JP2003173873A - Manufacturing method of organic el element - Google Patents

Manufacturing method of organic el element

Info

Publication number
JP2003173873A
JP2003173873A JP2001372918A JP2001372918A JP2003173873A JP 2003173873 A JP2003173873 A JP 2003173873A JP 2001372918 A JP2001372918 A JP 2001372918A JP 2001372918 A JP2001372918 A JP 2001372918A JP 2003173873 A JP2003173873 A JP 2003173873A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
organic
aging
protective film
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001372918A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Yamamoto
敦司 山本
Masaaki Ozaki
正明 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2001372918A priority Critical patent/JP2003173873A/en
Publication of JP2003173873A publication Critical patent/JP2003173873A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/831Aging

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a generation of dark spots on a protection film caused by an aging process applied to an organic EL element to which, the protection film is formed and the aging is carried out in order to stabilize a brightness property. <P>SOLUTION: For the manufacturing method of the organic EL element forming a lamination body by successively laminating a lower electrode, an organic layer including a light emitting layer, and an upper layer on a substrate, and covering the lamination body by a protection film, an aging process, impressing a current between the lower electrode and the upper electrode, is applied after forming the lamination body on the substrate, and the protection film is formed after the aging process. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、輝度特性等の安定
化のためにエージングを行う有機EL(エレクトロルミ
ネッセンス)素子の製造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】有機EL素子は、ガラス等の基板の上
に、下部電極、発光層を含む有機層、および上部電極が
順次積層された積層体を形成してなる。ここで、有機層
としては、発光層以外にも、一方の電極から発光層へ正
孔を輸送するための正孔輸送層や、他方の電極から発光
層へ電子を輸送するための電子輸送層等が形成されてい
る。 【0003】そして、上下両電極から発光層へ正孔や電
子を注入し、これら正孔や電子を発光層にて再結合さ
せ、そのときのエネルギーにより発光を行うようにして
いる。また、有機EL素子には、上記積層体を外部から
の水分や異物から保護するための保護膜が、積層体を被
覆するように設けられているのが通常である。 【0004】さらに、発光層を含む積層体の輝度特性
等、有機EL素子の特性の安定化を目的として出荷前す
なわち製造工程において、下部電極と上部電極との間に
電流を印加するエージング工程を行うことが検討されて
いる。つまり、エージング工程は、有機EL素子の使用
における初期破壊、摩耗破壊に大別される素子破壊の形
態のうち初期破壊を前もって発生させて除外してしまう
工程である。 【0005】このような保護膜を有する有機EL素子に
おけるエージングに関しては、例えば、特開平8−18
5979号公報に記載の方法が提案されている。この公
報には、有機EL素子に保護膜を形成した後、すなわち
基板上に上記積層体を形成しその上に保護膜を形成した
後に、エージングを実施して特性の安定化を図ることが
提案されている。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等の検討によれば、上記従来公報に記載のエージング
を行う製造方法では、有機EL素子の信頼性項目の中で
ダークスポットの抑制に限界があることがわかった。こ
こで、ダークスポットとは、使用環境中の水分等によっ
て形成される非発光部である。 【0007】本発明者等が、保護膜を有する有機EL素
子を形成した後にエージングを実施したところ、駆動評
価開始後の比較的早い段階にてダークスポットの発生頻
度が高くなった。 【0008】そこで、ダークスポットの起点部を詳細に
検討したところ、その起点部の発生原因は、通常容易に
