KR100483165B1 - Method of Making Organic Electro luminescent Display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 보호층을 소자의 다른 부분에 영향을 주지 않고 열처리하여 소자특성 및 신뢰성을 개선시킨 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 투명 기판 상에 양극층, 유기 전계 발광층, 그리고 음극층을 순차적으로 형성하는 단계와 상기 음극층을 포함하는 투명 기판상에 보호층을 형성하는 단계와 상기 보호층을 국부적으로 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to the protection layer by heat treatment without affecting the rest of the device manufacturing method of the device characteristics and an organic EL which improves the reliability display device, the anode layer on a transparent substrate, an organic electroluminescent layer, and a cathode layer a characterized in that it includes a step comprising the steps of: a local heat treatment in the step of forming a protective layer on a transparent substrate and the protective layer including the negative electrode layer formed in sequence.

Description

유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법{Method of Making Organic Electro luminescent Display} Method of manufacturing an organic electro-luminescence display device {Method of Making Organic Electro luminescent Display}

본 발명은 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 보호층을 소자의 다른 부분에 영향을 주지 않고 열처리하여 소자 특성 및 신뢰성을 개선시킨 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing, and more particularly a protective layer of an organic light emitting device having improved characteristics and reliability by heat treatment without affecting other parts of the device display element according to the method of manufacturing an organic electro-luminescence display device.

최근 정보 통신 기술의 발달하면서 정보화 사회에 부응하기 위한 소비자의 요구가 다양화하고, 이로 의해 전자 디스플레이 소자의 수요도 증가되고 있다. Tuesday, while the recent development of information and communication technology, a variety of user needs to respond to the information society, which has been increased by the demand of the electronic display device. 다양한 소비자의 요구를 만족시키기 위하여, 전자 디스플레이 소자는 고정세화, 대형화, 저가격화, 고성능화, 박형화, 소형화 등의 특성을 가질 필요가 있으며, 이를 위해, 기존의 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT) 이외에 새로운 평판 디스플레이(Flat Panel Display: FPD) 소자가 개발되고 있다. In addition: (CRT Cathode Ray Tube) to satisfy various consumer demands, electronic display devices high-resolution, large-sized, low price, it is necessary to have properties such as high performance, thin, small size, To this end, the conventional cathode ray tube the new flat panel display (flat Panel display: FPD) devices have been developed.

현재 사용되거나 연구 중인 평판 디스플레이에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display), 발광 다이오드(Light Emitting Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 진공 형광 표시판(Vacuum Fluorescence Display) 및 전계 발광 표시소자 등이 있다. A flat panel display that is currently in use or study, there are a liquid crystal display device (Liquid Crystal Display), light-emitting diode (Light Emitting Display), PDP (Plasma Display Panel), a vacuum fluorescent display panel (Vacuum Fluorescence Display) and electro-luminescence display device .

이중에서 전계 발광 표시 소자는 액정 표시 소자와 같은 수광 형태의 소자에 비해 응답 속도가 빠른 자체 발광 형태로 휘도가 우수하며, 구조가 간단하고 생산시 제조가 용이하다. In the electro-luminescence display device it is double the luminance is excellent in the self-emitting type the response speed faster than the light-receiving element in the form of such as a liquid crystal display element, and the structure is simple and easy to manufacture in production. 또한 경량 박형의 장점을 갖고 있어 차세대 평판 디스플레이소자로 유망하다. It also has the advantage of lightweight, thin is promising as a next-generation flat panel display element. 전계 발광 표시 소자는 발광층으로 사용하는 물질의 종류에 따라, 유기 전계 발광 표시 소자와 무기 전계 발광 표시 소자로 분류된다. Light emitting display devices are classified into an organic electro-luminescence display device and an inorganic EL display device in accordance with the type of material used for the light emitting layer.

상술한 유기 전계 발광 표시 소자는 유리, 석영 등의 투명 기판 위에 투명 전도성 양극층, 정공주입층, 정공수송층, 유기 전계 발광층, 전자수송층, 그리고 음극층이 순차적으로 적층된다. An organic light emitting display device described above are glass, transparent conductive anode on a transparent substrate such as a quartz layer, a hole injection layer, a hole transport layer, organic light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode layer are laminated in order. 유기 전계 발광층을 이루는 유기 물질은 불순물에 의한 오염(contamination), 산화 그리고 수분 등에 매우 민감하므로 기밀한(airtight) 보호층이 필요하다. The organic material constituting the organic light emitting layer is required a tight (airtight) by the protective layer, because impurity contamination (contamination), oxidation, and is very sensitive to moisture. 특히 음극층의 경우 효과적인 전자 주입과 구동 전압을 낮추기 위해 낮은 일함수(work function)를 갖는 금속을 사용하는데, 이들 금속은 외부의 산소나 수분 등에 매우 민감하다. In particular, the negative electrode layer uses a metal having a low work function (work function) in order to reduce the effective electron injection and drive voltage, these metals are very sensitive to external oxygen and moisture. 즉, 음극층을 이루는 금속의 산화는 소자의 발광 휘도 및 발광 균일성 등의 발광 특성을 초기에 비하여 현저하게 저하시켜, 유기 전계 발광 표시 소자의 수명을 단축시킨다. That is, oxidation of the metal forming the cathode layer was significantly reduced compared with the luminescence properties such as luminescence brightness and the light emission uniformity of the device in the initial, thereby shortening the life of the organic light emitting display device.

