JP2003158095A - Ring peeling and cleaning device and manufacturing method for semiconductor device - Google Patents

Ring peeling and cleaning device and manufacturing method for semiconductor device

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JP2003158095A
JP2003158095A JP2001358968A JP2001358968A JP2003158095A JP 2003158095 A JP2003158095 A JP 2003158095A JP 2001358968 A JP2001358968 A JP 2001358968A JP 2001358968 A JP2001358968 A JP 2001358968A JP 2003158095 A JP2003158095 A JP 2003158095A
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JP
Japan
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ring
tape
peeling
cleaning
unit
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JP2001358968A
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Inventor
Matsuki Kato
松樹 加藤
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of improving work efficiency of a reproduction processing of a ring used in a dicing process of a semiconductor wafer. SOLUTION: By using a ring peeling and cleaning device 1 and automating a series of work composed of heating of the ring (hot plate part 3), peeling of a UV tape from the ring (peeling part 4), inversion of the ring (inversion part 5) and cleaning of the ring (cleaning part 6), work time required for the reproduction processing of the ring is shortened to be about 1/4 to 1/5 compared to manual work.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術に関し、特に、回路パターンが作り込まれた半導体
ウエハを切断し、個々の半導体チップに切り分けるダイ
シング工程に適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique, and more particularly to a technique effective when applied to a dicing process of cutting a semiconductor wafer having a circuit pattern formed therein and cutting it into individual semiconductor chips.

【0002】[0002]

【従来の技術】前工程で半導体ウエハ上に回路パターン
が作り込まれ、さらに検査工程で個々の半導体チップの
良、不良が判定された後、後工程で半導体ウエハは切り
分けられて、良品チップのみがパッケージで包み込まれ
る。
2. Description of the Related Art A circuit pattern is formed on a semiconductor wafer in a pre-process, and after each semiconductor chip is judged as good or bad in an inspection process, the semiconductor wafer is cut in a post-process so that only good chips are obtained. Is wrapped in a package.

【0003】本発明者は、後工程において、半導体ウエ
ハを切断し、1個1個の半導体チップに切り分ける作業
であるダイシングについて検討した。以下は、本発明者
によって検討された技術であり、その概要は次のとおり
である。
The present inventor has studied dicing, which is a work of cutting a semiconductor wafer into individual semiconductor chips in a subsequent process. The following is the technique examined by the present inventor, and the outline thereof is as follows.

【0004】まず、リングにUVテープを貼り付け、さ
らに半導体ウエハを上記UVテープに貼り付けて、半導
体ウエハをリングに固定する。次いでダイシング・ソー
と呼ばれるダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄の円形刃
を用いて半導体ウエハを縦横に切断する。
First, a UV tape is attached to the ring, a semiconductor wafer is attached to the UV tape, and the semiconductor wafer is fixed to the ring. Then, the semiconductor wafer is cut lengthwise and breadthwise using an ultrathin circular blade to which fine diamond particles are attached, which is called a dicing saw.

【0005】次に、UVテープの裏面側から紫外線を照
射してUVテープを変成させて粘着力を弱めた後、良品
チップを真空チャックでピックアップして、リードフレ
ームのアイランドに貼り付ける。
Next, after irradiating ultraviolet rays from the back side of the UV tape to transform the UV tape to weaken the adhesive force, a good chip is picked up by a vacuum chuck and attached to the island of the lead frame.