推測されるような保護膜のピンホールや形状被覆性の悪
い部分だけによるものではないことが判明した。 【0009】つまり、エージングされた際に、積層体の
膜質変化や異物等によって有機EL素子の初期破壊が生
じるが、ダークスポットの起点部の多くは、この素子破
壊発生時の衝撃による保護膜の割れによるものであるこ
とが明らかになった。 【0010】具体的には、保護膜の割れの中心部は、熱
溶融したかの如く変質しており、その中心部から数十μ
mに渡って放射状にクラックが広がっているというもの
であった。そして、この部分が水分等の侵入路になりダ
ークスポットの発生に至ることは明らかである。 【0011】このように上記検討から、素子破壊に起因
すると推測されるダークスポットは、もともと保護膜の
被覆性が良好であった部分がエージング時の初期破壊モ
ード発生のために生じたものと結論づけられる。 【0012】本発明は上記問題に鑑み、保護膜を形成す
るとともに、輝度特性等の安定化のためにエージングを
行う有機EL素子の製造方法において、エージングに起
因する保護膜のダークスポットの発生を低減することを
目的とする。 【0013】 【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、上記した本発明者等の検討により得られた知見に基
づいてなされたものであり、基板(1)の上に、下部電
極(2)、発光層(5)を含む有機層、および上部電極
(7)が順次積層されてなる積層体(8)を形成し、こ
の積層体を保護膜(9)にて被覆するようにした有機E
L素子の製造方法において、基板の上に積層体を形成し
た後、下部電極と上部電極との間に電流を印加するエー
ジング工程を行い、このエージング工程の後に保護膜を
形成することを特徴とする。 【0014】上述したようにエージング工程というの
は、有機EL素子の使用における初期破壊を前もって発
生させて除外してしまう工程である。本発明では、素子
の発光部分となる積層体を形成し、保護膜を形成する前
に、当該積層体をエージングし上記初期破壊を発生させ
ることになる。 【0015】そして、予め初期破壊が発生した積層体の
上に保護膜を形成するようにしているため、エージング
時の初期破壊による保護膜の割れは発生しない。したが
って、本発明によれば、エージングに起因する保護膜の
ダークスポットの発生を低減することの可能な製造方法
が提供される。 【0016】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。 【0017】 【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る有
機EL素子S1の一構造例を示す概略断面図である。 【0018】基板としてのガラス基板1の上には、下部
電極としてのITO膜2、正孔注入層としてのCuPc
(銅フタロシアニン)膜3、正孔輸送層としての芳香族
3級アミン膜4、発光層としてのAlq(8−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体)膜5、電子注入層とし
てのLiF(フッ化リチウム)膜6、上部電極としての
Al(アルミニウム)膜7が形成されている。 【0019】ここで、ITO(インジウムとスズの酸化
物)膜2は陽極、Al膜7は陰極として構成され、Li
F膜6は陰極の一部として構成されている。そして、本
例では、両電極2、7間に挟まれた各層3〜5が有機層
として構成されている。そして、これら電極および有機
層2〜7により、積層体8が構成されている。 【0020】また、ガラス基板1の上には、上記積層体
8を被覆するように保護膜としてのアルミナ(Al
23)膜9が形成されている。このアルミナ膜9によっ
て、積層体8は外部からの水分や異物から保護されてい
る。 【0021】このような有機EL素子S1においては、
上下両電極2、7に電界印加することにより、ITO膜
2からAlq膜5へ正孔を注入し、Al膜7からAlq
膜5へ電子を注入し、これら正孔や電子がAlq膜5に
て再結合し、そのときのエネルギーにより発光が行われ
るようになっている。 【0022】なお、本実施形態に係る有機EL素子とし
ては、上記図1以外にも、基板の上に、下部電極、発光
層を含む有機層、および上部電極が順次積層されてなる
積層体を形成し、この積層体を保護膜にて被覆するよう
な構成となっていればよい。また、積層体の各層や保護
膜を構成する膜材としては、通常の有機EL素子に使用
されているもの、および有機EL素子に使用する可能性
のあるものであれば良く、上記図1に示した膜材に限定
されるものではない。 【0023】次に、上記図1に示す有機EL素子S1の
構成を基にして、本実施形態の有機EL素子の製造方法
について述べる。本製造方法の工程図を図2に示す。 【0024】ガラス基板1を洗浄した後、スパッタ法等
によりITO膜2を形成する。そして、ITO膜2の表
面を研磨する。その後、ITO膜2の上に各層3〜7を
成膜し、積層体8を形成する。 【0025】具体的には、ITO膜付きのガラス基板1
を成膜装置内に設置し、ITO膜2の上に、CuPc膜
3を例えば膜厚15nm、芳香族3級アミン膜4を例え
ば膜厚30nm、Alq膜5を例えば膜厚40nm、L
iF膜6を例えば膜厚0.5nm、Al膜7を例えば膜
厚150nmというように、順にそれぞれ真空蒸着法に
より成膜する。こうして積層体8が形成された基板1が
できあがる。以下、これを成膜基板1という。 【0026】次に、エージング工程を行う。すなわち、
上記成膜基板1を、大気に開放することなく上記成膜装
置と連結されたグローブボックスに搬送する。 【0027】このグローブボックス内には、乾燥窒素と
酸素の混合ガスが充填されている。その露点は好ましく
は−80℃以下が望ましい。これはダークスポットが全
く発生、成長しない条件である。上限としては少なくと
も−50℃が目安である。 【0028】この露点は一例として10Hr程度のエー
ジング雰囲気への暴露時間を想定した場合であり、ダー
クスポットは発生するものの、それによる発光面積の減
少率を極めて小さくできるものである。当然のことなが
ら、ダークスポットの成長はエージング雰囲気への暴露
