JP2003157978A - Organic electroluminescence device - Google Patents

Organic electroluminescence device

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JP2003157978A
JP2003157978A JP2002192850A JP2002192850A JP2003157978A JP 2003157978 A JP2003157978 A JP 2003157978A JP 2002192850 A JP2002192850 A JP 2002192850A JP 2002192850 A JP2002192850 A JP 2002192850A JP 2003157978 A JP2003157978 A JP 2003157978A
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秀樹 佐藤
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佳晴 佐藤
Kyoko Endo
恭子 遠藤
Yukichi Murata
勇吉 村田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence device using fluorochrome with low driving voltage, solidity, and excellent light emitting efficiency. SOLUTION: For the organic electroluminescence device having a substrate on which, an organic layer and a negative electrode are sequentially laminated, the organic layer contains chromone group compound shown by formula (1). In the formula, R<1> -R<4> represent hydrogen atom, alkyl group, alkoxyl group, or the like, Y represents oxygen atom, or the like, Z represents direct bond, aromatic heterocycle, or the like, and n represents 0 or 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は蛍光色素として有用
な特定の化合物を用いた有機電界発光素子に関するもの
であり 、詳しくは、有機発光層に電界をかけて光を放
出する薄膜型デバイスに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device using a specific compound useful as a fluorescent dye, and more particularly to a thin film type device that emits light by applying an electric field to an organic light emitting layer. Is.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、蛍光色素は、樹脂、染料、インク
などの種々の材料の着色に利用されているが、近年その
蛍光効率を利用して、薄膜発光素子等の電子機器分野へ
の用途が開発されている。蛍光性色素については種々の
構造および発光色の色素が知られているが、高効率で発
光し、更に堅牢性の優れた化合物は少ない。
2. Description of the Related Art Conventionally, fluorescent dyes have been used for coloring various materials such as resins, dyes, inks, etc., but in recent years, by utilizing their fluorescent efficiency, they are used in the field of electronic devices such as thin film light emitting devices. Is being developed. Regarding fluorescent dyes, dyes having various structures and emission colors are known, but few compounds emit light with high efficiency and have excellent fastness.

【0003】4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−
6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン
(以下DCMと称す)系化合物が有機電界発光素子(有機
EL素子)の発光色素として用いられることは広く知ら
れている。例えば、米国特許第4,769,292号明細書に
は、下式に示す構造を有するDCM系化合物(DCM)を使用
して橙色発光が得られた例や、下式に示すジュロリジン
構造を有するDCM系化合物(DCJ)を使用して赤色発光が
得られた例が開示されている。
4- (dicyanomethylene) -2-methyl-
It is widely known that a 6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (hereinafter referred to as DCM) compound is used as a luminescent dye of an organic electroluminescence device (organic EL device). For example, U.S. Pat.No. 4,769,292 describes an example in which orange luminescence is obtained by using a DCM compound (DCM) having a structure represented by the following formula, and a DCM compound having a julolidine structure represented by the following formula ( An example in which red emission was obtained using DCJ) is disclosed.

【0004】[0004]

【化2】 [Chemical 2]

【0005】[0005]

【化3】 [Chemical 3]

【0006】また、特開平10-308281号公報には、下記
に示すDCM系化合物(DCJTB)を使用して赤色蛍光が得ら
れた例が開示されている。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 10-308281 discloses an example in which red fluorescence is obtained by using the following DCM compound (DCJTB).

【0007】[0007]

【化4】 [Chemical 4]

【0008】さらに、有機電界発光素子の発光色素とし
て用いられる例としては、下記に示す黄色蛍光を示すル
ブレン(特開平4-335087号公報)や、緑色蛍光を示すキ
ナクリドン(米国特許第5,593,788号明細書)等が広く
知られている。
Further, examples used as a luminescent dye of an organic electroluminescence device include rubrene exhibiting yellow fluorescence (JP-A-4-335087) and quinacridone exhibiting green fluorescence (US Pat. No. 5,593,788). Is widely known.

【0009】[0009]

【化5】 [Chemical 5]

【0010】[0010]

【化6】 [Chemical 6]

【0011】特開2001−115154号公報には、
例えば下記式で表される蛍光色素が記載されており、こ
れを有機電界発光素子に使用できる旨、記載されてい
る。
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-115154 discloses that
For example, a fluorescent dye represented by the following formula is described, and it is described that it can be used in an organic electroluminescence device.

【0012】[0012]

【化7】 [Chemical 7]

【0013】しかし、われわれの研究の結果では、上記
化合物のように、クロモン骨格とアミノ置換フェニル基
がエチレン基で結合された化合物には、溶液での蛍光強
度が弱いものが多い。特開2001−167833号公
報には、下記一般式
However, according to the results of our research, many compounds, such as the above-mentioned compounds, in which a chromone skeleton and an amino-substituted phenyl group are bonded by an ethylene group have weak fluorescence intensity in a solution. JP 2001-167833 A discloses the following general formula

【0014】[0014]

【化8】 [Chemical 8]

【0015】で表される化合物を用いた有機電界発光素
子が記載されている。該公報記載の発明においては、ク
ロモン骨格とこれに結合するベンゼン環を芳香族ではな
い環構造で繋いで剛直な分子構造を形成することによ
り、輝度の向上を図っている。また、特開平7−133
482号公報には、例えばクロモン骨格を有する下記化
合物
An organic electroluminescent device using a compound represented by the following is described. In the invention described in the publication, luminance is improved by connecting a chromone skeleton and a benzene ring bonded thereto with a ring structure which is not aromatic to form a rigid molecular structure. In addition, JP-A-7-133
No. 482, for example, the following compound having a chromone skeleton:

【0016】[0016]

【化9】 [Chemical 9]

【0017】を用いた有機電界発光素子が記載されてい
る。しかし該化合物の場合、クロモン骨格に結合するベ
ンゼン環に結合する環が芳香環であるため、電子供与性
が低く、分子内におけるドナー・アクセプタ効果が弱
い。有機EL素子には、その用途の一つである携帯小型
情報端末に代表されるように、低電圧で高効率に発光す
る事が求められているが、前述の従来の化合物を用いた
有機電界発光素子では十分な発光効率がえられず、さら
なる発光効率の向上が求められている。本発明者らは、
これらの化合物に関して、分子構造を平面的な配置に固
定することより、クロモン骨格に結合しているフェニル
基のp−位にアミノ基を結合させることによって、分子
内とドナー・アクセプタ構造が形成でき、発光効率が向
上することに着目した。また、クロモン骨格とベンゼン
環とを、様々な連結基で結合することにより、例えば、
エチレン基で結合された化合物に比して強い蛍光を発す
る化合物が得られること、そして青から赤の広い波長範
囲における様々な発光色を示す化合物が容易に得られる
ことを見出した。
An organic electroluminescent device using is described. However, in the case of this compound, since the ring bonded to the benzene ring bonded to the chromone skeleton is an aromatic ring, the electron donating property is low and the donor-acceptor effect in the molecule is weak. An organic EL element is required to emit light with high efficiency at a low voltage as represented by a portable small information terminal which is one of its applications. The light emitting device cannot obtain sufficient luminous efficiency, and further improvement in luminous efficiency is required. We have
Regarding these compounds, by fixing the molecular structure in a planar arrangement, it is possible to form an intramolecular structure and a donor-acceptor structure by bonding an amino group to the p-position of the phenyl group bonded to the chromone skeleton. Attention was paid to the improvement of luminous efficiency. Further, by connecting the chromone skeleton and the benzene ring with various connecting groups, for example,
It has been found that a compound that emits strong fluorescence can be obtained as compared with a compound bonded with an ethylene group, and that a compound that exhibits various emission colors in a wide wavelength range from blue to red can be easily obtained.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】本発明は駆動電圧が低
く、堅牢性、発光効率などの特性が優れた、特定の蛍光
性色素を用いた有機電界発光素子の提供を目的とするも
のである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device using a specific fluorescent dye, which has a low driving voltage and is excellent in characteristics such as robustness and luminous efficiency. .

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、前に得ら
れた知見をもとに鋭意検討を重ね、窒素置換フェニル基
が結合した特定構造の化合物が、優れた性能を有する蛍
光性色素であることを知り本発明を達成した。即ち本発
明は、基板上に、陽極、有機層、および陰極が順次積層
されてなる有機電界発光素子において、該有機層に下記
一般式(I)で表される化合物を含有することを特徴と
する有機電界発光素子を要旨とするものである。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted extensive studies based on the findings obtained previously, and found that a compound having a specific structure in which a nitrogen-substituted phenyl group is bonded is a fluorescent compound having excellent performance. The present invention has been accomplished by knowing that it is a dye. That is, the present invention is an organic electroluminescent device in which an anode, an organic layer, and a cathode are sequentially laminated on a substrate, wherein the organic layer contains a compound represented by the following general formula (I). The subject is an organic electroluminescent device that does.

【0020】[0020]

【化10】 [Chemical 10]

【0021】(式中、R1〜R4は各々独立に水素原子、
置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有して
いてもよいアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表
し、R 5〜R10は水素原子または置換基を有していても
よいアルキル基を表す。
(Where R1~ RFourAre each independently a hydrogen atom,
Having an alkyl group which may have a substituent, having a substituent
Shows optional alkoxy groups, halogen atoms, and cyano groups.
And R Five~ RTenHas a hydrogen atom or a substituent
Represents a good alkyl group.

【0022】また、R8とR9は結合して環を形成してい
ても良いし、R7とR8、R9とR10が各々が結合して環
を形成していても良い。Yは酸素原子、またはCR11
12を表し、R11およびR12はシアノ基あるいは−C(=
O)OR13(但しR13は置換基を有していてもよいアル
キル基を表す。)を表す。
R 8 and R 9 may be combined to form a ring, or R 7 and R 8 and R 9 and R 10 may be combined to form a ring. Y is an oxygen atom or CR 11 R
And R 11 and R 12 are cyano groups or —C (=
O) OR 13 (wherein R 13 represents an alkyl group which may have a substituent).

【0023】Zは直接結合、置換基を有していてもよい
チオフェン環、置換基を有していてもよいフラン環、置
換基を有していてもよいピロール環、または置換基を有
していてもよいベンゼン環を表す。nは0または1を表
す。)
Z has a direct bond, a thiophene ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent, a pyrrole ring which may have a substituent, or a substituent. Represents a benzene ring which may be present. n represents 0 or 1. )

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
まず本発明において用いる化合物について説明する。本
発明に用いられる化合物は前記一般式(I)で示される
構造を有するものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below.
First, the compound used in the present invention will be described. The compound used in the present invention has a structure represented by the general formula (I).

【0025】一般式(I)において、R1〜R4が置換基
を有していても良いアルキル基を表す場合、アルキル基
としては例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-
プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、
t-ブチル基、n-ペンチル基、2-エチルヘキシル基等の炭
素数1〜8程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げ
られる。これらのアルキル基は置換されていても良く、
置換基としては、ヒドロキシ基、アリール基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子等が挙げられ、置換アルキル基の総
炭素数は1〜15、好ましくは1〜10である。
In the general formula (I), when R 1 to R 4 represent an alkyl group which may have a substituent, examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-
Propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group,
Examples thereof include linear or branched alkyl groups having about 1 to 8 carbon atoms such as t-butyl group, n-pentyl group and 2-ethylhexyl group. These alkyl groups may be substituted,
Examples of the substituent include a hydroxy group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen atom and the like, and the total number of carbon atoms of the substituted alkyl group is 1 to 15, preferably 1 to 10.

【0026】R1〜R4がアルコキシ基を表す場合、例え
ば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜8のアルコキシ基が挙げられる。これ
らのアルコキシ基は置換されていても良く、置換基とし
ては、ヒドロキシ基、アリール基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子等が挙げられ、置換アルコキシ基の総炭素数は
1〜15、好ましくは1〜10、更に好ましくは1〜4
である。
When R 1 to R 4 represent an alkoxy group, examples thereof include an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group and butoxy group. These alkoxy groups may be substituted, and examples of the substituent include a hydroxy group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen atom and the like, and the substituted alkoxy group has a total carbon number of 1 to 15, preferably 1 to 10. , And more preferably 1 to 4
Is.

【0027】また、R1〜R4がハロゲン原子を表す場
合、具体的には、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨ
ウ素原子が挙げられる。R1〜R4としては水素原子また
は炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましい。R5〜R10
が置換基を有していてもよいアルキル基を表す場合、そ
のアルキル基としてはR1〜R4の置換基を有していても
よいアルキル基として記述したものと同様の官能基が挙
げられる。
When R 1 to R 4 represent a halogen atom, specific examples thereof include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom and an iodine atom. As R 1 to R 4 , a hydrogen atom or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. R 5 to R 10
When represents an alkyl group which may have a substituent, the alkyl group includes the same functional groups as those described as the alkyl group which may have a substituent of R 1 to R 4. .

【0028】R7 とR8 、R8 とR9 、R9 とR10が各
々結合して形成する環としては、例えば下記のものが挙
げられる。
Examples of the ring formed by combining R 7 and R 8 , R 8 and R 9 , and R 9 and R 10 include the following.

【0029】[0029]

【化11】 [Chemical 11]

【0030】(式中、R16は任意の置換基であり、好ま
しくは水素原子または炭素数1〜8の直鎖または分岐の
アルキル基である。なお上記構造中、R7 とR8 、R8
とR9、R9 とR10が結合して形成する環は、R5 〜R
10として前述した基で置換されていてもよい。) 前記した通り、R7 とR8 、R8 とR9 およびR9 とR
10が結合して形成する環は芳香環ではないものが好まし
く、飽和環である場合が特に好ましい。
(In the formula, R 16 is an arbitrary substituent, preferably a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. In the above structure, R 7 and R 8 and R are 8
And R 9, R 9 and R 10 is formed by bonding ring, R 5 to R
It may be substituted with the group described above as 10 . ) As described above, R 7 and R 8 , R 8 and R 9 and R 9 and R
The ring formed by combining 10 is preferably not an aromatic ring, and particularly preferably a saturated ring.

【0031】R5 〜R10およびR16としては、水素原子
または炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。なお、R
7 〜R10としては隣接する基が結合して形成する5又は
6員環の飽和環も好ましい。Yは酸素原子、またはCR
1112を表し、R11およびR12はシアノ基あるいは−C
(=O)OR13(但しR13は置換基を有していてもよいア
ルキル基)を表す。R13としては、例えばメチル基、エ
チル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-
ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、
2-エチルヘキシル基等の炭素数1〜8程度の直鎖もしく
は分岐のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基
は置換されていても良く、置換基としては、ヒドロキシ
基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げ
られ、置換アルキル基の総炭素数は1〜15、好ましく
は1〜10である。R13としては炭素数1〜4のアルキ
ル基が好ましい。
As R 5 to R 10 and R 16 , a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. In addition, R
As 7 to R 10 , a 5- or 6-membered saturated ring formed by bonding adjacent groups is also preferable. Y is an oxygen atom or CR
11 represents R 12 , wherein R 11 and R 12 are a cyano group or —C
(═O) OR 13 (wherein R 13 is an alkyl group which may have a substituent). Examples of R 13 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-
Butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group,
Examples thereof include linear or branched alkyl groups having about 1 to 8 carbon atoms such as 2-ethylhexyl group. These alkyl groups may be substituted, and examples of the substituent include a hydroxy group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen atom, etc., and the total number of carbon atoms of the substituted alkyl group is 1 to 15, preferably 1 to 10. Is. R 13 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

【0032】Yは、蛍光強度の点からは酸素原子が好ま
しい。これは、Yが酸素原子の場合にはCR1112であ
る場合と異なり、Yと隣接するベンゼン環上の水素原子
との立体反発が生じないため、共役系のねじれが起こら
ないことに起因すると考えられる。Zは直接結合、チオ
フェン環、フラン環、ピロール環、またはベンゼン環を
表し、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゼン
環は置換基を有していてもよい。
From the viewpoint of fluorescence intensity, Y is preferably an oxygen atom. This is because, when Y is an oxygen atom, steric repulsion between Y and a hydrogen atom on the adjacent benzene ring does not occur, and twist of the conjugated system does not occur, unlike CR 11 R 12. It is thought that. Z represents a direct bond, a thiophene ring, a furan ring, a pyrrole ring, or a benzene ring, and the thiophene ring, the furan ring, the pyrrole ring, and the benzene ring may have a substituent.