【0006】不良チップを含むウエハ残骸が付いたUV
テープは、その後リングから剥がされる。まず、ホット
プレートでリングを温めた後、ウエハ残骸が付いたUV
テープをリングから剥がし、続いてリングを洗浄して、
リングに付いたテープ糊残りを除去する。リングを温め
ることにより、テープ糊を残すことなくUVテープをリ
ングから剥がすことができる。
UV with wafer debris containing defective chips
The tape is then stripped from the ring. First, after warming the ring with a hot plate, UV with wafer debris
Remove the tape from the ring, then clean the ring,
Remove the tape glue residue on the ring. By warming the ring, the UV tape can be stripped from the ring without leaving tape glue.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リング
からUVテープを剥がして洗浄する上記一連の作業は手
作業で行っているため、一枚のリングあたり3分以上の
作業時間を要し、リングの再生処理の作業効率が低いと
いう課題が残されている。
However, since the above-mentioned series of work for peeling off the UV tape from the ring and cleaning is performed by hand, it takes 3 minutes or more for each ring, and the ring The problem remains that the work efficiency of the regeneration process is low.

【0008】本発明の目的は、半導体ウエハのダイシン
グ工程において用いられるリングの再生処理の作業効率
を向上することのできる技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the work efficiency of the recycling process of the ring used in the dicing process of a semiconductor wafer.

【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【0011】本発明は、ウエハ残骸付きUVテープが貼
り付けられたリングをセットするローダ部と、ウエハ残
骸付きUVテープが貼り付けられたリングをホットプレ
ート上で加熱するホットプレート部と、リングからウエ
ハ残骸が付いたUVテープを剥がす剥離部と、リングを
反転させる反転部と、リングを洗浄すると共に、糊くず
を除去する洗浄部と、リングを積み重ねるアンローダ部
とから構成されたリング剥離洗浄装置を用いて、リング
からUVテープを剥がして洗浄する一連の作業を自動化
するものである。
According to the present invention, a loader section for setting a ring on which a UV tape with wafer debris is attached, a hot plate section for heating a ring on which a UV tape with wafer debris is attached on a hot plate, and a ring are used. A ring peeling / cleaning device including a peeling unit for peeling off the UV tape with wafer debris, a reversing unit for inverting the ring, a cleaning unit for cleaning the ring and removing debris, and an unloader unit for stacking the rings. Is used to automate a series of operations for removing the UV tape from the ring and cleaning it.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In all the drawings for explaining the embodiments, members having the same function are designated by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.

【0013】図1は、本発明の一実施の形態であるリン
グ剥離洗浄装置の一例を示す概略構成図である。図2
は、本発明の一実施の形態であるウエハ残骸付きUVテ
ープが貼り付けられたリングを示す部材の一例であり、
(a)は部材の上面図、(b)は同図(a)のA−A′
線における部材の断面図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a ring peeling cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. Figure 2
Is an example of a member showing a ring to which a UV tape with wafer debris according to an embodiment of the present invention is attached,
(A) is a top view of the member, (b) is AA 'of the same figure (a).
It is sectional drawing of the member in a line.

【0014】リング剥離洗浄装置1は、ローダ部2、ホ
ットプレート部3、剥離部4、反転部5、洗浄部6およ
びアンローダ部7によって構成されており、各部におけ
る作業および各部間の部材の搬送は自動化されている。
The ring peeling / cleaning apparatus 1 is composed of a loader unit 2, a hot plate unit 3, a peeling unit 4, a reversing unit 5, a cleaning unit 6 and an unloader unit 7, and works for each unit and conveyance of members between each unit. Is automated.

【0015】まず、ウエハ残骸8が付いたUVテープ
(図中、網掛けのハッチングで示す)9が貼り付けられ
たリング10を、ローダ部2にセットする。ウエハ残骸
8とは、半導体ウエハを個々の半導体チップに切り分け
た後、良品チップを取り除いた半導体ウエハの残りであ
り、検査工程で不良と判定された不良チップおよび欠陥
や傷などが検出された不良チップも含まれる。また、U
Vテープ9とは、紫外線によって変成し、粘着力が変化
するテープである。
First, a ring 10 to which a UV tape (shown by hatching in the drawing) 9 with a wafer wreckage 8 is attached is set in the loader section 2. The wafer debris 8 is the rest of the semiconductor wafer obtained by separating the semiconductor wafer into individual semiconductor chips and then removing the non-defective chips, and the defective chips determined to be defective in the inspection process and the defects in which defects and scratches are detected. Chips are also included. Also, U
The V tape 9 is a tape which is modified by ultraviolet rays and whose adhesive strength changes.