時間につれて大きくなるので、エージング雰囲気への暴
露時間が短時間になるほど露点をさらに悪く(高く)す
ることは原理的には可能である。 【0029】一方、酸素濃度は少なくとも1%以上で1
0%以下が望ましい。1%を下回るとエージング効果が
弱くなる。具体的には、陰極−陽極間のショートが多発
するようになり、所望の初期破壊を生じさせることが困
難になる。 【0030】一方、10%を超えるとダークスポットの
成長が顕著になってしまう。しかし、これも露点の場合
と同じく、エージング雰囲気への暴露時間に依存するの
で、エージング時間が短時間になるほど酸素濃度を上げ
ることは原理的には可能である。 【0031】また、このグローブボックス内には電源お
よびプローブピンを介して成膜基板1上の電極2、7と
電気的接続をとることが可能な点灯用治具が具備されて
おり、グローブボックス内で成膜基板1における発光層
5を点灯させることが可能となっている。 【0032】本例では、このグローブボックス内におけ
るエージング工程での駆動条件を以下のように定めた。
根拠は、市場での駆動条件よりも高い負荷を与えること
で初期破壊モードを取り除ける条件とした。具体的に
は、市場での駆動条件である逆バイアス16Vの1/6
4デューティー駆動に対し、エージング条件を逆バイア
ス21Vというように5Vの過負荷を与え、エージング
時間を10分とした。 【0033】これにより、初期破壊モードを取り除い
た。これはワイブルプロットから判断した。なお、この
エージング条件は初期破壊モードを取り除ける限りは任
意であり、逆バイアス、駆動波形はこの限りではない。 【0034】続いて、エージング工程の後、エージング
された成膜基板1を、大気開放することなく上記成膜装
置の一室である保護膜成膜室に搬送する。そして、この
保護膜成膜室にて、保護膜としてのアルミナ膜9をAL
E(Atomic Layer Epitaxy)法に
より120nm成膜した。具体的な成膜条件は以下であ
る。 【0035】保護膜成膜室を40Pa程度の真空にし、
2ガスを400sccm程度流しながら基板加熱し、
基板温度を100℃に安定させた。その後、TMA(ト
リメチルアルミニウム)およびH2Oを原料ボトル内に
て室温で気化し、キャリアガスであるN2ガス400s
ccmで反応炉に交互に導入した。 【0036】反応炉へのガスは、まず、気化TMAを
0.6sec導入した後、基板表面に吸着した分子以外
の気相に存在する過剰のTMAを取り除くためのパージ
としてN2ガスを2.4sec導入した。その後、同様
に気化H2Oを1.0sec、N 2パージが4.0sec
のガス導入時間にて成膜した。 【0037】このTMA導入→パージ→H2O導入→パ
ージのサイクルを1500回繰り返し成膜を行った。こ
の間、反応炉の圧力は150〜300Paであり、基板
温度は反応炉内のヒータによって100℃に保持した。
なお、80℃で成膜した前記保護膜は、透湿性が非常に
高く、湿度を防止する保護膜として機能しなかった。つ
まり、成膜温度は80℃以上で有機層材料のTg点以下
が望ましい。 【0038】成膜が終了した後は、N2ガスを400s
ccm導入しながら、放置冷却を行い、基板温度が70
℃になった時点で反応炉を大気圧にし、基板を取り出し
た。この手法により、膜厚約120nmのAl23が得
られた。 【0039】なお、この保護膜の成膜に関しては、成膜
法、保護膜などを限定するものではなく、蒸着、プラズ
マCVD、熱CVDなどの成膜法を用いても良く、保護
膜はチタニア、窒化シリコンなどでも良い。 【0040】また、保護膜成膜室と上記成膜装置とは大
気開放する必要が無いように連結された構造であること
が望ましいが、装置の制約上、大気開放せざるを得ない
場合もありうる。その場合は、エージング工程を終了
し、大気中にワークを取り出した後、速やかに保護膜成
膜室に移動させればよい。目安としては10分間程度の
間に上記移動作業を完結させるのが望ましい。 【0041】このように、本製造方法によれば、基板1
の上に積層体8を形成した後、下部電極2と上部電極7
との間に電流を印加するエージング工程を行い、このエ
ージング工程の後に保護膜9を形成することによって、
本実施形態の有機EL素子S1ができあがる。 【0042】ところで、上記製造方法によれば、素子の
発光部分となる積層体8を形成し、保護膜9を形成する
前に、有機EL素子の使用における初期破壊を前もって
発生させて除外してしまうエージング工程を行うように
している。そのため、エージング時の初期破壊による保
護膜9の割れは発生しない。したがって、エージングに
起因する保護膜9のダークスポットの発生を低減するこ
との可能な製造方法が提供される。 【0043】具体的に、エージング前に保護膜9を成膜
した比較例としての素子と、エージング後に保護膜9を
成膜した本実施形態の素子とについて、駆動評価試験を
実施した。 【0044】上記比較例としての素子は、図3に示す工
程図、すなわち従来の有機EL素子の製造工程に基づい
て作成した。つまり、ガラス基板1を洗浄し、ITO膜
2を成膜し、ITO膜2の研磨を行い、その上に各層3
〜7を成膜して積層体8を形成し、その上に保護膜9を
形成した後、エージングを行って、比較例の素子を作成
した。 【0045】上記駆動評価試験によれば、比較例では、
評価開始後50時間以内にダークスポットが頻発したの
に対し、本実施形態では、500時間経過した後でもダ
ークスポットの発生は見られなかった。 【0046】また、上記した本実施形態の製造方法で
は、保護膜の成膜前に酸素を含んだ雰囲気中でエージン
グを実施している。そのため、陰極金属がエージング雰
囲気に露出しているため陰極7の表面酸化による陰極7
の絶縁化が可能となり、初期破壊モード発生時において
陰極7と陽極2との間のショートを防止できるという効
果もある。反対に、従来製法のように、エージング前に
保護膜を形成してしまうと当該ショートが発生する確率
が高くなる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
Organic EL (electroluminescence)