【0033】チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベ
ンゼン環が有しうる置換基としては、炭素数1〜8程度
の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。
Examples of the substituent which the thiophene ring, furan ring, pyrrole ring and benzene ring may have include linear or branched alkyl groups having about 1 to 8 carbon atoms.

【0034】Zとしては、チオフェン環、フラン環、お
よびピロール環がより好ましい。nは0または1であ
る。この様な本発明化合物の代表例を表−1に示すが、
本発明化合物はこれらに限定されるものではない。な
お、表−1中Meはメチル基、Etはエチル基、i−p
rはイソプロピル基を表す。
As Z, a thiophene ring, a furan ring and a pyrrole ring are more preferred. n is 0 or 1. Representative examples of such compounds of the present invention are shown in Table 1.
The compound of the present invention is not limited to these. In Table 1, Me is a methyl group, Et is an ethyl group, ip
r represents an isopropyl group.

【0035】[0035]

【表1】 [Table 1]

【0036】[0036]

【表2】 [Table 2]

【0037】[0037]

【表3】 [Table 3]

【0038】本発明における一般式(I)で表わされる
化合物は、公知の方法により製造することができる。例
えば、ジメチルスルホキシドとサリチル酸エステルを反
応させてメチルスルフィニルアセトフェノン体を得て、
次いで4−ジエチルアミノベンズアルデヒドやジュロリ
ジンやホルミル体等と反応させる方法、あるいは得られ
たメチルスルフィニルアセトフェノン体にアセトアルデ
ヒドを反応させて2−メチルクロモンを得て、これと4
−ジエチルアミノベンズアルデヒドや4−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド等を反応させる方法など種々の方法
が採用される。次に、本発明の有機電界発光素子につい
て説明する。
The compound represented by the general formula (I) in the present invention can be produced by a known method. For example, dimethyl sulfoxide and salicylic acid ester are reacted to obtain a methylsulfinylacetophenone derivative,
Then, a method of reacting with 4-diethylaminobenzaldehyde, julolidine, a formyl body or the like, or by reacting the obtained methylsulfinylacetophenone body with acetaldehyde to obtain 2-methylchromone,
Various methods such as a method of reacting with -diethylaminobenzaldehyde or 4-diethylaminobenzaldehyde are adopted. Next, the organic electroluminescent element of the present invention will be described.

【0039】本発明の有機電界発光素子は対向する陽極
と陰極の間に有機層を有し、該有機層が一般式(I)の
化合物からなる色素を含有することを特徴とする。本発
明における「有機層」とは、陽極と陰極の間に位置す
る、実質的に有機物からなる層を意味し、これらの層は
本発明の性能を損なわない範囲で無機物を含んでも良
い。具体的には、後述する正孔輸送層や電子輸送層、発
光層などが「有機層」に相当する。図1は本発明に用い
られる一般的な有機電界発光素子の構造例を模式的に示
す断面図であり、1は基板、2は陽極、4は正孔輸送
層、5は電子輸送層、7は陰極を各々表す。前記一般式
(I)で表される化合物が含有される有機層としては、
特に限定はされず、例えば図1で表される構造の素子に
おいては、正孔輸送層4または電子輸送層5のいずれで
あってもよい。以下、図1で表される構造の素子を例
に、説明する。
The organic electroluminescent device of the present invention is characterized by having an organic layer between an anode and a cathode which face each other, and the organic layer contains a dye comprising a compound of the general formula (I). The “organic layer” in the present invention means a layer which is located between the anode and the cathode and which is substantially made of an organic material, and these layers may contain an inorganic material as long as the performance of the present invention is not impaired. Specifically, a hole transport layer, an electron transport layer, a light emitting layer, and the like described later correspond to the “organic layer”. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structural example of a general organic electroluminescent device used in the present invention, wherein 1 is a substrate, 2 is an anode, 4 is a hole transport layer, 5 is an electron transport layer, and 7 Represent cathodes, respectively. As the organic layer containing the compound represented by the general formula (I),
There is no particular limitation, and for example, in the device having the structure shown in FIG. 1, either the hole transport layer 4 or the electron transport layer 5 may be used. Hereinafter, the element having the structure shown in FIG. 1 will be described as an example.

【0040】基板1は有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリヤ性
に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が小さすぎ
ると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣
化することがあるので好ましくない。このため、合成樹
脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設
けてガスバリヤ性を確保する方法も好ましい方法の一つ
である。
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescence device, and a plate of quartz or glass, a metal plate or metal foil, a plastic film or sheet, etc. is used. In particular, a glass plate and a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, and polysulfone are preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to the gas barrier property. If the gas barrier property of the substrate is too low, the organic electroluminescent element may deteriorate due to the outside air passing through the substrate, which is not preferable. Therefore, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

【0041】基板1上には陽極2が設けられるが、陽極
2は正孔輸送層への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケ
ル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/ま
たはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハ
ロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3-
メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の
導電性高分子などにより構成される。陽極2の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅など
の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバイン
ダー樹脂溶液に分散し、基板1上に塗布することにより
陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子
の場合は電解重合により直接基板1上に薄膜を形成した
り、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成す
ることもできる(Appl. Phys. Lett., 60巻,2711頁,1
992年)。陽極2は異なる物質で積層して形成すること
も可能である。陽極2の厚みは、必要とする透明性によ
り異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過
率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが
望ましく、この場合、厚みは、下限は通常5nm、好まし
くは10nmであり、上限は通常1000nm、好ましく
は500nm程度である。不透明でよい場合は陽極2の
厚みは基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽
極2の上に異なる導電材料を積層することも可能であ
る。
An anode 2 is provided on the substrate 1, and the anode 2 plays a role of injecting holes into the hole transport layer. This anode is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or poly. (3-
Methylthiophene), polypyrrole, polyaniline, and other conductive polymers. The anode 2 is usually formed by a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or the like. In the case of fine particles of metal such as silver, fine particles of copper iodide, carbon black, fine particles of conductive metal oxide, fine particles of conductive polymer, etc., they are dispersed in an appropriate binder resin solution and then placed on the substrate 1. The anode 2 can also be formed by applying to Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or a conductive polymer can be applied on the substrate 1 to form the anode 2 (Appl. Phys. Lett. , Volume 60, pages 2711, 1
992). The anode 2 can also be formed by stacking different materials. The thickness of the anode 2 depends on the required transparency. If transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more, in this case, the thickness is usually 5 nm, preferably 10 nm, the lower limit, The upper limit is usually 1000 nm, preferably about 500 nm. If it may be opaque, the thickness of the anode 2 may be the same as that of the substrate 1. Further, it is also possible to stack different conductive materials on the anode 2.

【0042】陽極2の上には正孔輸送層4が設けられ
る。正孔輸送層の材料に要求される条件としては、陽極
からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効
率よく輸送することができる材料であることが必要であ
る。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可
視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大
きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製
造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、
発光層の発光を消光するような物質を含まないことが必
要とされる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応
用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。
従って、Tgとして70℃以上の値を有する材料が望まし
い。
A hole transport layer 4 is provided on the anode 2. The conditions required for the material of the hole transport layer are that the hole injection efficiency from the anode is high and that the injected holes can be efficiently transported. For that purpose, the ionization potential is low, the transparency to visible light is high, the hole mobility is high, the stability is excellent, and impurities that serve as traps are less likely to be generated during manufacturing or use. Required. Also,
It is necessary that the material does not contain a substance that quenches the light emission of the light emitting layer. In addition to the above general requirements, when considering application for in-vehicle display, the element is required to have further heat resistance.
Therefore, a material having a Tg value of 70 ° C. or higher is desirable.

【0043】このような正孔輸送材料としては、例え
ば、1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘ
キサン、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2
個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジア
ミン(特開平5-234681号公報)、4,4',4"-トリス(1-ナ
フチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスター
バースト構造を有する芳香族アミン化合物(J. Lumin.,
72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四
量体から成る芳香族アミン化合物(Chem. Commun., 217
5頁、1996年)、トリフェニルベンゼンの誘導体でスタ
ーバースト構造を有する芳香族トリアミン(米国特許第
4,923,774号明細書)、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-
メチルフェニル)ビフェニル-4,4'-ジアミン等、ピレニ
ル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物、スチ
リル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4-290851号公
報)、チオフェン基で芳香族3級アミンユニットを連結
したもの(特開平4-304466号公報)、スターバースト型
芳香族トリアミン(特開平4-308688号公報)、フルオレ
ン基で3級アミンを連結したもの(特開平5-25473号公
報)、トリアミン化合物(特開平5-239455号公報)、ビ
スジピリジルアミノビフェニル、N,N,N-トリフェニルア
ミン誘導体(特開平6-1972号公報)、フェノキサジン構
造を有する芳香族ジアミン(特開平7-138562号公報)、
ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特開平7-25
2474号公報)、シラザン化合物(米国特許第4,950,950
号明細書)、シラナミン誘導体(特開平6-49079号公
報)、ホスファミン誘導体(特開平6-25659号公報)、
2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9'-スピ
ロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth. Metals, 91
巻、209頁、1997年)等が挙げられる。これらの化合物
は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、各々、混合
して用いてもよい。
Examples of such hole transport materials include 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane and 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N- Phenylamino]
Contains two or more tertiary amines represented by biphenyl 2
Starburst structure of aromatic diamine in which one or more condensed aromatic rings are substituted with nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No.5-234681), 4,4 ', 4 "-tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine, etc. Aromatic amine compound having (J. Lumin.,
72-74, p. 985, 1997), aromatic amine compounds consisting of tetramers of triphenylamine (Chem. Commun., 217).
5, p. 1996), an aromatic triamine having a starburst structure in a derivative of triphenylbenzene (US Pat.
4,923,774), N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-
A compound in which a plurality of aromatic diamino groups are substituted on a pyrenyl group, such as methylphenyl) biphenyl-4,4′-diamine, an aromatic diamine having a styryl structure (Japanese Patent Laid-Open No. 4-290851), and a thiophene group for aromatic 3 Primary amine unit linked (JP-A-4-304466), starburst type aromatic triamine (JP-A-4-308688), tertiary amine linked by fluorene group (JP-A-5-25473). Gazette), triamine compound (JP-A-5-239455), bisdipyridylaminobiphenyl, N, N, N-triphenylamine derivative (JP-A-6-1972), aromatic diamine having phenoxazine structure (special Kaihei 7138562),
Diaminophenylphenanthridine derivative (JP-A-7-25
2474), silazane compounds (US Pat. No. 4,950,950).
Specification), a silanamine derivative (JP-A-6-49079), a phosphamine derivative (JP-A-6-25659),
Spiro compounds such as 2,2 ', 7,7'-tetrakis- (diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene (Synth. Metals, 91
Vol., P. 209, 1997). These compounds may be used alone, or may be used as a mixture if necessary.

【0044】上記の化合物以外にも、正孔輸送層4の材
料としては、ポリビニルカルバゾールやポリシラン(Ap
pl. Phys. Lett. ,59巻,2760頁,1991年)、ポリフォ
スファゼン(特開平5−310949号公報)、ポリアミド
(特開平5−310949号公報)、ポリビニルトリフェニル
アミン(特開平7−53953 号公報)、トリフェニルアミ
ン骨格を有する高分子(特開平4−133065号公報)、ト
リフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子
(Synthetic Metals,55-57 巻,4163頁,1993年)、芳
香族アミンを含有するポリメタクリレート(J. Polym.
Sci., Polym. Chem.Ed. ,21巻,969 頁,1983年)等の
高分子材料が挙げられる。上記の正孔輸送材料を塗布法
あるいは真空蒸着法により前記陽極2上に積層すること
により正孔輸送層4を形成する。
In addition to the above compounds, the material of the hole transport layer 4 is polyvinylcarbazole or polysilane (Ap).
Pl. Phys. Lett., Vol. 59, p. 2760, 1991), polyphosphazene (JP-A 5-310949), polyamide (JP-A 5-310949), polyvinyltriphenylamine (JP-A 7- 53953), a polymer having a triphenylamine skeleton (JP-A-4-133065), and a polymer in which triphenylamine units are linked by a methylene group or the like (Synthetic Metals, 55-57, 4163, 1993). ), Polymethacrylate containing aromatic amine (J. Polym.
Sci., Polym. Chem. Ed., 21: 969, 1983). The hole transport layer 4 is formed by laminating the above hole transport material on the anode 2 by a coating method or a vacuum deposition method.

【0045】塗布法の場合は、正孔輸送材料を1種また
は2種以上と、必要により正孔のトラップにならないバ
インダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、
溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法
により陽極2上に塗布し、乾燥して正孔輸送層を形成す
る。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリ
アリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー
樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少
ない方が望ましく、通常、50重量%以下が好ましい。
In the case of the coating method, one or more hole transport materials are added, and if necessary, an additive such as a binder resin or a coatability improving agent which does not trap holes,
The solution is dissolved to prepare a coating solution, which is coated on the anode 2 by a method such as a spin coating method and dried to form a hole transport layer. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, polyester and the like. If the addition amount of the binder resin is large, the hole mobility is lowered. Therefore, the binder resin is preferably added in a small amount.

【0046】真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真
空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当
な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した後、るつぼを
加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、るつぼと向き合っ
て置かれた、陽極が形成された基板1上に正孔輸送層4
を形成させる。正孔輸送層4の膜厚は、下限は通常10
nm、好ましくは30nmであり、上限は通常300n
m、好ましくは100nmである。この様に薄い膜を一
様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いら
れる。
In the case of the vacuum deposition method, the hole transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa by an appropriate vacuum pump, and then the crucible is heated. Then, the hole transport material is evaporated, and the hole transport layer 4 is placed on the substrate 1 on which the anode is formed, which is placed facing the crucible.
To form. The lower limit of the thickness of the hole transport layer 4 is usually 10
nm, preferably 30 nm, and the upper limit is usually 300 n
m, preferably 100 nm. In order to uniformly form such a thin film, the vacuum evaporation method is often used.

【0047】正孔輸送層4の上には電子輸送層5が設け
られる。電子輸送層5に用いられる電子輸送材料として
は、陰極7からの電子注入効率が高く、かつ、注入され
た電子を効率よく正孔輸送層4の方向へ輸送することが
できることが必要である。そのためには、電子親和力が
大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優
れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにく
い化合物であることが要求される。
An electron transport layer 5 is provided on the hole transport layer 4. The electron transporting material used for the electron transporting layer 5 is required to have high electron injection efficiency from the cathode 7 and to be able to efficiently transport the injected electrons toward the hole transporting layer 4. For that purpose, it is required that the compound has a high electron affinity, a high electron mobility, excellent stability, and an impurity that becomes a trap and is hard to be generated during the production or the use.

