JP2003163200A - プラズマ管理方法と管理装置およびプラズマ処理方法と処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャンバ内のプラズマの状態や被処理物の状
態やプラズマ装置の状態を高精度で管理できるプラズマ
管理方法と装置ならびにプラズマ処理方法と装置を提供
すること。 【解決手段】 整合回路８とチャンバ１との間に高周波
電源６からチャンバ１に供給する電力についての基本波
と高調波との電圧と電流を検出する電圧／電流モニタ７
を設け、この電圧／電流モニタ７に解析部２６を接続さ
せ、この解析部２６にコンピュータ２７を接続させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チャンバ内のプラ
ズマの状態や被処理物の状態やプラズマ装置の状態を高
精度で管理できるプラズマ管理方法と装置ならびにプラ
ズマ処理方法と装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を製造する際の微細化技術で
重要なエッチング技術では、かっては溶液を利用した等
方性のウエットエッチング法や等方性のドライエッチン
グ法が用いられていることが多かった。その後、半導体
装置の微細化が進展するにつれて、エッチングに異方性
をもつ反応性のエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ
Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）が導入されてきた。それによ
り、高密度の半導体記憶装置等の実現が可能になってい
る。

【０００３】このマグネトロンＲＩＥ装置（以下、ＲＩ
Ｅ装置という）は、チャンバの近傍でマグネトロンを回
転させると共にチャンバ内に高周波電力を供給し、チャ
ンバ内にプラズマを発生させて被処理物に対するエッチ
ングを行うものである。

【０００４】通常、このＲＩＥ装置は、光を検出するた
めの透過窓、一般的には石英ガラスにより形成される透
過窓を通してチヤンバ内のプラズマの発光強度をモニタ
し、このプラズマ発光強度の変化点を基にエッチングの
処理状況を判断している。

【０００５】しかしながら、プラズマの発光強度をモニ
タするための透過窓の汚れ、マクネトロンの回転による
プラズマの揺れ等から、エッチングする面積が小さい場
合、例えば８インチの半導体ウエハの面積当たり１０％
以下、エッチング開口率１０％以下では、プラズマ発光
強度の変化点を検出できなくなる。

【０００６】このような問題を解決するために、プラズ
マの状態を高周波回路（ＲＦ回路）の一部と見なしてそ
のインピーダンスを検出し、このインピーダンスが変化
する点を検出する方法が用いられている。

【０００７】図５は、そのようなＲＩＥ装置の概略構成
図である。チャンバ５１内には、下部電極５２の上のス
テージに半導体ウエハなどの被処理物５３が載置されて
いる。又、チャンバ５１の内部には、外部から反応ガス
が供給されている。このチャンバ５１の外部には、リン
グ形状のマグネトロン５４が回転自在に配置されてい
る。下部電極５２には、整合回路（ＭＣ：マッチングサ
ーキット）５５を介して高周波電源５６が接続されてい
る。このうち整合回路５５は、チャンバ５１側と高周波
電源５６側とのインピーダンスを整合させるために接続
されている。

【０００８】このような構成において、チャンバ５１内
に反応ガスが供給されると共に、下部電極５２に高周波
電源５６から整合回路５５を通して高周波電力が供給さ
れる。さらに、チャンバ５１の外周でマグネトロン５４
が所定の回転周波数で回転する。これにより、チャンバ
５１内には低圧力でプラズマ５８が発生し、このブラズ
マ５８中のイオン及びラジカルにより化学反応して、被
処理物５３はエッチングされる。

【０００９】プラズマ５８のインピーダンスは、エッチ
ング時に発生した反応生成物、若しくは反応に要するイ
オンやラジカル等によって変化するため、エッチング中
とエッチング終了後とで変化する。このインピーダンス
の変化を、整合回路５５とチャンバ５１（下部電極５
２）との間に接続されたモニタ５７を用いてモニタす
る。このモニタ５７は、高周波電源５６からチャンバ５
１に供給される供給路に発生する電圧の基本波、電流の
基本波、および、それらの基本波の位相を検出し、その
モニタ信号をコンピュータ５９に送る。このコンピュー
タ５９は、モニタ５７から出力されるモニタ信号をデジ
タル化して取込み、それらの時間的変化からエッチング
終点等を決定する方法が用いられている場合が多い。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、チャンバ内に電力を供給する供給路に発生する
電圧の基本波、電流の基本波、および、それらの基本波
の位相を検出して、それらの時間的変化からエッチング
終点を決定する方法では、電圧の基本波や、電流の基本
波、およびこれら基本波の位相差のみを検出している。
ただし、これら測定対象の変化は主にカソードシースの
厚さの変化によるプラズマインピーダンスの変化を反映
していると考えられる。このため、プラズマ状態あるい
はＲＩＥ装置の状態の比較的大きな変化しか検出するこ
とができず、被処理物のエッチング形状の最適化や、チ
ャンバ内のクリーニング時期の最適化や、チャンバ内部
品の交換時期の最適化などを精度よくおこなうためには
限界があった。