또한 음극층을 이루는 금속 표면에 결함(defect)등의 미세한 구멍이 존재하는 경우 산소나 수분 등이 이 구멍을 통해 유기 전계 발광층으로 전달되어 유기 전계 발광층을 열화시켜 소자의 특성을 급격히 저하시킨다. In addition, when the fine pores such as defects (defect) on the metal surface forming the negative electrode layer is present such as oxygen or moisture is transferred to the organic light emitting layer through the leak will rapidly degrade the properties of the device to deteriorate the organic electroluminescent layer. 따라서 유기 전계 발광 표시소자의 신뢰성을 확보하기 위해서 음극층에 존재하는 미세한 구멍과 함께 유기 전계 발광층을 외부 공기와 차단시켜 열화(degradation)를 방지해야 한다. Thus, by blocking the organic electroluminescent layer and the outside air with the fine holes existing in the cathode layer in order to secure the reliability of an organic light emitting display devices should prevent the deterioration (degradation).

유기 전계 발광 표시소자의 유기 전계 발광층을 외부와 차단하는 종래의 방법 중 대표적인 방법은 금속캡(metal cap)을 사용하는 것이다. Representative methods of the prior art methods the organic light emitting layer of an organic light emitting display device of the external block is the use of a metal cap (metal cap).

도 1은 종래 기술의 금속 보호층을 사용하는 유기 전계 발광 표시 소자의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device using the metallic protective layer of the prior art.

금속 캡(20)을 사용하는 유기 전계 발광 표시소자(10)는 투명기판(11) 상에 투명한 전도성 물질로 양극층(12)을 적층하고, 양극층(12) 상에 정공주입층(13), 정공수송층(14), 유기 전계발광층(15), 전자수송층(17), 그리고 음극층(18)을 순차적으로 적층한다. On the organic electro-luminescence display device 10 includes a transparent substrate 11 is laminated to the anode 12 of a transparent conductive material on, and the anode 12 using a metal cap 20, the hole injection layer 13 and stacking a hole transport layer 14, the organic electroluminescence layer 15, the electron transport layer 17, and cathode layer 18. 투명기판(11) 상에 적층된 양극층(12), 정공주입층(13), 정공수송층(14), 유기 전계발광층(15), 전자수송층(17) 그리고 음극층(18)은 내부의 중앙에 제습제(19)를 가진 금속캡(20)으로 밀봉(sealing)된다. The anode 12, the hole injection layer 13, hole transport layer 14, an organic light emitting layer 15, electron transporting layer 17 and cathode layer 18 is laminated on the transparent substrate 11 is the center of the inner to be sealed (sealing) of a metal cap having a desiccant (19 and 20).

상기와 같은 금속 캡(20)을 사용하는 유기 전계 발광 표시 소자(10)는 양극층(12)과 음극층(18) 사이에 전압을 인가하면 유기 전계 발광층(15)에 정공이 정공주입층(13) 및 정공 수송층(14)을 통해 주입되고 전자가 전자 수송층(17)을 통해 주입된다. Metal cap organic light-emitting element 10 are used (20) as described above, the hole is a hole injection layer on the anode layer 12 and when a voltage is applied between the negative electrode layer 18, an organic electroluminescent layer (15) ( 13) and is injected through the hole transport layer 14, the electrons are injected through an electron transport layer (17). 그리고 유기 전계 발광층(15)에서 주입되는 전자와 정공이 재결합하여 발광한다. And emits light by the electrons and holes that are injected in the organic electroluminescent layer 15 is recombined. 여기서 정공 주입층(13), 정공 수송층(14) 및 전자 수송층(17)은 유기 전계 발광 표시 소자의 발광 효율을 증가시키는 보조적 기능을 한다. The hole injection layer 13, hole transport layer 14 and the electron-transporting layer (17) is an auxiliary function for increasing the luminous efficiency of the organic light emitting display device.

이와 같은 종래 기술의 유기 전계 발광 소자는 다음과 같은 문제가 있다. The organic electroluminescent device of the related art has the following problems.

제습제를 포함하는 금속 캡은 음극층의 표면에서 떨어져 있어 금속 캡이 완전히 접착 봉지되지 못하면 유기 전계 발광층 및 음극층이 산소 및 수분 등과 접촉되어 열화된다. A metal cap including a desiccant is degraded apart from the surface of the negative electrode layer if the metal cap is not sealed completely bonded organic electroluminescent layer and the cathode layer is in contact as oxygen and moisture. 또한 소자의 일부에 존재하는 제습제는 소자를 전면에 걸쳐 완벽하게 보호하기 어렵다. Furthermore desiccant present in the part of the device, it is difficult to completely protect the element over the entire surface. 그리고 제습제 및 금속 캡을 유기 전계 발광 표시소자 위에 접착하는 공정이 매우 복잡하다. And a step of bonding a metal cap over a desiccant and the organic electroluminescent display device is complicated.

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 유기 전계 발광 표시소자의 문제를 해결하기 위한 것으로 유기 전계 발광층 및 음극층이 산소 및 수분 등과 접촉되어 발생하는 열화를 방지하는 보호층을 형성하여, 소자의 신뢰성을 개선시키는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. The present invention forms a protective layer such as to solve the problem of the organic light emitting display device of the related art organic light emitting layer and the cathode layer is prevented from deteriorating caused in contact as oxygen and moisture, improving the reliability of the device that it is an object to provide a method of manufacturing an organic electro-luminescence display device.

이와 같은 본 발명의 목적은 다음과 같은 구성에 의해 달성된다. This object of the invention is achieved by the following configurations.

(1) 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법은 투명 기판 상에 양극층, 유기 전계 발광층, 그리고 음극층을 순차적으로 형성하는 단계와 상기 음극층을 포함하는 투명 기판상에 실리콘 계열의 절연물질을 가지는 보호층을 형성하는 단계와 그리고 상기 실리콘 계열의 절연물질을 국부적으로 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. (1) the silicon-based on the transparent substrate including the steps and the negative electrode layer to form the present method of manufacturing an organic electro-luminescence display device according to the invention has a positive electrode layer, organic light emitting layer on the transparent substrate, and the cathode layer are sequentially forming a protective layer having an insulating material as, and is characterized in that it comprises the step of heating the insulating material of the silicon-based locally.