【0048】このような条件を満たす材料としては、テ
トラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物(特開昭57
-51781号公報)、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム
錯体などの金属錯体(特開昭59-194393号公報)、10-ヒ
ドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体(特開平6-32236
2号公報)、混合配位子アルミニウムキレート錯体(特
開平5-198377号公報、特開平5-198378号公報、特開平5-
214332号公報、特開平6-172751号公報)、シクロペンタ
ジエン誘導体(特開平2-289675号公報)、ペリノン誘導
体(特開平2-289676号公報)、オキサジアゾール誘導体
(特開平2-216791号公報)、ビススチリルベンゼン誘導
体(特開平1-245087号公報、同2-222484号公報)、ペリ
レン誘導体(特開平2-189890号公報、特開平3-791号公
報)、クマリン化合物(特開平2-191694号公報、特開平
3-792号公報)、希土類錯体(特開平1-256584号公
報)、ジスチリルピラジン誘導体(特開平2-252793号公
報)、p-フェニレン化合物(特開平3-33183号公報)、
チアジアゾロピリジン誘導体(特開平3-37292号公
報)、ピロロピリジン誘導体(特開平3-37293号公
報)、ナフチリジン誘導体(特開平3-203982号公報)、
ビススチリルアリーレン誘導体(特開平2-247278号公
報)、(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの金属
錯体(特開平8-315983号公報)、シロール誘導体(日本
化学会第70春季年会, 2D1 02および2D1 03, 1996年)等
が挙げられる。
As a material satisfying such a condition, an aromatic compound such as tetraphenyl butadiene (see JP-A-57 / 57)
-51781), a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline (JP-A-59-194393), a metal complex of 10-hydroxybenzo [h] quinoline (JP-A-6-32236).
2), mixed-ligand aluminum chelate complexes (Japanese Patent Laid-Open No. 5-198377, Japanese Patent Laid-Open No. 5-198378, Japanese Patent Laid-Open No. 5-198378).
No. 214332, JP-A-6-172751), cyclopentadiene derivative (JP-A-2-289675), perinone derivative (JP-A-2-289676), oxadiazole derivative (JP-A-2-216791). ), Bisstyrylbenzene derivatives (JP-A 1-245087 and JP-A 2-222484), perylene derivatives (JP-A 2-189890 and JP-A 3-791), and coumarin compounds (JP-A-2- Japanese Patent No. 191694
3-792), rare earth complexes (JP-A-1-256584), distyrylpyrazine derivatives (JP-A-2-252793), p-phenylene compounds (JP-A-3-33183),
Thiadiazolopyridine derivative (JP-A-3-37292), pyrrolopyridine derivative (JP-A-3-37293), naphthyridine derivative (JP-A-3-203982),
Bisstyrylarylene derivatives (JP-A-2-247278), metal complexes of (2-hydroxyphenyl) benzothiazole (JP-A-8-315983), silole derivatives (Chemical Society of Japan 70th Spring Annual Meeting, 2D102 and 2D1 03, 1996) etc.

【0049】電子輸送層5の膜厚は、下限は通常10n
m、好ましくは30nmであり、上限は通常200n
m、好ましくは100nmである。電子輸送層も正孔輸
送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真
空蒸着法が用いられる。前記一般式(I)で表される化
合物は、正孔輸送層4および/または電子輸送層5にド
ープして発光させてもよい。また、正孔輸送層4と電子
輸送層5の間に発光層を別途形成し、該発光層中に前記
一般式(I)で表される化合物を含有させても良い。正
孔輸送層4および/または電子輸送層5にドープして発
光させる場合、例えば電子輸送層5にドープした場合に
は、前述の電子輸送材料がホスト材料の役割を果たし、
正孔輸送層4にドープした場合は、前述の正孔輸送材料
がホスト材料として働く。
The lower limit of the thickness of the electron transport layer 5 is usually 10 n.
m, preferably 30 nm, and the upper limit is usually 200 n
m, preferably 100 nm. The electron transport layer can be formed by the same method as the hole transport layer, but a vacuum deposition method is usually used. The compound represented by the general formula (I) may be doped in the hole transport layer 4 and / or the electron transport layer 5 to emit light. Further, a light emitting layer may be separately formed between the hole transporting layer 4 and the electron transporting layer 5, and the compound represented by the general formula (I) may be contained in the light emitting layer. When the hole-transporting layer 4 and / or the electron-transporting layer 5 is doped to emit light, for example, when the electron-transporting layer 5 is doped, the above-mentioned electron-transporting material serves as a host material,
When the hole transport layer 4 is doped, the hole transport material described above acts as a host material.

【0050】また、電荷輸送性の高分子材料にドープし
て発光させる場合には、例えば前述の正孔輸送材料とし
ての高分子材料中に、前記一般式(I)で表される化合
物をドープしたり、該化合物と併せて前述の電子輸送性
化合物を含有させることもできる。正孔輸送層4と電子
輸送層5の間に別途発光層を設ける場合、該発光層は、
前記一般式(I)で表される化合物を主成分とする層で
あっても良く、また特定のホスト材料を主成分とし、該
ホスト材料に対して、前記一般式(I)で表される化合
物をドープしてなる層であってもよい。この発光層にお
けるホスト材料としては、ある程度の電荷輸送性と発光
性を兼ね備え、安定性に優れ、またトラップとなる不純
物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが
好ましい。具体的には、正孔輸送材料および電子輸送材
料として前述した中から選択しても良いし、公知の発光
層ホスト材料から適宜選択しても良い。また、前記一般
式(I)で表される化合物は2種類以上を併用してもか
まわないし、本発明の性能を損なわない範囲で、他の蛍
光色素などを併用しても良い。この場合、前記一般式
(I)で表される化合物をホスト材料として、他の蛍光
色素をドーパントとして使用することもできるし、前記
一般式(I)で表される化合物を、特開2000−16
4362号公報に記載されている様に、他のドーパント
の発光を助ける励起エネルギー移動用のドーパントとし
て用いることもできる。併用しても良い他の蛍光色素と
しては、例えば、ペリレン系化合物誘導体、ピレン系化
合物誘導体、アントラセン系化合物誘導体、クマリン系
化合物誘導体、キナクリドン系化合物誘導体、ナフタル
酸系化合物誘導体等が挙げられる。前記一般式(I)で
表される化合物は、該化合物を含有する層における主成
分をホスト材料とし、該ホスト材料に対してドープされ
ている形態が好ましい。
When the charge transporting polymer material is doped to emit light, for example, the above-mentioned polymer material as the hole transporting material is doped with the compound represented by the general formula (I). Alternatively, the above-mentioned electron transporting compound may be contained in combination with the compound. When another light emitting layer is provided between the hole transporting layer 4 and the electron transporting layer 5, the light emitting layer is:
It may be a layer containing the compound represented by the general formula (I) as a main component, or may be a layer containing a specific host material as a main component and represented by the general formula (I) with respect to the host material. It may be a layer doped with a compound. It is preferable that the host material in the light emitting layer is a compound that has both a charge transporting property and a light emitting property to some extent, is excellent in stability, and is unlikely to generate impurities serving as traps during production or use. Specifically, the hole transport material and the electron transport material may be selected from those described above, or may be appropriately selected from known light emitting layer host materials. In addition, two or more kinds of the compounds represented by the general formula (I) may be used in combination, and other fluorescent dyes may be used in combination as long as the performance of the present invention is not impaired. In this case, the compound represented by the general formula (I) can be used as a host material and another fluorescent dye can be used as a dopant. 16
As described in Japanese Patent No. 4362, it can also be used as a dopant for exciting energy transfer that assists the emission of other dopants. Examples of other fluorescent dyes that may be used in combination include perylene compound derivatives, pyrene compound derivatives, anthracene compound derivatives, coumarin compound derivatives, quinacridone compound derivatives, and naphthalic acid compound derivatives. The compound represented by the general formula (I) preferably has a form in which the main component in the layer containing the compound is a host material and the host material is doped.

【0051】前記一般式(I)で表される化合物がドー
プされる領域は、該化合物が含有される層全体であって
もその一部分であってもよく、該層の膜厚方向において
均一にドープされても、膜厚方向において濃度分布があ
っても構わない。例えば、電子輸送層5中の、正孔輸送
層4との界面近傍にのみドープしたり、逆に、陰極界面
近傍にドープしてもよい。なお、前記一般式(I)で表
される化合物のドープされる量は、ホスト材料に対して
10-3〜10重量%が好ましく、0.1〜10重量%がより
好ましい。
The region doped with the compound represented by the general formula (I) may be the entire layer containing the compound or a part thereof, and is uniformly distributed in the thickness direction of the layer. It may be doped or may have a concentration distribution in the film thickness direction. For example, the electron transport layer 5 may be doped only near the interface with the hole transport layer 4, or conversely, may be doped near the cathode interface. The amount of the compound represented by the general formula (I) to be doped is based on the host material.
10 −3 to 10% by weight is preferable, and 0.1 to 10% by weight is more preferable.

【0052】前記一般式(I)で表される化合物をホス
ト材料にドープすると、素子の発光効率が向上する。ま
た、この化合物はドープされるホスト材料により、発光
波長が変化する特徴を有しており、例えば表−1のN
o.14のクロモン系化合物は発光波長が緑〜黄色まで
変化する。
When the host material is doped with the compound represented by the general formula (I), the luminous efficiency of the device is improved. Further, this compound has a characteristic that the emission wavelength changes depending on the doped host material.
o. The emission wavelength of the chromone-based compound of 14 changes from green to yellow.

【0053】前記一般式(I)で表される化合物の、電
子輸送層5および/または正孔輸送層4へのドープは、
ホストとなる層の形成方法に準じ、塗布法あるいは真空
蒸着法による該層形成時に行われる。また、正孔輸送層
4と電子輸送層5の間に設けられた発光層に、一般式
(I)で表される化合物をドープする場合も、該層のホ
スト材料の性質に応じ、以下の説明に準じて層形成する
ことができる。塗布の場合は、例えば電子輸送材料(ホ
スト材料)と、前記一般式(I)で表される化合物、さ
らに必要により、電子のトラップや発光の消光剤となら
ないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤
などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整し、スピ
ンコート法などの方法により正孔輸送層4上に塗布し、
乾燥して電子輸送層5を形成する。バインダー樹脂とし
ては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステ
ル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正
孔/電子移動度を低下させるので、少ない方が望まし
く、50重量%以下が好ましい。
Doping of the compound represented by the general formula (I) into the electron transport layer 5 and / or the hole transport layer 4 is as follows.
It is performed at the time of forming the layer by a coating method or a vacuum deposition method according to the method for forming the layer serving as a host. Further, when the light emitting layer provided between the hole transporting layer 4 and the electron transporting layer 5 is doped with the compound represented by the general formula (I), depending on the properties of the host material of the layer, The layers can be formed according to the description. In the case of coating, for example, an electron transporting material (host material), a compound represented by the general formula (I), and, if necessary, a binder resin that does not become an electron trap or a quencher for light emission, and a leveling agent An additive such as a property improving agent is added and dissolved to prepare a coating solution, which is coated on the hole transport layer 4 by a method such as a spin coating method,
The electron transport layer 5 is formed by drying. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, polyester and the like. The addition amount of the binder resin decreases the hole / electron mobility when it is added in a large amount.

【0054】真空蒸着法の場合には、例えば、電子輸送
材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、前記一般
式(I)で表される化合物を別のるつぼに入れ、真空容
器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した
後、各々のるつぼを同時に加熱して蒸発させ、るつぼと
向き合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の
方法として、上記の材料を予め所定比で混合したものを
同一のるつぼを用いて蒸発させてもよい。正孔輸送層4
や前記発光層にドープする場合も、同様に行う。
In the case of the vacuum vapor deposition method, for example, the electron transport material is placed in a crucible placed in a vacuum vessel, the compound represented by the general formula (I) is placed in another crucible, and the inside of the vacuum vessel is placed. After evacuating to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump, each crucible is simultaneously heated and evaporated to form a layer on the substrate placed facing the crucible. As another method, a mixture of the above materials in a predetermined ratio may be evaporated using the same crucible. Hole transport layer 4
The same applies to the case of doping the light emitting layer.

【0055】陰極7は、電子輸送層5に電子を注入する
役割を果たす。陰極7として用いられる材料は、前記陽
極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効
率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ま
しく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、
アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が
用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、
マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウ
ム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。さらに、
陰極の有機層側の界面にLiF、MgF2、Li2O等の
極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を設けることも、素子の効率を
向上させる有効な方法である(Appl. Phys. Lett., 70
巻,152頁,1997年;特開平10-74586号公報;IEEE Tran
s. Electron. Devices,44巻,1245頁,1997年)。陰極
7の膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属
から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事
関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは
素子の安定性を増すため好ましい。この目的のために、
アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等
の金属が使われる。
The cathode 7 plays a role of injecting electrons into the electron transport layer 5. The material used for the cathode 7 may be the material used for the anode 2, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, and tin, magnesium, indium, calcium,
Suitable metals such as aluminum and silver or alloys thereof are used. As a specific example, a magnesium-silver alloy,
Examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-indium alloy and aluminum-lithium alloy. further,
Providing an extremely thin insulating film (0.1 to 5 nm) of LiF, MgF 2 , Li 2 O or the like on the interface of the cathode on the organic layer side is also an effective method for improving the efficiency of the device (Appl. Phys. Lett. , 70
Volume, p. 152, 1997; JP-A-10-74586; IEEE Tran
S. Electron. Devices, 44, 1245, 1997). The film thickness of the cathode 7 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode in order to increase the stability of the device. For this purpose,
Metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used.

【0056】図1の構成の素子では、正孔輸送層4は陽
極2から正孔を受け取る(正孔注入)機能と、受け取っ
た正孔を電子輸送層5へ運ぶ(正孔輸送)機能を果たし
ており、電子輸送層5は、陰極7から受け取った電子を
正孔輸送層4へ運ぶ(電子輸送)機能も果たしている。
しかし本発明の素子の、さらなる発光特性や駆動安定性
の向上のために、例えば図2に示すように、電子輸送層
5と陰極7の間に電子注入層6を設けたり、図3に示す
ように、陽極2と正孔輸送層4の間に陽極バッファー層
3を設けるなど、機能毎に層を分ける構造、すなわち機
能分離型の素子にすることも可能である。
In the device having the structure shown in FIG. 1, the hole transport layer 4 has a function of receiving holes from the anode 2 (hole injection) and a function of transporting the received holes to the electron transport layer 5 (hole transport). As a result, the electron transport layer 5 also has a function of transporting the electrons received from the cathode 7 to the hole transport layer 4 (electron transport).
However, in order to further improve the emission characteristics and driving stability of the device of the present invention, an electron injection layer 6 may be provided between the electron transport layer 5 and the cathode 7 as shown in FIG. 2, or shown in FIG. As described above, the anode buffer layer 3 may be provided between the anode 2 and the hole transport layer 4, and the structure may be divided into layers for each function, that is, a function-separated device.