And a method for manufacturing the element. [0002] 2. Description of the Related Art An organic EL device is mounted on a substrate such as glass.
The lower electrode, the organic layer including the light emitting layer, and the upper electrode
It is formed by forming a laminated body which is sequentially laminated. Where the organic layer
In addition to the light emitting layer, the positive
Light is emitted from the hole transport layer for transporting holes and the other electrode
An electron transport layer for transporting electrons to the layer is formed.
You. [0003] Then, holes and electrons are transferred from the upper and lower electrodes to the light emitting layer.
Inject electrons and recombine these holes and electrons in the light-emitting layer.
And emit light using the energy at that time.
I have. In addition, in the organic EL element, the laminate is externally provided.
A protective film to protect the laminate from moisture and foreign matter
Usually, it is provided so as to cover. Further, luminance characteristics of a laminate including a light emitting layer
Before shipment for the purpose of stabilizing the characteristics of organic EL elements.
That is, in the manufacturing process, between the lower electrode and the upper electrode
Considering the aging process of applying current
I have. In other words, the aging step is based on the use of the organic EL element.
Of element destruction roughly classified into initial destruction and wear destruction
Premature initial destruction of the state is excluded
It is a process. An organic EL device having such a protective film is
Regarding aging in, for example, JP-A-8-18
A method described in Japanese Patent No. 5979 has been proposed. This public
According to the report, after forming a protective film on the organic EL element,
The above laminate was formed on a substrate, and a protective film was formed thereon
Later, aging can be performed to stabilize the characteristics.
Proposed. [0006] SUMMARY OF THE INVENTION However, the present invention
According to the study by the people and others, the aging described in the above-mentioned conventional gazette
In the manufacturing method that performs
It was found that there was a limit to the suppression of dark spots. This
Here, a dark spot is defined by moisture in the operating environment.
This is a non-light-emitting portion formed by: The present inventors have proposed an organic EL device having a protective film.
After aging was performed after forming the
Frequent occurrence of dark spots relatively early after
The degree has increased. Therefore, the starting point of the dark spot is described in detail.
After examination, the cause of the origin is usually easily
Poor pinholes and poor shape coverage as expected.