【0016】次いで、ホットプレート部3でリング10
を温めてUVテープ9の糊を溶かした後、剥離部4でウ
エハ残骸8が付いたUVテープ9をリング10から剥が
す。リング10を温めるホットプレートとして、たとえ
ば温度が常温〜200℃、時間が1〜99秒の装置仕様
を備えたホットプレートを例示することができる。続い
て反転部5でリング10を反転し、洗浄部6でリング1
0を研磨布で拭き取って糊残りを除去した後、リング1
0をアンローダ部7へ搬送する。
Next, the ring 10 is formed in the hot plate section 3.
Is heated to melt the glue of the UV tape 9, and then the UV tape 9 having the wafer debris 8 attached thereto is peeled off from the ring 10 at the peeling section 4. As a hot plate for warming the ring 10, for example, a hot plate having a device specification of a temperature of room temperature to 200 ° C. and a time of 1 to 99 seconds can be exemplified. Subsequently, the reversing unit 5 reverses the ring 10 and the cleaning unit 6 reverses the ring 1.
Wipe 0 with an abrasive cloth to remove glue residue and then ring 1.
0 is conveyed to the unloader unit 7.

【0017】このように、リング10の加熱、リング1
0からのUVテープ9の剥離、リング10の反転および
リング10の洗浄からなる一連の作業を自動化すること
によって、一枚のリング10に要する作業時間を40秒
程度とすることができ、手作業に比べて作業時間を1/
4〜1/5程度に低減することができる。
Thus, heating of the ring 10 and the ring 1
By automating a series of operations including peeling of the UV tape 9 from 0, inversion of the ring 10 and cleaning of the ring 10, the work time required for one ring 10 can be set to about 40 seconds, and manual work 1 / working time compared to
It can be reduced to about 4 to 1/5.

【0018】次に、本発明の一実施の形態であるリング
剥離洗浄装置における作業の流れを図3〜図8に示すリ
ング剥離洗浄装置を構成する各部の概略構成図を用いて
説明する。
Next, the flow of work in the ring peeling cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention will be described with reference to the schematic configuration diagrams of the respective parts constituting the ring peeling cleaning apparatus shown in FIGS.

【0019】まず、図3に示すローダ部2において、以
下の作業が行われる。リングカセット11をローダにセ
ットし、リング押し出しプッシャー12でリング10a
を押し出し、リングクランプ13でリング10aをチャ
ックして搬送する。なお、リング10aは、ウエハ残骸
8が付いたUVテープ9が貼り付けられたリング10を
示す。
First, the following work is performed in the loader unit 2 shown in FIG. Set the ring cassette 11 to the loader, and push the ring pusher 12 to the ring 10a.
Is pushed out, and the ring 10a is chucked by the ring clamp 13 and conveyed. The ring 10a is the ring 10 to which the UV tape 9 with the wafer debris 8 is attached.

【0020】次いで、図4に示すホットプレート部3に
おいて、以下の作業が行われる。搬送されたリング10
aをホットプレート14上に置き、所定の温度、たとえ
ば100℃程度で所定の時間、たとえば20秒程度温め
る。
Next, the following work is performed in the hot plate section 3 shown in FIG. The conveyed ring 10
A is placed on the hot plate 14 and heated at a predetermined temperature, for example, about 100 ° C. for a predetermined time, for example, 20 seconds.