【0057】図2および図3に示すように、電子輸送層
5と陰極7の間に電子注入層6を設けることにより、素
子の発光効率をさらに向上させることが可能である。こ
の電子注入層6に用いられる材料には、陰極からの電子
注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要
求される。この様な電子注入材料としては、既に電子輸
送材料として挙げた8-ヒドロキシキノリンのアルミ錯
体、オキサジアゾール誘導体(Appl. Phys. Lett., 55
巻, 1489頁, 1989年他)やそれらをポリメタクリル酸メ
チル(PMMA)などの樹脂に分散した系(Appl. Phys. Le
tt., 61巻, 2793頁, 1992年)、フェナントロリン誘導
体(特開平5-331459号公報)、2-t-ブチル9,10-N,N'-ジ
シアノアントラキノンジイミン(Phys. Stat. Sol.
(a), 142巻, 489頁, 1994年)、n型水素化非晶質炭化シ
リコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられ
る。
As shown in FIGS. 2 and 3, by providing the electron injection layer 6 between the electron transport layer 5 and the cathode 7, it is possible to further improve the luminous efficiency of the device. The material used for the electron injection layer 6 is required to be capable of easily injecting electrons from the cathode and further having an electron transporting ability. As such an electron injection material, an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline, an oxadiazole derivative (Appl. Phys. Lett., 55
Vol., P. 1489, 1989, etc.) and systems in which they are dispersed in a resin such as polymethylmethacrylate (PMMA) (Appl. Phys. Le
tt., 61, 2793, 1992), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl 9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine (Phys. Stat. Sol.
(a), Vol. 142, p. 489, 1994), n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide and the like.

【0058】電子注入層6の膜厚は、下限は通常5n
m、好ましくは10nmであり、上限は通常200n
m、好ましくは100nmである。さらに、正孔注入の
効率をさらに向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付
着力を改善させる目的で、正孔輸送層4と陽極2との間
に陽極バッファー層3を挿入することも行われている
(図3)。陽極バッファー層3を挿入することで、初期
の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連
続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。陽極
バッファー層に用いられる材料に要求される条件として
は、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、
熱的に安定、すなわち、融点およびガラス転移温度が高
いことが挙げられ、融点としては 300℃以上、ガラス転
移温度としては 100℃以上が好ましい。さらに、イオン
化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこ
と、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
The lower limit of the thickness of the electron injection layer 6 is usually 5 n.
m, preferably 10 nm, and the upper limit is usually 200 n
m, preferably 100 nm. Further, the anode buffer layer 3 may be inserted between the hole transport layer 4 and the anode 2 for the purpose of further improving the efficiency of hole injection and improving the adhesion of the entire organic layer to the anode. It is being done (Figure 3). By inserting the anode buffer layer 3, the driving voltage of the element in the initial stage is lowered, and at the same time, the voltage rise when the element is continuously driven with a constant current is suppressed. The conditions required for the material used for the anode buffer layer are good contact with the anode and a uniform thin film can be formed.
It is thermally stable, that is, it has a high melting point and a high glass transition temperature. The melting point is preferably 300 ° C or higher, and the glass transition temperature is preferably 100 ° C or higher. Further, it has a low ionization potential, easy hole injection from the anode, and high hole mobility.

【0059】この目的のために、これまでにポルフィリ
ン誘導体やフタロシアニン化合物(特開昭63-295695号
公報)、ヒドラゾン化合物、アルコキシ置換の芳香族ジ
アミン誘導体、p-(9-アントリル)-N,N'-ジ-p-トリルア
ニリン、ポリチエニレンビニレンやポリ-p-フェニレン
ビニレン、ポリアニリン(Appl. Phys. Lett., 64巻、1
245頁,1994年)、ポリチオフェン(Optical Materials,
9巻、125頁、1998年)、スターバスト型芳香族トリア
ミン(特開平4-308688号公報)等の有機化合物や、スパ
ッタ・カーボン膜(Synth. Met., 91巻、73頁、1997
年)や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブ
デン酸化物等の金属酸化物(J.Phys. D, 29巻、2750
頁、1996年)が報告されている。
For this purpose, porphyrin derivatives, phthalocyanine compounds (JP-A-63-295695), hydrazone compounds, alkoxy-substituted aromatic diamine derivatives, p- (9-anthryl) -N, N have hitherto been used. '-Di-p-tolylaniline, polythienylene vinylene, poly-p-phenylene vinylene, polyaniline (Appl. Phys. Lett., 64, 1
245, 1994), polythiophene (Optical Materials,
Vol. 9, p. 125, 1998), organic compounds such as star bust type aromatic triamine (JP-A-4-308688), sputtered carbon film (Synth. Met., Vol. 91, p. 73, 1997).
Year) and metal oxides such as vanadium oxide, ruthenium oxide and molybdenum oxide (J. Phys. D, Vol. 29, 2750
Page, 1996).

【0060】上記陽極バッファー層材料としてよく使用
される低分子化合物としては、ポルフィン化合物または
フタロシアニン化合物が挙げられる。これらの化合物は
中心金属を有していてもよいし、無金属のものでもよ
い。好ましいこれらの化合物の具体例としては、以下の
化合物が挙げられる: ポルフィン 5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン 5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンコバル
ト(II) 5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン銅(I
I) 5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン亜鉛
(II) 5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンバナジ
ウム(IV)オキシド 5,10,15,20-テトラ(4-ピリジル)-21H,23H-ポルフィン 29H,31H-フタロシアニン 銅(II)フタロシアニン 亜鉛(II)フタロシアニン チタンフタロシアニンオキシド マグネシウムフタロシアニン 鉛フタロシアニン 銅(II)4,4',4'',4'''-テトラアザ-29H,31H-フタロシ
アニン
Examples of the low molecular weight compound which is often used as the material for the anode buffer layer include a porphine compound and a phthalocyanine compound. These compounds may have a central metal or may be metal-free. Specific examples of preferred compounds include the following compounds: Porphine 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphine 5,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine Cobalt (II) 5,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine copper (I
I) 5,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine zinc (II) 5,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine vanadium (IV) oxide 5,10,15,20 -Tetra (4-pyridyl) -21H, 23H-porphine 29H, 31H-phthalocyanine copper (II) phthalocyanine zinc (II) phthalocyanine titanium phthalocyanine oxide magnesium phthalocyanine lead phthalocyanine copper (II) 4,4 ', 4'',4''' -Tetraaza-29H, 31H-phthalocyanine

【0061】陽極バッファー層材料として用いることの
できる高分子化合物としては、たとえば、特開平9-1887
56号公報、特開平11-135262号公報、WO97/33193号公
報、特開平10-92584号公報、特開平11−283750号公報、
特開2000-36390号公報、特開2000-150168号公報に記載
されている、高分子化合物または高分子化合物と電子受
容性化合物の組合せなどが挙げられるが、これらに限定
されるものではない。陽極バッファー層の場合も、低分
子化合物の場合は正孔輸送層等と同様にして薄膜形成可
能であるが、無機物の場合には、さらに、スパッタ法や
電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法が用いられる。
The polymer compound that can be used as the material for the anode buffer layer is, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-1887.
No. 56, JP 11-135262, WO 97/33193 JP, JP 10-92584 JP, JP 11-283750 JP,
Examples thereof include, but are not limited to, a polymer compound or a combination of a polymer compound and an electron-accepting compound described in JP-A-2000-36390 and JP-A-2000-150168. Also in the case of the anode buffer layer, a thin film can be formed in the same manner as the hole transport layer in the case of the low molecular weight compound, but in the case of the inorganic material, the sputtering method, the electron beam evaporation method or the plasma CVD method is further used. To be

【0062】高分子化合物の場合は、スプレー法、印刷
法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法
などの通常のコーティング法や、インクジェット法等に
より薄膜形成することが出きる。または、フィルム、基
板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあ
らかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を熱転写ま
たは圧力転写することにより薄膜形成することも出来
る。以上の様にして形成される陽極バッファー層3の膜
厚は、下限は通常3nm、好ましくは10nmであり、
上限は通常100nm、好ましくは50nmである。
In the case of a high molecular compound, a thin film can be formed by a usual coating method such as a spray method, a printing method, a spin coating method, a dip coating method, a die coating method or an ink jet method. Alternatively, a thin film may be formed in advance on a medium such as a film, a substrate or a roll by the thin film forming method described above, and the thin film on the medium may be thermally or pressure transferred to form the thin film. The lower limit of the thickness of the anode buffer layer 3 formed as described above is usually 3 nm, preferably 10 nm,
The upper limit is usually 100 nm, preferably 50 nm.

【0063】また、前記一般式(I)で表される化合物
がドープされた層の陰極側界面に接して正孔阻止層を設
けることにより、素子の発光効率をさらに向上させるこ
とが可能である。正孔阻止層は正孔輸送層から移動して
くる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、電子注
入層から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送
することができる化合物より形成される。また、発光層
で再結合による生成するエキシトンを発光層内に閉じこ
めるために、発光層材料よりは広いバンドギャップを有
することが必要である。この場合のバンドギャップは、
電気化学的に決定される酸化電位−還元電位の差、また
は、光吸収端から求められる。正孔阻止層は電荷キャリ
アとエキシトンの両方を発光層内に閉じこめて、発光効
率を向上させる機能を有する。
By providing the hole blocking layer in contact with the cathode side interface of the layer doped with the compound represented by the general formula (I), the luminous efficiency of the device can be further improved. . The hole blocking layer has a role of blocking the holes moving from the hole transporting layer from reaching the cathode, and a compound capable of efficiently transporting the electrons injected from the electron injecting layer toward the light emitting layer. Formed by. Further, in order to confine excitons generated by recombination in the light emitting layer in the light emitting layer, it is necessary to have a bandgap wider than that of the light emitting layer material. The bandgap in this case is
It is determined from the difference between the oxidation potential and the reduction potential, which is electrochemically determined, or the light absorption edge. The hole blocking layer has a function of confining both charge carriers and excitons in the light emitting layer to improve the light emission efficiency.

【0064】このような条件を満たす正孔阻止層材料と
しては、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(フェノラト)
アルミニウム、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(トリフ
ェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、
ビス(2-メチル-8-キノラト)アルミニウム-μ-オキソ-ビ
ス-(2-メチル-8-キノリラト)アルミニウム二核金属錯
体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチ
リル化合物(特開平11-242996号公報)、3-(4-ビフェニ
ルイル)-4-フェニル-5(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-
トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7-41759
号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体
(特開平10-79297号公報)が挙げられる。
As a hole blocking layer material satisfying these conditions, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) is used.
Aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum and other mixed ligand complexes,
Bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum Metal complexes such as dinuclear metal complexes and styryl compounds such as distyrylbiphenyl derivatives (JP-A-11- 242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-
Triazole derivatives such as triazole (JP-A-7-41759)
), And phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297).

【0065】尚、図1とは逆の構造、すなわち、基板上
に陰極7、電子輸送層5、正孔輸送層4、陽極2の順に
積層することも可能であり、既述したように少なくとも
一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界
発光素子を設けることも可能である。同様に、図2およ
び図3に示した前記各層構成とは逆の構造に積層するこ
とも可能である。
It is also possible to stack the cathode 7, the electron transport layer 5, the hole transport layer 4, and the anode 2 in this order on the substrate, which is the reverse of the structure shown in FIG. It is also possible to provide the organic electroluminescent element of the present invention between two substrates, one of which is highly transparent. Similarly, it is also possible to stack in a structure opposite to the above-mentioned layer structure shown in FIGS. 2 and 3.

【0066】本発明は、有機電界発光素子が、単一の素
子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰
極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれに
おいても適用することができる。本発明の有機電界発光
素子によれば、有機層に一般式(1)で表される化合物
を含むために、駆動電圧が低く、発光効率、素子の安定
性に優れた青ないし赤色の有機電界発光が得られる。
The present invention can be applied to any of a single element, an element having an arrayed structure, and a structure in which an anode and a cathode are arranged in an XY matrix. You can According to the organic electroluminescent device of the present invention, since the organic layer contains the compound represented by the general formula (1), the driving voltage is low, and the blue or red organic electric field is excellent in luminous efficiency and device stability. Luminescence is obtained.

【0067】[0067]

【実施例】以下に、一般式(I)で表される化合物の合
成方法と、該化合物を用いた有機電界発光素子につい
て、実施例および試験例を挙げて更に具体的に説明する
が、本発明はその要旨を超えない限り、これらに限定さ
れるものではない。 実施例1
EXAMPLES Hereinafter, a method for synthesizing the compound represented by the general formula (I) and an organic electroluminescent device using the compound will be described more specifically with reference to Examples and Test Examples. The invention is not limited to these as long as the gist thereof is not exceeded. Example 1

【0068】[0068]

【化12】 [Chemical 12]

【0069】ジメチルスルホキシド21.7mlとトルエン4
8.2mlに60%水素化ナトリウム2.41gを加え、80℃で1時
間反応させた。35℃に冷却し、サリチル酸エチル2gのト
ルエン24ml溶液を滴下した。約2時間かけて室温まで冷
却し、トルエンを濃縮除去した。反応液を氷水に添加
し、酢酸でpH調整し、酢酸エチルで抽出、有機層を水
洗、乾燥し、濃縮して淡黄色結晶1.9gを得た。NMR、
MS分析の結果、中間体である、2′−ヒドロキシ−2
−(メチルスルフィニル)アセトフェノンであることが
確認できた。
Dimethyl sulfoxide 21.7 ml and toluene 4
2.41 g of 60% sodium hydride was added to 8.2 ml, and the mixture was reacted at 80 ° C for 1 hour. After cooling to 35 ° C., a solution of ethyl salicylate (2 g) in toluene (24 ml) was added dropwise. The mixture was cooled to room temperature over about 2 hours, and toluene was concentrated and removed. The reaction solution was added to ice water, pH was adjusted with acetic acid, extraction was performed with ethyl acetate, the organic layer was washed with water, dried and concentrated to obtain 1.9 g of pale yellow crystals. NMR,
As a result of MS analysis, 2'-hydroxy-2, which is an intermediate, was obtained.
It was confirmed to be-(methylsulfinyl) acetophenone.

【0070】この中間体0.2gのトルエン6.4ml溶液にピ
ペリジンを1滴加え、50℃に加熱した。この反応液に4
−ジエチルアミノベンズアルデヒド0.36gを加え、3時
間加熱環流した。反応終了後、溶媒を濃縮除去し、カラ
ムクロマトグラフィーによる精製を行い、0.16gの黄色
結晶を得た。得られた固体の分析結果は以下の通りであ
り、表−1のNo.1の構造の化合物であることが確認
できた。
A drop of piperidine was added to a solution of 0.2 g of this intermediate in 6.4 ml of toluene, and the mixture was heated to 50 ° C. 4 in this reaction solution
-Diethylaminobenzaldehyde (0.36 g) was added, and the mixture was heated under reflux for 3 hours. After completion of the reaction, the solvent was concentrated and removed, and purification by column chromatography was performed to obtain 0.16 g of yellow crystals. The analysis results of the obtained solid are as follows, and No. It was confirmed that the compound had a structure of 1.