It turned out that it was not only due to the parts that did not. In other words, when aged,
Initial destruction of the organic EL element due to film quality change or foreign matter
However, many of the dark spots start from this element
This is due to cracking of the protective film due to the impact at the time of breakage.
It became clear. [0010] Specifically, the center of the crack in the protective film is heat
Degraded as if melted, tens of μ from the center
cracks spread radially over m
Met. This part becomes an entry path for moisture etc.
Obviously, this leads to the occurrence of a work spot. As described above, from the above examination, it was found that
The dark spot presumed to be
The part with good coverage is the initial fracture mode during aging.
It is concluded that this occurred due to the occurrence of a code. In view of the above problems, the present invention forms a protective film.
And aging to stabilize the luminance characteristics, etc.
In the method of manufacturing an organic EL device to be performed,
To reduce the occurrence of dark spots on the protective film
Aim. [0013] Means for Solving the Problems The invention according to claim 1
Is based on the findings obtained by the above-mentioned studies by the present inventors.
The lower power supply was placed on the substrate (1).
Electrode (2), organic layer including light emitting layer (5), and upper electrode
(7) is sequentially laminated to form a laminate (8).
Organic E in which the laminate of the above is covered with a protective film (9).
In a method for manufacturing an L element, a laminate is formed on a substrate.
Then apply an electric current between the lower and upper electrodes.
Perform a aging process, and after this aging process,
It is characterized by forming. As described above, the aging process is
Preliminarily caused initial destruction in the use of organic EL elements.
This is the process of exposing the garbage and excluding it. In the present invention, the element
Before forming a protective film by forming a laminate to be the light emitting portion of
Aging the laminate to cause the initial fracture
Will be. [0015] Then, in advance, the laminate
Aging because a protective film is formed on top
Cracking of the protective film due to initial destruction does not occur. But
Thus, according to the present invention, the protection film due to aging
Manufacturing method capable of reducing occurrence of dark spots
Is provided. The symbols in parentheses of the above means are described later.
Showing the correspondence with the specific means described in the embodiment.
It is an example. [0017] BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
Will be described. FIG. 1 shows an embodiment according to the present invention.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing one structural example of a device EL element S1. On a glass substrate 1 as a substrate, a lower part
ITO film 2 as electrode, CuPc as hole injection layer
(Copper phthalocyanine) film 3, aromatic as hole transport layer
Tertiary amine film 4, Alq (8-hydroxy
(Shiquinoline aluminum complex) film 5, as electron injection layer
LiF (lithium fluoride) film 6 as upper electrode
An Al (aluminum) film 7 is formed. Here, ITO (oxidation of indium and tin)
Material) The film 2 is configured as an anode, the Al film 7 is configured as a cathode, and Li
The F film 6 is configured as a part of the cathode. And book
In the example, each of the layers 3 to 5 sandwiched between the electrodes 2 and 7 is an organic layer.
It is configured as And these electrodes and organic
The layers 8 constitute a laminate 8. On the glass substrate 1, the above-mentioned laminate
Alumina (Al) as a protective film so as to cover
TwoOThree) A film 9 is formed. The alumina film 9
The laminate 8 is protected from moisture and foreign matter from outside.
You. In such an organic EL element S1,
By applying an electric field to the upper and lower electrodes 2 and 7, the ITO film is formed.
2 from the Al film 7 into the Alq film 5,
Electrons are injected into the film 5 and these holes and electrons are transferred to the Alq film 5.
And recombine, and light is emitted by the energy at that time.
It has become so. The organic EL device according to this embodiment is
In addition to the above-described FIG.
The organic layer including the layer and the upper electrode are sequentially laminated
A laminate is formed, and the laminate is covered with a protective film.
What is necessary is just a structure. In addition, each layer of the laminate and protection
Used for ordinary organic EL devices as a film material constituting the film
Used in organic EL devices
It is sufficient if it is a material with a limitation, and it is limited to the film material shown in FIG.
It is not done. Next, the organic EL element S1 shown in FIG.
Manufacturing method of organic EL device of the present embodiment based on configuration
Is described. FIG. 2 shows a process chart of this manufacturing method. After cleaning the glass substrate 1, a sputtering method or the like is used.
To form an ITO film 2. And the table of ITO film 2
Polish the surface. After that, each layer 3 to 7 is formed on the ITO film 2.