【0021】次いで、図5に示す剥離部4において、以
下の作業が行われる。ウエハ残骸8が付いたUVテープ
9が貼り付けられたリング10を吸着搬送アームを用い
てリング固定台15上に置き、ウエハ固定テーブル16
およびウエハ残骸積み重ねテーブル17によって挟む。
続いて剥がし爪18を下降させてウエハ残骸8が付いた
UVテープ9をリング10から剥がし、ウエハ残骸8が
付いたUVテープ9をウエハ残骸積み重ねテーブル17
上に乗せる。次いでウエハ固定テーブル16および剥が
し爪18を上昇させ、さらにウエハ残骸積み重ねテーブ
ル17を下降させた後、リング10を反転部5へ搬送す
る。
Next, the following work is performed in the peeling section 4 shown in FIG. The ring 10 to which the UV tape 9 with the wafer debris 8 is attached is placed on the ring fixing base 15 using the suction transfer arm, and the wafer fixing table 16
And sandwiched by the wafer debris stacking table 17.
Subsequently, the peeling claw 18 is lowered to peel off the UV tape 9 with the wafer debris 8 from the ring 10, and the UV tape 9 with the wafer debris 8 on the wafer debris stacking table 17
Put it on top. Next, the wafer fixing table 16 and the peeling claw 18 are raised, the wafer debris stacking table 17 is further lowered, and then the ring 10 is conveyed to the reversing unit 5.

【0022】次いで、図6に示す反転部5において、以
下の作業が行われる。反転テーブル19上に置かれたリ
ング10をリングクランプ20で挟んで固定し、反転テ
ーブル19を下降させた後、リング10を180度回転
させる。その後、反転テーブル19を上昇させた後、リ
ングクランプ20からリング10を開放する。
Next, the following work is performed in the reversing unit 5 shown in FIG. The ring 10 placed on the reversing table 19 is sandwiched and fixed by the ring clamps 20, the reversing table 19 is lowered, and then the ring 10 is rotated by 180 degrees. After that, after raising the reversing table 19, the ring 10 is released from the ring clamp 20.

【0023】次いで、図7に示す洗浄部6において、以
下の作業が行われる。反転部5から搬送されたリング1
0を洗浄テーブル21上に置き、研磨布ユニット22お
よび回転ブラシ23をリング10に押し当てる。洗浄テ
ーブル21を所定の回転数で回しながら研磨布ユニット
22を反復動作、回転ブラシ23を回転動作させてリン
グ10を洗浄すると共に、糊くずを排気ファン24によ
り除去する。
Next, the following work is performed in the cleaning unit 6 shown in FIG. Ring 1 conveyed from reversing unit 5
0 is placed on the cleaning table 21, and the polishing cloth unit 22 and the rotating brush 23 are pressed against the ring 10. While rotating the cleaning table 21 at a predetermined number of rotations, the polishing pad unit 22 is repeatedly operated and the rotating brush 23 is rotated to clean the ring 10, and the debris is removed by the exhaust fan 24.

【0024】最後に、図8に示すアンローダ部7におい
て、以下の作業が行われる。洗浄されたリング10をリ
ング吸着アーム25によりリング積み重ね台26へ搬送
し、リング10を積み重ねていく。
Finally, the following work is performed in the unloader section 7 shown in FIG. The washed ring 10 is conveyed to the ring stacking table 26 by the ring suction arm 25, and the rings 10 are stacked.

【0025】次に、ホットプレート部における詳細な作
業工程を説明する。図9(a)は、ホットプレート部の
装置構成を示す上面図、図9(b)は、同図(a)のB
−B′線における断面図である。図10(a)〜(f)
は、ホットプレート部における作業工程を工程順に説明
するための装置構成図である。
Next, detailed working steps in the hot plate section will be described. FIG. 9A is a top view showing the device configuration of the hot plate unit, and FIG. 9B is a B view of FIG. 9A.
It is a sectional view taken along the line -B '. 10 (a) to (f)
FIG. 3 is an apparatus configuration diagram for explaining a work process in a hot plate unit in process order.

【0026】ホットプレート部3は断熱材27、プレー
ト28およびヒータ線29によって構成されており、温
調器により所定の温度に制御することができる。
The hot plate section 3 is composed of a heat insulating material 27, a plate 28 and a heater wire 29, and can be controlled to a predetermined temperature by a temperature controller.