【0071】m/e : 2931 H-NMR(CDCl3 (δ=ppm)):1.23(t,6H),3.45(q,4H),
6.69(s,1H),6.73(d,2H), 7.39(t,1H),7.54(d,1H),7.62
(t,1H),7.80(d,2H)8.21(d,1H) 吸収スペクトル:λmax 338nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 450nm(励起波長254nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例2
M / e: 293 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.23 (t, 6H), 3.45 (q, 4H),
6.69 (s, 1H), 6.73 (d, 2H), 7.39 (t, 1H), 7.54 (d, 1H), 7.62
(t, 1H), 7.80 (d, 2H) 8.21 (d, 1H) Absorption spectrum: λmax 338 nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 450 nm (excitation wavelength 254 nm, solvent: methylene chloride) Example 2

【0072】[0072]

【化13】 [Chemical 13]

【0073】実施例1で得られた化合物0.1gの無水酢酸
4ml溶液を40℃に加熱し、マロノニトリル0.041gを添加
し、さらに95℃に昇温し3時間反応した。溶媒を留去
し、カラムクロマトグラフィーによる精製を行い、63mg
の黄色結晶を得た。
0.1 g of the compound obtained in Example 1 acetic anhydride
The 4 ml solution was heated to 40 ° C., 0.041 g of malononitrile was added, and the temperature was further raised to 95 ° C. and reacted for 3 hours. The solvent was distilled off, purification by column chromatography was performed, and 63 mg
Yellow crystals were obtained.

【0074】得られた固体の分析結果は以下の通りであ
り、表−1のNo.3の構造の化合物であることが確認
できた。 m/e : 3411 H-NMR(CDCl3(δ=ppm)):1.25(t,6H),3.46(q,4H),
6.73(d,2H),7.18(s,1H),7.41(t,1H),7.52(d,1H),7.69
(t,1H),7.84(d,2H),8.96(d,1H) 吸収スペクトル:λmax 483nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 557nm(励起波長366nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例3
The analysis results of the obtained solid are as follows. It was confirmed that the compound had a structure of 3. m / e: 341 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.25 (t, 6H), 3.46 (q, 4H),
6.73 (d, 2H), 7.18 (s, 1H), 7.41 (t, 1H), 7.52 (d, 1H), 7.69
(t, 1H), 7.84 (d, 2H), 8.96 (d, 1H) Absorption spectrum: λmax 483 nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 557 nm (excitation wavelength: 366 nm solvent: methylene chloride) Example 3

【0075】[0075]

【化14】 [Chemical 14]

【0076】反応の出発原料を、4−メトキシサリチル
酸メチルを用いる以外は、実施例1の方法にしたがい、
上式の反応を行い、0.81gの固体を得た。得られた固体
の分析結果は以下の通りであり、表−1のNo.6の構
造の化合物であることが確認できた。 m/e : 3231 H-NMR(CDCl3 (δ=ppm)):1.22(t,6H),3.44(q,4
H),3.93(s,3H),6.63(s,1H),6.72(d,2H),6.94(s,1H),6.9
5(d,1H), 7.78(d,2H),8.12(d,1H) 吸収スペクトル:λmax 380nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 444nm(励起波長366nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例4
According to the method of Example 1, except that methyl 4-methoxysalicylate was used as the starting material for the reaction,
The reaction of the above formula was performed to obtain 0.81 g of a solid. The analysis results of the obtained solid are as follows, and No. It was confirmed that the compound had a structure of 6. m / e: 323 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.22 (t, 6H), 3.44 (q, 4
H), 3.93 (s, 3H), 6.63 (s, 1H), 6.72 (d, 2H), 6.94 (s, 1H), 6.9
5 (d, 1H), 7.78 (d, 2H), 8.12 (d, 1H) absorption spectrum: λmax 380 nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 444 nm (excitation wavelength 366 nm solvent: methylene chloride) Example 4

【0077】[0077]

【化15】 [Chemical 15]

【0078】実施例3で得られた化合物0.5gを、実施例
2の方法に従い、上式の反応を行い、0.26gの固体を得
た。得られた固体の分析結果は以下の通りであり、表−
1のNo.7の構造の化合物であることが確認できた。 m/e : 3711 H-NMR(CDCl3 (δ=ppm)):1.24(t,6H),3.46(q,4
H),3.96(s,3H),6.70(d,2H),6.95(s,1H),7.00(d,1H),7.1
1(s,1H),7.82(d,2H),8.87(d,1H) 吸収スペクトル:λmax 472nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 547nm(励起波長366nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例5
0.5 g of the compound obtained in Example 3 was subjected to the reaction of the above formula according to the method of Example 2 to obtain 0.26 g of a solid. The analysis results of the obtained solid are as follows.
No. 1 It was confirmed that the compound had a structure of 7. m / e: 371 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.24 (t, 6H), 3.46 (q, 4
H), 3.96 (s, 3H), 6.70 (d, 2H), 6.95 (s, 1H), 7.00 (d, 1H), 7.1
1 (s, 1H), 7.82 (d, 2H), 8.87 (d, 1H) Absorption spectrum: λmax 472 nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 547 nm (excitation wavelength: 366 nm solvent: methylene chloride) Example 5

【0079】[0079]

【化16】 [Chemical 16]

【0080】実施例1の中間体メチルスルフィニルアセ
トフェノン体を用いて、4−ジエチルアミノベンズアル
デヒドの代わりにジュロリジンのホルミル体を用いる以
外は実施例1の方法に従い、上式の反応を行い、0.11g
の固体を得た。得られた固体の分析結果は以下の通りで
あり、表−1のNo.9の構造の化合物であることが確
認できた。 m/e : 3171 H-NMR(CDCl3 (δ=ppm)):2.00(m,2H),2.80(t,2
H),3.28(t,2H),6.63(s,1H),7.30〜7.65(m,5H),8.20(d,1
H) 吸収スペクトル:λmax 401nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 481nm(励起波長366nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例6
Using the intermediate methylsulfinylacetophenone derivative of Example 1 and the formyl derivative of julolidine in place of 4-diethylaminobenzaldehyde, the reaction of the above formula was carried out according to the method of Example 1 to give 0.11 g.
To give a solid. The analysis results of the obtained solid are as follows, and No. It was confirmed that the compound had a structure of 9. m / e: 317 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 2.00 (m, 2H), 2.80 (t, 2)
H), 3.28 (t, 2H), 6.63 (s, 1H), 7.30 ~ 7.65 (m, 5H), 8.20 (d, 1
H) Absorption spectrum: λmax 401 nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 481 nm (excitation wavelength 366 nm, solvent: methylene chloride) Example 6

【0081】[0081]

【化17】 [Chemical 17]

【0082】実施例5で得られた化合物0.05gを用いて
実施例2の方法に従い、上式の反応を行い、11mgの固体
を得た。得られた固体の分析結果は以下の通りであり、
表−1のNo.11の構造の化合物であることが確認で
きた。 m/e : 365 吸収スペクトル:λmax 506nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 595nm(励起波長366nm 溶
媒:塩化メチレン) 参考例1 以下、実施例に用いる中間体の合成を下式の通り行っ
た。
The reaction of the above formula was carried out according to the method of Example 2 using 0.05 g of the compound obtained in Example 5 to obtain 11 mg of a solid. The analysis results of the obtained solid are as follows,
No. 1 in Table-1. It was confirmed that the compound had a structure of 11. m / e: 365 Absorption spectrum: λmax 506 nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 595 nm (excitation wavelength: 366 nm solvent: methylene chloride) Reference Example 1 Hereinafter, the intermediates used in Examples were synthesized according to the following formula. .

【0083】[0083]

【化18】 [Chemical 18]

【0084】4-シアノフェノール4.86gのトリフルオロ
酢酸31ml溶液にヘキサメチレンテトラミン11.44gをゆっ
くりと添加した。添加終了後、加熱環流を29時間行っ
た。反応終了後、硫酸水溶液を加え、酢酸エチルで抽出
し、有機層を1N塩酸水で2回、水で2回洗浄し、濃縮し
た。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーによ
り精製し、1.466gの白色結晶を得た。得られた結晶1.28
6gのメタノール59ml溶液に60%過塩素酸0.7mlを加え、五
酸化バナジウム0.0854gを30%過酸化水素水4.76mlに溶解
した溶液を氷冷下、滴下した。滴下終了後、そのまま
1.5時間反応させた。反応終了後、水を加え、析出し
た白色結晶を濾別し、0.78gを得た。この結晶は中間体
であるメチルエステル体であることが確認できた。
To a solution of 4.86 g of 4-cyanophenol in 31 ml of trifluoroacetic acid, 11.44 g of hexamethylenetetramine was slowly added. After completion of the addition, heating reflux was carried out for 29 hours. After the reaction was completed, a sulfuric acid aqueous solution was added and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed twice with 1N hydrochloric acid water and twice with water, and concentrated. The obtained crude product was purified by column chromatography to obtain 1.466 g of white crystals. Obtained crystal 1.28
0.7 ml of 60% perchloric acid was added to a 59 ml solution of 6 g of methanol, and a solution of 0.0854 g of vanadium pentoxide dissolved in 4.76 ml of 30% aqueous hydrogen peroxide was added dropwise under ice cooling. After completion of dropping, the reaction was continued for 1.5 hours. After completion of the reaction, water was added and the precipitated white crystals were filtered out to obtain 0.78 g. It was confirmed that this crystal was a methyl ester which was an intermediate.

【0085】60%水素化ナトリウム0.564gにトルエン7.5
mlを加え、ジメチルスルホキシド5mlのトルエン12.5ml
溶液を滴下した。80℃で一時間反応させた。反応後、約
35℃に冷却し、上記で得られたメチルエステル体0.5gの
トルエン7.5ml溶液を滴下し、さらに40℃で2時間反応
させた。反応終了後、水を添加し、酢酸にて酸性にして
から酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗し、濃縮し
て、淡黄色結晶、1.08gを得た。
Toluene 7.5 to 0.564 g of 60% sodium hydride
ml, add dimethyl sulfoxide 5 ml toluene 12.5 ml
The solution was added dropwise. The reaction was carried out at 80 ° C for 1 hour. After reaction, about
After cooling to 35 ° C, a solution of 0.5 g of the methyl ester obtained above in 7.5 ml of toluene was added dropwise, and the mixture was further reacted at 40 ° C for 2 hours. After completion of the reaction, water was added, acidified with acetic acid, and extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with water and concentrated to give 1.08 g of pale yellow crystals.

【0086】実施例7Example 7

【0087】[0087]

【化19】 [Chemical 19]

【0088】参考例−1で得られた化合物0.02gを用い
て、4−ジエチルアミノベンズアルデヒドの代わりにジ
ュロリジンのホルミル体を用いる以外は実施例1、続け
て実施例2の方法に従い、上式の反応を行い、約10mgの
固体を得た。得られた固体の分析結果は以下の通りであ
り、表−1のNo.12の構造の化合物であることが確
認できた。 m/e : 390 吸収スペクトル:λmax 532nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 619nm(励起波長532nm 溶
媒:塩化メチレン) 参考例2
Using 0.02 g of the compound obtained in Reference Example-1 and following the method of Example 1 and subsequently Example 2 except that the formyl form of julolidine is used instead of 4-diethylaminobenzaldehyde, the reaction of the above formula Was performed to obtain about 10 mg of solid. The analysis results of the obtained solid are as follows, and No. It was confirmed that the compound had a structure of 12. m / e: 390 Absorption spectrum: λmax 532 nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 619 nm (excitation wavelength 532 nm, solvent: methylene chloride) Reference Example 2

【0089】[0089]

【化20】 [Chemical 20]

【0090】上式に従い、以下の実施例に用いる中間体
を合成した。N,N−ジエチル−p−フェニルジアミン
塩酸塩5.0gに濃塩酸4.58mlと水8.75mlを加え、氷冷下、
亜硝酸ナトリウム1.82gの水溶液をゆっくりと滴下し
た。約30分攪拌し、チオフェンアルデヒド2.8gのアセ
トン15ml溶液を滴下した。滴下終了後、ゆっくりと室温
まで昇温し、塩化銅(II)0.68gの水5ml溶液を添加し、
50℃で4時間反応させた。
According to the above formula, intermediates used in the following examples were synthesized. To 5.0 g of N, N-diethyl-p-phenyldiamine hydrochloride was added 4.58 ml of concentrated hydrochloric acid and 8.75 ml of water, and the mixture was cooled with ice.
An aqueous solution of 1.82 g of sodium nitrite was slowly added dropwise. After stirring for about 30 minutes, a solution of 2.8 g of thiophene aldehyde in 15 ml of acetone was added dropwise. After the dropping was completed, the temperature was slowly raised to room temperature, and a solution of 0.68 g of copper (II) chloride in 5 ml of water was added,
The reaction was carried out at 50 ° C for 4 hours.

【0091】反応終了後、酢酸エチルで抽出し、有機層
を炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、濃縮した。得られた
粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、0.
11gの固体を得た。得られた固体の分析結果は以下の通
りであり、上式の目的物である化合物であることが確認
できた。
After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with ethyl acetate, the organic layer was washed with aqueous sodium carbonate solution and concentrated. The resulting crude product was purified by column chromatography, 0.
11 g of solid was obtained. The analysis results of the obtained solid are as follows, and it could be confirmed that the compound was the target compound of the above formula.

【0092】m/e : 2591 H-NMR(CDCl3(δ=ppm)):1.22(t,6H),3.40(q,4H),
6.67(d,2H),7.22(d,1H),7.54(d,2H),7,67(d,1H),9.81
(s,1H) 吸収スペクトル:λmax 413nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 518nm(励起波長366nm 溶
媒:塩化メチレン) 参考例3
M / e: 259 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.22 (t, 6H), 3.40 (q, 4H),
6.67 (d, 2H), 7.22 (d, 1H), 7.54 (d, 2H), 7,67 (d, 1H), 9.81
(s, 1H) absorption spectrum: λmax 413 nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 518 nm (excitation wavelength 366 nm solvent: methylene chloride) Reference Example 3

【0093】[0093]

【化21】 [Chemical 21]

【0094】上式に従い、以下の実施例に用いる中間体
を合成した。チオフェンアルデヒドを用いる代わりにフ
ランアルデヒドを用いる以外は参考例−2に示す方法に
従い、上式の反応を行い、0.85gの固体を得た。
According to the above formula, intermediates used in the following examples were synthesized. The reaction of the above formula was performed according to the method shown in Reference Example 2 except that furanaldehyde was used instead of thiophene aldehyde to obtain 0.85 g of a solid.