【００１１】本発明はこれらの事情に基づいてなされて
もので、チャンバ内のプラズマの状態や被処理物の状態
やプラズマ装置の状態を高精度で管理できるプラズマ管
理方法と装置ならびにプラズマ処理方法と装置を提供す
ることを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明による手
段によれば、内部に被処理物を収納したチャンバ内に電
力を供給し、前記チャンバ内にプラズマを発生させて前
記被処理物に対するプラズマ処理を管理するプラズマ管
理方法において、前記チャンバ内に電力を供給する供給
路に発生する電圧、電流、および位相の少なくともいず
れか１つについて高調波成分を検出し、検出した前記高
調波成分の変化に基づいて前記チャンバ内のプラズマ状
態、前記被処理物の状態または前記プラズマ処理装置内
の状態の少なくともいずれかについて管理することを特
徴とするプラズマ管理方法である。

【００１３】また請求項２の発明による手段によれば、
前記高調波成分を検出し、検出した前記高調波成分の変
化に基づいて前記チャンバ内のプラズマ処理の終点を検
出していることを特徴とするプラズマ管理方法である。

【００１４】また請求項３の発明による手段によれば、
内部に被処理物を収納可能でガス供給システムと圧力調
整システムが接続されたチャンバと、このチャンバに整
合回路を介して電力を供給し該チャンバ内にプラズマを
発生させる高周波電源とを具えたプラズマ処理装置を管
理するプラズマ管理装置において、前記整合回路とチャ
ンバとの間に前記高周波電源から前記チャンバに供給す
る電力についての基本波と高調波との電圧と電流を検出
する電圧／電流モニタを設け、この電圧／電流モニタに
解析部を接続させ、この解析部にコンピュータを接続さ
せていることを特徴とするプラズマ管理装置である。

【００１５】また請求項４の発明による手段によれば、
内部に被処理物が収納されたチャンバ内に電力を供給
し、前記チャンバ内にプラズマを発生させて前記被処理
物に対するプラズマ処理を施すプラズマ処理方法におい
て、プラズマ処理を施す際に、前記チャンバ内に電力を
供給する供給路に発生する電圧、電流、および位相の少
なくともいずれか１つについて高調波成分を検出し、検
出した前記高調波成分の変化に基づいて前記チャンバ内
のプラズマ状態、前記被処理物の処理状態または前記プ
ラズマ処理装置内の状態の少なくともいずれかについて
管理することを特徴とするプラズマ処理方法である。

【００１６】また請求項５の発明による手段によれば、
内部に被処理物を収納可能でガス供給システムと圧力調
整システムを接続したチャンバと、このチャンバに整合
回路を介して電力を供給し該チャンバ内にプラズマを発
生させる高周波電源とを具えたプラズマ処理装置を管理
するプラズマ処理装置において、前記整合回路とチャン
バとの間に前記高周波電源から前記チャンバに供給する
電力についての基本波と高調波の電圧と電流を検出する
電圧／電流モニタを設け、この電圧／電流モニタに解析
部を接続させ、この解析部に制御部が接続させているこ
とを特徴とするプラズマ処理装置である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１８】発明者は、プラズマ処理装置のチャンバの
内部でのプラズマの状態や、被処理物の状態や、プラズ
マ処理装置の状態を精度よく把握するためには、チャン
バの内部に電力を供給する供給路に発生する電圧の基本
波、電流の基本波および基本波の位相を検出する基本波
についての検出に加えて、図１にグラフで示したよう
に、電力を供給する供給路に基本波と共に発生している
高調波（周波数が基本波のｎ倍の波：ｎは自然数）に着
目し、基本波の変化による情報に加えて、高調波の変化
を検出することにより、それらによって得られる情報量
を増やすことでプラズマ処理装置の管理の高精度化の実
現を達成できると考えた。なお、図１に示したように、
基本波と高調波、および、高調波と高調波とのそれぞれ
の間にもいくつかの波長の存在が認められる。