【0027】まず、リングクランプ13を用いてリング
10aをプレート28上に乗せた後(図10(a)〜
(c))、リングクランプ13を解除し、退避させる
(図10(d))。
First, the ring 10a is placed on the plate 28 using the ring clamp 13 (FIG. 10 (a)-
(C)), The ring clamp 13 is released and retracted (FIG. 10 (d)).

【0028】次いで、リング10aを所定温度で所定時
間加熱した後、リング搬送パッド30によってリング1
0a吸着し、次工程(剥離部4)へ搬送する(図10
(e),(f))。
Then, after heating the ring 10a at a predetermined temperature for a predetermined time, the ring 1 is moved by the ring transfer pad 30.
0a is adsorbed and conveyed to the next step (peeling unit 4) (FIG. 10).
(E), (f)).

【0029】次に、反転部における詳細な作業工程を説
明する。図11(a)は、反転部の装置構成を示す上面
図、図11(b)は、同図(a)のC−C′線における
断面図である。図12(a)〜(h)は、反転部におけ
る作業工程を工程順に説明するための装置構成図であ
る。
Next, detailed working steps in the reversing unit will be described. 11A is a top view showing the device configuration of the inversion unit, and FIG. 11B is a sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 11A. 12A to 12H are device configuration diagrams for explaining the work process in the reversing unit in process order.

【0030】反転部5は反転テーブル19およびリング
クランプ20によって構成されている。
The reversing unit 5 is composed of a reversing table 19 and a ring clamp 20.

【0031】まず、リング搬送パッド31によってリン
グ10を反転テーブル19上に置く(図12(a))。
次いでリングクランプ20を用いてリング10をクラン
プした後(図12(b),(c))、反転テーブル19
を下降させる(図12(d))。
First, the ring 10 is placed on the reversing table 19 by the ring transfer pad 31 (FIG. 12A).
Next, after the ring 10 is clamped using the ring clamp 20 (FIGS. 12B and 12C), the reversing table 19
Is lowered (FIG. 12 (d)).

【0032】次いで、リングクランプ20を180度回
転させて、リング10を反転させた後(図12
(e))、反転テーブル19を上昇させ(図12
(f))、続いてリングクランプ19を解除し、退避さ
せる(図12(g))。その後、リング搬送パッド32
によってリング10を吸着し、次工程(洗浄部6)へ搬
送する(図12(h))。
Then, the ring clamp 20 is rotated 180 degrees to turn the ring 10 upside down (see FIG. 12).
(E)), and the inversion table 19 is raised (see FIG. 12).
(F)) Then, the ring clamp 19 is released and retracted (FIG. 12 (g)). Then, the ring transfer pad 32
The ring 10 is adsorbed by means of and is transported to the next step (cleaning section 6) (FIG. 12 (h)).

【0033】次に、本発明の一実施の形態であるリング
剥離洗浄装置が適用されたダイシング工程の一例を図1
3に示す工程図を用いて説明する。
Next, an example of a dicing process to which the ring peeling cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention is applied is shown in FIG.
This will be described with reference to the process chart shown in FIG.

【0034】前工程で半導体ウエハ上に回路パターンを
作り込み、さらに検査工程で半導体ウエハ上の個々の半
導体チップの良、不良を判定する。
A circuit pattern is formed on the semiconductor wafer in the previous step, and the quality of each semiconductor chip on the semiconductor wafer is determined in the inspection step.

【0035】次いで、リングにUVテープを貼り付け、
さらに半導体ウエハをUVテープに貼り付けて、半導体
ウエハをリングに固定した後(工程100)、ダイシン
グ・ソーを用いて半導体ウエハを縦横に切断し、1個1
個の半導体チップに切り分ける(工程101)。続い
て、UVテープの裏面側から紫外線を照射してUVテー
プを変成させて粘着力を弱めた後(工程102)、半導
体チップの外観を検査し、欠けや傷などを調べる。
Then, a UV tape is attached to the ring,
Further, the semiconductor wafer is attached to a UV tape, and the semiconductor wafer is fixed to a ring (step 100). Then, the semiconductor wafer is cut vertically and horizontally by using a dicing saw, and one by one.
Divide into individual semiconductor chips (step 101). Subsequently, after irradiating ultraviolet rays from the back surface side of the UV tape to transform the UV tape to weaken the adhesive force (step 102), the appearance of the semiconductor chip is inspected to check for defects or scratches.