【0095】得られた固体の分析結果は以下の通りであ
り、上式の目的物である化合物であることが確認でき
た。 m/e : 2431 H-NMR(CDCl3(δ=ppm)):1.20(t,6H),3.40(q,4H),
6.59(d,1H),6.67(d,2H),7.28(d,1H),7,68(d,2H),9.51
(s,1H) 吸収スペクトル:λmax 398nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 494nm(励起波長398nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例8
The analysis results of the obtained solid are as follows, and it was confirmed that the target compound of the above formula was obtained. m / e: 243 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.20 (t, 6H), 3.40 (q, 4H),
6.59 (d, 1H), 6.67 (d, 2H), 7.28 (d, 1H), 7,68 (d, 2H), 9.51
(s, 1H) Absorption spectrum: λmax 398 nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 494 nm (excitation wavelength: 398 nm solvent: methylene chloride) Example 8

【0096】[0096]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0097】2′−ヒドロキシ−2−(メチルスルフェ
ニル)アセトフェノン0.023gのトルエン0.8ml溶液にピ
ペリジン1滴を加え、50℃に加熱した。この溶液に参考
例−2で得られたホルミル体0.06gを加え、加熱環流を
3時間行った。反応終了後、溶媒を留去し、カラムクロ
マトグラフィーにより精製し、0.026gの固体を得た。得
られた固体の分析結果は以下の通りであり、表−1のN
o.14の構造の化合物であることが確認できた。 m/e : 3751 H-NMR(CDCl3(δ=ppm)):1.20(t,6H),3.40(q,4H),
6.40(s,1H),6.68(d,2H),7.18(d,1H),7.39(t,1H),7.51
(d,1H),7,52(d,2H),7.65(d,1H), 7.66(t,1H),8.21(d,1H) 吸収スペクトル:λmax 433nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 566nm(励起波長366nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例9
One drop of piperidine was added to a solution of 0.023 g of 2'-hydroxy-2- (methylsulphenyl) acetophenone in 0.8 ml of toluene, and the mixture was heated to 50 ° C. To this solution was added 0.06 g of the formyl body obtained in Reference Example-2, and the mixture was heated under reflux for 3 hours. After completion of the reaction, the solvent was distilled off and the residue was purified by column chromatography to obtain 0.026 g of solid. The analysis results of the obtained solid are as follows, and
o. It was confirmed that the compound had a structure of 14. m / e: 375 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.20 (t, 6H), 3.40 (q, 4H),
6.40 (s, 1H), 6.68 (d, 2H), 7.18 (d, 1H), 7.39 (t, 1H), 7.51
(d, 1H), 7,52 (d, 2H), 7.65 (d, 1H), 7.66 (t, 1H), 8.21 (d, 1H) Absorption spectrum: λmax 433nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 566 nm (Excitation wavelength: 366 nm Solvent: Methylene chloride) Example 9

【0098】[0098]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0099】参考例−3で得られたホルミル体を用いる
以外は実施例8の方法に従い、上式の反応を行った。カ
ラムクロマトグラフィーにより精製し、0.563gの固体を
得た。得られた固体の分析結果は以下の通りであり、表
−1のNo.16の構造の化合物であることが確認でき
た。 m/e : 3591 H-NMR(CDCl3(δ=ppm)):1.21(t,6H),3.42(q,4H),
6.61(d,1H),6.71(d,2H),6.80(s,1H),7.20(d,1H),7.40
(t,1H),7.49(d,1H),7.62(d,2H),7.68(t,1H),8.22(d,1H) 吸収スペクトル:λmax 425nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 560nm(励起波長366nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例10
The reaction of the above formula was carried out according to the method of Example 8 except that the formyl body obtained in Reference Example-3 was used. Purification by column chromatography gave 0.563 g of solid. The analysis results of the obtained solid are as follows, and No. It was confirmed that the compound had a structure of 16. m / e: 359 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.21 (t, 6H), 3.42 (q, 4H),
6.61 (d, 1H), 6.71 (d, 2H), 6.80 (s, 1H), 7.20 (d, 1H), 7.40
(t, 1H), 7.49 (d, 1H), 7.62 (d, 2H), 7.68 (t, 1H), 8.22 (d, 1H) Absorption spectrum: λmax 425nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 560nm ( Excitation wavelength: 366 nm Solvent: methylene chloride) Example 10

【0100】[0100]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0101】実施例9で得られた化合物0.125gを用い
て、実施例2の方法に従い、上式の反応を行い、0.115g
の固体を得た。得られた固体の分析結果は以下の通りで
あり、表−1のNo.17の構造の化合物であることが
確認できた。 m/e : 4071 H-NMR(CDCl3(δ=ppm)):1.21(t,6H),3.42(q,4H),
6.64(d,1H),6.71(d,2H),7.26(m,2H),7.44(t,1H),7.50
(d,1H),7.64(d,2H),7.70(t,1H),8.94(d,1H) 吸収スペクトル:λmax 425nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 560nm(励起波長366nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例11
Using 0.125 g of the compound obtained in Example 9, the reaction of the above formula was carried out according to the method of Example 2 to give 0.115 g.
To give a solid. The analysis results of the obtained solid are as follows, and No. It was confirmed that the compound had a structure of 17. m / e: 407 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.21 (t, 6H), 3.42 (q, 4H),
6.64 (d, 1H), 6.71 (d, 2H), 7.26 (m, 2H), 7.44 (t, 1H), 7.50
(d, 1H), 7.64 (d, 2H), 7.70 (t, 1H), 8.94 (d, 1H) Absorption spectrum: λmax 425nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 560nm (excitation wavelength: 366nm solvent: methylene chloride) ) Example 11

【0102】[0102]

【化25】 [Chemical 25]

【0103】ホルミル体として参考例−3の化合物0.7g
を用いる以外は実施例8の方法に従い、上式の反応を行
い、0.053gの固体を得た。得られた固体の分析結果は以
下の通りであり、表−1のNo.18の構造の化合物で
あることが確認できた。 m/e : 3841 H-NMR(CDCl3(δ=ppm)):1.21(t,6H),3.42(q,4H),
6.64(d,1H),6.72(d,2H),6.80(s,1H),7.41(d,1H),7.58
(d,1H),7.61(d,2H),7.87(dd,1H),8.54(d,1H) 吸収スペクトル:λmax 447nm(溶媒:塩化メチレン) 蛍光スペクトル:λmax 585nm(励起波長447nm 溶
媒:塩化メチレン) 実施例12
0.7 g of the compound of Reference Example 3 as a formyl compound
The reaction of the above formula was carried out according to the method of Example 8 except that was used to obtain 0.053 g of a solid. The analysis results of the obtained solid are as follows, and No. It was confirmed that the compound had a structure of 18. m / e: 384 1 H-NMR (CDCl 3 (δ = ppm)): 1.21 (t, 6H), 3.42 (q, 4H),
6.64 (d, 1H), 6.72 (d, 2H), 6.80 (s, 1H), 7.41 (d, 1H), 7.58
(d, 1H), 7.61 (d, 2H), 7.87 (dd, 1H), 8.54 (d, 1H) Absorption spectrum: λmax 447nm (solvent: methylene chloride) Fluorescence spectrum: λmax 585nm (excitation wavelength: 447nm solvent: methylene chloride) ) Example 12

【0104】[0104]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0105】ジメチルスルホキシド43mLとトルエン300m
Lの溶液中に60%水素化ナトリウムを12g加え、室温から
昇温して、80℃、3時間攪拌した。この反応溶液を35℃
まで冷やした後、4−メトキシサリチル酸メチル18.2g
のトルエン溶液(50mL)を滴下した。滴下後、反応溶液を
35℃で3時間攪拌した。反応溶液を400gの氷水にそそ
ぎ、分液ロートで水層を分取し、水槽を酢酸で中和し
た。生成する白色固体を塩化メチレンで抽出し、有機層
を飽和食塩水で洗った後、溶液を濃縮した。得られた固
体を、トルエン−ヘキサン混合系溶媒で懸洗した後、沈
殿をろ取し、目的中間体を白色固体21g得た。
43 mL of dimethyl sulfoxide and 300 m of toluene
12 g of 60% sodium hydride was added to the solution of L, the temperature was raised from room temperature, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 3 hours. This reaction solution is at 35 ℃
After cooling to 18.2 g of methyl 4-methoxysalicylate
Toluene solution (50 mL) was added dropwise. After dropping, the reaction solution
The mixture was stirred at 35 ° C for 3 hours. The reaction solution was poured into 400 g of ice water, the aqueous layer was separated with a separating funnel, and the water tank was neutralized with acetic acid. The resulting white solid was extracted with methylene chloride, the organic layer was washed with saturated saline, and then the solution was concentrated. The obtained solid was suspended and washed with a toluene-hexane mixed system solvent, and the precipitate was collected by filtration to obtain 21 g of a target intermediate as a white solid.

【0106】[0106]

【化27】 [Chemical 27]

【0107】次いで、2’−ヒドロキシ−4’−メトキ
シ−2−(メチルスルフェニル)アセトフェノン206mg
をトルエン15mLに懸濁させた後、ピペリジンを3滴加
え、50℃に昇温した。この反応溶液に公知の方法で得ら
れたホルミル体1.11mgのトルエン溶液(7mL)を加
え、6時間還流した。この反応溶液を冷却後、ヘキサン2
0mLを加え、生成する沈殿をろ過した。得られた固体を
カラムクロマトグラフィーにより精製すると目的化合物
である、表−1のNo.19の構造の化合物721mgを得
た。 m/e : 405 吸収スペクトル:λmax 438nm(溶媒:クロロホルム) 蛍光スペクトル:λmax 546nm(励起波長438nm 溶
媒:クロロホルム) 実施例13
Then, 206 mg of 2'-hydroxy-4'-methoxy-2- (methylsulfenyl) acetophenone
Was suspended in 15 mL of toluene, 3 drops of piperidine was added, and the temperature was raised to 50 ° C. A toluene solution (7 mL) of 1.11 mg of the formyl compound obtained by a known method was added to this reaction solution, and the mixture was refluxed for 6 hours. After cooling the reaction solution, hexane 2
0 mL was added and the resulting precipitate was filtered. When the obtained solid is purified by column chromatography, it is the target compound, No. 1 in Table 1. 721 mg of the compound of structure 19 was obtained. m / e: 405 Absorption spectrum: λmax 438 nm (solvent: chloroform) Fluorescence spectrum: λmax 546 nm (excitation wavelength 438 nm, solvent: chloroform) Example 13

【0108】[0108]

【化28】 [Chemical 28]

【0109】公知の方法で得られたホルミル体468mgを
用いて、実施例12の方法に従い、上式の反応を行っ
た。カラムクロマトグラフィーで精製し、目的化合物で
ある、表−1のNo.23の構造の化合物312mgを得
た。 m/e : 386 吸収スペクトル:λmax 415nm(溶媒:クロロホルム) 蛍光スペクトル:λmax 515nm(励起波長415nm 溶
媒:クロロホルム) 実施例14
The reaction of the above formula was carried out according to the method of Example 12 using 468 mg of the formyl compound obtained by a known method. It was purified by column chromatography and is the target compound, No. 1 in Table 1. 312 mg of the compound of the structure 23 were obtained. m / e: 386 Absorption spectrum: λmax 415 nm (solvent: chloroform) Fluorescence spectrum: λmax 515 nm (excitation wavelength 415 nm solvent: chloroform) Example 14

【0110】[0110]

【化29】 [Chemical 29]

【0111】公知の方法で得られたホルミル体1.13gを
用いて、実施例12の方法に従い、上式の反応を行っ
た。カラムクロマトグラフィーで精製し、目的化合物で
ある、表−1のNo.30の構造の化合物953mgを得
た。 m/e : 419 吸収スペクトル:λmax 398nm(溶媒:クロロホルム) 蛍光スペクトル:λmax 534nm(励起波長398nm 溶
媒:クロロホルム) 実施例15 図3に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
According to the method of Example 12, the reaction of the above formula was carried out using 1.13 g of the formyl compound obtained by a known method. It was purified by column chromatography and is the target compound, No. 1 in Table 1. 953 mg of the compound of structure 30 are obtained. m / e: 419 Absorption spectrum: λmax 398 nm (solvent: chloroform) Fluorescence spectrum: λmax 534 nm (excitation wavelength: 398 nm solvent: chloroform) Example 15 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 3 was produced by the following method.

【0112】ガラス基板1上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を 150nm堆積したもの(ジオマテッ
ク社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗15Ω)を通常の
フォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm
幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。
パターン形成したITO基板を、超純水による水洗、界面
活性剤を用いた超音波洗浄、超純水による超音波洗浄、
超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥さ
せ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内
に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行
った後、装置内の真空度が2.0×10-6Torr(約
2.7×10-4Pa)以下になるまで液体窒素トラップ
を備えた油拡散ポンプを用いて排気した。陽極バッファ
ー層3の材料として、下記に示す構造式の銅フタロシア
ニン
A glass substrate 1 on which a transparent conductive film of indium tin oxide (ITO) was deposited to a thickness of 150 nm (manufactured by Geomatec; electron beam film-formed product; sheet resistance 15 Ω) was subjected to ordinary photolithography and hydrochloric acid etching. 2 mm
The anode 2 was formed by patterning a width stripe.
The patterned ITO substrate is washed with ultrapure water, ultrasonic cleaning with a surfactant, ultrasonic cleaning with ultrapure water,
After washing in the order of washing with ultrapure water, it was dried by nitrogen blow, and finally, ultraviolet ozone washing was carried out and it was installed in a vacuum vapor deposition apparatus. After rough evacuation of the above equipment by an oil rotary pump, oil equipped with a liquid nitrogen trap until the degree of vacuum inside the equipment becomes 2.0 × 10 −6 Torr (about 2.7 × 10 −4 Pa) or less. It was evacuated using a diffusion pump. As a material for the anode buffer layer 3, copper phthalocyanine having the structural formula shown below is used.

【0113】[0113]

【化30】 [Chemical 30]

【0114】をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.
16nm/秒、真空度1.3×10-6Torr(約1.7×10-4Pa)で、
10nmの膜厚で陽極2の上に成膜した。次に、上記陽極バ
ッファー層の上に、正孔輸送層4の材料として、下記に
示す構造式の4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルア
ミノ]ビフェニル
Using a molybdenum boat, a vapor deposition rate of 0.
16nm / sec, vacuum degree 1.3 × 10 -6 Torr (about 1.7 × 10 -4 Pa),
A film having a thickness of 10 nm was formed on the anode 2. Next, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl having the structural formula shown below was used as a material for the hole transport layer 4 on the anode buffer layer.

【0115】[0115]

【化31】 [Chemical 31]

【0116】をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のるつぼの温度は、260〜280℃の範囲で制御した。蒸着
時の真空度は1.2×10-6Torr(約1.6×10-4Pa)で、蒸着
速度0.26nm/秒で膜厚60nmの正孔輸送層4を得た。次
に、電子輸送層5(発光層)の材料として、下記に示す
構造式のアルミニウムの8-ヒドロキシキノリン錯体(E
M−1)
[0116] was placed in a ceramic crucible and heated by a tantalum wire heater around the crucible to perform vapor deposition. The temperature of the crucible at this time was controlled in the range of 260 to 280 ° C. The degree of vacuum during vapor deposition was 1.2 × 10 −6 Torr (about 1.6 × 10 −4 Pa), and the hole transport layer 4 having a film thickness of 60 nm was obtained at a vapor deposition rate of 0.26 nm / sec. Next, as a material of the electron transport layer 5 (light emitting layer), an aluminum 8-hydroxyquinoline complex (E
M-1)

【0117】[0117]

【化32】 [Chemical 32]

【0118】と実施例8で得られた構造を有するクロモ
ン系化合物(No.14)とを上記正孔輸送層4の上に
100:1の割合で共蒸着を行なった。この時のるつぼの温
度はそれぞれ300〜315℃、163〜164℃の範囲で制御し
た。蒸着時の真空度は0.9×10-6Torr(約1.2×10-4P
a)、EM−1の蒸着速度は0.23nm/秒で、全膜厚は30n
mであった。
On top of the hole transport layer 4, the chromone compound (No. 14) having the structure obtained in Example 8 was placed.
Co-evaporation was performed at a ratio of 100: 1. The temperature of the crucible at this time was controlled in the range of 300 to 315 ℃ and 163 to 164 ℃, respectively. The degree of vacuum during vapor deposition is 0.9 × 10 -6 Torr (about 1.2 × 10 -4 P
a), EM-1 deposition rate is 0.23nm / sec, total film thickness is 30n
It was m.