(2) 상기 (1)과 같은 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법에 있어서, 상기 양극층과 유기 전계 발광층 사이에 정공 주입층과 정공 수송층을 개재하는 것을 특징으로 한다. (2) In the production method of an organic light emitting display device, such as the above-mentioned (1), characterized in that through the hole injection layer and a hole transport layer between the anode layer and the organic light emitting layer.

(3) 상기 (1) 또는 상기 (2)와 같은 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법에 있어서, 상기 유기 전계 발광층과 상기 음극층 사이에 전자 수송층을 개재하는 것을 특징으로 한다. (3) In the production method of an organic light emitting display device as described above (1) or (2) above, it characterized in that an electron transport layer interposed between the organic light emitting layer and the cathode layer.

(4) 상기 (1) ∼ 상기 (3) 중 어느 하나의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 음극층과 상기 보호층 사이에 제습제 층(desiccant layer)를 개재하는 것을 특징한다. (4) In the production method of any one of the organic electroluminescent device of (1) to (3) above, it is characterized in that through the desiccant layer (desiccant layer) between the cathode layer and the protective layer.

(5) 상기 (4)와 같은 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법에 있어서, 상기 제습제는 산화 칼슘, 이트륨 산화막, 그리고 산화 마그네슘 중 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 한다. (5) In the production method of an organic light emitting display device as described above (4), the desiccant is characterized by the use of a selection of calcium oxide, yttrium oxide, and magnesium oxide.

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(6) 상기 (1) ∼ 상기 (5) 중 어느 하나의 유기 전계 발광 표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 계열의 절연물질은 실리콘 산화막, 실리콘 질화산화막 그리고 실리콘 질화막 중에서 하나를 선택하여 사용하거나 둘 이상의 복합층으로 형성하는 것을 특징으로 한다. 6 (1) to (5) above either in the manufacturing method, the insulating material of the silicon-based organic light emitting display device of the, or used to select one of a silicon oxide film, a silicon nitride oxide film and a silicon nitride film It characterized by forming a composite of two or more layers.

(7) 상기 (1) ∼ 상기 (6) 중 어느 하나의 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법에 있어서, 상기 실리콘 계열의 절연물질은 펄스 레이저인 엑시머 레이저를 사용하여 열처리하는 것을 특징으로 한다. (7) the above (1) to (6) above one of the manufacturing method, the insulating material of the silicon-based organic light emitting display device of the is characterized in that the heat treatment using the pulsed laser is an excimer laser.

(8) 상기 (1) ∼ 상기 (7) 중 어느 하나의 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법에 있어서, 상기 실리콘 계열의 절연물질은 엑시머 레이져를 사용하여 열처리 파워는 10 ∼ 2000 mJ/cm2, 주변 온도는 25 ∼ 300℃로 수분 동안 열처리하는 것을 특징으로 한다. 8 (1) to (7) above in any one of the method of manufacturing an organic electro-luminescence display device, the insulating material of the silicon family of heat-treating power is 10 ~ 2000 mJ / cm2, close to an excimer laser temperature is characterized in that the heat treatment for a few minutes to 25 ~ 300 ℃.

(9) 상기 (1) ∼ 상기 (8) 중 어느 하나의 유기 전계 발광 표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 계열의 절연물질은 Ar 2 , Kr 2 , Xe 2 , ArF, KrF, XeCl, 그리고 F 2 엑시머 레이져 중 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 한다. 9 (1) to (8) above according to any one of the method for manufacturing an organic electro-luminescence display device of the insulating material of the silicon family of Ar 2, Kr 2, Xe 2, ArF, KrF, XeCl, and F 2 characterized by using a selection of an excimer laser.

(10) 상기 (1)과 같은 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법에 있어서, 상기 보호층은 실리콘 계열의 절연성 무기 물질, 수지막, 그리고 실리콘 계열의 절연성 무기물질의 3 중층으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. (10) In the production method of an organic light emitting display device, such as in item (1) above, wherein the protective layer is characterized by comprising a three-layer of insulating inorganic material, resin film, and an insulating inorganic material of silicon family of silicon-based .

(11) 상기 (1) ∼ 상기 (10) 중 어느 하나의 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법에 있어서, 상기 보호층상에 외부 보호캡을 접착 봉지하는 것을 특징으로 한다. 11 in the manufacturing method of any one of an organic light emitting display device of (1) to the above (10), characterized in that the adhesive sealing the outer protective cap to the protective layer.

(12) 상기 (1) ∼ 상기 (11) 중 어느 하나의 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법에 있어서, 상기 외부 보호캡의 물질은 유리, AS수지, ABS수지, 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(HIPS), 폴리메틸 메타크릴릭 에시드(PMMA), 폴리카보네이트 그리고 금속 중 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 한다. 12 (1) to (11) above in any one of the method of manufacturing an organic electro-luminescence display device, the material of the outer protective cap glass, AS resin, ABS resin, polypropylene (PP), polystyrene ( select HIPS), polymethyl methacrylic Acid (PMMA), polycarbonate, and one of the metals is characterized in that use.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, further details regarding the method of manufacturing an organic electro-luminescence display device according to the present invention with reference to the accompanying drawings as follows.

도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention.

본 발명에 따른 박막 보호층을 가진 유기 전계발광 표시소자(100)는 양극층(112), 정공 주입층(113), 정공 수송층(114), 유기 전계 발광층(115), 전자 수송층(117) 그리고 음극층(118)을 적층하고, 음극층(118)상에 외부의 산소나 수분 등의 침투를 차단할 수 있는 실리콘 계열의 절연 물질로 이루어진 박막의 보호층(passivation layer)(130)을 적층하여 형성한다. Show the present invention the organic light emitting with a thin protective layer of the element 100 is the anode layer 112, hole-injection layer 113, hole transport layer 114, organic light emitting layer 115, an electron transport layer 117, and formed by laminating a negative electrode layer 118, and depositing a cathode layer 118, protective layer of a thin film made of an insulating material of silicon-based in-phase to block the ingress of such external oxygen and moisture (passivation layer), (130) do.