【0036】次いで、外観不良がなく、かつ検査工程で
良品と判定された半導体チップを選び、真空チャックで
ピックアップして(工程103)、たとえばリードフレ
ームのアイランドに貼り付ける(工程104)。その
後、半導体チップ上の電極とリードフレームのリードと
を、たとえば金線によって電気的に接続する。
Next, a semiconductor chip which has no defective appearance and is determined to be non-defective in the inspection step is picked up by a vacuum chuck (step 103) and attached to, for example, an island of a lead frame (step 104). After that, the electrodes on the semiconductor chip and the leads of the lead frame are electrically connected by, for example, a gold wire.

【0037】一方、検査工程で不良品と判定された半導
体チップおよび欠陥や傷などが検出された半導体チップ
などを含んだウエハ残骸が付いたUVテープは、前記リ
ング剥離洗浄装置1を用いた一連の作業によってリング
から剥がされる(工程105)。UVテープが剥がさ
れ、洗浄されたリングは、ダイシング工程において繰り
返し使用される。
On the other hand, a UV tape with a wafer remnant including semiconductor chips judged to be defective in the inspection process and semiconductor chips whose defects and scratches have been detected is a series using the ring peeling cleaning device 1. Is peeled off from the ring (step 105). The ring from which the UV tape has been peeled off and which has been cleaned is repeatedly used in the dicing process.

【0038】このように、本実施の形態によれば、リン
グ10の加熱、リング10からのUVテープ9の剥離、
リング10の反転およびリング10の洗浄からなる一連
の作業を自動化したリング剥離洗浄装置1を用いること
によって、リング10の再生処理に要する作業時間を手
作業に比べて1/4〜1/5程度に短縮することができ
る。
As described above, according to this embodiment, the ring 10 is heated, the UV tape 9 is peeled from the ring 10,
By using the ring peeling cleaning device 1 that automates a series of operations including inversion of the ring 10 and cleaning of the ring 10, the working time required for the regenerating process of the ring 10 is about ¼ to ⅕ compared to the manual work. Can be shortened to

【0039】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it can be changed.

【0040】たとえば、前記実施の形態では、半導体ウ
エハのダイシング工程において使用されるリングの再生
処理に適用した場合について説明したが、UVテープが
貼り付けられた部材からUVテープを剥がすいかなる工
程にも適用することが可能である。
For example, in the above-described embodiment, the case where the invention is applied to the recycling process of the ring used in the dicing process of the semiconductor wafer has been described. It is possible to apply.

【0041】[0041]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0042】半導体ウエハのダイシング工程において用
いられるリングの再生処理を自動化することによって、
手作業によるリングの再生処理よりも作業効率を向上す
ることができる。
By automating the recycling process of the ring used in the dicing process of the semiconductor wafer,
The work efficiency can be improved as compared with the ring recycling process by hand.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態であるリング剥離洗浄装
置の一例を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a ring peeling cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】(a)はウエハ残骸付きUVテープが貼り付け
られたリングの一例を示す上面図であり、(b)は同図
(a)のA−A′線における断面図である。
2A is a top view showing an example of a ring to which a UV tape with a wafer debris is attached, and FIG. 2B is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 2A.