A film is formed to form a laminate 8. Specifically, a glass substrate 1 with an ITO film
Is set in a film forming apparatus, and a CuPc film is formed on the ITO film 2.
3 is, for example, an aromatic tertiary amine film 4 having a thickness of 15 nm.
If the Alq film 5 has a thickness of, for example,
The iF film 6 is, for example, 0.5 nm in thickness, and the Al film 7 is, for example, a film.
In order to achieve a thickness of 150 nm, vacuum evaporation
To form a film. The substrate 1 on which the laminate 8 is formed in this manner is
It is completed. Hereinafter, this is referred to as a film formation substrate 1. Next, an aging step is performed. That is,
The film forming substrate 1 is placed in the film forming apparatus without opening to the atmosphere.
Conveyed to the glove box connected to the device. In this glove box, dry nitrogen
It is filled with a mixed gas of oxygen. Its dew point is preferable
Is preferably −80 ° C. or less. This is all dark spots
It is a condition that does not grow or grow. At least as an upper limit
-50 ° C is a standard. The dew point is, for example, about 10 hr.
In this case, the exposure time to the
Spots are generated, but the emission area is reduced
The fraction can be made extremely small. Of course
The dark spot growth is exposed to the aging atmosphere
Exposure to aging atmosphere as it grows over time
The shorter the dew time, the worse (higher) the dew point.
It is possible in principle. On the other hand, the oxygen concentration is at least 1% or more and 1%.
0% or less is desirable. Aging effect is less than 1%
become weak. Specifically, frequent short-circuits between the cathode and anode
And it is difficult to cause the desired initial fracture.
It becomes difficult. On the other hand, if it exceeds 10%, the dark spot
Growth becomes remarkable. But this is also a dew point
Like, it depends on the exposure time to the aging atmosphere
The higher the oxygen concentration, the shorter the aging time
It is possible in principle. The glove box has a power supply
And electrodes 2 and 7 on the film forming substrate 1 through the probe pins
Lighting jig that can make electrical connection is provided
And the light emitting layer on the film forming substrate 1 in the glove box
5 can be turned on. In this example, the glove box
The driving conditions in the aging process were determined as follows.
The rationale is to apply a higher load than the driving conditions in the market
The conditions were set so that the initial destruction mode could be removed. Specifically
Is 1/6 of the reverse bias 16V which is the driving condition in the market.
Aging condition is reversed via 4 duty drive.
5V overload, such as 21V, aging
The time was set to 10 minutes. This eliminates the initial destruction mode.
Was. This was determined from the Weibull plot. Note that this
The aging condition is arbitrary as long as the initial failure mode can be removed.
The reverse bias and the driving waveform are not limited to these. Subsequently, after the aging step, aging
The deposited film forming substrate 1 is placed in the film forming apparatus without opening to the atmosphere.
It is transported to the protective film deposition chamber, which is one of the chambers. And this
In the protective film forming chamber, the alumina film 9 as the protective film is AL
E (Atomic Layer Epitaxy) method
A film having a thickness of 120 nm was formed. Specific film forming conditions are as follows.
You. The chamber for forming the protective film is evacuated to about 40 Pa,
NTwoThe substrate is heated while flowing gas at about 400 sccm,
The substrate temperature was stabilized at 100 ° C. After that, TMA
Limethyl aluminum) and HTwoO in the raw material bottle
At room temperature and the carrier gas NTwoGas 400s
It was alternately introduced into the reactor at ccm. [0036] The gas to the reactor is first vaporized TMA.
After introducing for 0.6 sec, other than molecules adsorbed on the substrate surface
Purge to remove excess TMA present in the gas phase
As NTwoGas was introduced for 2.4 sec. Then similar
To vaporize HTwoO for 1.0 sec, N TwoPurge is 4.0 sec
The film was formed for a gas introduction time of This TMA introduction → purge → HTwoO introduction → pa
The cycle of page was repeated 1500 times to form a film. This
During the reaction, the pressure of the reactor is 150 to 300 Pa,
The temperature was kept at 100 ° C. by a heater in the reactor.
The protective film formed at 80 ° C. has a very high moisture permeability.
High and did not function as a protective film to prevent humidity. One
That is, the film formation temperature is 80 ° C. or higher and the Tg point of the organic layer material or lower.
Is desirable. After the film formation is completed, NTwo400 s of gas
The substrate was cooled while being introduced while the substrate temperature was 70 cm.