【００１９】電力を供給する供給路に発生する高調波の
発生の主たる原因は、シース内電流（イオン電流、電子
電流、変位電流）の存在によると考えられる。したがっ
て、高調波の変化は、基本波の変化の原因であるカソー
ドシースの厚さの変化に加えて、最もカソードシース内
の電流の変化を反映していることになる。また、高調波
はインダクタンスやキャパシタンスの存在によって変化
するため、プラズマをインピーダンスとして構成される
電気回路内の電気要素の微妙な変化によっても変化す
る。

【００２０】すなわち、高調波は、電源、整合回路、被
処理物、チャンバ内壁などの状態の変化を敏感に反映す
るので、それの変化を把握することにより、高精度なプ
ラズマ処理装置の管理を実現することができる。

【００２１】図２（ａ）〜（ｄ）および図３（ａ）〜
（ｄ）は、ＲＩＥ装置において、圧力４５ｍＴｏｒｒの
アルゴンガスによりプラズマを放電パワが２００〜８０
０Ｗで生成した場合の電圧、電流の高調波について、下
記の変換式により物理量をＲＩＥ装置をモデル化した回
路要素に変換して算出された計算値と、ＲＩＥ装置のコ
ンピュータに蓄積される実測値を比較した結果である。
なお、図２（ａ）〜（ｄ）は、電圧と出力との対比であ
り、図３（ａ）〜（ｄ）は、電流と出力との対比であ
る。また、図２（ａ）〜（ｄ）および図３（ａ）〜
（ｄ）は共に、（ａ）は基本波、（ｂ）は２次高調波、
（ｃ）は３次高調波、（ｄ）は４次高調波についての場
合を示している。

【数１】

【数２】 ただし、何れの式においてもＡ_ｃはカソード面積、Ａ_ｗ
は壁面積、ｅは電子電荷、ｎ_ｅは電子密度、ｋはボルツ
マン定数、Ｔ_ｅは電子温度、ｍ_ｉはイオン質量、ε_０は
真空誘電率、Ｖ_ｐはプラズマ電位、Ｖ_ｄｃは自己バイア
ス電位である。

【００２２】いずれの高調波でも、計算値と実測値とが
ほぼ一致しており、高調波によるプラズマの状態等の検
出が有効であることを確認できた。

【００２３】また、モデルに含まれる回路要素の値を変
化させれば、高調波が変化する。これらの回路要素はプ
ラズマ、プラズマ被処理物であるウエハ、プラズマ処理
装置から構成されており、これらの回路要素の値の変化
が高調波の変化に反映されることがわかる。

【００２４】測定された高調波はコンピュータで解析さ
れ、その解析結果に基づいてコンピュータから、後述す
るプラズマ処理装置を構成している電源制御システム、
ガス供給システム、圧力調整システム等に対して制御信
号を出してプラズマ処理条件を調整する。また、異常と
判断される場合には該当するシステムを停止する信号あ
るいは使用者に警告を発する信号を出しても良い。

【００２５】なお、プラズマの状態の異常についての発
生要因の因子は、プラズマの密度、電子温度、正イオン
密度、負イオン密度、シース電圧および気相組成等が挙
げられる。

【００２６】また、被処理体の異常についての発生要因
の因子は、削れ量、堆積膜量、表面元素構成比、表面
積、温度、質量および誘電率等が挙げられる。

【００２７】また、プラズマ処理装置の異常についての
発生要因の因子は、被処理体周辺部材の消耗量、チャン
バ内壁の処理膜の消耗量およびチャンバ内壁のプラズマ
に起因する堆積膜量等が挙げられる。

【００２８】したがって、各発生因子の変化を観察する
ことによっても、プラズマの状態の異常や被処理体の異
常やプラズマ処理装置の異常を検出することもできる。

【００２９】図４は、ＲＩＥ装置に本発明のプラズマ管
理装置を搭載したプラズマ処理装置の模式構成図であ
る。

【００３０】ＲＩＥ装置は、被処理物を内部に収納して
処理を施す円筒状の密閉容器であるチャンバ１の外部の
上方には、チャンバ１の内部にプラズマ２を低圧力で発
生させるように磁場を形成するため、回転機構３の駆動
によりの所定の回転周波数で回転する棒状の永久磁石４
が、チャンバ１の天板１ａに平行方向に回転自在に配置
されている。また、チャンバ１の外側の下方には、マッ
チングボックス５と高周波電源６が接続されている。マ
ッチングボックス５の内部にはＶ／Ｉモニタ７と整合回
路８が収納されており、高周波電源６と整合回路８との
間は、高周波電源６のインピーダンス（例えば５０Ω）
により一定になっている。それにより、チャンバ１の内
部のインピーダンス変化に応じて、電圧、電流及びそれ
らの位相差が変化して電力を一定に保つようにしてい
る。

