知手段からの希土類元素ドープファ
イバの温度の情報に基づいて、その温度での上記希土類
元素ドープファイバによる各波長の増幅利得が所定基準
温度での対応波長の増幅利得に近づくように信号光のパ
ワーを制御する温度依存性制御手段と、をさらに備えて
いることを特徴とする光増幅装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載された光増幅装置におい
て、 信号光に含まれる波数を検知する波数検知手段をさらに
備えており、 上記波長依存性制御手段は、上記ファイバ温度検知手段
からの希土類元素ドープファイバの温度の情報及び上記
波数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、そ
の温度及び波数での上記希土類元素ドープファイバによ
る増幅利得の波長依存性が縮小されるように上記励起光
源からの励起光のパワーを制御するように構成されてい
ると共に、 上記温度依存性制御手段は、上記ファイバ温度検知手段
からの希土類元素ドープファイバの温度の情報及び上記
波数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、そ
の温度及び波数での上記希土類元素ドープファイバによ
る各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅
利得に近づくように信号光のパワーを制御するように構
成されていることを特徴とする光増幅装置。 - 【請求項３】 励起光を発する励起光源と、該励起光源
からの励起光が入力される希土類元素ドープファイバ
と、を備え、該励起光源からの励起光が該希土類元素ド
ープファイバの希土類元素の電子を励起させて該希土類
元素ドープファイバに入力された信号光を誘導放出によ
り増幅するように構成された光増幅装置であって、 上記希土類元素ドープファイバにより増幅された信号光
の所定特性をモニタする信号光モニタ手段と、 上記信号光モニタ手段でモニタした増幅された信号光の
所定特性の情報に基づいて、上記希土類元素ドープファ
イバによる増幅利得の波長依存性が縮小されるように上
記励起光源からの励起光のパワーを制御する波長依存性
制御手段と、 上記信号光モニタ手段でモニタした増幅された信号光の
所定特性の情報に基づいて、上記希土類元素ドープファ
イバによる各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波
長の増幅利得に近づくように信号光のパワーを制御する
温度依存性制御手段と、をさらに備えていることを特徴
とする光増幅装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載された光増幅装置におい
て、 信号光に含まれる波数を検知する波数検知手段をさらに
備えており、 上記波長依存性制御手段は、上記信号光モニタ手段でモ
ニタした増幅された信号光の所定特性の情報及び上記波
数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、その
波数での上記希土類元素ドープファイバによる増幅利得
の波長依存性が縮小されるように上記励起光源からの励
起光のパワーを制御するように構成されていると共に、 上記温度依存性制御手段は、上記信号光モニタ手段でモ
ニタした増幅された信号光の所定特性の情報及び上記波
数検知手段からの信号光の波数の情報に基づいて、その
波数での上記希土類元素ドープファイバによる各波長の
増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近づ
くように信号光のパワーを制御するように構成されてい
ることを特徴とする光増幅装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか一に記載され
た光増幅装置において、 上記温度依存性制御手段は、上記希土類元素ドープファ
イバから出力された信号光のパワーを制御するように構
成されていることを特徴とする光増幅装置。 - 【請求項６】 請求項２又は４に記載された光増幅装置
において、 上記波数検知手段は、上記希土類元素ドープファイバに
入力される前の信号光の波数を検知するように構成され
ていることを特徴とする光増幅装置。 - 【請求項７】 励起光を発する励起光源と、該励起光源
からの励起光が入力される希土類元素ドープファイバ
と、を備え、該励起光源からの励起光が該希土類元素ド
ープファイバの希土類元素の電子を励起させて該希土類
元素ドープファイバに入力された信号光を誘導放出によ
り増幅するように構成された光増幅装置を用いた信号光
の増幅方法であって、 上記希土類元素ドープファイバの温度を検知するステッ
プと、 上記検知した希土類元素ドープファイバの温度の情報に
基づいて、その温度での希土類元素ドープファイバによ
る増幅利得の波長依存性が縮小されるように上記励起光
源からの励起光のパワーを制御するステップと、 上記検知した希土類元素ドープファイバの温度の情報に
基づいて、その温度での希土類元素ドープファイバによ
る各波長の増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅
利得に近づくように信号光のパワーを制御するステップ
と、を備えていることを特徴とする信号光の増幅方法。 - 【請求項８】 励起光を発する励起光源と、該励起光源
からの励起光が入力される希土類元素ドープファイバ
と、を備え、該励起光源からの励起光が該希土類元素ド
ープファイバの希土類元素の電子を励起させて該希土類
元素ドープファイバに入力された信号光を誘導放出によ
り増幅するように構成された光増幅装置を用いた光信号
の増幅方法であって、 上記希土類元素ドープファイバにより増幅された信号光
の増幅利得の所定特性をモニタするステップと、 上記モニタした増幅された信号光の所定特性の情報に基
づいて、上記希土類元素ドープファイバによる増幅利得
の波長依存性が縮小されるように上記励起光源からの励
起光のパワーを制御するステップと、 上記モニタした増幅された信号光の所定特性の情報に基
づいて、上記希土類元素ドープファイバによる各波長の
増幅利得が所定基準温度での対応波長の増幅利得に近づ
くように信号光のパワーを制御するステップと、を備え
ていることを特徴とする信号光の増幅方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001376042A JP2003179288A (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | 光増幅装置及びそれを用いた信号光の増幅方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001376042A JP2003179288A (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | 光増幅装置及びそれを用いた信号光の増幅方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003179288A true JP2003179288A (ja) | 2003-06-27 |
Family
ID=19184322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001376042A Pending JP2003179288A (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | 光増幅装置及びそれを用いた信号光の増幅方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003179288A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212420A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nec Corp | 光増幅器、光増幅器の制御方法及びプログラム |
-
2001
- 2001-12-10 JP JP2001376042A patent/JP2003179288A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212420A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nec Corp | 光増幅器、光増幅器の制御方法及びプログラム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040831 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060912 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070130 |