도 3은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법의 공정 단면도이다. Figure 3 is a sectional view of the manufacturing method of the organic electro-luminescence display device according to the invention.

도 3a와 같이, 투명기판(111) 상에 복수의 양극층(112)을 형성한다. As it is shown in Figure 3a, thereby forming a plurality of anode layer 112 on a transparent substrate 111. 투명기판(111)은 글라스(glass), 석영 유리(quartz glass) 또는 투명 플래스틱 등의 투명 물질 중 하나를 선택하여 사용한다. Transparent substrate 111 is used to select one of the transparent material of the glass (glass), silica glass (quartz glass) or a transparent plastic or the like.

양극층(112)은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 진공 증착, 그리고 전자빔 방법 중 하나의 방법을 사용하여 적층하며, 사진 석판 기술을 이용하여 패터닝한다. Anode layer 112 and laminated by using a method of chemical vapor deposition, sputtering, vacuum vapor deposition, and electron beam method, and patterned by using a photolithographic technique. 양극층(112)은 두께가 100 ∼ 10,000 Å 정도이고 바람직하게는 100 ∼ 3,000 Å 정도의 두께를 사용한다. Anode layer 112 had a thickness of about 100 ~ 10,000 Å uses preferably a thickness of about 100 ~ 3,000 Å. 또한 가시광의 투과율이 100 %에 근접한 것이 바람직하나 30 % 정도 이상이면 사용이 가능하다. It is also possible to use if the transmittance of visible light at least about 30% of one or preferably close to 100%.

양극층(112)은 일 함수가 4.0 eV 이상인 금속, 합금, 전기 전도성을 가지는 화합물 또는 그 혼합물을 사용한다. Anode layer 112 is a compound or mixture having a metal, an alloy, a conductive low work function less than 4.0 eV. 예를 들면 양극층(112)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 화합물(IXO), 산화아연(TO), 주석, 금, 백금, 팔라듐 등을 단층 또는 복수층, 또는 이들의 혼합물로 형성한다. For example, the positive electrode layer 112 is formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc compound (IXO), zinc oxide (TO), tin, gold, platinum and palladium in a single layer or multiple layers, or a mixture thereof .

양극층(112)상에 유기층으로 정공 주입층(113), 정공 수송층(114), 유기 전계 발광층(115), 그리고 전자 수송층(117)을 순차적으로 적층한다. And laminating the positive electrode layer into an organic layer on a 112 hole injection layer 113, hole transport layer 114, organic light emitting layer 115, and electron transport layer 117 in order.

유기층을 저분자 유기 물질로 사용하는 경우, 정공 주입층(113)은 200 ∼ 600 Å 정도, 정공 수송층(114)은 200 ∼ 600 Å정도, 유기 전계 발광층(115)은 400 ∼ 500 Å정도, 그리고 전자 수송층(117)은 600Å 정도의 두께로 적층한다. When using the organic layer with a low-molecular organic material, a hole injection layer 113 is 200 ~ 600 Å or so, a hole transport layer 114 is 200 ~ 600 Å or so, the organic electroluminescent layer 115 is approximately 400 ~ 500 Å, and E transport layer 117 is deposited to a thickness of about 600Å.

정공 주입층(113)은 금속 프탈로시아닌 또는 무금속 프탈로시아닌이나, 또는, 4,4',4"-트리스(디-p-메틸페닐아미노) 트리페닐아민과 같은 스타버스트형 분자를 갖는 유기 물질로 형성된다. 정공 주입층(113)은 전기장 인가시에 양극층(112)의 정공을 정공 수송층(114)으로 주입시키는 기능을 한다. Hole injection layer 113 is a metal phthalocyanine or metal-free phthalocyanine, or, or, 4,4 ', 4 "-tris (di -p- methylphenylamino) is formed of an organic material having a star burst-type molecules, such as triphenylamine . hole injection layer 113 functions to inject holes in the anode layer 112 at the time of applying an electric field as a hole transport layer (114).

정공 수송층(114)은 N,N'-디페닐-N,N'-(4-메틸페닐)-1,1'-비페닐4,4'-디아민이나 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐과 같은 유기물질로 형성한다. Hole transport layer 114 is N, N'- diphenyl -N, N '- (4- methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine or 4,4'-bis [N- (1 -naphthyl) is formed of an organic material, such as -N- phenylamino] biphenyl. 정공 수송층(114)은 주입된 정공을 전기장에 의해 유기 전계 발광층(115)으로 이동시킨다. Hole transport layer 114 is moved in the organic light emitting layer 115 by the injected holes to the electric field.

유기 전계 발광층(115)는 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 알루미늄, 트리스(4-메틸-8-하이드록시퀴놀린) 알루미늄, 3-(2'-벤즈씨아조릴Benzthiazolyl)-7-N,N-디에틸아미노쿠마린, 9,18-디하이드록시벤조[h]벤조[8]퀴노[2,3-b]아크리딘-7,16-디온, 4,4'-비스(2,2'-디페닐-에텐-4-일)-디페닐, 페릴렌등과 같은 유기물질들로 형성된다. The organic electroluminescent layer 115 is tris (8-hydroxyquinoline) aluminum, tris (4-methyl-8-hydroxyquinoline) aluminum, 3- (2'-benzamide seed azo reel Benzthiazolyl) -7-N, N- diethylamino coumarin, 9,18- dihydroxy-benzo [h] benzo [8] CUNAULT [2,3-b] acridine -7,16- dione, 4,4'-bis (2,2 & apos; It is formed of an organic material, such as diphenyl, such as perylene-diphenyl-ethene-4-yl). 유기 전계 발광층(115)는 정공 수송층(114)로부터 전송된 정공과 전자 수송층(117)을 통해 전송되는 전자가 재결합하여 발광하고 지속시킨다. The organic electroluminescent layer 115 and electrons are recombined to emit light, and continue to be transmitted through the hole and the electron transporting layer 117 is transferred from the hole transport layer 114.