【図3】本発明の一実施の形態であるリング剥離洗浄装
置を構成するローダ部の概略構成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a loader unit that constitutes a ring peeling cleaning device that is an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態であるリング剥離洗浄装
置を構成するホットプレート部の概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a hot plate unit that constitutes a ring peeling cleaning device that is an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施の形態であるリング剥離洗浄装
置を構成する剥離部の概略構成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a peeling unit that constitutes a ring peeling cleaning device that is an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施の形態であるリング剥離洗浄装
置を構成する反転部の概略構成図である。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a reversing unit that constitutes the ring peeling cleaning device that is an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施の形態であるリング剥離洗浄装
置を構成する洗浄部の概略構成図である。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a cleaning unit included in the ring peeling cleaning device according to the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施の形態であるリング剥離洗浄装
置を構成するアンローダ部の概略構成図である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram of an unloader unit that constitutes a ring peeling cleaning device that is an embodiment of the present invention.

【図9】(a)はホットプレート部の装置構成を示す上
面図であり、(b)は同図(a)のB−B′線における
断面図である。
9A is a top view showing a device configuration of a hot plate section, and FIG. 9B is a sectional view taken along line BB ′ in FIG. 9A.

【図10】本発明の一実施の形態であるホットプレート
部における作業工程を工程順に説明するための装置構成
図である。
FIG. 10 is an apparatus configuration diagram for explaining work steps in the hot plate section according to the embodiment of the present invention in order of steps.

【図11】(a)は反転部の装置構成を示す上面図であ
り、(b)は同図(a)のC−C′線における断面図で
ある。
11A is a top view showing a device configuration of an inversion unit, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG. 11A.

【図12】本発明の一実施の形態である反転部における
作業工程を工程順に説明するための装置構成図である。
FIG. 12 is an apparatus configuration diagram for explaining a work process in a reversing unit which is an embodiment of the present invention in process order.

【図13】本発明の一実施の形態であるリング剥離洗浄
装置が適用されたダイシング工程の一例を示す工程図で
ある。
FIG. 13 is a process chart showing an example of a dicing process to which the ring peeling cleaning device according to the embodiment of the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リング剥離洗浄装置 2 ローダ部 3 ホットプレート部 4 剥離部 5 反転部 6 洗浄部 7 アンローダ部 8 ウエハ残骸 9 UVテープ 10 リング 10a リング 11 リングカセット 12 リング押し出しプッシャー 13 リングクランプ 14 ホットプレート 15 固定台 16 ウエハ固定テーブル 17 ウエハ残骸積み重ねテーブル 18 剥がし爪 19 反転テーブル 20 リングクランプ 21 洗浄テーブル 22 研磨布ユニット 23 回転ブラシ 24 排気ファン 25 リング吸着アーム 26 リング積み重ね台 27 断熱材 28 プレート 29 ヒータ線 30 リング搬送パッド 31 リング搬送パッド 32 リング搬送パッド 1 Ring peeling cleaning device 2 Loader section 3 Hot plate part 4 Peeling part 5 Inversion section 6 Cleaning section 7 Unloader section 8 Wafer remnants 9 UV tape 10 rings 10a ring 11 ring cassette 12 ring extrusion pusher 13 ring clamp 14 hot plate 15 Fixed base 16 wafer fixed table 17 Wafer debris stacking table 18 peeling nail 19 Inversion table 20 ring clamp 21 Washing table 22 Polishing cloth unit 23 rotating brush 24 exhaust fan 25 ring suction arm 26 ring stacking stand 27 Insulation 28 plates 29 heater wire 30 ring transfer pad 31 ring transfer pad 32 ring transfer pad