【００３１】チャンバ１の内側には、下方には下部電極
９が配置されている。この下部電極９の上には、被処理
物としての半導体ウエハ１１を固定するための静電チャ
ック１２が設置されており、静電チャック１２にはウエ
ハ１１を載置した場合の外側に位置する周辺リング１３
が設けられている。また、下部電極９は、マッチングボ
ックス５を介して高周波電源６に電気的に接続されてい
る。

【００３２】また、チャンバ１の内側の上部には、下部
電極９に対向する凸状の上部電極１４が形成され、その
表面には反応性ガスをチャンバ１の内部に供給する複数
のガス噴出口１５が形成されている。なお、ガス噴出口
１５は、ガス流量調整器１６を介してガス供給システム
１７に接続されている。また、チャンバ１には、圧力調
整システム１８を介して真空ポンプ１９が接続され、側
壁にはチャンバ１の内部の真空度を計測するための真空
計２１が設けられている。

【００３３】マッチングボックス５は、マッチングボッ
クス５を含めたチャンバ１側のインピーダンスを高周波
電源６側のインピーダンスに整合させる機能を有してい
る。このマッチングボックス５の内部には、Ｖ／Ｉモニ
タ７および整合回路８（ＭＣ）が備えられている。この
うちＶ／Ｉモニタ７は、下部電極９に供給する高周波電
力の電圧、電流をモニタし、そのモニタ信号を出力する
機能を有している。

【００３４】プラズマ管理装置２５は、Ｖ／Ｉモニタ７
からのモニタした結果を解析する解析部２６と、コンピ
ュータ２７と、高周波電源６を制御する電源制御システ
ムとから構成されている。

【００３５】Ｖ／Ｉモニタ７に接続している解析部２６
はコンピュータ（制御部）２７に接続されており、解析
部２６またはコンピュータ２７内は、Ｖ／Ｉモニタ７か
ら出力された電圧、電流を読み取りそれらの位相差を得
る機能と、電圧の高調波、電流の高調波およびそれらの
位相差を得るための、例えば高速フーリエ変換（ＦＦ
Ｔ）機能を有している。さらに、解析部２６またはコン
ピュータ２７の内部には、ノイズ成分をカットするため
のローパスフィルタや荷重移動平均フィルタなどの信号
処理手段（不図示）を備えている。

【００３６】解析部２６またはコンピュータ２７は、得
られた電圧の高調波、電流の高調波またはそれらの位相
差の値を逐次記憶し、その変化の傾向から、チャンバ１
の内部のプラズマ２の状態、半導体ウエハ１１の状態、
チャンバ１の内部を構成する部品のいずれか１つ以上に
ついて、その変化を検出する機能を有している。

【００３７】例えば、プラズマ処理の終点を検出する場
合は、モニタ７からデジタル化されたモニタ信号を受
取、そのモニタ信号から電圧及び電流を取り出し、これ
ら電圧と電流との比、すなわち電圧／電流又は電流／電
圧を演算し、この電圧／電流又は電流／電圧の波形の変
化から被処理物３に対するエッチング処理の終点を検出
している。

【００３８】なお、コンピュータ２７は、ガス供給シス
テム１７、電源制御システムおよび圧力調整システム１
８を制御している。

【００３９】次に、上記のごとく構成された装置の作用
について説明する。

【００４０】チャンバ１の内部に反応ガスが供給される
と共に、下部電極９に高周波電源６から整合回路８を通
して高周波電力が供給される。さらに、チャンバ１の上
部に設けられた永久磁石４が所定の回転周波数で回転す
る。これにより、チャンバ１の内部には低圧力でブラズ
マ８が発生し、このプラズマ２の中のイオン及びラジカ
ルにより化学反応して、被処理物３はエッチングされ
る。