전자 수송층(117)은 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀린) 갈륨, 1,3-비스[5-(p-터셔리-부필페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠등과 같은 유기 물질로 형성된다. Electron-transporting layer 117 of tris (8-hydroxyquinoline) aluminum, tris (8-hydroxyquinoline) gallium, 1,3-bis [5- (p- tert-bupil phenyl) -1,3,4 oxadiazol-2-yl] is formed of an organic material such as benzene. 전자 수송층(117)은 전기장 인가 시에 음극층(118)으로부터 주입되는 전자를 유기 전계 발광층(115)으로 이동시킨다. Electron transport layer 117 and moves the electrons injected from the cathode layer 118 at the time of applying an electric field to the organic light emitting layer 115. The

고분자 유기물로 형성되는 유기 전계 발광 소자의 경우에는 피닷(PEDOT)과 피에스에스(PSS)등과 같은 버퍼층 및 폴리페닐비닐렌 유도체(poly(phenylvinylene) derivative), PPV)등과 같은 유기 전계 발광층으로 구성된 유기 적층 구조로 스핀코팅(spin coating), 딥핑(dipping), 그리고 열진공 증착법(thermal vacuum evaporation) 등과 같은 방법을 이용하여 형성한다. Organic multilayer consisting of an organic electroluminescent layer, such as the case of the organic electroluminescent device is formed of a polymer organic material has pidat (PEDOT) and blood eseueseu buffer layer, and polyphenylene vinylene derivatives such as (PSS) (poly (phenylvinylene) derivative), PPV) It is formed using a method such as a spin coating structure (spin coating), dipping (dipping), and thermal vacuum deposition method (thermal vacuum evaporation). 이때, 버퍼층은 200 ∼ 900 Å, 유기 전계 발광층은 200 ∼ 900 Å 정도의 두께로 형성한다. In this case, the buffer layer is 200 ~ 900 Å, the organic electroluminescence layer is formed to a thickness of about 200 ~ 900 Å.

전자 수송층(117)상에 음극층(118)을 형성한다. A cathode layer 118 on the electron transport layer 117. 음극층(118)은 일 함수가 4.0eV 미만 정도로 작은 금속, 예를 들면, 마그네슘, 알루미늄, 인듐, 리듐, 금, 나트륨 또는 은 등을 단층 또는 복수층, 또는 이들 혼합물로 형성된다. The cathode layer 118 is formed to a small work function metal is less than about 4.0eV, for example, magnesium, aluminum, indium, iridium, gold, sodium, or the like in a single layer or multiple layers, or a mixture thereof. 상기에서 음극층(118)은 스퍼터링, 진공 증착, 전자빔 또는 화학 기상 증착 방법으로 형성되며, 막의 두께는 100 ∼ 10,000 Å, 바람직하기는, 100 ∼3,000 Å 정도의 두께로 형성한다. The cathode layer 118 in the above is formed by sputtering, vacuum evaporation, electron beam or a chemical vapor deposition method, the film thickness thereof is formed to preferably 100 ~ 10,000 Å, the thickness of about 100 Å ~3,000.

또한 음극층(118)과 전자수송층(117) 사이에 전자 주입 효율을 증가시키기 위해 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 산화리듐(Li 2 O), 리튬-알루미늄 합금(Li:Al alloy)등을 약 1 ∼ 100 Å 의 두께로 성막 형성하기도 한다. In addition, lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), oxide lithium (Li 2 O), lithium in order to increase the electron injection efficiency, between the cathode layer 118 and the electron transport layer 117-aluminum alloy (Li: Al alloy ) sometimes it forms a film formation with a thickness of about 1 ~ 100 Å and the like.

도 3b)와 같이, 음극층(118)을 포함한 투명 기판(111)상에 보호층(130)을 적층한다. As shown in Fig. 3b), and laminating a protective layer 130 on a transparent substrate 111, including the cathode layer 118. 보호층(130)은 유기 전계 발광층 및 음극층이 열화되는 것을 억제하기 위하여 산소 및 수분 등의 침투를 방지할 수 있는 실리콘 계열의 절연 물질로 형성한다. The protective layer 130 is formed of an insulating material of silicon series that is capable of preventing penetration of oxygen and moisture, etc. In order to suppress the deterioration of the organic light emitting layer and a cathode layer. 보호층(130)은 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질산화막(SiOxNy) 또는 실리콘질화막(Si3N4 또는 SiNx) 중에서 선택된 단층막 또는 2 이상의 복수막으로, 최초 두께(d1)가 100 ∼ 50,000 Å, 바람직하기는 100 ∼ 3,000 Å 정도로 형성한다. The protective layer 130 is a silicon oxide film to preferably (SiO2), a plurality of silicon quality oxide film (SiOxNy) or a silicon nitride (Si3N4 or SiNx) a single layer selected from a film or two or more films, the first thickness (d1) is 100 ~ 50,000 Å, forms about 100 ~ 3,000 Å. 보호층(130)의 적층 방법은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 진공 증착 또는 전자빔 방법 등을 사용한다. Laminating method of the protective layer 130 using chemical vapor deposition, sputtering, vacuum deposition or electron beam methods.