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 UVテープが貼り付けられたリングの加
熱、前記リングからの前記UVテープの剥離、前記リン
グの反転および前記リングの洗浄からなる一連の作業を
自動化したことを特徴とするリング剥離洗浄装置。
1. A ring peeling characterized by automating a series of operations including heating of a ring to which a UV tape is attached, peeling of the UV tape from the ring, reversal of the ring and cleaning of the ring. Cleaning device.
【請求項2】 UVテープが貼り付けられたリングのホ
ットプレートによる加熱、前記リングからの前記UVテ
ープの剥離、前記リングの反転および前記リングの洗浄
からなる一連の作業を自動化したリング剥離洗浄装置で
あって、 前記ホットプレートによる前記リングの加熱温後は20
0℃以下であることを特徴とするリング剥離洗浄装置。
2. A ring peeling and cleaning apparatus which automates a series of operations including heating a ring to which a UV tape is attached by a hot plate, peeling the UV tape from the ring, reversing the ring and cleaning the ring. After heating the ring by the hot plate,
A ring peeling cleaning device characterized by being 0 ° C. or lower.
【請求項3】 UVテープが貼り付けられたリングをセ
ットするローダ部と、前記UVテープが貼り付けられた
前記リングをホットプレート上で加熱するホットプレー
ト部と、前記リングから前記UVテープを剥がす剥離部
と、前記リングを反転させる反転部と、前記リングを洗
浄する洗浄部と、前記リングを積み重ねるアンローダ部
とから構成されることを特徴とするリング剥離洗浄装
置。
3. A loader section for setting a ring to which a UV tape is attached, a hot plate section for heating the ring to which the UV tape is attached on a hot plate, and the UV tape is peeled from the ring. A ring peeling / cleaning apparatus comprising: a peeling unit, a reversing unit that reverses the ring, a cleaning unit that cleans the ring, and an unloader unit that stacks the rings.
【請求項4】 UVテープが貼り付けられたリングをセ
ットするローダ部と、前記UVテープが貼り付けられた
前記リングをホットプレート上で加熱するホットプレー
ト部と、前記リングから前記UVテープを剥がす剥離部
と、前記リングを反転させる反転部と、前記リングを洗
浄する洗浄部と、前記リングを積み重ねるアンローダ部
とから構成されるリング剥離洗浄装置を用いて再生処理
されたリングに、UVテープを貼り付け、さらに回路パ
ターンが作り込まれた半導体ウエハを前記UVテープに
貼り付けた後、前記半導体ウエハを切断して個々の半導
体チップに切り分けることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
4. A loader section for setting a ring to which a UV tape is attached, a hot plate section for heating the ring to which the UV tape is attached on a hot plate, and peeling the UV tape from the ring. A UV tape is applied to a ring that has been regenerated by using a ring peeling cleaning device including a peeling unit, a reversing unit that reverses the ring, a cleaning unit that cleans the ring, and an unloader unit that stacks the rings. A method of manufacturing a semiconductor device, which comprises bonding, and further bonding a semiconductor wafer having a circuit pattern formed therein to the UV tape, and then cutting the semiconductor wafer into individual semiconductor chips.
【請求項5】 (a)リングにUVテープを貼り付け、
さらに回路パターンが作り込まれた半導体ウエハを前記
UVテープに貼り付ける工程と、(b)前記半導体ウエ
ハを切断して個々の半導体チップに切り分ける工程と、
(c)前記UVテープに紫外線を照射する工程と、
(d)前記半導体チップの良品をリードフレームのアイ
ランドに貼り付ける工程と、(e)リングの加熱、前記
リングからのUVテープの剥離、前記リングの反転およ
び前記リングの洗浄からなる一連の作業を自動化したリ
ング剥離洗浄装置を用いて、前記リングからウエハ残骸
が付いた前記UVテープを剥がす工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
5. A UV tape is attached to the ring (a),
Further, a step of attaching a semiconductor wafer having a circuit pattern formed thereon to the UV tape, and (b) a step of cutting the semiconductor wafer into individual semiconductor chips.
(C) a step of irradiating the UV tape with ultraviolet rays,
(D) A process of attaching a good product of the semiconductor chip to the island of the lead frame, and (e) a series of operations including heating of the ring, peeling of the UV tape from the ring, reversal of the ring, and cleaning of the ring. And a step of peeling off the UV tape having the wafer debris from the ring by using an automated ring peeling cleaning device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102383666B1 (en) * 2020-11-27 2022-04-12 주식회사 일레븐전자 separation device of wafer film and ring
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