【００４１】このとき、プラズマ２の中でのエッチング
時に発生した反応生成物、もしくは反応に要するイオン
やラジカル等の量がエッチング中とエッチング終了後と
で変化し、プラズマ２のインピーダンスが変化する。

【００４２】Ｖ／Ｉモニタ７は、高周波電源６から整合
回路８を通してチャンバ１に供給される電圧及び電流を
モニタし、そのモニタ信号を出力する。

【００４３】解析部２６は、モニタ７から出力されるモ
ニタ信号を取り込み、基本波と高調波の電圧の実効値、
及び電圧と電流の位相差をデジタル化して出力する。

【００４４】コンピュータ２７は、解析部２６から出力
される信号を取込み、フィルタ処理手段によってデジタ
ルのモニタ信号に対してフィルタ処理を行い、永久磁石
４の回転周波数よりも低い周波数成分を通過させる。

【００４５】コンピュータ２７の処理による終点検出
は、これら高調波の電圧と電流との比、すなわち例えば
電圧／電流を演算し、この電圧／電流の波形の変化から
被処理物３に対する例えば、エッチングの終点を検出す
る。具体的には、先ず、電子密度が変化したのに伴い荷
重移動平均手段で、高調波の電圧／電流の波形の変化を
検出し、この電圧／電流のデータに対してガウス分布に
よる荷重移動平均を行う。次に、荷重移動平均されたデ
ータに対して予め設定された闘値と比較し、闘値を超え
た時点を被処理物３に対するエッチングの終点を検出す
る。

【００４６】なお、上記の場合は、エッチング終点を検
出するのに荷重移動平均を用いているが、高調波の電圧
と電流との比の波形から自己相関係数を逐次求め、これ
ら自己相関係数と予め設定された闘値とを比較してエッ
チング終点を検出するようにしてもよい。

【００４７】また、モニタ７により検出される高調波の
電圧又は電流のいずれか一方をコンピュータ２７で取込
み、高調波の電圧又は電流のいずれか一方の波形の変化
からエッチング終点を検出するようにしてもよい。

【００４８】なお、上述の実施の形態では、エッチング
処理の終点を検出することについて説明したが、以下の
項目についても高調波の電圧又は電流の値が変化するこ
とを、同様にＶＩモニタ７によりモニタすることによっ
て検出することができる。

【００４９】チャンバ１を構成している部品の交換につ
いては、静電チャック１２上の周辺リング１３が消耗す
ると、コンデンサ容量が変化して高調波の電圧又は電流
の値が変化するのを検出する。

【００５０】チャンバ１のクリーニング時期について
は、チャンバ１の内壁への堆積膜が厚くなり、高調波の
電圧又は電流の値が変化するのを検出する。

【００５１】プラズマ２の異常放電の検出については、
モニタしている電圧又は電流が異常に変化することで、
高調波の電圧又は電流の値が変化するのを検出する。

【００５２】プラズマ処理の異常（線幅が規格から外れ
る、膜が残る、削りすぎる等）については、エッチング
時に発生する反応生成物、若しくは反応に要するイオン
やラジカル等が異常に変化することで、高調波の電圧又
は電流が変化するのを検出する。

【００５３】電気系統の異常（リーク電流等）、モニタ
している電圧又は電流が異常に変化することで、高調波
の電圧又は電流の値が変化するのを検出する。

【００５４】これらの検出したコンピュータ２７で解析
された解析結果に基づいて、コンピュータ２７から電源
制御システム２８、ガス供給システム１７、圧力調整シ
ステム１８等に対して制御信号を出し、プラズマ処理条
件を調整する。

【００５５】また、異常と判断される場合には、高調波
の電圧又は電流の値の変化にもとづいて、コンピュータ
２７から電源制御システム２８、ガス供給システム１
７、圧力調整システム１８等に対してフィードバックし
て各種設定を変化させる。あるいは、システムを停止す
る信号あるいは使用者に警告を発する信号を出す。

【００５６】なお、上述の実施の形態では、プラズマ処
理装置として容量結合型プラズマ装置について説明した
が、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｙｃｌｏｒｉｃ Ｒ
ｅｓｏｎａｎｃｅ）やヘリコン波を用いたプラズマ装置
や、誘導結合プラズマ装置にも適用することができる。