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화학 기상 증착 방법을 사용하여 실리콘 계열 절연 물질로 보호층(130)을 형성하는 경우, 막 형성 온도는 25 ∼ 300 ℃ 이며, 운송 가스(carrier gas)로 불활성 기체를 이용하며, SiNx는 반응가스로 SiH 4 , NH 3 , N 2 를 사용하고, SiON는 반응가스로 SiH 4 , N 2 O, NH 3 , N2를 사용하고, SiO 2 는 반응가스로 SiH 4 와 O 2 를 사용한다. When using a chemical vapor deposition method for forming the protective layer 130 to the silicon-based insulating material, the film forming temperature is 25 ~ 300 ℃, and using an inert gas as a transport gas (carrier gas), SiNx is a reaction gas using SiH 4, NH 3, N 2, and, SiON uses SiH 4, N 2 O, NH 3, N2 as a reaction gas, SiO 2 uses SiH 4 and O 2 as the reaction gas.

스퍼터링 방법을 사용하여 실리콘 계열 절연물질로 보호층(130)을 형성하는 경우, 막 형성 온도는 25 ∼ 300 ℃ 이며, 운송 가스(carrier gas)로 불활성 기체를 이용하며, SiNx, SiON, SiO 2 는 각각 SiNx, SiON, SiO 2 타겟을 이용한다. When using the sputtering method for forming the protective layer 130 to the silicon-based insulating material, the film forming temperature is 25 ~ 300 ℃, and using an inert gas as a transport gas (carrier gas), SiNx, SiON, SiO 2 is each uses a SiNx, SiON, SiO 2 target.

또한, 실리콘 계열의 절연성 무기물질, 수지(resin)막, 그리고 실리콘 계열의 절연성 무기물질을 순차적으로 적층하여 보호층(130)을 형성하거나, 또는 수지막, 실리콘 계열의 절연성 무기물질, 그리고 수지막을 순차적으로 적층하여 보호층(130)을 형성할 수도 있다. In addition, an insulating inorganic material of silicon series, a resin (resin) film, and forming an insulating inorganic material of the laminated sequentially a protective layer 130 of silicon-based, or a resin film, an insulating inorganic material of the silicon family, and a resin film to sequentially stacked may be formed on the protection layer 130.

도 3c와 같이, 보호층(130)의 결함을 제거하기 위하여 열처리 공정을 진행한다. As shown in Figure 3c, the process proceeds to a heat treatment step in order to remove the defects of the protection layer 130. 보호층(130)은 열성장 방법에 의해 형성되지 않고, 화학 기상 증착 또는 스퍼터링 방법으로 적층되기 때문에 실리콘과 산소 또는 질소의 불완전한 결합이 다수 발생한다. The protective layer 130 is an incomplete number of a combination of silicon and oxygen or nitrogen occurs because the laminate, the chemical vapor deposition or a sputtering method is not formed by thermal growth method. 이러한 불완전한 결합으로 발생하는 다수의 미결합수(dangling bond)와 다공성으로 인해 보호층(130) 결함의 원인이 된다. Due to the large number of open hapsu (dangling bond) and porosity caused by such imperfect bonding is the cause of the protective layer 130 is defective. 즉 보호층(130)의 이러한 결함은 산소 및 수분이 투과할 수 있는 통로를 제공하게 되므로 이를 결정화를 통하여 제거하여야 한다. I.e., such a defect in the protective layer 130 is to be removed through the crystallization, so that it provides a passage through which oxygen and moisture can permeate.

실리콘계열의 화합물로 구성된 보호층(130)의 결함을 제거하기 위한 열처리 온도는 700 ∼ 1100 ℃정도이다. Annealing temperature to eliminate the defects of the protection layer 130 is made of a compound of silicon series is on the order of 700 ~ 1100 ℃. 그러나 이러한 온도는 유기 전계 발광 소자의 유기 발광층을 포함한 다른 구성 요소에 치명적인 영향을 주므로, 본 발명에서는 엑시머 레이저를 사용한 국부 열처리 공정을 진행한다. However, this temperature is because a fatal influence on the other components including an organic light-emitting layer of the organic electroluminescent device, the present invention proceeds to a local heat treatment process using excimer laser.

보호층(130)의 열처리는 Ar 2 , Kr 2 , Xe 2 , ArF, KrF, XeCl, 그리고 F 2 엑시머 레이저 중 하나를 사용한다. Thermal treatment of the protective layer 130 using Ar 2, Kr 2, Xe 2 , ArF, KrF, XeCl, and F 2 excimer lasers one. 표 1은 각 엑시머 레이저의 방출 파장을 나타낸다. Table 1 shows the emission wavelengths of the respective excimer lasers.

여기서 엑시머 레이저의 열처리 파워(annealing power)는 10 ∼ 2000 mJ/cm2, 주변 온도는 25 ∼ 300℃의 조건하에서 수 분 동안 열처리한다. The heat treatment power (annealing power) is 10 ~ 2000 mJ / cm2, the ambient temperature of the excimer laser is heat-treated for several minutes under the condition of 25 ~ 300 ℃. 그리고 보호층(130)을 열처리하는 순간 온도는 결정화가 가능한 온도이다. And the instantaneous temperature of the heat treatment for the protective layer 130 is a crystallization temperature as possible. 그리고 회수는 필요에 따라 일 회 또는 그 이상을 실시한다. And recovery is subjected to one or more times, if necessary.

열처리 후 보호층(130)은 실리콘과 산소 또는 질소와의 결합으로 이루어지는 그물 구조(network structure)를 가지고 다공성(porosity)과 미결합수에 결합된 수소함유량(hydrogen content)이 최소화된 고밀도 균질막(131)이 형성(즉, 고밀도 균질막으로의 변화)된다. Heat treatment after the protection layer 130 is bonded to the made of the net structure (network structure) to have a porous (porosity) and open the hydrogen content coupled to hapsu (hydrogen content) is minimized, a high-density homogeneous layer (131 of the silicon and oxygen or nitrogen ) is formed (that is, changes in a high density homogeneous film). 고밀도 균질막(131)은 열처리후의 두께(d2)가 10 ∼ 10,000 Å, 바람직하기는 100 ~ 2000 Å 정도 두께로 형성된다. To a high density homogeneous film 131 is preferably 10 ~ 10,000 Å, the thickness (d2) after the heat treatment is formed from approximately 100 ~ 2000 Å thickness. 그리고 그물 구조를 이루고 수소함유량이 감소되므로 외부로부터 습기 및 산소의 침투에 의해 유기 전계발광층(115) 및 음극층(118)이 열화되는 것을 방지한다. And it forms a network structure prevents the hydrogen content is reduced because by the penetration of moisture and oxygen from outside the organic EL layer 115 and cathode layer 118 is deteriorated.