When the temperature reaches ℃, the reactor is brought to atmospheric pressure and the substrate is taken out
Was. By this method, an Al film having a thickness of about 120 nm is formed.TwoOThreeGet
Was done. Incidentally, regarding the formation of the protective film,
Method, protective film, etc.
A film forming method such as CVD or thermal CVD may be used for protection.
The film may be titania, silicon nitride, or the like. The protective film forming chamber and the above film forming apparatus are large.
Structured so that there is no need to open
But it is necessary to open to the atmosphere due to equipment limitations.
There may be cases. In that case, finish the aging process
After the work is taken out into the atmosphere, the protective film
What is necessary is just to move to a membrane chamber. As a guide, about 10 minutes
It is desirable to complete the moving operation in the meantime. As described above, according to the present manufacturing method, the substrate 1
After forming the laminate 8 on the lower electrode 2 and the upper electrode 7
An aging step of applying a current between the
By forming the protective film 9 after the aging step,
The organic EL element S1 of the present embodiment is completed. By the way, according to the above manufacturing method, the device
A laminate 8 to be a light emitting portion is formed, and a protective film 9 is formed.
Before doing the initial destruction in the use of organic EL devices,
Perform an aging process that generates and excludes
are doing. Therefore, protection due to initial destruction during aging
No cracking of the protective film 9 occurs. Therefore, in aging
The occurrence of dark spots on the protective film 9 due to
A possible manufacturing method is provided. Specifically, a protective film 9 is formed before aging.
And a protection film 9 after aging.
A drive evaluation test was performed on the film-formed device of this embodiment with the device of the present embodiment.
Carried out. The device as the comparative example is a device shown in FIG.
Process diagram, that is, based on the conventional organic EL element manufacturing process
Created. That is, the glass substrate 1 is cleaned and the ITO film
2 is formed, and the ITO film 2 is polished.
To 7 to form a laminate 8, on which a protective film 9 is formed.
After forming, aging is performed to create a device of the comparative example
did. According to the driving evaluation test, in the comparative example,
Dark spots occurred frequently within 50 hours after the start of evaluation
In contrast, in the present embodiment, even after 500 hours have elapsed,
No spots were found. Further, in the manufacturing method of the present embodiment described above,
Before the protective film is formed,
Has been implemented. As a result, the cathode metal
Since the cathode 7 is exposed to the atmosphere, the cathode 7 is oxidized on the surface of the cathode 7.
Can be insulated, and when the initial destruction mode occurs,
The effect that the short circuit between the cathode 7 and the anode 2 can be prevented.
There is fruit. Conversely, before aging, as in the conventional manufacturing method
Probability that the short circuit will occur if a protective film is formed
Will be higher.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の実施形態に係る有機EL素子を示す概
略断面図である。 【図2】上記実施形態の有機EL素子の製造方法を示す
工程図である。 【図3】従来の有機EL素子の製造工程を示す工程図で
ある。 【符号の説明】 1…ガラス基板、2…上部電極としてのITO膜、5…
発光層としてのAlq膜、8…積層体、9…保護膜とし
てのアルミナ膜。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic sectional view showing an organic EL device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a process chart showing a method for manufacturing the organic EL device of the embodiment. FIG. 3 is a process chart showing a manufacturing process of a conventional organic EL element. [Description of Signs] 1 ... Glass substrate, 2 ... ITO film as upper electrode, 5 ...
An Alq film as a light emitting layer, 8 ... a laminate, 9 ... alumina film as a protective film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板(1)の上に、下部電極(2)、発
光層(5)を含む有機層、および上部電極(7)が順次
積層されてなる積層体(8)を形成し、この積層体を保
護膜(9)にて被覆するようにした有機EL素子の製造
方法において、 前記基板の上に前記積層体を形成した後、前記下部電極
と前記上部電極との間に電流を印加するエージング工程
を行い、このエージング工程の後に前記保護膜を形成す
ることを特徴とする有機EL素子の製造方法。
Claims: 1. A laminate (1) comprising a substrate (1), a lower electrode (2), an organic layer including a light-emitting layer (5), and an upper electrode (7) sequentially laminated. 8), wherein the laminated body is covered with a protective film (9). In the method for manufacturing an organic EL device, the laminated body is formed on the substrate, and then the lower electrode and the upper electrode are formed. An aging step of applying a current between the steps, and forming the protective film after the aging step.