【0119】続いて、電子注入層6の材料として前述の
アルミニウムの8-ヒドロキシキノリン錯体を上記電子輸
送層5の上に蒸着した。この時のるつぼの温度は296〜3
16℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は0.8×10-6Tor
r(約1.1×10-4Pa)、蒸着速度は0.23nm/秒で、膜厚は
45nmであった。上記の正孔輸送層3から電子注入層6を
真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
Subsequently, the aforementioned 8-hydroxyquinoline complex of aluminum was vapor-deposited on the electron transport layer 5 as a material for the electron injection layer 6. The temperature of the crucible at this time is 296-3
Control was performed in the range of 16 ° C. The degree of vacuum during vapor deposition is 0.8 × 10 -6 Tor
r (about 1.1 × 10 -4 Pa), deposition rate is 0.23 nm / sec, and film thickness is
It was 45 nm. The substrate temperature during vacuum deposition of the electron injection layer 6 from the hole transport layer 3 was kept at room temperature.

【0120】ここで、電子注入層6までの蒸着を行った
素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出し
て、陰極蒸着用のマスクとして 2mm幅のストライプ状シ
ャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交する
ように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置し
て有機層と同様にして装置内の真空度が3.0×10-6Torr
(約4.0×10-4Pa)以下になるまで排気した。陰極7と
して、先ず、フッ化マグネシウム(MgF2)をモリブデン
ボートを用いて、蒸着速度0.05nm/秒、真空度6.0×10
-6Torr(約8.0×10-4Pa)で、1.5nmの膜厚で電子輸送層
7の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブ
デンボートにより加熱して、蒸着速度 0.44nm/秒、真
空度1.0×10-5Torr(約1.3×10-3Pa)で膜厚40nmのアル
ミニウム層を形成した。さらに、その上に、陰極の導電
性を高めるために銅を、同様にモリブデンボートを用い
て加熱して、蒸着速度 0.43nm/秒、真空度8.0×10-6To
rr(約1.1×10-3Pa)で膜厚40nmの銅層を形成して陰極
7を完成させた。以上の3層型陰極7の蒸着時の基板温
度は室温に保持した。
Here, the element on which the electron injection layer 6 has been vapor-deposited is once taken out from the vacuum vapor deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as a mask for cathode vapor deposition on the ITO of the anode 2. The device is attached to the device so that it is orthogonal to the stripe and placed in another vacuum deposition device, and the vacuum degree in the device is 3.0 × 10 -6 Torr in the same manner as the organic layer.
It was exhausted until it became less than (about 4.0 × 10 -4 Pa). As the cathode 7, first, magnesium fluoride (MgF 2 ) was used in a molybdenum boat, the deposition rate was 0.05 nm / sec, and the degree of vacuum was 6.0 × 10 6.
The film was formed on the electron transport layer 7 at −6 Torr (about 8.0 × 10 −4 Pa) to a thickness of 1.5 nm. Next, aluminum was similarly heated with a molybdenum boat to form an aluminum layer having a film thickness of 40 nm at a vapor deposition rate of 0.44 nm / sec and a vacuum degree of 1.0 × 10 −5 Torr (about 1.3 × 10 −3 Pa). Further, copper is also heated on the molybdenum boat to increase the conductivity of the cathode, and the vapor deposition rate is 0.43 nm / sec. And the vacuum degree is 8.0 × 10 −6 To.
The cathode 7 was completed by forming a copper layer having a thickness of 40 nm with rr (about 1.1 × 10 −3 Pa). The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above three-layer cathode 7 was kept at room temperature.

【0121】以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光
面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素
子の発光特性を表−2に示す。表−2において、発光効
率は100cd/m2での値、輝度/電流は輝度−電流密度特
性の傾きを、電圧は 100cd/m 2での値を各々示す。安定
性は電流密度0.25A/cm2でDC駆動したとき、初期輝度と6
0秒後の輝度の比率から評価した。輝度比(60秒後の輝
度/初期輝度)が0.97以上を「優れる」、0.90以上0.97
未満を「良好」、0.90未満を「劣る」とした。この素子
は、鮮明な黄緑色の一様な発光を示し、安定性に優れて
いた。発光ピークの波長は547nm、CIE色度座標値はx=0.
39、y=0.57であり、クロモン系化合物(No.14)を
ドープすることにより発光を効率よく得ることができ
た。
As described above, the light emission of the size of 2 mm × 2 mm
An organic electroluminescent device having an area portion was obtained. This element
The emission characteristics of the child are shown in Table-2. In Table-2, luminous effect
Rate is 100 cd / m2The value and brightness / current are the brightness-current density characteristics.
The slope of the sex, the voltage is 100 cd / m 2The values in are shown. Stable
The current density is 0.25A / cm2When driven by DC at
It was evaluated from the ratio of luminance after 0 seconds. Luminance ratio (brightness after 60 seconds
Degree / initial brightness) is "excellent" when 0.97 or higher, 0.90 or higher 0.97
Less than "good", less than 0.90 "poor". This element
Shows a bright yellow-green uniform light emission and has excellent stability.
I was there. The wavelength of the emission peak is 547 nm, and the CIE chromaticity coordinate value is x = 0.
39, y = 0.57, the chromone compound (No. 14)
Emission can be efficiently obtained by doping
It was

【0122】比較例1 発光層にクロモン系化合物(No.14)をドープしな
い以外は実施例15と同様にして有機電界発光素子を作
製した。この素子の発光特性を表−2に示す。この素子
は537nmに発光ピークを持ち、黄緑色の発光を示し安定
性は良好であったが、駆動電圧が高く、発光効率は低か
った。 比較例2 発光層にクロモン系化合物(No.14)の代わりに以
下の構造式に示すジメチルキナクリドン
Comparative Example 1 An organic electroluminescence device was produced in the same manner as in Example 15 except that the chromone compound (No. 14) was not doped in the light emitting layer. The light emission characteristics of this device are shown in Table 2. This device had an emission peak at 537 nm and emitted yellowish green light and had good stability, but the driving voltage was high and the emission efficiency was low. Comparative Example 2 Instead of the chromone compound (No. 14) in the light emitting layer, dimethylquinacridone represented by the following structural formula

【0123】[0123]

【化33】 [Chemical 33]

【0124】を用いた以外は実施例15と同様にして有
機電界発光素子を作製した。この素子の発光特性を表−
2に示す。この素子は544nmに発光ピークを持ち、黄緑
色の発光を示し安定性に優れていたが、発光開始電圧お
よび駆動電圧が高く、発光効率は低かった。
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 15 except that the above was used. The emission characteristics of this device are shown in the table −
2 shows. This device had an emission peak at 544 nm and exhibited yellow-green emission, and was excellent in stability, but the emission start voltage and drive voltage were high, and the emission efficiency was low.

【0125】実施例16 発光層にクロモン系化合物(No.14)の代わりに実
施例9で得られた構造を有するクロモン系化合物(N
o.16)を用いた以外は実施例15と同様にして有機
電界発光素子を作製した。この素子の発光特性を表−2
に示す。この素子は、鮮明な緑色の一様な発光を示し安
定性に優れていた。発光ピークの波長は535nm、CIE色度
座標値はx=0.33、y=0.60であった。従ってクロモン系化
合物(No.16)をドープすることにより発光を効率
よく得ることができた。
Example 16 Instead of the chromone compound (No. 14) in the light emitting layer, the chromone compound (N having the structure obtained in Example 9)
o. An organic electroluminescence device was produced in the same manner as in Example 15 except that 16) was used. Table 2 shows the emission characteristics of this device.
Shown in. This device showed bright green uniform light emission and was excellent in stability. The wavelength of the emission peak was 535 nm, and the CIE chromaticity coordinate values were x = 0.33 and y = 0.60. Therefore, luminescence could be efficiently obtained by doping the chromone-based compound (No. 16).

【0126】比較例3 発光層にクロモン系化合物(No.14)の代わりに以
下の構造式に示すルブレン
Comparative Example 3 Rubrene represented by the following structural formula was used in the light emitting layer instead of the chromone compound (No. 14).

【0127】[0127]

【化34】 [Chemical 34]

【0128】を用いた以外は実施例15と同様にして有
機電界発光素子を作製した。この素子の発光特性を表−
2に示す。この素子は563nmに発光ピークを持ち、黄色
の発光を示し安定性は良好であったが、駆動電圧が高
く、発光効率は低かった。 実施例17 電子輸送層5(発光層)と電子注入層6の間に正孔阻止
層として以下の構造式に示すシラノールアルミニウムの
8-ヒドロキシキノリン錯体
An organic electroluminescence device was produced in the same manner as in Example 15 except that the above was used. The emission characteristics of this device are shown in the table −
2 shows. This device had an emission peak at 563 nm and emitted yellow light and had good stability, but the driving voltage was high and the emission efficiency was low. Example 17 A silanol aluminum compound represented by the following structural formula was used as a hole blocking layer between the electron transport layer 5 (light emitting layer) and the electron injection layer 6.
8-hydroxyquinoline complex

【0129】[0129]

【化35】 [Chemical 35]

【0130】を10nm蒸着し、電子注入層6のアルミニウ
ムの8-ヒドロキシキノリン錯体(EM−1)の膜厚を35
nmにした以外は実施例15と同様にして有機電界発光素
子を作製した。この素子の発光特性を表−2に示す。こ
の素子は、鮮明な黄緑色の一様な発光を示した。発光ピ
ークの波長は550nm、CIE色度座標値はx=0.40、y=0.57で
あった。 実施例18 発光層のホスト材料としてアルミニウムの8-ヒドロキシ
キノリン錯体(EM−1)の代わりに以下の構造式に示
す4,4'-N,N'-ジカルバゾリルビフェニル
10 nm is vapor-deposited on the electron-injecting layer 6 to form a film of aluminum 8-hydroxyquinoline complex (EM-1) having a thickness of 35.
An organic electroluminescence device was produced in the same manner as in Example 15 except that the thickness was changed to nm. The light emission characteristics of this device are shown in Table 2. The device showed a bright yellow-green uniform emission. The wavelength of the emission peak was 550 nm, and the CIE chromaticity coordinate values were x = 0.40 and y = 0.57. Example 18 4,4′-N, N′-dicarbazolylbiphenyl represented by the following structural formula instead of aluminum 8-hydroxyquinoline complex (EM-1) as a host material for a light emitting layer

【0131】[0131]

【化36】 [Chemical 36]

【0132】を用いた以外は実施例17と同様にして有
機電界発光素子を作製した。この素子の発光特性を表−
2に示す。この素子は、鮮明な緑色の一様な発光を示し
た。発光ピークの波長は519nm、CIE色度座標値はx=0.3
1、y=0.53であった。従ってホスト材料を代えることに
より発光波長を変化させることが出来た。
An organic electroluminescence device was produced in the same manner as in Example 17 except that the above was used. The emission characteristics of this device are shown in the table −
2 shows. The device showed a bright green uniform emission. The wavelength of the emission peak is 519 nm, and the CIE chromaticity coordinate value is x = 0.3.
1, y = 0.53. Therefore, the emission wavelength could be changed by changing the host material.

【0133】実施例19 図4に示す構造を有するITO体積ガラス基板(開口絶
縁膜ITO基板)を用い、図5に示す構造を有する有機
電界発光素子を、以下の方法で作成した。まず、図4に
おいて、ガラス基板上1にインジウム・スズ酸化物(I
TO)透明導電膜を スパッタ法にて160nm堆積したもの
を、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを
用いてパターニングして、陽極ITO2および陽極とは
接していない位置に陰極取り出し部ITO8を形成し
た。ITOをパターン形成した基板には、通常のフォト
レジストを用いて、陽極ITO2上に2mm×2mmの絶縁膜
開口部9を有する開口絶縁膜10を設け、図4に示す構
造を有する開口絶縁膜ITO基板11を作成した。次い
で開口絶縁膜ITO基板11を超純水による水洗、界面
活性剤を用いた超音波洗浄、超純水による超音波洗浄、
超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ
た。最後に紫外線オゾン洗浄を行った。次に下記に示す
組成の溶液を調製し、洗浄済みの開口絶縁膜ITO基板
11に、下記条件にてスピンコート、乾燥し、厚さ20nm
の陽極バッファー層溶液塗膜を形成した。 (陽極バッファー層溶液組成) シクロヘキサノン 10ml 高分子化合物1 130mg 電子受容性化合物1 13mg スピナ回転数 1500rpm スピナ回転時間 30秒 (高分子化合物1)下記繰り返し単位のみからなる、単
独重合体であり、重量平均分子量(必須)は46700
である。
Example 19 Using the ITO volume glass substrate (opening insulating film ITO substrate) having the structure shown in FIG. 4, an organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 5 was prepared by the following method. First, in FIG. 4, indium tin oxide (I
A TO) transparent conductive film having a thickness of 160 nm deposited by a sputtering method was patterned using a normal photolithography technique and hydrochloric acid etching to form an anode ITO2 and a cathode extraction portion ITO8 at a position not in contact with the anode. On the ITO patterned substrate, an opening insulating film 10 having an insulating film opening 9 of 2 mm × 2 mm is provided on the anode ITO2 by using a normal photoresist, and the opening insulating film ITO having the structure shown in FIG. The substrate 11 was created. Next, the opening insulating film ITO substrate 11 is washed with ultrapure water, ultrasonic cleaning with a surfactant, ultrasonic cleaning with ultrapure water,
After washing with water in the order of ultrapure water, it was dried with nitrogen blow. Finally, ultraviolet ozone cleaning was performed. Next, a solution having the following composition is prepared, and the washed opening insulating film ITO substrate 11 is spin-coated under the following conditions and dried to have a thickness of 20 nm.
The anode buffer layer solution coating film was formed. (Anode buffer layer solution composition) Cyclohexanone 10 ml Polymer compound 1 130 mg Electron-accepting compound 1 13 mg Spinner rotation speed 1500 rpm Spinner rotation time 30 seconds (polymer compound 1) A homopolymer consisting only of the following repeating units, weight average Molecular weight (required) is 46,700
Is.

【0134】[0134]

【化37】 [Chemical 37]

【0135】(電子受容性化合物1)下記構造式で表さ
れる化合物である。
(Electron Accepting Compound 1) A compound represented by the following structural formula.