표.1 Table 0.1

또한, 도면에서의 도시는 생략하였으나, 본 발명은 유기 전계 발광 표시소자 내에서 발생하는 가스방출(outgassing) 물질들에 의한 열화(degradation)를 방지하기 위해 음극층(118)과 보호층(130)사이에 제습제 층(desiccant layer)(도시하지 않음)을 형성할 수도 있으며, 이러한 제습제 층으로는 산화칼슘(CaO), 이트륨 산화막(Y2O3), 그리고 산화 마그네슘(MgO) 등의 흡습 및 흡착성이 좋은 산화 금속층(metal oxide layer)를 100 ∼ 50,000 Å, 바람직하게는 200 ∼ 10,000 Å 정도 두께로 형성할 수 있다. Also, shown in the figures but is omitted, the present invention is the cathode layer 118 and the protection layer 130 to prevent deterioration (degradation) due to outgassing (outgassing) material generated in the organic light emitting display device desiccant layer (desiccant layer) in between, and may form a (not shown), such desiccant layer is oxidized moisture absorption and adsorption, such as calcium oxide (CaO), yttrium oxide (Y2O3), and magnesium oxide (MgO) good a metal layer (metal oxide layer) can be formed in a degree 100 ~ 50,000 Å, preferably 200 ~ 10,000 Å thick.

이 후에, 투명기판(111) 상에 상술한 구조를 덮도록 유리, AS수지, ABS수지, 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(HIPS), 폴리메틸 메타크릴릭 에시드(PMMA), 폴리카보네이트 및 메탈 등으로 이루어진 외부 보호캡을 접착 봉지하여 보호층(130)의 기계적 강도를 보강할 수도 있다. After this, the glass so as to cover the above-described structure on a transparent substrate (111), AS resin, ABS resin, polypropylene (PP), polystyrene (HIPS), polymethyl methacrylic Acid (PMMA), polycarbonate, and a metal such as by adhering bags to the outer protective cap made of it may reinforce the mechanical strength of the protective layer 130.

도 4는 실리콘 계열의 절연 물질을 사용하는 보호층 중 대표적으로 실리콘 질화막의 결합 구조를 도시한 것이다. Figure 4 shows a bonding structure of a silicon nitride film as a representative of the protective layer using an insulation material of silicone series.

도 4a는 실리콘 계열의 절연물질로 이루어진 보호층(130)을 열성장이 아닌 화학 기상 증착 또는 스퍼터링, 진공 증착 방법을 사용하여 적층하기 때문에 실리콘과 질소가 완전한 결합을 이루지 못하여 다수의 미결합수(140)들이 존재하고, 다공성의 막질을 가진다. Figure 4a is a silicon and nitrogen mothayeo fulfill the complete coupling a plurality of open hapsu (140 because the laminate by using a chemical vapor deposition or sputtering, the vacuum evaporation method other than the thermal growth of the protective layer 130 made of an insulating material of silicon-based ) are present, and have a film quality of the porous. 그리고 미결합수(140)들이 수소와 결합하여 보호층(130)내에 수소 함유량을 증가시킨다. And open hapsu 140 to combine with hydrogen to increase the hydrogen content in the protective layer 130. 이러한 미결합수(140) 및 다공성 막질은 산소 및 수분의 침투가 가능한 원인을 제공한다. These open hapsu 140 and the porous membranous provides the reason for the penetration of oxygen and moisture as possible.

도 4b는 엑시머 레이저를 사용하여 열처리 공정을 실시한 후의 보호층(130)의 결합구조이다. Figure 4b is a bond structure of the protective layer 130 after subjected to the heat treatment process using excimer laser. 열처리에 의해 보호층(130)은 급속하게 결정화되어 미결합수(140)와 수소와 결합이 끊어지고, 실리콘과 질소의 결합(141)이 이루어져 미결합수(140)들이 제거된다. By thermal protection layer 130 it is being rapidly lost crystallization is combined with the open hapsu 140 and hydrogen, the bond 141 of the silicon and nitrogen removal is made to open hapsu 140. 미결합수(140)들의 제거는 수소의 함유량을 감소시키고, 또한 보호층(130)의 다공성도 최소화된다. The removal of the open hapsu 140 reduces the amount of hydrogen, and also minimize the porosity of the protective layer 130. 따라서 산소 및 수분의 침투를 억제할 수 있는 균질한 보호층(130)을 얻을 수 있다. Therefore, it is possible to obtain a uniform protective layer 130, which can suppress the penetration of oxygen and moisture.

이와 같은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다. Such a method of manufacturing an organic EL device according to the present invention has the following advantages.

즉, 본 발명은 실리콘과 산소 또는 질소와의 결합으로 이루어지는 보호층을 소자의 다른 구성 요소에 영향을 주지 않고 국부적으로 열처리하여, 수소 함유량 및 다공성(porosity)을 최소화시킨 균질막을 형성함으로써, 외부의 산소 및 수분 등의 침투를 억제하여 유기 전계 발광층 및 음극층이 열화되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. That is, the present invention, by the heat treatment locally, without affecting the protective layer made of a combination of the silicon and oxygen or nitrogen, the other components of the device, forming a homogeneous film that minimizes the hydrogen content and the porosity (porosity), the outer inhibit the penetration of oxygen and moisture, etc. and it is possible to effectively prevent the deterioration of organic light emitting layer and a cathode layer.