JP2001372918A 2001-12-06 2001-12-06 Manufacturing method of organic el element Pending JP2003173873A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001372918A JP2003173873A (en) 2001-12-06 2001-12-06 Manufacturing method of organic el element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001372918A JP2003173873A (en) 2001-12-06 2001-12-06 Manufacturing method of organic el element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003173873A true JP2003173873A (en) 2003-06-20

Family

ID=19181723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001372918A Pending JP2003173873A (en) 2001-12-06 2001-12-06 Manufacturing method of organic el element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003173873A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006077767A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Pioneer Corporation Organic el element manufacturing method and organic el element obtained by the same
JP2009152102A (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Sony Corp Method of manufacturing organic light-emitting device
WO2013051070A1 (en) * 2011-10-07 2013-04-11 パナソニック株式会社 Light-emitting element and light-emitting element manufacturing method
WO2013051071A1 (en) * 2011-10-07 2013-04-11 パナソニック株式会社 Light-emitting element and light-emitting element manufacturing method
JP2014063573A (en) * 2012-09-20 2014-04-10 Denso Corp Organic el display device
JPWO2013051071A1 (en) * 2011-10-07 2015-03-30 パナソニック株式会社 Light emitting device and method for manufacturing light emitting device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006077767A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Pioneer Corporation Organic el element manufacturing method and organic el element obtained by the same
JP2009152102A (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Sony Corp Method of manufacturing organic light-emitting device
JP4626649B2 (en) * 2007-12-21 2011-02-09 ソニー株式会社 Manufacturing method of organic light emitting device
US7935544B2 (en) 2007-12-21 2011-05-03 Sony Corporation Method of manufacturing organic light-emitting device
KR101556987B1 (en) * 2007-12-21 2015-10-05 가부시키가이샤 제이올레드 Method of manufacturing organic light-emitting device
WO2013051070A1 (en) * 2011-10-07 2013-04-11 パナソニック株式会社 Light-emitting element and light-emitting element manufacturing method
WO2013051071A1 (en) * 2011-10-07 2013-04-11 パナソニック株式会社 Light-emitting element and light-emitting element manufacturing method
CN103843457A (en) * 2011-10-07 2014-06-04 松下电器产业株式会社 Light-emitting element and light-emitting element manufacturing method
JPWO2013051071A1 (en) * 2011-10-07 2015-03-30 パナソニック株式会社 Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
US9490451B2 (en) 2011-10-07 2016-11-08 Joled Inc. Light-emitting element and light-emitting element manufacturing method
JP2014063573A (en) * 2012-09-20 2014-04-10 Denso Corp Organic el display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0414794A (en) Manufacture of organic electroluminescence element
EP1410692B1 (en) Method of fabricating organic electroluminescent display
US20060250079A1 (en) Intermediate layers treated by cf4-plasma for stacked organic light-emitting devices
CN109950424B (en) OLED thin film packaging layer and preparation method thereof
JP2004139746A (en) Method for manufacturing organic el element
WO2000005928A1 (en) Organic el device
JP4094804B2 (en) Manufacturing method of organic EL device
JP3531680B2 (en) Manufacturing method of organic EL device
JP4046512B2 (en) Method for manufacturing light-emitting device
JP2003173873A (en) Manufacturing method of organic el element
JP4310843B2 (en) Method for manufacturing organic electroluminescent device
EP1679755A1 (en) Organic electroluminescence device and method of producing the same
JP4930128B2 (en) Organic EL device and method for manufacturing the same
US20040195966A1 (en) Method of providing a layer including a metal or silicon or germanium and oxygen on a surface
JP2000208253A (en) Organic electroluminescent element and manufacture thereof
JP2007234325A (en) Organic electroluminescent element and its manufacturing method
JP5173769B2 (en) Manufacturing method of organic EL element
JP2006134660A (en) Manufacturing method of organic el element
KR100483165B1 (en) Method of Making Organic Electro luminescent Display
JP2001313168A (en) Organic electroluminescent element and manufacturing method of the same
JP5574421B2 (en) Method for manufacturing organic electroluminescent lighting device
JP3571020B2 (en) Organic EL device and manufacturing method thereof
JP2003168565A (en) Organic el element
JP2005310639A (en) Manufacturing method of organic el element
JP2010033794A (en) Method of manufacturing organic electroluminescent element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040906

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070316

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070611

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071002