【0136】[0136]

【化38】 [Chemical 38]

【0137】上記陽極バッファー層溶液塗膜は、開口絶
縁膜ITO基板11のほぼ全面に形成されるので、開口
絶縁膜10の周囲に形成された陽極バッファー層溶液塗
膜はクロロホルムにて拭き取り除去した。その後、10
0℃で1時間乾燥し、厚さ45nmの陽極バッファー層
3を形成した。次に、上記陽極バッファー層3を形成し
た開口絶縁膜ITO基板11に対し、絶縁開口部9以外
の陽極ITO2上、および陰極取り出し部ITO8上には
有機層が蒸着されないようマスクをし、真空蒸着装置内
に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行
った後、装置内の真空度が2.0×10-6Torr(約2.7×10-4
Pa)以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポ
ンプを用いて排気した。次に、上記陽極バッファ層3の
上に、正孔輸送層4の材料として、下記に示す構造式の
4,4'-ビス[N-(9-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]ビ
フェニル
Since the anode buffer layer solution coating film is formed on almost the entire surface of the opening insulating film ITO substrate 11, the anode buffer layer solution coating film formed around the opening insulating film 10 was wiped off with chloroform. . Then 10
It was dried at 0 ° C. for 1 hour to form an anode buffer layer 3 having a thickness of 45 nm. Next, with respect to the opening insulating film ITO substrate 11 on which the anode buffer layer 3 is formed, a mask is provided so that an organic layer is not deposited on the anode ITO 2 other than the insulating opening 9 and the cathode extraction portion ITO 8, and vacuum deposition is performed. Installed in the device. After rough evacuation of the above equipment with an oil rotary pump, the degree of vacuum in the equipment was 2.0 × 10 -6 Torr (about 2.7 × 10 -4
Pa) was evacuated using an oil diffusion pump equipped with a liquid nitrogen trap until below. Next, as a material of the hole transport layer 4 on the anode buffer layer 3, the following structural formula is used.
4,4'-bis [N- (9-phenanthryl) -N-phenylamino] biphenyl

【0138】[0138]

【化39】 [Chemical Formula 39]

【0139】をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のるつぼの温度は、270〜280℃の範囲で制御した。蒸着
時の真空度は1.2×10-6Torr(約1.6×10-4Pa)で、蒸着
速度0.16nm/秒で膜厚40nmの正孔輸送層4を得た。次
に、電子輸送層5(発光層)の材料として、EM−1と
実施例12で得られた構造を有するクロモン系化合物
(No.19)とを、上記正孔輸送層4の上に100:1の
割合で共蒸着を行なった。この時のるつぼの温度はそれ
ぞれ265〜270℃、160〜162℃の範囲で制御した。蒸着時
の真空度は0.9×10-6Torr(約1.2×10-4Pa)、EM−1
の蒸着速度は0.12nm/秒で、全膜厚は30nmであった。続
いて、電子注入層6の材料として前述のEM−1を上記
電子輸送層5の上に蒸着した。この時のるつぼの温度は
270〜290℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は0.8×1
0-6Torr(約1.1×10-4Pa)、蒸着速度は0.17nm/秒で、
膜厚は30nmであった。次に、電子注入層6までの蒸着を
行った素子を、一度前記真空蒸着装置内より大気中に取
り出して、少なくとも開口絶縁膜10の外側の陽極IT
O2には陰極が蒸着されないようマスクし、別の真空蒸
着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度
が3.0×10-6Torr(約4.0×10-4Pa)以下になるまで排気
した。陰極7として、先ず、フッ化リチウム(LiF)を
モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.07nm/秒、真空
度3.0×10-6Torr(約4.0×10-4Pa)で、0.5nmの膜厚で
電子注入層6の上に成膜した。次に、アルミニウムを同
様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度 0.45n
m/秒、真空度6.0×10-6Torr(約8×10-4Pa)で膜厚80n
mのアルミニウム層を形成し、陰極7を完成させた。以
上の様にして、2mmx2mmのサイズの発光面積部分を有す
る有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を
表−2に示す。この素子は鮮明な黄緑色の一様な発光を
示し、安定性にも優れていた。発光ピークの波長は53
9nm、CIE色度座標値はx=0.37、y=0.5
8であった。
[0139] was placed in a ceramic crucible and heated by a tantalum wire heater around the crucible to perform vapor deposition. The temperature of the crucible at this time was controlled in the range of 270 to 280 ° C. The degree of vacuum during vapor deposition was 1.2 × 10 −6 Torr (about 1.6 × 10 −4 Pa), and the hole transport layer 4 having a film thickness of 40 nm was obtained at a vapor deposition rate of 0.16 nm / sec. Next, as a material for the electron transport layer 5 (light emitting layer), EM-1 and the chromone-based compound (No. 19) having the structure obtained in Example 12 were deposited on the hole transport layer 4 by 100 Co-deposition was performed at a ratio of 1: 1. The temperature of the crucible at this time was controlled within the ranges of 265-270 ° C and 160-162 ° C, respectively. The degree of vacuum during vapor deposition is 0.9 × 10 -6 Torr (about 1.2 × 10 -4 Pa), EM-1
Had a vapor deposition rate of 0.12 nm / sec and a total film thickness of 30 nm. Subsequently, the above-mentioned EM-1 was deposited on the electron transport layer 5 as a material of the electron injection layer 6. The temperature of the crucible at this time is
The temperature was controlled in the range of 270 to 290 ° C. The degree of vacuum during vapor deposition is 0.8 x 1
0 -6 Torr (about 1.1 × 10 -4 Pa), vapor deposition rate is 0.17 nm / sec,
The film thickness was 30 nm. Next, the element on which the electron injection layer 6 has been vapor-deposited is once taken out of the vacuum vapor deposition apparatus into the atmosphere, and at least the anode IT outside the opening insulating film 10 is exposed.
The cathode is masked against O2 so that it is not vapor-deposited, and it is installed in another vacuum vapor deposition device, and the vacuum degree in the device is 3.0 × 10 -6 Torr (about 4.0 × 10 -4 Pa) or less like the organic layer. I evacuated until. First, as a cathode 7, lithium fluoride (LiF) was used in a molybdenum boat, a vapor deposition rate of 0.07 nm / sec, a vacuum degree of 3.0 × 10 −6 Torr (about 4.0 × 10 −4 Pa), and a film thickness of 0.5 nm. Then, a film was formed on the electron injection layer 6. Next, aluminum is similarly heated with a molybdenum boat to obtain a vapor deposition rate of 0.45n.
m / sec, vacuum degree 6.0 × 10 -6 Torr (approximately 8 × 10 -4 Pa) and film thickness 80n
An aluminum layer of m was formed and the cathode 7 was completed. As described above, an organic electroluminescent device having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this device are shown in Table 2. This device showed a bright yellow-green uniform light emission and was excellent in stability. The emission peak wavelength is 53
9 nm, CIE chromaticity coordinate value is x = 0.37, y = 0.5
It was 8.

【0140】実施例20発光層5に、EM−1とクロモ
ン系化合物(No.19)とを100:2.3の割合で共蒸着
を行なった以外は実施例19と同様にして有機電界発光
素子を作製した。このときのクロモン系化合物(No.
19)のるつぼの温度は173〜175℃の範囲で制御した。
この素子の発光特性を表−2に示す。この素子は鮮明な
黄緑色の一様な発光を示し、安定性にも優れていた。発
光ピークの波長は545nm、CIE色度座標値はx=
0.40、y=0.57であった。
Example 20 An organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 19 except that EM-1 and the chromone compound (No. 19) were co-deposited on the light emitting layer 5 at a ratio of 100: 2.3. It was made. The chromone-based compound (No.
The temperature of the crucible of 19) was controlled in the range of 173-175 ° C.
The light emission characteristics of this device are shown in Table 2. This device showed a bright yellow-green uniform light emission and was excellent in stability. The wavelength of the emission peak is 545 nm, and the CIE chromaticity coordinate value is x =
It was 0.40 and y = 0.57.

【0141】実施例21発光層5に、クロモン系化合物
(No.19)の代わりに、実施例14で得られた構造
を有するクロモン系化合物(No.30)を用いた以外
は、実施例19と同様にして有機電界発光素子を作製し
た。このときのクロモン系化合物(No.30)のるつ
ぼの温度は238℃で制御した。この素子の発光特性を表
−2に示す。この素子は鮮明な緑色の一様な発光を示
し、安定性にも優れていた。発光ピークの波長は528
nm、CIE色度座標値はx=0.34、y=0.58
であった。 実施例22 発光層5に、EM−1の代わりに下記構造式
Example 21 Example 19 was repeated except that the chromone compound (No. 30) having the structure obtained in Example 14 was used in the light emitting layer 5 instead of the chromone compound (No. 19). An organic electroluminescence device was produced in the same manner as in. At this time, the temperature of the crucible of the chromone compound (No. 30) was controlled at 238 ° C. The light emission characteristics of this device are shown in Table 2. This device showed bright green uniform light emission and was excellent in stability. The emission peak wavelength is 528
nm, CIE chromaticity coordinate value is x = 0.34, y = 0.58
Met. Example 22 The following structural formula was used in place of EM-1 in the light emitting layer 5.

【0142】[0142]

【化40】 [Chemical 40]

【0143】に示す化合物を用いた点、電子輸送層5
(発光層)と電子注入層6の間に正孔阻止層としてシラ
ノールアルミニウムの8-ヒドロキシキノリン錯体(化3
5として前記したもの)を10nm蒸着した点、および電子
注入層6のアルミニウムの8-ヒドロキシキノリン錯体
(EM−1)の膜厚を20nmにした点以外は、実施例1
9と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子
の発光特性を表−2に示す。この素子は鮮明な青緑色の
一様な発光を示した。発光ピークの波長は499nm、
CIE色度座標値はx=0.27、y=0.47であっ
た。従って、ホスト材料を代えることにより、発光波長
を変化させた素子を得ることが出来た。
A point using the compound shown in FIG.
A silanolaluminum 8-hydroxyquinoline complex (Chemical Formula 3) is used as a hole blocking layer between the (light emitting layer) and the electron injection layer 6.
Example 5 except that the electron-injecting layer 6 has a thickness of 20 nm and the thickness of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex (EM-1) of the electron injection layer 6 is 20 nm.
An organic electroluminescence device was produced in the same manner as in 9. The light emission characteristics of this device are shown in Table 2. The device showed a bright blue-green uniform emission. The wavelength of the emission peak is 499 nm,
The CIE chromaticity coordinate values were x = 0.27 and y = 0.47. Therefore, by changing the host material, it was possible to obtain an element in which the emission wavelength was changed.

【0144】[0144]

【表4】 [Table 4]

【0145】[0145]

【発明の効果】本発明は、安定性に優れた、高輝度の発
光を効率よく得ることができる有機電界発光素子を提供
するとともに、発光層のホスト材料を代えることにより
広い波長範囲において発光波長を変えることが可能な、
有機電界発光素子用発光材料を提供するものである。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention provides an organic electroluminescent device having excellent stability and capable of efficiently obtaining high-luminance light emission, and by changing the host material of the light emitting layer, the emission wavelength in a wide wavelength range. Can be changed,
A light emitting material for an organic electroluminescent device is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】有機電界発光素子の一例を示した模式断面図。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic electroluminescence device.

【図2】有機電界発光素子の別の例を示した模式断面
図。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic electroluminescence device.

【図3】有機電界発光素子の別の例を示した模式断面
図。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic electroluminescent element.

【図4】有機電界発光素子に用いられるITOガラス基
板の模式断面図。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an ITO glass substrate used for an organic electroluminescence device.

【図5】実施例19で作成した有機電界発光素子の層構
成を示す模式断面図。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the layer structure of the organic electroluminescent element created in Example 19.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 陽極ITO 3 陽極バッファー層 4 正孔輸送層 5 電子輸送層 6 電子注入層 7 陰極 8 陰極取り出し部ITO 9 絶縁膜開口部 10 開口絶縁膜 11 開口絶縁膜ITO基板 1 substrate 2 Anode ITO 3 Anode buffer layer 4 Hole transport layer 5 Electron transport layer 6 Electron injection layer 7 cathode 8 Cathode extraction part ITO 9 Insulating film opening 10 Opening insulating film 11 Opening insulating film ITO substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07D 455/04 C07D 455/04 C09K 11/06 635 C09K 11/06 635 // C09B 57/00 C09B 57/00 N P Z (72)発明者 遠藤 恭子 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社内 (72)発明者 村田 勇吉 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB03 AB06 AB11 DB03 4C062 EE59 FF65 4C063 AA01 CC75 CC92 DD79 EE10 4C064 AA12 CC01 DD04 FF01 GG07 HH04 4H056 DD04 DD12 DD15 DD16 DD29 EA13 EA16 FA05 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C07D 455/04 C07D 455/04 C09K 11/06 635 C09K 11/06 635 // C09B 57/00 C09B 57 / 00 N PZ (72) Inventor Kyoko Endo 1000 Kamoshida-cho, Aoba-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture, Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (Reference) 3K007 AB02 AB03 AB06 AB11 DB03 4C062 EE59 FF65 4C063 AA01 CC75 CC92 DD79 EE10 4C064 AA12 CC01 DD04 FF01 GG07 HH04 4H056 DD04 DD12 DD15 DD16 DD29 EA13 EA16 FA05

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、陽極、有機層、および陰極が
順次積層されてなる有機電界発光素子において、該有機
層に下記一般式(I)で表される化合物を含有すること
を特徴とする有機電界発光素子。 【化1】 (式中、R1〜R4は各々独立に水素原子、置換基を有し
ていても良いアルキル基、置換基を有していてもよいア
ルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R 5〜R
10は水素原子または置換基を有していてもよいアルキル
基を表す。また、R8とR9は結合して環を形成していて
も良いし、R7とR8、R9とR10が各々が結合して環を
形成していても良い。Yは酸素原子、またはCR1112
を表し、R11およびR12は各々独立に、シアノ基あるい
は−C(=O)OR13(但しR13は置換基を有していても
よいアルキル基を表す。)を表す。Zは直接結合、置換
基を有していてもよいチオフェン環、置換基を有してい
てもよいフラン環、置換基を有していてもよいピロール
環、または置換基を有していてもよいベンゼン環を表
す。nは0または1を表す。)
1. An anode, an organic layer, and a cathode are provided on a substrate.
In an organic electroluminescent device that is sequentially stacked, the organic
The layer contains a compound represented by the following general formula (I)
An organic electroluminescent device characterized by: [Chemical 1] (In the formula, R1~ RFourEach independently have a hydrogen atom and a substituent.
Optionally substituted alkyl group and optionally substituted alkyl group
Rucoxy group, halogen atom, cyano group, R Five~ R
TenIs a hydrogen atom or optionally substituted alkyl
Represents a group. Also, R8And R9Are connected to form a ring
Good and R7And R8, R9And RTenEach combine to form a ring
It may be formed. Y is an oxygen atom or CR11R12
Represents R11And R12Are each independently a cyano group or
Is -C (= O) OR13(However, R13Has a substituent
Represents a good alkyl group. ) Represents. Z is a direct bond or substitution
Thiophene ring which may have a group, which has a substituent
Optionally furan ring, optionally substituted pyrrole
Represents a ring or a benzene ring which may have a substituent.
You n represents 0 or 1. )
【請求項2】 一般式(I)中のR7 とR8 、R8 とR
9 またはR9とR10が結合して環を形成する場合、その
環は芳香環ではない請求項1に記載の有機電界発光素
子。
2. R 7 and R 8 , R 8 and R in the general formula (I).
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein when 9 or R 9 and R 10 are combined to form a ring, the ring is not an aromatic ring.
【請求項3】 一般式(I)中のZが、置換基を有して
いてもよいチオフェン環、置換基を有していてもよいフ
ラン環、または置換基を有していてもよいピロール環で
あることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機
電界発光素子。
3. Z in general formula (I) is a thiophene ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent, or a pyrrole which may have a substituent. It is a ring, The organic electroluminescent element of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
【請求項4】 有機層の一つとして、電子輸送材料およ
び/または正孔輸送材料をホスト材料とし、該ホスト材
料に対して一般式(I)で表される系化合物がドープさ
れている層を有する、請求項1乃至3に記載の有機電界
発光素子。
4. A layer in which an electron transport material and / or a hole transport material is used as a host material as one of the organic layers, and the host compound is doped with a compound represented by the general formula (I). The organic electroluminescent device according to claim 1, which comprises:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006073969A (en) * 2004-09-06 2006-03-16 Fuji Xerox Co Ltd Organic electroluminescent element
JP2009146696A (en) * 2007-12-13 2009-07-02 Mitsubishi Chemicals Corp Composition for forming outer edge prescribing film, manufacturing method of functional film, organic electroluminescent device, its manufacturing method, and image display device

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