또한, 종래의 스퍼터링 또는 화학 기상 증착 방법으로 외부의 산소 및 수분을 차단할 수 있는 보호층을 형성하기 위해서 최소 2 ∼ 5 시간 이상의 시간을 필요로 하지만, 본 발명에서는 보호층의 레이저 열처리 공정에 불과 수 분 정도의 시간이 소요되기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 제조를 위한 공정 시간을 효과적으로 줄일 수 있다. Further, it requires at least two to more than 5 hours, but, in the present invention may be only the laser annealing process of the protective layer to form a protective layer that can block external oxygen and moisture by a conventional sputtering or chemical vapor deposition method since minute to the amount of time required, it is possible to effectively reduce the processing time for the manufacture of an organic EL device.

아울러, 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다 In addition, the preferred embodiment of the present invention are disclosed for illustrative purposes, as one of ordinary skill in the art will be various modifications, changes, additions, etc. within the spirit and scope of the invention, such modifications change and the like belonging to the scope of the following claims you will need to

도 1은 종래 기술의 유기 전계 발광 표시 소자의 단면도 1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device of the prior art

도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 단면도 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the invention

도 3은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자 제조 방법의 공정 단면도 Figure 3 is a sectional view of a method for manufacturing an organic electro-luminescence display device according to the invention

도 4는 실리콘 질화막의 결합 구조도 Figure 4 is a bonding structure of a silicon nitride film

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Description of the Related Art>

11, 111 : 투명 기판 12, 112 : 양극층 11, 111: transparent substrate 12, 112: positive electrode layer

13, 113 : 정공 주입층 14, 114 : 정공 수송층 13, 113: hole injection layer 14, 114: hole transport layer

15, 115 : 유기 전계 발광층 17, 117 : 전자 수송층 15, 115: organic electroluminescence layer 17, 117: electron transport layer

18, 118 : 음극층 19 : 제습제 18, 118: negative electrode layer 19: desiccant

20 : 메탈캡 21 : 접착제 20: metal cap 21: Adhesive

130 : 보호층 131 : 고밀도 균질막 130: Protective layer 131: high-density homogeneous film

140 : 미결합수 203 : 광원 140: open hapsu 203: light source

Claims (8)

  1. 투명 기판 상에 양극층, 유기 전계 발광층, 그리고 음극층을 순차적으로 형성하는 단계; Anode layer, an organic EL layer on the transparent substrate, and forming a cathode layer in sequence;
    상기 음극층을 포함하는 상기 투명 기판상에 실리콘 계열의 절연막으로 보호층을 형성하는 단계; Forming a protective layer with a silicon-based insulating film on the transparent substrate including the negative electrode layer;
    상기 실리콘 계열의 절연막 층을 국부적으로 열처리하여 상기 절연막 층의 표면층을 균질막으로 변화시키는 단계 The step of thermally treating the insulating layer of the silicon-based locally changing the surface layer of the insulating layer as a homogeneous film
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법. The method of manufacturing an organic electroluminescent device comprising a.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 음극층과 상기 보호층 사이에 제습제 층를 개재하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the method of manufacturing an organic electroluminescent device characterized in that the desiccant cheungreul interposed between the cathode layer and the protective layer.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제습제는 산화 칼슘, 이트륨 산화막, 그리고 산화 마그네슘 중 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법. The method of claim 2, wherein the desiccant is a method for producing an organic electroluminescent device characterized by the use of a selection of calcium, yttrium oxide, and magnesium oxide.
  4. 제 1 항 에 있어서, 상기 실리콘 계열의 절연물질은 실리콘 산화막, 실리콘 질화산화막 그리고 실리콘 질화막 중에서 하나를 선택하여 사용하거나 둘 이상의 복합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the insulating material of the silicon-based method for producing an organic electroluminescent device characterized in that by selecting one or more than one compound formed in a layer in a silicon oxide film, a silicon nitride oxide film and a silicon nitride film.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 계열의 절연물질은 엑시머 레이저를 사용하여 열처리 파워는 10 ∼ 2000 mJ/cm 2 , 주변 온도는 25 ∼ 300 ℃의 조건으로 수 분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the insulating material of the silicon-based organic electroluminescent characterized in that the heat treatment for a few minutes under the conditions of the heat treatment power using the excimer laser is 10 ~ 2000 mJ / cm 2, the ambient temperature is 25 ~ 300 ℃ method of manufacturing a light-emitting element.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 실리콘 계열의 절연물질은 Ar 2 , Kr 2 , Xe 2 , ArF, KrF, XeCl, 그리고 F 2 엑시머 레이저 중 하나를 선택하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법. 6. The method of claim 5, for producing an organic electroluminescent device characterized in that the heat treatment to the insulating material of the silicon series is selected for Ar 2, Kr 2, Xe 2, ArF, KrF, XeCl, and F 2 one of the excimer laser Way.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 보호층은 실리콘 계열의 절연성 무기 물질, 수지막, 그리고 실리콘 계열의 절연성 무기물질의 3 중층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the protective layer is produced of an organic EL device which comprises a three-layer of insulating inorganic material, resin film, and an insulating inorganic material of silicon family of silicon-based.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 보호층상에 외부 보호캡을 접착 봉지하여, 상기 외부 보호캡의 물질로 유리, AS수지, ABS수지, 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(HIPS), 폴리메틸 메타크릴릭 에시드(PMMA), 폴리카보네이트 그리고 금속 중 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 According to claim 1, wherein the adhesive sealing the outer protective cap to the protective layer, glass, AS resin as the material of the outer protective cap, ABS resin, polypropylene (PP), polystyrene (HIPS), polymethyl methacrylic Acid in (PMMA), polycarbonate and the method of manufacturing an organic electroluminescent device characterized by using a selection of metal
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