【００５７】なお、上述の実施の形態を、半導体デバイ
ス製造用のドライエッチングを例にして示したが、本発
明は、ドライエッチングに限定されることなく、プラズ
マアッシング、プラズマＣＶＤ、プラズマスパッタ、プ
ラズマクリーニング等に適用が可能であり、半導体デバ
イスの処理のみならず、液晶パネル上の薄膜素子の処理
を目的としたプラズマ処理にも適用できる。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、高精度にプラズマ処理
状況が検出して、それにより正確な管理をおこなうこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基本波と高調波とのグラフ。

【図２】（ａ）〜（ｄ）電圧について、ＲＩＥ装置をモ
デル化した回路要素に変換して算出さした計算値と、Ｒ
ＩＥ装置のコンピュータに蓄積される実測値を比較した
グラフ。

【図３】（ａ）〜（ｄ）電流について、ＲＩＥ装置をモ
デル化した回路要素に変換して算出さした計算値と、Ｒ
ＩＥ装置のコンピュータに蓄積される実測値を比較した
グラフ。

【図４】ＲＩＥ装置に本発明のプラズマ管理装置を搭載
したプラズマ処理装置の模式構成図。

【図５】従来のＲＩＥ装置の概略構成図。

【符号の説明】

１…チャンバ、２…プラズマ、５…マッチングボック
ス、６…高周波電源、７…Ｖ／Ｉモニタ、８…整合回
路、９…下部電極、１１…ウエハ、１４…上部電極、１
７…ガス供給システム、１８…圧力調整システム、２５
…プラズマ管理装置、２６…解析部、２７…コンピュー
タ、２８…電源制御システム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 BA04 BA08 BA14 BB08 BB11 BB13 BB32 BD01 BD04 BD05 CA03 CB05 CB15 DA23

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に被処理物を収納したチャンバ内に
   電力を供給し、前記チャンバ内にプラズマを発生させて
   前記被処理物に対するプラズマ処理を管理するプラズマ
   管理方法において、 前記チャンバ内に電力を供給する供給路に発生する電
   圧、電流、および位相の少なくともいずれか１つについ
   て高調波成分を検出し、検出した前記高調波成分の変化
   に基づいて前記チャンバ内のプラズマ状態、前記被処理
   物の状態または前記プラズマ処理装置内の状態の少なく
   ともいずれかについて管理することを特徴とするプラズ
   マ管理方法。
2. 【請求項２】 前記高調波成分を検出し、検出した前記
   高調波成分の変化に基づいて前記チャンバ内のプラズマ
   処理の終点を検出していることを特徴とする請求項１記
   載のプラズマ管理方法。
3. 【請求項３】 内部に被処理物を収納可能でガス供給シ
   ステムと圧力調整システムが接続されたチャンバと、こ
   のチャンバに整合回路を介して電力を供給し該チャンバ
   内にプラズマを発生させる高周波電源とを具えたプラズ
   マ処理装置を管理するプラズマ管理装置において、 前記整合回路とチャンバとの間に前記高周波電源から前
   記チャンバに供給する電力についての基本波と高調波と
   の電圧と電流を検出する電圧／電流モニタを設け、この
   電圧／電流モニタに解析部を接続させ、この解析部にコ
   ンピュータを接続させていることを特徴とするプラズマ
   管理装置。
4. 【請求項４】 内部に被処理物が収納されたチャンバ内
   に電力を供給し、前記チャンバ内にプラズマを発生させ
   て前記被処理物に対するプラズマ処理を施すプラズマ処
   理方法において、 プラズマ処理を施す際に、前記チャンバ内に電力を供給
   する供給路に発生する電圧、電流、および位相の少なく
   ともいずれか１つについて高調波成分を検出し、検出し
   た前記高調波成分の変化に基づいて前記チャンバ内のプ
   ラズマ状態、前記被処理物の処理状態または前記プラズ
   マ処理装置内の状態の少なくともいずれかについて管理
   することを特徴とするプラズマ処理方法。
5. 【請求項５】 内部に被処理物を収納可能でガス供給シ
   ステムと圧力調整システムを接続したチャンバと、この
   チャンバに整合回路を介して電力を供給し該チャンバ内
   にプラズマを発生させる高周波電源とを具えたプラズマ
   処理装置を管理するプラズマ処理装置において、 前記整合回路とチャンバとの間に前記高周波電源から前
   記チャンバに供給する電力についての基本波と高調波の
   電圧と電流を検出する電圧／電流モニタを設け、この電
   圧／電流モニタに解析部を接続させ、この解析部に制御
   部が接続させていることを特徴とするプラズマ処理装
   置。